WO2009110090A1 - 加飾部品 - Google Patents
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Abstract
Description
40 装飾部、41 絶縁部、42 導電材料。
図1はこの発明の実施の形態1に係る加飾部品を示す断面図で、携帯電話筐体の意匠を構成する部品である。基材1の表面に半導体層または半金属層2が形成されている。
基材1を構成する材料は、例えば、ポリカーボネート樹脂(PC樹脂)、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂(ABS樹脂)、PC樹脂とABS樹脂のポリマーアロイ(PC+ABS樹脂)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA樹脂)、ポリアミド樹脂(PA樹脂)などの樹脂、またはガラス繊維などのフィラーを配合した樹脂などの絶縁体である。
また、半導体層または半金属層2としてはゲルマニウムGe、ケイ素Si、アルファースズα-Sn、セレンSe、テルルTeが代表として挙げられ、金属光沢を呈するものであれば、特に制限はないが、電磁波に影響を及ぼさない範囲として、半導体または半金属の導電率が103S/m以下であれば、より好ましい。
ここで、半金属とは、金属性伝導を示すが、通常の金属より電気抵抗が大きい元素をいう。長周期型周期表においては、ホウ素BとアスタチンAtを結ぶ斜めの線が金属と非金属との境界線であり、この境界線付近の元素、即ちホウ素B、炭素C、ケイ素Si、リンP、ゲルマニウムGe、ヒ素As、セレンSe、スズSn、テルルTe、ビスマスBi、ポロニウムPo、アスタチンAt)のうち、半導体(Ge、Si、α-Sn、Se、Te)を除くものを意味する。
このような薄膜形成方法は、いわゆる、フラッシュ蒸着と呼ばれる方法で、基材に対する熱影響を抑制することが可能で、樹脂基材への薄膜形成に適している。この他、真空蒸着においては、材料を電子ビームにて溶融させる方法もあるが、一般的には、蒸発材料の輻射熱が大きいため、熱影響をきらう基材を用いる場合には大きな真空槽が必要になる。
また、上記フラッシュ蒸着に際し、イオンガンやアンテナ式ボンバード装置を用いて、基材1の表面をアルゴン(Ar)イオンや酸素(O2)イオン等にて照射すると、半導体層または半金属層2の膜密着性が向上し、好ましい。ここで、アンテナ式ボンバード装置とは蒸着室に円形コイルを設け、これを電極としてチャンバー全体にプラズマを生成させる装置を言う。
図2から分かるように、Geは膜厚の増加と共に透過率が低下することが分かる。膜厚が5nmより厚くなると、波長400nm~800nmの可視光域での平均透過率が65%以下となる。発明者らの調査によれば、Ge膜厚が5nm程度から弱い金属光沢を呈し始め、100nmではっきりとした金属光沢を呈するようになる。よって、金属光沢を呈する加飾としては400nm~800nmの可視域での平均透過率が65%以下の場合に実現され、好ましくは5%程度以下となる。
上述の通り、発明者らの調査によれば、Ge膜厚が5nm程度から弱い金属光沢を呈し始め、100nmではっきりとした金属光沢を呈するようになる。よって、金属光沢を呈する加飾としては400nm~800nmの可視域での平均反射率が20%以上の場合に実現され、好ましくは40%程度以上となる。
図4から分かるように、SiはGeと違い、40nm以上の膜厚では干渉の影響を生じ、波長帯によっては膜厚の増加と共に透過率が増加する。このことは、加飾で言えば、色コントロールは不安定であるが、見る角度によって色が変化しうるという特徴を有することを意味する。
しかしながら、これら加飾部品を携帯電話の筐体として使用する場合には以下のような問題が生ずる。すなわち、近年の携帯電話の筐体はデザイン性を重視することから、携帯電話と基地局との間で電波を送受信するためのアンテナが筐体の内部に配置されていることが多く、金属膜を形成した加飾部品は使用が制限され、筐体外観のデザイン面で制約となっていた。最近、この問題を解消するために、上述したようにこれら金属膜を島状に形成する、いわゆる、不連続蒸着技術が開発され、実用化されてきている。
しかしながら、装飾部40が金属色に見えるよう絶縁部41の全面に導電材料42が形成されており、導電材料42の内部には電流が流れるため装飾部40に照射される電磁波が損失を生じ、十分なアンテナ特性が得られないという問題があった。また、一般的には、蒸着物質が不連続となるのは、~数10Å以下程度の極く薄膜においてであり、通常、100Åを超えるような膜厚においてはこれら島が接触してしまうことから、アンテナ特性が損なわれるようになる。
従って、一般的には、前述の不連続蒸着には厚みの制限が存在する。膜厚に制限が存在すると、携帯電話の筐体のような矩形部材、曲面を有する部材の全面に均一に膜形成することが困難で、歩留まりの低下に繋がる。この他、レーザや露光技術を用いて金属膜にパターン形成し不連続を実現する方法も考えられるが、コストが上昇するため、適用範囲は制限される。
また、半導体層または半金属層2の成膜方法として真空蒸着法を用いた方法につき説明したが、半導体層または半金属層2の製法としてはこれに限られることはなく、部品表面に熱的損傷を与えない方法であればいずれの方法でも良く、スパッタ法、イオンプレーティング法、スピンコート法などの物理的方法や、CVD法、メッキ法などの化学的方法を用いることも可能であることは言うまでもない。
さらに、上記実施の形態においては半導体層または半金属層2が単層である場合について説明したが、電磁波を遮断しない範囲であれば、半導体層または半金属層は積層しても良く、例えば、SiとGeの多層構造とする場合や、SiとGeを同時蒸着する場合等が挙げられる。
さらに、上記実施の形態においては、携帯電話の筐体への適用例を示したが、この発明にかかる加飾部品の適用はかかる例に留まることはなく、例えばカメラ、携帯用音楽再生機、携帯用ゲーム機、携帯用の通信機、ラジオ、テレビ、ノート型パソコン、ノート型ワープロ、ビデオカメラ、電子手帳、各種の赤外線式または無線式リモートコントローラ、電卓、自動車用電子制御機器など、各種電磁波を送受信する電子機器に適用することが可能であることは言うまでもない。
Ge、Siを代表とする半導体は電磁波のみならず、近赤外~遠赤外光を透過する特性を有するため、例えば、赤外線センサーを利用する機器の筐体としても同様の効果を奏することは言うまでもない。
図8はこの発明の実施の形態2に係る加飾部品を示す断面図で、基材1の表面上に下地層3が設けられ、その上に半導体層または半金属層2が設けられている。半導体層または半金属層2の上にはさらに保護層4が設けられ半導体層または半金属層2を保護している。下地層3が設けられたのは、基材1と半導体層または半金属層2との密着性を向上させるためである。他の構成は実施の形態1にて示した場合と同じである。
この発明に係る構成とすることで、実施の形態1にて示した効果に加え、半導体層または半金属層2の密着性が向上した加飾部品が実現される。
図9はこの発明の実施の形態3に係る加飾部品を示す断面図で、実施の形態2にて示した構成に加え、半導体層または半金属層2と保護層4の間に中間層5が設けられたものである。他の構成は実施の形態1にて示した場合と同じである。中間層5はミドルコートとも呼ばれ、半導体層または半金属層2と保護層4との密着性を向上させるとともに、顔料を添加することで、外観を変化させることを目的としたものである。中間層5には透過性の各種樹脂を用いることができる。
この発明に係る構成とすることで、実施の形態2にて示した効果に加え、保護層4の密着性が向上するとともに、デザイン性に優れた加飾部品が実現される。
Claims (7)
- 部材の表面に、膜厚が5nm以上で、波長400nm~800nmの可視光域における平均透過率が65%以下かつ平均反射率が20%以上である半導体層または半金属層を形成したことを特徴とする加飾部品。
- 前記半導体層または半金属層は、平均透過率が5%以下かつ平均反射率が40%以上であることを特徴とする請求項1記載の加飾部品。
- 前記半導体層または半金属層が、103S/m以下の導電率を有することを特徴とする請求項1または2記載の加飾部品。
- 前記半導体層または半金属層は、ゲルマニウムGe、ケイ素Si、アルファースズα-Sn、セレンSe、テルルTeの群から選ばれる一つの物質で構成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の加飾部品。
- 前記半導体層または半金属層の上に、高い硬度を有した透過性の材料からなる保護層を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の加飾部品。
- 前記半導体層または半金属層と前記保護層の間に、透過性の樹脂からなる中間層を設けたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の加飾部品。
- 請求項1ないし6のいずれか一つに記載の加飾部品を用いたことを特徴とする電子機器の筐体。
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