KR20200115211A - 전자 부품 - Google Patents

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KR20200115211A
KR20200115211A KR1020200034327A KR20200034327A KR20200115211A KR 20200115211 A KR20200115211 A KR 20200115211A KR 1020200034327 A KR1020200034327 A KR 1020200034327A KR 20200034327 A KR20200034327 A KR 20200034327A KR 20200115211 A KR20200115211 A KR 20200115211A
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아츠시 다케다
다케히사 다무라
신야 오노데라
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티디케이가부시기가이샤
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Abstract

전자 부품은, 실장면을 구성하는 주면과, 주면과 인접하는 단부면을 가지고 있는 소체와, 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 외부 전극은, 주면의 일부와 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 가지고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 단부면과 주면의 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 주면 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고 있다. 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이고, 제2 영역의 최소 두께가 T2(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T2는,
T2/T1≥0.26
의 관계를 만족시킨다.

Description

전자 부품 {ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 전자 부품에 관한 것이다.
소체(素體)와, 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있는 전자 부품이 알려져 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2018-157029호 공보 참조). 소체는, 실장면을 구성하는 주면과, 상기 주면과 인접하는 단부면을 가지고 있다. 외부 전극은, 주면의 일부와 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 가지고 있다.
도전성 수지층은, 일반적으로, 수지와, 도전성을 갖는 입자를 포함하고 있다. 수지는, 수분을 흡수하는 경향이 있다. 전자 부품이 전자 기기에 납땜 실장되는 경우, 수지에 흡수된 수분이 가스화되어, 체적 팽창하는 경우가 있다. 이 경우, 도전성 수지층에 응력이 작용하여, 도전성 수지층에 균열이 발생하고, 도전성 수지층이 박리될 우려가 있다. 도전성을 갖는 입자는, 예를 들어 금속으로 이루어진다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다.
본 발명의 하나의 양태의 목적은, 도전성 수지층의 박리를 억제하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
하나의 양태에 관한 전자 부품은, 소체와, 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있다. 소체는, 실장면을 구성하는 주면과, 주면과 인접하는 단부면을 가지고 있다. 외부 전극은, 주면의 일부와 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 가지고 있다. 도전성 수지층은, 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 단부면과 주면의 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 주면 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고 있다. 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이고, 제2 영역의 최소 두께가 T2(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과 최소 두께 T2는,
T2/T1≥0.26
의 관계를 만족시킨다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항이 판명되었다.
도전성 수지층을 덮고 있는 도금층은, 도전성 수지층과 밀착되기 쉽기는 하지만, 소체와는 밀착되기 어렵다. 따라서, 도금층의 단부 모서리와 소체의 사이에는, 간극이 존재한다. 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우, 수분으로부터 발생한 가스가, 도금층의 단부 모서리와 소체의 사이의 간극에 이르면, 가스는, 간극을 통하여 외부 전극 밖으로 방출된다. 수분으로부터 발생한 가스가 외부 전극 밖으로 방출되므로, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이하, 도금층의 단부 모서리와 소체의 사이의 간극은, 간단히 「간극」이라 칭해진다.
본 발명자들은, 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이르는 구성에 대해서, 가일층의 조사 연구를 행하였다.
도전성 수지층의 제3 영역은, 간극에 가까우므로, 제3 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극에 이르기 쉽다. 제2 영역이, 제1 영역과 제3 영역의 사이에 위치하고 있으므로, 제1 영역은, 간극으로부터 떨어져 있다. 따라서, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극에 이르기 어렵다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스를 외부 전극 밖으로 방출하기 위해서는, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이르는 구성의 실현이 요망된다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이르는 것이라면, 제3 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도, 간극에 확실하게 이른다.
본 발명자들은, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로에 착안하였다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 제2 영역을 통해, 제3 영역에 이른다. 따라서, 가스가, 제2 영역을 이동하기 쉬우면, 가스는, 제1 영역으로부터 제3 영역에 이르기 쉽다. 이 결과, 본 발명자들은, 제1 영역의 두께 및 제2 영역의 두께가 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 확실하게 이른다는 것을 알아내었다. 즉, 제1 영역의 최대 두께 T1과, 제2 영역의 최소 두께 T2가,
T2/T1≥0.26
의 관계를 만족시키는 경우, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 제2 영역을 거쳐, 제3 영역에 확실하게 이른다.
따라서, 상기 하나의 양태에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 제2 영역 및 제3 영역을 거쳐, 간극에 확실하게 이른다. 간극에 이른 가스는, 외부 전극 밖으로 방출되어, 도전성 수지층에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 상기 하나의 양태는, 도전성 수지층의 박리를 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T2는,
T2/T1≤0.91
의 관계를 만족시켜도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
간극은, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구이면서, 외부 전극 내로의 수분의 입구이다. 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 제1 영역에 이르면, 수분은 제1 영역에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가할 우려가 있다. 따라서, 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및 제2 영역의 두께가 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아내었다. 즉, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T2가,
T2/T1≤0.91
의 관계를 만족시키는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우에도, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가와, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 제3 영역의 최대 두께가 T3(㎛)인 경우, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3은,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시켜도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스를, 보다 한층 확실하게 간극에 이르게 하기 위해서는, 가스가 제3 영역을 보다 한층 이동하기 쉬운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및 제3 영역의 두께가, 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 가스가 제3 영역을 보다 한층 이동하기 쉽다는 것을 알아내었다. 즉, 제1 영역의 최대 두께 T1과, 제3 영역의 최대 두께 T3이,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시키는 경우, 가스가 제3 영역을 보다 한층 이동하기 쉽다. 따라서, 본 구성에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 확실하게 간극에 이른다. 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3은,
T3/T1≤1.88
의 관계를 만족시켜도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
상술한 바와 같이, 제1 영역이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극에 이르기까지의 경로는, 수분이 제1 영역에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 즉, 제3 영역은, 수분이 통과하는 경로 상에 위치하고 있다. 따라서, 수분이 제1 영역에 흡수되는 것을 억제하기 위해서는, 수분이, 제3 영역을 거쳐, 제1 영역에 이르기 어려운 구성의 실현이 요망된다.
본 발명자들은, 제1 영역의 두께, 및 제3 영역의 두께가, 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 수분이 제1 영역에 이르기 어렵다는 것을 알아내었다. 즉, 최대 두께 T1과, 상기 두께 T3이,
T3/T1≤1.88
의 관계를 만족시키는 구성에서는, 수분이 간극으로부터 침입하는 경우에도, 수분이, 제3 영역을 거쳐, 제1 영역에 이르기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 도전성 수지층(제1 영역)에 흡수되는 수분의 증가와, 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 제3 영역의 최대 두께 T3은, 최소 두께 T2보다 두꺼워도 된다.
본 발명자들은, 제2 영역의 두께, 및 제3 영역의 두께가, 원하는 관계를 만족시키는 경우에도, 가스가 제3 영역을 보다 한층 이동하기 쉽다는 것을 알아내었다. 즉, 제3 영역의 최대 두께가, 최소 두께 T2보다 두꺼운 경우, 가스가 제3 영역을 보다 한층 이동하기 쉽다. 따라서, 본 구성에서는, 도전성 수지층(제1 영역)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 확실하게 간극에 이른다. 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 주면 및 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 제3 영역의 표면은, 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있어도 된다.
본 구성에서는, 제3 영역의 두께가 국소적으로 작아지기 어려우므로, 제3 영역에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에서 좁아지기 어렵다. 따라서, 본 구성은, 가스가 제3 영역을 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 확실하게 간극에 이른다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 확실하게 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 외부 전극은, 주면과 단부면에 걸쳐 마련되어 있으면서 도전성 수지층에 의해 덮여 있는 소결 금속층을 추가로 가지고 있어도 된다. 단부면을 포함하는 면을 기준면으로 하여, 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 모서리로부터 제3 영역의 단부 모서리까지의 길이는, 단부면에 직교하는 방향에서의 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 모서리까지의 길이보다 길어도 된다.
본 발명자들의 조사 연구의 결과, 이하의 사항도 판명되었다.
소체와 도전성 수지층의 밀착 정도는, 소결 금속층과 도전성 수지층의 밀착 정도보다 낮다. 따라서, 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면은, 가스의 이동 경로에 기여하기 어렵기는 하지만, 소체와 도전성 수지층의 계면은, 가스의 이동 경로로서 기여하기 쉽다.
본 발명자들은, 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면의 길이, 및 소체와 도전성 수지층의 계면의 길이에 착안하였다. 이 결과, 본 발명자들은, 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 모서리까지의 길이, 및 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 모서리로부터 제3 영역의 단부 모서리까지의 길이가 원하는 관계를 만족시키는 경우에, 가스의 이동 경로가 증가한다는 것을 알아내었다. 단부면에 직교하는 방향에서의 소결 금속층의 단부 모서리로부터 제3 영역의 단부 모서리까지의 길이는, 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 기준면으로부터 소결 금속층의 단부 모서리까지의 길이보다 긴 경우, 가스의 이동 경로가 증가한다. 따라서, 본 구성에서는, 도전성 수지층이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 간극을 향해서 이동하기 쉽다. 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 구성은, 도전성 수지층의 박리를 보다 한층 억제한다.
상기 하나의 양태에서는, 주면에 직교하는 방향으로부터 보아, 제3 영역의 단부 모서리는, 만곡되어 있어도 된다.
본 구성에서는, 제3 영역의 단부 모서리가 직선형인 구성에 비해서, 제3 영역의 단부 모서리의 길이가 길다. 따라서, 본 구성에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가, 외부 전극으로부터 보다 한층 방출되기 쉽다. 이 결과, 도전성 수지층에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다.
본 발명은, 단지 예시를 위해 제공된 것으로서 그에 따라 본 발명을 한정하는 것으로 간주되지 않는, 이하에 기술된 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 더욱 잘 이해될 것이다.
본 발명의 추가적인 적용 범위는 이하에 기술된 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나, 그 상세한 설명 및 특정 실시예들은, 비록 본 발명의 바람직한 구체예를 나타내기는 하지만, 기술 분야에 숙련된 자에게는, 이 상세한 설명으로부터 본 발명의 사상 및 범주 내의 다양한 변경과 수정이 가능함은 명백해질 것이므로, 단지 예시로서 기술된 것으로 이해되어야 한다.
도 1은, 일 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 사시도이다.
도 2는, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 측면도이다.
도 3은, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은, 소체, 제1 전극층, 및 제2 전극층을 나타내는 평면도이다.
도 7은, 소체, 제1 전극층, 및 제2 전극층을 나타내는 측면도이다.
도 8은, 소체, 제1 전극층, 및 제2 전극층을 나타내는 단부면도이다.
도 9는, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은, 각 시료에 있어서의 제2 전극층에서의 박리의 발생률을 나타내는 도표이다.
도 11은, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는, 동일 부호를 사용하기로 하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 9를 참조하여, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서(C1)의 구성을 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 사시도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 측면도이다. 도 3, 도 4, 및 도 5는, 본 실시 형태에 관한 적층 콘덴서의 단면 구성을 나타내는 도면이다. 도 6은, 소체, 제1 전극층, 및 제2 전극층을 나타내는 평면도이다. 도 7은, 소체, 제1 전극층, 및 제2 전극층을 나타내는 측면도이다. 도 8은, 소체, 제1 전극층, 및 제2 전극층을 나타내는 단부면도이다. 도 9는, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 전자 부품은, 예를 들어 적층 콘덴서(C1)이다.
적층 콘덴서(C1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 직육면체 형상으로 되어 있는 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 적층 콘덴서(C1)는, 한 쌍의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 한 쌍의 외부 전극(5)은, 소체(3)에 배치되어 있다. 한 쌍의 외부 전극(5)은 서로 이격되어 있다. 직육면체 형상은, 모퉁이부 및 능선부가 모따기되어 있는 직육면체의 형상, 및 모퉁이부 및 능선부가 라운딩되어 있는 직육면체의 형상을 포함한다.
소체(3)는 서로 대향하고 있는 한 쌍의 주면(3a, 3b)과, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 측면(3c)과, 서로 대향하고 있는 한 쌍의 단부면(3e)을 가지고 있다. 한 쌍의 주면(3a, 3b), 한 쌍의 측면(3c), 및 한 쌍의 단부면(3e)은, 직사각형을 하고 있다. 한 쌍의 주면(3a, 3b)이 대향하고 있는 방향이, 제1 방향(D1)이다. 한 쌍의 측면(3c)이 대향하고 있는 방향이, 제2 방향(D2)이다. 한 쌍의 단부면(3e)이 대향하고 있는 방향이, 제3 방향(D3)이다. 적층 콘덴서(C1)는, 전자 기기에 납땜 실장된다. 전자 기기는, 예를 들어 회로 기판 또는 전자 부품을 포함한다. 적층 콘덴서(C1)에서는, 주면(3a)이 전자 기기와 대향한다. 주면(3a)은 실장면을 구성하도록 배치된다. 주면(3a)은 실장면이다.
제1 방향(D1)은, 각 주면(3a, 3b)에 직교하는 방향이며, 제2 방향(D2)과 직교하고 있다. 제3 방향(D3)은, 각 주면(3a, 3b)과 각 측면(3c)에 평행인 방향이며, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)에 직교하고 있다. 제2 방향(D2)은, 각 측면(3c)에 직교하는 방향이며, 제3 방향(D3)은, 각 단부면(3e)에 직교하는 방향이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 제2 방향(D2)에서의 길이는, 소체(3)의 제1 방향(D1)에서의 길이보다 길다. 소체(3)의 제3 방향(D3)에서의 길이는, 소체(3)의 제1 방향(D1)에서의 길이보다 크고, 또한 소체(3)의 제2 방향(D2)에서의 길이보다 길다. 제3 방향(D3)이, 소체(3)의 길이 방향이다.
소체(3)의 제1 방향(D1)에서의 길이는, 소체(3)의 높이다. 소체(3)의 제2 방향(D2)에서의 길이는, 소체(3)의 폭이다. 소체(3)의 제3 방향(D3)에서의 길이는, 소체(3)의 길이다. 본 실시 형태에서는, 소체(3)의 높이는, 0.5 내지 2.5㎜이고, 소체(3)의 폭은, 0.5 내지 5.0㎜이고, 소체(3)의 길이는, 1.0 내지 5.7㎜이다. 예를 들어, 소체(3)의 높이는, 2.5㎜이고, 소체(3)의 폭은, 2.5㎜이고, 소체(3)의 길이는, 3.2㎜이다.
한 쌍의 측면(3c)은, 한 쌍의 주면(3a, 3b)을 연결하도록 제1 방향(D1)으로 연장되어 있다. 한 쌍의 측면(3c)은 제3 방향(D3)으로도 연장되어 있다. 한 쌍의 단부면(3e)은, 한 쌍의 주면(3a, 3b)을 연결하도록 제1 방향(D1)으로 연장되어 있다. 한 쌍의 단부면(3e)은 제2 방향(D2)으로도 연장되어 있다.
소체(3)는 한 쌍의 능선부(3g)와, 한 쌍의 능선부(3h)와, 네 능선부(3i)와, 한 쌍의 능선부(3j)와, 한 쌍의 능선부(3k)를 가지고 있다. 능선부(3g)는, 단부면(3e)과 주면(3a)의 사이에 위치하고 있다. 능선부(3h)는 단부면(3e)과 주면(3b)의 사이에 위치하고 있다. 능선부(3i)는, 단부면(3e)과 측면(3c)의 사이에 위치하고 있다. 능선부(3j)는, 주면(3a)과 측면(3c)의 사이에 위치하고 있다. 능선부(3k)는, 주면(3b)과 측면(3c)의 사이에 위치하고 있다. 본 실시 형태에서는, 각 능선부(3g, 3h, 3i, 3j, 3k)는 만곡되도록 라운딩되어 있다. 소체(3)에는, 소위 R 모따기 가공이 실시되어 있다.
단부면(3e)과 주면(3a)은, 능선부(3g)를 개재하여, 간접적으로 인접하고 있다. 단부면(3e)과 주면(3b)은, 능선부(3h)를 개재하여, 간접적으로 인접하고 있다. 단부면(3e)과 측면(3c)은, 능선부(3i)를 개재하여, 간접적으로 인접하고 있다. 주면(3a)과 측면(3c)은, 능선부(3j)를 개재하여, 간접적으로 인접하고 있다. 주면(3b)과 측면(3c)은, 능선부(3k)를 개재하여, 간접적으로 인접하고 있다.
소체(3)는, 제2 방향(D2)으로 복수의 유전체층이 적층되어서 구성되어 있다. 소체(3)는 적층되어 있는 복수의 유전체층을 가지고 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제2 방향(D2)과 일치한다. 각 유전체층은, 예를 들어 유전체 재료를 포함하는 세라믹 그린 시트의 소결체로 구성되어 있다. 유전체 재료는, 예를 들어 BaTiO3계, Ba(Ti,Zr)O3계, 또는 (Ba,Ca)TiO3계 등의 유전체 세라믹을 포함한다. 실제의 소체(3)에서는, 각 유전체층은, 각 유전체층의 사이의 경계를 시인할 수 없을 정도로 일체화되어 있다. 소체(3)에서는, 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향(D1)과 일치되어 있어도 된다.
적층 콘덴서(C1)는, 도 3 내지 도 5에 나타나는 바와 같이, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)을 구비하고 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 소체(3) 내에 배치되어 있는 내부 도체이다. 각 내부 전극(7, 9)은, 적층형 전자 부품의 내부 전극으로서 통상 사용되는 도전성 재료로 이루어진다. 도전성 재료는, 예를 들어 비(卑)금속을 포함한다. 도전성 재료는, 예를 들어 Ni 또는 Cu를 포함한다. 내부 전극(7, 9)은, 상기 도전성 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 소결체로서 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 내부 전극(7, 9)은 Ni로 이루어진다.
내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향(D2)에 있어서 상이한 위치(층)에 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 소체(3) 내에 있어서, 제2 방향(D2)으로 간격을 가지고 대향하도록 교대로 배치되어 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 서로 극성이 다르다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향(D1)인 경우, 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향(D1)에 있어서 다른 위치(층)에 배치된다. 내부 전극(7, 9)의 일단부는, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있다. 내부 전극(7, 9)은, 대응하는 단부면(3e)에 노출되어 있는 일단부를 가지고 있다.
복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은, 제2 방향(D2)으로 교대로 배열되어 있다. 각 내부 전극(7, 9)은, 측면(3c)과 대략 평행인 면 내에 위치하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제2 방향(D2)으로 서로 대향하고 있다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)이 대향하고 있는 방향(제2 방향(D2))은, 측면(3c)과 평행인 방향(제1 방향(D1) 및 제3 방향(D3))과 직교하고 있다. 복수의 유전체층의 적층 방향이 제1 방향(D1)인 경우, 복수의 내부 전극(7)과 복수의 내부 전극(9)은, 제1 방향(D1)으로 교대로 배열된다. 이 경우, 각 내부 전극(7, 9)은 각 주면(3a, 3b)과 대략 평행인 면 내에 위치한다. 내부 전극(7)과 내부 전극(9)은, 제1 방향(D1)으로 서로 대향한다.
외부 전극(5)은, 도 1에 나타나는 바와 같이, 소체(3)의 제3 방향(D3)에서의 양단부에 각각 배치되어 있다. 각 외부 전극(5)은 소체(3)에 있어서의, 대응하는 단부면(3e)측에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 적어도 서로 인접하는 주면(3a)과 단부면(3e)에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은 도 2 내지 도 5에 나타나는 바와 같이, 복수의 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)를 가지고 있다. 전극부(5a)는, 주면(3a) 상 및 능선부(3g) 상에 배치되어 있다. 전극부(5b)는, 능선부(3h) 상에 배치되어 있다. 각 전극부(5c)는, 측면(3c) 상 및 능선부(3i) 상에 배치되어 있다. 전극부(5e)는, 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 외부 전극(5)은, 능선부(3j) 상에 배치되어 있는 전극부도 가지고 있다. 외부 전극(5)은, 적어도 단부면(3e)에 배치되어 있다.
외부 전극(5)은, 하나의 주면(3a), 하나의 단부면(3e), 및 한 쌍의 측면(3c)의 네 면, 그리고 능선부(3g, 3h, 3i, 3j)에 형성되어 있다. 서로 인접하는 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)는 접속되어 있고, 전기적으로 접속되어 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일단부를 모두 덮고 있다. 전극부(5e)는, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 직접적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 전기적으로 접속되어 있다. 외부 전극(5)은, 도 3 내지 도 5에 나타나는 바와 같이, 제1 전극층(E1), 제2 전극층(E2), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 제4 전극층(E4)은, 외부 전극(5)의 최외층을 구성하고 있다. 각 전극부(5a, 5c, 5e)는 제1 전극층(E1), 제2 전극층(E2), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 전극부(5b)는, 제1 전극층(E1), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다.
전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3g) 상에 배치되어 있고, 주면(3a) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 주면(3a)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3g)의 전체와 접하고 있다. 주면(3a)은, 제1 전극층(E1)에 의해 덮여 있지 않고, 제1 전극층(E1)으로부터 노출되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3a) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3a)의 일부와도 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
전극부(5a)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1) 상 및 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)의 전체를 덮고 있다. 전극부(5a)에서는, 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)의 전체와 접하고 있다. 제2 전극층(E2)은, 주면(3a)의 일부와 접하고 있다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5a)의 제2 전극층(E2)은, 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E2a를 갖는다. 전극부(5a)는, 능선부(3g) 상에서는 4층 구조를 가지고 있고, 주면(3a) 상에서는 3층 구조를 가지고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층(E2)은, 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
전극부(5a)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)과 소체(3)의 사이에 위치하도록, 능선부(3g)의 전체와 주면(3a)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층(E2)은, 주면(3a)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제2 전극층(E2)은, 능선부(3g)에 형성되어 있는 제1 전극층(E1)의 전체를 직접 덮고 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)이, 주면(3a) 상에 배치되어 있는 경우, 전극부(5a)는 주면(3a) 및 능선부(3g) 상에서 4층 구조를 갖는다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)이, 주면(3a) 상에 배치되어 있는 경우, 제2 전극층(E2)의 영역 E2a는, 주면(3a)과 접하고 있는 부분과, 제1 전극층(E1)과 접하고 있는 부분을 포함한다.
전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3h) 상에 배치되어 있고, 주면(3b) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3h)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 주면(3b)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3h)의 전체와 접하고 있다. 주면(3b)은 제1 전극층(E1)에 의해 덮여 있지 않고, 제1 전극층(E1)으로부터 노출되어 있다. 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3b) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3b)의 일부와 능선부(3h)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3b)의 일부와도 접한다. 주면(3b)의 일부는, 예를 들어 주면(3b)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5b)는 제2 전극층(E2)을 가지고 있지 않다. 주면(3b)은 제2 전극층(E2)에 의해 덮여 있지 않고, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있다. 제2 전극층(E2)은, 주면(3b)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5b)는 3층 구조를 가지고 있다.
전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3i) 상에 배치되어 있고, 측면(3c) 상에는 배치되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 측면(3c)에 형성되어 있지 않다. 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 능선부(3i)의 전체와 접하고 있다. 측면(3c)은, 제1 전극층(E1)에 의해 덮여 있지 않고, 제1 전극층(E1)으로부터 노출되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 측면(3c) 상에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 측면(3c)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 즉, 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 측면(3c)의 일부와도 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
전극부(5c)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1) 상 및 측면(3c) 상에 배치되어 있다. 제1 전극층(E1)의 일부가, 제2 전극층(E2)으로 덮여 있다. 전극부(5c)에서는, 제2 전극층(E2)은, 측면(3c)의 일부와 제1 전극층(E1)의 일부에 접하고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층(E2)은, 측면(3c) 상에 위치하고 있는 영역 E2c를 갖는다. 전극부(5c)의 제2 전극층(E2)은, 능선부(3i)의 일부와 측면(3c)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 능선부(3i)의 일부는, 예를 들어 능선부(3i)에 있어서의 주면(3a) 근처의 일부 영역이다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 주면(3a) 및 단부면(3e) 근처의 모퉁이 영역이다. 전극부(5c)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)과 소체(3)의 사이에 위치하도록, 능선부(3i)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층(E2)은, 측면(3c)의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)에 있어서의 능선부(3i)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)이, 측면(3c) 상에 배치되어 있는 경우, 제2 전극층(E2)의 영역 E2c는, 측면(3c)과 접하고 있는 부분과, 제1 전극층(E1)에 접하고 있는 부분을 포함한다.
전극부(5c)는, 복수의 영역 5c1, 5c2를 가지고 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(5c)는 두 영역 5c1, 5c2만을 가지고 있다. 영역 5c2는, 영역 5c1보다도 주면(3a) 근처에 위치하고 있다. 영역 5c1은 제1 전극층(E1), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 영역 5c1은 제2 전극층(E2)을 가지고 있지 않다. 영역 5c1은, 3층 구조를 가지고 있다. 영역 5c2는 제1 전극층(E1), 제2 전극층(E2), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 영역 5c2는 능선부(3i) 상에서는 4층 구조를 가지고 있으며, 측면(3c) 상에서는 3층 구조를 가지고 있다. 영역 5c1은 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있는 영역이다. 영역 5c2는 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)으로 덮여 있는 영역이다. 영역 5c2가 영역 E2c를 가지고 있다.
전극부(5e)의 제1 전극층(E1)은, 단부면(3e) 상에 배치되어 있다. 단부면(3e)의 전체가, 제1 전극층(E1)에 의해 덮여 있다. 전극부(5e)의 제1 전극층(E1)은, 단부면(3e)의 전체와 접하고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1) 상에 배치되어 있다. 제1 전극층(E1)의 일부가, 제2 전극층(E2)으로 덮여 있다. 전극부(5e)에서는, 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)의 일부와 접하고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층(E2)은, 단부면(3e) 상에 위치하고 있는 영역 E2e를 갖는다. 전극부(5e)의 제2 전극층(E2)은, 단부면(3e)의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 단부면(3e)의 일부는, 예를 들어 단부면(3e)에 있어서의 주면(3a) 근처의 일부 영역이다. 전극부(5e)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)과 소체(3)의 사이에 위치하도록, 단부면(3e)의 일부를 간접적으로 덮고 있다. 전극부(5e)의 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)에 있어서의 단부면(3e)에 형성되어 있는 부분의 일부를 직접 덮고 있다. 전극부(5e)에서는, 제1 전극층(E1)은, 대응하는 내부 전극(7, 9)의 일단부와 접속되도록 단부면(3e)에 형성되어 있다.
전극부(5e)는 복수의 영역 5e1, 5e2를 가지고 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(5e)는 두 영역 5e1, 5e2만을 가지고 있다. 영역 5e2는, 영역 5e1보다도 주면(3a) 근처에 위치하고 있다. 영역 5e1은, 제1 전극층(E1), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 영역 5e1은, 제2 전극층(E2)을 가지고 있지 않다. 영역 5e1은, 3층 구조를 가지고 있다. 영역 5e2는, 제1 전극층(E1), 제2 전극층(E2), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 전극부(5e)에서는, 제3 전극층(E3) 및 제4 전극층(E4)은, 제3 방향(D3)으로부터 보아, 단부면(3e)의 전체를 덮도록 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 전극층(E3) 및 제4 전극층(E4)은, 단부면(3e)의 전체를 간접적으로 덮고 있다. 영역 5e2는, 4층 구조를 가지고 있다. 영역 5e1은, 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있는 영역이다. 영역 5e2는, 제1 전극층(E1)이 제2 전극층(E2)으로 덮여 있는 영역이다. 영역 5e2가, 영역 E2e를 가지고 있다.
제1 전극층(E1)은, 소체(3)의 표면에 부여된 도전성 페이스트를 베이킹함으로써 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 단부면(3e) 및 능선부(3g, 3h, 3i)를 덮도록 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 도전성 페이스트에 포함되는 금속 성분(금속 분말)이 소결됨으로써 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 소결 금속층이다. 제1 전극층(E1)은, 소체(3)에 형성된 소결 금속층이다. 제1 전극층(E1)은, 한 쌍의 주면(3a, 3b) 및 한 쌍의 측면(3c)에 의도적으로 형성되어 있지 않다. 예를 들어 제조 오차 등에 의해, 제1 전극층(E1)이 의도치 않게 주면(3a, 3b) 및 측면(3c)에 형성되어 있어도 된다. 본 실시 형태에서는, 제1 전극층(E1)은, Cu로 이루어지는 소결 금속층이다. 제1 전극층(E1)은, Ni로 이루어지는 소결 금속층이어도 된다. 제1 전극층(E1)은, 비금속을 포함하고 있다. 도전성 페이스트는, 예를 들어 Cu 또는 Ni로 이루어지는 분말, 유리 성분, 유기 바인더, 및 유기 용제를 포함하고 있다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 가지고 있는 제1 전극층(E1)은, 일체적으로 형성되어 있다.
제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1) 상, 주면(3a) 상, 및 한 쌍의 측면(3c) 상에 부여된 도전성 수지를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1) 상과 소체(3) 상에 걸쳐 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 제2 전극층(E2)을 형성하기 위한 하지 금속층이다. 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)을 덮는 도전성 수지층이다. 도전성 수지는, 예를 들어 수지, 도전성 재료, 및 유기 용매를 포함하고 있다. 수지는, 예를 들어 열경화성 수지다. 도전성 재료는, 예를 들어 금속 분말이다. 금속 분말은, 예를 들어 Ag 분말 또는 Cu 분말이다. 열경화성 수지는, 예를 들어 페놀 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 또는 폴리이미드 수지다.
본 실시 형태에서는, 제2 전극층(E2)은, 제1 전극층(E1)의 일부를 덮고 있다. 제1 전극층(E1)의 일부는, 예를 들어 제1 전극층(E1)에 있어서의, 전극부(5a), 전극부(5c)의 영역 5c2, 및 전극부(5e)의 영역 5e2에 대응하는 영역이다. 제2 전극층(E2)은, 능선부(3j)의 일부를 직접 덮고 있다. 능선부(3j)의 일부는, 예를 들어 능선부(3j)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다. 제2 전극층(E2)은, 능선부(3j)의 일부와 접하고 있다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 가지고 있는 제2 전극층(E2)은, 일체적으로 형성되어 있다.
제3 전극층(E3)은, 제2 전극층(E2) 상에 도금법에 의해 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제3 전극층(E3)은, 제2 전극층(E2) 상에 Ni 도금에 의해 형성되어 있다. 제3 전극층(E3)은, Ni 도금층이다. 제3 전극층(E3)은, Sn 도금층, Cu 도금층, 또는 Au 도금층이어도 된다. 제3 전극층(E3)은, Ni, Sn, Cu, 또는 Au를 포함하고 있다. Ni 도금층은, 제2 전극층(E2)에 포함되는 금속보다도 내땜납 침출성(solder leach resistance)이 우수하다.
제4 전극층(E4)은, 제3 전극층(E3) 상에 도금법에 의해 형성되어 있다. 제4 전극층(E4)은, 땜납 도금층이다. 본 실시 형태에서는, 제4 전극층(E4)은, 제3 전극층(E3) 상에 Sn 도금에 의해 형성되어 있다. 제4 전극층(E4)은, Sn 도금층이다. 제4 전극층(E4)은, Sn-Ag 합금 도금층, Sn-Bi 합금 도금층, 또는 Sn-Cu 합금 도금층이어도 된다. 제4 전극층(E4)은, Sn, Sn-Ag 합금, Sn-Bi 합금, 또는 Sn-Cu 합금을 포함하고 있다.
제3 전극층(E3)과 제4 전극층(E4)은, 제2 전극층(E2)에 형성되는 도금층 PL을 구성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 전극층(E2)에 형성되는 도금층 PL은, 2층 구조를 가지고 있다. 제3 전극층(E3)은, 최외층을 구성하는 제4 전극층(E4)과, 제2 전극층(E2)의 사이에 위치하고 있는 중간 도금층이다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 가지고 있는 제3 전극층(E3)은, 일체적으로 형성되어 있다. 각 전극부(5a, 5b, 5c, 5e)가 가지고 있는 제4 전극층(E4)은, 일체적으로 형성되어 있다.
제1 전극층(E1)(전극부(5e)의 제1 전극층(E1))은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 접속되도록, 단부면(3e)에 형성되어 있다. 제1 전극층(E1)은, 단부면(3e)의 전체, 능선부(3g)의 전체, 능선부(3h)의 전체, 및 능선부(3i)의 전체를 덮고 있다. 제2 전극층(E2)(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층(E2))은, 주면(3a)의 일부, 단부면(3e)의 일부, 및 한 쌍의 측면(3c)의 각 일부를 연속하여 덮고 있다. 제2 전극층(E2)(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층(E2))은 능선부(3g)의 전체, 능선부(3i)의 일부, 및 능선부(3j)의 일부를 덮고 있다. 제2 전극층(E2)은, 주면(3a)의 일부, 단부면(3e)의 일부, 한 쌍의 측면(3c)의 각 일부, 능선부(3g)의 전체, 능선부(3i)의 일부, 및 능선부(3j)의 일부에 각각 대응하는 복수의 부분을 가지고 있다. 제1 전극층(E1)(전극부(5e)의 제1 전극층(E1))은, 대응하는 내부 전극(7, 9)과 직접적으로 접속되어 있다.
제1 전극층(E1)(전극부(5a, 5b, 5c, 5e)의 제1 전극층(E1))은, 제2 전극층(E2)(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층(E2))으로 덮여 있는 영역과, 제2 전극층(E2)(전극부(5a, 5c, 5e)의 제2 전극층(E2))으로 덮여 있지 않은 영역을 가지고 있다. 제2 전극층(E2)으로 덮여 있지 않은 영역은, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있는 영역이다. 제3 전극층(E3) 및 제4 전극층(E4)은, 제1 전극층(E1)의 제2 전극층(E2)으로 덮여 있지 않은 영역과, 제2 전극층(E2)을 덮고 있다.
도 6에 나타나는 바와 같이, 제1 방향(D1)으로부터 보았을 때, 제1 전극층(E1)(전극부(5a)의 제1 전극층(E1))의 전체가 제2 전극층(E2)으로 덮여 있다. 제1 방향(D1)으로부터 보았을 때, 제1 전극층(E1)(전극부(5a)의 제1 전극층(E1))은, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있지 않다.
도 7에 나타나 있는 바와 같이, 제2 방향(D2)으로부터 보았을 때, 제1 전극층(E1)의 주면(3a) 근처의 단부 영역이, 제2 전극층(E2)으로 덮여 있다. 제1 전극층(E1)의 주면(3a) 근처의 단부 영역은, 영역 5c2가 갖는 제1 전극층(E1)을 포함하고 있다. 제2 방향(D2)으로부터 보았을 때, 제2 전극층(E2)의 단부 모서리 Ee2가, 제1 전극층(E1)의 단부 모서리 Ee1과 교차하고 있다. 제2 방향(D2)으로부터 보았을 때, 제1 전극층(E1)의 주면(3b) 근처의 단부 영역은, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있다. 제1 전극층(E1)의 주면(3b) 근처의 단부 영역은, 영역 5c1이 갖는 제1 전극층(E1)을 포함하고 있다.
도 8에 나타나는 바와 같이, 제3 방향(D3)으로부터 보았을 때, 제1 전극층(E1)의 주면(3a) 근처의 단부 영역이, 제2 전극층(E2)으로 덮여 있다. 제1 전극층(E1)의 주면(3a) 근처의 단부 영역은, 영역 5e2이 갖는 제1 전극층(E1)을 포함하고 있다. 제3 방향(D3)으로부터 보았을 때, 제2 전극층(E2)의 단부 모서리 Ee2가, 제1 전극층(E1) 상에 위치하고 있다. 제3 방향(D3)으로부터 보았을 때, 제1 전극층(E1)의 주면(3b) 근처의 단부 영역은, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있다. 제1 전극층(E1)의 주면(3b) 근처의 단부 영역은, 영역 5e1이 갖는 제1 전극층(E1)을 포함하고 있다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 제2 전극층(E2)은, 주면(3a)의 일부만, 단부면(3e)의 일부만, 및 한 쌍의 측면(3c)의 각 일부만을 연속하여 덮고 있다. 제2 전극층(E2)은, 능선부(3g)의 전체, 능선부(3i)의 일부만, 및 능선부(3j)의 일부만을 덮고 있다. 제1 전극층(E1)의, 능선부(3i)를 덮고 있는 부분의 일부는, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있다. 예를 들어, 영역 5c1이 갖는 제1 전극층(E1)은, 제2 전극층(E2)으로부터 노출되어 있다.
도 9에 나타나는 바와 같이, 제2 전극층(E2)은, 주면(3a)의 일부와 단부면(3e)의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있다. 제2 전극층(E2)은, 단부면(3e) 상에 위치하고 있는 영역 E2e와, 주면(3a) 상에 위치하고 있는 영역 E2a와, 능선부(3g) 상에 위치하고 있는 영역 E2g를 포함하고 있다. 영역 E2e는, 전극부(5e)의 영역 5e2가 가지고 있는 제2 전극층(E2)이다. 영역 E2a 및 영역 E2g는, 전극부(5a)가 가지고 있는 제2 전극층(E2)이다. 예를 들어, 영역 E2e가 제1 영역을 구성하는 경우, 영역 E2g가 제2 영역을 구성함과 함께, 영역 E2a가 제3 영역을 구성한다.
영역 E2e의 최대 두께 T1(㎛)과, 영역 E2g의 최소 두께 T2(㎛)는,
T2/T1≥0.26
의 관계를 만족시키고 있다. 최대 두께 T1과, 영역 E2a의 최대 두께 T3(㎛)은,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최대 두께 T1은, 단부면(3e) 상에서의 제2 전극층(E2)의 최대 두께다. 최소 두께 T2는, 능선부(3g) 상에서의 제2 전극층(E2)의 최소 두께다. 최대 두께 T3은, 주면(3a) 상에서의 제2 전극층(E2)의 최대 두께다. 최대 두께 T3은, 최소 두께 T2보다 작아도 된다.
최대 두께 T1과, 최소 두께 T2는,
T2/T1≤0.91
의 관계를 만족시키고 있어도 된다. 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3은,
T3/T1≤1.88
의 관계를 만족시키고 있어도 된다.
최대 두께 T1, 최소 두께 T2, 및 최대 두께 T3은, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제2 전극층(E2)을 포함하는 적층 콘덴서(C1)의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행이고, 또한 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면에서 적층 콘덴서(C1)를 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득한 단면 사진 상에서의, 제2 전극층(E2)의 각 두께 T1, T2, T3이 산출된다. 최대 두께 T1은, 제3 방향(D3)에서의 영역 E2e의 두께의 최댓값이다. 최소 두께 T2는, 제1 방향(D1)에서의 영역 E2g의 두께의 최솟값이다. 영역 E2g의 두께는, 예를 들어 능선부(3g)의 법선 방향에서의 두께다. 최대 두께 T3은, 영역 E2a의 두께의 최댓값이다.
도 9에 나타나는 바와 같이, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면은, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다. 영역 E2a의 두께는, 영역 E2a의 최대 두께 위치로부터 영역 E2a의 단부 모서리를 향해서 점차 작게 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 영역 E2a의 두께의 변화에 기인하여, 영역 E2a의 표면은 만곡되어 있다.
도 6에 나타나는 바와 같이, 제1 방향(D1)으로부터 보아, 영역 E2a(제2 전극층(E2))의 단부 모서리 Ee2는, 만곡되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 방향(D1)으로부터 보아, 제3 방향(D3)에서의 영역 E2a의 길이는, 제2 방향(D2)에서의 단부보다 제2 방향(D2)에서의 중앙에서 크게 되어 있다. 제3 방향(D3)에서의 영역 E2a의 길이는, 제2 방향(D2)에서의 중앙에서 가장 크고, 제2 방향(D2)으로 단부를 향함에 따라서 점차 작게 되어 있다.
도금층 PL은, 상술한 바와 같이, 제3 전극층(E3) 및 제4 전극층(E4)을 포함하고 있다. 도금층 PL은, 영역 E2a 상에 위치하고 있는 부분 PL1과, 영역 E2e 상에 위치하고 있는 부분 PL2를 가지고 있다. 부분 PL1은, 단부 모서리 PL1e를 가지고 있다. 도금층 PL(제3 전극층(E3) 및 제4 전극층(E4))은, 소체(3)로부터 떨어져 있다. 도 9에 나타나는 바와 같이, 단부 모서리 PL1e와 소체(3)(주면(3a))의 사이에는, 간극(17)이 존재하고 있다. 간극(17)의 폭은, 예를 들어 0보다 크고 3㎛ 이하다. 본 실시 형태에서는, 단부면(3e)의 전체가 외부 전극(5)으로 덮여 있으므로, 부분 PL2는, 단부 모서리를 가지고 있지 않다. 부분 PL2와 소체(3)의 사이에는, 제1 전극층(E1) 및 제2 전극층(E2)이 위치하고 있다. 따라서, 부분 PL2와 소체(3)의 사이에는, 간극이 존재하지 않는다.
도시를 생략하지만, 도금층 PL은, 영역 E2c 상에 위치하고 있는 부분을 가지고 있다. 영역 E2c 상에 위치하고 있는 부분은, 단부 모서리를 가지고 있다. 영역 E2c 상에 위치하고 있는 부분이 갖는 단부 모서리와 소체(3)(측면(3c))의 사이에는, 간극이 존재하고 있다. 이 간극의 폭은, 예를 들어 0보다 크고 3㎛ 이하다.
여기서, 최대 두께 T1, 최소 두께 T2, 및 최대 두께 T3의 관계에 대해서 상세하게 설명한다.
본 발명자들은, 최대 두께 T1의 범위, 최소 두께 T2의 범위, 및 최대 두께 T3의 범위를 밝히기 위해서, 이하와 같은 시험을 행하였다. 본 발명자들은, 최대 두께 T1, 최소 두께 T2, 및 최대 두께 T3이 다른 시료 1 내지 11을 준비하고, 각 시료 1 내지 11에 있어서의, 제2 전극층(E2)에서의 박리의 발생률을 확인하였다. 그 결과가 도 10에 나타난다. 도 10은, 각 시료에 있어서의 제2 전극층에서의 박리의 발생률을 나타내는 도표이다.
각 시료 1 내지 11은, 복수의 검체를 포함하는 로트다. 각 시료 1 내지 11의 검체는, 후술하는 바와 같이, 두께 T1, T2, T3이 다른 점을 제외하고 동일한 구성을 가지고 있는 적층 콘덴서다. 각 시료 1 내지 11의 검체에서는, 소체(3)의 높이가 2.5㎜이고, 소체(3)의 폭이 2.5㎜이고, 소체(3)의 길이가 3.2㎜이다.
시료 1의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 58㎛이고, 최소 두께 T2가 12㎛이고, 최대 두께 T3이 13㎛이다.
시료 2의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 80㎛이고, 최소 두께 T2가 20㎛이고, 최대 두께 T3이 40㎛이다.
시료 3의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 82㎛이고, 최소 두께 T2가 21㎛이고, 최대 두께 T3이 49㎛이다.
시료 4의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 87㎛이고, 최소 두께 T2가 25㎛이고, 최대 두께 T3이 54㎛이다.
시료 5의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 79㎛이고, 최소 두께 T2가 29㎛이고, 최대 두께 T3이 39㎛이다.
시료 6의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 79㎛이고, 최소 두께 T2가 29㎛이고, 최대 두께 T3이 42㎛이다.
시료 7의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 82㎛이고, 최소 두께 T2가 30㎛이고, 최대 두께 T3이 49㎛이다.
시료 8의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 80㎛이고, 최소 두께 T2가 32㎛이고, 최대 두께 T3이 86㎛이다.
시료 9의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 79㎛이고, 최소 두께 T2가 29㎛이고, 최대 두께 T3이 119㎛이다.
시료 10의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 82㎛이고, 최소 두께 T2가 62㎛이고, 최대 두께 T3이 124㎛이다.
시료 11의 각 검체에서는, 최대 두께 T1이 82㎛이고, 최소 두께 T2가 75㎛이고, 최대 두께 T3이 154㎛이다.
제2 전극층(E2)에서의 박리의 발생률은, 이하와 같이 하여 구해졌다.
시료 1 내지 11마다, 12개의 검체가 선택되고, 선택된 검체가 항온 항습조에서 5시간 방치되었다. 항온 항습조 내에서는, 온도가 121℃이고, 상대 습도가 95％이다. 그 후, 검체에 대해서 질소 분위기 중에서 3회의 리플로우 시험이 실시되었다. 리플로우 시험에서는, 피크 온도가 260℃이다.
리플로우 시험 후에, 단부면(3e)에 직교하는 평면을 따라 검체가 절단되고, 절단면에서의 제2 전극층(E2)의 박리 유무가 눈으로 확인되었다. 제2 전극층(E2)에 박리가 발생되어 있는 검체의 수가 카운트되고, 제2 전극층(E2)에서의 박리의 발생률(％)이 산출되었다.
상술한 시험의 결과, 도 10에 나타나는 바와 같이, 본 발명자들은, 시료 3 내지 11에서는, 시료 1 및 2에 비해서, 제2 전극층(E2)에서의 박리의 발생률이 대폭으로 저하된다는 것을 확인하였다. 시료 3 내지 9에서는, 제2 전극층(E2)에 박리가 발생한 검체는 존재하지 않았다.
제2 전극층(E2)을 덮고 있는 도금층 PL은, 제2 전극층(E2)과 밀착되기 쉽기는 하지만, 소체(3)와는 밀착되기 어렵다. 따라서, 도금층 PL의 단부 모서리 PL1e와 소체(3)의 사이에는, 간극(17)이 존재한다. 제2 전극층(E2)이 포함하는 수지에 흡수된 수분이 가스화된 경우에도, 수분으로부터 발생한 가스가, 간극(17)에 이르면, 가스는, 간극(17)을 통해 외부 전극(5) 밖으로 방출된다. 수분으로부터 발생한 가스가 외부 전극(5) 밖으로 방출되므로, 제2 전극층(E2)에 응력이 작용하기 어렵다.
영역 E2g가, 영역 E2e와 영역 E2a의 사이에 위치하고 있으므로, 영역 E2e는, 간극(17)으로부터 이격되어 있다. 적층 콘덴서(C1)에서는, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T2가,
T2/T1≥0.26
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 영역 E2g를 거쳐, 영역 E2a에 확실하게 이른다. 영역 E2e로부터 영역 E2a에 이른 가스는, 간극(17)에 확실하게 이른다. 영역 E2a는, 영역 E2e보다 간극(17)에 가깝다. 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 확실하게 이르는 것이라면, 영역 E2a가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스도, 간극(17)에 확실하게 이른다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 제2 전극층(E2)(영역 E2e)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 간극(17)에 확실하게 이른다. 간극(17)에 이른 가스는, 외부 전극(5) 밖으로 방출되어, 제2 전극층(E2)에 응력이 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 억제한다.
제2 전극층(E2)은, 도 7에 나타나는 바와 같이, 측면(3c) 상에 위치하고 있는 영역 E2c와, 능선부(3i) 상에 위치하고 있는 영역 E2i를 포함하고 있다. 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스는, 영역 E2i와 영역 E2c를 거쳐, 도금층 PL과 소체(3)의 사이의 간극으로부터도 방출된다. 그러나, 영역 E2a 및 영역 E2g의 면적은, 영역 E2c 및 영역 E2i의 면적보다 크고, 제2 전극층(E2)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 방출은, 영역 E2a 및 영역 E2g가 지배적이다. 따라서, 영역 E2a 및 영역 E2g가, 제2 전극층(E2)의 박리 억제에 주로 기여한다.
간극(17)은, 제2 전극층(E2)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스의 출구이면서, 외부 전극(5) 내로의 수분의 입구다. 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E2e에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 수분이 영역 E2e에 이르면, 수분은 영역 E2e에 흡수된다. 이 경우, 가스의 발생량이 증가될 우려가 있다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 최대 두께 T1과, 최소 두께 T2가,
T2/T1≤0.91
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수분이 간극(17)으로부터 침입하는 경우에도, 수분이 영역 E2e에 이르기 어렵다. 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)(영역 E2e)에 흡수되는 수분의 증가, 및 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3이,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 영역 E2a를 보다 한층 이동하기 쉽다. 적층 콘덴서(C1)에서는, 제2 전극층(E2)(영역 E2e)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 확실하게 간극(17)에 이르므로, 제2 전극층(E2)에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
상술한 바와 같이, 영역 E2e가 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가 간극(17)에 이르기까지의 경로는, 수분이 영역 E2e에 이르는 경로가 될 우려가 있다. 영역 E2a는, 수분이 통과하는 경로 상에 위치하고 있다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3은,
T3/T1≤1.88
의 관계를 만족시키고 있다. 따라서, 수분이 간극(17)으로부터 침입하는 경우에도, 수분이, 영역 E2a를 거쳐, 영역 E2e에 이르기 어렵다. 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)(영역 E2e)에 흡수되는 수분의 증가, 및 수분으로부터 발생하는 가스의 증가를 억제한다. 이 결과, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 최대 두께 T3은, 최소 두께 T2보다 두껍다. 이 경우, 가스가 영역 E2a를 보다 한층 이동하기 쉽다. 따라서, 적층 콘덴서(C1)에서는, 제2 전극층(E2)(영역 E2e)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 확실하게 간극(17)에 이른다. 제2 전극층(E2)에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다. 이 결과, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면은, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있다.
영역 E2a의 표면이, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E2a의 두께가 국소적으로 작아지기 어려우므로, 영역 E2a에서의 가스의 이동 경로가, 당해 이동 경로의 도중에서 좁아지기 어렵다. 따라서, 적층 콘덴서(C1)는, 가스가 영역 E2a를 이동하는 것을 저해하기 어렵다. 제2 전극층(E2)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 보다 한층 확실하게 간극(17)에 이른다. 이 결과, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
적층 콘덴서(C1)에서는, 제1 방향(D1)으로부터 보아, 영역 E2a의 단부 모서리 Ee2가 만곡되어 있다.
영역 E2a의 단부 모서리 Ee2가 만곡되어 있는 구성에서는, 영역 E2a의 단부 모서리 Ee2가 직선형인 구성에 비해서, 영역 E2a의 단부 모서리 Ee2의 길이가 길다. 따라서, 적층 콘덴서(C1)에서는, 가스가 나오는 영역이 커서, 가스가, 외부 전극(5)으로부터 보다 한층 방출되기 쉽다. 이 결과, 제2 전극층(E2)에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다.
다음으로, 도 11을 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 관한 적층 콘덴서의 구성을 설명한다. 도 11은, 외부 전극의 단면 구성을 나타내는 도면이다. 본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 대략, 상술한 적층 콘덴서(C1)와 유사 또는 동일하지만, 본 변형예는, 제1 전극층(E1)의 구성에 관하여, 상술한 실시 형태와 다르다. 이하, 상술한 실시 형태와 본 변형예의 상위점을 주로 설명한다.
본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 적층 콘덴서(C1)와 동일하게, 소체(3)와, 복수의 외부 전극(5)을 구비하고 있다. 각 외부 전극(5)은 복수의 전극부(5a, 5c, 5e)를 가지고 있다. 각 외부 전극(5)은, 제1 전극층(E1), 제2 전극층(E2), 제3 전극층(E3), 및 제4 전극층(E4)을 가지고 있다. 도시는 생략하지만, 본 변형예에 관한 적층 콘덴서는, 복수의 내부 전극(7) 및 복수의 내부 전극(9)도 구비하고 있다.
도 11에 나타나는 바와 같이, 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3a) 상에 배치되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3a)의 일부와 능선부(3g)의 전체를 덮도록 형성된다. 제1 전극층(E1)은, 주면(3a)과 단부면(3e)에 걸쳐 마련되어 있다. 전극부(5a)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3a)의 일부와 접한다. 주면(3a)의 일부는, 예를 들어 주면(3a)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3b) 상에 배치되어 있다. 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3b)의 일부와 능선부(3h)의 전체를 덮도록 형성된다. 제1 전극층(E1)은, 주면(3b)과 단부면(3e)에 걸쳐 마련되어 있다. 전극부(5b)의 제1 전극층(E1)은, 주면(3b)의 일부와 접한다. 주면(3b)의 일부는, 예를 들어 주면(3b)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
제3 방향(D3)에서의 제1 전극층(E1)의 단부 모서리로부터 영역 E2a의 단부 모서리까지의 길이 L1은, 제3 방향(D3)에서의 기준면 RP로부터 제1 전극층(E1)의 단부 모서리까지의 길이 L2보다 길다. 기준면 RP는, 단부면(3e)을 포함하는 면이다.
각 길이 L1, L2는, 예를 들어 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
제1 전극층(E1) 및 제2 전극층(E2)을 포함하는 적층 콘덴서의 단면 사진이 취득된다. 단면 사진은, 예를 들어 한 쌍의 측면(3c)에 평행이고, 또한 한 쌍의 측면(3c)으로부터 등거리에 위치하고 있는 평면으로 적층 콘덴서를 절단하였을 때의 단면을 촬영함으로써 얻어진다. 취득된 단면 사진 상에서의, 각 길이 L1, L2가 산출된다.
도시를 생략하지만, 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 측면(3c) 상에도 배치되어 있다. 이 경우, 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 측면(3c)의 일부와 능선부(3i)의 전체를 덮도록 형성된다. 제1 전극층(E1)은, 측면(3c)과 단부면(3e)에 걸쳐 마련되어 있다. 전극부(5c)의 제1 전극층(E1)은, 측면(3c)의 일부와 접한다. 측면(3c)의 일부는, 예를 들어 측면(3c)에 있어서의 단부면(3e) 근처의 일부 영역이다.
소체(3)와 제2 전극층(E2)의 밀착 정도는, 제1 전극층(E1)과 제2 전극층(E2)의 밀착 정도보다 낮다. 따라서, 제1 전극층(E1)과 제2 전극층(E2)의 계면은, 가스의 이동 경로에 기여하기 어렵기는 하지만, 소체(3)와 제2 전극층(E2)의 계면은, 가스의 이동 경로로서 기여하기 쉽다.
길이 L1이 길이 L2보다 긴 구성에서는, 길이 L1이 길이 L2 이하인 구성에 비해서, 가스의 이동 경로가 많다. 본 변형예에서는, 제2 전극층(E2)이 포함하는 수지에 흡수된 수분으로부터 발생한 가스가, 간극(17)을 향해서 이동하기 쉽다. 따라서, 제2 전극층(E2)에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다. 이 결과, 본 변형예는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
본 명세서에서는, 어떤 요소가 다른 요소 상에 배치되어 있다고 기술되어 있는 경우, 어떤 요소는, 다른 요소 상에 직접 배치되어 있어도 되고, 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있어도 된다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 배치되어 있는 경우, 개재 요소가, 어떤 요소와 다른 요소의 사이에 존재하고 있다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 직접 배치되어 있는 경우, 개재 요소는, 어떤 요소와 다른 요소의 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어떤 요소가 다른 요소 상에 위치하고 있다고 기술되어 있는 경우, 어떤 요소는, 다른 요소 상에 직접 위치하고 있어도 되고, 다른 요소 상에 간접적으로 위치하고 있어도 된다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 간접적으로 위치하고 있는 경우, 개재 요소가, 어떤 요소와 다른 요소의 사이에 존재하고 있다. 어떤 요소가 다른 요소 상에 직접 위치하고 있는 경우, 개재 요소는, 어떤 요소와 다른 요소의 사이에 존재하지 않는다.
본 명세서에서는, 어떤 요소가 다른 요소를 덮는다고 기술되어 있는 경우, 어떤 요소는, 다른 요소를 직접 덮고 있어도 되고, 다른 요소를 간접적으로 덮고 있어도 된다. 어떤 요소가 다른 요소를 간접적으로 덮고 있는 경우, 개재 요소가, 어떤 요소와 다른 요소의 사이에 존재하고 있다. 어떤 요소가 다른 요소를 직접 덮고 있는 경우, 개재 요소는, 어떤 요소와 다른 요소의 사이에 존재하지 않는다.
이상, 본 발명의 실시 형태 및 변형예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다.
최대 두께 T1과, 최소 두께 T2는,
T2/T1≤0.91
의 관계를 만족시키지 않아도 된다. 최대 두께 T1과, 최소 두께 T2가,
T2/T1≤0.91
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
최대 두께 T1과, 최대 두께 T3은,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시키지 않아도 된다. 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3이,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
최대 두께 T1과, 최대 두께 T3은,
T3/T1≤1.88
의 관계를 만족시키지 않아도 된다. 최대 두께 T1과, 최대 두께 T3이,
T3/T1≥0.49
의 관계를 만족시키고 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
최대 두께 T3은, 최소 두께 T2 이하여도 된다. 최대 두께 T3이, 최소 두께 T2보다 두꺼운 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 억제한다.
주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면은, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있지 않아도 된다. 주면(3a) 및 단부면(3e)에 직교하는 단면에 있어서, 영역 E2a의 표면이, 주면(3a)으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 적층 콘덴서(C1)는, 제2 전극층(E2)의 박리를 보다 한층 확실하게 억제한다.
제1 방향(D1)으로부터 보아, 영역 E2a의 단부 모서리 Ee2는, 만곡되어 있지 않아도 된다. 제1 방향(D1)으로부터 보아, 영역 E2a의 단부 모서리 Ee2는, 만곡되어 있는 경우, 상술한 바와 같이, 제2 전극층(E2)에 응력이 보다 한층 작용하기 어렵다.
본 실시 형태에서는, 전자 부품으로서 적층 콘덴서를 예로 들어 설명하였지만, 적용 가능한 전자 부품은, 적층 콘덴서에 한정되지 않는다. 적용 가능한 전자 부품은, 예를 들어 적층 인덕터, 적층 배리스터, 적층 압전 액추에이터, 적층 서미스터, 또는 적층 복합 부품 등의 적층 전자 부품, 또는 적층 전자 부품 이외의 전자 부품이다.

Claims (8)

  1. 전자 부품이며,
    실장면을 구성하는 주면과, 상기 주면과 인접하는 단부면을 가지고 있는 소체와,
    상기 소체에 배치되어 있는 외부 전극을 구비하고 있고,
    상기 외부 전극은, 상기 주면의 일부와 상기 단부면의 일부를 연속하여 덮도록 마련되어 있는 도전성 수지층과, 상기 도전성 수지층을 덮고 있는 도금층을 가지고,
    상기 도전성 수지층은, 상기 단부면 상에 위치하고 있는 제1 영역과, 상기 단부면과 상기 주면의 사이의 능선부 상에 위치하고 있는 제2 영역과, 상기 주면 상에 위치하고 있는 제3 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역의 최대 두께가 T1(㎛)이고, 상기 제2 영역의 최소 두께가 T2(㎛)인 경우, 상기 최대 두께 T1과, 상기 최소 두께 T2는,
    T2/T1≥0.26
    의 관계를 만족시키는
    전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 최대 두께 T1과, 상기 최소 두께 T2는,
    T2/T1≤0.91
    의 관계를 만족시키는
    전자 부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 영역의 최대 두께가 T3(㎛)인 경우, 상기 최대 두께 T1과, 상기 최대 두께 T3은,
    T3/T1≥0.49
    의 관계를 만족시키는
    전자 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 최대 두께 T1과, 상기 최대 두께 T3은,
    T3/T1≤1.88
    의 관계를 만족시키는
    전자 부품.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 영역의 최대 두께 T3은, 상기 최소 두께 T2보다 두꺼운
    전자 부품.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주면 및 상기 단부면에 직교하는 단면에 있어서, 상기 제3 영역의 표면은, 상기 주면으로부터 떨어지는 방향으로 볼록 형상으로 만곡되어 있는
    전자 부품.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 전극은, 상기 주면과 상기 단부면에 걸쳐 마련되어 있으면서 상기 도전성 수지층에 의해 덮여 있는 소결 금속층을 추가로 갖고,
    상기 단부면을 포함하는 면을 기준면으로 하여, 상기 단부면에 직교하는 방향에서의 상기 소결 금속층의 단부 모서리로부터 상기 제3 영역의 단부 모서리까지의 길이는, 상기 단부면에 직교하는 상기 방향에서의 상기 기준면으로부터 상기 소결 금속층의 상기 단부 모서리까지의 길이보다 긴
    전자 부품.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주면에 직교하는 방향으로부터 보아, 상기 제3 영역의 단부 모서리는, 만곡되어 있는
    전자 부품.
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