CN105473761B

CN105473761B - 用于薄膜沉积的装置和方法

Info

Publication number: CN105473761B
Application number: CN201480023046.3A
Authority: CN
Inventors: 徐祥准; 朴华仙; 郑昊均; 赵成珉; 刘址范
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2014-07-16
Filing date: 2014-08-04
Publication date: 2018-02-02
Anticipated expiration: 2034-08-04
Also published as: CN105473761A; KR101491762B1; WO2016010185A1

Abstract

一种薄膜沉积装置被提供。该装置包括衬底装载单元，其被配置来将衬底装载在该衬底装载单元上；衬底运输单元，其与所述衬底装载单元连接且被配置来移动所述衬底；和薄膜沉积单元，其被配置来在所述衬底上沉积薄膜，其中所述薄膜沉积单元包括多个等离子体模块，还有提供在各个所述等离子体模块之间且被配置为通过升高或降低来连接相邻等离子体模块下面的空间或使相邻等离子体模块下面的空间彼此隔离的隔离构件，且所述衬底运输单元在所述多个等离子体模块之间轮流移动所述衬底装载单元从而允许薄膜被形成在所述衬底上。

Description

用于薄膜沉积的装置和方法

技术领域

本文所描述的实施方式总体上涉及薄膜沉积装置和薄膜沉积方法。

背景技术

化合物薄膜以各种方式被用作半导体器件、半导体集成电路、化合物半导体、太阳能电池、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等的栅极电介质或金属间隔离膜，也用作用于各种类型的钝化和用于防止与环境材料的化学反应的保护膜。近来，随着半导体集成器件变得更加小规模同时具有更加复杂的形状，涂布具有高度阶梯结构的均匀薄膜正作为重要技术引起注意。

作为沉积薄膜的方式，原子层沉积(ALD)、热化学气相沉积(TCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)已被广泛使用。

ALD是使用化学气相沉积反应的处理技术，其中前体和反应物被相继注入。相应地，气相反应被抑制，且薄膜的厚度可通过减少衬底表面中发生的自限反应被精确调整。在ALD中，薄膜的厚度可在原子层面被调整。因此，通过使用ALD法，可能不仅在具有很大程度阶梯结构的电容器中，也在具有大表面积和复杂结构的纤维的内部空间中、在微粒结构的表面上，等等，均匀地形成薄膜。另外，由于气相反应被最小化，所以针孔密度会非常低，而薄膜密度会高，且进一步地，沉积温度可被降低。

但是，ALD具有如下缺点：它难以选择合适的前体和反应物，因每个周期所沉积的薄膜的厚度只是原子层级别或更低所以沉积速率非常低，以及薄膜的特性会因剩余的碳和氢而被大大降级。

同时，使用TCVD或PECVD的硅化合物薄膜的沉积相较于ALD的沉积速率是非常快的。但是，这些方法会具有诸如在薄膜中形成许多针孔以及产生副产品或颗粒等问题。有鉴于此，在这些方法中，薄膜的形成通常在高温下完成。因此，这些方法难以应用到诸如塑料膜等衬底。

在这方面，韩国专利No.10-1200372(名称为“薄膜制造装置及使用该装置的薄膜沉积方法”)公开了一种薄膜制造装置，其包括：反应室；被提供在所述反应室内且被配置来将晶片装在其上的衬底支撑构件；被配置来喷射由等离子体激活的源气体、吹扫气体和反应物气体的气体喷射单元；气体供应单元，其作为喷射气体的装置，被配置来供应所述源气体、所述吹扫气体和所述反应物气体；以及被配置来供应用于等离子体产生的电力的电源单元。该文还描述了使用该薄膜制造装置的薄膜沉积方法。

发明内容

本发明要解决的问题

鉴于前述问题，实施方式提供了用于在低温下在半导体或显示器中使用的用于形成薄膜的薄膜沉积装置和薄膜沉积方法。

但是，本公开要解决的问题并不限于上面的描述，且从接下来的描述中，本领域技术人员也可清楚地理解其他问题。

解决问题的手段

根据本公开一实施方式，一种薄膜沉积装置被提供。衬底装载单元，其被配置来将衬底装载在该衬底装载单元上；衬底运输单元，其与所述衬底装载单元连接且被配置来移动所述衬底；和薄膜沉积单元，其被配置来在所述衬底上沉积薄膜，其中所述薄膜沉积单元包括多个等离子体模块，还有提供在各个所述等离子体模块之间且被配置为通过升高或降低来连接相邻等离子体模块下面的空间或使相邻等离子体模块下面的空间彼此隔离的隔离构件，且所述衬底运输单元在所述多个等离子体模块之间轮流移动所述衬底装载单元从而允许薄膜被形成在所述衬底上。

根据本公开另一实施方式，一种用于薄膜沉积的方法被提供。将衬底置于包括薄膜沉积单元的薄膜沉积装置中，在所述薄膜沉积单元中，被配置来产生源等离子体的至少一个等离子体模块和被配置来产生反应物等离子体的至少一个等离子体模块被交替布置；将所述衬底置于被布置为彼此相邻的第一等离子体模块和第二等离子体模块下面，并通过使用所述源等离子体和所述反应物等离子体形成第一薄膜；以及将所述衬底置于被布置为彼此相邻的所述第二等离子体模块和第三等离子体模块下面，并通过使用所述源等离子体和所述反应物等离子体形成第二薄膜，其中在形成所述第一薄膜时，所述第一等离子体模块下面的空间和所述第二等离子体模块下面的空间彼此连接并与外部空间隔离，且在形成所述第二薄膜时，所述第二等离子体模块下面的空间和所述第三等离子体模块下面的空间彼此连接并与外部空间隔离。

本发明的有益效果

根据本公开的上述实施方式，在使用化学气相沉积(CVD)的薄膜沉积方法中，通过使用扫描型方法以及通过将源等离子体和反应物等离子体分开注入到衬底上，薄膜的特性可被改善且薄膜的沉积所需的处理时间可被缩短。

此外，由于低温沉积工艺被实现，所以可在柔性衬底上形成多层薄膜。

附图说明

图1是示出根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置的图形。

图2描绘了根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置的薄膜沉积单元的构造图。

图3A是根据本公开一实施方式示出衬底被置于包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置中的第一位置的情况的图形。

图3B是根据本公开一实施方式示出衬底被置于包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置中的第二位置的情况的图形。

图4是用于描述根据本公开一实施方式的包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置的薄膜沉积方法的流程图。

图5是示出根据根据本公开一实施方式的包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置的薄膜沉积方法所沉积的薄膜的一示例结果的图形。

具体实施方式

在下文中，本公开的实施方式会被详细描述使得发明构思可被本领域技术人员容易地实施。然而，要注意的是本公开并不受限于说明性的实施方式和实施例，而是能以各种其他方式实现。在附图中，与描述不直接相关的部件被省略以提高附图的清晰度，且类同的附图标记贯穿全文表示类同的部件。

贯穿全文，术语“连接到”或“耦合到”被用于指明一部件与另一部件的连接或耦合且包括一部件被“直接连接或耦合到”另一部件和一部件经由又一部件被“电子地连接或耦合到”另一部件这两种情况。

在下文中，参考附图详细描述了根据示例实施方式的用于薄膜沉积的装置。

贯穿全文，用于指明一部件相对于另一部件的位置的术语“在……上”包括一部件与另一部件相邻和任何其他部件存在于这两个部件之间这样两种情况。

贯穿全文，在本文中所使用的术语“包括或包含”和/或“包含有或含有”意味着除非上下文另有说明，除所描述的部件、步骤、操作和/或元件外，并不排除一或多个其他部件、步骤、操作和/或元件的存在或增加。术语“大约或约”或“大体上”旨在具有以可允许误差规定的与数值或范围接近的含义且旨在防止为理解本公开而公开的精确或绝对的数值被非善意第三方非法或不正当使用。贯穿全文，术语“……的步骤”并不意指“用于……的步骤”。

贯穿全文，马库什型描述中所包括的术语“……的组合”意味着以马库什型记载的部件、步骤、操作和/或元件中选择的一或多个部件、步骤、操作和/或元件的混合或组合且从而意味着本公开包括选自马库什群组的一或多个部件、步骤、操作和/或元件。

图1是示出根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置的图形。

参考图1，根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置包括衬底装载单元100、衬底运输单元200、衬底加热器300和薄膜沉积单元400。

首先，根据本公开一实施方式，衬底10(薄膜将被形成在衬底10上)被装载在衬底装载单元100上。该衬底是通常用于半导体器件的一个且可由玻璃、石英、硅、锗之类的制成。进一步地，衬底可包括聚合物，比如聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸(PED)，等等，但不限于此。

衬底运输单元200被连接到衬底装载单元100并用于移动衬底10。在此，衬底10可被旋转或在设定的方向上交替地移动通过线性或非线性的路径，但不限于此。

根据本公开一实施方式，衬底加热器300被配置为调节衬底10的温度。当薄膜被沉积在衬底的表面上时，衬底加热器300将衬底10维持在等于或低于前体的热分解温度的温度。虽然前体的热分解温度可随前体的种类而变，但衬底10的温度越低，前体被衬底10吸附的量会越大。举例来说，前体可具有从约100℃至约700℃范围内的热分解温度。但是，当为半导体器件沉积薄膜时，希望的是将衬底的温度设置为不高于400℃以减少衬底内的杂质的扩散。例如，由衬底加热单元300调节的衬底10的温度可在从0℃至约400℃、从约100℃至约200℃、或者从约100℃至约160℃的范围内，但不限于此。也就是说，本实施方式的薄膜沉积装置能够在0℃至约400℃的范围内调节衬底的温度。

根据本公开一实施方式，如果反应物等离子体和源等离子体中的至少一者通过等离子体产生模块被供应到衬底10上，则由反应物等离子体和源等离子体中的至少一者产生的衍生物通过物理或化学反应生成薄膜材料，从而薄膜可被沉积，但不限于此。此时，在工艺过程中，在薄膜材料被生成而薄膜沉积在进行时，恰当的温度可由衬底加热器300保持。如果反应物等离子体或源等离子体被注入到衬底10上，则衬底加热器300调节衬底的温度，从而允许反应物等离子体或源等离子体发生化学反应，导致有机或无机薄膜在衬底10上的沉积。

接着，根据本公开一实施方式，薄膜沉积单元400在其内部容纳用于在移动的衬底10上沉积原子层的多个等离子体模块。在此，等离子体模块可通过隔离构件在空间上彼此分开。每个等离子体模块包括用于产生等离子体的电极，也包括源气体或反应物气体，但不限于此。每个等离子体模块将源气体或反应物气体维持在等离子体状态且能够在持续范围从若干微秒(msec)到若干秒(sec)的一段短的时间内将源气体或反应物气体注入到衬底上，从而允许薄膜被沉积在衬底上。在此，源气体可包含前体和惰性气体，但不限于此。举一非限制性示例，惰性气体可以是氩(Ar)气。在此，术语“前体”是指在可在化学反应等中最后生成的特定物质(specific substance)之前的物质。在此，特定物质包括所有种类的物质，比如金属和离子，且不一定是某个反应的最终物质而可以是可在任何设定阶段获得的物质。例如，前体可以是硅烷(SiH₄)或TEOS，但不限于此。此外，反应物气体可包括氮(N)、氢(H)、氨(NH₃)、氧(O)，但不限于此。

另外，虽然未示出，但根据本公开一实施例，薄膜沉积装置可包括控制器。控制器被连接到薄膜沉积装置的个别部件，并控制薄膜沉积所需的条件。控制器可被耦合到衬底装载单元、衬底运输单元、衬底加热器、薄膜沉积单元和隔离构件，并控制薄膜沉积所需的条件，但不限于此。控制器能够通过修正薄膜形成工艺而改善薄膜的特性。举例而言，控制器可在薄膜沉积过程中调整反应物等离子体或源等离子体的强度、波长、占空比和注入时间。

参考图2，根据本公开一实施方式的薄膜沉积单元400包括多个等离子体产生模块，该多个等离子体产生模块包括第一等离子体模块410和第二等离子体模块420，还包括提供在等离子体模块之间的隔离构件450。每个等离子体模块可包括源气体或反应物气体。进一步地，每个等离子体模块被配置为在持续一段短的时间内将源气体或反应物气体在等离子体状态下注入到衬底10上，然后将它们排出。

根据本公开一实施方式的薄膜沉积单元400可具有如下构造：包括源气体的等离子体模块和包括反应物气体的等离子体模块被交替布置。例如，在薄膜沉积单元400包括多个等离子体模块，该多个等离子体模块包括被配置来产生源等离子体的第一等离子体模块410和被配置来产生反应物等离子体的第二等离子体模块420的情况下，第三等离子体模块被配置来产生源等离子体而第四等离子体模块被配置来产生反应物等离子体。在此，源气体可包含由无机或有机材料组成的前体。据此，通过使用单一薄膜沉积装置，可以交替沉积无机薄膜和有机薄膜，从而生成有机-无机混合薄膜。

举例而言，在衬底运输单元位于第二等离子体模块420和第三等离子体模块下面的情况中，第二等离子体模块下面的空间和第三等离子体模块下面的空间可通过升起位于第二等离子体模块420和第三等离子体模块之间的隔离构件450而被连接。然后，如果反应物等离子体和源等离子体被注入，则该源等离子体和该反应物等离子体在衬底上反应，以便薄膜被沉积在该衬底上。此时，位于第一等离子体模块410和第二等离子体模块420之间的隔离构件450以及位于第三等离子体模块和第四等离子体模块之间的隔离构件450被降落，因此第二等离子体模块420下面的空间和第三等离子体模块下面的空间与外部空间隔离。此外，位于两端的等离子体模块可通过隔墙与外部空间隔离。

图3A是根据本公开一实施方式示出衬底位于包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置中的第一位置202的情况的图形。

图3B是根据本公开一实施方式示出衬底位于包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置中的第二位置204的情况的图形。

参考图3A和图3B，根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置可包括三个等离子体模块，但不限于此。在此，第一等离子体模块410、第二等离子体模块420和第三等离子体模块430中的每一个可包括源气体或反应物气体且被配置来在持续一段短的时间内将等离子体气体注入到衬底10上，然后将它排出。举一例子，第一等离子体模块410、第二等离子体模块420和第三等离子体模块430可分别包括反应物气体、源气体和反应物气体，或者源气体、反应物气体和源气体。此外，在薄膜沉积过程中，反应物等离子体模块和源等离子体模块可成对地将气体注入到衬底10上，但不限于此。

进一步地，第一隔离构件452可被提供在第一等离子体模块410和第二等离子体模块420之间，而第二隔离构件454可被提供在第二等离子体模块420和第三等离子体模块430之间。

如图3A中所示，当衬底运输单元200位于第一位置202，即在第一等离子体模块410和第二等离子体模块420下面时，第一等离子体模块410下面的空间和第二等离子体模块420下面的空间可通过升起第一隔离构件452而被连接，然后，薄膜可在里面被沉积。此时，通过降落位于第一等离子体模块410另一侧或位于第二等离子体模块420另一侧的第二隔离构件454，第一等离子体模块410下面的空间和第二等离子体模块420下面的空间与外部空间隔离。同时，如该图所示，薄膜沉积单元的外壁可被提供在第一等离子体模块410的该另一侧。

同样，如图3B中所示，当衬底运输单元200位于第二位置204，即在第二等离子体模块420和第三等离子体模块430下面时，第二等离子体模块420下面的空间和第三等离子体模块430下面的空间可通过升起位于第二等离子体模块420和第三等离子体模块430之间的第二隔离构件454而被连接，然后，薄膜可在里面被沉积。此时，通过降落位于第二等离子体模块420另一侧或位于第三等离子体模块430另一侧的第一隔离构件452，第二等离子体模块420下面的空间和第三等离子体模块430下面的空间与外部空间隔离。同时，如该图所示，薄膜沉积单元的外壁可被提供在该薄膜沉积单元的该另一侧。

参考图3A、图3B和图4，根据本公开一实施方式的包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置的薄膜沉积方法将被详细讨论。

参考图3A和图3B，在根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置中，第一等离子体模块410、第二等离子体模块420和第三等离子体模块430可被配置为分别包括源气体、反应物气体和源气体。在此，源气体可包含前体和惰性气体。例如，第一等离子体模块410可包括包含有机前体的源气体，而第三等离子体模块430可包括包含无机前体的源气体。

参考图4，使用根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置的薄膜沉积方法包括将衬底固定在第一位置的步骤S110；通过注入源气体和反应物气体形成第一薄膜的步骤S120；将该衬底固定在第二位置的步骤S130；以及通过注入源气体和反应物气体形成第二薄膜的步骤S140。

首先，在将衬底固定在第一位置的步骤S110，衬底10被装到衬底装载单元100上并通过衬底运输单元200被置于第一位置202。如果衬底10被保持在第一位置202，则位于第一等离子体模块410和第二等离子体模块420之间的第一隔离构件452被升起，以便第一等离子体模块410和第二等离子体模块420下面的空间被连接。接着，位于第一等离子体模块410另一侧或位于第二等离子体模块420另一侧的第二隔离构件454被降落，从而将第一等离子体模块410下面的空间和第二等离子体模块420下面的空间与外部空间隔离。

进一步地，第一等离子体模块410和第二等离子体模块420在持续一段短的时间内分别将包含有机前体的源等离子体以及反应物等离子体注入到衬底10上，然后将它们排出。结果，包含有机前体的源等离子体以及反应物等离子体被允许在衬底30上反应，从而第一有机薄膜被形成(S120)。此时，有机薄膜可通过自由基聚合(等离子体中的有机单体通过自由基聚合被转化成自由基)而形成，但不限于此。在此，有机单体可包括HMDSO(六甲基二硅氧烷)、呋喃(1,4-环氧-1,3-丁二烯)、己烷及其组合物。

接着，在将衬底固定在第二位置的步骤S130，衬底10被与衬底装载单元100连接的衬底运输单元200移动并固定到第二位置204。

如果衬底10被固定在第二位置204，则薄膜可在通过升起位于第二等离子体模块420和第二等离子体模块430之间的第二隔离构件454连接第二等离子体模块420下面的空间和第三等离子体模块430下面的空间之后被沉积。此时，通过降落位于第二等离子体模块420或第三等离子体模块430另一侧的第一隔离构件452，第二等离子体模块420下面的空间和第三等离子体模块430下面的空间与外部空间隔离。

此后，包含无机前体的源等离子体以及反应物等离子体在持续一段短的时间内被注入到衬底10上，然后被排出。结果，包含无机前体的源等离子体以及反应物等离子体被允许在衬底10上反应，从而第二无机薄膜被形成(S140)。

在根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置中，由于源等离子体和反应物等离子体是分开的，所以薄膜材料形成反应和薄膜沉积可被允许发生在衬底10的表面上。作为一个示例，当沉积诸如氮化硅(是一种硅化合物)之类的薄膜时，从源等离子体产生的SiH₄衍生物以及从反应物等离子体产生的N₂和NH₃衍生物不直接反应。因此，有关在反应过程中可能产生的副产品的问题和有关UV损害的问题可被解决。

此时，衬底加热器30将衬底10的温度调节到等于或低于源气体中所包含的前体的热分解温度的水平，从而导致前体和反应物气体在衬底10上的化学反应。

此外，虽然未示出，但根据本公开一实施方式的薄膜沉积装置被配置为在相应等离子体模块中产生反应物等离子体或源等离子体时以及在将它们注入到室中时控制反应物等离子体或源等离子体的强度、波长、占空比和注入时间。这样，通过以控制在沉积薄膜时所需的条件来修正薄膜形成工艺，薄膜的特性可被改善。特别地，衬底的表面上的反应速率可因短辐照时间而被瞬间提高。结果，瞬间提高衬底10的表面温度同时维持低衬底温度的效果可被获得。因此，在诸如聚醚砜(PES)，聚酰亚胺(PI)或聚萘二甲酸(PEN)之类的柔性衬底10上形成薄膜是可能的。

此外，通过将形成第一薄膜的步骤或形成第二薄膜的步骤重复多达预设次数，可以形成多层的有机薄膜或无机薄膜。

图5是示出作为执行根据根据本公开一实施方式的包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置的薄膜沉积方法的结果所沉积的薄膜的一示例的图形。

如上面参考图3A、图3B和图4所述，在根据本公开一实施方式的包括三个等离子体模块的薄膜沉积装置中，如果包含在第一等离子体模块和第三等离子体模块的源气体中的前体的组成成分被改变，则有机薄膜20或无机薄膜30可被形成在衬底10上。进一步地，通过将前述形成薄膜的步骤重复多达预设次数，有机薄膜和无机薄膜可以混合方式被形成，此外，具有不同成分的有机薄膜和具有不同成分的无机薄膜可以混合方式被沉积。因此，有机薄膜和无机薄膜的多层可被形成。

上述示例实施方式的描述是为了说明目的而提供，且本领域技术人员可理解的是，多种变化和修改可被作出却不改变示例实施方式的技术构思和必要特征。因此，清楚的是，上述说明性实施方式在所有方面都是说明性的且不会限制本公开。例如，被描述为单一类型的每个部件可按分布式方式实现。同样，被描述为分布式的部件可按组合的方式实现。

本发明构思的范围由接下来的权利要求及其等同例限定，而非由示例实施方式的详细描述限定。应当理解的是，从权利要求及其等同例的涵义和范围联想到的所有修改方案和实施方式都被包括在本发明构思的范围内。

Claims

1.一种薄膜沉积装置，其包括：

衬底装载单元，其被配置来将衬底装载在其上；

衬底运输单元，其与所述衬底装载单元连接且被配置来移动所述衬底；和

薄膜沉积单元，其被配置来在所述衬底上沉积薄膜，

其中所述薄膜沉积单元包括被配置为产生源等离子体的一个或多个源等离子体模块和被配置为产生反应物等离子体的一个或多个反应物等离子体模块，并且所述源等离子体模块和所述反应物等离子体模块交替布置，

所述薄膜沉积单元包括设置在各个所述等离子体模块之间且被配置为通过升高或降低来连接相邻等离子体模块下面的空间或使相邻等离子体模块下面的空间彼此隔离的隔离构件，且

所述衬底运输单元在所述多个等离子体模块之间轮流移动所述衬底装载单元从而允许薄膜被形成在所述衬底上，并且

其中所述薄膜沉积单元通过降低所述隔离构件来隔离所述源等离子体模块下面的空间和所述反应物等离子体模块下面的空间，或

所述薄膜沉积单元通过升高所述隔离构件来连接所述源等离子体模块下面的空间和所述反应物等离子体模块下面的空间，并将薄膜沉积在位于连接空间下面的所述衬底上。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，

其中所述源等离子体包括前体。

3.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，

其中所述前体是硅(Si)或钛(Ti)。

4.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，

其中所述反应物等离子体包括氮(N)等离子体、氧(O)等离子体和氢(H)等离子体中的任一者。

5.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，

其中所述薄膜沉积单元包括被配置来产生源等离子体的第一等离子体模块和被配置来产生反应物等离子体的第二等离子体模块，

当所述衬底运输单元位于所述第一等离子体模块和所述第二等离子体模块下面时，所述第一等离子体模块下面的空间和所述第二等离子体模块下面的空间通过提升位于所述第一等离子体模块和所述第二等离子体模块之间的隔离构件被连接，此外，所述第一等离子体模块下面的空间和所述第二等离子体模块下面的空间通过降低位于所述第一或第二等离子体模块的另一侧的隔离构件而与外部空间隔离。

6.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，

其中所述薄膜沉积单元包括被配置来产生源等离子体的第一等离子体模块、被配置来产生反应物等离子体的第二等离子体模块、被配置来产生源等离子体的第三等离子体模块和被配置来产生反应物等离子体的第四等离子体模块，

当所述衬底运输单元位于所述第二等离子体模块和所述第三等离子体模块下面时，所述第二等离子体模块下面的空间和所述第三等离子体模块下面的空间通过提升位于所述第二等离子体模块和所述第三等离子体模块之间的隔离构件被连接，此外，所述第二等离子体模块下面的空间和所述第三等离子体模块下面的空间通过降低位于所述第一等离子体模块和所述第二等离子体模块之间的隔离构件和位于所述第三等离子体模块和所述第四等离子体模块之间的隔离构件而与外部空间隔离。

7.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，

其中所述薄膜沉积装置通过使用化学气相沉积法或原子层沉积法形成薄膜。

8.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，

其中所述薄膜沉积装置还包括提供在所述衬底运输单元下面的衬底加热器。

9.一种薄膜沉积方法，其包括：

将衬底置于包括薄膜沉积单元的薄膜沉积装置中，在所述薄膜沉积单元中，被配置来产生源等离子体的至少一个等离子体模块和被配置来产生反应物等离子体的至少一个等离子体模块被交替布置；

将所述衬底置于被布置为彼此相邻的第一等离子体模块和第二等离子体模块下面，并通过使用所述源等离子体和所述反应物等离子体形成第一薄膜；

将所述衬底置于被布置为彼此相邻的所述第二等离子体模块和第三等离子体模块下面，并通过使用所述源等离子体和所述反应物等离子体形成第二薄膜，

其中在形成所述第一薄膜时，所述第一等离子体模块下面的空间和所述第二等离子体模块下面的空间彼此连接并与外部空间隔离，且

在形成所述第二薄膜时，所述第二等离子体模块下面的空间和所述第三等离子体模块下面的空间彼此连接并与外部空间隔离，

其中形成所述第一薄膜的步骤包括：

通过降低位于所述第一等离子体模块和所述第二等离子体模块的另一侧的隔离构件，将所述第一等离子体模块下面的空间和所述第二等离子体模块下面的空间与外部空间隔离，

通过升高位于所述第一等离子体模块和所述第二等离子体模块之间的隔离构件，连接所述第一等离子体模块下面的空间和所述第二等离子体模块下面的空间，以及

在所述第一等离子体模块和所述第二等离子体模块的连接空间的下面将源等离子体和反应物等离子体注入到所述衬底上

其中形成所述第二薄膜的步骤包括：

通过降低位于所述第二等离子体模块和所述第三等离子体模块的另一侧的隔离构件，将所述第二等离子体模块下面的空间和所述第三等离子体模块下面的空间与外部空间隔离，

通过升高位于所述第二等离子体模块和所述第三等离子体模块之间的隔离构件，连接所述第二等离子体模块下面的空间和所述第三等离子体模块下面的空间，以及

在所述第二等离子体模块和所述第三等离子体模块的连接空间的下面将源等离子体和反应物等离子体注入到所述衬底上。

10.如权利要求9所述的薄膜沉积方法，

其中所述第一薄膜的形成和所述第二薄膜的形成被执行多达预设次数。