KR20160030067A - 유리 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 유리는 유리 조성으로서 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO(RO는 MgO, CaO, SrO, BaO 중 1종류 또는 2종류 이상)를 포함하며, 또한 액상선 온도로부터 (액상선 온도-50℃)의 온도 범위에 있어서 석출되는 결정이 SiO2-Al2O3-RO계 결정, SiO2계 결정, SiO2-Al2O3계 결정 중 2종류 이상인 것을 특징으로 한다.

Description

유리{GLASS}
본 발명은 유리에 관한 것이며, 구체적으로는 유기 EL(OLED) 디스플레이, 액정 디스플레이의 기판에 적합한 유리에 관한 것이다. 또한, 산화물 TFT, 저온 p-Si·TFT(LTPS) 구동의 디스플레이의 기판에 적합한 유리에 관한 것이다.
종래부터 액정 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이, 하드 디스크, 필터, 센서 등의 기판으로서 유리가 널리 사용되고 있다. 최근에는 종래의 액정 디스플레이에 추가해서 OLED 디스플레이가 자발광, 높은 색재현성, 고시야각, 고속 응답, 고선명 등의 이유로부터 왕성히 개발됨과 아울러, 일부에서는 이미 실용화되어 있다. 또한, 스마트폰 등의 모바일 기기의 액정 디스플레이, OLED 디스플레이는 소면적이면서 많은 정보를 표시하는 것이 요구되기 때문에 초고선명의 화면이 필요하게 된다. 또한, 동영상 표시를 행하기 위해서 고속 응답도 필요하게 된다.
이러한 용도에서는 OLED 디스플레이 또는 LTPS로 구동하는 액정 디스플레이가 적합하다. OLED 디스플레이는 화소를 구성하는 OLED 소자에 전류가 흐름으로써 발광한다. 이 때문에 구동 TFT 소자로서 저저항, 고전자 이동도의 재료가 사용된다. 이 재료로서 상기 LTPS 이외에 IGZO(인듐, 갈륨, 아연 산화물)로 대표되는 산화물 TFT가 주목받고 있다. 산화물 TFT는 저저항, 고이동도이며, 또한 비교적 저온에서 형성이 가능하다. 종래의 p-Si·TFT, 특히 LTPS는 비결정 Si(a-Si)의 막을 다결정화할 때에 사용하는 엑시머레이저의 불안정성에 기인해서 대면적의 유리판에 소자를 형성할 때에 TFT 특성이 흩어지기 쉽고, TV 용도 등에서는 화면의 표시 불균일이 생기기 쉬웠다. 한편, 산화물 TFT는 대면적의 유리판에 소자를 형성할 경우에 TFT 특성의 균질성이 우수하기 때문에 유력한 TFT 형성 재료로서 주목받고 있고, 일부에서는 이미 실용화되어 있다.
고선명의 디스플레이의 기판에 사용되는 유리에는 많은 특성이 요구된다. 특히, 이하의 (1)~(5)의 특성이 요구된다.
(1) 유리 중의 알칼리 성분이 많으면 열처리 중에 알칼리 이온이 성막된 반도체 물질 중으로 확산되어 막의 특성의 열화를 초래한다. 따라서, 알칼리 성분(특히, Li 성분, Na 성분)의 함유량이 낮을 것 또는 실질적으로 함유하지 않을 것.
(2) 포토리소그래피 에칭 공정에서는 여러 가지 산, 알칼리 등의 약액이 사용된다. 따라서, 내약품성이 우수할 것.
(3) 성막, 어닐링 등의 공정에 의해 유리판은 수백℃의 온도로 열처리된다. 열처리 시에 유리판이 열수축하면 패턴 어긋남 등이 발생하기 쉬워진다. 따라서, 열수축하기 어려울 것, 특히 변형점이 높을 것.
(4) 열팽창 계수가, 유리판 상에 성막되는 부재(예를 들면, a-Si, p-Si)에 가까울 것. 예를 들면, 열팽창 계수가 30~40×10-7/℃인 것. 또한, 열팽창 계수가 40×10-7/℃ 이하이면 내열충격성도 향상된다.
(5) 유리판의 휘어짐에 기인하는 문제를 억제하기 위해서 영률(또는 비영률)이 높을 것.
또한, 유리판을 제조하는 관점으로부터 유리에는 이하의 (6), (7)의 특성이 요구된다.
(6) 거품, 함몰, 맥리 등의 용융 결함을 방지하기 위해서 용융성이 우수할 것.
(7) 유리판 중의 이물 발생을 피하기 위해서 내실투성이 우수할 것.
상기 요구 특성 (1)~(7)을 충족시키는 유리계로서 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO(RO는 MgO, CaO, SrO, BaO 중 1종류 또는 2종류 이상)를 포함하는 유리가 유망하다. 그러나, 이 유리는 오버플로우 다운드로우법 등으로 성형할 경우, 성형 온도가 높아지기 쉽고, 성형 시에 유리 중에 실투 이물이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다. 특히, 이 유리의 변형점과 영률을 높이기 위해서는 Al2O3와 MgO의 함유량을 증가시킴과 아울러, B2O3의 함유량을 저감할 필요성이 높아지지만 그 경우 상기 문제가 현재화되기 쉬워진다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 기술적 과제는 LTPS, 산화물 TFT 소자로 구동하는 OLED 디스플레이, 액정 디스플레이에 적합한 유리를 창안하는 것이며, 구체적으로는 변형점과 영률이 높은 경우에도 내실투성이 높은 유리를 창안하는 것이다.
본 발명자들은 여러 가지 실험을 반복한 결과, SiO2-Al2O3-B2O3-RO(RO는 MgO, CaO, SrO, BaO 중 1종류 또는 2종류 이상)계 유리에 착안하여 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO의 함유량을 적정화하면 변형점, 영률 등이 향상하는 것을 발견함과 아울러, 초상으로서 SiO2-Al2O3-RO계 결정, SiO2계 결정, SiO2-Al2O3계 결정 중 2종류 이상의 결정이 석출될 경우에 유리가 안정화되어서 내실투성이 현저하게 향상되는 것을 발견했다. 즉, 본 발명의 유리는 유리 조성으로서 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO를 포함하며, 또한 액상선 온도로부터 (액상선 온도-50℃)의 온도 범위에 있어서 석출되는 결정이 SiO2-Al2O3-RO계 결정, SiO2계 결정, SiO2-Al2O3계 결정 중 2종류 이상인 것을 특징으로 한다. 여기에서, 「액상선 온도」는 표준체 30메시(500㎛)를 통과하여 50메시(300㎛)에 남는 유리 분말을 백금 보트에 넣고, 온도 구배로 중에 24시간 유지한 후, 백금 보트를 인출하여 현미경 관찰에 의해 유리 내부에 실투(결정 이물)가 확인된 가장 높은 온도로 한다. 「~계 결정」이란 명시된 성분에 의해 구성되는 결정을 가리킨다.
본 발명의 유리는 SiO2-Al2O3-RO계 결정이 SiO2-Al2O3-CaO계 결정인 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 SiO2-Al2O3-RO계 결정이 아노사이트, SiO2계 결정이 크리스토발라이트, SiO2-Al2O3계 결정이 뮬라이트인 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 액상선 온도가 1250℃보다 낮은 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 유리 조성 중의 Li2O+Na2O+K2O의 함유량이 0.5질량% 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면 열처리 중에 알칼리 이온이 성막된 반도체 물질 중으로 확산되어 막의 특성이 열화되는 사태를 방지하기 쉬워진다. 여기에서, 「Li2O+Na2O+K2O」는 Li2O, Na2O 및 K2O의 합량을 가리킨다.
본 발명의 유리는 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 57~70%, Al2O3 16~25%, B2O3 1~8%, MgO 0~5%, CaO 2~13%, SrO 0~6%, BaO 0~7%, ZnO 0~5%, ZrO2 0~5%, TiO2 0~5%, P2O5 0~5%를 함유하고, 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 0.8~1.3, 몰비 CaO/Al2O3가 0.3~1.0인 것이 바람직하다. 여기에서, 「MgO+CaO+SrO+BaO」란 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량을 가리킨다.
본 발명의 유리는 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 58~70%, Al2O3 16~25%, B2O3 2~7%, MgO 0~5%, CaO 3~13%, SrO 0~6%, BaO 0~6%, ZnO 0~5%, ZrO2 0~5%, TiO2 0~5%, P2O5 0~5%, SnO2 0~5%를 함유하고, 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 0.8~1.3, 몰비 CaO/Al2O3가 0.3~1.0이며, 실질적으로 Li2O, Na2O를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 여기에서, 「실질적으로 함유하지 않는」이란 명시된 성분의 함유량이 0.1% 이하(바람직하게는 0.05% 이하)인 경우를 가리키고, 예를 들면 「실질적으로 Li2O를 함유하지 않는」이란 Li2O의 함유량이 0.1% 이하(바람직하게는 0.05% 이하)인 경우를 가리킨다.
본 발명의 유리는 몰비 CaO/MgO가 2~20인 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 변형점이 700℃ 이상인 것이 바람직하다. 여기에서, 「변형점」은 ASTM C336의 방법에 의거하여 측정한 값을 가리킨다.
본 발명의 유리는 영률이 75㎬ 이상인 것이 바람직하다. 「영률」은 JIS R1602에 의거하는 동적 탄성률 측정법(공진법)에 의해 측정한 값을 가리킨다.
본 발명의 유리는 비영률이 30㎬/(g/㎤) 이상인 것이 바람직하다. 여기에서, 「비영률」은 영률을 밀도로 나눈 값이다.
본 발명의 유리는 평판형상이며, 액정 디스플레이에 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 평판형상이며, OLED 디스플레이에 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 평판형상이며, 산화물 TFT 구동의 디스플레이에 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유리는 액상선 온도로부터 (액상선 온도-50℃)의 온도 범위에 있어서 석출되는 결정이 SiO2-Al2O3-RO계 결정, SiO2계 결정, SiO2-Al2O3계 결정 중 2종류 이상의 결정이 석출되는 성질을 갖고, 바람직하게는 3종류의 결정이 석출되는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 2종류의 결정을 석출시킬 경우, SiO2-Al2O3-RO계 결정과 SiO2계 결정을 석출시키는 것이 바람직하다. 복수의 결정상이 액체와 평형 상태가 되는 영역 근방에서는 유리가 안정화되어 액상선 온도가 대폭 저하된다. 또한, 액상선 온도 부근에서 상기 결정이 복수 석출되는 유리이면 상기 요구 특성 (1)~(7)을 충족시키는 유리를 얻기 쉬워진다.
SiO2-Al2O3-RO계 결정으로서 SiO2-Al2O3-CaO계 결정이 바람직하고, 특히 아노사이트가 바람직하다. SiO2계 결정으로서 크리스토발라이트가 바람직하다. SiO2-Al2O3계 결정으로서 뮬라이트가 바람직하다. 액상선 온도 부근에서 상기 결정이 복수 석출되는 유리이면 상기 요구 특성 (1)~(7), 특히 (7)을 충족시키는 유리를 더 얻기 쉬워진다.
본 발명의 유리는 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 57~70%, Al2O3 16~25%, B2O3 1~8%, MgO 0~5%, CaO 2~13%, SrO 0~6%, BaO 0~7%, ZnO 0~5%, ZrO2 0~5%, TiO2 0~5%, P2O5 0~5%를 함유하고, 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 0.8~1.3, 몰비 CaO/Al2O3가 0.3~1.0인 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이 각 성분의 함유량을 규제한 이유를 이하에 설명한다. 또한, 각 성분의 설명에 있어서 하기 % 표시는 특별히 언급이 없는 한 질량%를 가리킨다.
SiO2의 함유량이 너무 낮으면 내약품성, 특히 내산성이 저하됨과 아울러, 변형점이 저하되고, 또한 저밀도화를 도모하기 어려워진다. 한편, SiO2의 함유량이 지나치게 높으면 고온 점도가 높아져 용융성이 저하되기 쉬워짐과 아울러, SiO2계 결정, 특히 크리스토발라이트가 석출되어 액상선 점도가 저하되기 쉬워진다. SiO2의 바람직한 상한 함유량은 70%, 68%, 66% 또는 65%이며, 특히 64%이며, 바람직한 하한 함유량은 57%, 58%, 59% 또는 60%이며, 특히 61%이다. 가장 바람직한 함유 범위는 61~64%이다.
Al2O3의 함유량이 너무 낮으면 변형점이 저하되고, 열수축값이 커짐과 아울러 영률이 저하되고, 유리판이 휘어지기 쉬워진다. 한편, Al2O3의 함유량이 지나치게 높으면 내BHF(완충된 불산)성이 저하되고, 유리 표면에 백탁이 발생하기 쉬워짐과 아울러, 내크랙 저항성이 저하되기 쉬워진다. 또한, 유리 중에 SiO2-Al2O3계 결정, 특히 뮬라이트가 석출되어 액상선 점도가 저하되기 쉬워진다. Al2O3의 바람직한 상한 함유량은 25%, 23%, 22% 또는 21%이며, 특히 20%이며, 바람직한 하한 함유량은 16%, 17% 또는 17.5%이며, 특히 18%이다. 가장 바람직한 함유 범위는 18~20%이다.
B2O3는 융제로서 기능하고, 점성을 낮춰서 용융성을 개선하는 성분이다. B2O3의 함유량은 바람직하게는 1~8%, 2~8%, 3~7.5%, 3~7% 또는 4~7%, 특히 바람직하게는 5~7%이다. B2O3의 함유량이 너무 낮으면 융제로서 충분히 작용하지 않고, 내BHF성이나 내크랙성이 저하되기 쉬워진다. 또한, 액상선 온도가 상승하기 쉬워진다. 한편, B2O3의 함유량이 지나치게 높으면 변형점, 내열성, 내산성이 저하되기 쉬워진다. 특히, B2O3의 함유량이 7% 이상이 되면 그 경향이 현저해진다. 또한, B2O3의 함유량이 지나치게 높으면 영률이 저하되어서 유리판의 휘어짐량이 커지기 쉽다.
변형점과 용융성의 밸런스를 고려하면 질량비 Al2O3/B2O3는 바람직하게는 1~5, 1.5~4.5 또는 2~4, 특히 바람직하게는 2.5~3.5이다.
MgO는 변형점을 낮추지 않고 고온 점성을 낮춰 용융성을 개선하는 성분이다. 또한, MgO는 RO 중에서는 가장 밀도를 낮추는 효과를 갖지만, 과잉으로 도입하면 SiO2계 결정, 특히 크리스토발라이트가 석출되어 액상선 점도가 저하되기 쉬워진다. 또한, MgO는 BHF 또는 불산과 반응해서 생성물을 형성하기 쉬운 성분이다. 이 반응 생성물은 유리판 표면의 소자 상에 고착되거나, 유리판에 부착되거나 해서 소자나 유리판을 백탁시킬 우려가 있다. 따라서, MgO의 함유량은 바람직하게는 0~5%, 보다 바람직하게는 0.01~4%, 더 바람직하게는 0.03~3%, 가장 바람직하게는 0.05~2.5%이다.
CaO는 MgO와 마찬가지로 해서 변형점을 낮추지 않고 고온 점성을 낮춰 용융성을 현저하게 개선하는 성분이다. CaO의 함유량이 지나치게 높으면 SiO2-Al2O3-RO계 결정, 특히 아노사이트가 석출되어서 액상선 점도가 저하되기 쉬워짐과 아울러, 내BHF성이 저하되어서 반응 생성물이 유리판 표면의 소자 상에 고착되거나 유리판에 부착되거나 해서 소자나 유리판을 백탁시킬 우려가 있다. CaO의 바람직한 상한 함유량은 12%, 11% 또는 10.5%이며, 특히 10%이며, 바람직한 하한 함유량은 2%, 3% 또는 3.5%이며, 특히 4%이다. 가장 바람직한 함유 범위는 4~10%이다.
몰비 CaO/Al2O3를 소정 범위로 조정하면 액상선 온도 부근의 온도에 있어서 2종류 이상의 결정이 석출되기 쉬워진다. 몰비 CaO/Al2O3가 작아지면 SiO2-Al2O3계 결정이 석출되기 쉬워진다. 한편, 몰비 CaO/Al2O3가 커지면 SiO2-Al2O3-CaO계 결정이 석출되기 쉬워진다. 몰비 CaO/Al2O3의 바람직한 상한값은 1.0, 0.9, 0.85, 0.8, 0.78 또는 0.76이며, 특히 0.75이며, 바람직한 하한값은 0.3, 0.4, 0.5, 0.55, 0.58, 0.60, 0.62 또는 0.64이며, 특히 0.65이다.
몰비 CaO/MgO를 소정 범위로 조정하면 액상선 온도 부근의 온도에 있어서 2종류 이상의 결정이 석출되기 쉬워진다. 몰비 CaO/MgO가 작아지면 SiO2계 결정이 석출되기 쉬워진다. 한편, 몰비 CaO/MgO가 커지면 SiO2-Al2O3-CaO계 결정이 석출되기 쉬워진다. 몰비 CaO/MgO의 바람직한 상한값은 20, 17, 14, 12, 10 또는 8이며, 특히 6이며, 바람직한 하한값은 2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.3, 3.5 또는 3.8이며, 특히 4이다.
SrO는 내약품성, 내실투성을 높이는 성분이지만, RO 전체 중에서 그 비율을 지나치게 높이면 용융성이 저하되기 쉬워짐과 아울러, 밀도, 열팽창 계수가 상승하기 쉬워진다. 따라서, SrO의 함유량은 바람직하게는 0~6% 또는 0~5%, 특히 바람직하게는 0~4.5%이다.
BaO는 내약품성, 내실투성을 높이는 성분이지만, 그 함유량이 지나치게 높으면 밀도가 상승하기 쉬워진다. 또한, BaO는 RO 중에서는 용융성을 높이는 효과가 부족하다. 유리 조성 중에 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO를 포함하는 유리는 일반적으로 용융하기 어렵기 때문에 고품질의 유리판을 저비용이며, 또한 대량으로 공급하는 관점으로부터 용융성을 높여 거품, 이물 등에 의한 불량률을 경감하는 것이 매우 중요해진다. 따라서, BaO의 함유량은 바람직하게는 0~7%, 0~6% 또는 0.1~5%, 특히 바람직하게는 0.5~4%이다. 또한, 유리 조성 중에 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO를 포함하는 유리에서는 SiO2의 함유량을 저감하면 용융성이 효과적으로 향상되지만, SiO2의 함유량을 저감하면 내산성이 저하되기 쉬워짐과 아울러, 밀도, 열팽창 계수가 상승하기 쉬워진다.
MgO, SrO, BaO는 CaO에 비해 내크랙성을 높이는 성질이 있다. 따라서, MgO+SrO+BaO의 함유량(MgO, SrO 및 BaO의 합량)은 바람직하게는 2% 이상 또는 3% 이상, 특히 바람직하게는 3% 초과이다. 그러나, MgO+SrO+BaO의 함유량이 지나치게 높으면 밀도, 열팽창 계수가 상승하기 쉬워진다. 따라서, MgO+SrO+BaO의 함유량은 바람직하게는 9% 이하 또는 8% 이하이다.
RO 중 2종류 이상을 혼합해서 도입하면, 액상선 온도가 대폭 저하되고, 유리 중에 결정 이물이 생기기 어려워져 용융성, 성형성이 개선된다. 그러나, MgO+CaO+SrO+BaO의 함유량이 지나치게 높으면 밀도가 상승해서 유리판의 경량화를 도모하기 어려워진다. 따라서, MgO+CaO+SrO+BaO의 함유량은 바람직하게는 15% 미만 또는 14% 미만, 특히 바람직하게는 13% 미만이다.
몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3를 소정 범위로 조정하면 액상선 온도 부근에서 2종류 이상의 결정이 석출되기 쉬워진다. 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 작아지면 SiO2-Al2O3계 결정이 석출되기 쉬워진다. 한편, 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 커지면 SiO2-Al2O3-RO계 결정, SiO2계 결정이 석출되기 쉬워진다. 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3의 바람직한 상한값은 1.3, 1.25, 1.2, 1.15 또는 1.10이며, 특히 1.08이며, 바람직한 하한값은 0.8, 0.85, 0.88, 0.91, 0.93, 0.95 또는 0.96이며, 특히 0.97이다.
RO의 혼합비를 최적화하기 위해서 질량비CaO/(MgO+SrO+BaO)는 바람직하게는 0.7 이상, 0.8 이상 또는 0.9 이상, 특히 바람직하게는 1 이상이며, 질량비CaO/MgO는 바람직하게는 2 이상, 3 이상 또는 4 이상, 특히 바람직하게는 5 이상이다.
ZnO는 용융성, 내BHF성을 개선하는 성분이지만 그 함유량이 지나치게 높으면 유리가 실투되기 쉬워지거나, 변형점이 저하되거나 해서 내열성을 확보하기 어려워진다. 따라서, ZnO의 함유량은 바람직하게는 0~5%, 특히 바람직하게는 0~1%이다.
ZrO2는 화학적 내구성을 높이는 성분이지만, 그 도입량이 많아지면 ZrSiO4의 실투물이 발생하기 쉬워진다. ZrO2의 바람직한 하한 함유량은 1%, 0.5%, 0.3% 또는 0.2%이며, 특히 0.1%이며, 화학적 내구성의 관점으로부터 0.005% 이상 도입하는 것이 바람직하다. 가장 바람직한 함유 범위는 0.005~0.1%이다. 또한, ZrO2는 원료로부터 도입해도 좋고, 내화물로부터의 용출에 의해 도입해도 좋다.
TiO2는 고온 점성을 낮춰서 용융성을 높이고, 또한 화학적 내구성을 높이는 효과가 있지만 도입량이 과잉이 되면 자외선 투과율이 저하되기 쉬워진다. TiO2의 함유량은 바람직하게는 3% 이하, 1% 이하, 0.5% 이하, 0.1% 이하 또는 0.05% 이하, 특히 바람직하게는 0.03% 이하이다. 또한, TiO2를 극소량 도입(예를 들면, 0.001% 이상)하면 자외선에 의한 착색을 억제하는 효과가 얻어진다.
P2O5는 변형점을 높이는 성분임과 아울러, SiO2-Al2O3-RO계 결정, 특히 아노사이트의 석출을 억제해서 2종류 이상의 결정을 석출시키기 때문에 유효한 성분이다. 단, P2O5를 다량으로 함유시키면 유리가 분상되기 쉬워진다. P2O5의 함유량은 바람직하게는 0~5%, 0~3%, 0~2% 또는 0~1%, 특히 바람직하게는 0~0.5%이다.
청징제로서 As2O3, Sb2O3, SnO2, SO3, Fe2O3, CeO2, F2, Cl2, C 또는 Al, Si 등의 금속 분말 등을 사용할 수 있다. 이들의 함유량은 합량으로 3% 이하가 바람직하다.
As2O3, Sb2O3는 환경 부하 화학 물질이기 때문에 가능한 한 사용하지 않는 것이 바람직하다. As2O3, Sb2O3의 함유량은 각각 0.3% 미만, 0.1% 미만, 0.09% 미만, 0.05% 미만, 0.03% 미만, 0.01% 미만 또는 0.005% 미만이 바람직하고, 특히 0.003% 미만이 바람직하다.
SnO2는 유리 중의 거품을 저감하는 청징제로서의 기능을 가짐과 아울러, Fe2O3 또는 FeO와 공존할 때에 자외선 투과율을 비교적 높게 유지하는 효과를 갖는다. 한편, SnO2의 함유량이 지나치게 높으면 유리 중에 SnO2의 실투물이 발생하기 쉬워진다. SnO2의 바람직한 상한 함유량은 0.5% 또는 0.4%이며, 특히 0.3%이며, 바람직한 하한 함유량은 0.01% 또는 0.05%이며, 특히 0.1%이다. 또한, Fe2O3 환산으로 Fe2O3 또는 FeO의 함유량이 0.01~0.05%에 대하여 SnO2를 0.01~0.5% 도입하면 거품 품위와 자외선 투과율을 높일 수 있다. 여기에서, 「Fe2O3 환산」은 가수에 의하지 않고 전체 Fe량을 Fe2O3량으로 환산한 값을 가리킨다.
철은 불순물로서 원료로부터 혼입하는 성분이지만 철의 함유량이 지나치게 높으면 자외선 투과율이 저하될 우려가 있다. 자외선 투과율이 저하되면 TFT를 제작하는 포토리소그래피 공정이나 자외선에 의한 액정의 배향 공정에서 문제가 발생할 우려가 있다. 따라서, 철의 바람직한 상한 함유량은 Fe2O3로 환산해서 0.001%이며, 바람직한 하한 함유량은 Fe2O3로 환산해서 0.05%, 0.04% 또는 0.03%이며, 특히 0.02%이다. 가장 바람직한 함유 범위는 0.001%~0.02%이다.
Cr2O3는 불순물로서 원료로부터 혼입하는 성분이지만, Cr2O3의 함유량이 지나치게 높으면 유리판 단면으로부터 광을 입사하고, 산란광에 의해 유리판 내부의 이물 검사를 행할 경우에 광의 투과가 발생하기 어려워져 이물 검사에 문제가 발생할 우려가 있다. 특히, 기판 사이즈가 730㎜×920㎜ 이상인 경우에 이 문제가 발생하기 쉬워진다. 또한, 유리판의 판두께가 작으면(예를 들면, 0.5㎜ 이하, 0.4㎜ 이하 또는 0.3㎜ 이하), 유리판 단면으로부터 입사하는 광이 적어지기 때문에 Cr2O3의 함유량을 규제하는 의의가 커진다. Cr2O3의 바람직한 상한 함유량은 0.001%, 0.0008%, 0.0006% 또는 0.0005%이며, 특히 0.0003%이며, 바람직한 하한 함유량은 0.00001%이다. 가장 바람직한 함유 범위는 0.00001~0.0003%이다.
SnO2를 0.01~0.5% 포함할 경우, Rh2O3의 함유량이 지나치게 높으면 유리가 착색되기 쉬워진다. 또한, Rh2O3는 백금의 제조 용기로부터 혼입할 가능성이 있다. Rh2O3의 함유량은 바람직하게는 0~0.0005%, 보다 바람직하게는 0.00001~0.0001%이다.
SO3는 불순물로서 원료로부터 혼입하는 성분이지만 SO3의 함유량이 지나치게 높으면 용융이나 성형 중에 리보일링(reboiling)이라고 불리는 거품을 발생시켜 유리 중에 결함을 생기게 할 우려가 있다. SO3의 바람직한 상한 함유량은 0.005%, 0.003% 또는 0.002%이며, 특히 0.001%이며, 바람직한 하한 함유량은 0.0001%이다. 가장 바람직한 함유 범위는 0.0001%~0.001%이다.
알칼리 성분, 특히 Li2O, Na2O는 유리판 상에 형성되는 각종 막이나 반도체 소자의 특성을 열화시키기 위해서 그 함유량을 0.5%까지 저감하는 것이 바람직하고, 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다.
상기 성분 이외에도 다른 성분을 도입해도 좋다. 그 도입량은 바람직하게는 5% 이하 또는 3% 이하, 특히 바람직하게는 1% 이하이다.
최근, OLED 디스플레이, 액정 디스플레이 등의 모바일 용도의 플랫 패널 디스플레이에서는 경량화의 요구가 높아지고 있고, 유리판에도 경량화가 요구되고 있다. 이 요구를 만족시키기 위해는 저밀도화에 의한 유리판의 경량화가 바람직하다. 밀도는 바람직하게는 2.52g/㎤ 이하, 2.51g/㎤ 이하, 2.50g/㎤ 이하 또는 2.49g/㎤ 이하, 특히 바람직하게는 2.48/㎤ 이하이다. 한편, 밀도가 너무 낮으면 용융 온도의 상승, 액상선 점도의 저하가 발생하기 쉬워져 유리판의 생산성이 저하되기 쉬워진다. 또한, 변형점도 저하되기 쉬워진다. 따라서, 밀도는 바람직하게는 2.43g/㎤ 이상 또는 2.44g/㎤ 이상, 특히 바람직하게는 2.45g/㎤ 이상이다.
본 발명의 유리에 있어서 열팽창 계수는 바람직하게는 30~40×10-7/℃, 32~39×10-7/℃ 또는 33~38×10-7/℃, 특히 바람직하게는 34~37×10-7/℃이다. 이렇게 하면 유리판 상에 성막되는 부재(예를 들면, a-Si, p-Si)의 열팽창 계수에 정합하기 쉬워진다. 여기에서, 「열팽창 계수」는 30~380℃의 온도 범위에서 측정한 평균 열팽창 계수를 가리키고, 예를 들면 딜라토미터로 측정 가능하다.
OLED 디스플레이 또는 액정 디스플레이 등에서는 대면적의 유리판(예를 들면, 730×920㎜ 이상, 1100×1250㎜ 이상 또는 1500×1500㎜ 이상)이 사용됨과 아울러, 박육의 유리판(예를 들면, 판두께가 0.5㎜ 이하, 0.4㎜ 이하 또는 0.3㎜ 이하)이 사용되는 경향이 있다. 유리판이 대면적화, 박육화되면 자중에 의한 휘어짐이 큰 문제가 된다. 유리판의 휘어짐을 저감하기 위해서는 유리판의 비영률을 높일 필요가 있다. 비영률은 바람직하게는 30㎬/g·㎝-3 이상, 30.5㎬/g·㎝-3 이상 또는 31㎬/g·㎝-3 이상, 특히 바람직하게는 31.5㎬/g·㎝-3 이상이다. 또한, 유리판이 대면적화, 박육화되면 정반 상에서의 열처리 공정 또는 각종 금속막, 산화물막, 반도체막, 유기막 등의 성막 공정 후에 유리판의 휘어짐이 문제가 된다. 유리판의 휘어짐을 저감하기 위해서는 유리판의 영률을 높이는 것이 유효하다. 영률은 바람직하게는 75㎬ 이상, 특히 바람직하게는 76㎬ 이상이다.
현재, 초고선명의 모바일 디스플레이에 사용되는 LTPS에서는 그 공정 온도가 약 400~600℃이다. 이 공정 온도에서의 열수축을 억제하기 위해서 변형점은 바람직하게는 680℃ 이상 또는 690℃ 이상, 특히 바람직하게는 700℃ 이상이다.
최근에는 OLED 디스플레이가 모바일이나 TV 등의 용도에서도 사용된다. 이 용도의 구동 TFT 소자로서 상기 LTPS 이외에 산화물 TFT가 착안되어 있다. 종래까지 산화물 TFT는 a-Si와 동등한 300~400℃의 온도 프로세스에 의해 제작되어 있었지만, 종래보다 높은 열처리 온도에서 어닐링을 행하면 보다 안정된 소자 특성이 얻어지는 것을 알아 왔다. 그 열처리 온도는 400~600℃ 정도이며, 이 용도에서도 저열수축의 유리판이 요구되도록 되어 있다.
본 발명의 유리에 있어서 실온(25℃)으로부터 5℃/분의 속도로 500℃까지 승온하고, 500℃에서 1시간 유지한 후, 5℃/분의 속도로 실온까지 강온했을 때, 열수축값은 바람직하게는 30ppm 이하, 25ppm 이하, 23ppm 이하, 22ppm 이하, 21ppm 이하, 20ppm 이하, 19ppm 이하, 18ppm 이하, 17ppm 이하 또는 16ppm 이하, 특히 바람직하게는 15ppm 이하이다. 이렇게 하면, LTPS의 제조 공정에서 열처리를 받아도 화소 피치 어긋남 등의 문제가 발생하기 어려워진다. 또한, 열수축값이 지나치게 작으면 유리의 생산성이 저하되기 쉬워진다. 따라서, 열수축값은 바람직하게는 5ppm 이상, 특히 바람직하게는 8ppm 이상이다.
열수축값은 변형점을 높이는 이외에도 성형 시의 냉각 속도를 저하시킴으로써도 저감할 수 있다. 특히, 유리의 서랭점을 Ta(℃)로 하고, Ta보다 100℃ 높은 온도로부터 Ta보다 100℃ 낮은 온도까지의 사이의 온도 범위에 있어서의 성형 시의 평균 냉각 속도를 R(℃/분)로 했을 때에 성형 시의 냉각은 logR≤0.00018361Ta2-0.23414Ta+75.29의 관계를 만족시키는 것이 바람직하고, logR≤0.00011821Ta2-0.14847Ta+47.03의 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하고, logR≤0.000054326Ta2-0.064985Ta+19.56의 관계를 만족시키는 것이 더욱 바람직하다. 상기 관계식이 충족되지 않을 경우, 열수축값이 과대해지기 쉽다.
오버플로우 다운드로우법에서는 쐐기형의 내화물(또는 백금족 금속으로 피복된 내화물)의 표면을 용융 유리가 유하되고, 쐐기의 하단에서 합류해서 판형상으로 성형된다. 슬롯 다운드로우법에서는, 예를 들면 슬릿형상의 개구부를 갖는 백금족 금속제의 파이프로부터 리본형상의 용융 유리를 유하, 냉각해서 판형상으로 성형된다. 성형 장치에 접촉하고 있는 용융 유리의 온도가 지나치게 높으면 성형 장치의 노후화를 초래하여 유리판의 생산성이 저하되기 쉬워진다. 따라서, 고온 점도 105. 0dPa·s에 있어서의 온도는 바람직하게는 1300℃ 이하, 1280℃ 이하, 1270℃ 이하, 1260℃ 이하, 1250℃ 이하 또는 1240℃ 이하, 특히 바람직하게는 1230℃ 이하이다. 여기에서, 「105. 0dPa·s에 있어서의 온도」는, 예를 들면 백금구 인상법으로 측정 가능하다. 또한, 고온 점도 105. 0dPa·s에 있어서의 온도는 성형 시의 용융 유리의 온도에 상당하고 있다.
유리 조성 중에 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO를 포함하는 유리는 일반적으로 용융되기 어렵다. 이 때문에 용융성의 향상이 과제가 된다. 용융성을 높이면, 거품, 이물 등에 의한 불량률이 경감되기 때문에 고품질의 유리판을 대량이며 또한 저렴하게 공급할 수 있다. 한편, 고온 영역에서의 유리의 점도가 지나치게 높으면 용융 공정에서 탈포가 촉진되기 어려워진다. 따라서, 고온 점도 102. 5dPa·s에 있어서의 온도는 바람직하게는 1650℃ 이하, 1640℃ 이하, 1630℃ 이하 또는 1620℃ 이하, 특히 바람직하게는 1610℃ 이하이다. 여기에서, 「102. 5dPa·s에 있어서의 온도」는, 예를 들면 백금구 인상법으로 측정 가능하다. 또한, 고온 점도 102. 5dPa·s에 있어서의 온도는 용융 온도에 상당하고 있고, 이 온도가 낮을수록 용융성이 우수하다.
다운드로우법 등으로 성형할 경우, 내실투성이 중요해진다. 유리 조성 중에 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO를 포함하는 유리의 성형 온도를 고려하면 액상선 온도는 바람직하게는 1250℃ 미만, 1230℃ 이하, 1220℃ 이하, 1210℃ 이하 또는 1200℃ 이하, 특히 바람직하게는 1190℃ 이하이다. 또한, 액상선 점도는 바람직하게는 105.0dPa·s 이상, 105. 2dPa·s 이상, 105. 3dPa·s 이상, 105. 4dPa·s 이상 또는 105.5dPa·s 이상, 특히 바람직하게는 105. 6dPa·s 이상이다. 여기에서, 「액상선 점도」는 액상선 온도에 있어서의 유리의 점도를 가리키고, 예를 들면 백금구 인상법으로 측정 가능하다.
고선명의 디스플레이에 사용되는 유리판에는 투명 도전막, 절연막, 반도체막, 금속막 등이 성막된다. 또한, 포토리소그래피 에칭 공정에 의해 여러 가지 회로, 패턴이 형성된다. 이들 성막 공정, 포토리소그래피 에칭 공정에 있어서 유리판은 여러 가지 약액 처리를 받는다. 예를 들면, TFT형 액티브 매트릭스 액정 디스플레이에서는 유리판 상에 절연막이나 투명 도전막을 성막하고, 또한 아모르퍼스 실리콘이나 다결정 실리콘의 TFT(박막 트랜지스터)가 포토리소그래피 에칭 공정에 의해 유리판 상에 다수 형성된다. 이러한 공정에서는 황산, 염산, 알칼리 용액, 불산, BHF 등의 여러 가지 약액 처리를 받는다. 특히, BHF는 절연막의 에칭에 널리 사용되지만, BHF는 유리판을 침식해서 유리판의 표면을 백탁시키기 쉽고, 또한 그 반응 생성물이 제조 공정 중의 필터를 막히게 하거나, 유리판 상에 부착될 우려가 있다. 상기 사정으로부터 유리판의 내약품성을 높이는 것이 중요해진다.
본 발명의 유리는 오버플로우 다운드로우법으로 성형되어서 이루어지는 것이 바람직하다. 오버플로우 다운드로우법이란 쐐기형의 내화물의 양측으로부터 용융 유리를 넘치게 하고, 넘친 용융 유리를 쐐기형의 하단에서 합류시키면서 하방으로 연신 성형해서 유리판을 성형하는 방법이다. 오버플로우 다운드로우법에서는 유리판의 표면이 되어야 할 면은 내화물에 접촉하지 않고, 자유 표면의 상태로 성형된다. 이 때문에, 미연마이며 표면 품위가 양호한 유리판을 저렴하게 제조할 수 있고, 대면적화나 박육화도 용이하다. 또한, 오버플로우 다운드로우법으로 사용하는 내화물의 재질은 소망의 치수나 표면 정밀도를 실현하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 하방으로부터의 연신 성형을 행할 때에 힘을 인가하는 방법도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 충분히 큰 폭을 갖는 내열성 롤을 유리에 접촉시킨 상태로 회전시켜서 연신하는 방법을 채용해도 좋고, 복수의 한 쌍이 된 내열성 롤을 유리의 단면 근방에만 접촉시켜서 연신하는 방법을 채용해도 좋다.
오버플로우 다운드로우법 이외에도, 예를 들면 다운드로우법(슬롯 다운법, 리드로우법 등), 플로트법 등으로 유리판을 성형하는 것도 가능하다.
본 발명의 유리에 있어서 두께(판두께)는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5㎜ 이하, 0.4㎜ 이하 또는 0.35㎜ 이하, 특히 바람직하게는 0.3㎜ 이하이다. 판두께가 작을수록 디바이스를 경량화하기 쉬워진다. 한편, 판두께가 작을수록 유리판이 휘어지기 쉬워지지만, 본 발명의 유리는 영률이나 비영률이 높기 때문에 휘어짐에 기인하는 문제가 발생하기 어렵다. 또한, 판두께는 유리 제조 시의 유량이나 판 인장 속도 등으로 조정 가능하다.
본 발명의 유리에 있어서 β-OH값을 저하시키면 변형점을 높일 수 있다. β-OH값은 바람직하게는 0.5/㎜ 이하, 0.45/㎜ 이하 또는 0.4/㎜ 이하, 특히 바람직하게는 0.35/㎜ 이하이다. β-OH값이 지나치게 크면 변형점이 저하되기 쉬워진다. 또한, β-OH값이 지나치게 작으면 용융성이 저하되기 쉬워진다. 따라서, β-OH값은 바람직하게는 0.01/㎜ 이상, 특히 바람직하게는 0.05/㎜ 이상이다.
β-OH값을 저하시키는 방법으로서 이하의 방법을 들 수 있다. (1) 함수량이 낮은 원료를 선택한다. (2) 유리 중에 β-OH값을 저하시키는 성분(Cl, SO3 등)을 첨가한다. (3) 노 내 분위기 중의 수분량을 저하시킨다. (4) 용융 유리 중에서 N2 버블링을 행한다. (5) 소형 용융로를 채용한다. (6) 용융 유리의 유량을 많게 한다. (7) 전기 용융법을 채용한다.
여기에서, 「β-OH값」은 FT-IR을 사용해서 유리의 투과율을 측정하고, 하기 식을 사용해서 구한 값을 가리킨다.
β-OH값=(1/X)log(T1/T2)
X: 유리 두께(㎜)
T1: 참조 파장 3846cm-1에 있어서의 투과율(%)
T2: 수산기 흡수 파장 3600cm-1 부근에 있어서의 최소 투과율(%)
본 발명의 유리는 OLED 디스플레이의 기판에 사용하는 것이 바람직하다. OLED는 일반적으로 시판되어 있지만, 대량 생산에 의한 비용 다운이 강하게 요망되고 있다. 본 발명의 유리는 생산성이 우수하며, 또한 대면적화나 박육화가 용이하기 때문에 이러한 요구를 적확하게 만족시킬 수 있다.
실시예 1
이하, 실시예에 의거하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시예는 단순한 예시이다. 본 발명은 이하의 실시예에 조금도 한정되지 않는다.
표 1~표 3은 본 발명의 실시예(시료 No.1~30)를 나타내고 있다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
다음과 같이 각 시료를 제작했다. 우선, 표 중의 유리 조성이 되도록 유리 원료를 조합한 유리 배치를 백금 도가니에 넣고, 1600℃에서 24시간 용융했다. 유리 배치의 용해에 있어서는 백금 스터러를 사용해서 교반하여 균질화를 행했다. 이어서, 용융 유리를 카본판 상에 흘려내고, 판형상으로 성형했다. 얻어진 각 시료에 대해서 밀도, 열팽창 계수, 영률, 비영률, 변형점, 연화점, 고온 점도 102. 5dPa·s에 있어서의 온도, 고온 점도 105. 0dPa·s에 있어서의 온도, 액상선 온도, 초상, 액상선 점도 logηTL, 내약품성을 평가했다.
밀도는 주지의 아르키메데스법에 의해 측정한 값이다.
열팽창 계수는 30~380℃의 온도 범위에 있어서 딜라토미터로 측정한 평균 열팽창 계수이다.
영률은 JIS R1602에 의거하는 동적 탄성률 측정법(공진법)에 의해 측정한 값을 가리키고, 비영률은 영률을 밀도로 나눈 값이다.
변형점, 연화점은 ASTM C336의 방법에 의거하여 섬유 신장율법으로 측정한 값이다.
고온 점도 102. 5dPa·s, 105. 0dPa·s에 있어서의 온도는 백금구 인상법으로 측정한 값이다.
이어서, 각 시료를 분쇄하고, 표준체 30메시(500㎛)를 통과하여 50메시(300㎛)에 남는 유리 분말을 백금 보트에 넣고, 온도 구배로 중에 24시간 유지한 후, 백금 보트를 인출하여 현미경 관찰에 의해 유리 내부에 실투(결정 이물)가 확인된 가장 높은 온도를 액상선 온도로 했다. 그리고, 액상선 온도로부터 (액상선 온도-50℃)의 온도 범위에 석출되어 있는 결정을 초상으로서 평가했다. 표 중에서 「Ano」는 아노사이트를 가리키고, 「Cri」는 크리스토발라이트를 가리키고, 「Mul」은 뮬라이트를 가리키고 있다. 또한, 액상선 온도에 있어서의 유리의 점도를 백금구 인상법으로 측정하고, 이것을 액상선 점도로 했다.
또한, 각 시료의 양면을 광학 연마한 후에 소정의 농도로 설정된 약액 중에서 소정의 온도에서 소정의 시간 침지한 후, 얻어진 시료의 표면을 관찰함으로써 내약품성을 평가했다. 구체적으로는 약액 처리 후에 유리 표면이 강하게 백탁되거나 크랙이 생기는 것을 「×」, 약한 백탁, 거칠함이 보이는 것을 「△」, 전혀 변화가 없는 것을 「○」로 했다. 약액 처리의 조건으로서 내산성은 10질량% 염산을 사용해서 80℃, 3시간 처리에 의해 평가하고, 내BHF성은 주지의 130BHF 용액을 사용해서 20℃, 30분간 처리에 의해 평가했다.
시료 No. 1~30은 밀도가 2.45~2.48g/㎤이며, 유리판의 경량화를 도모할 수 있다. 또한, 열팽창 계수가 33~37×10-7/℃, 변형점이 702℃ 이상이며, 열수축값을 저감할 수 있다. 또한, 영률이 75㎬ 이상, 비영률이 30.3㎬/(g/㎤) 이상이며, 휘어짐이나 변형이 발생하기 어렵다. 또한, 고온 점도 102. 5dPa·s에 있어서의 온도가 1678℃ 이하, 고온 점도 105. 0dPa·s에 있어서의 온도가 1250℃ 이하이며, 또한 액상선 온도가 1230℃ 이하, 액상선 점도가 104. 8dPa·s 이상이기 때문에 용융성이나 성형성이 우수하여 대량 생산에 적합하다. 또한, 내약품성도 우수하다.
실시예 2
표 중의 시료 No. 12, 20, 23, 24의 재질에 대해서 오버플로우 다운드로우법으로 0.5㎜ 두께의 유리판을 성형한 후, 30㎜×160㎜의 치수로 절단했다. 또한, 유리의 서랭점을 Ta(℃)로 하고, Ta보다 100℃ 높은 온도로부터 Ta보다 100℃ 낮은 온도까지의 사이의 온도 범위에 있어서의 성형 시의 평균 냉각 속도를 R(℃/분)로 했을 때에 성형 시의 냉각 조건이 logR≤0.00011821Ta2-0.14847Ta+47.03의 관계를 만족시키도록 조정했다. 계속해서, 얻어진 유리판에 대해서 실온(25℃)으로부터 5℃/분의 속도로 500℃까지 승온하고, 500℃에서 1시간 유지한 후, 5℃/분의 속도로 실온까지 강온했을 때의 열수축값을 측정한 결과, 15~20ppm이었다.
본 발명의 유리는 변형점과 영률이 높은 경우에도 내실투성을 현저하게 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 유리는 OLED 디스플레이, 액정 디스플레이 등의 디스플레이의 기판에 적합하며, LTPS, 산화물 TFT로 구동하는 디스플레이의 기판에 적합하다.

Claims (14)

  1. 유리 조성으로서 SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO(RO는 MgO, CaO, SrO, BaO 중 1종류 또는 2종류 이상)를 포함하며, 또한 액상선 온도로부터 (액상선 온도-50℃)의 온도 범위에 있어서 석출되는 결정이 SiO2-Al2O3-RO계 결정, SiO2계 결정, SiO2-Al2O3계 결정 중 2종류 이상인 것을 특징으로 하는 유리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    SiO2-Al2O3-RO계 결정은 SiO2-Al2O3-CaO계 결정인 것을 특징으로 하는 유리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    SiO2-Al2O3-RO계 결정이 아노사이트, SiO2계 결정이 크리스토발라이트, SiO2-Al2O3계 결정이 뮬라이트인 것을 특징으로 하는 유리.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    액상선 온도는 1250℃보다 낮은 것을 특징으로 하는 유리.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유리 조성 중의 Li2O+Na2O+K2O의 함유량이 0.5질량% 이하인 것을 특징으로 하는 유리.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유리 조성으로서 질량%로 SiO2 57~70%, Al2O3 16~25%, B2O3 1~8%, MgO 0~5%, CaO 2~13%, SrO 0~6%, BaO 0~7%, ZnO 0~5%, ZrO2 0~5%, TiO2 0~5%, P2O5 0~5%를 함유하고, 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 0.8~1.3, 몰비 CaO/Al2O3가 0.3~1.0인 것을 특징으로 하는 유리.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유리 조성으로서 질량%로 SiO2 58~70%, Al2O3 16~25%, B2O3 2~7%, MgO 0~5%, CaO 3~13%, SrO 0~6%, BaO 0~6%, ZnO 0~5%, ZrO2 0~5%, TiO2 0~5%, P2O5 0~5%, SnO2 0~5%를 함유하고, 몰비 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 0.8~1.3, 몰비 CaO/Al2O3가 0.3~1.0이며, 실질적으로 Li2O, Na2O를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 유리.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    몰비 CaO/MgO가 2~20인 것을 특징으로 하는 유리.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    변형점이 700℃ 이상인 것을 특징으로 하는 유리.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    영률이 75㎬ 이상인 것을 특징으로 하는 유리.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    비영률이 30㎬/(g/㎤) 이상인 것을 특징으로 하는 유리.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판형상이며, 액정 디스플레이에 사용하는 것을 특징으로 하는 유리.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판형상이며, OLED 디스플레이에 사용하는 것을 특징으로 하는 유리.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평판형상이며, 산화물 TFT 구동의 디스플레이에 사용하는 것을 특징으로 하는 유리.
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