KR20210015639A - 에칭 장치 및 웨이퍼 지지구 - Google Patents

에칭 장치 및 웨이퍼 지지구 Download PDF

Info

Publication number
KR20210015639A
KR20210015639A KR1020200082048A KR20200082048A KR20210015639A KR 20210015639 A KR20210015639 A KR 20210015639A KR 1020200082048 A KR1020200082048 A KR 1020200082048A KR 20200082048 A KR20200082048 A KR 20200082048A KR 20210015639 A KR20210015639 A KR 20210015639A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
unit
support tool
etching
wafer support
Prior art date
Application number
KR1020200082048A
Other languages
English (en)
Inventor
사카에 마츠자키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20210015639A publication Critical patent/KR20210015639A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42Auxiliary equipment or operation thereof
    • B01D46/44Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(과제) 웨트 에칭 시, 세정수의 비산을 억제한다.
(해결 수단) 웨트 에칭되는 웨이퍼 (W) 가, 간극을 갖는 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지되어 있다. 그리고, 세정 유닛 (31) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면을 세정수에 의해 세정할 때, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를, 웨이퍼 지지구 (3) 의 하방에 배치된 세정액용 보틀 (32) 에 의해 회수한다. 이에 따라, 세정수를, 웨이퍼 (W) 의 주위에 비산시키는 것을 억제하면서, 양호하게 회수할 수 있다.

Description

에칭 장치 및 웨이퍼 지지구{ETCHING APPARATUS AND WAFER HOLDER}
본 발명은 에칭 장치 및 웨이퍼 지지구에 관한 것이다.
특허문헌 1 ∼ 3 에는 웨트 에칭이 개시되어 있다. 웨트 에칭에서는, 실리콘의 웨이퍼의 상면에 에칭액이 공급되어, 웨이퍼의 상면이 에칭된다.
일본 공개특허공보 평02-086130호 일본 공개특허공보 평06-265869호 일본 공개특허공보 2017-028257호
종래, 에칭 후에 웨이퍼를 세정하기 위한 세정수가 웨이퍼의 주위에 비산한다. 따라서, 비산한 세정수를 회수하기 위해서, 대형의 폐액 처리 장치가 필요하게 된다.
본 발명의 목적은, 웨트 에칭 시, 세정수의 비산을 억제하는 것에 있다.
본 발명의 에칭 장치 (본 에칭 장치) 는, 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼를 웨트 에칭하는 웨트 에칭 장치로서, 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에 에칭액을 모아 웨이퍼의 상면을 에칭하는 에칭 유닛과, 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면을 세정수에 의해 세정하는 세정 유닛과, 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼를 스핀 회전시켜 건조시키기 위한 건조 유닛과, 그 에칭 유닛, 그 세정 유닛, 및 그 건조 유닛을 수용하는 수용실을 포함하고, 그 웨이퍼 지지구는, 웨이퍼의 하면에 부분 접촉하여 웨이퍼가 재치 (載置) 되는 베이스부, 및, 그 베이스부에 재치된 웨이퍼를 둘러싸도록 그 베이스부에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부를 포함하는 본체부와, 그 본체부에서 외측으로 뻗어나오는 다리를 구비하고 있고, 그 세정 유닛은, 그 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를 회수하도록 구성되어 있고, 웨이퍼의 상면을 에칭한다.
또, 본 에칭 장치에서는, 그 수용실 내의 클린도를 유지하기 위한 클린 유닛을 추가로 구비해도 되고, 그 수용실은, 그 수용실 내의 기체를 내보내기 위한 출구와, 그 수용실 내에 기체를 넣기 위한 입구를 구비해도 되고, 그 클린 유닛은, 그 출구로부터 그 입구에 기체를 흘리기 위한 배관과, 그 배관에 배치 형성되는 팬과, 그 배관에 배치 형성되고, 기체의 독성 성분을 제거하는 제해 유닛과, 그 배관에 있어서의 그 제해 유닛과 그 입구의 사이에 배치 형성되고, 그 기체에 포함되는 티끌을 제거하는 필터를 구비해도 된다.
또, 본 에칭 장치에서는, 그 에칭 유닛은, 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에 소정량의 에칭액을 적하하여, 표면 장력으로 에칭액층을 형성하는 에칭액 공급부와, 에칭 후에, 웨이퍼의 상면으로부터 그 에칭액을 빨아들이는 에칭액 회수부를 구비해도 되고, 그 세정 유닛은, 웨이퍼의 직경보다 크고 그 다리를 통하여 그 웨이퍼 지지구를 걸어맞춤 가능한 개구를 상부에 갖는 제 1 보틀과, 그 제 1 보틀의 개구에 걸어맞춰진 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에 세정수를 공급하는 세정수 공급부를 구비해도 되고, 그 건조 유닛은, 그 웨이퍼 지지구를 유지함과 함께 웨이퍼의 하면을 흡인 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블을 스핀 회전시켜 웨이퍼를 건조시키는 회전부를 구비해도 된다.
이 경우, 본 에칭 장치는, 그 수용실 내에, 웨이퍼의 상면에 형성되어 있는 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 유닛을 추가로 구비해도 되고, 그 마스크층 제거 유닛은, 웨이퍼의 직경보다 크고 그 다리를 통하여 그 웨이퍼 지지구를 걸어맞춤 가능한 개구를 상부에 갖는 제 2 보틀과, 그 제 2 보틀의 개구에 걸어맞춰진 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에, 제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급부와, 그 웨이퍼의 상면에 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급부를 구비해도 된다.
또, 본 에칭 장치는, 그 수용실 내에, 웨이퍼를 지지한 그 웨이퍼 지지구를 반송하는 반송 유닛을 추가로 구비해도 되고, 그 반송 유닛은, 그 웨이퍼 지지구의 다리를 걸어 유지하는 클로와, 그 클로를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 수단과, 그 클로를 승강시키는 승강 수단을 구비해도 된다.
본 에칭 장치의 웨이퍼 지지구 (본 웨이퍼 지지구) 는, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지구로서, 웨이퍼의 하면에 부분 접촉하여 웨이퍼가 재치되는 베이스부, 및, 그 베이스부에 재치된 웨이퍼를 둘러싸도록 그 베이스부에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부를 포함하는 본체부와, 그 본체부에서 외측으로 뻗어나오는 다리를 구비하고 있다.
본 에칭 장치에서는, 웨트 에칭되는 웨이퍼가, 간극을 갖는 웨이퍼 지지구에 지지되어 있다. 그리고, 세정 유닛은, 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼를 세정수에 의해 세정할 때, 웨이퍼의 상면으로부터 흘러넘쳐 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를 회수하도록 구성되어 있다. 따라서, 본 에칭 장치에서는, 웨이퍼 지지구의 하방에 회수 용기를 배치해 둠으로써, 세정수를 웨이퍼의 주위에 비산시키는 것을 억제하면서, 양호하게 회수할 수 있다.
또, 본 에칭 장치는, 상기 서술한 바와 같이, 수용실 내의 클린도를 유지하기 위한 클린 유닛을 구비해도 된다. 이에 따라, 수용실 내를 순환하는 기체로부터 독성 성분 및 티끌을 제거하여, 그 청정도를 유지할 수 있다. 이 때문에, 수용실 내의 클린도를 유지하는 것이 용이하다.
또, 본 에칭 장치에서는, 에칭 유닛은, 상기 서술한 바와 같이, 웨이퍼의 상면에 표면 장력으로 에칭액층을 형성하는 에칭액 공급부와, 에칭 후에, 웨이퍼의 상면으로부터 에칭액을 빨아들이는 에칭액 회수부를 구비해도 된다.
이 구성에서는, 웨이퍼의 상면에 표면 장력으로 모인 에칭액에 의해 에칭을 실시하므로, 에칭액의 양을 줄일 수 있다. 또, 에칭 후에, 에칭액을 빨아들여 회수하기 때문에, 에칭액을 웨이퍼의 주위에 비산시키는 것을 억제할 수 있다. 또한, 회수된 에칭액은, 에칭 시간이 길어질 가능성이 있기는 하지만, 재이용하는 것이 가능하다. 이 때문에, 에칭액을 처리하기 위한 폐액 처리 장치를 사용하는 빈도를 저하시킬 수 있다.
또, 본 에칭 장치에서는, 세정 유닛은, 상기 서술한 바와 같이, 웨이퍼 지지구를 걸어맞춤 가능한 개구를 갖는 제 1 보틀과, 웨이퍼의 상면에 세정수를 공급하는 세정수 공급부를 구비해도 된다. 이 구성에서는, 웨이퍼로부터 흘러넘쳐 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를 제 1 보틀에 의해 회수하는 것이 가능하다. 이 때문에, 세정수를 용이하게 회수할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 건조 유닛은, 상기 서술한 바와 같이, 웨이퍼 지지구 및 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 유지 테이블을 스핀 회전시키는 회전부를 구비해도 된다. 이에 따라, 웨이퍼를 용이하게 건조시킬 수 있다.
또, 본 웨트 에칭 장치는, 상기 서술한 바와 같이, 수용실 내에, 마스크층 제거 유닛을 추가로 구비해도 된다. 이에 따라, 웨이퍼로부터 마스크를 용이하게 제거할 수 있다.
또, 마스크층 제거 유닛은, 제 1 보틀과 동일한 개구를 상부에 갖는 제 2 보틀과, 웨이퍼의 상면에 제 1 액 및 제 2 액을 공급하는 제 1 액 공급부 및 제 2 액 공급부를 구비해도 된다. 이 구성에서는, 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 흘러 떨어지는 제 1 액, 제 2 액 및 마스크의 용해물을 제 2 보틀에 의해 회수하는 것이 가능하다. 이 때문에, 제 1 액, 제 2 액 및 용해물을, 웨이퍼의 주위에 비산시키는 것을 억제하면서, 용이하게 회수할 수 있다.
또한, 종래, 에칭액, 세정수, 제 1 액 혹은 제 2 액을 웨이퍼에 공급하고, 웨이퍼로부터 에칭액, 세정수, 제 1 액 및 제 2 액을 비산시키도록 하여, 웨이퍼의 에칭을 실시하고 있다. 이 경우, 에칭 유닛, 세정 유닛 및 마스크층 제거 유닛을 수용하기 위해서, 작업자가 내부에서 작업하는 것이 가능한 사이즈의, 대형의 클린 룸이 사용된다.
한편, 본 웨트 에칭 장치에서는, 웨이퍼에 액체를 공급하고, 웨이퍼 상의 액체를 빨아들여 회수하거나, 혹은, 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 흘러 떨어지는 액체를 보틀에 의해 회수하고 있다. 이 때문에, 에칭 유닛, 세정 유닛 및 마스크층 제거 유닛의 장치 구조를 현저하게 소형화 할 수 있다. 따라서, 이들 유닛 및 건조 유닛을 소형의 수용실에 수용할 수 있다. 이에 따라, 대형의 클린 룸을 불필요하게 할 수 있음과 함께, 본 웨트 에칭 장치의 사이즈 및 비용을 현저하게 억제하는 것이 가능하다.
또, 본 웨트 에칭 장치는, 상기 서술한 바와 같이, 수용실 내에, 웨이퍼 지지구를 반송하는 반송 유닛을 추가로 구비해도 된다. 이에 따라, 에칭 유닛, 세정 유닛 마스크층 제거 유닛 및 건조 유닛 사이에서, 웨이퍼를 지지한 웨이퍼 지지구를 용이하게 반송할 수 있다.
또, 본 웨이퍼 지지구는, 웨이퍼의 하면에 부분 접촉하여 웨이퍼가 재치되는 베이스부, 및, 베이스부에 재치된 웨이퍼를 둘러싸도록 베이스부에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부를 포함하는 본체부와, 본체부에서 외측으로 뻗어나오는 다리를 구비하고 있다. 본 웨이퍼 지지구를 사용함으로써, 웨이퍼 지지구의 베이스부에 재치된 웨이퍼에 공급된 액체 (세정수, 제 1 액 및 제 2 액 등) 를, 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 넘치게 하여 떨어뜨릴 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 지지구의 하방에, 상기 서술한 제 1 보틀 및 제 2 보틀 등의 회수 용기를 배치해 둠으로써, 액체를 용이하게 회수할 수 있다
도 1 은, 웨트 에칭 장치의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 2 는, 웨이퍼 지지구를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 웨이퍼가 재치된 웨이퍼 지지구를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 에칭 유닛의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 5 는, 에칭액용 보틀의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 6 은, 세정 유닛의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 7 은, 마스크층 제거 유닛의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 8 은, 건조 유닛의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 9 는, 건조 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 10 은, 반송 유닛의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 1 에 나타내는 본 실시형태에 관련된 웨트 에칭 장치 (1) 는, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 를 웨트 에칭하는 장치이다. 본 실시형태에 있어서 웨트 에칭되는 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 소구경 (예를 들어 1 인치 정도) 의 것이다.
먼저, 웨이퍼 지지구 (3) 의 구성에 대해서 설명한다. 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 지지구 (3) 는, 웨이퍼 (W) 를 지지하는 본체부 (4) 를 구비하고 있다. 본체부 (4) 는, 웨이퍼 (W) 가 재치되는 베이스부 (5), 베이스부 (5) 에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부 (6), 및, 기둥부 (6) 의 상단을 묶도록 형성된 링부 (7) 를 포함한다.
베이스부 (5) 는, 웨이퍼 (W) 보다 조금 큰 지름을 갖고 있다. 베이스부 (5) 는, 프레임부 (골부 (骨部)) (5a), 및, 프레임부 (5a) 의 간극인 구멍부 (5b) 를 갖는 망목 형상을 갖고 있고, 웨이퍼 (W) 의 하면에 부분 접촉한 상태에서, 웨이퍼 (W) 를 유지한다. 기둥부 (6) 는, 베이스부 (5) 에 재치된 웨이퍼 (W) 를 둘러싸도록, 베이스부 (5) 의 외주부에 세워 형성되어 있다.
또, 웨이퍼 지지구 (3) 는, 본체부 (4) 로부터 외측으로 뻗어나오는 복수의 다리 (8) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 6 개의 다리 (8) 가, 본체부 (4) 의 기둥부 (6) 로부터 외측으로 뻗어나와 있다. 각 다리 (8) 는, 그 선단에, 하방으로 연장되는 고정구 (9) 를 갖고 있다.
다음으로, 웨트 에칭 장치 (1) 의 구성에 대해서 설명한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 웨트 에칭 장치 (1) 는, 웨트 에칭 장치 (1) 의 케이싱이 되는 수용실 (11) 을 갖고 있다. 수용실 (11) 은, 이른바 글로브 박스 (소형의 드래프트 챔버) 이며, 외기와 차단된 상황하에서 작업할 수 있도록, 내부에 손만을 넣을 수 있도록 설계된 밀폐 용기이다.
수용실 (11) 에는, 그 길이 방향을 따라 늘어서도록, 에칭 유닛 (21), 세정 유닛 (31), 마스크층 제거 유닛 (41) 및 건조 유닛 (51) 이 수용되어 있다. 또한, 수용실 (11) 의 상부에는, 웨이퍼 (W) 를 지지한 웨이퍼 지지구 (3) 를 반송하는 반송 유닛 (61) 이 장착되어 있다.
수용실 (11) 내에 글로브 박스로 손을 넣지 않는 경우에는, 반송 유닛 (61) 에 의해, 웨이퍼 (W) 를 지지하는 웨이퍼 지지구 (3) 를 반송한다.
또한, 수용실 (11) 의 측벽에는, 웨이퍼 (W) 를 지지하는 웨이퍼 지지구 (3) 를 수용실 (11) 내에 반입하기 위한 반입구 (101) 와, 반입구 (101) 를 개폐하기 위한 문 (102) 과, 문 (102) 을 개폐하기 위한 문 개폐 수단 (에어 실린더) (103) 을 구비한다.
도 4 에 나타내는 에칭 유닛 (21) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에 에칭액을 모아, 웨이퍼 (W) 의 상면을 에칭한다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 에칭 유닛 (21) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 를 재치하기 위한 에칭액용 보틀 (22), 에칭액을 공급하기 위한 에칭액 공급부 (23), 및, 에칭액을 회수하기 위한 에칭액 회수부 (26) 를 구비하고 있다.
에칭액용 보틀 (22) 은, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 상부에 개구 (22a) 를 갖고 있다. 개구 (22a) 는, 웨이퍼 (W) 의 직경보다 크고, 다리 (8) 를 통하여 웨이퍼 지지구 (3) 를 걸어맞춤 가능도록 형성되어 있다. 즉, 에칭 유닛 (21) 에서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 에칭액용 보틀 (22) 의 개구 (22a) 에, 고정구 (9) 를 갖는 다리 (8) 를 통하여, 웨이퍼 (W) 를 지지하고 있는 웨이퍼 지지구 (3) 가 걸어맞춰진다.
에칭액 공급부 (23) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 에칭액을 공급하기 위한 에칭액 공급 노즐 (24), 및, 에칭액 공급 노즐 (24) 을 상하 방향으로 이동시키기 위한 에칭액 공급 노즐 승강 수단 (25) 을 구비하고 있다. 에칭액 공급 노즐 (24) 은, 에칭액 공급원 (ES) 에 연통되는 것이 가능하다.
에칭액 공급부 (23) 에서는, 에칭액 공급 노즐 승강 수단 (25) 에 의해, 에칭액 공급 노즐 (24) 이 소정의 높이에 배치된다. 그리고, 에칭액 공급 노즐 (24) 이 에칭액 공급원 (ES) 에 연통되어, 에칭액 공급 노즐 (24) 로부터, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에, 소정량의 에칭액이 적하된다. 이에 따라, 에칭액 공급부 (23) 는, 웨이퍼 (W) 의 상면에, 표면 장력으로 에칭액층 (EL) 을 형성한다. 그리고, 에칭액층 (EL) 의 형성으로부터, 약 3 분간 대기한다. 이에 따라, 웨이퍼 (W) 의 상면이 에칭 (약액 가공) 된다.
에칭액 회수부 (26) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 에칭액을 회수하기 위한 에칭액 회수 노즐 (27), 및, 에칭액 회수 노즐 (27) 을 상하 방향으로 이동시키기 위한 에칭액 회수 노즐 승강 수단 (28) 을 구비하고 있다. 에칭액 회수 노즐 (27) 은, 흡인원 (EV) 에 연통되는 것이 가능하다.
에칭액 회수부 (26) 에서는, 에칭 후에, 에칭액 회수 노즐 승강 수단 (28) 에 의해, 에칭액 회수 노즐 (27) 이, 웨이퍼 (W) 의 상면에 형성된 에칭액층 (EL) 에 접하는 높이에 배치된다. 그리고, 에칭액 회수 노즐 (27) 이, 흡인원 (EV) 에 연통되어, 에칭액층 (EL) 을 형성하고 있는 에칭액을, 웨이퍼 (W) 의 상면으로부터 빨아 올린다. 에칭액 회수 노즐 (27) 에 의해 빨아 올려진 에칭액은, 도시되지 않은 에칭액 회수 보틀 내에 축적되어 회수된다.
에칭액 회수부 (26) 에 의해 다 회수하지 못한 에칭액은, 웨이퍼 (W) 의 상면으로부터 흘러넘쳐, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극을 통해서, 화살표 (A) 에 의해 나타내는 바와 같이, 에칭액용 보틀 (22) 내에 흘러 떨어져 축적 및 회수된다. 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극은, 예를 들어, 복수의 기둥부 (6) 의 사이, 및, 베이스부 (5) 의 구멍부 (5b) 를 포함한다 (도 2 참조).
또한, 에칭액은, 예를 들어, 아세트산, 질산 및 인산의 혼합물이다. 또, 에칭액층 (EL) 을 형성하고 있는 에칭액의 액량은, 예를 들어, 0.3 ㎖ 이다. 회수되는 에칭액도 대략 동량이 된다.
도 6 에 나타내는 세정 유닛 (31) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면을 세정수에 의해 세정한다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 세정 유닛 (31) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 를 재치하기 위한 세정액용 보틀 (32), 및, 세정수를 공급하기 위한 세정수 공급부 (33) 를 구비하고 있다.
세정액용 보틀 (32) 은, 에칭액용 보틀 (22) 과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 세정액용 보틀 (32) 은, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 상부에 개구 (32a) 를 갖고 있다. 개구 (32a) 는, 웨이퍼 (W) 의 직경보다 크고, 다리 (8) 를 통하여 웨이퍼 지지구 (3) 를 걸어맞춤 가능하도록 형성되어 있다. 즉, 세정 유닛 (31) 에서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 세정액용 보틀 (32) 의 개구 (32a) 에, 고정구 (9) 를 갖는 다리 (8) 를 통하여, 웨이퍼 (W) 를 지지하고 있는 웨이퍼 지지구 (3) 가 걸어맞춰진다. 세정액용 보틀 (32) 은, 제 1 보틀의 일례에 상당한다.
세정수 공급부 (33) 는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 세정수를 공급하기 위한 세정수 공급 노즐 (34), 및, 세정수 공급 노즐 (34) 을 상하 방향으로 이동시키기 위한 세정수 공급 노즐 승강 수단 (35) 을 구비하고 있다. 세정수 공급 노즐 (34) 은, 세정수 공급원 (WS) 에 연통되는 것이 가능하다.
세정수 공급부 (33) 에서는, 세정수 공급 노즐 승강 수단 (35) 에 의해, 세정수 공급 노즐 (34) 이 소정의 높이에 배치된다. 그리고, 세정수 공급 노즐 (34) 이 세정수 공급원에 연통되어, 세정수 공급 노즐 (34) 로부터, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에 세정수가 공급 (예를 들어 펄스 급수) 된다. 이에 따라, 웨이퍼 (W) 의 상면이 세정수에 의해 세정된다.
세정에 사용된 세정수는, 웨이퍼 (W) 의 상면으로부터 흘러넘쳐, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극을 통해서, 화살표 (B) 에 의해 나타내는 바와 같이, 세정액용 보틀 (32) 내에 흘러 떨어져 축적 및 회수된다. 이와 같이 하여, 세정 유닛 (31) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를 회수한다.
도 7 에 나타내는 마스크층 제거 유닛 (41) 은, 웨이퍼 (W) 의 상면에 형성되어 있는 수지로 이루어지는 마스크층 (도시 생략) 을 제거한다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 마스크층 제거 유닛 (41) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 를 재치하기 위한 마스크층 제거용 보틀 (42), 유기 용매인 제 1 액을 공급하기 위한 제 1 액 공급부 (43), 및, 다른 유기 용매인 제 2 액 (마스크 제거액) 을 공급하기 위한 제 2 액 공급부 (46) 를 구비하고 있다.
마스크층 제거용 보틀 (42) 은, 에칭액용 보틀 (22) 과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 마스크층 제거용 보틀 (42) 은, 도 5 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 상부에 개구 (42a) 를 갖고 있다. 개구 (42a) 는, 웨이퍼 (W) 의 직경보다 크고, 다리 (8) 를 통하여 웨이퍼 지지구 (3) 를 걸어맞춤 가능하도록 형성되어 있다. 즉, 마스크층 제거 유닛 (41) 에서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 마스크층 제거용 보틀 (42) 의 개구 (42a) 에, 고정구 (9) 를 갖는 다리 (8) 를 통하여, 웨이퍼 (W) 를 지지하고 있는 웨이퍼 지지구 (3) 가 걸어맞춰진다. 마스크층 제거용 보틀 (42) 은, 제 2 보틀의 일례에 상당한다.
제 1 액 공급부 (43) 는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 액을 공급하기 위한 제 1 액 공급 노즐 (44), 및, 제 1 액 공급 노즐 (44) 을 상하 방향으로 이동시키기 위한 제 1 액 공급 노즐 승강 수단 (45) 을 구비하고 있다. 제 1 액 공급 노즐 (44) 은, 제 1 액 공급원 (S1) 에 연통되는 것이 가능하다. 제 1 액은, 알코올계의 액체이고, 예를 들어, 에탄올 혹은 이소프로필알코올이다.
제 1 액 공급부 (43) 에서는, 제 1 액 공급 노즐 승강 수단 (45) 에 의해, 제 1 액 공급 노즐 (44) 이 소정의 높이에 배치된다. 그리고, 제 1 액 공급 노즐 (44) 이 제 1 액 공급원 (S1) 에 연통되어, 제 1 액 공급 노즐 (44) 로부터, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에 제 1 액이 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼 (W) 의 상면의 수분이, 알코올계의 제 1 액에 의해 치환된다.
제 2 액 공급부 (46) 는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 액을 공급하기 위한 제 2 액 공급 노즐 (47), 및, 제 2 액 공급 노즐 (47) 을 상하 방향으로 이동시키기 위한 제 2 액 공급 노즐 승강 수단 (48) 을 구비하고 있다. 제 2 액 공급 노즐 (47) 은, 제 2 액 공급원 (S2) 에 연통되는 것이 가능하다. 제 2 액은, 예를 들어 아세톤이다.
제 2 액 공급부 (46) 에서는, 제 2 액 공급 노즐 승강 수단 (48) 에 의해, 제 2 액 공급 노즐 (47) 이 소정의 높이에 배치된다. 그리고, 제 2 액 공급 노즐 (47) 이 제 2 액 공급원 (S2) 에 연통되어, 제 2 액 공급 노즐 (47) 로부터, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에 제 2 액이 공급된다. 이에 따라, 수지로 이루어지는 마스크층이 용해되어, 마스크층이 제거된다.
웨이퍼 (W) 의 상면에 공급된 제 1 액 및 제 2 액, 그리고, 용해된 수지는, 웨이퍼 (W) 의 상면으로부터 흘러넘쳐, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극을 통해서, 화살표 (C) 에 의해 나타내는 바와 같이, 마스크층 제거용 보틀 (42) 내에 흘러 떨어져 축적 및 회수된다. 이와 같이 하여, 마스크층 제거 유닛 (41) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 제 1 액, 제 2 액 및 용해된 수지를 회수한다.
도 8 및 도 9 에 나타내는 건조 유닛 (51) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 를 스핀 회전시켜 건조시킨다. 도 8 및 도 9 에 나타내는 바와 같이, 건조 유닛 (51) 은, 용기 (52) 내에, 웨이퍼 지지구 (3) 를 유지하는 유지 테이블 (53), 및, 유지 테이블 (53) 을 회전시키는 회전부 (57) 를 구비하고 있다.
유지 테이블 (53) 은, 웨이퍼 (W) 를 지지하고 있는 웨이퍼 지지구 (3) 를 유지함과 함께, 웨이퍼 (W) 의 하면을 흡인 유지한다. 회전부 (57) 는, 유지 테이블 (53) 을 스핀 회전시키고, 웨이퍼 (W) 를 건조시킨다.
유지 테이블 (53) 은, 환상 (環狀) 의 바닥면부 (54), 바닥면부 (54) 에 세워 형성되어 있는 복수의 지지 기둥쌍 (55), 및, 바닥면부 (54) 의 중앙에 고정된 유지면 (56) 을 구비하고 있다.
바닥면부 (54) 는, 웨이퍼 지지구 (3) 의 베이스부 (5) 보다 큰 지름을 갖고 있다. 지지 기둥쌍 (55) 은, 2 개의 지지 기둥 (55a) 으로 형성되어 있고, 바닥면부 (54) 의 외주부에 세워 형성되어 있다. 지지 기둥쌍 (55) 은, 2 개의 지지 기둥 (55a) 의 사이에서 웨이퍼 지지구 (3) 의 다리 (8) 를 사이에 두도록 구성되어 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 지지구 (3) 의 6 개의 다리 (8) 에 대응하도록, 6 개의 지지 기둥쌍 (55) 이 베이스부 (5) 에 세워 형성되어 있다.
유지면 (56) 은, 포러스 세라믹스재를 포함하고, 흡인원 (도시하지 않음) 에 연통됨으로써, 웨이퍼 지지구 (3) 의 베이스부 (5) 에 재치되어 있는 웨이퍼 (W) 를, 베이스부 (5) 를 통하여 흡착 유지한다.
회전부 (57) 는, 케이싱 (58) 내에 모터 (59) 를 갖고 있다. 모터 (59) 의 스핀들 (59a) 은, 유지 테이블 (53) 에 있어서의 유지면 (56) 의 하면에 연결되어 있다. 또한, 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 모터 (59) 의 회전축 (스핀들 (59a) 의 중심) 이 웨이퍼 (W) 의 중심을 통과하도록, 유지면 (56) 에 유지된다.
유지 테이블 (53) 에서는, 회전부 (57) 의 모터 (59) 에 의해, 웨이퍼 지지구 (3) 를 유지하고 있는 유지 테이블 (53) 이 일체적으로 회전된다 (회전수는, 예를 들어, 7500 rpm 이다). 이에 따라, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지되어, 유지 테이블 (53) 의 유지면 (56) 에 흡인 유지되고 있는 웨이퍼 (W) 가, 예를 들어 웨이퍼 (W) 의 중심을 축으로 하여 회전된다. 이에 따라, 웨이퍼 (W) 의 상면에 잔존하고 있는 액체 (예를 들어, 제 1 액 및 제 2 액) 가 기화하고, 웨이퍼 (W) 의 상면이 건조된다.
도 1 에 나타내는 반송 유닛 (61) 은, 에칭 유닛 (21), 세정 유닛 (31), 마스크층 제거 유닛 (41) 및 건조 유닛 (51) 의 사이에서, 웨이퍼 (W) 를 지지한 웨이퍼 지지구 (3) 를 반송한다.
수용실 (11) 의 상부에는, 각 유닛 (21, 31, 41, 51) 의 상부에, 이들 유닛의 배열 방향인 수용실 (11) 의 길이 방향으로 평행하게 레일 (R) 이 배치되어 있다. 반송 유닛 (61) 은, 이 레일 (R) 을 따라 이동 가능하도록, 레일 (R) 에 장착되어 있다. 따라서, 반송 유닛 (61) 은, 레일 (R) 을 따라, 각 유닛 (21, 31, 41, 51) 의 상부를 왕복 이동하는 것이 가능하다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 반송 유닛 (61) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 를 유지하기 위한 클로부 (62), 클로부 (62) 를 선회시키는 선회 수단 (63), 클로부 (62) 및 선회 수단 (63) 을 지지하는 아암 (64), 아암 (64), 선회 수단 (63) 및 클로부 (62) 를 상하 방향으로 이동시키는 승강 수단 (65), 및, 클로부 (62) 를 포함하는 반송 유닛 (61) 의 전체를 레일 (R) 을 따라 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 수단 (66) 을 구비하고 있다.
클로부 (62) 는, 대략 コ 자 형상을 갖고 있고, 수평 방향으로 연장되는 기부 (62b), 및, 기부 (62b) 의 양단으로부터 하방으로 연장되는 2 개의 클로 (62a) 를 갖고 있다. 클로부 (62) 는, 클로 (62a) 에 의해, 웨이퍼 지지구 (3) 의 다리 (8) (도 2 참조) 를 걸어 유지한다.
선회 수단 (63) 은, 클로부 (62) 의 기부 (62b) 에 장착되어 있다. 선회 수단 (63) 은, 상하 방향으로 연장되는 회전축 (L) 을 중심으로 하여, 화살표 (La) 에 나타내는 바와 같이 선회한다. 이에 따라, 클로부 (62) (클로 (62a)) 가, 화살표 (Lb) 에 나타내는 바와 같이 선회한다.
아암 (64) 은, 그 선단에 의해, 선회 수단 (63) 및 클로부 (62) 를 지지하고 있다. 아암 (64) 의 기단에는, 승강 수단 (65) 이 장착되어 있다. 승강 수단 (65) 은, 수평 이동 수단 (66) 내의 도시되지 않은 구동 기구에 의해, 수평 이동 수단 (66) 내에서 상하 방향으로 이동한다. 이에 따라, 승강 수단 (65) 은, 아암 (64), 선회 수단 (63) 및 클로부 (62) 를, 양화살표 (U) 에 의해 나타내는 바와 같이, 승강시키는 것이 가능하다.
수평 이동 수단 (66) 은, 그 내부에, 승강 수단 (65) 을 유지하고 있다. 수평 이동 수단 (66) 은, 도시되지 않은 구동 기구에 의해, 레일 (R) 을 따라 수평 이동한다. 이에 따라, 수평 이동 수단 (66) 은, 클로부 (62) 를 포함하는 반송 유닛 (61) 의 전체를, 양화살표 (T) 에 의해 나타내는 바와 같이, 레일 (R) 을 따라 수평 이동시키는 것이 가능하다.
웨트 에칭 장치 (1) 에 있어서의 에칭 동작에서는, 반송 유닛 (61) 혹은 작업자가, 웨이퍼 (W) 를 지지하고 있는 웨이퍼 지지구 (3) 를, 에칭 유닛 (21) 의 에칭액용 보틀 (22) 에 재치한다.
에칭 후, 반송 유닛 (61) 이, 에칭 유닛 (21) 상에 수평 이동하고, 클로부 (62) 를 강하시켜, 클로부 (62) (클로 (62a)) 에 의해 웨이퍼 지지구 (3) 의 다리 (8) 를 걸어 유지한다. 반송 유닛 (61) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 를 유지하고 있는 클로부 (62) 를 상승시킴과 함께, 세정 유닛 (31) 의 상방으로 수평 이동하고, 클로부 (62) 를 강하시켜, 세정액용 보틀 (32) 에 웨이퍼 지지구 (3) 를 재치한다. 이와 같이 하여, 세정 유닛 (31) 은, 유닛 (21, 31, 41, 51) 사이에서, 웨이퍼 지지구 (3) 를 반송한다.
또, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 수용실 (11) 은, 수용실 (11) 내의 기체를 내보내기 위한 출구 (12) 와, 수용실 (11) 내에 기체를 넣기 위한 입구 (13) 를 구비하고 있다.
출구 (12) 는, 수용실 (11) 에 있어서의 건조 유닛 (51) 의 근방의 측벽의 하방에 형성되어 있다. 입구 (13) 는, 수용실 (11) 의 상부에, 수용실 (11) 의 길이 방향을 따르도록, 예를 들어 홈 형상으로 형성되어 있다.
그리고, 웨트 에칭 장치 (1) 는, 수용실 (11) 내의 클린도를 유지하기 위한 클린 유닛 (71) 을 추가로 구비하고 있다. 이 클린 유닛 (71) 은, 배관 (72) 을 구비하고 있다. 배관 (72) 은, 출구 (12) 와 입구 (13) 를 접속하고 있고, 출구 (12) 로부터 입구 (13) 를 향하여 기체를 흘리기 위해서 사용된다. 클린 유닛 (71) 은, 또한, 배관 (72) 에 배치 형성되는, 팬 (73), 제해 유닛 (74) 및 방진 필터 (필터) (75) 를 구비하고 있다.
팬 (73) 은, 배관 (72) 내에, 출구 (12) 로부터 입구 (13) 를 향하는 기체의 흐름을 형성한다.
제해 유닛 (74) 은, 배관 (72) 내의 기체의 독성 성분을 제거한다. 제해 유닛 (74) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 배관 (72) 내의 기체를 도입하여 배출하는 케이싱 (81) 을 구비하고 있다. 또한, 제해 유닛 (74) 은, 케이싱 (81) 내에, 외부의 수원 (水源) (83) 에 연통되어 있는 물공급기 (82), 제해 필터 (85), 물공급기 (82) 로부터 공급된 물을 배출하는 배출구 (84) 를 구비하고 있다.
이와 같은 구성을 갖는 제해 유닛 (74) 은, 물공급기 (82) 로부터 공급되는 물, 물방울 (WL) 및 제해 필터 (85) 에 의해, 배관 (72) 으로부터 도입된 기체로부터 독성 성분을 제거하고, 배관 (72) 으로 기체를 되돌린다. 사용된 물은, 배출구 (84) 를 통해서, 화살표 (D) 에 의해 나타내는 바와 같이 케이싱 (81) 의 외부로 배출된다.
독성 성분이 제거된 기체는, 팬 (73) 을 통해서, 제해 유닛 (74) 과 입구 (13) 의 사이에 배치 형성된 방진 필터 (75) 를 통과한다. 방진 필터 (75) 는, 자신을 통과하는 기체로부터, 기체에 포함되는 티끌을 제거한다. 방진 필터 (75) 를 통과한 기체는, 입구 (13) 를 통해서 수용실 (11) 내로 되돌려진다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 웨트 에칭되는 웨이퍼 (W) 가, 간극 (기둥부 (6) 의 사이, 및, 베이스부 (5) 의 구멍부 (5b) 등 ; 도 2 참조) 을 갖는 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지되어 있다.
그리고, 세정 유닛 (31) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 를 세정수에 의해 세정할 때, 웨이퍼 (W) 의 상면으로부터 흘러넘쳐 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를 회수하도록 구성되어 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 지지구 (3) 의 하방에 회수 용기 (세정액용 보틀 (32)) 를 배치해 둠으로써, 세정수를, 웨이퍼 (W) 의 주위에 비산시키는 것을 억제하면서, 양호하게 회수할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 웨트 에칭 장치 (1) 는, 수용실 (11) 내의 클린도를 유지하기 위한 클린 유닛 (71) 을 구비하고 있다. 이에 따라, 수용실 (11) 내를 순환하는 기체로부터, 독성 성분 및 티끌을 제거하여 그 청정도를 유지할 수 있으므로, 수용실 (11) 내의 클린도를 유지하는 것이 용이하다.
또, 본 실시형태에서는, 에칭 유닛 (21) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에 표면 장력으로 에칭액층을 형성하는 에칭액 공급부 (23) 와, 에칭 후에, 웨이퍼 (W) 의 상면으로부터 에칭액을 빨아들이는 에칭액 회수부 (26) 를 구비하고 있다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (W) 의 상면에 표면 장력으로 모인 에칭액에 의해 에칭을 실시하므로, 에칭액의 양을 줄일 수 있다. 또, 에칭 후에, 에칭액을 빨아들여 회수하기 때문에, 에칭액을 웨이퍼 (W) 의 주위에 비산시키는 것을 억제할 수 있다. 또한, 회수된 에칭액은, 에칭 시간이 길어질 가능성이 있기는 하지만, 재이용하는 것이 가능하다. 이 때문에, 에칭액을 처리하기 위한 폐액 처리 장치를 사용하는 빈도를 저하시킬 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 세정 유닛 (31) 은, 개구 (32a) 를 상부에 갖는 세정액용 보틀 (32) 을 구비하고 있다. 또한, 세정 유닛 (31) 은, 세정액용 보틀 (32) 의 개구 (32a) 에 걸어맞춰진 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에 세정수를 공급하는 세정수 공급부 (33) 를 구비하고 있다.
웨이퍼 지지구 (3) 의 다리 (8) 를 세정액용 보틀 (32) 의 개구 (32a) 에 걸어맞추게 함으로써, 세정액용 보틀 (32) 의 개구 (32a) 의 중앙에 웨이퍼 (W) 를 배치할 수 있다. 즉, 개구 (32a) 의 중앙에, 웨이퍼 (W) 를 공중에 뜬 것처럼 배치할 수 있다.
따라서, 세정 유닛 (31) 에서는, 웨이퍼 (W) 로부터 흘러넘쳐 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정액을, 세정액용 보틀 (32) 에 의해 회수하는 것이 가능하다. 이 때문에, 세정수를 용이하게 회수할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 건조 유닛 (51) 은, 웨이퍼 지지구 (3) 를 유지함과 함께 웨이퍼 (W) 의 하면을 흡인 유지하는 유지 테이블 (53) 과, 유지 테이블 (53) 을 스핀 회전시켜 웨이퍼 (W) 를 건조시키는 회전부 (57) 를 구비하고 있다. 이에 따라, 웨이퍼 (W) 를 용이하게 건조시킬 수 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 유지 테이블 (53) 의 지지 기둥쌍 (55) 이, 웨이퍼 지지구 (3) 의 다리 (8) 를 사이에 두고 있다. 이 때문에, 웨이퍼 (W) 가, 스핀 회전 시에 원심력의 영향을 받아, 유지 테이블 (53) 로부터 낙하하는 것을 용이하게 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 웨트 에칭 장치 (1) 는, 수용실 (11) 내에, 웨이퍼 (W) 의 상면에 형성되어 있는 수지로 이루어지는 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 유닛 (41) 을 추가로 구비하고 있다. 그리고, 마스크층 제거 유닛 (41) 은, 개구 (42a) 를 상부에 갖는 마스크층 제거용 보틀 (42) 을 구비하고 있다. 또한, 마스크층 제거 유닛 (41) 은, 마스크층 제거용 보틀 (42) 의 개구 (42a) 에 걸어맞춰진 웨이퍼 지지구 (3) 에 지지된 웨이퍼 (W) 의 상면에, 제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급부 (43) 와, 웨이퍼 (W) 의 상면에 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급부 (46) 를 구비하고 있다.
따라서, 마스크층 제거 유닛 (41) 에서는, 웨이퍼 (W) 로부터 흘러넘쳐 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 제 1 액, 제 2 액 및 용해된 수지를, 마스크층 제거용 보틀 (42) 에 의해 회수하는 것이 가능하다. 이 때문에, 제 1 액, 제 2 액 및 용해된 수지를, 웨이퍼 (W) 의 주위에 비산시키는 것을 억제하면서, 용이하게 회수할 수 있다.
또한, 종래, 에칭액, 세정수, 제 1 액 혹은 제 2 액을 웨이퍼에 공급하고, 웨이퍼로부터 에칭액, 세정수, 제 1 액 및 제 2 액을 비산시키도록 하여, 웨이퍼의 에칭을 실시하고 있다. 이 경우, 에칭 유닛, 세정 유닛 및 마스크층 제거 유닛을 수용하기 위해서, 작업자가 내부에서 작업하는 것이 가능한 사이즈의, 대형의 클린 룸이 사용된다.
한편, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (W) 에 액체를 공급하고, 웨이퍼 (W) 상의 액체를 빨아들여 회수하거나, 혹은, 웨이퍼 (W) 로부터 흘러넘쳐 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 흘러 떨어지는 액체를 보틀에 의해 회수하고 있다. 이 때문에, 에칭 유닛 (21), 세정 유닛 (31) 및 마스크층 제거 유닛 (41) 의 장치 구조를 현저하게 소형화 할 수 있다. 따라서, 이들 유닛 (21, 31, 41) 및 건조 유닛 (51) 을, 소형 드래프트인 글로브 박스형의 수용실 (11) 에 수용할 수 있다. 이에 따라, 대형의 클린 룸을 불필요하게 할 수 있음과 함께, 웨트 에칭 장치 (1) 의 사이즈 및 비용을 현저하게 억제하는 것이 가능하다.
또, 글로브 박스형의 수용실 (11) 을 사용함으로써, 기화한 에칭액을 작업자가 흡인해 버리는 것, 및, 에칭 후에 세정 및 건조를 실시했을 때에 발생하는 먼지가 건조 후의 웨이퍼 (W) 에 부착되는 것을, 클린 룸을 사용하는 경우와 마찬가지로, 양호하게 억제할 수 있다.
또, 웨트 에칭 장치 (1) 는, 수용실 (11) 내에, 웨이퍼 (W) 를 지지한 웨이퍼 지지구 (3) 를 반송하는 반송 유닛 (61) 을 추가로 구비하고 있다. 이에 따라, 본 실시형태에서는, 에칭 유닛 (21), 세정 유닛 (31), 마스크층 제거 유닛 (41) 및 건조 유닛 (51) 사이에서, 웨이퍼 (W) 를 지지한 웨이퍼 지지구 (3) 를 용이하게 반송할 수 있다.
또, 웨이퍼 (W) 를 지지하는 웨이퍼 지지구 (3) 는, 웨이퍼 (W) 의 하면에 부분 접촉하여 웨이퍼가 재치되는 베이스부 (5), 및, 베이스부 (5) 에 재치된 웨이퍼 (W) 를 둘러싸도록 베이스부 (5) 에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부 (6) 를 포함하는 본체부 (4) 와, 본체부 (4) 로부터 외측으로 뻗어나오는 다리 (8) 를 구비하고 있다. 웨이퍼 지지구 (3) 를 사용함으로써, 웨이퍼 지지구 (3) 의 베이스부 (5) 에 재치된 웨이퍼 (W) 에 공급된 액체 (세정수, 제 1 액 및 제 2 액 등) 를, 웨이퍼 지지구 (3) 의 간극으로부터 넘치게 하여 떨어뜨릴 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 지지구 (3) 의 하방에 회수 용기를 배치해 둠으로써, 액체를 용이하게 회수할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 에칭 유닛 (21) 이 에칭액용 보틀 (22) 을 구비하고 있다. 이에 관하여, 에칭액 회수부 (26) 에 의해 대략 모든 에칭액을 회수할 수 있는 경우에는, 에칭액용 보틀 (22) 을 사용하지 않아도 된다.
또, 본 실시형태에서는, 에칭 유닛 (21) 이, 에칭액을 빨아들이는 에칭액 회수부 (26) 를 구비하고 있다. 그러나, 에칭 유닛 (21) 은, 에칭액 회수부 (26) 를 구비하지 않아도 된다. 이 경우, 사용이 끝난 에칭액은, 에칭액용 보틀 (22) 에 의해 회수된다.
또, 본 실시형태에서는, 웨트 에칭 장치 (1) 가, 에칭 유닛 (21) 과 세정 유닛 (31) 을 별도 유닛으로서 구비하고 있다. 이것에 한정되지 않고, 예를 들어, 에칭 유닛 (21) 이, 세정수 공급부 (33) 를 추가로 구비해도 된다. 즉, 웨이퍼 (W) 를 지지하고 있는 웨이퍼 지지구 (3) 가 에칭액용 보틀 (22) 에 걸어맞춰진 상태에서, 에칭이 이루어져, 에칭액 회수부 (26) 에 의해 에칭액이 회수된 후에, 웨이퍼 지지구 (3) 를 반송하는 일 없이, 계속해서, 세정수 공급부 (33) 에 의해 웨이퍼 (W) 의 상면이 세정되어도 된다. 이 경우, 세정수는, 에칭액용 보틀 (22) 에 흘러 떨어져, 축적 및 회수되게 된다. 이 구성에서는, 세정액용 보틀 (32) 을 생략할 수 있으므로, 장치의 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 반송 유닛 (61) 이 선회 수단 (63) 을 구비하고 있고, 클로부 (62) 가 선회 가능하도록 구성되어 있다. 그러나, 반송 유닛 (61) 은, 선회 수단 (63) 을 구비하지 않아도 된다. 이 경우, 클로부 (62) 의 클로 (62a) 의 형상을, 웨이퍼 지지구 (3) 의 다리 (8) 를 걸기 쉬운 형상으로 하는 것이 바람직하다.
1 : 웨트 에칭 장치
3 : 웨이퍼 지지구
4 : 본체부
5 : 베이스부
6 : 기둥부
8 : 다리
11 : 수용실
12 : 출구
13 : 입구
21 : 에칭 유닛
22 : 에칭액용 보틀
22a : 개구
23 : 에칭액 공급부
24 : 에칭액 공급 노즐
25 : 에칭액 공급 노즐 승강 수단
26 : 에칭액 회수부
27 : 에칭액 회수 노즐
28 : 에칭액 회수 노즐 승강 수단
31 : 세정 유닛
32 : 세정액용 보틀
32a : 개구
33 : 세정수 공급부
34 : 세정수 공급 노즐
35 : 세정수 공급 노즐 승강 수단
41 : 마스크층 제거 유닛
42 : 마스크층 제거용 보틀
42a : 개구
43 : 제 1 액 공급부
44 : 제 1 액 공급 노즐
45 : 제 1 액 공급 노즐 승강 수단
46 : 제 2 액 공급부
47 : 제 2 액 공급 노즐
48 : 제 2 액 공급 노즐 승강 수단
51 : 건조 유닛
53 : 유지 테이블
54 : 바닥면부
55 : 지지 기둥쌍
56 : 유지면
57 : 회전부
59 : 모터
61 : 반송 유닛
62 : 클로부
63 : 선회 수단
64 : 아암
65 : 승강 수단
66 : 수평 이동 수단
71 : 클린 유닛
72 : 배관
73 : 팬
75 : 방진 필터
74 : 제해 유닛
82 : 물공급기
83 : 수원
84 : 배출구
85 : 제해 필터

Claims (6)

  1. 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼를 웨트 에칭하는 웨트 에칭 장치로서,
    그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에 에칭액을 모아 웨이퍼의 상면을 에칭하는 에칭 유닛과,
    그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면을 세정수에 의해 세정하는 세정 유닛과,
    그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼를 스핀 회전시켜 건조시키기 위한 건조 유닛과,
    그 에칭 유닛, 그 세정 유닛, 및 그 건조 유닛을 수용하는 수용실을 포함하고,
    그 웨이퍼 지지구는,
    웨이퍼의 하면에 부분 접촉하여 웨이퍼가 재치 (載置) 되는 베이스부, 및, 그 베이스부에 재치된 웨이퍼를 둘러싸도록 그 베이스부에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부를 포함하는 본체부와,
    그 본체부에서 외측으로 뻗어나오는 다리를 구비하고 있고,
    그 세정 유닛은, 그 웨이퍼 지지구의 간극으로부터 흘러 떨어지는 세정수를 회수하도록 구성되어 있는 웨이퍼의 상면을 에칭하는 에칭 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 수용실 내의 클린도를 유지하기 위한 클린 유닛을 추가로 구비하고,
    그 수용실은, 그 수용실 내의 기체를 내보내기 위한 출구와, 그 수용실 내에 기체를 넣기 위한 입구를 구비하고,
    그 클린 유닛은,
    그 출구로부터 그 입구에 기체를 흘리기 위한 배관과,
    그 배관에 배치 형성되는 팬과,
    그 배관에 배치 형성되고, 기체의 독성 성분을 제거하는 제해 유닛과,
    그 배관에 있어서의 그 제해 유닛과 그 입구의 사이에 배치 형성되고, 그 기체에 포함되는 티끌을 제거하는 필터를 구비하는, 에칭 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 에칭 유닛은,
    그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에, 소정량의 에칭액을 적하하여, 표면 장력으로 에칭액층을 형성하는 에칭액 공급부와, 에칭 후에, 웨이퍼의 상면으로부터 그 에칭액을 빨아들이는 에칭액 회수부를 구비하고,
    그 세정 유닛은,
    웨이퍼의 직경보다 크고 그 다리를 통하여 그 웨이퍼 지지구를 걸어맞춤 가능한 개구를 상부에 갖는 제 1 보틀과, 그 제 1 보틀의 개구에 걸어맞춰진 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에 세정수를 공급하는 세정수 공급부를 구비하고,
    그 건조 유닛은,
    그 웨이퍼 지지구를 유지함과 함께 웨이퍼의 하면을 흡인 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블을 스핀 회전시켜 웨이퍼를 건조시키는 회전부를 구비하고 있는, 에칭 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    그 수용실 내에, 웨이퍼의 상면에 형성되어 있는 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 유닛을 추가로 구비하고,
    그 마스크층 제거 유닛은,
    웨이퍼의 직경보다 크고 그 다리를 통하여 그 웨이퍼 지지구를 걸어맞춤 가능한 개구를 상부에 갖는 제 2 보틀과,
    그 제 2 보틀의 개구에 걸어맞춰진 그 웨이퍼 지지구에 지지된 웨이퍼의 상면에 제 1 액을 공급하는 제 1 액 공급부와,
    그 웨이퍼의 상면에 제 2 액을 공급하는 제 2 액 공급부를 구비하는, 에칭 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    그 수용실 내에, 웨이퍼를 지지한 그 웨이퍼 지지구를 반송하는 반송 유닛을 추가로 구비하고,
    그 반송 유닛은,
    그 웨이퍼 지지구의 다리를 걸어 유지하는 클로와,
    그 클로를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 수단과,
    그 클로를 승강시키는 승강 수단을 구비하는, 에칭 장치.
  6. 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지구로서,
    웨이퍼의 하면에 부분 접촉하여 웨이퍼가 재치되는 베이스부, 및, 그 베이스부에 재치된 웨이퍼를 둘러싸도록 그 베이스부에 세워 형성되어 있는 복수의 기둥부를 포함하는 본체부와,
    그 본체부에서 외측으로 뻗어나오는 다리를 구비하고 있는, 웨이퍼 지지구.
KR1020200082048A 2019-07-31 2020-07-03 에칭 장치 및 웨이퍼 지지구 KR20210015639A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-140939 2019-07-31
JP2019140939A JP7303689B2 (ja) 2019-07-31 2019-07-31 エッチング装置およびウェーハ支持具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210015639A true KR20210015639A (ko) 2021-02-10

Family

ID=74483435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200082048A KR20210015639A (ko) 2019-07-31 2020-07-03 에칭 장치 및 웨이퍼 지지구

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7303689B2 (ko)
KR (1) KR20210015639A (ko)
CN (1) CN112309908A (ko)
TW (1) TW202107614A (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286130A (ja) 1988-09-22 1990-03-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06265869A (ja) 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd ブラックマトリクスを有する基板およびその製造方法、ならびに液晶表示装置
JP2017028257A (ja) 2015-07-23 2017-02-02 セントラル硝子株式会社 ウェットエッチング方法及びエッチング液

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3048735B2 (ja) * 1992-02-10 2000-06-05 山形日本電気株式会社 ウェーハ処理装置用搬送機構
JPH07176507A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Hitachi Ltd ウエット処理装置およびウエット処理方法
JPH10242110A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Hitachi Ltd 回転処理方法および回転処理装置
JP2005079212A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
JP2006278606A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6242056B2 (ja) 2013-02-15 2017-12-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2014184434A (ja) 2014-04-21 2014-10-02 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 搬送式基板処理装置における節水型洗浄システム
JP6449097B2 (ja) 2014-07-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6956603B2 (ja) 2017-11-13 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286130A (ja) 1988-09-22 1990-03-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06265869A (ja) 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd ブラックマトリクスを有する基板およびその製造方法、ならびに液晶表示装置
JP2017028257A (ja) 2015-07-23 2017-02-02 セントラル硝子株式会社 ウェットエッチング方法及びエッチング液

Also Published As

Publication number Publication date
TW202107614A (zh) 2021-02-16
JP2021027064A (ja) 2021-02-22
CN112309908A (zh) 2021-02-02
JP7303689B2 (ja) 2023-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100267618B1 (ko) 처리장치 및 처리방법
JP5270251B2 (ja) 基板処理装置
US7216655B2 (en) Wafer container washing apparatus
US6926017B2 (en) Wafer container washing apparatus
TWI728346B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5913167B2 (ja) 液処理装置および洗浄方法
JP5129042B2 (ja) 基板の処理装置
KR102020712B1 (ko) 회수 배관 세정 방법 및 기판 처리 장치
JP5188217B2 (ja) 基板処理装置
KR102297377B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101983897B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20190112639A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP4799464B2 (ja) 基板処理装置
JP3837017B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法
KR20210015639A (ko) 에칭 장치 및 웨이퍼 지지구
JP6203893B2 (ja) 液処理装置および洗浄方法
JP4325831B2 (ja) 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法
KR20120138697A (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2002299305A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP7303688B2 (ja) ウエットエッチング方法
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3540550B2 (ja) 処理装置及び処理方法
KR100738443B1 (ko) 기판 세정장치 및 기판 세정방법
JP2008108775A (ja) 回転式基板処理装置
JP2006080563A (ja) 現像方法及び現像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination