JP2020161516A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】素体３は、実装面を構成する主面３ａと、主面３ａと隣り合う端面３ｅとを有している。外部電極５は、素体３に配置されている。外部電極５は、第二電極層Ｅ２と、第二電極層Ｅ２を覆っているめっき層ＰＬと、を有している。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部と端面３ｅの一部とを連続して覆うように設けられている。第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置している領域Ｅ２ｅと、端面３ｅと主面３ａとの間の稜線部３ｇ上に位置している領域Ｅ２ｇと、主面３ａ上に位置している領域Ｅ２ａと、を含んでいる。領域Ｅ２ｅの最大厚みがＴ１（μｍ）であり、領域Ｅ２ｇの最小厚みがＴ２（μｍ）である場合、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とは、Ｔ２／Ｔ１≧０．２６の関係を満たしている。【選択図】図９

Description

本発明は、電子部品に関する。

素体と、素体に配置されている外部電極と、を備えている電子部品が知られている（たとえば、特許文献１参照）。素体は、実装面を構成する主面と、前記主面と隣り合う端面と、を有している。外部電極は、主面の一部と端面の一部とを連続して覆うように設けられている導電性樹脂層と、導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有している。

特開２０１８−１５７０２９号公報

導電性樹脂層は、一般に、樹脂と、導電性を有する粒子とを含んでいる。樹脂は、水分を吸収する傾向にある。電子部品が電子機器にはんだ実装される場合、樹脂に吸収された水分がガス化して、体積膨張することがある。この場合、導電性樹脂層に応力が作用して、導電性樹脂層に亀裂が生じ、導電性樹脂層が剥離するおそれがある。導電性を有する粒子は、たとえば、金属からなる。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。

本発明の一つの態様は、導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品を提供することを目的とする。

一つの態様に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている外部電極と、を備えている。素体は、実装面を構成する主面と、主面と隣り合う端面とを有している。外部電極は、主面の一部と端面の一部とを連続して覆うように設けられている導電性樹脂層と、導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有している。導電性樹脂層は、端面上に位置している第一領域と、端面と主面との間の稜線部上に位置している第二領域と、主面上に位置している第三領域と、を含んでいる。第一領域の最大厚みがＴ１（μｍ）であり、第二領域の最小厚みがＴ２（μｍ）である場合、最大厚みＴ１と最小厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≧０．２６
の関係を満たす。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項が判明した。
導電性樹脂層を覆っているめっき層は、導電性樹脂層と密着しやすいものの、素体とは密着しがたい。したがって、めっき層の端縁と素体との間には、間隙が存在する。樹脂に吸収された水分がガス化した場合でも、水分から発生したガスが、めっき層の端縁と素体との間の間隙に至ると、ガスは、間隙を通して外部電極外に放出される。水分から発生したガスが外部電極外に放出されるので、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。以下、めっき層の端縁と素体との間の間隙は、単に「間隙」と称される。

本発明者らは、水分から発生したガスが間隙に確実に至る構成について、更なる調査研究を行った。
導電性樹脂層の第三領域は、間隙に近いので、第三領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りやすい。これに対し、第二領域は、第一領域と第三領域との間に位置しているので、第一領域は、間隙から離れている。したがって、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙に至りがたい。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを外部電極外に放出するためには、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至る構成の実現が望まれる。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至るのであれば、第三領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙に確実に至る。

本発明者らは、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路に着目した。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、第二領域を通り、第三領域に至る。したがって、ガスが、第二領域を移動しやすいと、ガスは、第一領域から第三領域に至りやすい。この結果、本発明者らは、第一領域の厚み及び第二領域の厚みが所望の関係を満たす場合に、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に確実に至ることを見出した。すなわち、第一領域の最大厚みＴ１と、第二領域の最小厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．２６
の関係を満たす場合、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、第二領域を経て、第三領域に確実に至る。

したがって、上記一つの態様では、導電性樹脂層（第一領域）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、第二領域及び第三領域を経て、間隙に確実に至る。間隙に至ったガスは、外部電極外に放出され、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。この結果、上記一つの態様は、導電性樹脂層の剥離を抑制する。

上記一つの態様では、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
の関係を満たしてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
間隙は、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極内への水分の入口である。第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。水分が第一領域に至ると、水分は第一領域に吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。

本発明者らは、第一領域の厚み、及び、第二領域の厚みが所望の関係を満たす場合に、水分が第一領域に至りがたいことを見出した。すなわち、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層（第一領域）に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、第三領域の最大厚みがＴ３（μｍ）である場合、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たしてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスを、より一層確実に間隙に至らせるためには、ガスが第三領域をより一層移動しやすい構成の実現が望まれる。

本発明者らは、第一領域の厚み、及び、第三領域の厚みが、所望の関係を満たす場合に、ガスが第三領域をより一層移動しやすいことを見出した。すなわち、第一領域の最大厚みＴ１と、第三領域の最大厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たす場合、ガスが第三領域をより一層移動しやすい。したがって、本構成では、導電性樹脂層（第一領域）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≦１．８８
の関係を満たしてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
上述したように、第一領域が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙に至るまでの経路は、水分が第一領域に至る経路となるおそれがある。すなわち、第三領域は、水分が通る経路上に位置している。したがって、水分が第一領域に吸収されるのを抑制するためには、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい構成の実現が望まれる。

本発明者らは、第一領域の厚み、及び、第三領域の厚みが、所望の関係を満たす場合に、水分が第一領域に至りがたいことを見出した。すなわち、最大厚みＴ１と、上記厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≦１．８８
の関係を満たす場合、水分が間隙から浸入する場合でも、水分が、第三領域を経て、第一領域に至りがたい。したがって、本構成は、導電性樹脂層（第一領域）に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、第三領域の最大厚みＴ３は、最小厚みＴ２より大きくてもよい。
本発明者らは、第二領域の厚み、及び、第三領域の厚みが、所望の関係を満たす場合にも、ガスが第三領域をより一層移動しやすいことを見出した。すなわち、第三領域の最大厚みが、最小厚みＴ２より大きい場合、ガスが第三領域をより一層移動しやすい。したがって、本構成では、導電性樹脂層（第一領域）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、主面及び端面に直交する断面において、第三領域の表面は、主面から離れる方向に凸状に湾曲していてもよい。
本構成では、第三領域の厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、第三領域でのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、本構成は、ガスが第三領域を移動するのを阻害しない。この結果、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙に至るので、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層確実に抑制する。

上記一つの態様では、外部電極は、主面と端面とにわたって設けられていると共に導電性樹脂層に覆われている焼結金属層を更に有していてもよい。端面を含む面を基準面として、端面に直交する方向での焼結金属層の端縁から第三領域の端縁までの長さは、端面に直交する方向での基準面から焼結金属層の端縁までの長さより大きくてもよい。

本発明者らの調査研究の結果、以下の事項も判明した。
素体と導電性樹脂層との密着度合いは、焼結金属層と導電性樹脂層との密着度合いより低い。したがって、焼結金属層と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路に寄与しがたいものの、素体と導電性樹脂層との界面は、ガスの移動経路として寄与しやすい。

本発明者らは、焼結金属層と導電性樹脂層との界面の長さ、及び、素体と導電性樹脂層との界面の長さに着目した。この結果、本発明者らは、端面に直交する方向での上記基準面から焼結金属層の端縁までの長さ、及び、端面に直交する方向での焼結金属層の端縁から第三領域の端縁までの長さが所望の関係を満たす場合に、ガスの移動経路が増加することを見出した。端面に直交する方向での焼結金属層の端縁から第三領域の端縁までの長さは、端面に直交する方向での上記基準面から焼結金属層の端縁までの長さより大きい場合、ガスの移動経路が増加する。したがって、本構成では、導電性樹脂層が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙に向けて移動しやすいので、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。この結果、本構成は、導電性樹脂層の剥離をより一層抑制する。

上記一つの態様では、主面に直交する方向から見て、第三領域の端縁は、湾曲していてもよい。
本構成では、第三領域の端縁が直線状である構成に比して、第三領域の端縁の長さが大きい。したがって、本構成では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極からより一層放出されやすい。この結果、導電性樹脂層に応力がより一層作用しがたい。

本発明の一つの態様によれば、導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品が提供される。

一実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの側面図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 素体、第一電極層、及び第二電極層を示す平面図である。 素体、第一電極層、及び第二電極層を示す側面図である。 素体、第一電極層、及び第二電極層を示す端面図である。 外部電極の断面構成を示す図である。 各試料における第二電極層での剥離の発生率を示す図表である。 外部電極の断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図９を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コンデンサの側面図である。図３、図４、及び図５は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図６は、素体、第一電極層、及び第二電極層を示す平面図である。図７は、素体、第一電極層、及び第二電極層を示す側面図である。図８は、素体、第一電極層、及び第二電極層を示す端面図である。図９は、外部電極の断面構成を示す図である。本実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ１である。

積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、一対の外部電極５を備えている。一対の外部電極５は、素体３に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

素体３は、互いに対向している一対の主面３ａ，３ｂと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を有している。一対の主面３ａ，３ｂ、一対の側面３ｃ、及一対の端面３ｅは、長方形状を呈している。一対の主面３ａ，３ｂが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。一対の側面３ｃが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。一対の端面３ｅが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。積層コンデンサＣ１は、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。積層コンデンサＣ１では、主面３ａが、電子機器と対向する。主面３ａは、実装面を構成するように配置される。主面３ａは、実装面である。

第一方向Ｄ１は、各主面３ａ，３ｂに直交する方向であり、第二方向Ｄ２と直交している。第三方向Ｄ３は、各主面３ａ，３ｂと各側面３ｃとに平行な方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。第二方向Ｄ２は、各側面３ｃに直交する方向であり、第三方向Ｄ３は、各端面３ｅに直交する方向である。本実施形態では、素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きい。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きく、かつ、素体３の第二方向Ｄ２での長さより大きい。第三方向Ｄ３が、素体３の長手方向である。

素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の高さである。素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の幅である。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の長さである。本実施形態では、素体３の高さは、０．５〜２．５ｍｍであり、素体３の幅は、０．５〜５．０ｍｍであり、素体３の長さは、１．０〜５．７ｍｍである。たとえば、素体３の高さは、２．５ｍｍであり、素体３の幅は、２．５ｍｍであり、素体３の長さは、３．２ｍｍである。

一対の側面３ｃは、一対の主面３ａ，３ｂを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の側面３ｃは、第三方向Ｄ３にも延在している。一対の端面３ｅは、一対の主面３ａ，３ｂを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の端面３ｅは、第二方向Ｄ２にも延在している。

素体３は、一対の稜線部３ｇと、一対の稜線部３ｈと、四つの稜線部３ｉと、一対の稜線部３ｊと、一対の稜線部３ｋと、を有している。稜線部３ｇは、端面３ｅと主面３ａとの間に位置している。稜線部３ｈは、端面３ｅと主面３ｂとの間に位置している。稜線部３ｉは、端面３ｅと側面３ｃとの間に位置している。稜線部３ｊは、主面３ａと側面３ｃとの間に位置している。稜線部３ｋは、主面３ｂと側面３ｃとの間に位置している。本実施形態では、各稜線部３ｇ，３ｈ，３ｉ，３ｊ，３ｋは、湾曲するように丸められている。素体３には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。

端面３ｅと主面３ａとは、稜線部３ｇを介して、間接的に隣り合っている。端面３ｅと主面３ｂとは、稜線部３ｈを介して、間接的に隣り合っている。端面３ｅと側面３ｃとは、稜線部３ｉを介して、間接的に隣り合っている。主面３ａと側面３ｃとは、稜線部３ｊを介して、間接的に隣り合っている。主面３ｂと側面３ｃとは、稜線部３ｋを介して、間接的に隣り合っている。

素体３は、第二方向Ｄ２に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体３は、積層されている複数の誘電体層を有している。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２と一致する。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミックを含む。実際の素体３では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１と一致していてもよい。

積層コンデンサＣ１は、図３〜図５に示されるように、複数の内部電極７と複数の内部電極９とを備えている。各内部電極７，９は、素体３内に配置されている内部導体である。各内部電極７，９は、積層型電子部品の内部電極として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。内部電極７，９は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、内部電極７，９は、Ｎｉからなる。

内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第二方向Ｄ２に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１である場合、内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置される。内部電極７，９の一端は、対応する端面３ｅに露出している。内部電極７，９は、対応する端面３ｅに露出している一端を有している。

複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第二方向Ｄ２で交互に並んでいる。各内部電極７，９は、側面３ｃと略平行な面内に位置している。内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第二方向Ｄ２）は、側面３ｃと平行な方向（第一方向Ｄ１及び第三方向Ｄ３）と直交している。複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１である場合、複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第一方向Ｄ１で交互に並ぶ。この場合、各内部電極７，９は、各主面３ａ，３ｂと略平行な面内に位置する。内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１で互いに対向する。

外部電極５は、図１に示されるように、素体３の第三方向Ｄ３での両端部にそれぞれ配置されている。各外部電極５は、素体３における、対応する端面３ｅ側に配置されている。外部電極５は、少なくとも、互いに隣り合う主面３ａと端面３ｅとに配置されている。外部電極５は、図２〜図５に示されるように、複数の電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅを有している。電極部５ａは、主面３ａ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ｂは、稜線部３ｈ上に配置されている。各電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｅは、端面３ｅ上に配置されている。外部電極５は、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も有している。外部電極５は、少なくとも端面３ｅに配置されている。

外部電極５は、一つの主面３ａ、一つの端面３ｅ、及び一対の側面３ｃの四つの面、並びに、稜線部３ｇ，３ｈ，３ｉ，３ｊに形成されている。互いに隣り合う電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅは、接続されており、電気的に接続されている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９の一端をすべて覆っている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。外部電極５は、対応する内部電極７，９と電気的に接続されている。外部電極５は、図３〜図５に示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。第四電極層Ｅ４は、外部電極５の最外層を構成している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。電極部５ｂは、第一電極層Ｅ１、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇ上に配置されており、主面３ａ上には配置されていない。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、主面３ａに形成されていない。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体と接している。主面３ａは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部とも接する。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び主面３ａ上に配置されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部と接している。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、主面３ａ上に位置している領域Ｅ２ａを有する。電極部５ａは、稜線部３ｇ上では四層構造を有しており、主面３ａ上では三層構造を有している。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇの全体と主面３ａの一部とを覆うように形成されている。上述したように、主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、稜線部３ｇの全体と主面３ａの一部とを間接的に覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部を直接覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇに形成されている第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１が、主面３ａ上に配置されている場合、電極部５ａは、主面３ａ及び稜線部３ｇ上で四層構造を有する。電極部５ａの第一電極層Ｅ１が、主面３ａ上に配置されている場合、第二電極層Ｅ２の領域Ｅ２ａは、主面３ａと接している部分と、第一電極層Ｅ１と接している部分と、を含む。

電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｈ上に配置されており、主面３ｂ上には配置されていない。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｈの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、主面３ｂに形成されていない。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｈの全体と接している。主面３ｂは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂの一部と稜線部３ｈの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂの一部とも接する。主面３ｂの一部は、たとえば、主面３ｂにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ｂは、第二電極層Ｅ２を有していない。主面３ｂは、第二電極層Ｅ２に覆われておらず、第二電極層Ｅ２から露出している。第二電極層Ｅ２は、主面３ｂに形成されていない。電極部５ｂは、三層構造を有している。

電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉ上に配置されており、側面３ｃ上には配置されていない。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、側面３ｃに形成されていない。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体と接している。側面３ｃは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部とも接する。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び側面３ｃ上に配置されている。第一電極層Ｅ１の一部が、第二電極層Ｅ２で覆われている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部と第一電極層Ｅ１の一部とに接している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃ上に位置している領域Ｅ２ｃを有する。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉの一部と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている。稜線部３ｉの一部は、たとえば、稜線部３ｉにおける主面３ａ寄りの一部領域である。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける主面３ａ及び端面３ｅ寄りの角領域である。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、稜線部３ｉの一部を間接的に覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部を直接覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における稜線部３ｉに形成されている部分の一部を直接覆っている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１が、側面３ｃ上に配置されている場合、第二電極層Ｅ２の領域Ｅ２ｃは、側面３ｃと接している部分と、第一電極層Ｅ１に接している部分と、を含む。

電極部５ｃは、複数の領域５ｃ_１，５ｃ_２を有している。本実施形態では、電極部５ｃは、二つの領域５ｃ_１，５ｃ_２のみを有している。領域５ｃ_２は、領域５ｃ_１よりも主面３ａ寄りに位置している。領域５ｃ_１は、第一電極層Ｅ１、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。領域５ｃ_１は、第二電極層Ｅ２を有していない。領域５ｃ_１は、三層構造を有している。領域５ｃ_２は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。領域５ｃ_２は、稜線部３ｉ上では四層構造を有しており、側面３ｃ上では三層構造を有している。領域５ｃ_１は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域である。領域５ｃ_２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域である。領域５ｃ_２が、領域Ｅ２ｃを有している。

電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ上に配置されている。端面３ｅの全体が、第一電極層Ｅ１に覆われている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。第一電極層Ｅ１の一部が、第二電極層Ｅ２で覆われている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の一部と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置している領域Ｅ２ｅを有する。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅの一部を覆うように形成されている。端面３ｅの一部は、たとえば、端面３ｅにおける主面３ａ寄りの一部領域である。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、端面３ｅの一部を間接的に覆っている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における端面３ｅに形成されている部分の一部を直接覆っている。電極部５ｅでは、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９の一端と接続されるように端面３ｅに形成されている。

電極部５ｅは、複数の領域５ｅ_１，５ｅ_２を有している。本実施形態では、電極部５ｅは、二つの領域５ｅ_１，５ｅ_２のみを有している。領域５ｅ_２は、領域５ｅ_１よりも主面３ａ寄りに位置している。領域５ｅ_１は、第一電極層Ｅ１、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。領域５ｅ_１は、第二電極層Ｅ２を有していない。領域５ｅ_１は、三層構造を有している。領域５ｅ_２は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４は、第三方向Ｄ３から見て、端面３ｅの全体を覆うように形成されている。本実施形態では、第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４は、端面３ｅの全体を間接的に覆っている。領域５ｅ_２は、四層構造を有している。領域５ｅ_１は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域である。領域５ｅ_２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域である。領域５ｅ_２が、領域Ｅ２ｅを有している。

第一電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ及び稜線部３ｇ，３ｈ，３ｉを覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、一対の主面３ａ，３ｂ及び一対の側面３ｃに意図的に形成されていない。たとえば製造誤差などにより、第一電極層Ｅ１が意図せず主面３ａ，３ｂ及び側面３ｃに形成されていてもよい。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、Ｃｕからなる焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、Ｎｉからなる焼結金属層であってもよい。第一電極層Ｅ１は、卑金属を含んでいる。導電性ペーストは、たとえば、Ｃｕ又はＮｉからなる粉末、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含んでいる。各電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅが有している第一電極層Ｅ１は、一体的に形成されている。

第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上、主面３ａ上、及び一対の側面３ｃ上に付与された導電性樹脂を硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上と素体３上とにわたって形成されている。第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２を形成するための下地金属層である。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆う導電性樹脂層である。導電性樹脂は、たとえば、樹脂、導電性材料、及び有機溶媒を含んでいる。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂である。導電性材料は、たとえば、金属粉末である。金属粉末は、たとえば、Ａｇ粉末又はＣｕ粉末である。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。

本実施形態では、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の一部を覆っている。第一電極層Ｅ１の一部は、たとえば、第一電極層Ｅ１における、電極部５ａ、電極部５ｃの領域５ｃ_２、及び電極部５ｅの領域５ｅ_２に対応する領域である。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｊの一部を直接覆っている。稜線部３ｊの一部は、たとえば、稜線部３ｊにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｊの一部と接している。各電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅが有している第二電極層Ｅ２は、一体的に形成されている。

第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にＮｉめっきにより形成されている。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉめっき層である。第三電極層Ｅ３は、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層であってもよい。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、又はＡｕを含んでいる。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２に含まれる金属よりも耐はんだ喰われ性に優れている。

第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にめっき法により形成されている。第四電極層Ｅ４は、はんだめっき層である。本実施形態では、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にＳｎめっきにより形成されている。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎめっき層である。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ−Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ−Ｃｕ合金めっき層であってもよい。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、又はＳｎ−Ｃｕ合金を含んでいる。

第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４とは、第二電極層Ｅ２に形成されるめっき層ＰＬを構成している。本実施形態では、第二電極層Ｅ２に形成されるめっき層ＰＬは、二層構造を有している。第三電極層Ｅ３は、最外層を構成する第四電極層Ｅ４と、第二電極層Ｅ２との間に位置している中間めっき層である。各電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅが有している第三電極層Ｅ３は、一体的に形成されている。各電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅが有している第四電極層Ｅ４は、一体的に形成されている。

第一電極層Ｅ１（電極部５ｅの第一電極層Ｅ１）は、対応する内部電極７，９と接続されるように、端面３ｅに形成されている。第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体、稜線部３ｇの全体、稜線部３ｈの全体、及び稜線部３ｉの全体を覆っている。第二電極層Ｅ２（電極部５ａ，５ｃ，５ｅの第二電極層Ｅ２）は、主面３ａの一部、端面３ｅの一部、及び一対の側面３ｃの各一部を連続して覆っている。第二電極層Ｅ２（電極部５ａ，５ｃ，５ｅの第二電極層Ｅ２）は、稜線部３ｇの全体、稜線部３ｉの一部、及び稜線部３ｊの一部を覆っている。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部、端面３ｅの一部、一対の側面３ｃの各一部、稜線部３ｇの全体、稜線部３ｉの一部、及び稜線部３ｊの一部にそれぞれ対応する複数の部分を有している。第一電極層Ｅ１（電極部５ｅの第一電極層Ｅ１）は、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。

第一電極層Ｅ１（電極部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｅの第一電極層Ｅ１）は、第二電極層Ｅ２（電極部５ａ，５ｃ，５ｅの第二電極層Ｅ２）で覆われている領域と、第二電極層Ｅ２（電極部５ａ，５ｃ，５ｅの第二電極層Ｅ２）で覆われていない領域とを有している。第二電極層Ｅ２で覆われていない領域は、第二電極層Ｅ２から露出している領域である。第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４は、第一電極層Ｅ１の第二電極層Ｅ２で覆われていない領域と、第二電極層Ｅ２とを覆っている。

図６に示されるように、第一方向Ｄ１から見たとき、第一電極層Ｅ１（電極部５ａの第一電極層Ｅ１）の全体が第二電極層Ｅ２で覆われている。第一方向Ｄ１から見たとき、第一電極層Ｅ１（電極部５ａの第一電極層Ｅ１）は、第二電極層Ｅ２から露出していない。

図７に示されているように、第二方向Ｄ２から見たとき、第一電極層Ｅ１の主面３ａ寄りの端領域が、第二電極層Ｅ２で覆われている。第一電極層Ｅ１の主面３ａ寄りの端領域は、領域５ｃ_２が有する第一電極層Ｅ１を含んでいる。第二方向Ｄ２から見たとき、第二電極層Ｅ２の端縁Ｅｅ_２が、第一電極層Ｅ１の端縁Ｅｅ_１と交差している。第二方向Ｄ２から見たとき、第一電極層Ｅ１の主面３ｂ寄りの端領域は、第二電極層Ｅ２から露出している。第一電極層Ｅ１の主面３ｂ寄りの端領域は、領域５ｃ_１が有する第一電極層Ｅ１を含んでいる。

図８に示されるように、第三方向Ｄ３から見たとき、第一電極層Ｅ１の主面３ａ寄りの端領域が、第二電極層Ｅ２で覆われている。第一電極層Ｅ１の主面３ａ寄りの端領域は、領域５ｅ_２が有する第一電極層Ｅ１を含んでいる。第三方向Ｄ３から見たとき、第二電極層Ｅ２の端縁Ｅｅ_２が、第一電極層Ｅ１上に位置している。第三方向Ｄ３から見たとき、第一電極層Ｅ１の主面３ｂ寄りの端領域は、第二電極層Ｅ２から露出している。第一電極層Ｅ１の主面３ｂ寄りの端領域は、領域５ｅ_１が有する第一電極層Ｅ１を含んでいる。

積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部のみ、端面３ｅの一部のみ、及び一対の側面３ｃの各一部のみを連続して覆っている。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇの全体、稜線部３ｉの一部のみ、及び稜線部３ｊの一部のみを覆っている。第一電極層Ｅ１の、稜線部３ｉを覆っている部分の一部は、第二電極層Ｅ２から露出している。たとえば、領域５ｃ_１が有する第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２から露出している。

図９に示されるように、第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部と端面３ｅの一部とを連続して覆うように設けられている。第二電極層Ｅ２は、端面３ｅ上に位置している領域Ｅ２ｅと、主面３ａ上に位置している領域Ｅ２ａと、稜線部３ｇ上に位置している領域Ｅ２ｇと、を含んでいる。領域Ｅ２ｅは、電極部５ｅの領域５ｅ_２が有している第二電極層Ｅ２である。領域Ｅ２ａ及び領域Ｅ２ｇは、電極部５ａが有している第二電極層Ｅ２である。たとえば、領域Ｅ２ｅが第一領域を構成する場合、領域Ｅ２ｇが第二領域を構成すると共に、領域Ｅ２ａが第三領域を構成する。

領域Ｅ２ｅの最大厚みＴ１（μｍ）と、領域Ｅ２ｇの最小厚みＴ２（μｍ）とは、
Ｔ２／Ｔ１≧０．２６
の関係を満たしている。最大厚みＴ１と、領域Ｅ２ａの最大厚みＴ３（μｍ）とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たしていてもよい。最大厚みＴ１は、端面３ｅ上での第二電極層Ｅ２の最大厚みである。最小厚みＴ２は、稜線部３ｇ上での第二電極層Ｅ２の最小厚みである。最大厚みＴ３は、主面３ａ上での第二電極層Ｅ２の最大厚みである。最大厚みＴ３は、最小厚みＴ２より小さくてもよい。

最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
の関係を満たしていてもよい。最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≦１．８８
の関係を満たしていてもよい。

最大厚みＴ１、最小厚みＴ２、及び最大厚みＴ３は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第二電極層Ｅ２を含む積層コンデンサＣ１の断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で積層コンデンサＣ１を切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、第二電極層Ｅ２の各厚みＴ１，Ｔ２，Ｔ３を算出する。最大厚みＴ１は、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２ｅの厚みの最大値である。最小厚みＴ２は、第一方向Ｄ１での領域Ｅ２ｇの厚みの最小値である。領域Ｅ２ｇの厚みは、たとえば、稜線部３ｇの法線方向での厚みである。最大厚みＴ３は、領域Ｅ２ａの厚みの最大値である。

図９に示されるように、主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２ａの表面は、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している。領域Ｅ２ａの厚みは、領域Ｅ２ａの最大厚み位置から領域Ｅ２ａの端縁に向けて徐々に小さくなっている。本実施形態では、領域Ｅ２ａの厚みの変化に起因して、領域Ｅ２ａの表面は湾曲している。

図６に示されるように、第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２ａ（第二電極層Ｅ２）の端縁Ｅｅ_２は、湾曲している。本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、第三方向Ｄ３での領域Ｅ２ａの長さは、第二方向Ｄ２での端より第二方向Ｄ２での中央で大きくなっている。第三方向Ｄ３での領域Ｅ２ａの長さは、第二方向Ｄ２での中央で最も大きく、第二方向Ｄ２で端に向かうに従って徐々に小さくなっている。

めっき層ＰＬは、上述したように、第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４を含んでいる。めっき層ＰＬは、領域Ｅ２ａ上に位置している部分ＰＬ１と、領域Ｅ２ｅ上に位置している部分ＰＬ２と、を有している。部分ＰＬ１は、端縁ＰＬ１ｅを有している。めっき層ＰＬ（第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４）は、素体３から離れている。図９に示されるように、端縁ＰＬ１ｅと素体３（主面３ａ）との間には、間隙１７が存在している。間隙１７の幅は、たとえば、０より大きく３μｍ以下である。本実施形態では、端面３ｅの全体が外部電極５で覆われているので、部分ＰＬ２は、端縁を有していない。部分ＰＬ２と素体３との間には、第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２が位置している。したがって、部分ＰＬ２と素体３との間には、間隙が存在しない。

図示を省略するが、めっき層ＰＬは、領域Ｅ２ｃ上に位置している部分を有している。領域Ｅ２ｃ上に位置している部分は、端縁を有している。領域Ｅ２ｃ上に位置している部分が有する端縁と素体３（側面３ｃ）との間には、間隙が存在している。この間隙の幅は、たとえば、０より大きく３μｍ以下である。

ここで、最大厚みＴ１、最小厚みＴ２、及び最大厚みＴ３の関係について詳細に説明する。
本発明者らは、最大厚みＴ１の範囲、最小厚みＴ２の範囲、及び最大厚みＴ３の範囲を明らかにするために、以下のような試験をおこなった。すなわち、本発明者らは、最大厚みＴ１、最小厚みＴ２、及び最大厚みＴ３が異なる試料１〜１１を用意し、各試料１〜１１における、第二電極層Ｅ２での剥離の発生率を確認した。その結果を図１０に示す。図１０は、各試料における第二電極層での剥離の発生率を示す図表である。

各試料１〜１１は、複数の検体を含むロットである。各試料１〜１１の検体は、後述するように、厚みＴ１，Ｔ２，Ｔ３が異なる点を除いて同じ構成を有している積層コンデンサである。各試料１〜１１の検体では、素体３の高さが２．５ｍｍであり、素体３の幅が２．５ｍｍであり、素体３の長さが３．２ｍｍである。
試料１の各検体では、最大厚みＴ１が５８μｍであり、最小厚みＴ２が１２μｍであり、最大厚みＴ３が１３μｍである。
試料２の各検体では、最大厚みＴ１が８０μｍであり、最小厚みＴ２が２０μｍであり、最大厚みＴ３が４０μｍである。
試料３の各検体では、最大厚みＴ１が８２μｍであり、最小厚みＴ２が２１μｍであり、最大厚みＴ３が４９μｍである。
試料４の各検体では、最大厚みＴ１が８７μｍであり、最小厚みＴ２が２５μｍであり、最大厚みＴ３が５４μｍである。
試料５の各検体では、最大厚みＴ１が７９μｍであり、最小厚みＴ２が２９μｍであり、最大厚みＴ３が３９μｍである。
試料６の各検体では、最大厚みＴ１が７９μｍであり、最小厚みＴ２が２９μｍであり、最大厚みＴ３が４２μｍである。
試料７の各検体では、最大厚みＴ１が８２μｍであり、最小厚みＴ２が３０μｍであり、最大厚みＴ３が４９μｍである。
試料８の各検体では、最大厚みＴ１が８０μｍであり、最小厚みＴ２が３２μｍであり、最大厚みＴ３が８６μｍである。
試料９の各検体では、最大厚みＴ１が７９μｍであり、最小厚みＴ２が２９μｍであり、最大厚みＴ３が１１９μｍである。
試料１０の各検体では、最大厚みＴ１が８２μｍであり、最小厚みＴ２が６２μｍであり、最大厚みＴ３が１２４μｍである。
試料１１の各検体では、最大厚みＴ１が８２μｍであり、最小厚みＴ２が７５μｍであり、最大厚みＴ３が１５４μｍである。

第二電極層Ｅ２での剥離の発生率は、以下のようにして求めた。
試料１〜１１ごとに、１２個の検体を選び、選んだ検体を恒温恒湿槽に５時間放置した。恒温恒湿槽内では、温度が１２１℃であり、相対湿度が９５％である。その後、検体に、窒素雰囲気中でリフロー試験を３回実施した。リフロー試験では、ピーク温度が２６０℃である。
リフロー試験後に、端面３ｅに直交する平面に沿って検体を切断し、切断面での第二電極層Ｅ２の剥離の有無を目視にて確認した。第二電極層Ｅ２に剥離が発生している検体をカウントし、第二電極層Ｅ２での剥離の発生率（％）を算出した。

上述した試験の結果、図１０に示されるように、試料３〜１１では、試料１及び２に比して、第二電極層Ｅ２での剥離の発生率が大幅に低下することが確認された。試料３〜９では、第二電極層Ｅ２に剥離が発生している検体は確認できなかった。

第二電極層Ｅ２を覆っているめっき層ＰＬは、第二電極層Ｅ２と密着しやすいものの、素体３とは密着しがたい。したがって、めっき層ＰＬの端縁ＰＬ１ｅと素体３との間には、間隙１７が存在する。第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分がガス化した場合でも、水分から発生したガスが、間隙１７に至ると、ガスは、間隙１７を通して外部電極５外に放出される。水分から発生したガスが外部電極５外に放出されるので、第二電極層Ｅ２に応力が作用しがたい。

領域Ｅ２ｇが、領域Ｅ２ｅと領域Ｅ２ａとの間に位置しているので、領域Ｅ２ｅは、間隙１７から離れている。積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≧０．２６
の関係を満たしているので、領域Ｅ２ｅが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、領域Ｅ２ｇを経て、領域Ｅ２ａに確実に至る。領域Ｅ２ｅから領域Ｅ２ａに至ったガスは、間隙１７に確実に至る。領域Ｅ２ａは、領域Ｅ２ｅより間隙１７に近い。したがって、領域Ｅ２ｅが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙１７に確実に至るのであれば、領域Ｅ２ａが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスも、間隙１７に確実に至る。
積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２ｅ）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、間隙１７に確実に至る。間隙１７に至ったガスは、外部電極５外に放出され、第二電極層Ｅ２に応力が作用しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。

第二電極層Ｅ２は、図７に示されるように、側面３ｃ上に位置している領域Ｅ２ｃと、稜線部３ｉ上に位置している領域Ｅ２ｉとを含んでいる。領域Ｅ２ｅが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスは、領域Ｅ２ｉと領域Ｅ２ｃとを経て、めっき層ＰＬと素体３との間の間隙からも放出される。しかしながら、領域Ｅ２ａ及び領域Ｅ２ｇの面積は、領域Ｅ２ｃ及び領域Ｅ２ｉの面積より大きく、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの放出は、領域Ｅ２ａ及び領域Ｅ２ｇが支配的である。したがって、領域Ｅ２ａ及び領域Ｅ２ｇが、第二電極層Ｅ２の剥離抑制に主として寄与する。

間隙１７は、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスの出口であると共に、外部電極５内への水分の入口である。領域Ｅ２ｅが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙１７に至るまでの経路は、水分が領域Ｅ２ｅに至る経路となるおそれがある。水分が領域Ｅ２ｅに至ると、水分は領域Ｅ２ｅに吸収される。この場合、ガスの発生量が増加するおそれがある。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
の関係を満たしているので、水分が間隙１７から浸入する場合でも、水分が領域Ｅ２ｅに至りがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２ｅ）に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たしているので、樹脂に吸収された水分から発生したガスが領域Ｅ２ａをより一層移動しやすい。したがって、積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２ｅ）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙１７に至るので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

上述したように、領域Ｅ２ｅが含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが間隙１７に至るまでの経路は、水分が領域Ｅ２ｅに至る経路となるおそれがある。すなわち、領域Ｅ２ａは、水分が通る経路上に位置している。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≦１．８８
の関係を満たしているので、水分が間隙１７から浸入する場合でも、水分が、領域Ｅ２ａを経て、領域Ｅ２ｅに至りがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２ｅ）に吸収される水分の増加、及び、水分から発生するガスの増加を抑制する。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、最大厚みＴ３は、最小厚みＴ２より大きい。この場合、ガスが領域Ｅ２ａをより一層移動しやすい。したがって、積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２（領域Ｅ２ｅ）が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙１７に至るので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２ａの表面は、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している。
領域Ｅ２ａの表面が、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している構成では、領域Ｅ２ａの厚みが局所的に小さくなることはない。したがって、領域Ｅ２ａでのガスの移動経路が、当該移動経路の途中で狭まることはなく、積層コンデンサＣ１は、ガスが領域Ｅ２ａを移動するのを阻害しない。この結果、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、より一層確実に間隙１７に至るので、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

積層コンデンサＣ１では、第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２ａの端縁Ｅｅ_２が湾曲している。
領域Ｅ２ａの端縁Ｅｅ_２が湾曲している構成では、領域Ｅ２ａの端縁Ｅｅ_２が直線状である構成に比して、領域Ｅ２ａの端縁Ｅｅ_２の長さが大きい。したがって、積層コンデンサＣ１では、ガスが出る領域が大きく、ガスが、外部電極５からより一層放出されやすい。この結果、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。

次に、図１１を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの構成を説明する。図１１は、外部電極の断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサは、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、第一電極層Ｅ１の構成に関して、上述した実施形態と相違する。以下、上述した実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。

本変形例に係る積層コンデンサは、積層コンデンサＣ１と同じく、素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。各外部電極５は、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅを有している。各外部電極５は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。図示は省略するが、本変形例に係る積層コンデンサは、複数の内部電極７及び複数の内部電極９も備えている。

図１１に示されるように、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、主面３ａと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と接する。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂ上に配置されている。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂの一部と稜線部３ｈの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、主面３ｂと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ｂの第一電極層Ｅ１は、主面３ｂの一部と接する。主面３ｂの一部は、たとえば、主面３ｂにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

第三方向Ｄ３での第一電極層Ｅ１の端縁から領域Ｅ２ａの端縁までの長さＬ１は、第三方向Ｄ３での基準面ＲＰから第一電極層Ｅ１の端縁までの長さＬ２より大きい。基準面ＲＰは、端面３ｅを含む面である。
各長さＬ１，Ｌ２は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２を含む積層コンデンサの断面写真を取得する。断面写真は、たとえば、一対の側面３ｃに平行であり、かつ、一対の側面３ｃから等距離に位置している平面で積層コンデンサを切断したときの断面を撮影することにより得られる。取得した断面写真上での、各長さＬ１，Ｌ２を算出する。

図示を省略するが、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上にも配置されている。この場合、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、側面３ｃと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と接する。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

素体３と第二電極層Ｅ２との密着度合いは、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との密着度合いより低い。したがって、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との界面は、ガスの移動経路に寄与しがたいものの、素体３と第二電極層Ｅ２との界面は、ガスの移動経路として寄与しやすい。
長さＬ１が長さＬ２より大きい構成では、長さＬ１が長さＬ２以下である構成に比して、ガスの移動経路が多い。したがって、本変形例では、第二電極層Ｅ２が含む樹脂に吸収された水分から発生したガスが、間隙１７に向けて移動しやすいので、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。この結果、本変形例は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

本明細書では、ある要素が他の要素上に配置されていると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接配置されていてもよく、他の要素上に間接的に配置されていてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に配置されている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接配置されている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とは、
Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
の関係を満たさなくてもよい。最大厚みＴ１と、最小厚みＴ２とが、
Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
の関係を満たしている場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たさなくてもよい。最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たしている場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とは、
Ｔ３／Ｔ１≦１．８８
の関係を満たさなくてもよい。最大厚みＴ１と、最大厚みＴ３とが、
Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
の関係を満たしている場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。
最大厚みＴ３は、最小厚みＴ２以下であってもよい。最大厚みＴ３が、最小厚みＴ２より大きい場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層抑制する。

主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２ａの表面は、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲していなくてもよい。主面３ａ及び端面３ｅに直交する断面において、領域Ｅ２ａの表面が、主面３ａから離れる方向に凸状に湾曲している場合、上述したように、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離をより一層確実に抑制する。
第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２ａの端縁Ｅｅ_２は、湾曲していなくてもよい。第一方向Ｄ１から見て、領域Ｅ２ａの端縁Ｅｅ_２は、湾曲している場合、上述したように、第二電極層Ｅ２に応力がより一層作用しがたい。

本実施形態では、電子部品として積層コンデンサＣ１を例に説明したが、適用可能な電子部品は、積層コンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。

３…素体、３ａ…主面、３ｅ…端面、３ｇ…稜線部、５…外部電極、１７…間隙、Ｃ１…積層コンデンサ、Ｅ１…第一電極層、Ｅ２…第二電極層、Ｅ２ａ…主面上に位置している領域、Ｅ２ｅ…端面上に位置している領域、Ｅ２ｇ…稜線部上に位置している領域、Ｅ３…第三電極層、Ｅ４…第四電極層、ＰＬ…めっき層、ＲＰ…基準面。

Claims (8)

1. 実装面を構成する主面と、前記主面と隣り合う端面とを有している素体と、
   前記素体に配置されている外部電極と、を備えており、
   前記外部電極は、前記主面の一部と前記端面の一部とを連続して覆うように設けられている導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層を覆っているめっき層と、を有し、
   前記導電性樹脂層は、前記端面上に位置している第一領域と、前記端面と前記主面との間の稜線部上に位置している第二領域と、前記主面上に位置している第三領域と、を含み、
   前記第一領域の最大厚みがＴ１（μｍ）であり、前記第二領域の最小厚みがＴ２（μｍ）である場合、前記最大厚みＴ１と、前記最小厚みＴ２とは、
   Ｔ２／Ｔ１≧０．２６
   の関係を満たす、電子部品。
2. 前記最大厚みＴ１と、前記最小厚みＴ２とは、
   Ｔ２／Ｔ１≦０．９１
   の関係を満たす、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第三領域の最大厚みがＴ３（μｍ）である場合、前記最大厚みＴ１と、前記最大厚みＴ３とは、
   Ｔ３／Ｔ１≧０．４９
   の関係を満たす、請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 前記最大厚みＴ１と、前記最大厚みＴ３とは、
   Ｔ３／Ｔ１≦１．８８
   の関係を満たす、請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第三領域の最大厚みＴ３は、前記最小厚みＴ２より大きい、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
6. 前記主面及び前記端面に直交する断面において、前記第三領域の表面は、前記主面から離れる方向に凸状に湾曲している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品。
7. 前記外部電極は、前記主面と前記端面とにわたって設けられていると共に前記導電性樹脂層に覆われている焼結金属層を更に有し、
   前記端面を含む面を基準面として、前記端面に直交する方向での前記焼結金属層の端縁から前記第三領域の端縁までの長さは、前記端面に直交する前記方向での前記基準面から前記焼結金属層の前記端縁までの長さより大きい、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品。
8. 前記主面に直交する方向から見て、前記第三領域の端縁は、湾曲している、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品。

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