JPS63145287A - トリフエニルシリル基を有する新規な不飽和化合物 - Google Patents
トリフエニルシリル基を有する新規な不飽和化合物Info
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- JPS63145287A JPS63145287A JP61291297A JP29129786A JPS63145287A JP S63145287 A JPS63145287 A JP S63145287A JP 61291297 A JP61291297 A JP 61291297A JP 29129786 A JP29129786 A JP 29129786A JP S63145287 A JPS63145287 A JP S63145287A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はトリフェニルシリル基を有する新規な不飽和化
合物に関し、より詳細には優れた透明性と高い屈折率を
有するポリマーを与えるラジカル重合性上ツマ−に関す
る。
合物に関し、より詳細には優れた透明性と高い屈折率を
有するポリマーを与えるラジカル重合性上ツマ−に関す
る。
従来、光学用プラスチック材料としては、ポリメタクリ
ル酸メチル、ポリカーボネート、ジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート(CR−39)などが提案され
ているが、ポリメタクリル酸メチルやポリカーボネート
はいずれも線状ポリマーで熱可塑性であるため、切削、
磨き加工等が困難であった。
ル酸メチル、ポリカーボネート、ジエチレングリコール
ビスアリルカーボネート(CR−39)などが提案され
ているが、ポリメタクリル酸メチルやポリカーボネート
はいずれも線状ポリマーで熱可塑性であるため、切削、
磨き加工等が困難であった。
また、CR−39樹脂はその屈折率が1.50と低く、
レンズとして用いると中心厚、コバ厚が大きくなる欠点
があった。そのため3次元の網目構造を有する高屈折率
の光学用プラスチック材料が求められ、数多(の特許が
提案されている。
レンズとして用いると中心厚、コバ厚が大きくなる欠点
があった。そのため3次元の網目構造を有する高屈折率
の光学用プラスチック材料が求められ、数多(の特許が
提案されている。
屈折率を上げるためには、芳香環、臭素などのハロゲン
原子の導入が常法として用いられてきたが、薄黄色の着
色がつき易い、耐候性が良くない等の欠点があった。
原子の導入が常法として用いられてきたが、薄黄色の着
色がつき易い、耐候性が良くない等の欠点があった。
一方、ケイ素を含むポリマーは一般に耐熱性、耐候性、
に優れ、透明性も高い。我々は、これを光学用プラスチ
ックに応用すべく、屈折率を高める成分として芳香環を
導入し、ケイ素と重合基を含む新規化合物を合成した。
に優れ、透明性も高い。我々は、これを光学用プラスチ
ックに応用すべく、屈折率を高める成分として芳香環を
導入し、ケイ素と重合基を含む新規化合物を合成した。
この新規モノマーは、汎用のCR−39モノマー、ジア
リルフタレート、トリアリルシアヌレート等の汎用上ツ
マ−とも共重合可能で、重合体の高屈折率化が可能であ
り、レンズ、プリズム等の光学材料として好適であるこ
とを見いだし本発明を完成した。
リルフタレート、トリアリルシアヌレート等の汎用上ツ
マ−とも共重合可能で、重合体の高屈折率化が可能であ
り、レンズ、プリズム等の光学材料として好適であるこ
とを見いだし本発明を完成した。
本発明の目的は、トリフェニルシリル基を有する単官能
性の不飽和化合物を提供することにある。
性の不飽和化合物を提供することにある。
上記目的を達成する本発明のトリフェニルシリル基を有
する単官能性の不飽和化合物は、下記一般式で示される
。
する単官能性の不飽和化合物は、下記一般式で示される
。
(本頁以下余白)
但し、式中Rはアクリロイル基、メタクリロイル基、ア
リルオキシカルボニル基、アリル基である。
リルオキシカルボニル基、アリル基である。
本発明のトリフェニルシリル基を有する新規な不飽和化
合物を具体的に示すと下記化合物番号で示されるものが
あげられる。
合物を具体的に示すと下記化合物番号で示されるものが
あげられる。
(1)3−アクリロイルオキシプロピルトリフェニルシ
ラン (2)3−メタクリロイルオキシプロピルトリフェニル
シラン (3)3−アリルオキシカルボニルオキシプロピルトリ
フェニルシラン (4)3−アリルオキシプロピルトリフェニルシラン かかるトリフェニルシリル基を有する不飽和化合物は、
下記反応式で示すようにして製造される。
ラン (2)3−メタクリロイルオキシプロピルトリフェニル
シラン (3)3−アリルオキシカルボニルオキシプロピルトリ
フェニルシラン (4)3−アリルオキシプロピルトリフェニルシラン かかるトリフェニルシリル基を有する不飽和化合物は、
下記反応式で示すようにして製造される。
製造法1. 3−アクリロイルオキシプロピルトリフェ
ニルシラン(G−1)、3−メタクリロイルオキシプロ
ピルトリフェニルシラン(G−2)、3−アリルオキシ
カルボニルオキシプロピルトリフェニルシラン(G−3
)は、市販のトリフェニルシラン(A)と酢酸アリル(
B)との付加体(C)をアルカリで加水分解して得た3
−ヒドロキシプロピルトリフェニルシラン(D)にアク
リル酸クロリド(E−1)、メタクリル酸クロリド(E
−2)、クロルギ酸アリル(E−3)を、ピリジン、ト
リエチルアミンなどの脱塩酸剤の存在下に各々反応させ
ることにより製造される。
ニルシラン(G−1)、3−メタクリロイルオキシプロ
ピルトリフェニルシラン(G−2)、3−アリルオキシ
カルボニルオキシプロピルトリフェニルシラン(G−3
)は、市販のトリフェニルシラン(A)と酢酸アリル(
B)との付加体(C)をアルカリで加水分解して得た3
−ヒドロキシプロピルトリフェニルシラン(D)にアク
リル酸クロリド(E−1)、メタクリル酸クロリド(E
−2)、クロルギ酸アリル(E−3)を、ピリジン、ト
リエチルアミンなどの脱塩酸剤の存在下に各々反応させ
ることにより製造される。
(A) (B)
(C)
CD)
(E−1,G〜1)R’ = CH=CHz(
E−2,G−2)R’ = C=CH2H3 (E−3,G−3) R’ = 0−C)1
2−C)I=CI+□製造法2. 3−アリルオキシプ
ロピルトリフェニルシラン(G−4)は、(A)をジア
リルエーテル(F)に付加させて製造される。
E−2,G−2)R’ = C=CH2H3 (E−3,G−3) R’ = 0−C)1
2−C)I=CI+□製造法2. 3−アリルオキシプ
ロピルトリフェニルシラン(G−4)は、(A)をジア
リルエーテル(F)に付加させて製造される。
(A)
得られたトリフェニルシリル基を存する不飽和化合物は
、無色透明の液体、または低融点の固体であり、共重合
剤と混合するのに都合が良く、また低温から重合を始め
られるので、それだけ製品の重合体に歪みを残さない利
点がある。
、無色透明の液体、または低融点の固体であり、共重合
剤と混合するのに都合が良く、また低温から重合を始め
られるので、それだけ製品の重合体に歪みを残さない利
点がある。
かかる本発明のトリフェニルシリル基を有する不飽和化
合物は、いずれも新規化合物である。
合物は、いずれも新規化合物である。
そしてベンゾイルペルオキシド、2.4−ジクロロベン
ゾイルペルオキシド、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジ
イソプロピルペルオキシジカーボネート等の通常のラジ
カル重合開始剤によってメチルメタクリレート、ベンジ
ルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ブロモフ
ェニルメタクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、シクロへキシルメタクリレート、トリス(2−
メタクリロキシエチル)イソシアヌレートなどのメタク
リル酸エステル類、フェニルアクリレート、ブロモフェ
ニルアクリレート、ベンジルアクリレート、トリス(2
−アクリロキシエチル)イソシアヌレートなどのアクリ
ル酸エステル類、ジアリルフタレート、ジアリルテフタ
レート、ジアリルテレフタレート、ジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネート、トリアリルシアヌレート、
トリアリルイソシアヌレートなどのアリルエステル類、
またはスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレンなど
の芳香族オレフィン類と共重合することができ、得られ
た本発明の新規化合物を含む重合体は高い屈折率と透明
性を有し、光学用プラスチックとして好適である。以下
、本発明の実施例を述べる。
ゾイルペルオキシド、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジ
イソプロピルペルオキシジカーボネート等の通常のラジ
カル重合開始剤によってメチルメタクリレート、ベンジ
ルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ブロモフ
ェニルメタクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、シクロへキシルメタクリレート、トリス(2−
メタクリロキシエチル)イソシアヌレートなどのメタク
リル酸エステル類、フェニルアクリレート、ブロモフェ
ニルアクリレート、ベンジルアクリレート、トリス(2
−アクリロキシエチル)イソシアヌレートなどのアクリ
ル酸エステル類、ジアリルフタレート、ジアリルテフタ
レート、ジアリルテレフタレート、ジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネート、トリアリルシアヌレート、
トリアリルイソシアヌレートなどのアリルエステル類、
またはスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレンなど
の芳香族オレフィン類と共重合することができ、得られ
た本発明の新規化合物を含む重合体は高い屈折率と透明
性を有し、光学用プラスチックとして好適である。以下
、本発明の実施例を述べる。
実施例1
3−アクリロイルオキシプロピルトリフェニルシラン(
G−1)の製造 触媒として0. I N塩化白金酸の2−プロパツール
溶m加した58.1 g (581ミリモル)の過′剰
の酢酸アリル(B)中に、40g(15,4ミリモル)
のトリフェニルシラン(A)を加え3時間室温で攪はん
した。赤外吸収スペクトルで2100cm−’のSiH
の吸収が消失し、反応が完結したのを確認後、過剰の(
B)を減圧上留去、さらにその残渣をカラム精製して5
1.1g(14,2ミリモル)の3−アセトキシプロピ
ルトリフェニルシラン(C)を製造した(収率92.2
%)。
G−1)の製造 触媒として0. I N塩化白金酸の2−プロパツール
溶m加した58.1 g (581ミリモル)の過′剰
の酢酸アリル(B)中に、40g(15,4ミリモル)
のトリフェニルシラン(A)を加え3時間室温で攪はん
した。赤外吸収スペクトルで2100cm−’のSiH
の吸収が消失し、反応が完結したのを確認後、過剰の(
B)を減圧上留去、さらにその残渣をカラム精製して5
1.1g(14,2ミリモル)の3−アセトキシプロピ
ルトリフェニルシラン(C)を製造した(収率92.2
%)。
(C) 32.9g (91,4ミリモル)をINの炭
酸ソーダ、エタノール溶液に加え70〜80℃で3時間
加熱し、加水分解して3−ヒドロキシプロピルトリフェ
ニルシラン(D)を27.7g(87,1ミリモル)得
た(収率95.4%)。乾燥不活性ガス(アルゴン)で
置換したフラスコ中に乾燥ベンゼン250−を入れ、こ
れに(D) 5.0g(15,7ミリモル)、トリエチ
ルアミン1.9gを溶解した。これにアクリル酸クロリ
ド1.6 g(17,7ミリモル)を溶かした50rd
のベンゼン溶液を徐々に加えた。
酸ソーダ、エタノール溶液に加え70〜80℃で3時間
加熱し、加水分解して3−ヒドロキシプロピルトリフェ
ニルシラン(D)を27.7g(87,1ミリモル)得
た(収率95.4%)。乾燥不活性ガス(アルゴン)で
置換したフラスコ中に乾燥ベンゼン250−を入れ、こ
れに(D) 5.0g(15,7ミリモル)、トリエチ
ルアミン1.9gを溶解した。これにアクリル酸クロリ
ド1.6 g(17,7ミリモル)を溶かした50rd
のベンゼン溶液を徐々に加えた。
滴下終了後、室温下6時間攪はん後、反応液を0.5N
塩酸、水、IN炭酸ソーダ、水で順次洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。ベンゼンを留去後、残渣をカラム
クロマトグラフィー(シリカゲル/ベンゼン)で精製し
た。これにより白色結晶の3−アクリロイルオキシプロ
ピルトリフェニルシラン5.1 g(13,7ミリモル
)を得た(収率87.3%)。結果を第1表に示す。
塩酸、水、IN炭酸ソーダ、水で順次洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。ベンゼンを留去後、残渣をカラム
クロマトグラフィー(シリカゲル/ベンゼン)で精製し
た。これにより白色結晶の3−アクリロイルオキシプロ
ピルトリフェニルシラン5.1 g(13,7ミリモル
)を得た(収率87.3%)。結果を第1表に示す。
また、(G−1)の元素分析値、特性赤外吸収およびN
MRスペクトルデータを第2表に示した。
MRスペクトルデータを第2表に示した。
実施例2
化合物(G−2)、(G−3)の製造
実施例1と同様な方法で、化合物(G−2)。
(G−3)を製造した。製造条件および結果を下記第1
表に示す。なお化合物(G−3)の製造には脱塩酸剤に
ピリジンを用いた。
表に示す。なお化合物(G−3)の製造には脱塩酸剤に
ピリジンを用いた。
(G−2)、(G−3)の元素分析値、特性赤外吸収お
よびNMRスペクトルデータを第2表に示した。
よびNMRスペクトルデータを第2表に示した。
(本真以下余白)
実施例3
3−アリルオキシプロピルトリフェニルシラン(G−4
)の製造 触媒として0.IN塩化白金酸の2−プロパツール溶M
加した18.3 g (187ミリモル)の過′j剰の
ジアリルエーテル(F)中に、16g(62,3ミリモ
ル)のトリフェニルシラン(A)を加え3時間室温で攪
はんした。赤外吸収スペクトルで2100cm−’のS
iHの吸収が消失し、反応が完結したのを確認後、過剰
の(F)を減圧下留去、さらにその残渣をカラム精製し
て16.5g(50,0ミリモル)の3−アリルオキシ
プロピルトリフェニルシラン(G−4)を製造した(収
率80.3%)。
)の製造 触媒として0.IN塩化白金酸の2−プロパツール溶M
加した18.3 g (187ミリモル)の過′j剰の
ジアリルエーテル(F)中に、16g(62,3ミリモ
ル)のトリフェニルシラン(A)を加え3時間室温で攪
はんした。赤外吸収スペクトルで2100cm−’のS
iHの吸収が消失し、反応が完結したのを確認後、過剰
の(F)を減圧下留去、さらにその残渣をカラム精製し
て16.5g(50,0ミリモル)の3−アリルオキシ
プロピルトリフェニルシラン(G−4)を製造した(収
率80.3%)。
(G−4)の元素分析値、特性赤外吸収およびNMRス
ペクトルデータを第2表に示した。
ペクトルデータを第2表に示した。
(来夏以下余白)
第 2 表 (1)
(G−1)
元素分析値 測定(a C77,41!
H6,48ZCz4HzaO□Siとして 計算値 C77,38χ H6,49χI R(KB
r) cm−’ 1725(Coo)、 1630.
1620.1430(Si−Ph)。
H6,48ZCz4HzaO□Siとして 計算値 C77,38χ H6,49χI R(KB
r) cm−’ 1725(Coo)、 1630.
1620.1430(Si−Ph)。
1410、1190.1110.980.810.73
0.700’H−NMR(CDCI+)p pm 1
.37−1.45(2H,m、5i−CHz−)。
0.700’H−NMR(CDCI+)p pm 1
.37−1.45(2H,m、5i−CHz−)。
1.75−1.95(2H,m、−CHz−CHz−C
llz−)、 4.15(2H,t、J=6.51!z
、0−CHz−)。
llz−)、 4.15(2H,t、J=6.51!z
、0−CHz−)。
5.81(IH,d、J=10.2Hz、=C1lII
(E))、 6.10(LH,dd、J=17.2,1
0.2)1z。
(E))、 6.10(LH,dd、J=17.2,1
0.2)1z。
−CH=) 、 6.38(LH,d、 J=17.2
Hz、 =CHH(Z) )、 7.3−7.7 (1
5H,m、芳香族プロトン) 1”C−NMR(CDC13)pi)ma 166.1
. b 135.6. c 134.7. d !30
.3. e 129.5. f 128.6゜g 12
7.9. h 66.9. i 23.4. j 9
.4第 2 表 (2) (G−2) 元素分析値 測定値 C77,72χ H6,
74χCzsHzbO□Siとして 計算値 C77,68X H6,78XIR(KBr
) am−’ 1720(COO)、 1635(
C=CHz)、 1430(Si−Ph)。
Hz、 =CHH(Z) )、 7.3−7.7 (1
5H,m、芳香族プロトン) 1”C−NMR(CDC13)pi)ma 166.1
. b 135.6. c 134.7. d !30
.3. e 129.5. f 128.6゜g 12
7.9. h 66.9. i 23.4. j 9
.4第 2 表 (2) (G−2) 元素分析値 測定値 C77,72χ H6,
74χCzsHzbO□Siとして 計算値 C77,68X H6,78XIR(KBr
) am−’ 1720(COO)、 1635(
C=CHz)、 1430(Si−Ph)。
1160、 1110. 1040.730.700.
680’HNMR(CDCIJppm 1.36−1
.45(2)1.m、5i−CHz−)。
680’HNMR(CDCIJppm 1.36−1
.45(2)1.m、5i−CHz−)。
1.76−1.90(2H,m、−CHz−C11z−
C1h−)、1.93(3H,Ill、−CD5)、
4.14(21+。
C1h−)、1.93(3H,Ill、−CD5)、
4.14(21+。
t、J=6.5Hz、0−CHz−)、 5.55(I
H,t、J=1.6Hz、=CHH(Z))、 6.0
8(IH,s。
H,t、J=1.6Hz、=CHH(Z))、 6.0
8(IH,s。
=CHH(E))、 7.30−7.37(9H,m、
芳香族プロトン)、 7.48−7.55(6H,m。
芳香族プロトン)、 7.48−7.55(6H,m。
芳香族プロトン)
13C−NMR(CDC13)ppm
a 167.0. b 135.8. c 135.6
. d 134.7. e 129.6. f 12B
、0゜g 125.6. h 66.9. i 23.
5. j 18.3. k 9.4第 2 表
(3) (G−3) 元素分析値 測定値 C74,60χ H6,
47χC2% HZ603 S 1 トL 1’計算値
C74,59χ H6,51χI R(KB r)
Cl11−’ 1750(OCOO)、 1430(
St−Ph)、 1260.1110゜960、730
.700.510.480’HNMR(CDCldpp
m 1.36−1.45(2H,m、5t−CHz−
)。
. d 134.7. e 129.6. f 12B
、0゜g 125.6. h 66.9. i 23.
5. j 18.3. k 9.4第 2 表
(3) (G−3) 元素分析値 測定値 C74,60χ H6,
47χC2% HZ603 S 1 トL 1’計算値
C74,59χ H6,51χI R(KB r)
Cl11−’ 1750(OCOO)、 1430(
St−Ph)、 1260.1110゜960、730
.700.510.480’HNMR(CDCldpp
m 1.36−1.45(2H,m、5t−CHz−
)。
1.76−1.91(2H,m、−CHz−CHz−C
Hz−)、4.13(21(、t、J=6.7Hz、0
−C11z−CHz−)、 4.60(2H,ddd、
J=7+1.5.1Hz、0−CHz−CI!=)+
5.26(LH,ddd、J=11.1.5,1.3)
1z、=CHII(E))、 5.35(IH,ddd
、J=17.1.3.1Hz、=CH)I(Z))5.
91 (IH,dat、 J=17. IL 7Hz、
−CH≧)、 7.25−7.41(9H,m、芳香族
プロトン)、 7.49−7.53(6H,m、芳香族
プロトン)皿’CNMR(CDCI*)p pm a 155.0. b 135.6. c 134.6
. d 131.7. e 129.6. f 128
.0゜g 11B、7. h 70.4. i 6B、
3. j 23.5. k 9.3第 2 表
(4) (G−4) 元素分析値 測定値 CBo、45X H7
,31%CzaHzbO3iとして 計算値 C80,40χ H7,31χI R(fil
m) cm−’ 1430(Si−Ph)、 11
10(C−0−C)、 1000.730゜710、7
00 ’HNMR(CDCldppm 1.35−1.44
(2H,m、5i−C1h−)。
Hz−)、4.13(21(、t、J=6.7Hz、0
−C11z−CHz−)、 4.60(2H,ddd、
J=7+1.5.1Hz、0−CHz−CI!=)+
5.26(LH,ddd、J=11.1.5,1.3)
1z、=CHII(E))、 5.35(IH,ddd
、J=17.1.3.1Hz、=CH)I(Z))5.
91 (IH,dat、 J=17. IL 7Hz、
−CH≧)、 7.25−7.41(9H,m、芳香族
プロトン)、 7.49−7.53(6H,m、芳香族
プロトン)皿’CNMR(CDCI*)p pm a 155.0. b 135.6. c 134.6
. d 131.7. e 129.6. f 128
.0゜g 11B、7. h 70.4. i 6B、
3. j 23.5. k 9.3第 2 表
(4) (G−4) 元素分析値 測定値 CBo、45X H7
,31%CzaHzbO3iとして 計算値 C80,40χ H7,31χI R(fil
m) cm−’ 1430(Si−Ph)、 11
10(C−0−C)、 1000.730゜710、7
00 ’HNMR(CDCldppm 1.35−1.44
(2H,m、5i−C1h−)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式で示されるトリフェニルシリル基を有する不
飽和化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中Rはアクリロイル基、メタクリロイル基、ア
リルオキシカルボニル基、アリル基である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61291297A JPS63145287A (ja) | 1986-12-06 | 1986-12-06 | トリフエニルシリル基を有する新規な不飽和化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61291297A JPS63145287A (ja) | 1986-12-06 | 1986-12-06 | トリフエニルシリル基を有する新規な不飽和化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63145287A true JPS63145287A (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=17767062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61291297A Pending JPS63145287A (ja) | 1986-12-06 | 1986-12-06 | トリフエニルシリル基を有する新規な不飽和化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63145287A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004017142A1 (de) * | 2002-07-22 | 2004-02-26 | Infineon Technologies Ag | Polymerisierbare zusammensetzung, polymer, resist und lithographieverfahren |
WO2014115210A1 (ja) | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 日本曹達株式会社 | コーティング剤 |
KR20180050391A (ko) | 2015-12-21 | 2018-05-14 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 코팅제 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3924520A (en) * | 1974-06-27 | 1975-12-09 | Hercules Inc | Preparing lithographic plates utilizing vinyl monomers containing hydrolyzable silane groups |
-
1986
- 1986-12-06 JP JP61291297A patent/JPS63145287A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3924520A (en) * | 1974-06-27 | 1975-12-09 | Hercules Inc | Preparing lithographic plates utilizing vinyl monomers containing hydrolyzable silane groups |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004017142A1 (de) * | 2002-07-22 | 2004-02-26 | Infineon Technologies Ag | Polymerisierbare zusammensetzung, polymer, resist und lithographieverfahren |
US7374858B2 (en) | 2002-07-22 | 2008-05-20 | Qimonda Ag | Polymerizable compositions; polymer, resist, and lithography method |
KR100860759B1 (ko) | 2002-07-22 | 2008-09-29 | 인피네온 테크놀로지스 아게 | 중합가능한 조성물, 중합체, 레지스트 및 리소그래피 방법 |
WO2014115210A1 (ja) | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 日本曹達株式会社 | コーティング剤 |
CN104937055A (zh) * | 2013-01-28 | 2015-09-23 | 日本曹达株式会社 | 涂层剂 |
EP2949716A4 (en) * | 2013-01-28 | 2016-10-05 | Nippon Soda Co | COATING AGENT |
KR20170141279A (ko) | 2013-01-28 | 2017-12-22 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 코팅제 |
US10947393B2 (en) | 2013-01-28 | 2021-03-16 | Nippon Soda Co., Ltd. | Coating agent |
KR20180050391A (ko) | 2015-12-21 | 2018-05-14 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 코팅제 |
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