KR20180131970A - 부채형 웨이퍼편의 가공 방법 - Google Patents

부채형 웨이퍼편의 가공 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대구경 웨이퍼를 효율적으로 가공 가능한 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼를 4등분으로 분할한 1/4 웨이퍼편의 형상에 맞춘 가공 이송량으로 가공하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법으로서, 결정 방위를 미리 정해진 방향에 위치 부여한 1/4 웨이퍼편을 척테이블의 유지면에 의해 유지한 경우, 외주의 원호의 위치가 상이한 1/4 웨이퍼편의 4 패턴의 형상과, 4 패턴의 형상에 대응한 가공 이송량의 정보를 수집하는 정보 수집 단계와, 결정 방위를 미리 정해진 방향에 위치 부여한 1/4 웨이퍼편을 척테이블의 유지면에 의해 유지하고, 1/4 웨이퍼편의 2개의 변을 종횡의 변으로 하는 정방형의 영역을 산출하고, 촬상 유닛에 의해 각 변을 촬상하여 타겟 패턴의 유무를 탐색하고, 타겟 패턴의 유무로부터 4 패턴의 어느 패턴에 해당하는지를 선택하는 패턴 선택 단계와, 유지한 1/4 웨이퍼편을 선택한 패턴에 대응한 가공 이송량으로 분할 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 단계를 포함한다.

Description

부채형 웨이퍼편의 가공 방법{MACHINING METHOD OF A FLABELLIFORM WAFER PIECE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 광디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼를 4등분으로 분할한 부채형 웨이퍼편(wafer piece)의 가공 방법에 관한 것이다.
표면에 복수의 반도체 디바이스가 형성된 실리콘 웨이퍼, LED 등의 복수의 광디바이스가 형성된 사파이어 웨이퍼, SiC 웨이퍼 등의 웨이퍼는, 원판형으로 형성되어 있다.
각 디바이스는, 서로 직교하는 복수의 분할 예정 라인(스트리트)에 의해 구획되고, 분할 예정 라인을 따라서 절삭 블레이드에 의해 절삭되거나(절삭 장치), 레이저빔에 의해 어블레이션 가공이나 내부 가공에 의한 개질층이 형성되고(레이저 가공 장치), 웨이퍼가 개개의 디바이스칩으로 분할된다.
최근, 디바이스칩의 소형화 및 웨이퍼의 대구경화에 의해, 웨이퍼 1장당의 가공 시간이 길어지는 경향이 있다. 그 때문에, 예컨대 1장의 웨이퍼를 4등분으로 분할하고, 각각을 별도의 가공 장치로 가공하는 공정이 선택되는 경우가 있다. 그 경우, 다음 공정으로 계속적으로 칩을 보낼 수 있기 때문에, 공정 전체가 효율적으로 진행된다고 하는 효과가 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-39725호 공보
그러나, 1장의 웨이퍼를 4등분하여 생긴 1/4 웨이퍼편(부채형 웨이퍼편)을 다이싱하는 경우, 1/4 웨이퍼편의 형상에 따른 가공 이송량으로 하지 않으면, 가공 시간을 단축할 수 없다는 과제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 대구경 웨이퍼를 효율적으로 가공 가능한 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 서로 직교하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 표면의 각 영역에 각각 디바이스가 형성되고 외주에 결정 방위를 나타내는 노치를 갖는 원판형의 웨이퍼가, 상기 분할 예정 라인을 따라서 4등분으로 분할된 부채형의 1/4 웨이퍼편을 상기 분할 예정 라인을 따라서 가공할 때에, 상기 1/4 웨이퍼편의 형상에 맞춘 가공 이송량으로 가공하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법으로서, 상기 결정 방위를 미리 정해진 방향에 위치 부여한 상기 1/4 웨이퍼편을 척테이블의 유지면에 의해 유지한 경우, 외주의 원호의 위치가 상이한 상기 1/4 웨이퍼편의 4 패턴의 형상과, 상기 4 패턴의 형상에 대응한 가공 이송량의 정보를 수집하는 정보 수집 단계와, 상기 1/4 웨이퍼편의 이면을 외주부가 고리형 프레임에 장착된 다이싱 테이프에 접착하여 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 단계와, 상기 웨이퍼 유닛 형성 단계를 실시한 후, 상기 웨이퍼 유닛의 상기 1/4 웨이퍼편을 다이싱 테이프를 통해 가공 장치의 척테이블에 의해 흡인 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 단계를 실시한 후, 상기 가공 장치의 촬상 유닛에 의해 상기 1/4 웨이퍼편을 촬상하고, 상기 디바이스에 형성되어 있는 타겟 패턴에 기초하여 제1 방향으로 신장된 상기 분할 예정 라인을 가공 이송 방향으로 정렬시키는 얼라인먼트 단계와, 상기 얼라인먼트 단계를 실시한 후, 상기 척테이블에 의해 유지한 상기 1/4 웨이퍼편이 상기 4 패턴의 어느 패턴에 해당하는지를 선택하는 패턴 선택 단계와, 상기 패턴 선택 단계를 실시한 후, 상기 척테이블에 의해 유지한 상기 1/4 웨이퍼편을 상기 선택한 패턴에 대응한 상기 가공 이송량으로 상기 분할 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 패턴 선택 단계는, 상기 1/4 웨이퍼편의 2개의 변을 종횡의 변으로 하는 정방형의 영역을 산출하고, 상기 촬상 유닛에 의해 상기 정방형의 4개의 각 변의 중앙에서 상기 디바이스 중의 타겟 패턴을 탐색하고, 상기 1/4 웨이퍼편의 2개의 변으로부터 상기 타겟 패턴을 검출하는 타겟 패턴 검출 단계와, 상기 타겟 패턴이 검출된 변의 위치로부터, 상기 1/4 웨이퍼편이 4등분으로 분할되기 전의 XY 직교 좌표계에서 웨이퍼의 제1 상한(象限), 제2 상한, 제3 상한, 제4 상한 중 어느 상한에 해당하는지를 선택하는 선택 단계를 포함한다.
본 발명의 가공 방법에 의하면, 형상 인식용의 큰 영역을 인식하는 전용 장치를 필요로 하지 않고, 1/4 웨이퍼편의 방향을 타겟 패턴을 검출함으로써 인덱싱할 수 있어, 가공 이송량을 자동적으로 최적화할 수 있다는 효과를 나타낸다.
도 1은 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 1/4 웨이퍼편의 4 패턴을 나타내는 웨이퍼 유닛의 평면도이다.
도 3은 가공 이송량을 모식적으로 나타내는 웨이퍼 유닛의 평면도이다.
도 4는 패턴 선택 단계를 설명하는 웨이퍼 유닛의 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명 실시형태에 관한 절삭 장치의 사시도가 나타나 있다. 절삭 장치(2)는 지지 베이스(4)를 포함하고 있고, 지지 베이스(4)의 상면에는, X축 방향(가공 이송 방향)으로 긴 직사각형의 개구(4a)가 형성되어 있다.
이 개구(4a) 내에는, X축 이동 테이블(6)과, 상기 X축 이동 테이블(6)을 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 기구(도시되지 않음)와, X축 이동 기구를 덮는 방진 방적 커버(8)가 설치되어 있다. 상기 X축 이동 기구는, X축 방향으로 평행한 한쌍의 X축 가이드 레일(도시되지 않음)을 포함하고 있고, X축 가이드 레일에는, X축 이동 테이블(6)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
X축 이동 테이블(6)의 하면측에는 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일에 평행한 X축 볼나사(도시되지 않음)가 나사 결합되어 있다. X축 볼나사의 일단부에는 X축 펄스 모터(도시되지 않음)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터로 X축 볼나사를 회전시키면, 이동 테이블(6)은 X축 가이드 레일을 따라서 X축 방향으로 이동한다.
X축 이동 테이블(6) 위에는, 피가공물을 흡인, 유지하기 위한 척테이블(10)이 설치되어 있다. 척테이블(10)은, 모터 등의 회전 구동원(도시되지 않음)에 연결되어 있고, Z축 방향(수직 방향)에 대략 평행한 회전축의 주위에 회전한다. 또한, 척테이블(10)은, 전술한 X축 이동 기구에 의해 X축 방향으로 가공 이송된다.
척테이블(10)의 표면(상면)은, 피가공물을 흡인, 유지하는 유지면(10a)으로 되어 있다. 이 유지면(10a)은, 척테이블(10)의 내부에 형성된 유로(도시되지 않음)를 통해 흡인원(도시되지 않음)에 접속되어 있다. 척테이블(10)의 주위에는, 피가공물을 고정하기 위한 클램프(10b)가 설치되어 있다.
피가공물은, 예컨대 반도체 웨이퍼이며, 고리형 프레임에 유지된 테이프 위에 접착되어 고리형 프레임과 일체로 취급된다. 고리형 프레임과 테이프를 이용하여 피가공물을 취급하면, 반송할 때에 생기는 충격 등으로부터 상기 피가공물을 보호할 수 있다. 또한, 상기 테이프를 확장하면, 절삭 가공된 피가공물을 분할하거나, 분할후의 칩의 간격을 넓히거나 할 수 있다. 또, 고리형 프레임과 테이프를 사용하지 않고, 피가공물을 단독으로 절삭 가공해도 좋다.
개구(4a)로부터 떨어진 장치 베이스(4)의 전방의 모서리부에는, 장치 베이스(4)로부터 측방으로 돌출된 돌출부(12)가 설치되어 있다. 돌출부(12)의 내부에는 공간이 형성되어 있고, 이 공간에는, 승강 가능한 카세트 엘리베이터(16)가 설치되어 있다. 카세트 엘리베이터(16)의 상면에는, 복수의 피가공물을 수용 가능한 카세트(18)가 배치된다.
개구(4a)에 근접하는 위치에는, 전술한 피가공물을 척테이블(10)로 반송하는 반송 유닛(도시되지 않음)이 설치되어 있다. 반송 유닛에 의해 카세트(18)로부터 인출된 피가공물은, 척테이블(10)의 유지면(10a)에 배치된다.
장치 베이스(4)의 상면에는, 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛(14)을 지지하는 지지 구조(20)가, 개구(4a)의 상측으로 연장되도록 배치되어 있다. 지지 구조(20)의 전면 상부에는, 절삭 유닛(14)을 Y축 방향(인덱싱 이송 방향) 및 Z축 방향으로 이동시키는 절삭 유닛 이동 기구(22)가 설치되어 있다.
절삭 유닛 이동 기구(22)는, 지지 구조(20)의 전면에 배치되고 Y축 방향으로 평행한 한쌍의 Y축 가이드 레일(24)을 포함하고 있다. Y축 가이드 레일(24)에는, 절삭 유닛 이동 기구(22)를 구성하는 Y축 이동 플레이트(26)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다. Y축 이동 플레이트(26)의 이면측(후면측)에는 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(24)에 평행한 Y축 볼나사(28)가 나사 결합되어 있다.
Y축 볼나사(28)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(도시되지 않음)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터로 Y축 볼나사(28)를 회전시키면, Y축 이동 플레이트(26)는 Y축 가이드 레일(24)을 따라서 Y축 방향으로 이동한다.
Y축 이동 플레이트(26)의 표면(전면)에는, Z축 방향으로 평행한 한쌍의 Z축 가이드 레일(30)이 설치되어 있다. Z축 가이드 레일(30)에는, Z축 이동 플레이트(32)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(32)의 이면측(후면측)에는 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(30)에 평행한 Z축 볼나사(34)가 나사 결합되어 있다. Z축 볼나사(34)의 일단부에는 Z축 펄스 모터(36)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(36)로 Z축 볼나사(34)를 회전시키면, Z축 이동 플레이트(32)가 Z축 가이드 레일(30)을 따라서 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 이동 플레이트(32)의 하부에는, 피가공물을 가공하는 절삭 유닛(14)과, 촬상 유닛(38)이 고정되어 있다. 절삭 유닛 이동 기구(22)에 의해, Y축 이동 플레이트(26)를 Y축 방향으로 이동시키면, 절삭 유닛(14) 및 촬상 유닛(38)은 인덱싱 이송되고, Z축 이동 플레이트(32)를 Z축 방향으로 이동시키면, 절삭 유닛(14) 및 촬상 유닛(38)은 승강한다.
참조번호 40은 세정 유닛이며, 절삭 유닛(14)에 의해 절삭 가공이 실시된 피가공물은, 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 척테이블(10)로부터 세정 유닛(40)으로 반송된다. 세정 유닛(40)은, 통형상의 세정 공간 내에서 피가공물을 흡인 유지하는 스피너 테이블(42)을 포함하고 있다. 스피너 테이블(42)의 하부에는, 스피너 테이블(42)을 미리 정해진 속도로 회전시키는 모터 등의 회전 구동원이 연결되어 있다.
스피너 테이블(42)의 상측에는, 피가공물을 향해 세정용 유체(대표적으로는, 물과 에어를 혼합한 이류체)를 분사하는 분사 노즐(44)이 설치되어 있다. 피가공물을 유지한 스피너 테이블(42)을 회전시키면서 분사 노즐(44)로부터 세정용 유체를 분사하면, 절삭 가공후의 피가공물을 세정할 수 있다. 세정 유닛(40)에 의해 세정된 피가공물은, 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 카세트(18) 내에 수용된다.
본 발명 실시형태에 관한 부채형 웨이퍼편의 가공 방법에서는, 우선 도 1에 나타낸 바와 같은 절삭 장치(2)를 사용하여, 원판형의 웨이퍼를 4등분으로 분할한다. 잘 알려진 바와 같이, 웨이퍼의 표면에는 서로 직교하는 복수의 분할 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성되어 있고, 웨이퍼의 외주에는 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 노치가 형성되어 있다.
웨이퍼를 4등분으로 분할하면, 웨이퍼는 XY 직교 좌표계에서 제1 상한의 웨이퍼편(11A), 제2 상한의 웨이퍼편(11B), 제3 상한의 웨이퍼편(11C) 및 제4 상한의 웨이퍼편(11D)으로 분할된다.
도 2를 참조하면, 사분할된 부채형 웨이퍼편의 이면을 외주부가 고리형 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착한 웨이퍼 유닛(21A, 21B, 21C, 21D)의 평면도가 나타나 있다.
도 2의 (A)는, 제1 상한의 1/4 웨이퍼편(11A)을 다이싱 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)으로 지지하는 웨이퍼 유닛(21A)의 평면도, 도 2의 (B)는 제2 상한의 1/4 웨이퍼편(11B)을 고리형 프레임(F)으로 지지하는 웨이퍼 유닛(21B)의 평면도이다.
도 2의 (C)는 제3 상한의 1/4 웨이퍼편(11C)을 고리형 프레임(F)으로 지지하는 웨이퍼 유닛(21C)의 평면도, 도 2의 (D)는 제4 상한의 1/4 웨이퍼편(11D)을 고리형 프레임(F)으로 지지하는 웨이퍼 유닛(21D)의 평면도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 1/4 웨이퍼편(11A∼11D)은 4 패턴 있고, 도시한 실시형태에서는, 제3 상한의 1/4 웨이퍼편(11C)과 제4 상한의 1/4 웨이퍼편(11D)은 노치(17) 부분에서 분할된 노치(17)의 이지러짐이 있다.
본 발명 실시형태의 부채형 웨이퍼편의 가공 방법에서는, 결정 방위를 미리 정해진 방향에 위치 부여한 1/4 웨이퍼편(11A∼11D)을 척테이블(10)의 유지면(10a)에 의해 유지한 경우, 외주의 원호의 위치가 상이한 1/4 웨이퍼편(부채형 웨이퍼편)의 4 패턴의 형상과, 이 4 패턴의 형상에 대응한 가공 이송량의 정보를 수집하는 정보 수집 단계를 실시한다.
이 정보 수집 단계를 웨이퍼의 결정 방위를 미리 정해진 방향에 위치 부여한 상태로 실시하는 것은, 촬상 유닛(38)에 의한 디바이스(15)에 형성된 타겟 패턴의 검출 정밀도가 결정 방위로부터 10° 정도로 한정적이기 때문이며, 그 때문에 도 2에 나타낸 바와 같은, 1/4 웨이퍼편의 4 패턴의 형상(11A∼11D)을 사분할된 상태로 다이싱 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)으로 지지하는 웨이퍼 유닛(21A∼21D)을 4종류 형성할 필요가 있다.
이 정보 수집 단계는, 1/4 웨이퍼편(11A∼11D)의 가공을 시작하기 전에 미리 수집하여, 가공 장치의 컨트롤러의 메모리에 저장해 둔다. 미리 수집하는 가공 이송량에 관해, 도 3을 참조하여 설명한다.
웨이퍼 유닛(21A)은, 제1 상한의 1/4 웨이퍼편(11A)을 다이싱 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)으로 지지한 웨이퍼 유닛이며, 1/4 웨이퍼편(11A)의 제1방향으로 신장된 분할 예정 라인(13)을 가공할 때의 가공량(23a)은, Y축 방향으로 갈수록 원호를 따라서 점차 감소하도록 설정하고, 이 설정한 가공량(23a)의 값을 컨트롤러의 메모리에 저장한다.
제2 방향으로 신장된 분할 예정 라인(13)을 가공할 때의 가공량도, 척테이블(10)을 반시계 방향 방향으로 90° 회전시켜 가공한다고 상정하여, 제2 방향으로 신장된 분할 예정 라인(13)의 가공량(23b)을 인덱싱 이송 방향으로 갈수록 원호를 따라서 점차 감소하도록 설정하고, 이 가공량(23b)의 정보를 컨트롤러의 메모리에 저장한다.
제2 상한의 1/4 웨이퍼편(11B), 제3 상한의 1/4 웨이퍼편(11C) 및 제4 상한의 1/4 웨이퍼편(11D)에 관해서도, 1/4 웨이퍼편의 형상에 대응한 가공 이송량의 정보를 컨트롤러의 메모리에 저장한다.
이하의 설명에서는, 제1 상한의 1/4 웨이퍼편(11A)을 다이싱 테이프(T)를 통해 고리형 프레임(F)으로 지지한 형태의 웨이퍼 유닛(21A)에 관해 주로 설명한다. 본 실시형태의 부채형 웨이퍼편의 가공 방법에서는, 웨이퍼 유닛 형성 단계 및 정보 수집 단계를 실시한 후, 웨이퍼 유닛(21A)의 1/4 웨이퍼편(11A)을 다이싱 테이프(T)를 통해 절삭 장치(2)의 척테이블(10)에 의해 흡인 유지하는 유지 단계를 실시한다.
이와 같이 1/4 웨이퍼편(11A)을 다이싱 테이프(T)를 통해 척테이블(10)에 의해 흡인 유지한 상태로, 절삭 장치(2)의 촬상 유닛(38)에 의해 1/4 웨이퍼편(11A)을 촬상하고, 각 디바이스(15)에 형성되어 있는 타겟 패턴에 기초하여 제1 방향으로 신장된 분할 예정 라인(13)을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 정렬시키는 얼라인먼트 단계를 실시한다.
이 얼라인먼트 단계에서는, X축 방향으로 떨어진 디바이스(15) 중의 타겟 패턴을 연결한 직선이 X축 방향과 평행해지도록 척테이블(10)을 θ 회전시키고, 인접하는 분할 예정 라인의 중심과 타겟 패턴 사이의 거리만큼 절삭 유닛(14)을 Y축 방향으로 이동시켜, 절삭해야 할 분할 예정 라인(13)과 절삭 유닛(14)의 절삭 블레이드를 X축 방향으로 정렬시킨다.
얼라인먼트 단계를 실시한 후, 유지한 1/4 웨이퍼가 4 패턴의 어느 패턴에 해당하는지를 선택하는 패턴 선택 단계를 실시한다. 이 패턴 선택 단계에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 1/4 웨이퍼편(11A)의 직교하는 2변(27a, 27b)을 포함하는 정방형(25)을 산출한다.
변(27c 및 27d)은 가상적으로 묘화한 정방형(25)의 다른 2변이다. 이와 같이 가상적으로 정방형(25)을 산출한 후, 각 변(27a∼27d)의 개략 중앙 부분에 타겟 패턴 탐색 구역(29)을 설정한다.
각 변(27a∼27d)으로 설정한 타겟 패턴 탐색 구역(29)을 촬상 유닛(38)에 의해 촬상하여, 타겟 패턴의 유무를 확인한다. 변(27a 및 27b)의 타겟 패턴 탐색 구역(29)에서는, 디바이스(15)에 설정된 타겟 패턴이 있다고 확인된다.
한편, 가상의 변(27c, 27d)으로 설정된 타겟 패턴 탐색 구역(29)에서는, 이 타겟 패턴 탐색 구역(29)에 디바이스가 존재하지 않기 때문에, 타겟 패턴 없음으로 검출된다. 이 검출 결과로부터, 도 4에 나타낸 1/4 웨이퍼편(11A)은 제1 상한의 웨이퍼편(11A)으로 선택된다(패턴 선택 단계).
제2 상한의 1/4 웨이퍼편(11B), 제3 상한의 1/4 웨이퍼편(11C) 및 제4 상한의 1/4 웨이퍼편(11D)에 관해서도, 동일한 방법으로 패턴이 선택된다. 도 4에서 화살표 X1은 가공 이송 방향을 나타내고 있고, 화살표 Y1은 인덱싱 이송 방향을 나타내고 있다.
즉, 패턴 선택 단계는, 1/4 웨이퍼편의 2개의 변을 종횡의 변으로 하는 정방형(25)의 영역을 산출하고, 촬상 유닛(38)에 의해 정방형(25)의 4개의 변(27a∼27d)의 개략 중앙 부분에서 디바이스 중의 타겟 패턴을 탐색하고, 1/4 웨이퍼편의 2개의 변으로부터 타겟 패턴을 검출하는 타겟 패턴 검출 단계와, 타겟 패턴이 검출된 변의 위치로부터, 1/4 웨이퍼편이 4등분으로 분할되기 전의 웨이퍼의 XY 직교 좌표계에서 웨이퍼의 제1 상한, 제2 상한, 제3 상한, 제4 상한의 어느 상한에 해당하는지를 선택하는 선택 단계를 포함한다.
패턴 선택 단계를 실시한 후, 척테이블(10)에 의해 유지한 1/4 웨이퍼편을 선택한 패턴에 대응한 가공 이송량으로 분할 예정 라인(13)을 따라서 절삭 유닛(14)의 절삭 블레이드에 의해 절삭하는 가공 단계를 실시한다.
이 가공 단계에서는, 정보 수집 단계에서 4 패턴의 형상에 대응한 가공 이송량의 정보가 미리 컨트롤러의 메모리에 저장되어 있기 때문에, 가공 이송량을 자동적으로 최적화할 수 있어, 효율적인 가공을 실시할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 1/4 웨이퍼편(부채형 웨이퍼편)(11A∼11D)을 절삭 장치(2)의 절삭 블레이드에 의해 절삭하고 있지만, 절삭 장치(2) 대신에 레이저 가공 장치를 채용하고, 분할 예정 라인(13)을 따라서 레이저빔을 조사하여 어블레이션 가공 또는 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하는 내부 가공을 실시하도록 해도 좋다.
2 : 절삭 장치
10 : 척테이블
11A∼11D : 1/4 웨이퍼편
13 : 분할 예정 라인
14 : 절삭 유닛
15 : 디바이스
17 : 노치
21A∼21D : 웨이퍼 유닛
23a, 23b : 가공 이송량
25 : 가상 정방형
27a, 27b : 변
27c, 27d : 가상 정방형의 변
29 : 타겟 패턴 탐색 구역
38 : 촬상 유닛

Claims (4)

  1. 서로 직교하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면의 각 영역에 각각 디바이스가 형성되고 외주에 결정 방위를 나타내는 노치를 갖는 원판형의 웨이퍼가, 상기 분할 예정 라인을 따라서 4등분으로 분할된 부채형의 1/4 웨이퍼편(wafer piece)을 상기 분할 예정 라인을 따라서 가공할 때에, 상기 1/4 웨이퍼편의 형상에 맞춘 가공 이송량으로 가공하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법으로서,
    상기 결정 방위를 미리 정해진 방향에 위치 부여한 상기 1/4 웨이퍼편을 척테이블의 유지면에 의해 유지한 경우, 외주의 원호의 위치가 상이한 상기 1/4 웨이퍼편의 4 패턴의 형상과, 상기 4 패턴의 형상에 대응한 가공 이송량의 정보를 수집하는 정보 수집 단계와,
    상기 1/4 웨이퍼편의 이면을 외주부가 고리형 프레임에 장착된 다이싱 테이프에 접착하여 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 단계와,
    상기 웨이퍼 유닛 형성 단계를 실시한 후, 상기 웨이퍼 유닛의 상기 1/4 웨이퍼편을 다이싱 테이프를 통해 가공 장치의 척테이블에 의해 흡인 유지하는 유지 단계와,
    상기 유지 단계를 실시한 후, 상기 가공 장치의 촬상 유닛에 의해 상기 1/4 웨이퍼편을 촬상하고, 상기 디바이스에 형성되어 있는 타겟 패턴에 기초하여 제1 방향으로 신장된 상기 분할 예정 라인을 가공 이송 방향으로 정렬시키는 얼라인먼트 단계와,
    상기 얼라인먼트 단계를 실시한 후, 상기 척테이블에 의해 유지된 상기 1/4 웨이퍼편이 상기 4 패턴의 어느 패턴에 해당하는지를 선택하는 패턴 선택 단계와,
    상기 패턴 선택 단계를 실시한 후, 상기 척테이블에 의해 유지된 상기 1/4 웨이퍼편을 상기 선택된 패턴에 대응한 상기 가공 이송량으로 상기 분할 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 단계
    를 포함한 것을 특징으로 하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴 선택 단계는,
    상기 1/4 웨이퍼편의 2개의 변을 종횡의 변으로 하는 정방형의 영역을 산출하고, 상기 촬상 유닛에 의해 상기 정방형의 4개의 각 변의 중앙에서 상기 디바이스 중의 타겟 패턴을 탐색하고, 상기 1/4 웨이퍼편의 2개의 변으로부터 상기 타겟 패턴을 검출하는 타겟 패턴 검출 단계와,
    상기 타겟 패턴이 검출된 변의 위치로부터, 상기 1/4 웨이퍼편이 4등분으로 분할되기 전의 XY 직교 좌표계에서 웨이퍼의 제1 상한(象限), 제2 상한, 제3 상한, 제4 상한 중 어느 상한에 해당하는지를 선택하는 선택 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가공 단계에서는, 상기 분할 예정 라인이 절삭 장치의 절삭 블레이드에 의해 절삭되는 것을 특징으로 하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가공 단계에서는, 상기 분할 예정 라인을 따라서 레이저빔을 조사하여 가공하는 것을 특징으로 하는 부채형 웨이퍼편의 가공 방법.
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