KR20160008610A - 기판내에 산란 특징을 갖는 led - Google Patents

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Abstract

일 실시예에서, LED 다이의 투명한 성장 기판(38)은 레이저에 의해 형성된 공극들과 같은, 광 산란 영역들(40A-C)을 갖도록 형성된다. 다른 실시예에서, 성장 기판은 제거되고 광 산란 영역들을 갖도록 형성되는 다른 기판으로 대체된다. 일 실시예에서, 광 산란 영역들을, LED 다이의 광 흡수 영역들에 걸쳐서 형성하여, 이들 흡수 영역 상의 입사 광량을 줄이고, 또한 기판의 사이드(42A, 42B)에 걸쳐서 광 산란 영역들을 형성하여 광 가이드를 감소시킨다. 다른 실시예는 N형 금속 콘택들(28)과 같은 LED 반도체층에서 대응하는 광 생성 영역들이 없는 선택된 영역들에서 반사 입자들을 포함하도록 형성될 수 있는 대체 기판을 포함한다. 이것은 반도체층의 흡수 영역들에 재흡수되는 것을 방지하고, 이로써 디바이스의 외부 효율을 향상시킨다. 3D 구조는 반사 영역들을 포함하는 기판층들을 적층함으로써 형성될 수 있다. 기판은 LED의 상부에 부착되는 투명한 기판 또는 형광체 타일(20)일 수 있다.

Description

기판내에 산란 특징을 갖는 LED{LED WITH SCATTERING FEATURES IN SUBSTRATE}
본 발명은 발광 다이오드(LED)에 관한 것으로, 특히 LED 다이내에서 광을 산란하기 위한 기술에 관한 것이다.
청색광을 방출하는 GaN-기반 LED에서, 성장 기판으로는 일반적으로 투명한 사파이어 기판, SiC 기판, 또는 심지어 GaN 기판이 있다. 플립 칩 LED의 경우, 광은 활성층에 의해 생성되어 투명한 기판을 통해 배출된다.
도 1은 종래의 GaN-기반 플립 칩 LED 다이(10)를 예시한다. 반도체층들은 N형 층(12), 활성층(14)(양자 웰들을 형성함), 및 P형 층(16)을 포함한다. 이러한 층들은 투명한 성장 기판(18), 일반적으로 사파이어의 표면 상에 성장된다. 기판(18)의 상부에는 형광체층(20)이 퇴적된다. 형광체 입자들(22)은 활성층(14)에 의해 방출된 청색광에 의해 에너지 공급받고 파장은 광을 시프트시킨다. 형광체의 방출된 컬러가 황색인 경우, 황색광과 청색광의 조합은 백색광을 생성한다. 가상적으로 임의의 컬러 광은 이러한 방식으로 생성될 수 있다.
광 추출 효율은 LED 다이(10)를 빠져 나오는 생성된 광자들의 백분율에 관한 것이다. LED 다이를 설계함에 있어서 한가지 목적은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 광 흡수를 최소화하는 것이다. 광 흡수에 기여하는 한가지는 기판(18)이 광 가이드로서 작용하는, 기판(18) 내부에 트랩(trap)되는 광선(24)으로 나타낸, 기판(18)에 의한 내부 전반사(TIR)이다. 물질의 인터페이스에서 매칭되지 않는 굴절률은 얕은 각도에서 그와 같은 반사를 일으킨다. 개략적인 근사치로서, GaN의 굴절률(n)은 2.5-3이고, 사파이어에 대한 굴절률은 1.77이고, 형광체에 대한 굴절률은 1.6-1.8이며, 공기에 대한 굴절률은 1이다.
또한, LED 반도체 층들, 하부 금속 콘택들 및 콘택들 간의 공간들은 상이한 반사율들을 갖는다. 도 1에 나타난 예에서, 노출된 P형 층(16)과 접촉하는 P-금속 콘택들(26)은 은(Ag)이기에, 높은 반사율(>95％)을 갖는다. P형 층(16)과 활성층(14)이 N-금속 콘택들(28)과 N형 층(12) 간의 오믹 콘택을 허용하기 위해 에칭 제거되는 영역들에는, 알루미늄과 같은, 반사에 둔한 금속(less reflective metal)이 사용되어, 이들 콘택 영역들을 통해서는 어떠한 광도 생성되지 않는다. 광을 반사하지 않는 콘택(26)과 콘택(28) 간의 공간들이 또한 존재한다. 광을 또한 흡수하는 반도체 특징들이 있을 수도 있다. 방출된 형광체 광은 일반적으로 등방성이기에, 광선(30)과 같은, 그러한 광의 상당한 비율은 LED 다이(10)의 광 흡수 영역들에 영향을 미친다. 다른 광선(32)은 기판(18)의 사이드에 내부적으로 반사되어 LED 다이(10)로 되돌아 가서 부분적으로 흡수되는 것을 나타낸다. 광선(33)은 P-금속 콘택(26)에 의해 효율적으로 반사되고 있는 것을 나타낸다.
모든 흡수성 영역들은 LED 다이의 광 추출 효율을 감소시킨다.
필요한 것은 LED 다이 내에서 광흡수를 감소시킴으로써 광 추출 효율을 높이기 위한 기술이다.
일 실시예에서, LED 다이의 투명한 성장 기판은 레이저 또는 다른 방법을 이용하여 형성된 공극들과 같은, 광 산란 영역들을 갖도록 형성된다. 다른 실시예에서, 성장 기판은 제거되고 광 산란 영역들을 포함하는 다른 투명한 기판으로 대체된다. 일 실시예에서, 광 산란 영역들을, 광을 생성하지 않는 LED 다이의 광 흡수 영역들 중 일부 또는 전체에 걸쳐서 형성하여, 이들 흡수 영역 상의 입사 광량을 줄이고, 또한 기판의 사이드에 걸쳐서 광 산란 영역들을 형성하여 광 가이드를 감소시킨다.
기판이 성장 기판을 대체하는 경우, 기판은, 선택된 영역들에서, TiO2 입자들 또는 반사 금속 플레이크들과 같은 반사 입자들을 포함하도록 형성될 수 있다. 3D 구조는 반사 영역들을 포함하는 기판층들을 적층함으로써 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 기판은 광 산란 측벽들을 갖도록 형성된 비투과성 형광체층이다.
형광체층은 LED의 상부에 부착되는 타일일 수 있거나, 액체 바인더에서 입자들로서 퇴적될 수 있거나, 전기 영동에 퇴적되거나, 다른 방법들에 의해 퇴적될 수 있다.
기타 실시예들이 기술된다.
도 1은 광선들이 LED 다이에 의해 흡수되는 다양한 방식들을 나타내는 LED 다이의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라, 광 산란 영역들을 포함하는 기판을 포함하는 LED 다이의 단면도이다.
도 3은 도 2의 구조에서 광선들이 LED 다이의 광 흡수 영역들로부터 그리고 기판의 사이드로부터 어떻게 방향 전환되는지를 예시한다.
도 4는 기판에서 광 산란 영역들의 대안적인 패턴을 나타내는 LED 다이의 단면도이다.
도 5는 산란 영역들을 갖는 기판이 LED 반도체 층들에 어떻게 부착될 수 있는지를 예시한다.
도 6은 광 산란 측벽들을 갖는 기판이 어떻게 형성될 수 있는지를 예시한다.
도 7은 박쥐 날개 모양의 광 방출 패턴을 생성하기 위한 중심 광 산란 영역을 갖는 기판을 예시한다.
도 8은 타일이 광 산란 측벽들을 갖는, LED 반도체 층들 상에 부착된 형광체 타일을 예시한다.
도 9는 기판이 원하는 광 산란 영역들을 생성하기 위해 다수의 층들을 사용하여 어떻게 형성될 수 있는지를 예시한다.
동일 또는 유사한 엘리먼트들에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다.
도 2는 기판(38)을 제외하고 도 1의 LED 다이(10)와 동일할 수 있는 LED(36)를 예시한다. 기판(38)은 LED 반도체들이 에피택셜 성장된 성장 기판일 수 있거나, 성장 기판이 제거된 이후에 LED 반도체층들에 부착된 기판일 수 있다.
기판(38)은 기판(38) 내에서 광 가이드를 감소시키기 위해 광 흡수 영역들 중 일부 또는 전부에 걸쳐서 광 산란 영역들(40A, 40B 및 40C)을 가지고 측벽들 중 일부 또는 전부에 걸쳐서 광 산란 영역들(42A 및 42B)을 갖도록 형성된다. 산란 영역들(42A 및 42B)은 측벽들 주위의 연속적인 산란 영역 링의 일부일 수 있다.
일 실시예에서, 기판(38)은 LED 반도체 층들이 에피택셜 성장된 사파이어 성장 기판이다. 산란 영역들(40A-40C, 42A 및 42B)은 반도체층들이 성장되기 이전에 또는 이후에 공극(void)들의 어레이로서 형성될 수 있다. 산란 영역들(40A-40C, 42A 및 42B)은 다면체 또는 둥근 형상과 같은, 임의의 3D 형상을 가질 수 있다. 펄스 레이저는 공극들을 생성하는데 사용될 수 있다. 투명한 재료들 내에 도트들(공극들)을 이용하여 이미지들을 기록하거나 생성하기 위해 펄스 레이저들을 이용하는 것은 공지되어 있지만; 이 기술은 LED 다이에서 광을 산란시키기 위해 사용되지는 않았다.
다른 실시예에서, 성장 기판은 반도체층들이 성장된 후, 예를 들어, 레이저 리프트-오프(laser lift-off)에 의해 제거되고, 다른 기판은 반도체 층들, 예를 들어 N형 층(12)에 부착된다. 그러한 기판들은 예를 들어, 유리, 사파이어, SiC, 플라스틱, 에폭시, 또는 세라믹일 수 있다. 기판(38)은 에폭시 또는 실리콘과 같은, 임의의 적절한 접착제에 의해 또는 직접적으로 LED 반도체 층들에 기판 재료를 용융시킴으로써 LED 반도체 층들에 부착될 수 있다. 부착된 기판들의 경우, 산란 영역들(40A-40C, 42A 및 42B)은 공극들 또는 광 산란 입자들로서 형성될 수 있다. 기판(38)은 공극들을 형성하기 위해 펄스 레이저 처리를 겪을 수 있거나, 광 산란 입자들을 선택 영역들에 포함시키기 위해 몰딩될 수 있다. 몰딩을 위해, 큰 기판 웨이퍼 몰드가 제공될 수 있고, 기판 재료가 액체 형태로 있는 동안 스크린 인쇄 공정 또는 다른 공정을 이용하여 선택된 영역들에 반사 입자들이 주입될 수 있다. 다음으로, 성장 기판이 제거된 이후에 몰딩된 기판을 경화시켜서 LED 웨이퍼에 부착시킨다. 기판(38)을 형성하는 다른 방식들로는, (도 9에 나타낸) 층들을 적층하는 방식, 또는 3D 인쇄 방법들을 이용하는 방식을 상상할 수 있다. 다음으로, 부착된 기판은 LED 제조 공정의 나머지를 위한 기계적인 지지대를 제공한다. 다음으로, LED 웨이퍼는 싱귤레이트된다.
반사 입자들은 예를 들어, TiO2 플레이크들 또는 Ag 플레이크들과 같은, 반사 금속 플레이크들일 수 있다. 일 실시예에서, 플레이크들은 0.1-10 미크론 넓이 사이의 범위에 있을 수 있다. 플레이크들은 광을 산란시키도록 의도되기 때문에, 플레이크들의 반사면들은 랜덤 각도에 있을 수 있다. LED 다이의 일반적인 폭은 대략 1mm 정도이다.
도 2의 예에서, 산란 영역들(40A, 40B 및 40C)은 일반적으로 광이 생성되지 않는, LED 다이의 비활성 부분들 전반에 걸쳐서 형성된다. 따라서, 산란 영역들(40A-40C)은 위로 향하여 방출되는 광을 차단하지 못한다. 산란 영역들(40A-40C)은 또한 바람직하게는 예를 들어, 금속 콘택(26)과 금속 콘택(28) 사이의 빈약한 반사면들인 영역들 전반에 걸쳐서 또는 N-금속 콘택들(28) 전반에 걸쳐서 형성된다. 콘택(26)과 콘택(28) 사이를 통과하는 광은, 일반적으로 빈약한 반사체(reflector)들인, 임의의 하부에 놓여진 서브마운트 또는 인쇄 회로 기판에 의해 위를 향하여 반사될 것이다. 바람직하기로는, P형 층(16)과 접촉시키기 위해 사용되는, 반사율이 높은 은 콘택들(26) 전반에 걸쳐서 산란 영역들이 존재하지 않게 하는 것이다.
각각의 산란 영역(40A-40C)의 형상은 차단될 특별한 하부에 놓여진 영역에 맞추어질 것이다. 형상들은 직사각형, 원형, 기타 등등일 수 있다. 각각의 산란 영역(40A-40C)의 두께는 산란 영역(40A-40C)의 구조에 따라 좌우된다. 예를 들어, 산란 영역(40A-40C)이 반사성 플레이크들을 포함하고, 플레이크들의 매우 얇은 층만이 하부에 놓여진 영역에 광이 영향을 미치는 것을 적당하게 차단할 필요가 있다면, 얇은 층만이 요구된다. 층은 10 미크론만큼 얇을 수 있지만, 일반적으로 50 미크론 두께 근방일 것이다.
일 실시예에서, 기판(38)은 대략 75-300 미크론 두께이다. 따라서, 기판(38)의 하부 근방의 산란 영역들(40A-40C)은 형광체층(20)으로부터 25-250 미크론 떨어져 있을 수 있다.
도 2와 일부 다른 도면들에서, 형광체층(20)은 LED 다이의 상부 위쪽에만 나타나 있다. 그러나, 형광체층은 또한 모든 실시예들에서 기판(38)과 반도체 층들의 측벽들을 커버할 수 있다.
도 3은 산란 영역에 영향을 미치는 활성층(14)과 형광체 입자들(22)에 의해 생성되는 다양한 광선들을 예시한다. 광선(46)은 활성층(14)에 의해 생성되고, 기판(38)이 매우 빈약한 광 가이드가 되도록 입사각에서보다 오히려 다양한 방향으로 산란 영역(42B)에 의해 산란된다(즉, 광은 극소수만이 반사된 이후에 빠져 나갈 것이다).
광선(48)은 형광체 입자(22A)로부터 방출되고, 산란 영역(40A)에 의해 광 흡수 영역으로부터 벗어나서 방향 전환된다. 광선(50)은 형광체 입자(22B)에 의해 방출되고 P-금속 콘택(26)에서 반사된다. 광선(52)은 형광체 입자(22C)에 의해 방출되고, 산란 영역(42A)에서 다수의 반사면에 의해 상방 및 하방 양쪽 방향으로 방향 전환된다.
도 4는 산란 영역들(56A-56C)이 LED 다이의 흡수 영역들 위에 놓이거나 LED 다이의 비-광-생성 영역 위에 놓이는 기판(57)의 상부 근방에 형성될 수 있다는 것을 예시한다. 반도체층들 또는 하부에 놓여진 층들에 의한 임의의 흡수를 회피하는, 산란 영역(56A)에서 광선(58)이 반사되는 것을 나타낸다.
도 5는 도 4의 LED 구조가 어떻게 형성될 수 있는지 예시한다. LED 반도체 층들이 성장된 후, 성장 기판은 제거되고, 기판(57)은 N형 층(12)의 상부에 부착된다. 실리콘의 얇은 층은 접착제로서 이용될 수 있다. 부착은 진공 환경에서 열과 압력하에서 수행될 수 있다. 대안적으로, 기판(57)을 부드럽게 하여 직접적으로 N형 층(12)에 융합시킨다. N형 층(12)은 우선 광 추출을 늘리고 접착시 도움을 주기 위해 거칠게 될 수도 있다.
일 실시예에서, 산란 영역들(42A, 42B 및 56A-56C)은 기판 웨이퍼가 형성될 때 기판내에 몰딩된다.
다음으로, 형광체층(20)은 기판(57) 위에 형성된다. 형광체층(20)은 또한 기판(57)과 LED 층들의 사이드 위에 형성될 수도 있다. 일 실시예에서, 형광체층(20)은 실리콘의 얇은 층에 의해 기판(57)에 부착되는 타일이다. 형광체층(20)은 또한 액체로서 퇴적되어 경화될 수 있고, 또는 전기 영동에 의해 퇴적될 수 있다.
도 6은 중심 산란 영역(60)과 기판(64)의 측벽들을 형성하는 산란 영역들(62A 및 62B)을 갖는 다른 실시예를 예시한다. 산란 영역들(62A 및 62B)은 측벽들을 따르는 연속적인 산란 영역 링의 일부일 수 있다. 산란 영역들은 흡광을 감소시키기 위해 산란 영역들의 이용에 상관없이, 원하는 방출 패턴을 달성하기 위해 어디든 배치될 수 있다. 특정한 방출 패턴을 달성하는 것은 LED 이미지가 예를 들어, 포물면 거울 또는 프로젝터에 의해 확대될 때 특히 중요하다. 산란 영역들(62A 및 62B)로부터의 산란이 크면, 이 실시예는 형광체층(20)을 통해 배출되는 광량을 증가시켜야 한다. 이것은 디바이스의 표면 위의 컬러 균일성을 향상시킨다.
중심 산란 영역(60)은 제거될 수 있고, 산란 영역들(62A 및 62B)은 LED 다이로부터의 임의의 사이드 방출을 제한하고 전방 방출을 향상시킨다.
도 7은 박쥐 날개 모양의 방출 패턴을 형성하기 위한 산란 영역(68)의 다른 형상을 예시한다. 산란 영역(68)은 원하는 방출 패턴을 제공하기 위해 위에서 아래쪽을 향해서 보았을 때 중앙 정사각형 또는 원형을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 산란 영역(68)의 직경은 약 300 미크론이다. 형광체층(70)은 디바이스의 사이드들 위로 그리고 서브마운트(72) 또는 인쇄 회로 기판 표면 아래쪽으로 연장되는 등각의 층으로서 나타나 있다. 기판(73)은 또한 측벽들의 임의의 일부를 형성하는 산란 영역들을 가질 수도 있다.
도 8은 형광체 타일(78)내에 형성된 측벽 산란 영역들(76A 및 76B)을 예시한다. 산란 영역들(76A 및76B)은 측벽들을 따른 연속적인 산란 영역 링의 일부일 수 있다. 도 8에는, 투명 기판은 사용되지 않고 성장 기판은 제거되어 있다. 형광체 타일(78)은 반도체 층들에 부착되기 이전에 미리 형성된 실리콘 바인더에 주입되는 형광체 분말일 수 있다. 반사성 플레이크들은 형광체 웨이퍼를 형성할 때 몰드내에 스크린 인쇄될 수 있다. 다음으로, 형광체 웨이퍼는 실리콘의 얇은(< 10 미크론) 층에 의해 LED 웨이퍼의 상부에 부착될 수 있으며, 여기서 최종적인 웨이퍼는 궁극적으로 싱귤레이트된다. 산란 영역들(76A 및 76B)은 임의의 사이드 방출을 제한한다. 이 구조에서, 형광체 타일(78)은 또한 기판의 역할을 한다. 이 구조는 자동차 헤드라이트들 및 프로젝터들에 특히 적합할 수 있다.
도 9는 3D 기판이 어떻게 형성될 수 있는지를 예시하고, 여기서 산란 영역들(80A-80C)은 예를 들어, 스크린 인쇄에 의해 또는 몰드를 이용하는 것에 의해, 이에 후속하여 열 및 압력하에서 제2 기판층(84)에 대한 라미네이션에 의해, 제1 기판층(82)의 상부면에 형성된다. 제2 기판층(84)은 측벽들을 형성하는 추가적인 산란 영역들(86A 및 86B)을 구비하는 것으로 나타나 있다. 산란 영역들의 임의의 3D 패턴은 기판 재료의 층들을 적층함으로써 형성될 수 있다. 이런 방식으로, 산란 영역은 기판 내부에 형성될 수 있다.
일반적으로, 산란 영역들은, 산란 영역들이 광 방출을 성형(shape)하는데 사용되지 않는 한, 성능에 유해할 수 있는 곳에 배치되지 않는다. 최적의 영역들을 결정하기 위한 시뮬레이션들이 수행될 수 있으며 산란 영역들은 광 추출 효율을 극대화하도록 성형된다. 일반적으로 흡수가 높고 광을 생성하지 않는 곳은 LED 반도체 층들의 에지들을 포함한다. 일 실시예에서, 산란 영역은 어떠한 광도 생성되지 않는 반도체 층들의 에지의 위에 놓인 기판의 하부 근방에 단일 링으로서 형성된다.
일부 애플리케이션들에서, 기판 표면은 광을 추가적으로 산란시키고 및/또는 광 추출을 향상시키기 위해 텍스처(texture)된다. 본 발명은 본 발명의 실시예들이 광을 산란시키기 위해 (표면 바로 위에 아닌)기판 내에 반사 입자들 또는 반사 공극들을 도입한다는 점에서 그러한 표면 텍스처링과 상이하다.
일 실시예에서, 부착된 기판은 광 확산 입자들(예를 들어, TiO2)이 균일하게 주입되는 기판과 같이, 일부 광을 본질적으로 산란시키는 벌크 재료로 형성된다. 본 발명의 광 산란 영역들은 기판의 벌크 재료를 변경함으로써 소정 영역들에 걸쳐서 산란을 향상시킬 것이다.
LED들의 소정 애플리케이션들에서, LED 다이는 다른 LED 다이들을 갖는 시스템내에 또는 반사 챔버내에 위치한다. 이런 경우에, 외부에서 생성된 광은 LED 다이에 영향을 미친다. 본 발명은 또한 광이 외부에서 생성되는 LED 다이에 의한 광 흡수를 줄이는데 사용될 수 있다. 따라서, 시스템 효율이 향상된다.
본 발명의 특정 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 더 넓은 양상들에 있어서 본 발명으로부터 벗어나지 않고서 변경들 및 수정들이 이루어질 수도 있으며, 따라서 첨부된 청구항들은 그러한 변경들 및 수정들 전부를 본 발명의 진정한 사상 및 범주 내에 있는 것으로서 그들의 범주 내에 포괄한다는 것이 본 기술분야의 숙련된 자들에게 명백할 것이다.

Claims (17)

  1. 발광 디바이스로서,
    광을 생성하고, 발광면을 갖는 발광 다이오드(LED) 반도체 층들;
    상기 발광면 위에 놓이며 상기 LED 반도체 층들에 부착되는 기판; 및
    상기 기판내에 형성되는 하나 이상의 광 산란 영역
    을 포함하는, 발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들은 상기 기판 전체가 아니라 상기 기판의 선택된 영역들에서만 상기 기판내에 반사 입자들을 포함하는, 발광 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들은 상기 기판 내에 형성되는 반사 공극들(reflective voids)을 포함하는, 발광 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 LED 반도체 층들이 에피택셜 성장된 성장 기판인, 발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 LED 반도체 층들의 발광면에 접착제에 의해 부착되는, 발광 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들은 반사 금속 입자들을 포함하는, 발광 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들 중 적어도 하나는 상기 LED 반도체 층들 내에 또는 아래에 놓이는 광 흡수 영역 위에 놓이되도록 형성되는, 발광 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 LED 반도체 층들을 위한 금속 콘택들을 더 포함하고, 상기 LED 반도체 층들은 N형 층과 P형 층을 포함하고, 적어도 하나의 광 산란 영역이 상기 N형 층을 위한 금속 콘택 위에 형성되는, 발광 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 LED 반도체 층들은 광을 생성하는 영역들과 광을 생성하지 않는 영역들을 포함하고, 상기 광 산란 영역들은 광을 생성하지 않는 상기 LED 반도체 층 영역들 중 적어도 하나 위에 위치하는, 발광 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들은 광을 생성하는 상기 LED 반도체 층 영역들 위에 형성되지 않는, 발광 디바이스.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들은 상기 기판의 측벽들을 따라 형성되는, 발광 디바이스.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 파장 변환 재료를 포함하는, 발광 디바이스.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 LED 반도체 층들은 광을 생성하는 영역들과 광을 생성하지 않는 영역들을 포함하고, 상기 광 산란 영역들은 광을 생성하지 않는 상기 LED 반도체 층들의 적어도 일부 위에 형성되고 또한 상기 기판의 측벽들을 따라 형성되는, 발광 디바이스.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판 위에 놓이는 형광체층을 더 포함하고, 상기 광 산란 영역들은, 광의 일부가 상기 형광체층을 향해 다시 반사되도록, 상기 LED 반도체 층들을 향해 방출된, 상기 형광체층으로부터의 광을 산란시키도록 배치되는, 발광 디바이스.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 광 산란 영역들 중 적어도 하나는 상기 LED 반도체 층들에 근접한 상기 기판의 하부면에 근접하여 위치하는, 발광 디바이스.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 산란 영역들 중 적어도 하나는 상기 LED 반도체 층들로부터 떨어진 상기 기판의 상부면에 근접하여 위치하는, 발광 디바이스.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 광 산란 영역들을 제외하고 투명한, 발광 디바이스.
KR1020157035361A 2013-05-15 2014-05-05 기판내에 산란 특징을 갖는 led KR102222215B1 (ko)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180084639A (ko) * 2017-01-16 2018-07-25 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180091743A (ko) * 2017-02-06 2018-08-16 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180091744A (ko) * 2017-02-06 2018-08-16 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102010A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102009A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102007A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102011A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9508908B2 (en) * 2013-05-15 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. LED with scattering features in substrate
DE102014100772B4 (de) * 2014-01-23 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2018060868A (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018074109A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018074110A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018113388A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018113385A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018113387A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018113386A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018113384A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP6786166B2 (ja) * 2017-01-16 2020-11-18 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018116966A (ja) * 2017-01-16 2018-07-26 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018116965A (ja) * 2017-01-16 2018-07-26 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129344A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129348A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129346A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129345A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129342A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129347A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018129370A (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018148014A (ja) * 2017-03-06 2018-09-20 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018181998A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182001A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182167A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182166A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182168A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP6821260B2 (ja) * 2017-04-18 2021-01-27 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018186167A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018186169A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018186168A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018186166A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
EP3428975A1 (en) * 2017-07-14 2019-01-16 AGC Glass Europe Light-emitting devices having an antireflective silicon carbide or sapphire substrate and methods of forming the same
WO2019121650A1 (en) 2017-12-21 2019-06-27 Lumileds Holding B.V. Lighting device
US11557703B2 (en) 2017-12-21 2023-01-17 Lumileds Llc Light intensity adaptive LED sidewalls
US11054112B2 (en) 2017-12-22 2021-07-06 Lumileds Llc Ceramic phosphor with lateral light barriers
US11430919B2 (en) * 2019-04-26 2022-08-30 Lumileds Llc High brightness LEDs with non-specular nanostructured thin film reflectors
US11189757B2 (en) * 2019-12-12 2021-11-30 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
CN112289903B (zh) * 2020-07-30 2021-08-06 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
US20220199857A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Unit pixel and displaying apparatus including the unit pixel
DE102021113095A1 (de) * 2021-05-20 2022-11-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronisches Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US20230034456A1 (en) * 2021-07-30 2023-02-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting module and display apparatus by using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1180725A2 (en) * 2000-08-08 2002-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate for improving pattern formation in photolithographic process
KR20080112947A (ko) * 2007-06-22 2008-12-26 산켄덴키 가부시키가이샤 반도체 발광장치
US20100176415A1 (en) * 2009-01-14 2010-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device with improved light extraction efficiency
KR20120079329A (ko) * 2011-01-04 2012-07-12 갤럭시아포토닉스 주식회사 테두리 영역에 형성된 광 추출층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5810463A (en) * 1994-11-28 1998-09-22 Nikon Corporation Illumination device
JP3559827B2 (ja) * 2002-05-24 2004-09-02 独立行政法人理化学研究所 透明材料内部の処理方法およびその装置
JP4329374B2 (ja) * 2002-07-29 2009-09-09 パナソニック電工株式会社 発光素子およびその製造方法
US6878969B2 (en) * 2002-07-29 2005-04-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
JP2005138169A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Gijutsu Transfer Service:Kk レーザマーキング装置、レーザマーキング方法、及び被マーキング体
JP2005158370A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Toyota Industries Corp 面状光源装置及び液晶表示装置
JP2005158369A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Toyota Industries Corp 光学部材及び照明装置
JP2005158665A (ja) * 2003-11-24 2005-06-16 Toyota Industries Corp 照明装置
US7442964B2 (en) * 2004-08-04 2008-10-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Photonic crystal light emitting device with multiple lattices
JP4634129B2 (ja) * 2004-12-10 2011-02-16 三菱重工業株式会社 光散乱膜，及びそれを用いる光デバイス
DE102005048408B4 (de) * 2005-06-10 2015-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterkörper
JP2007109793A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Sony Corp 半導体発光素子および光散乱基板
JP2007184411A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Sony Corp 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
KR100780233B1 (ko) * 2006-05-15 2007-11-27 삼성전기주식회사 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
CN101467266A (zh) * 2006-06-08 2009-06-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光器件
CN101467270B (zh) * 2006-06-14 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光装置
US7521862B2 (en) 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
JP5132961B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 ハリソン東芝ライティング株式会社 光半導体装置及びその製造方法
US8382319B2 (en) * 2007-04-03 2013-02-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output device
JP2008270689A (ja) * 2007-04-25 2008-11-06 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系発光ダイオード素子及びその製造方法
JP5195755B2 (ja) * 2007-07-27 2013-05-15 旭硝子株式会社 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
JPWO2009060916A1 (ja) * 2007-11-09 2011-03-24 旭硝子株式会社 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法
EP2223352B8 (en) * 2007-12-11 2018-08-29 Lumileds Holding B.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US8177408B1 (en) * 2008-02-15 2012-05-15 Fusion Optix, Inc. Light filtering directional control element and light fixture incorporating the same
US8408775B1 (en) * 2008-03-12 2013-04-02 Fusion Optix, Inc. Light recycling directional control element and light emitting device using the same
DE102008030751A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
KR20100018850A (ko) * 2008-08-07 2010-02-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시장치
US8129735B2 (en) * 2008-09-24 2012-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with controlled angular non-uniformity
KR101064016B1 (ko) * 2008-11-26 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8110839B2 (en) * 2009-07-13 2012-02-07 Luxingtek, Ltd. Lighting device, display, and method for manufacturing the same
US20110012147A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device including a filter and a scattering structure
JP5379604B2 (ja) * 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
CN102130051A (zh) * 2010-01-20 2011-07-20 晶元光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
DE102010027411A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Substrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
US8338199B2 (en) * 2010-08-27 2012-12-25 Quarkstar Llc Solid state light sheet for general illumination
US8210716B2 (en) * 2010-08-27 2012-07-03 Quarkstar Llc Solid state bidirectional light sheet for general illumination
TW201214802A (en) * 2010-09-27 2012-04-01 Nat Univ Chung Hsing Patterned substrate and LED formed using the same
US8455895B2 (en) * 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US9478719B2 (en) * 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
DE102010063511A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektrischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
TWI470829B (zh) * 2011-04-27 2015-01-21 Sino American Silicon Prod Inc 磊晶基板的製作方法、發光二極體，及其製作方法
DE102012003638A1 (de) * 2012-02-24 2013-08-29 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Leuchtdiode
WO2013141032A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 シャープ株式会社 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光装置及び基板
JPWO2013154133A1 (ja) 2012-04-13 2015-12-17 シャープ株式会社 光散乱体、光散乱体膜、光散乱体基板、光散乱体デバイス、発光デバイス、表示装置、および照明装置
US9508908B2 (en) * 2013-05-15 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. LED with scattering features in substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1180725A2 (en) * 2000-08-08 2002-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate for improving pattern formation in photolithographic process
KR20080112947A (ko) * 2007-06-22 2008-12-26 산켄덴키 가부시키가이샤 반도체 발광장치
US20100176415A1 (en) * 2009-01-14 2010-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device with improved light extraction efficiency
KR20120079329A (ko) * 2011-01-04 2012-07-12 갤럭시아포토닉스 주식회사 테두리 영역에 형성된 광 추출층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180084639A (ko) * 2017-01-16 2018-07-25 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180091743A (ko) * 2017-02-06 2018-08-16 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180091744A (ko) * 2017-02-06 2018-08-16 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102010A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102009A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102007A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩
KR20180102011A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 가부시기가이샤 디스코 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩

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