JP2014130764A - 絶縁シート、配線基板、タッチパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、銀を含む金属配線層上に貼り付けられ、金属配線層間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができ、着色の発生が抑制された絶縁シートを提供することを目的とする。
【解決手段】マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含む絶縁シートであって、絶縁シートの一方の主面表面から、絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａにおける、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、絶縁シート。
【選択図】なし
【解決手段】マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含む絶縁シートであって、絶縁シートの一方の主面表面から、絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａにおける、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、絶縁シート。
【選択図】なし
Description
本発明は、絶縁シート、配線基板、およびタッチパネルに関する。
従来より、絶縁基板表面上に金属配線層が配置された配線基板が電子部材、半導体素子に広く用いられている。金属配線層を構成する金属としては導電性が高い銀、銅がよく用いられるが、これら金属はイオンマイグレーションが発生しやすいという問題があり、とりわけ銀はこの問題が顕著に表れる。
このような金属のイオンマイグレーションを防止する方法として、金属配線層間のポリマー層に含チオール化合物などの金属イオン吸着化合物を導入する方法が提案されている（特許文献１）。
一方、近年、半導体集積回路やチップ部品等の小型化により、金属配線層の微細化が進んでいる。そのため、配線基板中の金属配線層の幅および間隔はより狭小化しており、イオンマイグレーションによる回路の断線や回路間の導通がさらに生じやすくなっている。このような状況の下、配線基板中の銀を含む金属配線層間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。
本発明者は、特許文献１で開示される含チオール化合物などの金属イオンと有機金属塩を形成する化合物が導入されたポリマー層を、銀含有金属配線層上に設け、その絶縁信頼性について検討を行った。その結果、金属配線層間においては配線間抵抗の顕著な低下が確認され、そのイオンマイグレーション抑制効果は昨今要求されるレベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であった。
また、イオンマイグレーション抑制効果を向上させるために金属イオン吸着化合物を多量に使用すると、配線間に電圧が印加された際に、ポリマー層に着色が生じてしまい透過率や外観特性に劣る。
本発明者は、特許文献１で開示される含チオール化合物などの金属イオンと有機金属塩を形成する化合物が導入されたポリマー層を、銀含有金属配線層上に設け、その絶縁信頼性について検討を行った。その結果、金属配線層間においては配線間抵抗の顕著な低下が確認され、そのイオンマイグレーション抑制効果は昨今要求されるレベルを満たしておらず、さらなる改良が必要であった。
また、イオンマイグレーション抑制効果を向上させるために金属イオン吸着化合物を多量に使用すると、配線間に電圧が印加された際に、ポリマー層に着色が生じてしまい透過率や外観特性に劣る。
本発明は、上記実情に鑑みて、銀を含む金属配線層上に貼り付けられ、金属配線層間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができ、着色の発生が抑制された絶縁シートを提供することを目的とする。
また、本発明は、銀を含む金属配線層間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線層間の絶縁信頼性を向上させることができる配線基板を提供することも目的とする。
また、本発明は、銀を含む金属配線層間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線層間の絶縁信頼性を向上させることができる配線基板を提供することも目的とする。
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行ったところ、絶縁シート中におけるマイグレーション防止剤の分布状態を制御することにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１） マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含む絶縁シートであって、
絶縁シートの一方の主面表面から、絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａにおける、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、絶縁シート。
（２） マイグレーション防止剤が、メルカプト基を有する複素環化合物およびフェノール化合物からなる群から選択される少なくとも１つである、（１）に記載の絶縁シート。
（３） 絶縁樹脂が粘着性絶縁樹脂である、（１）または（２）に記載の絶縁シート。
（４） 片側領域Ａの厚みが５μｍ以上である、（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁シート。
（５） 片側領域Ａにおけるマイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、６０質量％以上である、（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁シート。
（６） 片側領域Ａにおけるマイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、１００質量％である、（１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁シート。
絶縁シートの一方の主面表面から、絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａにおける、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、絶縁シート。
（２） マイグレーション防止剤が、メルカプト基を有する複素環化合物およびフェノール化合物からなる群から選択される少なくとも１つである、（１）に記載の絶縁シート。
（３） 絶縁樹脂が粘着性絶縁樹脂である、（１）または（２）に記載の絶縁シート。
（４） 片側領域Ａの厚みが５μｍ以上である、（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁シート。
（５） 片側領域Ａにおけるマイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、６０質量％以上である、（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁シート。
（６） 片側領域Ａにおけるマイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、１００質量％である、（１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁シート。
（７） 絶縁基板と、絶縁基板上に配置された銀を含む金属配線層と、金属配線層上に配置された絶縁樹脂層とを備える配線基板であって、
絶縁樹脂層が、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含み、
絶縁樹脂層の金属配線層側の主面表面から、絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する厚みまでの片側領域Ａにおける、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、配線基板。
（８） マイグレーション防止剤が、メルカプト基を有する複素環化合物およびフェノール化合物からなる群から選択される少なくとも１つである、（７）に記載の配線基板。
（９） メルカプト基を有する複素環化合物が後述する式（１）〜（５）で表される化合物からなる群から選択され、フェノール化合物が後述する式（７）〜（９）で表される化合物からなる群から選択される、（７）または（８）に記載の配線基板。
（１０） マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、６０質量％以上である、（７）〜（９）のいずれかに記載の配線基板。
（１１） 絶縁樹脂が粘着性絶縁樹脂である、（７）〜（１０）のいずれかに記載の配線基板。
（１２） 片側領域Ａの厚みが、金属配線層の最大厚みよりも大きい、（７）〜（１１）のいずれかに記載の配線基板。
（１３） （７）〜（１２）のいずれかに記載の配線基板を含むタッチパネル。
絶縁樹脂層が、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含み、
絶縁樹脂層の金属配線層側の主面表面から、絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する厚みまでの片側領域Ａにおける、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、配線基板。
（８） マイグレーション防止剤が、メルカプト基を有する複素環化合物およびフェノール化合物からなる群から選択される少なくとも１つである、（７）に記載の配線基板。
（９） メルカプト基を有する複素環化合物が後述する式（１）〜（５）で表される化合物からなる群から選択され、フェノール化合物が後述する式（７）〜（９）で表される化合物からなる群から選択される、（７）または（８）に記載の配線基板。
（１０） マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、６０質量％以上である、（７）〜（９）のいずれかに記載の配線基板。
（１１） 絶縁樹脂が粘着性絶縁樹脂である、（７）〜（１０）のいずれかに記載の配線基板。
（１２） 片側領域Ａの厚みが、金属配線層の最大厚みよりも大きい、（７）〜（１１）のいずれかに記載の配線基板。
（１３） （７）〜（１２）のいずれかに記載の配線基板を含むタッチパネル。
本発明によれば、銀を含む金属配線層上に貼り付けられ、金属配線層間の銀のイオンマイグレーションを抑制することができ、着色の発生が抑制された絶縁シートを提供することができる。
また、本発明によれば、銀を含む金属配線層間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線層間の絶縁信頼性を向上させることができる配線基板を提供することもできる。
また、本発明によれば、銀を含む金属配線層間の銀のイオンマイグレーションが抑制され、金属配線層間の絶縁信頼性を向上させることができる配線基板を提供することもできる。
以下に、本発明の絶縁シートおよび配線基板の好適態様について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
上述したように、本発明においては、絶縁シート（または絶縁樹脂層）中におけるマイグレーション防止剤の分布状態を制御することにより、所望の効果が得られることを見出している。一般的に、イオンマイグレーションを抑制する方法としては、使用するマイグレーション防止剤の濃度を増やす方法がある。しかしながら、マイグレーション防止剤の濃度を増やすと、絶縁シート中でマイグレーション防止剤のドメインが形成され、絶縁シートの力学特性が低下したり、着色が生じ透過率が低減したりする。そこで、本発明においては、絶縁シート（または絶縁樹脂層）の外側露出表面付近に多くのマイグレーション防止剤を偏在させることにより、金属配線層から外側に析出する金属イオンの拡散を効率よく抑制することができる。従って、絶縁シートの一方の表面上にマイグレーション防止剤を偏在させることにより、少ない使用量で所定のイオンマイグレーション抑制能を付与できる。そのため、使用されるマイグレーション防止剤の量を低減させることができ、上記のような絶縁シートの着色をより低減することができる。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
上述したように、本発明においては、絶縁シート（または絶縁樹脂層）中におけるマイグレーション防止剤の分布状態を制御することにより、所望の効果が得られることを見出している。一般的に、イオンマイグレーションを抑制する方法としては、使用するマイグレーション防止剤の濃度を増やす方法がある。しかしながら、マイグレーション防止剤の濃度を増やすと、絶縁シート中でマイグレーション防止剤のドメインが形成され、絶縁シートの力学特性が低下したり、着色が生じ透過率が低減したりする。そこで、本発明においては、絶縁シート（または絶縁樹脂層）の外側露出表面付近に多くのマイグレーション防止剤を偏在させることにより、金属配線層から外側に析出する金属イオンの拡散を効率よく抑制することができる。従って、絶縁シートの一方の表面上にマイグレーション防止剤を偏在させることにより、少ない使用量で所定のイオンマイグレーション抑制能を付与できる。そのため、使用されるマイグレーション防止剤の量を低減させることができ、上記のような絶縁シートの着色をより低減することができる。
［絶縁シート］
まず、絶縁シートの好適態様について、図１を参照して詳述する。
図１に示す絶縁シート１０には、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂が含まれる。また、絶縁シート１０の一方の主面表面から、絶縁シート１０の全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａ１２における、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である。なお、後段では、絶縁シート１０中の片側領域Ａ１２以外の部分を、片側領域Ｂ１４とも称する。
以下では、まず、絶縁シート１０の構造について詳述し、その後、絶縁シート１０に使用される材料（マイグレーション防止剤および絶縁樹脂など）について詳述する。
まず、絶縁シートの好適態様について、図１を参照して詳述する。
図１に示す絶縁シート１０には、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂が含まれる。また、絶縁シート１０の一方の主面表面から、絶縁シート１０の全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａ１２における、マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である。なお、後段では、絶縁シート１０中の片側領域Ａ１２以外の部分を、片側領域Ｂ１４とも称する。
以下では、まず、絶縁シート１０の構造について詳述し、その後、絶縁シート１０に使用される材料（マイグレーション防止剤および絶縁樹脂など）について詳述する。
絶縁シート１０は、２つの主面１０ａおよび１０ｂを有するシートである。
片側領域Ａ１２は、絶縁シート１０の一方の主面１０ａ表面から、絶縁シート１０の全体厚みＴ２の２／５に相当する深さ位置までの領域である。つまり、片側領域Ａ１２の厚みＴ１は、絶縁シートの全体厚みＴ２の２／５の厚みに相当する。
絶縁シート１０中における片側領域Ａ１２の特定方法としては、絶縁シート１０表面に対して垂直な方向の絶縁シート１０の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、絶縁シート１０の外側表面（主面１０ａ）から絶縁シート１０の全体厚みの２／５に相当する深さ位置までの領域を片側領域Ａ１２とする。絶縁シート１０中の片側領域Ａ１２以外の部分を、片側領域Ｂ１４とする。
なお、絶縁シート１０の全体厚みは、５箇所以上の任意点の絶縁シート１０の全体厚みを測定して、それらを算術平均したものである。
片側領域Ａ１２は、絶縁シート１０の一方の主面１０ａ表面から、絶縁シート１０の全体厚みＴ２の２／５に相当する深さ位置までの領域である。つまり、片側領域Ａ１２の厚みＴ１は、絶縁シートの全体厚みＴ２の２／５の厚みに相当する。
絶縁シート１０中における片側領域Ａ１２の特定方法としては、絶縁シート１０表面に対して垂直な方向の絶縁シート１０の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、絶縁シート１０の外側表面（主面１０ａ）から絶縁シート１０の全体厚みの２／５に相当する深さ位置までの領域を片側領域Ａ１２とする。絶縁シート１０中の片側領域Ａ１２以外の部分を、片側領域Ｂ１４とする。
なお、絶縁シート１０の全体厚みは、５箇所以上の任意点の絶縁シート１０の全体厚みを測定して、それらを算術平均したものである。
片側領域Ａ１２に含まれるマイグレーション防止剤の含有量は、絶縁シート１０に含まれるマイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である。言い換えると、絶縁シート１０に含まれるマイグレーション防止剤の４０質量％超が、片側領域Ａ１２に存在する。上記関係を満たしていれば、銀含有金属配線層付き絶縁基板中の銀含有金属配線層に片側領域Ａ１２を向けて、絶縁シート１０を金属配線層付き絶縁基板上に配置する際に、銀含有金属配線層からのイオンマイグレーションが抑制される。なかでも、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、片側領域Ａ１２に含まれるマイグレーション防止剤の含有量は、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が好ましい。
なお、片側領域Ａ１２に含まれるマイグレーション防止剤の含有量の測定方法は、絶縁シート１０表面に対して垂直な方向の絶縁シート１０の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、片側領域Ａ１２に相当する領域と片側領域Ｂ１４に相当する領域とに含まれる成分の元素分析を行い、マイグレーション防止剤由来の元素の量を比較して含有量を求める。なお、元素分析の方法としては、ＥＤＸを使用する。
なお、片側領域Ａ１２に含まれるマイグレーション防止剤の含有量の測定方法は、絶縁シート１０表面に対して垂直な方向の絶縁シート１０の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、片側領域Ａ１２に相当する領域と片側領域Ｂ１４に相当する領域とに含まれる成分の元素分析を行い、マイグレーション防止剤由来の元素の量を比較して含有量を求める。なお、元素分析の方法としては、ＥＤＸを使用する。
絶縁シート１０全体に含まれるマイグレーション防止剤の含有量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れ、着色がより抑制される点で、絶縁シート１０全質量に対して、０．０１〜３．０質量％が好ましく、０．０５〜２．０質量％がより好ましく、０．１〜１．０質量％がさらに好ましい。
絶縁シート１０全体に含まれる絶縁樹脂の含有量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、絶縁シート１０全質量に対して、９７．０〜９９．９９質量％が好ましく、９８．０〜９９．５質量％がより好ましく、９９．０〜９９．９質量％がさらに好ましい。
絶縁シート１０全体に含まれる絶縁樹脂の含有量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、絶縁シート１０全質量に対して、９７．０〜９９．９９質量％が好ましく、９８．０〜９９．５質量％がより好ましく、９９．０〜９９．９質量％がさらに好ましい。
片側領域Ａ１２の厚みＴ１は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、２μｍ以上が好ましく、５〜３０μｍがより好ましく、１０〜３０μｍがさらに好ましい。
絶縁シート１０の厚みは特に制限されないが、タッチパネル用途への応用の点からは、２５〜５００μｍ程度が好ましく、５０〜４００μｍ程度がより好ましい。
絶縁シート１０の厚みは特に制限されないが、タッチパネル用途への応用の点からは、２５〜５００μｍ程度が好ましく、５０〜４００μｍ程度がより好ましい。
片側領域Ａには２種以上の異なるマイグレーション防止剤が含まれていてもよい。
片側領域Ａに２種以上の異なるマイグレーション防止剤が含まれる場合、それぞれのマイグレーション防止剤が片側領域Ａ中に均一に分散していてもよいし、片側領域Ａ中においてそれぞれのマイグレーション防止剤が偏在していてもよい。例えば、片側領域Ａに２種のマイグレーション防止剤（マイグレーション防止剤ＡおよびＢ）が含まれる場合、片側領域Ａはマイグレーション防止剤Ａを含む層と、マイグレーション防止剤Ｂを含む層とが積層した構造を有していてもよい。
片側領域Ａに２種以上の異なるマイグレーション防止剤が含まれる場合、それぞれのマイグレーション防止剤が片側領域Ａ中に均一に分散していてもよいし、片側領域Ａ中においてそれぞれのマイグレーション防止剤が偏在していてもよい。例えば、片側領域Ａに２種のマイグレーション防止剤（マイグレーション防止剤ＡおよびＢ）が含まれる場合、片側領域Ａはマイグレーション防止剤Ａを含む層と、マイグレーション防止剤Ｂを含む層とが積層した構造を有していてもよい。
また、絶縁シート１０は、必要に応じて、他の基材と積層させて使用されてもよい。
例えば、後述するように絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合、絶縁シート１０を基材レス粘着シートとして使用することができる。また、他の態様としては、絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合、片側領域Ｂ側の表面上にさらに基材を配置して、基材付き粘着シートとして使用してもよい。また、絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合、２枚の絶縁シートを用意して、両者の絶縁シート中の片側領域Ｂ側の表面を基材の表面および裏面にそれぞれ配置して、基材付き両面粘着シートとして使用してもよい。
以下に、絶縁シート１０で使用される材料について詳述する。
例えば、後述するように絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合、絶縁シート１０を基材レス粘着シートとして使用することができる。また、他の態様としては、絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合、片側領域Ｂ側の表面上にさらに基材を配置して、基材付き粘着シートとして使用してもよい。また、絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合、２枚の絶縁シートを用意して、両者の絶縁シート中の片側領域Ｂ側の表面を基材の表面および裏面にそれぞれ配置して、基材付き両面粘着シートとして使用してもよい。
以下に、絶縁シート１０で使用される材料について詳述する。
（マイグレーション防止剤）
マイグレーション防止剤（マイグレーション抑制剤）は、金属イオンのマイグレーションを抑制する化合物である。
使用されるマイグレーション防止剤の種類は特に制限されず、公知の化合物を使用することができる。例えば、メルカプト基を有する複素環化合物、フェノール化合物、リン系化合物などが挙げられる。
なかでも、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、メルカプト基を有する複素環化合物またはフェノール化合物が好ましい。以下に、これらの化合物について詳述する。
マイグレーション防止剤（マイグレーション抑制剤）は、金属イオンのマイグレーションを抑制する化合物である。
使用されるマイグレーション防止剤の種類は特に制限されず、公知の化合物を使用することができる。例えば、メルカプト基を有する複素環化合物、フェノール化合物、リン系化合物などが挙げられる。
なかでも、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、メルカプト基を有する複素環化合物またはフェノール化合物が好ましい。以下に、これらの化合物について詳述する。
（メルカプト基を有する複素環化合物）
マイグレーション防止剤としては、メルカプト基（−ＳＨ）基を有する複素環化合物（以後、ＳＨ基含有化合物とも称する）が挙げられる。この化合物は、メルカプト基および複素環部に含まれるヘテロ原子によって銀イオンを捕獲して、イオンマイグレーションを抑制する。
ＳＨ基含有化合物は、ヘテロ原子を少なくとも一つ持つ環状化合物である。ヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子を意味する。ヘテロ原子は複素環の環系の構成部分を形成する原子のみを意味し、環系に対して外部に位置していたり、少なくとも一つの非共役単結合により環系から分離していたり、環系のさらなる置換基の一部分であるような原子は意味しない。ヘテロ原子の数の上限は特にないが、好ましくは１０個以下であり、さらに好ましくは６個以下、特に好ましくは４個以下である。
マイグレーション防止剤としては、メルカプト基（−ＳＨ）基を有する複素環化合物（以後、ＳＨ基含有化合物とも称する）が挙げられる。この化合物は、メルカプト基および複素環部に含まれるヘテロ原子によって銀イオンを捕獲して、イオンマイグレーションを抑制する。
ＳＨ基含有化合物は、ヘテロ原子を少なくとも一つ持つ環状化合物である。ヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子を意味する。ヘテロ原子は複素環の環系の構成部分を形成する原子のみを意味し、環系に対して外部に位置していたり、少なくとも一つの非共役単結合により環系から分離していたり、環系のさらなる置換基の一部分であるような原子は意味しない。ヘテロ原子の数の上限は特にないが、好ましくは１０個以下であり、さらに好ましくは６個以下、特に好ましくは４個以下である。
これらの要件を満たす、いかなる複素環化合物を用いてもよいが、ヘテロ原子として好ましくは、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、またはホウ素原子であり、さらに好ましくは、窒素原子、硫黄原子、または酸素原子であり、特に好ましくは窒素原子、または硫黄原子である。
複素環の環員数は特に制限されないが、好ましくは４〜１０員環であり、より好ましくは５〜９員環であり、さらに好ましくは５〜６員環である。
複素環としては、芳香族および非芳香族のいずれでもよいが、好ましくは芳香族複素環である。
複素環の構成は単環および縮環のいずれでもよいが、好ましくは単環または２個の芳香環からなる複素環である。
複素環としては、芳香族および非芳香族のいずれでもよいが、好ましくは芳香族複素環である。
複素環の構成は単環および縮環のいずれでもよいが、好ましくは単環または２個の芳香環からなる複素環である。
これらの複素環として具体的には、ピロール環、チオフェン環、フラン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアザインデン環、テトラアザインデン環、ペンタアザインデン環、ヘキサアザインデン環、プリン環、テトラゾール環、ピラゾロトリアゾール環、ピロロトリアゾール環、および、これらにベンゾ縮環したインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、キノキサリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、アクリジン環、ベンゾトリアゾール環、および、これらが一部または全部飽和したピロリジン環、ピロリン環、イミダゾリン環などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ＳＨ基含有化合物は、メルカプト基を有する。メルカプト基は銀と共有結合を生成する反応性に富む。このメルカプト基は、上記複素環部に結合する。
ＳＨ基含有化合物中におけるメルカプト基の量は特に制限されないが、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより良好である点より、化合物全分子量中に対してメルカプト基の原子量総量が占める割合が５０％以下であることが好ましく、特に４０％以下が好ましい。
なお、メルカプト基は、一つだけなく、複数含まれていてもよい。
ＳＨ基含有化合物中におけるメルカプト基の量は特に制限されないが、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより良好である点より、化合物全分子量中に対してメルカプト基の原子量総量が占める割合が５０％以下であることが好ましく、特に４０％以下が好ましい。
なお、メルカプト基は、一つだけなく、複数含まれていてもよい。
ＳＨ基含有化合物は、メルカプト基以外の置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ(ＯＨ)2）、ホスファト基（−ＯＰＯ(ＯＨ)2）、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）などが挙げられる。
なかでも、絶縁樹脂との相溶性がより優れ、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＳＨ基含有化合物には、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基が含まれていることが好ましい。
炭化水素基の分子量は５０以上が好ましく、６０以上がより好ましく、７０以上がさらに好ましい。また、上限は特に制限されないが、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、６００以下が好ましく、４００以下がより好ましい。なお、炭化水素基の分子量とは、炭化水素基を構成する原子（例えば、水素原子、炭素原子、ヘテロ原子）の原子量の合計を意図する。
炭化水素基は、炭素原子と水素原子を含む基であり、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、化合物の絶縁樹脂中における分散性がより優れる点で、直鎖状の脂肪族炭化水素部分の炭素原子数が１８以下、または、第３級または第４級の炭素原子を含む分岐鎖状であることが好ましい。
各炭化水素基中の炭素数は、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、４以上が好ましく、５以上がより好ましく、７以上が特に好ましい。炭素数の上限は特に制限されないが、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、６２以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２４以下がさらに好ましい。
炭化水素基の分子量は５０以上が好ましく、６０以上がより好ましく、７０以上がさらに好ましい。また、上限は特に制限されないが、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、６００以下が好ましく、４００以下がより好ましい。なお、炭化水素基の分子量とは、炭化水素基を構成する原子（例えば、水素原子、炭素原子、ヘテロ原子）の原子量の合計を意図する。
炭化水素基は、炭素原子と水素原子を含む基であり、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、化合物の絶縁樹脂中における分散性がより優れる点で、直鎖状の脂肪族炭化水素部分の炭素原子数が１８以下、または、第３級または第４級の炭素原子を含む分岐鎖状であることが好ましい。
各炭化水素基中の炭素数は、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、４以上が好ましく、５以上がより好ましく、７以上が特に好ましい。炭素数の上限は特に制限されないが、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、６２以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２４以下がさらに好ましい。
炭化水素基には、ヘテロ原子が含まれていてもよい。つまり、ヘテロ原子含有炭化水素基であってもよい。含有されるヘテロ原子の種類は特に制限されないが、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子などが挙げられる。なかでも、銀のイオンマイグレーション抑制能が優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−、−ＳＯt−、−ＳＯ2Ｎ(Ｒc)−、ハロゲン原子、またはこれらを組み合わせた基の態様で含まれることが好ましい。
Ｙ1〜Ｙ4は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、およびテルル原子からなる群から選択される。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。
上記Ｒa、Ｒb、Ｒcは、各々独立に、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基から選択される。
ｔは１〜３の整数を表す。
Ｙ1〜Ｙ4は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、およびテルル原子からなる群から選択される。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。
上記Ｒa、Ｒb、Ｒcは、各々独立に、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基から選択される。
ｔは１〜３の整数を表す。
ヘテロ原子が炭化水素基中に含まれる場合、ヘテロ原子は炭化水素基の鎖中に存在するのでも、端部（末端部）に存在するものでもよい。なお、ヘテロ原子が炭化水素基中の端部に存在する場合、そのヘテロ原子を通じて上述した複素環部などに直接結合する形で、炭化水素基が複素環部に結合していてもよい。つまり、炭化水素基中において、ヘテロ原子が複素環部との結合位置に配置されていてもよい。
ヘテロ原子が炭化水素基の結合位置に存在する場合の炭化水素基の具体例としては、例えば、−Ｏ−Ｒp、−Ｓ−Ｒq、−ＳＯｔ−Ｒrなどが挙げられる。なかでも、銀のイオンマイグレーション抑制能がより安定的に優れる理由から、−Ｓ−Ｒqが好ましい。ｔは１〜３の整数を表す。
ここで、Ｒp、Ｒq、Ｒrは、各々独立に、−ＣＯＯ−または−ＣＯＮ＜を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基である。なかでも、−ＣＯＯ−または−ＣＯＮ＜を有していてもよい炭素数５〜２０の炭化水素基であることが好ましい。
なお、ヘテロ原子が炭化水素基中に含まれる場合、メルカプト基（−ＳＨ）の態様で含まれていてもよい。
ヘテロ原子が炭化水素基の結合位置に存在する場合の炭化水素基の具体例としては、例えば、−Ｏ−Ｒp、−Ｓ−Ｒq、−ＳＯｔ−Ｒrなどが挙げられる。なかでも、銀のイオンマイグレーション抑制能がより安定的に優れる理由から、−Ｓ−Ｒqが好ましい。ｔは１〜３の整数を表す。
ここで、Ｒp、Ｒq、Ｒrは、各々独立に、−ＣＯＯ−または−ＣＯＮ＜を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基である。なかでも、−ＣＯＯ−または−ＣＯＮ＜を有していてもよい炭素数５〜２０の炭化水素基であることが好ましい。
なお、ヘテロ原子が炭化水素基中に含まれる場合、メルカプト基（−ＳＨ）の態様で含まれていてもよい。
炭化水素基の一つの好適態様としては、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基が挙げられる。
炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む場合、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより優れ、および／または、後述する溶媒（例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトンなど）への溶解性がより優れる。結果として、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現され、また、銀のイオンマイグレーションを誘発する微結晶や微結晶由来の気泡がより生じにくくなる。
炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基である場合、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子が不斉炭素原子であり、ＳＨ基含有化合物がエナンチオマーの混合物であることが好ましい。
また、炭化水素基は第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を複数含む炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を複数含む場合、ＳＨ基含有化合物の分散性がより優れる理由から、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子が不斉炭素原子であり、ＳＨ基含有化合物がジアステレオマーの混合物であることが好ましい。
第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基の炭素数は、５〜３０であることが好ましく、６〜２０であることがより好ましい。上記範囲であると、ＳＨ基含有化合物の分散性がより優れ、その結果、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現される。また、上記範囲であると、ＳＨ基含有化合物中のメルカプト基の量の点から、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる。
第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基の具体例としては、例えば、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基などが挙げられる。
炭化水素基の具体例としては、例えば、以下の基を含む態様が挙げられる。ここで黒い丸は結合位置を表す。
炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む場合、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより優れ、および／または、後述する溶媒（例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトンなど）への溶解性がより優れる。結果として、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現され、また、銀のイオンマイグレーションを誘発する微結晶や微結晶由来の気泡がより生じにくくなる。
炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基である場合、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子が不斉炭素原子であり、ＳＨ基含有化合物がエナンチオマーの混合物であることが好ましい。
また、炭化水素基は第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を複数含む炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基が第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を複数含む場合、ＳＨ基含有化合物の分散性がより優れる理由から、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子が不斉炭素原子であり、ＳＨ基含有化合物がジアステレオマーの混合物であることが好ましい。
第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基の炭素数は、５〜３０であることが好ましく、６〜２０であることがより好ましい。上記範囲であると、ＳＨ基含有化合物の分散性がより優れ、その結果、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現される。また、上記範囲であると、ＳＨ基含有化合物中のメルカプト基の量の点から、銀のイオンマイグレーション抑制能がより優れる。
第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む炭化水素基の具体例としては、例えば、第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基などが挙げられる。
炭化水素基の具体例としては、例えば、以下の基を含む態様が挙げられる。ここで黒い丸は結合位置を表す。
炭化水素基の別の好適態様としては、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む炭化水素基が挙げられる。
炭化水素基が下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む場合、上述した第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む場合と同様に、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより優れ、および／または、後述する溶媒（例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトンなど）への溶解性がより優れる。結果として、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現され、また、銀のイオンマイグレーションを誘発する微結晶や微結晶由来の気泡がより生じにくくなる。炭化水素基が下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される２種以上の基を含んでいてもよい。
炭化水素基が下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む場合、上述した第３級炭素原子および／または第４級炭素原子を含む場合と同様に、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中での分散性がより優れ、および／または、後述する溶媒（例えば、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトンなど）への溶解性がより優れる。結果として、銀のイオンマイグレーション抑制能がより均質に発現され、また、銀のイオンマイグレーションを誘発する微結晶や微結晶由来の気泡がより生じにくくなる。炭化水素基が下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される２種以上の基を含んでいてもよい。
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）中、Ｘaは酸素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選択される原子である。なかでも、取り扱いがより簡便である点から、酸素原子、硫黄原子が好ましい。複数あるＸaは同一であっても異なっていてもよい。Ｘbは酸素原子または硫黄原子である。複数あるＸbは同一であっても異なっていてもよい。＊は結合位置を表す。
＊に炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基または炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が結合していてもよい。
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む炭化水素基は、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）中の複数の＊の１つが複素環部に直接結合する炭化水素基であってもよい。
＊に炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基または炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が結合していてもよい。
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）からなる群より選択される少なくとも１種の基を含む炭化水素基は、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）中の複数の＊の１つが複素環部に直接結合する炭化水素基であってもよい。
炭化水素基が上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−７）で表される基を含む態様の具体例としては、例えば、以下の基を含む態様が挙げられる。ここで黒い丸は結合位置を表す。
ＳＨ基含有化合物の分子量は特に制限さないが、絶縁樹脂との相溶性がより優れる点から、５０〜１０００が好ましく、１００〜６００がより好ましい。
（好適態様（その１））
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超であることが好ましく、１１以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常５０以下の場合が多く、イオンマイグレーションが課題となる電気回路周辺材料としての電気信頼性がより優れる点で４０以下が好ましく、２０以下がより好ましい。
なお、Ｋｓｐの測定方法としては、例えば丸善（株）刊 新実験化学講座第１巻 ２３３〜２５０ページに記載の情報を参考に測定することができる。
例えば、銀とのＫｓｐが既知の化合物Ａ（ハロゲン化銀など）とＫｓｐが未知の化合物Ｂ、硝酸銀をそれぞれ０．５ｍＭ水溶液に加えて１０時間恒温経時させる。その後、その溶液をミクロフィルターでろ過した後、残存化合物Ａ、化合物ＢをＨＰＬＣを用いて定量することにより、式 ＫｓｐＡｇＢ／ＫｓｐＡｇＡ＝[Ｂ]／[Ａ]により、未知のＫｓｐを求める。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ｐＫａ（酸解離定数）が２超であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１６以下の場合が多く、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１５以下が好ましい。
なお、ｐＫａの測定方法としては、丸善（株）刊 実験化学講座第２版の２１５ページ〜２１７ページに記載のアルカリ適定法を採用する。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＬｏｇＰが２超であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１１以下の場合が多く、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１０以下が好ましい。
ここで、ＬｏｇＰ値は、物質の疎水性の程度を表す指標であり、例えば、測定されるオクタノール／水分配係数で表される値である。ＬｏｇＰ値（ｌｏｇＰｏ／ｗ値）の算出法としては、「２５℃でｎ−オクタノール中での該有機化合物の溶解度」をＳｏとし、「２５℃で純水中での該有機化合物の溶解度」をＳｗとした場合、ｌｏｇＰ＝Ｓｏ／Ｓｗで表される。なお、これらは、この通りにｎ−オクタノールと水を用いて測定することもできるが、本発明においては、ｌｏｇＰ値推算プログラム（Ｄａｙｌｉｇｈｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社のＰＣ Ｍｏｄｅｌｓに組み込まれたＣＬＯＧＰプログラム）を使用して分配係数（ｌｏｇＰ値）を求めることができる。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、銀イオンとの溶解度積（ｐＫｓｐ）が１０超であることが好ましく、１１以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常５０以下の場合が多く、イオンマイグレーションが課題となる電気回路周辺材料としての電気信頼性がより優れる点で４０以下が好ましく、２０以下がより好ましい。
なお、Ｋｓｐの測定方法としては、例えば丸善（株）刊 新実験化学講座第１巻 ２３３〜２５０ページに記載の情報を参考に測定することができる。
例えば、銀とのＫｓｐが既知の化合物Ａ（ハロゲン化銀など）とＫｓｐが未知の化合物Ｂ、硝酸銀をそれぞれ０．５ｍＭ水溶液に加えて１０時間恒温経時させる。その後、その溶液をミクロフィルターでろ過した後、残存化合物Ａ、化合物ＢをＨＰＬＣを用いて定量することにより、式 ＫｓｐＡｇＢ／ＫｓｐＡｇＡ＝[Ｂ]／[Ａ]により、未知のＫｓｐを求める。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ｐＫａ（酸解離定数）が２超であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１６以下の場合が多く、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１５以下が好ましい。
なお、ｐＫａの測定方法としては、丸善（株）刊 実験化学講座第２版の２１５ページ〜２１７ページに記載のアルカリ適定法を採用する。
ＳＨ基含有化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＬｏｇＰが２超であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、通常、１１以下の場合が多く、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１０以下が好ましい。
ここで、ＬｏｇＰ値は、物質の疎水性の程度を表す指標であり、例えば、測定されるオクタノール／水分配係数で表される値である。ＬｏｇＰ値（ｌｏｇＰｏ／ｗ値）の算出法としては、「２５℃でｎ−オクタノール中での該有機化合物の溶解度」をＳｏとし、「２５℃で純水中での該有機化合物の溶解度」をＳｗとした場合、ｌｏｇＰ＝Ｓｏ／Ｓｗで表される。なお、これらは、この通りにｎ−オクタノールと水を用いて測定することもできるが、本発明においては、ｌｏｇＰ値推算プログラム（Ｄａｙｌｉｇｈｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社のＰＣ Ｍｏｄｅｌｓに組み込まれたＣＬＯＧＰプログラム）を使用して分配係数（ｌｏｇＰ値）を求めることができる。
（好適態様（その２））
ＳＨ基含有化合物の好適態様としては、以下の式（１）〜式（５）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、イオンマイグレーション抑制能により優れる。特に、本発明の効果がより優れる点で、式（１）または式（２）で表される化合物が好ましい。
ＳＨ基含有化合物の好適態様としては、以下の式（１）〜式（５）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、イオンマイグレーション抑制能により優れる。特に、本発明の効果がより優れる点で、式（１）または式（２）で表される化合物が好ましい。
式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、Ｒ1およびＲ2の少なくともいずれか一方は、炭化水素基を表す。
また、上記Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計の計算方法は、Ｒ1およびＲ2の各々の基の分子量を計算し、それらを合計して求める。例えば、Ｒ1が水素原子で、Ｒ2がＣ5Ｈ11（分子量７１）である場合、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は７２と計算される。なお、後述する式（３）、式（５）、式（７）〜式（９）中に定義される各基の合計の計算方法も、上記と同様の方法で計算できる。
ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の定義は上述の通りであり、好適態様も上述の通りである。なお、後述する式（２）〜式（１０）に記載されるヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の定義も、上述の通りである。
Ｒ1およびＲ2の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、アリール基、または、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、または−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−を含んでいてもよい炭化水素基が挙げられ、Ｒ1およびＲ2のうち少なくともどちらか一方が脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。Ｙ1〜Ｙ4、Ｒa〜Ｒbの定義は上述の通りである。
また、上記Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
なお、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計の計算方法は、Ｒ1およびＲ2の各々の基の分子量を計算し、それらを合計して求める。例えば、Ｒ1が水素原子で、Ｒ2がＣ5Ｈ11（分子量７１）である場合、Ｒ1およびＲ2の各基の分子量の合計は７２と計算される。なお、後述する式（３）、式（５）、式（７）〜式（９）中に定義される各基の合計の計算方法も、上記と同様の方法で計算できる。
ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の定義は上述の通りであり、好適態様も上述の通りである。なお、後述する式（２）〜式（１０）に記載されるヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基の定義も、上述の通りである。
Ｒ1およびＲ2の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、アリール基、または、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、または−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−を含んでいてもよい炭化水素基が挙げられ、Ｒ1およびＲ2のうち少なくともどちらか一方が脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。Ｙ1〜Ｙ4、Ｒa〜Ｒbの定義は上述の通りである。
式（２）中、Ｒ3は分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、上記Ｒ3の分子量の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
炭化水素基の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−を有する炭化水素基（特に、脂肪族炭化水素基）が好ましい。さらに、イオンマイグレーション抑制能がより向上することから、該炭化水素基が−Ｙ1−Ｒqであることがより好ましく、−Ｓ−Ｒqであることがさらに好ましい。Ｙ1、Ｒqの定義は上述の通りである。
炭化水素基の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−を有する炭化水素基（特に、脂肪族炭化水素基）が好ましい。さらに、イオンマイグレーション抑制能がより向上することから、該炭化水素基が−Ｙ1−Ｒqであることがより好ましく、−Ｓ−Ｒqであることがさらに好ましい。Ｙ1、Ｒqの定義は上述の通りである。
式（３）中、Ｒ4は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ4が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
炭化水素基の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−、−ＳＯｔ−、−ＳＯ2Ｎ(Ｒc)−、またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭化水素基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはそれらの組み合わせ）が挙げられ、以下の式（Ｚ）で表される基がより好ましい。該基であれば、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中における分散性がより優れ、イオンマイグレーション抑制効果がより向上する。ｔは１〜３の整数を表す。
＊−Ｌ1−Ｒ40 式（Ｚ）
式（Ｚ）中、Ｌ1は、単結合、−Ｏ−、−ＮＲ41−、−ＣＯ−、−Ｃ(Ｒ42)(Ｒ43)−またはこれらを組み合わせた基を表す。Ｒ41〜Ｒ43は、各々独立に、水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ40は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基の好適態様は、上述の通りである。なお、式（Ｚ）中、＊は結合位置を表す。
Ｑは、＞Ｎ−Ｒx基、硫黄原子、または酸素原子を表す。該基であれば、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる。ここでＲxは、水素原子または炭化水素基から選択される。
なお、Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計は、５０以上である。Ｒ4が複数ある場合は、複数のＲ4およびＲｘの各基の分子量の合計を意図する。また、上記Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
炭化水素基の好適態様としては、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、−Ｙ1−、−Ｎ(Ｒa)−、−Ｃ(＝Ｙ2)−、−ＣＯＮ(Ｒb)−、−Ｃ(＝Ｙ3)Ｙ4−、−ＳＯｔ−、−ＳＯ2Ｎ(Ｒc)−、またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭化水素基（例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはそれらの組み合わせ）が挙げられ、以下の式（Ｚ）で表される基がより好ましい。該基であれば、ＳＨ基含有化合物の絶縁樹脂中における分散性がより優れ、イオンマイグレーション抑制効果がより向上する。ｔは１〜３の整数を表す。
＊−Ｌ1−Ｒ40 式（Ｚ）
式（Ｚ）中、Ｌ1は、単結合、−Ｏ−、−ＮＲ41−、−ＣＯ−、−Ｃ(Ｒ42)(Ｒ43)−またはこれらを組み合わせた基を表す。Ｒ41〜Ｒ43は、各々独立に、水素原子または脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ40は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基を表す。脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基の好適態様は、上述の通りである。なお、式（Ｚ）中、＊は結合位置を表す。
Ｑは、＞Ｎ−Ｒx基、硫黄原子、または酸素原子を表す。該基であれば、ＳＨ基含有化合物のイオンマイグレーション抑制能がより優れる。ここでＲxは、水素原子または炭化水素基から選択される。
なお、Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計は、５０以上である。Ｒ4が複数ある場合は、複数のＲ4およびＲｘの各基の分子量の合計を意図する。また、上記Ｒ4およびＲxの各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
式（４）中、Ｒ5は、分子量５０以上のヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。なお、上記Ｒ5の分子量の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
式（５）中、Ｒ6およびＲ7は、各々独立に、水素原子、メルカプト基またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。
式（５）中、Ｘは、窒素原子または式（６）で表される炭素原子基を表す。
式（５）中、Ｘは、窒素原子または式（６）で表される炭素原子基を表す。
式（６）中、Ｒ8は、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。破線弧は、Ｘが含まれる式（５）の含窒素ヘテロ環を表す。
なお、Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、上記Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
なお、Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計は、５０以上である。また、上記Ｒ6〜Ｒ8の各基の分子量の合計の上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
ＳＨ基含有化合物の製造方法は、特に限定はなく、種々の方法により製造することができる。
例えば、上記式（１）で表される化合物は、特公昭４６−１９０３９号、特開平９−３１９０２２号の明細書に記載の合成法を、式（２）で表される化合物は、米国特許第３２１２８９２号の明細書に記載の合成法を、式（３）で表される化合物は、欧州特許第７４２２１０号の明細書に記載の合成法を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
また、ＳＨ基含有化合物としては、市販品を使用することもできる。
例えば、上記式（１）で表される化合物は、特公昭４６−１９０３９号、特開平９−３１９０２２号の明細書に記載の合成法を、式（２）で表される化合物は、米国特許第３２１２８９２号の明細書に記載の合成法を、式（３）で表される化合物は、欧州特許第７４２２１０号の明細書に記載の合成法を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
また、ＳＨ基含有化合物としては、市販品を使用することもできる。
（フェノール化合物）
マイグレーション防止剤としては、フェノール化合物が挙げられる。この化合物は、銀イオンを金属銀に還元することにより、イオンマイグレーションを抑制する。
フェノール化合物とは、フェノール基を分子中に含む化合物を意味する。
フェノール化合物の種類としては特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、酸化還元電位が０．１〜１．０Ｖであることが好ましく、０．１〜０．９Ｖがより好ましく、０．１５〜０．７Ｖがさらに好ましい。
酸化還元電位の測定方法は次の通りである。
測定するフェノール化合物を１ｍＭのＤＭＦ溶液として調製し、支持電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム０．１ＭのＤＭＦ溶液に５分間Ａｒバブリングを行った後、電気化学アナライザーとしてビー・エー・エス株式会社 ＡＬＳ−６０４Ａ、作用極Glassy Carbon、対極Ｐｔ、参照電極として銀電極という仕様にて、サイクリックボルタンメトリー測定を実施する。当該測定系では、可逆的酸化還元反応を行う代表的有機化合物として知られる（技報堂出版（株）刊 電気化学測定法（上））フェロセン/フェリシニウム酸化還元系では０．１３Ｖとして計測される。
フェノール化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＬｏｇＰが０超であることが好ましく、３以上がより好ましい。ＬｏｇＰの測定方法は、上述の通りである。
マイグレーション防止剤としては、フェノール化合物が挙げられる。この化合物は、銀イオンを金属銀に還元することにより、イオンマイグレーションを抑制する。
フェノール化合物とは、フェノール基を分子中に含む化合物を意味する。
フェノール化合物の種類としては特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、酸化還元電位が０．１〜１．０Ｖであることが好ましく、０．１〜０．９Ｖがより好ましく、０．１５〜０．７Ｖがさらに好ましい。
酸化還元電位の測定方法は次の通りである。
測定するフェノール化合物を１ｍＭのＤＭＦ溶液として調製し、支持電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム０．１ＭのＤＭＦ溶液に５分間Ａｒバブリングを行った後、電気化学アナライザーとしてビー・エー・エス株式会社 ＡＬＳ−６０４Ａ、作用極Glassy Carbon、対極Ｐｔ、参照電極として銀電極という仕様にて、サイクリックボルタンメトリー測定を実施する。当該測定系では、可逆的酸化還元反応を行う代表的有機化合物として知られる（技報堂出版（株）刊 電気化学測定法（上））フェロセン/フェリシニウム酸化還元系では０．１３Ｖとして計測される。
フェノール化合物は、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、ＬｏｇＰが０超であることが好ましく、３以上がより好ましい。ＬｏｇＰの測定方法は、上述の通りである。
（好適態様）
フェノール化合物の好適態様としては、以下の式（７）〜式（９）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、絶縁樹脂との相溶性により優れ、イオンマイグレーション抑制能により優れる。
フェノール化合物の好適態様としては、以下の式（７）〜式（９）で表される化合物が挙げられる。該化合物であれば、絶縁樹脂との相溶性により優れ、イオンマイグレーション抑制能により優れる。
式（７）中、Ｒ11〜Ｒ15は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
炭化水素基の好適例としては、例えば、−Ｏ−Ｒ31が挙げられる。Ｒ31は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。−Ｏ−Ｒ31が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
炭化水素基の炭素数としては、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。
炭化水素基としては、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
また、Ｒ11〜Ｒ15の各基の分子量の合計は２１以上である。なかでも、３５以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
また、Ｒ11〜Ｒ15は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒ11とＲ12、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、または、Ｒ14とＲ15などのように隣接する２つの基が、各々結合して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されないが、例えば、５〜６員環構造を挙げることができる。
炭化水素基の好適例としては、例えば、−Ｏ−Ｒ31が挙げられる。Ｒ31は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。−Ｏ−Ｒ31が複数ある場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
炭化水素基の炭素数としては、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。
炭化水素基としては、より具体的には、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
また、Ｒ11〜Ｒ15の各基の分子量の合計は２１以上である。なかでも、３５以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
また、Ｒ11〜Ｒ15は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒ11とＲ12、Ｒ12とＲ13、Ｒ13とＲ14、または、Ｒ14とＲ15などのように隣接する２つの基が、各々結合して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されないが、例えば、５〜６員環構造を挙げることができる。
式（８）中、Ｒ16〜Ｒ23は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
Ｒ16〜Ｒ23で表される炭化水素基の好適範囲は、上述したＲ11〜Ｒ15で表される炭化水素基の好適範囲と同義である。
また、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。なかでも、３５以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。また、Ｒ16〜Ｒ23は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
Ｒ16〜Ｒ23で表される炭化水素基の好適範囲は、上述したＲ11〜Ｒ15で表される炭化水素基の好適範囲と同義である。
また、Ｒ16〜Ｒ23の各基の分子量の合計は２４以上である。なかでも、３５以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。また、Ｒ16〜Ｒ23は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ24は、水素原子またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
式（９）中、Ｒ25〜Ｒ28は、各々独立に、水素原子、水酸基、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
Ｒ25〜Ｒ28で表される炭化水素基の好適範囲は、上述したＲ11〜Ｒ15で表される炭化水素基の好適範囲と同義である。
また、Ｒ25〜Ｒ28の各基の分子量の合計は４０以上である。なかでも、５０以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
また、Ｒ25〜Ｒ28は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌは、ヘテロ原子を有していてもよい２価若しくは３価の炭化水素基、−Ｓ−、または、これらを組み合わせた基を表す。２価の炭化水素基の炭素数は、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。
ｍは、２または３の整数を表す。
Ｒ25〜Ｒ28で表される炭化水素基の好適範囲は、上述したＲ11〜Ｒ15で表される炭化水素基の好適範囲と同義である。
また、Ｒ25〜Ｒ28の各基の分子量の合計は４０以上である。なかでも、５０以上が好ましい。なお、上限は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、３００以下がさらに好ましい。
また、Ｒ25〜Ｒ28は、任意の２つが互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌは、ヘテロ原子を有していてもよい２価若しくは３価の炭化水素基、−Ｓ−、または、これらを組み合わせた基を表す。２価の炭化水素基の炭素数は、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。
ｍは、２または３の整数を表す。
式（７）中のＲ13、式（８）中のＲ18およびＲ21の好適態様として、式（１０）で表される基が挙げられる。
式（１０） ＊−ＣＨ2−Ｒ34
Ｒ34は、水素原子または炭素数１〜１９の炭化水素基を表す。Ｒ34で表される炭化水素基の炭素数は、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。＊は結合位置を表す。
式（１０） ＊−ＣＨ2−Ｒ34
Ｒ34は、水素原子または炭素数１〜１９の炭化水素基を表す。Ｒ34で表される炭化水素基の炭素数は、絶縁樹脂との相溶性により優れる点で、１〜１２が好ましく、１〜１０がより好ましい。＊は結合位置を表す。
フェノール化合物の好適態様として、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、式（１１）で表される化合物が挙げられる。
式（１１）中、Ｒ50およびＲ51は、各々独立に、水素原子、水酸基、酸素原子を含んでもよい脂肪族炭化水素基、酸素原子を含んでもよい芳香族炭化水素基を表す。なかでも、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、少なくともＲ50およびＲ51のいずれか一方が３級あるいは４級炭素原子を含むアルキル基であることが好ましい。
脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、１〜２０がより好ましい。特に、Ｒ50が炭素原子数１〜５個のアルキル基で、Ｒ51が炭素原子数１０〜２０個のアルキル基であることが好ましい。
脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子の数は特に制限されないが、１〜２０がより好ましい。特に、Ｒ50が炭素原子数１〜５個のアルキル基で、Ｒ51が炭素原子数１０〜２０個のアルキル基であることが好ましい。
また、Ｒ50およびＲ51の各基中に含まれる炭化水素基の分子量の合計は３０以上が好ましく、５０以上がより好ましい。炭素原子の合計数が該範囲であれば、銀のイオンマイグレーション抑制能がより向上する。
フェノール化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
（絶縁樹脂）
絶縁シートに絶縁樹脂が含まれることにより、絶縁シートを金属配線層上に配置した際に、絶縁樹脂が金属配線層を覆い、金属配線層間の絶縁性が担保される。
使用される絶縁樹脂としては、公知の絶縁性の樹脂を使用することができ、層形成がより容易である点より、硬化性絶縁樹脂（例えば、熱硬化性絶縁樹脂および光硬化性絶縁樹脂）を硬化させた樹脂を使用することが好ましい。
絶縁シートに絶縁樹脂が含まれることにより、絶縁シートを金属配線層上に配置した際に、絶縁樹脂が金属配線層を覆い、金属配線層間の絶縁性が担保される。
使用される絶縁樹脂としては、公知の絶縁性の樹脂を使用することができ、層形成がより容易である点より、硬化性絶縁樹脂（例えば、熱硬化性絶縁樹脂および光硬化性絶縁樹脂）を硬化させた樹脂を使用することが好ましい。
熱硬化性絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、イソシアネート樹脂、アルキド樹脂、環状オレフィン樹脂、またこれらの変性樹脂などが挙げられる。
光硬化性絶縁樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、またはこれらの変性樹脂などが挙げられる。
その他の絶縁樹脂としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ）、ポリ乳酸、フッ素含有樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などの熱可塑性樹脂も挙げられる。
なかでも、マイグレーション防止剤との相溶性がより優れる点で、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、環状オレフィン樹脂、ポリカーボネートが好ましい。
光硬化性絶縁樹脂としては、例えば、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、またはこれらの変性樹脂などが挙げられる。
その他の絶縁樹脂としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ）、ポリ乳酸、フッ素含有樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などの熱可塑性樹脂も挙げられる。
なかでも、マイグレーション防止剤との相溶性がより優れる点で、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、環状オレフィン樹脂、ポリカーボネートが好ましい。
また、必要に応じて、絶縁樹脂をガラス織布、ガラス不織布、アラミド不織布などの心材に含浸させて使用してもよい。具体的には、ガラス布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂、アラミド不織布−エポキシ樹脂、アラミド不織布−ポリイミド樹脂などを使用してもよい。
さらに、絶縁樹脂が硬化性樹脂の場合、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤などを併用してもよい。
なお、絶縁樹脂として、２種以上の絶縁樹脂を混合して使用してもよい。
さらに、絶縁樹脂が硬化性樹脂の場合、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤などを併用してもよい。
なお、絶縁樹脂として、２種以上の絶縁樹脂を混合して使用してもよい。
なお、絶縁樹脂としては、いわゆる粘着剤として使用される粘着性絶縁樹脂を使用してもよい。絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用する場合、絶縁シートはいわゆる粘着シートとして使用できる。
粘着性絶縁樹脂としては特に限定されず、粘着性を示す絶縁樹脂であれば公知の材料を使用することができる。例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤などの各種の粘着剤を使用できるが、透明性がより優れると共に上記ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物との相溶性がより優れる点で、アクリル系粘着剤が好ましい。
粘着性絶縁樹脂としては特に限定されず、粘着性を示す絶縁樹脂であれば公知の材料を使用することができる。例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤などの各種の粘着剤を使用できるが、透明性がより優れると共に上記ＳＨ基含有化合物およびフェノール化合物との相溶性がより優れる点で、アクリル系粘着剤が好ましい。
アクリル系粘着剤は、アルキル（メタ）アクリレートのモノマーユニットを主骨格とするアクリル系ポリマーをベースポリマーとする。なお、（メタ）アクリレートはアクリレートおよび／またはメタクリレートをいう。アクリル系ポリマーの主骨格を構成する、アルキル（メタ）アクリレートのアルキル基の平均炭素数は１〜１２程度が好ましく、アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等を例示できる。
［絶縁シート］
上述した絶縁シートは種々の用途に使用することができ、例えば、金属配線の配線間絶縁膜、層間絶縁膜などが挙げられる。なかでも、絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合は、粘着シートとして使用することができ、特に、タッチパネル用の粘着シートとして好適に使用することができる。
本発明の絶縁シートは、上述したように、別の基材と積層していてもよい。例えば、絶縁シートが上述した粘着シートの場合、別の基材に絶縁シートを貼り合せて、基材付き粘着シート（例えば、基材の両面に粘着層を有する基材付き両面粘着シート、基材の片面にのみ粘着層を有する基材付き片面粘着シート）として使用してもよい。
上述した絶縁シートは種々の用途に使用することができ、例えば、金属配線の配線間絶縁膜、層間絶縁膜などが挙げられる。なかでも、絶縁樹脂として粘着性絶縁樹脂を使用した場合は、粘着シートとして使用することができ、特に、タッチパネル用の粘着シートとして好適に使用することができる。
本発明の絶縁シートは、上述したように、別の基材と積層していてもよい。例えば、絶縁シートが上述した粘着シートの場合、別の基材に絶縁シートを貼り合せて、基材付き粘着シート（例えば、基材の両面に粘着層を有する基材付き両面粘着シート、基材の片面にのみ粘着層を有する基材付き片面粘着シート）として使用してもよい。
［絶縁シートの製造方法］
上記絶縁シートの製造方法は上述した構造の絶縁シートを形成することができれば特に制限されず、公知の方法を採用できる。
例えば、マイグレーション防止剤の含有量が異なる２種以上の絶縁シートを積層して、上記本発明の絶縁シートを作製してもよい。例えば、マイグレーション防止剤を含む第１絶縁シートと、マイグレーション防止剤を含まない第２絶縁シートを用意して、第１絶縁シートの厚みと第２絶縁シートの厚みを調整して、それらを積層して、上記構造の絶縁シートを作製してもよい。より具体的には、第１絶縁シートの厚みと第２絶縁シートの厚みを２：３と調整し、これらを貼り合わせれば、上述した片側領域Ａが第１絶縁シートに該当する、本発明の絶縁シートを作製することができる。
上記絶縁シートの製造方法は上述した構造の絶縁シートを形成することができれば特に制限されず、公知の方法を採用できる。
例えば、マイグレーション防止剤の含有量が異なる２種以上の絶縁シートを積層して、上記本発明の絶縁シートを作製してもよい。例えば、マイグレーション防止剤を含む第１絶縁シートと、マイグレーション防止剤を含まない第２絶縁シートを用意して、第１絶縁シートの厚みと第２絶縁シートの厚みを調整して、それらを積層して、上記構造の絶縁シートを作製してもよい。より具体的には、第１絶縁シートの厚みと第２絶縁シートの厚みを２：３と調整し、これらを貼り合わせれば、上述した片側領域Ａが第１絶縁シートに該当する、本発明の絶縁シートを作製することができる。
他の方法としては、例えば、マイグレーション防止剤および／または絶縁樹脂を含む絶縁シート形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を行い、絶縁シートを作製して、その後基材から絶縁シートを剥離する方法が挙げられる。なかでも、絶縁シートの製造方法の好適態様の一つとしては、少なくとも絶縁樹脂を含む組成物（以後、組成物Ｘとも称する）と、少なくともマイグレーション防止剤を含む組成物（以後、組成物Ｙとも称する）との少なくとも２種の組成物を使用する方法が挙げられる。
例えば、組成物Ｘと組成物Ｙとの混合液をまず基材上に塗布して塗膜を形成した後、さらにその塗膜上に組成物Ｙを塗布して、上述した絶縁シートを作製する方法が挙げられる。
なお、組成物を塗布する方法は特に制限されず、スピンコーティング法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法などが挙げられる。
例えば、組成物Ｘと組成物Ｙとの混合液をまず基材上に塗布して塗膜を形成した後、さらにその塗膜上に組成物Ｙを塗布して、上述した絶縁シートを作製する方法が挙げられる。
なお、組成物を塗布する方法は特に制限されず、スピンコーティング法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法などが挙げられる。
［配線基板］
次に、本発明の配線基板の実施態様について、図面を参照して詳述する。
図１は、配線基板の第１の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板２０は、絶縁基板２２と、金属配線層２４と、絶縁樹脂層２６とを備える。絶縁樹脂層２６中の金属配線層２４側には、マイグレーション抑制剤が多く偏在する片側領域Ａ２８が含まれる。
以下に、各部材（絶縁基板２２、金属配線層２４、絶縁樹脂層２６）について詳述する。
次に、本発明の配線基板の実施態様について、図面を参照して詳述する。
図１は、配線基板の第１の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板２０は、絶縁基板２２と、金属配線層２４と、絶縁樹脂層２６とを備える。絶縁樹脂層２６中の金属配線層２４側には、マイグレーション抑制剤が多く偏在する片側領域Ａ２８が含まれる。
以下に、各部材（絶縁基板２２、金属配線層２４、絶縁樹脂層２６）について詳述する。
（絶縁基板）
絶縁基板は、絶縁性であり、金属配線層を支持できるものであれば、その種類は特に制限されない。例えば、有機基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができる。
また、絶縁基板は、有機基板、セラミック基板、およびガラス基板からなる群から選ばれる少なくとも２つの基板が積層した構造であってもよい。
絶縁基板は、絶縁性であり、金属配線層を支持できるものであれば、その種類は特に制限されない。例えば、有機基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができる。
また、絶縁基板は、有機基板、セラミック基板、およびガラス基板からなる群から選ばれる少なくとも２つの基板が積層した構造であってもよい。
有機基板の材料としては樹脂が挙げられ、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらを混合した樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。
なお、有機基板の材料としては、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、芳香族ポリアミド織布や、これらに上記樹脂を含浸させた材料なども使用できる。
なお、有機基板の材料としては、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、芳香族ポリアミド織布や、これらに上記樹脂を含浸させた材料なども使用できる。
（金属配線層）
金属配線層は、銀を含む。銀は銀合金の形態で含まれていてもよく、金属配線層が銀合金を含む場合、銀以外の含有される金属としては、例えば、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロムなどが挙げられる。なお、金属配線層中に、本発明の効果を損なわない範囲で、バインダーなどの樹脂成分や感光性化合物などが含まれていてもよく、更に必要に応じてその他の成分が含まれていてもよい。
また、金属配線層は、銀または銀合金からなる金属ナノワイヤを含有することが好ましい。なお、金属ナノワイヤについては、後段で詳述する。
金属配線層は、銀を含む。銀は銀合金の形態で含まれていてもよく、金属配線層が銀合金を含む場合、銀以外の含有される金属としては、例えば、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロムなどが挙げられる。なお、金属配線層中に、本発明の効果を損なわない範囲で、バインダーなどの樹脂成分や感光性化合物などが含まれていてもよく、更に必要に応じてその他の成分が含まれていてもよい。
また、金属配線層は、銀または銀合金からなる金属ナノワイヤを含有することが好ましい。なお、金属ナノワイヤについては、後段で詳述する。
金属配線層の単位面積当たりに含まれる銀量は、５０μｇ／ｍｍ2以下であることが好ましい。銀量を上記範囲にすることにより、金属配線層の厚みおよび幅を小さくすることが可能となり、高密度集積化の要望に対応することができる。銀量が多すぎると、金属配線層間で短絡が生じやすくなる。なかでも、銀量は３０μｇ／ｍｍ2以下であることが好ましく、１５μｇ／ｍｍ2以下であることがより好ましい。下限に関しては特に制限されないが、金属配線層の導電特性がより優れる点で、０．００１μｇ／ｍｍ2以上が好ましく、０．００５μｇ／ｍｍ2以上がより好ましい。
なお、金属配線層中に含まれる銀量が少ない場合にイオンマイグレーションが起こると、金属配線層を形成していた銀が溶出することによって、金属配線層の断線が生じやすくなる。しかし、本発明においては、所定の化合物を含む絶縁樹脂層で金属配線層を覆うことにより、銀のイオンマイグレーションを抑制し、金属配線層の断線または導通を抑制することができる。
なお、金属配線層中に含まれる銀量が少ない場合にイオンマイグレーションが起こると、金属配線層を形成していた銀が溶出することによって、金属配線層の断線が生じやすくなる。しかし、本発明においては、所定の化合物を含む絶縁樹脂層で金属配線層を覆うことにより、銀のイオンマイグレーションを抑制し、金属配線層の断線または導通を抑制することができる。
銀量の測定方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、金属配線層の断面ＳＥＭ写真を観察して元素分析することにより銀量を測定することができる。また、金属配線層を硝酸などの強酸と接触させて、金属配線層中の銀を溶解させ、溶解した量から銀量を測定することもできる。また、銀ナノワイヤや銀ナノ粒子を含む分散液を使用して金属配線層を作製する場合は、金属配線層を作製する際に使用した分散液の量から、金属配線層中における銀量を計算により求めることもできる。
また、金属配線層の単位面積当たりとは、金属配線層の絶縁基板との接触部分の単位面積当たりを意味する。つまり、金属配線層と絶縁基板との接触部分の面積のみを基準に銀量の計算を行う。言い換えると、金属配線層と接触していない絶縁基板表面（例えば、金属配線層間に位置する、金属配線層と接触していない絶縁基板表面）の面積は、上記金属配線層の単位面積当たりの計算には考慮にいれない。従って、金属配線層の単位面積当たりに含まれる銀量とは、金属配線層と絶縁基板との接触部分における単位面積あたり（ｍｍ2）に含まれる銀量を意味する。
また、金属配線層の単位面積当たりとは、金属配線層の絶縁基板との接触部分の単位面積当たりを意味する。つまり、金属配線層と絶縁基板との接触部分の面積のみを基準に銀量の計算を行う。言い換えると、金属配線層と接触していない絶縁基板表面（例えば、金属配線層間に位置する、金属配線層と接触していない絶縁基板表面）の面積は、上記金属配線層の単位面積当たりの計算には考慮にいれない。従って、金属配線層の単位面積当たりに含まれる銀量とは、金属配線層と絶縁基板との接触部分における単位面積あたり（ｍｍ2）に含まれる銀量を意味する。
金属配線層の形状は図２の態様に制限されず、任意の形状であってもよい。例えば、直線状、曲線状、矩形状、円状などが挙げられる。また、金属配線の配置（パターン）は特に制限されず、例えば、ストライプ状が挙げられる。
金属配線層の幅は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１００００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
隣接する金属配線層間の間隔は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
金属配線層の厚みは特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．００１〜１００μｍが好ましく、０．０１〜３０μｍがより好ましく、０．０１〜２０μｍがさらに好ましい。
金属配線層の幅は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１００００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
隣接する金属配線層間の間隔は特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
金属配線層の厚みは特に制限されないが、配線基板の高集積化の点から、０．００１〜１００μｍが好ましく、０．０１〜３０μｍがより好ましく、０．０１〜２０μｍがさらに好ましい。
金属配線層の形成方法は特に制限されず、蒸着法、スパッタリング法などの物理的成膜法、またはＣＶＤ法などの化学的気相法、銀ナノ粒子や銀ナノワイヤを含有した銀ペーストを塗布して形成する方法、特開２００９−１８８３６０号に開示される銀塩を利用した方法などが挙げられる。
図２においては、金属配線層２４は、絶縁基板２２の片面だけに設けられているが、両面に設けられていてもよい。
また、図２では、金属配線層２４が一層の配線構造を例にあげたが、もちろんこれに限定されない。例えば、複数の金属配線層と絶縁基板層とを交互に積層した金属配線付き絶縁基板（多層配線基板）を使用することにより、多層配線構造の配線基板としてもよい。
また、図２では、金属配線層２４が一層の配線構造を例にあげたが、もちろんこれに限定されない。例えば、複数の金属配線層と絶縁基板層とを交互に積層した金属配線付き絶縁基板（多層配線基板）を使用することにより、多層配線構造の配線基板としてもよい。
また、絶縁基板中にスルーホールが形成されていてもよい。絶縁基板の両面に金属配線が設けられる場合は、該スルーホール内に金属（例えば、銀または銀合金）が充填されることにより、両面の金属配線が導通されていてもよい。
（金属ナノワイヤ）
金属ナノワイヤは、銀または銀合金から構成される。銀合金の種類は、上述の通りである。
金属ナノワイヤとは、導電性を有し、且つ長軸方向長さが直径（短軸方向長さ）に比べて十分に長い形状を持つものをいう。中実繊維であっても、中空繊維であってもよい。
金属ナノワイヤは、銀または銀合金から構成される。銀合金の種類は、上述の通りである。
金属ナノワイヤとは、導電性を有し、且つ長軸方向長さが直径（短軸方向長さ）に比べて十分に長い形状を持つものをいう。中実繊維であっても、中空繊維であってもよい。
金属ナノワイヤの材料は、導電性に優れる点で、銀、または、銀と他の金属との合金が特に好ましい。銀との合金で使用する他の金属としては、白金、オスミウム、パラジウム、イリジウム、錫、ビスマス、ニッケルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
金属ナノワイヤの平均短軸長さ（「平均短軸径」と称することがある）としては、５〜５０ｎｍであり、５〜２５ｎｍがより好ましく、さらに５〜２０ｎｍが特に好ましい。
平均短軸径が５ｎｍ以上とすることで、耐酸化性を向上させられるため好ましく、平均短軸径を５０ｎｍ以下とすることで、金属ナノワイヤの散乱を低減できるため好ましい。特に、平均短軸長さを２５ｎｍ以下にすることより、金属ナノワイヤの散乱は大きく低減でき、より好ましい。
平均短軸径が５ｎｍ以上とすることで、耐酸化性を向上させられるため好ましく、平均短軸径を５０ｎｍ以下とすることで、金属ナノワイヤの散乱を低減できるため好ましい。特に、平均短軸長さを２５ｎｍ以下にすることより、金属ナノワイヤの散乱は大きく低減でき、より好ましい。
金属ナノワイヤの平均長軸長さ（「平均長軸径」と称することがある）としては、５μｍ以上が好ましく、５μｍ〜４０μｍがより好ましく、５μｍ〜３０μｍが更に好ましい。
平均長軸径を５μｍ以上とすることで金属ナノワイヤ同士が接触して導電性ネットワーク形成しやすくなるため好ましく、４０μｍ以下とすることで金属ナノワイヤ同士が製造時に絡まる可能性が低くなるため好ましい。
平均長軸径を５μｍ以上とすることで金属ナノワイヤ同士が接触して導電性ネットワーク形成しやすくなるため好ましく、４０μｍ以下とすることで金属ナノワイヤ同士が製造時に絡まる可能性が低くなるため好ましい。
金属ナノワイヤの製造方法は特に制限はなく、いかなる方法で作製してもよいが、ハロゲン化合物と分散剤を溶解した溶媒中で金属イオンを還元することによって製造することが好ましい。また、金属ナノワイヤを形成した後は、常法により脱塩処理を行うことが、分散性、導電膜の経時安定性の観点から好ましい。
また、金属ナノワイヤの製造方法としては、特開２００９−２１５５９４号公報、特開２００９−２４２８８０号公報、特開２００９−２９９１６２号公報、特開２０１０−８４１７３号公報、特開２０１０−８６７１４号公報、特表２００９−５０５３５８号公報などに記載の方法を用いることができる。
また、金属ナノワイヤの製造方法としては、特開２００９−２１５５９４号公報、特開２００９−２４２８８０号公報、特開２００９−２９９１６２号公報、特開２０１０−８４１７３号公報、特開２０１０−８６７１４号公報、特表２００９−５０５３５８号公報などに記載の方法を用いることができる。
（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層は、金属配線層上に配置され、金属配線層の銀のイオンマイグレーションを抑制するための層である。言い換えれば、絶縁樹脂層は銀イオン拡散抑制層に該当する。
絶縁樹脂層には、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂が含まれる。マイグレーション防止剤および絶縁樹脂の定義は、上述の通りである。
絶縁樹脂層は、金属配線層上に配置され、金属配線層の銀のイオンマイグレーションを抑制するための層である。言い換えれば、絶縁樹脂層は銀イオン拡散抑制層に該当する。
絶縁樹脂層には、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂が含まれる。マイグレーション防止剤および絶縁樹脂の定義は、上述の通りである。
図２に示すように、絶縁樹脂層２６中においては、絶縁樹脂層２６中のマイグレーション防止剤全質量の４０質量％超が含まれる片側領域Ａ２８が含まれる。
片側領域Ａ２８は、絶縁樹脂層２６の金属配線層２４側の表面から、絶縁樹脂層２６の全体厚みの２／５に相当する厚みまでの領域である。つまり、片側領域Ａ２８の厚みＴ１は、絶縁樹脂層の全体厚みＴ２の２／５の厚みに相当する。
片側領域Ａ２８の特定方法は、上記絶縁シート１０中における片側領域Ａ１２の特定方法と同じである。
また、片側領域Ａ２８中におけるマイグレーション防止剤の含有量の定義（好適態様を含む）および測定方法は、上記絶縁シート中の片側領域Ａ１２中におけるマイグレーション防止剤の含有量の定義および測定方法と同じである。
片側領域Ａ２８は、絶縁樹脂層２６の金属配線層２４側の表面から、絶縁樹脂層２６の全体厚みの２／５に相当する厚みまでの領域である。つまり、片側領域Ａ２８の厚みＴ１は、絶縁樹脂層の全体厚みＴ２の２／５の厚みに相当する。
片側領域Ａ２８の特定方法は、上記絶縁シート１０中における片側領域Ａ１２の特定方法と同じである。
また、片側領域Ａ２８中におけるマイグレーション防止剤の含有量の定義（好適態様を含む）および測定方法は、上記絶縁シート中の片側領域Ａ１２中におけるマイグレーション防止剤の含有量の定義および測定方法と同じである。
片側領域Ａの厚みＴ１は特に制限されないが、耐イオンマイグレーション性がより優れる点で、上述した金属配線層の最大厚みＴ３よりも大きいことが好ましい。
絶縁樹脂層の厚みは特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、５〜１０００μｍが好ましく、１０〜５００μｍがより好ましい。
絶縁樹脂層の厚みは特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、５〜１０００μｍが好ましく、１０〜５００μｍがより好ましい。
なお、絶縁樹脂層中には、銀イオンまたは金属銀が実質的に含まれていないことが好ましい。絶縁樹脂層に過剰の銀イオンまたは金属銀が含まれていると、イオンマイグレーション抑制効果が低下する場合がある。
なお、銀イオンまたは金属銀が実質的に含まれないとは、絶縁樹脂層中における銀イオンまたは金属銀の含有量が、１μｍｏｌ／ｌ以下であることを指し、０．１μｍｏｌ／ｌ以下であることがより好ましく、最も好ましくは０ｍｏｌ／ｌである。
なお、銀イオンまたは金属銀が実質的に含まれないとは、絶縁樹脂層中における銀イオンまたは金属銀の含有量が、１μｍｏｌ／ｌ以下であることを指し、０．１μｍｏｌ／ｌ以下であることがより好ましく、最も好ましくは０ｍｏｌ／ｌである。
絶縁樹脂層の製造方法は特に制限されず、上述した絶縁シートを金属配線層上に貼り合せる方法や、上述したマイグレーション防止剤および／または絶縁樹脂を含む絶縁樹脂層形成用組成物を金属配線層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を行い、絶縁樹脂層を形成する方法が挙げられる。
また、他の方法としては、絶縁基板上に、金属配線層と、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含む絶縁樹脂層とをこの順で有する処理前配線基板を高温高湿条件下に配置し、金属配線層に印加（電圧印加）する方法も挙げられる。この方法によれば、絶縁樹脂層中に均一に分散していたマイグレーション防止剤が金属配線層と絶縁樹脂層との界面付近に移動していき、金属配線層側の絶縁樹脂層表面付近にマイグレーション防止剤が偏在し、結果として所望の構造を有する絶縁樹脂層が得られる。
高温高湿条件としては、通常、６０〜９０℃（好ましくは、６０〜８５℃）で６０〜９５％ＲＨ（好ましくは、８５〜９５％ＲＨ）の条件が挙げられる。
また、印加電圧としては、通常、１〜１００Ｖ（好ましくは、３〜３０Ｖ）の条件が挙げられる。
高温高湿条件としては、通常、６０〜９０℃（好ましくは、６０〜８５℃）で６０〜９５％ＲＨ（好ましくは、８５〜９５％ＲＨ）の条件が挙げられる。
また、印加電圧としては、通常、１〜１００Ｖ（好ましくは、３〜３０Ｖ）の条件が挙げられる。
本発明の配線基板は、種々の用途および構造に対して使用することができる。例えば、プリント配線基板、プラズマディスプレイパネル用パネル基板、太陽電池電極用基板、メンブレン配線板、タッチパネル電極用基板などが挙げられる。
また、配線基板は、電子機器に含まれることが好ましい。電子機器とは、タッチパネルもしくはメンブレンスイッチやそれらを搭載したテレビ・モバイル通信機器・パーソナルコンピューター・ゲーム機器・車載表示機器・ネット通信機器、照明・表示用ＬＥＤ、太陽電池制御に関する電子配線機器、ＲＦＩＤなどの無線通信デバイス、あるいは半導体配線基板や有機ＴＦＴ配線基板で駆動制御された機器類を指す。
これらの中でも、タッチパネルが特に好ましい。つまり、配線基板は、タッチパネル用に使用されることが好ましい。より具体的には、上記配線基板中の金属配線層が、タッチパネル電極部に接続された引き出し配線となる態様が好ましく挙げられる。なお、タッチパネル電極部とは、例えば、静電容量式のタッチパネルにおいては、静電容量の変化を感知するセンシング電極部のことを意味する。
また、配線基板は、電子機器に含まれることが好ましい。電子機器とは、タッチパネルもしくはメンブレンスイッチやそれらを搭載したテレビ・モバイル通信機器・パーソナルコンピューター・ゲーム機器・車載表示機器・ネット通信機器、照明・表示用ＬＥＤ、太陽電池制御に関する電子配線機器、ＲＦＩＤなどの無線通信デバイス、あるいは半導体配線基板や有機ＴＦＴ配線基板で駆動制御された機器類を指す。
これらの中でも、タッチパネルが特に好ましい。つまり、配線基板は、タッチパネル用に使用されることが好ましい。より具体的には、上記配線基板中の金属配線層が、タッチパネル電極部に接続された引き出し配線となる態様が好ましく挙げられる。なお、タッチパネル電極部とは、例えば、静電容量式のタッチパネルにおいては、静電容量の変化を感知するセンシング電極部のことを意味する。
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（合成例１：透明両面粘着シートの製造）
アクリル共重合体の調製攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下漏斗および窒素ガス導入口を備えた反応容器に、ｎ−ブチルアクリレート７０質量部、メチルアクリレート２５質量部、および、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部を、酢酸エチル１００質量部に溶解し、窒素置換後に内温７０℃までに加温した。
この反応液に２，２‘−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．１部と酢酸エチル１０部とを予め溶解させた溶液をゆっくり滴下しながら、３時間攪拌した。その後さらに内温８０℃に加温し、２，２‘−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．１部と酢酸エチル１０部とを予め溶解させた溶液をゆっくり滴下しながら、３時間攪拌して質量平均分子量６５万のアクリル共重合体（Ｐ−１）を得た。
次に、上記アクリル共重合体（Ｐ−１）（９８質量部）と、以下のフェノール化合物Ｂ−１（α−トコフェロール、和光純薬工業株式会社製、１質量部）を酢酸エチルで希釈し、樹脂固形分３５％の粘着剤組成物を得た。
アクリル共重合体の調製攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下漏斗および窒素ガス導入口を備えた反応容器に、ｎ−ブチルアクリレート７０質量部、メチルアクリレート２５質量部、および、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部を、酢酸エチル１００質量部に溶解し、窒素置換後に内温７０℃までに加温した。
この反応液に２，２‘−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．１部と酢酸エチル１０部とを予め溶解させた溶液をゆっくり滴下しながら、３時間攪拌した。その後さらに内温８０℃に加温し、２，２‘−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．１部と酢酸エチル１０部とを予め溶解させた溶液をゆっくり滴下しながら、３時間攪拌して質量平均分子量６５万のアクリル共重合体（Ｐ−１）を得た。
次に、上記アクリル共重合体（Ｐ−１）（９８質量部）と、以下のフェノール化合物Ｂ−１（α−トコフェロール、和光純薬工業株式会社製、１質量部）を酢酸エチルで希釈し、樹脂固形分３５％の粘着剤組成物を得た。
上記粘着剤組成物１００重量部に日本ポリウレタン社製コロネートＬ−４５を０．２重量部添加し３０分攪拌後、厚さ５０μｍの剥離ＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工して、１００℃で３分間乾燥した。得られた粘着シートの露出表面と、厚さ３８μｍの剥離ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。その後該フィルムを２３℃で７日間静置して、剥離ＰＥＴフィルムに挟まれた絶縁シート１を得た。
また、フェノール化合物Ｂ−１を使用しなかった以外は、上記と同様の手順に従って、フェノール化合物Ｂ−１を含まない、剥離ＰＥＴフィルムに挟まれた絶縁シート２を製造した。
また、フェノール化合物Ｂ−１を使用しなかった以外は、上記と同様の手順に従って、フェノール化合物Ｂ−１を含まない、剥離ＰＥＴフィルムに挟まれた絶縁シート２を製造した。
＜実施例１＞
スクリーン印刷装置を用いて、メタルマスクを通して銀ペースト（アサヒ化学研究所製、ＬＳ−４５０−７Ｈ）をＰＥＴ基板（ＫＩＭＯＴＯ製、ＣＨＡＢＢフィルム、膜厚：５０μｍ）上にパターン塗布し、その後１３０℃３０分加熱を行い、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／５０μｍの銀配線層を備える金属配線層付き絶縁基板Ａを製造した。なお、金属配線層のラインの数は、２０であった。また、銀配線層の最大厚みは１５μｍ程度であった。
次に、上記絶縁シート１（厚み：２０μｍ）の一方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がすと共に、上記絶縁シート２（厚み：３０μｍ）の一方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、両者の剥離ＰＥＴフィルムが剥がされた面上同士を貼り合せた。貼り合せて得られた絶縁シート３は、片側領域にマイグレーション防止剤が偏在する本発明の絶縁シートに該当する。得られた絶縁シート３の絶縁シート１側の一方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、絶縁シート３の露出した粘着面を金属配線層付き絶縁基板Ａの金属配線層側の表面上に貼り合せた。その後、絶縁シート３の他方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、粘着性を示す他方の表面上にＰＥＴフィルム（ＫＩＭＯＴＯ製、Ｇ１ＳＢＦフィルム、膜厚：５０μｍ）を貼り合せて配線基板を得た。その後、得られた配線基板を４０℃、０．５ＭＰａの条件下で２０分オートクレーブ処理を行った。得られた配線基板を用いて、以下の寿命測定評価を実施した。結果は表１に示す。
スクリーン印刷装置を用いて、メタルマスクを通して銀ペースト（アサヒ化学研究所製、ＬＳ−４５０−７Ｈ）をＰＥＴ基板（ＫＩＭＯＴＯ製、ＣＨＡＢＢフィルム、膜厚：５０μｍ）上にパターン塗布し、その後１３０℃３０分加熱を行い、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／５０μｍの銀配線層を備える金属配線層付き絶縁基板Ａを製造した。なお、金属配線層のラインの数は、２０であった。また、銀配線層の最大厚みは１５μｍ程度であった。
次に、上記絶縁シート１（厚み：２０μｍ）の一方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がすと共に、上記絶縁シート２（厚み：３０μｍ）の一方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、両者の剥離ＰＥＴフィルムが剥がされた面上同士を貼り合せた。貼り合せて得られた絶縁シート３は、片側領域にマイグレーション防止剤が偏在する本発明の絶縁シートに該当する。得られた絶縁シート３の絶縁シート１側の一方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、絶縁シート３の露出した粘着面を金属配線層付き絶縁基板Ａの金属配線層側の表面上に貼り合せた。その後、絶縁シート３の他方の面上の剥離ＰＥＴフィルムを剥がして、粘着性を示す他方の表面上にＰＥＴフィルム（ＫＩＭＯＴＯ製、Ｇ１ＳＢＦフィルム、膜厚：５０μｍ）を貼り合せて配線基板を得た。その後、得られた配線基板を４０℃、０．５ＭＰａの条件下で２０分オートクレーブ処理を行った。得られた配線基板を用いて、以下の寿命測定評価を実施した。結果は表１に示す。
（寿命測定評価）
得られた配線基板を、湿度８５％、温度８５度の高温高湿環境下に曝して、金属配線層に電圧６０Ｖを５０時間印加して、金属配線間の抵抗値を連続モニタリングし、１×１０５Ωを閾値として、以下の基準に従って評価した。なお、２０本の金属配線層のうち、任意の金属配線を１０箇所選択して、上記評価を実施した。
「Ａ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所がない
「Ｂ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所が１〜２か所ある
「Ｃ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所が３〜９か所ある
「Ｄ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所が１０か所ある
得られた配線基板を、湿度８５％、温度８５度の高温高湿環境下に曝して、金属配線層に電圧６０Ｖを５０時間印加して、金属配線間の抵抗値を連続モニタリングし、１×１０５Ωを閾値として、以下の基準に従って評価した。なお、２０本の金属配線層のうち、任意の金属配線を１０箇所選択して、上記評価を実施した。
「Ａ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所がない
「Ｂ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所が１〜２か所ある
「Ｃ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所が３〜９か所ある
「Ｄ」：１０箇所のうち、金属配線間の抵抗値の低減が発生している箇所が１０か所ある
（色味評価）
寿命測定評価を行った配線基板の金属配線間またはその周辺に、着色があるか目視または顕微鏡下での官能評価を行った。
寿命測定評価を行った配線基板の金属配線間またはその周辺に、着色があるか目視または顕微鏡下での官能評価を行った。
＜実施例２＞
厚みを２０μｍから４０μｍに、単位体積当たりのα−トコフェロール含有量を絶縁シート１と比較して２分の１となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート４を製造した。なお、絶縁シート４中のα−トコフェロールの全含有質量は、絶縁シート１中のα−トコフェロールの全含有質量と同一である。
絶縁シート１を絶縁シート４に変更し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから６０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。結果は表１に示す。
厚みを２０μｍから４０μｍに、単位体積当たりのα−トコフェロール含有量を絶縁シート１と比較して２分の１となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート４を製造した。なお、絶縁シート４中のα−トコフェロールの全含有質量は、絶縁シート１中のα−トコフェロールの全含有質量と同一である。
絶縁シート１を絶縁シート４に変更し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから６０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。結果は表１に示す。
＜実施例３＞
厚みを２０μｍから１０μｍに、単位体積当たりのα−トコフェロール含有量を絶縁シート１と比較して２倍となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート５を製造した。なお、絶縁シート５中のα−トコフェロールの全含有質量は、絶縁シート１中のα−トコフェロールの全含有質量と同一である。
絶縁シート１を絶縁シート５に変更し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから１５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。結果は表１に示す。
厚みを２０μｍから１０μｍに、単位体積当たりのα−トコフェロール含有量を絶縁シート１と比較して２倍となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート５を製造した。なお、絶縁シート５中のα−トコフェロールの全含有質量は、絶縁シート１中のα−トコフェロールの全含有質量と同一である。
絶縁シート１を絶縁シート５に変更し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから１５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。結果は表１に示す。
＜実施例４＞
α−トコフェロールの代わりに２−（１−ペンチル）チオ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール（以後、単にＳＨ基含有化合物Ｘとも称する）を使用し、厚みを２０μｍから５０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有モル量を絶縁シート１中のα−トコフェロール含有モル量と比較して５分の２となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート６を製造した。なお、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有モル量は、絶縁シート１中のα−トコフェロールの全含有モル量と同一である。
α−トコフェロールの代わりに２−（１−ペンチル）チオ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール（以後、単にＳＨ基含有化合物Ｘとも称する）を使用し、厚みを２０μｍから５０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有モル量を絶縁シート１中のα−トコフェロール含有モル量と比較して５分の２となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート６を製造した。なお、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有モル量は、絶縁シート１中のα−トコフェロールの全含有モル量と同一である。
絶縁シート３の代わりに、絶縁シート６を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造した。製造された配線基板に対して上記寿命測定評価を実施した所、絶縁シート６中においてＳＨ基含有化合物Ｘの移動が確認され、絶縁シート６の金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内にＳＨ基含有化合物Ｘの大部分が偏在していることが確認された。寿命測定評価の結果は表１に示す。
＜実施例５＞
厚みを５０μｍから１００μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して２分の１となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート７を製造した。なお、絶縁シート７中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート６を絶縁シート７に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シート７の金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
厚みを５０μｍから１００μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して２分の１となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート７を製造した。なお、絶縁シート７中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート６を絶縁シート７に変更した以外は、実施例４と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シート７の金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
＜実施例６＞
厚みを５０μｍから２０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して２．５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート８を製造した。なお、絶縁シート８中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート８を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造した。製造された配線基板に対して上記寿命測定評価を実施した所、絶縁シート８中においてＳＨ基含有化合物Ｘの移動が確認され、絶縁シート８の金属配線層側表面から１０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。寿命測定評価の結果は表１に示す。
厚みを５０μｍから２０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して２．５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート８を製造した。なお、絶縁シート８中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート８を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造した。製造された配線基板に対して上記寿命測定評価を実施した所、絶縁シート８中においてＳＨ基含有化合物Ｘの移動が確認され、絶縁シート８の金属配線層側表面から１０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。寿命測定評価の結果は表１に示す。
＜実施例７＞
厚みを５０μｍから４０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して１．２５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート９を製造した。なお、絶縁シート９中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート９を使用し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから６０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シートの金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
厚みを５０μｍから４０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して１．２５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート９を製造した。なお、絶縁シート９中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート９を使用し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから６０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シートの金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
＜実施例８＞
厚みを５０μｍから８０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して０．６２５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート１０を製造した。なお、絶縁シート１０中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート１０を使用し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから２０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シートの金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
厚みを５０μｍから８０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して０．６２５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート１０を製造した。なお、絶縁シート１０中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート１０を使用し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから２０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シートの金属配線層側表面から２０μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
＜実施例９＞
厚みを５０μｍから１０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート１１を製造した。なお、絶縁シート１１中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート１１を使用し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから１５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シートの金属配線層側表面から５μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
厚みを５０μｍから１０μｍに、単位体積当たりのＳＨ基含有化合物Ｘ含有量を絶縁シート６と比較して５倍となるように調整した以外は、実施例４の絶縁シート６の製造の手順に従って、絶縁シート１１を製造した。なお、絶縁シート１１中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量は、絶縁シート６中のＳＨ基含有化合物Ｘの全含有質量と同一である。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート１１を使用し、絶縁シート２の厚みを３０μｍから１５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、ＳＨ基含有化合物Ｘは、配線基板中の絶縁シートの金属配線層側表面から５μｍ以内の厚みの領域内に大部分が偏在していることが確認された。
＜実施例１０＞
α−トコフェロールの代わりに、同モル量の２，２’-メチレンビス（４−エチル−６−t−ブチルフェノール）を使用した以外は、合成例１と同様の手順に従って、絶縁シート１２を製造した。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート１２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
α−トコフェロールの代わりに、同モル量の２，２’-メチレンビス（４−エチル−６−t−ブチルフェノール）を使用した以外は、合成例１と同様の手順に従って、絶縁シート１２を製造した。
絶縁シート１の代わりに絶縁シート１２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
＜実施例１１＞
２−（１−ペンチル）チオ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾールの代わりに同モル量の３−メルカプト−４−フェニル−５−ウンデシル−１，２，４−トリアゾールを使用した以外は、実施例４と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
２−（１−ペンチル）チオ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾールの代わりに同モル量の３−メルカプト−４−フェニル−５−ウンデシル−１，２，４−トリアゾールを使用した以外は、実施例４と同様の手順に従って、配線基板を製造し、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
＜比較例１＞
金属配線層付き絶縁基板Ａの金属配線層側の表面上に、α−トコフェロールを含まない絶縁シート２（厚み：５０μｍ）を重ねて貼り合せて、配線基板を製造した。得られた配線基板を用いて、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
金属配線層付き絶縁基板Ａの金属配線層側の表面上に、α−トコフェロールを含まない絶縁シート２（厚み：５０μｍ）を重ねて貼り合せて、配線基板を製造した。得られた配線基板を用いて、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
＜比較例２＞
厚みを２０μｍから５０μｍに、単位体積当たりのα−トコフェロール含有量を絶縁シート１と比較して５分の２となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート１３を製造した。
絶縁シート２の代わりに、絶縁シート１３を使用した以外は、比較例１と同様の手順に従って、配線基板を製造した。得られた配線基板を用いて、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
厚みを２０μｍから５０μｍに、単位体積当たりのα−トコフェロール含有量を絶縁シート１と比較して５分の２となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート１３を製造した。
絶縁シート２の代わりに、絶縁シート１３を使用した以外は、比較例１と同様の手順に従って、配線基板を製造した。得られた配線基板を用いて、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
＜比較例３＞
厚みを２０μｍから５０μｍに、絶縁シート中のα−トコフェロールの全含有質量が絶縁シート１中のα−トコフェロールの４倍となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート１４を製造した。
金属配線層付き絶縁基板Ａの金属配線層側の表面上に、絶縁シート１４（厚み：５０μｍ）を重ねて貼り合せて配線基板を製造した。得られた配線基板を用いて、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
厚みを２０μｍから５０μｍに、絶縁シート中のα−トコフェロールの全含有質量が絶縁シート１中のα−トコフェロールの４倍となるように調整した以外は、合成例１の手順に従って、絶縁シート１４を製造した。
金属配線層付き絶縁基板Ａの金属配線層側の表面上に、絶縁シート１４（厚み：５０μｍ）を重ねて貼り合せて配線基板を製造した。得られた配線基板を用いて、上記評価を行った。寿命測定評価の結果は表１に示す。
なお、各実施例における、絶縁シート中のマイグレーション防止剤全質量に対する片側領域Ａ中におけるマイグレーション防止剤の量（質量％）を上述した方法により測定し、表１に示す。
なお、表１中、「着色」欄では、上記色味評価にて着色がなかった場合を「なし」、着色があった場合を「あり」とする。
なお、表１中、「着色」欄では、上記色味評価にて着色がなかった場合を「なし」、着色があった場合を「あり」とする。
表１から、本発明の絶縁シートを使用した場合、絶縁寿命が向上することが確認された。
特に、実施例１と３との比較から分かるように、片側領域Ａの厚みが金属配線層の最大厚みよりも大きい場合、絶縁寿命がより向上することが確認された。
一方、片側領域Ａ中におけるマイグレーション防止剤の量が所定値以下である比較例１〜２においては、絶縁寿命の向上が劣っていた。また、マイグレーション防止剤の量が多い比較例３では、絶縁寿命の向上は見られるが、着色があった。
特に、実施例１と３との比較から分かるように、片側領域Ａの厚みが金属配線層の最大厚みよりも大きい場合、絶縁寿命がより向上することが確認された。
一方、片側領域Ａ中におけるマイグレーション防止剤の量が所定値以下である比較例１〜２においては、絶縁寿命の向上が劣っていた。また、マイグレーション防止剤の量が多い比較例３では、絶縁寿命の向上は見られるが、着色があった。
１０ 絶縁シート
１２，２８ 片側領域Ａ
１４ 片側領域Ｂ
２０ 配線基板
２２ 絶縁基板
２４ 金属配線層
２６ 絶縁樹脂層
１２，２８ 片側領域Ａ
１４ 片側領域Ｂ
２０ 配線基板
２２ 絶縁基板
２４ 金属配線層
２６ 絶縁樹脂層
Claims (12)
- マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含む絶縁シートであって、
前記絶縁シートの一方の主面表面から、前記絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する深さまでの片側領域Ａにおける、前記マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、絶縁シート。 - 前記マイグレーション防止剤が、メルカプト基を有する複素環化合物およびフェノール化合物からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１に記載の絶縁シート。
- 前記絶縁樹脂が粘着性絶縁樹脂である、請求項１または２に記載の絶縁シート。
- 前記片側領域Ａの厚みが５μｍ以上である、請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁シート。
- 前記片側領域Ａにおける前記マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、６０質量％である、請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁シート。
- 前記片側領域Ａにおける前記マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、１００質量％である、請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁シート。
- 絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された銀を含む金属配線層と、前記金属配線層上に配置された絶縁樹脂層とを備える配線基板であって、
前記絶縁樹脂層が、マイグレーション防止剤および絶縁樹脂を含み、
前記絶縁樹脂層の前記金属配線層側の主面表面から、前記絶縁シートの全体厚みの２／５に相当する厚みまでの片側領域Ａにおける、前記マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、４０質量％超である、配線基板。 - 前記マイグレーション防止剤が、メルカプト基を有する複素環化合物およびフェノール化合物からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項７に記載の配線基板。
- 前記絶縁樹脂が粘着性絶縁樹脂である、請求項７または８に記載の配線基板。
- 前記マイグレーション防止剤の含有量が、マイグレーション防止剤全質量に対して、６０質量％以上である、請求項７〜９のいずれかに記載の配線基板。
- 前記片側領域Ａの厚みが、前記金属配線層の最大厚みよりも大きい、請求項７〜１０のいずれかに記載の配線基板。
- 請求項７〜１１のいずれかに記載の配線基板を含むタッチパネル。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012288392A JP2014130764A (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 絶縁シート、配線基板、タッチパネル |
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|---|---|
| JP2014130764A true JP2014130764A (ja) | 2014-07-10 |
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ID=51021007
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2012288392A Pending JP2014130764A (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 絶縁シート、配線基板、タッチパネル |
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2012
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2013
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