KR20190013147A - 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법 - Google Patents

포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190013147A
KR20190013147A KR1020170097280A KR20170097280A KR20190013147A KR 20190013147 A KR20190013147 A KR 20190013147A KR 1020170097280 A KR1020170097280 A KR 1020170097280A KR 20170097280 A KR20170097280 A KR 20170097280A KR 20190013147 A KR20190013147 A KR 20190013147A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
group
resin
photoresist composition
repeating unit
Prior art date
Application number
KR1020170097280A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102134381B1 (ko
Inventor
임민영
이태섭
김지혜
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020170097280A priority Critical patent/KR102134381B1/ko
Priority to JP2019547134A priority patent/JP6848154B2/ja
Priority to PCT/KR2018/008431 priority patent/WO2019027181A1/ko
Priority to CN201880018047.7A priority patent/CN110462516B/zh
Priority to US16/498,829 priority patent/US11531268B2/en
Priority to TW107126255A priority patent/TWI677762B/zh
Publication of KR20190013147A publication Critical patent/KR20190013147A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102134381B1 publication Critical patent/KR102134381B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 저장 안정성, 감도, 현상성, 도금액 내성 및 내열성이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다. 보다 상세하게는, 포토레지스트 조성물 내에 포함되는 수지와 동일한 반복 단위 구조를 가지는, 올리고머 형태의 특정 용해 억제제를 상기 조성물에 적용한다.

Description

포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법{POSITIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION, PATTERN USING THE SAME, and MANUFACTURING METHOD OF THE PATTERN}
본 발명은 후막 형성을 위한 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 패키징이 웨이퍼 레벨의 플립칩(flip chip) 형태로 전환되면서, 기존의 와이어 본딩(wire bonding)에 의한 패키징 대비, 빠른 신호 전달 속도와 패키징 부피의 감소가 가능해졌다. 이러한 플립칩 패키징은 반도체 칩의 메탈 패드에서 기존의 와이어 본딩 대신 솔더 범프(solder bump)나 필러(filler) 등을 이용하여 가공하게 된다.
그런데, 솔더 범프를 이용한 플립칩 패키징을 위해서는 약 50 ㎛ 수준의 두꺼운 후막 형성용 포토레지스트가 요구된다. 또한, 이러한 포토레지스트는 전해 도금으로 솔더 범프나 필러를 성장시킬 때 도금액에 대한 강한 내성을 가져야 하며, 특히 패턴의 직진성이 요구된다.
후막 형성의 솔더 범프는 용도에 따라 약 20 ㎛에서 약 100 ㎛ 크기의 패턴이 요구되며, 이러한 후막 패턴을 형성하기 위해서는 igh의 혼합광이나 i-line stepper를 이용한 노광이 적용된다. 이때 후막 패터닝을 위해서 과다한 양의 노광 에너지가 요구된다. 이 때문에, 이러한 공정에 적용되는 포토레지스트는 잔막율을 유지하면서 감도를 개선하기 위한 용해 억제제의 적용이 필요하다.
감도 개선을 위해 종래에는 용해 억제제로서 다핵 페놀 화합물을 아세탈, t-BOC 또는 t-부틸에스테르(butyl ester)기로 보호(protection)하여 사용하여 왔다. 그러나, 이들은 저분자 물질이기에 이를 포함하는 포토레지스트 조성물의 열안정성이 떨어지는 문제점이 있었고, 수지와의 사이에서 상용성 좋지 않았으며, 상기 조성물을 이용한 도금 공정에서 도금 내성이 좋지 않아 범프 위에 이물이 형성되는 등의 문제점이 있어왔다.
본 발명은 저장 안정성, 감도, 현상성, 도금액 내성 및 내열성이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 조성물로부터 제조된 후막의 포토레지스트 패턴 및 패턴 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 일실시예에서는, 반복 단위에 알칼리 가용성 작용기가 도입된 고분자 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함하는 바인더 수지; 아세탈, t-부틸옥시카보닐(tert-Butyloxycarbonyl) 및 t-부틸에스테르(t-butyl ester)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 보호기가 작용기에 도입되고, 상기 고분자 수지 또는 아크릴레이트계 수지와 동일한 반복 단위를 포함하는 올리고머 화합물; 및 광산발생제; 를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일실시예에 따르면, 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물로부터 제조된 포토레지스트 패턴이 제공된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물을 이용해 포토레지스트 패턴을 제조하는 방법이 제공될 수 있다.
이하 발명의 구체적인 실시예에 따른 포지티브형 포토레지스트 조성물, 상기 조성물로부터 제조된 포토레지스트 패턴 및 상기 패턴 제조방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
포지티브형 포토레지스트 조성물
본 발명자들은, 포토레지스트 조성물 내에 포함되는 수지와 동일한 반복 단위 구조를 가지는, 올리고머 형태의 특정 용해 억제제를 상기 조성물에 적용하는 경우, 산에 의해 해리되어 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되며, 수지와의 상용성이 매우 우수하고, 포토레지스트 조성물의 열안정성 또한 향상시킬 수 있음을 확인하였다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물은 도금 조건에서 도금액의 용출 방지 특성이 매우 우수하다는 점을 확인함으로써, 본 발명을 완성하게 되었다.
구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 포지티브형 포토레지스트 조성물은 반복 단위에 알칼리 가용성 작용기가 도입된 고분자 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함하는 바인더 수지; 아세탈, t-부틸옥시카보닐(tert-Butyloxycarbonyl) 및 t-부틸에스테르(t-butyl ester)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 보호기가 작용기에 도입되고, 상기 고분자 수지 또는 아크릴레이트계 수지와 동일한 반복 단위를 포함하는 올리고머 화합물; 및 광산발생제; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 바인더 수지는 반복 단위에 알칼리 가용성 작용기가 도입된 고분자 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다.
상기 반복 단위에 알칼리 가용성 작용기가 도입된 고분자 수지는 아크릴 수지, 노볼락 수지 및 폴리히드록시스티렌 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 한편, 상기 아크릴 수지, 노볼락 수지 및 폴리히드록시스티렌 수지는 본 발명이 속하는 기술분야에서 일반적으로 사용하는 것으로서, 특별히 제한되지 아니한다.
한편, 상기 고분자 수지 내에 도입된 알칼리 가용성 작용기는 히드록시기 또는 카르복실 산일 수 있다.
상기 아크릴레이트계 수지는 포지티브형 포토레지스트 조성물 내에 바인더 수지로서 포함되며, 도금액 또는 현상액과의 젖음성(wettability), 기판에의 접착성 및 크랙(crack) 생김 방지 목적으로 친수성 부분을 가지는 모노머를 포함할 수 있고, 도금시 포토레지스트 패턴에 생기는 크랙 또는 스웰링(swelling) 방지를 위하여 도금 내성을 줄 수 있는 소수성, 벌키(bulky) 모노머 또한 포함할 수 있다. 또한, 감도와 현상 시 속도 조절을 위하여 산(Acid) 또는 하이드록실(hydroxyl) 그룹을 포함하는 모노머 또한 포함할 수 있다.
아크릴레이트계 수지는 상기 수지 전체 중량을 기준으로, 산에 의해 해리되는 기능기 30 내지 60 중량%, 친수성 모노머 10 내지 50중량%; 소수성 벌키 모노머 10 내지 50중량%; 및 산(ACID) 또는 수산화기(OH)를 가지는 모노머 5 내지 20중량%를 포함할 수 있으며, 상기한 바와 같은 성분을 상기 중량 범위 내에서 포함하는 경우, 감도와 현상성이 우수하고, 크랙 등의 코팅 특성이 향상될 뿐만 아니라 도금 내성도 개선되는 효과가 있어, 본 발명의 과제를 달성하기 위해 적합하다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 아크릴레이트계 수지는 하기 화학식 13 내지 14 중 선택되는 하나 이상의 반복 단위를 포함하는 아크릴 수지를 포함할 수 있다.
[화학식 13]
Figure pat00001
상기 화학식 13에서,
R12 및 R13는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 사이클로알킬; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴이고;
n7은 0 내지 3의 정수이며;
R14은 C2~C8의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌이고;
R15는 비닐기 또는 (메트)아크릴레이트기이며;
L1은 직접 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌 또는 N, O, S 및 Si로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌이다.
상기 화학식 13의 반복 단위는 1 내지 1,000번 반복될 수 있다.
상세하게는, R14는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌일 수 있다.
상세하게는, R15는 비닐기일 수 있다.
한편, 상기 아크릴레이트계 수지의 총량에서, 상기 화학식 13으로 표시되는 반복 단위의 함량은 10 내지 90중량%, 15 내지 70중량%, 20 내지 60중량%, 또는 20 내지 50중량%일 수 있다. 상기 화학식 13으로 표시되는 반복 단위의 함량이 10중량% 미만이면 현상액에 대한 현상 속도가 느리고 감도가 떨어지며, 90중량% 초과하면 현상 후 비노광 영역의 잔막율이 너무 낮으며 도금액에 대한 내성이 저하될 수 있다.
[화학식 14]
Figure pat00002
상기 화학식 14에서,
R16은 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴이고;
R17은 아세탈기, 키탈기, 탄소수 4 내지 20의 터셔리 알킬기(tertiary-alkyl group), 탄소수 4 내지 20의 터셔리 알킬옥시카보닐기(tertiary-alkyloxycarbonyl group), 이소보닐기 및 아다만틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 작용기이다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 화학식 13의 반복 단위는 하기 화학식 15로 표시되는 것일 수도 있다.
[화학식 15]
Figure pat00003
상기 화학식 15에서,
R12, R13, n7, L1은 화학식 13에서 설명한 바와 같을 수 있다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 아크릴레이트계 수지는, 하기 화학식 16의 반복 단위를 포함하는 아크릴 수지를 더 포함할 수 있다.
[화학식 16]
Figure pat00004
상기 화학식 16에서,
R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴이고;
n8은 0 내지 3이며;
L2는 직접 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌, 또는 N, O, S 및 Si로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌이고;
R20은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 카보닐, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴일 수 있다.
한편, 상기 화학식 16의 반복 단위는 1 내지 1,000번 반복될 수 있다.
상기 아크릴레이트계 수지의 총량에서, 상기 화학식 16으로 표시되는 반복 단위의 함량은 10 내지 40중량%, 15 내지 30중량%, 또는 15 내지 20중량%일 수 있다. 상기 화학식 16으로 표시되는 반복 단위의 함량이 10중량% 미만이면 감도가 낮아질 수 있으며, 40중량% 초과하면 저장안정성이 저하되거나, 도금액에 대한 내성이 저하될 수 있다.
한편, 상기 아크릴레이트계 수지는 하기 화학식 17의 반복 단위를 포함하는 아크릴 수지를 더 포함할 수 있다.
[화학식 17]
Figure pat00005
상기 화학식 17에서,
R21 은 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴이고,
X는 -OH이다.
한편, 화학식 17의 반복 단위는 1 내지 1,000번 반복될 수 있다. 예를 들어, 화학식 17의 반복 단위는 산기(acid group)을 갖는 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 포함된 아크릴 수지가 상기 화학식 17의 반복 단위를 포함함으로 인해, 감도를 향상시키고, 현상 시 속도를 용이하게 조절할 수 있다. 상기 화학식 17의 반복 단위는, 예를 들어, 메타크릴산 아크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산 및 메사콘산으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 아크릴레이트계 수지의 총량에서, 상기 화학식 17로 표시되는 반복 단위의 함량은 5 내지 20중량%, 7 내지 15중량%, 또는 10 내지 15중량%로 포함될 수 있다. 상기 화학식 17의 반복 단위의 함량이 5중량% 미만이면 감도가 저하될 수 있고, 20중량% 초과하면 현상 속도의 제어가 어려울 수 있다.
한편, 상기 아크릴레이트계 수지는 하기 화학식 18의 반복 단위를 포함하는 아크릴 수지를 더 포함할 수 있다.
[화학식 18]
Figure pat00006
상기 화학식 18에서,
R22 은 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴이고,
R23 는 친수성기로 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬, 친수성기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 카보닐, 친수성기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 에테르, 친수성기로 치환된 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬, 친수성기로 치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 6의 헤테로사이클로알킬, 친수성기로 치환된 벤젠, 또는 친수성기로 치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 5의 헤테로아릴일 수 있다.
상기 화학식 18의 반복 단위는 1 내지 1,000번 반복될 수 있다.
상기 화학식 18의 반복 단위는 친수성을 갖는 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 포함된 아크릴레이트계 수지가 상기 화학식 18의 반복 단위를 포함함으로 인해, 도금액 또는 현상액에 대한 습윤성(wettability), 및 기판에 대한 접착성이 향상되고, 포토레지스트 패턴의 크랙을 방지하는 효과가 있다.
상기 화학식 18의 반복 단위는, 예를 들어, 에틸렌글리콜 메틸에테르, (메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸 메타크릴레이트(2-methoxyethyl methacrylate), 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트(2-hydroxyethyl methacrylate), 2-하이드록시프로필 메타크릴레이트(2-hydroxypropyl methacrylate), 2-하이드록시부틸 메타크릴레이트(2-hydroxybutyl methacrylate), 메톡시폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트(methoxypolyethylene glycol methacrylate), 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트(polyethyelene glycol methacrylate), 및 폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트(polypropylene glycol methacrylate)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 아크릴레이트계 수지의 총량에서, 상기 화학식 18로 표시되는 반복 단위의 함량은 10 내지 50중량%, 15 내지 40중량%, 또는 20 내지 25중량%일 수 있다. 상기 화학식 18로 표시되는 반복 단위의 함량이 10중량% 미만이면 감도가 저하될 수 있고, 50중량% 초과하면 도금액에 대한 내성이 저하되거나, 현상 속도의 제어가 어려울 수 있다.
한편, 상기 아크릴레이트계 수지는 하기 화학식 19의 반복 단위를 포함하는 아크릴 수지를 더 포함할 수 있다.
[화학식 19]
Figure pat00007
상기 화학식 19에서,
R24 는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴이고,
R25 는 치환 또는 비치환된 탄소수 20 내지 60의 알킬, 탄소수 1 내지 5의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 60의 사이클로알킬, 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴일 수 있다.
상기 화학식 19의 반복 단위는 1 내지 1,000번 반복될 수 있다. 상기 화학식 19의 반복 단위는 소수성을 갖는 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 포함된 아크릴레이트계 수지가 상기 화학식 19의 반복 단위를 포함함으로 인해, 도금액에 대한 내성을 향상시켜 도금 시 포토레지스트 패턴에 형성되는 크랙 또는 팽윤(swelling) 현상을 방지할 수 있다.
상기 화학식 19의 반복 단위는, 예를 들어, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 1-메틸시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 1-에틸시클로펜틸 (메타)아크릴레이트, 1-에틸시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 1-에틸시클로헵틸 (메타)아크릴레이트, 1-에틸시클로옥틸 (메타)아크릴레이트, 1-에틸시클로데실 (메타)아크릴레이트, 1-에틸시클로도데실 (메타)아크릴레이트, 1-부틸시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 1-이소프로필시클로헵틸 (메타)아크릴레이트, 2,5-디메틸-1-메틸시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 디사이클로펜타닐 메타크릴레이트(Dicyclopentanyl methacrylate), 디사이클로펜테닐 메타크릴레이트(Dicyclopentenyl methacrylate), 아이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 벤질 메타크릴레이트(benzyl methacrylate), 및 페녹시에틸 메타크릴레이트(phenoxyethyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 아크릴레이트계 수지의 총량에서, 상기 화학식 19로 표시되는 반복 단위의 함량은 10 내지 50중량%, 15 내지 40중량%, 또는 20 내지 25중량%일 수 있다. 상기 화학식 19의 반복 단위의 함량이 10중량% 미만이면 도금액에 대한 내성이 저하될 수 있고, 50중량% 초과하면 감도가 떨어지거나 현상 속도의 제어가 어려울 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 아크릴레이트계 수지는 상기 화학식 13 및 14중 선택되는 하나 이상의 반복 단위; 및 상기 화학식 15 내지 19의 반복 단위로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 이때, 상기 화학식 13 및 14중 선택되는 하나 이상의 반복 단위의 함량은, 상기 아크릴레이트계 수지의 총량에서, 10 내지 90중량%, 15 내지 70중량%, 20 내지 60중량%, 또는 20 내지 50중량%일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 포지티브형 포토레지스트 조성물에 포함되는 상기 아크릴레이트계 수지는, 포지티브형 포토레지스트 조성물 총량에서, 10 내지 80중량%, 20 내지 75중량%, 30 내지 70중량%, 또는 40 내지 65중량%로 포함될 수 있다. 상기 아크릴레이트계 수지의 함량이 10중량% 미만이면 조성물의 점도가 너무 낮아 기판과의 밀착력이 저하되어 후막 포토레지스트층이 형성되기 어려울 수 있고, 80중량%를 초과하면 조성물의 점도가 필요 이상으로 높아져 균일한 두께의 코팅을 어렵게 하고 매끄러운 표현의 구현이 어려우며, 원하는 두께의 레지스트층을 형성하기에 문제가 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 아크릴레이트계 수지는 중량평균 분자량이 20,000 내지 400,000, 50,000 내지 200,000, 또는 80,000 내지 150,000의 범위를 가질 수 있다. 상기 중량평균 분자량이 10,000 미만으로 너무 낮으면 필름 특성이 불량해지는 문제가 있고, 300,000을 초과하여 너무 높으면 현상액에 용해도가 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.
상기와 같이 중량평균분자량을 제어함으로써, 지지체와의 박리성이 저하되지 않고 후막 포토레지스트층의 충분한 강도를 유지할 수 있고, 나아가서는 도금시의 프로파일의 부풀어 오름이나, 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 상기 바인더 수지는 예를 들어, 노볼락 수지와 상기 아크릴레이트계 수지의 혼합물일 수도 있고, 폴리히드록시스티렌 수지와 상기 아크릴레이트계 수지의 혼합물일 수도 있으며, 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌 수지 및 상기 아크릴레이트계 수지의 혼합물과 같은 형태일 수도 있다.
한편, 올리고머 화합물은 포지티브형 포토레지스트 조성물 내에 포함되어 용해 억제제의 역할을 수행할 수 있는 것으로서, 상기 고분자 수지 또는 상기 아크릴레이트계 수지와 동일한 반복 단위를 포함하는 것일 수 있다.
구체적으로 본 발명의 일실시예에 따른 올리고머 화합물은 고분자 수지 또는 아크릴레이트계 수지와 동일한 반복 단위를 포함하므로, 상기 바인더 수지와의 사이에서 상용성이 개선된다. 또한 상기 수지와 동일한 반복 단위를 가짐으로써, 상기 수지와 유사한 유리전이온도(Tg) 값을 가지게 되므로 우수한 내열성을 확보하게 되어 노광 전 후에 온도를 높이는 공정에서 유리한 특성을 가질 수 있게 된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 올리고머 화합물의 중량평균분자량은 1,500 내지 5,000 범위, 상세하게는 1,500 내지 3,000 범위 내의 값을 가질 수 있다. 한편, 바인더 수지로서 포함되며 상기 올리고머 화합물과 동일한 반복 단위를 가지는 고분자 수지 또는 아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 상기 올리고머 화합물 중량평균분자량 대비 2 내지 100배 범위 내일 수 있다. 올리고머 화합물이 상기와 같은 중량평균분자량 범위를 가짐으로써 종래 기술 기술에 따른 저분자 형태의 용해억제제와 달리, 도금액 내 포토레지스트 조성물 용출 방지 측면에서도 우수한 특성을 확보할 수 있게 된다.
한편, 상기 올리고머 화합물에는 하나 이상의 작용기를 포함하고, 상기 작용기에는 보호기가 하나 이상 도입된 형태를 가질 수 있다. 상기 보호기는 예를 들어, 아세탈, t-부틸옥시카보닐(tert-Butyloxycarbonyl) 및 t-부틸에스테르(t-butyl ester)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 올리고머 화합물에 포함되는 반복 단위는 하기 화학식 1, 2 및 3으로 표시되는 것 중 하나 이상일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00008
상기 화학식 1에서,
R1, R2는 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고;
상기 n1 및 n2는 정수이며, 0≤n1≤3, 0≤n2≤3;
상기 a 및 b는 정수이고, 0 < a ≤ 80, 20 ≤ b ≤ 50 이다.
[화학식 2]
Figure pat00009
상기 화학식 2에서,
R3, R4는 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고;
상기 n3 및 n4는 정수이며, 0≤n3≤4, 0≤n4≤4;
상기 c 및 d는 정수이고, 0 < c ≤ 80, 20 ≤ d ≤ 50 이다.
[화학식 3]
Figure pat00010
상기 화학식 3에서,
R5, R6, R7 및 R8은 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고;
상기 n5는 정수이며, 0≤n5≤5;
상기 e, f, g 및 h 각각은 독립적으로 0 초과 50 이하의 정수이다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따르면 상기 올리고머 화합물에 포함되는 반복 단위 말단에 하기 화학식 4로 표시되는 사슬이동제(chain transfer agent)가 추가로 도입될 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00011
상기 화학식 4에서,
R9, R10 및 R11은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고,
상기 n6은 정수로서, 1≤n6≤20이다.
상기 사슬이동제가 상기 올리고머 화합물에 포함되는 반복 단위 말단에 도입됨으로써, 물성에 영향을 줄 수 있는 단량체와 다르게 분자량의 크기를 조절하거나 중합도를 조절하는 역할을 수행하기 때문에 물성에 대한 영향이 비교적 적으면서도 올리고머 화합물의 분자량을 조절하기가 더욱 용이해지고, 이에 따라 상기 사용되는 수지와의 상용성이 더욱 우수해지는 효과가 발휘된다.
특히, 상기 사슬이동제가 상기 올리고머 화합물 전체 중량을 기준으로 5 내지 15중량%, 상세하게는 약10중량% 범위 내로 도입되는 경우, 중합체의 물성에 대한 영향을 줄이면서 올리고머 화합물의 분자량 조절이 더욱 용이해지고, 예컨대 현상 속도가 증가하는 효과가 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 사슬이동제는 3-머캅토프로피온산(3-mercapto propionic acid)일 수 있다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 포함되는 올리고머 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00012
상기 e, f, g 및 h 각각은 독립적으로 0 초과 50 이하의 정수이다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 포지티브형 포토레지스트 조성물은 광산발생제를 포함할 수 있다. 광산 발생제로서는, 오늄염에서는 요오드늄염, 설포늄염, 디아조늄염, 암모늄염, 피리디늄염 등을 들 수 있고, 할로겐 함유 화합물에서는 할로알킬 그룹 함유 탄화수소 화합물, 할로알킬 그룹 함유 헤테로사이클릭 화합물 등(할로메틸트리아진 유도체 등)을 들 수 있으며, 디아조케톤 화합물에서는 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등을 들 수 있고, 설폰 화합물에서는 β-케토설폰, β-설포닐설폰 등이, 설폰산 화합물에서는, 알킬설포네이트, 할로알킬설포네이트, 아릴설포네이트, 이미노설포네이트 등을 들 수 있으며, 나프탈이미드 화합물에서는 N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)-1,8-나프탈이미드, N-(p-톨루엔설포닐옥시)-1,8-나프탈이미드, N-(메틸설포닐옥시)-1,8-나프탈이미드, N-(캄포설포닐옥시)-1,8-나프탈이미드 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
구체적으로 상기 광산발생제는 예를 들어 트리아릴설포늄 염(triarylsulfonium salts), 디아릴요오드늄 염(diaryliodonium salts), 설포네이트(sulfonate) 화합물, 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 트리페닐설포늄 안티모네이트(triphenylsulfonium antimonate), 디페닐요오드늄 트리플레이트(diphenyliodonium triflate), 디페닐요오드늄 안티모네이트(diphenyliodonium antimonate), 메톡시 디페닐요오드늄 트리플레이트(methoxydiphenyliodonium triflate), 디-t-부틸요오드늄 트리플레이트(di-t-butyliodonium triflate), 2,6-디니트로벤질 설포네이트(2,6-dinitobenzyl sulfonate), 피로갈롤 트리스(알킬설포네이트)(pyrogallol tris(alkylsulfonate)) 및 숙신산이미딜 트리플레이트(succinimidyl triflate)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
한편, 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물은 산확산 제어제, 부식 방지제 및 용매로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 산확산 제어제는 레지스트 패턴 형상, 노광후 안정성 등의 향상을 위해 포함되는 것일 수 있고, 예를 들어, 트리에틸아민(triethylamine), 트리프로필아민(tripropyl amine), 트리벤질아민(tribenzyl amine), 트리히드록시에틸아민(trihydroxyethyl amine), 및 에틸렌 디아민(ethylene diamine)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 용매는 포토레지스트 조성물의 점도를 제어하기 위해 포함되는 것일 수 있으며, 상기 용매는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르, 모노페닐에테르 등의 다가 알코올류 및 그 유도체; 디옥산 등의 고리형 에테르류; 포름산에틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피루브산에틸, 에톡시아세트산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트 등의 에스테르류; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; 일 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이 본 발명에 따라, 포토레지스트 조성물 내에 포함되는 수지와 동일한 반복 단위 구조를 가지는, 올리고머 형태의 특정 용해 억제제를 상기 조성물에 적용하는 경우, 산에 의해 해리되어 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되며, 수지와의 상용성이 매우 우수하고, 포토레지스트 조성물의 열안정성 또한 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물은 도금 조건에서 도금액의 용출 방지 특성이 매우 우수하다. 따라서, 저장 안정성, 감도, 현상성, 도금액 내성 및 내열성이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공할 수 있게 된다.
포토레지스트 패턴 및 그 제조방법
본 발명의 다른 일실시예에서는 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물로부터 제조된 포토레지스트 패턴을 제공한다. 상기 패턴은 두께가 3 내지 150㎛, 10 내지 130㎛, 50 내지 100㎛, 또는 60 내지 80㎛의 후막인 것일 수 있다. 상기 패턴의 두께가 3㎛ 미만이면 적당한 두께의 범프(bump)를 형성하기 어려울 수 있고, 150㎛ 초과하면 도금 공정 후에 포토레지스트(PR) 페턴을 스트립(strip)하기 어려울 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는 지지체 상에 상기 포토레지스트 조성물로 이루어지는 후막 포토레지스트층을 적층하는 적층 공정; 상기 후막 포토레지스트층에 전자파 또는 입자선을 포함하는 방사선을 조사하는 노광 공정; 및 노광 후의 후막 포토레지스트층을 현상하여 후막 레지스트 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하는 포토레지스트 패턴 제조방법을 제공한다.
상기 지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 이 기판으로는, 실리콘, 질화실리콘, 티탄, 탄탈, 팔라듐, 티탄텅스텐, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나 유리 기판 등일 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 구리, 땜납, 크롬, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용될 수 있다.
먼저, 상기 적층 공정에서는, 상기 포토레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하고, 가열 (프리베이크) 에 의해 용매를 제거함으로써, 후막 포토레지스트층을 형성한다. 지지체 상에 대한 도포 방법으로는, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 채용할 수 있다.
이어서, 상기 노광 공정에서는, 얻어진 후막 포토레지스트층에, 소정 패턴의 마스크를 통해, 전자파 또는 입자선을 포함하는 방사선, 예를 들어 파장 300∼500 ㎚ 의 자외선 또는 가시광선을 선택적으로 조사 (노광) 한다.
방사선의 선원으로는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈할라이드 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있다. 또한, 방사선에는, 마이크로파, 적외선, 가시광선, 자외선, X 선, γ 선, 전자선, 양자선, 중성자선, 이온선 등이 포함된다. 방사선 조사량은 본 발명에 관련된 포토레지스트 조성물의 조성이나 후막 포토레지스트층의 막두께 등에 따라서도 상이한데, 예를 들어 초고압 수은등 사용인 경우, 100∼10000 mJ/㎠ 이다.
노광 후에는, 공지된 방법을 사용하여 가열함으로써 산의 확산을 촉진시켜, 노광 부분의 후막 포토레지스트층의 알칼리 용해성을 변화시킨다.
이어서, 상기 현상 공정에서는, 예를 들어 소정의 알칼리성 수용액을 현상액으로서 사용하여, 불필요한 부분을 용해, 제거하여 소정의 후막 레지스트 패턴을 얻는다.
현상액으로는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노난 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.
현상 시간은, 본 발명에 관련된 포토레지스트 조성물의 조성이나 후막 포토레지스트층의 막두께 등에 따라서도 상이한데, 통상 1∼30 분간이다. 현상 방법은 액 마운팅법, 디핑법, 패들법, 스프레이 현상법 등의 어느 것이어도 된다.
현상 후에는, 유수 세정을 30∼90 초간 실시하고, 에어 건이나, 오븐 등을 사용하여 건조시킨다.
이렇게 하여 얻어진 후막 레지스트 패턴의 비레지스트부 (현상액으로 제거된 부분) 에, 도금 등에 의해 금속 등의 도체를 매립함으로써, 범프나 메탈포스트 등의 접속 단자를 형성할 수 있다. 또, 도금 처리 방법은 특별히 제한되지 않고, 종래부터 공지된 각종 방법을 채용할 수 있다. 도금액으로는, 특히 땜납 도금, 구리 도금, 금 도금, 니켈 도금액이 바람직하게 사용된다. 남아 있는 후막 레지스트 패턴은, 마지막에 정해진 법에 따라 박리액 등을 사용하여 제거한다.
본 발명에 따르면 저장 안정성, 감도, 현상성, 도금액 내성 및 내열성이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공할 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 산에 의해 해리되어 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되며, 수지와의 상용성이 매우 우수하고, 포토레지스트 조성물의 열안정성 또한 향상된다. 또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 도금 조건에서 도금액의 용출 방지 특성이 매우 우수하다.
도 1은 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 범프를 형성하는 공정 프로세스를 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 예시하고 하기에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 통해, 발명의 작용 및 효과를 보다 상술하기로 한다. 다만, 이러한 실시예는 발명의 예시로 제시된 것에 불과하며, 이에 의해 발명의 권리범위가 정해지는 것은 아니다.
< 포토레지스트 조성물 제조예 >
실시예 1
바인더 수지로서 하기 화학식 6으로 표시되는 m,p-크레졸 노볼락 수지(cresol novolac resin)(Mw: 12,000, ADR 500Å/s) 40g, 하기 화학식 8로 표시되는 아크릴 수지 50g(Mw: 65,000); 올리고머 화합물로서 아세탈 그룹으로 보호된 작용기를 가지는 하기 화학식 9의 올리고머 화합물 10g(Mw: 1,500), 광산발생제로서 N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)-1,8-나프탈이미드 3g, 산확산 억제제(quencher)로서 트리히드록시에틸아민을 0.1g 혼합하고, 상온에서 교반하여 균일한 용액으로 제조하여 포지티브형 포토레지스트 조성물을 준비하였다.
[화학식 6]
Figure pat00013
[화학식 8]
Figure pat00014
[화학식 9]
Figure pat00015
실시예 2
실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 준비하되, 용해억제제로서 하기 화학식 11로 표시되는 올리고머 화합물(Mw: 2,500)을 사용한 것만 달리하였다.
[화학식 11]
Figure pat00016
실시예 3
실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 준비하되, 바인더 수지로서 하기 화학식 6으로 표시되는 m,p-크레졸 노볼락 수지(cresol novolac resin)(Mw: 12,000 ADR 500Å/s) 10g, 하기 화학식 7로 표시되는 아세탈 보호된 폴리히드록시스티렌 수지(Mw: 15,300, 치환율:25%) 30g, 하기 화학식 8로 표시되는 아크릴 수지 50g(Mw: 65,000)를 사용한 것만 달리하였다.
[화학식 6]
Figure pat00017
[화학식 7]
Figure pat00018
[화학식 8]
Figure pat00019
실시예 4
실시예 3과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 준비하되, 용해억제제로서 하기 화학식 10으로 표시되는 올리고머 화합물(Mw: 2,500, 치환율 25%)을 사용한 것만 달리하였다.
[화학식 10]
Figure pat00020
실시예 5
실시예 4와 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 준비하되, 바인더 수지로서 하기 화학식 7로 표시되는 아세탈 보호된 폴리히드록시스티렌 수지(Mw: 15,300, 치환율:25%) 30g, 하기 화학식 8로 표시되는 아크릴 수지 60g(Mw: 65,000)를 사용한 것만 달리하였다.
[화학식 7]
Figure pat00021
[화학식 8]
Figure pat00022
비교예 1
실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 준비하되, 용해억제제로서 하기 화학식 12로 표시되는 4,4-[1-[4-[1-(1,4-하이드록시페닐)-1-메틸 에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(TPPA-EV)을 사용한 것만 달리하였다.
[화학식 12]
Figure pat00023
실시예 1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 비교예1
화학식 6
의 수지 		40 40 10 10 40
화학식 7의 수지 30 30 30
화학식 8의 수지 50 50 50 50 60 50
화학식 9의 올리고머 10 10
화학식 10의 올리고머 10 10
화학식 11의 올리고머 10
화학식 12의 TPPA-EVE 10
광산발생제PAG 3 3 3 3 3 3
Quencher 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
평가
(1)감도( 노광량 )
유리 기판 위에 실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조된 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하여 120℃에서 2분 동안 핫플레이트에서 건조한 후, 스텝 마스크를 이용하여 노광하고 100℃에서 2분 동안 핫플레이트에서 추가로 건조한 후에 TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 수용액에서 현상하였다. 스텝 마스크 패턴과 포토레지스트(PR) 패턴의 CD 사이즈가 같은 노광량을 감도로 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타냈다.
( 2)현상성
유리 기판 위에 실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조된 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하여 120℃에서 2분 동안 핫플레이트에서 건조한 후 스텝 마스크를 이용하여 노광하고 100℃에서 2분 동안 핫플레이트에서 추가로 건조한 후에 TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 수용액에서 현상하였다. 후막 레지스트 패턴의 정상부의 홀 직경으로부터 저부의 홀 직경을 줄인 값을 풋팅 길이로서 측정하고, 현상성의 지표로 하였다. 현상성을 하기 기준을 바탕으로 측정하여 그 결과를 표 2에 나타냈다.
◎: 풋팅 길이 0nm 초과 200nm 이내
○: 풋팅 길이 200nm 초과 500nm 이내
△: 풋팅 길이 500nm 초과 1㎛ 이내
X: 풋팅 길이 1㎛ 초과
( 3)도금액 내성
실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조된 포토레지스트 조성물을 기판 위에 스핀 코터를 이용하여 도포한 후, 프리베이크(prebake) 및 포스트베이크(postbake) 등의 공정을 거쳐 형성된 레지스트 막을 Cu 도금액에 상온에서 2시간 동안 담근 후 레지스트 막의 두께의 변화가 있는지 살펴보았다. 두께 변화율을 하기 기준을 바탕으로 측정하여 그 결과를 표 2에 나타냈다.
◎: 두께 변화율 1% 이내
○: 두께 변화율 1% 초과 5% 이내
△: 두께 변화율 5% 초과 10% 이내
X: 두께 변화율 10% 초과
( 4)내열성
유리 기판 위에 실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조된 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하여 120℃에서 2분 동안 핫플레이트에서 건조한 후 스텝 마스크를 이용하여 이용하여 노광하고 100℃에서 2분 동안 핫플레이트에서 추가로 건조한다. 이후, 코팅된 웨이퍼(wafer)를 45°로 20초 동안 기울였다가 TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 수용액에서 현상하였다. 제조된 후막 레지스트 패턴이 옆으로 얼마나 기울어지는지를 측정하여 (패턴 slope의 수직성) 내열성을 평가하고, 하기의 기준에 근거하여 그 결과를 표 2에 나타냈다.
◎: 기울어짐 없음
○: 0° 초과 5° 이내
△: 5° 초과 10° 이내
X: 10° 초과
감도
( 노광량 , mJ/cm 2 ) 		현상성 도금액 내성 내열성
실시예1 420 ○ ○ ◎
실시예2 400 ◎ ◎ ◎
실시예3 360 ◎ ◎ ◎
실시예4 380 ◎ ◎ ◎
실시예5 340 ◎ ◎ ◎
비교예1 480 Δ Δ ○
상기 표 2에 따르면, 본원 실시예 1 내지 5에 따른 포토레지스트 조성물이 비교예 1에 따른 포토레지스트 조성물 대비, 감도, 현상성, 도금액 내성 및 내열성 측면에서 더 양호한 결과를 얻을 수 있다는 점을 확인할 수 있었다.

Claims (11)

  1. 반복 단위에 알칼리 가용성 작용기가 도입된 고분자 수지 및 아크릴레이트계 수지를 포함하는 바인더 수지;
    아세탈, t-부틸옥시카보닐(tert-Butyloxycarbonyl) 및 t-부틸에스테르(t-butyl ester)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 보호기가 작용기에 도입되고, 상기 고분자 수지 또는 아크릴레이트계 수지와 동일한 반복 단위를 포함하는 올리고머 화합물; 및
    광산발생제; 를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 수지는 아크릴 수지, 노볼락 수지 및 폴리히드록시스티렌 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 작용기는 히드록시기 또는 카르복실 산인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물의 중량평균분자량은 1,500 내지 5,000 범위 내인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물에 포함되는 반복 단위는 하기 화학식 1, 2 및 3으로 표시되는 것 중 하나 이상인 포지티브형 포토레지스트 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00024

    상기 화학식 1에서,
    R1, R2는 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고;
    상기 n1 및 n2는 정수이며, 0≤n1≤3, 0≤n2≤3;
    상기 a 및 b는 정수이고, 0 < a ≤ 80, 20 ≤ b ≤ 50 이다.
    [화학식 2]
    Figure pat00025

    상기 화학식 2에서,
    R3, R4는 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고;
    상기 n3 및 n4는 정수이며, 0≤n3≤4, 0≤n4≤4;
    상기 c 및 d는 정수이고, 0 < c ≤ 80, 20 ≤ d ≤ 50 이다.
    [화학식 3]
    Figure pat00026

    상기 화학식 3에서,
    R5, R6, R7 및 R8은 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고;
    상기 n5는 정수이며, 0≤n5≤5이다;
    상기 e, f, g 및 h 각각은 독립적으로 0 초과 50 이하의 정수이다.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물에 포함되는 반복 단위 말단에 하기 화학식 4로 표시되는 사슬이동제(chain transfer agent)가 도입되는 포지티브형 포토레지스트 조성물:
    [화학식 4]
    Figure pat00027

    상기 화학식 4에서,
    R9, R10 및 R11은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 10의 지방족기이고,
    상기 n6은 정수로서, 1≤n6≤20이다.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 사슬이동제는 상기 올리고머 화합물 전체 중량을 기준으로 5 내지 15중량% 범위 내로 도입되는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 사슬이동제는3-머캅토프로피온산(3-mercapto propionic acid)인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 포지티브형 포토레지스트 조성물:
    [화학식 5]
    Figure pat00028

    상기 e, f, g 및 h 각각은 독립적으로 0 초과 50 이하의 정수이다.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 포지티브형 포토레지스트 조성물로부터 제조된 포토레지스트 패턴.
  11. 지지체 상에, 제 1 항 내지 제 9항 중 선택되는 어느 한 항의 포지티브형 포토레지스트 조성물로 이루어지는 후막 포토레지스트층을 적층하는 적층 공정;
    상기 후막 포토레지스트층에, 전자파 또는 입자선을 포함하는 방사선을 조사하는 노광 공정; 및
    노광 후의 상기 후막 포토레지스트층을 현상하여 후막 레지스트 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하는 포토레지스트 패턴 제조방법.
KR1020170097280A 2017-07-31 2017-07-31 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법 KR102134381B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170097280A KR102134381B1 (ko) 2017-07-31 2017-07-31 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
JP2019547134A JP6848154B2 (ja) 2017-07-31 2018-07-25 ポジティブ型フォトレジスト組成物、これから製造されるパターン、およびパターン製造方法
PCT/KR2018/008431 WO2019027181A1 (ko) 2017-07-31 2018-07-25 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
CN201880018047.7A CN110462516B (zh) 2017-07-31 2018-07-25 正性光致抗蚀剂组合物、由其制造的图案和用于制造图案的方法
US16/498,829 US11531268B2 (en) 2017-07-31 2018-07-25 Positive-working photoresist composition, pattern produced therefrom, and method for producing pattern
TW107126255A TWI677762B (zh) 2017-07-31 2018-07-30 正型光阻組成物、使用該組成物的光阻圖案及光阻圖案的製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170097280A KR102134381B1 (ko) 2017-07-31 2017-07-31 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190013147A true KR20190013147A (ko) 2019-02-11
KR102134381B1 KR102134381B1 (ko) 2020-07-15

Family

ID=65232771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170097280A KR102134381B1 (ko) 2017-07-31 2017-07-31 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11531268B2 (ko)
JP (1) JP6848154B2 (ko)
KR (1) KR102134381B1 (ko)
CN (1) CN110462516B (ko)
TW (1) TWI677762B (ko)
WO (1) WO2019027181A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029118A (ko) * 1998-10-16 2000-05-25 무네유키 가코우 포지티브형 전자빔 또는 엑스레이 레지스트 조성물
KR20050058203A (ko) * 2003-12-11 2005-06-16 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 반도체 리소그래피용 공중합체의 제조 방법 및 상기방법으로 수득가능한 반도체 리소그래피용 공중합체
KR20120030994A (ko) * 2009-06-23 2012-03-29 후지필름 가부시키가이샤 화학증폭형 레지스트 조성물, 이것을 사용한 몰드의 제조방법, 및 레지스트막

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0654384B2 (ja) 1985-08-09 1994-07-20 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
JP2711590B2 (ja) 1990-09-13 1998-02-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05173333A (ja) 1991-12-20 1993-07-13 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
US5372912A (en) * 1992-12-31 1994-12-13 International Business Machines Corporation Radiation-sensitive resist composition and process for its use
JP3427133B2 (ja) * 1993-06-01 2003-07-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料
JPH0954437A (ja) 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
JP3939437B2 (ja) 1998-05-25 2007-07-04 富士フイルム株式会社 平版印刷版の製版方法
CN1688939A (zh) 2002-10-15 2005-10-26 出光兴产株式会社 光致抗蚀剂基材及其精制方法、和光致抗蚀剂组合物
JP2004138758A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Mitsubishi Chemicals Corp 感光性樹脂組成物及び画像形成材
JP4153912B2 (ja) 2002-10-23 2008-09-24 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物
JP4318946B2 (ja) * 2003-04-07 2009-08-26 東京応化工業株式会社 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法
EP1642932B1 (en) 2003-07-08 2012-03-21 Kaneka Corporation Curing composition
KR100667791B1 (ko) 2005-01-13 2007-01-11 삼성전자주식회사 전자사진 화상형성장치용 토너
US7524606B2 (en) 2005-04-11 2009-04-28 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite photoresist composition for imaging thick films
JP4937594B2 (ja) * 2006-02-02 2012-05-23 東京応化工業株式会社 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法
KR20090026077A (ko) 2007-09-06 2009-03-11 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 포지티브형 포토레지스트 조성물, 적층체 및 패턴 형성 방법
JP2009063824A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法
KR101048329B1 (ko) 2008-10-06 2011-07-14 주식회사 엘지화학 우레탄계 다관능성 모노머, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물
KR20110046762A (ko) 2009-10-29 2011-05-06 동우 화인켐 주식회사 고내열성 포지티브 포토레지스트 조성물
JP5698184B2 (ja) * 2011-09-02 2015-04-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR101912158B1 (ko) 2011-09-22 2018-10-26 후지필름 가부시키가이샤 포지티브형 감광성 아크릴 수지 및 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP5358005B2 (ja) 2011-09-22 2013-12-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性アクリル樹脂およびポジ型感光性樹脂組成物
JP5814103B2 (ja) * 2011-12-16 2015-11-17 東京応化工業株式会社 厚膜ホトレジストパターンの製造方法
JP6438645B2 (ja) 2013-09-26 2018-12-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、及び電子デバイスの製造方法
KR101491975B1 (ko) 2014-03-14 2015-02-11 (주)휴넷플러스 화학 증폭형 포지티브 감광성 경화 수지 조성물, 이를 이용한 경화막의 제조 방법 및 경화막을 포함하는 전자소자
JP6432170B2 (ja) 2014-06-09 2018-12-05 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR20150145713A (ko) 2014-06-20 2015-12-30 주식회사 엘지화학 화학 증폭형 후막 포토레지스트용 용해 억제제, 이를 포함한 포토레지스트 조성물, 및 이를 사용한 소자의 패터닝 방법
CN107206770B (zh) 2014-11-18 2020-09-08 汉高股份有限及两合公司 光固化粘合剂组合物、其制备及其用途
CN107207456B (zh) 2015-02-02 2021-05-04 巴斯夫欧洲公司 潜酸及其用途
JP6783540B2 (ja) * 2015-03-31 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6910108B2 (ja) 2015-03-31 2021-07-28 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
WO2016203890A1 (ja) 2015-06-15 2016-12-22 富士フイルム株式会社 硬化性組成物、硬化性組成物の製造方法、膜、赤外線カットフィルタ、赤外線透過フィルタ、パターン形成方法および装置
JP2021182042A (ja) * 2020-05-18 2021-11-25 東京応化工業株式会社 化学増幅型感光性組成物、感光性ドライフィルム、パターン化されたレジスト膜の製造方法、めっき造形物の製造方法、化合物、及び化合物の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029118A (ko) * 1998-10-16 2000-05-25 무네유키 가코우 포지티브형 전자빔 또는 엑스레이 레지스트 조성물
KR20050058203A (ko) * 2003-12-11 2005-06-16 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 반도체 리소그래피용 공중합체의 제조 방법 및 상기방법으로 수득가능한 반도체 리소그래피용 공중합체
KR20120030994A (ko) * 2009-06-23 2012-03-29 후지필름 가부시키가이샤 화학증폭형 레지스트 조성물, 이것을 사용한 몰드의 제조방법, 및 레지스트막

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019027181A1 (ko) 2019-02-07
US20210011379A1 (en) 2021-01-14
JP2020514804A (ja) 2020-05-21
KR102134381B1 (ko) 2020-07-15
TW201910922A (zh) 2019-03-16
CN110462516A (zh) 2019-11-15
CN110462516B (zh) 2023-01-17
US11531268B2 (en) 2022-12-20
JP6848154B2 (ja) 2021-03-24
TWI677762B (zh) 2019-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4029556B2 (ja) 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP4983798B2 (ja) 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP4640051B2 (ja) 絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物および絶縁膜の製造方法
JPWO2006006581A1 (ja) 感光性絶縁樹脂組成物、その硬化物およびその用途
KR20080017265A (ko) 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는전자 부품
JP4153912B2 (ja) 化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物
US11003077B2 (en) Positive photoresist composition, photoresist pattern using the same, and manufacturing method of the photoresist pattern
US7879525B2 (en) Chemically amplified photoresist composition, laminated product, and connection element
JP4306267B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物およびその硬化物
JP2003114531A (ja) 厚膜用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト基材およびこれを用いたバンプ形成方法
JP4821602B2 (ja) ネガ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP4440600B2 (ja) 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物
KR101476498B1 (ko) 아크릴레이트 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물
KR102134381B1 (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
JP2007056109A (ja) 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
KR102242548B1 (ko) 포토레지스트 조성물
JP2007056108A (ja) 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
KR102321688B1 (ko) 감광성 조성물
JP2007241312A (ja) 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
CN113508337A (zh) 感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法、及镀敷造形物的制造方法
JP2004251985A (ja) ネガ型感光性樹脂組成物及び画像形成材
JP2004109409A (ja) ネガ型感光性組成物及び画像形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant