CN103677397A - 透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置。透明电极基板具备绝缘基板和在绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层。导体层具备：在绝缘基板的厚度方向单侧形成的透明导体层，在透明导体层的厚度方向单侧形成的、使导体层的电阻减少的低电阻化层，和在低电阻化层的厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

Description

透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置

技术领域

本发明涉及透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置，详细而言涉及透明电极基板的制造方法、通过该方法得到的透明电极基板、以及具备该透明电极基板的图像显示装置。

背景技术

以往，已知有使用设有透明电极的透明电极基板作为触摸面板用于液晶显示装置等图像显示装置。

例如，公开有一种透明电极基板，其是通过在玻璃基板上，将图案化成规定图案的铟锡氧化物（ITO）层、铜层（铜单层镀覆）、金层（电解镀覆层）依次层叠而得到的（例如，参照日本特开平6-148661号公报。）。

日本特开平6-148661号公报中，利用位于透明电极基板的最表面上的金层（电解镀覆层）防止铜层的腐蚀，以保护铜层。

发明内容

然而，根据透明电极基板的用途，需要首先在玻璃基板的上表面整面依次层叠ITO层、铜层以及金层，之后，将这些层叠部分利用蚀刻图案化成所希望的形状。

然而，存在由于金层的化学稳定性高难以蚀刻，因此不能将层叠部分图案化成所希望的形状的问题。

本发明的目的在于提供：具备能够容易地图案化的导体层的透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置。

本发明的透明电极基板的特征在于，具备绝缘基板和在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层；前述导体层具备：在前述绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层，在前述透明导体层的前述厚度方向单侧形成的、使前述导体层的电阻减少的低电阻化层，和在前述低电阻化层的前述厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

另外，本发明的透明电极基板中，前述易蚀刻材料优选为选自镍、锡以及镍铜合金的至少一种金属。

另外，本发明的透明电极基板中，优选的是，前述透明导体层由铟锡氧化物形成，前述低电阻化层由选自由铜、银以及金组成的组中的至少一种金属形成。

另外，本发明的透明电极基板中，优选的是，前述透明导体层形成于前述绝缘基板的前述厚度方向单侧整面，前述低电阻化层形成于前述透明导体层的前述厚度方向单侧整面，前述保护层形成于前述低电阻化层的前述厚度方向单面整面。

另外，本发明的透明电极基板中，优选前述导体层在前述绝缘基板上形成为导体图案。

另外，本发明的透明电极基板中，优选前述导体图案具备由前述导体层形成的引出布线和与前述引出布线连接而形成的、由前述透明导体层形成的透明电极。

另外，本发明的透明电极基板的制造方法的特征在于，具备：准备层叠板的准备工序，该层叠板具备绝缘基板和层叠在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧的透明导体层；低电阻化工序，将低电阻化层层叠于前述透明导体层的前述厚度方向单侧；以及保护工序，在前述低电阻化层的前述厚度方向单面由易蚀刻材料形成保护层。

另外，本发明的透明电极基板的制造方法优选在前述保护工序之后，进一步具备图案化工序：将具备前述透明导体层、前述低电阻化层和前述保护层的导体层蚀刻而形成导体图案。

另外，本发明的透明电极基板的制造方法优选进一步具备如下的工序：通过从前述导体图案的一部分将前述保护层以及前述低电阻化层去除，由前述透明导体层形成透明电极，并且将对应于前述导体图案的剩余部分的前述导体层作为引出布线。

另外，本发明的图像显示装置的特征在于，具备透明电极基板；前述透明电极基板具备绝缘基板和在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层；前述导体层具备：在前述绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层，在前述透明导体层的前述厚度方向单侧形成的、使前述导体层的电阻减少的低电阻化层，和在前述低电阻化层的前述厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

另外，本发明的图像显示装置中，前述透明电极基板优选为触摸面板。

另外，本发明的图像显示装置优选为液晶显示装置。

通过本发明的透明电极基板的制造方法得到的本发明的透明电极基板具备在低电阻化层的厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层，所以能够将包含在厚度方向单面形成有保护层的低电阻化层的导体层容易地蚀刻并图案化成图案化成所希望的形状。

因此，本发明的图像显示装置具备包含被高精度地图案化的导体层的透明电极基板，所以能够谋求可靠性的提高。

附图说明

图1为表示本发明的透明电极基板的制造方法的第一实施方式的工序图，

图1的（a）表示准备绝缘基板、层叠光学调节膜的工序；

图1的（b）表示在光学调节膜的上表面层叠透明导体层的工序；

图1的（c）表示在透明导体层的上表面层叠密合层的工序；

图1的（d）表示在密合层的上表面层叠低电阻化层的工序；

图1的（e）表示在低电阻化层的上表面层叠保护层的工序。

图2为由图1的（e）所表示的透明电极基板的导体层形成导体图案的工序图，

图2的（a）表示在保护层的上表面层叠第一蚀刻阻剂（etching resist）的工序；

图2的（b）表示将导体层蚀刻，接着去除第一蚀刻阻剂的工序；

图2的（c）表示以覆盖导体图案中对应于引出布线的部分的方式，在绝缘基板上层叠第二蚀刻阻剂的工序；

图2的（d）表示将由第二蚀刻阻剂露出的保护层、低电阻化层以及密合层蚀刻，接着去除第二蚀刻阻剂的工序。

图3表示设置有图2的（d）所示的透明电极基板作为触摸面板的液晶显示装置的截面图。

图4表示将图3所示的液晶显示装置的触摸面板分解时的放大截面图。

图5表示第一实施方式的透明电极基板的变形例（在绝缘基板的两侧设置有导体层的方式）的截面图。

图6为第一实施方式的透明电极基板的变形例（不设有密合层的方式）的截面图，

图6的（a）表示导体层形成于绝缘基板的上表面整面的方式；

图6的（b）表示导体层形成为导体图案的方式。

图7表示第一实施方式的透明电极基板的变形例（不设有光学调节膜的方式）的截面图。

图8表示第一实施方式的透明电极基板的变形例（不设有光学调节膜的方式）的截面图。

具体实施方式

第一实施方式

透明电极基板

各图中，存在将纸面上下方向（厚度方向）作为第一方向、将纸面左右方向作为第二方向、将纸面向里方向（前后方向）作为第三方向的情况。

图1的（e）中，作为本发明的一个实施方式的透明电极基板1形成为平板形状，具备绝缘基板2和在绝缘基板2上（厚度方向单侧）形成的导体层3。

绝缘基板2形成为在俯视时对应于透明电极基板1的外形形状的薄膜状（或者薄板状）。作为形成绝缘基板2的材料，可列举出例如透明材料。作为透明材料，可列举出：例如玻璃等无机透明材料；例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚甲基丙烯酸酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC）、聚乙烯（PE）、环烯烃聚合物（COP）等有机透明材料。从轻薄性的观点出发，优选列举出有机透明材料、更优选列举出PET。上述材料的玻璃化转变温度为例如180℃以上，并且为例如220℃以下。绝缘基板2的厚度为例如10μm以上，优选为25μm以上，并且为例如300μm以下，优选为200μm以下。

另外，在绝缘基板2的上表面整面形成有光学调节膜24。光学调节膜24由例如SiO₂类材料等无机光学材料或者有机光学材料等形成，玻璃化转变温度为180℃以上；厚度为例如1nm以上，优选为5nm以上，并且也为例如1000nm以下，优选为500nm以下。

在绝缘基板2上隔着光学调节膜24的间隔而设置有导体层3。即，导体层3层叠于光学调节膜24的上表面整面。导体层3由多层组成，具体而言，其具备在光学调节膜24的上表面（厚度方向单面）形成的透明导体层4、在透明导体层4上（厚度方向单侧）形成的低电阻化层5、夹在透明导体层4以及低电阻化层5之间的密合层6。进而，导体层3还具备在低电阻化层5的上表面（厚度方向单面）形成的保护层7。即，导体层3中，在光学调节膜24上（厚度方向单侧）依次层叠有透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7。

透明导体层4在后述的透明电极10（参照图2的（d））中为用于触摸输入(touch input)的层，在导体层3中位于最下层，形成于光学调节膜24的上表面整面。作为形成透明导体层4的透明导体，例如可列举出铟锡氧化物（ITO）等氧化物。透明导体层4的厚度为例如5nm以上，优选为10nm以上，并且也为例如200nm以下，优选为30nm以下。

密合层6为提高透明导体层4和低电阻化层5的密合力的层，形成于透明导体层4的上表面整面。作为形成密合层6的材料，可列举出例如：镍、铜、它们的合金（含有包含金属以外的成分的组合物）。从得到更高密合力的观点出发，优选列举出含有镍和、磷或硼作为必需成分的组合物等。

镍在组合物中作为主要成分而含有，其含有比例为，

磷或者硼的含有比例的剩余部分。

在组合物中，磷或硼是作为副成分而含有，磷的含有比例为例如8质量%以上，优选为9质量%以上，更优选为10质量%以上，并且也为例如15质量%以下，优选为13质量%以下。另外，硼的含有比例相对于组合物为例如0.1质量%以上，优选为1质量%以上，并且也为例如5质量%以下，优选为3质量%以下。

如果磷或硼的含有比例小于上述下限，存在不能充分地提高透明导体层4和密合层6之间的密合力的情况。另一方面，如果磷或硼的含有比例超过上述上限，存在不能进行稳定的镀覆的情况。

另外，组合物可根据需要以适宜的比例含有钯、铑等贵金属等催化剂作为任意成分。

密合层6的厚度为例如50nm以上，优选为100nm以上，并且为例如3000nm以下，优选为500nm以下。

低电阻化层5为减少导体层3的电阻的层，间隔(夹着)密合层6而层叠在透明导体层4上。具体而言，低电阻化层5形成于密合层6的上表面整面。作为形成低电阻化层5的材料，可列举出例如：铜、银、金、它们的合金等导电材料（具体而言，为金属）。优选列举出铜、银、金。这些材料的低电阻化层5的厚度根据导体层3中要求的电阻值而适宜设定，具体而言，为例如50nm以上，优选为100nm以上，并且也为例如3000nm以下，优选为1000nm以下。

保护层7为保护低电阻化层5的层，位于导体层3中的最上层，形成于低电阻化层5的上表面整面。保护层7由易蚀刻材料形成。易蚀刻材料为在后述的蚀刻（参照图2的（b）以及图2的（d））中容易被去除的材料，具体而言，可列举出镍、锡、镍铜合金等金属。需要说明的是，上述各材料可以作为包含在保护层7的形成工序中混入的添加物（例如磷等）等的组合物而制备。

作为易蚀刻材料，优选列举出含有镍和、磷或硼作为必需成分的组合物，更优选列举出含有镍、磷作为必需成分的组合物。必需成分的含有比例与密合层6中的相同。

保护层7可以以单层或者材料不同的多层的形式形成。优选以单层的形式形成。保护层7的厚度为例如20nm以上，并且如果考虑后述的蚀刻时间，为例如100nm以下。

接着，参照图1的（a）～图1的（e）对透明电极基板1的制造方法进行说明。

在该方法中，首先，如图1的（a）所示，准备绝缘基板2。接着，在绝缘基板2的上表面整面形成（层叠）光学调节膜24。

接着，如图1的（b）～图1的（e）所示，在光学调节膜24上形成导体层3。

即，为了在光学调节膜24上形成导体层3，首先，如图1的（b）所示，在光学调节膜24的上表面层叠透明导体层4。

具体而言，为了形成透明导体层4，可以使用例如：真空蒸镀、离子镀、溅射等物理蒸镀。优选使用溅射。

由此，准备层叠板19（准备工序），该层叠板19具备：绝缘基板2和光学调节膜24、以及层叠在光学调节膜24的上表面（厚度方向单面）的透明导体层4。

接着，如图1的（c）所示，在透明导体层4的上表面形成密合层6（密合层层叠工序）。

具体而言，通过例如镀覆、物理蒸镀等在透明导体层4的上表面形成密合层6。优选使用镀覆。

作为镀覆，可列举出例如：无电解镀覆、电解镀覆，优选列举出无电解镀覆。

为了通过无电解镀覆在透明导体层4的上表面形成密合层6，首先，根据需要预先对例如密合层6的上表面进行预处理。

作为预处理，可列举出例如脱脂、软蚀刻、酸洗等。脱脂中，在中性的脱脂液中浸渍层叠板19。软蚀刻中，例如在过硫酸钠等过硫酸盐的水溶液中浸渍层叠板19。

预处理后，根据需要，在透明导体层4的上表面（表面）层叠催化剂覆膜（未图示）。催化剂覆膜（未图示）是通过将层叠板19浸渍于催化剂液体中而形成的。作为催化剂液体，可列举出例如包含催化剂或者将其作为组成而含有的催化剂化合物的液体（分散液或者溶液）等。作为催化剂，可列举出例如：钯、铑等贵金属。作为催化剂化合物，可列举出例如：贵金属化合物（贵金属盐）等。水溶液中的催化剂和/或催化剂化合物的含有比例可以适宜设定。

浸渍温度为例如15℃以上，优选为20℃以上，并且也为例如50℃以下，优选为40℃以下。

浸渍时间为例如0.5分钟以上，优选为1分钟以上，并且也为例如10分钟以下，优选为5分钟以下。

接着，将表面上层叠有催化剂覆膜（未图示）的层叠板19浸渍于无电解镀液中。

无电解镀液是通过将镍化合物和、磷化合物或硼化合物和、水配混而制备的。

作为镍化合物，可以列举出例如：硫酸镍、硝酸镍等镍盐等。镍盐配混于水中时，生成镍阳离子（Ni^2＋）。

作为磷化合物，可列举出例如：次磷酸、次磷酸盐（例如次磷酸钠等）等磷类还原剂。磷类还原剂配混于水中时，生成磷类阴离子（具体而言，次磷酸阴离子：HPO₂ ^-）。

作为硼化合物，可列举出例如：硼氢化钾、硼氢化钠等硼氢化物；二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、三乙胺硼烷等胺硼化合物等。硼化合物配混于水中时，生成硼类阴离子（具体而言，硼酸阴离子、BO₃ ^3-）。

另外，无电解镀液的pH调节为例如2以上，优选为4以上，并且调节为例如6以下，优选为5以下。

浸渍温度、即无电解镀液的温度为例如40℃以上，优选为60℃以上，并且也为例如90℃以下，优选为80℃以下。浸渍温度如果在上述范围外，存在不能将密合层6的厚度设定为所希望的范围内的情况。

如果将层叠板19浸渍于无电解镀液中，则在密合层6（详细而言，催化剂覆膜）的表面，通过磷类阴离子或者硼类阴离子的还原作用，还原镍阳离子（Ni^2＋）生成镍（Ni），并且内部含有磷（P）或者硼（B），形成密合层6。

之后，根据需要，对密合层6进行加热（烘培）。

加热温度为绝缘基板2以及光学调节膜24的玻璃化转变温度以下，并且为例如100℃以上，优选为120℃以上。加热时间为例如1分钟以上，优选为5分钟以上，并且为例如90分钟以下、优选为60分钟以下。

之后，根据需要，对密合层6的上表面（表面）进行水洗。

接着，如图1的(d）所示，将低电阻化层5形成于密合层6的上表面（低电阻化工序）。

具体而言，将低电阻化层5通过例如镀覆、物理蒸镀等形成于密合层6的上表面。优选为镀覆；从提高对密合层6的密合性的观点出发，更优选通过电解镀覆形成低电阻化层5。

之后，如图1的（e）所示，将保护层7形成于低电阻化层5的上表面（保护工序）。

通过与上述的密合层6同样的方法由易蚀刻材料形成保护层7。

需要说明的是，作为镀覆，从保护层7的厚度的均一性以及防止低电阻化层5的腐蚀的观点出发，优选采用无电解镀覆。另外，将层叠板19在无电解镀液中的浸渍时间设定为例如1秒钟以上，优选为10秒钟以上，并且也可设定为例如100秒钟以下，优选为50秒钟以下。

由此，得到透明电极基板1。

该透明电极基板1如图1的（e）所示，将导体层3形成于光学调节膜24的上表面整面（透明导体层4的上侧整体）上，但例如也可以如图2的（d）所示，形成为导体图案8。

即，如图2的（a）～（d）所示，在透明电极基板1中，导体图案8是通过对导体层3进行蚀刻从而进行图案加工而得到的。

如图2的（d）所示，导体图案8具备引出布线9、与引出布线9连接（未图示）而形成的透明电极10。

引出布线9在透明电极基板1的周边部分相互隔有间隔而配置多个。引出布线9在光学调节膜24的上表面（绝缘基板2上），由导体层3（具体而言，透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7）形成。

透明电极10在后述的液晶显示装置30（参照图3）中构成检测部（传感器），在透明电极基板1的中央相互隔有间隔而配置多个。作为透明电极10的图案，例如在前后方向上延伸、在左右方向上相互隔有间隔而形成。透明电极10在光学调节膜24上，由透明导体层4形成。

接着，参照图2的（a）～图2的（d）对透明电极基板1中将导体层3蚀刻而形成导体图案8的方法（图案化工序）进行说明。

首先，该方法中，如图2的（a）所示，将第一蚀刻阻剂17形成于导体层3的上表面。

具体而言，首先，将干膜蚀刻剂层叠于保护层7的上表面整面；接着，通过曝光和显影，将第一蚀刻阻剂17形成为与导体图案8相同的图案。

之后，在该方法中，如图2的（b）所示，将由第一蚀刻阻剂17露出的导体层3蚀刻。该蚀刻中，使用溶解导体层3、而不溶解透明导体层4以及光学调节膜24的蚀刻液。

由此，形成由透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7形成的导体图案8。

之后，将第一蚀刻阻剂17剥离而去除。

接着，在该方法中，如图2的（c）所示，将第二蚀刻阻剂18以覆盖对应于引出布线9（参照图2的（d））的导体层3、露出对应于透明电极10（参照图2的（d））的导体层3的方式形成在光学调节膜24上。

具体而言，首先，将干膜蚀刻剂层叠于包含导体层3（导体图案8）的光学调节膜24的上表面整面，接着，通过曝光以及显影，将第二蚀刻阻剂18形成为上述的图案。

接着，在该方法中，如图2的（d）所示，将从第二蚀刻阻剂18露出的导体层3的一部分即保护层7、低电阻化层5以及密合层6通过蚀刻而去除。

蚀刻中，使用溶解保护层7、低电阻化层5以及密合层6、而不溶解透明导体层4以及光学调节膜24的蚀刻液。

之后，将第二蚀刻阻剂18剥离而去除。

由此，通过将作为导体图案8的一部分的保护层7、低电阻化层5以及密合层6去除，由透明导体层4形成透明电极10，并且将对应于导体图案8的剩余部分的导体层3作为引出布线9。

需要说明的是，除了透明电极10以及引出布线9的图案以外的导体层3中，通过如图2的（b）所示的蚀刻，保护层7、低电阻化层5、密合层6以及透明导体层4已经被蚀刻。

由此，如图2的（d）所示，得到如下透明电极基板1：在光学调节膜24的上表面形成有具备引出布线9以及透明电极10的导体图案8。

该透明电极基板1由于在低电阻化层5的上表面具备由易蚀刻材料形成的保护层7，因此能够容易地将导体层3蚀刻而图案化成所希望的形状，该导体层3包含上表面形成有保护层7的低电阻化层5。

可以将如图2的（d）所示的透明电极基板1作为例如触摸面板而使用。

触摸面板

接着，参照图3和图4对具备使用如图2的（d）所示的透明电极基板1的触摸面板20的液晶显示装置30进行说明。

图3中，液晶显示装置30为例如触摸面板式移动电话，具备板状的LCD模块14、在LCD模块14上隔有间隔而设置的偏光板12、设置在偏光板12的上表面的触摸面板20、设置在触摸面板20的上表面的保护玻璃层11。

另外，在LCD模块14的下侧，虽然未图示，但设有电路基板以及壳体等。

另外，在液晶显示装置30的左右方向以及前后方向的中央部，在LCD模块14和偏光板12之间，设有作为空气层的间隙层13。需要说明的是，间隙层13由在周边部分被配置为框状的间隔物21隔开。

如图4所示，触摸面板20具备2个透明电极基板1（详细而言，导体层3形成为导体图案8的透明电极基板1）。

具体而言，触摸面板20具备：在厚度方向上隔有间隔而配置的多个（2个）透明电极基板1、夹在它们之间的透明绝缘薄膜22、多个（3个）粘合剂层15。

在2个透明电极基板1上，导体层3都面向上侧（厚度方向）而配置。另外，2个透明电极基板1中，将透明电极10的延伸方向以在厚度方向上投影时相互交叉（具体而言，垂直）的方式设定，例如：上侧的透明电极10在前后方向上延伸、在左右方向上相互隔有间隔而配置；而下侧的透明电极10在左右方向上延伸、在前后方向上相互隔有间隔而配置。

透明绝缘薄膜22以与上述透明电极基板1中的绝缘基板2同样的材料以及尺寸形成。

粘合剂层15设置于下侧的透明电极基板1和透明绝缘薄膜22之间、透明绝缘薄膜22和上侧的透明电极基板1之间、以及上侧的透明电极基板1的上表面。

该液晶显示装置30中，手指等接触或接近保护玻璃层11的上表面时，与不接触或不接近的情况相比，产生静电容量的差，其被作为检测信号介由引出布线9传达至未图示的电路基板。

另一方面，输入信号由电路基板输入至LCD模块14，LCD模块14显示图像。该图像介由偏光板12、触摸面板20以及保护玻璃层11被操作者（或者辨识者）辨识。

该液晶显示装置30由于具备包含导体图案8的透明电极基板1，因此能够谋求可靠性的提高，导体图案8由高精度地图案化了的导体层3形成。

变形例

图3以及图4的说明中，以液晶显示装置30来说明了本发明的图像显示装置，虽然未图示，但例如也可以用作有机电致发光装置（有机EL装置）等。

另外，在下面的各图中，对于与图1～图4相同的部件，标记相同的参照符号，省略其的详细说明。

图1的（e）的实施方式中，将导体层3只设置在绝缘基板2的上侧（厚度方向单侧），但例如也可以如图5所示，设置在绝缘基板2的两侧（上侧和下侧、厚度方向单侧和另一侧）。

即，图5中，透明电极基板1具备：绝缘基板2、分别在其上表面和下表面形成的光学调节膜24、在2个光学调节膜24的表面形成的导体层3。

绝缘基板2在厚度方向被2个光学调节膜24夹持。

2个导体层3形成于上侧的光学调节膜24的上表面，并且形成于下侧的光学调节膜24的下表面。

下侧的导体层3层叠于光学调节膜24的下表面整面。下侧的导体层3中，在光学调节膜24下（厚度方向另一侧）依次层叠有透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7。

另外，图5所示的透明电极基板1中，虽然未图示，但可以将导体层3形成为导体图案8。

将这样的透明电极基板1作为触摸面板20而使用时，可以由1个透明电极基板1构成触摸面板20。上下两侧的导体图案8中的透明电极10形成为在厚度方向投影时相互交叉（具体而言，垂直）的图案。

另外，图1的（e）的实施方式中，将密合层6设置于导体层3，但例如也可以如图6的（a）所示不设置密合层6地构成导体层3。

图6的（a）中，导体层3由透明导体层4、低电阻化层5以及保护层7形成。

低电阻化层5直接形成于透明导体层4的上表面整面。

另外，也可以将图6的（a）所示的透明电极基板1的导体层3如图6的（b）所示，形成为具备引出布线9以及透明电极10的导体图案8。

图6的（b）中，引出布线9由透明导体层4、低电阻化层5以及保护层7形成。

为了得到图6的（b）所示的透明电极基板1，参照图2的（a）～图2的（d），首先，将第一蚀刻阻剂17形成于保护层7的上表面；接着，将由第一蚀刻阻剂17露出的导体层3（透明导体层4、低电阻化层5以及保护层7）蚀刻（图案化）；然后，剥离第一蚀刻阻剂17。之后，将第二蚀刻阻剂18以覆盖对应于引出布线9的导体层3、露出对应于透明电极10的导体层3的方式形成在光学调节膜24上；之后，将由第二蚀刻阻剂18露出的保护层7以及低电阻化层5通过蚀刻而去除。之后，去除第二蚀刻阻剂18。

优选如图1的（e）所示，以夹在导体层3中的透明导体层4以及低电阻化层5之间的方式设置密合层6；进一步，如图2的（d）所示，使密合层6夹在引出布线9中的透明导体层4以及低电阻化层5之间。由此，能够提高如图1的（e）所示的导体层3中的透明导体层4以及低电阻化层5的密合力，进而能够提高如图2的（d）所示的引出布线9中的透明导体层4以及低电阻化层5的密合力。

图1的（e）以及图2的（d）的实施方式中，在绝缘基板2的上表面设有光学调节膜24；但例如也可以如图7以及图8所示，不设置光学调节膜24而在绝缘基板2的上表面直接形成透明导体层4。

从谋求光学特性的提高的观点出发，优选如图1的（e）以及图2的（d）所示，将光学调节膜24设置于绝缘基板2的上表面。

实施例

以下示出实施例以及比较例，进一步具体地说明本发明。需要说明的是，本发明不受实施例以及比较例的限定。

透明电极基板的制作

实施例1

准备由PET（玻璃化转变温度：180℃以上）形成的厚度50μm的绝缘基板（参照图1的（a））。接着，将由SiO₂类（玻璃化转变温度：200℃以上）形成的厚度25nm的光学调节膜层叠于绝缘基板的上表面整面。

接着，将导体层形成于绝缘基板（光学调节膜）上（参照图1的（b）～图1的（e））。

具体而言，首先，将由ITO形成的透明导体层通过溅射形成于光学调节膜的上表面。透明导体层的厚度为25nm。由此，准备具备绝缘基板、光学调节膜和透明导体层的层叠板。

接着，在透明导体层的上表面形成密合层（参照图1的（c））。

具体而言，首先，将层叠板浸渍于45℃的中性脱脂液中5分钟，接着浸渍于25℃的过硫酸钠水溶液中5分钟，进行软蚀刻。

接着，通过将层叠板浸渍于包含钯的25℃的催化剂液体中5分钟，在透明导体层的表面上层叠催化剂覆膜。

另外制备含有硫酸镍和次磷酸（还原剂）的无电解镀液。无电解镀液中，将镍阳离子（Ni^2＋）的质量比例调节为2.5质量%，将次磷酸阴离子（HPO₂ ^－）的质量比例调节为2质量%。另外，无电解镀液的pH为4.6。

接着，将透明导体层的表面上层叠有催化剂覆膜的层叠板浸渍于70℃的无电解镀液中5分钟。由此，将由含有镍和磷的组合物形成的厚度500nm的密合层形成于透明导体层的上表面整面（夹着催化剂覆膜）。

之后，将密合层进行1分钟水洗。

接着，将低电阻化层形成于密合层的上表面（参照图1的（d））。

即，将形成有密合层的层叠板浸渍于含有添加剂的硫酸铜镀液中，以平均电流密度1A／dm²进行1分20秒电解镀铜。由此，将由铜形成的厚度200nm的低电阻化层形成于密合层的上表面整面。

之后，将由含有镍和磷的组合物形成的厚度30nm的保护层形成于低电阻化层的上表面（参照图1的（e））。

低电阻化层按照密合层的形成来形成。

由此，得到在光学调节膜上依次层叠有透明导体层、密合层、低电阻化层以及保护层的透明电极基板。

实施例2～9和比较例1、2

除了将密合层、低电阻化层以及保护层的形成条件等如表1和表2的记载所示进行变更以外，与实施例1同样地处理，得到透明电极基板。

与实施例1不同的变更点的具体情况如以下所示。

对于实施例3，通过电解镀镍由镍形成保护层。电解镀镍的详细条件如以下所示。

电解镀镍液：包含硫酸镍、氯化镍、硼酸、添加剂。

电解条件：0.5A／dm²

时间：30秒钟

温度：40℃

对于实施例4，通过无电解镀铜由铜形成低电阻化层。以下示出无电解镀铜的详细的条件。

无电解镀铜液：包含硫酸铜、福尔马林。

时间：15秒钟

温度40℃

对于实施例5，通过溅射由铜形成密合层。

对于实施例7～9，使用含有硫酸镍和硼的无电解镀液，由包含镍和硼的组合物形成密合层。实施例7～9各自的覆膜中硼浓度通过镀液中的二甲胺硼烷浓度和硫酸镍浓度的比、pH、添加剂等适宜地进行调节。

对于比较例1，通过无电解镀金由金形成保护层。无电解镀金的详细条件如以下所示。

包含氰化金钾、氰化钾、添加剂的镀液

温度：80℃

时间：3分钟

厚度：30nm

对于比较例2，没有形成保护层。

图像显示装置的制作

对于实施例1～5以及比较例2和5的透明电极基板，将导体层加工成导体图案（参照图2的（a）～图2的（d））,之后根据上述实施方式，制作使用透明电极基板作为触摸面板的液晶显示装置。

另一方面，对于比较例1的透明电极基板，要将导体层加工成导体图案时，也尝试了蚀刻。但是，没能将导体层蚀刻（图案化）。

评价

·密合力

对于形成保护层之前（对于比较例2，为得到的透明电极基板）的透明电极基板，实施密合力试验（胶带划格试验，tape cross cut test）。

即，在上述的透明电极基板的导体层的1cm见方的区域中，使用切割刀以间隔1mm切入沿着前后方向和左右方向的切缝。之后，将粘合带贴附于导体层，将粘合带由导体层剥离时，将低电阻化层没有从透明导体层剥离的样品评价为“○”、将低电阻化层从透明导体层剥离的样品评价为“×”。

·电阻值（表面电阻）

利用电阻率计（Loresta AX MCP-370型 Mitsubishi Chemical AnalytechCo.,Ltd.制造）测定实施例1～5、9以及比较例1、2的透明电极基板的导体层的表面电阻。

·防锈性（腐蚀性）

将具备实施例1～5、9以及比较例1、2的透明电极基板的图像显示装置投入至85℃、85%的恒温高湿器中500小时。之后，将引出布线中没有变色腐蚀的样品评价为“○”、将有变色腐蚀的样品评价为“×”。

·含磷比例和含硼比例

通过将覆膜溶解进行ICP测定而算出密合层和保护层中的含磷比例或者含硼比例。

将其结果分别示于密合层栏和保护层栏。

表1

表2

表中“%”表示“质量%”。

需要说明的是，上述说明作为本发明的例示的实施方式而提供，其仅为例示，不做限定性解释。本技术领域的技术人员所清楚的本发明的变形例也包含在权利要求书中。

Claims (12)

1.一种透明电极基板，其特征在于，其具备绝缘基板和在所述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层，

所述导体层具备：

在所述绝缘基板的所述厚度方向单侧形成的透明导体层，

在所述透明导体层的所述厚度方向单侧形成的、使所述导体层的电阻减少的低电阻化层，和

在所述低电阻化层的所述厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

2.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于，所述易蚀刻材料为选自镍、锡以及镍铜合金的至少一种金属。

3.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于，

所述透明导体层由铟锡氧化物形成，

所述低电阻化层由选自由铜、银以及金组成的组中的至少一种金属形成。

4.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于，

所述透明导体层形成于所述绝缘基板的所述厚度方向单侧整面，

所述低电阻化层形成于所述透明导体层的所述厚度方向单侧整面，

所述保护层形成于所述低电阻化层的所述厚度方向单面整面。

5.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于，所述导体层在所述绝缘基板上形成为导体图案。

6.根据权利要求5所述的透明电极基板，其特征在于，

所述导体图案具备：

由所述导体层形成的引出布线，和

与所述引出布线连接而形成的、由所述透明导体层形成的透明电极。

7.一种透明电极基板的制造方法，其特征在于，具备：

准备层叠板的准备工序，该层叠板具备绝缘基板和层叠在所述绝缘基板的至少厚度方向单侧的透明导体层；

低电阻化工序，将低电阻化层层叠于所述透明导体层的所述厚度方向单侧；以及

保护工序，在所述低电阻化层的所述厚度方向单面由易蚀刻材料形成保护层。

8.根据权利要求7所述的透明电极基板的制造方法，其特征在于，在所述保护工序之后，进一步具备图案化工序：将具备所述透明导体层、所述低电阻化层和所述保护层的导体层蚀刻而形成导体图案。

9.根据权利要求8所述的透明电极基板的制造方法，其特征在于，还具备如下的工序：

通过从所述导体图案的一部分将所述保护层以及所述低电阻化层去除，由所述透明导体层形成透明电极，并且将对应于所述导体图案的剩余部分的所述导体层作为引出布线。

10.一种图像显示装置，其特征在于，具备透明电极基板，

所述透明电极基板具备绝缘基板和在所述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层，

所述导体层具备：

在所述绝缘基板的所述厚度方向单侧形成的透明导体层，

在所述透明导体层的所述厚度方向单侧形成的、使所述导体层的电阻减少的低电阻化层，和

在所述低电阻化层的所述厚度方向单面由易蚀刻材料形成的保护层。

11.根据权利要求10所述的图像显示装置，其特征在于，所述透明电极基板为触摸面板。

12.根据权利要求10所述的图像显示装置，其特征在于，其为液晶显示装置。

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