TW201611371A - 阻障層堆疊、用以製造阻障層堆疊的方法、及超高阻障層與抗反射系統 - Google Patents
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Abstract
提出一種阻障層堆疊。阻障層堆疊(10、20、30、40)包括依序配置的第一層11、第二層12、第三層13及第四層14。第一層11與第三層13具有至少1.9 的折射率，且第二層12與第四層14具有小於1.7的折射率。層11至14各具有至少70 nm的厚度。
Description
本發明之實施例是有關於一種用於一沈積設備之電極組，以及一種用以組裝一種用於一沈積設備之電極組的方法。本發明之數個實施例特別是有關於一種用於一濺射沈積設備之電極組，以及一種用於組裝一種用於一濺射沈積設備之電極組的方法，特別是有關於一種在一濺射沈積設備中提供一磁鐵系統的電極組。本揭露的實施例係有關於阻障層堆疊、用以製造阻障層堆疊的方法，及超高阻障層與抗反射系統。
當有機發光裝置(Organic light emitting devices, OLEDs)暴露至水蒸汽或氧氣時，會遭受輸出降低或過早失效。一些阻障層系統已經被用來保護有機發光裝置避免此水蒸汽或氧氣。舉例來說，由於玻璃不具可撓性，當使用玻璃封裝有機發光裝置時，係損害有機發光裝置的結構穩定性。
有需要一種阻障層系統，例如在一基材上，例如一可撓性聚合物基材，其克服上述方面的至少一部分。特別有需要一種阻障層系統，其相較於傳統的結構具有提高的光學性能。
鑑於上述內容，提出一種阻障層堆疊、一種用以製造阻障層堆疊的方法、及超高阻障層與抗反射系統。本揭露的其他方面、優點及特徵將藉由申請專利範圍、說明書描述以及所附圖式而呈現。
根據本揭露之一方面，係提出一種阻障層堆疊。阻障層堆疊包括依序配置的第一層、第二層、第三層及第四層。第一層與第三層具有至少1.9 的折射率，且第二層與第四層具有小於1.7的折射率。該些層各具有至少70 nm的厚度。
根據本揭露之另一方面，係提出用以製造阻障層堆疊的方法。方法包括：在基材上交替沈積第一層材料與第二層材料以形成至少四層，其中第一層材料具有至少1.9 的折射率，其中第二層材料具有小於1.7的折射率，且其中該些層各具有至少70 nm的厚度。
根據本揭露之又另一方面，係提出超高阻障層與抗反射系統。超高阻障層與抗反射系統包括基材與基材上方的層堆疊。層堆疊包括依序配置的第一層、第二層、第三層及第四層。第一層與第三層具有至少1.9 的折射率，且第二層與第四層具有小於1.7的折射率。該些層各具有至少70 nm的厚度。
實施例也係針對用以實行所述方法的設備並包括用以執行各個所述方法步驟的設備部件。這些方法步驟可藉由硬體構件的方式、合適的軟體所設計程式的電腦、藉由兩者的任何組合或任何其他方法來執行。再者，根據揭露的實施例也係針對藉其操作所述設備的方法。此包括用以執行設備之每個工作的方法步驟。
現將詳細描述本揭露的各種實施例，其一個或多個範例係繪示於圖式中。在以下對於圖式的敘述中，相同的元件符號意指相同的元件。一般而言，僅針對個別的實施例的不同處作描述。各個範例的提供係作為解釋本揭露的一種手段，並不代表作為本揭露的限制。此外，所描繪或敘述為一個實施例之一部分的特徵，可使用在其它實施例、或與其它實施例一同使用，以產生又一個實施例。本說明書中意欲包括此類的修飾與變形。
層堆疊係可使用在光學應用中(例如OLED的保護)，然而它們特別會在可見光波段中降低穿透率，且會造成不期望的顏色。本揭露藉由提供具有結合阻障層與抗反射性質的阻障層堆疊克服此缺點。根據所述實施例的阻障層堆疊可具有色中性(color neutrality)，色中性提供阻障層堆疊改進的光學性質。
雖然到目前為止已提到OLED應用，本揭露的阻障層堆疊也可被使用在不同的應用中。舉例而言，本揭露的阻障層堆疊可被使用在封裝的領域中，例如需要高氧氣保護的食物，例如未加工處理過的麵食、切成薄片的肉、乾燥的水果、或點心。阻障層堆疊可提供氣體阻障與透明的性質以提供產品的能見度。
本揭露係有關於具有低水蒸汽與氧氣穿透率的阻障層系統，且特別係有關於超高阻障層系統(ultra-high barrier layer system; UHB)。本揭露的阻障層堆疊包括交替層(alternating layers)(二合一物(diades))，且特別包括至少四層。各個層的厚度係至少70 nm，且特別係在70 nm至300 nm的範圍中，且更特別在100 nm至150 nm的範圍中。各個層的厚度及／或光學性質可為不同。阻障層堆疊可包括具有低與高折射率的至少二個材料。阻障層堆疊的至少部分層可為介電層。根據可與其它所述實施例結合的一些實施例，第一層、第二層、第三層與附加層係介電層。一些實施例中，阻障層堆疊的所有層係介電層。
根據可與其它所述實施例結合的一些實施例，最上層(the uppermost layer)，亦即，配置在例如基材上方的最後層(the last layer)例如第四層，具有低折射率。具有低折射率之最上層的阻障層堆疊提供改進的光學性質。
本揭露之一方面係提供各層的層厚度(layer thickness)以提供一穿透率，此穿透率係例如高於層堆疊配置其上的一(未塗佈的(uncoated))基材的一穿透率。具體而言，本揭露之一方面係提出一穿透率，此穿透率係高於(未塗佈的)基材在可見光區域中的一穿透率。
本揭露提出具有抗反射性質的阻障層堆疊。根據一些實施例，具有四層的阻障層堆疊(Barrier layer stack)可被稱為NONO，具有五層的阻障層堆疊可被稱為NONON，且具有六層的阻障層堆疊可被稱為NONONO。符號N與O可表示層的材料。在一些實施例中，符號N表示具有高折射率的材料或層(例如SiNx)，且符號O表示具有低折射率的材料或層(例如SiOx)。低折射率可在1.4至1.6的範圍中，具體而言約n=1.46。然而，可以理解的是，本揭露並不限於SiNx與SiOx，且具有至少1.9的高折射率與小於1.7的低折射率的任何合適的材料可分別被用作具有高折射率的層與具有低折射率的層。一些例子可為具有高與低折射率的絕緣材料，例如SiOx、TiOx、NbOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TaOx、一有機材料例如聚合物材料、及其組合。
在一些實施例中，具有高折射率與低折射率之材料的消光係數可為小的。折射率(index of refraction)與消光係數(extinction coefficient)係分別為複數折射率(complex index of refraction)的實數部與虛數部。具體而言，當光線穿過介質時，光線一些部分將會被吸收。此可藉由定義複數折射率為等於n+ik來描述。實數部「n」表示相速(phase velocity)，而虛數部「ik」表示當電磁波透過材料傳播時吸收損失的量。
材料或光學介質的專門名詞「折射率(refractive index)」(或折射率(index of refraction) ) n係描述光、或任何其它輻射如何透過材料傳播的無因次數(dimensionless number)。此係定義為n=c/v，其中c係光在真空中的速度，v係光在材料中的速度。
根據一些實施例，透過本揭露之最佳化的層系統，NONO/NONONO設計的穿透率可被提高優於例如未塗佈之PET的穿透率。相較於未最佳化的NONON/NONONON設計，(絕對)穿透率增益可在約4%至約6%的範圍中(例如，穿透率(Ty)從約88%增加至約92至94%。對比／彩色差異可為b*＜0.3(b*值如由國際照明委員會(International Commission on Illumination；CIE)於1976年所定義)。
第1A至1C圖顯示根據所述實施例的阻障層堆疊。根據一些實施例，本實施例的層堆疊係由(例如，藉由沈積)一個在另一個之頂上形成的數個膜所構成 。
第1A圖中係繪示根據本揭露之實施例的阻障層堆疊10。阻障層堆疊10包括依序配置的第一層11、第二層12、第三層13與第四層14 。第一層11與第三層13具有至少1.9 的折射率，且第二層12與第四層14具有小於1.7的折射率。層11至14各具有至少70 nm的厚度。
具有至少1.9的折射率的第一層11與第三層13、具有小於1.7的折射率的第二層12與第四層14、及層11至14各具有至少70 nm的厚度提供具有結合阻障層與抗反射功能的阻障層堆疊。
根據能與於此其它實施例結合的一些實施例，阻障層堆疊可包括在第四層14上方的一個或複數個附加層，具體而言係如分別顯示在第1B與1C圖中的第五或第五與第六層。
在第1B圖中係繪示根據本揭露之實施例的阻障層堆疊20。阻障層堆疊20係相似於第1圖的阻障層堆疊10，差異為第五層15係配置在第四層14上方。
在第1C中係繪示根據本揭露之實施例的阻障層堆疊30。阻障層堆疊30係相似於第1B圖的阻障層堆疊20，差異為第六層16係配置在第五層15上方。
在一些實施例中，奇數層具有至少1.9 的折射率，且偶數層具有小於1.7的折射率。此申請案通篇所使用的名詞「奇數」與「偶數」參照數學上的奇偶性(parity)，亦即當一整數係可被2整除時，此整數係為偶數，而當此整數不是偶數時，此整數係為奇數。舉例而言，奇數層可為第一、第三、第五等層，且偶數層可為第二、第四、第六等層。
具有至少1.9 的折射率的奇數層、具有小於1.7的折射率的偶數層、及各層具有至少70 nm的厚度提供具有結合阻障層與抗反射功能的阻障層堆疊。
此說明書提到的第一至第六層、奇數層與偶數層係提供阻障層與抗反射功能的層，亦即，具有至少1.9 的折射率或小於1.7的折射率，與至少70 nm的厚度的層。因此，編號排除可額外提供的其它層，例如晶種層、硬塗層(hard coating)、黏附層(adhesive layers)等等。
一些實施例中，阻障層堆疊的水蒸汽穿透速率(water vapor transmission rate; WVTR；單位為每平方公分及天的克數(in units of g per cm2
and day))及／或氧氣穿透速率(oxygen transmission rate; OTR)係小於10-4
，特別小於10-5
，且更特別約10-6
。阻障層堆疊的穿透率可為至少85%，且特別高於90%。舉例來說，包括至少四層與基材的阻障層堆疊可具有在87%至95%的穿透率，特別88%或89%的穿透率，且更特別93%或 94%。
舉例而言，奇數層可具有約至少1.9 的折射率，且特別約2的折射率。偶數層可具有小於1.7的折射率，特別小於1.5的折射率，且特別約1.46的折射率。根據一些實施例，阻障層堆疊的奇數層包括SiNx、NbOx、SiN、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TiOx、TaOx、有機材料例如聚合物材料、及／或其組合至少一者，及／或阻障層堆疊的偶數層包括SiOx、MgFx、SiOxNy、有機材料例如聚合物材料、及／或其組合至少一者。
舉例而言，第一層11，例如第一介電層，可具有高折射率。藉由依序提供具有交替的或不同折射率的層，可提供也具有抗反射性質的阻障層堆疊。根據可與其它所述實施例結合的一些實施例，具有較低折射率的層(例如偶數層)可藉由含有SiOx、MgFx、SiOxNy、有機材料例如聚合物材料、及／或其組合、或類似物的層提供。舉例來說，具有較高折射率的層(例如奇數層)可藉由含有NbOx、SiNx、SiN、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TiOx、TaOx、有機材料例如聚合物材料、及／或其組合、或類似物的膜提供。
根據一些實施例，層(例如，介電膜)可藉由化學氣相沈積或物理氣相沈積製造，例如濺射(sputtering)或蒸發(evaporation)。一些例子可為具有高與低折射率的絕緣材料，例如SiOx、SiN、TiOx、NbOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TaOx、有機材料例如聚合物材料、及／或其組合。
根據可在此與其它實施例結合的一些實施例，該些層中至少一個具有一大於100 nm的厚度或具有一100 nm至300 nm之範圍中的厚度。舉例來說，奇數層各個的厚度係小於偶數層各個的厚度。
一些實施例中，係提供具有四層的阻障層堆疊，其例如係顯示在第1A圖中。第一層11可具有139 nm至143 nm的厚度，例如約141 nm，第二層12可具有169 nm至173 nm的厚度，例如約171nm，第三層13可具有92 nm至96 nm的厚度，例如約94 nm，且第四層14可具有76 nm至80 nm的厚度，例如約78 nm。一些實施例中，第一層11與第三層13可包括SiNx或由SiNx製造，且第二層12與第四層14可包括SiO2
或由SiO2
製造。阻障層堆疊的水蒸汽穿透速率(WVTR)可為小於10-5
，且特別約10-6
。具體而言，阻障層堆疊在約400nm至700nm的波長範圍中的穿透率可為約94%。
一些實施例中，係提供具有五層的阻障層堆疊，其例如係顯示在第1B圖中。第一層11可具有138 nm至142 nm的厚度，例如約140 nm，第二層12可具有163 nm至167 nm的厚度，例如約165 nm，第三層13可具有120 nm至124 nm的厚度，例如約122 nm，第四層14可具有155 nm至159 nm的厚度，例如約157 nm，且第五層15可具有114 nm至118 nm的厚度，例如約116 nm。一些實施例中，第一層11、第三層13與第五層15可包括SiNx或由SiNx製造，且第二層12與第四層14可包括SiO2
或由SiO2
製造。阻障層堆疊的水蒸汽穿透速率(WVTR)可為小於10-5
，且特別約10-6
。具體而言，阻障層堆疊在約400 nm至700 nm的波長範圍中的穿透率可為約88%。
其它實施例中，第一層11可具有140 nm至144 nm的厚度，例如約142 nm，第二層12可具有169 nm至173 nm的厚度，例如約171 nm，第三層13可具有126 nm至130 nm的厚度，例如約128 nm，第四層14可具有160 nm至164 nm的厚度，例如約162 nm，且第五層15可具有137 nm至141 nm的厚度，例如約139 nm。一些實施例中，第一層11、第三層13及第五層15可包括SiNx或由SiNx製造，且第二層12與第四層14可包括SiO2
或由SiO2
製造。阻障層堆疊的水蒸汽穿透速率(WVTR)可小於10-5
，且特別約10-6
。具體而言，阻障層堆疊在約400 nm至700 nm的波長範圍中的穿透率可在約88%至約92%的範圍中。
一些實施例中，係提供具有六層的阻障層堆疊，其例如係顯示在第1C圖中。第一層11可具有137 nm至141 nm的厚度，例如約139 nm，第二層12可具有160 nm至164 nm的厚度，例如約162 nm，第三層13可具有114 nm至118 nm的厚度，例如約116 nm，第四層14可具有154 nm至158 nm的厚度，例如約156 nm，第五層15可具有85 nm至89 nm的厚度，例如約87 nm，且第六層16可具有75 nm至79 nm的厚度，例如約77 nm。一些實施例中，第一層11、第三層13與第五層15可包括SiNx或由SiNx製造，且第二層12、第四層14與第六層16可包括SiO2
或由SiO2
製造。阻障層堆疊的水蒸汽穿透速率(WVTR)可為小於10-5
，且特別約10-6
。阻障層堆疊特別在約400nm至700nm的波長範圍中的穿透率可為約94%。
根據可在此與其它實施例結合的一些實施例，該些層係形成或配置在彼此之上方。在第1A至1C圖的例子中，第二層12係形成或配置在第一層11上方，第三層13係形成或配置在第二層12上方，且第四層14係形成或配置在第三層13上方。
舉例來說，當係以詞語「上方(over)」表示關係時，亦即一層係在其它層的上方時，可以理解的是，從第一層11開始，第二層12係沈積在第一層11上方，在第二層12之後所沈積的附加層(further Layer)，係因此在第二層12的上方與第一層11的上方。換句話說，詞語「上方」係用以定義層(layers)、層堆疊(layer stacks)、及／或膜(film)的順序，其中起始點係基材。這與阻障層堆疊是否畫顛倒無關。
根據可在此與其它實施例結合的一些實施例，層11至14的至少部分係直接配置在彼此之上。在第1A圖的例子中，第二層12係形成或配置在第一層11上，第三層13係形成或配置在第二層12上，且第四層14係形成或配置在第三層13上。換句話說，一些實施例中阻障層堆疊的層之間不存在附加層或膜。一些其他實施例中可在阻障層堆疊的至少部分之間提供附加層。
第2圖顯示根據所述其它實施例的阻障層堆疊40。
根據可在此與其它實施例結合的一些實施例，阻障層堆疊40更包括基材41，且特別一透明的基材。具體而言，在此所使用的詞語 「基材」可包括可撓性基材例如軟質基材(web)或箔(foil)。然而，本揭露並不限於此，且詞語「基材」可包括不可撓的基材，例如，晶圓、透明晶態薄片例如藍寶石(sapphire)或類似物，或玻璃板材。
在此所使用的詞語「透明」可具體地包括基材以相當低的散射來傳送光的性能，藉此，舉例來說，傳送其中的光可以實質上清楚的方式被看見。在可與其它所述實施例結合的一些實施例中，基材包括透明的聚合物材料，擇自包括聚碳酸酯(polycarbonate; PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate; PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methacrylic acid methyl ester); PMMA)、三醋酸纖維素(triacetyl cellulose; TAC)、環烯烴聚合物(cyclo olefin polymer; COP)、聚乙二醇對萘二甲酸酯(poly(ethylene naphthalate); PEN)、及其組合的群組。舉例來說，基材包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。PET可具有約90%的穿透率。例如，層11至14係提供在基材41上(on)或上方(over)。
雖然第2圖中四層11至14係配置在基材41上方，本實施例並不限於此。任何數目的層可配置在基材上方，其係例如參照第1A至1C圖所述。
根據本實施例之一方面，係提供超高阻障(Ultra high barrier (UHB)層及抗反射系統。超高阻障(UHB)層及抗反射系統包括一基材與在基材上方或上的一層堆疊。層堆疊可為以上參照第1A至1C及2圖所述之阻障層堆疊的任何一者。具體而言，層堆疊可包括依序配置的第一層、第二層、第三層與第四層，其中第一層與第三層具有至少1.9 的折射率，其中第二層與第四層具有小於1.7的折射率，且其中各個層具有至少70 nm的厚度。
第3圖顯示根據所述實施例之阻障層堆疊的反射率的曲線圖。在此所使用的詞語「反射率(reflectance)」係被反射之入射電磁功率的分數。詞語「反射率(reflectance)」可與詞語「反射性 (reflectivity)」同義使用。
第3圖中曲線圖的y軸表示單位為%(百分比)的反射率，且x軸表示單位為奈米(nanometer; nm)的波長 λ (lambda)。以標號50表示的是一未塗佈之PET 基材的反射率(約5%)。以標號51表示的是根據所述實施例之具有四層(NONO)的阻障層堆疊的反射率，其在從約420 nm至約680 nm的範圍中係小於1百分比。標號52表示的是根據所述實施例之具有六層(NONONO)的阻障層堆疊的反射率，其在從約420 nm至約680 nm的範圍中也係小於1百分比。
用以例如在基材上沈積材料的方法可包括物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程、電漿增強化學氣相沈積製程等等。舉例而言，製程係在製程設備或製程腔室中執行，將要被塗佈的基材係放置在其中。沈積材料係提供在設備中。多個材料例如其氧化物、氮化物或碳化物可用以沈積。再者，製程腔室中可執行其他製程步驟像是蝕刻、構造(structuring)、退火、或等等。
第4圖顯示設備100的示意圖，例如卷對卷(roll-to-roll)沈積設備，用以沈積或塗佈根據所述實施例的層，且特別用以製造根據所述實施例的阻障層堆疊。
設備100包括至少三個腔室部分102A、102B及102C。在腔室部分102C可提供一或多個沈積源630及選擇性的蝕刻站430作為製程工具。例如可撓性基材的基材41係提供在例如具有轉軸的第一滾輪764上。可撓性基材係以箭頭 108顯示的移動方向從滾輪764捲繞出。分離牆401係提供用以腔室部分102A與102B的分離。分離牆401可進一步地與間隙閘140一起被提供以使基材41穿過其中。提供在腔室部分102B與102C之間的真空凸緣112可與開口一起被提供，以取出至少部分製程工具。
基材41係移動通過提供在塗佈鼓輪110並對應沈積源630之位置的沈積區。在操作過程中，塗佈鼓輪110繞著軸旋轉以使基材41往箭頭 108的方向移動。根據一些實施例，基材41係透過一、二或更多個滾子(roller)從滾輪764被導引至塗佈鼓輪110，並從塗佈鼓輪110被導引至例如具有捲軸的第二滾輪764’，基材41在其製程之後係捲繞在第二滾輪764’上。
根據一些實施例，可裝配沈積源630以沈積層堆疊的層。舉例而言，可採用至少一沈積源630以沈積具有至少1.9 的折射率的層材料，並可採用至少一沈積源630以沈積具有小於1.7的折射率的層材料。
一些實施例中，可裝配第一沈積源以沈積第一層，可裝配第二沈積源以沈積第二層，可裝配第三沈積源以沈積第三層，且可裝配第四沈積源以沈積第四層。
一些實施例中，第一腔室部分102A係分隔成夾層(interleaf)腔室部分單元102A1與基材腔室部分單元102A2。藉此，夾層滾輪766/766’與夾層滾子105可提供做為設備100的模組化元件。設備100可更包括預熱單元194以加熱可撓性基材。再者，可額外或選擇性提供預處理電漿源192，例如RF(射頻(radio frequency))電漿源，以在基材進入腔室部分102C之前利用電漿處理基材。
根據可與其它所述實施例結合之又其他實施例，也可選擇性地提供用以計算基材製程之結果的光學量測單元494，及／或用以調整基材上的電荷的一或多個離子化單元492。
根據一些實施例，沈積材料可根據塗佈之基材的沈積製程與之後的應用來做選擇。舉例而言，沈積源630的沈積材料可為矽。舉例而言，可包括此材料的氧化物層、氮化物層或碳化物層，可藉由從源(source)提供材料來沈積，或藉由反應性沈積法來沈積，反應性沈積法亦即來自源的材料與來自處理氣體的元素(例如氧、氮、或碳)反應。
根據本揭露之一方面且如第4圖中所示，係提供用以製造阻障層堆疊的方法700。方法可包括在基材上交替沈積第一層材料與第二層材料以形成至少四層。第一層材料具有至少1.9 的折射率，第二層材料具有小於1.7的折射率，且各個層具有至少70 nm的厚度。可例如在基材上沈積第一層(方塊701)。接著，可在第一層上或上方沈積第二層(方塊702)。然後可在第二層上或上方沈積第三層(方塊703)。可在第三層上或上方沈積第四層(方塊704)。
雖然在第4圖之本例中四層係配置在彼此之上方，本實施例並不限於此。可配置任何數目的層，其如同例如以上參照第1A至1C及2圖所述。
雖然前述內容以提供本發明之實施例，本發明的其他和更進一步之實施例可以被設計而不脫離本發明的基本範圍，本發明的範圍將由隨後附之申請專利範圍決定。
10、20、30、40‧‧‧阻障層堆疊
11、12、13、14、15、16‧‧‧層
41‧‧‧基材
50‧‧‧未塗佈之PET基材的反射率
51‧‧‧具有四層的阻障層堆疊的反射率
52‧‧‧具有六層的阻障層堆疊的反射率
100‧‧‧設備
102A、102B、102C‧‧‧腔室部分
102A1‧‧‧夾層腔室部分單元
102A2‧‧‧基材腔室部分單元
105‧‧‧夾層滾子
108‧‧‧箭頭
110‧‧‧鼓輪
112‧‧‧真空凸緣
140‧‧‧間隙閘
192‧‧‧電漿源
194‧‧‧預熱單元
401‧‧‧分離牆
430‧‧‧蝕刻站
492‧‧‧離子化單元
494‧‧‧光學量測單元
630‧‧‧沈積源
764、764’‧‧‧滾輪
766、766’‧‧‧夾層滾輪
11、12、13、14、15、16‧‧‧層
41‧‧‧基材
50‧‧‧未塗佈之PET基材的反射率
51‧‧‧具有四層的阻障層堆疊的反射率
52‧‧‧具有六層的阻障層堆疊的反射率
100‧‧‧設備
102A、102B、102C‧‧‧腔室部分
102A1‧‧‧夾層腔室部分單元
102A2‧‧‧基材腔室部分單元
105‧‧‧夾層滾子
108‧‧‧箭頭
110‧‧‧鼓輪
112‧‧‧真空凸緣
140‧‧‧間隙閘
192‧‧‧電漿源
194‧‧‧預熱單元
401‧‧‧分離牆
430‧‧‧蝕刻站
492‧‧‧離子化單元
494‧‧‧光學量測單元
630‧‧‧沈積源
764、764’‧‧‧滾輪
766、766’‧‧‧夾層滾輪
為了可了解本揭露上述之特點的細節，簡要摘錄於上之本揭露更詳細的說明會配合實施例提供。所附圖式係有關於本揭露的實施例且係說明如下： 第1A至1C圖顯示根據所述實施例之阻障層堆疊的剖面圖； 第2圖顯示根據所述其它實施例之阻障層堆疊的剖面圖； 第3圖顯示根據所述實施例之阻障層堆疊的反射率的曲線圖； 第4圖顯示根據所述實施例之用以製造阻障層堆疊的沈積設備的示意圖；及 第5圖顯示根據所述實施例之用以製造阻障層堆疊的方法流程圖。
10‧‧‧阻障層堆疊
11、12、13、14‧‧‧層
Claims (20)
- 一種阻障層堆疊，包括： 依序配置的一第一層、一第二層、一第三層及一第四層， 其中該第一層與該第三層具有一至少1.9 的折射率， 其中該第二層與該第四層具有一小於1.7的折射率，且 其中該些層各具有一至少70 nm的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，更包括在該第四層上方的一個或複數個附加層。
- 如申請專利範圍第2項所述之阻障層堆疊，其中該一個或複數個附加層包括一第五層或該第五層與一第六層。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中該些層係直接配置在彼此之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中奇數層具有該至少1.9 的折射率，且其中偶數層具有該小於1.7的折射率。
- 如申請專利範圍第2項所述之阻障層堆疊，其中奇數層具有該至少1.9 的折射率，且其中偶數層具有該小於1.7的折射率。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中奇數層具有一約2的折射率。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中偶數層具有一小於1.6的折射率。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中該阻障層堆疊之奇數層包括SiNx、NbOx、SiN、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TiOx、TaOx、一有機材料、一聚合物材料及其組合之至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中該阻障層堆疊之偶數層包括SiOx、MgFx、SiOxNy、一有機材料、一聚合物材料及其組合之至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中該些層之至少一者具有一大於100 nm的厚度或具有一100 nm至300 nm之範圍中的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中各個奇數層的厚度係小於各個偶數層的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中該阻障層堆疊之一水蒸汽穿透速率係小於10-4 。
- 如申請專利範圍第1項所述之阻障層堆疊，其中該阻障層堆疊之一穿透率係至少85%。
- 如申請專利範圍第1至14項其中之一所述之阻障層堆疊，更包括一基材，其中該些層係提供在該基材上方。
- 如申請專利範圍第15項所述之阻障層堆疊，其中當相較於該未塗佈之基材的一穿透率時，該阻障層堆疊之一穿透率係較高。
- 如申請專利範圍第16項所述之阻障層堆疊，其中當相較於該未塗佈之基材在一可見光區域中的該穿透率時，該阻障層堆疊在該可見光區域中之該穿透率係較高。
- 如申請專利範圍第15項所述之阻障層堆疊，其中該基材包括一透明的聚合物材料，其擇自由聚碳酸酯(polycarbonate)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methacrylic acid methyl ester))、三醋酸纖維素(triacetyl cellulose)、環烯烴聚合物(cyclo olefin polymer)、聚乙二醇對萘二甲酸酯(poly(ethylene naphthalate))、及其組合所組成之群組。
- 一種用以製造阻障層堆疊的方法，包括 於一基材上交替沈積一第一層材料及一第二層材料以形成至少四層， 其中該第一層材料具有一至少1.9的折射率， 其中該第二層材料具有一小於1.7的折射率，且 其中該些層各具有一至少70 nm的厚度。
- 一種超高阻障層與抗反射系統，包括： 一基材，以及 一層堆疊，在該基材上方，其中該層堆疊包括： 依序配置的一第一層、一第二層、一第三層以及一第四層， 其中該第一層以及該第三層具有一至少1.9的折射率， 其中該第二層以及該第四層具有一小於1.7的折射率，以及 其中該些層各具有一至少70 nm的厚度。
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