TW201508091A - 無電式電鍍方法、多層基材之製造方法、多層基材及輸入裝置 - Google Patents

無電式電鍍方法、多層基材之製造方法、多層基材及輸入裝置 Download PDF

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Abstract

包含是電鍍材料的金屬及還原劑之無電式電鍍液被收容於電鍍槽。以接於電鍍槽內的無電式電鍍液之方式配置參考電極及相對電極。被電鍍對象的導電性部分不透過觸媒而接觸於電鍍槽內的無電式電鍍液。在此狀態下，以參考電極的電位作為基準之被電鍍對象的導電性部分之電位，被保持成在被電鍍對象的導電性部分會析出電鍍材料的電位以下。在觸媒不會附著於被電鍍對象的導電性部分之情況下，析出電鍍材料。

Description

無電式電鍍方法、多層基材之製造方法、多層基材及輸入裝置
本發明，係有關於無電式電鍍方法、多層基材之製造方法、多層基材及輸入裝置。
通常，在無電式電鍍方面，係於被電鍍物的表面使觸媒作附著之後，使該被電鍍物浸漬於無電式電鍍液，在不使電流通過之下藉還原反應而於被電鍍物的表面使金屬作析出。依無電式電鍍，即可於絕緣物的表面亦形成金屬被膜。為此，無電式電鍍，係廣泛應用於產業界(例如，參見專利文獻1)。
在專利文獻1的無電式電鍍方法中，係在鈀觸媒附著於長尺狀基材的表面後，對於長尺狀基材進行水洗處理。長尺狀基材，係具有在金屬基板上隔著絕緣層而形成導體層之構成。此長尺狀基材被浸漬於含有鎳離子之無電式電鍍液中。藉此，在長尺狀基材之導體層的表面藉無電式電 鍍而形成鎳薄膜。
[專利文獻1]日本發明專利公開2012-219274號公報
在專利文獻1的無電式電鍍方法中，係長尺狀基材的表面之鈀觸媒因水洗處理而以氫氧化物而沉澱於洗淨水中。附著於長尺狀基材之洗淨水在下個程序中混入無電式電鍍液之情況下，洗淨水中的鈀觸媒會附著於電鍍槽之底面或側面，使得在電鍍槽之底面或側面會發生鎳的析出。若在鎳附著於電鍍槽之狀態下進行無電式電鍍，則變得難以在長尺狀基材之導體層上精密度佳地形成具有期望之形狀的鎳薄膜，長尺狀基材之可靠性會降低。
為此，需要定期進行供以將附著於電鍍槽之鎳作除去用的維護作業。然而，若頻繁進行維護作業，則長尺狀基材之生產率會降低。
本發明之目的，係在於提供提升了生產率及可靠性之無電式電鍍方法、多層基材之製造方法、多層基材及輸入裝置。
(1)依本發明的一方面之無電式電鍍方法，係供以對於具有導電性部分之被電鍍對象進行無電式電鍍用，包含以下者：將含有是電鍍材料之金屬及還原劑的無電式電 鍍液收容於電鍍槽之程序；以接於電鍍槽內的無電式電鍍液的方式而配置參考電極及相對電極之程序；使被電鍍對象的導電性部分不透過觸媒而接觸於電鍍槽內的無電式電鍍液之程序；以及將以參考電極的電位作為基準之被電鍍對象的導電性部分之電位，保持成在被電鍍對象的導電性部分會析出電鍍材料之電位以下的程序。
在此無電式電鍍方法中，係包含是電鍍材料的金屬及還原劑之無電式電鍍液被收容於電鍍槽。以接於電鍍槽內的無電式電鍍液之方式配置參考電極及相對電極。被電鍍對象的導電性部分不透過觸媒而接觸於電鍍槽內的無電式電鍍液。
在此狀態下，以參考電極的電位作為基準之被電鍍對象的導電性部分之電位，被保持成在被電鍍對象的導電性部分會析出電鍍材料的電位以下。藉此，可在不使觸媒附著於被電鍍對象的導電性部分之情況下，在被電鍍對象的導電性部分使電鍍材料析出。
依此方法，即無需使觸媒附著於被電鍍對象的導電性部分，故觸媒不會以氫氧化物而附著於電鍍槽。為此，無在電鍍槽發生電鍍材料的析出之情形。因此，無需定期進行供以將附著於電鍍槽之電鍍材料作除去用的維護作業。藉此，可使無電式電鍍方法的生產率提升。
此外，電鍍材料不會附著在電鍍槽，故防止了電鍍槽的電位產生變化。因此，電鍍材料的析出速度不會不穩定變化。藉此，防止了電鍍材料之品質降低，可在被電鍍對 象的導電性部分上精密度佳地使具有期望之形狀的電鍍材料析出。其結果，可使無電式電鍍方法的可靠性提升。
(2)電鍍材料係包含鎳或鎳合金，被電鍍對象係包含銅或銅合金，保持電位之程序係亦可包含：將以參考電極的電位作為基準之被電鍍對象的導電性部分之電位保持成-0.7V以下。此情況下，無需使用觸媒，仍可容易在被電鍍對象上使電鍍材料析出。
(3)依本發明之其他方面的多層基材之製造方法，係包含以下者：準備積層絕緣層與具有導電性部分之被電鍍對象的基材之程序；以及藉依本發明的一方面之無電式電鍍方法而在被電鍍對象的導電性部分不透過觸媒而使電鍍材料析出之程序。
在此多層基材之製造方法中，係準備積層絕緣層與具有導電性部分之被電鍍對象的基材。藉上述的無電式電鍍方法，在被電鍍對象的導電性部分不透過觸媒而析出電鍍材料。
依此方法，即無需使觸媒附著於被電鍍對象的導電性部分，故觸媒不會以氫氧化物而附著於電鍍槽。為此，無在電鍍槽發生電鍍材料的析出之情形。因此，無需定期進行供以將附著於電鍍槽之電鍍材料作除去用的維護作業。藉此，可使多層基材的生產率提升。
此外，電鍍材料不會附著在電鍍槽，故防止了電鍍槽的電位產生變化。因此，電鍍材料的析出速度不會不穩定變化。藉此，防止了電鍍材料之品質降低，可在被電鍍對 象的導電性部分上精密度佳地使具有期望之形狀的電鍍材料析出。其結果，可使多層基材之可靠性提升。
(4)被電鍍對象係包含導體層，在導電性部分不透過觸媒而使電鍍材料析出之程序，係亦可包含：在導體層的導電性部分使具有0.01μm以上、50μm以下的厚度之電鍍材料析出。此情況下，可使導體層的防鏽性充分提升。
(5)被電鍍對象係包含具有既定的圖案之複數個導體圖案，複數個導體圖案的間隔係3μm以上、50μm以下，在導電性部分不透過觸媒而使電鍍材料析出之程序，係亦可包含：在複數個導體圖案的導電性部分使具有0.01μm以上、20μm以下的厚度之電鍍材料析出，此情況下，可使複數個導體圖案的防鏽性充分提升。此外，可一邊將多層基材微細化一邊防止複數個導體圖案間的絕緣電阻之降低及複數個導體圖案間的短路。
(6)亦可無電式電鍍方法中之無電式電鍍液的還原劑包含次亞磷酸使得在被電鍍對象的導電性部分析出之電鍍材料包含1%以上、15%以下的磷。
此情況下，可在導體層的導電性部分容易使電鍍材料析出。此外，可容易使析出於導體層的導電性部分之電鍍材料的厚度成為均勻。
(7)亦可無電式電鍍方法中之無電式電鍍液的還原劑包含二甲基胺硼烷使得在被電鍍對象的導電性部分析出之電鍍材料包含0.3%以上、3%以下的硼。
此情況下，可在導體層的導電性部分容易使電鍍材料析出。此外，可容易使析出於導體層的導電性部分之電鍍材料的厚度成為均勻。
(8)依本發明之再其他方面的多層基材，係藉依本發明的其他方面之製造方法而製造者。
此多層基材，係藉上述的製造方法而製造。此情況下，無需使觸媒附著於被電鍍對象的導電性部分，故觸媒不會以氫氧化物而附著於電鍍槽。為此，無在電鍍槽發生電鍍材料的析出之情形。因此，無需定期進行供以將附著於電鍍槽之電鍍材料作除去用的維護作業。藉此，可使多層基材的生產率提升。
此外，電鍍材料不會附著在電鍍槽，故防止了電鍍槽的電位產生變化。因此，電鍍材料的析出速度不會不穩定變化。藉此，防止了電鍍材料之品質降低，可在被電鍍對象的導電性部分上精密度佳地使具有期望之形狀的電鍍材料析出。其結果，可使多層基材之可靠性提升。
(9)依本發明之再其他方面的輸入裝置，係連接在對於藉使用者而接觸之位置進行檢測之檢測電路，係如以下者：具備：藉依本發明的其他方面之製造方法而製造的多層基材；以及將多層基材之被電鍍對象電性連接於檢測電路的配線電路基板；多層基材之絕緣層係透明。
在此輸入裝置中，多層基材之絕緣層係透明。多層基材之被電鍍對象，係藉配線電路基板而電性連接於檢測電路。使用者對於輸入裝置作接觸之情況下，藉使用者而接 觸之位置被藉檢測電路而檢測。
此多層基材，係藉上述的製造方法而製造。此情況下，無需使觸媒附著於被電鍍對象的導電性部分，故觸媒不會以氫氧化物而附著於電鍍槽。為此，無在電鍍槽發生電鍍材料的析出之情形。因此，無需定期進行供以將附著於電鍍槽之電鍍材料作除去用的維護作業。藉此，可使輸入裝置的生產率提升。
此外，電鍍材料不會附著在電鍍槽，故防止了電鍍槽的電位產生變化。因此，電鍍材料的析出速度不會不穩定變化。藉此，防止了電鍍材料之品質降低，可在被電鍍對象的導電性部分上精密度佳地使具有期望之形狀的電鍍材料析出。其結果，可使輸入裝置之可靠性提升。
依本發明，即無電式電鍍方法、多層基材之製造方法、可使多層基材及輸入裝置的可靠性及生產率提升。
1‧‧‧無電式電鍍裝置
2‧‧‧電鍍槽
3‧‧‧恆電位儀
4‧‧‧導通構材
5‧‧‧參考電極
6‧‧‧相對電極
7‧‧‧搬送控制裝置
10‧‧‧長尺狀基材
10A‧‧‧透明導電性基材
10B‧‧‧多層基材
10C‧‧‧多層基材
10D‧‧‧FPC基板
10E‧‧‧FPC基板
10F‧‧‧懸掛基板
11‧‧‧金屬基板
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧導體層
13a‧‧‧導體圖案
14‧‧‧絕緣層
15‧‧‧金屬薄膜
15a‧‧‧金屬圖案
16‧‧‧導體層
16a‧‧‧導體圖案
17‧‧‧金屬薄膜
18‧‧‧光學調整層
19a‧‧‧抗蝕圖案
19b‧‧‧抗蝕圖案
20‧‧‧電極
21‧‧‧接觸檢測圖案
22‧‧‧配線圖案
22a‧‧‧配線圖案
30‧‧‧無電式電鍍液
31‧‧‧送料輥
32‧‧‧捲取輥
33‧‧‧搬送輥
34‧‧‧搬送輥
35‧‧‧搬送輥
36‧‧‧搬送輥
51‧‧‧酸洗處理槽
52‧‧‧水洗處理槽
53‧‧‧水洗處理槽
54‧‧‧Pd觸媒處理槽
55‧‧‧水洗處理槽
56‧‧‧水洗處理槽
57‧‧‧水洗處理槽
58‧‧‧氣刀處理槽
59‧‧‧乾燥處理槽
100‧‧‧無電式電鍍系統
100B‧‧‧無電式電鍍系統
100C‧‧‧無電式電鍍系統
110‧‧‧FPC基板
120‧‧‧接著層
130‧‧‧接著層
140‧‧‧保護層
150‧‧‧保護層
160‧‧‧檢測電路
200‧‧‧觸控面板
DP‧‧‧顯示畫面
SP‧‧‧銀膏
T1‧‧‧端子部
T2‧‧‧端子部
[圖1]圖1係在本發明的一實施形態相關之無電式電鍍方法中所用的無電式電鍍系統的示意圖。
[圖2]圖2係繪示圖1之無電式電鍍裝置的構成之示意圖。
[圖3]圖3(a)~(c)係繪示被電鍍對象的第1例之示意性剖面圖。
[圖4]圖4(a)~(c)係繪示被電鍍對象的第1例之示意性剖面圖。
[圖5]圖5(a)及(b)係繪示被電鍍對象的第2例之示意性剖面圖。
[圖6]圖6(a)及(b)係繪示被電鍍對象的第3例之示意性剖面圖。
[圖7]圖7(a)及(b)係繪示被電鍍對象的第4例之示意性剖面圖。
[圖8]圖8(a)及(b)係繪示被電鍍對象的第5例之示意性剖面圖。
[圖9]圖9(a)及(b)係繪示被電鍍對象的第6例之示意性剖面圖。
[圖10]圖10係透明導電性基材的平面圖。
[圖11]圖11係使用了透明導電性基材之觸控面板的示意圖。
[圖12]圖12係比較例1中之無電式電鍍系統的示意圖。
[圖13]圖13係比較例2中之無電式電鍍系統的示意圖。
[圖14]圖14(a)~(c)係實施例2~7相關之透明導電性基材的平面圖。
[圖15]圖15(a)~(c)係比較例3相關之透明導電性基材的平面圖。
[圖16]圖16(a)~(d)係比較例4相關之透明導 電性基材的平面圖。
以下，本發明的實施形態相關之無電式電鍍方法，一邊參見圖式一邊詳細說明有關於多層基材及輸入裝置。
(1)無電式電鍍系統的構成
圖1，係在本發明的一實施形態相關之無電式電鍍方法中所用的無電式電鍍系統的示意圖。如圖1所示，無電式電鍍系統100，係包含：無電式電鍍裝置1、搬送控制裝置7、送料輥31及捲取輥32。此外，無電式電鍍系統100，係包含：酸洗處理槽51、水洗處理槽52,53,56,57、氣刀處理槽58及乾燥處理槽59。
無電式電鍍裝置1，係用於作為被電鍍對象而對於長尺狀基材10進行無電式電鍍。送料輥31、酸洗處理槽51及水洗處理槽52,53，係依序設於無電式電鍍裝置1的上游側。水洗處理槽56,57、氣刀處理槽58、乾燥處理槽59及捲取輥32，係依序設於無電式電鍍裝置1的下游測。
送料輥31及捲取輥32作旋轉，使得長尺狀基材10被搬送於箭頭的方向。從送料輥31所送出之長尺狀基材10，係通過酸洗處理槽51、水洗處理槽52,53及無電式電鍍裝置1。之後，長尺狀基材10，係通過水洗處理槽57、氣刀處理槽58及乾燥處理槽59而藉捲取輥32作捲 取。送料輥31及捲取輥32的旋轉速度，係藉搬送控制裝置7而作控制。藉此，對於長尺狀基材10的搬送速度進行控制。
對於長尺狀基材10，係在酸洗處理槽51中進行酸洗處理，在水洗處理槽52,53中進行水洗處理。在無電式電鍍裝置1中，藉後述之方法而在長尺狀基材10的表面藉無電式電鍍而形成由鎳(Ni)所成之金屬薄膜(Ni薄膜)。之後，在水洗處理槽56,57中，對於長尺狀基材10進行了水洗處理之後，在氣刀處理槽58中，將附著於長尺狀基材10的表面之水分作吹飛，在乾燥處理槽59中將長尺狀基材10作乾燥。
圖2，係繪示圖1之無電式電鍍裝置1的構成之示意圖。如圖2所示，無電式電鍍裝置1，係具備：電鍍槽2、恆電位儀3、一對的導通構材4、參考電極5及相對電極6。電鍍槽2，係收容無電式電鍍液30。在本實施形態中，係無電式電鍍液30，係含有鎳的離子。此外，無電式電鍍液30，係較佳為：進一步含有次亞磷酸或二甲基胺硼烷等的還原劑。
在電鍍槽2的對向之一對的側壁係分別設有開口。以將一個開口作閉塞的方式，可旋轉地設有延伸於水平方向之一對的搬送輥33,34。此外，以將另一個開口作閉塞的方式可旋轉地設有延伸於水平方向之一對的搬送輥35,36。通過圖1之水洗處理槽53的長尺狀基材10，係通過一對的搬送輥33,34間、電鍍槽2內及一對的搬送輥35, 36間而送出至圖1之水洗處理槽56。
長尺狀基材10，係例如，附電路懸掛基板(以下，稱作懸掛基板)的製程中之半成品。半成品，係依序具備：由例如不銹鋼所成之長尺狀的金屬基板、由例如聚醯亞胺所成之絕緣層及具有既定的圖案之由例如銅所成的導體層。導體層，係例如配線、墊電極或接地導體。導體層，係亦可形成於絕緣層的一面之整體。
一個導通構材4，係在電鍍槽2的上游側以電性接觸於長尺狀基材10的導體層之方式而設，另一個導通構材4，係在電鍍槽2的下游測以電性接觸於長尺狀基材10的導體層之方式而設。此情況下，長尺狀基材10的導體層成為作用電極。
參考電極5及相對電極6，係浸漬於電鍍槽2內的無電式電鍍液30中。參考電極5，係例如飽和甘汞電極。相對電極6，係由例如白金(Pt)所成之不溶性電極。相對電極6係成為陽極(anode)，長尺狀基材10的導體層成為陰極(cathode)。
導通構材4、參考電極5及相對電極6，係連接於恆電位儀3。恆電位儀3，係以將參考電極5的電位作為基準之長尺狀基材10的導體層(作用電極)之電位成為金屬的析出電位以下之方式，控制流於長尺狀基材10的導體層與相對電極6之間的電流。以下，將以參考電極5的電位作為基準之長尺狀基材10的導體層之電位稱作相對電位。析出之金屬為鎳之情況下，相對電位，係較佳為： 保持成-0.7V以下的固定值。
另外，金屬的析出電位可藉以下的手法而確認。使相對電位藉恆電位儀3而在既定範圍作變化。在此狀態下，析出金屬時的相對電位為該金屬的析出電位。
於此，在包含OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD製化學鍍鎳之無電式電鍍液30中使長尺狀基材10作浸漬。長尺狀基材10，係由聚醯亞胺及銅所成之2層基材(NIPPON STEEL & SUMIKIN CHEMICAL CO.,LTD.製ESPANEX(註冊商標))。在此狀態下，使相對電位藉恆電位儀3而從0V變化至-1.2V時，即使在作為觸媒而在2層基材的銅上未附著鈀(Pd)之情況下，仍在相對電位為-0.7V之時在銅上析出鎳。因此，確認：鎳的相對電位係-0.7V。
(2)無電式電鍍方法 (a)被電鍍對象的第1例
圖3及圖4，係繪示被電鍍對象的第1例之示意性剖面圖。圖3(a)係繪示無電式電鍍前的被電鍍對象，圖3(b)係繪示無電式電鍍後的被電鍍對象。對於無電式電鍍後的被電鍍對象，係進一步進行圖3(c)~圖4(c)的處理。
圖3(a)的被電鍍對象係長尺狀基材10。藉圖3及圖4的製程而製作了圖4(c)的透明導電性基材10A。
如圖3(a)所示，長尺狀基材10，係具備由例如聚 對苯二甲酸乙二酯(PET)所成之透明的絕緣層12。絕緣層12，係可由聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、纖維素樹脂或環烯烴聚合物樹脂(COP)等的透明之光學各向同性材料而形成。
在絕緣層12上，形成：由樹脂所成之光學調整層18、由例如氧化銦錫(ITO)所成之透明的導體層16、及由銅所成之導體層13。光學調整層18，係為了例如抗反射而設。光學調整層18係藉例如塗佈而形成，導體層16,13係藉例如濺鍍而形成。在透明導電性基材10A的製程中，係如圖3(b)所示，在導體層13的表面藉無電式電鍍而形成由例如鎳所成之金屬薄膜15。金屬薄膜15的厚度，係例如0.01μm以上、5μm以下。此情況下，可使導體層13的防鏽性充分提升。在本例中，金屬薄膜15的厚度係30nm。
在長尺狀基材10的無電式電鍍時，係以電性接觸於長尺狀基材10的導體層13的方式配置導通構材4。此外，在圖2的電鍍槽2內收容無電式電鍍液30。在此狀態下，搬送控制裝置7以長尺狀基材10在電鍍槽2內的無電式電鍍液30中被以固定速度作搬送的方式而使送料輥31及捲取輥32旋轉。
在長尺狀基材10的搬送中，以相對電位成為金屬(在本例中係鎳)的析出電位以下之方式，恆電位儀3控制流於長尺狀基材10的導體層13與相對電極6之間的電流。藉此，在長尺狀基材10的導體層13之表面分別形成 由鎳所成之金屬薄膜15。
於此，在無電式電鍍液30作為還原劑而含有次亞磷酸之情況下，形成於導體層13的表面之金屬薄膜15係較佳為：含有1%以上、15%以下的磷。或者，在無電式電鍍液30作為還原劑而含有二甲基胺硼烷之情況下，形成於導體層13的表面之金屬薄膜15係較佳為：含有0.3%以上、3%以下的硼。此等之情況下，可容易在導體層13的表面形成金屬薄膜15。此外，可容易使形成在導體層13的表面之金屬薄膜15的厚度成為均勻。
之後，如圖3(c)所示，在金屬薄膜15上形成具有既定的形狀之抗蝕圖案19a。抗蝕圖案19a，係例如在金屬薄膜15上形成蝕刻用的抗蝕膜之後，對於抗蝕膜進行曝光及顯影成既定的形狀從而形成。
接著，將從抗蝕圖案19a曝露之金屬薄膜15及導體層13,16的一部分藉蝕刻而除去。藉此，如圖4(a)所示，形成金屬圖案15a及導體圖案13a,16a。之後，將抗蝕圖案19a除去。
隨後，如圖4(b)所示，以覆蓋光學調整層18上的端部之金屬圖案15a及導體圖案13a,16a的方式在光學調整層18上形成抗蝕圖案19b。抗蝕圖案19b，係例如在光學調整層18上形成蝕刻用的抗蝕膜之後，以殘存光學調整層18上的兩側之抗蝕圖案19b的方式對於抗蝕膜進行曝光及顯影從而形成。此情況下，光學調整層18上的中央部之金屬圖案15a及導體圖案13a,16a，係不被抗蝕圖 案19b覆蓋而曝露。
之後，將從抗蝕圖案19b曝露之金屬圖案15a及導體圖案13a藉半蝕刻而除去。此情況下，光學調整層18上的中央部之金屬圖案15a及導體圖案13a被除去，光學調整層18上的兩側之金屬圖案15a及導體圖案13a係不作除去。最後，藉將抗蝕圖案19b除去，如圖4(c)所示，完成透明導電性基材10A。
以下，將藉光學調整層18上的中央部之導體圖案16a而形成之圖案稱作接觸檢測圖案21。此外，將光學調整層18上的兩側之藉導體圖案16a,13a及金屬圖案15a而形成之圖案稱作配線圖案22。關於透明導電性基材10A之細節係於後敘述。
(b)被電鍍對象的第2例
圖5，係繪示被電鍍對象的第2例之示意性剖面圖。圖5(a)係繪示無電式電鍍前的被電鍍對象，圖5(b)係繪示無電式電鍍後的被電鍍對象。被電鍍對象的第2例中之無電式電鍍方法，係除了下點以外如同被電鍍對象的第1例中之無電式電鍍方法。
如圖5(a)所示，長尺狀基材10，係具備由例如聚醯亞胺所成之絕緣層12。在絕緣層12上形成由銅所成之導體層13。絕緣層12的厚度係例如25μm，導體層13的厚度係例如10μm。如圖5(b)所示，在導體層13的表面藉無電式電鍍而形成由例如鎳所成之金屬薄膜15。 金屬薄膜15的厚度，係例如0.01μm以上、50μm以下，1μm以上、50μm以下較佳，3μm以上、20μm以下更佳。此情況下，可使導體層13的防鏽性充分提升。此外，可充分防止遷移。在本例中，係金屬薄膜15係3μm。
在長尺狀基材10的無電式電鍍時，係以電性接觸於長尺狀基材10的導體層13的方式配置導通構材4。在此狀態下，搬送控制裝置7以長尺狀基材10在電鍍槽2內的無電式電鍍液30中被以固定速度作搬送的方式而使送料輥31及捲取輥32旋轉。藉此，在長尺狀基材10的導體層13之表面形成由鎳所成之金屬薄膜15。採取此方式而完成多層基材10B。
(c)被電鍍對象的第3例
圖6，係繪示被電鍍對象的第3例之示意性剖面圖。圖6(a)係繪示無電式電鍍前的被電鍍對象，圖6(b)係繪示無電式電鍍後的被電鍍對象。被電鍍對象的第3例中之無電式電鍍方法，係除了下點以外如同被電鍍對象的第1例中之無電式電鍍方法。
如圖6(a)所示，長尺狀基材10，係具備由例如聚醯亞胺所成之絕緣層12。在絕緣層12的一面及另一面上分別形成由銅所成之導體層13,16。導體層16的厚度，係例如10μm。如圖6(b)所示，在導體層13,16的表面藉無電式電鍍而分別形成由例如鎳所成之金屬薄膜15, 17。金屬薄膜15,17的厚度，係例如分別為0.01μm以上、50μm以下，1μm以上、50μm以下較佳，3μm以上、20μm以下更佳。此情況下，可使導體層13,16的防鏽性充分提升。此外，可充分防止遷移。在本例中，係金屬薄膜15,17的厚度係3μm。
在長尺狀基材10的無電式電鍍時，係以電性接觸於長尺狀基材10的導體層13,16的方式配置導通構材4。在此狀態下，搬送控制裝置7以長尺狀基材10在電鍍槽2內的無電式電鍍液30中被以固定速度作搬送的方式而使送料輥31及捲取輥32旋轉。藉此，在長尺狀基材10的導體層13,16之表面分別形成由鎳所成之金屬薄膜15,17。採取此方式，完成多層基材10C。
(d)被電鍍對象的第4例
圖7，係繪示被電鍍對象的第4例之示意性剖面圖。圖7(a)係繪示無電式電鍍前的被電鍍對象，圖7(b)係繪示無電式電鍍後的被電鍍對象。被電鍍對象的第4例中之無電式電鍍方法，係除了下點以外如同被電鍍對象的第1例中之無電式電鍍方法。
於圖7中，係繪示長尺狀基材10的一部分。如圖7(a)所示，長尺狀基材10，係具備由例如聚醯亞胺所成之絕緣層12。在絕緣層12上形成由銅所成之複數個導體層13a。各導體圖案13a的厚度，係例如10μm。如圖7(b)所示，在各導體圖案13a的表面藉無電式電鍍而形 成由例如鎳所成之金屬薄膜15。
複數個導體圖案13a的間隔係3μm以上、50μm以下。金屬薄膜15的厚度係例如0.01μm以上、20μm以下，1μm以上、20μm以下較佳。此情況下，可使複數個導體圖案13a的防鏽性充分提升。此外，可一邊將長尺狀基材10微細化一邊防止複數個導體圖案13a間的絕緣電阻之降低及複數個導體圖案13a間的短路。
在長尺狀基材10的無電式電鍍時，係以電性接觸於長尺狀基材10的導體圖案13a的方式配置導通構材4。在此狀態下，搬送控制裝置7以長尺狀基材10在電鍍槽2內的無電式電鍍液30中被以固定速度作搬送的方式而使送料輥31及捲取輥32旋轉。藉此，在長尺狀基材10的導體圖案13a之表面形成由鎳所成之金屬薄膜15。採取此方式，完成可撓性配線電路基板(以下，稱作FPC基板)10D。
(e)被電鍍對象的第5例
圖8，係繪示被電鍍對象的第5例之示意性剖面圖。圖8(a)係繪示無電式電鍍前的被電鍍對象，圖8(b)係繪示無電式電鍍後的被電鍍對象。被電鍍對象的第5例中之無電式電鍍方法，係除了下點以外如同被電鍍對象的第1例中之無電式電鍍方法。
於圖8中，係繪示長尺狀基材10的一部分。如圖8(a)所示，長尺狀基材10，係具備由例如聚醯亞胺所成 之絕緣層12。在絕緣層12的一面及另一面上分別形成由銅所成之複數個導體圖案13a,16a。各導體圖案16a的厚度，係例如10μm。如圖8(b)所示，在各導體圖案13a,16a的表面藉無電式電鍍而形成由例如鎳所成之金屬薄膜15,17。
複數個導體圖案13a,16a的間隔係3μm以上、50μm以下。金屬薄膜15,17的厚度係例如分別0.01μm以上、20μm以下，1μm以上、20μm以下較佳。此情況下，可使複數個導體圖案13a,16a的防鏽性充分提升。此外，可一邊將長尺狀基材10微細化一邊防止複數個導體圖案13a間的絕緣電阻之降低及複數個導體圖案13a間的短路。同樣，可防止複數個導體圖案16a間的絕緣電阻之降低及複數個導體圖案16a間的短路。
在長尺狀基材10的無電式電鍍時，係以電性接觸於長尺狀基材10的導體圖案13a,16a的方式配置導通構材4。在此狀態下，搬送控制裝置7以長尺狀基材10在電鍍槽2內的無電式電鍍液30中被以固定速度作搬送的方式而使送料輥31及捲取輥32旋轉。藉此，在長尺狀基材10的導體圖案13a,16a之表面分別形成由鎳所成之金屬薄膜15,17。採取此方式，完成FPC基板10E。
(f)被電鍍對象的第6例
圖9，係繪示被電鍍對象的第6例之示意性剖面圖。圖9(a)係繪示無電式電鍍前的被電鍍對象，圖9(b) 係繪示無電式電鍍後的被電鍍對象。被電鍍對象的第6例中之無電式電鍍方法，係除了下點以外如同被電鍍對象的第1例中之無電式電鍍方法。
於圖9中，係繪示長尺狀基材10的一部分。如圖9(a)所示，長尺狀基材10，係具備由例如不銹鋼所成之金屬基板11。在金屬基板11上，依序形成：由例如聚醯亞胺所成之絕緣層12、由銅所成之導體層13、及由例如聚醯亞胺所成之絕緣層14。絕緣層14，係以導體層13的表面之一部分曝露的方式而設。如圖9(b)所示，在導體層13的曝露之表面藉無電式電鍍而形成由例如鎳所成之金屬薄膜15。
在長尺狀基材10的無電式電鍍時，係以電性接觸於長尺狀基材10的導體層13的方式配置導通構材4。在本例中，係長尺狀基材10的導體層13的一部分連接於金屬基板11。此情況下，亦可導通構材4以接觸於金屬基板11的方式而設。在此狀態下，搬送控制裝置7以長尺狀基材10在電鍍槽2內的無電式電鍍液30中被以固定速度作搬送的方式而使送料輥31及捲取輥32旋轉。藉此，在長尺狀基材10的導體層13之曝露的表面形成由鎳所成之金屬薄膜15。採取此方式，完成懸掛基板10F。
(3)透明導電性基材的構成
圖10，係透明導電性基材10A的平面圖。如圖10所示，透明導電性基材10A，係包含：絕緣層12及複數個 電極20。在圖10中，係為了便於構成之理解，而於複數個電極20附加影線。另外，圖4(c)，係相當於圖10的A-A線剖面圖。
在本例中，絕緣層12係具有矩形狀。在圖10中，將絕緣層12的對向之一組邊所延伸之方向稱作X方向，將絕緣層12的對向之另一組邊所延伸之方向稱作Y方向。此外，將正交於X方向及Y方向之方向稱作Z方向。複數個電極20，係以平行延伸於Y方向且並排於X方向的方式而配置於絕緣層12的一面。複數個電極20，係互相電性絕緣。
各電極20，係由圖4(c)的複數個接觸檢測圖案21及配線圖案22所成。在圖10的例子中，各接觸檢測圖案21係具有矩形狀。在各電極20方面，複數個接觸檢測圖案21以並排於Y方向的方式而配置。相鄰之2個接觸檢測圖案21的頂點，係互相電性連接。
在大致半數的電極20之各者方面，係在位於Y方向的一個端部之接觸檢測圖案21的頂點，電性連接著配線圖案22。在其他大致半數的電極20之各者方面，係在位於Y方向的另一個端部之接觸檢測圖案21的頂點，電性連接著配線圖案22。各電極20之配線圖案22，係通過絕緣層12上的緣，而連接於後述之圖11的FPC基板110。
(4)採用透明導電性基材之觸控面板
接著，說明有關於採用上述的透明導電性基材10A之 觸控面板。圖11，係採用透明導電性基材10A之觸控面板的示意圖。觸控面板200，係以重疊於電視、手機、個人數位助理或其他光學顯示裝置的顯示畫面DP之方式而設。另外，在圖11的例子中，觸控面板200係電容式的觸控面板。
如圖11所示，觸控面板200，係包含圖10的2個透明導電性基材10A。此外，觸控面板200，係進一步包含：FPC基板110、接著層120,130、保護層140,150及檢測電路160。2個透明導電性基材10A，係在藉光學用透明接著劑(OCA)而接著之狀態下作積層。
於此，一個透明導電性基材10A，係以相對於另一個透明導電性基材10A而以Z方向(圖10)為中心予以旋轉90°之狀態而配置。此情況下，一個透明導電性基材10A的複數個接觸檢測圖案21與另一個透明導電性基材10A的複數個接觸檢測圖案21，係在Z方向上不互相重疊。觸控面板200，係亦可代替圖10的2個透明導電性基材10A，而包含在一面及另一面分別形成複數個電極20之1個透明導電性基材。
接著層120,130，係包含OCA。一個透明導電性基材10A，係透過接著層120而接著於顯示畫面DP。保護層140，係包含例如蓋玻璃。保護層140，係透過接著層130而接著於另一個透明導電性基材10A。保護層150，係包含例如抗反射膜。保護層150，係設於保護層140上。保護層140，係亦可透過OCA而接著於保護層150。
檢測電路160，係藉例如積體電路(IC)而構成。FPC基板110，係連接於各透明導電性基材10A的複數個電極20之配線圖案22(圖10)。FPC基板110，係通過透明導電性基材10A的緣而引出至透明導電性基材10A的外部，連接於檢測電路160。檢測電路160，係亦可設於透明導電性基材10A上。此情況下，FPC基板110，係不引出至透明導電性基材10A的外部，通過透明導電性基材10A的緣而連接於透明導電性基材10A上的檢測電路160。
使用者，係以手指或觸控筆(在圖11的例子中係手指)接觸於觸控面板200之保護層150的任意位置。此情況下，一個透明導電性基材10A的複數個電極20之中與所接觸之保護層150的位置重疊之位置附近的複數個電極20間的電容會變化。同樣，另一個透明導電性基材10A的複數個電極20之中與所接觸之保護層150的位置重疊之位置附近的複數個電極20間的電容會變化。
檢測電路160，係藉檢測一個透明導電性基材10A的複數個電極20間之電容的變化，算出使用者所接觸的觸控面板200之Y方向的位置。此外，檢測電路160，係藉檢測另一個透明導電性基材10A的複數個電極20間的電容之變化，算出使用者所接觸的觸控面板200之X方向的位置。此等之結果，檢測電路160，係可對於使用者所接觸的觸控面板200之二維位置進行檢測。
(5)其他實施形態
(a)在上述實施形態中，係無電式電鍍液30含有鎳的離子，但不限定於此。例如，亦可無電式電鍍液30含有鈷(Co)、鈀(Pd)、金(Au)、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、錫合金、或銅合金等的各種之金屬的離子或合金。
(b)在上述實施形態中，係被電鍍對象的材料係由銅所成之導體層13,16，但被電鍍對象的材料係不限定於此。被電鍍對象的材料，係亦可為銅合金不銹鋼、鎳(Ni)、鋁(Al)、銀(Ag)、錫(Sn)或錫合金等的其他金屬或合金。或者，被電鍍對象的材料，係亦可為導電性之樹脂。
(c)在上述實施形態中，係被電鍍對象係透明導電性基材10A、多層基材10B,10C、FPC基板10D,10E或懸掛基板10F的半成品之長尺狀基材10，但不限定於此。亦可被電鍍對象為可撓性配線電路基板、或剛性配線電路基板等之其他配線電路基板或透明導電性基材的半成品。此外，被電鍍對象係不限於配線電路基板，可使用無電式電鍍裝置1而對於各種對象物進行無電式電鍍。
(d)在上述實施形態中，係說明有關於一邊藉捲對捲方式而搬送長尺狀基材10一邊對於導體層13進行無電式電鍍之例子，但本發明，係亦可適用於批次式的無電式電鍍裝置。在批次式的無電式電鍍裝置方面，係不搬送被電鍍對象，而予以浸漬於電鍍槽內的無電式電鍍液中一定 時間。此情況下，即使無電式電鍍液劣化，無電式電鍍液中的金屬的析出速度仍保持固定。因此，藉將往無電式電鍍液中之被電鍍對象的浸漬時間管理成固定，可在被電鍍對象的表面而均勻形成金屬薄膜。
(e)在上述實施形態中，係作為控制部的一例而採用恆電位儀3。作為控制部，亦可代替恆電位儀3而採用恆電流儀等的其他控制電路。
(f)在上述實施形態中，係作為輸入裝置的一例而說明有關於電容式的觸控面板，但不限定於此。本發明，係亦可適用於電阻膜式之觸控面板等的各種之輸入裝置。
(g)在上述實施形態中，能以覆蓋金屬薄膜15,17的方式形成鍍金，亦可形成聚醯亞胺等的被覆層。
(6)效果
在本實施形態相關之無電式電鍍方法中，係相對電位保持成在長尺狀基材10的導體層13之表面形成由鎳所成之金屬薄膜15的電位以下。藉此，不會在長尺狀基材10的導體層13的表面使觸媒附著，可在長尺狀基材10的導體層13的表面使金屬薄膜15析出。
依此方法，即無需在長尺狀基材10的導體層13的表面使觸媒附著，故觸媒不會以氫氧化物而附著於電鍍槽2。為此，無在電鍍槽2發生鎳的析出之情形。因此，無需定期進行供以將附著於電鍍槽2之鎳作除去用的維護作業。藉此，可使無電式電鍍方法的生產率提升。
此外，鎳不會附著在電鍍槽2，故防止了電鍍槽2的電位產生變化。因此，鎳的析出速度不會不穩定變化。藉此，防止了金屬薄膜15之品質降低，可在長尺狀基材10的導體層13之表面精密度佳地形成具有期望之形狀的金屬薄膜15。其結果，可使無電式電鍍方法的可靠性提升。
另外，一般情況下，在將附著於電鍍槽2之鎳作除去的情況下，係採用具有強氧化能力之硝酸等處理上需要注意的藥品。在本實施形態相關之無電式電鍍方法中，係幾乎無採用如此之藥品的情形，故無電式電鍍系統100的處理為容易。
此外，在跨長期而進行採用觸媒之無電式電鍍的情況下，係觸媒會因雜質的混入而劣化，故需要定期交換觸媒。因此，無電式電鍍的成本會增加。對此，在本實施形態相關之無電式電鍍方法中，係不使用觸媒，故可使無電式電鍍的成本減低。
(7)請求項的各構成要素與實施形態之各部分的對應關係
以下，說明有關於請求項的各構成要素與實施形態之各部份的對應之例子，但本發明不限定於下述的例子。
在上述實施形態中，係導體層13，16或導體圖案13a,16a為導電性部分或被電鍍對象的例子，無電式電鍍液30為無電式電鍍液的例子，電鍍槽2為電鍍槽的例 子，參考電極5為參考電極的例子。相對電極6為相對電極的例子，絕緣層12為絕緣層的例子，長尺狀基材10為基材的例子，透明導電性基材10A、多層基材10B,10C、FPC基板10D,10E或懸掛基板10F為多層基材之例子。導體層13,16為導體層的例子，導體圖案13a,16a為導體圖案的例子，檢測電路160為檢測電路的例子，觸控面板200為輸入裝置的例子，FPC基板110為配線電路基板的例子。
作為請求項的各構成要素，亦可採用具有記載於請求項之構成或功能的其他各種之要素。
(8)關於無電式電鍍系統的實施例 (a)無電式電鍍系統
在實施例1及比較例1,2中，係分別採用不同的無電式電鍍系統而在長尺狀基材10的表面藉無電式電鍍而形成由鎳所成之金屬薄膜15。之後，對於在各無電式電鍍系統之電鍍槽2的底面或側面之鎳的析出之有無進行判定。
在實施例1中，係依以下的順序，採用圖1之無電式電鍍系統100而在長尺狀基材10的表面形成金屬薄膜15。在室溫25℃的酸洗處理槽51中，對於長尺狀基材10進行採用稀硫酸之酸洗處理30秒鐘。稀硫酸之濃度係50g/L。
接著，在室溫25℃的水洗處理槽52中，對於長尺狀 基材10進行水洗處理1分鐘。此外，在室溫25℃的水洗處理槽53中，對於長尺狀基材10進行水洗處理1分鐘。
隨後，在無電式電鍍裝置1中，在長尺狀基材10的表面形成由鎳所成之金屬薄膜15。無電式電鍍液30，係包含OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD製化學鍍鎳。此外，無電式電鍍液30，係含有：1%~5%的次亞磷酸、1%~5%的硫酸銅及其他錯合劑。無電式電鍍液30的溫度係40℃。無電式電鍍裝置1的相對電極6係Pt電極，參考電極5係飽和甘汞電極。相對電位，係設定成-0.9V。
接著，在室溫25℃的水洗處理槽56中，對於長尺狀基材10進行水洗處理1分鐘。隨後，在室溫25℃的水洗處理槽57中，對於長尺狀基材10進行水洗處理1分鐘。之後，在氣刀處理槽58中，將附著於長尺狀基材10的表面之水分作吹飛。最後，在室溫80℃的乾燥處理槽59中，對於長尺狀基材10作乾燥30秒鐘。
圖12，係比較例1中之無電式電鍍系統的示意圖。圖12的比較例1中之無電式電鍍系統100B，係除了下點以外，具有與圖1之無電式電鍍系統100同樣的構成。如圖12所示，在無電式電鍍系統100B的水洗處理槽53與無電式電鍍裝置1之間，係設有Pd觸媒處理槽54及水洗處理槽55。
在比較例1中，係採用圖12之無電式電鍍系統100B而在長尺狀基材10的表面形成金屬薄膜15。比較例1的 金屬薄膜15之形成程序，係除了下點以外如同實施例1的金屬薄膜15之形成程序。
在水洗處理槽53中之處理與無電式電鍍裝置1中的處理之間，在30℃的Pd觸媒處理槽54中，採用氯化Pd溶液而在長尺狀基材10的表面使Pd觸媒附著1分鐘。氯化Pd溶液，係OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD製ICP Accera(註冊商標)。氯化Pd溶液的Pd之濃度係10mg/L~50mg/L。此外，在室溫25℃的水洗處理槽55中，進行水洗處理1分鐘之後，進一步進行水洗處理1分鐘。
圖13，係比較例2中之無電式電鍍系統的示意圖。圖13的比較例2中之無電式電鍍系統100C，係除了下點以外，具有與圖12之無電式電鍍系統100B同樣的構成。如圖13所示，在無電式電鍍系統100C的無電式電鍍裝置1方面，係未設有：恆電位儀3、導通構材4、參考電極5及相對電極6。
在比較例2中，係採用圖13之無電式電鍍系統100C而在長尺狀基材10的表面形成金屬薄膜15。比較例2的金屬薄膜15之形成程序，係除了在無電式電鍍裝置1中未對於長尺狀基材10之導體層13的電位進行控制這點以外如同比較例1的金屬薄膜15之形成程序。
(b)判定之結果
在既定面積份的長尺狀基材10之表面形成金屬薄膜 15的時候，對於在實施例1及比較例1,2的無電式電鍍系統100,100B,100C之電鍍槽2的底面或側面之鎳的析出之有無進行判定。將判定之結果示於表1。
如示於表1，在實施例1的無電式電鍍系統100中，係即使在處理了3500m2之長尺狀基材10的時候，仍未確認出在電鍍槽2的底面及側面之鎳的析出。
在比較例1的無電式電鍍系統100B中，在處理了2000m2之長尺狀基材10的時候，係未確認出在電鍍槽2的底面及側面之鎳的析出。然而，在處理了3000m2之長尺狀基材10的時候，係確認出在電鍍槽2的底面或側面之鎳的析出。此外，在處理了3500m2之長尺狀基材10的時候之鎳的析出量，係比在處理了3000m2之長尺狀基材10的時候之鎳的析出量還增加。
在比較例2的無電式電鍍系統100C中，在處理了2000m2之長尺狀基材10的時候，係未確認出在電鍍槽2的底面及側面之鎳的析出。然而，在處理了3000m2之長尺狀基材10的時候，係確認出在電鍍槽2的底面或側面 之鎳的析出。此外，在處理了3500m2之長尺狀基材10的時候之鎳的析出量，係比在處理了3000m2之長尺狀基材10的時候之鎳的析出量還增加。
根據實施例1與比較例1,2之比較，確認出：在長尺狀基材10的表面使Pd觸媒附著之情況下，在處理了3000m2之長尺狀基材10的時候在電鍍槽2的底面或側面會析出鎳。此外，若繼續長尺狀基材10的處理，則確認出在電鍍槽2的底面或側面之鎳的析出會增加。
(9)關於透明導電性基材的可靠性、生產率及成本的實施例 (a)透明導電性基材
在實施例2~7及比較例3~5中，係製作各種的透明導電性基材，對於各透明導電性基材的可靠性、生產率及成本進行了評估。透明導電性基材的可靠性，係包含蝕刻性、防鏽性及電阻值之變化。
在實施例2~7中，係如圖3(a)所示，準備在由PET所成之透明的絕緣層12上形成由ITO所成之導體層16及由銅所成之導體層13的長尺狀基材10。絕緣層12的厚度係50μm，導體層16的厚度係30nm，導體層13的厚度係200nm。在本例中，係圖3(a)的光學調整層18之形成係作了省略。
使用圖1之無電式電鍍系統100，如圖3(b)所示，在長尺狀基材10的導體層13的表面形成金屬薄膜15。 無電式電鍍液30，係含有：1%~5%的次亞磷酸、1%~5%的硫酸銅及其他錯合劑。無電式電鍍裝置1的相對電極6係Pt電極，參考電極5係飽和甘汞電極。
實施例2~7之金屬薄膜15的厚度，係分別為10nm,30nm,50nm,100nm,200nm及500nm。金屬薄膜15的厚度，係可對於長尺狀基材10通過圖2的無電式電鍍液30之時間(以下，稱作電鍍時間)或相對電位進行控制從而作調整。在本例中，係將相對電位設定成-0.9V，對於電鍍時間進行控制從而調整金屬薄膜15的厚度。
另外，在本例中，係使金屬薄膜15的厚度為10nm,30nm,50nm,100nm,200nm及500nm時的電鍍時間，係分別為15秒、30秒、50秒、100秒、200秒及520秒。金屬薄膜15的厚度，係基於重量法而測定。
接著，溫度110℃、壓力0.35MPa及速度1.5m/min之條件下，在金屬薄膜15上積層高解析度的乾膜光阻(DFR)。隨後，通過具有既定的圖案之遮罩而將光量80mJ/cm2的曝光光照射於DFR。
之後，作為顯影劑而將濃度1%及溫度30℃的碳酸鈉(Na2CO3)溶液以壓力0.1MPa之條件30秒鐘噴灑於DFR，從而對於DFR進行顯影。藉此，如圖3(c)所示，形成抗蝕圖案19a。
接著，作為蝕刻液而將溫度45℃的氯化鐵溶液以壓力0.15MPa之條件1分鐘噴灑於長尺狀基材10。藉此，如圖4(a)所示，從抗蝕圖案19a曝露之導體層16,13 及金屬薄膜15的一部分被蝕刻，形成配線圖案22。採取此方式，製作了實施例2~7相關之透明導電性基材。
圖14，係實施例2~7相關之透明導電性基材的平面圖。在圖14中，係為了便於構成之理解，而對於長尺狀基材之各構材附加影線或點圖案。在實施例2~7中，係如圖14(a)所示，將3個配線圖案22以平行並排於絕緣層12上的方式而形成。此外，在位於中央之配線圖案22的兩端，分別形成具有比其他部分的寬度還寬之寬度的測定用端子部T1,T2。
之後，如圖14(b)所示，在測定用端子部T1,T2上，形成銀膏SP。此外，如圖14(c)所示，以一邊使測定用端子部T1,T2曝露一邊覆蓋3個配線圖案22的方式在絕緣層12上藉手動輥而形成由OCA所成之厚度50μm的被覆膜GL。被覆膜GL，係日東電工股份有限公司製LUCIACS(註冊商標)SC9682。再者，藉高壓釜而將絕緣層12與被覆膜GL之間的氣泡(空洞)除去。
圖15，係比較例3相關之透明導電性基材的平面圖。比較例3相關之透明導電性基材，係除了下點以外具有與實施例2~7相關之透明導電性基材同樣的構成。在比較例3中，係不在長尺狀基材10的導體層13上形成圖3(b)的金屬薄膜15。
藉此，在比較例3相關之透明導電性基材方面，係如圖15(a)所示，替代圖14(a)的3個配線圖案22而在絕緣層12上形成3個配線圖案22a。配線圖案22a，係除 了不含圖4(c)的金屬圖案15a這點以外，具有與配線圖案22同樣的構成。在位於中央之配線圖案22a的兩端，分別形成具有比其他部分的寬度還寬之寬度的測定用端子部T1,T2。
之後，如圖15(b)所示，在測定用端子部T1,T2上，形成銀膏SP。此外，如圖15(c)所示，以一邊使測定用端子部T1,T2曝露一邊覆蓋3個配線圖案22a的方式在絕緣層12上形成被覆膜GL。
圖16，係比較例4相關之透明導電性基材的平面圖。比較例4相關之透明導電性基材，係除了下點以外具有與實施例2~7相關之透明導電性基材同樣的構成。在比較例4中，係不在長尺狀基材10的導體層13上形成圖3(b)的金屬薄膜15。
藉此，在比較例4相關之透明導電性基材方面，係如圖16(a)所示，替代圖14(a)的3個配線圖案22而在絕緣層12上形成3個配線圖案22a。在位於中央之配線圖案22a的兩端，分別形成具有比其他部分的寬度還寬之寬度的測定用端子部T1,T2。
接著，如圖16(b)所示，以一邊使測定用端子部T1,T2曝露一邊覆蓋3個配線圖案22a的方式在絕緣層12上形成厚度18μm的有機防鏽膜CR。有機防鏽膜CR，係將Asahi Chemical Research Laboratory Co.,Ltd.製UVF-30T網印於絕緣層12上，以光量900mJ/cm2的紫外曝光光作照射從而形成。
之後，如圖16(c)所示，在從有機防鏽膜CR曝露之測定用端子部T1,T2上，形成銀膏SP。此外，如圖16(d)所示，以一邊使測定用端子部T1,T2曝露一邊覆蓋有機防鏽膜CR的方式在絕緣層12上形成被覆膜GL。
比較例5相關之透明導電性基材，係除了下點以外具有與實施例2~7相關之透明導電性基材同樣的構成。在比較例5中，係代替圖1之無電式電鍍系統100，而藉電解電鍍系統在長尺狀基材10的導體層13上形成厚度50μm之金屬薄膜15。在電解電鍍系統中，係在溫度40℃的由電鍍電浴所成之瓦特浴浸漬長尺狀基材10，1A/dm2的電流流於電解電鍍系統的電極間30秒鐘。
(b)評估之結果
對於實施例2~7及比較例3~5相關之透明導電性基材的蝕刻性、防鏽性、電阻值的變化、生產率及成本進行了評估。藉比較各透明導電性基材的配線圖案22與遮罩之圖案而對於蝕刻性進行了評估。
對於各透明導電性基材進行在溫度85℃及濕度85%的環境下投入500小時之環境測試後，對於各透明導電性基材以目視及倍率20倍之立體顯微鏡進行觀察從而對於防鏽性進行了評估。立體顯微鏡係尼康股份有限公司製SM2-2B。
此外，上述的環境測試前後之各透明導電性基材的測定用端子部T1,T2間的電阻之通用性進行評估。在本例 中，係將20%以下的測定用端子部T1,T2間之電阻的變化判定為良好。將各透明導電性基材的蝕刻性、防鏽性、電阻值之不變性、生產率及成本的評估之結果示於表2。
在表2中，係對於各透明導電性基材之可靠性、生產率或成本的評估為極良好之例子係顯示“○”。對於各透明導電性基材之可靠性、生產率或成本的評估為良好的例子係顯示“△”。對於各透明導電性基材的可靠性、生產率或成本的評估為不良的例子係顯示“×”。
如示於表2，在實施例2~6相關之透明導電性基材方面，係配線圖案22與遮罩之圖案為相同，蝕刻性係極良好。此外，於配線圖案22未產生鏽，防鏽性係極良好。再者，環境測試前後之測定用端子部T1,T2間的電阻之變化係成為20%以下，電阻之不變性係極良好。透明導電性基材的生產率係高，生產率係極良好。此外，防止 了透明導電性基材的成本之增加，成本係極良好。
在實施例7相關之透明導電性基材方面，防鏽性及電阻之不變性係極良好。配線圖案22與遮罩之圖案為大致相同，蝕刻性係良好。然而，配線圖案22的一部分與遮罩之圖案稍不一致，蝕刻性比實施例2~6之蝕刻性更降低。此外，生產率及成本係良好，但生產率係比實施例2~6之生產率稍低，成本係稍增加。
在比較例3相關之透明導電性基材方面，蝕刻性、生產率及成本係極良好。然而，配線圖案22a未受金屬圖案之保護，故於配線圖案22產生鏽，防鏽性係不良。此外，環境測試前後之測定用端子部T1,T2間的電阻之變化係超過20%，電阻之不變性係不良。
在比較例4相關之透明導電性基材方面，蝕刻性係極良好。此外，配線圖案22a係受有機防鏽膜CR之保護，故防鏽性及電阻之不變性係極良好。生產率係良好，但比實施例2~6之生產率更稍降低。此外，成本大幅增加，成本係不良。
在比較例5相關之透明導電性基材方面，蝕刻性、生產率及成本係極良好。然而，於配線圖案22產生鏽，防鏽性係不良。此外，配線圖案22之金屬圖案15a的厚度為不均勻。再者，環境測試前後之測定用端子部T1,T2間的電阻之變化係超過20%，電阻之不變性係不良。
根據實施例2~7與比較例3~5之比較，確認出：在導體層13藉無電式電鍍而形成金屬薄膜，因而獲得良好 的蝕刻性及良好的防鏽性。此外，確認出：電阻值的變化為小、生產率為高、成本之增加合在一起。
根據實施例2~7與比較例3之比較，確認出：在導體層上未形成金屬薄膜之情況下，無法獲得良好的防鏽性，電阻值的變化變大。根據實施例2~7與比較例4之比較，確認出：在導體層上代替金屬薄膜而形成有機防鏽膜之情況下，獲得良好的防鏽性，但成本會增加。根據實施例2~7與比較例5之比較，確認出：在導體層上藉電解電鍍而形成金屬薄膜之情況下，無法獲得良好的防鏽性，電阻值的變化變大。
(10)關於FPC基板之導體圖案間的絕緣性之實施例 (a)FPC基板
在實施例8~13、比較例6~11及比較例12~17中，係製作具有圖7(b)的構成之各種的FPC基板，對於各FPC基板之導體圖案間的絕緣性進行了評估。
在實施例8中，係如圖7(a)所示，準備5個各導體圖案13a的寬度為100μm、導體圖案13a間的間隔為100μm之長尺狀基材10。使用圖1之無電式電鍍系統100而在5個長尺狀基材10的導體圖案13a之表面形成分別具有1μm,3μm,5μm,10μm及20μm的厚度之金屬薄膜15，從而製作了圖7(b)的FPC基板。
於此，在金屬薄膜15的形成程序中，係不使長尺狀基材10通過圖2的電鍍槽2內之無電式電鍍液30，而使 長尺狀基材10浸漬於燒杯內的無電式電鍍液30。無電式電鍍液30，係OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD製ICP Nicoron(註冊商標)GM-SE。
實施例9~13的FPC基板，係除了下點以外，具有與實施例8的FPC基板同樣之構成。實施例9的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係50μm，導體圖案13a間的間隔係50μm。實施例10的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係30μm，導體圖案13a間的間隔係30μm。
實施例11的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係15μm，導體圖案13a間的間隔係15μm。實施例12的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係8μm，導體圖案13a間的間隔係8μm。實施例13的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係3μm，導體圖案13a間的間隔係3μm。
比較例6的FPC基板，係除了並非圖1之無電式電鍍系統100而是使用圖12的無電式電鍍系統100B而在長尺狀基材10的導體圖案13a之表面形成金屬薄膜15這點以外，具有與實施例8的FPC基板同樣之構成。因此，比較例6的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係100μm，導體圖案13a間的間隔係100μm。另外，圖12的Pd觸媒處理槽54之氯化Pd溶液，係OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD製ICP Accera(註冊商標)。
比較例7~11的FPC基板，係除了下點以外，具有與比較例6的FPC基板同樣之構成。比較例7的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係50μm，導體圖案13a間的 間隔係50μm。比較例8的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係30μm，導體圖案13a間的間隔係30μm。
比較例9的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係15μm，導體圖案13a間的間隔係15μm。比較例10的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係8μm，導體圖案13a間的間隔係8μm。比較例11的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係3μm，導體圖案13a間的間隔係3μm。
比較例12的FPC基板，係除了並非圖12之無電式電鍍系統100B而是使用圖13的無電式電鍍系統100C而在長尺狀基材10的導體圖案13a之表面形成金屬薄膜15這點以外，具有與比較例6的FPC基板同樣之構成。因此，比較例12的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係100μm，導體圖案13a間的間隔係100μm。
比較例13~17的FPC基板，係除了下點以外，具有與比較例12的FPC基板同樣之構成。比較例13的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係50μm，導體圖案13a間的間隔係50μm。比較例14的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係30μm，導體圖案13a間的間隔係30μm。
比較例15的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係15μm，導體圖案13a間的間隔係15μm。比較例16的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係8μm，導體圖案13a間的間隔係8μm。比較例17的FPC基板之各導體圖案13a的寬度係3μm，導體圖案13a間的間隔係3μm。
(b)判定之結果
對於各FPC基板之導體圖案13a間的絕緣性進行了判定。將判定之結果示於表3。在表3中，係對於以覆蓋導體圖案13a的方式正常析出金屬薄膜15之例子係顯示“○”。對於以從導體圖案13a突出的方式析出皺狀的金屬薄膜15之例子係顯示“△”。對於在相鄰之導體圖案13a上所析出之金屬薄膜15互相接觸，發生短路之例子係顯示“×”。另外，在金屬薄膜15的厚度為導體圖案13a間的間隔之1/2以上的例子方面，係在相鄰之導體圖案13a上所析出之金屬薄膜15互相接觸，發生短路為自明的。因此，將此等之例子從判定之對象作排除。
如示於表3，在實施例8~13及比較例6,12中，係即使在金屬薄膜15的厚度分別為20μm,10μm,5μm,3μm及1μm之時仍正常析出金屬薄膜15。在比較例7,13中，係在金屬薄膜15的厚度為5μm之時係正常析出金屬薄膜15，但在金屬薄膜15的厚度為10μm之時析出皺狀的金屬薄膜15，在金屬薄膜15的厚度為20μm之時發生短路。
在比較例8,14中，係在金屬薄膜15的厚度為1μm 之時係正常析出金屬薄膜15，但在金屬薄膜15的厚度為3μm之時析出皺狀的金屬薄膜15，在金屬薄膜15的厚度為5μm之時發生短路。在比較例9,10,15,16中，係在金屬薄膜15的厚度為1μm之時係正常析出金屬薄膜15，但在金屬薄膜15的厚度為3μm之時發生短路。在比較例11,17中，係未正常析出金屬薄膜15，在金屬薄膜15的厚度為1μm之時發生短路。
根據實施例8~13與比較例6~17之比較，確認出：不在長尺狀基材10的表面使Pd觸媒附著之情況下，即使導體圖案13a間的間隔為小、金屬薄膜15的厚度為大仍變得難以在導體圖案13a間發生短路。另一方面，確認出：在長尺狀基材10的表面使Pd觸媒附著之情況下，導體圖案13a間的間隔越小、金屬薄膜15的厚度越大在導體圖案13a間變得越容易發生短路。
[產業上的可利用性]
本發明，係可利用於對於配線電路基板等的各種之被電鍍對象進行無電式電鍍等。
1‧‧‧無電式電鍍裝置
2‧‧‧電鍍槽
3‧‧‧恆電位儀
4‧‧‧導通構材
5‧‧‧參考電極
6‧‧‧相對電極
7‧‧‧搬送控制裝置
10‧‧‧長尺狀基材
31‧‧‧送料輥
32‧‧‧捲取輥
51‧‧‧酸洗處理槽
52‧‧‧水洗處理槽
53‧‧‧水洗處理槽
56‧‧‧水洗處理槽
57‧‧‧水洗處理槽
58‧‧‧氣刀處理槽
59‧‧‧乾燥處理槽
100‧‧‧無電式電鍍系統

Claims (9)

  1. 一種無電式電鍍方法，供以對於具有導電性部分之被電鍍對象進行無電式電鍍用，特徵在於：包含：將含有是電鍍材料之金屬及還原劑的無電式電鍍液收容於電鍍槽之程序；以接於前述電鍍槽內的前述無電式電鍍液的方式而配置參考電極及相對電極之程序；使前述被電鍍對象的前述導電性部分不透過觸媒而接觸於前述電鍍槽內的前述無電式電鍍液之程序；以及將以前述參考電極的電位作為基準之前述被電鍍對象的前述導電性部分之電位，保持成在前述被電鍍對象的前述導電性部分會析出前述電鍍材料之電位以下的程序。
  2. 如申請專利範圍第1項之無電式電鍍方法，其中，前述電鍍材料，係包含鎳或鎳合金，前述被電鍍對象，係包含銅或銅合金，前述保持電位之程序，係包含：將以前述參考電極的電位作為基準之前述被電鍍對象的前述導電性部分之電位保持成-0.7V以下。
  3. 一種多層基材之製造方法，包含：準備積層絕緣層與具有導電性部分之被電鍍對象的基材之程序；以及藉如申請專利範圍第1或2項之無電式電鍍方法而在 前述被電鍍對象的前述導電性部分不透過觸媒而使電鍍材料析出之程序。
  4. 如申請專利範圍第3項的多層基材之製造方法，其中，前述被電鍍對象係包含導體層，前述在導電性部分不透過觸媒而使電鍍材料析出之程序，係包含：在前述導體層的前述導電性部分使具有0.01μm以上、50μm以下的厚度之電鍍材料析出。
  5. 如申請專利範圍第3項的多層基材之製造方法，其中，前述被電鍍對象係包含具有既定的圖案之複數個導體圖案，前述複數個導體圖案的間隔係3μm以上、50μm以下，前述在導電性部分不透過觸媒而使電鍍材料析出之程序，係包含：在前述複數個導體圖案的前述導電性部分使具有0.01μm以上、20μm以下的厚度之電鍍材料析出。
  6. 如申請專利範圍第3項的多層基材之製造方法，其中，在前述無電式電鍍方法中之前述無電式電鍍液的前述還原劑包含次亞磷酸，使得析出於前述被電鍍對象的前述導電性部分之前述電鍍材料包含1%以上、15%以下的磷。
  7. 如申請專利範圍第3項的多層基材之製造方法，其中，在前述無電式電鍍方法中之前述無電式電鍍液的前述 還原劑包含二甲基胺硼烷，使得析出於前述被電鍍對象的前述導電性部分之前述電鍍材料包含0.3%以上、3%以下的硼。
  8. 一種多層基材，藉如申請專利範圍第3項之製造方法而製造。
  9. 一種輸入裝置，連接在對於藉使用者而接觸之位置進行檢測之檢測電路，特徵在於：具備：藉如申請專利範圍第3項之製造方法而製造的多層基材；以及將前述多層基材之前述被電鍍對象電性連接於前述檢測電路的配線電路基板；前述多層基材之絕緣層係透明。
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