KR20210005585A - 전자파 투과성 금속 광택 물품, 및 가식 부재 - Google Patents
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- 239000002932 luster Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 238
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 117
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 117
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 48
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- -1 titanium oxide (TiO Chemical class 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007666 vacuum forming Methods 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical class [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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Abstract
본 발명은, 기체 (10) 와, 상기 기체 (10) 상에 형성된 금속층 (12) 과, 광학 조정층 (13) 을 구비하고, 상기 금속층 (12) 은, 적어도 일부에 있어서 서로 불연속의 상태에 있는 복수의 부분 (12a) 을 포함하고, 상기 광학 조정층 (13) 은, 굴절률 1.75 이상의 고굴절률층을 적어도 1 층 포함하는 전자파 투과성 금속 광택 물품 (1), 그리고 피착 부재와, 전자파 투과성 금속 광택 물품을 구비하고, 상기 전자파 투과성 금속 광택 물품이 투명 점착제로 이루어지는 점착제층을 개재하여 상기 피착 부재에 첩부되어 있는 가식 부재에 관한 것이다.
Description
본 발명은 전자파 투과성 금속 광택 물품, 및 가식 부재에 관한 것이다.
종래, 전자파 투과성 및 금속 광택을 갖는 부재가, 그 금속 광택에서 유래하는 외관의 고급감과, 전자파 투과성을 겸비하므로, 전자파를 송수신하는 장치에 바람직하게 사용되고 있다.
예를 들어, 프론트 그릴, 엠블럼과 같은 자동차의 프론트 부분에 탑재되는 밀리파 레이더의 커버 부재에 장식을 실시한, 광휘성과 전자파 투과성의 쌍방을 겸비한 금속 광택 물품이 요구되고 있다.
밀리파 레이더는, 밀리파대의 전자파 (주파수 약 77 ㎓, 파장 약 4 ㎜) 를 자동차의 전방에 송신하고, 타깃으로부터의 반사파를 수신하여, 반사파를 측정, 분석함으로써, 타깃과의 거리나, 타깃의 방향, 사이즈를 계측할 수 있는 것이다.
계측 결과는, 차간 계측, 속도 자동 조정, 브레이크 자동 조정 등에 이용할 수 있다.
이와 같은 밀리파 레이더가 배치되는 자동차의 프론트 부분은, 말하자면 자동차의 얼굴이고, 사용자에게 큰 임팩트를 주는 부분이기 때문에, 금속 광택풍의 프론트 장식으로 고급감을 연출하는 것이 바람직하다. 그러나, 자동차의 프론트 부분에 금속을 사용한 경우에는, 밀리파 레이더에 의한 전자파의 송수신이 실질적으로 불가능하거나, 혹은 방해되어 버린다. 따라서, 밀리파 레이더의 기능을 방해하는 일 없이, 자동차의 의장성을 저해시키지 않기 위해, 광휘성과 전자파 투과성의 쌍방을 겸비한 금속 광택 물품이 필요하게 되어 있다.
이런 종류의 금속 광택 물품은, 밀리파 레이더 뿐만 아니라, 통신을 필요로 하는 여러 가지 기기, 예를 들어, 스마트키를 형성한 자동차의 도어 핸들, 차재 통신 기기, 휴대 전화, PC 등의 전자 기기 등에 대한 응용이 기대되고 있다. 또한, 최근에는, IoT 기술의 발달에 수반하여, 종래는 통신 등 실시되는 일이 없었던 냉장고 등의 가전 제품, 생활 기기 등, 폭넓은 분야에서의 응용도 기대되고 있다.
금속 광택 부재에 관해, 일본 공개특허공보 2007-144988호 (특허문헌 1) 에는, 크롬 (Cr) 또는 인듐 (In) 으로 이루어지는 금속 피막을 포함하는 수지 제품이 개시되어 있다. 이 수지 제품은, 수지 기재와, 당해 수지 기재 상에 성막된 무기 화합물을 포함하는 무기질 하지막과, 당해 무기질 하지막 상에 물리 증착법에 의해 성막된 광휘성 및 불연속 구조의 크롬 (Cr) 또는 인듐 (In) 으로 이루어지는 금속 피막을 포함한다. 무기질 하지막으로서, 특허문헌 1 에서는, (a) 금속 화합물의 박막, 예를 들어, 산화티탄 (TiO, TiO2, Ti3O5 등) 등의 티탄 화합물 ; 산화규소 (SiO, SiO2 등), 질화규소 (Si3N4 등) 등의 규소 화합물 ; 산화알루미늄 (Al2O3) 등의 알루미늄 화합물 ; 산화철 (Fe2O3) 등의 철 화합물 ; 산화셀렌 (CeO) 등의 셀렌 화합물 ; 산화지르콘 (ZrO) 등의 지르콘 화합물 ; 황화아연 (ZnS) 등의 아연 화합물 등, (b) 무기 도료의 도막, 예를 들어, 실리콘, 아모르퍼스 TiOz 등 (그 밖에, 상기 예시의 금속 화합물) 을 주성분으로 하는 무기 도료에 의한 도막이 사용되고 있다.
한편, 일본 공개특허공보 2009-298006호 (특허문헌 2) 에는, 크롬 (Cr) 또는 인듐 (In) 뿐만 아니라, 알루미늄 (Al), 은 (Ag), 니켈 (Ni) 도 금속막으로서 형성할 수 있는 전자파 투과성 광휘 수지 제품이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2010-5999호 (특허문헌 3) 에는 금속막층을 모재 시트로 형성하고, 모재 시트에, 장력을 부하하면서, 가열 처리를 실시함으로써 크랙을 갖는 전자파 투과성의 금속막 가식 시트를 제조하는 방법이 기재되어 있다.
일본 특허 제4601262호 (특허문헌 4) 에는 투명 수지 성형품 상에, 불연속인 막구조인 금속 박막층에 의한 금속 발색 부분을 갖는 가식층이 적층된 커버 패널이 기재되어 있다.
종래 기술에 있어서의 금속 광택 물품은, 일반적으로는 평활면에 금속층을 형성한 것이다. 그러나, 금속 광택 물품의 의장에 대한 요구는 다양화되고 있으며, 예를 들어 착색된 금속 광택 물품도 요망되고 있다.
본원 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 전자파 투과성과 높은 광휘성을 양립하고, 착색된 전자파 투과성 금속 광택 물품을 제공하는 것에 있다.
본 발명자 등은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 통상은 불연속 구조가 잘 되지 않는, 예를 들어, 알루미늄 (Al) 등 그 밖의 금속으로 이루어지는 금속층을 불연속 구조로 하고, 또한 굴절률 1.75 이상의 고굴절률층을 적어도 1 층 포함하는 광학 조정층을 구비함으로써 전자파 투과성과 높은 광휘성을 양립하고, 착색된 금속 외관이 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 일 양태는, 기체와, 상기 기체 상에 형성된 금속층과, 적어도 1 층의 광학 조정층을 구비하고, 상기 금속층은, 적어도 일부에 있어서 서로 불연속의 상태에 있는 복수의 부분을 포함하고, 상기 광학 조정층은, 굴절률 1.75 이상의 고굴절률층을 적어도 1 층 포함하는 전자파 투과성 금속 광택 물품에 관한 것이다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 광학 조정층의 두께가 10 ㎚ ∼ 1000 ㎚ 이어도 된다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 광학 조정층이 형성된 측의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 반사율의 최대값과 최소값의 차가 30 ％ 이상이어도 된다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 기체와 상기 금속층 사이에, 산화인듐 함유층을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 산화인듐 함유층은 연속 상태로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 산화인듐 함유층은, 산화인듐 (In2O3), 인듐주석 산화물 (ITO), 또는 인듐아연 산화물 (IZO) 중 어느 것을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 산화인듐 함유층의 두께는, 1 ㎚ ∼ 1000 ㎚ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 금속층의 두께는, 20 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 금속층의 두께와 상기 산화인듐 함유층의 두께의 비 (상기 금속층의 두께/상기 산화인듐 함유층의 두께) 는, 0.02 ∼ 100 이어도 된다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 복수의 부분은 섬상으로 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 시트 저항이 100 Ω／□ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 금속층은, 알루미늄 (Al), 아연 (Zn), 납 (Pb), 구리 (Cu), 은 (Ag), 또는 이들 합금 중 어느 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 상기 기체는, 기재 필름, 수지 성형물 기재, 유리 기재, 또는 금속 광택을 부여해야 할 물품의 어느 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자파 투과성 금속 광택 물품의 일 양태에 있어서, 투명 점착제로 이루어지는 점착제층을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태는, 피착 부재와, 상기 전자파 투과성 금속 광택 물품을 구비하고, 상기 전자파 투과성 금속 광택 물품이 상기 점착제층을 개재하여 상기 피착 부재에 첩부 (貼付) 되어 있는 가식 부재에 관한 것이다.
본 발명의 가식 부재의 일 양태에 있어서, 상기 피착 부재측에 있어서의 반사광의 CIE-Lab 표색계에 있어서, a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근이 5.0 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 가식 부재의 일 양태에 있어서, 상기 피착 부재측의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 반사율의 최대값과 최소값의 차가 20 ％ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 전자파 투과성과 높은 광휘성을 양립하고, 착색된 금속 외관을 갖는 전자파 투과성 금속 광택 물품, 및 금속 박막을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 개략 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 개략 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 표면의 전자 현미경 사진을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재의 개략 단면도이다.
도 5 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재의 개략 단면도이다.
도 6 은, 실시예 5 와 비교예 1 의 가식 부재의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 가시광선의 파장과 반사율 (％) 의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7 은, 실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 및 2 의 가식 부재의 a* 값과 b* 값의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 금속층의 막두께의 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 는, 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 금속층의 단면의 투과형 전자 현미경 사진 (TEM 화상) 을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 개략 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 표면의 전자 현미경 사진을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재의 개략 단면도이다.
도 5 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재의 개략 단면도이다.
도 6 은, 실시예 5 와 비교예 1 의 가식 부재의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 가시광선의 파장과 반사율 (％) 의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7 은, 실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 및 2 의 가식 부재의 a* 값과 b* 값의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품의 금속층의 막두께의 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 는, 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 금속층의 단면의 투과형 전자 현미경 사진 (TEM 화상) 을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 하나의 바람직한 실시형태에 대해 설명한다. 이하에 있어서는, 설명의 편의를 위해서 본 발명의 바람직한 실시형태만을 나타내지만, 물론, 이에 의해 본 발명을 한정하고자 하는 것은 아니다.
<1. 기본 구성>
도 1 에, 본 발명의 일 실시형태에 의한 전자파 투과성 금속 광택 물품 (이하, 「금속 광택 물품」 이라고 한다.) (1) 의 개략 단면도를 나타내고, 도 3 에, 본 발명의 일 실시형태에 의한 금속 광택 물품 (1) 의 표면의 전자 현미경 사진 (SEM 화상) 을 나타낸다. 또, 도 9 에, 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 섬상 구조의 금속층 (11) 의 단면도의 투과형 전자 현미경 사진 (TEM 화상) 을 나타낸다.
금속 광택 물품 (1) 은, 기체 (10) 와, 기체 (10) 상에 형성된, 금속층 (12) 과, 광학 조정층 (13) 을 포함한다.
금속층 (12) 은 기체 (10) 상에 형성된다. 금속층 (12) 은 복수의 부분 (12a) 을 포함한다. 금속층 (12) 에 있어서의 이들 부분 (12a) 은, 적어도 일부에 있어서 서로 불연속의 상태, 바꿔 말하면, 적어도 일부에 있어서 간극 (12b) 에 의해 사이를 두고 있다. 간극 (12b) 에 의해 사이를 두고 있기 때문에, 금속 광택 물품의 시트 저항은 커져, 전파와의 상호 작용이 저하되기 때문에, 전파를 투과시킬 수 있다. 이들 각 부분 (12a) 은 금속을 증착, 스퍼터 등을 함으로써 형성된 스퍼터 입자의 집합체이어도 된다.
또한, 본 명세서에서 말하는 「불연속의 상태」 란, 간극 (12b) 에 의해 서로 사이를 두고 있고, 이 결과, 서로 전기적으로 절연되어 있는 상태를 의미한다. 전기적으로 절연됨으로써, 시트 저항이 커져, 원하는 전자파 투과성이 얻어지게 된다. 즉, 불연속의 상태로 형성된 금속층 (12) 에 의하면, 충분한 광휘성이 얻어지기 쉽고, 전자파 투과성을 확보할 수도 있다. 불연속의 형태는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 섬상 구조, 크랙 구조 등이 포함된다. 여기서 「섬상 구조」 란, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 금속 입자끼리가 각각 독립되어 있고, 그들 입자가, 서로 약간 이간되거나 또는 일부 접촉한 상태로 빈틈없이 깔려서 이루어지는 구조를 의미한다.
크랙 구조란, 금속 박막이 크랙에 의해 분단된 구조이다.
크랙 구조의 금속층 (12) 은, 예를 들어 기재 필름 상에 금속 박막층을 형성하고, 굴곡 연신하여 금속 박막층에 크랙을 발생시킴으로써 형성할 수 있다. 이 때, 기재 필름과 금속 박막층 사이에 신축성이 부족한, 즉 연신에 의해 크랙을 생성하기 쉬운 소재로 이루어지는 취성층을 형성함으로써, 용이하게 크랙 구조의 금속층 (12) 을 형성할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이 금속층 (12) 이 불연속이 되는 양태는 특별히 한정되지 않지만, 생산성의 관점에서는 섬상 구조로 하는 것이 바람직하다.
금속 광택 물품 (1) 의 전자파 투과성은, 예를 들어 전파 투과 감쇠량에 의해 평가할 수 있다.
또한, 마이크로파 대역 (5 ㎓) 에 있어서의 전파 투과 감쇠량과 밀리파 레이더의 주파수 대역 (76 ∼ 80 ㎓) 에 있어서의 전파 투과 감쇠량 사이에는 상관성이 있고, 비교적 가까운 값을 나타내므로, 마이크로파 대역에 있어서의 전자파 투과성이 우수한 금속 광택 물품은, 밀리파 레이더의 주파수 대역에 있어서의 전자파 투과성도 우수하다.
마이크로파 대역 (5 ㎓) 에 있어서의 전파 투과 감쇠량은, 10 [-dB] 이하인 것이 바람직하고, 5 [-dB] 이하인 것이 보다 바람직하고, 2 [-dB] 이하인 것이 더욱 바람직하다. 10 [-dB] 보다 크면, 90 ％ 이상의 전파가 차단된다는 문제가 있다.
금속 광택 물품 (1) 의 시트 저항도 전자파 투과성과 상관을 갖는다.
금속 광택 물품 (1) 의 시트 저항은 100 Ω／□ 이상인 것이 바람직하고, 이 경우 마이크로파 대역 (5 ㎓) 에 있어서의 전파 투과 감쇠량은, 10 ∼ 0.01 [-dB] 정도가 된다.
금속 광택 물품 (1) 의 시트 저항은 200 Ω／□ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 600 Ω／□ 이상인 것이 보다 더욱 바람직하다.
또, 특히 바람직하게는, 1000 Ω／□ 이상이다.
금속 광택 물품 (1) 의 시트 저항은, JIS-Z2316-1 : 2014 에 따라 와전류 측정법에 의해 측정할 수 있다.
금속 광택 물품 (1) 의 전파 투과 감쇠량 및 시트 저항은, 금속층 (12) 의 재질이나 두께 등에 따라 영향을 받는다.
또, 금속 광택 물품 (1) 이 산화인듐 함유층 (11) 을 구비하는 경우에는 산화인듐 함유층 (11) 의 재질이나 두께 등에 의해서도 영향을 받는다.
본 실시형태에 관련된 전자파 투과성 금속 광택 물품에 있어서, 광학 조정층이 형성된 측의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 반사율의 최대값과 최소값의 차가 30 ％ 이상인 것이 바람직하다. 반사율의 최대값과 최소값의 차가 30 ％ 이상이면, 금속 외관의 착색을 진한 것으로 할 수 있다. 착색의 진함의 관점에서, 35 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 40 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 반사율의 최대값과 최소값의 차의 상한은 특별히 제한되지 않는다. 반사율은 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
<2. 기체>
본 실시형태에 관련된 전자파 투과성 금속 광택 물품에 있어서, 기체 (10) 로는, 전자파 투과성의 관점에서, 수지, 유리, 세라믹스 등을 들 수 있다.
기체 (10) 는, 기재 필름, 수지 성형물 기재, 유리 기재, 또는 금속 광택을 부여해야 할 물품 중 어느 것이어도 된다.
보다 구체적으로는, 기재 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트 (PC), 시클로올레핀 폴리머 (COP), 폴리스티렌, 폴리프로필렌 (PP), 폴리에틸렌, 폴리시클로올레핀, 폴리우레탄, 아크릴 (PMMA), ABS 등의 단독 중합체나 공중합체로 이루어지는 투명 필름을 사용할 수 있다.
이들 부재에 의하면, 광휘성이나 전자파 투과성에 영향을 미치는 일도 없다. 단, 산화인듐 함유층 (11) 이나 금속층 (12) 을 뒤에 형성하는 관점에서, 증착이나 스퍼터 등의 고온에 견딜 수 있는 것이 바람직하고, 따라서, 상기 재료 중에서도, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 아크릴, 폴리카보네이트, 시클로올레핀 폴리머, ABS, 폴리프로필렌, 폴리우레탄이 바람직하다. 그 중에서도, 내열성과 비용의 밸런스가 양호한 점에서 폴리에틸렌테레프탈레이트나 시클로올레핀 폴리머, 폴리카보네이트, 아크릴이 바람직하다.
기재 필름은, 단층 필름이어도 되고 적층 필름이어도 된다. 가공의 용이함 등에서, 두께는, 예를 들어, 6 ㎛ ∼ 250 ㎛ 정도가 바람직하다. 산화인듐 함유층 (11) 이나 금속층 (12) 과의 부착력을 강하게 하기 위해서, 플라즈마 처리나 접착 용이 처리 등이 실시되어도 된다.
기체 (10) 가 기재 필름인 경우, 금속층 (12) 은 기재 필름 상의 적어도 일부에 형성하면 되고, 기재 필름의 편면에만 형성해도 되고, 양면에 형성해도 된다.
기재 필름은, 필요에 따라 평활성, 혹은 방현성 하드 코트층이 형성되어 있어도 된다. 하드 코트층이 형성됨으로써, 금속 박막의 찰상성을 향상시킬 수 있다. 평활성 하드 코트층이 형성됨으로써, 금속 광택감이 늘어나고, 반대로 방현성 하드 코트층에 의해 반짝거림을 방지할 수 있다. 하드 코트층은, 경화성 수지를 함유하는 용액을 도포함으로써 형성할 수 있다.
경화성 수지로는, 열경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 전자선 경화형 수지 등을 들 수 있다. 경화성 수지의 종류로는 폴리에스테르계, 아크릴계, 우레탄계, 아크릴우레탄계, 아미드계, 실리콘계, 실리케이트계, 에폭시계, 멜라민계, 옥세탄계, 아크릴우레탄계 등의 각종 수지를 들 수 있다. 이들 경화성 수지는, 1 종 또는 2 종 이상을, 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 경도가 높고, 자외선 경화가 가능하여 생산성이 우수한 점에서, 아크릴계 수지, 아크릴우레탄계 수지, 및 에폭시계 수지가 바람직하다.
여기서, 기재 필름은, 그 표면 상에 금속층 (12) 을 형성할 수 있는 대상 (기체 (10)) 의 일례에 지나지 않는 점에 주의해야 한다. 기체 (10) 에는, 상기와 같이 기재 필름 외에, 수지 성형물 기재, 유리 기재, 금속 광택을 부여해야 할 물품 그 자체도 포함된다. 수지 성형물 기재, 및 금속 광택을 부여해야 할 물품으로는, 예를 들어, 차량용 구조 부품, 차량 탑재 용품, 전자 기기의 케이싱, 가전 기기의 케이싱, 구조용 부품, 기계 부품, 여러 가지 자동차용 부품, 전자 기기용 부품, 가구, 부엌 용품 등의 가재용 용도, 의료 기기, 건축 자재의 부품, 그 밖의 구조용 부품이나 외장용 부품 등을 들 수 있다.
금속층 (12) 은, 이들 모든 기체 상에 형성할 수 있고, 기체의 표면의 일부에 형성해도 되고, 기체의 표면 모두에 형성해도 된다. 이 경우, 금속층 (12) 을 부여해야 할 기체 (10) 는, 상기의 기재 필름과 동일한 재질, 조건을 만족시키고 있는 것이 바람직하다.
<3. 산화인듐 함유층>
또, 일 실시형태에 관련된 금속 광택 물품 (1) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기체 (10) 와 금속층 (12) 사이에, 산화인듐 함유층 (11) 을 추가로 구비해도 된다. 산화인듐 함유층 (11) 은, 기체 (10) 의 면에 직접 형성되어 있어도 되고, 기체 (10) 의 면에 형성된 보호막 등을 개재하여 간접적으로 형성되어도 된다. 산화인듐 함유층 (11) 은, 금속 광택을 부여해야 할 기체 (10) 의 면에 연속 상태로, 바꿔 말하면, 간극없이 형성되는 것이 바람직하다. 연속 상태로 형성됨으로써, 산화인듐 함유층 (11), 나아가서는, 금속층 (12) 이나 금속 광택 물품 (1) 의 평활성이나 내식성을 향상시킬 수 있고, 또, 산화인듐 함유층 (11) 을 면내 편차없이 성막하는 것도 용이해진다.
이와 같이, 기체 (10) 와 금속층 (12) 사이에, 산화인듐 함유층 (11) 을 추가로 구비하는 것, 즉, 기체 (10) 의 위에 산화인듐 함유층 (11) 을 형성하고, 그 위에 금속층 (12) 을 형성하는 것에 의하면, 금속층 (12) 을 불연속의 상태로 형성하기 쉬워지기 때문에 바람직하다. 그 메커니즘의 자세한 것은 반드시 분명한 것은 아니지만, 금속의 증착이나 스퍼터에 의한 스퍼터 입자가 기체 상에서 박막을 형성할 때에는, 기체 상에서의 입자의 표면 확산성이 박막의 형상에 영향을 미치며, 기체의 온도가 높고, 기체에 대한 금속층의 젖음성이 작고, 금속층의 재료의 융점이 낮은 편이 불연속 구조를 형성하기 쉬운 것으로 생각된다. 그리고, 기체 상에 산화인듐 함유층을 형성함으로써, 그 표면 상의 금속 입자의 표면 확산성이 촉진되어, 금속층을 불연속의 상태로 성장시키기 쉬워지는 것으로 생각된다.
산화인듐 함유층 (11) 으로서, 산화인듐 (In2O3) 그 자체를 사용할 수도 있고, 예를 들어, 인듐주석 산화물 (ITO) 이나, 인듐아연 산화물 (IZO) 과 같은 금속 함유물을 사용할 수도 있다. 단, 제 2 금속을 함유한 ITO 나 IZO 쪽이, 스퍼터링 공정에서의 방전 안정성이 높은 점에서, 보다 바람직하다. 이들 산화인듐 함유층 (11) 을 사용함으로써, 기체의 면을 따라 연속 상태의 막을 형성할 수도 있고, 또, 이 경우에는, 산화인듐 함유층 상에 적층되는 금속층을, 예를 들어, 섬상의 불연속 구조로 하기 쉬워지기 때문에, 바람직하다. 또한, 후술하는 바와 같이, 이 경우에는, 금속층에, 크롬 (Cr) 또는 인듐 (In) 뿐만 아니라, 통상은 불연속 구조가 잘 되지 않아, 본 용도에는 적용이 어려운 알루미늄 등의 여러 가지 금속을 포함시키기 쉬워진다.
ITO 에 포함되는 산화주석 (SnO2) 의 질량 비율인 함유율 (함유율 = (SnO2/(In2O3 + SnO2)) × 100) 은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 2.5 wt％ ∼ 30 wt％, 보다 바람직하게는, 3 wt％ ∼ 10 wt％ 이다. 또, IZO 에 포함되는 산화아연 (ZnO) 의 질량 비율인 함유율 (함유율 = (ZnO/(In2O3 + ZnO)) × 100) 은, 예를 들어, 2 wt％ ∼ 20 wt％ 이다.
산화인듐 함유층 (11) 의 두께는, 시트 저항이나 전자파 투과성, 생산성의 관점에서, 통상 1000 ㎚ 이하가 바람직하고, 50 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 20 ㎚ 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 적층되는 금속층 (12) 을 불연속 상태로 하기 쉽게 하기 위해서는, 1 ㎚ 이상인 것이 바람직하고, 확실하게 불연속 상태로 하기 쉽게 하기 위해서는, 2 ㎚ 이상인 것이 보다 바람직하고, 5 ㎚ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
<4. 금속층>
금속층 (12) 은 기체 상에 형성되고, 적어도 일부에 있어서 서로 불연속의 상태에 있는 복수의 부분을 포함한다.
금속층 (12) 이 기체 상에서 연속 상태인 경우, 충분한 광휘성은 얻어지지만, 전파 투과 감쇠량이 매우 커지고, 따라서, 전자파 투과성을 확보할 수는 없다.
금속층 (12) 이 기체 상에서 불연속 상태가 되는 메커니즘의 자세한 것은 반드시 분명한 것은 아니지만, 대체로, 다음과 같은 것으로 추측된다. 즉, 금속층 (12) 의 박막 형성 프로세스에 있어서, 불연속 구조의 형성하기 용이함은, 금속층 (12) 이 부여되는 기체 상에서의 표면 확산과 관련성이 있고, 기체의 온도가 높고, 기체에 대한 금속층의 젖음성이 작고, 금속층의 재료의 융점이 낮은 편이 불연속 구조를 형성하기 쉬운 것이다. 따라서, 이하의 실시예에서 특별히 사용한 알루미늄 (Al) 이외의 금속에 대해서도, 아연 (Zn), 납 (Pb), 구리 (Cu), 은 (Ag) 등의 비교적 융점이 낮은 금속에 대해서는, 동일한 수법으로 불연속 구조를 형성할 수 있는 것으로 생각된다.
여기서, 복수의 부분 (12a) 의 평균 입경이란, 복수의 부분 (12a) 의 원 상당 직경의 평균값을 의미한다. 부분 (12a) 의 원 상당 직경이란, 부분 (12a) 의 면적에 상당하는 진원의 직경을 말한다. 복수의 부분 (12a) 의 평균 입경은, 실시예의 란에 기재하는 방법으로 측정할 수 있다.
금속층 (12) 의 부분 (12a) 의 원 상당 직경은 특별히 한정되지 않지만, 통상 10 ∼ 1000 ㎚ 정도이다. 또, 각 부분 (12a) 끼리의 거리는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 10 ∼ 1000 ㎚ 정도이다.
금속층이 포함하는 서로 불연속의 상태에 있는 복수의 부분 (12a) 의 평균 입경을 상기의 범위로 함으로써, 높은 전자파 투과성을 유지한 채로, 광휘성이 보다 향상된다.
금속층 (12) 은, 충분한 광휘성을 발휘할 수 있는 것은 물론, 융점이 비교적 낮은 것이 바람직하다. 금속층 (12) 은, 스퍼터링을 사용한 박막 성장에 의해 형성하는 것이 바람직하기 때문이다. 이와 같은 이유에서, 금속층 (12) 으로는, 융점이 약 1000 ℃ 이하인 금속이 적합하고, 예를 들어, 알루미늄 (Al), 아연 (Zn), 납 (Pb), 구리 (Cu), 은 (Ag) 에서 선택된 적어도 1 종의 금속, 및 그 금속을 주성분으로 하는 합금 중 어느 것을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 물질의 광휘성이나 안정성, 가격 등의 이유에서 Al 및 그들의 합금이 바람직하다. 또, 알루미늄 합금을 사용하는 경우에는, 알루미늄 함유량을 50 질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
금속층 (12) 의 두께는, 충분한 광휘성을 발휘하도록, 통상 20 ㎚ 이상이 바람직하고, 한편, 시트 저항이나 전자파 투과성의 관점에서, 통상 100 ㎚ 이하가 바람직하다. 예를 들어, 20 ㎚ ∼ 100 ㎚ 가 바람직하고, 30 ㎚ ∼ 70 ㎚ 가 보다 바람직하다. 이 두께는, 균일한 막을 양호한 생산성으로 형성하는 데에도 적합하고, 또, 최종 제품인 수지 성형품의 겉보기도 양호하다. 또한, 금속층 (12) 의 두께는 실시예의 란에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
또, 동일한 이유에서, 금속층의 두께와 산화인듐 함유층의 두께의 비 (금속층의 두께/산화인듐 함유층의 두께) 는, 0.1 ∼ 100 의 범위가 바람직하고, 0.3 ∼ 35 의 범위가 보다 바람직하다.
금속층의 시트 저항은, 100 Ω／□ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 전자파 투과성은, 5 ㎓ 의 파장에 있어서, 10 ∼ 0.01 [-dB] 정도가 된다. 더욱 바람직하게는, 1000 Ω／□ 이상이다.
산화인듐 함유층을 추가로 형성하는 경우, 금속층과 산화인듐 함유층의 적층체로서의 시트 저항은, 100 Ω／□ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 전자파 투과성은, 5 ㎓ 의 파장에 있어서, 10 ∼ 0.01 [-dB] 정도가 된다. 더욱 바람직하게는, 1000 Ω／□ 이상이다. 이 시트 저항의 값은, 금속층의 재질이나 두께는 물론, 하지층인 산화인듐 함유층의 재질이나 두께로부터도 큰 영향을 받는다. 따라서, 산화인듐 함유층을 형성하는 경우에는, 산화인듐 함유층과의 관계도 고려한 후에 설정할 필요가 있다.
<5. 광학 조정층>
광학 조정층은, 굴절률 1.75 이상의 고굴절률층을 적어도 1 층 포함한다.
광학 조정층은, 금속층 (12) 이 시인되는 측에 형성하는 것이 바람직하고, 금속층 (12) 상에 직접 형성해도 되고, 다른 층을 개재하여 형성해도 된다. 예를 들어, 일 실시형태에 관련된 금속 광택 물품 (1) 에 있어서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 금속층 (12) 의 기체 (10) 측과 반대의 면 상에 형성해도 되고, 도 2 에 나타내는 바와 같이 금속층 (12) 과 기체 (10) 사이에 형성해도 된다. 또한, 광학 조정층 (13) 을 금속층 (12) 상에 직접 형성하는 경우, 광학 조정층 (13) 은 금속층 (12) 상에 적층되어 있으면 되고, 반드시 간극 (12b) 을 완전히 메우지 않아도 된다.
고굴절률층의 굴절률이 1.75 이상이면 착색된 금속 외관이 얻어져 의장성이 우수한 금속 광택 물품으로 할 수 있다. 보다 색미 (色味) 가 진한 금속 외관을 얻기 위해서는, 고굴절률층의 굴절률은 1.8 이상이 바람직하고, 1.9 이상이 보다 바람직하다. 또, 두께 제어성의 관점에서, 3.5 이하가 바람직하고, 3.0 이하가 보다 바람직하다.
광학 조정층은 적어도 1 층의 굴절률이 상이한 층의 적층체이어도 된다.
고굴절률층의 재료로는, 예를 들어, CeO2 (2.30), Nd2O3 (2.15), Nb2O5 (2.20), SiN (2.03), Sb2O3 (2.10), TiO2 (2.35), Ta2O5 (2.10), ZrO2 (2.05), ZnO (2.10), ZnS (2.30) 등의 무기물 [상기 각 재료의 괄호 내의 수치는 굴절률이다] 이나, 그 혼합물이 바람직하고, 산화니오브 (Nb2O5) 또는 SiN (2.03) 이 바람직하다.
광학 조정층의 두께는, 10 ㎚ ∼ 1000 ㎚ 인 것이 바람직하다. 비용의 관점에서, 800 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 ㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, 색미의 관점에서, 15 ㎚ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎚ 이상인 것이 보다 바람직하고, 30 ㎚ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
<6. 점착제층>
점착제층 (14) 은, 투명 점착제로 이루어지는 층이다. 본 실시형태의 금속 광택 물품 (1) 은, 점착제층 (14) 을 개재하여 피착 부재 (15) 에 첩부되어서 사용되어도 된다. 예를 들어, 기체 (10) 가 기재 필름이나 유리 기재인 경우, 점착제층 (14) 을 개재하여 투명한 피착 부재 (15) 에 첩부함으로써 피착 부재 (15) 를 내측에서 장식할 수 있다.
점착제층 (14) 을 형성하는 점착제는 투명 점착제이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 우레탄계 점착제, 에폭시계 점착제, 및 폴리에테르계 점착제 중 어느 것을 단독으로, 혹은, 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 투명성, 가공성 및 내구성 등의 관점에서, 아크릴계 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.
점착제층 (14) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 얇게 함으로써 가시광 투과성이나 막두께 정밀도, 평탄성을 향상시킬 수 있기 때문에, 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 75 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
점착제층 (14) 전체의 전광선 투과율은 특별히 한정되지는 않지만, JIS K7361 에 따라 측정한 임의의 가시광 파장에 있어서의 값으로 10 ％ 이상인 것이 바람직하고, 30 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 50 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 점착제층 (14) 의 전광선 투과율은 높을수록 바람직하다.
또, 점착제층 (14) 을 구성하는 투명 점착제는 착색되어 있어도 된다.
이 경우, 금속층 (12) 이 착색된 점착제층 (14) 을 통해서 시인되게 되므로, 착색된 금속 광택을 발현할 수 있다.
투명 점착제를 착색하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 색소를 미량 첨가함으로써 착색할 수 있다.
점착제층 (14) 상에는, 피착 부재 (15) 에 첩부할 때까지 점착제층 (14) 을 보호하기 위해서, 박리 라이너를 형성해도 된다.
본 실시형태의 금속 광택 물품에는, 본 발명의 효과를 발휘하는 한 상기 서술한 금속층 (12), 산화인듐 함유층 (11), 광학 조정층 (13), 점착제층 (14) 외에, 용도에 따라 그 밖의 층을 형성해도 된다. 그 밖의 층으로는 색미 등의 외관을 조정하기 위한 고굴절 재료 등의 광학 조정층 (색미 조정층), 내습성이나 내찰상성 등의 내구성을 향상시키기 위한 보호층 (내찰상성층), 배리어층 (부식 방지층), 접착 용이층, 하드 코트층, 반사 방지층, 광 취출층, 안티글레어층 등을 들 수 있다.
<7. 금속 광택 물품의 제조>
금속 광택 물품 (1) 의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 특별히 설명하지 않지만, 기재 필름 이외의 기체를 사용한 경우에 대해서도 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
기체 (10) 상에 금속층 (12) 을 형성함에 있어서는, 예를 들어, 진공 증착, 스퍼터링 등의 방법을 사용할 수 있다.
광학 조정층 (13) 의 형성 방법으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도공법 등을 들 수 있고, 재료의 종류 및 필요로 하는 막두께에 따라 적절히 방법을 채용할 수 있다.
또, 기체 (10) 상에 산화인듐 함유층 (11) 을 형성하는 경우에는, 금속층 (12) 의 형성에 앞서, 산화인듐 함유층 (11) 을, 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등에 의해 형성한다. 단, 대면적이어도 두께를 엄밀하게 제어할 수 있는 점에서, 스퍼터링이 바람직하다.
점착제층 (14) 을 형성하는 경우에는, 점착제층 (14) 을 형성하는 면에 점착제 조성물을 도포 등을 함으로써 형성할 수 있다.
점착제 조성물의 도포는, 관용의 코터, 예를 들어, 그라비아 롤 코터, 리버스 롤 코터, 키스 롤 코터, 딥 롤 코터, 바 코터, 나이프 코터, 스프레이 코터 등을 사용하여 실시할 수 있다. 건조 온도는, 적절히 채용 가능하지만, 바람직하게는 40 ℃ ∼ 200 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는, 50 ℃ ∼ 180 ℃ 이고, 특히 바람직하게는 70 ℃ ∼ 120 ℃ 이다. 건조 시간은, 적절히, 적절한 시간이 채용될 수 있다. 상기 건조 시간은, 바람직하게는 5 초 ∼ 20 분, 더욱 바람직하게는 5 초 ∼ 10 분, 특히 바람직하게는, 10 초 ∼ 5 분이다.
또한, 기체 (10) 와 금속층 (12) 사이에 산화인듐 함유층 (11) 을 형성하는 경우, 산화인듐 함유층 (11) 과 금속층 (12) 사이에는, 다른 층을 개재시키지 않고 직접 접촉시키는 것이 바람직하다.
<8. 가식 부재>
본 실시형태에 관련된 가식 부재는, 피착 부재와, 상기 서술한 전자파 투과성 금속 광택 물품을 구비하고, 상기 전자파 투과성 금속 광택 물품 (금속 광택 물품 (1)) 이 상기 점착제층을 개재하여 상기 피착 부재에 첩부되어 있다.
금속 광택 물품 (1) 은, 투명한 피착 부재 (2) 의 내측의 면에 첩부하여 사용해도 된다. 투명한 피착 부재 (15) 로는, 예를 들어, 유리나 플라스틱으로 이루어지는 부재를 사용할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
도 4 에, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재 (2) 의 개략 단면도를 나타낸다. 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재 (2) 는, 금속 광택 물품 (1) 이 피착 부재 (15) 에 첩부된 상태의 개략 단면도이다. 본 실시형태의 가식 부재 (2) 는, 금속층 (12), 산화인듐 함유층 (11), 광학 조정층 (13), 기체 (10) (기재 필름), 및 점착제층 (14) 을 구비한 금속 광택 물품 (1) 이 피착 부재 (15) 에 첩부되어 있다.
도 5 는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 가식 부재의 개략 단면도이다. 가식 부재 (2) 는, 도 5 에 나타내는 구성의 금속 광택 물품 (1) 이 피착 부재 (15) 에 첩부되어 있다. 도 5 에서는 금속 광택 물품 (1) 이 투명한 피착 부재 (15) 가 시인되는 측 (이하, 외측이라고도 한다) 의 면 (2a) 과는 반대측 (이하, 내측이라고도 한다) 의 면 (2b) 에 대해 점착제층 (14) 을 개재하여 첩부되어 있고, 피착 부재 (15) 및 점착제층 (14) 을 통해서 광학 조정층 (13) 과, 금속층 (12) 이 시인된다. 즉, 본 실시형태의 금속 광택 물품 (1) 은, 투명한 피착 부재 (15) 를 내측에서 장식할 수 있다.
본 실시형태의 가식 부재 (2) 는, 금속 광택 물품 (1) 을 피착 부재 (15) 의 내측에 첩부하여 얻어지기 때문에 흠집이 잘 생기지 않고 착색된 금속 외관이 얻어진다. 또, 피착 부재 (15) 의 질감을 그대로 살리면서 피착 부재 (15) 를 장식할 수 있다.
금속 광택 물품 (1) 을 피착 부재 (2) 에 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 진공 성형에 의해 첩부할 수 있다. 진공 성형이란, 금속 광택 물품 (1) 을 가열 연화시키면서 전장 (展張) 하고, 금속 광택 물품 (1) 의 피착 부재측의 공간을 감압하고, 필요에 따라 반대측의 공간을 가압함으로써, 금속 광택 물품 (1) 을 피착 부재의 표면의 삼차원 입체 형상을 따라 성형하면서 첩부 적층하는 방법이다.
금속 광택 물품 (1) 으로는, 상기 서술한 설명을 그대로 원용할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 가식 부재는, 피착 부재측에 있어서의 반사광의 CIE-L*a*b* 표색계에 있어서, a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근이 5.0 이상인 것이 바람직하다. a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근이 5.0 이상이면 착색이 충분해지기 때문이다. a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근은, 10 이상인 것이 보다 바람직하고, 15 이상인 것이 더욱 바람직하다. a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근의 상한값에 특별히 제한은 없지만, 70 이하인 것이 바람직하고, 65 이하인 것이 보다 바람직하고, 60 이하인 것이 더욱 바람직하다.
CIE-L*a*b* 표색계는, CIE (국제 조명 위원회) 가 1976년에 추천한 표색계로, L* 는 명도를 나타내고, 0 에서 100 까지로 수치가 클수록 밝아진다. 색도는 a*, b* 로 나타내고, a* 는 색조의 적색으로부터 녹색의 정도를 나타내는 지수이고, a* 의 값이 플러스 방향으로 크면 적색의 색조가 된다. 또한 b* 는 색조의 황색으로부터 청색의 정도를 나타내는 지수이다. a*, b* 모두 0 인 경우에는 무채색이 된다.
본 실시형태에 관련된 가식 부재 (2) 는, 피착 부재측의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 반사율의 최대값과 최소값의 차가 20 ％ 이상인 것이 바람직하다. 착색의 진함의 관점에서, 35 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 40 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
반사율의 최대값과 최소값의 차의 상한값에 특별히 제한은 없지만, 90 ％ 이하인 것이 바람직하고, 85 ％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 80 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
<9. 금속 광택 물품 및 가식 부재의 용도>
본 실시형태의 금속 광택 물품 및 금속 박막은, 전자파 투과성을 가지므로 전자파를 송수신하는 장치나 물품 및 그 부품 등에 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 차량용 구조 부품, 차량 탑재 용품, 전자 기기의 케이싱, 가전 기기의 케이싱, 구조용 부품, 기계 부품, 여러 가지 자동차용 부품, 전자 기기용 부품, 가구, 부엌 용품 등의 가재용 용도, 의료 기기, 건축 자재의 부품, 그 밖의 구조용 부품이나 외장용 부품 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 차량 관계에서는, 인스트루먼트 패널, 콘솔 박스, 도어 놉, 도어 트림, 시프트 레버, 페달류, 글로브 박스, 범퍼, 보닛, 펜더, 트렁크, 도어, 루프, 필러, 좌석 시트, 스티어링 휠, ECU 박스, 전장 부품, 엔진 주변 부품, 구동계·기어 주변 부품, 흡기·배기계 부품, 냉각계 부품 등을 들 수 있다.
전자 기기 및 가전 기기로서 보다 구체적으로는, 냉장고, 세탁기, 청소기, 전자 레인지, 에어콘, 조명 기기, 전기 온수기, 텔레비전, 시계, 환기 팬, 프로젝터, 스피커 등의 가전 제품류, PC, 휴대 전화, 스마트폰, 디지털 카메라, 태블릿형 PC, 휴대 음악 플레이어, 휴대 게임기, 충전기, 전지 등 전자 정보 기기 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 금속 광택 물품을 준비하고, 반사율, CIE-L*a*b* 표시계에 있어서의 a* 값, 및 b* 값, 전파 투과 감쇠량 (-dB), 시트 저항을 평가하였다. 또한, 기체 (10) 로는, 기재 필름을 사용하였다.
전파 투과 감쇠량은, 전자파 투과성에 관한 평가이다. 전파 투과 감쇠량의 값은 작은 편이 바람직하다.
평가 방법의 자세한 것은 이하와 같다.
(1) 분광 반사율
히타치 하이텍사 제조의 분광 광도계 U-4100 을 사용하여, 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위의 가시광선에 대해 5 ㎚ 간격으로, 금속 광택 물품의 일방의 면에 조사하여 반사한 광의 분광 반사율을 측정하였다.
또한, 측정할 때에는, 피착 부재 표면에 대해 상기 가시광선을 입사시키도록 하고, 표 1 에 반사율 (풀 있음) 로서 기재하였다. 또, 표 1 에는, 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위의 분광 반사율 (％) 의 최대값 (max), 최소값 (min), 및 최대값 (max) 과 최소값 (min) 의 차를 나타냈다.
(2) CIE-L*a*b* 표시계에 있어서의 a* 값 및 b* 값
상기 분광 광도계 U-4100 으로 측정한 파장 380 ∼ 780 ㎚ 의 분광 반사율과, CIE 표준 일루미넌트 D65 의 상대 분광 분포를 사용하여, CIE-L*a*b* 표시계에 있어서의 a* 값, 및 b* 값을 계산하였다. a* 값, b* 값, 및 a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근을 표 1 에 나타냈다.
(3) 전파 투과 감쇠량
5 ㎓ 에 있어서의 전파 투과 감쇠량을, 방형 도파관 측정 평가 지그 WR-187 로 샘플을 사이에 끼우고, 안리츠사 제조 스펙트럼 애널라이저 MS4644B 를 사용하여 측정하였다.
(4) 시트 저항
냅슨사 제조 비접촉식 저항 측정 장치 NC-80MAP 를 사용하고, JIS-Z2316 에 준거하여, 와전류 측정법에 의해 금속층과 산화인듐 함유층의 적층체로서의 시트 저항을 측정하였다.
이 시트 저항은, 100 Ω／□ 이상인 것이 바람직하고, 200 Ω／□ 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 600 Ω／□ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 100 Ω／□ 보다 작으면, 충분한 전자파 투과성이 얻어지지 않는다는 문제가 있다.
(5) 막두께의 평가 방법
먼저, 금속 광택 물품으로부터, 도 8 에 나타내는 바와 같이 한 변 5 ㎝ 의 정방형 영역 (3) 을 적당하게 추출하고, 그 정방형 영역 (3) 의 세로변 및 가로변 각각의 중심선 A, B 를 각각 4 등분함으로써 얻어지는 합계 5 지점의 점 「a」 ∼ 「e」 를 측정 지점으로서 선택하였다.
이어서, 선택한 측정 지점 각각에 있어서의, 도 9 에 나타내는 바와 같은 단면 화상 (투과형 전자 현미경 사진 (TEM 화상)) 을 측정하고, 얻어진 TEM 화상으로부터, 5 개 이상의 금속의 부분 (12a) 이 포함되는 시야각 영역을 추출하였다.
5 지점의 측정 지점 각각에 있어서 추출된 시야각 영역에 있어서의 금속층의 총단면적을 시야각 영역의 가로폭으로 나눈 것을 각 시야각 영역의 금속층의 막두께로 하고, 5 지점의 측정 지점 각각에 있어서의, 각 시야각 영역의 금속층의 막두께의 평균값을 금속 광택층 두께 (㎚) 로 하였다.
[실시예 1]
기재 필름으로서, 미츠비시 수지사 제조 PET 필름 (두께 50 ㎛) 의 일방의 면에 두께 2000 ㎛ 의 열경화 수지를 형성한 필름을 사용하였다.
먼저, DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 ITO 타깃을 장착하고, Ar 가스와 O2 가스를 도입하면서 스퍼터링을 함으로써 기재 필름의 면을 따라, 5 ㎚ 의 두께의 ITO 층을 직접 형성하였다. ITO 층을 형성할 때의 기재 필름의 온도는, 130 ℃ 로 설정하였다. ITO 에 포함되는 산화주석 (SnO2) 의 함유율 (함유율 = (SnO2/(In2O3 + SnO2)) × 100) 은 10 wt％ 이다.
교류 스퍼터링 장치 (AC : 40 ㎑) 에 알루미늄 (Al) 타깃을 장착하고, Ar 가스를 도입하면서 스퍼터링함으로써 ITO 층 상에, 35 ㎚ 의 두께의 Al 층 (금속층) 을 형성하였다. 얻어진 Al 층은 불연속층이었다. Al 층을 형성할 때의 기재 필름의 온도는, 130 ℃ 로 설정하였다.
(광학 조정층의 형성)
이어서, 교류 스퍼터링 장치에 Nb 타깃 (AC : 40 ㎑) 을 장착하고, Ar 가스와 O2 가스를 도입하면서 스퍼터링함으로써, Al 층 상에 광학 조정층으로서 110 ㎚ 의 Nb2O5 층을 성막하였다.
이상에 의해 기재 필름, 산화인듐 함유층, 금속층, 광학 조정층의 적층체 (이하, 적층체) 를 얻었다. 얻어진 적층체 (금속 광택 물품) 의 반사율을 상기의 방법에 의해 측정하고, 표 1 에 반사율 (풀 없음) 로서 기재하였다.
<점착제 조성물의 제조>
한편, 냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에 아크릴산부틸 100 질량부, 아크릴산2-하이드록시에틸 0.01 질량부, 및 아크릴산 5 부를 함유하는 모노머 혼합물을 주입하였다. 또한 상기 모노머 혼합물 100 질량부에 대하여, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.1 질량부를 아세트산에틸 100 질량부와 함께 주입하고, 천천히 교반하면서 질소 가스를 도입하여 질소 치환한 후, 반응 용기 내의 액온을 55 ℃ 부근으로 유지하고 8 시간 중합 반응을 실시하여, 중량 평균 분자량 (Mw) 180 만, Mw/Mn = 4.1 의 아크릴계 폴리머의 용액 (고형분 농도 30 질량％) 을 조제하였다.
얻어진 아크릴계 폴리머 용액의 고형분 100 질량부에 대하여, 벤조일퍼옥사이드 (닛폰 유지사 제조, 나이퍼 BMT) 를 0.3 질량부, 이소시아네이트계 가교제 (토소사 제조, 콜로네이트 L) 를 1 질량부 배합하여 점착제 조성물을 얻었다.
<금속 광택 물품의 제조>
상기에서 얻어진 적층체의 금속층측의 면에 대해, 상기에서 얻어진 점착제 조성물을 핸드 롤러로 도포하여 점착제층을 형성함으로써, 착색된 금속 광택을 갖는 금속 광택 물품을 얻었다.
<가식 부재의 제조>
피착 부재로서, 두께 1.2 ㎜ 의 유리를 사용하였다.
상기에서 얻어진 금속 광택 물품의 점착제층측을 피착 부재에 첩부하여, 가식 부재를 얻었다.
[실시예 2 ∼ 5]
실시예 1 에 있어서의 광학 조정층의 두께 (㎚) 를 표 1 에 기재된 바와 같이 변경하여, 가식 부재를 얻었다.
[실시예 6 및 7]
실시예 1 에 있어서의 광학 조정층의 형성시에, Si 타깃을 교류 스퍼터링 장치에 장착하고, Ar 가스와 N2 가스를 도입하면서 스퍼터링함으로써, Al 층 상에 SiN (광학 조정층) 을 표 1 에 기재된 막두께로 성막한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가식 부재를 얻었다.
[비교예 1]
실시예 1 에 있어서의 광학 조정층을 형성하지 않았던 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가식 부재를 얻었다.
[비교예 2]
실시예 1 에 있어서의 광학 조정층을 산화니오브 (Nb2O5) 로부터, 산화아연 (ZnO), 산화규소 (SiOx) 및 산화알루미늄 (Al2O3) 의 혼합물 (질량비로, 산화아연 : 산화규소 : 산화알루미늄 = 77 : 20 : 3) 의 소결체로 변경하고, 스퍼터링 장치를 DC 스퍼터링 장치로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가식 부재를 얻었다.
이하의 표 1 에 평가 결과를 나타낸다. 또, 실시예 5 와 비교예 1 의 가식 부재의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 가시광선의 파장과 반사율 (％) 의 관계를 도 6 에 나타냈다. 또, 실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 및 2 의 가식 부재의 a* 값과 b* 값의 관계를 도 7 에 나타낸다.
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ∼ 7 에서는, 굴절률 1.75 이상의 고굴절률층을 포함하므로, 그 CIE-Lab 표색계에 있어서의 a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근이 13 ∼ 30 이 되어, 착색된 금속 광택 물품 및 가식 부재가 얻어졌다. 또, 알루미늄층은 불연속인 상태로 형성된 복수의 부분 (12a) 을 포함하므로, 전자파 투과성에 대해 양호한 결과가 얻어졌다.
한편, 비교예 1 및 2 의 금속 광택 물품 및 가식 부재는, 반사율의 차가 작았다. 또, a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근도 작아, 착색이 불충분해졌다.
또한, 이상의 실시예에서 특별히 사용한 알루미늄 (Al) 이외의 금속에 대해서도, 아연 (Zn), 납 (Pb), 구리 (Cu), 은 (Ag) 등의 비교적 융점이 낮은 금속에 대해서는, 동일한 수법으로 불연속 구조를 형성할 수 있는 것으로 생각된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 발명의 취지로부터 벗어나지 않는 범위에서 적절히 변경하여 구체화할 수도 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은, 상기 서술한 실시형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 범위에 있어서, 상기 서술한 실시형태에 여러 가지 변형 및 치환을 가할 수 있다.
또한, 본 출원은 2018년 4월 23일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2018-082656) 및 2019년 4월 22일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2019-080625) 에 기초하는 것이며, 그 내용은 본 출원 중에 참조로서 원용된다.
산업상 이용가능성
본 발명에 관련된 금속 광택 물품은, 전자파를 송수신하는 장치나 물품 및 그 부품 등에 사용할 수 있다. 예를 들어, 차량용 구조 부품, 차량 탑재 용품, 전자 기기의 케이싱, 가전 기기의 케이싱, 구조용 부품, 기계 부품, 여러 가지 자동차용 부품, 전자 기기용 부품, 가구, 부엌 용품 등의 가재용 용도, 의료 기기, 건축 자재의 부품, 그 밖의 구조용 부품이나 외장용 부품 등, 의장성과 전자파 투과성의 쌍방이 요구되는 여러 가지 용도에도 이용할 수 있다.
1
금속 광택 물품
2 가식 부재
10 기체
11 산화인듐 함유층
12 금속층
12a 부분
12b 간극
13 광학 조정층
14 점착제층
15 피착 부재
2 가식 부재
10 기체
11 산화인듐 함유층
12 금속층
12a 부분
12b 간극
13 광학 조정층
14 점착제층
15 피착 부재
Claims (17)
- 기체와, 상기 기체 상에 형성된 금속층과, 적어도 1 층의 광학 조정층을 구비하고,
상기 금속층은, 적어도 일부에 있어서 서로 불연속의 상태에 있는 복수의 부분을 포함하고,
상기 광학 조정층은, 굴절률 1.75 이상의 고굴절률층을 포함하는 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항에 있어서,
상기 광학 조정층의 두께가 10 ㎚ ∼ 1000 ㎚ 인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 광학 조정층이 형성된 측의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 반사율의 최대값과 최소값의 차가 30 ％ 이상인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기체와 상기 금속층 사이에, 산화인듐 함유층을 추가로 구비하는 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 4 항에 있어서,
상기 산화인듐 함유층은 연속 상태로 형성되어 있는 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 산화인듐 함유층은, 산화인듐 (In2O3), 인듐주석 산화물 (ITO), 또는 인듐아연 산화물 (IZO) 중 어느 것을 포함하는 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화인듐 함유층의 두께는, 1 ㎚ ∼ 1000 ㎚ 인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층의 두께는, 20 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층의 두께와 상기 산화인듐 함유층의 두께의 비 (상기 금속층의 두께/상기 산화인듐 함유층의 두께) 는, 0.02 ∼ 100 인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
시트 저항이 100 Ω／□ 이상인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 부분은 섬상으로 형성되어 있는 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층은, 알루미늄 (Al), 아연 (Zn), 납 (Pb), 구리 (Cu), 은 (Ag), 또는 이들 합금 중 어느 것인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기체는, 기재 필름, 수지 성형물 기재, 유리 기재, 또는 금속 광택을 부여해야 할 물품 중 어느 것인 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
투명 점착제로 이루어지는 점착제층을 추가로 구비하는, 전자파 투과성 금속 광택 물품. - 피착 부재와, 제 14 항에 기재된 전자파 투과성 금속 광택 물품을 구비하고, 상기 전자파 투과성 금속 광택 물품이 상기 점착제층을 개재하여 상기 피착 부재에 첩부되어 있는 가식 부재.
- 제 15 항에 있어서,
상기 피착 부재측에 있어서의 반사광의 CIE-Lab 표색계에 있어서, a* 값 및 b* 값의 제곱합의 제곱근이 5.0 이상인 가식 부재. - 제 16 항에 있어서,
상기 피착 부재측의 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 의 범위에 있어서의 반사율의 최대값과 최소값의 차가 20 ％ 이상인 가식 부재.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2018-082656 | 2018-04-23 | ||
| JP2018082656 | 2018-04-23 | ||
| PCT/JP2019/017013 WO2019208493A1 (ja) | 2018-04-23 | 2019-04-22 | 電磁波透過性金属光沢物品、及び、加飾部材 |
| JP2019080625A JP7319079B2 (ja) | 2018-04-23 | 2019-04-22 | 電磁波透過性金属光沢物品、及び、加飾部材 |
| JPJP-P-2019-080625 | 2019-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210005585A true KR20210005585A (ko) | 2021-01-14 |
Family
ID=68387587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207029950A KR20210005585A (ko) | 2018-04-23 | 2019-04-22 | 전자파 투과성 금속 광택 물품, 및 가식 부재 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7319079B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210005585A (ko) |
| CN (1) | CN112020422A (ko) |
| TW (1) | TW201945176A (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021132461A1 (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | ||
| JPWO2021187069A1 (ko) * | 2020-03-17 | 2021-09-23 | ||
| WO2021200292A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 日東電工株式会社 | 積層体、電磁波透過性積層体、及び物品 |
| JP7244103B2 (ja) * | 2020-11-20 | 2023-03-22 | 尾池工業株式会社 | 金属調加飾フィルム、金属調成形体および金属調車両内外装部材 |
| CN116830484A (zh) * | 2021-01-22 | 2023-09-29 | 王氏港建移动科技有限公司 | 射频信号波束传输增强板 |
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| WO2014097943A1 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 東レ株式会社 | 金属ドット基板および金属ドット基板の製造方法 |
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| JP6400062B2 (ja) * | 2016-10-24 | 2018-10-03 | 日東電工株式会社 | 電磁波透過性金属光沢部材、これを用いた物品、及び、金属薄膜 |
-
2019
- 2019-04-22 KR KR1020207029950A patent/KR20210005585A/ko unknown
- 2019-04-22 JP JP2019080625A patent/JP7319079B2/ja active Active
- 2019-04-22 CN CN201980028034.2A patent/CN112020422A/zh active Pending
- 2019-04-23 TW TW108114181A patent/TW201945176A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019188806A (ja) | 2019-10-31 |
| TW201945176A (zh) | 2019-12-01 |
| JP7319079B2 (ja) | 2023-08-01 |
| CN112020422A (zh) | 2020-12-01 |
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