KR20150139929A - 헤테로사이클릭 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스에서의 이들의 용도 - Google Patents

헤테로사이클릭 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스에서의 이들의 용도 Download PDF

Info

Publication number
KR20150139929A
KR20150139929A KR1020157031747A KR20157031747A KR20150139929A KR 20150139929 A KR20150139929 A KR 20150139929A KR 1020157031747 A KR1020157031747 A KR 1020157031747A KR 20157031747 A KR20157031747 A KR 20157031747A KR 20150139929 A KR20150139929 A KR 20150139929A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compound
phenyl
thianthrene
thianthren
layer
Prior art date
Application number
KR1020157031747A
Other languages
English (en)
Inventor
푸파티 카터가마나탄
Original Assignee
파워 올레즈 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파워 올레즈 리미티드 filed Critical 파워 올레즈 리미티드
Publication of KR20150139929A publication Critical patent/KR20150139929A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D279/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one sulfur atom as the only ring hetero atoms
    • C07D279/10—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines
    • C07D279/14—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D279/18—[b, e]-condensed with two six-membered rings
    • C07D279/22—[b, e]-condensed with two six-membered rings with carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D279/24—[b, e]-condensed with two six-membered rings with carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hydrocarbon radicals, substituted by amino radicals, attached to the ring nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D279/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one sulfur atom as the only ring hetero atoms
    • C07D279/10—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines
    • C07D279/14—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D279/18—[b, e]-condensed with two six-membered rings
    • C07D279/22—[b, e]-condensed with two six-membered rings with carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D279/24—[b, e]-condensed with two six-membered rings with carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hydrocarbon radicals, substituted by amino radicals, attached to the ring nitrogen atom
    • C07D279/26—[b, e]-condensed with two six-membered rings with carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with hydrocarbon radicals, substituted by amino radicals, attached to the ring nitrogen atom without other substituents attached to the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D279/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom and one sulfur atom as the only ring hetero atoms
    • C07D279/10—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines
    • C07D279/14—1,4-Thiazines; Hydrogenated 1,4-thiazines condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D279/36—[b, e]-condensed, at least one with a further condensed benzene ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D339/00—Heterocyclic compounds containing rings having two sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D339/08—Six-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D417/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00
    • C07D417/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing two hetero rings
    • C07D417/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D417/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00
    • C07D417/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/002—Osmium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0033—Iridium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0086—Platinum compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C07F7/0816—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring comprising Si as a ring atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
    • C07F9/40—Esters thereof
    • C07F9/4003—Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
    • C07F9/4025—Esters of poly(thio)phosphonic acids
    • C07F9/4028—Esters of poly(thio)phosphonic acids containing no further substituents than -PO3H2 groups in free or esterified form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/535—Organo-phosphoranes
    • C07F9/5355—Phosphoranes containing the structure P=N-
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
    • C07F9/6553—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having sulfur atoms, with or without selenium or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms
    • C07F9/655363—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having sulfur atoms, with or without selenium or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms the sulfur atom being part of a six-membered ring
    • C07F9/655372—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having sulfur atoms, with or without selenium or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms the sulfur atom being part of a six-membered ring condensed with carbocyclic rings or carbocyclic ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0068—
    • H01L51/0071—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00—Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H01M14/005—Photoelectrochemical storage cells
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
  • Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

높은 정공 이동성 및/또는 높은 유리 전이 온도를 나타내는, 제1항에 따른 화학식 [Ar1]m[Ar2]n의 화합물이 제공되는데, 여기서, m은 1-3의 정수이고, n은 정수이고 1 또는 2일 수 있다. 상기 화합물은 전자 수송층 내에서 사용될 수 있으며 p형 도펀트로 도핑될 수 있다. 이는 OLED 유기 광전변환 디바이스, 이미징 부재 및 박막 트랜지스터에 삽입될 수 있다.

Description

헤테로사이클릭 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스에서의 이들의 용도{HETEROCYCLIC COMPOUNDS AND THEIR USE IN ELECTRO-OPTICAL OR OPTO-ELECTRONIC DEVICES}
본 발명은 신규한 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스, 그 중에서도 광학 발광 디바이스, 예를 들면, 정공 수송층에서의 이들의 용도에 관한 것이다. 이는 또한 양극성 특성을 갖는 화합물의 제2 부류에 관한 것이다. 이는 추가로 신규한 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스, 그 중에서도 광학 발광 디바이스, 예를 들면, 평면 패널 디스플레이 분야의 전계발광 디바이스 및 전자 수송층, 정공 차단층, 호스트층 및 방출층에서의 발광에서의 이들의 용도에 관한 것이다. 본 발명은 또한 유기 광전변환 소자 및 박막 트랜지스터 디바이스 내 반도체에서 전자수송체(transporter)로서 사용될 수 있는 신규한 화합물에 관한 것이다.
정공 수송 물질
정공 수송 물질의 하나의 부류는 2개 이상의 방향족 3차 아민 모이어티(예를 들면, 비페닐 디아민계이거나 "스타버스트(starburst)" 배열의 것들)를 포함하는 방향족 3차 아민을 포함하고, 이들 중 하기가 대표적이고, 이 때 α-NPB(하기 구체적인 설명에서 화학식)는 가장 널리 허용되며 상업적 생산에 사용되는 것으로 여겨진다.
제WO 2011/021803호(Duksan)에는 티안트렌 구조를 갖는 화합물 및 OLED에서 이들의 용도가 기재되어 있다. 실시예에서, 하기 5개의 화합물이 합성되었다.
Figure pct00001
및
Figure pct00002
상기 화합물은 OLED에서 도핑된 전계발광층의 부분을 형성하는 호스트 물질로서 시험되었다. ITO 전극 상의 10nm 구리 프탈로시아닌 층은 그 위에 정공 수송체로서 α-NPB(α-NPD로도 알려짐) 30nm, 도펀트로서 Ir(ppy)3을 위한 호스트 물질로서 제공되는 상기 티안트렌 화합물 또는 CBP 중 하나의 층, 정공 차단체로서 알루미늄 비페녹시 비스(2-메틸 퀴놀레이트) 10nm, 전자 수송체로서 알루미늄 퀴놀레이트 40nm, 전자 주입체(injector)로서 플루오르화리튬 0.2nm 및 캐소드로서 알루미늄이 침착되었다. 실질적으로 동일한 색상 좌표의 녹색 전계발광은 CBP가 호스트로서 사용되는 경우와 같이, 호스트로서 시험 티안트렌 화합물이 사용되는 경우 수득되고, 턴-온(turn-on) 전압 및 발광 효율(cd/A)은 CBP 보다 약간 불량함부터 다소 우수함까지의 범위였다. 그러나, 덕산(Duksan) 화합물의 축합 카르바졸 고리 구조는 상대적으로 낮은 정공 이동성을 나타내기 때문에, 이들 화합물은 정공 수송체로서 사용되는 경우 불량한 성능을 나타낼 것으로 예상될 수 있었다. 또한 확장된 방향족 시스템에 직접적으로 연결된 카르바졸 고리를 갖는 CBP는 상대적으로 낮은 정공 이동성을 갖고, 또한 정공 수송층 물질 보다는 전계발광층에서 호스트 물질로서 더 우수하다는 것이 언급되어야 한다. 따라서, 덕산이 그 목적을 위하여 통상적인 정공 수송체를 사용하고 임의의 티안트렌 화합물을 사용하지 않은 것은 놀랍지 않은 일이다.
문헌 [Swist et al., ARKIVOC 2012(iii), 193-209(2012)]에 의해 정공 수송 특성을 갖는 것으로 주장되며 청색 에미터인 것으로 주장되는 작용화된 티안트렌이 기재된다. C4H9, C12H25 또는 C16H33 치환기를 갖는 다양한 브롬화된 방향족 아미노 화합물과 티안트렌-2-일-2-보론산의 스즈키 커플링으로 오일 또는, 하나의 예에서, 낮은 융점의 고체를 수득하였다. 티오펜, 옥사졸, 푸란 및 피리미딘의 (Bu)3Sn-유도체와 2,8-디브로모티안트렌의 스틸레 커플링으로 오일인 2,8-비스(2-옥사졸릴)티안트렌, 2,8-비스(2-티오페닐)티안트렌(m.p, 176-179℃), 2,8-비스(2-푸라닐)티안트렌(m.p. 204-206℃) 및 2,8-비스(2-피리딜)티안트렌(m.p. 113-114℃)을 수득하였고, 이들은 모두 디바이스 적용을 위해서는 바람직하지 않게 낮았다. 순환 전압전류법, DPV 분광학, UV-가시 분광학 및 형광발광에 의해 조사된 화합물이 반도체에 적절한 범위에서 밴드 갭을 갖는 것으로 제시되었음에도 불구하고, 정공 이동성이 측정되지 않았고, 화합물은 OLED 또는 다른 실용적인 디바이스에서 시험되지 않았다. 이들은 균일막으로 주조될 수 있다고 제시되었지만, 오일인 이들 화합물과 특성을 공유하지 않았다. 보고된 물질, 또는 이들 중 임의의 것이 유기 광전변환 디바이스와 같은 대안적인 디바이스와는 대조적으로 OLED에서 정공 수송층으로서 사용되어야 한다는 것, 또는 설립된 물질, 예를 들면, α-NPB 보다 OLED의 정공 수송층에서 우수한 특성을 제공한다는 설명 또는 제시가 없었고, 이것이 그 경우라는 것을 제시할 이유가 없었다.
제US 8012606호(Takahiro et al, Nippon Steel)에는 하기 화학식으로 표시된 헤테로사이클릭 화합물이 기재되어 있다:
Figure pct00003
또는
Figure pct00004
또는
Figure pct00005
여기서, R은 수소 원자, 치환되거나 치환되지 않은 알킬 기, 또는 치환되거나 치환되지 않은 아릴 기를 나타내고, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 아릴 기이거나, Ar1, Ar2는 이에 결합된 질소 원자와 함께, 또는 Ar3, Ar4는 이에 결합된 질소 원자와 함께 질소-함유 헤테로 고리(예를 들면, N-카르바졸릴, N-페녹사지닐, N-페노티아지닐)를 형성할 수 있고, m 및 n은 독립적으로 1 또는 2이다. 실시예에는 OLED의 발광층의 구성원으로서, 하나의 예에서 정공 수송층으로서 제공되는 상기 기재된 바와 같은 화합물이 기재되어 있다. 화합물은 유기 EL 디바이스에 적용되는 경우에 디바이스가 낮은 전압에서 구동될 수 있도록 하는 것으로 제시된다. 호스트 물질로서 사용되는 경우, 전자 및 정공은 광범위한 발광 범위를 형성하고 높은 발광 효율을 수득하는 균형잡힌 방식으로 이동하는 것으로 제시된다. 추가로, 헤테로사이클릭 화합물은 인광을 이용하는 전계발광 디바이스에서 중요한 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 따라서, 인광 디바이스에 있어서 호스트 물질 또는 전자-수송 물질로서 사용되는 경우, 인광 도펀트의 삼중항 여기 상태의 에너지는 효율적으로 국한될 수 있고, 인광은 높은 효율로 수득될 수 있다. 이러한 우수한 전기적 특성 이외에, 상기 헤테로사이클릭 화합물은 박막으로 형성되는 경우 안정한 것으로 제시된다. 이의 유기 층에서 본 발명의 헤테로사이클릭 화합물을 포함하는 유기 EL 디바이스는 낮은 전압에서 높은 휘도의 광을 효율적으로 방출하고 탁월한 내구성을 보이며, 이는 평면 패널 디스플레이에 적용될 수 있고, 대표적인 화합물은 2,7-비스(페닐아미노)디벤조디옥신, 2,7-비스(9-카르바졸릴)디벤조디옥신, 2,7-비스(N-3-비페닐릴-N-페닐아미노)디벤조디옥신, 2,7-비스(N-1-나프틸-N-페닐아미노)디벤조디옥신 및 2,7-비스(9-카르바졸릴)티안트렌을 포함한다.
발광
전류가 이들을 통과시 발광하는 물질은 잘 알려져 있고 광범위한 디스플레이 적용에서 사용된다. 무기 반도체 시스템을 기반으로 한 디바이스가 광범위하게 사용된다. 그러나 이들은 높은 에너지 소비, 비싼 제작 비용, 낮은 양자 효율 및 평면 패널 디스플레이를 만들 수 없는 능력의 불리함을 겪는다. 유기 중합체는 전계발광 디바이스에 유용한 것으로 제안되었지만, 순수한 색상을 수득하는 것이 불가능하고; 이들은 제작이 비싸고 상대적으로 낮은 효율을 갖는다. 제안되었던 또 다른 전계발광 화합물은 알루미늄 퀴놀레이트이지만, 이는 일정 범위의 색상을 수득하기 위하여 도펀트의 사용이 필요하고 상대적으로 낮은 효율을 갖는다.
특허 출원 제WO 98/58037호에는 개선된 특성을 갖고 더 우수한 결과를 수득하는 전계발광 디바이스에 사용될 수 있는 일정 범위의 전이 금속 및 란탄족 착물이 기재되어 있다. 특허 출원 제WO 98/58307호, 제WO 00/26323호, 제WO 00/32719호, 제WO 00/32717호, 제WO 00/32718호 및 제WO 00/44851호에는 희토류 킬레이트를 사용하는 전계발광 착물, 구조 및 디바이스가 기재되어 있다. 미국 특허 제5128587호에는 높은 일함수의 투명 전극과 낮은 일함수의 제2 전극 사이에 끼워진 란탄족 희토류 원소의 유기금속 착물, 전계발광층과 투명한 높은 일함수 전극 사이에 삽입된 정공 전도층, 및 전계발광층과 전자 주입 낮은 일함수 캐소드 사이에 삽입된 전자 도전층으로 이루어진 전계발광 디바이스가 기재되어 있다. 정공 전도층 및 전자 전도층은 디바이스의 작업 및 효율을 개선시키는데 필요하다. 정공 수송층은 정공의 수송 및 전자의 차단을 제공하고, 따라서 정공과의 재결합 없이 전자가 전극으로 이동하는 것을 막는다. 따라서 캐리어의 재결합은 주로 방출층에서 발생한다.
전계발광 유기금속 착물의 성능을 향상시키기 위하여, 전계발광 유기금속 착물을 호스트 물질과 혼합할 수 있고, 본 발명자들은 현재 호스트 물질로서 금속 퀴놀레이트를 사용하는 개선된 전계발광 물질을 고안하였다.
전자 수송 물질
문헌 [Kulkarni et al., Chem. Mater. 2004, 16, 4556-4573](이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 성능을 향상시키는데 사용된 전자 수송 물질(ETM)에 관한 문헌을 검토하였다. 다수의 유기 물질 이외에, 알루미늄 퀴놀레이트를 포함하는 금속 킬레이트가 논의되고, 이는 높은 EA(~ -3.0 eV; 본 출원인에 의해 - 2.9 eV로 측정됨) 및 IP(~ -5.95 eV; 본 출원인에 의해 약 -5.7 eV로 측정됨)와 같은 이들의 뛰어난 특성, 우수한 열적 안정성(Tg ~ 172℃) 및 진공 증발에 의한 핀홀-무함유 박막의 예비 침착 때문에 가장 광범위하게 연구된 금속 킬레이트라고 설명된다. 알루미늄 퀴놀레이트는 전계발광층을 제공하는 다양한 형광 물질로 도핑되는 호스트로서의 사용 및 전자 수송층으로서의 사용 둘 다에 바람직한 물질로 남는다. 인광 디바이스에서 효율적으로 작동하는 정공 수송체 또는 전자 수송체를 위하여, 각각의 물질의 삼중항 레벨은 인광 에미터의 삼중항 레벨 보다 높아야 한다.
본 발명과 관련된 문제는 추가로, 또는 개선된 대안으로, OLED 및 기타 전기광학 또는 광전자 디바이스에 사용시 우수한 정공 수송 특성을 갖는 화합물을 제공하는 것이다. 본 발명과 관련된 추가의 문제는, 예를 들면, 아릴 스페이서 기를 통해 직접적이지 않게 질소를 트리사이클릭 고리 구조에 연결함으로써 개선된 성능 및 수명의 OLED를 제공하는 것이다.
하나의 측면에서 본 발명은 화학식 [Ar1]m[Ar2]n의 화합물로서,
m은 1-3의 정수이고, n은 정수이고 1 또는 2일 수 있고;
Ar1은 고리 위치 1-4, 2,7 및 6-9로부터 선택된 1개 또는 2개의 위치에서 Ar2에 연결된 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹사틴, 티안트렌, 디벤조[b,e]1,4-티아셀레난, 셀레난트렌 또는 페노티아지닐 잔기를 나타내고, 페노티아진 유도체의 경우, 임의로 고리 질소 원자에서, 임의로 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시-, 플루오로, 페닐 또는 비페닐로 일치환, 이치환 또는 다치환되고, 페닐 또는 비페닐의 경우, C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 추가로 치환될 수 있고;
Ar2는 아릴 고리가 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환된 페닐, 나프틸 또는 안트라세닐이고 아릴이 질소와 Ar1 사이에 존재하는 아릴아민으로부터 유도된 잔기, 질소 또는 황을 임의로 포함하며 쇄 방향족 고리계가 하나 이상의 쇄 산소 또는 황 원자를 임의로 포함하는 폴리사이클릭 축합 또는 쇄 방향족 고리계, 트리아릴포스핀 옥사이드 또는 아릴실란을 나타내며, 이들 중 임의의 것의 고리는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환되는 화합물을 제공한다.
이러한 화합물에서, 많은 양태에서 Ar1은 티안트렌을 나타낸다. 양태에서 Ar1은 1-위치에서, 2-위치에서, 1- 및 8-위치에서 또는 2- 및 7-위치에서 Ar2에 연결된다.
많은 양태에서 Ar2는 디아릴아민 잔기를 나타내고, 이의 질소는 Ar1에 연결되고, 이의 고리는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로, 페닐, 나프틸, 안트라세닐 또는 페닐피리딜로 임의로 치환된다. 다른 양태에서 Ar2는 트리아릴아민 잔기를 나타내고, 이의 고리는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환된다. 디아릴아민 시리즈, 예를 들면, 디페닐아민, N-페닐-1-나프틸아미노, N-페닐-2-나프틸아미노 또는 트리아릴아민 시리즈, 예를 들면, 트리페닐아민에서, 고리는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환될 수 있다. 트리아릴아민 시리즈에서 m은 1, 2 또는 3일 수 있다. 추가의 양태에서 Ar2는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 고리-치환된 카르바졸, 스피로-비카르바졸 또는 디벤조티오펜 잔기를 나타낸다.
본 발명의 화합물의 양태는 정공 이동성과 높은 유리 전이 온도 또는 융점의 놀랍게도 바람직한 조합을 나타내고, 화합물은 또한 정공 주입층 및/또는 전자 차단층에서 유용성을 찾는다. 이들은 일반적으로 소분자이기 때문에, 이들 중 다수는 승화에 의해 정제가능하고, 이는 OLED 및 기타 디바이스 적용에 필요한 순도의 화합물 제조에 바람직하다. 이들 화합물의 양태는 양극성을 나타내고, 즉 이들은 도핑되어, 이들이 p형 또는 n형 도펀트로 도핑되는지 여부에 따라, 전자 또는 정공 수송층을 형성할 수 있다. 이러한 분자는 일부 양태에서 사용해야만 하는 상이한 층들의 상이한 물질들의 수가 감소되기 때문에 디바이스 제조사들에게 인기가 많다.
α-NBP와 비교된 HOMO 및 LUMO 레벨을 하기에 나타낸다.
Figure pct00006
추가의 측면에서 본 발명은 상기 정의된 바와 같은 헤테로트리사이클릭 화합물 및 억셉터형 유기 분자인 p-도펀트를 포함하는 정공 수송 물질을 제공한다. 일부 양태에서 도펀트는 물질이 침착되어 층을 형성시 도펀트가 층 두께에 약 10-40%, 예를 들면, 약 33%를 기여하도록 하는 양으로 존재한다. 양태에서 소량으로, 예를 들면, 헤테로트리사이클릭 화합물의 중량을 기준으로 < 50중량%로 조성물에 존재할 수 있는 기타 물질은 공지된 유기 정공 수송 제제, 예를 들면, 비페닐 또는 스타버스트 배열의 방향족 3차 아민, 일부 양태에서 α-NPB를 포함한다.
추가의 측면에서 본 발명은 제1 및 제2 전극 및 상기 전극 사이에 상기 정의된 화합물 또는 상기 정의된 물질을 포함하는 층을 갖는 광학 발광 다이오드를 제공한다. 층은 정공 수송층 또는 정공 주입층일 수 있다. 디바이스는 형광 에미터, 인광 에미터, 이온 형광(희토류계) 에미터 또는 광학 발광 양자점을 포함하는 방출층을 포함할 수 있다. CuPC, ZnTpTP(아연 테트라페닐포스피린), 2-TNATA, MoO3, MoOx, WO3, WOx, NiOx 또는 구조
Figure pct00007
의 헥사시아노헥사아자트리페닐렌을 포함하는 정공 주입층이 제공될 수 있다.
디바이스는 평면 패널 디스플레이 또는 조명 패널의 부분을 형성할 수 있다. 기타 최종 용도는 유기 광전변환 디바이스, 정전잠상을 형성하는 이미징 부재(imaging member), 유기 박막 트랜지스터 및 염료 감응 태양 전지를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 추가의 문제는 전자 수송 물질, 전자 주입체, 호스트, 정공 차단체 및 방출 물질, 및 일부 양태에서 전자기 스펙트럼의 청색 영역에서 방출되는 물질로서 OLED에서 사용될 수 있는 화합물을 제공하는 것이다.
당해 문제는 티안트렌이 폴리사이클릭 아릴에 결합된 화합물, 또는 p형 도펀트와의 혼합물로서 상기 화합물을 포함하는 조성물을 사용함으로써, 본 발명의 추가의 측면에 따라 해결된다. 예는 OLED의 전자 수송층과 관련하여 논의된 기타 물질과 함께 실시예에 기재된 물질 ETS-1, ETS-2 및 ETS-3을 포함한다. 예시된 화합물은, 특히, 전자 이동성과 높은 유리 전이 온도의 놀랍게도 바람직한 조합을 나타낸다. 또한, 이들 화합물은 박막, 분말 및 용액으로서, 특히 가시 스페트럼의 청색 및 녹색 영역에서 강한 형광을 보인다.
추가의 측면에서, 본 발명은 상기 기재되고 전자 수송층과 관련하여 추가로 논의된 화합물을 포함하는 층을 갖는 전기광학 또는 광전자 디바이스를 제공한다. 이러한 디바이스는 OLED 디스플레이, OLED 조명 및 또한, 예를 들면, 유기 박막 트랜지스터, 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 셀, 유기 광검출기, 쌍안정 유기 분자를 기반으로 한 전자 저장 디바이스 및 정전잠상을 형성하는 광전도 이미징 부재를 포함한다.
추가의 측면에서 본 발명은 제1 전극, 임의의 표 1의 화합물 또는 이의 유도체를 포함하는 층 및 제2 전극을 갖는 광학 발광 다이오드 디바이스를 제공한다. 하나의 양태에서 층은 전자 수송층(순수하거나, 낮은 일함수 금속 또는 금속 착물로 도핑됨) 또는 전자 주입층 또는 호스트 또는 방출층(호스트 또는 도펀트, 각각 또 다른 도펀트 또는 호스트와 함께)이다.
동일한 층이 또한 정공 차단층으로서 작용할 수 있다.
본 발명에 따른 OLED는 정공 및 전자 수송층 둘 다 또는 정공 수송층, 전계발광층 및 전자 수송층에 상기 티안트렌 화합물을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.
추가의 측면에서 알킬-치화된 플루오르 이외에, 공액 또는 방향족 탄화수소에 연결된 1개 또는 2개의 티안트렌 모이어티를 갖는 화합물을 갖는 OLED가 제공된다. OLED는 하기 기재된 화학식 중 하나인 화합물을 포함할 수 있다:
Figure pct00008
(여기서, n은 정수이고, 폴리페닐 쇄 또는 축합 고리를 나타냄),
Figure pct00009
1-페닐-2-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸,
Figure pct00010
여기서, X 및 Y는 둘 다 S이고, 고리는, 예를 들면, 메틸로 임의로 치환된다.
화합물은 1-안트라세닐-9-일-티안트렌, 1-비페닐-4-일-티안트렌 또는 9,10-비스(1-티안트레닐)안트라센 또는 이의 혼합물일 수 있다. 이는 낮은 일함수 금속 착물과 혼합될 수 있거나, 형광 도펀트로 도핑될 수 있거나, 인광 도펀트로 도핑될 수 있거나, 희토류 킬레이트로 도핑될 수 있다. 예를 들면, 화합물은 1 내지 99질량%, 예를 들면, 10 내지 90질량%, 예를 들면, 20-90질량%, 일반적으로 30-80질량%의 리튬 퀴놀리놀레이트(LiQ) 또는 이의 유도체 또는 리튬 쉬프 염기(Schiff base) 착물과 혼합될 수 있다.
화합물은 방출층의 구성원, 예를 들면, 호스트일 수 있거나, 이는 전자 수송층 및/또는 전자 주입층 내에 포함될 수 있다.
하나의 양태에서 제1 전극; 1-안트라세닐-9-일-티안트렌, 1-비페닐-4-일-티안트렌 또는 9,10-비스(1-티안트레닐)안트라센를 포함하는 층, 및 제2 전극 및 임의로 낮은 일함수 물질을 갖는 광학 발광 다이오드 디바이스가 제공된다.
상기 OLED는 하기 특징 중 어느 하나를 가질 수 있다:
(a) 방출층은 형광 에미터로 구성되고;
(b) 방출층은 인광 에미터로 구성되고;
(c) 방출층은 이온 형광(희토류계) 에미터로 구성되고;
(d) 정공 주입층은 CuPC, ZnTpTP, 2-TNATA, MoO3, MoOx, WO3, WOx 또는 NiOx 또는
Figure pct00011
를 포함하고;
(e) 정공 수송층은 전자 억셉터로 도핑되거나 이와 혼합되고;
(f) 정공 수송층은 TCNQ 또는 F4TCNQ와 같은 전자 억셉터로 도핑되거나 이와 혼합되고;
(g) 정공 수송체는 또 다른 정공 수송체와 혼합되고;
(h) 전자 수송체는 Li, K, Cs 화합물 또는 낮은 일함수 금속 또는 물질의 임의의 기타 화합물과 혼합되고;
(i) 전자 수송체는 희토류 금속 또는 이의 착물과 혼합되고;
(j) 전자 수송체는 리튬 퀴놀리놀레이트(Liq) 또는 리튬 쉬프 염기와 혼합되고;
(k) 전자 수송체는 또 다른 전자 수송체 또는 전자 주입체와 혼합되고;
(l) 전계발광층은 금속 착물을 포함하고;
(m) 전계발광층은 도펀트로 도핑된 호스트 물질로서 지르코늄 또는 하프늄 퀴놀레이트를 포함하고;
(n) 전계발광층은 도펀트로 도핑된 호스트 물질로서 알루미늄 퀴놀레이트를 포함하고;
(o) 전계발광층은 도펀트로 도핑된 호스트 물질로서 방향족 3차 아민을 포함하고;
(p) 전계발광층은 금속 또는 준금속 착물인 발광 물질을 포함하고;
(q) 전계발광층은 발광성 물질로서 금속 퀴놀레이트, 이리듐, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐 또는 백금 착물, 붕소 착물 또는 희토류 착물을 포함하고;
(r) 전계발광층은 전계발광 물질로서 리튬 퀴놀레이트 또는 알루미늄 퀴놀레이트를 포함하고;
(s) 전계발광층은 발광 공액 중합체 또는 공중합체 또는 덴드리머를 포함하고;
(t) 정공 수송층은 α-NPB를 포함한다.
상기 화합물은 하기 기재된 바와 같은 기타 광전자 또는 전자광학 디바이스에 도입될 수 있다.
첨부된 도 1-16은 본 발명의 화합물 또는 물질이 도입된 실제 녹색 및 적색 OLED 디바이스에 의해 수득된 데이타를 보여준다.
셀 구조
본 발명의 OLED는 그 중에서도 평면 패널 디스플레이에 유용하고, 전형적으로 전계발광층, 전자 주입 및/또는 수송층(들), 정공 주입 및/또는 수송층(들) 및 임의의 보조층을 포함하는 다중의 얇은 층 사이에 낀 애노드 및 캐소드를 포함한다. 다른 방법, 예를 들면, 스핀 코팅 또는 잉크젯 인쇄에 의해 하나 이상의 층, 예를 들면, 정공 주입 및 정공 수송층을 형성하는 것이 편리할 수 있음에도 불구하고, 층은 전형적으로 연속 진공 증착 작업에 의해 건설된다.
전형적인 디바이스는 그 위에 애노드 층, 정공 주입체(버퍼) 층, 정공 수송층, 전계발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 층이 연속적으로 형성되는 투명 기판(예는 유리, 플라스틱(PET, PEN 등), 금속 또는 합금, 반도체(유기 또는 무기)를 포함한다)을 포함하고, 이는 차례로 제2 투명 기판에 적층될 수 있다. 또한 알루미늄 또는 기타 금속성 기판이 ITO 층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전계발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 ITO 또는 기타 투명 캐소드를 보유하고, 캐소드를 통해 광이 방출되는 전면 발광 OLED가 가능하다. 추가의 가능성은 알루미늄 또는 낮은 일함수 금속과 합금된 알루미늄의 캐소드가 전자 주입층, 전자 수송층, 전계발광층, 정공 수송층, 정공 주입층 및 ITO 또는 기타 투명 전도성 애노드를 연속적으로 보유하고, 애노드를 통해 발광하는 역 OLED이다. 바람직한 경우, 정공 차단층은, 예를 들면, 전계발광층과 전자 수송층 사이에 삽입될 수 있다.
본 발명의 OLED는 소분자 OLED, 중합체 발광 다이오드(p-OLED), 형광에 의해 발광하는 OLED, 인광에 의해 발광하는 OLED(PHOLED) 및 이온 형광(희토류 착물)에 의해 발광하는 OLED를 포함하고, 단색 또는 다색 액티브 또는 패시브 매트릭스 디스플레이를 포함한다.
애노드
많은 양태에서 애노드는 유리 또는 기타 투명 기판 상에 코팅된 주석 옥사이드 또는 인듐 주석 옥사이드의 층에 의해 형성된다. 사용될 수 있는 기타 물질은 안티몬 주석 옥사이드, 알루미늄 아연 옥사이드 및 인듐 아연 옥사이드를 포함한다. 기타 애노드 물질은 또한 전도성 중합체(예: 폴리(티오펜)(들), 폴리(아닐린)(들) 및 폴리(피롤)(들))를 포함한다. 바람직한 경우, 개질된 애노드는 산소 플라즈마로 ITO 표면을 후속적으로 처리한 다음, 플라즈마 처리 챔버에서 CHF3 기체를 분해하여 CFx의 ~ 1nm 두께 층을 침착시킴으로써 개질된 애노드로서 컨디셔닝하여 제조할 수 있다. 액티브 매트릭스 양태에서 애노드는 높은 일함수 금속 또는 합금, 예를 들면, 금 또는 백금일 수 있거나, 결정성, 다결정성, 연속성 그레인 또는 무정형 실리콘일 수 있고, 이는 p-도핑되거나 금속 옥사이드, 예를 들면, Mo, W 및 Ni 옥사이드일 수 있다. 애노드가 도핑되거나 도핑되지 않은 그래핀인 셀이 또한 본 발명에 속한다.
정공 주입 및 정공 수송층
일반적으로 OLED는 구별된 정공 주입 및 정공 수송층을 갖는다. 본 출원인은 OLED의 정공 주입층의 물질 및 정공 수송층의 물질에 바람직한 특성을 고려하였고, 이들은 하기 표에 기재된다:
Figure pct00012
많은 상기 특징들은 필수적이기 보다는 바람직한 것으로 인식될 것이다. 예를 들면, Tg(이러한 전이가 발생하거나 검출가능함)는 가능한 한 높아야 함에도 불구하고, 많은 최근 정공 주입 물질은 100-120℃, 또는 일부 예에서는 더 낮은 온도, 예를 들면, 약 90℃의 Tg를 갖는다.
정공 주입 물질
애노드와 전계발광 물질 사이에 단일 층이 제공될 수 있지만, 많은 양태에서 하나는 정공 주입층(버퍼층)이고 다른 하나는 정공 수송층인 둘 이상의 층이 존재하고, 2층 구조는 일부 양태에서 개선된 안정성 및 디바이스 수명을 제공하고, 제US-A-4720432호(VanSlyke et al., Kodak)를 참조한다. 정공 주입층은 후속적인 유기층의 막 형성 특성을 개선시키고 정공 수송층 내로 정공의 주입을 촉진시키는 것을 제공할 수 있다.
예를 들면, 물질 및 셀 유형에 따라 0.1-200nm의 두께일 수 있는 정공 주입층에 적합한 물질은 정공-주입 포스피린 화합물(제US-A-4356429호(Tang, Eastman Kodak) 참조), 예를 들면, 아연 프탈로시아닌, 구리 프탈로시아닌 및 ZnTpTP를 포함하고, 이의 화학식은 하기 기재된다:
Figure pct00013
특히 우수한 디바이스 효율, 턴/온 전압 및/또는 수명은 정공 주입층이 ZnTpTP인 경우에 수득될 수 있다. 사용될 수 있는 추가의 물질은 하기 구조의 헥사시아노헥사아자트리페닐렌(CHATP)이다:
Figure pct00014
정공 주입층은 또한 플루오로카본 기체(제US-A-6208075호(Hung et al., Eastman Kodak) 참조), 트리아릴아민 중합체(제EP-A-0891121호(Inoue et al., TDK Corporation) 참조) 또는 페닐렌디아민 유도체(제EP-A-1029909호(Kawamura et al., Idemitsu) 참조) 또는 제US-A-6436559호(Ueno, Canon) 및 제6720573호(Se-Hwan, LG Chemical Co., Ltd.)에 기재된 물질의 플라즈마 중합체 의해 형성된 플루오로카본계 전도성 중합체일 수 있다. 이는 또한 액처리 공정가능한 정공 주입 중합체, 예를 들면, PEDOT/PSS(폴리(스티렌설포네이트)으로 도핑된 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜) 또는 PEDOT와 가요성 중합체, 예를 들면, 폴리에테르, 폴리실록산, 폴리에스테르, 또는 폴리아크릴레이트의 블록 공중합체일 수 있다. 폴리(아닐린)(들) 및 폴리(피롤)(들)은 또한 본 발명의 부분이다. 이러한 물질을 적용하는 방법은 액처리 공정 방법, 예를 들면, 스핀 코팅, 마스크를 통한 인쇄 및 잉크젯 인쇄, 예를 들면, 얇은 정공 주입층이 바람직한 경우, 상대적으로 희석된 용액에 의한 방법을 포함한다.
기타 정공 주입체는 Mo, W 및 Ni의 옥사이드를 포함한다.
정공-수송 물질
사용될 수 있는 정공 수송층은 일부 양태에서 두께 10 내지 200nm, 예를 들면, 20-200nm인 것이 바람직하다.
본원에서 사용되는 정공 수송 화합물은 분자당 하나 이상의 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹산틴, 티안트렌, 디벤조[b,e]1,4-티아셀레난, 셀레난트렌 또는 페노티아진 잔기를 갖는 화합물을 포함한다. 일부 양태에서 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹산틴, 티안트렌, 디벤조[b,e]1,4-티아셀레난 또는 셀레난트렌 잔기는 스캐폴드로서 제공되고, 아릴 또는 헤테로아릴인 1개 또는 2개의 고리 치환기를 가질 수 있다. 연결은 임의의 고리 위치일 수 있거나, 2개의 고리 아릴 또는 헤테로아릴 치환기를 갖는 화합물의 경우, 이들은 입체화학적으로 혼화성인 고리 위치의 임의의 쌍, 예를 들면, 트리사이클릭 고리의 1-, 2-, 1,9- 또는 2,7-위치일 수 있다. 상기 잔기 또는 잔기들은 임의로 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시-, 플루오로, 페닐 또는 비페닐로 일치환, 이치환 또는 다치환될 수 있고, 여기서 페닐 또는 비페닐 치환기의 경우는 그 자체로 C1-C4-알킬-(바람직하게는 메틸), C1-C4-알콕시-(바람직하게는 메톡시) 또는 플루오로로 추가로 치환될 수 있다. 알킬 치환기는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필 및 t-부틸을 포함한다. 알콕시 치환기 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시 및 t-부톡시를 포함한다. 잔기 또는 잔기들은 또한 치환기로서 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹산틴, 티안트렌, 디벤조[b,e]1,4-티아셀레난 또는 셀레난트렌 잔기에 하나의 말단에서 부착된 아릴 연결기, 예를 들면, C1-C4-알킬-(바람직하게는 메틸), C1-C4-알콕시-(바람직하게는 메톡시) 또는 플루오로에 의해 임의로 치환된 1,4-페닐렌을 포함할 수 있다. 정공 수송 물질은, 예를 들면, 분자당 1개, 2개 또는 3개의 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹산틴, 티안트렌, 디벤조[b,e]1,4-티아셀레난 또는 셀레난트렌 잔기를 포함할 수 있고, 현재 2개의 이러한 잔기가 최적으로 여겨진다.
하기 번호 시스템이 티안트렌 고리 및 본원에 언급된 기타 관련 고리 구조에 사용된다:
Figure pct00015
상기 정공 수송 화합물의 아속(sub-genus)은 단일 질소 또는 인 원자를 갖는 트리아릴아민 또는 트리아릴 포스핀 옥사이드에 부착된 트리사이클릭 구조를 갖고, 전자 디바이스에서 사용하기에 바람직한 융점, 상 전이 온도 및 정공 이동성의 조합을 갖는 화합물을 포함한다.
화합물의 넓은 속(genus)은 아릴을 통해 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹산틴, 티안트렌, 디벤조[b,e] 1,4-티아셀레난, 셀레난트렌 또는 페노티아진에 결합된 하나 이상의 질소, 인 또는 규소 원자를 갖는다. 이러한 화합물은 화학식 I의 화합물일 수 있다:
Figure pct00016
상기 화학식 I에서,
Z는 N, P=O 또는 Si이고;
동일하거나 상이할 수 있는 X 및 Y는 각각 O, S 또는 Se를 나타내거나, X는 NH를 나타낼 수 있고 Y는 O, S 또는 Se를 나타낼 수 있고;
동일하거나 상이할 수 있는 기 R은 독립적으로 수소, 또는 메틸, 메톡시, 에틸, 에톡시, 아릴(예를 들면, 페닐) 및 플루오로로부터 선택된 하나 이상의 고리 치환기를 나타내고;
m은, Z가 N 또는 P=O인 경우, 1-3이거나, Z가 Si인 경우, 1-4일 수 있고;
n은 0 또는 1이고;
p는 0, 1 또는 2이고;
q 및 r은 0 또는 1이고;
s는 Z가 N 또는 P=O인 경우 1이거나, Z가 Si인 경우 2이고;
점선 연결은, 존재하는 경우, 2개의 페닐 고리가 9H-카르바졸-9-일 잔기의 부분을 형성하는 것을 나타내고,
실선은 페닐 또는 비페닐에 의한 직접적인 트리사이클릭 고리 사이의 연결을 나타내고;
트리사이클릭 고리에 대한 연결은 이의 1- 또는 2-위치에 있을 수 있거나, 이의 2,7- 또는 2,8-위치에 있을 수 있거나, X가 NH인 경우, 10-위치에 있을 수 있다.
상기 화합물의 하나의 그룹은 n=1, p=1 또는 2를 갖고, m은 1, 2 또는 2이고, 트리아릴과 Z 사이의 연결은 페닐 또는 비페닐에 의한 것이다. 또 다른 그룹은 m=1, n=1 또는 2 및 p=0 또는 1를 갖는다.
트리아릴아민 및 관련 포스핀 옥사이드 및 실란 유도체
단일 트리아릴아민 잔기가 도입된 화합물의 특정한 하위그룹은 화학식 II의 화합물일 수 있다:
Figure pct00017
상기 화학식 II에서,
m은 1, 2 또는 3이고, 점선은 페닐 또는 나프틸 고리 중 하나에 대한 각각의 페노티아진 잔기의 결합을 상응하게 나타내고;
n은 1 또는 2이고;
p, q 및 r은 독립적으로 0 또는 1이고;
동일하거나 상이할 수 있는 X 및 Y는 각각 O, S 또는 Se를 나타내거나, X는 NH를 나타낼 수 있고 Y는 O, S 또는 Se를 나타낼 수 있고;
Z는 N 또는 P=O를 나타내고;
동일하거나 상이할 수 있는 기 R은 독립적으로 수소, 또는 메틸, 메톡시, 에틸, 에톡시, 아릴(예를 들면, 페닐) 및 플루오로로부터 선택된 고리 치환기를 나타내고;
연결은 트리사이클릭 고리 또는 고리들의 1- 또는 2-위치에 있을 수 있거나, 2,7- 또는 2,8-위치에 있을 수 있거나, X가 NH인 경우 10-위치에 있을 수 있고, 이것이 부착된 페닐 또는 나프틸 고리에 대하여 o- 또는 p-위치일 수 있다.
이들 화합물의 하나의 그룹에서 m은 1이고, n은 1, 2 또는 3이다. 화합물의 또 다른 그룹에서 m은 1이고, n은 1 또는 2이다.
예를 들면, 스캐폴드는 상기 기재된 유형의 티안트렌 잔기로 치환된 페닐 고리 1개, 2개 또는 3개를 갖는 트리페닐 아민일 수 있다. 티아진 잔기는 임의의 입체적으로 이용가능한 위치, 일반적으로 하기 나타낸 다수의 화합물과 같이 4-위치에서 페닐 고리에 부착될 수 있다.
X가 NH이고 Y가 O, S 또는 Se인 화합물에서, 부착은 임의의 입체적으로 이용가능한 위치, 대부분 일반적으로 4-위치에서 질소 원자 및 페닐 고리 사이에 있을 수 있다.
화합물 N-4-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(또한 페닐-N-(4-(티안트렌-7-일)페닐)벤젠아민)은 티안트렌을 환류하에 아세트산 중에서 브롬화시켜 2-브로모티안트렌을 수득하고, 이를 수성 산성 트리메틸 보레이트와 반응시켜, 본원에서 티안트렌-2-일 화합물을 제공하는 스즈키 커플링 반응에 광범위하게 유용한 중간체인 티안트렌-2-일-2-보론산을 수득함으로써 제조할 수 있다. 상기 중간체를 N-(4-브로모페닐)-N-페닐벤젠아민과 스즈키 커플링(Pd(0)/K2CO3)시켜 목적하는 생성물을 수득한다. 이와 같이 화합물 N,N-비스(4-브로모페닐)벤젠아민을 티안트렌-2-일-2-보론산과 스즈키 커플링시켜 하기 구조의 4,4"-디-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(또한 페닐-비스-4-티안트렌-2-일)페닐아민)을 수득할 수 있다:
Figure pct00018
화합물 4-(티안트렌-1-일)-4',4"-디메톡시트리페닐아민(또한 4-메톡시-N-(4-메톡시페닐)-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)벤젠아민)을 하기와 같이 제조할 수 있다:
Figure pct00019
N-4-(2,8-디메톡시티안트렌-1-일)트리페닐아민(또한(4-(2,8-디메톡시-티안트렌-9-일)페닐)-N-페닐벤젠아민)을 하기 반응 순서에 따라 제조할 수 있다:
Figure pct00020
4-(N-페닐-N-m-톨릴아미노)-4'-(티안트렌-1-일)비페닐을 또한 나타낸 바와 같이 스즈키 커플링으로 제조할 수 있다:
Figure pct00021
또한 하기 화합물을 참조한다:
Figure pct00022
및
Figure pct00023
(양극성)
여기서, X 및 Y는 상기 정의된 바와 같다.
당해 아속에 속하는 화합물은 하기 명칭 및/또는 구조식의 화합물을 포함한다.
4-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(HTS-1);
4,4'-디-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(HTS-4);
4,4',4"-트리-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(HTS-2);
4-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
4,4'-디-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
4,4',4"-트리-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
4-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐아민(HTS-5);
4,4'-디-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐아민;
4,4',4"-트리-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐아민;
2,7-비스-(4-디페닐아미노페닐)티안트렌;
2,7-비스-(4-디페닐아미노페닐)-3,8-디메틸티안트렌;
3-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
N-(4-티안트렌-1-일페닐)-디-p-톨릴아민;
4-(티안트렌-1-일)-4',4"-디메톡시트리페닐아민;
4-(2,8-디메톡시티안트렌-1-일)트리페닐아민;
1,9-디-(4-(디페닐아미노)페닐)티안트렌;
4-(티안트렌-1-일)트리페닐포스핀 옥사이드;
N-페닐-N-(1-(티안트렌-1-일)나프탈렌-4-일)나프탈렌-1-아민;
N-(나프탈렌-1-일)-N-(4-(티안트렌-1-일)페닐)나프탈렌-1-아민;
N-(나프탈렌-1-일)-N-(1-(티안트렌-1-일)나프탈렌-4-일)나프탈렌-1-아민;
4-(N-페닐-N-m-톨릴아미노)-4'-(티안트렌-1-일)비페닐;
Figure pct00024
트리페닐포스핀 옥사이드 화합물
트리페닐 포스핀을 함유하는 화합물, 예를 들면, 4-(티안트렌-1-일)트리페닐포스핀 옥사이드, 4-(티안트렌-2-일)트리페닐포스핀 옥사이드 및 4-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐포스핀 옥사이드는 일반적으로 하기와 같이 나타낼 수 있다:
Figure pct00025
Figure pct00026
및
Figure pct00027
(양극성)
상기와 유사하게 아속은 상기 정의된 트리사이클릭 구조가 테트라페닐실란에 부착되어 화학식 III의 화합물을 수득하는 화합물이고, 이는 티안트렌의 예이며 하기와 같이 표시된다:
Figure pct00028
메틸, 메톡시 또는 플루오로에 의한 고리 치환이 또한 가능하고, 분자는 분자당 2, 3 또는 4 티안트렌 잔기를 포함한다.
아미노비페닐, 디아미노비페닐, 2,7-디아미노플루오렌, 2,7-디마니노스피로비플루오렌 및 2,7,2',7'-테트라아미노스피로비플루오렌 잔기를 포함하는 화합물
상기 유형의 정공 수송 물질은, 예를 들면, 하기 화학식의 화합물일 수 있다:
Figure pct00029
또는
Figure pct00030
Figure pct00031
여기서, X 및 Y는 독립적으로 O, S 또는 Se이고, R은 상기 정의된 바와 같고, R1은 메틸, 메톡시 또는 플루오로로 치환될 수 있는 페닐일 수 있거나(예를 들면, m-톨릴 또는 p-톨릴을 수득한다), 기 R은 함께 스피로비플루오렌 기의 부분을 형성할 수 있다. 화학식 VI 및 VII에서, 비페닐 고리 상의 기 R은 플루오르 또는 스피로비플루오렌을 형성할 수 있음이 이해될 것이다.
이러한 화합물의 예는 하기를 포함한다:
Figure pct00032
,
Figure pct00033
제조 방법의 예는 하기 기재된다:
Figure pct00034
및
Figure pct00035
하기 구조(예를 들면, 고리 치환 및 O, Se 또는 NH에 대한 S의 변화에 따라, 상기 지시된 일반적인 선에 따라 다양할 수 있다)가 또한 동일하다:
Figure pct00036
및
Figure pct00037
알킬-치환된 플루오렌 이외에 공액 또는 방향족 탄화수소에 연결된 1개, 2개 또는 3개의 티안트렌 모이어티를 갖는 화합물
Figure pct00038
여기서, R, X 및 Y는 청구항 제1항에 정의된 바와 같고, 양태에서 X 및 Y는 둘 다 S이다.
당해 부류의 화합물은 하기를 포함한다:
2-(나프탈렌-1-일)티안트렌,
1-(페난트렌-9-일)티안트렌,
1-(10-페닐안트라센-9-일)티안트렌,
1-(4-(티오펜-2-일)페닐)티안트렌,
1-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-6-일)티안트렌,
10-(4-(9H-카르바졸-9-일)페닐)-10H-페노티아진,
2-(10H-페노티아지닐)디벤조티오펜,
9,10-디(티안트렌-1일)안트라센,
1,3,5-트리(티안트렌-1-일)벤젠,
1,3,5-트리스-(4-(티안트렌-1-일)페닐)벤젠,
(4(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-카르바졸,
9-(4-(티안트렌-1-일)벤질)-9H-카르바졸,
1-페닐-2-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸,
2-페닐-1-(4-(티안트렌-1-일)페닐)에탄온,
1-(9,9-디-p-톨릴-9H-플루오렌-2-일)티안트렌,
1-(2-(티안트렌-1-일)-9,9-디-p-톨릴-9H-플루오렌-7-일)티안트렌,
1-(9,9-디프로필-2-(티안트렌-1-일)-9H-플루오렌-7-일)티안트렌,
1-(4-(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페닐)티안트렌,
1-(4-(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페닐)티안트렌,
Figure pct00039
화합물 9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-카르바졸은 9H-카르바졸을 환류하에 NMP 중에서 CuI 및 K2CO3의 존재하에 1-브로모-4-요오도벤젠과 반응시켜 9-(4-브로모페닐)-9H-카르바졸을 수득하고, 차례로 티안트렌-1-일-1-보론산(본원에서 티안트렌-1-일 화합물에 일반적으로 유용한 중간체)과 스즈키 커플링시켜 목적하는 생성물을 수득함으로써 제조할 수 있다.
정공 수송층을 위한 도펀트
정공 수송층은 승화가능한 소분자이고, 예를 들면, 억셉터형 유기 분자, 예를 들면, 테트라시아노퀴노디메탄 또는 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ)으로 p-도핑될 수 있는 임의의 상기 언급된 화합물을 포함할 수 있다. 도펀트의 양은 층 두께에 10-40%, 예를 들면, 약 33%를 기여하는 양일 수 있다. 상기 언급된 티안트렌 화합물 중 하나 및 임의로 p형 도펀트 이외에, 추가로 또한 승화가능한 소분자일 수 있는 하나 이상의 공지된 정공 수송 화합물이 존재할 수 있다. 예를 들면, 방향족 3차 아민은 바람직한 정공-수송 물질이 하나의 부류, 예를 들면, 둘 이상의 방향족 3차 아민 모이어티를 갖는 방향족 3차 아민(예를 들면, 비페닐 디아민을 기반으로 한 것들 또는 "스타버스트" 배열의 것들)을 제공한다. 예를 들면, 방향족 아민은 하기 화학식 (i)-(vii)의 화합물을 사용할 수 있다:
Figure pct00040
Figure pct00041
여기서, 임의의 화학식 (i) 내지 (vi)에서 기 R은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소; 치환 및 비치환 지방족 기; 치환 및 비치환 방향족, 헤테로사이클릭 및 폴리사이클릭 고리 구조; 할로겐; 및 티오페닐 기로부터 선택되고; 화학식 (i)에서 메틸 기는 C1-C4 알킬 또는 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 아릴 또는 헤테로아릴에 의해 치환될 수 있고, 이는, 예를 들면, 알킬, 아릴 또는 아릴아미노로 추가로 치환될 수 있다.
추가로 정공 수송 물질은
Figure pct00042
또는
Figure pct00043
를 포함하고, 여기서 기 R1-R4는 상기 화학식에 나타나는 경우 동일하거나 상이할 수 있고, 수소; 치환 및 비치환 지방족 기; 치환 및 비치환 방향족, 헤테로사이클릭 및 폴리사이클릭 고리 구조; 할로겐; 및 티오페닐 기로부터 선택된다.
하기는 적합한 방향족 3차 아민의 대표적인 예이다:
Figure pct00044
추가의 가능한 물질은 4,4',4"-트리스(카르바졸릴)-트리페닐아민(TCTA)이고, 이는 α-NPB 보다 넓은 밴드 갭의 정공 수송 물질이고 일부 양태에서 방출층에 여기를 국한시키는 것을 보조할 수 있다.
추가의 가능한 물질은 방향족 아민인 스피로-연결 분자, 예를 들면, 스피로-TAD(2,2',7,7'-테트라키스-(디페닐아미노)-스피로-9,9'-비플루오렌)이다.
소분자 정공 수송 물질의 추가의 부류는 제WO 2006/061594호(Kathirgamanathan et al)에 기재되어 있고, 디아미노 디안트라센을 기반으로 한다. 전형적인 화합물은 하기를 포함한다:
9-(10-(N-(나프탈렌-1-일)-N-페닐아미노)안트라센-9-일)-N-(나프탈렌-1-일)-N-페닐안트라센-10-아민;
9-(10-(N-비페닐-N-2-m-톨릴아미노)안트라센-9-일)-N-비페닐-N-2-m-톨릴아미노-안트라센-10-아민; 및
9-(10-(N-페닐-N-m-톨릴아미노)안트라센-9-일)-N-페닐-N-m-톨릴안트라센-10-아민.
사용될 수 있는 정공 수송층은 바람직하게는 두께가 10 내지 200nm이다.
전계발광 물질
원칙적으로, 형광 염료, 예를 들면, 페릴렌 염료, 금속 착물, 예를 들면, Alq3, Ir(III)L3, 희토류 킬레이트, 예를 들면, Tb(III) 착물, 덴드리머 및 올리고머, 예를 들면, 섹시티오펜, 또는 중합체(공액 또는 기타) 방출성 물질을 포함할 수 있는 분자 고체를 포함하여 임의의 전계발광 물질이 사용될 수 있다. 전계발광층은 발광성 물질로서 금속 퀴놀레이트, 이리듐, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 팔라듐 또는 백금 착물, 붕소 착물 또는 희토류 착물을 포함할 수 있다.
전계발광 물질의 하나의 바람직한 부류는 형광, 인광 또는 이온-인광(희토류)일 수 있는 염료로 도핑된 호스트 물질을 포함한다. 용어 "전계발광 디바이스"는 전기인광 디바이스를 포함한다.
바람직하게는 호스트는 도펀트로서 소량의 형광 물질, 바람직하게는 도핑된 혼합물의 0.01 내지 25중량%의 양으로 도핑된다. 제US-A-4769292호(Tang et al., Kodak)에서 논의된 바와 같이, 이의 함량은 참조로서 포함되고, 형광 물질의 존재는 넓은 관용도의 발광 파장 중에서 선택이 허용된다. 특히, 제US-A-4769292호에 기재된 바와 같이 유기 금속성 착물과 정공-전자 재조합에 대응하여 발광할 수 있는 소량의 형광 물질과 혼합함으로써, 발광성 영역으로부터 방출된 광의 색조를 개질할 수 있다. 이론적으로, 호스트 물질 및 형광 물질이 정공-전자 재조합에 정확하게 동일한 친화력을 갖도록 혼합될 수 있는 경우, 각각의 물질은 발광 영역에서 정공 및 전자의 주입 상에서 발광하여야 한다. 발광의 인지된 색조는 두 방출의 시각적 통합일 것이다. 그러나, 호스트 물질 및 형광 물질의 균형을 강요하는 것이 제한되기 때문에, 광 방출에 바람직한 사이트를 제공하도록 형광 물질을 선택하는 것이 바람직하다. 광 방출에 바람직한 사이트를 제공하는 형광 물질의 적은 부분만이 존재하는 경우, 형광 물질이 원인인 새로운 피크 강도 파장 방출이 선호되어 호스트 물질의 전형적인 피크 강도 파장 방출은 전체적으로 제거될 수 있다.
당해 효과에 도달하는데 충분한 형광 물질의 최소 비율은 다양하고, 어떠한 예에서도 호스트 물질을 기준으로 약 10몰% 이상의 형광 물질을 사용할 필요가 없고, 1몰% 이상의 형광 물질을 사용할 필요가 거의 없다. 다른 한편으로는, 형광 물질의 존재를 극도의 소량으로, 전형적으로 호스트 물질을 기준으로 약 10-3몰% 미만으로 제한하는 것은 호스트 물질의 특유한 파장에서 방출을 유지시키는 것을 야기할 수 있다. 따라서, 광 방출에 바람직한 사이트를 제공할 수 있는 형광 물질의 비율을 선택함으로써, 방출 파장의 완전한 또는 부분적인 시프팅이 실현될 수 있다. 이는 EL 디바이스의 스펙트럼 방출이 제공되는 적용에 적합하도록 선택되고 균형잡히도록 한다. 형광 염료의 경우, 전형적인 양은 0.01 내지 5중량%, 예를 들면, 2-3중량%이다. 인광 염료의 경우, 전형적인 양은 0.1 내지 15중량%이다. 이온 인광 물질의 경우, 전형적인 양은 0.01-25중량% 또는 100중량% 이하이다.
광 방출에 바람직한 사이트를 제공할 수 있는 형광 물질의 선택은 필수적으로 호스트 물질의 특성에 대한 형광 물질의 특성 관계를 포함한다. 호스트는 광 방출에 분자 사이트를 제공하는 형광 물질을 갖는 주입된 정공 및 전자에 대하여 수집기로서 여겨질 수 있다. 호스트에 존재하는 경우 광 방출의 색조를 개질할 수 있는 형광 물질을 선택하기 위한 하나의 중요한 관계는 두 물질의 환원 전위의 비교이다. 형광 물질은 호스트의 것 보다 적은 음성 환원 전위를 나타낸 광 방출의 파장을 시프팅하는 것으로 입증되었다. 전자 볼트로 측정된 환원 전위는 이들의 다양한 측정 기술에 따라 문헌에 광범위하게 보고되었다. 이는 바람직한 이들의 절대값 보다는 환원 전위의 비교이기 때문에, 형광 및 호스트 환원 전위가 둘 다 유사하게 측정되는 한, 환원 전위 측정을 위한 임의의 허용되는 기술이 사용될 수 있음이 명백하다. 바람직한 산화 및 환원 전위 측정 기술은 문헌 [R. J. Cox, Photographic Sensitivity, Academic Press, 1973, Chapter 15]에 보고되었다.
호스트에 존재시 광 방출의 색조를 개질할 수 있는 형광 물질의 선택에 있어서 두번째로 중요한 관계는 두 물질의 밴드-갭 전위의 비교이다. 형광 물질은 호스트의 것 보다 낮은 밴드 갭 전위를 나타낸 광 방출 파장을 시프팅하는 것으로 입증되었다. 분자의 밴드 갭 전위는 이의 기저 상태와 첫번째 단일항 상태에서 차이나는 전자 볼트(eV) 단위의 전위 차이로서 수득된다. 밴드 갭 전위 및 이들 측정을 위한 기술은 문헌에 광범위하게 보고되었다. 보고된 본원의 밴드 갭 전위는 흡수 피크에 장파장이고, 흡수 피크의 등급의 것의 십분의 일 등급인 흡수 파장에서 전자 볼트(eV)로 측정된 것들이다. 이는 바람직한 이들의 절대값이 아니라 밴드 갭 전위의 비교이기 때문에, 형광 및 호스트 밴드 갭이 둘 다 유사하게 측정되는 한, 밴드 갭 측정을 위한 임의의 허용되는 기술이 사용될 수 있음이 명백하다. 하나의 예시적인 측정 기술이 문헌 [F. Gutman and L. E. Lyons, Organic Semiconductors, Wiley, 1967, Chapter 5]에 기재되어 있다.
형광 물질의 부재하에 그 자체로 발광할 수 있는 호스트 물질에 있어서, 호스트 및 형광 물질의 스펙트럼 커플링이 달성되는 경우, 호스트 단독의 특유한 방출 파장에서 광 방출의 억제 및 형광 물질의 특유한 파장에서 방출의 개선이 발생하는 것이 관찰되었다. "스펙트럼 커플링"은 호스트 단독의 특유한 방출 파장과 호스트 부재하의 형광 물질의 흡광 파장 사이에 겹침이 존재하는 것을 의미한다. 최적의 스펙트럼 커플링은 호스트의 방출 파장이 형광 물질 단독의 최대 흡수의 ±25nm 내에 있는 경우 발생한다. 실제로 유리한 스펙트럼 커플링은 피크의 너비 및 이들의 단파장 및 장파장 기울기에 따라, 100nm 이하 또는 그 이상 차이나는 피크 방출 및 흡수 파장으로 발생할 수 있다. 호스트와 형광 물질 사이의 최적 보다 적은 스펙트럼 커플링이 예상되고, 형광 물질의 단파장 교체와 비교하여 장파장이 보다 효율적인 결과를 생성한다.
유용한 형광 물질은 호스트와 혼합되고 본 발명의 EL 디바이스의 발광 영역을 형성하는 상기 기재된 범위의 두께를 만족시키는 박막으로 제작될 수 있는 것들이다. 결정성 유기금속 착물은 박막 형성에 적합하지 않고, 호스트에 존재하는 제한된 양의 형광 물질은 단독으로 박막 형성이 불가능한 형광 물질의 사용을 허용한다. 바람직한 형광 물질은 호스트과 공동의 상을 형성하는 것들이다. 염료가 호스트 중에 분자 레벨 분포에 적합하지 않기 때문에, 형광 염료는 형광 물질의 바람직한 부류를 구성한다. 호스트 중에 형광 염료를 분산시키기 위한 임의의 편리한 기술이 사용될 수 있음에도 불구하고, 바람직한 형광 염료는 호스트 물질에 따라 진공 증착될 수 있는 것들이다.
호스트 물질의 하나의 부류는 금속 착물, 예를 들면, 금속 퀴놀레이트, 예를 들면, 리튬 퀴놀레이트, 알루미늄 퀴놀레이트, 티타늄 퀴놀레이트, 지르코늄 퀴놀레이트 또는 하프늄 퀴놀레이트를 포함하고, 이는 특허 출원 제WO 2004/058913호에 기재된 바와 같이 형광 물질 또는 염료로 도핑될 수 있다.
퀴놀레이트, 예를 들면, 알루미늄 퀴놀레이트의 경우:
(a) 예를 들면, 하기 화합물이 적색 도펀트로서 제공될 수 있다:
Figure pct00045
(b) 예를 들면, 하기 화합물이 녹색 도펀트로서 제공될 수 있다:
Figure pct00046
여기서, R은 C1-C4 알킬, 모노사이클릭 아릴, 비사이클릭 아릴, 모노사이클릭 헤테로아릴, 비사이클릭 헤테로아릴, 아르알킬 또는 티에닐, 바람직하게는 페닐이다.
(c) 비페닐옥시 알루미늄 비스-퀴놀레이트(BAlQ2), BAq2(알루미늄 비스(-2-메틸퀴놀레이트) 또는 알루미늄 퀴놀레이트에 있어서, 화합물 페릴렌 및 9-(10-(N-(나프탈렌-8-일)-N-페닐아미노)안트라센-9-일)-N-(나프탈렌-8-일)-N-페닐안트라센-10-아민이 청색 도펀트로서 제공될 수 있다.
호스트의 또 다른 바람직한 부류는, 예를 들면, 치환기, 예를 들면, 알킬(특히 메틸), 알콕시 및 플루오로를 보유할 수 있고, 또한 형광 물질 또는 염료로 도핑될 수 있는 4-10 아릴 또는 헤테로아릴 고리가 공액 방향족 시스템에 도입된 소분자이다.
상기 종류의 시스템의 예는 호스트로서 하기 화합물(화합물 H)을 기반으로 한 청색-발광 물질
Figure pct00047
및 도펀트로서 페릴렌 또는 9-(10-(N-(나프탈렌-8-일)-N-페닐아미노)안트라센-9-일)-N-(나프탈렌-8-일)-N-페닐안트라센-10-아민이다. 방향족 소분자인 호스트 물질의 추가의 예를 하기에 나타낸다:
Figure pct00048
2,9-비스(2-티오펜-2-일-비닐)-[1,10]페난트롤린은 상기 설명된 바와 같이 전계발광층에서 호스트로서 사용될 수 있거나 그 자체로 존재할 수 있다.
기타 청색 발광 시스템은 하기를 포함한다:
Figure pct00049
청색-발광 물질은 유기 호스트(예를 들면, 상기 기재된 바와 같은 공액 방향족 화합물) 및 도펀트로서 제WO 2006/090098호(Kathirgamanathan et al.)에 기재된 디아릴아민 안트라센 화합물을 기반으로 할 수 있다. 예를 들면, CBP는 청색-발광 치환된 안트라센, 그 중에서도
9,10-비스(-4-메틸벤질)-안트라센,
9,10-비스-(2,4-디메틸벤질)-안트라센,
9,10-비스-(2,5-디메틸벤질)-안트라센,
1,4-비스-(2,3,5,6-테트라메틸벤질)-안트라센,
9,10-비스-(4-메톡시벤질)-안트라센,
9,10-비스-(9H-플루오렌-9-일)-안트라센,
2,6-디-t-부틸안트라센,
2,6-디-t-부틸-9,10-비스-(2,5-디메틸벤질)-안트라센,
2,6-디-t-부틸-9,10-비스-(나프탈렌-1-일메틸)-안트라센으로 도핑될 수 있다.
추가의 청색-발광 물질은 호스트로서 TCTA를 사용할 수 있고, 이는 하기에 기재된 청색 인광 물질로 도핑될 수 있으며 제WO 2005/080526호(Kathirgamanathan et al.)를 참조한다:
청색 인광 물질
Figure pct00050
Figure pct00051
CBP 또는 TAZ와 사용될 수 있는 녹색 인광 물질의 예는 하기 기재된다(제WO 2005/080526호 참조):
녹색 인광 물질
Figure pct00052
CBP 또는 TAZ와 사용될 수 있는 적색 인광 물질의 예는 하기 기재된다(제WO 2005/080526호 참조):
적색 인광 물질
Figure pct00053
Figure pct00054
추가의 예는 하기와 같다:
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
기타 예는 하기와 같은 덴드리머를 포함한다:
Figure pct00058
추가의 도펀트로서, 형광 레이저 염료는 본 발명의 유기 EL 디바이스에서 사용하기에 특히 유용한 형광 물질인 것으로 인식된다. 사용될 수 있는 도펀트는 디페닐아크리딘, 쿠마린, 페릴렌 및 이들의 유도체를 포함한다. 유용한 형광 도펀트는 제US 4769292호에 기재된다. 바람직한 도펀트의 하나의 부류는 쿠마린이다. 하기는 레이저 염료로서 유용한 것으로 알려진 예시적인 형광 쿠마린 염료이다:
FD-1 7-디에틸아미노-4-메틸쿠마린,
FD-2 4,6-디메틸-7-에틸아미노쿠마린,
FD-3 4-메틸엄벨리페론,
FD-4 3-(2'-벤조티아졸릴)-7-디에틸아미노쿠마린,
FD-5 3-(2'-벤즈이미다졸릴)-7-N,N-디에틸아미노쿠마린,
FD-6 7-아미노-3-페닐쿠마린,
FD-7 3-(2'-N-메틸벤즈이미다졸릴)-7-N,N디에틸아미노쿠마린,
FD-8 7-디에틸아미노-4-트리플루오로메틸쿠마린,
FD-9 2,3,5,6-1H,4H-테트라하이드로-8-메틸퀴놀라지노[9,9a,1-gh]쿠마린,
FD-10 사이클로펜타[c]줄로린디노[9,10-3]-11H-피란-11-온,
FD-11 7-아미노-4-메틸쿠마린,
FD-12 7-디메틸아미노사이클로펜타[c]쿠마린,
FD-13 7-아미노-4-트리플루오로메틸쿠마린,
FD-14 7-디메틸아미노-4-트리플루오로메틸쿠마린,
FD-15 1,2,4,5,3H,6H,10H-테트라하이드로-8-트리플루오로메틸[1]벤조피라노[9,9a,1-gh]퀴놀리진-10-온,
FD-16 4-메틸-7-(설포메틸아미노)쿠마린 나트륨 염,
FD-17 7-에틸아미노-6-메틸-4-트리플루오로메틸쿠마린,
FD-18 7-디메틸아미노-4-메틸쿠마린,
FD-19 1,2,4,5,3H,6H,10H-테트라하이드로-카르브에톡시[1]벤조피라노[9,9a,1-gh]퀴놀리지노-10-온,
FD-20 9-아세틸-1,2,4,5,3H,6H,10H-테트라하이드로[1]벤조피라노[9,9a,1-gh]퀴놀리지노-10-온,
FD-21 9-시아노-1,2,4,5,3H,6H,10H-테트라하이드로[1]벤조피라노[9,9a,1-gh]퀴놀리지노-10-온,
FD-22 9-(t-부톡시카르보닐)-1,2,4,5,3H,6H,10H-테트라하이드로[1]-벤조피라노-[9,9a,1-gh]퀴놀리지노-10-온,
FD-23 4-메틸피페리디노[3,2-g]쿠마린,
FD-24 4-트리플루오로메틸피페리디노[3,2-g]쿠마린,
FD-25 9-카르복시-1,2,4,5,3H,6H,10H-테트라하이드로[1]벤조피라노[9,9a,1-gh]퀴놀리지노-10-온,
FD-26 N-에틸-4-트리플루오로메틸피페리디노[3,2-g].
기타 도펀트는 비스 벤젠 설폰산의 염(승화 보다는 스핀-코팅 침착이 필요하다), 예를 들면,
Figure pct00059
및 페릴렌 및 페릴렌 유도체 및 도펀트를 포함한다. 기타 도펀트는 염료, 예를 들면, 형광 4-디시아노메틸렌-4H-피란 및 4-디시아노메틸렌-4H-티오피란, 예를 들면, 형광 디시아노메틸렌피란 및 티오피란 염료이다. 유용한 형광 염료는 또한 시아닌, 착물 시아닌 및 메로시아닌(즉, 3핵, 4핵, 및 다핵 시아닌 및 메로시아닌), 옥소놀, 헤미옥소놀, 스티릴, 메로스티릴, 및 스트렙토시아닌을 포함하는 공지된 폴리메틴 염료 중에서 선택될 수 있다. 시아닌 염료는, 메틴 연결기에 의해 결합되어, 2개의 염기성 헤테로사이클릭 핵, 예를 들면, 아졸리늄 또는 아지늄 핵, 예를 들면, 피리디늄, 퀴놀리늄, 이소퀴놀리늄, 옥사졸리늄, 티아졸리늄, 셀레나졸리늄, 인다졸리늄, 피라졸리늄, 피롤리늄, 인돌륨, 3H-인돌륨, 이미다졸리늄, 옥사디아졸리늄, 티아디옥사졸리늄, 벤족사졸리늄, 벤조티아졸리늄, 벤조셀레나졸리늄, 벤조텔루라졸리늄, 벤즈이미다졸리늄, 3H- 또는 1H-벤조인돌륨, 나프톡사졸리늄, 나프토티아졸리늄, 나프토셀레나졸리늄, 나프토텔루라졸리늄, 카르바졸륨, 피롤로피리디늄, 페난트로티아졸리늄, 및 아세나프토티아졸리늄 4차 염으로부터 유도된 것들을 포함한다. 형광 염료의 기타 유용한 부류는 4-옥소-4H-벤즈-[d,e]안트라센 및 피릴륨, 티아피릴륨, 셀레나피릴륨, 및 텔루로피릴륨 염료이다.
추가로 청색-발광 물질은 하기 특허, 출원 및 문헌에 기재되고, 이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다:
제US-A-5141671호(Bryan, Kodak) - 페놀레이토 리간드 및 2개의 8-퀴놀리놀레이토 리간드를 함유하는 알루미늄 킬레이트.
제WO 00/32717호(Kathirgamanathan) - 치환기가 2, 3, 4, 5, 6 및 7 위치에서 동일하거나 상이할 수 있고, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 설폰산, 에스테르, 카르복실산, 아미노 및 아미도 기로부터 선택되거나 방향족, 폴리사이클릭 또는 헤테로사이클릭 기인, 진공 침착가능한 리튬 퀴놀레이트, 및 기타 리튬의 치환된 퀴놀레이트.
제US 2006/0003089호(Kathirgamanathan) - 아세토니트릴 중에서 리튬 알킬 또는 알콕사이드를 8-하이드록시퀴놀린과 반응시켜 제조한 리튬 퀴놀레이트.
Misra, http://www.ursi.org/Procc6dings/ProcGA.05/pdf/D04.5(01720).pdf 1 x 10-5 Torr에서 진공 침착가능한 청색 유기 전계발광 물질 비스-(2-메틸 8-퀴놀리놀레이토)(트리페닐 실록시)알루미늄(III).
제WO 03/006573호(Kathirgamanathan et al) - 금속 피라졸론.
제WO 2004/084325호(Kathirgamanathan et al) - 붕소 착물.
제WO 2005/080526호(Kathitgamanathan et al) - 청색 인광 이리듐계 착물.
문헌 [Ma et al., Chem. Comm. 1998, 2491-2492]. 브릿지 리간드로서 7-아자인돌레이트를 갖는 4핵 아연(II) 화합물[Zn4O(AID)6]의 제조 및 결정 구조. 그 중에서도 인듐-주속 옥사이드로 코팅된 유리 기판 상에 당해 화합물을 진공 침착시켜 균일한 박막을 형성하는 단일층 LED의 제작(<200℃, 2×10-6 Torr)이 보고되었다.
사용될 수 있는 추가의 전계발광 물질은 금속 퀴놀레이트, 예를 들면, 알루미늄 퀴놀레이트, 리튬 퀴놀레이트, 티타늄 퀴놀레이트, 지르코늄 퀴놀레이트, 하프늄 퀴놀레이트 등을 포함한다.
다수의 추가의 전계발광 물질은 제WO 2004/050793호(피라졸론), 제WO 2004/058783호(디이리듐 금속 착물), 제WO 2006/016193호(디벤조티오페닐 금속 착물) 및 제WO 2006/024878호(티안트렌 금속 착물)에 기재되고, 또한 제WO 2006/040593호를 참조하고, 이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다. 특히, 희토류 킬레이트는 녹색 및 적색 에미터로서 사용될 수 있다. 추가로, 전계발광 물질로서 하기 기재된 바와 같은 전도성 중합체 및 공액 중합체, 예를 들면, 폴리아닐린, 페닐렌 비닐렌 중합체, 플루오렌 단일중합체 및 공중합체, 페닐렌 중합체가 사용될 수 있다:
희토류 킬레이트계 화합물의 부류로부터의 도펀트의 추가의 예는 하기와 같다:
Figure pct00060
Figure pct00061
추가로, 전계발광 물질 전도성 중합체로서, 예를 들면, 페닐렌 비닐렌 중합체, 플루오렌 단일중합체 및 공중합체, 페닐렌 중합체가 사용될 수 있다.
열활성화된 지연된 형광 물질을 기반으로 한 디바이스
본 발명은 에미터가 열활성화된 지연된 형광(TDAF) 물질(예를 들면, 문헌 [Scientific Reports: Hajime Nakantonai et al., Scientific Reports, 3:2127, DOI:10.1038/srep02127] 참조)인 OLED 디바이스에서 본 발명에서 청구된 물질의 사용을 포함하고, 이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다.
Figure pct00062
전도성 중합체
Figure pct00063
Figure pct00064
PEDOT-PSS(σ=1 S cm-1) 폴리아닐린(PANI)(σ=1 - 10 S cm-1)
Figure pct00065
Figure pct00066
폴리티오펜(PT) 폴리피롤(PPy)
(σ=1 - 500 S cm-1) (σ=1 - 100 S cm-1)
혼합된 호스트 물질은 또한 문헌에 기재되었고, 본 발명에 따른 OLED 디바이스에서 사용될 수 있다. 다양한 참조 문헌에 추가로 특성을 개선시키기 위한 시도로서 OLED를 위한 첨가제 및 혼합된 호스트가 기재되어 있다. 문헌 [Jarikov et al, J. Appl Phys., 100, 014901(2006)]에 LEL 첨가제로서 평면 및 경식 폴리사이클릭 방향족 탄화수소(PAH), 예를 들면, 페릴렌이 기재된다.
문헌 [Jarikov et al., J. Appl. Phys., 100, pp. 094907-094907-7(2006)]에는 추가로 유기 발광 다이오드(OLED)에서 발광층(LEL) 첨가제로서 페릴렌 유도체가 보고되었다. 이들 분자는 용이하게 LEL에 첨가시 방출 집합체를 형성한다. 이들 폴리사이클릭 방향족 탄화수소의 첨가는, 예를 들면, Alq3+디벤조[b,k]페릴렌 혼합된 호스트에서, 도핑되지 않은 OLED 및 도핑된 OLED의 반감기(t50)를 30-150배 증가시킨다. 저자는 또한 추가로 문헌 [J. Appl Phys., 102, 104908(2007)]에 수명-연장 발광층(LEL) 첨가제의 상승작용적 효과 및 유기 발광 다이오드(OLED)에서 개선된 전자 주입 및 수송을 보고한다. 디-(2-나프틸)페릴렌(DNP)은 상기 LEL 첨가제로서 제공되어 OLED의 작동 수명을 두 자릿수 이상 연장시킨다. 전자-수송층(ETL)으로서 2-페닐-9,10-디(2-나프틸)안트라센(PADN) 및 전자-주입층(EIL)으로서 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(BPhen)의 개별적인 층을 사용하여, 저자는 트리스(8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(Alq)로 만들어진 전통적인 ETL에 비해 전하 재조합 영역으로 상당히 개선된 전자 전달을 갖는다고 주장한다. 또한 제US-A-7175922호(Jarikov et al)를 참조하고, 이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다.
문헌 [J.C. Deaton et al(상기)]에는 공동-호스트(co-host) 및 이리듐 도펀트로서 "청색" 알루미늄 퀴놀레이트를 갖는 α-NPB 호스트가 기재된다. 인광 디바이스를 위한 도펀트의 낮은 농도로 매우 우수한 수율이 수득되었고, 혼합된 호스트 디바이스가 증가된 전력 효율을 제공하는 것이 밝혀졌다. 설명은 5.40 eV의 이온화 전위를 갖는 정공-수송 NPB를 6.02 eV의 더 높은 이온화 전위를 갖는 주로 전자-수송 "청색" 알루미늄 퀴놀레이트로 혼합함으로써, 방출층으로 정공을 주입하는 에너지 장벽이 감소되는 것으로 가정되었다.
제US-A-6392250호(Aziz et al, 이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다)에는 정공 수송 물질, 예를 들면, 방향족 3차 아민, 전자 수송 물질, 예를 들면, 퀴놀레이트 및 도펀트 물질의 혼합물을 포함하는 혼합된 영역을 포함하는 유기 발광 디바이스가 기재된다. 예를 들면, N,N'-디-1-나프틸-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(NPB), 및 트리스(8-하이드록시퀴놀린)알루미늄(Alq3)은 각각 정공 수송 물질 및 전자 수송 물질로서 사용될 수 있고, N,N'-디메틸퀴나크리돈(DMQ), 5,6,11,12-테트라페닐나프타센(Rubrene), 및 나일-적색 염료(위스콘신주, 밀워키의 알드리치 케미칼스(Aldrich Chemicals)로부터 입수가능하다)는 도펀트로서 사용될 수 있다.
제US 2002/0074935호(Kwong et al)에는 또한 도펀트로서 PtOEP 또는 비스(벤조티에닐-피리디네이토-NAC)이리듐(III)(아세틸아세토네이트) 및 호스트 물질로서 동일한 비율의 NPB 및 Alq를 함유하는 방출층을 갖는 디바이스가 기재된다. 혼합된 호스트 전계발광 혼합층은 헤테로구조 디바이스의 이질접합 인터페이스에 정상적으로 존재하는 전하의 축적을 실질적으로 감소시키고, 따라서 유기 물질 분해의 감소 및 안정성 및 효율의 개선을 제공하는 것으로 설명된다.
제US 2004/0155238호(Thompson et al.)에서 OLED 디바이스의 발광층은 넓은 밴드 갭 불활성 호스트 매트릭스를 전하 보유 물질 및 인광 에미터와 조합으로 함유한다. 전하 보유 화합물은 정공 또는 전자를 수송할 수 있고, 이는 전하 보유 물질 및 인광 에미터가 반대 극성의 전하를 수송하도록 선택된다.
제US 2003/0141809호(M. Furugori et al.)에는 호스트 물질이 발광층에서 또 다른 정공- 또는 전자 수송 물질과 혼합되는 인광 디바이스가 기재된다. 문헌에는 복수의 호스트 화합물을 이용하는 디바이스가 기존의 전압에서 더 높은 전류 및 더 높은 효율을 나타내는 것으로 기재된다.
제WO 2004/062324호(T. Igarashi et al.)에는 하나 이상의 전자 수송 화합물, 하나 이상의 정공 수송 화합물 및 인광 도펀트를 함유하는 발광층을 갖는 인광 디바이스가 기재된다.
제WO 2006/076092호(Kondakova et al., 이의 내용이 본원에 참조로서 인용된다)에는 캐소드, 애노드, 및 하나 이상의 정공 수송 공동-호스트, 예를 들면, 방향족 3차 아민, 예를 들면, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]비페닐(TNB), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노-]비페닐(TPD), 4,4'-비스-디페닐아미노-테르페닐 또는 2,6,2',6'-테트라메틸-N,N,N',N'-테트라페닐-벤지딘 및 하나 이상의 전자 수송 공동-호스트, 예를 들면, 치환된 1,2,4-트리아졸, 예를 들면, 3-페닐-4-(1-나프틸)-5-페닐-1,2,4-트리아졸 또는 치환된 1,3,5-트리아진, 예를 들면, 2,4,6-트리스(디페닐아미노)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리카르바졸로-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(N-페닐-2-나프틸아미노)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(N-페닐-1-나프틸아미노)-1,3,5-트리아진 및 4,4',6,6'-테트라페닐-2,2'-비-1,3,5-트리아진을 인광 에미터와 함께 포함하는, 그 사이에 위치한 발광층(LEL)을 포함하는 OLED 디바이스가 기재되고, 각각의 공동-호스트 물질의 삼중항 에너지는 인광 에미터의 삼중항 에너지 보다 크고, 추가로 애노드 측면 상의 방출층에 인접한 2.5 eV 보다 크거나 동일한 삼중항 에너지를 갖는 정공 수송 물질을 포함하는 여기 차단층을 함유하고, 이는 치환된 트리아릴아민, 예를 들면, 4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(MTDATA), 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐-아미노)트리페닐아민(TDATA), N,N-비스[2,5-디메틸-4-[(3-메틸페닐)-페닐아미노]페닐]-2,5-디메틸-N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐-1,4-벤젠디아민일 수 있다. 디바이스는 개선된 효율 및 감소된 구동 전압을 나타낸다고 한다.
제US-A-7045952호(Lu, 유니버셜 디스플레이 코포레이션(Universal Display Corporation))에는 애노드 및 캐소드 사이에 침착되고 전기적으로 연결된 방출 영역을 포함하는 유기 발광 디바이스로서, 방출 영역은 (i) 제1 호스트 물질을 포함하는 제1 단일-호스트 방출층, 및 (ii) 제1 단일-호스트 방출층과 직접적으로 접촉하는 혼합-호스트 방출층을 포함하고, 혼합-호스트 방출층은 제1 호스트 물질, 및 제2 호스트 물질을 포함하고, 제1 단일-호스트 방출층 및 혼합-호스트 방출층은 각각 추가로 인광 방출 물질을 포함하는 것인 유기 발광 디바이스가 기재된다.
본 발명의 종류의 셀은 또한 발광층은 직경 1-20nm의 전계발광 양자점(Nanoco Group PLC), 예를 들면, CdSe 양자점 코어(방출 480-640nm) 또는 CdS 양자점 코어(방출 380-480nm) 및 카드뮴-무함유 전계발광 양자점(제US7867557호(Pickett); 제US 7588828호(Mushtaq) 및 제2011/0070443호(O'Brien)를 참조하고, 이들의 내용은 본원에 참조로서 인용된다)을 기반으로 하여 작동될 것으로 여겨진다. 제WO 2011/0601180호(Kalzas, QD Vision, Inc)에는 그 중에서도 아연 옥사이드 전자 수송층 및 유기(NPB) 정공 수송층을 갖는 셀에서 CdSe/CdZnS 코어-쉘의 사용이 기재된다. 양자점을 기반으로 하는 디스플레이는 더 밝은 화상, 더 낮은 전력 소비, 개선된 색순도 및 더 긴 수명을 나타내는 것으로 예상된다. 중요하게, 오직 단일 물질만이 입자 크기에 의해 방출이 조정될 수 있는 풀컬러 디스플레이를 발생시키는데 필요하다. 좁은 방출 밴드로 인하여, 양자점을 기반으로 한 디스플레이는 최근 디스플레이 기술 보다 넓은 색역 및 우수한 색포화를 갖는 것으로 예상된다. 양자점 LED는 또한 고체상 조명에 유용한 것으로 예상된다. 본 발명의 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입 및 전자 수송의 기술은 최근 형광 또는 인광 전계발광층에 대한 것과 동일한 방식으로 양자점 전계발광층에 적용가능한 것으로 간주된다.
전자 수송 물질
예를 들면, 퀴놀레이트를 포함하는 공지된 전자 수송 물질이 사용될 수 있다.
알루미늄 퀴놀레이트는 열적으로 형태학적으로 안정하여 박막으로 증발되고 용이하게 합성되고 정제되고, 이의 상대적으로 낮은 이동성, 밴드갭 및 승화 동안의 회분화 경향의 문제점에도 불구하고 널리 사용된다. 특허 출원 제WO 2008/078114호에 기재된 바와 같이, 개선된 전자 수송 물질은 지르코늄 또는 하프늄 퀴놀레이트으로 이루어지거나 이들을 포함하고, 지르코늄 퀴놀레이트이 많은 양태에서 바람직하다.
지르코늄 퀴놀레이트는 전자 수송 물질로서 사용되기 위한 특성의 특히 유리한 조합을 갖고, 이는 전자 수송 물질로서 사용되기 위한 알루미늄 퀴놀레이트에 대하여 상당한 개선을 갖는 것으로 확인된다. 이는 높은 전자 이동성을 갖는다. 이의 융점(388℃)은 알루미늄 퀴놀레이트의 융점(414℃) 보다 낮다. 이는 승화에 의해 정제될 수 있으며, 알루미늄 퀴놀레이트와 달리 잔여물 없이 재승화되어 알루미늄 퀴놀레이트 보다 매우 용이하게 사용된다. 이의 최저준위 비점유 분자 궤도함수(LUMO)는 -2.9 eV이고, 이의 최고준위 점유 분자 궤도함수(HOMO)는 -5.6 eV이고, 이는 알루미늄 퀴놀레이트의 값과 유사하다. 추가로, 예상외로, 전하 수송층 내로 도입되는 경우, 이는 정해진 전류에서 디바이스가 작동되는 시간의 증가(즉, 디바이스 수명 증가)와 함께 OLED 디바이스의 휘도 손실을 느리게 하거나, 정해진 적용 전압에 있어서 광 출력, 정해진 휘도에 있어서 전류 효율, 및/또는 정해진 휘도에 있어서 전력 효율을 증가시키는 것으로 밝혀졌다. 전자 수송 물질이 지르코늄 퀴놀레이트인 셀의 양태는 감소된 턴-온 전압 및 전자 수송 물질이 지르코늄 퀴놀레이트가 유사한 셀의 수명의 4배 이하를 나타낼 수 있다. 이는 알루미늄 퀴놀레이트가 OLED의 전계발광층에서 호스트로서 사용되는 경우, 알루미늄 퀴놀레이트와 혼화성이 있고, 따라서 이들의 기술 및 장치를 약간만 변화시킴으로써 많은 OLED 제작자에 의해 사용될 수 있다. 또한 이는 무기 전자 주입층, 예를 들면, 박리에 의한 실패의 가능성이 낮은 LiF 층과 함께 우수한 전기적 및 기계적 인터페이스를 형성한다. 물론, 지르코늄 퀴놀레이트는 전계발광층에서 호스트로서 및 전자수송층으로서 둘 다 사용될 수 있다. 하프늄 퀴놀레이트의 특성은 일반적으로 지르코늄 퀴놀레이트의 특성과 유사하다.
지르코늄 또는 하프늄 퀴놀레이트는 전자 수송층의 전체, 또는 실질적으로 전체일 수 있다. 이는 주로 지르코늄 퀴놀레이트인 공동-침착된 물질의 혼합물일 수 있다. 지르코늄 또는 하프늄은 2006년 7월 26일자로 출원된 제GB 06 14847.2호에 기재된 바와 같이 도핑될 수 있고, 이의 내용은 본원에 참조로서 인용된다. 적합한 도펀트는, 예를 들면, 전계발광층에 관하여 상기 기재된 바와 같은 형광 또는 인광 염료 또는 이온 형광 물질을, 예를 들면, 도핑된 혼합물의 중량을 기준으로 0.01-25중량%의 양으로 포함한다. 기타 도펀트는 낮은 전압에서 높은 휘도를 제공할 수 있는 금속을 포함한다. 추가로 또는 대안적으로, 지르코늄 또는 하프늄 퀴놀레이트는 또 다른 전자 수송 물질과 혼합물로서 사용될 수 있다. 이러한 물질은 추가로 전자 이동성, 따라서 전도성을 증가시켜야 하는 3가 또는 5가 상태의 금속 착물을 포함할 수 있다. 지르코늄 및 하프늄 퀴놀레이트는 주기율표의 1, 2, 3, 13 또는 14족 금속의 퀴놀레이트, 예를 들면, 리튬 퀴놀레이트 또는 아연 퀴놀레이트와 혼합될 수 있다. 바람직하게는 지르코늄 또는 하프늄 퀴놀레이트는 전자 수송층의 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 50중량% 이상을 포함한다.
전자 수송체의 기타 예는 하기에 나타낸다:
Figure pct00067
Figure pct00068
본 발명의 양태에서 단독으로 또는 n형 도펀트, 예를 들면, 리튬 퀴놀레이트 또는 본원에 언급된 또 다른 리튬 착물과 공동-침착된 조성물로서 양극성 또는 전자 수송 물질이 사용될 수 있다.
당해 목적을 위하여 사용될 수 있는 화합물은 알킬-치환된 플루오르 이외에 공액 또는 방향족 탄화수소에 연결된 1개 또는 2개의 티안트렌 모이어티를 갖는다.
당해 유형의 구조(상기 정의된 바와 같은 기 R로 고리-치환될 수 있지만, 5원 고리에서 플루오르 알킬-치환된 화합물은 포함하지 않는다)는 하기에 기재된다:
Figure pct00069
(양극성)
Figure pct00070
(양극성)
Figure pct00071
(양극성)
Figure pct00072
(양극성)
Figure pct00073
(여기서, n은 정수이고, 폴리페닐 쇄 또는 축합 고리를 나타냄)
Figure pct00074
화합물 1-페닐-2-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸은 하기와 같이 제조될 수 있다:
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
양극성
여기서, X 및 Y는 상이 정의된 바와 같고, 예를 들면, X 및 Y는 둘 다 S이다.
화합물은 1-안트라세닐-9-일-티안트렌, 1-비페닐-4-일-티안트렌 또는 9,10-비스(1-티안트레닐)안트라센 또는 이의 혼합물일 수 있다. 이는 낮은 일함수 금속 착물과 혼합될 수 있거나, 형광 도펀트로 도핑될 수 있거나, 인광 도펀트로 도핑될 수 있거나, 희토류 킬레이트로 도핑될 수 있다. 예를 들면, 화합물은 1 내지 99질량%, 예를 들면, 10 내지 90질량%, 예를 들면, 20-90질량%, 통상적으로 30-80질량%의 리튬 퀴놀리놀레이트(LiQ) 또는 리튬 쉬프 염기 착물과 혼합될 수 있다. 본 발명의 측면은 따라서 상기 기재된 임의의 화합물을, 예를 들면, 전자 주입층에 대하여 하기 기재된 임의의 리튬 화합물일 수 있는 n형 도펀트와 조합으로 포함한다.
전자 주입 물질
임의의 공지된 전자 주입 물질이 사용될 수 있고, LiF가 전형적이다. 기타 가능성은 BaF2, CaF2, CsF, MgF2 및 KF를 포함한다.
전자 주입층은 캐소드 상에 직접 침착되고, 또한 화학식
Figure pct00078
또는
Figure pct00079
의 화합물을 포함할 수 있고, 여기서
R1은 1-5 고리 아릴(폴리사이클릭 아릴 또는 아릴-치환된 폴리사이클릭 아릴을 포함한다), 아르알킬 또는 헤테로아릴 기이고, 이는 하나 이상의 C1-C4 알킬 또는 알콕시 치환기로 치환될 수 있고,
R2 및 R3은 함께 1-5 고리 아릴(폴리사이클릭 또는 아릴-치환된 폴리사이클릭 아릴을 포함한다), 아르알킬 또는 헤테로아릴 기를 형성하고, 이는 하나 이상의 C1-C4 알킬 또는 알콕시 치환기로 치환될 수 있다. 상기 화학식의 화합물은 단독으로 또는 또 다른 전자 주입 물질, 예를 들면, 퀴놀레이트, 예를 들면, 리튬 또는 지르코늄 퀴놀레이트와 조합으로 사용될 수 있다. 쉬프 염기는 바람직하게는 전자 주입층의 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 50중량% 이상을 포함한다.
상기 기재된 화학식에서, R1은 폴리사이클릭 아릴, 예를 들면, 나프틸, 안트라세닐, 테트라세닐, 펜타세닐 또는 페릴렌 또는 피렌 화합물일 수 있거나, 쇄 내에 배열된 5 이하의 방향족 고리, 예를 들면, 비페닐을 가질 수 있다. 이는 바람직하게는 페닐 또는 치환된 페닐이다. R2 및 R3은 함께 R1과 동일한 기를 형성할 수 있고, 바람직하게는 페닐 또는 치환된 페닐이다. 치환기가 존재하는 경우, 이들은 메틸, 에틸, 프로필, 또는 치환된 t-부틸을 포함한 부틸일 수 있거나, 메톡시, 에톡시, 프로폭시 또는 치환된 t-부톡시를 포함한 부톡시일 수 있다. 특정한 화합물은
Figure pct00080
및
Figure pct00081
를 포함한다.
캐소드
일부 양태에서 기타 캐소드 물질, 예를 들면, 칼슘이 사용될 수 있음에도 불구하고, 많은 양태에서, 알루미늄은 캐소드로서 그 자체로 사용되거나 마그네슘 또는 은과 같은 원소와 합금되어 사용된다. 양태에서 캐소드는 전자 주입 또는 전자 수송층에 근접한 합금, 예를 들면, Li-Ag, Mg-Ag 또는 Al-Mg의 제1 층 및 전자 주입 또는 전자 수송층과 거리가 먼 순수 알루미늄의 제2 층을 포함할 수 있다. 그래핀이 캐소드로서 제공되는 셀이 또한 본 발명에 속한다.
본 발명을 실행할 수 있는 방법은 하기 실시예를 참조하여 이제 설명될 것이다.
실시예 1
4-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(또한 디페닐-(4-티안트렌-1-일-페닐)-아민; HTS-1)
Figure pct00082
에틸렌글리콜디메틸 에테르(30㎖) 중의 4-브로모트리페닐 아민(2.0g; 0.0062몰), 1-티안트레닐보론산(1.9g; 0.0074몰), 테트라키스(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.36g; 0.00030몰)의 혼합물에 물(20㎖) 중의 탄산칼슘(4.3g; 0.060몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소 대기하에 20시간 동안 환류시키고, 냉각되도록 한 다음, 실리카 겔의 짧은 흡입 컬럼 및 하이플로수퍼(Hyflosuper) 겔 패드를 통해 여과하였다. 용매를 여과액으로부터 제거하고, 잔여물을 디클로로메탄 중에 용해시키고, 물로 추출하였다. 유기 상을 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 담녹색 잔여물을 수득하였다. 이를 다시 실리카 겔 상에 흡착된 디클로로메탄 중에 용해시킨 다음, 디클로로메탄으로 용리되는 실리카 겔 상에 플래쉬 컬럼 크로마토그래피를 수행하였다. 생성물을 함유하는 분획을 회전 증발기를 사용하여 용매를 제거하여 디에틸 에테르 중에 용해된 잔여물을 수득하였다. 소량의 페트롤륨 에테르를 첨가하고 빙수 욕조에서 냉각시켜 투명한 고체를 수득하고, 이를 진공하에 80℃에서 건조시켜 1.95g(69%)을 수득하였다. 투명한 고체를 승화에 의해 추가로 정제하여, UV하에 담청색-보라색 형광을 나타내는 무색 유리질 고체 1.3g(67%)을 수득하였다.
실측치: C 77.95, H 4.69, N 2.88, S 14.44%.
C30H21NS2는 C 78.40, H 4.61, N 3.05 및 13.94%가 필요하다.
UV: λmax(CH2Cl2)/nm(ε/dm3 mol-1 cm-1) 313(22,964) 및 261(30,886).
λmax(박막)/nm: 317, 266 및 203nm.
광학 밴드 갭: 3.3 eV.
FL: λmax/nm(CH2Cl2)em: 417; ex/nm: 350; λmax/nm(분말)em: 409, ex/nm: 350; λmax/nm(박막)em: 400, ex/nm: 330.
TGA/℃(중량 손실%): 314(1) 및 345(5).
실시예 2
4,4',4"-트리-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(또한 트리스-(4-티안트렌-1-일-페닐)-아민; HTS-2)
Figure pct00083
에틸렌글리콜디메틸 에테르(70㎖) 중의 트리스(4-브로모트리페닐아민)(2.0g; 0.00415몰), 1-티안트레닐보론산(3.6g; 0.037몰), 테트라키스(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.72g; 0.00062몰) 혼합물에 물(50㎖) 중의 탄산칼슘(3.0g; 0.022몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소 대기하에 20시간 동안 환류시키고, 냉각되도록 두고, 용매를 감압하에 제거하였다. 잔여물을 디클로로메탄 중에 용해시키고, 염수로 추출하였다(생성물은 디클로로메탄에 완전히 용해되지 않았다). 유기 상을 물로 세척하고, 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하고 녹색 고체를 수득하였다. 고체에 메탄올을 가하고, 6시간 동안 교반하고, 흡입하에 여과하였다. 생성물을 디에틸 에테르로 세척하고, 진공하에 70℃에서 건조시켰다. 조물질 수율 3.15g.
실시예 3
9-(4-브로모-페닐)-9H-카르바졸
Figure pct00084
99+%(60㎖)의 1-메틸-2-피롤리디논 중의 카르바졸, 95%(5g; 0.03몰), 4-요오도-브로모벤젠, 98%(16.9g; 0.06몰), 요오드화구리(I), 98%(2.8g; 0.015몰) 및 탄산칼슘(8.3g; 0.06몰) 혼합물을 질소 대기하에 20시간 동안 환류시켰다. 10분 후, 반응 혼합물은 색상이 청녹색으로 변하였다. 용매를 감압하에 제거하고, 잔여물을 1M HCl 중에 용해시키고, 디클로로메탄으로 추출하였다. 적색 디클로로메탄 용액을 염수, 물로 완전히 세척하고, 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 적색 결정질 고체를 수득하고, 이를 실리카 겔(용리액 CH2Cl2) 상의 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 생성물을 함유하는 분획을 함께 수집하고, 용매를 제거하여 적색 고체를 수득하였다. 페트롤륨 에테르로 분쇄하여 회백색 고체를 수득하고, 이를 흡입 여과하고, 디에틸 에테르로 세척하고 진공하에 75℃에서 건조시켰다. 여과액을 증발시키고 메탄올-디에틸 에테르로 분쇄하여 소량의 추가 생성물을 수득하였다. 수율 7.2g(75%). M.p 132℃(DSC, 개시).
9-(4-티안트렌-1-일-페닐)-9H-카르바졸(HTS-003)
Figure pct00085
디메톡시에탄(70㎖) 중의 9-(4-브로모페닐)-9H-카르바졸(95.0g; 0.0155몰) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.9g; 0.00078몰) 혼합물에 티안트렌-1-보론산(4.4g; 0.017몰)을 가한 다음, 물(50㎖) 중의 탄산칼슘(10.7g; 0.078몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소하에 20시간 동안 환류시키고, 그 동안 이는 녹색이 되었다. 용매를 제거하고, 잔여물을 디클로로메탄(250㎖) 중에 용해시키고, 물로 추출하였다. 유기 상을 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 암녹색 고체를 수득하였다. 메탄올 및 페트롤륨 에테르를 고체에 가하고, 용액을 15분 동안 자석 교반하고, 흡입 여과하고, 디에틸 에테르로 세척하여 회백색 고체 5.25g을 수득하였다. 생성물을 240℃(2.5×10-6 torr)에서 승화로 정제하여 백색 결정질 고체 4.1g(78%)을 수득하였다.
M.p 233℃, Tg 92℃.
원소 분석:
실측치, C 78.70, H 4.12, N 3.07, S 14.27.
C30H19NS2는 C 78.74, H 4.18, N 3.06 및 S 14.02%가 필요하다.
실시예 4
4,4'-디-(티안트렌-2-일)트리페닐아민(페닐-비스(4-티안트렌-1-일-페닐)-아민; HTS-004)
Figure pct00086
에틸렌글리콜디메틸 에테르(60㎖) 중의 4,4'-디브로모트리페닐아민(5.0g; 0.0124몰), 1-티안트레닐보론산(7.1g; 0.0273몰), 테트라키스(트리페닐 포스핀)팔라듐(1.4g; 0.0012몰) 혼합물에 물(40㎖) 중의 탄산칼슘(17.2g; 0.124몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소 대기하에 20시간 동안 환류시키고, 냉각되도록 두고, 용매를 감압하에 제거하였다. 잔여물을 디클로로메탄 중에 용해시키고, 물로 추출하였다. 유기 상을 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 담녹색 잔여물을 수득하고, 이를 다시 디클로로메탄 중에 용해시키고, 실리카 겔 상에 흡착시킨 다음, 디클로로메탄으로 용리되는 실리카 겔 상에서 플래쉬 컬럼 크로마토그래피를 수행하였다. 생성물을 함유하는 분획을 함께 수집하고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 제거하여 잔여물을 수득하고, 이를 메탄올 및 소량의 페트롤륨 에테르의 첨가로 분쇄하였다. 빙수 욕조에서 냉각시켜 담황색 고체를 수득하고, 이를 진공하에 80℃에서 건조시켜 7.4g(88%)을 수득하였다. 추가로 승화로 2회 정제하여 UV하에 담청색 형광을 나타내는 담황색 유리질 고체 2.4g(33%)을 수득하였다. DSC는 어떠한 용융 피크도 나타내지 않았지만 122℃에서 Tg를 나타냈다.
실측치: C 74.76, H 4.12, N 2.03, S 19.04%.
C42H27NS4는 C 74.85, H 4.04, N 2.08, S 19.03%가 필요하다.
UV: λmax(CH2Cl2)/nm(ε/dm3 mol-1 cm-1) 328(37,515) 261(68,620) 및 232(sh)(40,368).
λmax(박막)/nm: 336, 266 및 199nm.
광학 밴드 갭: 3.24 eV.
FL: λmax/nm(CH2Cl2)em: 418; ex/nm: 330; λmax/nm(분말)em: 419, ex/nm: 330; λmax/nm(박막)em: 409, ex/nm: 330.
TGA/℃(중량 손실%): 420(1) 및 466(5).
실시예 5
디바이스 구조
미리 에칭된 ITO 코팅된 유리 조각(10×10cm2)을 사용한다. ITO 상에 층을 연속적으로 형성하고, 솔시에트 머신(Solciet Machine, ULVAC Ltd. Chigasaki, Japan)을 사용하여 진공 증발시킴으로써 디바이스를 제작한다. 각각의 픽셀의 활성 면적은 3mm×3mm이다. 코팅된 전극을 불활성 대기(질소)에서 유리 후면 플레이트를 사용하여 UV-경화성 접착으로 캡슐화한다. 전계발광 연구는 양극 단자에 항상 연결된 ITO 전극으로 수행한다. 전류 대 전압 연구는 컴퓨터 제어된 키슬리(Keithly) 2400 소스 미터에서 수행한다.
녹색 에미터의 디바이스는 애노드 층, 버퍼층, 정공 수송층, 전계발광층(DPQA 도핑된 금속 착물), 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 층으로 이루어진 상기 기재된 방법에 의해 형성되고, 막 두께는 nm 단위이다:
디바이스 A
ITO(평방당 100옴)/ZnTpTP(E9363, 20nm)/화합물(HTS-1)(100nm)/Alq3:DPQA(40:0.1nm)/Alq3(20nm)/Liq(6nm)/Al
여기서, DPQA는 하기 화학식의 디페닐 퀴나크리돈이다:
Figure pct00087
디바이스 B
ITO(평방당 100옴)/ZnTpTP(E9363, 20nm)/α-NPB(100nm)/Alq3:DPQA(40:0.1nm) /Alq3(20nm)/Liq(6nm)/Al
여기서, DPQA는 디페닐 퀴나크리돈이다.
α-NPB(디바이스 B)가 사용되는 경우와 비교하여, 본 발명에 따른 디바이스는, 도 1-6에 나타낸 바와 같이, HTS-1를 갖는 디바이스(디바이스 A)에 있어서 더 낮은 구동 전압 및 더 큰 안정성을 나타낸다.
전계발광층의 도펀트가 하기 화학식의 트리스(1-페닐-이소퀴놀리네이토-C2,N)이리듐인 적색 인광 디바이스에서 도 7-10에 나타낸 바와 같이 유사한 결과가 수득된다:
Figure pct00088
실시예 6
4-(10 H -페노티아진-10-일)트리페닐아민(N-(4-(10H-페노티아진-10-일)페닐)-N-페닐벤젠아민; HTS-5)
Figure pct00089
톨루엔(40㎖) 중의 4-브로모트리페닐 아민(5.0g; 0.0154몰) 용액에 팔라듐 아세테이트(0.35g; 0.00156몰)을 가하였다. 5분 동안 자석 교반한 후, 톨루엔(20㎖) 중의 페노티아진(3.4g; 0.017몰)을 가한 다음, 3급-부틸 포스핀(6.3㎖: 0.0031몰)을 가하였다. 최종적으로 나트륨 3급-부톡사이드(4.45g; 0.046몰) 및 톨루엔(20㎖)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소하에 환류시켰다. 1시간 환류 후, 반응 혼합물은 어두워지고 점성이 생기고, 따라서 추가로 톨루엔(50㎖)을 반응 혼합물에 가한 다음, 이를 추가 16시간 동안 환류시켰다. 용매를 감압하에 제거하고 잔여 오일을 냉각시켜 결정질 고체를 수득하고, 이를 여과하고, 메탄올, 디에틸 에테르 및 페트롤륨 에테르로 세척하고, 진공하에 75℃에서 건조시켰다. 고체(수율 4.1g)는 청색 형광을 나타냈다. 여과액을 증발시키고, 잔여물을 소량의 디클로로메탄에 용해시키고, 실리카 겔의 컬럼을 통해 통과시킨 다음, 컬럼을 디클로로메탄 중에 용리시켰다. 생성물을 함유하는 분획을 증발시키고, 잔여물에 페트롤륨 에테르(40-60℃)를 가하여 회백색 고체를 수득하였다. 이를 개별적으로 진공하에 건조시켰다. 수율 1.23g. Tlc 검사는 일부 페노티아진의 존재를 나타냈다. 결정질 고체를 승화시켜 무색 내지 연분홍색 고체를 수득하였다.
화합물은 액체로 용융된 다음 승화된다. M.p 187℃; Tg 67℃.
실측치: C, 81.29; H, 4.97; N, 6.41, 및 S 71.12.
C30H22N2S는 C, 81.42; H, 5.01; N, 6.33 및 S 7.24%가 필요하다.
UV: λmax/nm(λ)(CH2Cl2); 307(28,712), 및 259(46,691);
UV: λmax/nm(박막); 310 및 262; 밴드 갭: 3.49 eV
FL: λmax/nm(ε)(CH2Cl2); 448(여기 파장: 330nm),
λmax/nm(ε)(분말), 443(여기 파장: 330nm);
λmax/nm(ε)(박막), 449,(여기 파장: 330nm).
CV: 전해질(100mM-테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트), 분해물질(1 mM), 용매-디클로로메탄: HOMO: -5.5 eV 및 LUMO: -2.0 eV, 박막의 광학 흡수단으로부터 계산됨.
당해 화합물에서 HOMO 레벨은 α-NBP의 것과 유사하지만 2.0 eV의 LUMO 레벨은 다른 화합물의 것, α-NBP의 LUMO 레벨, 예를 들면, 2.4 eV에 비해 낮다. 정공 수송층으로서 잠잭적인 사용 이외에 그 이유로, 상기 화합물은 또한 전계발광층의 호스트 물질의 부분 또는 전부 또는 전자수송층의 부분 또는 전부로서 사용을 찾을 수 있다.
추가로 이의 합성이 본원에 보고되거나 이의 구조가 본원에 제시되고, 유사한 방식으로 제조할 수 있는 상기 다른 화합물의 동족체인 화합물은 하기를 포함한다:
Figure pct00090
트리스(4-(10H-페노티아진-10-일)페닐)아민
Figure pct00091
10-(4-(9H-카르바졸-9-일)페닐)-10H-페노티아진
Figure pct00092
N-(4-(10H-페노티아진-10-일)페닐)-4-(10H-페노티아진-10-일)-N-페닐벤젠아민
Figure pct00093
2, 8-비스(10H-페노티아지닐)디벤조티오펜
Figure pct00094
비스[3-(페닐비닐-10H-페노티아지닐)]-4,4'-비페닐
본 발명의 페노티아지닐 화합물은 페노티아지닐 고리(들) 상에서, 예를 들면, 페닐, 나프틸로 치환될 수 있고, 이는 추가로 존재하는 페닐 고리 상에서 메틸 또는 메톡시로 추가로 치환될 수 있다.
실시예 7
HTS-7
Figure pct00095
1,2-디메톡시 에탄올(30㎖) 중의 1-티안트레닐보론산(0.62g; 0.0024몰), N-(4'-요오도페닐-4-일)-N-(m-톨릴)아닐린(1.0g; 0.0022몰) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.125g; 108mmol) 혼합물에 물(15㎖) 중의 탄산칼슘(1.5g; 0.011몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소하에 18시간 동안 환류시켰다. 용매를 반응 혼합물로부터 제거하고, 잔여물을 디클로로메탄 및 물로 추출하였다. 유기 상을 물로 세척하고, 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 오일을 수득하고, 이를 디클로로메탄-페트롤륨 에테르(40-60℃)(85:15)를 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 연한 주황색 분획을 수득하였다. 생성물을 함유하는 용리액을 증발시켜 점성이 있는 고체를 수득하고, 이를 메탄올-페트롤륨 에테르(40-60℃)로부터 재결정화시켜 황색 고체를 수득하고, 이를 여과하고 진공하에 75℃에서 건조시켜, 필요한 생성물 1.0g(83%)을 수득하고, 이를 추가로 300℃(1.6×10-6 torr)에서 승화로 정제하여 담황색 유리질 고체를 수득하였다. DSC에서 용융 피크는 관찰되지 않았지만, Tg는 84℃이었다. 이는 UV 램프하에 강한 청보라색 형광을 나타냈다.
실측치: C, 81.24; H, 4.53; N, 2.71.
C37H27NS2는 C, 80.84; H, 4.95; N, 2.55%가 필요하다.
UV: λmax/nm(λ)(CH2C12); 344(29,362), 262(38,576) 및 212(20,834);
UV: λmax/nm(박막); 349 및 266; 밴드 갭: 3.15 eV
FL: λmax/nm(ε)(CH2Cl2); 441(여기 파장: 350nm),
λmax/nm(ε)(분말), 423(여기 파장: 350nm);
λmax/nm(ε)(박막), 428,(여기 파장: 350nm).
CV: 전해질(100mM-테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트), 분해물질(1 mM), 용매-디클로로메탄: HOMO: -5.7 eV 및 LUMO: -2.54 eV, 박막의 광학 흡수단으로부터 계산됨.
TGA/℃(중량 손실%): 382(1) 및 430(5).
실시예 8
2,8-비스(1-티안트레닐)디벤조티오펜[HTS-8]
Figure pct00096
에틸렌글리콜 디메틸 에테르(50㎖) 중의 2,8-디브로모디벤조티오펜(1.0g; 2.9mmol) 용액에 60℃에서 1-티안트렌보론산(1.6g; 6.1mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.34g; 0.29mmol)을 가한 다음, 물(20㎖) 중의 탄산칼슘(3.2g; 23mmol) 용액을 가하였다. 반응 혼합물은 천천히 어두워지고 색상이 녹색이 되었다. 당해 혼합물을 자석 교반하고, 질소하에 20시간 동안 환류시킨 다음, 냉각된 반응 혼합물로부터 감압하에 용매를 제거하였다. 잔여물을 디클로로메탄(150㎖) 중에 용해시키고, 물로 추출한 다음, 염수로 추출한 다음, 유기 상을 무수 황산마그네슘 상에서 건조시켰다. 용매를 제거하여 녹색 잔여물을 수득하고, 이를 디클로로메탄-페트롤륨 에테르(40-60℃)(4:1)를 용리액으로서 사용하는 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 조악한 생성물을 수득하고, 이를 디에틸 에테르-페트롤륨 에테르(40-60℃)로 분쇄하여 회백색 고체(1.3g; 73%)를 수득하고, 추가로 300℃(1.6×10-6 barr)에서 승화로 정제하여 유리질 고체 0.48g을 수득하고, 이는 DSC에서 어떠한 용융 피크도 나타내지 않았다. Tg 133℃.
실측치: C, 70.10; H, 3.41; S, 26.53.
C36H20S5는 C, 70.55; H, 3.29; S, 26.16%가 필요하다.
UV: λmax/nm(ε)(CH2C12); 294(sh)(30,989), 263(97,473) 및 230(35,934);
UV: λmax/nm(박막); 303 및 268; 밴드 갭: 3.85 eV
FL: λmax/nm(ε)(CH2Cl2); 441(여기 파장: 350nm),
λmax/nm(ε)(분말), 439(여기 파장: 350nm);
λmax/nm(ε)(박막), 434,(여기 파장: 350nm).
CV: 전해질(100mM-테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트), 분해물질(1 mM), 용매-디클로로메탄: HOMO: -6.06 eV 및 LUMO: -2.2 eV, 박막의 광학 흡수단으로부터 계산됨;
TGA/℃(중량 손실%): 486(5) 및 510(10).
실시예 9
1-(3-카르복스알데히드 페닐)-티안트렌
Figure pct00097
테트라하이드로푸란(100㎖) 중의 3-브로모벤즈알데히드(1.4g; 7.57mmol) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0.5g; 0.43mmol) 혼합물에 티안트렌-1-보론산(2.0g; 7.69mmol)을 가한 다음, 물(50㎖) 중의 탄산수소나트륨(3.0g; 35.7mmol)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소하에 20시간 동안 환류시켰다. 냉각된 반응 혼합물을 물에 붓고, 에틸 아세테이트로 추출하였다. 유기 상을 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 조악한 생성물을 수득하고, 이를 컬럼 크로마토그래피(톨루엔)로 정제하여 순수한 화합물 1.6g(66%)을 수득하였다.
비스[3-(페닐비닐-1-티안트레닐)]-4,4'-비페닐(HTS-9)
Figure pct00098
디메틸 설폭사이드(20㎖) 중의 비페닐-비스(메틸디에틸 포스피네이트) 에스테르(0.43g; 1.04mmol) 용액에 칼륨 3급-부톡사이드(0.34g; 3mmol)를 가한 다음, 1-(3-카르복스알데히드 페닐)-티안트렌(0.7g; 2.19mmol)을 가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 아르곤 대기하에 18시간 동안 교반하고, 생성물을 흡입 여과하고, 메탄올 및 페트롤륨 에테르로 세척하여 고체 0.62g을 수득하였다. 생성물을 승화로 정제하여 황색 고체 0.3g을 수득하였다, M.p 259℃(DSC), Tg 104℃.
원소 분석:
실측치, C 79.69, H 4.24.
C52H34S4는 C 79.35, H 4.3%가 필요하다.
형광(분말): λmax(방출): 474nm; 여기 파장, 340nm.
형광(디클로로메탄): λmax(방출): 428 및 407nm; 여기 파장, 340nm.
실시예 10
도 11-14에 나타낸 바와 같은 구조를 갖고 이들 도면에 나타낸 전기광학 특성을 제공하는 셀을 제조하였다. 화합물 HTS-8는 α-NPB과 유사하거나 이보다 우수한 성능 및 상대적으로 높은 유리 전이 온도의 바람직한 특성 조합을 나타냈다.
실시예 11
1-안트라센-9-일-티안트렌
Figure pct00099
에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(50㎖) 중의 9-브로모안트라센(알드리치, 94%)(2.0g; 0.0078몰), 테트라키스(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.45g; 0.00039몰) 혼합물에 1-티안트레닐보론산(2.4g; 0.0092몰) 및 에틸렌글리콜 디메틸 에테르(10㎖)를 가한 다음, 물(25㎖) 중의 탄산칼슘(5.4g; 0.039몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소 대기하에 20시간 동안 환류시켰다. 이를 냉각되도록 두고, 용매를 감압하에 제거하였다. 잔여물을 디클로로메탄 중에 용해시키고, 염수로 추출하였다. 유기 상을 물로 세척하고, 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 잔여물을 수득하고, 메탄올을 가하고, 냉각시키고, 자석 교반하여 담황색 고체를 수득하였다. 생성물을 흡입하에 여과하고, 메탄올, 페트롤륨 에테르으로 세척하고, 진공하에 70℃에서 건조시켰다. 수율 1.65g. TLC 검사(CH2Cl2)는 단일 스팟을 나타냈다. 생성물을 승화시켜 M.p 220℃의 담황색 고체를 수득하였다.
원소 분석:
실측치, C 79.38, H 4.10, S 16.44.
C26H26S2는 C 79.56, H 4.11 및 S 16.33%가 필요하다.
실시예 12
1-비페닐-4-일-티안트렌(ETS-2)
Figure pct00100
에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(40㎖) 중의 4-브로모비페닐(알드리치)(2.0g; 0.0086몰), 테트라키스(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.5g; 0.00043몰) 혼합물에 1-티안트레닐보론산(2.0g; 0.0092몰){실제 양은 2.5g; 0.0094몰이어야 한다} 및 에틸렌글리콜 디메틸 에테르(10㎖)를 가한 다음, 물(25㎖) 중의 탄산칼슘(5.4g; 0.039몰)을 가하였다. 반응 혼합물을 자석 교반하고, 질소 대기하에 20시간 동안 환류시켰다. 이를 냉각되도록 두고, 용매를 감압하에 제거하였다. 잔여물을 디클로로메탄 중에 용해시키고, 염수로 추출하였다. 유기 상을 물로 세척하고, 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 제거하여 잔여물을 수득하고, 이에 메탄올을 가하고, 냉각시키고, 밤새 자석 교반하여 담갈색 고체를 수득하였다. 생성물을 흡입 여과하고, 메탄올, 디에틸 에테르로 세척하고, 진공하에 70℃에서 건조시켜 회백색 고체 1.69g을 수득하였다. 생성물을 추가로 200℃(3×10-6 torr)에서 승화로 정제하여 무색 고체를 수득하고, 이는 UV하에 청색 형광을 나타냈다. M.p 184℃(DSC, 개시).
실시예 13
9,10-비스(1-티안트레닐)안트라센
Figure pct00101
에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(100㎖) 중의 9,10-디브로모안트라센(5.0g; 0.015몰)의 자석 교반된 용액에 테트라키스(트리페닐 포스핀)팔라듐(1.9g; 0.0016몰)을 가한 다음, 1-티안트레닐보론산(8.5g; 0.033몰)을 가하였다. 그 다음, 물(50㎖) 중의 탄산칼슘(12.4g; 0.090몰)을 가하고, 반응 혼합물을 질소 대기하에 20시간 동안 환류시켰다. 15분 후, 반응 혼합물은 색상이 황녹색이 되었다. 용매를 감압하에 제거하고, 잔여물을 디클로로메탄 중에 용해시키고, 희석산으로 추출하였다(산의 첨가 없이는 용이하게 층이 분리되지 않았다).
유기 상을 물로 세척하고, 무수 황산마그네슘 상에서 건조시키고, 용매를 실리카 겔 패드를 통해 여과하였다. 용매 제거 후, 메탄올을 잔여물에 가하고, 실온에서 밤새 교반하여 흑녹색 고체를 수득하고, 이를 진공하에 80℃에서 건조시켰다. 수율 6.0g. TLC 검사는 단일 생성물을 나타냈고, 이를 승화로 정제하여 UV하에 강한 황색 형광을 나타낸 암황색 고체를 수득하였다. 그 다음, 이를 이중 승화시켜 추가로 정제하였다. 첫번째 승화로 생성물 2.1g을 수득하고, 두번째 승화로 생성물 1.45g을 수득하였다. M.p 381℃(DSC, 개시), Tg 149℃.
원소 분석:
실측치: C 75.34; H 3.88, 및 S 21.44.
C38H22S4는 C 75.21; H 3.65, 및 S 21.14%가 필요하다.
UV(CH2Cl2): λmax(ε/M-1cm-1), 259(133,155), 342(4107), 359(8929), 379(15,119) 및 400(14,940).
UV(박막): λmax(Abs): 196(1.47), 266(1.45), 364(0.16), 384(0.245) 및 406(0.25), 막 두께: ~ 60nm.
FL(CH2Cl2) λmax(em): 431, 여기 파장: 350nm.
FL(분말) λmax(em): 442, 465(sh), 508 및 540(sh).
FL(박막) λmax(em): 422(sh), 439 및 500(sh).
CV(CH2Cl2): 전해질: 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(100mM), 분해물질(1mM).
광학 밴드 갭: 2.9 eV; HOMO: -6.0 eV 및 LUMO: -3.1 eV.
TGA/℃(중량 손실%): 400(1) 및 433(5).
실시예 11-13의 화합물의 물리적 특성 및 형광 특성은 하기 표에 요약된다.
Figure pct00102
Figure pct00103
표 3: 광발광 데이타
Figure pct00104
실시예 14
디바이스 구조
미리 에칭된 ITO 코팅된 유리 조각(10×10cm2)을 사용한다. ITO 상에 층을 연속적으로 형성하고, 솔시에트 머신(ULVAC Ltd. Chigasaki, Japan)을 사용하여 진공 증발시킴으로써 디바이스를 제작한다. 각각의 픽셀의 활성 면적은 3mm×3mm이다. 코팅된 전극을 불활성 대기(질소)에서 유리 후면 플레이트를 사용하여 UV-경화성 접착으로 캡슐화한다. 전계발광 연구는 양극 단자에 항상 연결된 ITO 전극으로 수행한다. 전류 대 전압 연구는 컴퓨터 제어된 키슬리 2400 소스 미터에서 수행한다.
녹색 에미터의 디바이스는 애노드 층, 버퍼층, 정공 수송층, 전계발광층(도핑된 금속 착물), 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 층으로 이루어진 상기 기재된 방법에 의해 형성되고, 막 두께는 nm 단위이다:
디바이스 1.
ITO/ZnTpTP(20nm/α-NPB(100nm)/Alq3:DPQA(40nm:0.1nm)/Alq3(20nm))/ Liq(3nm))/Al
여기서, DPQA는 디페닐퀴나크리돈이다.
디바이스 2.
ITO/ZnTpTP(20nm/α-NPB(100nm)/Alq3:DPQA(40nm:0.1nm) /Alq3:Liq(10nm:10nm))/Liq(3nm))/Al
디바이스 3.
ITO/ZnTpTP(20nm/α-NPB(100nm)/Alq3:DPQA(40nm:0.1nm)/ETS-001:Liq(15nm:5nm))/Liq(3nm))/Al
도 15 및 16은 상이한 전자 수송층의 전류 주입 특징에 관한 디바이스의 성능을 비교한다. 디바이스 2는 이것이 최적 농도이기 때문에 Alq3:Liq(1:1)을 갖는다. LiQ 도펀트에 대한 ETS-002 또는 3의 비율이 ETS-001의 것 보다 다양할 수 있고 일상적인 시행착오에 의해 결정될 수 있음에도 불구하고, 화합물 ETS-002 및 ETS-003은 ETS-001과 유사한 성능을 제공하는 것으로 예상된다.
본 발명의 화합물이 산업적으로 이용가능하다는 것이 인식될 것이다. 이들은 OLED 디스플레이, 예를 들면, 마이크로디스플레이, 모바일 디스플레이 및 TV(2-D) 및 TV(3-D); OLED 조명; 양자점을 포함하는 디바이스; 광 활성 인쇄를 위한 광원; 형광 또는 인광 또는 희토류 또는 양자점 에미터의 조합이 사용되는 OLED 디바이스에서 적용에서 용도를 찾을 수 있다. 본 발명의 화합물이 도입된 디바이스는 진공 열 증발, 용액 기반 인쇄(스핀 코팅, 잉크젯 인쇄), OVPD(유기 기상 증착) 등에 의해 만들어질 수 있다. 형광 또는 인광 또는 희토류 또는 양자점 에미터의 조합이 사용되는, 본 발명의 화합물이 도입된 OLED 디바이스가 사용될 수 있다. 본 발명은 또한 본 발명에 따른 하나 이상의 화합물을 포함하는 정공 수송체 및 억셉터로 도핑된 본 발명에 따른 정공 수송체의 혼합물을 포함한다.
켐드로우(ChemDraw)에 의해 자동적으로 생성되고 형식적으로 정확하지만 이해하기는 덜 용이할 수 있는 상기 다수의 화합물의 대안적인 명칭을 하기 기재한다:
N-페닐-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)벤젠아민(HTS-1),
N-페닐-N-(3-(티안트렌-2-일)페닐)벤젠아민,
N-페닐-4-(티안트렌-1-일)-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)벤젠아민(HTS-4),
N-페닐-N-(4-(티안트렌-2-일)페닐)-4-(티안트렌-3-일)벤젠아민,
4-(티안트렌-1-일)-N-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)벤젠아민(HTS-2),
N-(4-(티안트렌-2-일)페닐)-4-(티안트렌-3-일)-N-(4-(티안트렌-8-일)페닐)벤젠아민,
4-메톡시-N-(4-메톡시페닐)-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)벤젠아민,
N-(4-(2,8-디메톡시티안트렌-9-일)페닐)-N-페닐벤젠아민,
N-페닐-N-(1-(티안트렌-9-일)나프탈렌-4-일)나프탈렌-1-아민,
N-(나프탈렌-1-일)-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)나프탈렌-1-아민,
N-(나프탈렌-1-일)-N-(1-(티안트렌-9-일)나프탈렌-4-일)나프탈렌-1-아민,
N,N-비스(4-3급-부틸페닐)티안트렌-1-아민,
2-(나프탈렌-1-일)티안트렌,
1-(페난트렌-9-일)티안트렌,
1-(10-페닐안트라센-9-일)티안트렌,
N-(4-메톡시페닐)-N-페닐티안트렌-2-아민,
N-페닐-N-m-톨릴티안트렌-2-아민,
N2,N2,N7,N7-테트라페닐티안트렌-2,7-디아민,
N2,N2,N7,N7-테트라키스(p-톨릴)티안트렌-2,7-디아민,
N2,N7-디페닐-N2,N7-디(m-톨릴)티안트렌-2,7-디아민,
N2,N2,N7,N7-테트라키스(4-메톡시페닐)티안트렌-2,7-디아민,
N2,N7-비스(4-메톡시페닐)-N2,N7-디페닐티안트렌-2,7-디아민,
9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-카르바졸,
9-(4-(티안트렌-1-일)벤질)-9H-카르바졸,
9-페닐-3,6-디(티안트렌-1-일)-9H-카르바졸,
4-메틸-N-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-N-p-톨릴벤젠아민,
N-(나프탈렌-3-일)-N-페닐티안트렌-2-아민,
1-(3,5-디(티안트렌-1-일)페닐)티안트렌,
1-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-6-일)티안트렌,
1-페닐-2-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸,
2-페닐-1-(4-(티안트렌-1-일)페닐)에탄온,
4-(티안트렌-1-일)-4'-디페닐아미노-1,1-비페닐,
1-(3,5-디(티안트렌-1-일)페닐)티안트렌,
1-(9,9-디프-톨릴-9H-플루오렌-2-일)티안트렌,
1-(4-(티오펜-2-일)페닐)티안트렌,
1,3,5-트리스-[4-(티안트렌-1-일)-1-페닐]벤젠,
1-(2-(티안트렌-1-일)-9,9-디프-톨릴-9H-플루오렌-7-일)티안트렌,
1-(9,9-디프로필-2-(티안트렌-1-일)-9H-플루오렌-7-일)티안트렌,
1-(4-(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페닐)티안트렌,
1-(10-(티안트렌-1-일)안트라센-9-일)티안트렌,
2.7-디(티안트렌-1-일)-9,9'-스피로-비플루오렌,
N-(4-(1-(4-(디페닐아미노)페닐)티안트렌-9-일)페닐)-N-페닐벤젠아민,
N1,N4-디(나프탈렌-1-일)-N1,N4-디(티안트렌-1-일)벤젠-1,4-디아민,
N-(4-(10H-페노티아진-10-일)페닐)-N-페닐벤젠아민(HTS-5),
트리스(4-(10H-페노티아진-10-일)페닐)아민,
10-(4-(9H-카르바졸-9-일)페닐)-10H-페노티아진,
N-(4-(10H-페노티아진-10-일)페닐)-4-(10H-페노티아진-10-일)-N-페닐벤젠아민,
2,8-비스(10H-페노티아지닐)디벤조티오펜,
비스[3-(페닐비닐-10H-페노티아지닐)]-4,4'-비페닐,
2,8-비스(1-티안트레닐)디벤조티오펜[HTS-8],
비스[3-(페닐비닐-1-티안트레닐)]-4,4'-비페닐(HTS-9).

Claims (54)

  1. 화학식 [Ar1]m[Ar2]n의 화합물로서,
    상기 화학식에서, m은 1-3의 정수이고, n은 정수이고 1 또는 2일 수 있고;
    Ar1은 고리 위치 1-4 및 6-9로부터 선택된 1개 또는 2개의 위치에서 Ar2에 연결을 갖고 임의로 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시-, 플루오로, 페닐, 비페닐, 나프틸, 안타릴, 피리딜 또는 티에닐로 일치환, 이치환 또는 다치환된 디벤조[b,e][1,4]디옥신, 페녹산틴, 티안트렌, 디벤조[b,e]1,4-티아셀레난, 셀레난트렌 또는 페노티아진 잔기를 나타내고, 페닐, 비페닐 나프틸, 안타릴, 피리딜 또는 티에닐의 경우, C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 추가로 치환될 수 있고;
    Ar2는 아릴 고리가 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환된 페닐, 나프틸 또는 안트라세닐이고 아릴이 질소와 Ar1 사이에 존재하는 아릴아민으로부터 유도된 잔기, 질소 또는 황을 임의로 포함하며 쇄 방향족 고리계가 하나 이상의 쇄 산소 또는 황 원자를 임의로 포함하는 폴리사이클릭 축합 또는 쇄 방향족 고리계, 트리아릴포스핀 옥사이드 또는 아릴실란을 나타내며, 이들 중 임의의 것의 고리는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환되는 화합물.
  2. 제1항에 있어서, 하기 화학식 I의 화합물:
    Figure pct00105

    상기 화학식 I에서,
    Z는 N, P=O 또는 Si이고;
    동일하거나 상이할 수 있는 X 및 Y는 각각 O, S 또는 Se를 나타내거나, X는 NH를 나타낼 수 있고 Y는 O, S 또는 Se를 나타낼 수 있고;
    동일하거나 상이할 수 있는 기 R은 독립적으로 수소, 또는 메틸, 메톡시, 에틸, 에톡시, 아릴(예를 들면, 페닐) 및 플루오로로부터 선택된 하나 이상의 고리 치환기를 나타내고;
    m은, Z가 N 또는 P=O인 경우, 1-3이거나, Z가 Si인 경우, 1-4일 수 있고;
    n은 0 또는 1이고;
    p는 0, 1 또는 2이고;
    q 및 r은 0 또는 1이고;
    s는, Z가 N 또는 P=O인 경우, 1이거나, Z가 Si인 경우, 2이고;
    점선 연결은, 존재하는 경우, 2개의 페닐 고리가 9H-카르바졸9-일 잔기의 부분을 형성하는 것을 나타내고,
    실선은 페닐 또는 비페닐에 의한 직접적인 트리사이클릭 고리 사이의 연결을 나타내고;
    트리사이클릭 고리에 대한 연결은 이의 1- 또는 2-위치에 있을 수 있거나, 이의 2,7- 또는 2,8-위치에 있을 수 있거나, X가 NH인 경우, 10-위치에 있을 수 있다.
  3. 제1항에 있어서, 하기 화학식 II의 화합물:
    Figure pct00106

    상기 화학식 II에서,
    m은 1, 2 또는 3이고, 점선은 페닐 또는 나프틸 고리 중 하나에 대한 각각의 페노티아진 잔기의 결합을 상응하게 나타내고;
    n은 1 또는 2이고;
    p, q 및 r은 독립적으로 0 또는 1이고;
    동일하거나 상이할 수 있는 X 및 Y는 각각 O, S 또는 Se를 나타내거나, X는 NH를 나타낼 수 있고 Y는 O, S 또는 Se를 나타낼 수 있고;
    Z는 N 또는 P=O를 나타내고;
    동일하거나 상이할 수 있는 기 R은 독립적으로 수소, 또는 메틸, 메톡시, 에틸, 에톡시, 아릴(예를 들면, 페닐) 및 플루오로로부터 선택된 고리 치환기를 나타내고;
    연결은 트리사이클릭 고리 또는 고리들의 1- 또는 2-위치에 있을 수 있거나, 2,7- 또는 2,8-위치에 있을 수 있거나, X가 NH인 경우, 10-위치에 있을 수 있고, 이것이 부착된 페닐 또는 나프틸 고리에 대하여 o- 또는 p-위치일 수 있다.
  4. 제1항에 있어서,
    (a) 알킬-치환된 플루오르 이외에 공액 또는 방향족 탄화수소에 연결된 1개, 2개 또는 3개의 티안트렌 또는 10H-페노티아진-10-일 모이어티를 갖거나, 또는
    (b) 하기 화학식 중 임의의 것의 화합물인 화합물:
    Figure pct00107

    Figure pct00108

    (여기서, n은 정수이고, 폴리페닐 쇄 또는 축합 고리를 나타냄)
    Figure pct00109

    Figure pct00110

    여기서, R, X 및 Y는 제1항에서 정의된 바와 같다.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, m이 1인 화합물.
  6. 하기 화합물 중 어느 하나의 화합물:
    4-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(HTS-1);
    4,4'-디-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(HTS-4);
    4,4',4"-트리-(티안트렌-1-일)트리페닐아민(HTS-2);
    4-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
    4,4'-디-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
    4,4',4"-트리-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
    4-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐아민(HTS-5);
    4,4'-디-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐아민;
    4,4',4"-트리-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐아민;
    2,7-비스-(4-디페닐아미노페닐)티안트렌;
    2,7-비스-(4-디페닐아미노페닐)-3,8-디메틸티안트렌;
    3-(티안트렌-2-일)트리페닐아민;
    N-(4-티안트렌-1-일페닐)-디-p-톨릴아민;
    4-(티안트렌-1-일)-4',4"-디메톡시트리페닐아민;
    4-(2,8-디메톡시티안트렌-1-일)트리페닐아민;
    1,9-디-(4-(디페닐아미노)페닐)티안트렌;
    N-페닐-N-(1-(티안트렌-1-일)나프탈렌-4-일)나프탈렌-1-아민;
    N-(나프탈렌-1-일)-N-(4-(티안트렌-1-일)페닐)나프탈렌-1-아민;
    N-(나프탈렌-1-일)-N-(1-(티안트렌-1-일)나프탈렌-4-일)나프탈렌-1-아민;
    4-(N-페닐-N-m-톨릴아미노)-4'-(티안트렌-1-일)비페닐;
    Figure pct00111
  7. 하기 화합물 중 어느 하나의 화합물:
    4-(티안트렌-1-일)트리페닐포스핀 옥사이드,
    4-(티안트렌-2-일)트리페닐포스핀 옥사이드, 및
    4-(10H-페노티아진-10-일)트리페닐포스핀 옥사이드.
  8. 하기 화합물 중 어느 하나의 화합물:
    Figure pct00112
  9. 제1항에 있어서, 선형 5,10-트리헤테로사이클에 부착된 모노아릴아민 또는 디아릴아미노 화합물인 화합물.
  10. 하기 화합물 중 어느 하나의 화합물:
    N,N-디페닐티안트렌-2-아민,
    N-페닐-N-m-톨릴티안트렌-2-아민,
    N-(4-메톡시페닐)-N-페닐티안트렌-2-아민,
    N-(나프탈렌-3-일)-N-페닐티안트렌-2-아민,
    N,N-비스(4-t-부틸페닐)티안트렌-1-아민,
    N 2 ,N 2 ,N 7 ,N 7 -테트라페닐티안트렌-2,7-디아민,
    N 2 ,N 2 ,N 7 ,N 7 -테트라키스(p-톨릴)티안트렌-2,7-디아민,
    N 2 ,N 7 -디페닐-N 2 ,N 7 -디(m-톨릴)티안트렌-2,7-디아민,
    N 2 ,N 7 -디페닐-N 2 ,N 7 -디(1-나프틸)티안트렌-2,7-디아민,
    N 2 ,N 2 ,N 7 ,N 7 -테트라키스(4-메톡시페닐)티안트렌-2,7-디아민,
    N 2 ,N 7 -비스(4-메톡시페닐)-N 2 ,N 7 -디페닐티안트렌-2,7-디아민,
    2,7-비스-(4-디페닐아미노페닐)티안트렌,
    2,7-비스-(4-디페닐아미노페닐)-3,8-디메틸티안트렌.
  11. 제1항에 있어서, 아미노비페닐, 디아미노비페닐, 2,7-디아미노플루오렌, 2,7-디아미노스피로비플루오렌 및 2,7,2',7'-테트라아미노스피로비플루오렌 잔기를 포함하는 것인 화합물.
  12. 하기 화합물 중 어느 하나의 화합물:
    4-(N-페닐-N-m-톨릴아미노)-4'-(티안트렌-9-일)비페닐,
    비스[3-(페닐비닐-10H-페노티아지닐)]-4,4'-비페닐,
    Figure pct00113

    Figure pct00114
    .
  13. 제1항에 있어서, 알킬-치환된 플루오르 이외에 공액 또는 방향족 탄화수소에 연결된 1개, 2개 또는 3개의 티안트렌 모이어티를 갖는 것인 화합물.
  14. 하기 화합물 중 어느 하나의 화합물:
    2-(나프탈렌-1-일)티안트렌,
    1-(페난트렌-9-일)티안트렌,
    1-(10-페닐안트라센-9-일)티안트렌,
    1-(4-(티오펜-2-일)페닐)티안트렌,
    1-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-6-일)티안트렌,
    10-(4-(9H-카르바졸-9-일)페닐)-10H-페노티아진,
    2-(10H-페노티아지닐)디벤조티오펜,
    9,10-디(티안트렌-1일)안트라센,
    1,3,5-트리(티안트렌-1-일)벤젠,
    1,3,5-트리스-(4-(티안트렌-1-일)페닐)벤젠
    (4(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-카르바졸,
    9-(4-(티안트렌-1-일)벤질)-9H-카르바졸,
    1-페닐-2-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸,
    2-페닐-1-(4-(티안트렌-1-일)페닐)에탄온,
    1-(9,9-디-p-톨릴-9H-플루오렌-2-일)티안트렌,
    1-(2-(티안트렌-1-일)-9,9-디-p-톨릴-9H-플루오렌-7-일)티안트렌,
    1-(9,9-디프로필-2-(티안트렌-1-일)-9H-플루오렌-7-일)티안트렌,
    1-(4-(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페닐)티안트렌,
    1-(4-(9-(4-(티안트렌-1-일)페닐)-9H-플루오렌-9-일)페닐)티안트렌,
    Figure pct00115
    .
  15. 제1항에 있어서, 하기 중 하나 이상이 적용되는 것인 화합물:
    (a) Ar1은 티안트렌을 나타내고;
    (b) Ar1은 1-위치에서 Ar2에 연결되고;
    (c) Ar1은 2-위치에서 Ar2에 연결되고;
    (d) Ar1은 1- 및 6-위치 또는 1- 및 9-위치에서 Ar2에 연결되고;
    (e) Ar1은 2- 및 7-위치에서 Ar2에 연결되고;
    (f) Ar2는 이의 질소가 Ar1에 연결되고 이의 고리가 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 치환되는 디아릴아민 잔기를 나타내고;
    (g) Ar2는 트리아릴아민 잔기를 나타내고;
    (h) n, m은 1이고;
    (i) m은 2이고;
    (j) 3이고;
    (k) Ar2는 C1-C4-알킬-, C1-C4-알콕시- 또는 플루오로로 임의로 고리-치환된 카르바졸, 스피로-비카르바졸 또는 디벤조티아졸 잔기를 나타낸다.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 및 억셉터형 유기 분자인 p-도펀트를 포함하는 정공 수송 물질.
  17. 제16항에 있어서, 도펀트가, 물질이 침착(deposition)되어 층을 형성시 도펀트가 층 두께에 약 10-40%를 기여하도록 하는 양으로 존재하는 것인 물질.
  18. 제17항에 있어서, 도펀트가, 물질이 침착되어 층을 형성시 도펀트가 층 두께에 약 33%를 기여하도록 하는 양으로 존재하는 것인 물질.
  19. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 도펀트가 테트라시아노퀴노디메탄 또는 테트라플루오로테트라시아노-퀴노디메탄을 포함하는 것인 물질.
  20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 화학식 (i) 내지 (vii) 중 어느 하나의 화합물을 포함하는 것인 물질:
    Figure pct00116

    Figure pct00117

    상기 화학식 (i) 내지 (vii) 중 어느 것에서, 기 R은 동일하거나 상이할 수 있고, 수소; 치환 및 비치환 지방족 기; 치환 및 비치환 방향족, 헤테로사이클릭 및 폴리사이클릭 고리 구조; 할로겐; 및 티오페닐 기로부터 선택되고;
    상기 화학식 (i)에서, 메틸 기는 예를 들면, 알킬, 아릴 또는 아릴아미노, 또는 하기 화학식 viii 또는 ix로 추가로 치환될 수 있는, C1-C4 알킬 또는 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 아릴 또는 헤테로아릴로 치환될 수 있고,
    Figure pct00118
    또는
    Figure pct00119

    여기서, 기 R1-R4는, 상기 화학식 중 어느 것에 나타나는 경우, 동일하거나 상이할 수 있고, 수소; 치환 및 비치환 지방족 기; 치환 및 비치환 방향족, 헤테로사이클릭 및 폴리사이클릭 고리 구조; 할로겐; 및 티오페닐 기로부터 선택된다.
  21. 제16항에 있어서, α-NPB 또는 β-NBP인 3차 아민을 포함하는 것인 물질.
  22. 제1 및 제2 전극, 및 상기 전극 사이의 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 층을 갖는 광학 발광 다이오드.
  23. 제22항에 있어서, 상기 층이 정공 수송층인 디바이스.
  24. 제22항에 있어서, 상기 층이 정공 주입층인 디바이스.
  25. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 형광 에미터(emitter)를 포함하는 방출층을 갖는 것인 디바이스.
  26. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 인광 에미터를 포함하는 방출층을 갖는 것인 디바이스.
  27. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 이온 형광(희토류계) 에미터를 포함하는 방출층을 갖는 것인 디바이스.
  28. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 양자점을 포함하는 방출층을 갖는 것인 디바이스.
  29. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 열활성화된 형광(TADF) 물질을 포함하는 방출층을 갖는 것인 디바이스.
  30. 제22항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, CuPC, ZnTpTP, 2-TNATA 또는
    Figure pct00120
    를 포함하는 정공 주입층을 갖는 것인 디바이스.
  31. 제22항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 평면 패널 디스플레이의 부분을 형성하는 것인 디바이스.
  32. 제22항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 조명 패널의 부분을 형성하는 것인 디바이스.
  33. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 유기 광전변환 디바이스(organic photovoltaic device).
  34. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 정전잠상 디바이스를 형성하는 이미징 부재(imaging member).
  35. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터.
  36. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 염료 감응 태양 전지 디바이스.
  37. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 프린티드 디바이스(printed device).
  38. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 양자점 기반 전계발광 디바이스.
  39. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는, 전도, 저항, 유전, 압전 또는 초전 막 또는 선(line) 또는 그리드(grid)를 인쇄하기 위한 광원으로서 사용되는 OLED 디바이스.
  40. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 화합물 또는 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 물질을 포함하는 OLED 조명 패널.
  41. 알킬-치환된 플루오르 이외에 공액 또는 방향족 탄화수소에 연결된 1개 또는 2개의 티안트렌 모이어티(moiety)를 갖는 화합물을 갖는 전기광학 또는 광전자 디바이스.
  42. 제41항에 있어서, 화합물이 하기 기재된 화학식 중 하나인 디바이스.
    Figure pct00121

    Figure pct00122

    (여기서, n은 정수이고, 폴리페닐 쇄 또는 축합 고리를 나타냄)
    Figure pct00123

    1-페닐-2-(4-(티안트렌-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸
    Figure pct00124

    여기서, X 및 Y는 둘 다 S이다.
  43. 제41항에 있어서, 화합물이 1-안트라세닐-9-일-티안트렌, 1-비페닐-4-일-티안트라센 또는 9,10-비스(1-티안트레닐)안트라센 또는 이의 혼합물인 디바이스.
  44. 제41항 내지 제43항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 낮은 일함수 금속 착물과 혼합되거나, 형광 도펀트로 도핑되거나, 인광 도펀트로 도핑되거나, 희토류 킬레이트로 도핑되는 것인 디바이스.
  45. 제41항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 1∼99 질량%의 리튬 퀴놀리놀레이트(LiQ) 또는 리튬 쉬프 염기(Schiff base) 착물과 혼합되는 것인 디바이스.
  46. 제41항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 10∼90 질량%의 리튬 퀴놀리놀레이트(LiQ) 또는 리튬 쉬프 염기 착물과 혼합되는 것인 디바이스.
  47. 제41항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 20∼90 질량%의 리튬 퀴놀리놀레이트(LiQ) 또는 리튬 쉬프 염기 착물과 혼합되는 것인 디바이스.
  48. 제41항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 30∼80 질량%의 리튬 퀴놀리놀레이트(LiQ) 또는 리튬 쉬프 염기 착물과 혼합되는 것인 디바이스.
  49. 제41항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 방출층의 구성원, 예를 들면, 호스트인 디바이스.
  50. 제41항 내지 제49항 중 어느 한 항에 있어서, 화합물이 전자 수송층 및/또는 전자 주입층 내에 포함되는 것인 디바이스.
  51. 제41항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, OLED인 디바이스.
  52. 제1 전극, 1-안트라세닐-9-일-티안트렌, 1-비페닐-4-일-티안트렌 또는 9,10-비스(1-티안트레닐)안트라센을 포함하는 층, 및 제2 전극 및 임의로 낮은 일함수 물질을 갖는 광학 발광 다이오드 디바이스.
  53. 제41항 내지 제52항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 특징 중 어느 하나를 갖는 것인 디바이스:
    (a) 방출층은 형광 에미터로 구성되고;
    (b) 방출층은 인광 에미터로 구성되고;
    (c) 방출층은 이온 형광(희토류계) 에미터로 구성되고;
    (d) 정공 주입층은 CuPC, ZnTpTP, 2-TNATA 또는
    Figure pct00125
    를 포함하고;
    (e) 정공 수송층은 전자 억셉터로 도핑되거나 이와 혼합되고;
    (f) 정공 수송층은 전자 억셉터, 예를 들면, TCNQ 또는 F4TCNQ로 도핑되거나 이와 혼합되고;
    (g) 정공 수송체는 또 다른 정공 수송체와 혼합되고;
    (h) 전자 수송체는 Li, K, Cs 화합물 또는 낮은 일함수 금속 또는 물질의 임의의 다른 화합물과 혼합되고;
    (i) 전자 수송체는 희토류 금속 또는 이의 착물과 혼합되고;
    (j) 전자 수송체는 리튬 퀴놀리놀레이트(Liq) 또는 리튬 쉬프 염기와 혼합되고;
    (k) 전자 수송체는 또 다른 전자 수송체 또는 전자 주입체와 혼합되고;
    (l) 전계발광층은 금속 착물을 포함하고;
    (m) 전계발광층은 도펀트로 도핑된 호스트 물질로서 지르코늄 또는 하프늄 퀴놀레이트를 포함하고;
    (n) 전계발광층은 도펀트로 도핑된 호스트 물질로서 알루미늄 퀴놀레이트를 포함하고;
    (o) 전계발광층은 도펀트로 도핑된 호스트 물질로서 방향족 3차 아민을 포함하고;
    (p) 전계발광층은 금속 또는 준금속 착물인 발광 물질을 포함하고;
    (q) 전계발광층은 발광성 물질로서 금속 퀴놀레이트, 이리듐, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐 또는 백금 착물, 붕소 착물 또는 희토류 착물을 포함하고;
    (r) 전계발광층은 전계발광 물질로서 리튬 퀴놀레이트 또는 알루미늄 퀴놀레이트를 포함하고;
    (s) 전계발광층은 발광 공액 중합체 또는 공중합체 또는 덴드리머를 포함하고;
    (t) 정공 수송층은 α-NPB를 포함한다.
  54. 제41항 내지 제53항 중 어느 한 항에 있어서,
    (a) 평면 패널 디스플레이의 부분;
    (b) 정전잠상을 형성하는 이미징 부재의 부분;
    (c) OLED 조명 패널의 부분;
    (d) 광전변환 디바이스의 부분; 또는
    (e) 박막 트랜지스터의 부분인 디바이스.
KR1020157031747A 2013-04-09 2014-03-27 헤테로사이클릭 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스에서의 이들의 용도 KR20150139929A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB201306365A GB201306365D0 (en) 2013-04-09 2013-04-09 Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices
GB1306365.6 2013-04-09
PCT/GB2014/050970 WO2014167286A2 (en) 2013-04-09 2014-03-27 Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150139929A true KR20150139929A (ko) 2015-12-14

Family

ID=48483566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157031747A KR20150139929A (ko) 2013-04-09 2014-03-27 헤테로사이클릭 화합물 및 전기광학 또는 광전자 디바이스에서의 이들의 용도

Country Status (9)

Country Link
US (2) US10439147B2 (ko)
EP (1) EP2984079B1 (ko)
JP (1) JP6405363B2 (ko)
KR (1) KR20150139929A (ko)
CN (1) CN105189475B (ko)
BR (1) BR112015025737A2 (ko)
GB (2) GB201306365D0 (ko)
RU (1) RU2015147684A (ko)
WO (1) WO2014167286A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200116722A (ko) 2019-04-02 2020-10-13 한국교통대학교산학협력단 유기전계발광소자용 헤테로아로마틱 유도체 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
US11495761B2 (en) 2019-05-17 2022-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoelectric conversion devices and organic sensors and electronic devices

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419810B1 (ko) 2012-04-10 2014-07-15 서울대학교산학협력단 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자
GB201306365D0 (en) 2013-04-09 2013-05-22 Kathirgamanathan Poopathy Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices
GB2543732A (en) * 2015-07-20 2017-05-03 Power Oleds Ltd Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices
KR102491872B1 (ko) 2015-07-31 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US20170062749A1 (en) * 2015-09-01 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
CN106997926B (zh) * 2016-01-26 2019-07-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种白光量子点电致发光器件
CN106997927B (zh) * 2016-01-26 2019-06-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种量子点电致发光器件
CN105541747A (zh) * 2016-02-03 2016-05-04 中节能万润股份有限公司 一种oled材料及其应用
CN105732574B (zh) * 2016-03-24 2019-03-05 中国科学院理化技术研究所 噻蒽-5,5,10,10-四氧化物衍生物制备和基于其的有机电致发光器件
CN105924472B (zh) * 2016-04-28 2018-04-13 黑龙江大学 基于三苯基磷氧的热激发延迟荧光蓝光客体材料、制备方法及其应用
CN105884707A (zh) * 2016-04-28 2016-08-24 吉林大学 含有三苯胺-吩噁嗪结构的二胺单体、制备方法及其应用
CN105810851B (zh) * 2016-05-03 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光二极管显示器的制作方法及量子点发光二极管显示器
TWI686415B (zh) * 2016-08-05 2020-03-01 德商贏創運營有限公司 含有噻嗯之聚合物作為電荷儲存裝置之用途
CN107759597B (zh) * 2017-10-16 2020-09-15 河北师范大学 一种咔唑类化合物及其用途
EP3503234B1 (en) * 2017-12-20 2020-11-04 Novaled GmbH Organic electronic device comprising an inverse coordination complex and a method for preparing the same
JP2019134012A (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 学校法人近畿大学 太陽電池
CN109081783A (zh) * 2018-07-23 2018-12-25 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种芳胺衍生物、其制备方法与应用
CN108822088A (zh) * 2018-08-12 2018-11-16 瑞声科技（南京）有限公司 一种基于咪唑结构的化合物及其应用
CN108929322A (zh) * 2018-08-12 2018-12-04 瑞声科技（南京）有限公司 一种含有氮杂咔唑单元的化合物及其应用
US10851298B2 (en) 2018-08-30 2020-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including quantum dots
CN109851616A (zh) * 2018-12-31 2019-06-07 瑞声科技（南京）有限公司 一种基于氮杂咔唑的有机光电材料及其应用
CN109776490B (zh) * 2019-01-29 2021-06-08 华南理工大学 一种非芳香胺类小分子光电材料及制备与应用
KR20200140968A (ko) * 2019-06-07 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
TW202147665A (zh) 2020-04-28 2021-12-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光器件、金屬錯合物、發光裝置、電子裝置及照明設備
US20220310920A1 (en) * 2020-09-28 2022-09-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic Light Emitting Device and Display Apparatus
CN112239452B (zh) * 2020-10-14 2022-05-10 武汉尚赛光电科技有限公司 一种电子传输型杂蒽衍生物及其有机电致发光器件
CN114478607B (zh) * 2021-12-30 2024-05-14 武汉尚赛光电科技有限公司 一种有机发光材料及其应用和器件
CN115925703B (zh) * 2023-01-03 2023-12-01 烟台九目化学股份有限公司 苯并吲哚苯并喹啉结构化合物及制备方法和oled器件

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5128587A (en) 1989-12-26 1992-07-07 Moltech Corporation Electroluminescent device based on organometallic membrane
US5141671A (en) 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
JP3179234B2 (ja) 1992-03-27 2001-06-25 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3654909B2 (ja) 1996-12-28 2005-06-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
WO1998058307A1 (fr) 1997-06-16 1998-12-23 Citizen Watch Co., Ltd. Terminal informatique personnel portable
GB9712483D0 (en) 1997-06-17 1997-08-20 Kathirgamanathan Poopathy Fabrication of light emitting devices from chelates of transition metals, lanthanides and actinides
GB9826406D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Quinolates
JP4081869B2 (ja) * 1998-08-17 2008-04-30 コニカミノルタホールディングス株式会社 新規アミノ化合物を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1029909A4 (en) 1998-09-09 2007-01-10 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND PHENYLENE DERIVATIVES
GB9823761D0 (en) 1998-11-02 1998-12-23 South Bank Univ Entpr Ltd Novel electroluminescent materials
US6208075B1 (en) 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
GB9826405D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Method for forming films or layers
GB9826407D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Novel electroluminescent materials
JP4006862B2 (ja) * 1998-12-22 2007-11-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 新規アミノ化合物とその製造方法、及び用途
GB9901971D0 (en) 1999-02-01 1999-03-17 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent material
JP4216949B2 (ja) * 1999-05-25 2009-01-28 三井化学株式会社 アミン化合物
JP4220622B2 (ja) * 1999-07-27 2009-02-04 三井化学株式会社 アミン化合物
JP3571977B2 (ja) 1999-11-12 2004-09-29 キヤノン株式会社 有機発光素子
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
JP4220644B2 (ja) * 2000-02-14 2009-02-04 三井化学株式会社 アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
US6803720B2 (en) 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
JP5265840B2 (ja) 2001-03-14 2013-08-14 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機発光ダイオード類に基づく青色リン光用の材料および素子
WO2002104080A1 (fr) 2001-06-15 2002-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif a electroluminescence organique
GB0116644D0 (en) 2001-07-09 2001-08-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
GB0228335D0 (en) 2002-12-05 2003-01-08 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
GB0230076D0 (en) 2002-12-24 2003-01-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
GB0230072D0 (en) 2002-12-24 2003-01-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
JP2004221063A (ja) 2002-12-27 2004-08-05 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
GB0306097D0 (en) 2003-03-15 2003-04-23 Elam T Ltd Electroluminescent complexes
US7175922B2 (en) 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
GB0403322D0 (en) 2004-02-14 2004-03-17 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
US7045952B2 (en) 2004-03-04 2006-05-16 Universal Display Corporation OLEDs with mixed host emissive layer
JP4384536B2 (ja) * 2004-04-27 2009-12-16 三井化学株式会社 アントラセン化合物、および該アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子
US7588828B2 (en) 2004-04-30 2009-09-15 Nanoco Technologies Limited Preparation of nanoparticle materials
GB0409877D0 (en) 2004-04-30 2004-06-09 Univ Manchester Preparation of nanoparticle materials
JP2008509238A (ja) 2004-08-07 2008-03-27 オーエルイーディー−ティー リミテッド エレクトロルミネセンス物質およびデバイス
GB0419269D0 (en) 2004-08-31 2004-09-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
KR100679724B1 (ko) * 2004-10-13 2007-02-07 주식회사 두산 전계 발광 소자용 발색 화합물 및 이를 포함하는 유기전계 발광소자
GB0422913D0 (en) 2004-10-15 2004-11-17 Elam T Ltd Electroluminescent devices
GB0426674D0 (en) 2004-12-06 2005-01-05 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
GB0426675D0 (en) 2004-12-06 2005-01-05 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
US7597967B2 (en) 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
KR101156423B1 (ko) * 2005-04-30 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 아미노스티릴 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 유기발광 소자
CN101233127B (zh) * 2005-08-03 2013-01-09 新日铁化学株式会社 杂环化合物及使用它的有机电致发光元件
GB2429838B (en) 2005-08-12 2011-03-09 Nanoco Technologies Ltd Nanoparticles
US7943245B2 (en) * 2005-12-16 2011-05-17 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US20070224446A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP5186365B2 (ja) * 2006-04-26 2013-04-17 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5221061B2 (ja) * 2006-06-15 2013-06-26 三星ディスプレイ株式會社 シクロペンタフェナントレン系化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
GB2440368A (en) 2006-07-26 2008-01-30 Oled T Ltd Cathode coating for an electroluminescent device
GB0625541D0 (en) 2006-12-22 2007-01-31 Oled T Ltd Electroluminescent devices
JP5266786B2 (ja) * 2008-02-20 2013-08-21 富士ゼロックス株式会社 新規なフェノチアジン化合物
GB0804469D0 (en) * 2008-03-11 2008-04-16 Oled T Ltd Compounds having electroluminescent or electron transport properties
JP2009267255A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0810532D0 (en) * 2008-06-10 2008-07-09 Oled T Ltd Method of making an oled
WO2010002848A1 (en) 2008-06-30 2010-01-07 Universal Display Corporation Hole transport materials having a sulfur-containing group
JP5532705B2 (ja) * 2008-07-01 2014-06-25 東レ株式会社 発光素子
GB0814954D0 (en) 2008-08-18 2008-09-24 Oled T Ltd Compounds having electron transport properties and their preparation and use
KR20100048210A (ko) 2008-10-30 2010-05-11 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2010150593A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び縮合多環式複素環化合物
KR101115036B1 (ko) * 2009-08-18 2012-03-06 덕산하이메탈(주) 티안트렌 구조를 가지는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
US8359808B2 (en) 2009-11-16 2013-01-29 Solid Green Developments, LLC Polystyrene wall, system, and method for use in an insulated foam building
KR101196142B1 (ko) * 2009-12-30 2012-10-30 주식회사 두산 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP2011178742A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hodogaya Chem Co Ltd フェノキサジン環構造またはフェノチアジン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102010010481A1 (de) * 2010-03-06 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
CN101976728B (zh) * 2010-09-29 2012-07-04 昆明物理研究所 光伏型有机紫外半导体探测器
KR101274924B1 (ko) * 2011-01-04 2013-06-14 주식회사 두산 유기발광 화합물 및 이를 포함한 유기 전계발광 소자
KR101486562B1 (ko) * 2011-04-15 2015-01-28 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광자소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR101366368B1 (ko) * 2011-07-08 2014-02-21 주식회사 두산 신규 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US8969592B2 (en) 2012-01-10 2015-03-03 Universal Display Corporation Heterocyclic host materials
US9054323B2 (en) 2012-03-15 2015-06-09 Universal Display Corporation Secondary hole transporting layer with diarylamino-phenyl-carbazole compounds
KR102029336B1 (ko) 2012-08-21 2019-10-07 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR102024117B1 (ko) 2012-09-17 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2014067614A1 (de) 2012-10-31 2014-05-08 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtung
GB201306365D0 (en) 2013-04-09 2013-05-22 Kathirgamanathan Poopathy Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices
TW201529565A (zh) 2013-11-28 2015-08-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp 發光材料、有機發光元件及化合物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200116722A (ko) 2019-04-02 2020-10-13 한국교통대학교산학협력단 유기전계발광소자용 헤테로아로마틱 유도체 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
US11495761B2 (en) 2019-05-17 2022-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoelectric conversion devices and organic sensors and electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
GB2513013A (en) 2014-10-15
JP2016523815A (ja) 2016-08-12
GB2513013B (en) 2015-12-30
GB201306365D0 (en) 2013-05-22
WO2014167286A2 (en) 2014-10-16
GB201405474D0 (en) 2014-05-07
WO2014167286A3 (en) 2015-02-19
US20180323378A9 (en) 2018-11-08
US20160035983A1 (en) 2016-02-04
CN105189475A (zh) 2015-12-23
US20190372011A1 (en) 2019-12-05
JP6405363B2 (ja) 2018-10-17
EP2984079B1 (en) 2020-07-01
US10439147B2 (en) 2019-10-08
BR112015025737A2 (pt) 2018-05-08
CN105189475B (zh) 2018-12-21
RU2015147684A (ru) 2017-05-16
EP2984079A2 (en) 2016-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10439147B2 (en) Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices
US9221770B2 (en) Compounds having electron transport properties, their preparation and use
CN107793441A (zh) 多环芳香族化合物
KR101807644B1 (ko) 발광 소자 재료 및 발광 소자
JP5595736B2 (ja) 電子注入層としてアゾメチン−リチウム−錯体を使用するエレクトロルミネッセンス素子
JP5040080B2 (ja) 有機電界発光素子
US8507896B2 (en) Compounds having electroluminescent or electron transport properties
KR101397286B1 (ko) 발광 소자용 재료 및 그것을 사용한 유기 전계 발광 소자
KR101434292B1 (ko) 발광소자
US20100025671A1 (en) Electroluminescent devices
EP2092794B1 (en) Phenanthroline compounds and electroluminescent devices using the same
GB2537195A (en) Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices
EP2318474B1 (en) Compound having electroluminescent or electron transport properties and its preparation and use
KR20240043689A (ko) 신규한 유기화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application