JP4863906B2 - 光輝性膜および光輝性膜の製造方法 - Google Patents
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Description
このように構成することで、電気絶縁層により金属層を保護することができる。また、電気絶縁層に光を透過させ、金属層によって反射させるとともに、電気絶縁層の表面によっても光を反射させ、反射性を向上させることができる。したがって、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を得ることができる。
また、このように構成することで積層した状態の複数の金属層および電気絶縁層により光を反射させることができる。また、金属層と電気絶縁層とを交互に複数積層させることで電気絶縁性を確保しつつ、光輝性膜の膜厚を厚くして硬度を上げることができる。したがって、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を得ることができる。
このように構成することで、基材上に反射性の良いメタリックな色調の金属層を得ることができるとともに、これらの低融点の金属元素を用いることで金属層をアイランド状に形成することが容易になる。したがって、反射性が良好で金属層が不導体特性を備えた光輝性膜を得ることができる。
このように構成することで、金属層の保護に必要な硬度を有し、光透過性を備えた電気絶縁層を形成することができる。したがって、光輝性膜の反射性および機械的強度を向上させることができる。
このように構成することで、金属層の成膜時に金属層が連続膜となることを防止することができる。したがって、不導体特性を備えた光輝性膜を得ることができる。
また、本発明は、前記電気絶縁層の厚さが10Å以上であることを特徴とする。
このように構成することで、電気絶縁層により金属層間の絶縁性を確保することができる。また、電気絶縁層の硬度を上昇させて金属層を効果的に保護することができる。したがって、光輝性膜の不導体特性を維持し、かつ機械的強度を向上させることができる。
このように製造することで、スパッタリングのパワーとシャッターの開閉時間によって膜厚を制御することができる。したがって、例えば蒸着法等の従来の方法と比較して、膜厚の制御性を良くすることができる。また、金属層および電気絶縁層が交互に複数積層された光輝性膜を、容易に製造することができる。
図1は本発明の実施の形態の第1の金属層3の断面図である。図1に示すように、光輝性膜10は、例えば、ポリカーボネート、ABS、PET等の透明で耐候性を有するプラスチック製の基材1の表面に形成されている。なお基材1の表面に、例えばアクリル樹脂等により平坦化処理が施されていてもよい。
基材1の表面には、光反射性を有する金属部2が間隔を開けてアイランド状に複数形成されている。ここで、金属部2は、メタリックな色調を備え、反射性が良好で、融点の低い金属材料により形成されていることが望ましい。したがって、金属部2は、例えばIn,Sn,Zn,Pb,Mgのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていることが望ましい。このアイランド状の金属部2は、基材1表面の全面に渡って均一に形成され、基材1上に第1の金属層3を形成している。
図2に示すように、Snの膜厚T1が200Å以下のときは、電気抵抗値は測定範囲外(105Ω/□以上)である。しかし、Snの膜厚T1が200Åを超えると、電気抵抗値は急激に低下し、第1の金属層3の不導体特性を維持することが不可能である。
また、Snの膜厚T1が200Å以下のときに、第1の金属層3は、図1に示すように間隔を開けてアイランド状に形成された金属部2によって構成されている。
したがって、図1に示す金属層3の厚さT1は200Å以下とすることが望ましい。また、金属層の厚さT1の下限は、例えば金属層の反射性および機械的強度等を考慮して適宜決定するものとする。
図3に示すように、基材1上に形成された第1の金属層3を構成する金属部2を覆うように、光透過性を有する第1の電気絶縁層4が積層されている。ここで、電気絶縁層4は、電気絶縁性と光透過性を備え、金属層3を保護することができる硬度を備えた材料によって形成されている。したがって、電気絶縁層4は、例えばSiまたはSi,Al,Mg,Sn,In,Znのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていることが望ましい。また、電気絶縁層4は、アイランド状の金属部2同士の隙間に入り込むと同時に、各金属部2の図示上部を覆うようにして形成されている。また、金属部2の図示上部を覆う電気絶縁層4の厚さT2は、後述する理由から10Å以上とすることが望ましい。
図4に示すように、基材1上には図3と同様の電気絶縁層4を最初に形成してもよい。電気絶縁層4上には、図1の金属部2と同様の金属部5が形成されている。さらに、この金属部5の上側には、図3の電気絶縁層4と同様の電気絶縁層7が積層形成されている。
図5に示すように、第1の電気絶縁層4の図示上面には基材1上に形成された金属部2と同様の金属部5がアイランド状に間隔を開けて複数形成され、第1の電気絶縁層4上に第2の金属層6が積層形成されている。さらに第2の金属層6上には、第1の電気絶縁層4と同様に第2の電気絶縁層7が形成されている。同様に、第2の電気絶縁層7上には金属層8,…および電気絶縁層9,…が交互に繰り返し積層形成されている。これにより、例えば基材1上に各10層ずつ、合計20層の金属層3,6,8,…および電気絶縁層4,7,9,…からなる光輝性膜22を形成している。なお、図5においては、図示都合上、第3の電気絶縁層9以降を省略して表している。
図6は構成の異なる数種類の光輝性膜10,20,21の反射率および鉛筆硬度を示したグラフである。ここで反射率は、Alの薄膜を基材上に十分に蒸着させた時の反射率を100%とした(Al蒸着膜レファレンス)。
図6に示すように、図示左端の縦軸に反射率の目盛りを百分率で表示し、図示右端の縦軸を鉛筆硬度とし、スクラッチ痕等を防止するための好ましい硬度Fを基準として表示している。また、横軸には、基材上に形成した層の構成が異なる数種類の光輝性膜10,20,21を表示している。
すなわち、光輝性膜10,20,21の上側の層の材質から下側の層の材質までを順番に、スラッシュ(/)で区切って表示し、最後に基材1の材質を表示している。
また、ここでは、金属層3,6の厚さを全て200Åとし、電気絶縁層4,7の厚さも全て200Åとして、各光輝性膜10,20,21を形成した。
その結果、図1に示すように光輝性膜10の構成を“In/PC”および“Sn/Pc”として、基材1上に第1の金属層3のみを形成した場合、各構成の光輝性膜10の反射率はそれぞれ60%であり、鉛筆硬度はFよりも小であった。
その理由は、次のように考えられる。
したがって、図3に示すように金属層3および電気絶縁層4が各一層ずつ積層された光輝性膜20であっても、図1に示す従来の金属層3のみの場合の光輝性膜10と比較して、反射性および機械的強度を向上させることができる。
その理由は、次のように考えられる。
よって、本実施の形態によれば、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜20,21を得ることができる。
そして、これら電気絶縁層の厚さT2が異なる各光輝性膜22に波長550nmの可視光を照射して反射率を測定するとともに、鉛筆硬度およびシート抵抗を測定した。図7はその測定結果を表したグラフである。図7に示すように、電気絶縁層の厚さの異なる光輝性膜22毎に、得られた反射率を丸印(○)、シート抵抗を四角印(□)によってグラフ中にプロットした。
なお反射率および鉛筆硬度については、Siの厚さ(膜厚)が5Åの場合に鉛筆硬度がFよりも若干低くなるものの、その他の光輝性膜22においてはいずれも良好な結果が得られた。また、Siの膜厚を10Å以上とすることで硬度がF以上となることが確認できた。
また、図5に示すように、金属層3,6,8,…および電気絶縁層4,7,9,…を交互に複数積層させることで、複数の金属層3,6,8,…による光反射、複数の電気絶縁層4,7,9,…による光反射および光反射増幅効果により、反射性が良好な光輝性膜22を得ることができる。
次に、本実施の形態における光輝性膜の製造装置について説明する。
図8は本実施の形態の光輝性膜20,21,22の製造装置を表す概念構成平面図である。
図8に示すように、スパッタ装置30は筒形の真空槽31を備えている。真空槽31の内部の中心部には筒形の基材ホルダ32が設置されている。基材ホルダ32の回転軸は、ギア、モータ、制御装置、電源等により構成された回転制御装置(不図示)により自在に回転可能となっている。また、基材ホルダ32の表面には、基材固定機構(不図示)を備えた基材固定部33が複数設けられ、基材1を基材ホルダ32の表面に等間隔で複数固定することが可能となっている。
また、ターゲットホルダ34,35と基材ホルダ32の間には開閉可能なシャッター42、43が設けられている。シャッター42,43は、ギア、モータ、コントローラ、電源等により構成された開閉制御装置(不図示)により、自在に開閉制御可能となっている。
次に、本実施の形態における光輝性膜の製造方法について説明する。
まず、スパッタ装置30のターゲットホルダ34、35に、Snメタルターゲット44およびSiターゲット45を基材ホルダ32から離間させた状態で固定する。次に、基材ホルダ32表面の基材固定部33に、例えば、ポリカーボネートの基材1を固定する。
次に、排気管37に設けられたバルブ38を開き、排気ポンプによって真空槽31を、例えば10−3Paまで真空排気した後、バルブ38を閉じる。次いで、ガス供給管40のバルブ41を開いて不活性ガス供給制御装置から、例えばArガス等の不活性ガスを導入し、真空槽31の内部が、例えば10−1Paになったところで、バルブ41を閉じて、不活性ガスの供給を停止する。
次に、同様の手順によってSiターゲット45をスパッタ放電させて、金属層3上に光透過性を有する電気絶縁層4を積層形成する。
基材1上にスパッタリング法により金属層3を形成する際に、DCパワーおよびシャッター42の開閉時間を任意に設定することができるので、従来の蒸着による成膜方法と比較して、光輝性膜20,21,22製造時の金属層3,6,8…および電気絶縁層4,7,9,…の厚さの制御性を向上させることができる。
また、金属層3,6,8…および電気絶縁層4,7,9,…の厚さの制御性を向上させることで、これらをそれぞれ200Å以下、10Å以上の厚さに容易に制御することができる。また、基材ホルダを回転させつつスパッタリング法を行うことにより、基材1上に金属層3,6,8…および電気絶縁層4,7,9,…を交互に複数積層させた光輝性膜20,21,22を、容易に製造することができる。
したがって、本実施の形態の製造方法によれば、従来の蒸着による成膜方法と比較して膜厚の制御性を改善することができる。また、機械的強度が高く、反射性が良好で、別途エッチング等の工程を設けることなく不導体特性を備えた光輝性膜20,21,22を得ることができる。
また、上述の実施の形態においては、特定の材質の金属層、および電気絶縁層について説明したが、これらは上述の実施の形態で説明した材質に限られない。すなわち、金属層はIn,Sn,Zn,Pb,Mgのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていればよく、電気絶縁層はSiまたは、Si,Al,Mg,Sn,In,Znのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていればよい。
また、真空槽内部の圧力、不活性ガスの種類、不活性ガス導入後の真空槽内部の圧力、基材ホルダの回転速度等は適宜変更可能である。
Claims (6)
- アイランド状に形成された光反射性を有する金属層と光透過性を有する電気絶縁層とが、交互に複数積層されたことを特徴とする光輝性膜。
- 前記金属層がIn,Sn,Zn,Pb,Mgのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていることを特徴とする請求項1記載の光輝性膜。
- 前記電気絶縁層がSiまたは、Si,Al,Mg,Sn,In,Znのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光輝性膜。
- 前記金属層の厚さが200Å以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光輝性膜。
- 前記電気絶縁層の厚さが10Å以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光輝性膜。
- 光反射性を有する金属材料からなる第1ターゲットと、光透過性を有する電気絶縁材料からなる第2ターゲットとを、筒型の基材ホルダにおける周方向の異なる位置であって前記基材ホルダの表面から離間させて配置し、
前記基材ホルダの表面に基材を固定し、前記基材ホルダを中心軸の周りに回転させつつ、前記基材ホルダと前記第1ターゲットとの間に設けられた第1シャッターと、前記基材ホルダと前記第2ターゲットとの間に設けられた第2シャッターとを開閉させて、スパッタリングを行うことにより、
前記基材上に、前記金属材料からなるアイランド状の金属層と、前記電気絶縁材料からなる電気絶縁層とを、交互に複数積層形成することを特徴とする光輝性膜の製造方法。
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