KR20190042619A - 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20190042619A
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타카히로 후지
유키 스즈키
타카히로 미카미
요시히로 야마구치
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더 재팬 스틸 워크스 엘티디
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Abstract

일 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)는, 피처리체(16)를 부상 유닛 (10)을 이용하여 부상시켜서 반송하면서 피처리체(16)에 레이저 광(15)을 조사한다. 부상 유닛(10)은, 정밀 부상 영역(11a,11b) 및 러프 부상 영역((13a~13j)을 구비한다. 정밀 부상 영역(11a,11b)은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있으며, 러프 부상 영역은 가스의 흡인을 이용하지 않고 가스의 분출을 이용하여 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있다.

Description

레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은, 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 예를 들면 피처리체를 부상(浮上)시켜서 반송(搬送)하는 부상 유닛(flotation unit)을 구비하는 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
실리콘 기판이나 유리 기판 등에 형성된 비정질 막에 레이저 광을 조사해서 비정질 막을 결정화시키는 레이저 어닐링 장치가 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 가스 부상 장치를 이용해서 기판을 부상시켜서 반송하면서 레이저 광을 조사하는 레이저 어닐링 장치가 개시되어 있다.
일본 특허공개공보 제2002-280321호
특허문헌 1에 개시되어 있는 레이저 어닐링 장치와 같이, 기판에 가스를 내뿜어서 피처리체를 부상시켜 반송하는 레이저 어닐링 장치에서는, 피처리체에 내뿜어지는 가스가 불균일해지면 반송시에 피처리체의 휨량(deflection amount)이 커지고, 피처리체에서의 레이저 광의 초점 심도(DOF:Depth of Focus)에서 벗어나 버리는 문제가 있다.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 명백해질 것이다.
일 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치는, 제1의 영역과 제2의 영역을 구비하는 부상 유닛을 갖는다. 제1의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 피처리 체를 부상시키도록 구성되어 있으며, 제2의 영역은 가스의 흡인을 이용하지 않고 가스의 분출을 이용해서 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있다.
일 실시 예에 관련한 레이저 조사 방법은, 제1의 영역과 제2의 영역을 구비하는 부상 유닛을 이용하여 피처리체를 반송할 때, 제1의 영역에서 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 피처리체를 부상시켜서 반송하고, 제2의 영역에서 가스의 흡인을 이용하지 않고 가스의 분출을 이용하여 피처리체를 부상시켜서 반송한다.
일 실시 예에 관련한 반도체 장치의 제조 방법은, (a)기판 상에 비정질막을 형성하는 단계와, (b)상기 비정질막에 레이저 광을 조사해서 상기 비정질막을 결정화시키는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, (b)의 단계에 있어서 제1의 영역과 제2의 영역을 구비하는 부상 유닛를 이용해서 피처리체를 반송할 때, 제1의 영역에서 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 피처리체를 부상시켜서 반송하고, 제2의 영역에서 가스의 흡인을 이용하지 않고 가스의 분출을 이용하여 피처리체를 부상시켜서 반송한다.
상기 일 실시 예에 의하면, 반송시에 피처리체의 휨(deflection)을 감소시킬 수 있는 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공 할 수 있다.
도 1은, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 평면도이고,
도 2는, 도 1에 나타내는 레이저 조사 장치의 절단선 II-II에서의 단면도이고,
도 3은, 부상 유닛의 평면정도와 피처리체의 휨과의 관계를 설명하기 위한 단면도이고,
도 4는, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치를 이용하여 피처리체를 반송하고 있는 상태를 설명하기 위한 단면도이고,
도 5는, 실시 예 2에 관련한 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 평면도이고고,
도 6은, 도 5에 나타내는 레이저 조사 장치의 절단선 V-V의 단면도이고,
도 7은, 정밀 부상 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 단면도이고,
도 8은, 정밀 부상 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 9는, 정밀 부상 유닛를 이용하여 피처리체를 반송하고 있는 상태를 설명하기 위한 단면도이고,
도 10은, 러프(rough) 부상 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 단면도이고,
도 11은, 러프 부상 유닛의 구성 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 12는, 러프 부상 유닛을 이용하여 피처리체를 반송하고 있는 상태를 설명하기위한 단면도이고,
도 13은, 러프 부상 유닛의 배관 계통(급기계통)의 일례를 설명하기 위한 블록도이고,
도 14는, 정밀 부상 유닛 및 준정밀 부상 유닛의 배관 계통(급기계통)의 일 예를 설명하기 위한 블록도이고,
도 15는, 정밀 부상 유닛 및 준정밀 부상 유닛의 배관 계통(배기계통)의 일 예를 설명하기 위한 블록도이고,
도 16은, 실시 예 2에 관련한 레이저 조사 장치를 이용하여 피처리체를 반송하고 있는 상태를 설명하기 위한 단면도이고,
도 17은, 정밀 부상 유닛, 준정밀 부상 유닛, 및 러프 부상 유닛의 배치 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 18은, 정밀 부상 유닛, 준정밀 부상 유닛, 및 러프 부상 유닛의 배치 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 19는, 정밀 부상 유닛, 준정밀 부상 유닛, 및 러프 부상 유닛의 배치 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 20은, 정밀 부상 유닛, 준정밀 부상 유닛, 및 러프 부상 유닛의 배치 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 21은, 정밀 부상 유닛, 준정밀 부상 유닛, 및 러프 부상 유닛의 배치 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 22는, 준정밀 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 평면도이고,
도 23은, 정밀 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 단면도이고,
도 24은, 정밀 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 단면도이고,
도 25는, 레이저 조사 장치가 구비하는 각각의 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 단면도이고,
도 26은, 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고,
도 27은, 유기 EL 디스플레이의 개요를 설명하기 위한 단면도이다.
<실시 예 1>
이하, 도면을 이용하여 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치에 관해서 설명한다. 도 1은, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 도 2는, 도 1에 나타내는 레이저 조사 장치의 절단선 II-II의 단면도이다.
(레이저 조사 장치의 구성)
도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 장치(1)는, 부상 유닛(10)을 구비한다. 부상 유닛(10)은, 피처리체(16)를 부상시키면서 반송한다. 구체적으로는, 레이저 조사 장치(1)는 부상 유닛(10)을 이용하여 피처리체(16)를 부상시키면서 파지부(holder)(18)(도1참조)를 이용하여 피처리체(16)를 홀딩해서 반송방향(x축방향)으로 피처리체(16)를 반송한다. 피처리체(16)가 반송될 때, 부상 유닛(10)은 피처리체(16)의 상측에 배치되어 있는 다른 기구(미도시)로 피처리체(16)가 접촉하지 않도록 부상량(浮上量)을 조정한다.
파지부(18)로는, 예를 들면 흡반(suction cup)형의 진공 흡착기구나 다공질 체를 구비한 진공 흡착 기구를 이용할 수 있다. 파지부(18)는, 배기포트(미도시)와 접속되어 있으며, 배기 포트는 이젝터나 진공 펌프 등과 접속되어 있다. 따라서 흡기 포트에는 가스를 흡인하기 위한 부압이 작용한다. 이로 인해 파지부(18)의 진공 흡착 기구가 피처리체(16)에 흡착한다. 파지부(18)는, 피처리체(16)를 홀딩하면서 파지부(18)의 구동 기구에 의해 반송된다. 이에 따라, 피처리체(16)가 반송된다. 또한, 피처리체(16)의 반송 속도는, 파지부(18)의 구동기구의 반송 속도를 조정함으로써 제어할 수 있다. 예를 들면, 피처리체(16)는 부상 유닛(10) 위를 부상한 상태에서 등속으로 반송된다. 따라서, 피처리체(16)는 레이저 광의 조사 위치를 일정한 속도로 통과한다.
피처리체(16)에는 레이저 광(15)(이하, 레이저 광의 조사 위치도 부호 15로 표시함)이 조사된다. 예를 들면, 레이저 조사 장치는 레이저 어닐링 장치이며, 이 경우는 레이저 발생 장치(14)로 엑시머 레이저 등을 이용할 수 있다. 레이저 발생 장치(14)로부터 공급된 레이저 광은, 광학계(미도시)에서 라인상이 되고, 피처리체(16)에는 라인상, 구체적으로는 초점이 y축 방향으로 연장되는 레이저 광(15)(line beam)이 조사된다. 또한, 피처리체는, 예를 들면 기판 상에 형성된 비정질막이며, 이 비정질막에 레이저 광(15)을 조사해서 어닐링함으로써 비정질막을 결정화시킬 수 있다.
도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 부상 유닛(10)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 러프 부상 유닛(13a~13j)을 이용하여 구성되어 있다. 또한, 이하에서는 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 이용하여 구성되어 있는 영역을 정밀 부상 영역 (11a,11b)과, 또 러프 부상 유닛(13a~13j)을 이용하여 구성되어 있는 영역을 러프부상 영역(13a~13j)으로도 기재한다.
정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 레이저 광의 조사 위치(15)를 포함한 영역(정밀 부상 영역)에 배치되어 있다. 또한, 러프 부상 유닛(13a~13e)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에 대해서, 피처리체(16)의 반송방향 상류측(x축 방향 마이너스측)에 배치되어 있다. 또한, 러프 부상 유닛(13f~13j)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에 대해서 피처리체(16)의 반송 방향 하류측(x축 방향 플러스측)에 배치되어 있다. 도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 러프 부상 유닛(13a~13j)의 각각은, 예를 들면 y축 방향으로 연장되는 직사각형의 유닛이며, 이러한 부상 유닛이 반송 방향(x축 방향)으로 늘어서도록 배치되어 있다. 피처리체 (16)는 러프 부상 유닛(13a~13e), 정밀 부상 유닛(11a,11b), 러프 부상 유닛(13f~13j)의 순으로 통과해서 반송된다. 또한, 각각의 부상 유닛의 형상은 직사각형에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 각각의 부상 유닛의 형상은 정사각형이라도 좋다.
환언하면, 정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 평면보기(plan view) 보았을 때에, 레이저 광(15)의 초점(레이저 광의 조사 위치(15)에 대응. 이하 동일함)와 정밀 부상 영역(11a, 11b)이 중첩하도록 배치 되어 있다. 또한, 러프 부상 유닛(13a~13j)은, 레이저 광(15)의 초점과 러프 부상 영역(13a~13j)이 중첩하지 않도록 배치되어 있다. 이때, 평면보기로 본 경우란, 도 1에 나타내는 바와 같이 부상 유닛(10)을 z축 방향 쪽에서 본 경우를 의미한다.
정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 피처리체(16)를 정밀하게 부상시켜서 반송하는 유닛이며, 반송시의 피처리체(16)의 휨량을 작게 하면서 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 정밀 부상 유닛(11a,111b)은, 예를 들면, 피처리체(16)를 부상시키기 위한 가스의 분출량을 정밀하게 제어하고 있다. 예를 들면, 정밀 부상 영역(정밀 부상 유닛)(11a,11b)은, 가스의 분출 및 흡인을 이용해서 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있다. 또한, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 상세한 구성에 관해서는 도 7 내지 도 9를 이용하여 구체적으로 설명한다.
러프 부상 유닛(13a~13j)은, 피처리체(16)를 부상시켜서 반송하는 유닛이며, 반송시에 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13j)에 접촉하지 않으면 되기 때문에, 피처리체(16)를 부상시키기 위한 가스의 분출량은, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 정도로 정밀하게 제어되지 않는다. 따라서, 러프 부상 유닛(13a~13j)을 통과할 때의 피처리체(16)의 휨량은 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 통과할 때의 피처리체(16)의 휨량보다도 크다. 예를 들면, 러프 부상 영역(러프 부상 유닛)(13a~13j)은 가스의 흡인을 이용하지 않고, 가스의 분출을 이용해서 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있다. 또한, 러프 부상 유닛(13a~13j)의 자세한 구성에 관해서는 도 10~도 12를 이용하여 구체적으로 설명한다.
이때, 정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 반송시의 피처리체(16)의 휨량을 작게 하면서 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서, 정밀 부상 유닛(11a,11b)은 단순히 가스를 분출해서 피처리체(16)를 반송하는 구성의 러프 부상 유닛(13a~13j)과 비교해서 정밀한 구조를 구비하기 때문에 고가의 유닛이다. 따라서 실시 예 1에 관련한레이저 조사 장치(10)에서는, 레이저 광의 조사 위치(15)를 포함한 영역에만 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 배치하고, 이외의 영역에는 정밀 부상 유닛과 비교해서 저렴하게 구성할 수 있는 러프 부상 유닛(13a~13j)을 배치하고 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도는, 러프 부상 유닛(13a~13j)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도보다 작아지도록 구성하고 있다. 일례를 들면, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 평면도는 20μm이하이며, 러프 부상 유닛(13a~13j)의 평면도는 75μm이하이다. 또한, 이하에서는 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 정밀 부상 유닛(11)이라고 기재하고, 러프부상 유닛(13a~13j)를 러프 부상 유닛 (13)과 기재하는 경우도 있다.
예를 들면, 정밀 부상 유닛(11)의 평면도(flatness)는, 정밀 부상 유닛(11) 위를 부상하는 피처리체(16)의 부상량(부상높이)과 피처리체(16)의 휨량를 이용하여 정할 수 있다. 피처리체(16)의 휨은, 피처리체(16)의 부상량과 부상 유닛의 표면의 평면도가 영향을 주는 것으로 생각된다. 이때, 피처리체(16)의 부상량은 피처리체(16)와 부상 유닛 사이에 존재하는 가스에 의해 작용하는 압력이 영향을 주는 것으로 생각된다.
도 3은, 부상 유닛의 평면도와 피처리체의 휨의 관계를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 부상 유닛의 평면도는 부상 유닛의 가장 낮은 부분인 기준점 S1과 부상 유닛의 가장 높은 부분인 T1의 거리로 정의할 수 있다. 또한, 피처리체(16)의 휨은, 피처리체(16)의 가장 낮은 부분인 기준점 S2와 피처리체(16)의 가장 높은 부분인 T2의 거리로 정의할 수 있다.
러프 부상 유닛(13)에서는, 피처리체(16)의 단부의 부상량이 가장 낮아져 러프 부상 유닛(13)과의 충돌을 피하기 위해서 러프 부상 유닛(13)의 표면의 평면도를 어느 정도 줄일 필요가 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)는 부상 유닛에 충돌하지 않도록 부상하지만, 피처리체(16)의 부상량은 부상 유닛의 표면을 영점(zero point)으로 한 높이가 되기 때문에 러프 부상 유닛측도 표면의 평면도를 작게하지 않으면 양자는 충돌할 우려가 있다. 즉, 도 3에 나타내는 바와 같이, 러프 부상 유닛의 표면의 평면도를 어느 정도 작게 해서 부상 유닛의 가장 높은 부분(T1)이 피처리체(16)의 가장 낮은 부분(S2)과 충돌하지 않도록 할 필요가 있다.
정밀 부상 유닛(11)은, 러프 부상 유닛(13)과 비교하면 피처리체(16)의 부상 량을 작게 하고 있으며, 또 피처리체(16)의 단부의 부상량이 가장 낮아져서 부상 유닛과의 충돌을 피할 방법이 요구된다. 예를 들면, 도 4b의 러프 부상 유닛(13e)과 정밀 부상 유닛(11a)의 경계 부근과 같이 피처리체(16)의 휨이나 부상량이 급격하게 변화하면 레이저 조사부에 미치는 영향이 커진다. 따라서 정밀 부상 유닛(11)도 평면도를 충분히 확보하지 않은 경우는 피처리체(16)의 휨 변동에 따라 레이저 조사에 악영향을 끼칠 수 있다. 이러한 이유로 정밀 부상 유닛(11)의 평면도를 작게 할 필요가 있다.
또한, 정밀 부상 유닛(11)의 평면도는, 러프 부상 유닛(13)의 평면도보다 작게 할 필요가 있어서 정밀 부상 유닛(11)의 평면도를 유지하기 위해서는 각각의 정밀 부상 유닛의 상면의 면적을, 러프 부상 유닛의 상면의 면적보다 작게 하는 것이 바람직하다. 한편, 러프 부상 유닛(13)은 피처리체(16)를 부상 유닛에 충돌시키는 일 없이 부상·반송시키기 위해 정밀 부상 유닛(11)과 비교해서 상면의 면적을 크게 할 수 있다.
또한, 상기에서는 각각의 부상 유닛의 상면의 면적의 일례에 대해서 설명했지만, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 러프 부상 유닛(13a~13j)의 상면의 면적은 동일해도 좋다. 본 실시 예(도 1 참조)에서는 설명을 간략화 하기 위해 각각의 부상 유닛의 상면의 면적을 동일하게 한다.
도 4는, 레이저 조사 장치(1)를 이용해서 피처리체(16)를 반송하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 도 4A에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13e)의 위를 통과하는 동안은, 피처리체(16)의 휨량은 커진다. 이것은 러프 부상 유닛(13a~13e)을 이용하여 피처리체(16)를 반송할 경우는, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13e)과 접촉만하지 않으면 충분해서 가스의 분출량을 정밀하게 제어하고 있지 않기 때문이다.
그 후, 피처리체(16)가 반송되고, 도 4B에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 위를 통과하는 동안은, 피처리체(16)의 휨량은 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13e) 위를 통과하는 동안의 휨량보다 작아진다. 따라서, 휨이 적은 피처리체(16)에 레이저 광(15)을 조사할 수 있다.
그 후, 피처리체(16)가 반송되고, 도 4C에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13f~13j)의 위를 통과하는 동안은, 피처리체(16)의 휨량은 커진다. 이것은 러프 부상 유닛(13f~13j)을 이용하여 피처리체(16)를 반송할 경우는, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13f~13j)과 접촉만 하지 않으면 충분해서 가스의 분출량을 정밀하게 제어하고 있지 않기 때문이다.
이와 같이, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 레이저 광의 조사 위치(15)를 포함하는 영역에 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 배치하고, 피처리체(16)의 휨량이 작아지도록 하고 있다. 따라서, 피처리체(16)에 조사되는 레이저 광의 초점 심도(DOF)에서 벗어나 버리는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 레이저 광의 조사 위치(15)를 포함한 영역에만 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 배치하고, 이외의 영역에는 정밀 부상 유닛과 비교해서 저렴하게 구성할 수 있는 러프 부상 유닛(13a~13j)을 배치하고 있다. 따라서, 레이저 조사 장치(1)의 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 정밀한 제어가 필요한 영역을 정밀 부상 유닛(11a,11b)이 배치되어 있는 영역에 한정할 수 있기 때문에 레이저 조사 장치(1)의 제어를 간편하게 할 수 있다.
<실시 예 2>
다음으로, 실시 예 2에 관련한 레이저 조사 장치에 관해서 설명한다. 도 5는, 실시 예 2에 관련한 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 도 6은, 도 5에 나타내는 레이저 조사 장치의 절단선 V-V에서의 단면도이다. 레이저 조사 장치(1)는, 피처리체(16)를 부상 유닛(10)을 이용하여 부상시켜서 반송하면서 피처리체(16)에 레이저 광(15)을 조사하는 장치이다.
(레이저 조사 장치의 구성)
도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 장치(1)는, 부상 유닛(10)을 구비한다. 부상 유닛(10)은, 피처리체(16)를 부상시키면서 반송한다. 구체적으로는, 레이저 조사 장치(1)는, 부상 유닛(10)을 이용하여 피처리체(16)를 부상시키면서 파지부(18)(도 5 참조)를 이용하여 피처리체(16)를 홀딩하여 반송 방향(x축 방향)으로 피처리체(16)를 반송한다. 피처리체(16)가 반송될 때, 부상 유닛(10)은 피처리체(16)의 상측에 배치되어 있는 다른 기구(미도시)에 피처리체(16)가 접촉하지 않도록 부상량을 조정하고 있다.
파지부(18)에는, 예를 들면 흡반형의 진공 흡착 기구나 다공질체를 구비하는 진공 흡착기구를 이용할 수 있다. 파지부(18)는, 배기 포트(미도시)와 접속되어 있으며 배기 포트는 이젝터나 진공 펌프 등과 접속되어 있다. 따라서, 흡기 포트에는 가스를 흡인하기 위한 부압이 작용한다. 이에 따라, 파지부(18)의 진공 흡착기구가 피처리체(16)에 흡착한다. 파지부(18)는 피처리체(16)를 홀딩하면서 파지부(18)의 구동기구에 의해 반송된다. 이에 의해 피처리체(16)가 반송된다. 또한, 피처리체(16)의 반송 속도는 파지부(18)의 구동기구의 반송 속도를 조정함으로써 제어할 수 있다. 예를 들면, 피처리체(16)는 부상 유닛(10) 위를 부상한 상태에서 등속으로 반송된다. 따라서, 피처리체(16)는 레이저 광의 조사 위치를 일정한 속도로 통과한다.
피처리체(16)에는 레이저 광(15)(이하, 레이저 광의 조사 위치도 부호 15로 표시함)이 조사된다. 예를 들면, 레이저 조사 장치는 레이저 어닐링 장치이며, 이 경우는 레이저 발생 장치(14)로 엑시머 레이저 등을 이용할 수 있다. 레이저 발생 장치(14)로부터 공급된 레이저 광은 광학계(미도시)에 있어서 라인형상이 되고, 피처리체(16)에는 라인형상, 구체적으로는 초점이 y축 방향으로 연장되는 레이저 광(15)(line beam)이 조사된다. 또한, 피처리체는, 예를 들면 기판 상에 형성된 비정질막이며, 이 비정질막에 레이저 광(15)을 조사해서 어닐링 처리함으로써 비정질막을 결정화시킬 수 있다.
도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이, 부상 유닛(10)은 정밀 부상 유닛(11a,11b), 준정밀 부상 유닛(12a~12d), 및 러프 부상 유닛(13a~13f)을 이용하여 구성되어 있다. 또한, 이하에서는 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 이용하여 구성되어 있는 영역을 정밀 부상 영역(11a,11b), 준정밀 부상 유닛(12a~12d)을 이용하여 구성되어 있는 영역을 준정밀 부상 영역(12a~12d), 또 러프 부상 유닛(13a ~13f)을 이용하여 구성되어 있는 영역을 러프 부상 영역(13a~13f)으로도 기재한다.
정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 레이저 광의 조사 위치(15)를 포함한 영역(정밀 부상 영역)에 배치되어 있다. 준정밀 부상 유닛(12a,12b)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)과 인접하게 배치되어 있으며, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에 대해서 피처리체(16)의 반송 방향 상류측(x축 방향 마이너스측)에 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13a~13c)은, 준정밀 부상 유닛(12a,12b)과 인접하게 배치되어 있으며, 준정밀 부상 유닛(12a,12b)에 대해서 피처리체(16)의 반송방향 상류측(x축 방향 마이너측)에 배치되어 있다.
또한, 준정밀 부상 유닛(12c,12d)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)과 인접하게 배치되어 있으며, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에 대해서 피처리체(16)의 반송방향 하류측(x축 방향 플러스측)에 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13d~13f)은 준정밀 부상 유닛(12c,12d)과 인접하게 배치되어 있으며, 준정밀 부상 유닛(12c,12d)에 대해서 피처리체(16)의 반송방향 하류측(x축 방향 플러스측)에 배치되어 있다.
환언하면, 정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 평면보기로 보았을 때에 레이저 광 (15)의 초점과 정밀 부상 영역(11a,11b)이 중첩하도록 배치되어 있다. 또한, 러프 부상 유닛(13a~13f)은 레이저 광(15)의 초점과 러프 부상 영역(13a~13f)이 중첩하지 않도록 배치되어 있다. 이때, 평면보기 보았을 경우란, 도 5에 나타내는 바와 같이 부상 유닛(10)을 z축 방향측에서 본 경우를 의미한다. 준정밀 부상 유닛 (12a,12b)은, 정밀 부상 영역(11a,11b)과 러프 부상 영역(13a~13c) 사이에 배치되어있다. 또한, 준정밀 부상 유닛(12c,12d)은, 정밀 부상 영역(11a,11b)과 러프 부상 영역(13d~13f) 사이에 배치되어 있다.
도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이, 정밀 부상 유닛(11a,11b), 준정밀 부상 유닛(12a~12d), 및 러프 부상 유닛(13a~13f) 각각은, 예를 들면 y축 방향으로 연장되는 직사각형의 유닛이며, 이들 부상 유닛이 반송 방향(x축 방향)을 따라서 나열되도록 배치되어 있다. 피처리체(16)는, 러프 부상 유닛(13a~13c), 준정밀 부상 유닛(12a,12b), 정밀 부상 유닛(11a,11b), 준정밀 부상 유닛(12c,12d), 러프 부상 유닛(13d~13f)의 순으로 통과해서 반송된다. 또한, 각각의 부상 유닛의 형상은 직사각형에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 각각의 부상 유닛의 형상은 정사각형이라도 좋다.
정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 피처리체(16)를 정밀하게 부상시켜서 반송하는 유닛이며, 반송시의 피처리체(16)의 휨량을 작게하면서 반송할 수 있도록 구성되어있다. 정밀 부상 유닛(11a,11b)은, 예를 들면, 피처리체(16)를 부상시키기 위한 가스의 분출량을 정밀하게 제어하고 있다. 예를 들면, 정밀 부상 영역(정밀 부상 유닛)(11a,11b)은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있다.
러프 부상 유닛(13a~13f)은, 피처리체(16)를 부상시켜서 반송하는 유닛이며 반송시에 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13f)과 접촉만하지 않으면 충분해서 피처리체(16)를 부상시키기 위한 가스의 분출량은 정밀 부상 유닛(11a,11b) 정도로 정밀하게 제어하고 있지 않다. 그 결과, 러프 부상 유닛(13a~13f)을 통과할 때의 피처리체(16)의 휨량은 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 통과할 때의 피처리체(16)의 휨량보다도 크다. 예를 들면, 러프 부상 영역(러프 부상 유닛)(13a~13f)은, 가스의 흡인을 이용하지 않고 가스의 분출을 이용하여 피처리체(16)를 부상시킬 수 있도록 구성되어 있다.
준정밀 부상 유닛(12a,12b)은, 러프 부상 유닛(13a~13c)에서 정밀 부상 유닛(11a,11b)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 피처리체(16)를 반송 가능하게 구성되어 있다. 또한, 준정밀 부상 유닛 (12c,12d)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서 러프 부상 유닛(13d~13f)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 피처리체(16)를 반송 가능하게 구성되어 있다. 예를 들면, 준정밀 부상 유닛(12a~12d)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)이 피처리체(16)를 부상시킬 때의 정밀도와 러프 부상 유닛(13a~13f)이 피처리체(16)를 부상시킬 때의 정밀도 사이의 정밀도로 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있다. 준정밀 부상 영역(정밀 부상 유닛) (12a~12d)은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 피처리체(16)를 부상시키도록 구성되어 있다.
예를 들면, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 위를 피처리체(16)가 통과할 때의 피처리체(16)의 휨량은 러프 부상 유닛(13a~13c) 위를 피처리체(16)가 통과할 때의 피 처리체(16)의 휨량의 1/10~1/20이다. 준정밀 부상 유닛(12a,12b)은, 러프 부상 유닛(13a~13c)에서 정밀 부상 유닛(11a,11b)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록, 환언하면, 러프 부상 유닛(13a~13c)에서의 피처리체(16)의 휨량과 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서의 피처리체(16)의 휨량의 차이를 흡수하도록 피처리체(16)를 반송한다.
마찬가지로, 예를 들면, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 위를 피처리체(16)가 통과 할 때의 피처리체(16)의 휨량은, 러프 부상 유닛(13d~13f) 위를 피처리체(16)가 통과할 때의 피처리체(16)의 휨량의 1/10~1/20이다. 준정밀 부상 유닛(12c,12d)은, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서 러프 부상 유닛(13d~13f)으로 피처리체(16)가 반송될때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록, 환언하면, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서의 피처리체(16)의 휨량과 러프 부상 유닛(3d~13f)에서의 피처리체(16)의 휨량의 차이를 흡수하도록 피처리체(16)를 반송한다.
(정밀 부상 유닛의 구성 예)
도 7, 도 8은 각각 정밀 부상 유닛(11)의 구성 예를 설명하기 위한 단면도, 및 평면도이다. 또한, 이하에서는 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 총칭해서 정밀 부상 유닛(11)으로도 기재한다. 준정밀 부상 유닛(12), 및 러프 부상 유닛(13)에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 다음은 정밀 부상 유닛(11)의 구성 예에 대해서 설명하는데, 준정밀 부상 유닛(12)의 구성에 관해서도 정밀 부상 유닛(11)의 구성과 기본적으로 동일하다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 정밀 부상 유닛(11)은, 받침대(pedestal)(21) 및 다공질체(22)를 구비한다. 다공질체(22)는 받침대(21)의 상측에 설치되어 있으며, 가스 분출부로서 기능한다. 도 8의 평면도에 나타내는 바와 같이, 다공질체 (22)는 급기 포트(24_1,24_2)에 접속되어 있으며, 압축된 가스가 급기 포트 (24_1,24_2)를 통해서 다공질체(22)에 공급된다. 예를 들면, 급기 포트(24_1,24_2)는 정밀 부상 유닛(11)의 하부에 설치되어 있다. 또한, 도 7에 나타내는 단면도에서는 급기 포트(24_1,24_2)의 배치와 배기 포트(25_1,25_2)의 배치가 겹치기 때문에 급기 포트(24_1,24_2)의 도시를 생략하고 있다. 다공질체(22)에 공급된 압축 가스는, 다공질체(22)의 내부를 통과한 뒤, 다공질체(22)의 상면에서 상방으로 분출한다. 이에 따라 피처리체(16)가 부상한다.
또한, 다공질체(22)에는 복수의 흡기홀(27)이 형성되어 있다. 흡기홀(27)은,는 다공질체(22)에 관통 구멍을 내서 형성할 수 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 흡기홀(27)은 다공질체(22)의 상면(즉, 피처리체(16)와 대향하는 면)에서 균일하게 배치되어 있다. 흡기홀(27)은, 피처리체(16)와 정밀 부상 유닛(11) 사이에 존재하는 가스를 흡인한다(도 9 참조). 흡기홀(27)은 유로(26)를 통해서 배기 포트(25_1,25_2)에 접속되어 있다. 예를 들면, 배기 포트(25_1,25_2)는 정밀 부상 유닛(11)의 하부에 설치되어 있다. 배기 포트(25_1,25_2)에는 이젝터나 진공 펌프 등이 접속되어 있으며, 이젝터나 진공 펌프 등을 이용하여 배기 포트(25_1,25_2)를 흡인(즉 부압으로 함)함으로써 정밀 부상 유닛(11)의 상면에 존재하는 가스를 흡기 홀(27)에서 흡인할 수 있다.
도 9는, 정밀 부상 유닛(11)을 이용하여 피처리체(16)를 반송하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이 정밀 부상 유닛(11)에서는 다공질체(22)에서 상방으로 가스가 분출하고 있기 때문에 정밀 부상 유닛(11) 위에 피처리체(16)가 반송되어 오면, 이 가스가 피처리체(16)의 하면에 충돌해서 피처리체(16)가 부상한다. 따라서, 정밀 부상 유닛(11)과 피처리체(16)가 비접촉 상태가된다. 이때, 피처리체(16)와 정밀 부상 유닛(11)의 간극, 즉 피처리체(16)의 부상 량은 급기 포트(24_1,24_2)에 공급되는 가스의 양, 환언하면, 다공질체(22)로부터 분출하는 가스의 양을 조절함으로써 제어할 수 있다.
또한, 피처리체(16)와 정밀 부상 유닛(11) 사이에 존재하는 가스(즉, 가스 고임(도 12의 부호 35 참조)을 흡기홀(27)로부터 흡인함으로써 피처리체(16)의 휨을 줄일 수 있다. 환언하면, 피처리체(16)를 평탄하게 할 수 있다. 피처리체(16)의 휨량은, 급기 포트(24_1,24_2)에 공급되는 가스의 양과 배기 포트(25_1,25_2)에서 배기하는 가스의 양의 균형을 조정함으로써 제어할 수 있다.
(러프 부상 유닛의 구성 예)
이어서, 러프 부상 유닛(13a~13f)의 구성 예에 관해서 설명한다. 도 10, 도 11은, 각각 러프 부상 유닛(13)의 구성 예를 설명하기 위한 단면도 및 평면도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 러프 부상 유닛(13)은 받침대(31) 및 다공질체(32)를 구비한다. 다공질체(32)는 받침대(31)의 상측에 설치되어 있으며, 가스 분출부로서 기능한다. 다공질체(32)는 급기 포트(34_1,34_2)에 접속되어 있으며, 압축된 가스가 급기 포트(34_1,34_2)를 통해서 다공질체(32)에 공급된다. 예를 들어, 급기 포트(34_1,34_2)는 러프 부상 유닛(13)의 하부에 설치되어 있다. 다공질체(32)에 공급된 압축 가스는, 다공질체(32)의 내부를 통과한 후, 다공질체(32)의 상면에서 상방으로 분출한다. 이에 의해, 피처리체(16)가 부상한다.
도 12는, 러프 부상 유닛(13)을 이용하여 피처리체(16)를 반송하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 러프 부상 유닛(13)에서는, 다공질체(32)에서 상방으로 가스가 분출하고 있기 때문에 러프 부상 유닛(13) 위로 피처리체(16)가 반송되어 오면, 이 가스가 피처리체(16)의 하면에 충돌해서 피처리체(16)가 부상한다. 따라서, 러프 부상 유닛(13)과 피처리체(16)가 비접촉 상태가 된다. 이때, 피처리체(16)와 러프 부상 유닛(13) 사이에는 가스 고임(gas accumulation)(35)이 형성된다. 그 결과, 러프 부상 유닛(13)에서는 피처리체(16)의 휨량이 커진다.
한편, 상기에서 설명한 정밀 부상 유닛(11)에서는 피처리체(16)와 정밀 부상 유닛(11) 사이에 존재하는 가스 고임을 흡기홀(27)에서 흡인하기 때문에 피처리체(16)의 휨량을 저감시킬 수 있다.
러프 부상 유닛(13)에 있어서도, 피처리체(16)와 러프 부상 유닛(13)의 간극, 즉 피처리체(16)의 부상량은 급기 포트(34_1,34_2)에 공급되는 가스의 양, 환언하면 다공질체(32)에서 분출하는 가스의 양을 조정함으로써 제어할 수 있다. 또한, 러프 부상 유닛(13)에서는, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13)에 충돌하지 않도록 반송할 수 있으면 되므로 반송시의 피처리체(16)의 휨량은 중요하지 않다. 즉, 러프 부상 유닛(13)에서는, 정밀 부상 유닛(11)이나 준정밀 부상 유닛(12)과 비교해서 급기 포트(34_1,34_2)에 공급되는 가스의 양은 정밀하게 제어하지 않아도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도는, 러프 부상 유닛(13a~13f)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도보다 작아지도록 구성하고 있다. 또한, 준정밀 부상 유닛(12a~12d)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도는, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도보다 크고, 러프 부상 유닛(13a~13f)의 피처리체(16)와 대향하는 면의 평면도보다 작아지도록 구성하고 있다. 예를 들면, 정밀 부상 유닛(11), 준정밀 부상 유닛(12), 및 러프 부상 유닛(13)의 평면도는, 각각의 부상 유닛의 다공질체의 상면의 평면도이다.
예를 들면, 정밀 부상 유닛(11)의 평면도는, 정밀 부상 유닛(11)의 위를 부상하는 피처리체(16)의 부상량(부상 높이)과 피처리체(16)의 휨량를 이용하여 정할 수 있다. 또한, 부상 유닛의 평면도의 결정 방법에 관해서는 실시 예 1에서 설명한 경우와 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.
(러프 부상 유닛의 배관 계통의 설명)
도 13은, 러프 부상 유닛(13a~13f)의 배관 계통(급기 계통)의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 가스 공급원(41)에서 배관에 공급된 압축 가스는 2계통으로 분기되어서 필터(42_1) 및 필터(42_2)에 각각 공급된다. 예를 들면, 압축 가스로는 압축된 불활성 가스(압축된 질소 가스 등)나 압축 공기를 사용할 수 있다.
필터(42_1)는 가스 공급원(41)에서 공급된 압축 가스에 포함되는 수분이나 불순물을 제거한다. 필터(42_1)를 통과한 후의 압축 가스는 3계통으로 분기되어서, 스피드 컨트롤러(speed controller)(43_1~43_3)에 각각 공급된다. 각각의 스피드 컨트롤러(43_1~43_3)는, 각각의 스피드 컨트롤러(43_1~43_3)를 흐르는 압축 가스의 유량을 조정한다. 조정된 후의 압축 가스는, 플로우 센서(flow sensor)(44_1~44_3)를 경유해서 각각의 러프 부상 유닛(13a~13c)의 급기 포트(34_1,34_2)(도 11 참조)에 공급된다. 플로우 센서(44_1~44_3)는 각각의 러프 부상 유닛(13a~13c)에 공급되는 압축 가스의 유량을 표시한다.
필터(42_2)는, 가스 공급원(41)에서 공급된 압축 가스에 포함된 수분이나 불순물을 제거한다. 필터(42_2)를 통과한 후의 압축 가스는 3계통으로 분기되어서, 스피드 컨트롤러(43_4~43_6)에 각각 공급된다. 각각의 스피드 컨트롤러(43_4~43_6)는, 각각의 스피드 컨트롤러(43_4~43_6)를 흐르는 압축 가스의 유량을 조정한다. 조정된 후의 압축 가스는, 플로우 센서(44_4~44_6)를 경유해서 각각의 러프 부상 유닛(13d~13f)의 급기 포트(34_1,34_2)(도 11 참조)에 공급된다. 플로우 센서(44_4~ 44_6)는, 각각의 러프 부상 유닛(13d~13f)에 공급되는 압축 가스의 유량을 표시한다.
도 13에 나타낸 배관 계통의 일 예에서는, 하나의 러프 부상 유닛에 공급되는 압축 가스를 하나의 스피드 컨트롤러를 사용하여 제어하는 경우에 관해서 나타내었다. 그러나, 러프 부상 유닛(13a~13f)은, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13f)에 충돌하지 않도록 반송할 수 있으면 되기 때문에 반드시 각각의 러프 부상 유닛(13a~13f)을 독립적으로 제어할 필요는 없다. 예를 들면, 본 실시 형태에서는, 두 개의 러프 부상 유닛에 공급되는 압축 가스를 하나의 스피드 컨트롤러를 이용하여 제어하도록 구성해도 좋다.
(정밀 부상 유닛 및 준정밀 부상 유닛의 배관 계통(급기계통)의 설명)
도 14는, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 준정밀 부상 유닛(12a~12d)의 배관 계통(급기계통)의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 가스 공급원(51)에서 배관에 공급된 압축 가스는 필터(52)에 공급된다. 예를 들면, 압축 가스로는 압축된 불활성 가스(압축된 질소가스 등)나 압축 공기를 사용할 수있다.
필터(52)는 가스 공급원(51)에서 공급된 압축 가스에 포함된 수분이나 불순물을 제거한다. 필터(52)를 통과한 후의 압축 가스는 8계통으로 분기된 플로우 컨트롤러(flow controller)(53_1~53_8)에 각각 공급된다. 각각의 플로우 컨트롤러(53_1~53_8)는, 각 플로우 컨트롤러(53_1~ 53_8)를 흐르는 압축 가스의 유량을 조정한다. 예를 들면, 플로우 컨트롤러(53_1~53_8)에는 유량 조정용 스로틀 밸브(throttle valve)가 달린 플로우 센서를 사용할 수 있다. 조정된 후의 압축 가스는, 각각의 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 각각의 준정밀 부상 유닛(12a~12d)에 공급된다.
구체적으로는, 플로우 컨트롤러(53_1)로 유량이 제어된 압축 가스는, 정밀 부상 유닛(11a)의 급기 포트(1)(도 8의 급기 포트(24_1)에 대응. 이하 동일)에 공급된다. 플로우 컨트롤러(53_2)로 유량이 제어된 압축 가스는, 정밀 부상 유닛 (11a)의 급기 포트(2)(도 8의 급기 포트(24_2)에 대응. 이하 동일)에 공급된다. 플로우 컨트롤러(53_3)로 유량이 제어된 압축 가스는, 정밀 부상 유닛(11b)의 급기 포트(1)에 공급된다. 플로우 컨트롤러(53_4)로 유량이 제어된 압축 가스는, 정밀 부상 유닛(11b)의 급기 포트(2)에 공급된다.
또한, 플로우 컨트롤러(53_5)로 유량이 제어된 압축 가스는, 준정밀 부상 유닛(12a)의 두 개의 급기 포트(1,2)(도 8의 급기 포트(24_1,24_2)에 대응. 이하 동일)에 공급된다. 플로우 컨트롤러(53_6)로 유량이 제어된 압축 가스는, 준정밀 부상 유닛(12b)의 두 개의 급기 포트(1,2)에 공급된다. 플로우 컨트롤러(53_7)로 유량이 제어된 압축 가스는, 준정밀 부상 유닛(12c)의 두 개의 급기 포트(1,2)에 공급된다. 플로우 컨트롤러(53_8)로 유량이 제어된 압축 가스는, 준정밀 부상 유닛(12d)의 두 개의 급기 포트(1,2)에 공급된다.
이와 같이, 준정밀 부상 유닛(12a~12d)에서는, 하나의 준정밀 부상 유닛(2개의 급기 포트를 구비함)에 흐르는 압축 가스를 하나의 플로우 컨트롤러를 사용하여 제어하고 있다. 이에 비해 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서는, 하나의 정밀 부상 유닛에 흐르는 압축 가스를 두 개의 플로우 컨트롤러를 이용해서 제어한다. 환언하면, 정밀 부상 유닛의 하나의 급기 포트에 흐르는 압축 가스를 하나의 플로우 컨트롤러를 이용해서 제어한다. 따라서 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서는, 준정밀 부상 유닛(12a~12d)에 비해 압축 가스의 유량을 보다 정밀하게 제어할 수 있다.
(정밀 부상 유닛 및 준정밀 부상 유닛의 배관 계통(배기 계통)의 설명)
도 15는, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 준정밀 부상 유닛(12a~12d)의 배관 계통(배기 계통)의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 가스 공급원(61)으로부터 배관에 공급된 압축 가스는 레귤레이터(62_1) 및 레귤레이터(62_2)에 각각 공급된다. 예를 들면, 압축 가스로는 압축 공기나 압축된 불활성 가스(압축된 질소 가스 등)을 사용할 수 있다.
레귤레이터(62_1)는 정밀 부상 유닛(11a,11b)측의 계통에 설치되어 있으며, 가스 공급원(61)으로부터 공급된 압축 가스의 압력을 조정한다. 레귤레이터(62_1)를 통과한 후 압축 가스는, 스피드 컨트롤러(63_1)에 공급된다. 스피드 컨트롤러 (63_1)는 스피드 컨트롤러(63_1)를 흐르는 압축 가스의 유량을 조정한다. 조정된 후의 압축 가스는, 이젝터(64_1)를 경유해서 배기 라인으로 흐른다. 이에 의해, 이젝터(64_1)와 플로우 컨트롤러(65_1)가 접속되어 있는 배관에는 부압이 발생한다. 또한, 도 15에 있어서 이젝터(64_1~64_4) 부근의 가스의 흐름을 화살표로 나타내고 있다. 이젝터(64_1)와 정밀 부상 유닛(11a)의 배기 포트(1)(도 8의 배기 포트(35_1)에 대응) 사이에는 플로우 컨트롤러(65_1)와 필터(66_1)가 설치되어 있으며, 정밀 부상 유닛(11a)의 배기 포트(1)에서의 배기량은 플로우 컨트롤러(65_1)를 이용하여 조정할 수 있다.
스피드 컨트롤러(63_2), 이젝터(64_2), 플로우 컨트롤러(65_2), 및 필터(66_2)가 설치되어 있는 계통에 대해서도 마찬가지이며, 정밀 부상 유닛(11a)의 배기 포트(2)(도 8의 배기 포트(35_2)에 대응)에서의 배기량은 플로우 컨트롤러 (65_2)를 이용하여 조정할 수 있다. 도 15에서는 도시를 생략하고 있는데, 정밀 부상 유닛(11b)의 배관 계통에 관해서도 마찬가지이다.
레귤레이터(62_2)는 준정밀 부상 유닛(12a~12d)측의 계통에 설치되어 있으며, 가스 공급원(61)에서 공급된 압축 가스의 압력을 조정한다. 또한, 준정밀 부상 유닛(12a~12d)측의 구성에 관해서도 상기에서 설명한 정밀 부상 유닛(11a)의 구성과 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 도 15에서는 도시를 생략하고 있는데, 준정밀 부상 유닛(12b~12d)의 배관 계통에 관해서도 마찬가지이다.
도 15에 나타낸 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 준정밀 부상 유닛(12a~ 12d)의 배관 계통(배기 계통)의 일례에서는, 정밀 부상 유닛(11a,11b) 및 준정밀 부상 유닛(12a~12d)이 각각 구비하는 두 개의 배기 포트의 배기량을 각각 독립적으로 조정 가능하게 구성되어 있다. 따라서, 각각의 부상 유닛에서의 배기량을 정밀하게 조정할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치에서는, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 급기 포트에 공급되는 가스 공급량과 준정밀 부상 유닛(12a~12d)에 공급되는 가스 공급량을 독립적으로 제어 가능하게 구성되어 있다. 또한, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 흡기홀의 가스 흡인량(배기 포트의 배기량)과 준정밀 부상 유닛(12a~12d)의 흡기홀의 가스 흡인량(배기 포트의 배기량)을 독립적으로 제어 가능하게 구성되어 있다.
(피처리체를 반송하고 있는 상태의 설명)
도 16은, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)를 이용해서 피처리체(16)를 반송하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 도 16a에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13c)의 위를 통과할 때는, 피처리체(16)의 휨량은 커진다. 이것은, 도 12에 나타낸 바와 같이, 러프 부상 유닛(13a~13c)의 위를 피처리체(16)가 통과하는 동안은, 피처리체(16)와 러프 부상 유닛 (13a~13c) 사이에 가스 고임(35)이 형성되기 때문이다.
그 후, 피처리체(16)가 반송되고, 도 16b에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 준정밀 부상 유닛(12a,12b)의 위를 통과할 때는, 피처리체(16)의 휨량은, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13a~13c)의 위를 통과하는 동안의 휨량보다 작아진다. 이것은 피처리체(16)와 준정밀 부상 유닛(12a,12b) 사이에 존재하는 가스(즉, 가스 고임(35)(도 12 참조))을 흡기홀(27)(도 9 참조)에서 흡인함으로써 피처리체(16)의 휘어짐을 줄일 수 있기 때문이다.
그 후, 피처리체(16)가 더 반송되고, 도 16c에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 위를 통과하고 있는 동안은, 피처리체(16)의 휨량은 피처리체(16)가 준정밀 부상 유닛(12a,12b)의 위를 통과하는 동안의 휨량보다 작아진다. 이것은 피처리체(16)와 정밀 부상 유닛(11a,11b) 사이에 존재하는 가스(즉, 가스 고임(35)(도 12 참조))를 흡기홀(27)(도 9 참조)에서 흡인함으로써 피 처리체(16)의 휘어짐을 줄일 수 있기 때문이다. 또한, 준정밀 부상 유닛(12a,12b)을 설치함으로써, 러프 부상 유닛(13a~13c)에서 정밀 부상 유닛(11a,11b)에 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하게 할 수 있기 때문이다. 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 위를 통과할 때, 피처리체(16)에 레이저 광(15)이 조사된다.
그 후, 피처리체(16)가 더 반송되고, 도 16d에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 준정밀 부상 유닛(12c,12d) 및 러프 부상 유닛(13d~13f)의 위를 통과하는 동안은 피처리체(16)의 휨량은 다음과 같아진다. 즉, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13d~13f)의 위를 통과하는 동안은, 피처리체(16)의 휨량은 커진다. 이것은, 도 12에 나타내는 바와 같이, 러프 부상 유닛(13d~13f)의 위를 피처리체(16)가 통과하는 동안은 피처리체(16)와 러프 부상 유닛(13d~13f) 사이에 가스 고임(35)이 형성되기 때문이다.
또한, 피처리체(16)가 준정밀 부상 유닛(12c,12d)의 위를 통과하는 동안은, 피처리체(16)의 휨량은 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13d~13f)의 위를 통과하는 동안의 휨량보다 작아진다. 이것은 피처리체(16)와 준정밀 부상 유닛(12c,12d) 사이에 존재하는 가스(즉, 가스 고임(35)(도 12 참조))를 흡기홀(27)(도 9 참조)에서 흡인함으로써 피처리체(16)의 휨을 줄일 수 있기 때문이다. 그리고, 이 경우도 준정밀 부상 유닛(12c,12d)을 마련함으로써, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서 러프 부상 유닛(13d~13f)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 러프 부상 유닛(13a~13c)과 정밀 부상 유닛(11a,11b) 사이에 준정밀 부상 유닛(12a,12b)을 설치하고 있다. 따라서, 러프 부상 유닛(13a~13c)에서 정밀 부상 유닛(11a,11b)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 할 수 있다.
즉, 도 16c에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 러프 부상 유닛(13c)에서 준정밀 부상 유닛(12a)으로 반송될 때, 위치(19a)에서 피처리체(16)의 휨량이 급격하게 변화한다. 그러나, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 준정밀 부상 유닛(12a,12b)을 이용하여 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 피처리체(16)를 반송하고 있다. 따라서, 위치(19a)에서의 피처리체(16)의 휘어짐이, 레이저 조사 위치(15)를 통과하고 있는 피처리체(16)에 영향을 주는 것을 억제할 수 있다. 환언하면, 준정밀 부상 유닛(12a,12b)을 설치함으로써 피처리체(16)의 휘어짐이 큰 위치(19a)와 레이저 조사 위치(15)의 거리(d1)를 떼어 놓을 수 있기 때문에, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치(도 4 참조)와 비교해서 레이저 조사 위치(15)에서의 피처리체(16)의 휘어짐을 줄일 수 있다.
또한, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 정밀 부상 유닛(11a,11b)과 러프 부상 유닛(13d~13f) 사이에 준정밀 부상 유닛(12c,12d)을 설치하고 있다. 따라서, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에서 러프 부상 유닛(13d~13f)으로 피처리체(16)가 반송될 때에 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 할 수 있다.
즉, 도 16d에 나타내는 바와 같이, 피처리체(16)가 준정밀 부상 유닛(12d)에서 러프 부상 유닛(13d)으로 반송될 때, 위치(19b)에 있어서 피처리체(16)의 휨량이 급격하게 변화한다. 그러나, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 준정밀 부상 유닛(12c,12d)을 이용하여 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 피처리체(16)를 반송하고 있다. 따라서, 위치(19b)에서의 피처리체(16)의 휘어짐이 레이저 조사 위치(15)를 통과하고 있는 피처리체(16)에 영향을 주는 것을 억제할 수 있다. 환언하면, 준정밀 부상 유닛(12c,12d)을 설치함으로써 피처리체(16)의 휘어짐이 큰 위치(19b)와 레이저 조사 위치(15)의 거리(d2)를 떼어 놓을 수 있기 때문에, 실시 예 1에 관련한 레이저 조사 장치(도 4 참조)에 비해 레이저 조사 위치(15)에서의 피처리체(16)의 휨을 감소시킬 수 있다.
이와 같이, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 레이저 조사 위치(15)에서의 피처리체(16)의 휘어짐을 감소시킬 수 있기 때문에 레이저 조사 위치(15)에 있어서 레이저 광의 초점 심도(DOF)에서 벗어나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 5, 도 6에서는, 두 개의 정밀 부상 유닛(11a,11b)을 이용하여 정밀 부상 영역을 형성하고, 4개의 준정밀 부상 유닛(12a~12d)을 이용하여 준정밀 부상 영역을 형성하고, 6개의 러프 부상 유닛(13a~13f)을 이용하여 러프 부상 영역을 형성하는 경우를 보였다. 그러나, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 정밀 부상 영역을 구성하는 정밀 부상 유닛(11)의 수(數), 준정밀 부상 영역을 구성하는 준정밀 부상 유닛(12)의 수, 및 러프 부상 영역을 구성하는 러프 부상 유닛(13)의 수는, 임의로 결정할 수 있다. 또한, 상기에서 설명한 정밀 부상 유닛(11), 준정밀 부상 유닛(12), 및 러프 부상 유닛(13)의 구성은 일례이며, 본 실시 예에서는 각 부상 유닛이 상기에서 설명한 이외의 구성을 구비하고 있어도 좋다. 예를 들면, 러프 부상 유닛(13)은, 정밀 부상 유닛(11) 정도로 부상 정밀도가 요구되지 않기 때문에, 러프 부상 유닛의 1유닛당 면적이 정밀 부상 유닛의 1유닛당 면적보다 커지도록 구성해도 좋다. 또한, 상기에서는 러프 부상 유닛에 흡기홀을 마련하지 않는 구성에 대해서 설명하였지만, 본 실시 형태에서는 러프 부상 유닛에 흡기홀을 설치해도 좋다.
또한, 상기에서 설명한 구성에서는, 정밀 부상 유닛(11a,11b)의 양쪽에 준정밀 부상 유닛(12a,12b) 및 준정밀 부상 유닛(12c,12d)을 각각 설치한 구성을 보였다. 그러나, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치(1)에서는, 정밀 부상 유닛(11a,11b)에 대해서 피처리체(16)의 반송 방향 상류측 및 하류측의 적어도 한쪽에 준정밀 부상 유닛(12)을 마련하면 좋다.
(각각의 부상 유닛의 배치 예)
도 17 내지 도 21은, 정밀 부상 유닛(정밀 부상 영역)(11), 준정밀 부상 유닛(준정밀 부상 영역)(12), 및 러프 부상 유닛(러프 부상 영역)(13)의 배치 예를 설명하기 위한 평면도 있다. 도 17 내지 도 21에 나타내는 레이저 조사 장치(1_1~ 1_5)의 스테이지 위에는, 정밀 부상 유닛(11), 준정밀 부상 유닛(12), 및 러프 부상 유닛(13)이 각각 배치되어 있다. 그리고, 스테이지 상에서 피처리체(16)를 부상시켜 파지부(미도시)를 이용하여 피처리체(16)를 스테이지 위의 화살표 방향으로 반송해서 피처리체(16)를 처리한다.
도 17에 나타내는 레이저 조사 장치(1_1)에서는, 레이저 조사 위치(15)가 스테이지의 중앙부에서 스테이지의 y축 방향의 단부에 걸쳐 배치되어 있다. 환언하면, 레이저 조사 위치(15)는, 피처리체(16)의 y축 방향에서의 길이와 같은 정도이며, 피처리체(16)를 반송할 때에, 피처리체(16)의 y축 방향의 전체면에 레이저 광이 조사된다. 정밀 부상 유닛(11)은, 레이저 조사 위치(15)를 포함하도록 배치되어 있다. 정밀 부상 유닛(11)의 y축 방향에서의 길이는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이와 같은 정도이다. 준정밀 부상 유닛(12)은, 정밀 부상 유닛(11)의 x축 방향의 양측에 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13)은, 정밀 부상 유닛(11)과 준정밀 부상 유닛(12)이 배치되어 있는 부분 이외의 부분에 배치되어 있다. 또한, 도 17에 나타내는 레이저 조사 장치(1_1)에 있어서, 피처리체(16)는 레이저 조사 위치(15)를 여러 번 통과하도록, 즉 피처리체(16)의 동일 개소에 여러 번 레이저 광이 조사되도록 스테이지 위를 반송되어도 좋다.
도 18에 나타내는 레이저 조사 장치(1_2)에서는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이는, 피처리체(16)의 y축 방향에서의 길이의 절반 정도의 길이이다. 레이저 조사 위치(15)는, 스테이지의 중앙부측에 배치되어 있고, 피처리체(16)가 레이저 조사 위치(15)를 통과했을 때에, 피처리체(16)의 y축 방향의 절반의 영역에 레이저 광이 조사된다. 도 18에 나타내는 레이저 조사 장치(1_2)에서는, 피처리체(16)를 스테이지 상의 화살표 방향으로 반송하고, 여러 차례에 걸쳐 피처리체(16)에 레이저 광을 조사함으로써 피처리체(16)의 전체면을 처리할 수 있다. 정밀 부상 유닛(11)은, 레이저 조사 위치(15)를 포함하도록 배치되어 있다. 준정밀 부상 유닛(12)은, 정밀 부상 유닛(11)의 주위를 스테이지의 중앙부를 제외하고 둘러싸도록 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13)은, 정밀 부상 유닛(11)과 준정밀 부상 유닛(12)이 배치되어 있는 부분 이외의 개소에 배치되어 있다. 또한, 도 18에 나타내는 레이저 조사 장치(1_2)에 있어서, 피처리체(16)는 레이저 조사 위치(15)를 여러 번 통과하도록, 즉 피처리체(16)의 동일 개소에 여러 번 레이저 광이 조사되도록 스테이지 위를 반송되어도 좋다.
도 19에 나타내는 레이저 조사 장치(1_3)에서는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이는, 피처리체(16)의 y축 방향에서의 길이의 절반 정도의 길이이다. 레이저 조사 위치(15)는, 스테이지의 중앙부측에 배치되어 있으며, 피처리체(16)가 레이저 조사 위치(15)를 통과했을 때에, 피처리체(16)의 y축 방향의 절반의 영역에 레이저 광이 조사된다. 도 19에 나타내는 레이저 조사 장치(1_3)에서는 피처리체(16)를 스테이지 상의 화살표 방향으로 반송하고, 여러 차례에 걸쳐서 피처리체(16)에 레이저 광을 조사함으로써 피처리체(16)의 전체면을 처리할 수 있다. 정밀 부상 유닛(11)은, 레이저 조사 위치(15)를 포함하도록 배치되어 있다. 정밀 부상 유닛(11)의 y축 방향에서의 길이는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이와 같은 정도이다. 준정밀 부상 유닛(12)은, 정밀 부상 유닛(11)의 x축 방향의 양측에 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13)은, 정밀 부상 유닛(11)과 준정밀 부상 유닛(12)이 배치되어 있는 개소 이외의 개소에 배치되어 있다. 또한, 도 19에 나타내는 레이저 조사 장치(1_3)에 있어서, 피처리체(16)는 레이저 조사 위치(15)를 여러 번 통과하도록, 즉 피처리체(16)의 동일 개소에 여러 번 레이저 광이 조사되도록 스테이지 상을 반송되어도 좋다.
도 20에 나타내는 레이저 조사 장치(1_4)에서는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이는, 피처리체(16)의 y축 방향에서의 길이의 절반 정도의 길이이다. 레이저 조사 위치(15)는 스테이지의 단부측에 배치되어 있고, 피처리체(16)가 레이저 조사 위치(15)를 통과했을 때에, 피처리체(16)의 y축 방향의 절반의 영역에 레이저 광이 조사된다. 도 20에 나타내는 레이저 조사 장치(1_4)에서는 피처리체(16)를 스테이지 위의 화살표 방향으로 반송하고, 여러 차례에 걸쳐 피처리체(16)에 레이저 광을 조사함으로써 피처리체(16)의 전체면을 처리할 수 있다. 정밀 부상 유닛(11)은 레이저 조사 위치(15)를 포함하도록 배치되어 있다. 정밀 부상 유닛(11)의 y축 방향에서의 길이는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이보다도 길다. 즉, 정밀 부상 유닛(11)은, 스테이지의 중앙부에서 스테이지의 y축 방향의 단부에 걸쳐 배치되어 있다. 준정밀 부상 유닛(12)은, 정밀 부상 유닛(11)의 x축 방향의 양측에 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13)은, 정밀 부상 유닛(11)과 준정밀 부상 유닛(12)이 배치되어 있는 개소 이외의 개소에 배치되어 있다. 또한, 도 20에 나타내는 레이저 조사 장치(1_4)에 있어서, 피처리체(16)는 레이저 조사 위치(15)를 여러 번 통과하도록, 즉 피처리체(16)의 동일 개소에에 여러 번 레이저 광이 조사되도록 스테이지 위를 반송되어도 좋다.
도 21에 나타내는 레이저 조사 장치(1_5)에서는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이는, 피처리체(16)의 y축 방향에서의 길이의 절반 정도의 길이이다. 레이저 조사 위치(15)는, 스테이지의 단부측에 배치되어 있으며, 피처리체(16)가 레이저 조사 위치(15)를 통과했을 때에, 피처리체(16)의 y축 방향의 절반의 영역에 레이저 광이 조사된다. 도 21에 나타내는 레이저 조사 장치(1_5)에서는 피처리체(16)를 스테이지 상의 화살표 방향으로 반송하고, 여러 차례에 걸쳐 피처리체(16)에 레이저 광을 조사함으로써 피처리체(16)의 전체면을 처리할 수 있다. 정밀 부상 유닛(11)은, 레이저 조사 위치(15)를 포함하도록 배치되어 있다. 정밀 부상 유닛(11)의 y축 방향에서의 길이는, 레이저 조사 위치(15)의 y축 방향에서의 길이와 같은 정도이다. 준정밀 부상 유닛(12)은, 정밀 부상 유닛(11)의 x축 방향의 양측에 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13)은, 정밀 부상 유닛(11)과 준정밀 부상 유닛(12)이 배치되어 있는 개소 이외의 개소에 배치되어 있다. 또한, 도 21에 나타내는 레이저 조사 장치(1_5)에 있어서, 피처리체(16)는 레이저 조사 위치(15)을 여러 번 통과하도록, 즉 피처리체(16)의 동일 개소에 여러 번 레이저 광이 조사되도록 스테이지 위를 반송되어도 좋다.
도 17 내지 도 21에 나타낸 배치 예에서는, 레이저 광의 조사 위치(15) 부근에만 비교적 고가의 정밀 부상 유닛(11) 및 준정밀 부상 유닛(12)을 배치하고, 이외의 영역에는 저렴하게 구성할 수 있는 러프 부상 유닛(13)을 배치하고 있다. 즉, 부상 유닛의 대부분을 저렴한 러프 부상 유닛(13)으로 구성하고 있어서, 레이저 조사 장치의 비용을 줄일 수 있다. 또한, 정밀한 제어가 필요한 영역을 정밀 부상 유닛(11) 및 준정밀 부상 유닛(12)이 배치되어 있는 영역에 한정할 수 있기 때문에 레이저 조사 장치의 제어를 간편하게 할 수 있다.
(준정밀 부상 유닛의 다른 구성 예)
다음으로 준정밀 부상 유닛의 다른 구성 예에 대해서 설명한다. 도 22는, 준정밀 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 평면도이다. 도 22에 나타내는 구성 예에서는, 러프 부상 유닛(13), 준정밀 부상 유닛(70), 및 정밀 부상 유닛 (11)이 반송 방향으로 늘어서도록 배치되어 있다. 러프 부상 유닛(13), 준정밀 부상 유닛(70), 및 정밀 부상 유닛(11)의 상면, 즉 피처리체(16)와 대향하는 면 쪽에 다공질체가 형성되어 있다. 도 22에 나타내는 러프 부상 유닛(13), 준정밀 부상 유닛(70), 및 정밀 부상 유닛(11)에 있어서도 다공질체의 상면에서 위쪽으로 압축 가스가 분출한다. 이에 의해 피처리체(16)가 부상한다.
또한, 준정밀 부상 유닛(70) 및 정밀 부상 유닛(11)은, 피처리체(16) 사이에 존재하는 가스를 흡인하는 복수의 흡기홀(71,27)을 구비한다. 도 22에 나타내는 준정밀 부상 유닛(70)에서는, 복수의 흡기홀(71)은 러프 부상 유닛(13)측보다도 정밀 부상 유닛(11)측에서 조밀해지도록 배치되어 있다. 또한, 정밀 부상 유닛(11)에서는, 준정밀 부상 유닛(70)의 정밀 부상 유닛(11)측에서의 흡기홀(71)과 마찬가지로, 흡기홀(27)이 조밀하게 배치되어 있다.
따라서, 도 22에 나타내는 바와 같이, 준정밀 부상 유닛(70)의 흡기홀(71)의 배치를, 러프 부상 유닛(13)측에서 정밀 부상 유닛(11)측으로 갈수록 흡기홀(71)의 밀도가 점차 조밀해지도록 배치함으로써 러프 부상 유닛(13)측에서 정밀 부상 유닛(11)측에 피처리체(16)를 반송할 때에, 피처리체(16)의 휨량이 더 매끄럽게 변화하도록 할 수 있다.
(정밀 부상 유닛의 다른 구성 예)
도 23은, 정밀 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 23에 나타내는 정밀 부상 유닛은, 하부 유닛(81a,81b), 및 상부 유닛(81c,81d)을 이용하여 구성되어 있다. 또한, 하부 유닛(81a,81b), 및 상부 유닛(81c,81d)을 총칭해서 정밀 부상 유닛(81a~81d)이라고도 기재한다.
하부 유닛(81a,81b)은, 위에서 설명한 정밀 부상 유닛(11a,11b)과 대응하며, 하부 유닛(81a,81b)의 상면에 배치되어 있는 다공질체에서 위쪽으로 가스를 분출해서 피처리체(16)를 부상시킨다. 또한, 하부 유닛(81a,81b)의 상면에 형성되어 있는 복수의 흡기홀을 이용해서 피처리체(16)와 하부 유닛(81a,81b) 사이에 존재하는 가스를 흡인해서 피처리체(16)의 휘어짐을 저감시킨다.
상부 유닛(81c,81d)은, 하부 유닛(81a,81b)의 상부에 배치되어 있다. 환언하면, 상부 유닛(81c,81d)은, 피처리체(16)를 사이에 두고 하부 유닛(81a,81b)과 대향하는 위치에 배치되어 있다. 상부 유닛(81c,81d)은, 피처리체(16)의 반송시에 피처리체(16)의 상면에 가스를 내뿜는다. 이에 의해 피처리체(16)의 휘어짐을 더욱 저감시킬 수있다. 또한, 상부 유닛(81c)과 상부 유닛(81d) 사이에는 간극이 형성되어 있으며, 이 간극에서 피처리체(16)의 표면에 밀봉 가스(sealing gas)(85)가 공급된다. 이때, 밀봉 가스(85)는 질소 등의 불활성 가스이며, 또한 상부 유닛(81c,81d)에서 내뿜는 가스도 질소 등의 불활성 가스이다. 따라서, 피처리체(16)의 레이저 광(15)의 조사 위치의 표면을 국소적으로 질소 가스 등의 불활성 가스로 밀봉할 수 있다.
또한, 상부 유닛(81c,81d)의 상측에 레이저 변위계를 설치하고, 레이저 변위계의 측정용 레이저가 상부 유닛(81c)과 상부 유닛(81d) 사이의 간극을 통과하게 함으로써 피처리체(16)의 레이저 광(15)의 조사 위치에서의 z축 방향의 변위(휨량)를 실시간으로 측정할 수 있다. 이 레이저 변위계의 측정 값을 이용해서 정밀 부상 유닛(81a~81d)이나 준정밀 부상 유닛(12)의 가스 분출량이나 흡인량을 피드백 제어하도록 해도 좋다.
또한, 본 실시 예에서는 도 23에 나타낸 상부 유닛(81c,81d) 대신에 도 24에서 나타내는 바와 같은 상부 유닛(86a,86b)을 설치해도 좋다. 도 24에 나타내는 상부 유닛(86a,86b)은 하부 유닛(81a,81b)의 상부에 배치되어 있다. 환언하면, 상부 유닛(86a,86b)은, 피처리체(16)를 사이에 두고 하부 유닛(81a,81b)과 대향하는 위치에 배치되어 있다. 도 24에 나타내는 상부 유닛(86a,86b)은 피처리체(16)의 반송시에 피처리체(16)의 상면에 가스를 내뿜지 않는 구성이다. 도 24에 나타내는 정밀 부상 유닛은, 하부 유닛(81a,81b)을 이용하여 피처리체(16)를 반송한다.
또한, 상부 유닛(86a)과 상부 유닛(86b) 사이에는 간극이 형성되어 있으며, 이 간극에서 피처리체(16)의 표면에 밀봉 가스(85)가 공급된다. 이때, 밀봉 가스(85)는 질소 등의 불활성 가스이다. 따라서, 피처리체(16)의 레이저 광(15)의 조사 위치의 표면을 국소적으로 질소 가스 등의 불활성 가스로 밀봉할 수 있다. 또한, 도 24에 나타내는 정밀 부상 유닛에서는, 상부 유닛(86a)의 상류측에 판상부재(87a)를 설치하고, 상부 유닛(86b)의 하류측에 판상부재(87b)를 설치한다. 이와 같이, 상부 유닛(86a,86b) 이외에 판상 부재(87a,87b)를 하부 유닛(81a,81b)의 상부에 설치함으로써 밀봉 가스(85)에 의한 밀봉 효과를 높일 수 있다. 예를 들면, 상부 유닛(86a,86b) 및 판상 부재(87a,87b)는 알루미늄 판을 이용하여 구성할 수 있다.
(각각의 부상 유닛의 다른 구성 예)
도 25는, 레이저 조사 장치(2)가 구비하는 각각의 부상 유닛의 다른 구성 예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 25에 나타내는 레이저 조사 장치(2)에서는, 정밀 부상 유닛은, 하부 유닛(91a,91b), 및 상부 유닛(91c,91d)을 이용하여 구성되어 있다. 또한, 하부 유닛(91a,91b), 및 상부 유닛(91c,91d)을 총칭해서 정밀 부상 유닛 (91a~91d)이라고도 기재한다.
하부 유닛(91a,91b)은, 하부 유닛(91a,91b)의 상면에 배치되는 다공질체에서 위쪽으로 가스를 분출해서 피처리체(16)를 부상시킨다. 도 25에 나타내는 레이저 조사 장치에서는 하부 유닛(91a,91b)은 피처리체(16)와 하부 유닛(91a,91b) 사이에 존재하는 가스를 흡인하는 흡기홀(도 9 참조)을 구비하고 있지 않다.
상부 유닛(91c,91d)은, 하부 유닛(91a,91b)의 상부에 배치되어 있다. 환언하면, 상부 유닛(91c,91d)은 피처리체(16)를 사이에 두고 하부 유닛(91a,91b)과 대향하는 위치에 배치되어 있다. 상부 유닛(91c,91d)은, 피처리체(16)의 반송시에 피처리체(16)의 상면에 가스를 내뿜는다. 이와 같이, 하부 유닛(91a,91b)과 상부 유닛 (91c,91d)으로 피처리체(16)를 사이에 끼우고, 피처리체(16)의 상하 방향에서 가스를 내뿜어서 피처리체(16)의 반송시에 피처리체(16)의 휘어짐을 저감시킬 수 있다.
상부 유닛(91c,91d)에서 내뿜는 가스는 질소 등의 불활성 가스이다. 따라서, 피처리체(16)의 레이저 광(15)의 조사 위치의 표면을 국소적으로 질소 가스 등의 불활성 가스로 밀봉할 수 있다. 또한, 도 25에 나타내는 레이저 조사 장치(2)에 있어서도, 상부 유닛(91c)과 상부 유닛(91d) 사이에는 간극이 형성되어 있다. 따라서, 이 간극에서 피처리체(16)의 표면에 밀봉 가스(질소 등의 불활성 가스)를 공급해도 좋다.
또한, 준정밀 부상 유닛(92a,92b)은, 준정밀 부상 유닛(92a,92b)의 상방에서 가스를 분출해서 피처리체(16)를 부상시킨다. 또한, 도 25에 나타내는 레이저 조사 장치(2)에서는, 준정밀 부상 유닛(92a,92b)은, 피처리체(16)와 준정밀 부상 유닛(92a,92b) 사이에 존재하는 가스를 흡인하는 흡기홀(도 9 참조)을 구비하고 있지 않다.
또한, 러프 부상 유닛(93a,93b)은, 러프 부상 유닛(93a,93b)의 상방에서 가스를 분출해서 피처리체(16)를 부상시킨다. 러프 부상 유닛(93a,93b)에 관해서는 도 5에 나타낸 레이저 조사 장치(1)의 경우와 동일한 구성이다.
또한, 도 25에 나타내는 레이저 조사 장치(2)에서는 각각의 부상 유닛 사이에 간극을 마련해서 배치한 구성을 나타냈지만, 각각의 부상 유닛 사이에는 간극을 설치하지 않도록 구성해도 좋다.
도 25에 나타내는 레이저 조사 장치(2)에서는 피처리체(16)의 하부에 배치되어 있는 각각의 부상 유닛(91a,91b,92a,92b,93a,93b)을, 윗쪽으로만 가스를 분출하는 유닛을 이용하여 구성하고 있다. 또한, 정밀 부상 영역에 상부 유닛(91c,91d)을 설치하고, 피처리체(16)의 반송시에 피처리체(16)의 상면에 가스를 내뿜도록 구성하고 있다. 또한, 준정밀 부상 유닛(92a,92b)은, 러프 부상 유닛(93a,93b)과 비교해서 가스의 분출량을 정밀하게 제어할 수 있도록 구성되어 있다.
따라서, 준정밀 부상 유닛(92a)은, 러프 부상 유닛(93a)에서 정밀 부상 유닛(91a~91d)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 피처리체(16)를 반송할 수 있다. 또한, 준정밀 부상 유닛(92b)은, 정밀 부상 유닛(91a~91d)에서 러프 부상 유닛(93b)으로 피처리체(16)가 반송될 때에, 피처리체(16)의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 피처리체(16)를 반송할 수 있다.
또한, 도 25에 나타내는 레이저 조사 장치(2)에 있어서도, 상부 유닛(91c,91d)의 상측에 레이저 변위계를 설치하고, 레이저 변위계의 계측용 레이저가 상부 유닛(91c)과 상부 유닛(91d) 사이의 간극을 통과하도록 함으로써 피처리체(16)의 레이저 광(15)의 조사 위치에서의 z축 방향의 변위(휨량)를 실시간으로 측정할 수 있다. 이 레이저 변위계의 측정값을 이용하여 정밀 부상 유닛(91a~91d)이나 준정밀 부상 유닛(92a,92b)의 가스 분출량을 피드백 제어하도록 해도 좋다.
(반도체 장치의 제조 방법)
이어서, 상기에서 설명한 레이저 조사 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관해서 설명한다. 본 실시의 형태에서는 레이저 조사 장치로서 레이저 어닐링 장치를 이용함으로써 기판 상에 형성한 비정질막에 레이저 광을 조사해서 비정질막을 결정화시킬 수 있다. 예를 들면, 반도체 장치는 TFT(Thin Film transistor)를 구비하는 반도체 장치이며, 이 경우는 아몰퍼스 실리콘 막에 레이저 광을 조사해서 결정화시켜 폴리실리콘 막을 형성할 수 있다.
도 26은 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 단면도이다. 상기에서 설명한 본 실시형태에 관련한 레이저 조사 장치는, TFT 어레이 기판의 제조에 적합하다. 이하, TFT를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 관해서 설명한다.
우선, 도 26의 단계 A에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(201) 위에 게이트 전극(202)을 형성한다. 게이트 전극(202)은, 예를 들면 알루미늄 등을 포함한 금속 박막을 사용할 수 있다. 이어서, 도 26의 B단계에 나타내는 바와 같이 게이트 전극 (202)의 위에 게이트 절연막(203)을 형성한다. 게이트 절연막(203)은 게이트 전극 (202)을 덮도록 형성된다. 그 후, 도 26의 단계 C에 나타내는 바와 같이, 게이트 절연막(203) 위에 아몰퍼스 실리콘 막(204)을 형성한다. 아몰퍼스 실리콘 막(204)은 게이트 절연막(203)을 통해서 게이트 전극(202)과 중복하도록 배치되어 있다.
게이트 절연막(203)은, 질화 실리콘 막(SiNx), 산화 실리콘 막(SiO2막), 또는 이들의 적층막 등이다. 구체적으로는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 게이트 절연막(203)과 아몰퍼스 실리콘 막(204)을 연속 성막한다.
그리고, 도 26의 스텝 D에 나타내는 바와 같이, 상기에서 설명한 레이저 조사 장치를 이용해서 아몰퍼스 실리콘 막(204)에 레이저 광을 조사해서 아몰퍼스 실리콘 막(204)을 결정화시켜서 폴리실리콘 막(205)을 형성한다. 이에 따라 실리콘이 결정화한 폴리실리콘 막(205)이 게이트 절연막(203) 위에 형성된다.
이때, 상기에서 설명한 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치를 이용함으로써 기판(201)(피처리체)의 반송시에 기판(201)의 휘어짐을 저감시킬 수 있으며, 아몰퍼스 실리콘 막(204)에 조사되는 레이저 광의 초점 심도(DOF)에서 벗어나는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 균일하게 결정화된 폴리실리콘 막(205)을 형성할 수 있다.
그 후, 도 26의 단계 E에 나타내는 바와 같이, 폴리실리콘 막(205) 위에 층간 절연막(206), 소스 전극(207a) 및 드레인 전극(207b)을 형성한다. 층간 절연막 (206), 소스 전극(207a), 및 드레인 전극(207b)은 일반적인 포토리소그래피법이나 성막법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기에서 설명한 반도체 장치의 제조 방법을 이용함으로써 TFT를 구비하는 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 이 이후의 제조 공정에 관해서는 최종적으로 제조하는 디바이스에 따라 다르므로 설명을 생략한다.
(유기 EL 디스플레이)
이어서, TFT를 구비한 반도체 장치를 이용한 디바이스의 일례로서 유기 EL 디스플레이에 관해서 설명한다. 도 27은, 유기 EL 디스플레이의 개요를 설명하기 위한 단면도이고, 유기 EL 디스플레이의 화소 회로를 단순화 해서 보여주고 있다. 도 27에 나타내는 유기 EL 디스플레이(300)는, 각 화소(PX)에 TFT가 배치된 액티브 매트릭스(active-matrix) 타입의 표시 장치이다.
유기 EL 디스플레이(300)는, 기판(310), TFT층(311), 유기층(312), 컬러필터층(313), 및 봉지 기판(sealing substrate)(314)을 구비하고 있다. 도 27에서는 봉지 기판(314)측이 시인(視認)측이 되는 전면발광(top-emission) 방식의 유기 EL 디스플레이를 나타내고 있다. 또한, 이하의 설명은 유기 EL 디스플레이의 일 구성 예를 나타내는 것이며, 본 실시 예는 아래에 설명되는 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 실시 형태에 관련한 반도체 장치는 배면발광(bottom-emission) 방식의 유기 EL 디스플레이에 이용되고 있어도 좋다.
기판(310)은 유리 기판 또는 금속 기판이다. 기판(310) 위에는 TFT층(311)이 설치되어 있다. TFT층(311)은, 각 화소(PX)에 배치된 TFT(311a)을 가지고 있다. 그리고 TFT층(311)은, TFT(311a)에 접속되는 배선 등을 가지고 있다. TFT(311a) 및 배선 등이 화소 회로를 구성한다. 또한, TFT층(311)은 도 26에서 설명된 TFT에 대응하고 있으며, 게이트 전극(202), 게이트 절연막(203), 폴리실리콘 막(205), 층간 절연막(206), 소스 전극(207a) 및 드레인 전극(207b)이 있다.
TFT 층(311) 위에는 유기층(312)이 설치되어 있다. 유기층(312)은, 화소(PX)마다 배치된 유기 EL 발광 소자(312a)를 가지고 있다. 유기 EL 발광 소자(312a)는, 예를 들면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 및 음극이 적층된 적층 구조를 가지고 있다. 전면발광 방식의 경우, 양극은 금속 전극이며, 음극은 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전막이다. 또한, 유기층(12)에는, 화소(PX) 사이에서 유기 EL 발광 소자(312a)를 분리하기 위한 격벽(312b)이 설치되어 있다.
유기층(312) 위에는 컬러 필터층(313)이 설치되어 있다. 컬러 필터층(313)은 컬러 표시를 수행하기 위한 컬러 필터(313a)가 설치되어 있다. 즉, 각 화소(PX)에는 R(적색), G(녹색), 또는 B(청색)에 착색된 수지층이 컬러 필터(313a)로서 설치되어 있다. 유기층(312)에서 방출된 백색광은, 컬러 필터(313a)를 통과하면 RGB 색의 빛으로 변환된다. 또한, 유기층(312)에, RGB의 각 색을 발광하는 유기 EL 발광 소자가 설치되어 있는 3색 방식의 경우, 컬러 필터층(313)을 생략해도 좋다.
컬러 필터층(313) 위에는 봉지 기판(314)이 설치되어 있다. 봉지 기판(314)은 유리 기판 등의 투명 기판이며, 유기층(312)의 유기 EL 발광 소자의 열화를 방지하기 위해 설치되어 있다.
유기층(312)의 유기 EL 발광 소자(312a)에 흐르는 전류는, 화소 회로에 공급되는 표시 신호에 의해 변화한다. 따라서, 표시 화상에 따른 표시 신호를 각 화소 (PX)로 공급함으로써 각 화소(PX)에서의 발광량을 제어할 수 있다. 그에 따라 원하는 화상을 표시할 수 있다.
또한, 상기에서는 TFT를 구비하는 반도체 장치를 이용한 디스플레이의 일례로서 유기 EL 디스플레이에 관해서 설명했지만, TFT를 구비하는 반도체 장치는, 예를 들면 액정 디스플레이라도 좋다. 또한, 상기에서는 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치를 레이저 어닐링 장치에 적용한 경우에 관해서 설명했다. 그러나, 본 실시 예에 관련한 레이저 조사 장치는 레이저 어닐링 장치 이외의 장치에도 적용할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 예에 따라 구체적으로 설명 하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되는 것이 아니며 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
본 출원은, 2016년 8월 29일에 출원된 일본 특허출원2016-166465를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 전부를 여기에 포함한다.
1,2; 레이저 조사 장치
10; 부상 유닛
11,11a,11b; 정밀 부상 유닛
12,12a~12d; 준정밀 부상 유닛
13,13a~13f; 러프 부상 유닛
15; 레이저 광, 레이저 조사 위치
16; 피처리체
18; 파지부(holder)
21; 받침대(pedestal)
22; 다공질체
24_1,24_2; 급기 포트(feeding port)
25_1,25_2; 배기 포트(discharging port)
26; 유로
27; 흡기홀
31; 받침대
32; 다공질체
34_1,34_2; 급기 포트

Claims (18)

  1. 레이저 광을 발생시키는 레이저 발생 장치와,
    상기 레이저 광이 조사되는 피처리체(workpiece)를 부상(flotation)시키는 부상 유닛을 구비하고,
    상기 부상 유닛은, 제1의 영역과 제2의 영역을 구비하고,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역은, 평면보기(plan view)로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 상기 제1의 영역이 중첩하고, 상기 레이저 광의 초점과 상기 제2의 영역이 중첩하지 않도록 배치되어 있으며,
    상기 제1의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제2의 영역은, 가스의 흡인을 이용하지 않고 가스의 분출을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되는 있는,
    레이저 조사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 부상 유닛은 또한, 상기 제1의 영역과 제2의 영역 사이에 배치된 제3의 영역을 구비하고,
    상기 제3의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제1의 영역 및 상기 제3의 영역은, 상기 제1의 영역에서의 상기 가스의 제어와 상기 제3의 영역에서의 상기 가스의 제어가 상기 제1의 영역 및 상기 제3의 영역에서 각각 독립적으로 제어 가능하게 구성되어 있는,
    레이저 조사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1의 영역은,
    가스를 상방으로 분출해서 상기 피처리체를 부상시키는 제1의 가스 분출부와,
    상기 피처리체와 상기 제1의 영역 사이에 존재하는 가스를 흡인하는 복수의 제1의 흡기홀을 구비하는,
    레이저 조사 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1의 가스 분출부는 다공질체를 이용하여 구성되어 있으며,
    상기 복수의 제1의 흡기홀은, 상기 다공질체의 상기 피처리체와 대향하는 면에서 균일하게 배치되어 있는,
    레이저 조사 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제3의 영역은,
    가스를 상방으로 분출해서 상기 피처리체를 부상시키는 제2의 가스 분출부와,
    상기 피처리체와 상기 제3의 영역 사이에 존재하는 가스를 흡인하는 복수의 제2의 흡기홀을 구비하는,
    레이저 조사 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2의 가스 분출부는 다공질체를 이용하여 구성되어 있으며,
    상기 복수의 제2의 흡기홀은, 상기 다공질체의 상기 피처리체와 대향하는 면에 있어서, 상기 제2의 영역측보다 상기 제1의 영역측에서 조밀해지도록 배치되어 있는,
    레이저 조사 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2의 영역은, 가스를 상방으로 분출해서 상기 피처리체를 부상시키는 제3의 가스 분출부를 구비하는,
    레이저 조사 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1의 가스 분출부에 공급되는 가스 공급량과 상기 제2의 가스 분출부에 공급되는 가스 공급량이 독립적으로 제어 가능하게 구성되어 있으며,
    상기 제1의 흡기홀의 가스 흡인량과 상기 제2의 흡기홀의 가스 흡인량이 독립적으로 제어 가능하게 구성되어 있는,
    레이저 조사 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1의 영역에는,
    상기 피처리체의 반송로의 하부측에 배치되고, 가스를 상방으로 분출해서 상기 피처리체를 부상시키는 가스 분출부와, 상기 피처리체와의 사이에 존재하는 가스를 흡인하는 복수의 흡기홀을 구비하는 하부 유닛과,
    상기 피처리체의 반송로의 상부측에 배치되고, 상기 피처리체의 상면에 가스를 내뿜는 상부 유닛이 배치되어 있는,
    레이저 조사 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 상부 유닛에는 상기 레이저 광이 통과하는 간극이 형성되어 있으며, 해당 간극에서 상기 피처리체의 상기 레이저 광의 조사 영역에 밀봉 가스(sealing gas)가 공급되는,
    레이저 조사 장치.
  11. 레이저 광을 발생시키는 레이저 발생 장치와,
    상기 레이저 광이 조사되는 피처리체를 부상시키는 부상 유닛을 구비하고,
    상기 부상 유닛은, 제1의 영역과 제2의 영역을 구비하고,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역은, 평면보기로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 상기 제1의 영역이 중첩하고, 상기 레이저 광의 초점과 상기 제2의 영역이 중첩하지 않도록 배치되어 있으며,
    상기 제1의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용해서 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제2의 영역은, 가스의 분출을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제1의 영역의 상기 피처리체와 대향하는 면의 평면도(flatness)는, 상기 제2의 영역의 상기 피처리체와 대향하는 면의 평면도보다 작은,
    레이저 조사 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 부상 유닛은 또한, 상기 제1의 영역과 제2의 영역 사이에 배치된 제3의 영역을 구비하고,
    상기 제3의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제3의 영역의 상기 피처리체와 대향하는 면의 평면도는, 상기 제1의 영역의 상기 피처리체와 대향하는 면의 평면도보다 크고, 상기 제2의 영역의 상기 피처리체와 대향하는 면의 평면도보다 작은,
    레이저 조사 장치.
  13. 레이저 광을 발생시키는 레이저 발생 장치와,
    상기 레이저 광이 조사되는 피처리체를 부상시키는 부상 유닛을 구비하고,
    상기 부상 유닛은, 제1의 영역과 제2의 영역을 구비하고,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역은, 평면보기로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 상기 제1의 영역이 중첩하고, 상기 레이저 광의 초점과 상기 제2의 영역이 중첩하지 않도록 배치되어 있으며,
    상기 제1의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제2의 영역은, 가스의 분출을 이용하여 상기 피처리체를 부상시키도록구성되어 있으며,
    상기 제1의 영역을 상기 피처리체가 통과할 때의 상기 피처리체의 휨량(deflection amount)은, 상기 제2의 영역을 상기 피처리체가 통과할 때의 상기 피처리체의 휨량보다 작은,
    레이저 조사 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 부상 유닛은 또한 상기 제1의 영역과 상기 제2의 영역 사이에 배치된 제3의 영역을 구비하고,
    상기 제3의 영역은, 가스의 분출 및 흡인을 이용해서 상기 피처리체를 부상시키도록 구성되어 있으며,
    상기 제3의 영역에서의 상기 부상 유닛은, 상기 제2의 영역에서 상기 제1의 영역으로 상기 피처리체가 반송될 때에 상기 피처리체의 휨량이 매끄럽게 변화하도록 상기 피처리체를 반송하는,
    레이저 조사 장치.
  15. 피처리체를 부상 유닛를 이용하여 부상시켜서 반송하면서 상기 피처리체에 레이저 광을 조사하는 레이저 조사 방법이며,
    상기 부상 유닛은, 평면보기로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 중첩하는 제1의 영역과, 상기 레이저 광의 초점과 중첩하지 않는 제2의 영역을 구비하고,
    상기 부상 유닛를 이용하여 상기 피처리체를 반송할 때,
    상기 제1의 영역은 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 피처리체를 부상시켜서 반송하고,
    상기 제2의 영역은 가스의 흡인을 이용하지 않고, 가스의 분출을 이용하여 상기 피처리체를 부상시켜서 반송하는,
    레이저 조사 방법.
  16. (a)기판 상에 비정질막을 형성하는 단계와,
    (b)상기 비정질막에 레이저 광을 조사해서 상기 비정질막을 결정화시키는 단계를, 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기(b)의 단계는, 상기 기판을 부상 유닛를 이용하여 부상시켜서 반송하면서 상기 비정질막에 레이저 광을 조사하는 단계이며,
    상기 부상 유닛은, 평면보기로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 중첩하는 제1의 영역과, 상기 레이저 광의 초점과 중첩하지 않는 제2의 영역을 구비하고,
    상기 부상 유닛를 이용하여 상기 기판을 반송할 때,
    상기 제1의 영역은 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 기판을 부상시켜 반송하고,
    상기 제2의 영역은 가스의 흡인을 이용하지 않고, 가스의 분출을 이용해서 상기 기판을 부상시켜서 반송하는,
    반도체 장치의 제조 방법.
  17. 피처리체를 부상 유닛를 이용하여 부상시켜서 반송하면서 상기 피처리체에 레이저 광을 조사하는 레이저 조사 방법이며,
    상기 부상 유닛은, 평면보기로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 중첩하는 제1의 영역과, 상기 레이저 광의 초점과 중첩하지 않는 제2의 영역을 구비하고,
    상기 부상 유닛를 이용하여 상기 피처리체를 반송할 때,
    상기 제1의 영역은 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 피처리체를 부상시켜서 반송하고,
    상기 제2의 영역은 가스의 분출을 이용하여 상기 피처리체를 부상시켜서 반송하고,
    상기 제1의 영역을 상기 피처리체가 통과할 때의 상기 피처리체의 휨량은, 상기 제2의 영역을 상기 피처리체가 통과할 때의 상기 피처리체의 휨량보다 작은,
    레이저 조사 방법.
  18. (a)기판 상에 비정질막을 형성하는 단계와,
    (b)상기 비정질막에 레이저 광을 조사해서 상기 비정질막을 결정화시키는 단계를, 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기(b)의 단계는, 상기 기판을 부상 유닛을 이용하여 부상시켜서 반송하면서 상기 비정질막에 레이저 광을 조사하는 단계이며,
    상기 부상 유닛은, 평면보기로 보았을 때에 상기 레이저 광의 초점과 중첩하는 제1의 영역과, 상기 레이저 광의 초점과 중첩하지 않는 제2의 영역을 구비하고,
    상기 부상 유닛을 이용하여 상기 기판을 반송할 때,
    상기 제1의 영역은 가스의 분출 및 흡인을 이용하여 상기 기판을 부상시켜서 반송하고,
    상기 제2의 영역은 가스의 분출을 이용해서 상기 피처리체를 부상시켜서 반송하고,
    상기 제1의 영역을 상기 피처리체가 통과할 때의 상기 피처리체의 휨량은, 상기 제2의 영역을 상기 피처리체가 통과할 때의 상기 피처리체의 휨량보다 작은,
    반도체 장치의 제조 방법.
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