KR20170013826A - 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents
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Abstract
유전체층의 두께가 0.8㎛ 이하라도, 수명 특성이 우수하고, 또한 누설 전류가 충분히 억제된 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것이다. 극성이 상이한 내부 전극층이 유전체층을 개재하여 교대로 적층되어 이루어지는 적층체를 구비하는 적층 세라믹 콘덴서로서, 상기 유전체층은, BaTiO3를 주성분으로 하는 세라믹 입자를 포함하고, 상기 세라믹 입자는 Mo와, Mn과, 희토류 R과, V 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 상기 세라믹 입자 중의 Mo의 평균 가수가 4.50∼5.50인 적층 세라믹 콘덴서이다.
Description
본 발명은 유전체층을 구성하는 세라믹 입자가 소정의 조성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화나 태블릿 단말기 등의 디지털 전자 기기에 사용되는 전자 회로의 고밀도화에 수반되는 전자 부품의 소형화에 대한 요구는 높고, 당해 회로를 구성하는 적층 세라믹 콘덴서(MLCC)의 소형화, 대용량화가 급속하게 진행되고 있다.
적층 세라믹 콘덴서의 용량은, 당해 콘덴서를 구성하는 유전체층의 구성 재료의 유전율이나 유전체층의 적층수에 비례하고, 유전체층 1층 당의 두께에 반비례한다. 따라서, 소형화의 요구에도 부응하기 위해서, 재료의 유전율을 높이고, 또한 유전체층의 두께를 얇게 하여 그 적층수를 증가시키는 것이 요구된다.
그러나, 유전체층을 박층화하면, 단위 두께당에 가해지는 전압이 증가하여, 유전체층의 수명 시간이 짧아지고, 적층 세라믹 콘덴서의 신뢰성이 저하되어 버린다. 따라서 수명의 개선을 위해, 도너 원소인 Mo나 W를 첨가하는 유전체 조성이 제안되어 있다.
또한, 특허문헌 1에는, 용량 온도 특성이 양호하고, 또한 수명 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 유전체 세라믹으로서, 코어부 및 쉘부를 구비하고, 부성분으로서 희토류 원소 R 및 M(M은 Mg, Mn, Ni, Co, Fe, Cr, Cu, Al, Mo, W 및 V로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종)을 포함하고, R 및 M의 합계 농도가, 입계로부터 코어부를 향하여 구배를 갖고, 또한, 극소로 되는 부분과 극대로 되는 부분을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 티타늄산바륨계 세라믹 입자가 기재되어 있다.
또한, 당해 문헌의 실시예에서는, 티타늄산바륨 100mol에 대하여 Mn을 0.5mol, Mo를 0.2mol, 그리고 Gd를 1.0mol 첨가한 원료를 사용하여, 유전체층의 두께가 1㎛인 적층 세라믹 콘덴서가 제작되어 있다.
유전체층의 박층화는 최근에도 계속되고 있으며, 그 두께는 1㎛를 하회하는 것에까지 이르고 있다. 이 경우, 특허문헌 1에 기재된 발명에서는, 유전체층의 두께가 예를 들어 0.8㎛ 이하인 경우의 수명 특성에 개선의 여지가 있다.
또한, 유전체층이 얇아지면, 교대로 반대측의 외부 전극에 인출되도록 적층되어 있는 내부 전극의 사이에서 단락이 발생하여, 누설 전류의 문제가 커지게 된다.
따라서 본 발명은, 유전체층의 두께가 0.8㎛ 이하라도, 수명 특성이 우수하고, 또한 누설 전류가 충분히 억제된 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 극성이 상이한 내부 전극층이 유전체층을 개재하여 교대로 적층되어 이루어지는 적층체를 구비하는 적층 세라믹 콘덴서로서, 상기 유전체층은, BaTiO3를 주성분으로 하는 세라믹 입자를 포함하고, 상기 세라믹 입자는 Mo와, Mn과, 희토류 R과, V 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 상기 세라믹 입자 중의 Mo의 평균 가수가 4.50∼5.50인 적층 세라믹 콘덴서이다.
상기 유전체층 중에 있어서의 Mo의 양은, BaTiO3 100mol에 대하여 0.1∼0.3mol인 것이 바람직하다.
Mo의 양을 이와 같은 범위로 함으로써, Mo의 평균 가수(단원자에서는 4 또는 6)를 본 발명의 범위로 조정하기 쉬워진다.
상기 유전체층 중에 있어서의 Mn의 양은, BaTiO3 100mol에 대하여 0.03∼0.2mol인 것이 바람직하다.
Mn의 양을 이와 같은 범위로 함으로써, Mo의 평균 가수를 본 발명의 범위로 조정하기 쉬워진다.
상기 유전체층 중에 있어서의 희토류 R의 양은, BaTiO3 100mol에 대하여 0.5∼1.5mol인 것이 바람직하다.
희토류 R의 양을 이와 같은 범위로 함으로써, Mo의 평균 가수를 본 발명의 범위로 조정하기 쉬워진다.
본 발명의 적층 세라믹 콘덴서에 있어서는, 상기 유전체층의 두께가 0.8㎛ 이하인 것이 바람직하다.
이와 같이 유전체층의 두께를 얇게 함으로써 적층 세라믹 콘덴서의 대용량화를 도모할 수 있고, 게다가 본 발명에 따르면, 당해 콘덴서의 수명 특성이 우수하고, 누설 전류도 억제되어 있다.
본 발명에 따르면, 유전체층의 두께가 0.8㎛ 이하라도, 수명 특성이 우수하고, 또한 누설 전류가 충분히 억제된 적층 세라믹 콘덴서가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 적층 세라믹 콘덴서의 개략의 종단면도.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 적층 세라믹 콘덴서를 설명한다. 도 1은 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서(1)의 개략 종단면도이다.
[적층 세라믹 콘덴서]
적층 세라믹 콘덴서(1)는 규격에 의해 정해진 칩 치수 및 형상(예를 들어 1.0×0.5×0.5㎜의 직육면체)을 갖는 세라믹 입자의 소결체인 세라믹 소결체(10)와, 세라믹 소결체(10)의 양측에 형성되는 한 쌍의 외부 전극(20)으로 대략 구성된다. 세라믹 소결체(10)는 BaTiO3를 포함하는 입자 결정을 주성분으로 하고, 내부에 내부 전극층(13)이 유전체층(12)을 개재하여 교대로 적층되어 이루어지는 적층체(11)와, 적층 방향 상하의 최외층으로서 형성되는 커버층(15)을 갖고 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 적층체(11)(의 내부 전극층(13))가 외부에 노출되지 않도록 이것을 커버하는 사이드 마진이 존재한다.
적층체(11)는, 정전 용량이나 요구되는 내압 등의 사양에 따라서, 2매의 내부 전극층(13) 사이에 끼워지는 유전체층(12)의 두께가 소정의 범위로 설정되고(통상 0.8㎛ 이하임), 전체의 적층수가 수백∼1000 정도의 고밀도 다층 구조를 갖고 있다.
적층체(11)의 최외층 부분에 형성되는 커버층(15)은 유전체층(12) 및 내부 전극층(13)을 외부로부터의 습기나 이물질 등의 오염으로부터 보호하고, 그들의 경시적인 열화를 방지한다.
또한, 내부 전극층(13)은 그 단연이, 유전체층(12)의 길이 방향 양단부에 있는 극성이 상이한 한 쌍의 외부 전극(20)에 교대로 인출되어, 전기적으로 접속하고 있다.
그리고 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서(1)의 유전체층(12)은 BaTiO3를 주성분으로 하는 세라믹 입자를 포함하고, 상기 세라믹 입자는 Mo와, Mn과, 희토류 R과, V 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 상기 세라믹 입자 중의 Mo의 평균 가수가 4.50∼5.50이다.
이와 같이 유전체층을 구성하는 세라믹 입자가 소정의 원소를 포함하고, 또한 세라믹 입자 중의 Mo의 평균 가수가 4.50∼5.50인 것에 의해, 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서(1)에 있어서는, 유전체층(12)의 두께가 0.8㎛ 이하라도, 수명 특성이 우수하고, 또한 누설 전류가 충분히 억제되어 있다.
보다 자세하게 설명하면, 유전체층 중의 Mo의 가수는 4 또는 6이다. Mo는 도너 원소이지만, Mo의 가수가 높으면, 도너 준위의 전자가 적어져, 전자가 흐르기 어려운 경향으로 되고, 이것은 누설 전류를 작게 하는 방향으로 작용한다. 또한, 도너 준위의 전자가 적으면 BaTiO3의 결정 구조에 있어서의 산소 공공이 증가하여, 콘덴서의 수명을 짧게 하는 방향으로 작용한다.
한편 Mo의 가수가 낮으면, 도너 준위의 전자가 많아, 전자가 흐르기 쉬운 경향으로 되고, 이것은 누설 전류를 크게 하는 방향으로 작용한다. 또한, 도너 준위의 전자가 많으면 BaTiO3의 결정 구조에 있어서의 산소 공공이 적어지므로, 수명을 길게 하는 방향으로 작용한다.
이와 같이 Mo의 가수를 높게 하거나 또는 낮게 하면, 본 발명의 목적인 수명 특성 및 누설 전류 중 한쪽은 양호해지지만 다른 쪽은 나빠진다고 하는 바와 같이, 수명 특성 및 누설 전류는 트레이드 오프의 관계에 있다. 본 발명에서는, 평균 가수 4.50∼5.50이라는 범위를 채용함으로써, 누설 전류의 억제와 수명 특성을 양립시키는 것에 성공하였다. 또한, 평균 가수의 측정 방법에 대해서는 후술하는 실시예에 있어서 상세하게 설명한다.
상기의 평균 가수의 범위에는 다양한 요소가 영향을 미친다. 예를 들어, 유전체층(12) 중에 있어서의 Mo의 양이, Mo의 평균 가수에 영향을 미친다. 본 발명에 있어서는 상기 양을, 바람직하게는 BaTiO3 100mol에 대하여 0.1∼0.3mol로 함으로써, 평균 가수를 4.50∼5.50의 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 상기의 Mo량의 범위에서는, Mo의 양이 높아지면, Mo의 평균 가수는 저하되는 경향이 있다.
또한, Mn도 Mo의 평균 가수에 영향을 미친다. 본 발명에 있어서는, 유전체층(12) 중에 있어서의 Mn의 양을, 바람직하게는 BaTiO3 100mol에 대하여 0.03∼0.20mol로 함으로써, Mo의 평균 가수를 4.50∼5.50의 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 첨가되는 Mn의 전량 중의 일부에 대하여, Mn 대신에 Mg를 사용해도(즉 Mn의 일부를 Mg로 치환해도), 상기의 Mo의 평균 가수의 범위를 달성할 수 있어, 본 발명의 효과가 발휘된다. 또한, 상기의 Mn량의 범위에서는, Mn의 양이 높아지면, Mo의 평균 가수는 높아지는 경향이 있다.
희토류 R도 또한 Mo의 평균 가수에 영향을 미친다. 본 발명에 있어서는, 희토류에 해당하는 금속을 특별히 제한없이 사용할 수 있지만, Mo의 평균 가수를 4.50∼5.50의 범위로 조정하는 관점에서는, Ho, Y, Dy, Gd, Tb, Er, Sm 및 Eu가 바람직하고, Ho, Y, Dy 및 Gd가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서는, 유전체층(12) 중에 있어서의 희토류 R의 양(R로서 2종 이상을 사용하는 경우에는, 그들의 합계값)을 바람직하게는 BaTiO3 100mol에 대하여 0.5∼1.5mol로 함으로써, 평균 가수를 4.50∼5.50의 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 상기의 R량의 범위에서는, 희토류 R의 양이 높아지면, 평균 가수는 낮아지는 경향이 있다.
V 및 W도 또한 Mo의 평균 가수에 영향을 미친다. 본 발명에 있어서는, 유전체층(12) 중에 있어서의 V 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소의 양(V 및 W의 양쪽을 사용하는 경우에는 그들의 합계량)을, 바람직하게는 BaTiO3 100mol에 대하여 0.046∼0.250mol로 함으로써, Mo의 평균 가수를 4.50∼5.50의 범위로 조정하기 쉬워진다.
또한, 이상 설명한 각종 금속 원소의 유전체층(12) 중에 있어서의 양은, 예를 들어 ICP(유도 결합 플라즈마) 발광 분광 분석에 의해 측정 가능하고, 통상 산화물이나 탄산염으로의 환산값으로서 구해진다. 또한 이 값은, 후술하는 적층 세라믹 콘덴서를 제조할 때의, 각각의 금속 원소에 대한 첨가 재료의 투입량에 대략 일치한다.
그 밖에, 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서(1)에 있어서, 커버층(15)의 두께, 사이드 마진의 두께 및 내부 전극층(11)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 커버층(15)의 두께는 통상 4∼50㎛이며, 사이드 마진의 두께는 통상 4∼50㎛이고, 내부 전극층(11)의 두께는 통상 0.26∼1.00㎛이다.
[적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법]
이하, 이상 설명한 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 유전체층을 형성하기 위한 원료 분말을 준비한다. 원료 분말로서는, 세라믹 소결체를 형성하는 BaTiO3의 분말을 사용할 수 있다.
BaTiO3는 페로브스카이트 구조를 갖는 정방정 화합물로서, 높은 유전율을 나타낸다. 이 BaTiO3는, 일반적으로, 이산화티타늄 등의 티타늄 원료와 탄산바륨 등의 바륨 원료를 반응시켜 티타늄산바륨을 합성함으로써 얻어진다.
또한, 티타늄 원료의 비표면적은, 미세한 BaTiO3의 합성의 관점에서 10∼300㎡/g의 범위에 있는 것이 바람직하고, 바륨 원료의 비표면적은, 미세한 BaTiO3의 합성의 관점에서 10∼50㎡/g의 범위에 있는 것이 바람직하다.
상기 BaTiO3의 합성 방법으로서는 종래 다양한 방법이 알려져 있고, 예를 들어 고상법, 졸겔법, 수열법 등이 알려져 있다. 본 발명에 있어서는, 이들 모두 채용 가능하다.
본 발명에 있어서는, 세라믹 입자 중의 Mo의 평균 가수를 4.50∼5.50의 범위로 하기 위해, Mo, Mn, 희토류 R, 및 V 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 첨가한다. 이들은, 각각의 금속 원소를 포함하는 화합물(예를 들어 산화물)로서 첨가한다. 또한, Mn의 일부를 Mg로 치환할 수 있는 것은 상술한 바와 같다.
첨가의 단계는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 BaTiO3의 합성 반응 시에, 티타늄 원료와 바륨 원료에 상기 금속 원소를 포함하는 화합물을 혼합하여 BaTiO3의 합성 반응을 실시하여, 미리 상기 금속 원소가 고용된 BaTiO3 입자로 해도 된다. 또는, 원료 분말인 BaTiO3 분말을 제조한 후에, 이들 금속 원소를 포함하는 화합물을 첨가하여, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 공정(소성 공정 등)에 제공해도 된다.
또한, 얻어진 원료 분말에, 목적에 따라서 소정의 첨가 화합물을 첨가해도 된다. 상기 첨가 화합물로서는, Cr, Co, Ni, Nb, Li, B, Na, K 및 Si의 산화물을 들 수 있다.
예를 들어 상기와 같이 하여 얻어진 원료 분말에 대하여, 필요에 따라서 분쇄 처리하여 입경을 조절하거나, 또는 분급 처리와 조합함으로써 입경을 고르게 해도 된다.
그리고 원료 분말에, 폴리비닐부티랄(PVB) 수지 등의 바인더, 에탄올 및 톨루엔 등의 유기 용제 및 프탈산디옥틸(DOP) 등의 가소제를 첨가하여 습식 혼합한다. 얻어진 슬러리를, 예를 들어 다이 코터법이나 닥터 블레이드법에 의해, 기재 상에 띠 형상으로 도포 시공하여 건조시켜, 두께 1.2㎛ 이하의 유전체 그린 시트를 얻는다. 그리고, 유전체 그린 시트의 표면에, 유기 바인더를 포함하는 금속 도전 페이스트를 스크린 인쇄나 그라비아 인쇄에 의해 인쇄함으로써, 극성이 상이한 한 쌍의 외부 전극에 교대로 인출되는 내부 전극층의 패턴을 배치한다. 상기 금속으로서는, 비용의 관점에서 니켈이 널리 채용되고 있다. 또한, 상기 금속 도전 페이스트에는 공재로서, 평균 입자경이 50㎚ 이하인 티타늄산바륨을 균일하게 분산시켜도 된다.
그 후, 내부 전극층 패턴이 인쇄된 유전체 그린 시트를 소정의 크기로 펀칭하고, 펀칭된 상기 유전체 그린 시트를, 기재를 박리한 상태에서, 내부 전극층과 유전체층이 교대로 되도록, 또한 내부 전극층이 유전체층의 길이 방향 양단면에 단연이 교대로 노출되어 극성이 상이한 한 쌍의 외부 전극에 교대로 인출되도록, 소정 층수(예를 들어 100∼1000층) 적층한다. 적층한 유전체 그린 시트의 상하에 커버층으로 되는 커버 시트를 압착시켜, 소정 칩 치수(예를 들어 1.2㎜×0.75㎜×0.75㎜)로 커트한다.
계속해서 사이드 마진을 형성하지만, 그 방법으로서는, 종래 공지의 각종 방법이 특별히 제한없이 채용 가능하다. 예를 들어, 상기 소정 칩 치수로 커트할 때에, 내부 전극층의 저스트의 위치가 아니라, 그것보다 약간 여유를 두고 내부 전극층으로 피복되어 있지 않은 유전체층의 부분을 포함하도록 커트함으로써, 적층체의 양측면에 원하는 두께의 사이드 마진을 형성할 수 있다. 또한, 커트한 후에, 얻어진 적층체의, 사이드 마진이 형성되는 측면에 소정의 재료(통상 유전체층과 마찬가지의 재료임)를 도포하거나 하여, 사이드 마진을 형성할 수도 있다.
그 후, 외부 전극으로 되는 Ni 도전 페이스트를, 커트한 적층체의 양단면에 도포하여 건조시킨다. 이에 의해, 적층 세라믹 콘덴서의 성형체가 얻어진다. 또한, 스퍼터링법 등에 의해 적층체의 양단면에 외부 전극을 형성해도 된다.
이와 같이 하여 얻어진 적층 세라믹 콘덴서의 성형체를, 250∼500℃의 N2 분위기 중에서 탈바인더한 후에, 환원 분위기 중에서 1100∼1300℃에서 10분∼2시간 소성함으로써, 상기 유전체 그린 시트를 구성하는 각 화합물이 소결하여 입성장한다. 이와 같이 하여, 내부에 세라믹 입자의 소결체를 포함하는 유전체층(12)과 내부 전극층(13)이 교대로 적층되어 이루어지는 적층체(11)와, 적층 방향 상하의 최외층으로서 형성되는 커버층(15)을 갖는 적층 세라믹 콘덴서(1)가 얻어진다.
또한, 본 발명에 있어서는 또한 600∼1000℃에서 재산화 처리를 실시해도 된다.
또한, 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 관한 다른 실시 형태로서, 외부 전극과 유전체를 다른 공정에서 소성시켜도 된다. 예를 들어 유전체를 적층한 적층체를 소성한 후에, 그 양단부에 도전 페이스트를 베이킹하여 외부 전극을 형성해도 된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예에 전혀 한정되지 않는다.
[실시예 1]
이온 교환수에 분산제를 첨가한 수용액에, BaCO3(비표면적 30㎡/g) 및 TiO2(비표면적 50㎡/g)를 Ba/Ti 몰비=1로 되도록 첨가하여 슬러리로 하고, 비즈밀을 사용하여 혼합ㆍ분산하였다. 상기 슬러리를 건조하여 물을 제거하고, 935℃에서 예비 소성을 행하고, SEM 사진으로부터 구한 평균 입자경이 100㎚인 BaTiO3를 합성하였다.
다음에, BaTiO3 100mol에 대해, MoO3=0.2mol, (Ho2O3)/2=0.75mol, MnCO3=0.03mol, WO3=0.184mol, SiO2=1.0mol의 비율로(모두 각 화합물로의 환산값), 각종 첨가재를 첨가하고, 용제를 첨가하여 슬러리로 하였다. 그 슬러리에 PVB 바인더를 첨가하고, PET 필름 상에 1.0㎛의 두께로 그린 시트를 도포 시공하였다.
계속해서, 내부 전극으로서 Ni 도전 페이스트를 상기 그린 시트 상에 인쇄하고, 이것을 사용하여 1005 형상의 400층의 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 탈바인더 처리를 행한 후, 소성에 대해서는, 1200℃ 환원 분위기(산소 분압 1.0×10-11㎫)에서 0.5시간 소성, N2 분위기 하에서 800℃에서 재산화 처리를 행하였다. 소성 후의 유전체층의 두께는 0.8㎛, 내부 전극층의 두께는 0.9㎛, 적층 세라믹 콘덴서의 용량은 약 10μF이었다.
또한, 적층 세라믹 콘덴서의 유전체층 중에 포함되는 Mo의 평균 가수를 조사하기 위해, 방사광 X선 흡수 분광의 측정을 행하고, Mo K흡수단의 X선 흡수단 근방 구조(XANES)를 형광법에 의해 검출하였다.
참조 물질로서 Mo, MoO2, MoO3의 Mo K흡수단의 XANES를 투과법에 의해 검출하였다. 얻어진 XANES를 XAFS 해석 소프트웨어(제품명 : Athena)에 의해 규격화하였다. 얻어진 스펙트럼의 상승 부분에 있어서, Mo, MoO2, MoO3에 대하여 규격화된 흡수 계수가 0.7로 되는 에너지값을 판독하고, 각각 0가, 4가, 6가로서 에너지값과 가수의 대응을 1차 함수로 피팅하여 검량선을 작성하였다. 흡수 계수 0.7을 채용한 것은, Mo의 0가, 4가, 6가의 가수 변화를 파악하기 쉽기 때문이다. 또한, XAFS 해석 소프트웨어로서는 REX2000도 사용 가능하다.
그리고, 적층 세라믹 콘덴서의 유전체층의 Mo에 대하여 구한 K단 XANES의 규격화된 흡수 계수가 0.7로 되는 에너지값을 검량선에 적용시킴으로써, Mo의 평균 가수를 구하였다. 측정의 결과, Mo의 평균 가수는 4.55이었다.
또한, Mo의 평균 가수를 구한 방사광 X선 흡수 분광 측정의 시료는, 이하와 같이 하여 제작하였다. 제작한 적층 세라믹 콘덴서 10∼30개를 분쇄하여, 입경 수십㎛의 분말로 하였다. 이 분말은, 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극이나 외부 전극(이 분쇄된 것)도 포함하고 있지만, 당해 분말을 상기 방사광 X선 흡수 분광 측정의 시료로 하였다.
다음에, 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명(105℃, 50V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)을 측정한 바, 640분이며, 100분 이상을 나타내어, 양호한 값을 나타냈다. 또한, 고온 가속 수명 측정에 있어서의 30초 경과 직후의 전류값은 90㎂이며, 100㎂ 이하로 되어, 절연성도 우수하여 누설 전류가 억제되어 있었다.
이하에 설명하는 실시예 2∼26 및 비교예 1∼6을 포함하여, 측정 결과의 일람(첨가 금속 원소의 조성, Mo의 평균 가수, 고온 가속 수명 시험 결과)을 후기 표 1에 나타냈다.
[실시예 2]
MnCO3=0.02mol(환산값), (Ho2O3)/2=0.50mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.52이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 470분으로 되고, 30초 후의 전류값은 95㎂이었다.
[실시예 3]
MnCO3=0.15mol(환산값), (Ho2O3)/2=1.80mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.90이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 950분으로 되고, 30초 후의 전류값은 85㎂이었다.
[실시예 4]
(Ho2O3)/2=1.50mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 900분으로 되고, 30초 후의 전류값은 95㎂이었다.
[실시예 5]
MnCO3=0.075mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.90이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1090분으로 되고, 30초 후의 전류값은 1.2㎂이었다.
[실시예 6]
WO3=0.092mol(환산값), (V2O5)/2=0.092mol(환산값), 합하여 0.184mol로 되도록 V 및 W의 첨가재를 첨가한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.05이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1100분으로 되고, 30초 후의 전류값은 1.0㎂이었다.
[실시예 7]
MoO3=0.1mol(환산값)로 하고, WO3 대신에 (V2O5)/2=0.093mol(환산값)로 되도록 첨가재를 첨가한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 320분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.05㎂이었다.
[실시예 8]
MoO3=0.2mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 7과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.47이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 800분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.2㎂이었다.
[실시예 9]
(V2O5)/2=0.046mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 8과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 300분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.07㎂이었다.
[실시예 10]
(V2O5)/2=0.250mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 8과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.10이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1020분으로 되고, 30초 후의 전류값은 81㎂이었다.
[실시예 11]
(V2O5)/2=0.184mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 7과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.48이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 580분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.1㎂이었다.
[실시예 12]
MoO3=0.2mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.43이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1180분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.1㎂이었다.
[실시예 13]
7몰리브덴산 6암모늄 4수화물을 이온 교환수에 용해시키고, 분산제를 첨가한 수용액에, BaCO3(비표면적 30㎡/g) 및 TiO2(비표면적 50㎡/g)를 Ba/Ti 몰비=1로 되도록 첨가하여 슬러리로 하고, 비즈밀을 사용하여 혼합ㆍ분산하였다.
또한, 당해 슬러리에 있어서, BaTiO3 100mol로 하였을 때, Mo 첨가량은 MoO3 환산으로 0.2mol로 하였다. 상기 슬러리를 건조하여 물을 제거하고, 930℃에서 예비 소성을 행하고, SEM 사진으로부터 구한 평균 입자경이 100㎚인 Mo 함유 티타늄산바륨을 합성하였다.
당해 Mo 함유 티타늄산바륨을 사용한 것 이외에는, 실시예 11과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.42이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1210분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.52㎂이었다.
[실시예 14]
(Ho2O3)/2=0.5mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.45이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 200분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.3㎂이었다.
[실시예 15]
(Ho2O3)/2=1.5mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.20이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1280분으로 되고, 30초 후의 전류값은 40㎂이었다.
[실시예 16]
(Ho2O3)/2 대신에 (Gd2O3)/2를 사용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.30이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 980분으로 되고, 30초 후의 전류값은 20㎂이었다.
[실시예 17]
(Ho2O3)/2 대신에 (Dy2O3)/2를 사용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.40이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1040분으로 되고, 30초 후의 전류값은 50㎂이었다.
[실시예 18]
(Ho2O3)/2 대신에 (Y2O3)/2를 사용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 300분으로 되고, 30초 후의 전류값은 4㎂이었다.
[실시예 19]
(Ho2O3)/2 대신에 (Gd2O3)/2와 (Dy2O3)/2를 1 : 1로 혼합한 것을 사용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.34이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1000분으로 되고, 30초 후의 전류값은 30㎂이었다.
[실시예 20]
MoO3=0.3mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.20이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1350분으로 되고, 30초 후의 전류값은 58㎂이었다.
[실시예 21]
MnCO3=0.15mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.44이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 804분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.15㎂이었다.
[실시예 22]
MnCO3=0.2mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.48이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 600분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.07㎂이었다.
[실시예 23]
(Ho2O3)/2=0.5mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 22와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 300분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.02㎂이었다.
[실시예 24]
MnCO3=0.25mol(환산값), (Ho2O3)/2=1.5mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.44이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 1200분으로 되고, 30초 후의 전류값은 85㎂이었다.
[실시예 25]
MnCO3=0.03mol(환산값), (Ho2O3)/2=0.4mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.80이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 2250분으로 되고, 30초 후의 전류값은 90㎂이었다.
[실시예 26]
실시예 22의 MnCO3=0.2mol(환산값) 중, 0.1mol을 MgO로 치환한 것(환산값) 이외에는, 실시예 22와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 400분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.01㎂이었다.
[비교예 1]
MnCO3=0.02mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.40이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 750분이었다. 30초 후의 전류값은 280㎂로 되어, 100㎂ 이상의 값이며, 절연성이 악화되어 버렸다(누설 전류가 커졌다). Mo의 평균 가수가 4.50보다 낮아진 것이 요인으로 추찰된다.
[비교예 2]
(Ho2O3)/2=0.4mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.60이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 95분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.07㎂이었다. 수명값이 100분보다 짧아져 버렸다. Mo의 평균 가수가 5.50보다 높아졌기 때문에, 산소 공공량이 많아진 것이 요인으로 생각된다.
[비교예 3]
MoO3=0.05mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.60이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 90분으로 짧고, 한편 30초 후의 전류값은 0.01㎂이었다.
[비교예 4]
MnCO3=0.25mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.87이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 96분으로 짧고, 한편 30초 후의 전류값은 0.03㎂이었다.
[비교예 5]
(Ho2O3)/2=2.00mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Ho와 Si를 포함하는 석출물이 생성되고, 30초 후의 전류값이 1000㎂ 이상으로 되어 버려, 절연성이 악화되었다(누설 전류가 커졌다).
[비교예 6]
MoO3=0.4mol(환산값)로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.45이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험의 결과는 900분으로 되고, 한편 30초 후의 전류값은 200㎂로 되어, 절연성이 악화되었다(누설 전류가 커졌다).
이상의 결과를 하기 표 1에 정리한다. 이 결과를 보면, Mo의 평균 가수가 4.50∼5.50의 범위이면, 수명 특성이 우수하고, 또한 누설 전류가 충분히 억제된 적층 세라믹 콘덴서를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 2, 실시예 3, 실시예 24 및 실시예 25에서는, Mn이나 희토류 R 등의 본 발명에 있어서의 필수의 첨가재 중 어느 하나의 양이 바람직한 범위를 벗어나 있지만, 다른 첨가재의 양을 조정함으로써, Mo의 평균 가수를 본 발명의 범위에 들어가게 하고 있다. 결과로서, 고온 가속 수명 시험의 결과도 양호한 것으로 되어 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 필수의 첨가재의 양이 바람직한 범위이면, Mo의 평균 가수를 본 발명의 범위로 조정하는 것을 보다 용이하게 행할 수 있다.
[실시예 4-2]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.6㎛, 내부 전극층의 두께를 0.7㎛로 한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 30V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 840분으로 되고, 30초 후의 전류값은 96㎂이었다.
[실시예 4-3]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.4㎛, 내부 전극층의 두께를 0.5㎛로 한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 12V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 790분으로 되고, 30초 후의 전류값은 98㎂이었다.
[실시예 4-4]
소성 후의 유전체층의 두께를 1.0㎛, 내부 전극층의 두께를 0.9㎛로 한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 50V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 960분으로 되고, 30초 후의 전류값은 91㎂이었다.
[실시예 23-2]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.6㎛, 내부 전극층의 두께를 0.7㎛로 한 것 이외에는 실시예 23과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 30V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 260분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.05㎂이었다.
[실시예 23-3]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.4㎛, 내부 전극층의 두께를 0.5㎛로 한 것 이외에는 실시예 23과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 12V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 190분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.11㎂이었다.
[실시예 23-4]
소성 후의 유전체층의 두께를 1.0㎛, 내부 전극층의 두께를 0.9㎛로 한 것 이외에는 실시예 23과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.50이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 50V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 340분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.02㎂이었다.
[비교예 1-2]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.6㎛, 내부 전극층의 두께를 0.7㎛로 한 것 이외에는 비교예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.40이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 30V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 630분으로 되고, 30초 후의 전류값은 320㎂이었다.
[비교예 1-3]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.4㎛, 내부 전극층의 두께를 0.5㎛로 한 것 이외에는 비교예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.40이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 12V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 510분으로 되고, 30초 후의 전류값은 390㎂이었다.
[비교예 1-4]
소성 후의 유전체층의 두께를 1.0㎛, 내부 전극층의 두께를 0.9㎛로 한 것 이외에는 비교예 1과 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 4.40이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 50V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 790분으로 되고, 30초 후의 전류값은 110㎂이었다.
[비교예 2-2]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.6㎛, 내부 전극층의 두께를 0.7㎛로 한 것 이외에는 비교예 2와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.60이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 30V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 88분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.14㎂이었다.
[비교예 2-3]
소성 후의 유전체층의 두께를 0.4㎛, 내부 전극층의 두께를 0.5㎛로 한 것 이외에는 비교예 2와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.60이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 12V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 65분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.22㎂이었다.
[비교예 2-4]
소성 후의 유전체층의 두께를 1.0㎛, 내부 전극층의 두께를 0.9㎛로 한 것 이외에는 비교예 2와 마찬가지로 적층 세라믹 콘덴서를 제작하였다. 그 결과, Mo의 평균 가수는 5.60이었다. 적층 세라믹 콘덴서의 고온 가속 수명 시험(105℃, 12V/㎛ 직류 전계 하에서 절연 저항율(ρ)이 1×1010Ω㎝로 될 때까지의 시간)의 결과는 101분으로 되고, 30초 후의 전류값은 0.08㎂이었다.
이상의 결과를 하기 표 2에 정리한다.
표 1 및 표 2의 결과를 비교함으로써, 기본적으로 유전체층의 두께에 의해서는 Mo의 평균 가수는 영향을 받지 않는 것을 알 수 있다.
또한, 표 2로부터, Mo의 평균 가수를 본 발명의 범위로 하는 것의 효과는, 유전체층이 얇아질수록, 특히 유전체층의 두께가 0.8㎛ 이하이면 적절하게 발휘되는 것을 알 수 있다. 또한 표 2로부터, Mo의 평균 가수가 본 발명에서 규정하는 범위 내에 있으면, 유전체층이 0.6㎛ 이하로 더 박층화되어도, 특성의 저하가 거의 없고, 수명 특 성이 우수하고, 누설 전류가 억제된 적층 세라믹 콘덴서가 얻어지는 것을 알 수 있다.
1 : 적층 세라믹 콘덴서
10 : 세라믹 소결체
11 : 적층체
12 : 유전체층
13 : 내부 전극층
15 : 커버층
20 : 외부 전극
10 : 세라믹 소결체
11 : 적층체
12 : 유전체층
13 : 내부 전극층
15 : 커버층
20 : 외부 전극
Claims (5)
- 극성이 상이한 내부 전극층이 유전체층을 개재하여 교대로 적층되어 이루어지는 적층체를 구비하는 적층 세라믹 콘덴서로서,
상기 유전체층은, BaTiO3를 주성분으로 하는 세라믹 입자를 포함하고,
상기 세라믹 입자는 Mo와, Mn과, 희토류 R과, V 및 W로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고,
상기 세라믹 입자 중의 Mo의 평균 가수가 4.50∼5.50인 적층 세라믹 콘덴서. - 제1항에 있어서,
상기 유전체층 중에 있어서의 Mo의 양이, BaTiO3 100mol에 대하여 0.1∼0.3mol인 적층 세라믹 콘덴서. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유전체층 중에 있어서의 Mn의 양이, BaTiO3 100mol에 대하여 0.03∼0.20mol인 적층 세라믹 콘덴서. - 제1항에 있어서,
상기 유전체층 중에 있어서의 희토류 R의 양이, BaTiO3 100mol에 대하여 0.5∼1.5mol인 적층 세라믹 콘덴서. - 제1항에 있어서,
상기 유전체층의 두께가 0.8㎛ 이하인 적층 세라믹 콘덴서.
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2015
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