KR20200087832A - 기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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Abstract

기판 유지부로 기판의 일면을 유지하여 반송하고, 기판의 타면을 전달하는 기판 반송 장치로서, 상기 기판 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와, 상기 기판 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가진다.

Description

기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
(관련 출원의 상호 참조)
본원은 2017년 11월 22일에 일본국에 출원된 특허출원 2017-224672호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은 기판 유지부로 기판의 일면을 유지하여 반송하고, 기판의 타면을 전달하는 기판 반송 장치, 당해 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템, 당해 기판 처리 시스템을 이용한 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함)에 대하여, 당해 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 웨이퍼를 박화하는 것이 행해지고 있다.
웨이퍼의 이면의 연삭은, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재된 연삭 장치를 이용하여 행해진다. 연삭 장치에는, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 유닛, 연삭 전의 웨이퍼의 중심 위치를 위치 결정하는 위치 결정 기구(얼라이먼트 기구), 및 연삭이 끝난 웨이퍼를 세정하는 세정 기구가 마련되어 있다. 연삭 유닛은 회전 테이블의 척에 유지된 웨이퍼에 대하여 연삭을 행하고, 당해 회전 테이블의 평면에서 봤을 때 외측으로부터 상방에 걸쳐 배치되어 있다. 위치 결정 기구와 세정 기구는 각각, 평면에서 봤을 때 회전 테이블의 외측에 배치되어 있다.
또한 연삭 장치에는, 위치 결정 기구로부터 회전 테이블의 척으로 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 공급 기구와, 회전 테이블의 척으로부터 세정 기구로 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 회수 기구(반송 수단)가 마련되어 있다.
웨이퍼 회수 기구는, 웨이퍼를 흡착 유지하는 반송 패드와, 반송 패드를 지지하는 선회 암을 가지고 있다. 반송 패드와 선회 암의 사이에는 완충 스프링이 마련되고, 완충 스프링은, 선회 암에 대하여 반송 패드를 이간 방향으로 힘을 가하고 있어, 반송 패드로부터 웨이퍼에 가해지는 충격을 완화한다. 이와 같이 웨이퍼에 강한 압압력이 작용하는 것을 피하도록, 반송 패드는 선회 암에 대하여 서로 이동 가능하게 지지되어 있다.
일본특허공개공보 2014-008597호
그러나, 상술한 특허 문헌 1에 기재된 웨이퍼 회수 기구에서는, 예를 들면 회전 테이블의 척으로부터 세정 기구로 웨이퍼를 반송할 시, 선회 암에 대하여 반송 패드가 자유롭게 상하 이동하여, 웨이퍼가 고정되지 않는다. 이와 같이 웨이퍼가 불규칙하게 상하 이동하면, 당해 웨이퍼를 적절히 반송할 수 없을 우려가 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 처리를 행하는 복수의 장치에 대하여 기판을 적절히 전달하고, 또한 복수의 장치 사이에서 기판을 적절히 반송하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 일태양은, 기판 유지부로 기판의 일면을 유지하여 반송하고, 기판의 타면을 전달하는 기판 반송 장치로서, 상기 기판 유지부를 측면에서 봤을 때 경동(傾動) 가능하게 하는 경동 기구와, 상기 기판 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가진다.
본 발명의 일태양에 따르면, 기판 반송 장치가 경동 기구와 고정 기구를 가지고 있으므로, 예를 들면 기판의 전달 시에는, 경동 기구에 의해 기판 유지부를 경동 가능하게 할 수 있고, 또한 예를 들면 기판의 반송 중에는 고정 기구에 의해 기판 유지부를 고정시킬 수 있다. 따라서, 복수의 장치에 대하여, 기판의 전달과 반송을 적절히 행할 수 있다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서, 기판을 유지하는 제 1 유지부와, 상기 제 1 유지부에 유지된 기판의 가공면을 가공하는 가공부와, 상기 가공부로 가공된 기판으로서 제 2 유지부에 유지된 기판의 가공면과 반대측의 비가공면을 세정하고, 또는 상기 제 2 유지부를 세정하는 세정부와, 상기 제 2 유지부를 구비하고 상기 제 2 유지부로 기판을 유지하여 반송하고, 또한 상기 제 1 유지부로 기판을 전달하는 전달 위치와 상기 세정부에 대하여, 기판을 반송하는 반송부를 가지고, 상기 반송부는, 상기 제 2 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와, 상기 제 2 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가진다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 반송부에 의해 제 1 유지부로 기판을 반송하는 제 1 반송 공정과, 이 후, 가공부에 의해, 상기 제 1 유지부에 유지된 기판의 가공면을 가공하는 가공 공정과, 이 후, 상기 반송부에 의해 세정부로 기판을 반송하는 제 2 반송 공정과, 이 후, 상기 세정부에 의해, 상기 반송부의 제 2 유지부에 유지된 기판의 가공면과 반대측의 비가공면을 세정하고, 또는 상기 제 2 유지부를 세정하는 세정 공정을 가지고, 상기 반송부는, 상기 제 2 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와, 상기 제 2 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가지고, 상기 제 1 반송 공정에 있어서, 상기 반송부가 상기 제 1 유지부로 기판을 전달할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있고, 상기 세정 공정에 있어서, 기판의 비가공면 또는 상기 제 2 유지부를 세정할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 독해 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.
본 발명의 일태양에 따르면, 기판 처리를 행하는 복수의 장치에 대하여 기판을 적절히 전달하고, 또한 복수의 장치 사이에서 기판을 적절히 반송하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 웨이퍼 반송 장치의 반송 포크와 반송 패드의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 3은 가공 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 A-A선에 있어서의 가공 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 5는 도 3의 B-B선에 있어서의 가공 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 6은 반송 유닛(110)의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 7은 가공 장치에 있어서의 웨트 환경 영역과 드라이 환경 영역을 나타내는 설명도이다.
도 8은 얼라이먼트 유닛의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 9는 제 1 세정 유닛의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 10은 제 1 세정 유닛의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 11은 제 2 세정 유닛의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 12는 웨이퍼 처리의 주요 공정을 나타내는 순서도이다.
도 13은 웨이퍼 처리의 주요 공정에 있어서의 반송 유닛(110)의 움직임을 나타내는 설명도이다.
도 14는 반송 패드의 경동 기구의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 15는 경동 기구의 가압부의 구성의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 16은 반송 패드의 고정 기구의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 17은 반송 패드를 경동 가능하게 한 모습을 나타내는 설명도이다.
도 18은 반송 패드의 경동을 고정한 모습을 나타내는 설명도이다.
도 19는 반송 패드의 고정 기구의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 20은 반송 패드의 고정 기구의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 21은 반송 패드의 고정 기구의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에서는, 동일 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 또한, 이하에 있어서는 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)에서는, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 박화한다. 웨이퍼(W)는 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼이다. 웨이퍼(W)의 표면(이하, '비가공면'이라고 함)에는 디바이스(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 또한 당해 표면에는 디바이스를 보호하기 위한 보호 부재, 예를 들면 보호 테이프(도시하지 않음)가 부착되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면(이하, '가공면'이라고 함)에 대하여 연삭 등의 정해진 가공 처리가 행해져, 당해 웨이퍼가 박화된다.
기판 처리 시스템(1)은 처리 전의 웨이퍼(W)를 카세트(C) 내에 수납하고, 복수의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 기판 처리 시스템(1)으로 반입하는 반입 스테이션(2)과, 처리 후의 웨이퍼(W)를 카세트(C) 내에 수납하고, 복수의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 기판 처리 시스템(1)으로부터 외부로 반출하는 반출 스테이션(3)과, 웨이퍼(W)에 가공 처리를 행하여 박화하는 가공 장치(4)와, 가공 처리 후의 웨이퍼(W)의 후처리를 행하는 후처리 장치(5)와, 반입 스테이션(2), 가공 장치(4) 및 후처리 장치(5)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 스테이션(6)을 접속한 구성을 가지고 있다. 반입 스테이션(2), 반송 스테이션(6) 및 가공 장치(4)는, X축 부방향측에 있어서 Y축 방향으로 이 순으로 나란히 배치되어 있다. 반출 스테이션(3)과 후처리 장치(5)는 X축 정방향측에 있어서 Y축 방향으로 이 순으로 나란히 배치되어 있다.
반입 스테이션(2)에는 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는 복수, 예를 들면 2 개의 카세트(C)를 X축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 즉, 카세트 배치대(10)는 복수의 웨이퍼(W)를 보유 가능하게 구성되어 있다.
반출 스테이션(3)도 반입 스테이션(2)과 동일한 구성을 가지고 있다. 반출 스테이션(3)에는 카세트 배치대(20)가 마련되고, 카세트 배치대(20)에는 예를 들면 2 개의 카세트(C)를 X축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 즉, 카세트 배치대(20)는 복수의 웨이퍼(W)를 보유 가능하게 구성되어 있다. 또한, 반입 스테이션(2)과 반출 스테이션(3)은 1 개의 반입반출 스테이션으로 통합되어도 되며, 이러한 경우, 반입반출 스테이션에는 공통의 카세트 배치대가 마련된다.
가공 장치(4)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 연삭 및 세정 등의 가공 처리가 행해진다. 이 가공 장치(4)의 구성은 후술한다.
후처리 장치(5)에서는, 가공 장치(4)에서 가공 처리된 웨이퍼(W)에 대하여 후처리가 행해진다. 후처리로서는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 다이싱 테이프를 개재하여 다이싱 프레임에 유지하는 마운트 처리, 웨이퍼(W)에 부착된 보호 테이프를 박리하는 박리 처리 등이 행해진다. 그리고 후처리 장치(5)는, 후처리가 행해져 다이싱 프레임에 유지된 웨이퍼(W)를 반출 스테이션(3)의 카세트(C)로 반송한다. 후처리 장치(5)에서 행해지는 마운트 처리 및 박리 처리는 각각, 공지의 장치가 이용된다.
반송 스테이션(6)에는 웨이퍼 반송 영역(30)이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(30)에는 X축 방향으로 연신하는 반송로(31) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(32)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(32)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지부로서, 반송 포크(33)와 반송 패드(34)를 가지고 있다. 이들 반송 포크(33)와 반송 패드(34)는 각각, 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레로 이동 가능하게 구성되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 반송 포크(33)는, 선단이 2 개의 선단부(33a)로 분기하고 있다. 또한, 반송 포크(33)의 표면에는, 예를 들면 3 개의 패드(33b)가 마련되어 있다. 각 패드(33b)는 진공 배기하는 흡인 기구(도시하지 않음)에 접속되어, 웨이퍼(W)를 흡인한다. 이에 의해 반송 포크(33)는 패드(33b)로 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다. 또한, 반송 포크(33)는 연삭 전의 웨이퍼(W)를 반송한다.
반송 패드(34)는 평면에서 봤을 때, 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 직경을 구비한 원 형상을 가진다. 또한, 반송 패드(34)는, 그 하면에 복수의 흡인구(도시하지 않음)가 형성되고, 각 흡인구는 진공 배기하는 흡인 기구(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 이에 의해 반송 패드(34)는, 웨이퍼(W)의 가공면 전면(全面)을 흡착 유지한다. 또한, 반송 패드(34)는 연삭 후의 웨이퍼(W), 즉 박화된 웨이퍼(W)를 반송한다.
도 1에 나타내는 바와 같이 기판 처리 시스템(1)에는, 제어부(40)가 마련되어 있다. 제어부(40)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치 및 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(40)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 상술한 가공 장치(4)의 구성에 대하여 설명한다. 도 3 ~ 도 5에 나타내는 바와 같이 가공 장치(4)는 회전 테이블(100), 반송부로서의 반송 유닛(110), 얼라이먼트부로서의 얼라이먼트 유닛(120), 가공면 세정부로서의 제 1 세정 유닛(130), 세정부로서의 제 2 세정 유닛(140), 제 3 세정 유닛(150), 가공부로서의 거친 연삭 유닛(160), 가공부로서의 중간 연삭 유닛(170) 및 가공부로서의 마무리 연삭 유닛(180)을 가지고 있다.
회전 테이블(100)은 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다. 회전 테이블(100) 상에는 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 제 1 유지부로서의 척(101)이 4 개 마련되어 있다. 척(101)은 회전 테이블(100)과 동일 원주 상에 균등, 즉 90 도마다 배치되어 있다. 4 개의 척(101)은 회전 테이블(100)이 회전함으로써, 전달 위치(A0) 및 가공 위치(A1 ~ A3)로 이동 가능하게 되어 있다.
본 실시 형태에서는, 전달 위치(A0)는 회전 테이블(100)의 X축 정방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 제 3 세정 유닛(150)이 배치된다. 전달 위치(A0)의 Y축 부방향측에는, 제 2 세정 유닛(140)과, 얼라이먼트 유닛(120) 및 제 1 세정 유닛(130)이 나란히 배치된다. 즉, 전달 위치(A0), 제 2 세정 유닛(140), 얼라이먼트 유닛(120) 및 제 1 세정 유닛(130)은, 웨이퍼 반송 장치(32)가 가공 장치(4)로 웨이퍼(W)를 반송하는 방향(Y축 방향)으로 나란히 배치된다. 또한, 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)은 상방으로부터 이 순서로 적층되어 배치된다. 제 1 가공 위치(A1)는 회전 테이블(100)의 X축 정방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 거친 연삭 유닛(160)이 배치된다. 제 2 가공 위치(A2)는 회전 테이블(100)의 X축 부방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 중간 연삭 유닛(170)이 배치된다. 제 3 가공 위치(A3)는 회전 테이블(100)의 X축 부방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 마무리 연삭 유닛(180)이 배치된다.
척(101)은 척 베이스(102)에 유지되어 있다. 척(101) 및 척 베이스(102)는 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이 반송 유닛(110)은 복수, 예를 들면 3 개의 암(111 ~ 113)을 구비한 다관절형의 로봇이다. 3 개의 암(111 ~ 113) 중, 선단의 제 1 암(111)에는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 제 2 유지부(기판 유지부)로서의 반송 패드(114)가 장착되어 있다. 또한, 기단의 제 3 암(113)은, 암(111 ~ 113)을 연직 방향으로 이동시키는 연직 이동 기구(115)에 장착되어 있다.
반송 패드(114)는, 평면에서 봤을 때, 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 직경을 구비한 원 형상을 가진다. 그 하면에 복수의 흡인구(도시하지 않음)가 형성되고, 각 흡인구는 진공 배기하는 흡인 기구(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 이에 의해 반송 패드(114)는, 웨이퍼(W)의 가공면 전면을 흡착 유지한다. 또한, 반송 패드(114)는 제 1 암(111)의 선단부에 지지되어 있다. 제 1 암(111)의 선단부에는 회전부(111a)가 내장되고, 회전부(111a)는 예를 들면 모터 등을 구비하고 있다. 이 회전부(111a)에 의해, 반송 패드(114)는 회전 가능하게 구성되어 있다.
3 개의 암(111 ~ 113)은 각각 관절부(112a, 113a)에 의해 접속되어 있다. 즉, 제 1 암(111)의 기단부와 제 2 암(112)의 선단부는, 당해 제 2 암(112)의 선단부에 내장된 관절부(112a)로 접속되어 있다. 관절부(112a)는 예를 들면 모터 등을 구비하고, 이 관절부(112a)에 의해, 제 1 암(111)은 기단부를 중심으로 선회 가능하게 구성되어 있다. 마찬가지로, 제 2 암(112)의 기단부와 제 3 암(113)의 선단부는, 당해 제 3 암(113)의 선단부에 내장된 관절부(113a)로 접속되어 있다. 관절부(113a)도 예를 들면 모터 등을 구비하고, 이 관절부(113a)에 의해, 제 2 암(112)은 기단부를 중심으로 선회 가능하게 구성되어 있다.
연직 이동 기구(115)는 연직 방향으로 연신하는 가이드(115a)를 구비하고, 제 3 암(113)의 기단부가 가이드(115a)에 장착되어 있다. 또한, 연직 이동 기구(115)에는 예를 들면 모터 등을 구비한 구동부(도시하지 않음)가 내장되고, 이 구동부에 의해, 제 3 암(113)(암(111 ~ 113))이 가이드(115a)를 따라 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
여기서, 도 7에 나타내는 바와 같이 가공 위치(A1 ~ A3)에서는, 연삭 유닛(160, 170, 180)으로 웨이퍼(W)의 가공면을 연삭할 시, 물을 사용한다. 또한 전달 위치(A0)에서는, 제 3 세정 유닛(150)에 의해 웨이퍼(W)의 가공면을 거친 세정할 시, 세정액을 사용한다. 또한, 제 2 세정 유닛(140)에 의해 웨이퍼(W)의 비가공면을 세정할 시에도, 세정액을 사용한다. 이 때문에, 이들 물 또는 세정액을 사용하는 영역은, 습기를 포함하는 웨트 환경 영역(R1)(도 7 중의 사선 영역)이 된다. 또한 웨트 환경 영역(R1)에서는, 연삭 유닛(160, 170, 180)으로 웨이퍼(W)의 가공면을 연삭할 시에, 깎인 잔사도 발생한다.
따라서 연직 이동 기구(115)는, 웨트 환경 영역(R1)으로부터 격리된 드라이 환경 영역(R2)(도 7 중의 점선 영역)에 배치하는 것이 바람직하다. 구체적으로 드라이 환경 영역(R2)은, 후술하는 마무리 연삭 유닛(180)의 지주(支柱)(184)의 Y축 부방향측의 영역이다. 이러한 경우, 연직 이동 기구(115)의 구동부가 습기 등에 노출되지 않고, 당해 구동부를 적절히 동작시킬 수 있다. 또한, 연직 이동 기구(115)의 가이드(115a)는 개구되어 있지만, 이 슬라이드 이동부인 가이드(115a)를 보호하기 위한 씰 기구 등이 불필요해져, 장치 구성을 간략화하는 것도 가능해진다. 또한, 드라이 환경 영역(R2)은 반송 스테이션(6)측에 있기 때문에, 당해 반송 스테이션(6)으로부터의 액세스가 하기 쉬워, 연직 이동 기구(115)의 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다.
또한, 상술한 회전부(111a)와 관절부(112a, 113a)는 각각, 암(111 ~ 113)에 내장되어 실링되어 있기 때문에, 웨트 환경 영역(R1)에서도 가일층의 보호는 불필요하다.
그리고, 이러한 구성을 구비한 반송 유닛(110)은 전달 위치(A0), 얼라이먼트 유닛(120), 제 1 세정 유닛(130) 및 제 2 세정 유닛(140)에 대하여, 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
얼라이먼트 유닛(120)에서는, 연삭 처리 전의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향을 조절한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 유닛(120)은 처리 용기(121)를 가지고, 처리 용기(121)의 내부에는 기대(122), 스핀 척(123) 및 검출부(124)가 마련되어 있다. 스핀 척(123)은 웨이퍼(W)를 흡착 유지하고, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다. 검출부(124)는 예를 들면 웨이퍼(W)의 외주부를 촬상함으로써 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출해도 되고, 혹은 웨이퍼(W)의 주연부에 레이저광을 조사함으로써 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출해도 된다. 그리고, 스핀 척(123)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서 검출부(124)로 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향을 조절한다.
또한, 얼라이먼트 유닛(120)의 하방에는 제 1 세정 유닛(130)이 배치되는데, 제 1 세정 유닛(130)은 후술하는 바와 같이 스핀 척(133)을 구비하기 때문에, 세정 시에 스핀 척(133)이 고속 회전함으로써 진동한다. 얼라이먼트 유닛(120)에 진동이 전해지면 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향을 적절히 조절할 수 없기 때문에, 처리 용기(121)는 제 1 세정 유닛(130)으로부터 독립하여 지지되는 것이 바람직하다. 처리 용기(121)의 지지 방법은 임의이지만, 예를 들면 웨트 환경 영역(R1)에 마련된 지지 부재에 지지되어도 되고, 혹은 가공 장치(4)의 하우징(측벽)에 지지되어 있어도 되고, 가공 장치(4)의 천장면으로부터 현수 지지되어 있어도 된다.
제 1 세정 유닛(130)에서는, 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 가공면을 세정하고, 보다 구체적으로는 스핀 세정한다.
도 9 ~ 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 1 세정 유닛(130)은 직사각형 형상의 지지판(131)을 가지고 있다. 제 1 세정 유닛(130)에는 X축 정방향 또한 Y축 정방향으로부터, 반송 유닛(110)의 제 1 암(111)과 반송 패드(114)가 액세스한다. 이 때문에, 지지판(131)의 X축 정방향 또한 Y축 정방향은 오픈되어 있다.
지지판(131)의 주위에는 셔터(132)가 마련되어 있다. 셔터(132)의 상면과 하면은 개구되어 있다. 셔터(132)는 승강 기구(도시하지 않음)에 의해, 지지판(131)의 상방과 하방에 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 셔터(132)의 평면에서 봤을 때의 형상은, 도시한 직사각형 형상에 한정되지 않고, 지지판(131)의 주위를 덮는 형상, 예를 들면 원 형상이어도 된다.
도 9의 (a) 및 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이 셔터(132)가 지지판(131)의 상방에 위치할 시, 당해 셔터(132)는 얼라이먼트 유닛(120)의 처리 용기(121)의 저면과 약간의 간극을 두고 배치된다. 이 간극에 의해, 제 1 세정 유닛(130)에 있어서의 세정 처리 시의 진동이, 얼라이먼트 유닛(120)에 전해지는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 지지판(131), 셔터(132) 및 처리 용기(121)로 처리 공간(K)이 형성된다. 또한, 처리 용기(121)의 저면에는 셔터(132)의 외방에 있어서, 상술한 처리 용기(121)의 저면과 셔터(132)와의 간극을 덮도록 스커트(121a)가 마련되어 있다. 이 스커트(121a)에 의해, 웨이퍼(W)의 세정 처리 시에 세정액이 외부에 비산하지 않는다.
한편 도 9의 (b) 및 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이 셔터(132)가 지지판(131)의 하방에 위치할 시, 처리 공간(K)이 개방된다. 그리고, 반송 유닛(110)에 의해 처리 공간(K)으로 웨이퍼(W)가 반송된다. 또한, 개방된 처리 공간(K)에는 웨이퍼 반송 장치(32)의 반송 패드(34)가, 반송 유닛(110)과는 상이한 방향, 즉 반송 스테이션(6)측으로부터 액세스 가능하다.
처리 공간(K)의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀 척(133)이 마련되어 있다. 스핀 척(133)은 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다. 스핀 척(133)의 하방에는, 예를 들면 모터 등을 구비한 구동부(134)가 마련되어 있다. 스핀 척(133)은 구동부(134)에 의해 정해진 속도로 회전할 수 있고, 또한 승강 가능하게 되어 있다. 스핀 척(133)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 컵(135)이 마련되어 있다.
세정액 노즐(136)은 웨이퍼(W)의 가공면에 세정액, 예를 들면 순수를 공급한다. 또한, 세정액 노즐(136)은 이동 기구(137)에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 스핀 척(133)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정액 노즐(136)로부터 웨이퍼(W)의 가공면에 세정액을 공급한다. 그러면, 공급된 세정액은 웨이퍼(W)의 가공면 상을 확산되어, 당해 가공면이 세정된다.
제 2 세정 유닛(140)에서는, 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)로서 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)에 유지된 웨이퍼(W)의 비가공면을 세정하고, 또한 반송 패드(114)를 세정한다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 2 세정 유닛(140)은 처리 용기(141)를 가지고, 처리 용기(141)의 내부에는 세정액 노즐을 가지는 스펀지 세정구(洗淨具)(142), 에어 노즐(143), 스톤 세정구(144)(숫돌) 및 브러시 세정구(145)가 마련되어 있다. 스펀지 세정구(142), 에어 노즐(143), 스톤 세정구(144) 및 브러시 세정구(145)는 각각 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
스펀지 세정구(142)는 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경보다 길게 연신하는 스펀지를 가지고, 스펀지에는 세정액, 예를 들면 순수를 공급 가능하며, 당해 비가공면, 보다 상세하게는 비가공면에 부착된 보호 테이프를 세정한다. 에어 노즐(143)은 웨이퍼(W)의 비가공면에 에어를 분사하여, 당해 비가공면을 건조시킨다. 이들 스펀지 및 세정액에 의한 비가공면의 세정과, 에어에 의한 비가공면의 건조는 각각, 반송 패드(114)로 웨이퍼(W)를 유지한 상태, 또한 회전부(111a)에 의해 반송 패드(114)(웨이퍼(W))를 회전시키면서 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 비가공면 전면이 세정된다.
스톤 세정구(144)와 브러시 세정구(145)는 각각, 예를 들면 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)에 있어서의 웨이퍼(W)의 흡착면의 직경보다 길게 연신되고, 당해 흡착면에 접촉하여 세정한다. 그리고, 스톤 세정구(144)와 브러시 세정구(145)에 의한 반송 패드(114)의 세정은, 회전부(111a)에 의해 반송 패드(114)를 회전시키면서 행해진다. 이에 의해 반송 패드(114)의 전면이 세정된다.
제 3 세정 유닛(150)에서는, 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)의 가공면과 척(101)을 세정한다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 제 3 세정 유닛(150)은 세정액 노즐(151), 스톤 세정구(152)(숫돌) 및 이동 기구(153)를 가지고 있다. 세정액 노즐(151)과 스톤 세정구(152)는 각각, 이동 기구(153)에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
세정액 노즐(151)은 웨이퍼(W)의 가공면에 세정액, 예를 들면 순수를 공급한다. 그리고, 척(101)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정액 노즐(151)로부터 웨이퍼(W)의 가공면에 세정액을 공급한다. 그러면, 공급된 세정액은 웨이퍼(W)의 가공면 상을 확산되어, 당해 가공면이 세정된다.
스톤 세정구(152)는 척(101)의 표면에 접촉하여 세정한다. 이 때, 노즐(도시하지 않음)로부터 척(101)의 표면에 세정액, 예를 들면 순수를 공급해도 된다.
거친 연삭 유닛(160)에서는, 웨이퍼(W)의 가공면을 거친 연삭한다. 거친 연삭 유닛(160)은 환상 형상의 거친 연삭 숫돌(161)을 가지고 있다. 거친 연삭 숫돌(161)에는 스핀들(162)을 개재하여 구동부(163)가 마련되어 있다. 구동부(163)는 예를 들면 모터(도시하지 않음)를 내장하고, 거친 연삭 숫돌(161)을 회전시키고, 또한 지주(164)를 따라 연직 방향 및 수평 방향(X축 방향)으로 이동시킨다. 그리고, 척(101)에 유지된 웨이퍼(W)를 거친 연삭 숫돌(161)의 원호의 일부에 접촉시킨 상태에서, 척(101)과 거친 연삭 숫돌(161)을 각각 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면을 거친 연삭한다. 또한 이 때, 웨이퍼(W)의 이면에 연삭액, 예를 들면 물이 공급된다.
중간 연삭 유닛(170)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 중간 연삭한다. 도 3 및 도 5에 나타내는 바와 같이 중간 연삭 유닛(170)의 구성은 거친 연삭 유닛(160)의 구성과 대략 동일하며, 중간 연삭 숫돌(171), 스핀들(172), 구동부(173) 및 지주(174)를 가지고 있다. 또한, 중간 연삭 숫돌(171)의 입도는 거친 연삭 숫돌(161)의 입도보다 작다. 그리고, 척(101)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 연삭액을 공급하면서, 이면을 중간 연삭 숫돌(171)의 원호의 일부에 접촉시킨 상태에서, 척(101)과 중간 연삭 숫돌(171)을 각각 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 이면을 연삭한다.
마무리 연삭 유닛(180)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 마무리 연삭한다. 마무리 연삭 유닛(180)의 구성은 거친 연삭 유닛(160), 중간 연삭 유닛(170)의 구성과 대략 동일하며, 마무리 연삭 숫돌(181) 스핀들(182), 구동부(183) 및 지주(184)를 가지고 있다. 또한, 마무리 연삭 숫돌(181)의 입도는 중간 연삭 숫돌(171)의 입도보다 작다. 그리고, 척(101)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 연삭액을 공급하면서, 이면을 마무리 연삭 숫돌(181)의 원호의 일부에 접촉시킨 상태에서, 척(101)과 마무리 연삭 숫돌(181)을 각각 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 이면을 연삭한다.
이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다.
먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 반입 스테이션(2)의 카세트 배치대(10)에 배치된다. 카세트(C)에는 보호 테이프가 변형되는 것을 억제하기 위하여, 당해 보호 테이프가 부착된 웨이퍼(W)의 표면이 상측을 향하도록 웨이퍼(W)가 수납되어 있다.
이어서, 웨이퍼 반송 장치(32)의 반송 포크(33)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 취출되고, 가공 장치(4)로 반송된다. 이 때, 반송 포크(33)에 의해 웨이퍼(W)의 가공면이 상측을 향하도록, 표리면이 반전된다.
가공 장치(4)로 반송된 웨이퍼(W)는, 얼라이먼트 유닛(120)의 스핀 척(123)으로 전달된다. 그리고, 당해 얼라이먼트 유닛(120)에 있어서, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향이 조절된다(도 12의 단계(S1)).
이어서, 도 13의 (a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)는 반송 유닛(110)에 의해, 얼라이먼트 유닛(120)으로부터 전달 위치(A0)로 반송되고, 당해 전달 위치(A0)의 척(101)으로 전달된다. 이 후, 회전 테이블(100)을 반시계 방향으로 90도 회전시켜, 척(101)을 제 1 가공 위치(A1)로 이동시킨다. 그리고, 거친 연삭 유닛(160)에 의해, 웨이퍼(W)의 가공면이 거친 연삭된다(도 12의 단계(S2)).
또한, 이 단계(S2)에서 웨이퍼(W)가 척(101)에 유지되기 전에, 척(101)은 제 3 세정 유닛(150)의 스톤 세정구(152)를 이용하여 세정되어 있다(도 12의 단계(T1)). 척(101)의 세정은 단계(S2)까지의 임의의 타이밍에 행해진다.
이어서, 회전 테이블(100)을 반시계 방향으로 90도 회전시켜, 척(101)을 제 2 가공 위치(A2)로 이동시킨다. 그리고, 중간 연삭 유닛(170)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 중간 연삭된다(도 12의 단계(S3)).
이어서, 회전 테이블(100)을 반시계 방향으로 90도 회전시켜, 척(101)을 제 3 가공 위치(A3)로 이동시킨다. 그리고, 마무리 연삭 유닛(180)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 마무리 연삭된다(도 12의 단계(S4)).
이어서, 회전 테이블(100)을 반시계 방향으로 90도 회전시키고, 또는 회전 테이블(100)을 시계 방향으로 270도 회전시켜, 척(101)을 전달 위치(A0)로 이동시킨다. 그리고, 제 3 세정 유닛(150)의 세정액 노즐(151)을 이용하여, 웨이퍼(W)의 가공면이 세정액에 의해 거친 세정된다(도 12의 단계(S5)). 이 단계(S5)에서는, 가공면의 오염을 어느 정도까지 떨어뜨리는 세정이 행해진다.
이어서, 도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)는 반송 유닛(110)에 의해 전달 위치(A0)로부터 제 2 세정 유닛(140)으로 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 박화되어 있지만, 반송 패드(114)는 웨이퍼(W)의 가공면을 전면에서 흡착 유지한다. 그리고 제 2 세정 유닛(140)에서는, 웨이퍼(W)가 반송 패드(114)에 회전 유지된 상태에서, 스펀지 세정구(142)에 의해 웨이퍼(W)의 비가공면이 세정된다(도 12의 단계(S6)). 이 후 또한 웨이퍼(W)가 반송 패드(114)에 회전 유지된 상태에서, 에어 노즐(143)로부터 비가공면에 에어가 분사되어, 당해 비가공면이 건조된다.
또한, 이 단계(S6)에서 웨이퍼(W)가 반송 유닛(110)에 의해 반송되기 전에, 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)는, 제 2 세정 유닛(140)의 스톤 세정구(144)와 브러시 세정구(145)를 이용하여 세정되어 있다(도 12의 단계(T2)). 스톤 세정구(144)와 브러시 세정구(145)에 의한 반송 패드(114)의 세정은, 회전부(111a)에 의해 반송 패드(114)를 회전시키면서 행해진다. 또한, 반송 패드(114)의 세정은 단계(S6)까지의 임의의 타이밍에 행해진다.
이어서, 도 13의 (d)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)는 반송 유닛(110)에 의해, 제 2 세정 유닛(140)으로부터 제 1 세정 유닛(130)으로 반송된다. 웨이퍼(W)의 반송 시, 제 1 세정 유닛(130)에서는, 셔터(132)가 지지판(131)의 하방에 위치하고, 처리 공간(K)이 개방되어 있다. 이 후, 웨이퍼(W)가 스핀 척(133)으로 전달되고, 반송 유닛(110)이 퇴출하면, 셔터(132)를 승강시켜, 당해 셔터(132)를 지지판(131)의 상방에 배치하여, 처리 공간(K)이 형성된다. 이 후, 스핀 척(133)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정액 노즐(136)로부터 웨이퍼(W)의 가공면에 세정액을 공급하고, 당해 가공면이 마무리 세정된다(도 12의 단계(S7)). 이 단계(S7)에서는, 웨이퍼(W)의 가공면이 원하는 청정도까지 세정되어 건조된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 가공면의 마무리 세정과 건조가 종료되면, 셔터(132)를 하강시켜, 당해 셔터(132)를 지지판(131)의 하방에 배치하고, 처리 공간(K)이 개방된다.
이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(32)에 의해, 제 1 세정 유닛(130)으로부터 후처리 장치(5)로 반송된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 박화되어 있지만, 반송 패드(34)는 웨이퍼(W)의 가공면을 전면에서 흡착 유지한다. 그리고 후처리 장치(5)에서는, 웨이퍼(W)를 다이싱 프레임에 유지하는 마운트 처리, 및 웨이퍼(W)에 부착된 보호 테이프를 박리하는 박리 처리 등의 후처리가 행해진다(도 12의 단계(S8)).
이 후, 모든 처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 반출 스테이션(3)의 카세트 배치대(20)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
또한, 일련의 웨이퍼 처리에 있어서 가공 장치(4)에서는, 반송 유닛(110)이 동작을 정지하고 있을 시, 당해 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)는 대기 위치인, 제 2 세정 유닛(140)의 상방에 배치되어 있다. 이 대기 시, 반송 패드(114)는 회전 테이블(100)의 척(101)(전달 위치(A0) 및 가공 위치(A1 ~ A3))보다 높은 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 상술한 단계(S2 ~ S4)에 있어서 연삭 유닛(160, 170, 180)으로 웨이퍼(W)의 가공면을 연삭할 시, 깎인 잔사가 발생하고, 이 깎인 잔사를 포함하는 오염 공기가 척(101)측으로부터 흘러 온다. 따라서, 반송 패드(114)의 대기 시에 반송 패드(114)를 척(101)보다 높게 배치함으로써, 당해 반송 패드(114)가 오염 공기에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다.
이상의 실시 형태에 따르면, 가공 장치(4)에 있어서, 반송 유닛(110)은 3 개의 암(111 ~ 113)을 구비한 다관절형의 로봇이며, 각 암(111 ~ 113)을 독립하여 이동시킬 수 있으므로, 반송 패드(114)가 전달 위치(A0), 얼라이먼트 유닛(120), 제 1 세정 유닛(130) 및 제 2 세정 유닛(140)에 액세스할 수 있다. 그리고, 이와 같이 1 개의 반송 유닛(110)으로, 전달 위치(A0) 및 각 유닛(120, 130, 140)으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으므로, 당해 반송 유닛(110)의 이동 자유도를 높게 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 반송 수단이 1 개이기 때문에, 가공 장치(4)의 장치 구성을 간략화할 수도 있다. 따라서, 웨이퍼 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
또한 가공 장치(4)에 있어서, 전달 위치(A0), 제 2 세정 유닛(140), 얼라이먼트 유닛(120) 및 제 1 세정 유닛(130)은 Y축 방향으로 나란히 배치되어 있으므로, 반송 유닛(110)의 액세스 범위를 작게 할 수 있어, 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다.
또한, 가공 장치(4)에 있어서 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)이 적층되어 있으므로, 가공 장치(4)의 풋프린트를 작게 할 수 있다. 그 결과, 가공 장치(4)의 설치 자유도가 향상된다. 또한, 이와 같이 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)을 적층함으로써, 이들 각 유닛(120, 130)의 메인터넌스도 용이하게 행할 수 있다.
또한, 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)은 상방으로부터 이 순으로 적층되어 있고, 즉 액 처리를 행하는 제 1 세정 유닛(130)이 얼라이먼트 유닛(120)의 하층에 마련되어 있다. 이러한 경우, 제 1 세정 유닛(130)에 있어서의 배액을 제 1 세정 유닛(130)의 하부로부터 용이하게 행할 수 있고, 또한 제 1 세정 유닛(130)에서 발생한 파티클이 얼라이먼트 유닛(120)에 침입하지 않는다. 단, 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)의 적층순은 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 본 실시 형태에 따르면, 하나의 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 일련의 처리를 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 연속하여 행할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한 기판 처리 시스템(1)의 구성은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 가공 장치(4)에 있어서, 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)은 적층되어 있었지만, 수평 방향으로 나란히 배치해도 된다. 단, 풋프린트를 작게하는 관점으로부터는, 적층하는 편이 바람직하다. 또한, 제 1 세정 유닛(130)은 가공 장치(4)의 외부, 예를 들면 가공 장치(4)와 후처리 장치(5)의 사이에 마련되어도 된다.
또한 가공 장치(4)에 있어서, 제 2 세정 유닛(140)은 얼라이먼트 유닛(120) 및 제 1 세정 유닛(130)과 수평 방향으로 나란히 배치되어 있었지만, 이들 얼라이먼트 유닛(120)과 제 1 세정 유닛(130)에 적층되어 마련되어 있어도 된다. 단, 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)에는 반드시 대기 위치가 필요해지기 때문에, 그 대기 위치에 제 2 세정 유닛(140)을 배치하는 것이 레이아웃으로서는 효율이 좋다.
또한 가공 장치(4)에 있어서, 반송 유닛(110)의 연직 이동 기구(115)는 드라이 환경 영역(R2)에 고정하여 마련되어 있었지만, 예를 들면 도 1의 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있어도 된다. 이러한 경우, 3 개의 암(111 ~ 113) 중, 어느 1 개의 암을 생략해도 된다.
또한 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 예를 들면 가공 장치(4)와 후처리 장치(5)의 사이에 다른 웨이퍼 반송 장치가 마련되어 있어도 된다. 이 웨이퍼 반송 장치는 예를 들면 제 1 세정 유닛(130)으로부터 후처리 장치(5)로 웨이퍼(W)를 반송한다.
또한 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 후처리 장치(5)에서는, 마운트 처리 및 박리 처리가 행해지고 있었지만, 웨이퍼(W)에 대한 다이싱 처리를 행해도 된다. 혹은, 기판 처리 시스템(1)은, 가공 장치(4)와 후처리 장치(5)에 더하여, 다이싱 처리를 행하는 다이싱 장치를 별도 가지고 있어도 된다. 이러한 다이싱 처리는, 가공 장치(4)에 있어서의 연삭 처리 전에 행해져도 되고, 연삭 처리의 후에 행해져도 된다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 후처리 장치(5)를 생략하고, 마운트 처리 및 박리 처리, 다이싱 처리를 기판 처리 시스템(1)의 외부에서 행해도 된다. 이러한 경우, 가공 장치(4)에서 연삭 처리된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(32)의 반송 패드(34)에 의해, 제 1 세정 유닛(130)으로부터 카세트 배치대(10)로 반송된다.
이어서, 상기 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)의 가공 장치(4)에 있어서의, 반송 유닛(110)의 구성에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 즉, 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)는, 측면에서 봤을 때 경동(傾動) 가능하게 하는 경우와, 이 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 경우를, 전환 가능하게 구성되어 있다. 반송 패드(114)를 경동 가능하게 하는 기구(이하, '경동 기구'라고 함)와 고정하는 기구(이하, '고정 기구'라고 함)는 각각 임의의 구성을 취할 수 있는데, 이하, 그 예를 설명한다.
도 14는 반송 패드(114)의 경동 기구(200)의 구성의 개략을 나타내는 설명도로, (a)는 평면도이며, (b)는 측면도이다. 경동 기구(200)는 지지 플레이트(201)와 가압부(202)를 가지고 있다. 지지 플레이트(201)는 원판 형상을 가지고, 반송 패드(114)의 상방에 있어서, 당해 반송 패드(114)와 동심원 형상으로 마련되어 있다. 또한, 지지 플레이트(201)는 제 1 암(111)에 지지되어 있다.
가압부(202)는 지지 플레이트(201)에 대하여 반송 패드(114)를 이간 방향으로 힘을 가한다. 가압부(202)는 지지 플레이트(201)의 동일 원주 상을 등간격으로 복수, 예를 들면 3 개소에 마련되어 있다. 이 3 개의 가압부(202)에 의해, 반송 패드(114)는 그 연직 방향의 중심축(C)을 중심으로 경동 가능하게 구성되어 있다.
도 15에 나타내는 바와 같이 가압부(202)는 볼트(203), 스프링(204) 및 하우징(205)을 가지고 있다. 볼트(203)의 선단부(203a)는 반송 패드(114)에 고정하여 마련되어 있다. 한편, 볼트(203)의 볼트 헤드(203b)는, 지지 플레이트(201)의 상면측에서 상하 이동 가능하게 되어 있다. 볼트(203)의 외주면에는 스프링(204)이 마련되어 있다. 스프링(204)은 하우징(205)에 수용되어 있다. 이러한 구성에 의해, 가압부(202)는 지지 플레이트(201)에 대하여 반송 패드(114)에 힘을 가할 수 있다.
도 16은 반송 패드(114)의 고정 기구(210)의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다. 고정 기구(210)는, 각 가압부(202)의 상방에 마련되어 있다. 고정 기구(210)는 락 부재(211)와 실린더(212)를 가지고 있다. 락 부재(211)는 볼트(203)의 상방에 있어서, 연직 방향으로 연신하여 마련되어 있다. 실린더(212)는 락 부재(211)를 연직 방향으로 이동시킨다. 이러한 구성에 의해, 고정 기구(210)는, 락 부재(211)를 볼트(203)의 볼트 헤드(203b)에 접촉시킴으로써, 반송 패드(114)의 상하 이동을 고정할 수 있다. 한편, 고정 기구(210)는 락 부재(211)를 볼트(203)와 접촉시키지 않도록 상방에 배치함으로써, 반송 패드(114)를 상하 이동시킬 수 있다.
이어서, 이상의 경동 기구(200)와 고정 기구(210)의 동작에 대하여, 상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 처리에 입각하여 설명한다. 또한 이하의 설명에 있어서, 반송 패드(114)를 경동 가능하게 한다는 것은, 고정 기구(210)의 락 부재(211)를 경동 기구(200)의 볼트(203)에 접촉시키지 않고, 경동 기구(200)의 기능에 의해, 반송 패드(114)의 경동이 프리한 상태가 되어 있는 것을 말한다. 또한 반송 패드(114)의 경동을 고정시킨다는 것은, 락 부재(211)를 볼트(203)에 접촉시켜, 반송 패드(114)의 상하 이동이 락되어 있는 상태를 말한다.
먼저, 단계(S1)에서 얼라이먼트 유닛(120)으로 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향이 조절된 후, 반송 유닛(110)에 의해 얼라이먼트 유닛(120)으로부터 웨이퍼(W)를 취출할 시에는, 반송 패드(114)를 경동 가능하게 한다. 이에 의해, 예를 들면 스핀 척(123)에 유지된 웨이퍼(W)가 수평이 아닌 경우라도, 그 기울기를 따라 반송 패드(114)를 경동시킬 수 있어, 웨이퍼(W)를 적절히 수취할 수 있다.
이 후, 반송 유닛(110)에 의해, 얼라이먼트 유닛(120)으로부터 전달 위치(A0)로 웨이퍼(W)를 반송할 시에는, 반송 패드(114)의 경동을 고정한다. 이에 의해, 반송 중에 웨이퍼(W)가 불규칙하게 상하 이동하는 것을 억제할 수 있다.
이 후, 반송 유닛(110)에 의해, 전달 위치(A0)의 척(101)으로 웨이퍼(W)를 전달할 시에는, 반송 패드(114)를 경동 가능하게 한다. 이에 의해, 예를 들면 도 17에 나타내는 바와 같이 척(101)이 평탄(수평)하지 않은 경우라도, 그 기울기를 따라 반송 패드(114)를 경동시킬 수 있어, 웨이퍼(W)를 적절히 전달할 수 있다.
이 후, 단계(S2 ~ S5)의 연삭 처리가 종료되고, 반송 유닛(110)에 의해 전달 위치(A0)의 척(101)으로부터 웨이퍼(W)를 수취할 시에는, 반송 패드(114)를 경동 가능하게 한다.
이 후, 반송 유닛(110)에 의해, 전달 위치(A0)로부터 제 2 세정 유닛(140)으로 웨이퍼(W)를 반송할 시에는, 반송 패드(114)의 경동을 고정한다.
이 후, 단계(S6)에서 반송 패드(114)에 유지된 웨이퍼(W)의 비가공면을 세정할 시에는, 반송 패드(114)의 경동을 고정한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 불규칙하게 상하 이동하지 않으므로, 비가공면을 적절히 세정할 수 있다.
또한, 이 단계(S6)에서 웨이퍼(W)가 반송 유닛(110)에 의해 반송되기 전에, 단계(T2)에서, 제 2 세정 유닛(140)의 스톤 세정구(144)와 브러시 세정구(145)를 이용하여 반송 패드(114)가 세정된다. 이 반송 패드(114)의 세정 시에는, 도 18에 나타내는 바와 같이 반송 패드(114)의 경동을 고정한다. 이에 의해, 반송 패드(114)가 불규칙하게 상하 이동하지 않으므로, 당해 반송 패드(114)를 적절히 세정할 수 있다.
이 후, 반송 유닛(110)에 의해, 제 2 세정 유닛(140)으로부터 제 1 세정 유닛(130)으로 웨이퍼(W)를 반송할 시에는, 반송 패드(114)의 경동을 고정한다.
이 후, 반송 유닛(110)에 의해, 제 1 세정 유닛(130)의 스핀 척(133)에 웨이퍼(W)를 전달할 시에는, 반송 패드(114)를 경동 가능하게 한다. 이에 의해, 스핀 척(133)이 평탄(수평)하지 않은 경우라도, 그 기울기를 따라 반송 패드(114)를 경동시킬 수 있어, 웨이퍼(W)를 적절히 전달할 수 있다.
이 후, 단계(S8)가 행해지는데, 반송 유닛(110)을 이용하지 않는 처리이므로, 설명을 생략한다.
이상의 실시 형태에 따르면, 반송 유닛(110)을 이용한 웨이퍼(W)의 전달 시(수취 시)에는, 반송 패드(114)를 경동 가능하게 하고 있다. 이 때문에, 예를 들면 전달하는 측의 척이 평탄(수평)하지 않은 경우라도, 그 기울기를 따라 반송 패드(114)를 경동시킬 수 있어, 웨이퍼(W)를 적절히 전달할 수 있다.
한편, 웨이퍼(W)의 전달 이외의 시, 예를 들면 웨이퍼(W)의 반송 시 또는 세정 시, 반송 패드(114)의 세정 시에는 반송 패드(114)의 경동을 고정하고 있으므로, 당해 반송 또는 세정을 적절히 행할 수 있다.
이와 같이, 반송 패드(114)의 경동과 고정을 전환함으로써 웨이퍼 처리를 적절히 행할 수 있다.
또한 이상의 기판 처리 시스템(1)은, 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, 보호 테이프의 두께를 계측하는, 계측부로서의 두께 계측기(도시하지 않음)를 가지고 있어도 된다. 두께 계측기는 공지의 계측기를 이용할 수 있는데, 예를 들면 분광 간섭계를 이용할 수 있다.
여기서, 웨이퍼(W)에 부착된 보호 테이프는, 테이프 자체의 두께가 면내에서 불균일한 경우가 있다. 또한, 보호 테이프를 웨이퍼(W)에 부착할 시에 장력이 불균일해지기 때문에, 보호 테이프의 두께가 면내에서 불균일한 경우도 있다. 그리고, 이와 같이 테이프의 두께가 불균일한 상태에서 연삭 처리를 행하면, 당해 연삭이 웨이퍼 면내에서 균일해져 버린다.
따라서, 예를 들면 단계(S1)에서 얼라이먼트 유닛(120)으로 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향이 조절된 후, 반송 유닛(110)에 의해 전달 위치(A0)로 웨이퍼(W)를 반송할 시, 반송 패드(114)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, 두께 계측기에 의해 보호 테이프의 두께를 계측한다. 그리고, 단계(S2 ~ S4)의 연삭 처리에서는, 보호 테이프의 두께의 계측 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)의 가공면에 대한 연삭 유닛(160, 170, 180)(연삭 숫돌(161, 171, 181))의 접촉의 방법을 조절한다. 그러면, 웨이퍼 면내에서 균일한 두께로 웨이퍼(W)를 연삭하여 박화할 수 있다.
이러한 보호 테이프의 두께 계측을 행할 경우, 반송 패드(114)의 경동을 고정한다. 이에 의해, 보호 테이프의 두께를 적절히 계측할 수 있다. 또한 본 실시 형태는, 보호 테이프에 한정되지 않고 다른 보호 부재, 예를 들면 도포된 보호제, 또는 웨이퍼(W)의 표면(디바이스가 형성된 면)에 지지 기판 등이 부착되었을 시에, 당해 다른 보호 부재의 두께 계측을 행하는 경우에도 적용할 수 있다.
또한, 반송 패드(114)의 경동 기구와 고정 기구의 구성은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면 도 19에 나타내는 바와 같이 고정 기구(220)는, 수평 방향으로 연신하는 락 부재(221)와, 락 부재(221)를 수평 방향으로 이동시키는 실린더(222)를 가지고 있다. 이러한 구성에 의해, 고정 기구(220)는 락 부재(221)를 볼트(203)에 접촉시킴으로써, 반송 패드(114)의 상하 이동을 고정할 수 있다. 한편, 고정 기구(220)는 락 부재(221)를 볼트(203)와 접촉시키지 않도록 측방에 배치함으로써, 반송 패드(114)를 상하 이동시킬 수 있다.
또한, 예를 들면 도 20에 나타내는 바와 같이 고정 기구(230)는, 회전 가능한 락 부재(231)를 가지고 있어도 된다. 락 부재(231)는 중심으로부터 직경 방향으로 연신하는 암(231a)을 3 개 가지고, 각 암(231a)은 경동 기구(200)의 볼트(203)에 대응하도록 마련되어 있다. 이러한 구성에 의해, 고정 기구(230)는 락 부재(231)를 회전시켜 암(231a)을 볼트(203)에 접촉시킴으로써, 반송 패드(114)의 상하 이동을 고정할 수 있다. 한편, 고정 기구(230)는 암(231a)을 볼트(203)와 접촉시키지 않도록 배치함으로써, 반송 패드(114)를 상하 이동시킬 수 있다.
또한, 예를 들면 도 21에 나타내는 바와 같이 반송 유닛(110)은, 경동 기구와 고정 기구가 복합된 기구(240)(이하, '복합 기구(240)'라고 함)를 가지고 있어도 된다. 복합 기구(240)는 반송 패드(114)를 지지하는 지지구체(241)와, 지지구체(241)를 진공 배기하여 흡착하는 흡착체(242)를 가지고 있다. 흡착체(242)의 하면에는, 지지구체(241)의 구 형상을 따른 만곡부(242a)가 형성되어 있다. 지지구체(241)는 만곡부(242a)를 따라 회전 가능하게 구성되어 있다. 이 지지구체(241)에 의해, 반송 패드(114)는 그 연직 방향의 중심축(C)을 중심으로 경동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 만곡부(242a)에는 복수의 흡인구(도시하지 않음)가 형성되고, 각 흡인구는 진공 배기하는 흡인 기구(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
이러한 구성에 의해, 복합 기구(240)는, 흡착체(242)의 만곡부(242a)가 지지구체(241)를 진공 배기하여 흡착 유지한다. 이에 의해, 지지구체(241)의 회전이 고정되어, 반송 패드(114)의 경동을 고정할 수 있다. 한편, 흡착체(242)의 만곡부(242a)에 의한 지지구체(241)의 진공 배기를 정지함으로써, 지지구체(241)는 자유롭게 회전할 수 있다. 그리고, 이와 같이 지지구체(241)가 회전함으로써, 반송 패드(114)를, 중심축(C)을 중심으로 경동시킬 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태의 경동 기구(200)와 고정 기구(210, 220, 230)(복합 기구(240))는 반송 유닛(110)의 반송 패드(114)에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 반송하는 것이면 적용할 수 있다. 예를 들면 경동 기구(200)와 고정 기구(210, 220, 230)(복합 기구(240))는 웨이퍼 반송 장치(32)의 반송 패드(34)에도 적용할 수 있다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 가공 장치(4)에 있어서 웨이퍼(W)의 반송 수단은 1 개였지만, 2 개 마련되어 있어도 된다. 예를 들면 1 번째의 반송 수단은, 연삭 처리 전의 웨이퍼(W)를 반송하고, 얼라이먼트 유닛(120)과 전달 위치(A0)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 또한 2 번째의 반송 수단은, 연삭 처리 후의 웨이퍼(W)를 반송하고, 전달 위치(A0), 제 1 세정 유닛(130) 및 제 2 세정 유닛(140)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 이와 같이 2 개의 반송 수단이 마련되어 있는 경우라도, 각각의 반송 수단에 대하여, 경동 기구(200)와 고정 기구(210, 220, 230)(복합 기구(240))를 적용할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
예를 들면, 이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 표면에는 디바이스를 보호하기 위하여 보호 테이프가 부착되어 있었지만, 디바이스의 보호 부재는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 웨이퍼의 표면에는 도포된 보호제 또는, 지지 웨이퍼 또는 글라스 기판 등의 지지 기판이 접합되어 있어도 되며, 이러한 경우라도 본 발명의 일태양을 적용할 수 있다.
1 : 기판 처리 시스템
2 : 반입 스테이션
3 : 반출 스테이션
4 : 가공 장치
5 : 후처리 장치
6 : 반송 스테이션
10, 20 : 카세트 배치대
32 : 웨이퍼 반송 장치
33 : 반송 포크
34 : 반송 패드
40 : 제어부
100 : 회전 테이블
101 : 척
110 : 반송 유닛
111 ~ 113 : 암
111a : 회전부
112a, 113a : 관절부
114 : 반송 패드
115 : 연직 이동 기구
120 : 얼라이먼트 유닛
130 : 제 1 세정 유닛
140 : 제 2 세정 유닛
150 제 3 세정 유닛
160 : 거친 연삭 유닛
170 : 중간 연삭 유닛
180 : 마무리 연삭 유닛
200 : 경동 기구
210, 220, 230 : 고정 기구
240 : 복합 기구
A0 : 전달 위치
A1 ~ A3 : 가공 위치
R1 : 웨트 환경 영역
R2 : 드라이 환경 영역
W : 웨이퍼

Claims (20)

  1. 기판 유지부로 기판의 일면을 유지하여 반송하고, 기판의 타면을 전달하는 기판 반송 장치로서,
    상기 기판 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와,
    상기 기판 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가지는 기판 반송 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 경동 기구는 상기 기판 유지부의 연직 방향의 중심축을 중심으로 경동시키는 기판 반송 장치.
  3. 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,
    기판을 유지하는 제 1 유지부와,
    상기 제 1 유지부에 유지된 기판의 가공면을 가공하는 가공부와,
    상기 가공부로 가공된 기판으로서 제 2 유지부에 유지된 기판의 가공면과 반대측의 비가공면을 세정하고, 또는 상기 제 2 유지부를 세정하는 세정부와,
    상기 제 2 유지부를 구비하고, 상기 제 2 유지부로 기판을 유지하여 반송하고, 또한 상기 제 1 유지부로 기판을 전달하는 전달 위치와 상기 세정부에 대하여, 기판을 반송하는 반송부를 가지고,
    상기 반송부는,
    상기 제 2 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와,
    상기 제 2 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가지는 기판 처리 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 경동 기구는 상기 제 2 유지부의 연직 방향의 중심축을 중심으로 경동시키는 기판 처리 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 전달 위치에 있어서 상기 반송부가 상기 제 1 유지부로 기판을 전달할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있고,
    상기 세정부에 있어서 기판의 비가공면 또는 상기 제 2 유지부를 세정할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 기판 처리 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반송부로 기판을 반송할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 기판 처리 시스템.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 반송부는, 복수의 암과, 상기 복수의 암을 접속하는 복수의 관절부를 가지고,
    상기 복수의 암 중 선단의 암은, 상기 제 2 유지부를 지지하고,
    상기 관절부는 상기 암을 이동시키는 기판 처리 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 선단의 암에 마련되고, 상기 제 2 유지부를 회전시키는 회전부를 가지는 기판 처리 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 반송부는, 상기 복수의 암을 연직 방향으로 이동시키는 이동 기구를 가지고,
    상기 이동 기구는, 상기 가공부를 지지하는 지지부를 개재하여, 상기 가공부로부터 격리되어 마련되어 있는 기판 처리 시스템.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 유지부에 유지되기 전의 기판의 수평 방향의 방향을 조절하는 얼라이먼트부를 가지고,
    상기 반송부는, 상기 얼라이먼트부에 대하여 기판을 반송하고,
    상기 반송부가 상기 얼라이먼트부로부터 기판을 수취할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있는 기판 처리 시스템.
  11. 제 3 항에 있어서,
    상기 가공부로 가공된 기판의 가공면을 세정하는 가공면 세정부를 가지고,
    상기 반송부는, 상기 가공면 세정부에 대하여 기판을 반송하고,
    상기 반송부가 상기 가공면 세정부로 기판을 전달할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있는 기판 처리 시스템.
  12. 제 3 항에 있어서,
    기판의 비가공면에는 디바이스가 형성되고, 또한 상기 비가공면에 보호 부재가 마련되고,
    상기 제 2 유지부에 유지된 기판의 상기 보호 부재의 두께를 계측하는 계측부를 가지고,
    상기 계측부에 있어서 상기 보호 부재의 두께를 계측할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 기판 처리 시스템.
  13. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 유지부를 복수 구비하고, 상기 전달 위치와 상기 가공부에 의한 가공이 행해지는 가공 위치와의 사이에서, 복수의 상기 제 1 유지부를 회전시켜 이동시키는 회전 테이블을 가지는 기판 처리 시스템.
  14. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    반송부에 의해 제 1 유지부로 기판을 반송하는 제 1 반송 공정과,
    이 후, 가공부에 의해, 상기 제 1 유지부에 유지된 기판의 가공면을 가공하는 가공 공정과,
    이 후, 상기 반송부에 의해 세정부로 기판을 반송하는 제 2 반송 공정과,
    이 후, 상기 세정부에 의해, 상기 반송부의 제 2 유지부에 유지된 기판의 가공면과 반대측의 비가공면을 세정하고, 또는 상기 제 2 유지부를 세정하는 세정 공정을 가지고,
    상기 반송부는,
    상기 제 2 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와,
    상기 제 2 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가지고,
    상기 제 1 반송 공정에 있어서, 상기 반송부가 상기 제 1 유지부로 기판을 전달할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있고,
    상기 세정 공정에 있어서, 기판의 비가공면 또는 상기 제 2 유지부를 세정할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 경동 기구는 상기 제 2 유지부의 연직 방향의 중심축을 중심으로 경동시키는 기판 처리 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 반송 공정과 상기 제 2 반송 공정의 각각에 있어서, 상기 반송부로 기판을 반송할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 기판 처리 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 반송 공정 전에, 얼라이먼트부에 의해, 기판의 수평 방향의 방향을 조절하는 얼라이먼트 공정을 가지고,
    상기 제 1 반송 공정에 있어서, 상기 반송부가 상기 얼라이먼트부로부터 기판을 수취할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있는 기판 처리 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 세정 공정 후, 상기 반송부에 의해 가공면 세정부로 기판을 반송하는 제 3 반송 공정과,
    이 후, 상기 가공면 세정부에 의해 기판의 가공면을 세정하는 가공면 세정 공정을 가지고,
    상기 제 3 반송 공정에 있어서, 상기 반송부가 상기 가공면 세정부로 기판을 전달할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있는 기판 처리 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    기판의 비가공면에는 디바이스가 형성되고, 또한 상기 비가공면에 보호 부재가 마련되고,
    상기 제 1 반송 공정에 있어서, 계측부에 의해, 상기 제 2 유지부에 유지된 기판의 상기 보호 부재의 두께를 계측하고, 상기 계측할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 기판 처리 방법.
  20. 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 독해 가능한 컴퓨터 기억 매체로서,
    상기 기판 처리 방법은,
    반송부에 의해 제 1 유지부로 기판을 반송하는 제 1 반송 공정과,
    이 후, 가공부에 의해, 상기 제 1 유지부에 유지된 기판의 가공면을 가공하는 가공 공정과,
    이 후, 상기 반송부에 의해 세정부로 기판을 반송하는 제 2 반송 공정과,
    이 후, 상기 세정부에 의해, 상기 반송부의 제 2 유지부에 유지된 기판의 가공면과 반대측의 비가공면을 세정하고, 또는 상기 제 2 유지부를 세정하는 세정 공정을 가지고,
    상기 반송부는,
    상기 제 2 유지부를 측면에서 봤을 때 경동 가능하게 하는 경동 기구와,
    상기 제 2 유지부의 측면에서 봤을 때의 경동을 고정하는 고정 기구를 가지고,
    상기 제 1 반송 공정에 있어서, 상기 반송부가 상기 제 1 유지부로 기판을 전달할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 경동 기구에 의해 경동 가능하게 되어 있고,
    상기 세정 공정에 있어서, 기판의 비가공면 또는 상기 제 2 유지부를 세정할 시, 상기 제 2 유지부는 상기 고정 기구에 의해 고정되어 있는 컴퓨터 기억 매체.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022051281A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボット
CN112261785B (zh) * 2020-10-19 2021-12-17 嘉兴桀华电子科技有限公司 一种集成电路板加工装置
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置
CN117049125B (zh) * 2023-10-11 2023-12-26 合肥铠柏科技有限公司 一种可自适应样品架角度误差样品传输器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284448A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの研磨システム
JP2014008597A (ja) 2012-07-03 2014-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
KR20150007967A (ko) * 2013-07-11 2015-01-21 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 상태 감시 방법
KR20160088815A (ko) * 2015-01-16 2016-07-26 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 연삭 방법
JP2017005070A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社ディスコ 搬送装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571116Y2 (ko) * 1978-01-31 1982-01-08
JPS5867685U (ja) * 1981-10-29 1983-05-09 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 吸着ハンド構体
FR2557004B1 (fr) * 1983-12-23 1986-05-09 Renault Tete a six axes de correction de mouvements
US4684113A (en) * 1984-09-28 1987-08-04 The Boeing Company Universal holding fixture
JPS62102985A (ja) * 1985-10-30 1987-05-13 日立金属株式会社 ロボツトの把持装置
JP3197019B2 (ja) * 1991-03-18 2001-08-13 株式会社ブリヂストン 帯状部材の吸着方法
US5457868A (en) * 1991-03-26 1995-10-17 Gfm Gesellschaft Fur Fertigungstechnik Und Maschinenbau Aktiengesellschaft Work supporting method using a deck for use in machine tools, particularly in cutting machines
DE4408537A1 (de) * 1994-03-14 1995-09-21 Leybold Ag Vorrichtung für den Transport von Substraten
JP3389456B2 (ja) * 1997-06-09 2003-03-24 株式会社安川電機 産業用ロボット
DE19817777C1 (de) * 1998-04-21 1999-09-09 Schmalz J Gmbh Unterdruckhandhabungseinrichtung
US6189876B1 (en) * 1998-05-05 2001-02-20 Mcms, Inc. Method and apparatus for leveling the upper surface of a PCB
JP4095978B2 (ja) 2001-02-07 2008-06-04 日産自動車株式会社 吸着保持装置
JP4106450B2 (ja) 2001-02-07 2008-06-25 日産自動車株式会社 吸着保持装置
JP2003092274A (ja) 2001-09-19 2003-03-28 Nikon Corp 加工装置および方法、この装置を用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
JP4464113B2 (ja) * 2003-11-27 2010-05-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工装置
JP4643185B2 (ja) 2004-07-05 2011-03-02 リンテック株式会社 移載装置
US7195535B1 (en) * 2004-07-22 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Metrology for chemical mechanical polishing
JP4640290B2 (ja) 2005-11-21 2011-03-02 日産自動車株式会社 ワーク移し替えのための方法及びシステム
US7975998B2 (en) * 2006-04-03 2011-07-12 Midaco Corporation Pallet changer and system and method for using the same
JP2008147275A (ja) 2006-12-07 2008-06-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの搬送装置
JP4655074B2 (ja) * 2007-07-27 2011-03-23 トヨタ自動車株式会社 ワーク搬送装置およびワーク設置方法
KR100889638B1 (ko) 2008-03-17 2009-03-20 한국뉴매틱(주) 진공 패드장치
JP2010058213A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Central Motor Co Ltd バキュームパッド装置
KR101289366B1 (ko) * 2008-09-12 2013-07-29 가부시키가이샤 다이후쿠 기판 반송 설비
JP5345457B2 (ja) 2009-07-09 2013-11-20 株式会社ディスコ 研削装置
JP5287741B2 (ja) * 2010-01-21 2013-09-11 富士通株式会社 部品のマウンタ装置及び部品のマウント方法
JP5619559B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-05 株式会社ディスコ 加工装置
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6195754B2 (ja) 2013-07-19 2017-09-13 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨状態監視方法
JP6496535B2 (ja) * 2014-12-02 2019-04-03 リコーエレメックス株式会社 保持装置
CN104900554B (zh) * 2015-04-15 2017-10-17 四川虹视显示技术有限公司 一种oled基板金属层检测及分配装置
CN206255626U (zh) * 2016-07-25 2017-06-16 K.C.科技股份有限公司 基板移送装置及包含其的基板处理系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284448A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの研磨システム
JP2014008597A (ja) 2012-07-03 2014-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
KR20150007967A (ko) * 2013-07-11 2015-01-21 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 상태 감시 방법
KR20160088815A (ko) * 2015-01-16 2016-07-26 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 연삭 방법
JP2017005070A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社ディスコ 搬送装置

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