KR20170141279A - 코팅제 - Google Patents

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KR20170141279A
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다이키 야마테
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닛뽕소다 가부시키가이샤
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Abstract

플라스틱 기재와의 밀착성이 우수하고, 투명성과 고굴절률을 갖는 층을 형성할 수 있는 코팅제를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 코팅제는 식 (I)
Figure pat00037

[식 중, A 는 치환기로서 전자 공여성기를 가져도 되는 페닐기, 나프틸기를 나타낸다. Z 는 탄소 원자 또는 규소 원자, R2 는 수소 원자, 수산기, 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 직사슬 혹은 분기의 알콕시기, 고리형 알킬기, 또는 고리형 알콕시기, X 는 단결합 ; 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR-, 2 가의 지방족 고리기, 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 알킬렌기 ; 2 가의 지방족 고리기 ; 또는 아릴렌기, Y 는 중합 가능한 관능기, n 은 2 또는 3 의 정수, m 은 1 또는 2 의 정수, l 은 0 또는 1 의 정수이고, n + m + l = 4 이다. n 이 2 또는 3 의 정수인 경우, A 는 동일해도 되고 상이해도 된다.] 로 나타내는 화합물을 함유한다.

Description

코팅제{COATING AGENT}
본 발명은 신규 코팅제, 특히, 플라스틱 기재와의 밀착성이 우수한 코팅제에 관한 것이다.
본원은 2013년 1월 28일에 출원된 일본 특허출원 제2013-013092호에 대해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
아릴기를 갖는 화합물은 투명성과 고굴절률을 갖는 폴리머 (광학 재료) 를 부여하는 모노머로서 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1, 2 에는 트리페닐실릴기를 갖는 화합물이 렌즈, 프리즘 등의 광학 재료로서 사용할 수 있는 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 3 에는 4 개의 페닐기를 갖는 화합물이 광학 소자에 사용할 수 있는 것이 기재되어 있다.
그러나, 이들 화합물을 함유한 코팅제가 플라스틱 기재와의 밀착성이 우수하다는 것은 알려지지 않았다.
일본 공개특허공보 소63-145310호 일본 공개특허공보 소63-145287호 WO2009/139476호 팜플렛
플라스틱 기재와의 밀착성이 우수하고, 투명성과 고굴절률을 갖는 층을 형성할 수 있는 코팅제를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제의 해결을 위해서 예의 검토한 결과, 식 (I) 로 나타내는 화합물이 플라스틱 기재와의 밀착성이 우수한 층을 형성하는 코팅제를 부여할 수 있는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은,
(1) 식 (I)
[화학식 1]
Figure pat00001
[식 중,
A 는,
[화학식 2]
Figure pat00002
(R1 은 전자 공여성기를 나타내고, a 는 0 ∼ 5 의 정수, a' 는 0 ∼ 7 의 정수를 나타낸다)
Z 는 탄소 원자 또는 규소 원자,
R2 는 수소 원자, 수산기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알킬기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알콕시기, C3 ∼ C6 의 고리형 알킬기, 또는 C3 ∼ C6 의 고리형 알콕시기,
X 는 단결합 ;
산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR- (식 중, R 은 수소 원자 또는 C1 ∼ C6 의 알킬기를 나타낸다), C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기, C6 ∼ C10 의 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 C1 ∼ C20 의 알킬렌기 ;
C3 ∼ C10 의 2 가의 지방족 고리기 ;
또는 C6 ∼ C10 의 아릴렌기,
Y 는 중합 가능한 관능기,
n 은 2 또는 3 의 정수,
m 은 1 또는 2 의 정수,
l 은 0 또는 1 의 정수이고, n + m + l = 4 이다.
n 이 2 또는 3 의 정수인 경우, A 는 동일해도 되고 상이해도 된다.]
로 나타내는 화합물을 함유하는 코팅제.
(2) 식 (I)
[화학식 3]
Figure pat00003
[식 중,
A 는,
[화학식 4]
Figure pat00004
(R1 은 전자 공여성기를 나타내고, a 는 0 ∼ 5 의 정수, a' 는 0 ∼ 7 의 정수를 나타낸다)
Z 는 탄소 원자 또는 규소 원자,
R2 는 수소 원자, 수산기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알킬기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알콕시기, C3 ∼ C6 의 고리형 알킬기, 또는 C3 ∼ C6 의 고리형 알콕시기,
X 는 단결합 ;
산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR- (식 중, R 은 수소 원자 또는 C1 ∼ C6 의 알킬기를 나타낸다), C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기, C6 ∼ C10 의 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 C1 ∼ C20 의 알킬렌기 ;
C3 ∼ C10 의 2 가의 지방족 고리기 ;
또는 C6 ∼ C10 의 아릴렌기,
Y 는 중합 가능한 관능기,
n 은 2 또는 3 의 정수,
m 은 1,
l 은 0 또는 1 의 정수이고, n + m + l = 4 이다.
n 이 2 또는 3 의 정수인 경우, A 는 동일해도 되고 상이해도 된다.]
로 나타내는 화합물을 함유하는 코팅제.
(3) 식 (I)
[화학식 5]
Figure pat00005
[식 중,
A 는,
[화학식 6]
Figure pat00006
(R1 은 전자 공여성기를 나타내고, a 는 0 ∼ 5 의 정수, a' 는 0 ∼ 7 의 정수를 나타낸다)
Z 는 탄소 원자 또는 규소 원자,
R2 는 수소 원자, 수산기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알킬기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알콕시기, C3 ∼ C6 의 고리형 알킬기, 또는 C3 ∼ C6 의 고리형 알콕시기,
X 는 단결합 ;
산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR- (식 중, R 은 수소 원자 또는 C1 ∼ C6 의 알킬기를 나타낸다), C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기, C6 ∼ C10 의 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 C1 ∼ C20 의 알킬렌기 ;
C3 ∼ C10 의 2 가의 지방족 고리기 ;
또는 C6 ∼ C10 의 아릴렌기,
Y 는 중합 가능한 관능기,
n 은 3,
m 은 1,
l 은 0 이다.
A 는 동일해도 되고 상이해도 된다.]
로 나타내는 화합물을 함유하는 코팅제.
(4) 식 (I) 로 나타내는 화합물을 함유하는 코팅제가 추가로 금속 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1) ∼ (3) 중 어느 한 항에 기재된 코팅제.
(5) 금속 화합물이 지르코니아인 것을 특징으로 하는 상기 (4) 에 기재된 코팅제.
(6) 식 (I) 로 나타내는 화합물을 함유하는 코팅제가 추가로 식 (II)
R4Si(R3)3 (II)
(식 중, R4 는 C2 ∼ C8 의 알케닐기, C6 ∼ C10 의 아릴기, 또는 에폭시기, 글리시딜옥시기 혹은 (메트)아크릴옥시기로 치환되어 있어도 되는 C1 ∼ C30 의 알킬기를 나타내고, R3 은 수산기 또는 가수분해성기이다) 로 나타내는 유기 실란 화합물의 축합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1) ∼ (5) 중 어느 한 항에 기재된 코팅제.
(7) 상기 (1) ∼ (6) 중 어느 한 항에 기재된 코팅제를 기재 상에 코팅하고, 상기 코팅제를 경화시킨 층을 직접 형성한 것을 특징으로 하는 성형체.
(8) 기재가 플라스틱 기재인 것을 특징으로 하는 상기 (7) 에 기재된 성형체.
(9) 상기 (7) 또는 (8) 의 성형체 상에, 추가로 기능성을 갖는 적층막을 형성한 것을 특징으로 하는 성형체.
(10) 기능성을 갖는 적층막이 산화인듐주석막인 것을 특징으로 하는 상기 (9) 에 기재된 성형체에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 플라스틱 기재, 특히 시클로올레핀 폴리머 기재에 대한 밀착성이 우수한 고굴절률의 층을 형성하는 코팅제를 제공할 수 있다. 또, 상기 코팅제에 유기 실란 화합물의 축합물을 함유하는 경우에는, 유기 무기 복합막 또는 그 형성용 조성물로서 이용할 수 있다. 또, 본 발명의 코팅제에 의해 형성된 층은 밀착성이 우수하고, 본 층을 접착층, 중간층으로서 사용할 수 있다. 종래, 플라스틱 기재에 직접 코팅할 수 없었던 기능성막을 본 발명의 막을 개재하여 적층시킬 수 있다.
1 코팅제
(식 (I) 화합물)
본 발명의 코팅제는 이하의 식 (I) 로 나타내는 화합물을 함유한다. 식 (I) 로 나타내는 화합물은 1 종만이어도 되고, 2 종 이상의 혼합물이어도 된다.
식 (I)
[화학식 7]
Figure pat00007
식 중, A 는,
[화학식 8]
Figure pat00008
(R1 은 전자 공여성기를 나타내고, a 는 0 ∼ 5 의 정수, a' 는 0 ∼ 7 의 정수를 나타낸다)
Z 는 탄소 원자 또는 규소 원자,
R2 는 수소 원자, 수산기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알킬기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알콕시기, C3 ∼ C6 의 고리형 알킬기, 또는 C3 ∼ C6 의 고리형 알콕시기,
X 는 단결합 ;
산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR- (식 중, R 은 수소 원자 또는 C1 ∼ C6 의 알킬기를 나타낸다), C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기, C6 ∼ C10 의 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 C1 ∼ C20 의 알킬렌기 ;
C3 ∼ C10 의 2 가의 지방족 고리기 ;
또는 C6 ∼ C10 의 아릴렌기,
Y 는 중합 가능한 관능기,
n 은 2 또는 3 의 정수,
m 은 1 또는 2 의 정수,
l 은 0 또는 1 의 정수이고, n + m + l = 4 이다.
n 이 2 또는 3 의 정수인 경우, A 는 동일해도 되고 상이해도 된다.
R1 의 전자 공여성기로는, 수산기, C1 ∼ C6 의 알킬기, C1 ∼ C6 의 알콕시기, C1 ∼ C6 의 알킬티오기, C6 ∼ C10 의 아릴기, C6 ∼ C10 의 아릴옥시기를 들 수 있다.
R1 의 전자 공여성기를 구체적으로 예시하면 이하와 같다.
「C1 ∼ C6 의 알킬기」 로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다.
「C1 ∼ C6 의 알콕시기」 로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, s-부톡시기, i-부톡시기, t-부톡시기, n-펜톡시기, n-헥톡시기 등을 들 수 있다.
「C1 ∼ C6 의 알킬티오기」 로는, 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, i-프로필티오기, n-부틸티오기, s-부틸티오기, i-부틸티오기, t-부틸티오기, n-펜틸티오기, n-헥실티오기 등을 들 수 있다.
「C6 ∼ C10 의 아릴기」 로는, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
「C6 ∼ C10 의 아릴옥시기」 로는, 페녹시기, 나프톡시기 등을 들 수 있다.
X 의 치환기를 구체적으로 예시하면 이하와 같다.
「C1 ∼ C20 의 알킬렌기」 는 2 가의 탄소 사슬이고, 예를 들어, 메틸렌 사슬, 디메틸렌 사슬, 트리메틸렌 사슬, 메틸디메틸렌 사슬, 테트라메틸렌 사슬, 1,2-디메틸디메틸렌 사슬, 펜타메틸렌 사슬, 1-메틸테트라메틸렌 사슬, 2-메틸테트라메틸렌 사슬, 헥사메틸렌 사슬, 옥타메틸렌 사슬, 데카메틸렌 사슬, 이코사메틸렌기 등을 들 수 있다.
-NR- 중의 R 의 「C1 ∼ C6 의 알킬기」 로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다.
「C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기」 로는, 1,1-시클로프로필렌기, 1,2-시클로프로필렌기, 1,2-시클로부틸렌기, 1,3-시클로부틸렌기, 1,2-시클로헥실렌기, 1,4-시클로헥실렌기 등을 들 수 있다.
「C6 ∼ C10 의 아릴렌기」 로는, 1,2-페닐렌기, 1,4-페닐렌기, 1,2-나프틸렌기, 1,5-나프틸렌기 등을 들 수 있다.
산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자는, 예를 들어, 산소 원자의 경우, -O- 및 -CO- 의 경우를 포함한다.
「산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR- (식 중, R 은 수소 원자 또는 C1 ∼ C6 의 알킬기를 나타낸다), C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기, C6 ∼ C10 의 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 C1 ∼ C20 의 알킬렌기」 인 X 로서 구체적으로는 이하를 들 수 있다.
[화학식 9]
Figure pat00009
[화학식 10]
Figure pat00010
상기 구조 중,
[화학식 11]
Figure pat00011
로 나타내는 구조가 바람직하다.
[화학식 12]
Figure pat00012
[화학식 13]
Figure pat00013
상기 구조 중,
[화학식 14]
Figure pat00014
로 나타내는 구조가 바람직하다.
[화학식 15]
Figure pat00015
여기서, R5, R6 은 전자 공여성기를 나타내고, 수산기, C1 ∼ C6 의 알킬기, C1 ∼ C6 의 알콕시기, C1 ∼ C6 의 알킬티오기, C6 ∼ C10 의 아릴기, C6 ∼ C10 의 아릴옥시기를 들 수 있다.
R5, R6 의 전자 공여성기를 구체적으로 예시하면 이하와 같다.
「C1 ∼ C6 의 알킬기」 로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다.
「C1 ∼ C6 의 알콕시기」 로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, s-부톡시기, i-부톡시기, t-부톡시기, n-펜톡시기, n-헥톡시기 등을 들 수 있다.
「C1 ∼ C6 의 알킬티오기」 로는, 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, i-프로필티오기, n-부틸티오기, s-부틸티오기, i-부틸티오기, t-부틸티오기, n-펜틸티오기, n-헥실티오기 등을 들 수 있다.
「C6 ∼ C10 의 아릴기」 로는, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
「C6 ∼ C10 의 아릴옥시기」 로는, 페녹시기, 나프톡시기 등을 들 수 있다.
또, a'', a''' 는 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수이고, 바람직하게는 0 혹은 1 이고,
n1 은 1 ∼ 20 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 10 의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이다.
n2 는 1 ∼ 10 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수이다.
n3 과 n4 는 독립적으로 1 ∼ 10 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이다.
m1 은 0 또는 1 의 정수이다.
Y 의 중합 가능한 관능기로는, -O-CO-(O)m2-CR=CH2 (단, 식 중, m2 는 0 또는 1, R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다), -CH=CH2, 알릴옥시기, 알릴옥시카르보닐옥시기, 에폭시기, 또는
[화학식 16]
Figure pat00016
등의 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리이소시아네이트 혹은 폴리카보네이트를 형성하기 위해서 사용되는 관능기 등을 들 수 있다.
본 발명의 식 (I) 로 나타내는 화합물을 구체적으로 나타내면, 이하의 것이 예시된다.
[화학식 17]
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
본 발명의 식 (I) 로 나타내는 화합물은 공지된 방법에 의해 제조할 수 있지만, 예를 들어 일본 공개특허공보 소63-145287호, WO2009/139476호 팜플렛 등에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
구체적으로는 이하와 같다.
1) 3-(메트)아크릴로일옥시프로필트리페닐실란, 3-알릴옥시카르보닐옥시프로필트리페닐실란의 경우
시판되는 트리페닐실란과 아세트산알릴의 부가체를 알칼리로 가수분해하여 얻은 3-하이드록시프로필트리페닐실란에 (메트)아크릴산클로라이드 또는 클로르포름산알릴을 피리딘, 트리에틸아민 등의 탈염산제의 존재하에 각각 반응시킴으로써 제조된다.
2) 3-알릴옥시프로필트리페닐실란의 경우
시판되는 트리페닐실란을 디알릴에테르에 부가시켜 제조된다.
3) 3-아크릴로일옥시에틸옥시테트라페닐실란의 경우
하기에 나타내는 방법에 따라 제조된다.
[화학식 18]
Figure pat00023
상기 식에 있어서, TIPS 는 트리이소프로필실릴기를 나타낸다.
(그 밖의 성분)
그 밖의 공중합성 화합물
또, 식 (I) 로 나타내는 화합물 이외의 그 밖의 공중합성 화합물을 함유하고 있어도 된다.
식 (I) 로 나타내는 화합물 이외의 그 밖의 공중합성 화합물은 융점, 점도 또는 굴절률 등의 조정 목적에 따라 적절히 선정하면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 이하의 것을 들 수 있다.
메틸(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 브로모페닐(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 트리스(2-(메트)아크릴옥시에틸)이소시아네이트 등의 (메트)아크릴산에스테르류, 디알릴프탈레이트, 디알릴이소프탈레이트, 디알릴테레프탈레이트, 디에틸렌글리콜비스알릴카보네이트, 트리알릴시아누레이트, 트리알릴이소시아누레이트 등의 알릴에스테르류, 스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌 등의 방향족 올레핀류 등을 들 수 있다.
전체 중합성 화합물에 함유되는 식 (I) 의 화합물의 비율은 30 ㏖% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 50 ㏖% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
중합 개시제
또, 본 발명의 코팅제는 중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 여기서, 중합 반응으로는, 광 중합 반응이나 열 중합 반응 등을 들 수 있지만, 플라스틱 기재에 대한 열적 영향을 고려하지 않아도 되는 광 중합 반응이 바람직하다. 광 중합 반응에 사용하는 광선으로는, 자외선 또는 가시광선을 들 수 있지만, 중합 속도가 빠른 점에서 자외선이 바람직하다.
광 중합 개시제로는, (a) 광 조사에 의해 카티온종을 발생시키는 화합물 및 (b) 광 조사에 의해 활성 라디칼종을 발생시키는 화합물 등을 들 수 있다.
광 조사에 의해 카티온종을 발생시키는 화합물로는, 예를 들어, 카티온 부분이 술포늄, 요오드늄, 디아조늄, 암모늄, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe 카티온이고, 아니온 부분이 BF4 -, PF6 -, SbF6 -, [BX4]- (단, X 는 적어도 2 개 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기) 로 구성되는 오늄염을 들 수 있다.
구체적으로, 술포늄염으로는, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술파이드비스헥사플루오로포스페이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술파이드비스헥사플루오로안티모네이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술파이드비스테트라플루오로보레이트, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술파이드테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.
요오드늄염으로는, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로포스페이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
디아조늄염으로는, 페닐디아조늄헥사플루오로포스페이트, 페닐디아조늄헥사플루오로안티모네이트, 페닐디아조늄테트라플루오로보레이트, 페닐디아조늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
암모늄염으로는, 1-벤질-2-시아노피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
(2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe 염으로는, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe (II) 헥사플루오로포스페이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe (II) 헥사플루오로안티모네이트, 2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe (II) 테트라플루오로보레이트, 2,4-시클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe (II) 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
광 조사에 의해 활성 라디칼종을 발생시키는 화합물로는, 예를 들어, 아세토페논, 아세토페논벤질케탈, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 크산톤, 플루오레논, 벤즈알데히드, 플루오렌, 안트라퀴논, 트리페닐아민, 카르바졸, 3-메틸아세토페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 벤조인프로필에테르, 벤조인에틸에테르, 벤질디메틸케탈, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,4-(2-하이드록시에톡시)페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 올리고(2-하이드록시-2-메틸-1-(4-(1-메틸비닐)페닐)프로파논) 등을 들 수 있다.
열 중합 개시제는 가열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물을 가리키고, 예를 들어, 유기 과산화물, 아조 화합물 및 레독스 개시제 등을 들 수 있다.
상기 유기 과산화물로는, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸하이드로퍼옥사이드 및 디쿠밀퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드, 디벤조일퍼옥사이드, tert-부틸퍼말레에이트와 같은 퍼옥사이드 ; 1,6비스(t-부틸퍼옥시카르보닐옥시)헥산 등의 퍼옥시카보네이트 ; 퍼옥시케탈 ; 과황산칼륨, 과황산나트륨, 과황산암모늄 등의 과황산염 등을 들 수 있다.
상기 아조 화합물로는, 2,2'-아조비스프로판, 2,2'-디클로로-2,2'-아조비스프로판, 1,1'-아조(메틸에틸)디아세테이트, 2,2'-아조비스이소부탄, 2,2'-아조비스이소부틸아미드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 2,2'-아조비스-2-메틸프로피온산메틸, 2,2'-디클로로-2,2'-아조비스부탄, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 2,2'-아조비스이소부티르산디메틸, 3,5-디하이드록시메틸페닐아조-2-메틸말로노디니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸발레로니트릴, 4,4'-아조비스-4-시아노발레르산디메틸, 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴 등을 들 수 있다.
상기 레독스 개시제로는, 예를 들어 과산화수소-철 (II) 염, 유기화 산화물-디메틸아닐린, 세륨 (IV) 염-알코올 등의 조합을 들 수 있다.
본 발명에 있어서 사용되는 중합 개시제의 배합량은, 전체 중합성 화합물의 총량에 대하여, 0.01 ∼ 20 질량% 배합하는 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 10 질량% 가 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서는, 필요에 따라 증감제를 첨가할 수 있다. 예를 들어, 트리메틸아민, 메틸디메탄올아민, 트리에탄올아민, p-디메틸아미노아세토페논, p-디메틸아미노벤조산에틸, p-디메틸아미노벤조산이소아밀, N,N-디메틸벤질아민 및 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등을 사용할 수 있다.
(그 밖의 성분)
또, 본 발명의 코팅제에는, 필요에 따라, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 유기 실란 화합물의 축합물, 금속 화합물, 유기 용제, 자외선 흡수제, 염료, 방청제, 방부제 등의 첨가 성분을 배합할 수 있다.
유기 실란 화합물의 축합물
본 발명의 코팅제에는, 유기 무기층을 적층하는 것을 목적으로 하여, 유기 실란 화합물의 축합물을 함유할 수 있다. 이로써, 기재와 접착성이 좋은 유기 무기 복합막을 형성할 수 있다.
유기 실란 화합물의 축합물은 식 (II) 로 나타내는 유기 실란 화합물을 공지된 실란올 축합의 방법을 사용하여 제조할 수 있다.
R4Si(R3)3 (II)
식 중, R4 는 C2 ∼ C8 의 알케닐기, C6 ∼ C10 의 아릴기, 또는 에폭시기, 글리시딜옥시기 혹은 (메트)아크릴옥시기로 치환되어 있어도 되는 C1 ∼ C30 의 알킬기를 나타내고, R3 은 수산기 또는 가수분해성기를 나타낸다.
R4 에 있어서의 C2 ∼ C8 의 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기, 2-프로페닐기 등을 들 수 있다.
C1 ∼ C30 의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 2-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 이소헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 라우릴기, 트리데실기, 미리스틸기, 펜타데실기, 팔미틸기, 헵타데실기, 스테아릴기 등을 들 수 있다.
C6 ∼ C10 의 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
R3 의 가수분해성기란, 예를 들어, 무촉매, 과잉된 물의 공존하, 25 ℃ ∼ 100 ℃ 에서 가열함으로써, 가수분해되어 실란올기를 생성할 수 있는 기나, 실록산 축합물을 형성할 수 있는 기를 의미하고, 구체적으로는, 알콕시기, 아실옥시기, 할로겐기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 아실옥시기가 바람직하다.
여기서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, t-부톡시기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 6 의 아실옥시기로는, 아세틸옥시기, 벤조일옥시기 등을 들 수 있다. 할로겐으로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
또, 본 발명에 있어서 사용되는 식 (II) 로 나타내는 유기 실란 화합물은, 그 Fedors 의 추산법에 의해 구해진 용해 파라미터 (SP1) 가, Fedors 의 추산법에 의해 구해진 식 (I) 로 나타내는 화합물의 용해 파라미터 (SP2) 보다 작고, 또한 그 차가 1.6 이상의 기인 것이 바람직하다.
SP1 이 SP2 보다 작고, 또한 그 차가 1.6 이상인 경우에는, 도막 표면에 무기 성분이 편석되기 쉽다는 이점이 있다.
여기서, 용해 파라미터 (SP 값) 란, 이하의 Fedors 의 추산법에 기초하여 계산되는 것이다.
Fedors 의 식 : SP 값 (δ) = (Ev/v)1/2 = (ΣΔei/ΣΔvi)1/2
Ev : 증발 에너지
v : 몰 체적
Δei : 각 성분의 원자 또는 원자단의 증발 에너지
Δvi : 각 원자 또는 원자단의 몰 체적
상기 식의 계산에 사용하는 각 원자 또는 원자단의 증발 에너지, 몰 체적은 R. F. Fedors, Polym. Eng. Sci., 14, 147 (1974) 을 참조할 수 있다.
식 (I) 로 나타내는 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 유기 규소 화합물의 용해 파라미터 (SP 값) 는 Fedors 의 추산법에 기초하여 계산할 수 있으므로, 미리 계산된 SP 값을 기초로, 식 (I) 로 나타내는 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 유기 규소 화합물의 조합을 결정할 수 있다.
예를 들어, 식 (I) 로 나타내는 화합물로서, 3-아크릴로일옥시프로필트리페닐실란 (SP 값 : 10.21) 을 사용하는 경우, SP 값이 트리페닐실란 화합물의 SP 값보다 1.6 이상 작은 유기 실란 화합물로는, 예를 들어, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, 이소프로필트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, t-부틸트리메톡시실란, sec-부틸트리메톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 펜틸트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란 등 (이들은 모두 SP 값이 8.61 이하이다) 을 들 수 있다.
식 (I) 로 나타내는 화합물 (및 존재한다면 그 밖의 공중합성 화합물) 과 식 (II) 로 나타내는 유기 실란 화합물의 축합물의 층 중의 질량비는 99 : 1 ∼ 55 : 45 가 바람직하다.
실란올 축합 촉매로는, 식 (II) 로 나타내는 화합물 중의 가수분해성기를 가수분해하고, 실란올을 축합하여 실록산 결합으로 하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 유기 금속, 유기산 금속염, 금속 수산화물, 산, 염기, 금속 킬레이트 화합물, 그들의 가수분해물, 및 그들의 축합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 실란올 축합 촉매는 1 종 단독, 또는 2 종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
유기 금속으로는, 예를 들어, 테트라메틸티탄, 테트라프로필지르코늄 등의 알킬 금속 화합물 ; 금속 프로폭사이드, 금속 이소프로폭사이드, 금속n-부톡사이드, 구체적으로는 테트라이소프로폭시티탄, 테트라부톡시지르코늄 등의 금속 알코올레이트 등을 들 수 있다.
유기산 금속염은 금속 이온과 유기산으로부터 얻어지는 염으로 이루어지는 화합물이고, 유기산으로는, 아세트산, 옥살산, 타르타르산, 벤조산 등의 카르복실산류 ; 술폰산, 술핀산 등의 함황 유기산 ; 페놀 화합물 ; 에놀 화합물 ; 옥심 화합물 ; 이미드 화합물 ; 방향족 술폰아미드 등의 산성을 나타내는 유기 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는 카르복실산 금속염, 술폰산 금속염, 페놀 금속염 등을 들 수 있다.
금속 수산화물은 음이온으로서 수산화물 이온을 갖는 금속 화합물이다.
금속 킬레이트 화합물로는, 수산기 혹은 가수분해성기를 갖는 금속 킬레이트 화합물인 것이 바람직하고, 2 이상의 수산기 혹은 가수분해성기를 갖는 금속 킬레이트 화합물인 것이 보다 바람직하다. 또한, 2 이상의 수산기 혹은 가수분해성기를 갖는이란, 가수분해성기 및 수산기의 합계가 2 이상인 것을 의미한다. 가수분해성기로는, 예를 들어, 알콕시기, 아실옥시기, 할로겐기, 이소시아네이트기를 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 4 의 아실옥시기가 바람직하다.
또, 상기 금속 킬레이트 화합물로는, β-케토카르보닐 화합물, β-케토에스테르 화합물, 및 α-하이드록시에스테르 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산n-프로필, 아세토아세트산이소프로필, 아세토아세트산n-부틸, 아세토아세트산sec-부틸, 아세토아세트산t-부틸 등의 β-케토에스테르류 ; 아세틸아세톤, 헥산-2,4-디온, 헵탄-2,4-디온, 헵탄-3,5-디온, 옥탄-2,4-디온, 노난-2,4-디온, 5-메틸-헥산-2,4-디온 등의 β-디케톤류 ; 글리콜산, 락트산 등의 하이드록시카르복실산 등이 배위한 화합물을 들 수 있다.
또, 이들 유기 금속, 유기산 금속염, 금속 수산화물, 금속 킬레이트 화합물에 있어서의 금속으로는, 티탄 (Ti), 지르코늄 (Zr), 알루미늄 (Al), 규소 (Si), 게르마늄 (Ge), 인듐 (In), 주석 (Sn), 탄탈 (Ta), 아연 (Zn), 텅스텐 (W), 납 (Pb) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 티탄 (Ti), 지르코늄 (Zr), 알루미늄 (Al), 주석 (Sn) 이 바람직하고, 특히 티탄 (Ti) 이 바람직하다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 사용할 수도 있다.
산으로는, 유기산, 광산을 들 수 있고, 구체적으로는 예를 들어, 유기산으로는, 아세트산, 포름산, 옥살산, 탄산, 프탈산, 트리플루오로아세트산, p-톨루엔술폰산, 메탄술폰산 등, 광산으로는, 염산, 질산, 붕산, 붕불화수소산 등을 들 수 있다.
여기서, 광 조사에 의해 산을 발생하는 광산 발생제, 구체적으로는, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐포스포늄헥사플루오로포스페이트 등도 산에 포함된다.
염기로는, 테트라메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딜프로필트리메톡시실란 등의 강염기류 ; 유기 아민류, 유기 아민의 카르복실산 중화염, 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다.
실란올 축합 촉매의 배합비는, 유기 실란 화합물의 질량에 대하여, 1 : 99 ∼ 99 : 1, 바람직하게는 1 : 99 ∼ 50 : 50 이다.
금속 화합물
본 발명의 코팅제에는, 형성되는 층의 굴절률이나 경도를 높이는 것을 목적으로 하여, 금속 화합물을 첨가할 수 있다. 금속 화합물로는, 전술한 유기 실란 화합물이나, 실란올 축합 촉매로서 예시된 유기 금속, 유기산 금속염, 금속 수산화물, 금속 킬레이트 화합물을 들 수 있지만, 그들 이외의 금속 화합물로는, 금속 산화물을 들 수 있고, 구체적으로는, 이산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간, 산화철, 산화지르코늄 (지르코니아), 산화코발트의 금속 산화물 입자 등을 들 수 있다. 특히 산화지르코늄이 바람직하다.
입자의 형상으로는, 구상, 다공질 분말, 인편상, 섬유상 등을 들 수 있지만, 다공질 분말상인 것이 보다 바람직하다.
또, 본 발명의 금속 산화물 입자로는, 콜로이드상 금속 산화물 입자도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 콜로이드상 실리카, 콜로이드상 지르코늄을 들 수 있고, 수분산 콜로이드상, 혹은 메탄올 혹은 이소프로필알코올 등의 유기 용매 분산 콜로이드상의 금속 산화물 입자를 들 수 있다.
유기 용매
본 발명의 코팅제에는, 유기 용매를 함유할 수 있다. 사용 가능한 대표적 유기 용매로는, 에테르계, 에스테르계, 지방족 탄화수소계, 방향족 탄화수소계, 케톤계, 유기 할로겐화물계 등이 있지만, 그 중에서도 안전성 등의 점에서, 에테르계, 에스테르계, 지방족 탄화수소계가 바람직하다. 에테르계의 구체적 화합물로는, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디아밀에테르, 에스테르계의 구체적 화합물로는, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 헵틸아세테이트, 에틸부틸레이트, 이소아밀이소발리레이트, 지방족계 탄화수소계의 구체적 화합물로는, 노르말헥산, 노르말헵탄, 시클로헥산, 방향족계의 구체적 화합물로는, 톨루엔, 자일렌, 케톤계의 구체적 화합물로는, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 유기 할로겐화물계의 구체적 화합물로는, 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌 등을 들 수 있다. 나아가서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르나 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 비교적 비활성인 용제도 사용 가능하다. 그 중에서도, 본 발명이 자연 환경하의 개방계에서 사용되는 경우가 많은 것을 고려하면, 방향성을 갖는 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소아밀아세테이트, 헵틸아세테이트, 에틸부틸레이트, 이소아밀이소발리레이트 등의 에스테르계를 함유하여 이루어지는 용제가 바람직하다.
2 성형체
본 발명의 성형체는 플라스틱 기재 상에 상기 식 (I) 로 나타내는 화합물을 함유하는 코팅제를 코팅하고, 상기 코팅제를 경화시킨 층을 직접 형성한 것이다.
(기재)
본 발명의 코팅제를 사용할 수 있는 기재로는, 플라스틱 기재가 바람직하고, 예를 들어, 시클로올레핀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 액정 폴리머 수지, 폴리에테르술폰을 들 수 있지만, 특히, 시클로올레핀 수지가 바람직하게 사용된다.
(코팅층의 형성)
1) 코팅제의 조제
본 발명에 있어서의 코팅제는, 통상적으로 유기 용매 중에 상기 식 (I) 로 나타내는 화합물 외에, 필요에 따라, 상기 유기 실란 화합물의 축합물, 광 중합 개시제, 금속 화합물 등을 혼합하여 조제된다.
또한, 유기 실란 화합물의 축합물을 함유하는 경우에는, 유기 무기 복합막 또는 그 형성용 조성물이라고도 한다.
사용하는 용매로는, 전술한 유기 용매를 들 수 있다. 이들 용매는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또, 얻어지는 도막의 경도 향상을 목적으로 하여 4 관능 실란이나 콜로이드상 실리카를 첨가할 수도 있다. 4 관능 실란으로는, 예를 들어, 테트라아미노실란, 테트라클로로실란, 테트라아세톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라벤질옥시실란, 테트라페녹시실란, 테트라(메트)아크릴옥시실란, 테트라키스[2-(메트)아크릴옥시에톡시]실란, 테트라키스(2-비닐옥시에톡시)실란, 테트라글리시딜옥시실란, 테트라키스(2-비닐옥시부톡시)실란, 테트라키스(3-메틸-3-옥세탄메톡시)실란을 들 수 있다. 또, 콜로이드상 실리카로는, 수분산 콜로이드상 실리카, 메탄올 혹은 이소프로필알코올 등의 유기 용매 분산 콜로이드상 실리카를 들 수 있다.
또, 얻어지는 도막의 착색, 후막화, 하지에 대한 자외선 투과 방지, 방식성의 부여, 내열성 등의 여러 특성을 발현시키기 위해서, 별도로 충전재를 첨가·분산시키는 것도 가능하다. 이 충전재로는, 예를 들어 유기 안료, 무기 안료 등의 비수용성의 안료 또는 안료 이외의 입자상, 섬유상 혹은 인편상의 금속 및 합금 그리고 이들의 산화물, 수산화물, 탄화물, 질화물, 황화물 등을 들 수 있다. 이 충전재의 구체예로는, 입자상, 섬유상 혹은 인편상의 철, 구리, 알루미늄, 니켈, 은, 아연, 페라이트, 카본 블랙, 스테인리스강, 이산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간, 산화철, 산화지르코늄, 산화코발트, 합성 멀라이트, 수산화알루미늄, 수산화철, 탄화규소, 질화규소, 질화붕소, 클레이, 규조토, 소석회, 석고, 탤크, 탄산바륨, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 황산바륨, 벤토나이트, 운모, 아연녹, 크롬녹, 코발트녹, 비리디언, 기네녹, 코발트크롬녹, 셸레녹, 녹토, 망간녹, 피그먼트 그린, 군청, 감청, 암군청, 코발트청, 세룰리안 블루, 붕산구리, 몰리브덴청, 황화구리, 코발트자 (紫), 마르스자, 망간자, 피그먼트 바이올렛, 아산화납, 납산칼슘, 징크 옐로우, 황화납, 크롬황, 황토, 카드뮴황, 스트론튬황, 티탄황, 리사지, 피그먼트 옐로우, 아산화구리, 카드뮴적, 셀렌적, 크롬 버밀리온, 벵갈라, 아연백, 안티몬백, 염기성 황산납, 티탄백, 리토폰, 규산납, 산화지르콘, 텅스텐백, 납아연화, 반티손백, 프탈산납, 망간백, 황산납, 흑연, 본 블랙, 다이아몬드 블랙, 서머토믹흑, 식물성흑, 티탄산칼륨 위스커, 2 황화몰리브덴 등을 들 수 있다.
그 밖에, 오르토포름산메틸, 오르토아세트산메틸, 테트라에톡시실란 등의 공지된 탈수제, 각종 계면 활성제, 상기 이외의 실란 커플링제, 티탄 커플링제, 염료, 분산제, 증점제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가할 수도 있다.
본 발명에 있어서의 코팅층 형성용 용액 중의 고형분으로는, 1 ∼ 90 질량% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 60 질량% 인 것이 보다 바람직하다.
2) 코팅층의 형성
본 발명의 코팅층은, 광 중합 개시제를 사용하는 경우에는, (A) 상기 서술한 코팅제를 기체 상에 도포하고, 건조시키는 공정, (B) 자외선을 함유하는 광을 조사하여, 코팅제를 경화시키는 공정을 거침으로써 제조할 수 있다. 열 중합 개시제를 사용하는 경우에는, 상기 (B) 공정으로서 광을 조사하는 대신에 가열하면 된다.
본 발명에 있어서의 코팅막은 상기 (B) 공정을 거침으로써, 식 (I) 로 나타내는 화합물의 중합이 실시되고, 또한 식 (II) 로 나타내는 유기 실란 화합물의 축합물을 함유하는 경우에는, 막표면부의 탄소 원자 함유량이 막의 내부 (기재와의 접합부 부근) 의 탄소 원자 함유량에 비해 적은 구성이 되어, 막표면에 실란 화합물의 축합물의 농축층을 형성할 수 있다.
코팅제의 도포 방법으로는, 공지된 도포 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 딥핑법, 스프레이법, 바 코트법, 롤 코트법, 스핀 코트법, 커튼 코트법, 그라비아 인쇄법, 실크 스크린법, 잉크젯법 등을 들 수 있다. 또, 형성하는 막두께로는, 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들어 0.1 ∼ 200 ㎛ 정도이다.
코팅제를 도포하여 형성한 층의 건조 처리로는, 예를 들어, 40 ∼ 200 ℃ 에서 0.5 ∼ 120 분 정도 실시하는 것이 바람직하고, 60 ∼ 120 ℃ 에서 1 ∼ 60 분 정도 실시하는 것이 보다 바람직하다.
자외선의 조사는, 예를 들어, 고압 수은 램프, 저압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 엑시머 램프 등의 공지된 장치를 사용하여 실시할 수 있다.
(기능성 적층막)
본 발명의 코팅제를 사용하여 형성한 층 상에 기능성 적층막을 형성할 수 있다.
본 발명의 코팅제를 사용하여 형성한 층은, 매우 플라스틱 기재와 밀착성이 좋기 때문에, 본 층을 접착층, 중간층으로서 사용할 수 있다. 종래, 플라스틱 기재에 직접 코팅할 수 없었던 기능성막을 본 발명의 막을 개재하여 적층시킬 수 있다. 복수층을 적층할 수 있고, 또, 본 발명의 코팅제를 복수층 상에 추가로 코팅하고, 추가로 적층할 수도 있다.
기능성 적층막으로는, 투명 도전막이나 가스 배리어막을 들 수 있다.
투명 도전막으로는, 주석이 도프된 산화인듐막 (ITO 막), 불소가 도프된 산화주석막 (FTO 막), 안티몬이 도프된 산화아연막이나 인듐이 도프된 산화아연막 등을 들 수 있다.
가스 배리어막은 산소, 수증기 등의 가스 배리어성을 갖는 한 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는, 무기 화합물의 박막이고, 특히, 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 규소, 게르마늄, 인듐, 주석, 탄탈, 아연, 텅스텐 및 납으로 이루어지는 군에서 선택된 금속 원소를 갖는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 또는 그들의 복합물의 박막이 바람직하다.
이들 기능성 적층막의 두께는 통상적으로 10 ∼ 300 ㎚, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎚, 보다 바람직하게는 10 ∼ 100 ㎚ 이다.
무기 화합물로 이루어지는 투명 도전성막 또는 가스 배리어막을 코팅제를 사용하여 형성한 층 상에 형성하는 방법은 공지된 방법에 의해 형성하는 것이 가능하지만, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 방법이나, 스프레이법, 딥법, 열 CVD 법, 플라즈마 CVD 법 등의 화학적 방법 등에 의해 실시할 수 있다.
예를 들어, 스퍼터법 등에 의하면, 예를 들어 규소 화합물을 산소 가스 존재하에서 소결시킨 것 등을 타깃으로서 사용함으로써, 산화규소로 이루어지는 막을 성막할 수도 있고, 금속 실리콘을 타깃으로 하여 산소 존재하에서 반응성 스퍼터함으로써도 성막할 수 있다. 또, 플라즈마 CVD 법에 의하면, 실란 가스를 산소 가스 및 질소 가스와 함께, 플라즈마를 발생시킨 챔버 내에 공급하고, 반응시켜, 기판 상에 산화질화규소로 이루어지는 막을 성막할 수 있다. 또, 열 CVD 법 등에 의하면, 예를 들어 규소 화합물을 함유하는 유기 용매 용액 등을 증발물로서 사용함으로써, 산화규소로 이루어지는 막을 성막할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 특히, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 또는 플라즈마 CVD 법에 의해 성막하는 것이 바람직하다.
또, 기능성 적층막을 형성할 때, 필요에 따라, 코팅제를 사용하여 형성한 층의 표면을 미리 플라즈마 처리 또는 UV 오존 처리해 두어도 된다.
이하에 실시예를 나타내지만, 본 발명의 기술적 범위는 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
1-1 화합물의 합성-1
(합성예 1)
3-메타크릴옥시프로필트리페닐실란 (A-1) 의 제조
[화학식 19]
Figure pat00024
충분히 건조시킨 공기로 반응 플라스크를 치환하였다. 이것에, 트리페닐실란 25.04 g (0.0962 ㏖) 을 주입하고, 냉각관, 온도계, 질소 봉입관을 장착한 후, N2 기류하에서 아세트산알릴 36.41 g (0.364 ㏖) 을 주입하고, N2 기류하에서 실온에서 교반을 실시하였다. 염화백금산의 에탄올 용액 (Pt 환산으로 10 wt%) 0.5 g 을 적하하고, N2 기류하, 실온에서 3 시간 교반하였다. H-NMR 로 Si-H 의 시그널 (5.5 ppm) 이 소실된 것을 확인하고, 반응이 완결된 것을 확인 후, 과잉된 아세트산알릴을 감압하 증류 제거하고, 추가로 그 잔사와 Pt 촉매를 칼럼 정제하여, 백색 결정의 3-아세톡시프로필트리페닐실란 (Mw 360.52) 을 27.78 g (수율 80.1 %) 얻었다. 얻어진 생성물의 핵자기 공명 (NMR) 의 측정을 실시한 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 하기 측정은, 기준 물질로서 테트라메틸실란을, 용매는 중클로로포름을 사용하여 실시하였다. H-NMR 스펙트럼값 : 7.4 ppm, 7.6 ppm, 4.1 ppm, 2.0 ppm, 1.8 ppm, 1.5 ppm.
반응 플라스크에, 3-아세톡시프로필트리페닐실란 12.97 g (0.036 ㏖) 을 주입하고, 냉각관, 온도계를 장착한 후, 1 N 의 탄산소다, 에탄올 용액에 첨가하고, 70 - 80 ℃ 5 시간 가열하고, 가수분해하여 백색 결정의 3-하이드록시프로필트리페닐실란 (Mw 318.48) 을 11.4 g (0.0358 ㏖) 을 얻었다 (수율 99.4 %). 얻어진 생성물의 핵자기 공명 (NMR) 의 측정을 실시한 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 하기 측정은, 기준 물질로서 테트라메틸실란을, 용매는 중클로로포름을 사용하여 실시하였다. H-NMR 스펙트럼값 : 7.4 ppm, 7.6 ppm, 3.6 ppm, 1.7 ppm, 1.4 ppm.
건조 불활성 가스 (질소) 로 충분히 치환한 반응 플라스크에 초탈수 톨루엔 300 g 을 넣고, 이것에 3-하이드록시프로필트리페닐실란 5.01 g (0.01573 ㏖), 트리에틸아민 1.91 g (0.01888 ㏖) 을 용해시켰다. 이것에 메타크릴산클로라이드 1.976 g (0.01890 ㏖) 을 서서히 첨가하였다. 적하 종료 후, 실온하 6 시간 교반 후, 반응액을 물, 0.5 N 염산, 물, 1 N 탄산소다, 물로 순차 세정하고, 황산마그네슘으로 건조시켰다. 톨루엔을 증류 제거하여, 투명 액체의 3-메타크릴옥시프로필트리페닐실란 (A-1) (Mw 386.56) 을 4.976 g (0.012874 ㏖) 얻었다 (수율 82 %). 얻어진 생성물의 핵자기 공명 (NMR) 의 측정을 실시한 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 하기 측정은, 기준 물질로서 테트라메틸실란을, 용매는 중클로로포름을 사용하여 실시하였다. H-NMR 스펙트럼값 : 7.4 ppm, 7.6 ppm, 6.4 ppm, 6.1 ppm, 5.8 ppm, 4.2 ppm, 1.8 ppm, 1.4 ppm.
(합성예 2)
3-아크릴옥시프로필트리페닐실란 (A-2) 의 제조
[화학식 20]
Figure pat00025
건조 불활성 가스 (질소) 로 충분히 치환한 반응 플라스크에 초탈수 톨루엔 300 g 을 넣고, 이것에 3-하이드록시프로필트리페닐실란 5.28 g (0.01658 ㏖), 트리에틸아민 2.01 g (0.01989 ㏖) 을 용해시켰다. 이것에 아크릴산클로라이드 1.801 g (0.0199 ㏖) 을 서서히 첨가하였다. 적하 종료 후, 실온하 6 시간 교반 후, 반응액을 물, 0.5 N 염산, 물, 1 N 탄산소다, 물로 순차 세정하고, 황산마그네슘으로 건조시켰다. 톨루엔을 증류 제거하여, 투명 액체의 3-아크릴옥시프로필트리페닐실란 (A-2) (Mw 372.53) 을 5.56 g (0.01492 ㏖) 얻었다 (수율 89.99 %). 얻어진 생성물의 핵자기 공명 (NMR) 의 측정을 실시한 결과를 이하에 나타낸다. 또한, 하기 측정은, 기준 물질로서 테트라메틸실란을, 용매는 중클로로포름을 사용하여 실시하였다. H-NMR 스펙트럼값 : 7.4 ppm, 7.6 ppm, 6.4 ppm, 6.1 ppm, 5.8 ppm, 4.2 ppm, 1.8 ppm, 1.4 ppm.
1-2 코팅제의 조제-1
상기 생성물 (A-1) 또는 (A-2) 2 g 을 8 g 의 메틸에틸케톤 (MEK) 으로 용해시켰다. 그 후, 광 중합 개시제 Irgacure (등록상표) 907 (BASF 사 제조, UV 중합 개시제, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온) 을 0.08 g 첨가하고, 15 분간 교반 용해시켜, 코팅제 (B-1), (B-2) 를 조제하였다.
1-3 지르코니아 입자 첨가 코팅제의 조제
(B-2) 2.5 g 과 20 wt% MEK 분산 지르코니아 콜로이드 2.5 g 을 혼합하여, 코팅제 (B-2') 를 얻었다.
1-4 유기 실란 화합물 첨가 코팅제의 조제
1) 실란올 축합 촉매의 합성
디이소프로폭시비스아세틸아세토네이트티탄 (닛폰 소다 제조, T-50, 산화티탄 환산 고형분량 : 16.5 중량%) 303.03 g 을 에탄올 584.21 g 에 용해시킨 후, 교반하면서 이온 교환수 112.76 g (10 배몰/산화티탄의 몰) 을 첨가하였다. 이 용액을 40 ℃ 로 가온하면서 2 시간 교반하여 가수분해시켰다. 다음으로 용액을 여과하여, 황색 투명한 산화티탄 환산 농도 5 중량% 의 산화티탄 나노 분산액 [C-1] 을 얻었다. 산화티탄의 평균 입경은 4.1 ㎚ 이고 단분산성이었다.
2) 유기 실란 화합물의 가수분해 축합물의 조제
유기 실란 화합물로서, 비닐트리메톡시실란 264.76 g (신에츠 화학 공업 주식회사 제조, KBM-1003) 과 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 190.19 g (신에츠 화학 공업 주식회사 제조, KBM-503) 을 (비닐트리메톡시실란/3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 = 70/30 : 몰비) 혼합시킨 액 [D-1] 을 사용하였다.
다음으로, 원소비 (Ti/Si = 1/9) 가 되도록 [C-1] 453.09 g 과 [D-1] 454.95 g 을 혼합하고, 추가로 이온 교환수를 91.96 g (2 배몰/유기 규소 화합물의 몰) 을 첨가하고, 24 시간 교반한 액 [E-1] 을 제조하였다.
3) 코팅제 (유기 무기 복합막 형성용 조성물) 의 조제
고형분의 비율이 10 중량%/90 중량% = [E-1]/[B-2] 가 되도록 상기 [E-1] 액과 [B-2] 액을 혼합시켜, 코팅제 (유기 무기 복합막 형성용 조성물)[B-2''] 를 제조하였다.
1-5 코팅층의 형성-1
·필름 샘플
코팅제 [(B-1), (B-2), (B-2'), (B-2'')] 를 두께 188 ㎛ 의 COP 필름 (닛폰 제온 주식회사 ZF-16) 에 바 코터로 성막하고, 온풍 순환형 건조기로 130 ℃, 3 분간 가열하였다. 계속해서, 집광형 고압 수은등 (365 ㎚, 313 ㎚, 254 ㎚ 의 파장의 광을 주성분으로 하는 UV 광, 아이그래픽스사 제조, 120 W/㎝, 램프 높이 9.8 ㎝, 컨베이어 속도 5 m/분) 에 의해, 적산 조사량 400 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하여 박막을 얻었다. 이것을 사용하여 막두께 측정, 크로스 컷 테이프 박리 시험, 헤이즈율의 측정을 실시하였다.
·굴절률 측정용 샘플
도막 형성용 조성물 [(B-1), (B-2), (B-2')] 을 실리콘 웨이퍼 상에 딥 코터로 성막하고, 온풍 순환형 건조기로 130 ℃, 3 분간 가열하였다. 계속해서, 집광형 고압 수은등 (365 ㎚, 313 ㎚, 254 ㎚ 의 파장의 광을 주성분으로 하는 UV 광, 아이그래픽스사 제조, 120 W/㎝, 램프 높이 9.8 ㎝, 컨베이어 속도 5 m/분) 에 의해, 적산 조사량 400 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하여 박막을 얻었다.
[측정 조건]
·도막 굴절률
J. A. Woollam 사 제조 고속 분광 엘립소미터 M-2000D 를 사용하여 측정하였다.
·막두께 측정
필메트릭스 (주) 제조 비접촉식 막두께 측정 장치 형식 F-20 을 사용하여 측정하였다.
·크로스 컷 테이프 박리 시험 (밀착성)
JIS K5600 에 준거하여, 도막에 1 ㎜ 간격의 절입을 종횡 11 개씩 형성하여 100 개의 크로스 컷을 제조하였다. 각 시료에 셀로테이프 (등록상표) 를 첩부 (貼付) 하고, 손가락 마디로 복수회 문질러서 밀착시킨 후 테이프를 박리하고, 도막이 박리되지 않고 잔존한 격자의 눈금으로 평가하였다.
·헤이즈율
도막의 헤이즈율을 헤이즈 미터 (닛폰 전색 공업 제조) 를 사용하여 측정하였다.
·전체광선 투과율
필름 절편을 색채·탁도 동시 측정기 (닛폰 전색 공업 ; COH 400) 를 사용하여 측정하였다.
Figure pat00026
모든 기재에 있어서, 코팅층의 박리는 보이지 않고, 밀착성이 우수한 것이 확인되었다. 또 코팅층은 투명성이 우수하고 굴절률도 높은 것이었다.
2-1 화합물의 합성-2
(합성예 3)
디페닐메틸실릴프로필아크릴레이트 (A-3)
[화학식 21]
Figure pat00027
건조 불활성 가스 (질소) 로 충분히 치환한 반응 플라스크에 초탈수 THF 60.00 g, 3-(메틸디페닐실릴)-1-프로판올 7.30 g (0.02355 ㏖), 트리에틸아민 4.29 g (0.0428 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 10 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 이것에 아크릴산클로라이드 3.87 g (0.0428 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 적하 종료 후, 실온하에서 하룻밤 교반하였다. 반응 혼합물을 물, 0.5 N 염산, 물, 1 N 탄산소다, 물로 순차 세정하고, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 톨루엔을 증류 제거하였다. 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-3 을 6.87 g (0.02214 ㏖) 수율 94 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.6 ppm, 7.4 ppm, 6.4 ppm, 6.1 ppm, 5.7 ppm, 4.1 ppm, 1.7 ppm, 1.2 ppm, 0.5 ppm.
(합성예 4)
트리페닐실릴페녹시에틸아크릴레이트 (A-4)
[화학식 22]
Figure pat00028
반응 플라스크에 THF 44.00 g 과 4-트리페닐실릴페놀 3.00 g (0.00851 ㏖), 트리페닐포스핀 3.35 g (0.01277 ㏖), 하이드록시에틸아크릴레이트 1.48 g (0.01277 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 0 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 아조디카르복실산디에틸 (40 % 톨루엔 용액, 약 2.2 ㏖/ℓ) 5.56 g (0.01277 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 그 후, 실온하에서 하룻밤 교반한 후, 추가로 액온 50 ℃ 하에서 3 시간 교반하였다. 용매를 증류 제거한 후, 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-4 를 3.29 g (0.0076 ㏖) 수율 51 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.7 ppm, 7.4 ppm, 7.2 ppm, 6.9 ppm, 6.4 ppm, 6.2 ppm, 5.8 ppm, 4.5 ppm, 4.3 ppm.
(합성예 5)
디페닐실릴디페녹시에틸아크릴레이트 (A-5)
[화학식 23]
Figure pat00029
반응 플라스크에 THF 50.00 g 과 4,4'-디페닐실란비스페놀 5.00 g (0.01357 ㏖), 트리페닐포스핀 10.68 g (0.04071 ㏖), 하이드록시에틸아크릴레이트 4.73 g (0.04071 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 0 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 아조디카르복실산디에틸 (40 % 톨루엔 용액, 약 2.2 ㏖/ℓ) 17.73 g (0.04071 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 그 후, 실온하에서 하룻밤 교반한 후, 추가로 액온 50 ℃ 하에서 3 시간 교반하였다. 용매를 증류 제거한 후, 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-5 를 4.67 g (0.0083 ㏖) 수율 61 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.3 - 7.6 ppm, 6.9 - 7.0 ppm, 6.4 ppm, 6.2 ppm, 5.8 ppm, 4.5 ppm, 4.3 ppm.
(합성예 6)
트리페닐메틸프로필아크릴레이트 (A-6)
[화학식 24]
Figure pat00030
건조 불활성 가스 (질소) 로 충분히 치환한 반응 플라스크에 초탈수 THF 42.36 g, 4,4,4-트리페닐부탄올 5.00 g (0.01653 ㏖), 트리에틸아민 3.35 g (0.03307 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 10 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 이것에 아크릴산클로라이드 2.24 g (0.02480 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 적하 종료 후, 실온하에서 하룻밤 교반하였다. 반응 혼합물을 물, 0.5 N 염산, 물, 1 N 탄산소다, 물로 순차 세정하고, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 톨루엔을 증류 제거하였다. 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-6 을 5.36 g (0.0150 ㏖) 수율 91 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.3 ppm, 7.2 ppm, 6.4 ppm, 6.1 ppm, 5.8 ppm, 4.1 ppm, 2.7 ppm, 1.5 ppm.
(합성예 7)
트리페닐메틸페녹시에틸아크릴레이트 (A-7)
[화학식 25]
Figure pat00031
반응 플라스크에 THF 50.00 g 과 4-트리페닐메틸페놀 5.00 g (0.01486 ㏖), 트리페닐포스핀 5.85 g (0.02229 ㏖), 하이드록시에틸아크릴레이트 2.59 g (0.02229 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 0 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 아조디카르복실산디에틸 (40 % 톨루엔 용액, 약 2.2 ㏖/ℓ) 9.71 g (0.02229 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 그 후, 실온하에서 하룻밤 교반한 후, 추가로 액온 50 ℃ 하에서 3 시간 교반하였다. 용매를 증류 제거한 후, 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-7 을 3.29 g (0.0076 ㏖) 수율 51 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.3 - 7.0 ppm, 6.9 ppm, 6.4 ppm, 6.2 ppm, 5.8 ppm, 4.5 ppm, 4.3 ppm.
(합성예 8)
4-[트리스(4-메톡시페닐)메틸]페녹시에틸아크릴레이트 (A-8)
[화학식 26]
Figure pat00032
반응 플라스크에 THF 30.00 g 과 4-[트리스(4-메톡시페닐)메틸]페놀 3.00 g (0.00703 ㏖), 트리페닐포스핀 2.27 g (0.01055 ㏖), 하이드록시에틸아크릴레이트 1.23 g (0.01055 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 0 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 아조디카르복실산디에틸 (40 % 톨루엔 용액, 약 2.2 ㏖/ℓ) 4.56 g (0.01055 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 그 후, 실온하에서 하룻밤 교반한 후, 추가로 액온 50 ℃ 하에서 3 시간 교반하였다. 용매를 증류 제거한 후, 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-8 을 2.03 g (0.00387 ㏖) 수율 55 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.1 ppm, 7.0 ppm, 6.9 ppm, 6.7 ppm, 6.4 ppm, 6.2 ppm, 5.8 ppm, 4.5 ppm, 4.3 ppm.
(합성예 9)
디페닐메틸디페녹시에틸아크릴레이트 (A-9)
[화학식 27]
Figure pat00033
반응 플라스크에 THF 50.00 g 과 4,4'-디하이드록시테트라페닐메탄 5.00 g (0.01419 ㏖), 트리페닐포스핀 11.16 g (0.04256 ㏖), 하이드록시에틸아크릴레이트 4.94 g (0.04256 ㏖) 을 넣고, 용해시키면서 액온이 0 ℃ 이하가 될 때까지 냉각시켰다. 아조디카르복실산디에틸 (40 % 톨루엔 용액, 약 2.2 ㏖/ℓ) 18.53 g (0.04256 ㏖) 을 서서히 첨가하고, 1 시간 교반하였다. 그 후, 실온하에서 하룻밤 교반한 후, 추가로 액온 50 ℃ 하에서 3 시간 교반하였다. 용매를 증류 제거한 후, 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-9 를 3.66 g (0.0067 ㏖) 수율 51 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.3 - 7.0 ppm, 6.9 ppm, 6.4 ppm, 6.2 ppm, 5.8 ppm, 4.5 ppm, 4.3 ppm.
(합성예 10)
트리페닐실릴프로폭시카르보닐아미노에틸아크릴레이트 (A-10)
[화학식 28]
Figure pat00034
질소 치환한 반응 플라스크에, 톨루엔 50.00 g 과 2-이소시아네이트에틸아크릴레이트 2.50 g (0.01884 ㏖), 3-트리페닐실릴-1-프로판올 5.04 g (0.01570 ㏖), 라우릴산디부틸주석을 촉매량 넣고, 용해시키면서 액온이 70 ℃ 가 될 때까지 가온하고, 6 시간 반응하였다. 반응 종료 후, 반응액을 실온까지 식히고, 증류수 20 g 을 넣고, 미반응 이소시아네이트 화합물을 실활시켰다. 유기층의 용매를 증류 제거한 후, 아세트산에틸/헥산 혼합 용제를 사용하여, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 화합물 A-10 을 5.84 g (0.01272 ㏖) 수율 81 % 로 얻었다. 1H-NMR 스펙트럼값 : 7.2 - 7.5 ppm, 6.4 ppm, 6.1 ppm, 5.8 ppm, 4.9 ppm, 4.2 - 4.1 ppm, 3.5 ppm, 1.8 ppm, 1.4 ppm.
2-2 코팅제의 조정-2
상기 화합물 (A-3) ∼ (A-9) 를 각각 1 g 을 시클로헥산 4 g 에 첨가하고, 완전히 용해될 때까지 교반하였다. 그 후, 광 중합 개시제 Irgacure (등록상표) 907 (BASF 사 제조, UV 중합 개시제, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온) 0.04 g 을 첨가하고, 코팅제 (B-3) ∼ (B-9) 를 제조하였다.
2-3 코팅층의 형성-2
(B-3) ∼ (B-9) 의 코팅제를 하기의 플라스틱 기반에 바 코트로 성막하고, 온풍 순환형 건조기로 100 ℃, 3 분간 가열하였다. 집광형 고압 수은등 (365 ㎚, 313 ㎚, 254 ㎚ 의 파장의 광을 주성분으로 하는 UV 광, 아이그래픽스사 제조, 1 등형, 120 W/㎝, 램프 높이 9.8 ㎝, 컨베이어 속도 5 m/분) 에 의해, 적산 조사량 400 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하여 박막을 얻었다.
기재 1 : PET 필름 코스모샤인 A4300 (188 ㎛), 토요 방적
기재 2 : PEN 필름 테오넥스 Q65F (125 ㎛), 데이진 듀퐁
기재 3 : 아크릴판 데라글라스 A (2 ㎜), 아사히 화성
기재 4 : 폴리이미드 캡톤 500H (126.7 ㎛), 토레·듀퐁
·밀착성 시험
JIS K5600-5-6 의 크로스 컷법에 준거하여 밀착성 시험을 실시하였다.
모든 기재에 있어서, 코팅층의 박리는 보이지 않고, 밀착성이 우수한 것이 확인되었다.
2-4 코팅층의 형성-3
(B-4) ∼ (B-8) 의 코팅제를 하기의 플라스틱 기반에 바 코트로 성막하고, 온풍 순환형 건조기로 100 ℃, 3 분간 가열하였다. 집광형 고압 수은등 (365 ㎚, 313 ㎚, 254 ㎚ 의 파장의 광을 주성분으로 하는 UV 광, 아이그래픽스사 제조, 1 등형, 120 W/㎝, 램프 높이 9.8 ㎝, 컨베이어 속도 5 m/분) 에 의해, 적산 조사량 400 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하여 박막을 얻었다.
기재 5 : COP 플레이트 ZEONOR 1600 (1 ㎜), 닛폰 제온
기재 6 : COP 플레이트 ZEONOR 1430R (1 ㎜), 닛폰 제온
기재 7 : COC 플레이트 TOPAS COC 5018L-10 (1 ㎜), 폴리플라스틱스
기재 8 : COC 플레이트 TOPAS COC 6017S-04 (1 ㎜), 폴리플라스틱스
·밀착성 시험
JIS K5600-5-6 의 크로스 컷법에 준거하여 밀착성 시험을 실시하였다.
모든 기재에 있어서, 코팅층의 박리는 보이지 않고, 밀착성이 우수한 것이 확인되었다.
2-5 코팅층의 형성-4
(B-4), (B-6) ∼ (B-8) 의 코팅제를 하기의 플라스틱 기반에 바 코트로 성막하고, 온풍 순환형 건조기로 100 ℃, 3 분간 가열하였다. 집광형 고압 수은등 (365 ㎚, 313 ㎚, 254 ㎚ 의 파장의 광을 주성분으로 하는 UV 광, 아이그래픽스사 제조, 1 등형, 120 W/㎝, 램프 높이 9.8 ㎝, 컨베이어 속도 5 m/분) 에 의해, 적산 조사량 400 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하여 박막을 얻었다.
기재 9 : COP 필름 ZEONOR Film ZF-14 (188 ㎛), 닛폰 제온 (연신 필름)
기재 10 : COP 필름 ZEONOR Film ZF-16 (188 ㎛), 닛폰 제온 (연신 필름)
기재 11 : PET 필름 루미러 T60, 토레 (연신 필름)
·밀착성 시험
JIS K5600-5-6 의 크로스 컷법에 준거하여 밀착성 시험을 실시하였다.
모든 기재에 있어서, 코팅층의 박리는 보이지 않고, 밀착성이 우수한 것이 확인되었다.
2-6 기능성 적층막의 형성
코팅제 (B-2), (B-2'), (B-2''), (B-4), (B-6), (B-7) 을 사용하여, 실시예 1-5 에 기재된 방법으로 코팅층을 제조하였다. 이 박막 상에 DC 스퍼터법으로 주석이 도프된 산화인듐막 (ITO 막) 을 약 40 ㎚ 적층하였다.
·밀착성 시험
JIS K5600-5-6 의 크로스 컷법에 준거하여 밀착성 시험을 실시한 결과, ITO 막의 박리는 보이지 않고, 밀착성이 우수한 것이 확인되었다.

Claims (3)

  1. 식 (I)
    [화학식 1]
    Figure pat00035

    [식 중,
    A 는,
    [화학식 2]
    Figure pat00036

    (R1 은 전자 공여성기를 나타내고, a 는 0 ∼ 5 의 정수, a' 는 0 ∼ 7 의 정수를 나타낸다),
    Z 는 규소 원자,
    R2 는 수소 원자, 수산기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알킬기, 직사슬 혹은 분기의 C1 ∼ C6 의 알콕시기, C3 ∼ C6 의 고리형 알킬기, 또는 C3 ∼ C6 의 고리형 알콕시기,
    X 는, 단결합 ;
    산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, -NR- (식 중, R 은 수소 원자 또는 C1 ∼ C6 의 알킬기를 나타낸다), C3 ∼ C6 의 2 가의 지방족 고리기, C6 ∼ C10 의 아릴렌기, 아미드 구조 혹은 우레탄 구조를 함유하고 있어도 되는 C1 ∼ C20 의 알킬렌기 ;
    C3 ∼ C10 의 2 가의 지방족 고리기 ;
    또는 C6 ∼ C10 의 아릴렌기,
    Y 는 중합 가능한 관능기,
    n 은 2 또는 3 의 정수,
    m 은 1 또는 2 의 정수,
    l 은 0 또는 1 의 정수이고, n + m + l = 4 이다.
    n 이 2 또는 3 의 정수인 경우, A 는 동일해도 되고 상이해도 된다.]
    로 나타내는 화합물의 중합체를 함유하는 코팅층을 기재 상에 직접 형성한 것을 특징으로 하는 성형체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    기재가 플라스틱 기재인 것을 특징으로 하는 성형체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 성형체 상에, 추가로 기능성을 갖는 적층막을 형성한 것을 특징으로 하는 성형체.
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