TW201820476A - 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201820476A
TW201820476A TW106124560A TW106124560A TW201820476A TW 201820476 A TW201820476 A TW 201820476A TW 106124560 A TW106124560 A TW 106124560A TW 106124560 A TW106124560 A TW 106124560A TW 201820476 A TW201820476 A TW 201820476A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
region
processed
gas
floating unit
laser light
Prior art date
Application number
TW106124560A
Other languages
English (en)
Inventor
藤貴洋
鈴木祐輝
三上貴弘
山口芳広
Original Assignee
日本製鋼所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本製鋼所股份有限公司 filed Critical 日本製鋼所股份有限公司
Publication of TW201820476A publication Critical patent/TW201820476A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0838—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction by using an endless conveyor belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G51/00—Conveying articles through pipes or tubes by fluid flow or pressure; Conveying articles over a flat surface, e.g. the base of a trough, by jets located in the surface
    • B65G51/02—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases
    • B65G51/03—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases over a flat surface or in troughs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/18—Sheet panels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

實施形態之一的雷射照射裝置(1)係一邊使用上浮單元(10)使被處理體(16)上浮並搬運被處理體(16)，一邊對被處理體(16)照射雷射光(15)。上浮單元(10)係具備有精密上浮區域(11a、11b)以及粗糙上浮區域(13a至13j)。精密上浮區域(11a、11b)係以使用氣體的噴出吸引使被處理體(16)上浮之方式所構成，粗糙上浮區域係不使用氣體的吸引而是以使用氣體的噴出使被處理體(16)上浮之方式所構成。

Description

雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法
本發明有關於一種雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法，例如有關於一種具備有用以使被處理體上浮並搬運被處理體之上浮單元之雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法。
已知有一種雷射退火裝置，係對形成於矽基板或玻璃基板等的非晶質膜照射雷射光而使非晶質膜結晶化。於專利文獻1揭示有一種雷射退火裝置，係一邊使用氣體上浮裝置使基板上浮並搬運基板，一邊照射雷射光。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2002-280321號公報。
如專利文獻1所揭示的雷射退火裝置般，在用以對基板噴吹氣體而使被處理體上浮並搬運被處理體之雷射退火 裝置中，當被噴吹至被處理體的氣體變得不均勻時，會有搬運時被處理體的翹曲量變大、被處理體中的雷射光的焦點深度(DOF：Depth of Focus)偏移之問題。
其他課題與新穎的特徵可從本說明書的記載及隨附的圖式而明瞭。
實施形態之一的雷射照射裝置具備有上浮單元，該上浮單元係具有第一區域與第二區域。第一區域係以使用氣體的噴出及吸引使被處理體上浮之方式所構成，第二區域係以不使用氣體的吸引而是使用氣體的噴出使被處理體上浮之方式所構成。
實施形態之一的雷射照射方法係在使用具備有第一區域與第二區域之上浮單元搬運被處理體時，在第一區域中使用氣體的噴出及吸引使被處理體上浮並搬運被處理體，在第二區域中則不使用氣體的吸引而是使用氣體的噴出使被處理體上浮並搬運被處理體。
實施形態之一的半導體裝置的製造方法係包含有：步驟(a)，係於基板上形成非晶質膜；以及步驟(b)，係對前述非晶質膜照射雷射光而使前述非晶質膜結晶化；在前述步驟(b)中，在使用具備有第一區域與第二區域之上浮單元搬 運被處理體時，在第一區域中使用氣體的噴出及吸引使被處理體上浮並搬運被處理體，在第二區域中則不使用氣體的吸引而是使用氣體的噴出使被處理體上浮並搬運被處理體。
依據前述實施形態，能提供一種可在搬運時降低被處理體的翹曲之雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法。
1、1_1至1_5、2‧‧‧雷射照射裝置
10‧‧‧上浮單元
11、11a、11b‧‧‧精密上浮單元(精密上浮區域)
12、12a至12d、70、 92a、92b‧‧‧準精密上浮單元(準精密上浮區域)
13、13a至13j、93a、 93b‧‧‧粗糙上浮單元(粗糙上浮區域)
14‧‧‧雷射產生裝置
15‧‧‧雷射光(雷射照射位置、雷射光的照射位置)
16‧‧‧被處理體
18‧‧‧把持部
19a、19b‧‧‧位置
21、31‧‧‧台座
22、32‧‧‧多孔質體
24_1、24_2、34_1、34_2‧‧‧供氣埠
25_1、25_2、35_2‧‧‧排氣埠
26‧‧‧流路
27、71、72‧‧‧吸氣孔
35‧‧‧氣體儲留
42_1、42_2、52、66_1、 66_2‧‧‧過濾器
43_1至43_6、63_1、63_2‧‧‧速度控制器
44_1至44_3‧‧‧流量感測器
51、61‧‧‧氣體供給源
53_1至53_8、65_1、65_2‧‧‧流量控制器
62_1、62_2‧‧‧調節器
64_1至64_4‧‧‧噴射器
81a、81b、91a、91b‧‧‧下部單元(精密上浮單元)
81c、81d、86a、86b、 91c、91d‧‧‧上部單元(精密上浮單元)
85‧‧‧密封氣體
87a、87b‧‧‧板狀構件
201‧‧‧玻璃基板
202‧‧‧閘極電極
203‧‧‧閘極絕緣膜
204‧‧‧非晶矽膜
205‧‧‧多晶矽膜
206‧‧‧層間絕緣膜
207a‧‧‧源極電極
207b‧‧‧汲極電極
300‧‧‧有機EL顯示器
310‧‧‧基板
311‧‧‧TFT層
311a‧‧‧TFT
312‧‧‧有機層
312a‧‧‧有機EL發光元件
312b‧‧‧隔壁
313‧‧‧彩色濾光器層
313a‧‧‧彩色濾光器
314‧‧‧密封基板
d1、d2‧‧‧距離
PX‧‧‧像素
S1、S2‧‧‧基準點
T1、T2‧‧‧最高部分
圖1係用以說明實施形態1的雷射照射裝置之俯視圖。
圖2係圖1所示之雷射照射裝置的剖線II-II中的剖視圖。
圖3係用以說明上浮單元的平面度與被處理體的翹曲之間的關係之剖視圖。
圖4係用以說明使用實施形態1的雷射照射裝置搬運被處理體的狀態之剖視圖。
圖5係用以說明實施形態2的雷射照射裝置之俯視圖。
圖6係圖5所示的雷射照射裝置的剖線V-V中的剖視圖。
圖7係用以說明精密上浮單元的構成例之剖視圖。
圖8係用以說明精密上浮單元的構成例之俯視圖。
圖9係用以說明使用精密上浮單元搬運被處理體的狀態之剖視圖。
圖10係用以說明粗糙上浮單元的構成例之剖視圖。
圖11係用以說明粗糙上浮單元的構成例之俯視圖。
圖12係用以說明使用粗糙上浮單元搬運被處理體的狀態之剖視圖。
圖13係用以說明粗糙上浮單元的配管系統(供氣系統)的一例之方塊圖。
圖14係用以說明精密上浮單元及準精密上浮單元的配管系統(供氣系統)的一例之方塊圖。
圖15係用以說明精密上浮單元及準精密上浮單元的配管系統(排氣系統)的一例之方塊圖。
圖16係用以說明使用實施形態2的雷射照射裝置搬運被處理體的狀態之剖視圖。
圖17係用以說明精密上浮單元、準精密上浮單元以及粗糙上浮單元的配置例之俯視圖。
圖18係用以說明精密上浮單元、準精密上浮單元以及粗糙上浮單元的配置例之俯視圖。
圖19係用以說明精密上浮單元、準精密上浮單元以及粗糙上浮單元的配置例之俯視圖。
圖20係用以說明精密上浮單元、準精密上浮單元以及粗糙上浮單元的配置例之俯視圖。
圖21係用以說明精密上浮單元、準精密上浮單元以及 粗糙上浮單元的配置例之俯視圖。
圖22係用以說明準精密上浮單元的其他構成例之俯視圖。
圖23係用以說明精密上浮單元的其他構成例之剖視圖。
圖24係用以說明精密上浮單元的其他構成例之剖視圖。
圖25係用以說明雷射照射裝置所具備的各個上浮單元的其他構成例之剖視圖。
圖26係用以說明半導體裝置的製造方法之剖視圖。
圖27係用以說明有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示器的概要之剖視圖。
<實施形態1>
以下，使用圖式說明實施形態1的雷射照射裝置。圖1係用以說明實施形態1的雷射照射裝置之俯視圖。圖2係圖1所示之雷射照射裝置的剖線Ⅱ-Ⅱ中的剖視圖。
(雷射照射裝置的構成)
如圖1及圖2所示，雷射照射裝置1係具備有上浮單元10。上浮單元10係一邊使被處理體16上浮一邊搬運被處理體16。具體而言，雷射照射裝置1係一邊使用上浮單元10 使被處理體16上浮，一邊使用把持部18(參照圖1)把持被處理體16並將被處理體16搬運至搬運方向(x軸方向)。在搬運被處理體16時，上浮單元10係以被處理體16不會接觸至配置於被處理體16的上側之其他機構(未圖示)的方式調整上浮量。
把持部18係能使用例如吸盤型的真空吸附機構或者具備有多孔質體的真空吸附機構。把持部18係與排氣埠(未圖示)連接，排氣埠係與噴射器(ejector)或真空泵等連接。因此，於吸氣埠作用有用以吸引氣體之負壓。藉此，把持部18的真空吸附機構係吸附至被處理體16。把持部18係一邊把持被處理體16一邊被把持部18的驅動機構搬運。藉此，搬運被處理體16。此外，被處理體16的搬運速度係能藉由調整把持部18的驅動機構的搬運速度來控制。例如，被處理體16係在已上浮在上浮單元10上的狀態下等速地被搬運。因此，被處理體16係以一定的速度通過雷射光的照射位置。
對被處理體16照射雷射光15(以下亦以元件符號15表示雷射光的照射位置)。雷射照射裝置係例如為雷射退火裝置，在此情形中，雷射產生裝置14能使用準分子雷射(excimer laser)等。從雷射產生裝置14供給的雷射光係在光學系統(未圖示)中成為線狀，對被處理體16照射線狀的雷射光15(線束)，具體而言對被處理體16照射焦點於y軸方向延伸之雷射光15(線束)。此外，被處理體係例如為已形成於基板上的非晶 質膜，對該非晶質膜照射雷射光15並進行退火處理，藉此使非晶質膜結晶化。
如圖1及圖2所示，上浮單元10係使用精密上浮單元11a、11b以及粗糙上浮單元13a至13j所構成。此外，在以下中，亦將使用精密上浮單元11a、11b所構成的區域稱為精密上浮區域11a、11b，將使用粗糙上浮單元13a至13j所構成的區域稱為粗糙上浮區域13a至13j。
精密上浮單元11a、11b係配置於包含有雷射光的照射位置15之區域(精密上浮區域)。此外，粗糙上浮單元13a至13e係相對於精密上浮單元11a、11b配置於被處理體16的搬運方向上游側(x軸方向負側)。此外，粗糙上浮單元13f至13j係相對於精密上浮單元11a、11b配置於被處理體16的搬運方向下游側(x軸方向正側)。如圖1及圖2所示，精密上浮單元11a、11b以及粗糙上浮單元13a至13j各者係例如為於y軸方向延伸之矩形狀的單元，且這些上浮單元以於搬運方向(x軸方向)排列之方式配置。被處理體16係依序通過並被粗糙上浮單元13a至13e、精密上浮單元11a、11b、粗糙上浮單元13f至13j搬運。此外，各個上浮單元的形狀並未限定於矩形狀。例如，各個上浮單元的形狀亦可為正方形。
換言之，俯視觀看時，精密上浮單元11a、11b係以雷射光15的焦點(與雷射光的照射位置15對應，以下亦同樣)與 精密上浮單元11a、11b重疊之方式配置。此外，粗糙上浮單元13a至13j係以雷射光15的焦點與粗糙上浮區域13a至13j不會重疊之方式配置。在此，如圖1所示，所謂俯視觀看時係指從z軸方向側觀看上浮單元10的情形。
精密上浮單元11a、11b為用以使被處理體16精密地上浮並搬運被處理體16之單元，並構成為能一邊減少搬運時的被處理體16的翹曲量一邊搬運。精密上浮單元11a、11b係例如精密地控制用以使被處理體16上浮之氣體的噴出量。例如，精密上浮區域(精密上浮單元)11a、11b係以使用氣體的噴出及吸引使被處理體16上浮之方式所構成。此外，使用圖7至圖9具體地說明精密上浮單元11a、11b的詳細的構成。
粗糙上浮單元13a至13j係用以使被處理體16上浮並搬運被處理體16之單元，由於只要在搬運時被處理體16不會接觸至粗糙上浮單元13a至13j即可，因此用以使被處理體16上浮之氣體的噴出量係不用如精密上浮單元11a、11b般精密地控制。因此，通過粗糙上浮單元13a至13j時的被處理體16的翹曲量係比通過精密上浮單元11a、11b時的被處理體16的翹曲量還大。例如，粗糙上浮區域(粗糙上浮單元)13a至13j係不使用氣體的吸引而是以使用氣體的噴出使被處理體16上浮之方式所構成。此外，使用圖10至圖12具體地說明粗糙上浮單元13a至13j的詳細的構成。
在此，精密上浮單元11a、11b係以能一邊減少搬運時的被處理體16的翹曲量一邊搬運被處理體16之方式所構成。因此，與單純噴出氣體來搬運被處理體16之構成的粗糙上浮單元13a至13j相比，由於精密上浮單元11a、11b具備有精密的構造，因此為高價的單元。因此，在實施形態1的雷射照射裝置1中，僅於包含有雷射光的照射位置15之區域配置精密上浮單元11a、11b，並於這些區域以外的區域配置能以比精密上浮單元還便宜地構成的粗糙上浮單元13a至13j。
此外，在本實施形態中，精密上浮單元11a、11b中之與被處理體16相對向的面的平面度係構成為比粗糙上浮單元13a至13j中之與被處理體16相對向的面的平面度還小。以一例而言，精密上浮單元11a、11b的平面度為20μm以下，粗糙上浮單元13a至13j的平面度為75μm以下。此外，在以下中，亦有將精密上浮單元11a、11b稱為精密上浮單元11，將粗糙上浮單元13a至13j稱為粗糙上浮單元13之情形。
例如，精密上浮單元11的平面度係能使用上浮在精密上浮單元11上之被處理體16的上浮量(上浮高度)與被處理體16的翹曲量來制定。認為被處理體16的翹曲量係因為被處理體16的上浮量與上浮單元的表面的平面度而受到影響。在此，認為被處理體16的上浮量係因為藉由存在於被處理體16與上浮單元之間的氣體所作用之壓力而受到影響。
圖3係用以說明上浮單元的平面度與被處理體的翹曲之間的關係之剖視圖。如圖3所示，上浮單元的平面度係能以屬於上浮單元中的最低部分之基準點S1與屬於上浮單元中的最高部分T1之間的距離來定義。此外，被處理體16的翹曲係能以屬於被處理體16的最低部分之基準點S2與屬於被處理體16的最高部分T2之間的距離來定義。
由於在粗糙上浮單元13中被處理體16的端部的上浮量變成最低，因此為了避免與粗糙上浮單元13之間的碰撞，需要某程度地減小粗糙上浮單元13的表面的平面度。如圖3所示，雖然被處理體16以不會碰撞到上浮單元之方式上浮，但由於被處理體16的上浮量係變成將上浮單元的表面作為零點之高度，因此若不將粗糙上浮單元側的表面的平面度也減小，會有兩者碰撞之虞。亦即，如圖3所示，需要某程度地減小粗糙上浮單元的表面的平面度，且作成上浮單元的最高部分T1不會與被處理體16的最低部分之基準點S2碰撞。
與粗糙上浮單元13相比，由於在精密上浮單元11中減小被處理體16的上浮量且被處理體16的端部的上浮量變成最低，因此變得需要避免與上浮單元碰撞的設計。例如，如圖4B的粗糙上浮單元13e與精密上浮單元11a之間的交界附近般，當被處理體16的翹曲量或上浮量急遽地變化時，對雷射照射部的影響變大。因此，即使是精密上浮單元11，在無法充分地確保平面度之情形中，有因為被處理體16的翹曲的 變動對雷射照射產生不良影響之虞。由於此種理由，需要減小精密上浮單元11的平面度。
此外，由於精密上浮單元11的平面度需要作成比粗糙上浮單元13的平面度還小，因此為了維持精密上浮單元11的平面度，較佳為將各個精密上浮單元的上表面的面積減小成比粗糙上浮單元的上表面的面積還小。另一方面，由於粗糙上浮單元13係使被處理體16不會碰撞到上浮單元地上浮並搬運被處理體16，因此與精密上浮單元11相比能增大上表面的面積。
此外，在上述中，雖然已說明各個上浮單元的上表面的面積的一例，但精密上浮單元11a、11b以及粗糙上浮單元13a至13j的上表面的面積亦可相同。在本實施形態(參照圖1)中，為了簡化說明，將各個上浮單元的上表面的面積作成相同。
圖4係用以說明使用雷射照射裝置1搬運被處理體16的狀態之剖視圖。如圖4中的A所示，在被處理體16通過粗糙上浮單元13a至13e上時，被處理體16的翹曲量變大。這是由於：在使用粗糙上浮單元13a至13e搬運被處理體16之情形，被處理體16只要不與粗糙上浮單元13a至13e接觸即可，因此不用精密地控制氣體的噴出量。
之後，如圖4中的B所示，搬運被處理體16，在被處理體16通過精密上浮單元11a、11b上時，被處理體16的翹曲量係變成比被處理體16通過粗糙上浮單元13a至13e上時的翹曲量還小。因此，能對翹曲量少的被處理體16照射雷射光15。
之後，如圖4中的C所示，搬運被處理體16，在被處理體16通過粗糙上浮單元13f至13j上時，被處理體16的翹曲量變大。這是由於：在使用粗糙上浮單元13f至13j搬運被處理體16之情形，被處理體16只要不與粗糙上浮單元13f至13j接觸即可，因此不用精密地控制氣體的噴出量。
如此，在實施形態1的雷射照射裝置1中，將精密上浮單元11a、11b配置於包含有雷射光的照射位置15之區域，且被處理體16的翹曲量變小。因此，能抑制照射至被處理體16之雷射光的焦點深度(DOF)偏移。
此外，在實施形態1的雷射照射裝置1中，僅於包含有雷射光的照射位置15之區域配置精密上浮單元11a、11b，並於這些區域以外的區域配置能以比精密上浮單元還便宜地構成的粗糙上浮單元13a至13j。因此，能使雷射照射裝置1的成本降低。此外，由於能將需要精密控制的區域限定於配置有精密上浮單元11a、11b之區域，因此能簡單地進行雷射照射裝置1的控制。
<實施形態2>
接著，說明實施形態2的雷射照射裝置。圖5係用以說明實施形態2的雷射照射裝置之俯視圖。圖6係圖5所示的雷射照射裝置的剖線V-V中的剖視圖。雷射照射裝置1係用以一邊使用上浮單元10使被處理體16上浮並搬運被處理體16一邊對被處理體16照射雷射光15之裝置。
(雷射照射裝置的構成)
如圖5及圖6所示，雷射照射裝置1係具備有上浮單元10。上浮單元10係一邊使被處理體16上浮一邊搬運被處理體16。具體而言，雷射照射裝置1係一邊使用上浮單元10使被處理體16上浮，一邊使用把持部18(參照圖5)把持被處理體16並將被處理體16搬運至搬運方向(x軸方向)。在搬運被處理體16時，上浮單元10係以被處理體16不會接觸至配置於被處理體16的上側之其他機構(未圖示)之方式調整上浮量。
把持部18能使用例如吸盤型的真空吸附機構或者具備有多孔質體的真空吸附機構。把持部18係與排氣埠(未圖示)連接，排氣埠係與噴射器或真空泵等連接。因此，於吸氣埠作用有用以吸引氣體之負壓。藉此，把持部18的真空吸附機構係吸附至被處理體16。把持部18係一邊把持被處理體16一邊被把持部18的驅動機構搬運。藉此，搬運被處理體16。 此外，被處理體16的搬運速度係能藉由調整把持部18的驅動機構的搬運速度來控制。例如，被處理體16係在已上浮在上浮單元10上的狀態下等速地被搬運。因此，被處理體16係以一定的速度通過雷射光的照射位置。
對被處理體16照射雷射光15(以下亦以元件符號15表示雷射光的照射位置)。雷射照射裝置係例如為雷射退火裝置，在此情形中，雷射產生裝置14能使用準分子雷射等。從雷射產生裝置14供給的雷射光係在光學系統(未圖示)中成為線狀，對被處理體16照射線狀的雷射光15(線束)，具體而言對被處理體16照射焦點於y軸方向延伸之雷射光15(線束)。此外，被處理體係例如為已形成於基板上的非晶質膜，對該非晶質膜照射雷射光15並進行退火處理，藉此使非晶質膜結晶化。
如圖5及圖6所示，上浮單元10係使用精密上浮單元11a、11b、準精密上浮單元12a至12d以及粗糙上浮單元13a至13f所構成。此外，在以下中，亦將使用精密上浮單元11a、11b所構成的區域稱為精密上浮區域11a、11b，將使用準精密上浮單元12a至12d所構成的區域稱為準精密上浮區域12a至12d，將使用粗糙上浮單元13a至13f所構成的區域稱為粗糙上浮區域13a至13f。
精密上浮單元11a、11b係配置於包含有雷射光的照射位置15之區域(精密上浮區域)。準精密上浮單元12a、12b係以 與精密上浮單元11a、11b鄰接之方式配置，並相對於精密上浮單元11a、11b配置於被處理體16的搬運方向上游側(x軸方向負側)。粗糙上浮單元13a至13c係以與準精密上浮單元12a、12b鄰接之方式配置，並相對於準精密上浮單元12a、12b配置於被處理體16的搬運方向上游側(x軸方向負側)。
此外，準精密上浮單元12c、12d係以與精密上浮單元11a、11b鄰接之方式配置，並相對於精密上浮單元11a、11b配置於被處理體16的搬運方向下游側(x軸方向正側)。粗糙上浮單元13d至13f係以與準精密上浮單元12c、12d鄰接之方式配置，並相對於準精密上浮單元12c、12d配置於被處理體16的搬運方向下游側(x軸方向正側)。
換言之，俯視觀看時，精密上浮單元11a、11b係以雷射光15的焦點與精密上浮單元11a、11b重疊之方式配置。此外，粗糙上浮單元13a至13f係以雷射光15的焦點與粗糙上浮區域13a至13f不會重疊之方式配置。在此，如圖5所示，所謂俯視觀看時係指從z軸方向側觀看上浮單元10的情形。準精密上浮單元12a、12b係配置於精密上浮區域11a、11b與粗糙上浮區域13a至13c之間。此外，準精密上浮單元12c、12d係配置於精密上浮區域11a、11b與粗糙上浮區域13d至13f之間。
如圖5及圖6所示，精密上浮單元11a、11b、準精密上 浮單元12a至12d以及粗糙上浮單元13a至13f各者係例如為於y軸方向延伸之矩形狀的單元，這些上浮單元係以沿著搬運方向(x軸方向)排列之方式配置。被處理體16係依序通過並被粗糙上浮單元13a至13c、準精密上浮單元12a、12b、精密上浮單元11a、11b、準精密上浮單元12c、12d以及粗糙上浮單元13d至13f搬運。此外，各個上浮單元的形狀並未限定於矩形狀。例如，各個上浮單元的形狀亦可為正方形。
精密上浮單元11a、11b係用以使被處理體16精密地上浮並搬運被處理體16之單元，且以能一邊減小搬運時的被處理體16的翹曲量一邊搬運被處理體16之方式所構成。精密上浮單元11a、11b係例如精密地控制用以使被處理體16上浮之氣體的噴出量。例如，精密上浮區域(精密上浮單元)11a、11b係以使用氣體的噴出及吸引使被處理體16上浮之方式所構成。
粗糙上浮單元13a至13f係用以使被處理體16上浮並搬運被處理體16之單元，由於搬運時被處理體16只要不與粗糙上浮單元13a至13f接觸即可，因此用以使被處理體16上浮之氣體的噴出量係不用如精密上浮單元11a、11b般精密地控制。因此，通過粗糙上浮單元13a至13f時的被處理體16的翹曲量係比通過精密上浮單元11a、11b時的被處理體16的翹曲量還大。例如，粗糙上浮區域(粗糙上浮單元)13a至13f係構成為不使用氣體的吸引而是使用氣體的噴出使被處 理體16上浮之方式所構成。
準精密上浮單元12a、12b係構成為能以在被處理體16從粗糙上浮單元13a至13c被搬運至精密上浮單元11a、11b時被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16。此外，準精密上浮單元12c、12d係構成為能以在被處理體16從精密上浮單元11a、11b被搬運至粗糙上浮單元13d至13f時被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16。例如，準精密上浮單元12a至12d係構成為以精密上浮單元11a、11b使被處理體16上浮時的精度與粗糙上浮單元13a至13f使被處理體16上浮時的精度之間的精度使被處理體16上浮。準精密上浮區域(準精密上浮單元)12a至12d係構成為使用氣體的噴出及吸引使被處理體16上浮。
例如，被處理體16通過精密上浮單元11a、11b上時的被處理體16的翹曲量為被處理體16通過粗糙上浮單元13a至13c上時的被處理體16的翹曲量的1/10至1/20。準精密上浮單元12a、12b係以在被處理體16從粗糙上浮單元13a至13c被搬運至精密上浮單元11a、11b時被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16，換言之以吸收粗糙上浮單元13a至13c中的被處理體16的翹曲量與精密上浮單元11a、11b中的被處理體16的翹曲量之間的差分之方式搬運被處理體16。
同樣地，例如被處理體16通過精密上浮單元11a、11b上時的被處理體16的翹曲量為被處理體16通過粗糙上浮單元13d至13f上時的被處理體16的翹曲量的1/10至1/20。準精密上浮單元12c、12d係以在被處理體16從精密上浮單元11a、11b被搬運至粗糙上浮單元13d至13f時被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16，換言之以吸收精密上浮單元11a、11b中的被處理體16的翹曲量與粗糙上浮單元13d至13f中的被處理體16的翹曲量之間的差分之方式搬運被處理體16。
(精密上浮單元的構成例)
圖7及圖8係分別用以說明精密上浮單元11的構成例之剖視圖及俯視圖。此外，在以下中，亦將精密上浮單元11a、11b總稱為精密上浮單元11。準精密上浮單元12以及粗糙上浮單元13亦同樣。此外，在以下中，雖然已說明精密上浮單元11的構成例，但準精密上浮單元12的構成亦基本上與精密上浮單元11的構成同樣。
如圖7所示，精密上浮單元11係具備有台座21以及多孔質體22。多孔質體22係設置於台座21的上側，並作為氣體噴出部而發揮作用。如圖8的俯視圖所示，多孔質體22係連接至供氣埠24_1、24_2，經過壓縮的氣體係經由供氣埠24_1、24_2供給至多孔質體22。例如，供氣埠24_1、24_2係設置於精密上浮單元11的下部。此外，在圖7所示的剖視 圖中，由於供氣埠24_1、24_2的配置與排氣埠25_1、25_2的配置重複，因此省略供氣埠24_1、24_2的圖示。供給至多孔質體22的壓縮氣體係在通過多孔質體22的內部後，從多孔質體22的上表面朝上方噴出。藉此，被處理體16上浮。
此外，於多孔質體22形成有複數個吸氣孔27。吸氣孔27係能藉由於多孔質體22挖通貫通孔而形成。如圖8所示，吸氣孔27係在多孔質體22的上表面(亦即與被處理體16相對向的面)中均勻地配置。吸氣孔27係吸引存在於被處理體16與精密上浮單元11之間的氣體(參照圖9)。吸氣孔27係經由流路26連接至排氣埠25_1、25_2。例如，排氣埠25_1、25_2係設置於精密上浮單元11的下部。於排氣埠25_1、25_2連接有噴射器或真空泵等，並使用噴射器或真空泵等吸引排氣埠25_1、25_2(亦即設成負壓)，藉此能從吸氣孔27吸引存在於精密上浮單元11的上表面的氣體。
圖9係用以說明使用精密上浮單元11搬運被處理體16的狀態之剖視圖。如圖9所示，在精密上浮單元11中，由於從多孔質體22朝上方噴出氣體，因此當被處理體16被搬運至精密上浮單元11上時，該氣體係碰撞至被處理體16的下表面使被處理體16上浮。因此，精密上浮單元11與被處理體16成為非接觸的狀態。此時，被處理體16與精密上浮單元11之間的間隙亦即被處理體16的上浮量係能藉由調整供給至供氣埠24_1、24_2的氣體的量來控制，換言之能藉由調 整從多孔質體22噴出的氣體的量來控制。
此外，從吸氣孔27吸引存在於被處理體16與精密上浮單元11之間的氣體(亦即氣體儲留(參照圖12的元件符號35))，藉此能降低被處理體16的翹曲量。換言之，能將被處理體16設成平坦。被處理體16的翹曲量係能藉由調整供給至供氣埠24_1、24_2的氣體的量與從排氣埠25_1、25_2排氣的氣體的量之間的平衡來控制。
(粗糙上浮單元的構成例)
接著，說明粗糙上浮單元13a至13f的構成例。圖10及圖11係分別用以說明粗糙上浮單元13的構成例之剖視圖以及俯視圖。如圖10所示，粗糙上浮單元13係具備有台座31以及多孔質體32。多孔質體32係設置於台座31的上側，並作為氣體噴出部而發揮作用。多孔質體32係連接至供氣埠34_1、34_2，經過壓縮的氣體係經由供氣埠34_1、34_2供給至多孔質體32。例如，供氣埠34_1、34_2係設置於粗糙上浮單元13的下部。供給至多孔質體32的壓縮氣體係在通過多孔質體32的內部後，從多孔質體32的上表面朝上方噴出。藉此，被處理體16上浮。
圖12係用以說明使用粗糙上浮單元13搬運被處理體16的狀態之剖視圖。如圖12所示，在粗糙上浮單元13中，由於從多孔質體32朝上方噴出氣體，因此當被處理體16被搬 運至粗糙上浮單元13上時，該氣體係碰撞至被處理體16的下表面使被處理體16上浮。因此，粗糙上浮單元13與被處理體16成為非接觸的狀態。此時，於被處理體16與粗糙上浮單元13之間形成有氣體儲留35。因此，在粗糙上浮單元13中被處理體16的翹曲量變大。
另一方面，在上述已說明的精密上浮單元11中，由於從吸氣孔27吸引存在於被處理體16與精密上浮單元11之間的氣體儲留，因此能降低被處理體16的翹曲量。
即使在粗糙上浮單元13中，被處理體16與粗糙上浮單元13之間的間隙亦即被處理體16的上浮量亦能藉由調整供給至供氣埠34_1、34_2的氣體的量來控制，換言之能藉由調整從多孔質體32噴出的氣體的量來控制。此外，在粗糙上浮單元13中，由於被處理體16只要能以不會碰撞至粗糙上浮單元13之方式搬運即可，因此搬運時的被處理體16的翹曲量並不重要。亦即，在粗糙上浮單元13中，與精密上浮單元11和準精密上浮單元12相比，供給至供氣埠34_1、34_2的氣體的量不用精密地控制。
此外，在本實施形態中，精密上浮單元11a、11b中之與被處理體16相對向的面的平面度係構成為比粗糙上浮單元13a至13f中之與被處理體16相對向的面的平面度還小。此外，準精密上浮單元12a至12d中之與被處理體16相對向的 面的平面度係構成為比精密上浮單元11a、11b中之與被處理體16相對向的面的平面度還大，且比粗糙上浮單元13a至13f中之與被處理體16相對向的面的平面度還小。例如，所謂精密上浮單元11、準精密上浮單元12以及粗糙上浮單元13的平面度係各個上浮單元的多孔質體的上表面的平面度。
例如，精密上浮單元11的平面度係能使用於精密上浮單元11上上浮之被處理體16的上浮量(上浮高度)與被處理體16的翹曲量來制定。此外，由於上浮單元的平面度的決定方法係與實施形態1所說明的情形相同，因此省略重複的說明。
(粗糙上浮單元的配管系統的說明)
圖13係用以說明粗糙上浮單元13a至13f的配管系統(供氣系統)的一例之方塊圖。如圖13所示，從氣體供給源41供給至配管的壓縮氣體係分歧成二系統，並分別供給至過濾器42_1以及過濾器42_2。例如，壓縮氣體係能使用經過壓縮的惰性氣體(經過壓縮的氮氣等)或壓縮空氣。
過濾器42_1係去除從氣體供給源41所供給的壓縮氣體中所含有的水分和雜質。通過過濾器42_1後的壓縮氣體係分歧成三系統，並分別供給至速度控制器(控速器)43_1至43_3。各個速度控制器43_1至43_3係調整於各個速度控制器43_1 至43_3流動之壓縮氣體的流量。調整後的壓縮氣體係經由流量感測器(flow sensor)44_1至44_3供給至各個粗糙上浮單元13a至13c的供氣埠34_1、34_2(參照圖11)。流量感測器44_1至44_3係表示供給至各個粗糙上浮單元13a至13c的壓縮氣體的流量。
過濾器42_2係去除從氣體供給源41所供給的壓縮氣體中所含有的水分和雜質。通過過濾器42_2後的壓縮氣體係分歧成三系統，並分別供給至速度控制器43_4至43_6。各個速度控制器43_4至43_6係調整於各個速度控制器43_4至43_6流動之壓縮氣體的流量。調整後的壓縮氣體係經由流量感測器44_4至44_6供給至各個粗糙上浮單元13d至13f的供氣埠34_1、34_2(參照圖11)。流量感測器44_4至44_6係表示供給至各個粗糙上浮單元13d至13f的壓縮氣體的流量。
在圖13所示的配管系統的一例中，顯示使用一個速度控制器來控制供給至一個粗糙上浮單元的壓縮氣體之情形。然而，由於粗糙上浮單元13a至13f只要能以被處理體16不會碰撞至粗糙上浮單元13a至13f之方式搬運即可，因此不一定需要獨立地控制各個粗糙上浮單元13a至13f。例如，在本實施形態中，亦可構成為使用一個速度控制器來控制供給至兩個粗糙上浮單元的壓縮氣體。
(精密上浮單元及準精密上浮單元的配管系統(供氣系統)之說明)
圖14係用以說明精密上浮單元11a、11b以及準精密上浮單元12a至12d的配管系統(供氣系統)的一例之方塊圖。如圖14所示，從氣體供給源51供給至配管的壓縮氣體係被供給至過濾器52。例如，壓縮氣體係能使用經過壓縮的惰性氣體(經過壓縮的氮氣等)或壓縮空氣。
過濾器52係去除從氣體供給源51所供給的壓縮氣體所含有的水分和雜質。通過過濾器52後的壓縮氣體係分歧成八系統，並分別供給至流量控制器53_1至53_8。各個流量控制器53_1至53_8係調整於各個流量控制器53_1至53_8流動之壓縮氣體的流量。例如，流量控制器53_1至53_8係能使用附有流量調整用的節流閥之流量感測器。調整後的壓縮氣體係供給至各個精密上浮單元11a、11b以及各個準精密上浮單元12a至12d。
具體而言，經過流量控制器53_1控制過流量的壓縮氣體係供給至精密上浮單元11a的第一供氣埠(與圖8的供氣埠24_1對應，以下同樣)。經過流量控制器53_2控制過流量的壓縮氣體係供給至精密上浮單元11a的第二供氣埠(與圖8的供氣埠24_2對應，以下同樣)。經過流量控制器53_3控制過流量的壓縮氣體係供給至精密上浮單元11b的第一供氣埠。經過流量控制器53_4控制過流量的壓縮氣體係供給至精密 上浮單元11b的第二供氣埠。
此外，經過流量控制器53_5控制過流量的壓縮氣體係供給至準精密上浮單元12a的兩個第一供氣埠及第二供氣埠(與圖8的供氣埠24_1、24_2對應，以下同樣)。經過流量控制器53_6控制過流量的壓縮氣體係供給至準精密上浮單元12b的兩個第一供氣埠及第二供氣埠。經過流量控制器53_7控制過流量的壓縮氣體係供給至準精密上浮單元12c的兩個第一供氣埠及第二供氣埠。經過流量控制器53_8控制過流量的壓縮氣體係供給至準精密上浮單元12d的兩個第一供氣埠及第二供氣埠。
如此，在準精密上浮單元12a至12d中，使用一個流量控制器來控制流動於一個準精密上浮單元(具備有兩個供氣埠)的壓縮氣體。相對於此，在精密上浮單元11a、11b中，使用兩個流量控制器來控制流動於一個精密上浮單元的壓縮氣體。換言之，使用一個流量控制器來控制流動於精密上浮單元的一個供氣埠的壓縮氣體。因此，與準精密上浮單元12a至12d相比，在精密上浮單元11a、11b中能更精密地控制壓縮氣體的流量。
(精密上浮單元及準精密上浮單元的配管系統(排氣系統)之說明)
圖15係用以說明精密上浮單元11a、11b以及準精密上 浮單元12a至12d的配管系統(排氣系統)的一例之方塊圖。如圖15所示，從氣體供給源61供給至配管的壓縮氣體係分別供給至調節器(regulator)62_1以及調節器62_2。例如，壓縮氣體能使用壓縮空氣或經過壓縮的惰性氣體(經過壓縮的氮氣等)。
調節器62_1係設置於精密上浮單元11a、11b側的系統，並調整從氣體供給源61供給的壓縮氣體的壓力。通過調節器62_1後的壓縮氣體係供給至速度控制器63_1。速度控制器63_1係調整於速度控制器63_1流動之壓縮氣體的流量。調整後的壓縮氣體係經由噴射器64_1流動至排氣管線。藉此，於連接有噴射器64_1與流量控制器65_1的配管產生負壓。此外，在圖15中，以箭頭顯示噴射器64_1至64_4附近的氣體的流動。於噴射器64_1與精密上浮單元11a的第一排氣埠(與圖8的排氣埠35_1對應)之間設置有流量控制器65_1與過濾器66_1，且精密上浮單元11a的第一排氣埠中的排氣量能使用流量控制器65_1來調整。
設置有速度控制器63_2、噴射器64_2、流量控制器65_2以及過濾器66_2之系統亦同樣，且精密上浮單元11a的第二排氣埠(與圖8的排氣埠35_2對應)中的排氣量係能使用流量控制器65_2來調整。雖然在圖15中省略圖示，但是精密上浮單元11b的配管系統亦同樣。
調節器62_2係設置於準精密上浮單元12a至12d側的系統，用以調整從氣體供給源61所供給的壓縮氣體的壓力。此外，由於準精密上浮單元12a至12d側的構成亦與上述說明的精密上浮單元11a的構成同樣，因此省略重複的說明。此外，雖然在圖15中省略圖示，但是準精密上浮單元12b至12d的配管系統亦同樣。
在圖15所示的精密上浮單元11a、11b以及準精密上浮單元12a至12d的配管系統(排氣系統)的一例中，構成為可分別獨立地調整精密上浮單元11a、11b以及準精密上浮單元12a至12d分別所具備有的兩個排氣埠的排氣量。因此，能精密地調整各個上浮單元中的排氣量。
如以上中所說明般，在本實施形態的雷射照射裝置中，構成為可獨立地控制供給至精密上浮單元11a、11b的供氣埠的氣體供給量以及供給至準精密上浮單元12a至12d的氣體供給量。此外，構成為可獨立地控制精密上浮單元11a、11b的吸氣孔的氣體吸引量(排氣埠中的排氣量)與準精密上浮單元12a至12d的吸氣孔的氣體吸引量(排氣埠中的排氣量)。
(搬運被處理體之狀態的說明)
圖16係用以說明使用本實施形態的雷射照射裝置1搬運被處理體16的狀態之剖視圖。如圖16中的A所示，在被處理體16通過粗糙上浮單元13a至13c上時，被處理體16的 翹曲量係變大。此乃由於如圖12所示般，在被處理體16通過粗糙上浮單元13a至13c上時於被處理體16與粗糙上浮單元13a至13c之間形成有氣體儲留35之故。
之後，如圖16中的B所示，搬運被處理體16，在被處理體16通過準精密上浮單元12a、12b上時，被處理體16的翹曲量係變得比被處理體16通過粗糙上浮單元13a至13c上時的翹曲量還小。此乃由於能藉由從吸氣孔27(參照圖9)吸引存在於被處理體16與準精密上浮單元12a、12b之間的氣體(亦即氣體儲留35(參照圖12))來降低被處理體16的翹曲之故。
之後，如圖16中的C所示，進一步搬運被處理體16，在被處理體16通過精密上浮單元11a、11b上時，被處理體16的翹曲量係變得比被處理體16通過準精密上浮單元12a、12b上時的翹曲量還小。此乃由於能藉由從吸氣孔27(參照圖9)吸引存在於被處理體16與精密上浮單元11a、11b之間的氣體(亦即氣體儲留35(參照圖12))來降低被處理體16的翹曲之故。此外，此乃由於藉由設置準精密上浮單元12a、12b，在被處理體16從粗糙上浮單元13a至13c被搬運至精密上浮單元11a、11b時被處理體16的翹曲量能順暢地變化之故。通過精密上浮單元11a、11b上時，對被處理體16照射雷射光15。
之後，如圖16中的D所示，進一步搬運被處理體16，在被處理體16通過準精密上浮單元12c、12d以及粗糙上浮單元13d至13f上時被處理體16的翹曲量係變成如下所示。亦即，在被處理體16通過粗糙上浮單元13d至13f上時，被處理體16的翹曲量係變大。此乃由於如圖12所示般，在被處理體16通過粗糙上浮單元13d至13f上時於被處理體16與粗糙上浮單元13d至13f之間形成有氣體儲留35之故。
此外，在被處理體16通過準精密上浮單元12c、12d上時，被處理體16的翹曲量係變得比被處理體16通過粗糙上浮單元13d至13f上時的翹曲量還小。此乃由於能藉由從吸氣孔27(參照圖9)吸引存在於被處理體16與準精密上浮單元12c、12d之間的氣體(亦即氣體儲留35(參照圖12))來降低被處理體16的翹曲之故。並且，在此情形中亦設置準精密上浮單元12c、12d，藉此在被處理體16從精密上浮單元11a、12b被搬運至粗糙上浮單元13d至13f時被處理體16的翹曲量能順暢地變化。
如此，在本實施形態的雷射照射裝置1中，於粗糙上浮單元13a至13c與精密上浮單元11a、11b之間設置準精密上浮單元12a、12b。因此，在被處理體16從粗糙上浮單元13a至13c被搬運至精密上浮單元11a、11b時，被處理體16的翹曲量能順暢地變化。
亦即，如圖16中的C所示，在被處理體16從粗糙上浮單元13c被搬運至準精密上浮單元12a時，在位置19a中被處理體16的翹曲量係急遽地變化。然而，在本實施形態的雷射照射裝置1中，使用準精密上浮單元12a、12b以被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16。因此，能抑制位置19a中的被處理體16的翹曲對通過雷射照射位置15的被處理體16造成影響。換言之，由於能藉由設置準精密上浮單元12a、12b來將被處理體16的翹曲大之位置19a與雷射照射位置15之間的距離d1拉離，因此與實施形態1的雷射照射裝置(參照圖4)相比，能使雷射照射位置15中的被處理體16的翹曲降低。
此外，在本實施形態的雷射照射裝置1中，於精密上浮單元11a、11b與粗糙上浮單元13d至13f之間設置準精密上浮單元12c、12d。因此，在被處理體16從精密上浮單元11a、11b被搬運至粗糙上浮單元13d至13f時，被處理體16的翹曲量能順暢地變化。
亦即，如圖16中的D所示，在被處理體16從準精密上浮單元12d被搬運至粗糙上浮單元13d時，在位置19b中被處理體16的翹曲量急遽地變化。然而，在本實施形態的雷射照射裝置1中，使用準精密上浮單元12c、12d以被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16。因此，能抑制位置19b中的被處理體16的翹量對通過雷射照射位置15 的被處理體16造成影響。換言之，由於能藉由設置準精密上浮單元12c、12d來將被處理體16的翹曲大之位置19b與雷射照射位置15之間的距離d2拉離，因此與實施形態1的雷射照射裝置(參照圖4)相比，能使雷射照射位置15中的被處理體16的翹曲降低。
如此，在本實施形態的雷射照射裝置1中，由於能使雷射照射位置15中的被處理體16的翹曲降低，因此能在雷射照射位置15中抑制雷射光的焦點深度(DOF)偏移。
此外，在圖5及圖6中，顯示使用兩個精密上浮單元11a、11b形成精密上浮區域、使用四個準精密上浮單元12a至12d形成準精密上浮區域、使用六個粗糙上浮單元13a至13f形成粗糙上浮區域之情形。然而，在本實施形態的雷射照射裝置1中，用以構成精密上浮區域之精密上浮單元11的數量、用以構成準精密上浮區域之準精密上浮單元12的數量以及用以構成粗糙上浮區域之粗糙上浮單元13的數量係能任意地決定。此外，上述說明的精密上浮單元11、準精密上浮單元12以及粗糙上浮單元13的構成為一例，在本實施形態中各個上浮單元亦可具備有上述說明以外的構成。例如，由於粗糙上浮單元13未如精密上浮單元11般被謀求上浮精度，因此亦可構成為粗糙上浮單元的每一單元的面積比精密上浮單元的每一單元的面積還大。此外，在上述中雖然已說明未於粗糙上浮單元設置吸氣孔之構成，但是在本實施形態中 亦可於粗糙上浮單元設置吸氣孔。
此外，在上述說明的構成中，顯示於精密上浮單元11a、11b的兩側分別設置有準精密上浮單元12a、12b以及準精密上浮單元12c、12d之構成。然而，在本實施形態的雷射照射裝置1中，只要相對於精密上浮單元11a、11b於被處理體16的搬運方向上游側以及下游側的至少一者設置準精密上浮單元12即可。
(各個上浮單元的配置例)
圖17至圖21係用以說明精密上浮單元(精密上浮區域)11、準精密上浮單元(準精密上浮區域)12以及粗糙上浮單元(粗糙上浮區域)13的配置例之俯視圖。於圖17至圖21所示的雷射照射裝置1_1至1_5的台(stage)上分別配置有精密上浮單元11、準精密上浮單元12以及粗糙上浮單元13。並且，在台上使被處理體16上浮，並使用把持部(未圖示)將被處理體16朝台上的箭頭方向搬運以處理被處理體16。
在圖17所示的雷射照射裝置1_1中，雷射照射位置15係從台的中央部遍及台的y軸方向的端部而配置。換言之，雷射照射裝置15係與被處理體16的y軸方向中的長度相同程度，在搬運被處理體16時對被處理體16的y軸方向的整面照射雷射光。精密上浮單元11係以包含有雷射照射位置15之方式配置。精密上浮單元11的y軸方向中的長度係與 雷射照射位置15的y軸方向中的長度相同程度。準精密上浮單元12係配置於精密上浮單元11的x軸方向的兩側。粗糙上浮單元13係配置於配置有精密上浮單元11與準精密上浮單元12之部位以外的部位。此外，在如圖17所示的雷射照射裝置1_1中，被處理體16亦可以複數次通過雷射照射位置15之方式亦即對被處理體16的相同部位複數次照射雷射光之方式於台上被搬運。
在圖18所示的雷射照射裝置1_2中，雷射照射位置15的y軸方向中的長度係被處理體16的y軸方向中的長度的一半左右的長度。雷射照射位置15配置於台的中央部側，在被處理體16通過雷射照射位置15時對被處理體16的y軸方向的一半的區域照射雷射光。在圖18所示的雷射照射裝置1_2中，將被處理體16朝台上的箭頭的方向搬運，並分成複數次地對被處理體16照射雷射光，藉此能處理被處理體16的整面。精密上浮單元11係以包含有雷射照射位置15之方式配置。準精密上浮單元12係以除了台的中央部之外圍繞精密上浮單元11的周圍之方式配置。粗糙上浮單元13係配置於配置有精密上浮單元11與準精密上浮單元12之部位以外的部位。此外，在圖18所示的雷射照射裝置1_2中，被處理體16亦可以複數次通過雷射照射位置15之方式亦即對被處理體16的相同部位複數次照射雷射光之方式於台上被搬運。
在圖19所示的雷射照射裝置1_3中，雷射照射位置15 的y軸方向中的長度係被處理體16的y軸方向中的長度的一半左右的長度。雷射照射位置15配置於台的中央部側，在被處理體16通過雷射照射位置15時對被處理體16的y軸方向的一半的區域照射雷射光。在圖19所示的雷射照射裝置1_3中，將被處理體16朝台上的箭頭的方向搬運，並分成複數次地對被處理體16照射雷射光，藉此能處理被處理體16的整面。精密上浮單元11係以包含有雷射照射位置15之方式配置。精密上浮單元11的y軸方向中的長度係與雷射照射位置15的y軸方向中的長度相同程度。準精密上浮單元12係配置於精密上浮單元11的x軸方向的兩側。粗糙上浮單元13係配置於配置有精密上浮單元11與準精密上浮單元12之部位以外的部位。此外，在圖19所示的雷射照射裝置1_3中，被處理體16亦可以複數次通過雷射照射位置15之方式亦即對被處理體16的相同部位複數次照射雷射光之方式於台上被搬運。
在圖20所示的雷射照射裝置1_4中，雷射照射位置15的y軸方向中的長度係被處理體16的y軸方向中的長度的一半左右的長度。雷射照射位置15配置於台的端部側，在被處理體16通過雷射照射位置15時對被處理體16的y軸方向的一半的區域照射雷射光。在圖20所示的雷射照射裝置1_4中，將被處理體16朝台上的箭頭的方向搬運，並分成複數次地對被處理體16照射雷射光，藉此能處理被處理體16的整面。精密上浮單元11係以包含有雷射照射位置15之方式配 置。精密上浮單元11的y軸方向中的長度係比雷射照射位置15的y軸方向中的長度還長。亦即，精密上浮單元11係從台的中央部遍及台的y軸方向的端部而配置。準精密上浮單元12係配置於精密上浮單元11的x軸方向的兩側。粗糙上浮單元13係配置於配置有精密上浮單元11與準精密上浮單元12之部位以外的部位。此外，在圖20所示的雷射照射裝置1_4中，被處理體16亦可以複數次通過雷射照射位置15之方式亦即對被處理體16的相同部位複數次照射雷射光之方式於台上被搬運。
在圖21所示的雷射照射裝置1_5中，雷射照射位置15的y軸方向中的長度係被處理體16的y軸方向中的長度的一半左右的長度。雷射照射位置15配置於台的端部側，在被處理體16通過雷射照射位置15時對被處理體16的y軸方向的一半的區域照射雷射光。在圖21所示的雷射照射裝置1_5中，將被處理體16朝台上的箭頭的方向搬運，並分成複數次地對被處理體16照射雷射光，藉此能處理被處理體16的整面。精密上浮單元11係以包含有雷射照射位置15之方式配置。精密上浮單元11的y軸方向中的長度係與雷射照射位置15的y軸方向中的長度相同程度。準精密上浮單元12係配置於精密上浮單元11的x軸方向的兩側。粗糙上浮單元13係配置於配置有精密上浮單元11與準精密上浮單元12之部位以外的部位。此外，在圖21所示的雷射照射裝置1_5中，被處理體16亦可以複數次通過雷射照射位置15之方式亦即 對被處理體16的相同部位複數次照射雷射光之方式於台上被搬運。
在圖17至圖21所示的配置例中，僅於雷射光的照射位置15附近配置價格較高的精密上浮單元11以及準精密上浮單元12，並於這些區域以外的區域配置能便宜地構成的粗糙上浮單元13。亦即，由於以便宜的粗糙上浮單元13構成大部分的上浮單元，因此能使雷射照射裝置的成本降低。此外，由於能將需要精密控制的區域限定於配置有精密上浮單元11及準精密上浮單元12之區域，因此能簡單地進行雷射照射裝置的控制。
(準精密上浮單元的其他構成例)
接著，說明準精密上浮單元的其他構成例。圖22係用以說明準精密上浮單元的其他構成例之俯視圖。在圖22所示的構成例中，粗糙上浮單元13、準精密上浮單元70以及精密上浮單元11係以於搬運方向排列之方式配置。於粗糙上浮單元13、準精密上浮單元70以及精密上浮單元11的上表面亦即與被處理體16相對向之面側形成有多孔質體。在圖22所示的粗糙上浮單元13、準精密上浮單元70以及精密上浮單元11中亦從多孔質體的上表面朝上方噴出壓縮氣體。藉此，被處理體16上浮。
此外，準精密上浮單元70以及精密上浮單元11係具備 有用以吸引存在於準精密上浮單元70以及精密上浮單元11與被處理體16之間的氣體之複數個吸氣孔71、27。在圖22所示的準精密上浮單元70中，複數個吸氣孔71係以在精密上浮單元11側中比在粗糙上浮單元13側還密集之方式配置。此外，與準精密上浮單元70的精密上浮單元11側中的吸氣孔71同樣地，在精密上浮單元11中吸氣孔27係密集地配置。
因此，如圖22所示，以愈從粗糙上浮單元13側朝向精密上浮單元11側則吸氣孔71的密度愈變密集之方式配置準精密上浮單元70的吸氣孔71，藉此在將被處理體16從粗糙上浮單元13側搬運至精密上浮單元11側時被處理體16的翹曲量能更順暢地變化。
(精密上浮單元的其他構成例)
圖23係用以說明精密上浮單元的其他構成例之剖視圖。圖23所示的精密上浮單元係使用下部單元81a、81b以及上部單元81c、81d來構成。此外，亦將下部單元81a、81b以及上部單元81c、81d總稱為精密上浮單元81a至81d。
下部單元81a、81b係與上述說明的精密上浮單元11a、11b對應，用以從配置於下部單元81a、81b的上表面之多孔質體朝上方噴出氣體而使被處理體16上浮。此外，使用形成於下部單元81a、81b的上表面之複數個吸氣孔吸引存在於被 處理體16與下部單元81a、81b之間的氣體，使被處理體16的翹曲降低。
上部單元81c、81d係配置於下部單元81a、81b的上部。換言之，上部單元81c、81d係配置於夾著被處理體16而與下部單元81a、81b相對向之位置。上部單元81c、81d係在被處理體16搬運時對被處理體16的上表面噴吹氣體。藉此，能使被處理體16的翹曲進一步地降低。此外，於上部單元81c與上部單元81d之間形成有間隙，從該間隙對被處理體16的表面供給密封氣體(seal gas)85。在此，密封氣體85為氮等惰性氣體，且從上部單元81c、81d噴吹的氣體亦為氮等惰性氣體。因此，能以氮氣等惰性氣體局部性地密封被處理體16中的雷射光15的照射位置的表面。
此外，於上部單元81c、81d的上側設置雷射變位計，雷射變位計的計測用的雷射係通過上部單元81c與上部單元81d之間的間隙，藉此能即時地測量被處理體16中的雷射光15的照射位置中的z軸方向的變位(翹曲量)。亦可使用該雷射變位計的測量值回授(feedback)控制精密上浮單元81a至81d或準精密上浮單元12的氣體噴出量或吸引量。
此外，在本實施形態中，亦可設置圖24所示的上部單元86a、86b以取代圖23所示的上部單元81c、81d。圖24所示的上部單元86a、86b係配置於下部單元81a、81b的上部。 換言之，上部單元86a、86b係配置於夾著被處理體16而與下部單元81a、81b相對向之位置。圖24所示的上部單元86a、86b係用以在被處理體16搬運時不對被處理體16的上表面噴吹氣體之構成。圖24所示的精密上浮單元係使用下部單元81a、81b搬運被處理體16。
此外，於上部單元86a與上部單元86b之間形成有間隙，從該間隙對被處理體16的表面供給密封氣體85。在此，密封氣體85為氮等惰性氣體。因此，能以氮氣等惰性氣體局部性地密封被處理體16中的雷射光15的照射位置的表面。此外，在圖24所示的精密上浮單元中，於上部單元86a的上游側設置板狀構件87a，於上部單元86b的下游側設置板狀構件87b。如此，除了上部單元86a、86b之外還將板狀構件87a、87b設置於下部單元81a、81b的上部，藉此能提高密封氣體85的密封功效。例如，上部單元86a、86b以及板狀構件87a、87b係能使用鋁板來構成。
(各個上浮單元的其他構成例)
圖25係用以說明雷射照射裝置2所具備的各個上浮單元的其他構成例之剖視圖。在圖25所示的雷射照射裝置2中，精密上浮單元係使用下部單元91a、91b以及上部單元91c、91d來構成。此外，亦將下部單元91a、91b以及上部單元91c、91d總稱為精密上浮單元91a至91d。
下部單元91a、91b係從配置於下部單元91a、91b的上表面之多孔質體朝上方噴出氣體而使被處理體16上浮。在圖25所示的雷射照射裝置中，下部單元91a、91b並未具備有用以吸引存在於被處理體16與下部單元91a、91b之間的氣體之吸氣孔(參照圖9)。
上部單元91c、91d係配置於下部單元91a、91b的上部。換言之，上部單元91c、91d係配置於夾著被處理體16而與下部單元91a、91b相對向之位置。上部單元91c、91d係在被處理體16搬運時對被處理體16的上表面噴吹氣體。如此，以下部單元91a、91b與上部單元91c、91d夾入被處理體16並從被處理體16的上下方向噴吹氣體，藉此能在被處理體16的搬運時使被處理體16的翹曲降低。
從上部單元91c、91d噴吹的氣體為氮等惰性氣體。因此，能以氮氣等惰性氣體局部性地密封被處理體16中的雷射光15的照射位置的表面。此外，在圖25所示的雷射照射裝置2中亦於上部單元91c與上部單元91d之間形成有間隙。因此，亦可從該間隙對被處理體16的表面供給密封氣體(氮等惰性氣體)。
此外，準精密上浮單元92a、92b係從準精密上浮單元92a、92b的上方噴出氣體而使被處理體16上浮。此外，在圖25所示的雷射照射裝置2中，準精密上浮單元92a、92b 並未具備有用以吸引存在於被處理體16與準精密上浮單元92a、92b之間的氣體之吸氣孔(參照圖9)。
此外，粗糙上浮單元93a、93b係從粗糙上浮單元93a、93b的上方噴出氣體而使被處理體16上浮。粗糙上浮單元93a、93b為與圖5所示的雷射照射裝置1的情形同樣的構成。
此外，在圖25所示的雷射照射裝置2中，雖然顯示於各個上浮單元之間設置間隙而配置的構成，然而亦可構成為不於各個上浮單元之間設置間隙。
在圖25所示的雷射照射裝置2中，使用僅朝上方向噴出氣體之單元來構成配置於被處理體16的下部之各個上浮單元(91a、91b、92a、92b、93a、93b)。此外，於精密上浮區域設置上部單元91c、91d，並構成為於被處理體16的搬運時對被處理體16的上表面噴吹氣體。此外，準精密上浮單元92a、92b係構成為相較於粗糙上浮單元93a、93b能精密地控制氣體的噴出量。
因此，準精密上浮單元92a係能以在被處理體16從粗糙上浮單元93a被搬運至精密上浮單元91a至91d時被處理體16的翹曲量順暢地變化之方式搬運被處理體16。此外，準精密上浮單元92b係能以在被處理體16從精密上浮單元91a至91d被搬運至粗糙上浮單元93b時被處理體16的翹曲量順暢 地變化之方式搬運被處理體16。
此外，在圖25所示的雷射照射裝置2中，亦於上部單元91c、91d的上側設置雷射變位計，雷射變位計的計測用的雷射係通過上部單元91c與上部單元91d之間的間隙，藉此能即時地測量被處理體16中的雷射光15的照射位置中的z軸方向的變位(翹曲量)。亦可使用該雷射變位計的測量值回授控制精密上浮單元91a至91d或準精密上浮單元92a、92b的氣體噴出量。
(半導體裝置的製造方法)
接著，說明使用了上述說明的雷射照射裝置之半導體裝置的製造方法。在本實施形態中，使用雷射退火裝置作為雷射照射裝置，藉此能對形成於基板上的非晶質膜照射雷射光而使非晶質膜結晶化。例如，半導體裝置為具備有TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體)之半導體裝置，在此情形中，能對非晶矽膜(amorphous silicon film)照射雷射光而使非晶矽膜結晶化並形成多晶矽膜(polysilicon film)。
圖26係用以說明半導體裝置的製造方法的一例之剖視圖。上述說明的本實施形態的雷射照射裝置適用於TFT陣列基板的製造。以下，說明具有TFT的半導體裝置的製造方法。
首先，如圖26的步驟A所示，於玻璃基板201上形成 閘極電極202。閘極電極202係例如能使用包含有鋁等之金屬薄膜。接著，如圖26的步驟B所示，於閘極電極202上形成閘極絕緣膜203。閘極絕緣膜203係以覆蓋閘極電極202之方式形成。之後，如圖26的步驟C所示，於閘極絕緣膜203上形成非晶矽膜204。非晶矽膜204係以經由閘極絕緣膜203而與閘極電極202重疊之方式配置。
閘極絕緣膜203為氮化矽膜(SiNx)、氧化矽膜(SiO2)或這些膜的積層膜等。具體而言，藉由CVD(Chemical Vapor Dcposition；化學氣相沉積)法連續成膜閘極絕緣膜203與非晶矽膜204。
接著，如圖26的步驟D所示，使用上述說明的雷射照射裝置對非晶矽膜204照射雷射光而使非晶矽膜204結晶化並形成多晶矽膜205。藉此，於閘極絕緣膜203上形成有矽已結晶化的多晶矽膜205。
此時，使用上述說明的本實施形態的雷射照射裝置，藉此能在玻璃基板201(被處理體)的搬運時降低玻璃基板201的翹曲，並能抑制照射至非晶矽膜204之雷射光的焦點深度(DOF)偏移。因此，能形成已均勻地結晶化的多晶矽膜205。
之後，如圖26的步驟E所示，於多晶矽膜205上形成層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b。層間絕緣 膜206、源極電極207a以及汲極電極207b係能使用一般的光微影(photolithographic)法或成膜法來形成。
能使用上述說明的半導體裝置的製造方法製造具備有TFT的半導體裝置。此外，由於後續的製造步驟會因為最終製造的器件(device)而不同，因此省略說明。
(有機EL顯示器)
接著，以有機EL顯示器作為使用了具備有TFT的半導體裝置之器件的一例進行說明。圖27係用以說明有機EL顯示器的概要之剖視圖，並簡略地顯示有機EL顯示器的像素電路。圖27所示的有機EL顯示器300為於各個像素PX配置有TFT之主動矩陣(active matrix)型的顯示裝置。
有機EL顯示器300係具備有基板310、TFT層311、有機層312、彩色濾光器(color filter)層313以及密封基板314。在圖27中，顯示密封基板314側成為辨識側之頂部發光(top emission)方式的有機EL顯示器。此外，以下的說明係用以顯示有機EL顯示器的一個構成例，本實施形態並未限定於以下所說明的構成。例如，本實施形態的半導體裝置亦可使用於底部發光(bottom emission)方式的有機EL顯示器。
基板310為玻璃基板或金屬基板。於基板310上設置有TFT層311。TFT層311係具有配置於各個像素PX的TFT311a。 再者，TFT層311係具有連接至TFT311a之配線等。TFT311a以及配線等係構成像素電路。此外，TFT層311係與圖26所說明的TFT對應，並具有閘極電極202、閘極絕緣膜203、多晶矽膜205、層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b。
於TFT層311上設置有有機層312。有機層312係具有配置於每個像素PX之有機EL發光元件312a。有機EL發光元件312a係具有例如積層有陽極、電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子植入層以及陰極之積層構造。在頂部發光方式的情形中，陽極為金屬電極，陰極為ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)等透明導電膜。再者，於有機層312設置有隔壁312b，該隔壁312b係用以在像素PX間分離有機EL發光元件312a。
於有機層312上設置有彩色濾光器層313。彩色濾光器層313係設置有用以進行彩色顯示之彩色濾光器313a。亦即，於各個像素PX設置有已著色成R(紅色)、G(綠色)或B(藍色)之樹脂層作為彩色濾光器313a。當從有機層312發出的白色光通過彩色濾光器313a時，被轉換成RGB顏色的光線。此外，於有機層312設置有用以發光出RGB各顏色的有機EL發光元件之三顏色方式的情形中，亦可省略彩色濾光器層313。
於彩色濾光器層313上設置有密封基板314。密封基板314為玻璃基板等透明基板，且設置成用以防止有機層312的有機EL發光元件的劣化。
流通於有機層312的有機EL發光元件312a之電流係藉由供給至像素電路的顯示訊號而變化。因此，能藉由將因應顯示影像的顯示訊號供給至各個像素PX來控制各個像素PX的發光量。藉此，能顯示期望的影像。
此外，上述中雖然已說明有機EL顯示器作為使用了具備有TFT的半導體裝置之器件的一例，但具備有TFT的半導體裝置亦可為例如液晶顯示器。此外，在上述中已說明將本實施形態的雷射照射裝置應用於雷射退火裝置之情形。然而，本實施形態的雷射照射裝置亦可應用於雷射退火裝置以外的裝置。
以上雖然已依據實施形態具體地說明本發明入們所研創的發明，但本發明並未限定於前述實施形態，在未逸離本發明的精神之範圍內可進行各種變化。
本發明係主張以2016年8月29日所申請之日本特願2016-166465作為基礎之優先權，並將該日本特願2016-166465的所有內容援用至此。

Claims (18)

  1. 一種雷射照射裝置，係具備有：雷射產生裝置，係產生雷射光；以及上浮單元，係使被前述雷射光照射之被處理體上浮；前述上浮單元係具備有第一區域以及第二區域；前述第一區域以及前述第二區域係配置成俯視觀看時前述雷射光的焦點與前述第一區域重疊且前述雷射光的焦點與前述第二區域不會重疊；前述第一區域係構成為使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮；前述第二區域係構成為不使用氣體的吸引而是使用氣體的噴出使前述被處理體上浮。
  2. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述上浮單元進一步具備有配置於前述第一區域與前述第二區域之間的第三區域；第三區域係構成為使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮；前述第一區域及前述第三區域係構成為前述第一區域中的前述氣體的控制以及前述第三區域中的前述氣體的控制可在前述第一區域以及前述第三區域中分別獨立地控制。
  3. 如請求項2所記載之雷射照射裝置，其中前述第一區域係具備有：第一氣體噴出部，係將氣體朝上方噴出而使前述被處理體上浮；以及複數個第一吸氣孔，係吸引存在於前述被處理體與前述第一區域之間的氣體。
  4. 如請求項3所記載之雷射照射裝置，其中前述第一氣體噴出部係使用多孔質體所構成；前述複數個第一吸氣孔係在前述多孔質體中之與前述被處理體相對向的面中均勻地配置。
  5. 如請求項3所記載之雷射照射裝置，其中前述第三區域係具備有：第二氣體噴出部，係將氣體朝上方噴出而使前述被處理體上浮；以及複數個第二吸氣孔，係吸引存在於前述被處理體與前述第三區域之間的氣體。
  6. 如請求項5所記載之雷射照射裝置，其中前述第二氣體噴出部係使用多孔質體所構成；前述複數個第二吸氣孔係在前述多孔質體中之與前述被處理體相對向的面中配置成在前述第一區域之側中比在前述第二區域之側還密集。
  7. 如請求項5所記載之雷射照射裝置，其中前述第二區域係具備有：第三氣體噴出部，係將氣體朝上方噴出而使前述被處理體上浮。
  8. 如請求項5所記載之雷射照射裝置，其中構成為可獨立地控制供給至前述第一氣體噴出部的氣體供給量與供給至前述第二氣體噴出部的氣體供給量；構成為可獨立地控制前述第一吸氣孔的氣體吸引量與前述第二吸氣孔的氣體吸引量。
  9. 如請求項1或2所記載之雷射照射裝置，其中於前述第一區域配置有：下部單元，係具備有：氣體噴出部，係配置於前述被處理體的搬運路徑的下部側，用以將氣體朝上方噴出而使前述被處理體上浮；以及複數個吸引氣孔，係吸引存在於前述下部單元與前述被處理體之間的氣體；以及上部單元，係配置於前述被處理體的搬運路徑的上部側，用以對前述被處理體的上表面噴吹氣體。
  10. 如請求項9所記載之雷射照射裝置，其中於前述上部單元形成有用以使前述雷射光通過之間隙，並從該間隙對前述被處理體的前述雷射光的照射區域供給密封氣體。
  11. 一種雷射照射裝置，係具備有：雷射產生裝置，係產生雷射光；以及 上浮單元，係使被前述雷射光照射之被處理體上浮；前述上浮單元係具備有第一區域以及第二區域；前述第一區域以及前述第二區域係配置成俯視觀看時前述雷射光的焦點與前述第一區域重疊且前述雷射光的焦點與前述第二區域不會重疊；前述第一區域係構成為使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮；前述第二區域係構成為使用氣體的噴出使前述被處理體上浮；前述第一區域中之與前述被處理體相對向的面的平面度係比前述第二區域中之與被處理體相對向的面的平面度還小。
  12. 如請求項11所記載之雷射照射裝置，其中前述上浮單元係進一步具備有配置於前述第一區域與前述第二區域之間的第三區域；前述第三區域係構成為使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮；前述第三區域中之與前述被處理體相對向的面的平面度係比前述第一區域中之與前述被處理體相對向的面的平面度還大，且比前述第二區域中之與前述被處理體相對向的面的平面度還小。
  13. 一種雷射照射裝置，係具備有： 雷射產生裝置，係產生雷射光；以及上浮單元，係使被前述雷射光照射之被處理體上浮；前述上浮單元係具備有第一區域以及第二區域；前述第一區域以及前述第二區域係配置成俯視觀看時前述雷射光的焦點與前述第一區域重疊且前述雷射光的焦點與前述第二區域不會重疊；前述第一區域係構成為使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮；前述第二區域係構成為使用氣體的噴出使前述被處理體上浮；前述被處理體通過前述第一區域時之前述被處理體的翹曲量係比前述被處理體通過前述第二區域時之前述被處理體的翹曲量還小。
  14. 如請求項13所記載之雷射照射裝置，其中前述上浮單元係進一步具備有配置於前述第一區域與前述第二區域之間的第三區域；前述第三區域係構成為使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮；前述第三區域中的前述上浮單元係以在前述被處理體從前述第二區域被搬運至前述第一區域時前述被處理體的翹曲量順暢地變化之方式搬運前述被處理體。
  15. 一種雷射照射方法，係一邊使用上浮單元使被處理體上浮並搬運被處理體，一邊對前述被處理體照射雷射光；前述上浮單元係具備有：第一區域，係在俯視觀看時與前述雷射光的焦點重疊；以及第二區域，係不與前述雷射光的焦點重疊；在使用前述上浮單元搬運前述被處理體時，前述第一區域係使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮並搬運前述被處理體，前述第二區域係不使用氣體的吸引而是使用氣體的噴出使前述被處理體上浮並搬運前述被處理體。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，係包含有：步驟(a)，係於基板上形成非晶質膜；以及步驟(b)，係對前述非晶質膜照射雷射光而使前述非晶質膜結晶化；在前述步驟(b)中，一邊使用上浮單元使前述基板上浮並搬運前述基板，一邊對前述非晶質膜照射雷射光；前述上浮單元係具備有：第一區域，係在俯視觀看時與前述雷射光的焦點重疊；以及第二區域，係不與前述雷射光的焦點重疊；在使用前述上浮單元搬運前述基板時，前述第一區域係使用氣體的噴出及吸引使前述基板上浮並搬運前述基板，前述第二區域係不使用氣體的吸引 而是使用氣體的噴出使前述基板上浮並搬運前述基板。
  17. 一種雷射照射方法，係一邊使用上浮單元使被處理體上浮並搬運被處理體，一邊對前述被處理體照射雷射光；前述上浮單元係具備有：第一區域，係在俯視觀看時與前述雷射光的焦點重疊；以及第二區域，係不與前述雷射光的焦點重疊；在使用前述上浮單元搬運前述被處理體時，前述第一區域係使用氣體的噴出及吸引使前述被處理體上浮並搬運前述被處理體，前述第二區域係使用氣體的噴出使前述被處理體上浮並搬運前述被處理體；前述被處理體通過前述第一區域時之前述被處理體的翹曲量係比前述被處理體通過前述第二區域時之前述被處理體的翹曲量還小。
  18. 一種半導體裝置的製造方法，係包含有：步驟(a)，係於基板上形成非晶質膜；以及步驟(b)，係對前述非晶質膜照射雷射光而使前述非晶質膜結晶化；在前述步驟(b)中，一邊使用上浮單元使前述基板上浮並搬運前述基板，一邊對前述非晶質膜照射雷射光； 前述上浮單元係具備有：第一區域，係在俯視觀看時與前述雷射光的焦點重疊；以及第二區域，係不與前述雷射光的焦點重疊；在使用前述上浮單元搬運前述基板時，前述第一區域係使用氣體的噴出及吸引使前述基板上浮並搬運前述基板，前述第二區域係使用氣體的噴出使前述基板上浮並搬運前述基板；前述基板通過前述第一區域時之前述基板的翹曲量係比前述基板通過前述第二區域時之前述基板的翹曲量還小。
TW106124560A 2016-08-29 2017-07-21 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法 TW201820476A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-166465 2016-08-29
JP2016166465A JP6854605B2 (ja) 2016-08-29 2016-08-29 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201820476A true TW201820476A (zh) 2018-06-01

Family

ID=61301752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106124560A TW201820476A (zh) 2016-08-29 2017-07-21 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11446762B2 (zh)
JP (1) JP6854605B2 (zh)
KR (1) KR20190042619A (zh)
CN (1) CN109643649B (zh)
SG (1) SG11201900881YA (zh)
TW (1) TW201820476A (zh)
WO (1) WO2018042796A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887234B2 (ja) * 2016-09-21 2021-06-16 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6983578B2 (ja) 2017-08-25 2021-12-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
KR102081056B1 (ko) * 2018-04-04 2020-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7034817B2 (ja) * 2018-04-19 2022-03-14 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
CN112136362A (zh) * 2018-05-09 2020-12-25 堺显示器制品株式会社 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
JP7202907B2 (ja) * 2019-01-28 2023-01-12 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置および表示装置の製造方法
JP7306860B2 (ja) * 2019-04-11 2023-07-11 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ処理装置
JP7437187B2 (ja) * 2020-02-26 2024-02-22 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置
US11187526B2 (en) * 2020-02-26 2021-11-30 Core Flow Ltd. System and method of measuring warpage of a workpiece on a noncontact support platform
KR102605703B1 (ko) * 2021-03-18 2023-11-29 (주)이오테크닉스 전극 제조 장치
DE102022116332B3 (de) * 2022-06-30 2023-07-06 Fujitsu Client Computing Limited Computersystem und Konfigurationssoftware für einen Monitor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4974416B2 (ja) * 2001-01-30 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
JP4845280B2 (ja) 2001-03-21 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置
JP4439789B2 (ja) * 2001-04-20 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US7232715B2 (en) 2002-11-15 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor film and semiconductor device and laser processing apparatus
JP4610178B2 (ja) * 2002-11-15 2011-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4553376B2 (ja) * 2005-07-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法
JP5404064B2 (ja) * 2008-01-16 2014-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法
JP4467632B2 (ja) * 2008-03-24 2010-05-26 丸文株式会社 ビーム加工装置、ビーム加工方法およびビーム加工基板
JPWO2010101060A1 (ja) * 2009-03-03 2012-09-10 日立ビアメカニクス株式会社 ワークの薄膜加工方法及び薄膜加工装置
JP2010203944A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Toppan Printing Co Ltd 基板検査装置
JP2010225602A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Japan Steel Works Ltd:The レーザ処理装置
JP2013044578A (ja) * 2011-08-22 2013-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 基板検査方法及び装置
JP5454971B2 (ja) * 2012-04-13 2014-03-26 株式会社日本製鋼所 移動ステージ

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201900881YA (en) 2019-03-28
US11446762B2 (en) 2022-09-20
KR20190042619A (ko) 2019-04-24
US20190193200A1 (en) 2019-06-27
CN109643649A (zh) 2019-04-16
JP2018037431A (ja) 2018-03-08
JP6854605B2 (ja) 2021-04-07
CN109643649B (zh) 2023-07-14
WO2018042796A1 (ja) 2018-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201820476A (zh) 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法
JP6983578B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
US11676831B2 (en) Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
TWI716608B (zh) 雷射照射裝置、半導體裝置的製造方法以及雷射照射裝置的動作方法
JP6754266B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6968243B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
TW201944466A (zh) 雷射處理裝置
JP6917691B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
US11355343B2 (en) Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
WO2021038950A1 (ja) レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
JP7095166B2 (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP2021077904A (ja) レーザ照射装置