KR20200021230A - 플립 칩 본딩 방법 - Google Patents

플립 칩 본딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200021230A
KR20200021230A KR1020180096743A KR20180096743A KR20200021230A KR 20200021230 A KR20200021230 A KR 20200021230A KR 1020180096743 A KR1020180096743 A KR 1020180096743A KR 20180096743 A KR20180096743 A KR 20180096743A KR 20200021230 A KR20200021230 A KR 20200021230A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
substrate
die
curing
bonding
Prior art date
Application number
KR1020180096743A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102555721B1 (ko
Inventor
진화일
최용원
강명성
김영석
김원근
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180096743A priority Critical patent/KR102555721B1/ko
Priority to US16/533,450 priority patent/US10910339B2/en
Priority to CN201910752106.XA priority patent/CN110854028A/zh
Publication of KR20200021230A publication Critical patent/KR20200021230A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102555721B1 publication Critical patent/KR102555721B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/02—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving pretreatment of the surfaces to be joined
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • C09J2201/622—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75272—Oven
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/75901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H01L2224/81204—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding with a graded temperature profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81908—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/83055—Composition of the atmosphere being oxidating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83091—Under pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H01L2224/83204—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding with a graded temperature profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83948—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211—Parallel connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1431—Logic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1434—Memory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20104—Temperature range 100 C=<T<150 C, 373.15 K =< T < 423.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20105—Temperature range 150 C=<T<200 C, 423.15 K =< T < 473.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20106—Temperature range 200 C=<T<250 C, 473.15 K =<T < 523.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20107—Temperature range 250 C=<T<300 C, 523.15K =<T< 573.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/36—Material effects
    • H01L2924/364—Polymers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 플립 칩 본딩 방법을 개시한다. 그의 방법은, 접착 층이 형성된 제 1 기판을 포함하는 다이를 획득하는 단계와, 상기 제 1 기판과 다른 제 2 기판 상에 상기 다이를 본딩하는 단계와, 상기 접착 층을 경화하는 단계를 포함한다. 상기 접착 층을 경화하는 단계는 상기 제 2 기판을 가열하여 상기 접착 층을 용융시키는 단계와, 상기 접착 층과 상기 제 2 기판에 상압보다 높은 고압의 공기를 제공하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

플립 칩 본딩 방법{method for bonding flip chip}
본 발명은 반도체 소자의 제조에 관한 것으로, 구체적으로 플립 칩 본딩 방법에 관한 것이다.
전자 기기에 사용되는 반도체 패키지의 크기가 소형화되고 그 두께도 더욱 얇아지는 추세에 있다. 이에 따라, 반도체 패키지의 실장 면적과 두께를 최소화하면서 고밀도, 고용량, 고속 성능을 구현하기 위하여 플립 칩 본딩 (flip chip bonding)을 통해 반도체 칩과 패키지 기판을 인터커넥트(interconnect)하는 방식이 제안되었다.
본 발명의 해결 과제는 보이드(void)와 필렛(fillet)의 결함을 감소시킬 수 있는 플립 칩 본딩 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 플립 칩 본딩 방법을 개시한다. 그의 방법은, 접착 층이 형성된 제 1 기판을 포함하는 다이를 획득하는 단계; 상기 제 1 기판과 다른 제 2 기판 상에 상기 다이를 본딩하는 단계; 및 상기 접착 층을 경화하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 접착 층을 경화하는 단계는: 상기 제 2 기판을 가열하여 상기 접착 층을 용융시키는 단계; 및 상기 접착 층과 상기 제 2 기판에 상압보다 높은 고압의 공기를 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 에에 따른 플립 칩 본딩 방법은, 접착 층이 형성된 제 1 기판을 포함하는 다이를 획득하는 단계; 상기 제 1 기판과 다른 제 2 기판 상에 상기 다이를 제공하는 단계; 상기 다이와 상기 접착 층을 제 1 온도로 가열하여 상기 다이의 범프들과 상기 접착 층을 용융시키는 단계; 상기 제 2 기판 상에 상기 다이를 압착하여 상기 다이를 본딩하는 단계; 상기 다이가 상기 제 2 기판 상에 정해진 개수로 본딩되었는지 판별하는 단계; 상기 다이가 정해진 개수로 본딩된 것으로 판별될 경우, 상기 제 2 기판을 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 가열하여 상기 접착 층을 재 용융시키는 단계; 및 상기 접착 층과 상기 제 2 기판에 상압보다 높은 고압의 공기를 제공하여 상기 용융된 접착 층의 응집력 또는 표면장력으로 상기 접착 층 내의 보이드를 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 개념에 따른 플립 칩 본딩 방법은 상압보다 높은 고압의 공기를 기판과 다이 사이의 접착 층에 제공하여 상기 접착층의 보이드와 필렛의 결함을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 플립 칩 본딩 방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 2 내지 도 10은 도 1의 플립 칩 본딩 방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 11은 도 1의 다이를 회득하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 12는 도 1의 다이를 본딩하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 13은 도 1의 접착 층을 경화하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 14는 도 9의 하우징 내의 공기의 압력에 따른 보이드의 제거율을 보여준다.
도 15는 일반적인 진공 압력에서의 접착 층의 필렛을 보여주는 단면도이다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 플립 칩 본딩 방법을 보여준다. 도 2 내지 도 10은 도 1의 플립 칩 본딩 방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 1 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 플립 칩 본딩 방법은, 다이(40)를 획득하는 단계(S10), 상기 다이(40)를 본딩하는 단계(S20), 상기 다이(40)가 정해진 개수로 본딩되었는지를 판별하는 단계(S30) 및 접착 층(30)을 경화(cure)하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 상기 다이(40)를 획득하는 단계(S10)는 제 1 기판(10)으로부터 상기 다이(40)를 준비하는 단계일 수 있다. 상기 다이(40)를 본딩하는 단계(S20)는 상기 접착 층(30)을 이용하여 상기 다이(40)를 제 2 기판(50)에 접착(attach)시키는 단계일 수 있다. 상기 다이(40)가 정해진 개수로 본딩되었는지를 판별하는 단계(S30)는 미리 정해진 개수의 상기 다이(40)를 상기 제 2 기판(50)에 본딩시키기 위한 단계일 수 있다. 상기 접착 층(30)을 경화하는 단계(S40)는 상기 접착 층(30)의 결함(defect)을 제거하는 단계일 수 있다.
도 11은 도 1의 다이(40)를 회득하는 단계(S10)의 일 예를 보여준다.
도 2 내지 도 4 및 도 11을 참조하면, 상기 다이(40)를 획득하는 단계(S10)는 범프들(20)을 형성하는 단계(S12), 상기 접착 층(30)을 형성하는 단계(S14) 및 상기 접착 층(30)과 상기 제 1 기판(10)을 절취(cut)하는 단계(S16)를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 11을 참조하면, 볼 어테칭 장치(미도시)는 제 1 기판(10) 상에 범프들(20)을 형성한다(S12). 상기 제 1 기판(10)은 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있다. 상기 제 1 기판(10)은 복수개의 제 1 패드들(12)을 가질 수 있다. 상기 범프들(20)은 상기 복수개의 제 1 패드들(12) 상에 형성될 수 있다. 상기 범프 들(20)의 각각은 솔더 볼을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 11을 참조하면, 접착제 도포 장치(미도시)는 상기 제 1 기판(10) 및 상기 범프들(20) 상에 접착 층(30)을 형성한다(S14). 상기 접착 층(30)은 상기 제 1 기판(10)의 상부면 전체에 도포될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 접착 층(30)은 비 전도성 필름(Non-Conductive Film: NCF) 또는 비 전도성 페이스트(Non-Conductive Past: NCP)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 접착 층(30)은 열경화성 수지, 경화제(hardener) 및 환원제(reducer)를 포함할 수 있다. 상기 열경화성 수지는 비스패놀(Bisphenol) A 에폭시 수지, 비스 패놀 F 에폭시 수지, 노볼락(Novolac) 에폭시 수지, 알리파틱(Aliphatic) 에폭시 수지, 또는 글리시디아민(Glycidylamine) 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 상기 경화제는 상기 열경화성 수지를 온도 이상에서 경화시킬 수 있다. 상기 경화제는 아민(amine), 또는 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 열경화성 수지와 상기 경화제는 약 100J/g 내지 약 150J/g의 단위 질량당 발열량의 당량비(equivalence ratio)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 열경화성 수지와 상기 경화제는 약 10:1 내지 약 15:1의 혼합비를 가질 수 있다. 상기 환원제는 상기 제 1 패드들(12)과 상기 범프들(20) 상의 자연 산화물(native oxide)을 제거시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 환원제는 분자 내에 1개 이상의 알코올(Alcohol)성 수산기(ex, Dimethanol, Diethylen glycol, Butanetriol, 및 Triethanolamine)를 포함하는 환원제, 분자 내에 1개 이상의 패놀성 수산기(ex, Naphthol, Hydroxyhydroquinone, 및 Trihydroxybenzopyenone)를 포함하는 환원제, 분자 내에 1개 이상의 카르복실 산(ex, Oxalic acid, Succinic acid, Malonic acid, Oxoacid 및 Carboxylic acid 유도체)를 포함하는 환원제, 또는 분자 내에 비공유 전자쌍을 갖는 질소함유 화합물(ex, Imidazole류, Amine류)을 포함하는 환원제를 포함하거나 상기 환원제들의 조합물을 포함할 수 있다.
carboxylic hydrate, hydroxyl hydrate, 또는 phenolic hydrate의 플럭스(flux)을 포함할 수 있다. 상기 환원제는 약 150℃에서 상기 자연 산화물과 반응될 수 있다.
도 4 및 도 11을 참조하면, 커팅 장치(42)는 상기 접착 층(30) 및 상기 제 1 기판(10)을 절취하여 상기 다이(40)를 형성한다(S16). 상기 커팅 장치(42)는 웨이퍼 쏘잉 장치 또는 레이저 쏘잉 장치일 수 있다. 상기 다이(40)는 메모리 칩, 로직 칩, 또는 AP(Application Process) 칩을 포함할 수 있다. 상기 다이(40)는 평면적인 관점에서 사각형의 모양을 가질 수 있다.
도 12는 도 1의 다이(40) 본딩하는 단계(S20)의 일 예를 보여준다.
도 5 내지 도 7 및 도 12를 참조하면, 상기 다이(40)를 본딩하는 단계(S20)는 상기 다이(40) 및 상기 접착 층(30)의 열 압착 방법을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 다이(40)를 본딩하는 단계(S20)는 상기 다이(40)를 제공하는 단계(S22), 상기 다이(40)를 가열하는 단계(S24), 상기 다이(40)를 압착하는 단계(S26)를 포함할 수 있다.
도 5 및 도 12를 참조하면, 본딩 헤드(60)는 상기 다이(40)를 상기 제 2 기판(50) 상에 제공한다(S22). 상기 제 2 기판(50)은 제 2 패드들(52)을 가질 수 있다. 상기 범프들(20)은 상기 제 2 패드들(52)에 정렬될 수 있다. 더불어, 상기 제 1 패드들(12)은 상기 제 2 패드들(52)에 정렬될 수 있다. 상기 본딩 헤드(60)는 상기 제 1 패드들(12)을 약 0.5초 이내로 상기 제 2 패드들(52)에 정렬시킬 수 있다. 상기 본딩 헤드(60)는 제 1 히터(62)를 가질 수 있다. 상기 제 1 히터(62)는 제 1 전원(64) 및 제 1 스위칭 소자(66)에 직렬로 연결될 수 있다. 상기 제 1 전원(64)은 상기 제 1 히터(62)에 제 1 히팅 파워를 공급할 수 있다. 상기 제 1 스위칭 소자(66)는 제 1 히팅 파워를 제어할 수 있다.
도 6 및 도 12를 참조하면, 상기 제 1 스위칭 소자(66)가 턴온될 경우, 상기 제 1 히터(62)는 상기 제 1 히팅 파워를 이용하여 상기 다이(40)를 가열하여 상기 다이(40)의 범프들(20) 및 상기 접착 층(30)을 용융시킨다(S24). 상기 제 1 히터(62)는 상기 다이(40)를 약 150℃ 내지 약 300℃의 온도로 가열할 수 있다. 상기 접착 층(30)과 상기 범프들(20)은 용융될 수 있다.
도 7 및 도 12를 참조하면, 상기 본딩 헤드(60)는 상기 다이(40)를 상기 제 2 기판(50)에 압착한다(S26). 상기 범프들(20)은 상기 제 1 패드들(12)을 상기 제 2 패드들(52)에 연결시킬 수 있다. 상기 본딩 헤드(60)는 상기 다이(40)를 고속으로 본딩시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 본딩 헤드(60)는 상기 다이(40)를 약 3초 내지 약 4초 동안에 본딩시킬 수 있다. 이와 같이 상기 다이(40)가 급속히 본딩될 경우, 상기 접착 층(30)의 열경화성 수지와 경화제의 경화 반응(curing reaction)은 미약하거나 불완전할 수 있다. 나아가, 상기 다이(40)가 급속히 본딩될 경우, 상기 보이드(32)는 상기 접착 층(30) 내에 다량으로 생성될 수 있다. 상기 보이드(32)는 상기 접착 층(30)의 결함(defect)일 수 있다. 상기 보이드(32)는 상기 제 2 기판(50)의 상부 면에 인접하여 주로 생성되며, 상기 접착 층(30) 대비 약 4% 정도로 생성될 수 있다.
이후, 상기 제 1 스위칭 소자(66)가 턴오프되면, 상기 범프들(20)과 상기 접착 층(30)은 냉각될 수 있다. 상기 범프들(20)과 상기 접착 층(30)은 응고(solidified)될 수 있다. 이와 달리, 상기 접착 층(30)이 상기 제 2 기판(50) 상에 형성된 후에, 상기 다이(40)는 상기 접착 층(30) 상에 제공될 수 있다. 그러나, 상기 접착 층(30)은 상기 제 2 기판(50)의 측면과 후면을 오염시킬 뿐만 아니라, 상기 다이(40)의 정렬 불량(alignment fault)을 야기시킬 수 있다. 따라서, 상기 접착 층(30)이 상기 다이(40)에 형성되고, 상기 다이(40)가 상기 제 2 기판(50)에 다시 본딩될 경우, 상기 다이(40)의 정렬 불량(alignment fault)은 방지될 수 있다.
다시 도 1 및 도 8을 참조하면, 제어 부(미도시)는 상기 제 2 기판(50) 상에 정해진 개수의 상기 다이(40)가 본딩되었는지를 판별한다(S30). 상기 다이(40)가 상기 제 2 기판(50) 상에 정해진 개수로 본딩되지 않았으면, 상기 본딩 헤드(60)는 상기 제 2 기판(50) 상에 상기 다이(40)를 추가적 및/또는 반복적으로 본딩시킬 수 있다(S20). 그 결과, 정해진 개수의 상기 다이들(40)은 상기 제 2 기판(50) 상에 본딩될 수 있다. 상기 제 2 기판(50)이 인쇄회로기판일 경우, 약 200개 내지 약 500개 정도의 상기 다이들(40)이 약 6분 내지 약 25분 동안에 상기 제 2 기판(50)에 본딩될 수 있다. 상기 제 2 기판(50)이 실리콘 웨이퍼일 경우, 약 1000개 정도의 상기 다이들(40)이 약 50분 내지 약 1시간 내에 상기 제 2 기판(50) 상에 본딩될 수 있다.
도 13은 도 1의 접착 층(30)을 경화하는 단계(S40)의 일 예를 보여준다.
도 9, 도 10 및 도 13을 참조하면, 상기 접착 층(30)을 경화하는 단계(S40)는 상기 접착 층(30)의 리플로우 방법을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 접착 층(30)은 약 10분 내지 약 60분동안에 충분히 경화(cured)될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 접착 층(30)을 경화하는 단계(S40)는 상기 제 2 기판(50)을 가열하는 단계(S42) 및 공기(82)를 제공하는 단계(S44)를 포함할 수 있다.
도 9 및 도 13을 참조하면, 정해진 개수의 상기 다이들(40)이 상기 제 2 기판(50) 상에 본딩되었을 경우, 오븐(70)은 상기 제 2 기판(50)을 가열한다(S42). 상기 오븐(70)은 상기 제 2 기판(50)을 가열하여 상기 접착 층(30) 및/또는 상기 범프들(20)을 재 용융시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 오븐(70)은 하우징(72), 플레이트(74), 제 2 히터(76), 제 2 전원(78)을 포함할 수 있다. 상기 하우징(72)은 상기 제 2 기판(50)에 대해 외부로부터 밀폐된 공간을 제공할 수 있다. 상기 플레이트(74)는 상기 하우징(72)의 내부 바닥에 배치될 수 있다. 상기 플레이트(74)는 상기 제 2 기판(50)을 수납할 수 있다. 상기 제 2 히터(76)는 상기 플레이트(74) 내에 배치될 수 있다. 상기 제 2 전원(78)이 상기 제 2히터(76)에 제 2 히팅 파워를 공급하면, 상기 제 2 히터(76)는 상기 제 2 기판(50)을 가열시킬 수 있다. 상기 제 2 히터(76)는 상기 제 2 기판(50)을 약 100℃ 내지 약 150℃의 온도로 가열시킬 수 있다. 상기 제 2 기판(50)이 약 100℃ 내지 약 150℃의 온도로 가열되면, 상기 접착 층(30) 및/또는 상기 범프들(20)은 용융될 수 있다. 상기 용융된 접착 층(30)은 약 2000Paㆍsec 내지 약 3000Paㆍsec의 점도를 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 접착 층(30)은 50℃ 내지 200℃의 온도에서 용융되고, 약 500Paㆍsec 내지 약 4000Paㆍsec의 점도를 가질 수 있다. 상기 하우징(72)은 공기 공급 부(80)에 연결될 수 있다.
도 10 및 도 13을 참조하면, 상기 공기 공급 부(80)는 상기 하우징(72) 내의 상기 접착 층(30)에 공기(82)를 제공하여 상기 접착 층(30) 내의 보이드(32)를 제거한다(S44). 상기 공기(82)는 질소 가스, 헬륨 가스, 산소 가스, 이산화탄소 가스, 또는 아르곤 가스를 포함할 수 있다. 상기 공기 공급 부(80)가 상기 하우징(72) 내에 상기 공기(82)를 제공하면, 상기 하우징(72) 내의 상기 공기(82)의 압력은 증가할 수 있다. 상기 하우징 (72) 내의 상기 공기(82)의 압력이 증가하면, 상기 접착 층(30)의 응집력 및/또는 표면 장력은 증가할 수 있다. 상기 접착 층(30)의 응집력 및/또는 표면 장력이 증가하면, 상기 보이드(32)는 상기 접착 층(30)의 외부로 배출되어 제거될 수 있다.
도 14는 도 9의 하우징(72) 내의 공기(82)의 압력에 따른 보이드(32)의 제거율을 보여준다.
도 14를 참조하면, 상기 하우징(72) 내의 상기 공기(82)의 압력이 약 3기압(0.3Mpa) 이상일 경우, 상기 보이드(32)의 제거율은 97%이상일 수 있다. 상기 공기(82)의 압력이 약 7기압(0.7Mpa) 내지 약 10기압(1.0Mpa)일 경우, 상기 보이드(32)의 제거율은 거의 100%일 수 있다. 상기 공기(82)의 압력이 약 4기압(0.4Mpa) 일 경우, 상기 보이드(32)의 제거율은 거의 98%일 수 있다.상기 공기(82)의 압력이 약 1기압(0.1Mpa) 내지 약 2 기압(0.4Mpa)일 경우, 상기 보이드(32)의 제거율은 95%이하일 수 있다.
도 15는 일반적인 진공 압력(vacuum pressure)에서의 접착 층(30)의 필렛(34)을 보여준다.
도 15를 참조하면, 상기 하우징(72) 내의 상기 공기(82)의 압력이 진공 압력으로 낮아지면, 상기 보이드(32)는 상기 접착 층(92) 내에서 급속히 제거되거나 감소될 수 있다. 공기 배기 부(90)는 상기 하우징(72)에 연결되어 상기 하우징(72) 내의 상기 공기(82)를 배기 및/또는 펌핑할 수 있다. 상기 하우징(72) 내의 상기 공기(82)의 압력은 진공 압력으로 낮아질 수 있다. 하지만, 상기 공기(82)의 압력이 진공 압력으로 낮아지면, 상기 접착 층(30)의 필렛(34)이 생성 및/또는 증가할 수 있다. 상기 필렛(34)은 상기 다이들(40)에 정렬되어야 할 상기 접착 층(30)이 상기 다이들(40)의 바깥으로 유출되는 결함(defect)이다. 상기 필렛(34)이 상기 다이들(40) 보다 높을 경우, 상기 다이들(40) 상에 형성될 패키지의 적층 불량(stack fault)이 야기될 수 있다.
다시, 도 9를 참조하면, 공기 공급 부(80)는 상기 하우징(72) 내에 상압 또는 1 기압보다 높은 고압의 상기 공기(82)를 제공하여 상기 접착 층(30)의 상기 보이드(32)와 상기 필렛(34)의 결함을 감소시키거나 제거할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 접착 층이 형성된 제 1 기판을 포함하는 다이를 획득하는 단계;
    상기 제 1 기판과 다른 제 2 기판 상에 상기 다이를 본딩하는 단계; 및
    상기 접착 층을 경화하는 단계를 포함하되,
    상기 접착 층을 경화하는 단계는:
    상기 제 2 기판을 가열하여 상기 접착 층을 용융시키는 단계; 및
    상기 접착 층과 상기 제 2 기판에 상압보다 높은 고압의 공기를 제공하는 단계를 포함하는 플립 칩 본딩 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공기는 3기압 이상으로 제공되는 플립 칩 본딩 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착 층은:
    열경화성 수지; 및
    상기 에폭시 수지를 경화시키는 경화제를 포함하되,
    상기 에폭시 수지와 상기 경화제는 100J/g 내지 150J/g 단위 질량 당 발열량의 당량비를 갖는 플립 칩 본딩 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 접착 층은 환원제를 더 포함하는 플립 칩 본딩 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 환원제는
    알코올성 수산기, 패놀성 수산기, 카르복실 산 및 질소함유 화합물 중 적어도 하나를 포함하되,
    상기 알코올성 수산기는 Dimethanol, Diethylen glycol, Butanetriol, 및 Triethanolamine을 포함하되,
    상기 패놀성 수산기는 Naphthol, Hydroxyhydroquinone, 및 Trihydroxybenzopyenone을 포함하되,
    상기 카르복실 산은 Oxalic acid, Succinic acid, Malonic acid, Oxoacid 및 Carboxylic acid 유도체를 포함하되,
    상기 질소 함유 화합물은 Imidazole 및 Amine을 포함하는 플립 칩 본딩 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 기판이 50℃ 내지 200℃로 가열될 때, 상기 접착 층은 500Paㆍsec 내지 4000Paㆍsec의 점도를 갖는 플립 칩 본딩 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착 층을 경화하는 단계는 리플로우 방법을 포함하는 플립 칩 본딩 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이를 본딩하는 단계는 열 압착 방법을 포함하는 플립 칩 본딩 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이를 본딩하는 단계는:
    상기 제 2 기판 상에 상기 다이를 제공하는 단계;
    상기 다이를 가열하는 단계; 및
    상기 제 2 기판에 상기 다이를 압착하는 단계를 포함하는 플립 칩 본딩 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다이는 150℃ 내지 300℃로 가열되는 플립 칩 본딩 방법.
KR1020180096743A 2018-08-20 2018-08-20 플립 칩 본딩 방법 KR102555721B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180096743A KR102555721B1 (ko) 2018-08-20 2018-08-20 플립 칩 본딩 방법
US16/533,450 US10910339B2 (en) 2018-08-20 2019-08-06 Flip chip bonding method
CN201910752106.XA CN110854028A (zh) 2018-08-20 2019-08-15 倒装芯片接合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180096743A KR102555721B1 (ko) 2018-08-20 2018-08-20 플립 칩 본딩 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200021230A true KR20200021230A (ko) 2020-02-28
KR102555721B1 KR102555721B1 (ko) 2023-07-17

Family

ID=69523390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180096743A KR102555721B1 (ko) 2018-08-20 2018-08-20 플립 칩 본딩 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10910339B2 (ko)
KR (1) KR102555721B1 (ko)
CN (1) CN110854028A (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114239A (en) * 1993-12-13 2000-09-05 Micron Communications, Inc. Electronic circuit bonding interconnect component and flip chip interconnect bond
KR20090053954A (ko) * 2006-09-15 2009-05-28 린텍 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법
KR20150075026A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 닛토덴코 가부시키가이샤 접착 필름, 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR20160045628A (ko) * 2013-08-22 2016-04-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 반도체용 접착제
KR20180059901A (ko) * 2015-11-13 2018-06-05 후지필름 가부시키가이샤 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 적층체

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323360B2 (en) 2001-10-26 2008-01-29 Intel Corporation Electronic assemblies with filled no-flow underfill
KR101249555B1 (ko) 2003-11-10 2013-04-01 스태츠 칩팩, 엘티디. 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션
JP2008135410A (ja) 2005-03-14 2008-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法、電子部品を実装した回路基板及びその回路基板を搭載した電子機器
JP4790587B2 (ja) 2006-12-20 2011-10-12 日本メクトロン株式会社 ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法
US7829379B2 (en) 2007-10-17 2010-11-09 Analog Devices, Inc. Wafer level stacked die packaging
US8163597B2 (en) 2009-03-24 2012-04-24 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming no-flow underfill material around vertical interconnect structure
KR101197193B1 (ko) 2010-01-05 2012-11-02 도레이첨단소재 주식회사 비유동성 언더필용 수지 조성물, 그를 이용한 비유동성 언더필 필름 및 그 비유동성 언더필 필름의 제조방법
JP5619466B2 (ja) 2010-04-13 2014-11-05 デクセリアルズ株式会社 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、ダイボンド剤、非導電性ペースト、接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性エポキシ樹脂フィルム、異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム
US8963340B2 (en) 2011-09-13 2015-02-24 International Business Machines Corporation No flow underfill or wafer level underfill and solder columns
US8946072B2 (en) 2012-02-02 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. No-flow underfill for package with interposer frame
US9117813B2 (en) 2012-06-15 2015-08-25 General Electric Company Integrated circuit package and method of making same
KR20140044561A (ko) 2012-10-05 2014-04-15 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그를 이용한 반도체 패키지와, 그 인쇄회로기판 및 반도체 패키지의 제조방법
JP2017197688A (ja) 2016-04-28 2017-11-02 三井化学東セロ株式会社 アンダーフィル用絶縁フィルム
KR101753158B1 (ko) 2016-04-28 2017-08-09 (주)이녹스첨단소재 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름
KR101773711B1 (ko) 2016-06-02 2017-08-31 주식회사 케이씨씨 비전도성 접착필름용 조성물 및 비전도성 접착필름

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114239A (en) * 1993-12-13 2000-09-05 Micron Communications, Inc. Electronic circuit bonding interconnect component and flip chip interconnect bond
KR20090053954A (ko) * 2006-09-15 2009-05-28 린텍 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법
KR20160045628A (ko) * 2013-08-22 2016-04-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 반도체용 접착제
KR20150075026A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 닛토덴코 가부시키가이샤 접착 필름, 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR20180059901A (ko) * 2015-11-13 2018-06-05 후지필름 가부시키가이샤 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 적층체

Also Published As

Publication number Publication date
US10910339B2 (en) 2021-02-02
KR102555721B1 (ko) 2023-07-17
US20200058615A1 (en) 2020-02-20
CN110854028A (zh) 2020-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8278142B2 (en) Combined metallic bonding and molding for electronic assemblies including void-reduced underfill
KR101035297B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
WO2013027832A1 (ja) 半導体装置の製造方法、ブロック積層体及び逐次積層体
KR20140140042A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP2004356529A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5660178B2 (ja) 半導体ウエハのダイシング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2003100943A (ja) 半導体素子の実装方法及びその半導体装置
JP2017045993A (ja) 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
US6966964B2 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2003258034A (ja) 多層配線基体の製造方法および多層配線基体
US20130065362A1 (en) Flip chip package manufacturing method
TWI415198B (zh) 半導體裝置之製造方法
KR102555721B1 (ko) 플립 칩 본딩 방법
JP5163358B2 (ja) 半導体ウエハのダイシング方法
JP2001298146A (ja) 多層配線基体の製造方法および多層配線基体
JP2002118147A (ja) 半導体チップをプリント配線基板に装着する方法及びその方法の実施に用いる装着用シート
JP2009252799A (ja) 半導体装置の製造方法
JP7406336B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5838903B2 (ja) 積層体の製造方法
JP5755396B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009004462A (ja) 半導体装置の実装方法
TW202407823A (zh) 電子零件裝置製造用積層膜
JPH09107003A (ja) 部品実装構造及び部品実装方法
JP2010263200A (ja) 半導体装置の製造方法およびこの方法に用いる圧力容器
JP2002009111A (ja) 半導体フリップ・チップの実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant