KR101533032B1 - 박막 증착 장치 - Google Patents

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KR101533032B1
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서상준
유지범
정호균
조성민
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성균관대학교산학협력단
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Abstract

플라즈마부의 하단에 소스부가 배열되고, 플라즈마부에 그리드를 포함하는 박막 증착 장치에 관한 것이다.

Description

박막 증착 장치{THIN FILM DEPOSITING APPARATUS}
본원은, 플라즈마부의 하단에 소스부가 배열되고, 플라즈마부에 그리드를 포함하는 박막 증착 장치에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치(organic light emitting display device, OLED)는 스마트 폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 초슬림 노트북, 디지털 카메라, 비디오 카메라, 휴대 정보 단말기와 같은 모바일 기기용 디스플레이 장치, 또는 초박형 텔레비전과 같은 전자기기 제품 등에 다양하게 사용된다. 따라서 반도체 제조 공정에서 반도체 집적 소자의 크기가 점점 작아지고 형상이 복잡해짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, 미세 패턴을 형성하고, 하나의 칩 상에 셀들을 고도로 집적시키기 위해서는 박막 두께 감소 및 고유전율을 갖는 새로운 물질개발 등의 기술이 중요하게 대두되고 있다.
특히, 웨이퍼 표면에 단차가 형성되어 있는 경우, 표면을 원만하게 덮어주는 단차 도포성(step coverage)과 웨이퍼 내 균일성(within wafer uniformity)의 확보가 매우 중요한데, 이와 같은 요구사항을 충족시키기 위해서 원자층 단위의 미소한 두께를 가지는 박막을 형성하는 방법인 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)방법이 널리 사용되고 있다. 또한, 상기 원자층증착 방법은 기상반응(gas-phase reaction)을 최소화하기 때문에 핀홀 밀도가 매우 낮고, 박막 밀도가 높으며 증착 온도를 낮출 수 있다.
상기 원자층증착 방법은 웨이퍼 표면에서 반응물질의 표면 포화 반응(surface saturated reaction)에 의한 화학적 흡착과 탈착 과정을 이용하여 단원자층을 형성하는 방법으로서, 원자층 수준에서 막 두께의 제어가 가능한 박막 증착 방법이다.
그러나 이러한 원자층증착 방법의 경우, 적절한 전구체와 반응체의 선택이 어렵고, 소스가스들의 공급과, 퍼지 및 배기 시간 등에 의해 공정속도가 현저하게 느려지기 때문에 생산성이 저하되며, 잉여 탄소 및 수소에 의하여 박막의 특성이 크게 저하되는 문제점이 있다.
상기 원자층증착 방법과 달리, 열화학기상증착(thermal chemical vapor deposition, TCVD) 및 플라즈마화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)을 이용한 실리콘화합물 박막의 증착은 원자층증착 방법에 비해 박막 증착 속도가 매우 빠르다. 그러나 박막에 핀홀이 많고 부산물(by-products) 및 입자(particle) 생성 등의 문제가 발생할 수 있어 주로 고온에서 박막생성을 진행하기 때문에 플라스틱 필름 같은 기재에는 적용하기 어려운 단점이 있다.
이와 관련하여, 대한민국 공개특허 제10-2014-0140524호에는, 원자층증착공정을 이용하여 기판에 박막을 형성할 때 소스가스의 배기를 위한 노즐부를 더 구비함으로써 입자 생성을 최소화하여 양질의 박막을 증착할 수 있는 박막증착장치에 관하여 개시하고 있다.
본원은, 플라즈마부의 하단에 소스부가 배열되고, 플라즈마부에 그리드를 포함하는 박막 증착 장치를 제공하고자 한다.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본원의 제 1 측면은, 기재가 로딩되는 기재 로딩부; 상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부; 및, 상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하되, 상기 박막 증착부는 각각 독립된 소스부 및 플라즈마부를 포함하는 플라즈마 모듈을 포함하고, 상기 플라즈마 모듈의 상기 플라즈마부는 플라즈마 가스가 유입되는 유입부, 상기 유입부로 유입된 플라즈마 가스를 저장하는 플라즈마 저장부, 및 상기 저장부의 하단에 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 발생부 및 소스부를 포함하며, 상기 플라즈마 모듈은 그리드(grid)를 추가 포함하는 것인, 박막 증착 장치를 제공한다.
본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치는, 플라즈마부와 소스부를 독립적으로 배치하고, 특히 소스부를 플라즈마부의 하단에 추가로 배치함으로써 원자층증착 방법과 유사한 좋은 박막특성을 가지면서 설비 양산화에 매우 유리하다. 또한, 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치는, 종래 원자층증착 모듈의 헤드 부분 구성의 복잡함 및 기재의 대형화에 따라 플라즈마부의 전극 발생장치인 전극부의 크기(직경)가 커지고, 길이방향으로 처짐 현상의 발생으로 인한 대면적 적용의 어려움 등의 단점을 극복할 수 있으며, 대면적의 기재에 적용할 경우, 종래 박막 증착 장치에 비해 증가된 증착 효율을 가진다.
본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치는 그 설비구성이 단순하고, 변형이 용이해 적용범위가 넓으며, 롤투롤 및 대형 박막 증착 설비에 적용이 가능하다.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는 각각 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 소스부 및 배기부를 나타낸 개략도이다.
도 3a 및 3b는 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 저면도(bottom view)를 나타낸 개략도이다.
도 4의 (a) 및 (b)는 각각 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치 및 종래 박막 증착 장치를 나타낸 개략도이다.
도 5의 (a) 및 (b)는 각각 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치 및 종래 박막 증착 장치를 나타낸 개략도이다.
도 6의 (a) 및 (b)는 각각 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치 및 종래 박막 증착 장치를 나타낸 개략도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~(하는) 단계” 또는 “~의 단계”는 “~ 를 위한 단계”를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합(들)”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, “A 및/또는 B”의 기재는 “A 또는 B, 또는 A 및 B”를 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 제 1 측면은, 기재가 로딩되는 기재 로딩부; 상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부; 및, 상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하되, 상기 박막 증착부는 각각 독립된 소스부 및 플라즈마부를 포함하는 플라즈마 모듈을 포함하고, 상기 플라즈마 모듈의 상기 플라즈마부는 플라즈마 가스가 유입되는 유입부, 상기 유입부로 유입된 플라즈마 가스를 저장하는 플라즈마 저장부, 및 상기 저장부의 하단에 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 발생부 및 소스부를 포함하며, 상기 플라즈마 모듈은 그리드(grid)를 추가 포함하는 것인, 박막 증착 장치를 제공한다.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치를 나타낸 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치는 기재(10), 기재 로딩부(100), 기재 수송부(200), 박막 증착부(300), 및 그리드(400)를 포함한다.
먼저, 상기 기재 로딩부(100)에 기재(10)를 로딩시킨다. 상기 기재(10)는 일반적으로 반도체 소자용으로 사용되는 기재로서, 석영, 유리, 실리콘, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재 수송부(200)는 상기 기재 로딩부(100)에 결합되어 상기 기재(10)를 이동시킨다. 이때 상기 기재(10)의 이동 방향은 선형 또는 비선형의 경로로 교번 이동하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기재(10)에 박막을 형성하는 박막 증착부(300)를 포함하며, 상기 박막 증착부(300)는 각각 독립된 플라즈마부(310) 및 소스부(320)를 포함하는 플라즈마 모듈을 포함할 수 있다. 상기 소스부(320)는 상기 플라즈마부(310)의 하단에 추가로 배치된 형태일 수 있다. 상기 소스부(320) 및 상기 플라즈마부(310)는 플라즈마를 발생시키기 위한 전극을 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 플라즈마부(310)는 플라즈마 가스가 유입되는 유입부(311), 상기 유입부(311)로 유입된 플라즈마 가스를 저장하는 저장부(312), 및 상기 저장부(312)의 하단에 상기 소스부(320)와 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 발생부(313)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 플라즈마 모듈은 소스 플라즈마 또는 반응 플라즈마를 발생시키는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 소스부(320)에서 실리콘, 알루미늄, 아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 함유하는 전구체 및 불활성 기체를 플라즈마 처리하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 플라즈마부(310)에서 N2, H2, O2, N2O, NH3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 반응가스를 플라즈마 처리하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재를 약 25℃ 내지 약 600℃의 온도에서 가열하는 것을 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 봉지(encapsulation) 박막용 기재일 경우, 약 25℃ 내지 약 600℃, 약 25℃ 내지 약 500℃, 약 25℃ 내지 약 400℃, 약 25℃ 내지 약 300℃, 약 25℃ 내지 약 200℃, 약 25℃ 내지 약 100℃, 약 100℃ 내지 약 600℃, 약 200℃ 내지 약 600℃, 약 300℃ 내지 약 600℃, 약 400℃ 내지 약 600℃, 또는 약 500℃ 내지 약 600℃의 온도에서 가열하는 것을 추가 포함할 수 있고, 예를 들어, 약 25℃ 내지 약 100℃의 온도에서 가열하는 것이 최적의 온도일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재는 박막을 제조하는 동안 가열되는 것일 수 있으며, 소스가스 전구체의 열분해 온도 이하로 조절함으로써 상기 기재의 표면에서 상기 소스가스 전구체와 상기 반응가스의 화학 반응을 유도할 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 동시에 또는 교번하여 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리가 각각 독립된 플라즈마 모듈로부터 동시에 수행될 경우, 기재 상에 무기박막이 서로 혼합된 구조로 형성되고, 예를 들어, 상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리가 각각 독립된 플라즈마 모듈로부터 교번하여 수행될 경우, 기재 상에 박막이 적층된 구조로 형성된다.
도 2의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 소스부[도 2의 (a)] 및 배기부[도 2의 (b)]를 나타낸 개략도이다.
본원의 일 구현예에 있어서, 도 2의 (a) 및 (b)를 참고하면, 상기 소스부(320)는 소스가스가 유입되는 유입부(311)와 상기 플라즈마 발생부(313)가 교차되어 배열된 복수의 소스 발생부를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 플라즈마 모듈은 복수의 배기부(500)를 추가 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 그리드의 유무에 따른 저면도(bottom view)를 나타낸 개략도이다.
본원의 일 구현예에 있어서, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 그리드(400)는 상기 플라즈마 발생부(313)의 상단 또는 하단에 위치할 수 있고, 메쉬(mesh) 형태를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 그리드(400)는 상기 플라즈마 발생부(313)에 위치하여 상기 플라즈마부(310)에서 발생하는 이온의 손상을 최소화할 수 있고, 상기 소스부(320)와 상기 플라즈마부(310)의 혼합을 방지하여 파티클을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 그리드는 모든 금속을 이용하여 제조되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 배기부(500)는 상기 교차되어 배열된 플라즈마 발생부(313) 및 소스부(320)의 사이마다 추가 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 증착부(300)의 하단에는 플라즈마 발생부(313), 배기부(500), 소스부(320), 배기부(500)의 배열이 반복적으로 나열된 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재(10)의 크기에 따라 상기 플라즈마 모듈의 크기가 조절되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 기재(10)의 크기가 커짐에 따라 상기 플라즈마 모듈의 크기가 커지고, 상기 플라즈마 모듈의 크기가 커짐에 따라 상기 플라즈마부(310)의 너비가 넓어질 수 있으며, 상기 플라즈마부의 하단에 배열된 소스부(320)의 수가 늘어날 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
도 4의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치[도 4의 (a)] 및 종래 박막 증착 장치[도 4의 (b)]를 나타낸 개략도이다.
본원의 일 구현예에 있어서, 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 2 세대(370 mm × 470 mm) 기재 기준의 박막 증착 장치에 있어서, 도 4의 (b)에 도시된 종래 ALD 박막 증착부(600)는 구형 전극 직경 5 mm를 포함하여 전체 너비가 100 mm, 높이 300 mm인 소스부(620)/플라즈마부(610)/소스부(620)/플라즈마부(610)로 배열된 박막 증착부(600)를 포함하고, 도 4의 (a)에 도시된 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착부(300)는 독립된 플라즈마부(310)의 하단에 소스부(320)가 배열되므로, 4 개의 소스부(320)를 포함할 수 있다. 종래 박막 증착 장치와 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 증착 효율을 비교하면, 기재(10)를 기재 수송부(200)에 의해 이동시키며 증착시킬 경우, 종래 박막 증착 장치에 비해 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치가 약 2 배 이상의 증착 효율을 가질 수 있다.
도 5의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치[도 5의 (a)] 및 종래 박막 증착 장치[도 5의 (b)]를 나타낸 개략도이다.
본원의 일 구현예에 있어서, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 4 세대(650 mm × 850 mm) 기재 기준의 박막 증착 장치에 있어서, 도 5의 (b)에 도시된 종래 ALD 박막 증착부(600)는 구형 전극 직경 10 mm를 포함하여 전체 너비가 150 mm, 높이 400 mm인 소스부(620)/플라즈마부(610)/소스부(620)/플라즈마부(610)로 배열된 박막 증착부(600)를 포함하고, 도 5의 (a)에 도시된 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착부(300)는 플라즈마부(310)의 하단에 소스부(320)가 배열되므로 6 개의 소스부(320)를 포함할 수 있다. 종래 박막 증착 장치와 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 증착 효율을 비교하면, 기재(10)를 기재 수송부(200)에 의해 이동시키며 증착시킬 경우, 종래 박막 증착 장치에 비해 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치가 약 3 배 이상의 증착 효율을 가질 수 있다.
도 6의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치[도 6의 (a)] 및 종래 박막 증착 장치[도 6의 (b)]를 나타낸 개략도이다.
본원의 일 구현예에 있어서, 도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 6 세대(1300 mm × 1500 mm) 기재 기준의 박막 증착 장치에 있어서, 도 6의 (b)에 도시된 종래 ALD 박막 증착부(600)는 구형 전극 직경 20 mm를 포함하여 전체 너비가 200 mm, 높이 500 mm인 소스부(620)/플라즈마부(610)/소스부(620)/플라즈마부(610)로 배열된 박막 증착부(600)를 포함하고, 도 6의 (a)에 도시된 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착부(300)는 플라즈마부(310)의 하단에 소스부(320)가 배열되므로, 8 개의 소스부(320)를 포함할 수 있다. 종래 박막 증착 장치와 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 증착 효율을 비교하면, 기재(10)를 기재 수송부(200)에 의해 이동시키며 증착시킬 경우, 종래 박막 증착 장치에 비해 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치가 약 4 배 이상의 증착 효율을 가질 수 있다.
도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 일반적으로 종래 ALD 장치 및 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 박막증착부는 기재의 크기가 커짐에 따라 플라즈마부 내부의 전극의 크기(직경)이 커지고, 이에 따라 플라즈마부가 커지게 된다. 이 때 종래 ALD 장치는 소스부와 플라즈마부가 동일선 상에 있기 때문에 플라즈마부가 커지면서 동일한 크기의 박막증착부에서는 소스부가 상대적으로 적게 배치되므로 기재 스캔당 증착속도가 감소한다. 반면, 본원의 일 구현예에 따른 박막 증착 장치의 박막증착부는 플라즈마부의 하단에 소스부가 배치되어 있기 때문에 소스부의 크기는 변하지 않고, 기재 스캔당 증착속도는 증가한다.
본원에 따른 박막 증착 장치는, 도 1 내지 도 6에 도시된 제조 장치뿐만 아니라, 이를 변형 및/또는 혼합하여 적용 가능하며, 변형이 쉬워 적용범위가 넓고, 대면적의 기재에 적용이 가능하며, 반응속도 및 반응을 개선할 수 있다.
또한, 도시되지는 않았지만, 본원의 일 구현예에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 제어부를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 제어부는 상기 박막 증착 장치의 기재 로딩부, 기재 수송부, 및 박막 증착부와 결합되어 상기 박막의 제조 시 요구되는 조건을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제어부는 상기 박막의 증착 시 반응 플라즈마 및 소스 플라즈마의 주입 시간, 강도, 파장, 및 듀티 사이클(duty cycle) 등의 조절이 가능할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기재 100: 기재 로딩부
200: 기재 수송부 300: 박막 증착부
310: 플라즈마부 311: 유입부
312: 저장부 313: 플라즈마 발생부
320: 소스부 400: 그리드
500: 배기부 600: 종래 ALD 박막 증착부
610: 종래 플라즈마부 620: 종래 소스부

Claims (7)

  1. 기재가 로딩되는 기재 로딩부;
    상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번 이동시키는 기재 수송부; 및,
    상기 기재 상에 박막을 증착하는 박막 증착부를 포함하되,
    상기 박막 증착부는 각각 독립된 소스부 및 플라즈마부를 포함하는 플라즈마 모듈을 포함하고,
    상기 플라즈마 모듈의 상기 플라즈마부는 플라즈마 가스가 유입되는 유입부, 상기 유입부로 유입된 플라즈마 가스를 저장하는 플라즈마 저장부, 및 상기 저장부의 하단에 교차되어 배열된 복수의 플라즈마 발생부 및 소스부를 포함하며,
    상기 플라즈마 모듈은 그리드(grid)를 추가 포함하고,
    상기 그리드는 상기 플라즈마 발생부의 상단 또는 하단에 위치하고, 메쉬(mesh) 형태를 포함하며,
    상기 그리드는 상기 플라즈마부에서 발생하는 이온의 손상을 최소화하고, 상기 소스부와 상기 플라즈마부의 혼합을 방지하는 것인,
    상기 그리드는 박막 증착 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 모듈은 복수의 배기부를 추가 포함하는 것인, 박막 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 모듈은 소스 플라즈마 또는 반응 플라즈마를 발생시키는 것인, 박막 증착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스부에서 실리콘, 알루미늄, 아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 함유하는 전구체 및 불활성 기체를 플라즈마 처리하는 것인, 박막 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마부에서 N2, H2, O2, N2O, NH3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 반응가스를 플라즈마 처리하는 것인, 박막 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 크기에 따라 상기 플라즈마 모듈의 크기가 조절되는 것인, 박막 증착 장치.
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