TW201836138A - 適用於使用在光電裝置中的層系統、具有其之光電裝置、以及在連續捲繞式製程中製造層系統的方法 - Google Patents

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Abstract

在此敘述一種適用於使用在光電裝置中的層系統(100)。該層系統包含一可撓性基板(101)、提供在可撓性基板(101)上的一平坦化層(110)、和提供在平坦化層(110)上的一透明導電氧化物層(120)，其中平坦化層(110)係配置成用以封裝可撓性基板(101)上的複數缺陷，且其中平坦化層係配置成用以共價結合到可撓性基板的表面。

Description

適用於使用在光電裝置中的層系統、以及在連續捲繞式製程中製造層系統的方法
本揭露的實施例是關於適用於使用在光電裝置中的層系統、以及在連續捲繞式製程中製造這類層系統的方法。本揭露的實施例特別是關於包含沉積在可撓性基板上之層堆疊的層系統。更具體地說，本揭露的實施例是關於由連續捲繞式真空沉積製程所製造的層系統。
在封裝產業、半導體產業、和其他產業中，對於可撓性基板如塑膠膜或箔的處理是有著高度需求的。處理可由以所希望的的材料如金屬(特別是鋁)、半導體、和介電材料塗佈可撓性基板、蝕刻、和為了所希望的應用進行在基板上之其他處理行為所組成。執行這項工作的系統典型地包含處理鼓，例如一圓柱形的輥子，處理鼓耦接到處理系統以傳送基板，且至少一部分的基板在其上被處理。因此，捲繞式(roll-to-roll, R2R)塗佈系統能夠提供高產量的系統。
製程如物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)製程、化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程、和電漿輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)製程，典型地能夠用於沉積能夠被塗佈到可撓性基板上之金屬薄層。特別是，捲繞式沉積系統在顯示器產業和光電(photovoltaic, PV)產業正經歷強烈的需求增加。
由經塗佈之可撓性基板製成的產品的實例為觸控面板或有機發光二極體(organic light emitting diode, OLED)顯示器，由於它們較快的反應時間、較大的視角、較高的對比、較輕的重量、較低的功率、和對於可撓性基板的適應性，其近來在顯示器產業中相較於液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)得到更大的關注。
所以多年來，光電裝置如顯示裝置或觸控面板已逐漸發展成多層的系統，其中不同的層具有不同的功能。然而，傳統的多層系統的品質仍有待改良，例如是在結構穩定性和產品耐久度的方面。
鑑於前述情況，存在提供克服至少部分現有技術中之問題的適用於使用在光電裝置中的層系統、以及用於製造這類層系統的方法的需求。
鑑於上述情況，提供根據獨立項的層系統、以及製造層系統的方法。本揭露另外的方面、優點、及特徵，係藉由請求項、說明書、和所附圖式而明朗。
根據本揭露的一方面，提供一種適用於使用在光電裝置中的層系統。該層系統包含一可撓性基板、提供在可撓性基板上的一平坦化層、和提供在平坦化層上的一透明導電氧化物層。平坦化層係配置成用以封裝可撓性基板上的複數缺陷。另外，平坦化層係配置成用以共價結合到可撓性基板的表面。
根據本揭露的另一方面，提供一種適用於使用在光電裝置中的層系統。該層系統包含一可撓性基板、提供在可撓性基板上的一平坦化層、和提供在平坦化層上的一透明導電氧化物層。平坦化層係配置成用以封裝可撓性基板上的複數缺陷。另外，平坦化層係配置成用以共價結合到可撓性基板的表面，並促進透明導電氧化物層與平坦化層的黏著。平坦化層特別是具有厚度TPL 為100 nm ≤ TPL ≤ 800 nm，並由碳氧化矽(SiOx Cy )組成。另外，透明導電氧化物層具有厚度TTCO 為5 nm ≤ TTCO ≤ 100 nm，並由氧化矽(SiOx )或氧化鈮(NbOx )組成。
根據本揭露的又一方面，提供一種光電裝置，其具有根據在此所述之任何實施例的層系統。
根據本揭露的又另一方面，提供一種在連續捲繞式製程中製造層系統的方法。該方法包含在不破真空的情況下，提供一可撓性基板到至少一第一處理區和至少一第二處理區。另外，該方法包含在該至少一第一處理區中，沉積一平坦化層到可撓性基板上，使得可撓性基板上之複數缺陷由平坦化層所封裝。此外，該方法包含在該至少一第二處理區中，沉積一透明導電氧化物層到平坦化層上。沉積平坦化層特別是包含形成共價鍵於可撓性基板和平坦化層之間。
實施例也針對用於進行所揭露之方法的設備，並包含用於執行所述之各個方法方面的設備部分。這些方法方面可以藉由硬體元件、以適當軟體編程的電腦、藉由二者的任意組合、或以任何其他方式執行。此外，根據本揭露的實施例也針對用於操作所述設備的方法。用於操作所述設備的方法包含用於進行設備的每個功能的方法方面。
現在將對於各種實施例進行詳細說明，其一或更多個實例係分別繪示於圖中。各個實例係以解釋本揭露的方式來提供，而非意味作為限制。例如，作為一實施例的一部分而被繪示或敘述的特徵，能夠被使用於或結合任一其他實施例，以產生又再一實施例。本揭露意欲包含這類修改和變化。
在以下對於圖式的敘述中，相同的元件符號是指示相同或類似的元件。一般來說，只會對於個別實施例的不同之處進行敘述。除非另有明確指明，否則對於一實施例的一個部分或方面的敘述也能夠應用到另一實施例的對應部分或方面。
在更詳細地敘述本揭露的各種實施例之前，先解釋關於在此使用的一些術語和表達的某些情況。
在本揭露中，「層系統」應該被理解為層堆疊。在此所述的層系統特別是能夠被理解為具有不同材料組成物的至少二層的層堆疊。 在此所述的層系統特別是能夠為透明的。在此使用的用詞「透明」特別是能夠包含結構以相當低的散射傳輸光的能力，使得例如從中傳輸通過的光能夠實質上以清楚的方式被看見。
在本揭露中，「可撓性基板」可表徵為該基板係可彎曲的。例如，可撓性基板可為箔。特別是應該理解，在此所述的可撓性基板，能夠於在此所述的連續捲繞式製程中加以處理，例如是於在此所述的捲繞式處理系統加以處理。在此所述的可撓性基板特別是適合用於在可撓性基板上製造塗層或電子裝置。在此所述的可撓性基板特別是能夠為透明的，例如可撓性基板可由透明聚合物材料製成。更具體地說，在此所述的可撓性基板，可包含材料如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚乙烯(polyethylene, PE)、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚氨酯(polyurethane, PU)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methacrylic acid methyl ester))、三乙醯纖維素(triacetyl cellulose)、三乙酸纖維素(cellulose triacetate, TAC)、環烯烴聚合物(cyclo olefin polymer)、聚(萘二甲酸乙二酯)(poly(ethylene naphthalate))、一或更多種金屬、紙、其組合、以及已被塗佈的基板如硬塗佈聚對苯二甲酸乙二酯(hard coated PET, HC-PET)或硬塗佈三乙酸纖維素(hard coated TAC, HC-TAC)和類似者。
在本揭露中，「平坦化層」應該被理解為一層，其係配置成用以封裝該平坦化層沉積於其上之基板或層的缺陷和填充該基板或層的刮痕。因此，平坦化層應該被理解為一層，其配置成用於為接下來的處理行為，特別是接下來在平坦化層上的層沉積，提供明顯平滑的表面。在此所述的平坦化層特別是能夠為透明的。另外，平坦化層能夠配置成用以改良對於平坦化層沉積於其上之基板或層的黏著。舉例來說，平坦化層能夠配置成用以化學結合到該平坦化層沉積於其上之基板的表面或層的表面，例如是藉由共價鍵。在此所述的平坦化層典型地藉由使用CVD製程加以沉積，例如PECVD製程或熱絲化學氣相沉積(hot wire chemical vapor deposition, HWCVD)製程。另外，在此所述的平坦化層的機械性質能夠適應在此所述的可撓性基板的機械性質。例如，平坦化層的可撓性，如彈性模數(E-modulus)，能夠適應可撓性基板的機械性質。
在本揭露中，「透明導電氧化物層」應該被理解為一層，其為光學透明且電性導通的材料。
第1圖示出根據在此所述之實施例的一層系統100的示意圖。根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，層系統100係適用於使用在光電裝置中。層系統100特別是包含一可撓性基板101、提供在可撓性基板101上的一平坦化層110、和提供在平坦化層110上的一透明導電氧化物層120。舉例來說，可撓性基板101能夠包含選自於由聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、(聚(甲基丙烯酸甲酯) 、三乙醯纖維素、環烯烴聚合物、和聚(萘二甲酸乙二酯)所組成的群組的一聚合物材料。平坦化層110典型地配置成用以封裝可撓性基板101上的複數缺陷。另外，平坦化層係配置成用以共價結合到可撓性基板的表面。
因此提供了一種層系統，其相較於傳統的層系統具有改良的結構穩定性。另外，由於平坦化層係配置成用以封裝該平坦化層沉積於其上之基板的缺陷和填充該基板的刮痕，在此所述的層系統的品質得到改良。因此，能夠得到用於接下來的處理行為(特別是接下來的層沉積製程)的明顯平滑的表面。於是，藉由在光電裝置如顯示裝置或觸控面板中採用在此所述的層系統的實施例，也能夠改良光電裝置的品質和產品耐久度。
示例性地參考第1圖，根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，平坦化層110能夠具有厚度TPL 為100 nm ≤ TPL ≤ 800 nm。 例如，平坦化層110的厚度能夠選自於一範圍，其具有下限100 nm，特別是下限200 nm，更特別是下限300 nm，並具有上限600 nm，特別是上限700 nm，更特別是上限800 nm。因此，藉由提供有著具有在此所述之厚度TPL 的平坦化層的層系統，能夠改良整體層系統的品質。舉例來說，隨著平坦化層的厚度TPL 增加，能夠更有效地平滑化基板上的缺陷(例如刮痕或顆粒)。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的實施例，平坦化層的機械性質能夠適應可撓性基板的機械性質。例如，平坦化層的可撓性，如彈性模數，能夠適應可撓性基板的機械性質。因此，由於平坦化層能夠跟隨可撓性基板的變形，在此所述的層系統的結構穩定性能夠得到改良。
第2和3圖示出根據在此所述之實施例的層系統100其中一部分的細節，以描述平坦化層110的功能。特別是，第2圖示出在可撓性基板101的表面上包含缺陷結構D的層系統，而第3圖示出在可撓性基板101的表面上具有顆粒P的層系統。
示例性地參考第2圖，根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，平坦化層110的厚度TPL 係根據方程式：TPL [nm] = (1 - TTCO /hd ) × 100加以選擇，其中TTCO 為透明導電氧化物層的厚度，且其中hd 為基板上之一缺陷的高度。
因此，藉由根據方程式TPL [nm] = (1 - TTCO / hd ) × 100選擇平坦化層的厚度TPL ，能夠改良整體層系統的品質。特別是，能夠更有效地平滑化缺陷(例如刮痕或顆粒)。
根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，透明導電氧化物層120的厚度TTCO 能夠為5 nm ≤ TTCO ≤ 100 nm。例如，透明導電氧化物層120的厚度TTCO 能夠選自於一範圍，其具有下限5 nm，特別是下限10 nm，特別是下限20 nm，更特別是下限40 nm，並具有上限60 nm，特別是上限80 nm，更特別是上限100 nm。
根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，平坦化層110更配置成用以促進透明導電氧化物層120與平坦化層110的黏著。特別是，促進與透明導電氧化物層之黏著的平坦化層構造，能夠藉由具有在此所述之材料組成物的平坦化層而得到。
根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，透明導電氧化物層120可包含選自於由氧化矽(SiOx )、氧化鈮(NbOx )、和氧化銦錫(ITO)所組成的群組的至少一材料。透明導電氧化物層120特別是可由選自於由氧化矽(SiOx )、氧化鈮(NbOx )、和氧化銦錫(ITO)所組成的群組的至少一材料組成。
根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，平坦化層110包含碳氧化矽(SiOx Cy )。平坦化層110特別是由碳氧化矽(SiOx Cy )組成。因此，藉由採用具有在此所述之材料組成物的平坦化層，平坦化層係如在此所述地配置成用以共價結合到之可撓性基板的表面，其有利於改良層系統的結構穩定性。另外，包含碳氧化矽(SiOx Cy )的平坦化層，能夠有利於促進與沉積在平坦化層上之透明導電氧化物層的黏著。
示例性地參考第4A圖, 根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，層系統更包括一層堆疊 130，提供在平坦化層110上。層堆疊 130典型地包括氧化鈮(NbOx )的一第一層131、氧化矽(SiOx )的一第二層132、和氧化銦錫(ITO)的一第三層133，如第4B圖所示例性示出的。特別是，第一層131可由氧化鈮(NbOx )組成，第二層132可由氧化矽(SiOx )組成，而第三層133可由氧化銦錫(ITO)組成。
舉例來說，第一層131可具有厚度T1 為5 nm ≤ T1 ≤ 10 nm。例如，第一層131的厚度T1 能夠選自於一範圍，其具有下限5 nm，特別是下限6 nm，更特別是下限7 nm，並具有上限8 nm，特別是上限9 nm，更特別是上限10 nm。
第二層132可具有厚度T2 為40 nm ≤ T2 ≤ 80 nm。例如，第二層132的厚度T2 能夠選自於一範圍，其具有下限40 nm，特別是下限45 nm，更特別是下限50 nm，並具有上限60 nm，特別是上限70 nm，更特別是上限80 nm。
第三層133可具有厚度T3 為20 nm ≤ T3 ≤ 60 nm。例如，第三層133的厚度T3 能夠選自於一範圍，其具有下限20 nm，特別是下限25 nm，更特別是下限30 nm，並具有上限40 nm，特別是上限50 nm，更特別是上限60 nm。
示例性地參考第4C圖，根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，層堆疊 130可包含一第四層134，提供在可撓性基板101和第一層131之間。特別是，第四層134可具有厚度T4 為5 nm ≤ T2 ≤ 10 nm。例如，第四層134的厚度T4 能夠選自於一範圍，其具有下限5 nm，特別是下限6 nm，更特別是下限7 nm，並具有上限8 nm，特別是上限9 nm，更特別是上限10 nm。舉例來說，第四層能夠由氧化矽(SiOx )組成。
相較於傳統的層結構，提供有著在此所述之層堆疊 130的層系統，能夠有利於提升層系統的光學表現，特別是對於使用在光電裝置如OLED顯示器中的情況。舉例來說，在此所述之層堆疊，能夠有利於層系統的該些層的光學匹配，例如是為了得到具有抗反射性質的層系統。
根據一些能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，能夠使用物理氣相沉積(PVD)製程沉積第一層131、和/或第二層132、和/或第三層133、和/或第四層134。
根據能夠和在此所述之其他實施例結合的一實例，適用於使用在光電裝置中的層系統100，包含一可撓性基板101、提供在可撓性基板101上的一平坦化層110、和提供在平坦化層110上的一透明導電氧化物層120。平坦化層係配置成用以封裝可撓性基板上的複數缺陷。另外，平坦化層係配置成用以共價結合到可撓性基板的表面，並促進透明導電氧化物層與平坦化層的黏著。平坦化層特別是具有厚度TPL 為100 nm ≤ TPL ≤ 800 nm，並由碳氧化矽(SiOx Cy )組成。另外，透明導電氧化物層具有厚度TTCO 為5 nm ≤ TTCO ≤ 100 nm，並由氧化矽(SiOx )或氧化鈮(NbOx )組成。
因此，考慮到在此所述之層系統的實施例，應該理解，該層系統相當適合於在連續捲繞式製程中加以製造，特別是在連續捲繞式真空沉積製程中加以製造。
作為一個實例，用於製造根據在此所述之實施例的層系統的一處理系統300的示意圖係示於第5圖。特別是，第5圖示出一捲繞式處理系統，其配置成用於進行在連續捲繞式製程中製造阻障層系統的方法，該方法如示例性地參考第7圖所更詳細敘述者。
如第5圖所示例性示出的，處理系統300能夠包含至少三個腔室部分，例如一第一腔室部分302A、一第二腔室部分302B、和一第三腔室部分302C。在第三腔室部分302C，一或更多個沉積源630和一選擇性的蝕刻站430能夠提供作為處理工具。一基板，例如在此所述的可撓性基板，係提供在一第一輥764上，該第一輥764例如是具有一繞軸。可撓性基板從第一輥764解繞，如以箭頭108所示之基板運動方向所指示者。一分隔牆701係提供來分隔第一腔室部分302A和第二腔室部分302B。分隔牆701能夠更提供有複數間隙閘740，以允許可撓性基板101從中通過。一真空凸緣312提供在第二腔室部分302B和第三腔室部分302C之間，其能夠提供有開口，以接納至少部分的處理工具。
可撓性基板101移動通過提供在一塗佈鼓710並對應於沉積源630之位置的複數沉積區。在操作過程中，塗佈鼓710繞著軸旋轉，使得可撓性基板101在箭頭108的方向上移動。根據一些實施例，可撓性基板101經由一、二、或更多個輥子，從第一輥764引導到塗佈鼓710，並從塗佈鼓710引導到第二輥764’，第二輥764’例如是具有一繞軸，可撓性基板101在其處理之後於第二輥764’上捲繞。
根據一些實施例，沉積源630能夠被配置成用於沉積在此所述的層。作為一個實例，至少一沉積源能夠適用於平坦化層110的沉積，至少一沉積源能夠適用於透明導電氧化物層120的沉積。另外，沉積源可提供予沉積在此所述之層堆疊130。
在一些實施方案中，第一腔室部分302A分隔成一插頁腔室部單元302A1和一基板腔室部單元302A2。例如，插頁輥766/766’和插頁輥子305能夠提供作為處理系統300的模組元件。處理系統300能夠更包含一預加熱單元394，以加熱可撓性基板。再者，除此之外或替代性地，能夠提供一前處理電漿源392，例如一射頻(radio frequency, RF)電漿源，以在進入第三腔室部分302C之前使用電漿處理基板。
根據又另外的能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，也能夠選擇性地提供一光學量測單元494和/或一或更多個離子化單元492，光學量測單元494用於評估基板處理的結果，離子化單元492用於調適基板上的電荷。
根據一些實施例，可根據沉積製程和經塗佈之基板的後續應用來選擇沉積材料。例如，可根據此所述之平坦化層、透明導電氧化物層、和層堆疊中個別層分別的材料來選擇沉積源的沉積材料。
示例性地參考第6圖，根據本揭露的一方面，提供一光電裝置150，其具有根據在此所述之實施例的層系統100。因此應該理解，在此所述的層系統能夠有利於使用在光學應用如OLED中，以改良其中採用在此所述之層系統的光電裝置的結構穩定性。
示例性地參考第7圖，其敘述在連續捲繞式製程中製造層系統的一方法200的實施例。根據能夠和在此所述之其他實施例結合的實施例，方法200包含(見方塊210)在不破真空的情況下，提供一可撓性基板到至少一第一處理區和至少一第二處理區。另外，方法200包含(見方塊220)在該至少一第一處理區中，沉積一平坦化層到可撓性基板上，使得可撓性基板上之複數缺陷由平坦化層所封裝。此外，方法200包含(見方塊230)在該至少一第二處理區中，沉積一透明導電氧化物層到平坦化層上。沉積平坦化層特別是包含形成共價鍵於可撓性基板和平坦化層之間。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的方法的實施例，沉積平坦化層(方塊220)和沉積透明導電氧化物層(方塊230)包含使用PECVD製程和/或HWCVD製程。例如，在此所述的平坦化層、和/或透明導電氧化物層、和/或層堆疊可使用低溫微波PECVD製程加以沉積。
根據能夠和在此所述之任何其他實施例結合的方法的實施例，沉積平坦化層(方塊220)能夠包含使用選自於由六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane, HDMSO)、四甲基環四矽氧烷(tetramethyl cyclotetrasiloxane, TOMCAT, C4 H16 O4 Si4 )、六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane, HMDSN, [(CH3 )3 Si]2 NH)、和四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate, TEOS, Si(OC2 H5 )4 )所組成的群組的至少一前驅物。
另外，沉積透明導電氧化物層(方塊230)也可包含使用選自於由六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane, HDMSO)、四甲基環四矽氧烷(tetramethyl cyclotetrasiloxane, TOMCAT, C4 H16 O4 Si4 )、六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane, HMDSN, [(CH3 )3 Si]2 NH)、和四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate, TEOS, Si(OC2 H5 )4 )所組成的群組的至少一前驅物。特別是，沉積平坦化層(方塊220)和沉積透明導電氧化物層(方塊230)能夠包含使用相同的前驅物。
沉積平坦化層特別是能夠更包含使用選自於由作為起始劑的一過氧化物(特別是三級丁基過氧化物(tert-butyl peroxide, TBPO))、複數丙烯酸酯單體(特別是乙基-己基丙烯酸酯(ethyl-hexyl acrylate))、和一交聯劑(特別是丁二醇二丙烯酸酯(butanediol-diacrylate, BDDA))所組成的群組的至少一劑。因此，能夠改良在此所述之層系統的結構穩定性。
鑑於前述內容，應該理解在此所述之實施例係提供予改良之層系統、以及製造這類改良之層系統的方法，特別是為了使用在光電裝置中。
雖然前述內容是針對本揭露的實施例，但可在不背離本揭露的基本範圍的情況下，設計出本揭露其他和更進一步的實施例，本揭露的範圍係由下列的申請專利範圍決定。
特別是，此書面敘述使用實例以對於本揭露進行揭露，包含其最佳模式，並且也使得本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者能夠實行所述題材，包含製造和使用任何裝置或系統、及執行任何被納入的方法。雖然前述內容已揭露各種特定的實施例，上述實施例中不互相違背的技術特徵係可彼此結合。可專利範圍係由請求項決定，且如果申請專利範圍具有不異於請求項之字面語言的結構元件、或如果申請專利範圍包含與請求項之字面語言無實質上差異的等價結構元件，則其他的實例也意欲被包括在請求項的範圍之中。
100‧‧‧層系統
101‧‧‧可撓性基板
108‧‧‧箭頭
110‧‧‧平坦化層
120‧‧‧透明導電氧化物層
130‧‧‧層堆疊
131‧‧‧第一層
132‧‧‧第二層
133‧‧‧第三層
134‧‧‧第四層
150‧‧‧光電裝置
200‧‧‧方法
210‧‧‧方塊
220‧‧‧方塊
230‧‧‧方塊
300‧‧‧處理系統
302A‧‧‧第一腔室部分
302A1‧‧‧插頁腔室部單元
302A2‧‧‧基板腔室部單元
302B‧‧‧第二腔室部分
302C‧‧‧第三腔室部分
305‧‧‧插頁輥子
312‧‧‧真空凸緣
392‧‧‧前處理電漿源
394‧‧‧預加熱單元
430‧‧‧蝕刻站
492‧‧‧離子化單元
494‧‧‧光學量測單元
630‧‧‧沉積源
701‧‧‧分隔牆
710‧‧‧塗佈鼓
740‧‧‧間隙閘
764‧‧‧第一輥
764'‧‧‧第二輥
766‧‧‧插頁輥
766'‧‧‧插頁輥
D‧‧‧缺陷
hd‧‧‧高度
P‧‧‧顆粒
T1‧‧‧厚度
T2‧‧‧厚度
T3‧‧‧厚度
T4‧‧‧厚度
TPL‧‧‧厚度
TTCO‧‧‧厚度
為了能夠理解本揭露上述特徵的細節，可以參考實施例，得到對於簡單總括於上之揭露內容更詳細的敘述。所附圖式是關於本揭露的實施例，並敘述如下： 第1圖示出根據在此所述之實施例的層系統的示意圖。 第2和3圖示出根據在此所述之實施例的層系統其中一部分的細節，以描述平坦化層的功能。 第4A到4C圖示出根據又另外的在此所述之實施例的層系統的示意圖。 第5圖示出根據在此所述之實施例的製造層系統的處理系統的示意圖。 第6圖示出具有根據在此所述之實施例的層系統的光電裝置的示意圖。 第7圖示出描述根據在此所述之實施例的在連續捲繞式製程中製造層系統的方法的流程圖。

Claims (20)

  1. 一種適用於使用在光電裝置中的層系統(100)，包括： 一可撓性基板(101)， 一平坦化層(110)，提供在該可撓性基板(101)上，以及 一透明導電氧化物層(120)，提供在該平坦化層(110) 上， 其中該平坦化層(110)係配置成用以封裝該可撓性基板(101)上的複數缺陷，且其中該平坦化層係配置成用以共價結合到該可撓性基板的表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)具有厚度TPL 為100 nm ≤ TPL ≤ 800 nm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)的厚度TPL 係根據方程式： TPL = (1 - (TTCO /hd )) × 100 加以選擇，其中TTCO 為該透明導電氧化物層的厚度，其中hd 為該基板上之一缺陷的高度，且其中該厚度TPL 的單位為nm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之層系統(100)，其中該透明導電氧化物層(120)的厚度TTCO 為5 nm ≤ TTCO ≤ 100 nm。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)更配置成用以促進該透明導電氧化物層(120)與該平坦化層(110)的黏著。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)更配置成用以促進該透明導電氧化物層(120)與該平坦化層(110)的黏著。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)包含碳氧化矽(SiOx Cy )。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)由碳氧化矽(SiOx Cy )組成。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之層系統(100)，其中該平坦化層(110)由碳氧化矽(SiOx Cy )組成。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之層系統(100)，其中該透明導電氧化物層(120)包含選自於由氧化矽(SiOx )、氧化鈮(NbOx )、和氧化銦錫(ITO)所組成的群組的至少一材料。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之層系統(100)，更包括一層堆疊(130)，提供在該平坦化層(110)上，其中該層堆疊(130)包括氧化鈮(NbOx )的一第一層(131)、氧化矽(SiOx )的一第二層(132)、和氧化銦錫(ITO)的一第三層(133)。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之層系統(100)，更包括一層堆疊(130)，提供在該平坦化層(110)上，其中該層堆疊(130)包括氧化鈮(NbOx )的一第一層(131)、氧化矽(SiOx )的一第二層(132)、和氧化銦錫(ITO)的一第三層(133)。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之層系統(100)，其中該第一層(131)具有厚度T1 為5 nm ≤ T1 ≤ 10 nm，其中該第二層(132)具有厚度T2 為40 nm ≤ T2 ≤ 80 nm，且其中該第三層(133)具有厚度T3 為20 nm ≤ T3 ≤ 60 nm。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之層系統(100)，其中該可撓性基板(101)包括選自於由聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚(甲基丙烯酸甲酯) 、三乙醯纖維素、環烯烴聚合物、和聚(萘二甲酸乙二酯)所組成的群組的一聚合物材料。
  15. 一種適用於使用在光電裝置中的層系統(100)，包括： 一可撓性基板(101)， 一平坦化層(110)，提供在該可撓性基板(101)上，以及 一透明導電氧化物層(120) ，提供在該平坦化層(110) 上， 其中該平坦化層(110)係配置成用以封裝該可撓性基板(101)上的複數缺陷， 其中該平坦化層係配置成用以共價結合到該可撓性基板的表面，並促進該透明導電氧化物層(120)與該平坦化層(110)的黏著， 其中該平坦化層(110)具有厚度TPL 為100 nm ≤ TPL ≤ 800 nm，並由碳氧化矽(SiOx Cy )組成，且 其中該透明導電氧化物層(120)具有厚度TTCO 為5 nm ≤ TTCO ≤ 100 nm，並由氧化矽(SiOx )或氧化鈮(NbOx )組成。
  16. 一種光電裝置，具有如申請專利範圍第1至15項中任一項所述之層系統。
  17. 一種在連續捲繞式製程中製造層系統的方法(200)，該方法包括： 在不破真空的情況下，提供一可撓性基板到至少一第一處理區和至少一第二處理區， 在該至少一第一處理區中，沉積一平坦化層到該可撓性基板上，使得該可撓性基板上之複數缺陷由該平坦化層所封裝， 在該至少一第二處理區中，沉積一透明導電氧化物層到該平坦化層上， 其中沉積該平坦化層包含形成共價鍵於該可撓性基板和該平坦化層之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之製造層系統的方法(200)，其中沉積該平坦化層和沉積該透明導電氧化物層包括使用PECVD製程和/或HWCVD製程。
  19. 如申請專利範圍第17或18項所述之製造層系統的方法(200)，其中沉積該平坦化層包含使用選自於由六甲基二矽氧烷(HDMSO)、四甲基環四矽氧烷(TOMCAT, C4 H16 O4 Si4 )、六甲基二矽氮烷(HMDSN, [(CH3 )3 Si]2 NH)、和四乙氧基矽烷(TEOS, Si(OC2 H5 )4 )所組成的群組的至少一前驅物，且其中沉積該平坦化層(220)更包含使用選自於由作為起始劑的一過氧化物、複數丙烯酸酯單體、和一交聯劑所組成的群組的至少一劑。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之製造層系統的方法(200)，其中作為起始劑的該過氧化物包含三級丁基過氧化物(tert-butyl peroxide, TBPO)，其中該些丙烯酸酯單體包含乙基-己基丙烯酸酯，且其中該交聯劑包含丁二醇二丙烯酸酯(butanediol-diacrylate, BDDA)。
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