KR20140123967A - 은이온 확산 억제층 형성용 조성물, 은이온 확산 억제층용 필름, 배선 기판, 전자 기기, 도전막 적층체, 및 터치 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선간의 은의 이온 마이그레이션이 억제되어, 금속 배선간의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있는 은이온 확산 억제층을 형성할 수 있는 은이온 확산 억제층 형성용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 은이온 확산 억제층 형성용 조성물은 절연 수지, 그리고, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계) 가 5 이상인 화합물을 함유한다.

Description

은이온 확산 억제층 형성용 조성물, 은이온 확산 억제층용 필름, 배선 기판, 전자 기기, 도전막 적층체, 및 터치 패널 {COMPOSITION FOR FORMING SILVER-ION-DIFFUSION INHIBITION LAYER, FILM FOR SILVER-ION DIFFUSION INHIBITION LAYER, WIRING BOARD, ELECTRONIC DEVICE, CONDUCTIVE FILM LAMINATE, AND TOUCH PANEL}

본 발명은 은이온 확산 억제층 형성용 조성물, 은이온 확산 억제층용 필름, 배선 기판, 전자 기기, 도전막 적층체, 및, 터치 패널에 관한 것이다.

종래부터, 절연 기판 표면 상에 금속 배선이 배치된 배선 기판이 전자 부재, 반도체 소자에 널리 사용되고 있다. 금속 배선을 구성하는 금속으로서는 도전성이 높은 은, 구리가 흔히 사용되지만, 이들 금속은 이온 마이그레이션이 발생하기 쉽다는 문제가 있고, 특히 은은 이 문제가 현저하게 나타난다.

이와 같은 금속의 이온 마이그레이션을 방지하는 방법으로서, 폴리머층에 금속 이온 흡착 화합물을 도입하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1).

일본 공개특허공보 2008-192850호

한편, 최근, 반도체 집적 회로나 칩 부품 등의 소형화에 의해, 금속 배선의 미세화가 진행되고 있다. 그 때문에, 배선 기판 중의 금속 배선의 간격은 보다 협소화되고 있고, 이온 마이그레이션에 의한 회로의 단락이 더욱 생기기 쉬워지고 있다. 이와 같은 상황하에, 배선 기판 중의 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선간의 절연 신뢰성의 보다 한층 향상이 요구되고 있다.

본 발명자는 특허문헌 1 에서 개시되는 함티올 화합물 등의 금속 이온과 유기 금속염을 형성하는 화합물이 도입된 폴리머층을 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선 상에 형성하고, 그 절연 신뢰성에 대해 검토를 실시했다. 그 결과, 금속 배선간에 있어서는 배선간 저항의 현저한 저하가 확인되고, 그 이온 마이그레이션 억제 효과는 요즈음 요구되는 레벨을 만족하고 있지 않아, 더 한층 개량이 필요했다.

본 발명은 상기 실정을 감안하여, 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선간의 은의 이온 마이그레이션이 억제되어, 금속 배선간의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있는 은이온 확산 억제층을 형성할 수 있는 은이온 확산 억제층 형성용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또, 본 발명은 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선간의 은의 이온 마이그레이션에 의한 단락이 억제되어, 금속 배선간의 절연 신뢰성이 보다 우수한 은이온 확산 억제층용의 필름, 및, 그 은이온 확산 억제층을 구비하는 배선 기판을 제공하는 것도 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 은 또는 은합금을 함유하는 도전막간의 은의 이온 마이그레이션이 억제되어, 도전막간의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있는 도전막 적층체를 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명자들은 종래 기술의 문제점에 대해 예의 검토를 실시한 결과, 특허문헌 1 에서 개시되는 함티올 화합물 등의 금속 이온 흡착 화합물의 폴리머층에 있어서의 분산성이 영향을 미치고 있는 것을 알아냈다. 보다 구체적으로는, 특허문헌 1 에서 개시되는 함티올 화합물 등의 금속 이온 흡착 화합물은 그 구조에서 기인하여 분산성이 낮다. 그 때문에, 그 금속 이온 흡착 화합물을 폴리머층 (수지층) 중에 도입하고자 해도, 폴리머층 중에서 그 화합물을 균일하게 분산시키는 것이 곤란하고, 금속 이온 (특히 은이온) 의 마이그레이션을 억제하는 효과가 얻어지지 않는다. 또, 다량의 그 금속 이온 흡착 화합물을 폴리머층 중에 도입하고자 하면, 그 화합물이 폴리머층 중에서 석출되어, 폴리머의 열화를 일으키고, 전기 신뢰성의 열화를 일으킨다. 나아가서는, 금속 이온의 확산의 조장을 촉진하여, 배선 파괴를 일으키는 등의 문제가 생길 우려가 있다.

본 발명자들은, 상기 지견에 기초하여, 특정 관능기를 갖는 화합물을 함유하는 조성물을 사용하여 은이온 확산 억제층을 형성함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.

요컨대, 본 발명자들은 이하의 구성에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.

(1) 절연 수지, 그리고,

트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물을 함유하는 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.

(2) 상기 화합물이 후술하는 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인, 상기 (1) 에 기재된 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.

(3) 상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인, 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.

(4) 상기 탄화수소기가 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인, 상기 (1) ∼ (3) 중 어느 한 항에 기재된 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.

(5) 상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인, 상기 (1) ∼ (4) 중 어느 한 항에 기재된 은이온 확산 억제층 형성용 조성물. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)

(6) 절연 수지, 그리고,

트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물을 함유하는 은이온 확산 억제층용 필름.

(7) 상기 화합물이 후술하는 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인, 상기 (6) 에 기재된 은이온 확산 억제층용 필름.

(8) 상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인, 상기 (6) 또는 (7) 에 기재된 은이온 확산 억제층용 필름.

(9) 상기 탄화수소기가 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인, 상기 (6) ∼ (8) 중 어느 한 항에 기재된 은이온 확산 억제층용 필름.

(10) 상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인, 상기 (6) ∼ (9) 중 어느 한 항에 기재된 은이온 확산 억제층용 필름. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)

(11) 절연 기판과, 상기 절연 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선과, 상기 금속 배선 상에 배치된 은이온 확산 억제층을 구비하는 배선 기판으로서,

상기 은이온 확산 억제층이 절연 수지, 그리고, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와, 상기 구조에 결합하는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물을 함유하는 배선 기판.

(12) 상기 화합물이 후술하는 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인, 상기 (11) 에 기재된 배선 기판.

(13) 상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인, 상기 (11) 또는 (12) 에 기재된 배선 기판.

(14) 상기 탄화수소기가 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인, 상기 (11) ∼ (13) 중 어느 한 항에 기재된 배선 기판.

(15) 상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인, 상기 (11) ∼ (14) 중 어느 한 항에 기재된 배선 기판. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)

(16) 상기 (11) ∼ (15) 중 어느 한 항에 기재된 배선 기판을 구비하는 전자기기.

(17) 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 도전막과, 상기 도전막 상에 첩합(貼合)된 투명 양면 점착 시트를 구비하는 도전막 적층체로서,

상기 투명 양면 점착 시트에, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물이 함유되는 도전막 적층체.

(18) 상기 화합물이 후술하는 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인, 상기 (17) 에 기재된 도전막 적층체.

(19) 상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인, 상기 (17) 또는 (18) 에 기재된 도전막 적층체.

(20) 상기 탄화수소기가 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 후술하는 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인, 상기 (17) ∼ (19) 중 어느 한 항에 기재된 도전막 적층체.

(21) 상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인, 상기 (17) ∼ (20) 중 어느 한 항에 기재된 도전막 적층체. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)

(22) 상기 도전막이 은 또는 은합금으로 이루어지는 금속 나노 와이어를 함유하는, 상기 (17) ∼ (21) 중 어느 한 항에 기재된 도전막 적층체.

(23) 상기 투명 양면 점착 시트가 아크릴계 점착제를 포함하는, 상기 (17) ∼ (22) 중 어느 한 항에 기재된 도전막 적층체.

(24) 상기 (17) ∼ (23) 중 어느 한 항에 기재된 도전막 적층체를 포함하는 터치 패널.

본 발명에 의하면, 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선간의 은의 마이그레이션이 억제되어 금속 배선간의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있는 은이온 확산 억제층을 형성할 수 있는 은이온 확산 억제층 형성용 조성물을 제공할 수 있다.

또, 본 발명에 의하면, 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선간의 은의 이온 마이그레이션이 억제되어 금속 배선간의 절연 신뢰성이 보다 우수한 은이온 확산 억제층용의 필름, 및, 그 은이온 확산 억제층을 구비하는 배선 기판을 제공할 수도 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 은 또는 은합금을 함유하는 도전막간의 은의 이온 마이그레이션이 억제되어 도전막간의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있는 도전막 적층체를 제공할 수도 있다.

도 1 은 본 발명의 배선 기판의 바람직한 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 배선 기판의 다른 바람직한 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 절연층이 형성된 배선 기판의 바람직한 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 도전막 적층체의 하나의 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 도전막 적층체의 다른 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 6(A) 는 본 발명의 터치 패널의 하나의 실시형태의 모식적 상면도이며, (B) 는 (A) 의 A-B 선을 따른 모식적 단면 화살표 방향에서 본 도면이다.
도 7 은 본 발명의 터치 패널의 다른 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 터치 패널의 다른 실시 양태의 모식적 단면도이다.
도 9(A) 는 실시예에서 사용되는 도전막 적층체의 모식적 상면도이며, (B) 는 (A) 의 A-B 선을 따른 모식적 단면 화살표 방향에서 본 도면이다.

이하에, 본 발명의 은이온 확산 억제층 형성용 조성물, 은이온 확산 억제층용 필름, 배선 기판, 도전막 적층체의 바람직한 양태에 대해 설명한다.

먼저, 본 발명의 종래 기술과 비교한 특징점에 대해 상세히 서술한다.

상기 서술한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 은이온과 유기 금속염을 형성하는 화합물과, 그 화합물이 분산되는 절연 수지와의 상용성을 제어함으로써, 원하는 효과가 얻어지는 것을 알아내고 있다. 보다 구체적으로는, 특정 관능기를 화합물에 도입함으로써, 절연 수지 중에서의 그 화합물의 분산성을 향상시켜, 절연 수지의 열화 등을 일으키지 않고, 은 배선의 이온 마이그레이션 억제 효과를 향상시키고 있다.

먼저, 은이온 확산 억제층 형성용 조성물에 대해 상세히 서술하고, 그 후, 은이온 확산 억제층용 필름 및 배선 기판에 대해 상세히 서술한다. 도전막 적층체에 관해서는, 후단에서 상세히 서술한다.

＜은이온 확산 억제층 형성용 조성물＞

은이온 확산 억제층 형성용 조성물 (마이그레이션 억제층 형성용 조성물. 이후, 간단히 조성물이라고도 칭한다.) 은 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선 (이후, 간단히 금속 배선이라고도 칭한다) 상에 은의 이온 마이그레이션을 억제하는 은이온 확산 억제층 (마이그레이션 억제층) 을 형성하기 위한 조성물이다.

이하에, 조성물 중에 함유되는 성분에 대해 상세히 서술한다.

(절연 수지)

조성물에는, 절연 수지가 함유된다. 절연 수지가 금속 배선을 덮고, 또한, 금속 배선간에 배치됨으로써, 금속 배선간의 절연성이 담보된다.

사용되는 절연 수지로서는, 공지된 절연성의 수지를 사용할 수 있고, 은이온 확산 억제층의 층 형성이 보다 용이한 점에서, 경화성 절연 수지 (예를 들어, 열경화성 절연 수지 및 광 경화성 절연 수지) 를 사용하는 것이 바람직하다.

열경화성 절연 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 규소 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 시안산에스테르 수지, 이소시아네이트 수지, 또 이들의 변성 수지 등을 들 수 있다.

광 경화성 절연 수지로서는, 예를 들어, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르아크릴레이트 수지, 우레탄아크릴레이트 수지, 실리콘아크릴레이트 수지, 에폭시아크릴레이트 수지, 또는 이들의 변성 수지 등을 들 수 있다.

그 밖의 절연 수지로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 (EVA), 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체 (EEA), 폴리락트산, 불소 함유 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지 등의 열가소성 수지도 들 수 있다.

그 중에서도, 후술하는 화합물과의 상용성이 보다 우수한 점에서, 에폭시 수지, 아크릴 수지가 바람직하다.

또, 필요에 따라, 절연 수지를 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 부직포 등의 심재에 함침시켜 사용해도 된다. 구체적으로는, 유리천 에폭시 수지, 유리천 비스말레이미드트리아진 수지, 유리천 폴리페닐렌에테르 수지, 아라미드 부직포-에폭시 수지, 아라미드 부직포-폴리이미드 수지 등을 사용해도 된다.

또한, 절연 수지가 경화성 수지의 경우, 필요에 따라, 경화제, 경화 촉진제 등을 병용해도 된다.

또한, 절연 수지로서 2 종 이상의 절연 수지를 혼합하여 사용해도 된다.

조성물 중에 있어서의 절연 수지의 함유량은 특별히 제한되지 않고, 적절히 최적인 양이 선택된다. 예를 들어, 조성물이 용매를 함유하는 경우, 취급이 보다 용이하고, 은이온 확산 억제층의 막두께를 제어하기 쉬운 점에서, 절연 수지의 함유량은, 조성물 전체량에 대해, 15 ∼ 80 질량％ 가 바람직하고, 20 ∼ 75 질량％ 가 보다 바람직하다.

(화합물)

조성물에는, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와, 특정 관능기를 갖는 화합물 (이후, SH 기 함유 화합물이라고도 칭한다) 이 함유된다. 그 SH 기 함유 화합물은 주로 SH 기를 개재하여 금속 배선과 접촉하고, 금속 배선의 부식을 억제함과 함께, 은이온 확산 억제층 중에 분산되어 은의 이온 마이그레이션의 발생을 억제하는 역할을 완수한다.

SH 기 함유 화합물은 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조를 포함한다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조가 바람직하다.

또한, 일반적으로, 메르캅토기는 은과 공유 결합을 생성하는 반응성이 풍부한 것이 알려져 있다. 상기 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조 등을 포함하지 않고, SH 기를 포함하는 화합물 X 는, 그 SH 기 함유 화합물과 마찬가지로, SH 기를 개재하여 은이온과 염을 형성할 수 있다. 그러나, 그 화합물 X 와 은이온으로 형성되는 염이 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선과 직접 접촉하는 조성물 중에 있으면, 배선을 녹이는 등 금속 배선에 다대한 영향을 줄 우려가 있다. 한편, 상기 소정의 구조를 갖는 SH 기 함유 화합물의 경우, 그러한 금속 배선에 대한 영향이 억제됨과 함께, 은의 이온 마이그레이션의 억제 효과도 우수하다.

또한, 그 구조를 보다 구체적으로 예시하면, 각각 이하의 식 (X) ∼ (Z) 로 나타낼 수 있다.

[화학식 1]

SH 기 함유 화합물에는, 메르캅토기 (HS-) 가 함유된다. 메르캅토기는 은과 공유 결합을 생성하는 반응성이 풍부하다. 그 메르캅토기는 상기 트리아졸 구조 등의 구조에 결합한다.

SH 기 함유 화합물 중에 있어서의 메르캅토기의 양은 특별히 제한되지 않지만, 화합물의 절연 수지 중에서의 분산성이 보다 양호한 점에서, 화합물의 전체 분자량 중에 대해 메르캅토기의 원자량 총량이 차지하는 비율이 50 ％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 40 ％ 이하가 바람직하다.

또한, 메르캅토기는 1 개 뿐만 아니라, 복수 함유되어 있어도 된다.

SH 기 함유 화합물은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (이후, 간단히 탄화수소기라고도 칭한다) 를 1 개 이상 가지며, 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수를 합계한 것을 의미한다) 가 5 이상이다. 그 탄화수소기가 화합물 중에 함유됨으로써, 절연 수지와의 상용성이 보다 높아짐과 함께, 은의 이온 마이그레이션을 억제하는 효과도 보다 높아진다.

탄화수소기는 탄소 원자와 수소 원자를 함유하는 기이다. 그 탄화수소기는, 통상적으로, 상기 트리아졸 구조 등에 결합한다. 탄화수소기로서는, 보다 구체적으로는, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 들 수 있다.

각 탄화수소기 중의 탄소수는 특별히 제한되지 않고, 후술하는 합계 탄소수가 5 이상을 나타내면 특별히 제한되지 않지만, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 4 이상이 바람직하고, 6 이상이 보다 바람직하고, 8 이상이 특히 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 탄소수 62 이하가 바람직하고, 탄소수 30 이하가 보다 바람직하고, 24 이하가 더욱 바람직하다.

지방족 탄화수소기로서는, 탄소수 4 이상이 바람직하고, 탄소수 6 이상이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서 40 이하가 바람직하다. 지방족 탄화수소기로서는, 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 화합물의 절연 수지 중에 있어서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 직사슬형의 지방족 탄화수소 부분의 탄소 원자수가 18 이하, 또는, 제 3 급 또는 제 4 급의 탄소 원자를 함유하는 분기 사슬형인 것이 바람직하다.

방향족 탄화수소기로서는, 탄소수 6 이상이 바람직하고, 2 치환 이상의 방향족 탄화수소기가 보다 바람직하다.

상기 구조에 결합하는 모든 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수는 5 이상을 나타낸다. 탄소 원자의 합계수가 그 범위이면, 은의 이온 마이그레이션이 억제되어 금속 배선간의 절연 신뢰성이 향상된다. 또한, 그 효과가 보다 우수한 점에서, 합계수는 6 이상이 바람직하고, 8 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성이 보다 용이하고, 절연 수지에의 분산성이 보다 우수한 점에서, 합계수는 36 이하가 바람직하고, 24 이하가 보다 바람직하다.

또한, 화합물 중에 있어서, 탄화수소기의 수가 1 개인 경우에는, 그 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수가 5 이상이면 된다.

또, 화합물 중에 있어서, 복수의 탄화수소기가 함유되는 경우에는, 각 탄화수소기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계가 5 이상이면 된다. 보다 구체적으로는, 2 개의 탄화수소기 (탄화수소기 A, 탄화수소기 B) 가 화합물 중에 함유되는 경우, 탄화수소기 A 중의 탄소 원자의 수와 탄화수소기 B 중의 탄소 원자의 수의 합계가 5 이상이면 된다.

또한, 상기의 탄소 원자의 합계수는 이하의 식 (A) 로 나타낼 수도 있다.

요컨대, 그 화합물은 식 (A) 로 나타내는 합계 탄소수 T_C 가 5 이상이면 된다.

식 (A) 중, Ci 는 화합물 중에 함유되는 i 번째의 탄화수소기 중의 탄소수를 나타내고, i 는 1 ∼ m 의 정수를 나타낸다.

탄화수소기에는, 헤테로 원자가 함유되어 있어도 된다. 요컨대, 헤테로 원자 함유 탄화수소기이어도 된다. 함유되는 헤테로 원자의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 할로겐 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, 텔루르 원자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 우수한 점에서, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 할로겐 원자, 또는 이들을 조합한 기의 양태로 함유되는 것이 바람직하다.

X₁ ∼ X₄ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택된다. 그 중에서도, 취급이 보다 간편한 점에서, 산소 원자, 황 원자가 바람직하다.

상기 R_a, R_b, R_c 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기에서 선택된다.

n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.

헤테로 원자가 탄화수소기 중에 함유되는 경우, 헤테로 원자는 탄화수소기의 사슬 중에 존재하는 것이거나, 단부 (말단부) 에 존재하는 것이어도 된다. 또한, 헤테로 원자가 탄화수소기 중의 단부에 존재하는 경우, 그 헤테로 원자를 통해서 상기 서술한 트리아졸 구조 등에 직접 결합하는 형태로, 탄화수소기가 트리아졸 구조 등에 결합하고 있어도 된다. 요컨대, 탄화수소기 중에 있어서, 헤테로 원자가 트리아졸 구조 등과의 결합 위치에 배치되어 있어도 된다.

헤테로 원자가 탄화수소기의 결합 위치에 존재하는 경우의 탄화수소기의 구체예로서는, 예를 들어, -O-R_p, -S-R_q, -SO_n-R_r 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 안정적으로 우수한 이유에서, -S-R_q 가 바람직하다.

여기서, R_p, R_q, R_r 은 각각 독립적으로 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기이다. 그 중에서도, -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 5 ∼ 20 의 탄화수소기인 것이 바람직하다.

또한, 헤테로 원자가 탄화수소기 중에 함유되는 경우, 메르캅토기 (-SH) 의 양태로 함유되어 있어도 된다.

탄화수소기의 하나의 바람직한 양태로서는, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다.

탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 경우, SH 기 함유 화합물의 절연 수지 중에서의 분산성이 보다 우수하고, 및/또는, 후술하는 용매 (예를 들어, 아세트산에틸, 톨루엔, 메틸에틸케톤 등) 에 대한 용해성이 보다 우수하다. 결과적으로, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 균질하게 발현되고, 또, 은의 이온 마이그레이션을 유발하는 미결정이나 미결정 유래의 기포가 보다 생기기 어려워진다.

탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 경우, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자가 부제 탄소 원자이며, SH 기 함유 화합물이 에난티오머의 혼합물인 것이 바람직하다.

또, 탄화수소기는 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 복수 함유하는 탄화수소기인 것이 바람직하다. 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 복수 함유하는 경우, SH 기 함유 화합물의 분산성이 보다 우수한 이유에서, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자가 부제 탄소 원자이며, SH 기 함유 화합물이 디아스테레오머의 혼합물인 것이 바람직하다.

제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 6 ∼ 20 인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위이면, SH 기 함유 화합물의 분산성이 보다 우수하고, 그 결과, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 균질하게 발현된다. 또, 상기 범위이면, SH 기 함유 화합물 중의 메르캅토기의 양의 점에서, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수하다.

제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기의 구체예로서는, 예를 들어, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 탄화수소기 등을 들 수 있다.

탄화수소기 (바람직하게는, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 포함한다) 의 구체예로서는, 예를 들어, 이하의 기를 포함하는 양태를 들 수 있다. 여기서 검은 원은 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[화학식 5]

탄화수소기의 다른 바람직한 양태로서는, 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다.

탄화수소기가 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 경우, 상기 서술한 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 경우와 마찬가지로, SH 기 함유 화합물의 절연 수지 중에서의 분산성이 보다 우수하고 및/또는, 후술하는 용매 (예를 들어, 아세트산에틸, 톨루엔, 메틸에틸케톤 등) 에 대한 용해성이 보다 우수하다. 결과적으로, 은의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 균질하게 발현되고, 또, 은의 이온 마이그레이션을 유발하는 미결정이나 미결정 유래의 기포가 보다 생기기 어려워진다. 탄화수소기가 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 기를 함유하고 있어도 된다.

[화학식 6]

상기 식 (B-1) ∼ (B-7) 중, X_a 는 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 원자이다. 그 중에서도, 취급이 보다 간편한 점에서, 산소 원자, 황 원자가 바람직하다. 복수 있는 X_a 는 동일하거나 상이해도 된다. X_b 는 산소 원자 또는 황 원자이다. 복수 있는 X_b 는 동일하거나 상이해도 된다. * 는 결합 위치를 나타낸다.

* 에 탄소수 1 ∼ 30 의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기가 결합되어 있어도 된다.

상기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기는, 상기 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.

탄화수소기가 상기 식 (B-1) 또는 (B-2) 로 나타내는 기를 포함하는 양태의 구체예로서는, 예를 들어, 이하의 기를 포함하는 양태를 들 수 있다. 여기서 검은 원은 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 7]

[화학식 8]

탄화수소기가 상기 식 (B-3) ∼ (B-7) 로 나타내는 기 중 어느 것을 포함하는 양태의 구체예로서는, 예를 들어, 이하의 기를 포함하는 양태를 들 수 있다. 여기서 검은 원은 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 9]

SH 기 함유 화합물의 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 절연 수지와의 상용성이 보다 우수한 점에서, 50 ∼ 1000 이 바람직하고, 100 ∼ 600 이 보다 바람직하다.

(바람직한 양태)

SH 기 함유 화합물의 바람직한 양태로서는, 이하의 식 (1) ∼ 식 (3) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 그 화합물이면, 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수하다. 특히, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 식 (1) 또는 식 (2) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.

[화학식 10]

식 (1) 중, R₁ 및 R₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 중 적어도 일방은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.

R₁ 및 R₂ 의 바람직한 양태로서는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 또는 할로겐 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 그들의 조합) 를 들 수 있다. X₁ ∼ X₄, R_a ∼ R_c, n 의 정의는 상기 서술한 바와 같다. 그 중에서도, SH 기 함유 화합물의 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 아릴기, 또는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, 또는 -C(=X₃)X₄- 를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 들 수 있고, R₁ 및 R₂ 중 적어도 어느 일방이 지방족 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다.

또한, 탄화수소기 (지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기) 의 바람직한 양태는 상기 서술한 바와 같고, 헤테로 원자의 종류도 상기 서술한 바와 같다.

R₁ 및 R₂ 의 다른 바람직한 양태로서는, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다. 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기의 구체예는 상기 서술한 바와 같다.

R₁ 및 R₂ 의 다른 바람직한 양태로서는, 상기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 기를 함유하는 탄화수소기의 구체예는 상기 서술한 바와 같다.

식 (1) 에 있어서, R₁ 및 R₂ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다. 바꾸어 말하면, R₁ 중의 탄소 원자의 수와, R₂ 중의 탄소 원자의 수의 합계수 (합계 탄소수) 가 5 이상이면 된다. 또한, 합계수의 바람직한 양태는 상기 서술한 바와 같다.

식 (2) 중, R₃ 은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₃ 중에 함유되는 탄소 원자의 수는 5 이상이다.

그 탄화수소기의 정의는 상기 서술한 바와 같다. 또한, 식 (2) 중에 있어서, 그 탄화수소기의 바람직한 양태로서는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 또는 할로겐 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 그들의 조합) 를 들 수 있고, 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 효과가 보다 향상되는 점에서, -X₁-, -N(R_a)- 를 갖는 탄화수소기 (특히, 지방족 탄화수소기) 가 바람직하다. 또한, 이온 마이그레이션 억제 효과가 보다 향상되는 점에서, 그 탄화수소기가 -X₁-R_q 인 것이 보다 바람직하고, -S-R_q 인 것이 더욱 바람직하다.

그 탄화수소기의 다른 바람직한 양태로서는, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다. 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기의 구체예는 상기 서술한 바와 같다.

그 탄화수소기의 다른 바람직한 양태로서는, 상기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 기를 함유하는 탄화수소기의 구체예는 상기 서술한 바와 같다.

식 (3) 중, R₄ ∼ R₇ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 중 적어도 하나는 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.

그 탄화수소기의 정의는 상기 서술한 바와 같다. 또한, 식 (3) 중에 있어서의, 그 탄화수소기의 바람직한 양태로서는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 또는 할로겐 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 그들의 조합) 를 들 수 있고, 이하의 식 (4) 로 나타내는 기가 보다 바람직하다. 그 기이면, SH 기 함유 화합물의 절연 수지 중에 있어서의 분산성이 보다 우수하고, 이온 마이그레이션 억제 효과가 보다 향상된다.

*-L₁-R₈ 식 (4)

식 (4) 중, L₁ 은 단결합, -O-, -NR₁₁-, -CO-, -C(R₉)(R₁₀)- 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. R₉ ∼ R₁₁ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 지방족 탄화수소기를 나타낸다.

R₈ 은 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. 지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기의 바람직한 양태는 상기 서술한 바와 같다.

또한, 식 (4) 중, * 는 결합 위치를 나타낸다.

그 탄화수소기의 다른 바람직한 양태로서는, 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다. 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기의 구체예는 상기 서술한 바와 같다.

그 탄화수소기의 다른 바람직한 양태로서는, 상기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 기를 함유하는 탄화수소기의 구체예는 상기 서술한 바와 같다.

식 (3) 에 있어서, R₄ ∼ R₇ 중 적어도 하나는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. 그 중에서도, 마이그레이션 억제 효과가 보다 우수한 점에서, R₄ ∼ R₇ 중 1 ∼ 2 개가 그 탄화수소기인 것이 바람직하고, 1 개인 것이 보다 바람직하다.

또, R₄ ∼ R₇ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다. 바꾸어 말하면, R₄ 중의 탄소 원자의 수와, R₅ 중의 탄소 원자의 수와, R₆ 중의 탄소 원자의 수와, R₇ 중의 탄소 원자의 수의 합계수 (합계 탄소수) 가 5 이상이면 된다. 또한, 합계수의 바람직한 양태는 상기 서술한 바와 같다.

본 발명에서 사용되는 SH 기 함유 화합물의 제조 방법은 특별히 한정은 없고, 여러 가지의 방법에 의해 제조할 수 있다.

상기 식 (1) 로 나타내는 화합물은 일본 특허 소46-19039호, 일본 공개특허 평9-319022호의 명세서에 기재된 합성법을, 식 (2) 로 나타내는 화합물은 미국 특허 제3212892호의 명세서에 기재된 합성법을, 식 (3) 으로 나타내는 화합물은 유럽 특허 제742210호의 명세서에 기재된 합성법을 사용할 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.

조성물 중에 있어서의 상기 절연 수지와 상기 화합물의 질량 관계는 특별히 제한되지 않지만, 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 화합물의 질량 A 와 절연 수지의 질량 B 의 질량비 (A/B) 는 0.20 이하가 바람직하고, 0.10 이하가 보다 바람직하다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 소량의 조성물로 소정의 효과가 얻어지는 점에서, 0.0001 이상이 바람직하고, 0.0005 이상이 바람직하다.

(임의 성분)

조성물에는, 필요에 따라 용매가 함유된다. 조성물 중에 용매가 함유됨으로써, 조성물의 취급성이 향상되고, 절연 기판 상에 원하는 막두께의 은이온 확산 억제층을 형성하기 쉬워진다.

사용되는 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 물 또는 유기 용매를 들 수 있다.

또한, 사용되는 유기 용매로서는, 예를 들어, 알코올계 용매 (예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, sec-부탄올, 카르비톨, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르), 케톤계 용매 (예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논), 방향족 탄화수소 용매 (예를 들어, 톨루엔, 자일렌), 아미드계 용매 (예를 들어, 포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸프로필렌우레아), 니트릴계 용매 (예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴), 에스테르계 용매 (예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산에틸), 카보네이트계 용매 (예를 들어, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트), 에테르계 용매, 할로겐계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.

조성물 중에 용매가 함유되는 경우, 그 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 조성물 전체량에 대해, 20 ∼ 80 질량％ 가 바람직하고, 25 ∼ 75 질량％ 가 보다 바람직하다.

은이온 확산 억제층의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 조성물에는 은이온이 실질적으로 함유되지 않은 것이 바람직하다. 과잉량의 은이온이 함유되어 있으면, 은이온 확산 억제층 중에 은이온이 다량으로 함유되게 되어, 은의 이온 마이그레이션을 억제하는 효과가 희박해지는 경우가 있다.

또한, 은이온이 실질적으로 함유되지 않는다란, 조성물 중에 있어서의 은이온의 함유량이 1 μmol/ℓ 이하인 것을 가리키고, 0.1 μmol/ℓ 이하인 것이 보다 바람직하다. 가장 바람직하게는 0 mol/ℓ 이다.

조성물 중에는 절연 수지의 안정성을 유지하는 목적으로 필요에 따라, 공지된 산화 방지제 등의 안정화를 위한 첨가제가 함유되어 있어도 된다.

＜은이온 확산 억제층용 필름＞

본 발명의 은이온 확산 억제층용 필름 (이후, 간단히 필름이라고도 칭한다) 은 상기 서술한 절연 수지와 SH 기 함유 화합물을 함유하는 수지 필름이다. 그 필름은, 후술하는 바와 같이 금속 배선이 형성된 기판 상에 직접 적층함으로써, 은이온 확산 억제층으로서 기능한다.

사용되는 절연 수지 및 SH 기 함유 화합물은 상기 서술한 바와 같다.

또, 필름 중에 함유되는 절연 수지와 SH 기 함유 화합물의 질량비는 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 조성물 중에 있어서의 절연 수지와 SH 기 함유 화합물의 질량비인 것이 바람직하다.

필름 중에는 절연 수지의 안정성을 유지하는 목적으로 필요에 따라, 공지된 산화 방지제 등의 안정화를 위한 첨가제가 함유되어 있어도 된다.

필름의 두께는 특별히 제한되지 않고, 취급성 및 금속 배선간의 절연성 담보의 점에서, 10 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 15 ∼ 500 ㎛ 가 보다 바람직하다.

필름의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 은이온 확산 억제층 형성용 조성물이 용매를 함유하는 액상체의 경우, 그 조성물을 기판 상에 도포하여 용매를 제거하여 필름상으로 한 후, 그 필름을 기판으로부터 박리하여 제조할 수 있다. 또는, 상기 절연 수지와 SH 기 함유 화합물을 함유하는 혼합물을 직접 필름상으로 압출 성형하여, 제조해도 된다.

＜배선 기판 및 그 제조 방법＞

다음으로, 본 발명의 배선 기판 및 그 제조 방법에 대해 상세히 서술한다. 먼저, 배선 기판의 양태에 대해 상세히 서술한다.

배선 기판은 절연 기판과, 절연 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선과, 금속 배선 상에 배치되어, 금속 배선을 덮는 은이온 확산 억제층을 구비하고, 은이온 확산 억제층에 절연 수지 및 SH 기 함유 화합물이 함유된다.

보다 구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 배선 기판 (10) 은 절연 기판 (12) 및 절연 기판 (12) 상에 배치된 금속 배선 (14) 를 구비하는 금속 배선이 형성된 절연 기판 (16) 과, 금속 배선 (14) 를 덮는 은이온 확산 억제층 (18) 을 구비한다.

또한, 도 1 에서는, 금속 배선 (14) 가 1 층인 배선 구조를 예로 들었지만, 물론 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 복수의 금속 배선 (14a, 14b) 와 절연 기판 (12a, 12b) 를 교대로 적층한 금속 배선이 형성된 절연 기판 (16a) (다층 배선 기판) 를 사용함으로써, 다층 배선 구조의 배선 기판 (100) 으로 해도 된다.

이하, 각 부재에 관해서 상세히 서술한다.

［금속 배선이 형성된 절연 기판］

본 공정에서 사용되는 금속 배선이 형성된 절연 기판 (내층 기판) 은 절연 기판 및 절연 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선 (은 배선, 은합금 배선) 을 갖는다. 도 1 에 있어서는, 금속 배선 (14) 는 절연 기판 (12) 의 편면에만 형성되어 있지만, 양면에 형성되어 있어도 된다. 요컨대, 금속 배선이 형성된 절연 기판 (16) 은 편면 기판이거나, 양면 기판이어도 된다.

또한, 금속 배선 (14) 가 절연 기판 (12) 의 양면에 있는 경우, 은이온 확산 억제층 (18) 도 양면에 형성해도 된다.

절연 기판은 절연성이며, 금속 배선을 지지할 수 있는 것이면, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 유기 기판, 세라믹 기판, 유리 기판 등을 사용할 수 있다.

또, 절연 기판은 유기 기판, 세라믹 기판, 및 유리 기판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2 개의 기판이 적층된 구조이어도 된다.

유기 기판의 재료로서는 수지를 들 수 있고, 예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 또는 그들을 혼합한 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 예를 들어, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 푸란 수지, 케톤 수지, 자일렌 수지, 벤조시클로부텐 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 아라미드 수지, 액정 폴리머 등을 들 수 있다.

또한, 유기 기판의 재료로서는, 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 직포, 아라미드 부직포, 방향족 폴리아미드 직포나, 이들에 상기 수지를 함침시킨 재료 등도 사용할 수 있다.

금속 배선은 주로 은 또는 은합금으로 구성된다. 금속 배선이 은합금으로 구성되는 경우, 은 이외의 함유되는 금속으로서는, 예를 들어, 주석, 팔라듐, 금, 니켈, 크롬 등을 들 수 있다. 또한, 금속 배선 중에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 바인더 등의 수지 성분이나 감광성 화합물 등이 함유되어 있어도 되고, 또한 필요에 따라 그 밖의 성분이 함유되어 있어도 된다.

절연 기판 상에의 금속 배선의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 대표적으로는, 에칭 처리를 이용한 서브트랙티브법이나, 전해 도금을 이용한 세미 애디티브법이나, 은 페이스트 (예를 들어, 은나노 입자 또는 은나노 와이어 함유 페이스트) 를 사용하여 금속 배선을 제작하는 방법, 일본 공개특허 2009-188360호에 개시되는 감광 재료를 사용하는 방법, 진공 증착법, 스퍼터 막형성법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다.

또한, 은 페이스트는 소정의 입자직경의 은 입자를 수지 바인더 등의 적당한 용매에 분산시켜 얻어지는 도전성의 호상(糊狀) 물질 (페이스트) 이며, 시료의 부착이나 도전 처리 등에 사용되고 있다. 시판품으로서는, 예를 들어, 펠트론 K-3424LB (상품명, 펠녹스 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.

금속 배선의 폭은 특별히 제한되지 않지만, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.1 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 20 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

금속 배선간의 간격은 특별히 제한되지 않지만, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.1 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 20 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

또, 금속 배선의 패턴 형상은 특별히 제한되지 않고, 임의의 패턴이어도 된다. 예를 들어, 직선상, 곡선상, 직사각형상, 원형상 등을 들 수 있다.

금속 배선의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.05 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 25 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 20 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

또한, 금속 배선이 형성된 절연 기판은 절연 기판과 금속 배선을 적어도 갖는 적층 구조로, 가장 외층에 금속 배선이 배치되어 있으면 되고, 절연 기판과 금속 배선의 사이에 다른 층 (예를 들어, 금속 배선층 및 층간 절연층) 이 배치되어 있어도 된다.

또, 절연 기판 중에 스루홀이 형성되어 있어도 된다. 절연 기판의 양면에 금속 배선이 형성되는 경우에는, 그 스루홀 내에 금속 (예를 들어, 은 또는 은합금) 이 충전됨으로써, 양면의 금속 배선이 도통되어 있어도 된다.

［은이온 확산 억제층］

은이온 확산 억제층은 금속 배선이 형성된 절연 기판의 금속 배선측의 표면에 배치되어, 금속 배선 표면을 덮어, 금속 배선간의 은의 이온 마이그레이션을 억제하기 위한 층이다.

은이온 확산 억제층에는, 상기 서술한 절연 수지 및 SH 기 함유 화합물이 함유된다.

은이온 확산 억제층 중에 있어서의 SH 기 함유 화합물과 절연 수지의 질량비는 특별히 제한되지 않지만, 상기 서술한 필름 중의 SH 기 함유 화합물과 절연 수지의 질량비인 것이 바람직하다.

은이온 확산 억제층 중에는, 은이온 또는 금속 은이 실질적으로 함유되지 않은 것이 바람직하다. 은이온 확산 억제층에 과잉의 은이온 또는 금속 은이 함유되어 있으면, 은이온 마이그레이션 억제 효과가 저하되는 경우가 있다.

은이온 확산 억제층 중에는 절연 수지의 안정성을 유지하는 목적으로 필요에 따라, 공지된 산화 방지제 등의 안정화를 위한 첨가제가 함유되어 있어도 된다.

은이온 확산 억제층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 은이온 확산 억제층의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 5 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 10 ∼ 500 ㎛ 가 보다 바람직하다.

(배선 기판의 제조 방법)

배선 기판의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 상기 서술한 은이온 확산 억제층 형성용 조성물이 용매를 함유하는 액상체인 경우, 그 조성물을 금속 배선이 형성된 절연 기판 상에 도포하고, 용매를 제거하여, 은이온 확산 억제층을 형성하는 방법이 있다. 또, 상기 서술한 은이온 확산 억제층용 필름을 직접 금속 배선이 형성된 절연 기판 상에 적층하는 방법도 들 수 있다.

은이온 확산 억제층의 두께의 조정이 용이한 점에서, 상기 도포에 의한 방법이 바람직하다.

또한, 은이온 확산 억제층 형성용 조성물을 금속 배선이 형성된 절연 기판 상에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 디스펜스법, 스크린 인쇄법, 커튼 코트법, 바 코트법, 스핀 코터법, 잉크젯법, 딥 침지법 등, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 은이온 확산 억제층의 부착량의 제어가 보다 하기 쉬운 점에서, 디스펜스법, 스크린 인쇄법, 스핀 코터법, 잉크젯법이 바람직하다.

또, 절연 수지가 경화성 수지의 경우에는, 조성물을 도포한 후, 필요에 따라, 가열 처리 또는 노광 처리를 실시해도 된다.

가열 처리를 실시하는 경우에는, 그 가열 온도는 사용되는 열경화성 수지에 따라 적절히 최적인 온도가 선택되지만, 통상적으로, 100 ∼ 300 ℃ 가 바람직하고, 100 ∼ 250 ℃ 가 보다 바람직하다. 또, 가열 시간은, 생산성의 점에서, 0.2 ∼ 10 시간이 바람직하고, 0.5 ∼ 5 시간이 보다 바람직하다.

또한, 노광 처리를 실시하는 경우에는, 노광에 사용되는 광은 사용되는 광 경화성 수지에 따라 적절히 최적인 파장의 광이 선택된다. 예를 들어, 자외선, 가시광 등을 들 수 있다. 노광 시간은, 생산성의 점에서, 0.2 ∼ 10 시간이 바람직하고, 0.5 ∼ 5 시간이 보다 바람직하다.

＜절연층 형성 공정, 및, 절연층이 형성된 배선 기판＞

필요에 따라, 상기에서 얻어진 배선 기판의 은이온 확산 억제층측의 표면에 추가로 절연층을 형성해도 된다. 은이온 확산 억제층 상에 추가로 절연층을 형성함으로써, 그 절연층 상에 배선을 추가로 배선을 형성하여 다층 배선 기판으로 할 수 있다.

보다 구체적으로는, 절연층이 형성된 배선 기판 (200) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 은이온 확산 억제층 (18) 상에 절연층 (20) 이 배치되어 있다.

이하에서는, 사용되는 재료 (절연층) 에 대해 설명하고, 그 후 제조 방법의 순서에 대해 설명한다.

(절연층)

절연층의 재료로서는, 공지된 절연성의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아라미드 수지, 결정성 폴리올레핀 수지, 비정성 폴리올레핀 수지, 불소 함유 수지 (폴리테트라플루오로에틸렌, 전체불소화 폴리이미드, 전체불소화 아모르퍼스 수지 등), 폴리이미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 아크릴레이트 수지 등 들 수 있다.

또, 절연층으로서, 이른바 광학용 투명 점착 시트 (OCA) 를 사용해도 된다. OCA 는 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 3M (주) 제조 8171CL 시리즈, 8146 시리즈 등을 들 수 있다.

또, 절연층으로서, 이른바 솔더 레지스트층을 사용해도 된다. 솔더 레지스트는 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 타이요 잉크 제조 (주) 제조 PFR800, PSR4000 (상품명), 히타치 화성공업 (주) 제조 SR7200G 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 절연층은 에폭시기 또는 (메트)아크릴레이트기를 갖는 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 그 수지는 상기 서술한 은이온 확산 억제층과 결합하기 쉽고, 결과적으로 절연층의 밀착성이 향상되고, 결과적으로 은의 마이그레이션 억제 효과가 보다 향상된다.

그 수지는 절연층의 주성분인 것이 바람직하다. 주성분이란, 그 수지의 합계가 절연층 전체량에 대해, 50 질량％ 이상인 것을 의도하고, 60 질량％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상한으로서는, 100 질량％ 이다.

에폭시기를 갖는 수지로서는, 공지된 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.

(메트)아크릴레이트기를 갖는 수지로서는, 공지된 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 아크릴레이트 수지, 메타크릴레이트 수지 등을 사용할 수 있다.

(제조의 순서)

배선 기판 상에의 절연층의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 절연층의 필름을 직접 배선 기판 상에 라미네이트하는 방법이나, 절연층을 구성하는 성분을 함유하는 절연층 형성용 조성물을 배선 기판 상에 도포하는 방법이나, 배선 기판을 그 절연층 형성용 조성물에 침지하는 방법 등을 들 수 있다.

또한, 상기 절연층 형성용 조성물에는, 필요에 따라 용매가 함유되어 있어도 된다. 용매를 함유하는 절연층 형성용 조성물을 사용하는 경우에는, 그 조성물을 배선 기판 상에 배치한 후, 필요에 따라 용매를 제거하기 위해서 가열 처리를 실시해도 된다.

또, 절연층을 배선 기판 상에 형성한 후, 필요에 따라, 절연층에 대해 에너지 부여 (예를 들어, 노광 또는 가열 처리) 를 실시해도 된다.

형성되는 절연층의 층두께는 특별히 제한되지 않고, 금속 배선간의 절연 신뢰성의 관점에서는, 5 ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 10 ∼ 40 ㎛ 가 보다 바람직하다.

또, 얻어진 절연층이 형성된 배선 기판 중의 절연층을 드릴 가공이나 레이저 가공에 의해 일부 제거하고, 반도체 칩을 실장하여, 회로판으로서 사용해도 된다.

예를 들어, 절연층으로서 솔더 레지스트를 사용하는 경우에는, 소정의 패턴상의 마스크를 절연층 상에 배치하고, 에너지를 부여하여 경화시키고, 에너지 미부여 영역의 절연층을 제거하여 금속 배선을 노출시킨다. 다음으로, 노출된 금속 배선의 표면을 공지된 방법으로 세정 (예를 들어, 황산, 소프트 에칭제, 알칼리, 계면 활성제를 사용하여 세정) 한 후, 반도체 칩을 금속 배선 표면 상에 실장한다.

또, 얻어진 절연층 상에 추가로 금속 배선을 형성해도 된다. 금속 배선을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법 (도금 처리, 스퍼터링 처리 등) 을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 얻어진 절연층이 형성된 배선 기판 중의 가장 외층에 배치되는 절연층 상에 추가로 금속 배선을 형성한 기판을 새로운 금속 배선이 형성된 절연 기판 (내층 기판) 으로서 사용하고, 새롭게 절연층 및 금속 배선을 여러 층으로도 적층할 수 있다.

(용도)

본 발명의 배선 기판 및 절연층이 형성된 배선 기판은 여러 가지의 용도 및 구조에 대해 사용할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널용 패널 기판, 태양 전지 전극용 기판, 멤브레인 배선판, 터치 패널 전극용 기판 등을 들 수 있다.

또, 본 발명의 배선 기판 및 절연층이 형성된 배선 기판은 전자 기기에 포함되는 것이 바람직하다. 전자 기기란, 터치 패널 혹은 멤브레인 스위치나 그들을 탑재한 텔레비젼·모바일 통신 기기·퍼스널 컴퓨터·게임 기기·차재 표시 기기·네트 통신 기기, 조명·표시용 LED, 태양 전지 제어에 관한 전자 배선 기기, RFID 등의 무선 통신 디바이스, 혹은 반도체 배선 기판이나 유기 TFT 배선 기판으로 구동 제어된 기기류를 가리킨다.

＜도전막 적층체＞

다음으로, 본 발명의 도전막 적층체의 바람직한 양태에 대해, 도면을 참조하여 상세히 서술한다.

도 4 는 도전막 적층체의 하나의 실시 양태의 모식적 단면도를 나타내고, 도전막 적층체 (300) 은 투명 기판 (302) 와 투명 기판 (302) 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 도전막 (304) 와, 도전막 (304) 상에 첩합된 투명 양면 점착 시트 (306) 을 구비한다.

이하에, 각 부재 (투명 기판 (302), 도전막 (304), 투명 양면 점착 시트 (306)) 에 대해 상세히 서술한다.

＜투명 기판＞

투명 기판은 후술하는 도전막 및 투명 양면 점착 시트를 지지하고, 가시광에 대해 투명한 기판이면 특별히 그 종류는 제한되지 않는다.

투명 기판의 재료로서는, 예를 들어, 유리 외에, 고분자 수지가 사용된다. 고분자 수지로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 폴리아릴레이트, 고리형 폴리올레핀, 폴리이미드 등을 들 수 있다.

투명 기판의 형상은 특별히 제한되지 않고, 판상, 필름상 등을 들 수 있다.

투명 기판의 두께는 특별히 제한되지 않고, 도전막 적층체를 터치 패널에 응용하는 경우, 두께는 0.01 ∼ 3.0 mm 인 것이 바람직하고, 0.05 ∼ 1.5 mm 인 것이 보다 바람직하다.

투명 기판은 가시광역에 있어서 높은 투명성을 가지고 있는 것이 바람직하고, 전체 광선 투과율이 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.

또한, 투명 기판은 하도층 등의 그 밖의 기능층을 가지고 있어도 된다. 그 밖의 기능층으로서는, 예를 들어, 매트제층, 보호층, 내용제층, 대전 방지층, 평활화층, 밀착 개량층, 차광층, 반사 방지층, 하드 코트층, 응력 완화층, 방담층, 방오층, 피인쇄층, 접착 용이층 등을 들 수 있다. 이들은 단층이어도 되고, 복수를 적층해도 된다.

＜도전막＞

도전막은 상기 투명 기판 상에 배치되고, 주로 은 또는 은합금으로 구성된다. 그 도전막은, 터치 패널 용도로 응용할 때는, 터치 패널의 투명 전극 또는 주변 배선으로서 이용할 수 있다. 또한, 도전막 중에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 바인더 등의 수지 성분이나 감광성 화합물 등이 함유되어 있어도 되고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 성분이 함유되어 있어도 된다.

도전막이 은합금으로 구성되는 경우, 은 이외의 함유되는 금속으로서는, 예를 들어, 주석, 팔라듐, 금, 니켈, 크롬 등을 들 수 있다.

도전막의 패턴 형상은 특별히 제한되지 않고, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 투명 기판 표면 상의 일부에 형성되어 있어도 되고, 또는, 전체면에 형성되어 있어도 된다.

도전막의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 도전막 적층체의 터치 패널에 대한 응용의 점에서는, 0.05 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 20 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 10 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

도전막을 터치 패널의 투명 전극으로서 적용할 때에는, 가시광역에 있어서 높은 투명성을 가지고 있는 것이 바람직하고, 전체 광선 투과율이 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.

도전막의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고, 증착법, 스퍼터링법 등의 물리적 막형성법, 또는 CVD 법 등의 화학적 기상법, 은나노 입자나 은나노 와이어를 함유한 은 페이스트를 도포하여 형성하는 방법, 일본 공개특허 2009-188360호에 개시되는 은염을 이용한 방법 등을 들 수 있다.

또한, 도전막을 터치 패널 등의 투명 전극으로서 적용할 때에는, 도전막은 은 또는 은합금으로 이루어지는 금속 나노 와이어 (이후, 간단히 금속 나노 와이어라고도 칭한다) 를 함유하는 것이 바람직하다. 이 금속 나노 와이어를 사용함으로써, 저온에서 도전막을 막형성할 수 있고, 고투과율로 저저항인 투명 전극을 제공할 수 있다.

＜금속 나노 와이어＞

금속 나노 와이어는 은 또는 은합금으로 구성된다. 은합금의 종류는 상기 서술한 바와 같다.

금속 나노 와이어란, 도전성을 가지며, 또한 장축 방향 길이가 직경 (단축 방향 길이) 에 비해 충분히 긴 형상을 가지는 것을 말한다. 중실 섬유이거나, 중공 섬유이어도 된다.

금속 나노 와이어의 재료는, 도전성이 우수한 점에서, 은, 또는, 은과 다른 금속과의 합금이 특히 바람직하다.

은과의 합금으로 사용하는 다른 금속으로서는, 백금, 오스뮴, 팔라듐, 이리듐, 주석, 비스무트, 니켈 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

금속 나노 와이어의 평균 단축 길이 (「평균 단축 직경」, 「평균 직경」 이라고 칭하는 경우가 있다) 로서는, 5 ∼ 50 nm 이며, 5 ∼ 25 nm 가 보다 바람직하고, 또한 5 ∼ 20 nm 가 특히 바람직하다.

평균 단축 길이가 5 nm 미만이면, 내산화성이 악화되고, 내구성이 나빠지는 경우가 있다. 한편, 평균 단축 길이가 50 nm 초과이면, 금속 나노 와이어의 산란이 커지고, 도전막의 헤이즈값이 커지는 경우가 있다. 특히, 평균 단축 길이를 25 nm 이하로 하는 것으로부터, 금속 나노 와이어의 산란은 저감할 수 있고, 도전막의 헤이즈값은 대폭 개량 (저감) 된다. 헤이즈가 작은 도전막을 사용한 터치 패널은 도전막의 패턴 보임 (골 보임) 을 해소할 수 있고, 터치 패널의 시인성이 향상된다.

금속 나노 와이어의 평균 단축 길이는, 투과형 전자 현미경 (TEM ； 닛폰 전자 주식회사 제조, JEM-2000FX) 을 사용하여, 300 개의 금속 나노 와이어를 관찰하고, 그 평균값으로부터 금속 나노 와이어의 평균 단축 길이를 구한다. 또한, 금속 나노 와이어의 단면이 원형이 아닌 경우의 단축 길이는 가장 긴 것을 단축 길이로 한다.

금속 나노 와이어의 평균 장축 길이 (「평균 길이」 라고 칭하는 경우가 있다) 로서는, 5 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 40 ㎛ 가 보다 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 30 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

평균 장축 길이가 5 ㎛ 미만이면, 조밀한 네트워크를 형성하는 것이 어려워, 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있고, 40 ㎛ 를 초과하면, 금속 나노 와이어가 너무 길어 제조시에 얽혀, 제조 과정에서 응집물이 생겨 버리는 경우가 있다.

금속 나노 와이어의 평균 장축 길이는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경 (TEM ； 닛폰 전자 주식회사 제조, JEM-2000FX) 을 사용하여, 300 개의 금속 나노 와이어를 관찰하고, 그 평균값으로부터 금속 나노 와이어의 평균 장축 길이를 구한다. 또한, 금속 나노 와이어가 구부러져 있는 경우, 그것을 호로 하는 원을 고려하여, 그 반경, 및, 곡률로부터 산출되는 값을 장축 길이로 한다.

금속 나노 와이어의 제조 방법은 특별히 제한은 없고, 어떠한 방법으로 제작해도 되지만, 할로겐 화합물과 분산제를 용해한 용매 중에서 금속 이온을 환원함으로써 제조하는 것이 바람직하다. 또, 금속 나노 와이어를 형성한 후는, 통상적인 방법에 의해 탈염 처리를 실시하는 것이 분산성, 도전막의 시간 경과적 안정성의 관점에서 바람직하다.

또, 금속 나노 와이어의 제조 방법으로서는, 일본 공개특허공보 2009-215594호, 일본 공개특허공보 2009-242880호, 일본 공개특허공보 2009-299162호, 일본 공개특허공보 2010-84173호, 일본 공개특허공보 2010-86714호, 일본 공표특허공보 2009-505358호 등에 기재된 방법을 사용할 수 있다.

금속 나노 와이어의 어스펙트비로서는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 10 이상이면 특별히 제한 없고, 50 이상이 보다 바람직하고, 100 이상이 더욱 바람직하고, 5000 이상이 더욱 바람직하고, 10,000 내지 100,000 이 특히 바람직하다. 어스펙트비란, 일반적으로는 섬유상의 물질의 장변과 단변의 비 (평균 장축 길이/평균 단축 길이의 비) 를 의미한다.

어스펙트비의 측정 방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 전자 현미경 등에 의해 측정하는 방법 등을 들 수 있다.

금속 나노 와이어의 어스펙트비를 전자 현미경으로 측정하는 경우, 전자 현미경의 1 시야에서 확인할 수 있으면 된다. 또, 금속 나노 와이어의 평균 장축 길이와 평균 단축 길이를 각각 따로 측정함으로써, 금속 나노 와이어 전체의 어스펙트비를 추정할 수 있다.

또한, 금속 나노 와이어가 튜브상의 경우에는, 어스펙트비를 산출하기 위한 직경으로서는, 그 튜브의 외경을 사용한다.

＜은 또는 은합금으로 이루어지는 금속 나노 와이어를 함유하는 도전막＞

은 또는 은합금으로 이루어지는 금속 나노 와이어를 함유하는 도전막의 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 상기 금속 나노 와이어와 함께, 매트릭스 성분으로서, (1) 바인더 및 광 중합성 조성물을 적어도 함유하는 감광성 조성물, (2) 졸 겔 경화물, 또는 (3) 고분자를 적어도 함유하는 조성물을 적어도 함유하는 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 매트릭스 성분 (도전막에 함유되는 금속 나노 와이어 및 용제를 제거한 모든 성분) 의 질량과, 금속 나노 와이어의 질량의 질량비는 0.5 ∼ 15 (보다 바람직하게는 1.0 ∼ 12, 특히 바람직하게는 2.0 ∼ 10) 인 것이 바람직하다. 질량비가 0.5 미만이면, 바인더 성분이 적고, 금속 나노 와이어의 기판 표면에 대한 밀착성이 약하고, 막 강도가 약해지는 경우가 있고, 질량비가 15 를 초과하면, 도전막의 표면 저항값이 상승해 버리는 경우가 있다.

이하에, 매트릭스 성분으로서 사용되는 재료에 대해 상세히 서술한다.

(바인더)

바인더로서는, 선상 유기 고분자 중합체로서, 분자 (바람직하게는, 아크릴계 공중합체, 스티렌계 공중합체를 주사슬로 하는 분자) 중에 적어도 1 개의 알칼리 가용성을 촉진하는 기 (예를 들어 카르복실기, 인산기, 술폰산기 등) 를 갖는 알칼리 가용성 수지 중에서 적절히 선택할 수 있다.

이들 중에서도, 유기 용제에 가용이고 알칼리 수용액에 가용인 것이 바람직하고, 또, 산해리성기를 가지며, 산의 작용에 의해 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용이 되는 것이 특히 바람직하다.

여기서, 산해리성기란, 산의 존재하에서 해리되는 것이 가능한 관능기를 나타낸다.

바인더의 제조에는, 예를 들어, 공지된 라디칼 중합법에 의한 방법을 적용할 수 있다. 라디칼 중합법으로 알칼리 가용성 수지를 제조할 때의 온도, 압력, 라디칼 개시제의 종류 및 그 양, 용매의 종류 등의 중합 조건은 당업자에게 있어서 용이하게 설정 가능하고, 실험적으로 조건을 정할 수 있다.

선상 유기 고분자 중합체로서는, 측사슬에 카르복실산을 갖는 폴리머가 바람직하다.

측사슬에 카르복실산을 갖는 폴리머로서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 소59-44615호, 일본 특허공보 소54-34327호, 일본 특허공보 소58-12577호, 일본 특허공보 소54-25957호, 일본 공개특허공보 소59-53836호, 일본 공개특허공보 소59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은, 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화말레산 공중합체, 측사슬에 카르복실산을 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산무수물을 부가시킨 것 등이 있고, 또한 측사슬에 (메트)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.

이들 중에서도, 벤질(메트)아크릴레이트/(메트)아크릴산 공중합체, 벤질(메트)아크릴레이트/(메트)아크릴산/다른 모노머로 이루어지는 다원 공중합체가 특히 바람직하다.

또한, 측사슬에 (메트)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체나 (메트)아크릴산/글리시딜(메트)아크릴레이트/다른 모노머로 이루어지는 다원 공중합체도 유용한 것으로서 들 수 있다. 그 폴리머는 임의의 양으로 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 이외에도, 선상 유기 고분자 중합체로서는, 일본 공개특허공보 평7-140654호에 기재된, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.

알칼리 가용성 수지에 있어서의 구체적인 구성 단위로서는, (메트)아크릴산과, 그 (메트)아크릴산과 공중합 가능한 다른 단량체가 바람직하다.

(메트)아크릴산과 공중합 가능한 다른 단량체로서는, 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트, 아릴(메트)아크릴레이트, 비닐 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 알킬기 및 아릴기의 수소 원자는 치환기로 치환되어 있어도 된다.

알킬(메트)아크릴레이트 또는 아릴(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 톨릴(메트)아크릴레이트, 나프틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴메타크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트매크로모노머 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

비닐 화합물로서는, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 아크릴로니트릴, 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈, 폴리스티렌매크로모노머, CH₂=CR⁸R⁹〔단, R⁸ 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R⁹ 는 탄소수 6 ∼ 10 의 방향족 탄화수소 고리를 나타낸다.〕등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

바인더의 중량 평균 분자량은, 알칼리 용해 속도, 막 물성 등의 점에서, 1,000 ∼ 500,000 이 바람직하고, 3,000 ∼ 300,000 이 보다 바람직하고, 5,000 ∼ 200,000 이 더욱 바람직하다.

여기서, 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법에 의해 측정하여, 표준 폴리스티렌 검량선을 사용하여 구할 수 있다.

바인더의 함유량은 전술한 금속 나노 와이어를 포함하는 광 중합성 조성물의 고형분의 총 질량을 기준으로서 5 ∼ 90 질량％ 가 바람직하고, 10 ∼ 85 질량％ 가 보다 바람직하고, 20 ∼ 80 질량％ 가 더욱 바람직하다. 상기 범위이면, 현상성과 금속 나노 와이어의 도전성의 양립이 도모된다.

(광 중합성 조성물)

광 중합성 조성물은 노광에 의해 화상을 형성하는 기능을 도전막에 부여하거나, 또는 그 계기를 주는 조성물을 의미한다. (a) 부가 중합성 불포화 화합물과, (b) 광에 조사되면 라디칼을 발생하는 광 중합 개시제를 기본 성분으로서 함유한다.

［(a) 부가 중합성 불포화 화합물］

성분 (a) 의 부가 중합성 불포화 화합물 (이하, 「중합성 화합물」 이라고도 한다.) 은 라디칼의 존재하에서 부가 중합 반응을 일으켜 고분자화되는 화합물이며, 통상적으로, 분자 말단에 적어도 하나의, 보다 바람직하게는 2 개 이상의, 더욱 바람직하게는 4 개 이상의, 보다 더 바람직하게는 6 개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물이 사용된다.

이들은, 예를 들어, 모노머, 프레폴리머, 즉 2 량체, 3 량체 혹은 올리고머, 또는 그들의 혼합물 등의 화학적 형태를 가진다.

이와 같은 중합성 화합물로서는, 여러 가지의 것이 알려져 있고, 그들은 성분 (a) 로서 사용할 수 있다.

이 중, 특히 바람직한 중합성 화합물로서는, 막 강도의 관점에서, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.

성분 (a) 의 함유량은 전술한 금속 나노 와이어를 포함하는 광 중합성 조성물의 고형분의 총 질량을 기준으로서 2.6 ∼ 37.5 질량％ 인 것이 바람직하고, 5.0 ∼ 20.0 질량％ 인 것이 보다 바람직하다.

［(b) 광 중합 개시제］

성분 (b) 의 광 중합 개시제는 광에 조사되면 라디칼을 발생하는 화합물이다. 이러한 광 중합 개시제에는, 광 조사에 의해, 최종적으로는 산이 되는 산 라디칼을 발생하는 화합물, 또는, 그 밖의 라디칼을 발생하는 화합물 등을 들 수 있다. 이하, 전자를 「광산 발생제」 라고 부르고, 후자를 「광 라디칼 발생제」 라고 부른다.

-광산 발생제-

광산 발생제로서는, 광 카티온 중합의 광 개시제, 광 라디칼 중합의 광 개시제, 색소류의 광 소색제, 광 변색제, 혹은 마이크로 레지스트 등에 사용되고 있는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산 라디칼을 발생하는 공지된 화합물 및 그들의 혼합물을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.

이와 같은 광산 발생제로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 디- 또는 트리-할로메틸기를 적어도 하나 갖는 트리아진, 1,3,4-옥사디아졸, 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-술포닐할라이드, 디아조늄염, 포스포늄염, 술포늄염, 요오드늄염, 이미드술포네이트, 옥심술포네이트, 디아조디술폰, 디술폰, o-니트로벤질술포네이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 술폰산을 발생하는 화합물인 이미드술포네이트, 옥심술포네이트, o-니트로벤질술포네이트가 특히 바람직하다.

또, 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산 라디칼을 발생하는 기 또는 화합물을 수지의 주사슬 또는 측사슬에 도입한 화합물, 예를 들어, 미국 특허 제3,849,137호 명세서, 독일 특허 제3914407호 명세서, 일본 공개특허 소63-26653호, 일본 공개특허 소55-164824호, 일본 공개특허 소62-69263호, 일본 공개특허 소63-146038호, 일본 공개특허 소63-163452호, 일본 공개특허 소62-153853호, 일본 공개특허 소63-146029호의 각 공보 등에 기재된 화합물을 사용할 수 있다.

또한, 미국 특허 제3,779,778호, 유럽 특허 제126,712호 등의 각 명세서에 기재된 화합물도 산 라디칼 발생제로서 사용할 수 있다.

상기 트리아진계 화합물로서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2011-018636호, 일본 공개특허공보 2011-254046호에 기재되어 있는 화합물을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 광산 발생제 중에서도 술폰산을 발생하는 화합물이 바람직하고, 하기와 같은 옥심술포네이트 화합물이 고감도인 관점에서 특히 바람직하다.

[화학식 11]

광산 발생제로서, 1,2-나프토퀴논디아지드기를 갖는 화합물을 사용하면 고감도로 현상성이 양호하다.

광산 발생제 중에서 하기의 화합물에서 D 가 독립적으로 수소 원자 또는 1,2-나프토퀴논디아지드기인 것이 고감도인 관점에서 바람직하다.

[화학식 12]

-광 라디칼 발생제-

광 라디칼 발생제는 광을 직접 흡수하거나 또는 광 증감되어, 분해 반응 또는 수소 빼기 반응을 일으켜, 라디칼을 발생하는 기능을 갖는 화합물이다. 광 라디칼 발생제로서는, 파장 300 nm ∼ 500 nm 의 영역에 흡수를 갖는 것이 바람직하다.

이와 같은 광 라디칼 발생제로서는, 다수의 화합물이 알려져 있고, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2008-268884호에 기재되어 있는 바와 같은 트리아진계 화합물, 카르보닐 화합물, 케탈 화합물, 벤조인 화합물, 아크리딘 화합물, 유기 과산화 화합물, 아조 화합물, 쿠마린 화합물, 아지드 화합물, 메탈로센 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 유기 붕산 화합물, 디술폰산 화합물, 옥심에스테르 화합물, 아실포스핀(옥사이드) 화합물을 들 수 있다. 이들은 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 이들 중에서도, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 옥심에스테르 화합물, 또는 아실포스핀(옥사이드) 화합물이 노광 감도의 관점에서 특히 바람직하다.

광 라디칼 발생제로서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2011-018636호, 일본 공개특허공보 2011-254046호에 기재되어 있는 광 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.

광 중합 개시제는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 되고, 그 함유량은 금속 나노 와이어를 포함하는 광 중합성 조성물의 고형분의 총 질량을 기준으로서 0.1 ∼ 50 질량％ 가 바람직하고, 0.5 ∼ 30 질량％ 가 보다 바람직하고, 1 ∼ 20 질량％ 가 더욱 바람직하다. 이와 같은 수치 범위에 있어서, 후술하는 도전성 영역과 비도전성 영역을 포함하는 패턴을 도전막에 형성하는 경우에, 양호한 감도와 패턴 형성성이 얻어진다.

상기 성분 이외의 그 밖의 첨가제로서는, 예를 들어, 연쇄 이동제, 가교제, 분산제, 용매, 계면 활성제, 산화 방지제, 황화 방지제, 금속 부식 방지제, 점도 조정제, 방부제 등의 각종 첨가제 등을 들 수 있다.

［연쇄 이동제］

연쇄 이동제는 광 중합성 조성물의 노광 감도 향상을 위해서 사용되는 것이다. 이와 같은 연쇄 이동제로서는, 예를 들어, N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르 등의 N,N-디알킬아미노벤조산알킬에스테르, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조이미다졸, N-페닐메르캅토벤조이미다졸, 1,3,5-트리스(3-메르캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온 등의 복소 고리를 갖는 메르캅토 화합물, 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토부틸레이트), 1,4-비스(3-메르캅토부티릴옥시)부탄 등의 지방족 다관능 메르캅토 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

연쇄 이동제의 함유량은 전술한 금속 나노 와이어를 포함하는 광 중합성 조성물의 고형분의 총 질량을 기준으로서 0.01 ∼ 15 질량％ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 10 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 5 질량％ 가 더욱 바람직하다.

［가교제］

가교제는 프리 라디칼, 산, 또는 열에 의해 화학 결합을 형성하고, 도전막을 경화시키는 화합물로, 예를 들어, 메틸올기, 알콕시메틸기, 아실옥시메틸기로부터 선택되는 적어도 1 개의 기로 치환된 멜라민계 화합물, 구아나민계 화합물, 글리콜우릴계 화합물, 우레아계 화합물, 페놀계 화합물 혹은 페놀의 에테르 화합물, 에폭시계 화합물, 옥세탄계 화합물, 티오에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물, 아지드계 화합물, 메타크릴로일기 혹은 아크릴로일기 등을 함유하는 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 막 물성, 내열성, 용제 내성의 점에서, 에폭시계 화합물, 옥세탄계 화합물, 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물이 특히 바람직하다.

또, 옥세탄 수지는 1 종 단독으로 또는 에폭시 수지와 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, 에폭시 수지와의 병용으로 사용한 경우에는, 반응성이 높고, 막 물성을 향상시키는 관점에서 바람직하다.

또한, 가교제로서 에틸렌성 불포화 이중 결합기를 갖는 화합물을 사용하는 경우, 당해 가교제도 중합성 화합물에 함유되고, 그 함유량은 본 발명에 있어서의 중합성 화합물의 함유량에 포함되는 것을 고려해야 한다.

가교제의 함유량은, 전술한 금속 나노 와이어를 포함하는 광 중합성 조성물의 고형분의 총 질량을 100 질량부로 했을 때, 1 ∼ 250 질량부가 바람직하고, 3 ∼ 200 질량부가 보다 바람직하다.

［분산제］

분산제는 광 중합성 조성물 중에 있어서의 전술한 금속 나노 와이어가 응집하는 것을 방지하면서 분산시키기 위해서 사용된다. 분산제로서는, 금속 나노 와이어를 분산시킬 수 있으면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적부 선택할 수 있다. 예를 들어, 안료 분산제로서 시판되고 있는 분산제를 이용할 수 있고, 특히 금속 나노 와이어에 흡착하는 성질을 가지는 고분자 분산제가 바람직하다. 이와 같은 고분자 분산제로서는, 예를 들어 폴리비닐피롤리돈, BYK 시리즈 (빅케미사 제조), 솔스퍼스 시리즈 (닛폰 루브리졸사 제조 등), 아지스퍼 시리즈 (아지노모토 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.

또한, 분산제로서 고분자 분산제를, 금속 나노 와이어의 제조에 사용한 것 이외를 추가로 따로 첨가하는 경우, 당해 고분자 분산제도, 또, 바인더에 함유되고, 그 함유량은 전술한 바인더의 함유량에 포함되는 것을 고려해야 한다.

분산제의 함유량으로서는, 바인더 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 50 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 40 질량부가 보다 바람직하고, 1 ∼ 30 질량부가 특히 바람직하다.

분산제의 함유량을 0.1 질량부 이상으로 함으로써, 분산액 중에서의 금속 나노 와이어의 응집이 효과적으로 억제되고, 50 질량부 이하로 함으로써, 도포 공정에 있어서 안정적인 액막이 형성되어, 도포 불균일의 발생이 억제되기 때문에 바람직하다.

［용매］

용매는 전술한 금속 나노 와이어와, 광 중합성 조성물을 함유하는 조성물을 기재 표면에 막상으로 형성하기 위한 도포액으로 하기 위해서 사용되는 성분이며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 락트산에틸, 3-메톡시부탄올, 물, 1-메톡시-2-프로판올, 이소프로필아세테이트, 락트산메틸, N-메틸피롤리돈 (NMP), γ-부티로락톤 (GBL), 프로필렌카보네이트 등을 들 수 있다. 이 용매는 전술한 금속 나노 와이어의 분산액의 용매의 적어도 일부가 겸해 있어도 된다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

이와 같은 용매를 함유하는 도포액의 고형분 농도는 0.1 ∼ 20 질량％ 의 범위로 함유시키는 것이 바람직하다.

［금속 부식 방지제］

금속 나노 와이어의 금속 부식 방지제를 함유시켜 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 금속 부식 방지제로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들어 티올류, 아졸류 등이 바람직하다.

금속 부식 방지제를 함유시킴으로써, 방청 효과를 발휘시킬 수 있고, 도전 재료의 시간 경과에 의한 도전성 및 투명성의 저하를 억제할 수 있다. 금속 부식 방지제는 감광성층 형성용 조성물 중에, 적합한 용매로 용해한 상태, 또는 분말로 첨가하거나, 도전막을 제작 후에, 이것을 금속 부식 방지제욕에 담금으로써 부여할 수 있다.

금속 부식 방지제를 첨가하는 경우에는, 금속 나노 와이어에 대해 0.5 ∼ 10 질량％ 함유시키는 것이 바람직하다.

그 외 매트릭스로서는, 전술한 금속 나노 와이어의 제조시에 사용된 분산제로서의 고분자 화합물을, 매트릭스를 구성하는 성분의 적어도 일부로서 사용하는 것이 가능하다.

투명 도전막의 형성에는, 금속 나노 와이어와 함께, 매트릭스 성분으로서 졸 겔 경화물을 적어도 함유하는 조성물을 사용할 수도 있다.

이하에, 졸 겔 경화물에 대해 상세히 서술한다.

＜졸 겔 경화물＞

상기 졸 겔 경화물은 Si, Ti, Zr 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택된 원소의 알콕사이드 화합물 (이하, 「특정 알콕사이드 화합물」 이라고도 한다.) 을 가수 분해 및 중축합하고, 또한 원하는 바에 따라 가열, 건조시켜 얻어지는 것이다.

〔특정 알콕사이드 화합물〕

특정 알콕사이드 화합물은 하기 일반식 (X) 로 나타내는 화합물인 것이 입수가 용이한 점에서 바람직하다.

M¹(OR¹⁰)_aR¹¹ _4-a (X)

(일반식 (X) 중, M¹ 은 Si, Ti 및 Zr 에서 선택되는 원소를 나타내고, R¹⁰, R¹¹ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, a 는 2 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.)

일반식 (X) 에 있어서의 R¹⁰ 및 R¹¹ 의 각 탄화수소기로서는, 바람직하게는 알킬기 또는 아릴기를 들 수 있다.

알킬기를 나타내는 경우의 탄소수는 바람직하게는 1 ∼ 18, 보다 바람직하게는 1 ∼ 8 이며, 보다 더 바람직하게는 1 ∼ 4 이다. 또, 아릴기를 나타내는 경우에는, 페닐기가 바람직하다.

알킬기 또는 아릴기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 도입 가능한 치환기로서는, 할로겐 원자, 아미노기, 알킬아미노기, 메르캅토기 등을 들 수 있다.

또한, 일반식 (X) 로 나타내는 화합물은 저분자 화합물이며, 분자량 1000 이하인 것이 바람직하다.

일반식 (X) 로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-064474호 등에 기재되어 있다.

본 발명에 있어서 졸 겔 경화물을 도전막의 매트릭스로서 사용하는 경우, 전술한 금속 나노 와이어에 대한 특정 알콕사이드 화합물의 비율, 즉, 특정 알콕사이드 화합물/금속 나노 와이어의 질량비가 0.25/1 ∼ 30/1 의 범위에서 사용되는 것이 바람직하다. 상기 질량비가 0.25/1 보다 작은 경우에는, 투명성이 열등함과 동시에, 내마모성, 내열성, 내습열성 및 내굴곡성 중 적어도 하나가 열등한 도전막이 되고, 한편, 상기 질량비가 30/1 보다 큰 경우에는, 도전성 및 내굴곡성이 열등한 도전막이 된다.

상기 질량비는, 보다 바람직하게는 0.5/1 ∼ 20/1 의 범위, 더욱 바람직하게는 1/1 ∼ 15/1, 가장 바람직하게는 2/1 ∼ 8/1 의 범위가 높은 도전성과 높은 투명성 (전체 광 투과율 및 헤이즈) 을 가짐과 함께, 내마모성, 내열성 및 내습열성이 우수하고, 또한 내굴곡성이 우수한 도전 재료를 안정적으로 얻을 수 있으므로, 바람직하다.

또, 도전막의 형성에는, 금속 나노 와이어와 함께, 매트릭스 성분으로서 고분자를 적어도 함유하는 조성물을 사용할 수도 있다.

이하에, 사용되는 고분자에 대해 상세히 서술한다.

고분자로서는 합성 고분자나 천연 고분자가 포함되고, 합성 고분자로서는, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아크릴, 폴리비닐론, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 메타크릴산 수지, 불소계 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 합성 고무나 이들의 라텍스 등을 들 수 있다. 천연 고분자로서는, 셀룰로오스계 수지나 천연 고무 등을 들 수 있다.

필요에 따라, 도전막 상에는 보호 코트재로 이루어지는 보호층을 형성해도 된다.

보호층을 형성하는 보호 코트재에 관해서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2011-167848호에 기재되는 것을 적응할 수 있다.

보호 코트재는 가교제, 중합 개시제, 안정제 (예를 들어, 산화 방지제 및 제품 수명 장기화를 위한 자외선 안정제, 및 보존 기간 개선을 위한 중합 방지제), 계면 활성제, 및 동일한 효과를 갖는 것을 포함해도 된다. 또, 보호 코트재는 금속 나노 와이어의 부식을 방지하는 부식 방지제를 추가로 포함해도 된다.

보호층을 형성하는 방법으로서는 공지된 웨트 코트 방법이면 특별히 제한은 없다. 구체적으로는, 스프레이 코트, 바 코트, 롤 코트, 다이 코트, 잉크젯 코트, 스크린 코트, 딥 코트 등을 들 수 있다.

보호층용 도료에 의해 투명 도전막을 함침하면서 보호층을 형성할 때, 도포, 건조 후의 보호층의 막두께는, 도포 전의 도전막에 대해 너무 얇으면 내찰과성, 내마모성, 내후성 등의 보호층으로서의 기능이 저하되고, 너무 두꺼우면 도체로서의 접촉 저항이 증가한다.

보호층용 도료의 도포는 도전막의 막두께가 50 ∼ 150 nm 의 범위로 형성되어 있을 때는, 도포, 건조 후의 막두께가 30 ∼ 150 nm 인 것이 바람직하고, 도전막의 막두께를 고려하여 표면 저항율, 헤이즈 등이 소정의 값을 실현할 수 있도록 조정할 수 있다. 그 중에서도, 40 ∼ 175 nm 가 보다 바람직하고, 50 ∼ 150 nm 가 특히 바람직하다. 보호층용 도료의 건조 후의 막두께는 투명 도전막의 막두께에 따라 다르기도 하지만, 30 nm 이상의 막두께이면 보호층에 의한 보호 기능이 보다 양호하게 작용하는 경향이 있고, 150 nm 이하의 막두께이면 보다 양호한 도전 성능을 확보할 수 있는 경향이 있다.

도전막은 용도에 따라, 원하는 형상으로 패터닝해도 된다.

도전막을 패터닝하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 도전막에 대해, 노광하여, 현상하는 것이다. 보다 구체적으로는, 패턴 노광하는 공정과 현상 공정을 포함하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 공정을 포함하여 이루어진다.

도전막의 매트릭스가 비감광성인 것인 경우에는, 하기의 (1) ∼ (2) 의 방법에 의해 패터닝되는 것이 바람직하다.

(1) 도전막 상에 포토레지스트층을 형성하고, 이 포토레지스트층에 원하는 패턴 노광 및 현상을 실시하고, 당해 패턴상의 레지스트를 형성한 후에 (에칭 마스크재), 도전막을 에칭 가능한 에칭액으로 처리하는 웨트 프로세스나, 또는 반응성 이온 에칭과 같은 드라이 프로세스에 의해, 레지스트로 보호되어 있지 않은 영역의 도전막을 에칭하여 단선 또는 소실시키는 패터닝 방법. 이 방법은 예를 들어 일본 공표특허공보 2010-507199호 (특히, 단락 0212 ∼ 0217) 에 기재되어 있다.

(2) 도전막 상의 원하는 영역에, 광 경화성 수지를 잉크젯 방식이나 스크린 인쇄 방식에 의해 패턴 상에 형성하고, 이 광 경화성 수지층에 원하는 노광을 실시하고, 당해 패턴상의 레지스트 (에칭 마스크재) 를 형성한 후에, 도전막을 에칭 가능한 에칭액 중에 침지하거나, 또는 에칭액을 샤워링하여, 레지스트로 보호되어 있지 않은 영역의 도전막을 단선 또는 소실시키는 패터닝 방법.

상기 (1) 또는 (2) 의 방법에 의한 경우에는, 패터닝이 종료한 후에, 도전막 상의 레지스트는 통상적인 방법에 의해 제거하는 것이 바람직하다.

에칭 마스크재를 부여하는 방법에는 특별히 제한이 없고, 예를 들어 도포법, 인쇄법, 잉크젯법 등을 들 수 있다.

도포법으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 롤 코트법, 바 코트법, 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 다이 코트법, 블레이드 코트법, 바 코트법, 그라비아 코트법, 커튼 코트법, 스프레이 코트법, 독터 코트법 등을 들 수 있다.

인쇄법으로서는, 예를 들어, 볼록판 (활판) 인쇄법, 공판 (스크린) 인쇄법, 평판 (오프셋) 인쇄법, 오목판 (그라비아) 인쇄법 등을 들 수 있다. 또한, 이 공정에서 형성되는 레지스트층은 포지티브형 레지스트층이어도 되고, 네거티브형 레지스트층이어도 된다. 포지티브형 레지스트층의 경우에는, 패턴상의 노광 영역이 가용화되어, 미노광 영역 (미용해화 영역) 에 패턴상의 레지스트층이 형성되고, 네거티브형 레지스트층의 경우에는, 노광 영역이 경화된 레지스트층이 되어, 용해액의 부여에 의해, 미노광부, 즉 미경화부의 레지스트층이 제거되고, 패턴상의 레지스트층이 형성된다.

상기 (1) 의 방법에 사용되는 레지스트층 형성용 재료의 종류는 특별히 제한되지 않고, 네거티브형, 포지티브형, 드라이 필름 타입 등 모두 사용할 수 있다.

레지스트층의 형성에는, 시판되는 알칼리 가용성 포토레지스트를 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 후지 필름제 컬러 모자이크 시리즈, FILS 시리즈, FIOS 시리즈, FMES 시리즈, FTENS 시리즈, FIES 시리즈, 반도체 프로세스용 각 포지티브형, 네거티브형 포토레지스트 시리즈, 후지 약품제 후지 레지스트 시리즈, 그 중에서도, FR 시리즈, FPPR 시리즈, FMR 시리즈, FDER 시리즈 등을 바람직하게 사용할 수 있고, 또, AZ 일렉트로닉스 머티리얼즈 제조 포토레지스트 시리즈, 그 중에서도, RFP 시리즈, TFP 시리즈, SZP 시리즈, HKT 시리즈, SFP 시리즈, SR 시리즈, SOP 시리즈, SZC 시리즈, CTP 시리즈, ANR 시리즈, P4000 시리즈, TPM606, 40XT, nXT 시리즈 등을 바람직하게 들 수 있고, JSR 사 제조의 각 포토레지스트 등도, 고해상도 타입으로부터, 저해상도 타입까지 널리 사용하는 것이 가능하다.

드라이 필름 레지스트로서는, 히타치 화성 공업 제조, 프린트 배선판용 감광성 필름, 아사히 화성 이-머티리얼즈 제조 감광성 드라이 필름 SUNFORT 시리즈, 듀퐁 MRC 드라이 필름 제조 FXG 시리즈, FXR 시리즈, FX900 시리즈, JSF100 시리즈, SA100 시리즈, LDI 시리즈, FRA 시리즈, CM 시리즈, 후지 필름 제조 트란서 각 시리즈 등을 들 수 있고, 이들을 적절히 사용할 수 있다.

이들 레지스트층 형성 재료는 도전막에 있어서 형성되는 패턴의 해상도 등에 따라 적절히 선택하면 된다.

레지스트층의 형성에 있어서, 드라이 필름형의 레지스트층 형성 재료를 사용하는 경우, 미리 제작된 드라이 필름 레지스트의 감광성 레지스트층을, 형성된 도전막의 표면에 전사하면 된다.

노광 공정은 광 중합 개시제를 함유하는 에칭 마스크재를 사용하여 산소 농도가 5 ％ 이하로 노광을 실시한다.

또, 도전막은, 전사 재료를 이용하여, 전사에 의해, 목적으로 하는 기판 상에 패터닝 형성해도 된다.

또, 일본 공개특허공보 2011-167848호의［0147］∼［0148］에 기재되어 있는 바와 같이, 도전막 상에 제거제 (에칭액) 를 스크린 인쇄로 패턴 도포함으로써, 도전막의 패터닝도 가능하다.

＜투명 양면 점착 시트＞

투명 양면 점착 시트는 투명하고, 표면 및 이면이 점착성을 나타내는 시트이다. 그 시트는, 일방의 점착성을 나타내는 면이 상기 도전막에 첩부되도록, 도전막 상에 적층한다. 바꾸어 말하면, 투명 양면 점착 시트는 투명 기판과 그 위에 배치되는 도전막을 갖는 도전막이 형성된 투명 기판의 도전막측에 첩부된다.

보다 구체적으로는, 도 4 중, 투명 양면 점착 시트 (306) 의 표면 (306c) 및 이면 (306d) 가 점착성을 나타내고, 표면 (306c) 가 도전막 (304) 에 첩부되도록 투명 양면 점착 시트 (306) 이 도전막 (304) 상에 배치된다.

투명 양면 점착 시트는 점착제층을 적어도 가지고 있으면 되고, 기재의 양면에 점착제층이 배치된 기재를 갖는 타입 (기재가 부착된 투명 양면 점착 시트) 이어도 되고, 점착제층만으로 이루어지고 기재를 가지지 않는 타입 (기재없는 투명 양면 점착 시트) 이어도 된다. 그 중에서도, 투명 양면 점착 시트를 사용한 제품의 박막화의 관점에서는, 기재없는 투명 양면 점착 시트가 바람직하다.

투명 양면 점착 시트에는, 상기 서술한 SH 기 함유 화합물이 함유된다. 함유되는 SH 기 함유 화합물의 바람직한 양태는 상기 서술한 바와 같다.

또한, 투명 양면 점착 시트가 기재가 부착된 투명 양면 점착 시트의 경우, SH 기 함유 화합물은 기재 중, 또는, 점착제층 중의 어느 쪽에 함유되어 있어도 되고, 기재와 점착제층의 양방에 함유되어 있어도 된다.

또, 상기 서술한 SH 기 함유 화합물이 양면 점착 시트의 점착제층에 함유되는 경우, 점착제 중에 있어서의 화합물의 분산성이 보다 우수한 점에서, 고온 고습 환경하에 도전막 적층체가 방치된 경우이어도, 점착제층의 점착력의 저하를 볼 수 없다.

투명 양면 점착 시트 중에 있어서의 SH 기 함유 화합물의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 투명 양면 점착 시트 전체 질량에 대해, 0.01 ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 0.02 ∼ 6.0 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 5.0 질량％ 가 더욱 바람직하고, 0.5 ∼ 5.0 질량％ 가 특히 바람직하다. 상기 범위 내이면, 이온 마이그레이션 억제 효과, 그리고, 시트의 투과율 및 밀착성이 우수하다.

투명 양면 점착 시트의 두께는 특별히 제한되지 않고, 도전막 적층체의 터치 패널에 대한 응용의 점에서, 5 ∼ 150 ㎛ 가 바람직하고, 20 ∼ 100 ㎛ 가 보다 바람직하다.

투명 양면 점착 시트의 두께를 20 ㎛ 이상으로 함으로써 첩부하는 기판의 단차나 요철을 커버할 수 있다는 효과가 얻어지고, 100 ㎛ 이하로 함으로써 투명 양면 점착 시트의 투과율을 충분히 확보할 수 있다는 효과가 얻어진다.

투명 양면 점착 시트가 기재가 부착된 투명 양면 점착 시트인 경우, 점착제층은 기재의 양면에 형성된다. 사용되는 기재의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 투명 기재를 사용하는 것이 바람직하다. 투명 기재로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 디아세틸셀룰로오스 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름, 아세틸셀룰로오스부틸레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리술폰 필름, 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르술폰 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 나일론 필름, 아크릴 수지 필름 등을 들 수 있다.

투명 양면 점착 시트의 점착제층의 재료는 특별히 한정되지 않고, 공지된 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제 등의 각종 점착제를 사용할 수 있지만, 투명성이 보다 우수함과 함께 상기 SH 기 함유 화합물과의 상용성이 보다 우수한 점에서, 아크릴계 점착제가 바람직하다.

아크릴계 점착제는 알킬(메트)아크릴레이트의 모노머 유닛을 주골격으로 하는 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 한다. 또한, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다. 아크릴계 폴리머의 주골격을 구성하는, 알킬(메트)아크릴레이트의 알킬기의 평균 탄소수는 1 ∼ 12 정도가 바람직하고, 알킬(메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등을 예시할 수 있다.

또, 투명 양면 점착 시트는, 60 ℃, 90 ％ RH 조건하에 100 시간 정치(靜置) 직후의 전체 광선 투과율이 80 ％ 이상 (보다 바람직하게는 85 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상), 헤이즈가 1.0 ％ 이하 (보다 바람직하게는 0.7 ％ 이하) 인 것이 바람직하다.

또, 투명 양면 점착 시트의 흡수율은, 60 ℃, 90 ％ RH 조건하에 100 시간 정치 후에 있어서, 2.0 ％ 이하 (보다 바람직하게는 1.25 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 ％ 이하) 인 것이 바람직하다.

흡수율의 측정 방법은 일본 공개특허공보 2012-11637호에 기재된 방법에 준한다.

상기 투명 양면 점착 시트는 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 기재없는 투명 양면 점착 시트의 경우에는, 세퍼레이터 (박리 라이너) 상에 SH 함유 화합물을 함유하는 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 소정의 두께가 되도록 도포하여 점착제 조성물의 도포층을 형성한 후, 그 도포층을 건조, 필요에 따라 경화시켜, 점착제층을 형성함으로써, 투명 양면 점착 시트를 제작할 수 있다.

또, 기재가 부착된 투명 양면 점착 시트의 경우에는, SH 함유 화합물을 함유하는 점착제 조성물을, 기재 표면에 직접 도포, 건조시킴으로써 점착제층을 형성해도 되고 (직사법), 상기와 마찬가지로 세퍼레이터 상에 SH 함유 화합물을 함유하는 점착제층을 형성한 후, 기재와 전사함 (첩합함) 으로써 기재 상에 점착제층을 형성해도 된다 (전사법).

또, 다른 제조 방법으로서는, 예를 들어, SH 함유 화합물을 함유하는 기재 표면에, 점착제 조성물을 도포하여 점착제층을 형성하고, 기재가 부착된 투명 양면 점착 시트를 제조하는 방법도 들 수 있다.

또한, 도 4 에 있어서는, 투명 기판 (302) 의 일방의 표면 상에 도전막 (304) 및 투명 양면 점착 시트 (306) 이 형성되어 있지만, 그 양태에는 한정되지 않는다.

예를 들어, 도 5 에 나타내는 도전막 적층체 (400) 과 같이, 투명 기판 (302) 의 양면 상에 도전막 (304a, 304b) 및 투명 양면 점착 시트 (306a, 306b) 가 형성되어 있어도 된다. 또한, 도전막 (304a) 와 (304b) 와 같이, 양자의 패턴 형상은 상이해도 된다.

＜도전막 적층체＞

본 발명의 도전막 적층체는 상기와 같이, 투명 기판과, 투명 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 도전막과, 도전막 상에 첩합된 투명 양면 점착 시트를 구비한다.

또한, 필요에 따라, 상기 투명 양면 점착 시트가 노출된 점착성을 나타내는 표면 상에 추가로 다른 부재 (예를 들어, 후술하는 보호 기판) 를 첩합해도 된다.

도전막 적층체는, 도전막간의 이온 마이그레이션을 보다 억제할 수 있는 점에서, 예를 들어, 터치 패널, 디스플레이용 전극, 전자파 실드, 유기 또는 무기 EL 디스플레이용 전극, 전자 페이퍼, 플렉시블 디스플레이용 전극, 집적형 태양 전지, 표시 소자, 그 밖의 각종 디바이스 등에 폭넓게 적용된다. 이들 중에서도, 터치 패널이 특히 바람직하다. 이하에, 터치 패널의 양태에 대해 상세히 서술한다.

＜터치 패널＞

상기 서술한 도전막 적층체를 터치 패널에 사용한 경우, 높은 투과율에 의해 시인성이 우수하고, 화면 조작에 대해 응답성이 우수함과 함께, 도전막간에서의 이온 마이그레이션이 보다 억제되는 점에서 가혹한 환경하에 장기간에 걸쳐 방치된 후이어도 그 성능이 유지된다.

터치 패널로서는, 널리 공지된 터치 패널을 들 수 있고, 이른바 터치 센서 및 터치 패드로서 알려져 있는 것에 대해, 본 발명의 도전막 적층체를 적용할 수 있다.

터치 패널의 종류로서는, 상기 도전막 적층체를 갖는 한 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 표면형 정전 용량 방식 터치 패널, 투영형 정전 용량 방식 터치 패널, 저항막 방식 터치 패널 등을 들 수 있다.

이하, 도면을 참조하여, 터치 패널의 바람직한 양태에 대해 상세히 서술한다.

도 6(A) 및 (B) 에 있어서는, 상기 도전막 적층체를 포함하는 터치 패널의 일 양태를 나타낸다. 도 6(A) 및 (B) 의 터치 패널 (500) 은 이른바 투영형 정전 용량 방식 터치 패널이며, 1 매의 기재의 양면에 투명 전극을 구비하는 방식에 해당한다.

터치 패널 (500) 에 있어서는, 투명 기판 (302) 의 일방의 표면 상에, 먼저, 도전막 (304a) 가 배치되고, 이 도전막 (304a) 상에 투명 양면 점착 시트 (306a) 가 첩합되고, 또한, 투명 양면 점착 시트 (306a) 의 일방의 점착성의 표면 상에 보호 기판 (308a) 가 첩합된다. 또한, 투명 기판 (302) 의 타방의 표면 상에 있어서도, 일방의 표면 상과 마찬가지로, 도전막 (304b), 투명 양면 점착 시트 (306b), 및 보호 기판 (308b) 가 이 순서로 배치된다. 요컨대, 이 터치 패널 (500) 은 도전막 적층체 (400) 의 투명 양면 점착 시트 (306a) 및 (306b) 의 표면에 보호 기판 (308a) 및 (308b) 가 첩합된 양태에 해당한다.

또한, 도전막 (304a) 및 (304b) 는 도시되지 않은 전극 단자를 개재하여 도시되지 않은 외부 검지 회로와 전기 접속되어 있다.

도 6(A) 는 터치 패널 (500) 의 모식적 상면도이지만, 도전막 (304a) 및 (304b) 의 형상은 각각 등간격으로 배열한 선상 패턴이다. 또, 도전막 (304a) 와 (304b) 는 각각의 패턴이 서로 대략 직교하도록 배치된다.

터치 패널 (500) 에 있어서는, 보호 기판 (308a) 을 손가락 등으로 터치하면, 손가락 등과 도전막 (304a) 또는 (304b) 사이의 정전 용량의 값에 변화가 생긴다. 이 정전 용량치의 변화를 외부 검지 회로에 의해 검지하여, 터치한 점의 좌표가 특정된다.

도 6(A) 및 (B) 에 나타내는 터치 패널 (500) 은, 보호 기판 (308a, 308b) 를 구비하는 점을 제외하고, 도 5 에 나타내는 도전막 적층체 (400) 과 동일한 구성을 갖는 것이므로, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하여, 그 설명을 생략하고, 주로 보호 기판 (308a, 308b) 에 대해 이하에 설명한다.

보호 기판의 재료는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, (메트)아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 투명성과 경량성에서 우수한 (메트)아크릴 수지가 바람직하다.

또한, 도 6(A) 및 (B) 에 있어서는 선상의 도전막 (304a) 및 (304b) 의 패턴을 나타냈지만, 도전막 (304a) 및 (304b) 의 형상 및 배치 등은 그 양태에는 한정되지 않고, 공지된 양태를 취할 수 있다.

도 6(A) 및 (B) 의 터치 패널 (500) 은 1 매의 기재의 양면에 투명 전극을 구비하는 방식에 해당하지만, 이 구성으로 한정되지 않는다.

예를 들어, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 2 매의 도전막이 형성된 투명 기판을 준비하고, 투명 양면 점착 시트를 개재하여 도전막끼리가 대향하도록, 이들을 첩합하는 첩합 방식의 터치 패널이어도 된다. 도 7 의 터치 패널 (600) 에 있어서, 투명 양면 점착 시트 (306) 의 일방의 면에는, 도전막 (304a) 를 표면 상에 갖는 투명 기판 (302a) 가 첩합되고, 추가로 투명 기판 (302a) 상에 접착제층 (310a) 를 개재하여 보호 기판 (308a) 가 적층된다. 또, 투명 양면 점착 시트 (306) 의 타방의 면에는, 상기 일방의 면과 마찬가지로, 도전막 (304b), 투명 기판 (302b), 접착제층 (310b), 및 보호 기판 (308b) 가 이 순서로 배치된다.

또한, 도전막 (304a) 및 (304b) 는 도시되지 않은 전극 단자를 개재하여 도시되지 않은 외부 검지 회로와 전기 접속되어 있다.

터치 패널 (600) 에 있어서는, 보호 기판 (308a) 를 손가락 등으로 터치하면, 손가락 등과 도전막 (304a) 또는 (304b) 사이의 정전 용량의 값이 변화에 변화가 생긴다. 이 정전 용량치의 변화를 외부 검지 회로에 의해 검지하여, 터치한 점의 좌표가 특정된다.

또한, 접착제층 (310a) 및 (310b) 의 재료로서는, 공지된 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어, 열경화성 에폭시 수지, 광 경화성 아크릴레이트 수지 등이 예시된다.

또, 접착제층 (310a) 및 (310b) 대신에, 공지된 점착제층을 사용해도 된다.

또, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 도 7 과는 상이한 다른 첩합 방법에 의해 얻어지는 터치 패널이어도 된다. 도 8 의 터치 패널 (700) 에 있어서는, 투명 기판 (302a) 의 일방의 면 상에, 먼저, 도전막 (304a) 가 배치되고, 추가로 투명 양면 점착 시트 (306a) 를 개재하여 보호 기판 (308a) 가 첩합된다. 또, 투명 기판 (302a) 의 타방의 면 상에, 투명 양면 점착 시트 (306b) 를 개재하여, 도전막 (304b) 가 표면 상에 배치된 투명 기판 (302b) 가 첩합되고, 추가로 접착제층 (310) 을 개재하여 보호 기판 (308b) 가 첩합된다.

실시예

이하, 실시예에 의해, 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.

＜실시예 1＞

구리 피복 적층판 (히타치 화성사 제조 MCL-E-679F, 기판 ： 유리 에폭시 기판) 을 사용하여, 스크린 인쇄법에 의해, L/S = 200 ㎛/200 ㎛ 의 은 배선을 구비하는 금속 배선이 형성된 절연 기판을 제조했다. 금속 배선이 형성된 절연 기판은 이하의 방법에 의해 제작했다.

구리 피복 적층판의 동박을 에칭 처리에 의해 박리한 후, 스크린 인쇄 장치를 사용하여 도전성 은 페이스트 (후지쿠라 화성 제조 FA-451) 를, 메탈 마스크를 통해 기판 상에 패터닝했다.

그 후, 150 ℃ 의 조건에서 30 분간 가열 처리를 실시하여, 은 배선을 경화시켜, L/S = 200 ㎛/200 ㎛ 의 빗살형 은 배선 기판 (금속 배선이 형성된 절연 기판) 을 얻었다.

다음으로, 얻어진 금속 배선이 형성된 절연 기판 상에, 화합물 A-1, 메틸프로필렌글리콜아세테이트, 및 메타크릴레이트-아크릴레이트 코폴리머 (아크릴 수지) 를 함유하는 은이온 확산 억제층 형성용 조성물을 도포하고, 그 후, 금속 배선이 형성된 절연 기판에 100 ℃ 에서 30 분간 가열 처리를 실시하고, 추가로 130 ℃ 에서 60 분간 가열 처리를 실시하여, 배선 기판을 얻었다.

은이온 확산 억제층 형성용 조성물 중에 있어서의, 화합물 A-1 및 절연 수지의 함유량은, 조성물 전체량에 대해, 각각 0.33 질량％ 및 33 질량％ 였다.

[화학식 13]

얻어진 배선 기판에 관해서, 이하의 수명 측정을 실시했다.

(평가 방법 (수명 연장 효과 측정) (이후, HAST 시험이라고도 칭한다)

얻어진 배선 기판을 사용하여, 습도 85 ％, 온도 130 도, 압력 1.2 atm, 전압 100 V 의 조건으로 수명 측정 (사용 장치 ： 에스펙크 (주) 사 제조, EHS-221MD) 을 실시했다.

평가 방법으로서는, 먼저, 금속 배선이 형성된 절연 기판 상에, 실시예 1 에 있어서 사용한 화합물 A-1 만을 제외한 수지층을 형성하여 얻어지는 비교 배선 기판을 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하고, 은배선간의 저항값이 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 X 를 측정했다.

다음으로, 실시예 1 에서 얻어진 은이온 확산 억제층을 갖는 배선 기판을 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하고, 은배선간의 저항값이 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 Y 를 측정했다.

얻어진 시간 X 및 시간 Y 를 사용하여 수명의 개선 효과 (Y/X) 를 계산했다.

실시예 1 에서 얻어진 배선 기판의 결과를, 표 1 에 나타낸다.

＜실시예 2＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-2 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 14]

＜실시예 3＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-3 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 15]

＜실시예 4＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-4 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 16]

＜실시예 5＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-5 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 17]

＜실시예 6＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-6 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 18]

＜실시예 7＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-7 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 19]

＜실시예 8＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 (조성물 전체량에 대해 0.33 질량％) 을 화합물 A-8 (조성물 전체량에 대해 0.66 질량％) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 20]

＜실시예 9＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-9 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 21]

＜실시예 10＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-10 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 22]

＜실시예 11＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-11 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 23]

＜실시예 12＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-12 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 24]

＜실시예 13＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-13 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 25]

＜실시예 14＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-14 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 26]

＜실시예 15＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-15 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 27]

＜비교예 1＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-1 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 28]

＜비교예 2＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-2 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 29]

＜비교예 3＞

실시예 1 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-3 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 30]

＜비교예 4＞

실시예 1 의 화합물 A-1 을 화합물 R-4 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 배선 기판의 제조를 실시하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

[화학식 31]

＜비교예 5＞

실시예 1 에서 사용한 금속 배선이 형성된 절연 기판 상에 은이온 확산 억제층을 형성하지 않고, 금속 배선측의 표면 상에, 절연층 (태양 잉크사 제조 PFR-800) 을 라미네이트하고, 그 후 노광, 베이크를 실시하여, 절연층이 형성된 배선 기판 (절연층의 층두께 ： 35 ㎛) 을 제조하고, 상기 HAST 시험을 실시했다. 표 1 에 결과를 나타낸다.

상기 표 1 중, 「NoData」 란, HAST 시험에 있어서의 통전 전의 항온조 내의 가열·가습 공정에 있어서, 수지 파괴가 진행된 것에 의해, 마이그레이션의 발생을 검지하는 평가 검사 기기로, 통전 에러로 인지된 상태를 의미한다.

표 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 SH 기 함유 화합물을 함유하는 은이온 확산 억제층을 사용하면, 현저한 수명 연장 효과가 나타나고 있고, 이온 마이그레이션이 보다 억제되는 것이 확인되었다.

그 중에서도, 식 (1) 로 나타내는 화합물을 사용한 실시예 1 에 있어서는, 보다 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다.

또, 실시예 1 및 4 ∼ 8 의 비교, 그리고, 실시예 2 및 9 ∼ 13 의 비교로부터, 탄화수소기가 제 3 급 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 실시예 5, 7, 8 및 13 이 보다 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다. 그 중에서도, 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 복수 함유하는 기인 실시예 8 은 더욱 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다.

또, 실시예 2 및 9 ∼ 12 와 실시예 14 및 15 의 비교로부터, 탄화수소기가 상기 식 (B-1) 로 나타내는 기를 함유하는 탄화수소기인 실시예 14, 및, 탄화수소기가 상기 식 (B-3) 으로 나타내는 기를 함유하는 탄화수소기인 실시예 15 가 보다 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다.

한편, 소정의 화합물을 함유하지 않은 조성물을 사용한 비교예 1 ∼ 4 에 있어서는, 원하는 효과는 얻어지지 않았다. 또, 솔더 레지스트를 사용한 비교예 5 에 있어서는, 약간의 수명 연장 효과는 보이지만, 실시예와 비교하면 효과는 떨어졌다.

(은나노 와이어의 수분산물의 제조)

―은나노 와이어 분산액 (1) 의 조제-

프로필렌글리콜 370 g 에 질산은 분말 60 g 을 용해시켜, 질산은 용액 101 을 조제했다. 프로필렌글리콜 4.45 kg 에 폴리비닐피롤리돈 (분자량 55,000) 72.0 g 을 첨가하고, 질소 가스를 용기의 기상 부분에 통기하면서, 90 ℃ 로 승온했다. 이 액을 반응 용액 101 로 했다. 질소 가스의 통기를 유지한 채로, 격렬하게 교반되고 있는 반응 용액 101 에 질산은 용액 101 을 2.50 g 첨가하고, 가열 교반을 1 분간 실시했다. 또한, 이 용액에 테트라부틸암모늄클로라이드 11.8 g 을 프로필렌글리콜 100 g 에 용해시킨 용액을 첨가하여, 반응 용액 102 로 했다.

90 ℃ 로 유지하고, 교반 속도 500 rpm 으로 교반되고 있는 반응 용액 102 에, 질산은 용액 101 을 첨가 속도 50 cc/분으로 200 g 첨가했다. 교반 속도를 100 rpm 으로 떨어뜨리고, 질소 가스의 통기를 멈추고, 가열 교반을 15 시간 실시했다. 90 ℃ 로 유지하고, 교반 속도 100 rpm 으로 교반되고 있는 이 액에, 질산은 용액 101 을 첨가 속도 0.5 cc/분으로 220 g 첨가하고, 첨가 종료 후부터 2 시간, 가열 교반을 계속했다. 교반을 500 rpm 으로 변경하고, 증류수 1.0 kg 을 첨가한 후에, 25 ℃ 까지 냉각시켜 주입액 101 을 제조했다.

분획 분자량 15 만의 한외 여과 모듈을 사용하여, 한외 여과를 다음과 같이 실시했다. 증류수와 1-프로판올의 혼합 용액 (체적비 1 대 1) 의 주입액 101 에의 첨가와 주입액 101 의 농축을, 최종적으로 여과액의 전도도가 50 μS/cm 이하가 될 때까지 반복했다. 농축을 실시하여, 금속 함유량 0.45 ％ 의 은나노 와이어 분산액 (1) 을 얻었다.

얻어진 은나노 와이어 분산액 (1) 의 은나노 와이어에 대해, 전술한 바와 같이 하여 평균 단축 길이, 평균 장축 길이를 측정했다.

그 결과, 평균 단축 길이 28.5 nm, 평균 장축 길이 15.2 ㎛ 였다. 이후, 「은나노 와이어 분산액 (1)」 이라고 표기하는 경우에는, 상기 방법으로 얻어진 은나노 와이어 분산액을 나타낸다.

―은나노 와이어 분산액 (2) 의 조제-

미리, 하기의 첨가액 A, B, C, 및, D 를 조제했다.

〔첨가액 A〕

스테아릴트리메틸암모늄클로라이드 55 mg, 스테아릴트리메틸암모늄하이드록시드 10 ％ 수용액 5.5 g, 글루코오스 1.8 g 을 증류수 115.0 g 에 용해시켜, 반응 용액 A-1 로 했다. 또한, 질산은 분말 65 mg 을 증류수 1.8 g 에 용해시켜, 질산은 수용액 A-1 로 했다. 반응 용액 A-1 을 25 ℃ 로 유지하고, 격렬하게 교반하면서, 질산은 수용액 A-1 을 첨가했다. 질산은 수용액 A-1 의 첨가 후부터 180 분간, 격렬한 교반을 하여, 첨가액 A 로 했다.

〔첨가액 B〕

질산은 분말 42.0 g 을 증류수 958 g 에 용해했다.

〔첨가액 C〕

25 ％ 암모니아수 75 g 을 증류수 925 g 과 혼합했다.

〔첨가액 D〕

폴리비닐피롤리돈 (K30) 400 g 을 증류수 1.6 kg 에 용해했다.

다음으로, 이하와 같이 하여, 은나노 와이어 분산액 (2) 를 조제했다.

스테아릴트리메틸암모늄브로마이드 분말 1.30 g 과 브롬화나트륨 분말 33.1 g 과 글루코오스 분말 1,000 g, 질산 (1N) 115.0 g 을 80 ℃ 의 증류수 12.7 kg 에 용해시켰다. 이 액을 80 ℃ 로 유지하고, 500 rpm 으로 교반하면서, 첨가액 A 를 첨가 속도 250 cc/분, 첨가액 B 를 500 cc/분, 첨가액 C 를 500 cc/분으로 순차 첨가했다. 교반 속도를 200 rpm 으로 하고, 80 ℃ 에서 가열을 했다. 교반 속도를 200 rpm 으로 하고 나서 100 분간 가열 교반을 계속한 후에, 25 ℃ 로 냉각시켰다. 교반 속도를 500 rpm 으로 변경하고, 첨가액 D 를 500 cc/분으로 첨가했다. 이 액을 주입액 201 로 했다. 다음으로, 1-프로판올을 격렬하게 교반하면서, 거기에 주입액 201 을 혼합 비율이 체적비 1 대 1 이 되도록 단번에 첨가했다. 교반을 3 분간 실시하여, 주입액 202 로 했다.

분획 분자량 15 만의 한외 여과 모듈을 사용하여, 한외 여과를 다음과 같이 실시했다.

주입액 102 를 4 배로 농축한 후, 증류수와 1-프로판올의 혼합 용액 (체적비 1 대 1) 의 첨가와 농축을, 최종적으로 여과액의 전도도가 50 μS/cm 이하가 될 때까지 반복했다. 농축을 실시하여, 금속 함유량 0.45 ％ 의 은나노 와이어 분산액 (2) 를 얻었다.

얻어진 은나노 와이어 분산액 (2) 의 은나노 와이어에 대해, 전술한 바와 같이 하여 평균 단축 길이, 평균 장축 길이를 측정했다.

그 결과, 평균 단축 길이 17.2 nm, 평균 장축 길이 8.8 ㎛ 였다.

＜실시예 16＞

(도전막이 형성된 투명 기판의 제조)

PET 기판 (두께 125 ㎛) 으로 이루어지는 투명 기판을 준비하고, 이하의 순서에 따라, 빗살형 전극 패턴 (L/S = 200 ㎛/200 ㎛) 의 은을 함유하는 도전막을 투명 기판 상에 제조하여, 도전막 적층체를 얻었다.

(도전막의 제작)

하기 조성의 알콕사이드 화합물의 용액을 60 ℃ 에서 1 시간 교반하여 균일하게 된 것을 확인했다. 얻어진 졸 겔액의 중량 평균 분자량 (Mw) 을 GPC (폴리스티렌 환산) 로 측정한 결과, Mw 는 4,400 이었다. 졸 겔 용액 2.24 부와 상기 조제된 은나노 와이어 분산액 (1) 17.76 부를 혼합하고, 또한 증류수와 1-프로판올로 희석하여 은나노 와이어 도포액 (1) 을 얻었다. 얻어진 도포액의 용제 비율은 증류수 ： 1-프로판올 = 60 ： 40 이었다. PET 기판 (두께 125 ㎛) 상에 바 코트법으로 은량이 0.015 g/㎡, 전체 고형분 도포량이 0.120 g/㎡ 가 되도록 은나노 와이어 도포액 (1) 을 도포한 후, 120 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 은나노 와이어를 함유하는 도전막 1 을 형성했다.

(알콕사이드 화합물의 용액)

·테트라에톡시실란

5.0 부

(KBE-04, 신에츠 화학공업 (주) 제조)

·1 ％ 아세트산 수용액

11.0 부

·증류수

4.0 부

(도전막의 패터닝)

도전막 1 에 포토레지스트 (TMSMR-8900LB ： 토쿄오카 제조) 를 스핀 코트로 도포하고, 90 ℃ 에서 60 초간 소성했다. 다음으로, 포토마스크를 사용하여 패턴 노광 (노광량 ： 12 mW/c㎡, 20 초) 하고, 현상액 (NMD-W ： 토쿄오카 제조) 으로 현상하고, 수세, 건조시킨 후에, 120 ℃ 에서 60 초간 소성하여, 도전막 1 상에 패터닝된 포토레지스트를 형성했다.

다음으로, 은 에칭액 (SEA-2 ： 칸토 화학 제조) 에 30 초 침지 후, 수세, 건조시켜, 은나노 와이어를 에칭하고, 도전막 1 에 비도전부를 형성했다. 그 후, 중성 박리액 (PK-SFR8120 ： 파커 코포레이션 제조) 을 사용하여 포토레지스트를 박리하고, 그 후, 수세, 건조를 시켜, 빗살형 전극 패턴 (L/S = 200 ㎛/200 ㎛) 으로 패터닝된 도전막 1 을 제작했다.

(투명 양면 점착 시트의 제조)

다음으로, 아크릴 공중합체의 조제 교반기, 한류 냉각기, 온도계, 적하 깔때기 및 질소 가스 도입구를 구비한 반응 용기에, n-부틸아크릴레이트 91.5 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.5 질량부, 아크릴산 8.0 질량부와 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부틸니트릴 0.2 부를 아세트산에틸 100 질량부에 용해하고, 질소 치환 후, 80 ℃ 에서 8 시간 중합하여 질량 평균 분자량 80 만의 아크릴 공중합체 (1) 을 얻었다.

다음으로, 상기 아크릴 공중합체 (1) (99.1 질량부) 과, 상기 화합물 A-1 (1.0 질량부) 을 아세트산에틸로 희석하여 수지 고형분 30 ％ 의 점착제 조성물을 얻었다.

상기 점착제 조성물 100 중량부에 이소시아네이트계 가교제 (닛폰 폴리우레탄사 제조 코로네이트 L-45, 고형분 45 ％) 를 0.7 중량부 첨가하여 15 분 교반 후, 실리콘 화합물로 편면을 박리 처리한 두께 50 ㎛ 의 폴리에스테르 필름 (이하 ＃75 박리 필름) 상에 건조 후의 두께가 25 ㎛ 가 되도록 도포하고, 75 ℃ 에서 5 분간 건조시켰다. 얻어진 점착 시트와, 실리콘 화합물로 편면을 박리 처리한 두께 38 ㎛ 의 폴리에스테르 필름 (이하 ＃38 박리 필름) 을 첩합했다. 그 후 23 ℃ 에서 5 일간 숙성하여 두께 25 ㎛ 의 투명 양면 점착 시트 (기재없는 점착 시트) 를 얻었다. 그 점착 시트의 전체 광선 투과율은 90.8 ％, 헤이즈는 0.6 ％, 흡수율은 1.24 ％ 였다. 전체 광선 투과율, 헤이즈 및 흡수율의 측정은 일본 공개특허공보 2012-11637호에 기재된 방법에 준한다. 보다 구체적으로는, 후단의 기재 방법으로 측정을 실시했다.

또한, 투명 양면 점착 시트 중에 있어서의 화합물 A-1 의 함유량은, 투명 양면 점착 시트 전체 질량에 대해, 1.0 질량％ 였다.

(투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율 및 헤이즈 측정)

투명 양면 점착 시트를 60 ℃, 90 ％ RH 조건하에 100 시간 방치한 후, PET 필름, 유리의 순서로 첩합하여 시험 샘플을 조제했다. (주) 무라카미 색채 기술 연구소 제조 「HR-100 형」 을 사용하여, 조제 샘플의 전체 광선 투과율 및 헤이즈 (％) 를 측정했다.

(투명 양면 점착 시트의 흡수율 측정)

100 mm × 100 mm 의 양면 점착 시트를, 60 ℃, 90 ％ RH 조건하에 100 시간 방치한 후, 즉시 투명 양면 점착 시트의 편면의 박리 필름을 벗기고, 미리 표량되어 있는 150 mm × 150 mm 의 알루미늄박에 첩합하고, 또한 다른 일방의 박리 필름을 벗겨 칭량한다 (이 중량으로부터 알루미늄박의 중량을 제외한 중량을 W1 로 한다). 이것을 105 ℃ 조건하에서 2 시간 건조시킨 후, 칭량을 실시한다 (이 중량으로부터 알루미늄박의 중량을 제외한 중량을 W2 로 한다). 양면 점착 시트의 흡수율은 하기의 식으로 산출했다.

양면 점착 시트의 흡수율 (％) = (W1 - W2)/W2 × 100

(도전막 적층체의 제조)

도전막이 배치된 투명 기판 상에, 상기 투명 양면 점착 시트의 점착성을 나타내는 일방의 표면을 첩합하여, 도전막 적층체를 얻었다. 또한, 얻어진 도전막 적층체의 투명 양면 점착 시트의 노출되어 있는 점착성을 나타내는 타방의 표면 상에 PET 필름 (막두께 ： 50 ㎛) 을 첩합했다. 그 후, 얻어진 도전막 적층체를 45 ℃, 0.5 MPa 의 조건하에서 20 분 오토클레이브 처리를 실시했다.

또한, 도 9(A) 에 상기에서 얻어진 도전막 적층체 (800) 의 모식적 상면도를, 도 9(B) 에 도 9(A) 의 A-B 선의 모식적 단면 화살표 방향에서 본 도면을 나타낸다. 도 9(A) 및 (B) 에 있어서, 도전막 적층체 (800) 은 투명 기판 (302) 와 도전막 (304) 와 투명 양면 점착 시트 (306) 과 보호 기판 (308) 을 이 순서로 구비한다.

＜실시예 17＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-2 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 90.7 ％, 헤이즈는 0.6 ％, 흡수율은 1.24 ％ 였다.

＜실시예 18＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-3 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 90.8 ％, 헤이즈는 0.5 ％, 흡수율은 1.26 ％ 였다.

＜실시예 19＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-5 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 90.8 ％, 헤이즈는 0.6 ％, 흡수율은 1.24 ％ 였다.

＜실시예 20＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 (1.0 질량부) 을 화합물 A-8 (2.0 질량부) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 91.0 ％, 헤이즈는 0.5 ％, 흡수율은 1.23 ％ 였다.

또한, 투명 양면 점착 시트 중에 있어서의 화합물 A-8 의 함유량은, 투명 양면 점착 시트 전체 질량에 대해, 2.0 질량％ 였다.

＜실시예 21＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-9 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 90.7 ％, 헤이즈는 0.4 ％, 흡수율은 1.20 ％ 였다.

＜실시예 22＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-13 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 90.9 ％, 헤이즈는 0.5 ％, 흡수율은 1.21 ％ 였다.

＜실시예 23＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 A-14 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 91.0 ％, 헤이즈는 0.6 ％, 흡수율은 1.22 ％ 였다.

＜실시예 24＞

실시예 16 중의 투명 양면 점착 시트 중에 있어서의 화합물 A-1 의 함유량 1.0 질량％ 를 0.4 질량％ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 91.0 ％, 헤이즈는 0.5 ％, 흡수율은 1.22 ％ 였다.

＜실시예 25＞

실시예 16 중의 투명 양면 점착 시트 중에 있어서의 화합물 A-1 의 함유량 1.0 질량％ 를 2.5 질량％ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 88.6 ％, 헤이즈는 0.7 ％, 흡수율은 1.25 ％ 였다.

＜실시예 26＞

실시예 16 중의 투명 양면 점착 시트 중에 있어서의 화합물 A-1 의 함유량 1.0 질량％ 를 5.0 질량％ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 84.3 ％, 헤이즈는 0.9 ％, 흡수율은 1.23 ％ 였다.

＜비교예 6＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 91.2 ％, 헤이즈는 0.5 ％, 흡수율은 1.21 ％ 였다.

그 양태에서는, 투명 양면 점착 시트에 소정의 화합물이 함유되지 않았다.

＜비교예 7＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-1 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 89.2 ％, 헤이즈는 0.8 ％, 흡수율은 1.25 ％ 였다.

＜비교예 8＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-2 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 88.6 ％, 헤이즈는 0.8 ％, 흡수율은 1.23 ％ 였다.

＜비교예 9＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-3 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 88.8 ％, 헤이즈는 0.8 ％, 흡수율은 1.27 ％ 였다.

＜비교예 10＞

실시예 16 중의 화합물 A-1 을 화합물 R-4 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다. 또한, 이 때의 투명 양면 점착 시트의 전체 광선 투과율은 86.8 ％, 헤이즈는 0.9 ％, 흡수율은 1.29 ％ 였다.

(평가 방법 (수명 연장 효과 측정))

얻어진 도전막 적층체를 사용하여, 습도 90 ％, 온도 60 도, 전압 10 V 의 조건으로 수명 측정 (사용 장치 ： 에스펙크 (주) 사 제조, EHS-221MD) 을 실시했다.

평가 방법으로서는, 먼저, 비교예 6 에 기재된 도전막 적층체를 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하고, 도전막간의 저항값이 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 X 를 측정했다.

다음으로, 실시예 16 ∼ 26 또는 비교예 6 ∼ 10 에서 얻어진 도전막 적층체를 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하고, 은 배선간의 저항값이 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 Y 를 측정했다.

얻어진 시간 X 및 시간 Y 를 사용하여 수명의 개선 효과 (Y/X) 를 계산했다. 결과를 표 2 에 정리하여 나타낸다.

표 2 중의 「NoData (박리)」 는, 시험 중에 투명 양면 점착 시트가 박리되어, 평가를 할 수 없었던 것을 나타낸다. 또, 「화합물 첨가 농도」 는 투명 양면 점착 시트 전체의 질량에 대한 질량％ 를 의도한다.

표 2 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 도전막 적층체에 있어서는, 현저한 수명 연장 효과가 나타나고 있고, 이온 마이그레이션이 보다 억제되는 것이 확인되었다. 또, 투명 양면 점착 시트의 투명성을 저해하지 않고 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다. 그 중에서도, 0.5 ∼ 5.0 질량％ 의 경우, 보다 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다.

또, 실시예 16 과 실시예 19, 20 의 비교, 및, 실시예 17, 21 과 실시예 22 의 비교로부터, 탄화수소기가 제 3 급 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 실시예 19, 20, 22 가 보다 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다. 그 중에서도, 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 복수 함유하는 기인 실시예 20 은 더욱 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다.

또, 실시예 17, 21 과 실시예 23 의 비교로부터, 탄화수소기가 상기 식 (B-1) 로 나타내는 기를 함유하는 탄화수소기인 실시예 23 이 보다 우수한 수명 연장 효과가 확인되었다.

한편, 소정의 화합물을 함유하지 않는 조성물을 사용한 비교예 6 ∼ 10 에 있어서는, 원하는 효과는 얻어지지 않았다.

특히, 비교예 8 ∼ 10 에 있어서는, 투명 양면 점착 시트 중에 화합물이 함유됨으로써, 점착력이 저하되어 버렸다고 생각된다.

＜실시예 27＞

실시예 16 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜실시예 28＞

실시예 17 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 수분산액 (1) 을 은나노 와이어 수분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 17 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜실시예 29＞

실시예 18 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 18 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜실시예 30＞

실시예 19 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 19 와 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜실시예 31＞

실시예 20 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 20 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜실시예 32＞

실시예 21 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 21 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜실시예 33＞

실시예 22 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 22 와 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜비교예 11＞

비교예 6 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 6 과 동일한 순서에 따라 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜비교예 12＞

비교예 7 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 7 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜비교예 13＞

비교예 8 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 8 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜비교예 14＞

비교예 9 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 9 와 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

＜비교예 15＞

비교예 10 중의 도전막의 제작에 있어서, 은나노 와이어 분산액 (1) 을 은나노 와이어 분산액 (2) 로 변경한 것 이외에는, 비교예 10 과 동일한 순서에 따라, 도전막 적층체의 제조를 실시했다.

(평가 방법 (수명 연장 효과 측정))

얻어진 도전막 적층체를 사용하여, 습도 90 ％, 온도 60 도, 전압 10 V 의 조건으로 수명 측정 (사용 장치 ： 에스펙크 (주) 사 제조, EHS-221MD) 을 실시했다.

평가 방법으로서는, 먼저, 비교예 11 에 기재된 도전막 적층체를 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하고, 도전막간의 저항값이 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 X 를 측정했다.

다음으로, 실시예 27 ∼ 33 또는 비교예 11 ∼ 15 에서 얻어진 도전막 적층체를 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하고, 은 배선간의 저항값이 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 Y 를 측정했다.

얻어진 시간 X 및 시간 Y 를 사용하여 수명의 개선 효과 (Y/X) 를 계산했다. 결과를 표 3 에 정리하여 나타낸다.

표 3 중의 「NoData (박리)」 는, 시험 중에 투명 양면 점착 시트가 박리되어, 평가를 할 수 없었던 것을 나타낸다. 또, 「화합물 첨가 농도」 는 투명 양면 점착 시트 전체의 질량에 대한 질량％ 를 의도한다.

은나노 와이어의 평균 단축 직경이 상이한 은나노 와이어 분산액을 사용해도, 상기 실시예 16 ∼ 22 와 동일한 효과가 있는 것이 실시예 27 ∼ 33 및 비교예 11 ∼ 15 에 의해 나타났다.

＜실시예 34＞

실시예 16 에 기재된 방법을 사용하여, 투명 기판의 양면에 도전막을 제작했다. 그 후, 투명 기판의 양면에 투명 양면 점착 시트 A 를 개재하여 PET 필름 (두께 ： 50 ㎛) 을 첩합하여, 도 6 에 기재된 정전 용량식 터치 패널을 제작했다.

＜비교예 16＞

실시예 34 중의 투명 양면 점착 시트 A 를 투명 양면 점착 시트 I 로 변경한 것 이외에는, 실시예 34 와 동일한 순서에 따라, 터치 패널의 제조를 실시했다.

＜비교예 17＞

실시예 34 중의 투명 양면 점착 시트 A 를 투명 양면 점착 시트 M 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 34 와 동일한 순서에 따라, 터치 패널의 제조를 실시했다.

(시험 방법)

얻어진 터치 패널을, 습도 90 ％, 온도 60 도에 있어서 240 시간 구동시킨 후, 실온 환경하 (습도 40 ％, 온도 25 도) 로 되돌려, 터치 패널이 정상적으로 동작하는지를 확인했다.

실시예 34 에서 얻어진 터치 패널은 정상적으로 동작했지만, 비교예 16 및 17 에서 얻어진 패치 패널은 동작하지 않았다. 이것은, 비교예 16 및 17 에 있어서는, 패턴상의 도전막간에서 이온 마이그레이션이 진행되어 버렸기 때문이라고 생각된다.

10, 100 : 배선 기판
12, 12a, 12b : 절연 기판
14, 14a, 14b : 금속 배선
16 : 금속 배선이 형성된 절연 기판
18 : 은이온 확산 억제층
20 : 절연층
200 : 절연층이 형성된 배선 기판
300, 400, 800 : 도전막 적층체
302, 302a, 302b : 투명 기판
304, 304a, 304b : 도전막
306, 306a, 306b : 투명 양면 점착 시트
308, 308a, 308b : 보호 기판
310, 310a, 310b : 접착제층
500, 600, 700 : 터치 패널

Claims (24)

1. 절연 수지, 그리고,
   트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물을 함유하는 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 화합물이 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.
   [화학식 1]
   

   

   
   (식 (1) 중, R₁ 및 R₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 중 적어도 일방은 상기 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.
   식 (2) 중, R₃ 은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₃ 중에 함유되는 탄소 원자의 수는 5 이상이다.
   식 (3) 중, R₄ ∼ R₇ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 중 적어도 하나는 상기 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.)
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄화수소기가 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인 은이온 확산 억제층 형성용 조성물.
   [화학식 2]
   

   

   
   (식 (B-1) ∼ (B-7) 중, X_a 는 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 원자이다. 복수 있는 X_a 는 동일하거나 상이해도 된다. X_b 는 산소 원자 또는 황 원자이다. 복수 있는 X_b 는 동일하거나 상이해도 된다. * 는 결합 위치를 나타낸다.)
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인 은이온 확산 억제층 형성용 조성물. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)
6. 절연 수지, 그리고,
   트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물을 함유하는 은이온 확산 억제층용 필름.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 화합물이 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인 은이온 확산 억제층용 필름.
   [화학식 3]
   

   

   
   (식 (1) 중, R₁ 및 R₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 중 적어도 일방은 상기 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.
   식 (2) 중, R₃ 은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₃ 중에 함유되는 탄소 원자의 수는 5 이상이다.
   식 (3) 중, R₄ ∼ R₇ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 중 적어도 하나는 상기 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.)
8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
   상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 은이온 확산 억제층용 필름.
9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄화수소기가 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인 은이온 확산 억제층용 필름.
   [화학식 4]
   

   

   
   (식 (B-1) ∼ (B-7) 중, X_a 는 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 원자이다. 복수 있는 X_a 는 동일하거나 상이해도 된다. X_b 는 산소 원자 또는 황 원자이다. 복수 있는 X_b 는 동일하거나 상이해도 된다. * 는 결합 위치를 나타낸다.)
10. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인, 은이온 확산 억제층용 필름. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)
11. 절연 기판과, 상기 절연 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 금속 배선과, 상기 금속 배선 상에 배치된 은이온 확산 억제층을 구비하는 배선 기판으로서,
    상기 은이온 확산 억제층이 절연 수지, 그리고, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와, 상기 구조에 결합하는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물을 함유하는 배선 기판.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 화합물이 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인 배선 기판.
    [화학식 5]
    

    

    
    (식 (1) 중, R₁ 및 R₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 중 적어도 일방은 상기 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.
    식 (2) 중, R₃ 은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₃ 중에 함유되는 탄소 원자의 수는 5 이상이다.
    식 (3) 중, R₄ ∼ R₇ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 중 적어도 하나는 상기 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.)
13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 배선 기판.
14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인 배선 기판.
    [화학식 6]
    

    

    
    (식 (B-1) ∼ (B-7) 중, X_a 는 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 원자이다. 복수 있는 X_a 는 동일하거나 상이해도 된다. X_b 는 산소 원자 또는 황 원자이다. 복수 있는 X_b 는 동일하거나 상이해도 된다. * 는 결합 위치를 나타낸다.)
15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인 배선 기판. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)
16. 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 배선 기판을 구비하는 전자기기.
17. 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 배치된 은 또는 은합금을 함유하는 도전막과, 상기 도전막 상에 첩합된 투명 양면 점착 시트를 구비하는 도전막 적층체로서,
    상기 투명 양면 점착 시트에, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조와, 메르캅토기와, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 가지며, 상기 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 상기 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물이 함유되는 도전막 적층체.
18. 제 17 항에 있어서,
    상기 화합물이 식 (1) ∼ 식 (3) 중 어느 것으로 나타내는 화합물인 도전막 적층체.
    [화학식 7]
    

    

    
    (식 (1) 중, R₁ 및 R₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 중 적어도 일방은 상기 탄화수소기를 나타내고, R₁ 및 R₂ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.
    식 (2) 중, R₃ 은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₃ 중에 함유되는 탄소 원자의 수는 5 이상이다.
    식 (3) 중, R₄ ∼ R₇ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 중 적어도 하나는 상기 탄화수소기를 나타내고, R₄ ∼ R₇ 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.)
19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 제 3 급 탄소 원자 및/또는 제 4 급 탄소 원자를 함유하는 탄화수소기인 도전막 적층체.
20. 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 함유하는 탄화수소기 (또한, 하기 식 (B-1) ∼ (B-7) 중의 복수의 * 중 1 개가 상기 트리아졸 구조, 상기 티아디아졸 구조 및 상기 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조에 직접 결합하는 탄화수소기이어도 된다.) 인 도전막 적층체.
    [화학식 8]
    

    

    
    (식 (B-1) ∼ (B-7) 중, X_a 는 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 원자이다. 복수 있는 X_a 는 동일하거나 상이해도 된다. X_b 는 산소 원자 또는 황 원자이다. 복수 있는 X_b 는 동일하거나 상이해도 된다. * 는 결합 위치를 나타낸다.)
21. 제 17 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄화수소기가 -S-R_q 로 나타내는 기인 도전막 적층체. (R_q 는 -COO- 또는 -CON＜ 를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기를 나타낸다.)
22. 제 17 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전막이 은 또는 은합금으로 이루어지는 금속 나노 와이어를 함유하는 도전막 적층체.
23. 제 17 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 양면 점착 시트가 아크릴계 점착제를 포함하는 도전막 적층체.
24. 제 17 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 도전막 적층체를 포함하는 터치 패널.

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