WO2014188658A1 - 無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置 - Google Patents

無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置 Download PDF

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WO2014188658A1
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electroless plating
plated
plating
base material
conductor
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PCT/JP2014/002182
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誠 恒川
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日東電工株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1683—Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1621—Protection of inner surfaces of the apparatus
    • C23C18/1623—Protection of inner surfaces of the apparatus through electrochemical processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron

Definitions

  • the present invention relates to an electroless plating method, a multilayer substrate manufacturing method, a multilayer substrate, and an input device.
  • electroless plating After a catalyst is attached to the surface of the object to be plated, the object to be plated is immersed in an electroless plating solution, and a metal is deposited on the surface of the object to be plated by a reduction reaction without passing an electric current.
  • electroless plating it is possible to form a metal film on the surface of the insulator. Therefore, electroless plating is widely used in the industry (for example, refer to Patent Document 1).
  • the elongated substrate is subjected to water washing treatment.
  • the elongate base material has a configuration in which a conductor layer is formed on a metal substrate via an insulating layer.
  • This elongated substrate is immersed in an electroless plating solution containing nickel ions. Thereby, a nickel thin film is formed by electroless plating on the surface of the conductor layer of the elongated substrate.
  • the palladium catalyst on the surface of the long substrate is precipitated in the washing water as a hydroxide by the water washing treatment.
  • the cleaning water adhering to the long substrate is mixed in the electroless plating solution in the next step, the palladium catalyst in the cleaning water adheres to the bottom or side surface of the plating tank, so that the nickel on the bottom or side surface of the plating tank Precipitation occurs.
  • electroless plating is performed in a state where nickel is attached to the plating tank, it becomes difficult to accurately form a nickel thin film having a desired shape on the conductor layer of the long base material. Reliability decreases.
  • An object of the present invention is to provide an electroless plating method, a multilayer base material manufacturing method, a multilayer base material, and an input device with improved productivity and reliability.
  • An electroless plating method is an electroless plating method for performing electroless plating on an object to be plated having a conductive portion, and includes a metal that is a plating material and a reducing agent.
  • the step of accommodating the electrolytic plating solution in the plating bath, the step of arranging the reference electrode and the counter electrode so as to contact the electroless plating solution in the plating bath, and the conductive portion to be plated in the plating bath without a catalyst The step of bringing the electroless plating solution into contact with the electroless plating solution, and the step of maintaining the potential of the conductive portion to be plated based on the potential of the reference electrode below the potential at which the plating material is deposited on the conductive portion of the subject of plating. Is included.
  • an electroless plating solution containing a metal as a plating material and a reducing agent is accommodated in a plating tank.
  • a reference electrode and a counter electrode are disposed so as to be in contact with the electroless plating solution in the plating tank.
  • the conductive portion to be plated is brought into contact with the electroless plating solution in the plating tank without a catalyst.
  • the potential of the conductive portion to be plated based on the potential of the reference electrode is kept below the potential at which the plating material is deposited on the conductive portion to be plated. Thereby, it is possible to deposit the plating material on the conductive portion to be plated without attaching the catalyst to the conductive portion to be plated.
  • the catalyst since it is not necessary to attach the catalyst to the conductive portion to be plated, the catalyst does not adhere to the plating tank as a hydroxide. Therefore, no deposition of plating material occurs in the plating tank. Therefore, it is not necessary to periodically perform maintenance work for removing the plating material adhering to the plating tank. Thereby, the productivity of the electroless plating method can be improved.
  • the plating material does not adhere to the plating tank, the potential of the plating tank is prevented from changing. Therefore, the deposition rate of the plating material does not change in an unstable manner. Thereby, it is prevented that the quality of the plating material is deteriorated, and the plating material having a desired shape can be accurately deposited on the conductive portion to be plated. As a result, the reliability of the electroless plating method can be improved.
  • the plating material contains nickel or a nickel alloy
  • the object to be plated contains copper or a copper alloy
  • the step of maintaining the potential is the potential of the conductive portion of the object to be plated based on the potential of the reference electrode. May be held at ⁇ 0.7 V or less. In this case, the plating material can be easily deposited on the object to be plated without using a catalyst.
  • a method for manufacturing a multilayer base material according to another aspect of the present invention includes a step of preparing a base material on which an insulating layer and an object to be plated having a conductive portion are laminated, and electrolessness according to one aspect of the present invention. And a step of depositing a plating material on a conductive portion to be plated without using a catalyst by a plating method.
  • a substrate on which an insulating layer and an object to be plated having a conductive portion are laminated is prepared.
  • the plating material is deposited on the conductive portion to be plated without a catalyst.
  • the catalyst since it is not necessary to attach the catalyst to the conductive portion to be plated, the catalyst does not adhere to the plating tank as a hydroxide. Therefore, no deposition of plating material occurs in the plating tank. Therefore, it is not necessary to periodically perform maintenance work for removing the plating material adhering to the plating tank. Thereby, productivity of a multilayer substrate can be improved.
  • the plating material does not adhere to the plating tank, the potential of the plating tank is prevented from changing. Therefore, the deposition rate of the plating material does not change in an unstable manner. Thereby, it is prevented that the quality of the plating material is deteriorated, and the plating material having a desired shape can be accurately deposited on the conductive portion to be plated. As a result, the reliability of the multilayer substrate can be improved.
  • the object to be plated includes a conductor layer, and the step of depositing the plating material on the conductive portion without using a catalyst deposits a plating material having a thickness of 0.01 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less on the conductive portion of the conductor layer. May be included. In this case, the rust prevention property of the conductor layer can be sufficiently improved.
  • the object to be plated includes a plurality of conductor patterns having a predetermined pattern, the interval between the plurality of conductor patterns is 3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, and the step of depositing the plating material on the conductive portion without using a catalyst,
  • the method may include depositing a plating material having a thickness of 0.01 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less on the conductive portions of the plurality of conductor patterns.
  • the rust prevention properties of the plurality of conductor patterns can be sufficiently improved. Further, it is possible to prevent a decrease in insulation resistance between the plurality of conductor patterns and a short circuit between the plurality of conductor patterns while miniaturizing the multilayer base material.
  • the reducing agent of the electroless plating solution in the electroless plating method may contain hypophosphorous acid so that the plating material deposited on the conductive portion to be plated contains 1% or more and 15% or less of phosphorus.
  • the plating material can be easily deposited on the conductive portion of the conductor layer. Moreover, the thickness of the plating material deposited on the conductive portion of the conductor layer can be easily made uniform.
  • the reducing agent of the electroless plating solution in the electroless plating method may contain dimethylamine borane so that the plating material deposited on the conductive portion to be plated contains 0.3% or more and 3% or less of boron. .
  • the plating material can be easily deposited on the conductive portion of the conductor layer. Moreover, the thickness of the plating material deposited on the conductive portion of the conductor layer can be easily made uniform.
  • a multilayer substrate according to still another aspect of the present invention is manufactured by a manufacturing method according to another aspect of the present invention.
  • This multilayer substrate is manufactured by the above-described manufacturing method.
  • the catalyst since it is not necessary to attach a catalyst to the conductive part to be plated, the catalyst does not adhere to the plating tank as a hydroxide. Therefore, no deposition of plating material occurs in the plating tank. Therefore, it is not necessary to periodically perform maintenance work for removing the plating material adhering to the plating tank. Thereby, productivity of a multilayer substrate can be improved.
  • the plating material does not adhere to the plating tank, the potential of the plating tank is prevented from changing. Therefore, the deposition rate of the plating material does not change in an unstable manner. Thereby, it is prevented that the quality of the plating material is deteriorated, and the plating material having a desired shape can be accurately deposited on the conductive portion to be plated. As a result, the reliability of the multilayer substrate can be improved.
  • An input device is an input device connected to a detection circuit that detects a position touched by a user, and is manufactured by a manufacturing method according to another aspect of the present invention.
  • a multilayer base material and a printed circuit board for electrically connecting the object to be plated of the multilayer base material to a detection circuit are provided, and the insulating layer of the multilayer base material is transparent.
  • the insulating layer of the multilayer base material is transparent.
  • the object to be plated of the multilayer base material is electrically connected to the detection circuit by the printed circuit board.
  • This multilayer substrate is manufactured by the above-described manufacturing method.
  • the catalyst since it is not necessary to attach a catalyst to the conductive part to be plated, the catalyst does not adhere to the plating tank as a hydroxide. Therefore, no deposition of plating material occurs in the plating tank. Therefore, it is not necessary to periodically perform maintenance work for removing the plating material adhering to the plating tank. Thereby, the productivity of the input device can be improved.
  • the plating material does not adhere to the plating tank, the potential of the plating tank is prevented from changing. Therefore, the deposition rate of the plating material does not change in an unstable manner. Thereby, it is prevented that the quality of the plating material is deteriorated, and the plating material having a desired shape can be accurately deposited on the conductive portion to be plated. As a result, the reliability of the input device can be improved.
  • the reliability and productivity of the electroless plating method, the multilayer substrate manufacturing method, the multilayer substrate and the input device can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic view of an electroless plating system used in an electroless plating method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the electroless plating apparatus of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a first example of an object to be plated.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a first example of an object to be plated.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a second example of an object to be plated.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a third example of an object to be plated.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a fourth example of an object to be plated.
  • FIG. 1 is a schematic view of an electroless plating system used in an electroless plating method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the electroless plating apparatus of FIG.
  • FIG. 3 is
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a fifth example of an object to be plated.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a sixth example of an object to be plated.
  • FIG. 10 is a plan view of the transparent conductive substrate.
  • FIG. 11 is a schematic view of a touch panel using a transparent conductive substrate.
  • FIG. 12 is a schematic view of an electroless plating system in Comparative Example 1.
  • FIG. 13 is a schematic view of an electroless plating system in Comparative Example 2.
  • FIG. 14 is a plan view of the transparent conductive substrate according to Examples 2-7.
  • FIG. 15 is a plan view of a transparent conductive substrate according to Comparative Example 3.
  • FIG. 16 is a plan view of a transparent conductive substrate according to Comparative Example 4.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an electroless plating system used in an electroless plating method according to an embodiment of the present invention.
  • the electroless plating system 100 includes an electroless plating apparatus 1, a conveyance control apparatus 7, a delivery roll 31 and a take-up roll 32. Further, the electroless plating system 100 includes a pickling treatment tank 51, water washing treatment tanks 52, 53, 56, 57, an air knife treatment tank 58, and a drying treatment tank 59.
  • the electroless plating apparatus 1 is used for performing electroless plating on the long substrate 10 as an object to be plated.
  • the delivery roll 31, the pickling treatment tank 51, and the water washing treatment tanks 52 and 53 are sequentially provided on the upstream side of the electroless plating apparatus 1.
  • the water washing treatment tanks 56, 57, the air knife treatment tank 58, the drying treatment tank 59 and the winding roll 32 are sequentially provided on the downstream side of the electroless plating apparatus 1.
  • the long base material 10 is conveyed in the direction of the arrow.
  • the long base material 10 delivered from the delivery roll 31 passes through the pickling treatment tank 51, the water washing treatment tanks 52 and 53, and the electroless plating apparatus 1. Thereafter, the elongate substrate 10 passes through the water washing treatment tank 57, the air knife treatment tank 58 and the drying treatment tank 59 and is taken up by the take-up roll 32.
  • the rotation speeds of the delivery roll 31 and the take-up roll 32 are controlled by the transport control device 7. Thereby, the conveyance speed of the elongate base material 10 is controlled.
  • the long substrate 10 is subjected to pickling treatment in the pickling treatment tank 51, and is subjected to water washing treatment in the water washing treatment tanks 52 and 53.
  • a metal thin film (Ni thin film) made of nickel (Ni) is formed on the surface of the long substrate 10 by electroless plating by a method described later.
  • the water-washing treatment tanks 56 and 57 perform the water-washing treatment on the long base material 10, and then the water attached to the surface of the long base material 10 is blown off in the air knife treatment tank 58.
  • the long base material 10 is dried in the tank 59.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the electroless plating apparatus 1 of FIG.
  • the electroless plating apparatus 1 includes a plating tank 2, a potentiostat 3, a pair of conductive members 4, a reference electrode 5, and a counter electrode 6.
  • the plating tank 2 contains an electroless plating solution 30.
  • the electroless plating solution 30 contains nickel ions.
  • the electroless plating solution 30 preferably further contains a reducing agent such as hypophosphorous acid or dimethylamine borane.
  • An opening is provided in each of the pair of opposing side walls of the plating tank 2.
  • a pair of transport rollers 33 and 34 extending in the horizontal direction are rotatably provided so as to close one opening.
  • a pair of transport rollers 35 and 36 extending in the horizontal direction so as to close the other opening are rotatably provided.
  • the elongate base material 10 that has passed through the water washing treatment tank 53 of FIG. 1 passes through the plating tank 2 and between the pair of conveyance rollers 35, 36 between the pair of conveyance rollers 33, 34 and the water washing treatment tank 56 of FIG. 1. Sent out.
  • the long base material 10 is a semi-finished product in a manufacturing process of a suspension board with circuit (hereinafter referred to as a suspension board), for example.
  • the semi-finished product includes a long metal substrate made of, for example, stainless steel, an insulating layer made of, for example, polyimide, and a conductor layer made of, for example, copper having a predetermined pattern.
  • the conductor layer is, for example, a wiring, a pad electrode, or a ground conductor.
  • the conductor layer may be formed on the entire surface of the insulating layer.
  • One conducting member 4 is provided on the upstream side of the plating tank 2 so as to be in electrical contact with the conductor layer of the long substrate 10, and the other conducting member 4 is long on the downstream side of the plating tank 2. It is provided so as to be in electrical contact with the conductor layer of the substrate 10. In this case, the conductor layer of the elongated substrate 10 becomes a working electrode.
  • the reference electrode 5 and the counter electrode 6 are immersed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • the reference electrode 5 is a saturated calomel electrode, for example.
  • the counter electrode 6 is an insoluble electrode made of, for example, platinum (Pt).
  • the counter electrode 6 becomes an anode (anode), and the conductor layer of the elongated substrate 10 becomes a cathode (cathode).
  • the conducting member 4, the reference electrode 5 and the counter electrode 6 are connected to the potentiostat 3.
  • the potentiostat 3 is configured so that the potential of the conductor layer (working electrode) of the elongated substrate 10 based on the potential of the reference electrode 5 is equal to or lower than the deposition potential of the metal.
  • the current flowing between the counter electrode 6 is controlled.
  • the potential of the conductor layer of the elongated substrate 10 based on the potential of the reference electrode 5 is referred to as a relative potential.
  • the relative potential is preferably maintained at a constant value of ⁇ 0.7 V or less.
  • the metal deposition potential can be confirmed by the following method.
  • the relative potential is changed within a predetermined range by the potentiostat 3. In this state, the relative potential when the metal is deposited is the deposition potential of the metal.
  • the long substrate 10 was immersed in an electroless plating solution 30 containing chemical nickel manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.
  • the long base material 10 is a two-layer base material (ESPANEX (registered trademark) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) made of polyimide and copper.
  • ESANEX registered trademark
  • the relative potential was changed from 0 V to ⁇ 1.2 V by the potentiostat 3
  • the relative potential was ⁇ 0 even when palladium (Pd) was not deposited on the copper of the two-layer base material as a catalyst.
  • Nickel was deposited on copper at .7V. Therefore, it was confirmed that the relative potential of nickel was -0.7V.
  • FIGS. 3 and 4 are schematic cross-sectional views showing a first example of an object to be plated.
  • FIG. 3A shows the object to be plated before electroless plating
  • FIG. 3B shows the object to be plated after electroless plating.
  • 3C to 4C are further performed on the object to be plated after the electroless plating.
  • the object to be plated in FIG. 4C is manufactured by the manufacturing process shown in FIGS.
  • the elongated base material 10 includes a transparent insulating layer 12 made of, for example, polyethylene terephthalate (PET).
  • the insulating layer 12 may be formed of a transparent optically isotropic material such as polyester resin, acrylic resin, polypropylene resin, polystyrene resin, cellulose resin, or cycloolefin polymer resin (COP).
  • An optical adjustment layer 18 made of resin, for example, a transparent conductor layer 16 made of indium tin oxide (ITO), and a conductor layer 13 made of copper are formed on the insulating layer 12.
  • the optical adjustment layer 18 is provided for preventing reflection, for example.
  • the optical adjustment layer 18 is formed by coating, for example, and the conductor layers 16 and 13 are formed by sputtering, for example.
  • a metal thin film 15 made of, for example, nickel is formed on the surface of the conductor layer 13 by electroless plating.
  • the thickness of the metal thin film 15 is, for example, not less than 0.01 ⁇ m and not more than 5 ⁇ m. In this case, the rust prevention property of the conductor layer 13 can be sufficiently improved. In this example, the thickness of the metal thin film 15 is 30 nm.
  • the conductive member 4 is disposed so as to be in electrical contact with the conductor layer 13 of the long substrate 10. Moreover, the electroless plating solution 30 is accommodated in the plating tank 2 of FIG. In this state, the conveyance control device 7 rotates the feeding roll 31 and the winding roll 32 so that the long base material 10 is conveyed at a constant speed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • the potentiostat 3 is placed between the conductor layer 13 of the elongated substrate 10 and the counter electrode 6 so that the relative potential is equal to or lower than the deposition potential of metal (in this example, nickel) during the conveyance of the elongated substrate 10.
  • metal in this example, nickel
  • the metal thin film 15 which consists of nickel is formed in the surface of the conductor layer 13 of the elongate base material 10, respectively.
  • the metal thin film 15 formed on the surface of the conductor layer 13 preferably contains 1% or more and 15% or less of phosphorus.
  • the metal thin film 15 formed on the surface of the conductor layer 13 preferably contains 0.3% or more and 3% or less of boron. In these cases, the metal thin film 15 can be easily formed on the surface of the conductor layer 13. Further, the thickness of the metal thin film 15 formed on the surface of the conductor layer 13 can be easily made uniform.
  • an etching resist pattern 19a having a predetermined shape is formed on the metal thin film 15.
  • the etching resist pattern 19a is formed, for example, by forming a resist film for etching on the metal thin film 15 and then exposing and developing the resist film in a predetermined shape.
  • the portions of the metal thin film 15 and the conductor layers 13 and 16 exposed from the etching resist pattern 19a are removed by etching. Thereby, as shown to Fig.4 (a), the metal pattern 15a and the conductor patterns 13a and 16a are formed. Thereafter, the etching resist pattern 19a is removed.
  • an etching resist pattern 19b is formed on the optical adjustment layer 18 so as to cover the metal pattern 15a and the conductor patterns 13a and 16a at the end on the optical adjustment layer 18.
  • the etching resist pattern 19b is formed, for example, by forming a resist film for etching on the optical adjustment layer 18 and then exposing and developing the resist film so that the etching resist patterns 19b on both sides of the optical adjustment layer 18 remain. Is done. In this case, the central metal pattern 15a and the conductor patterns 13a and 16a on the optical adjustment layer 18 are exposed without being covered with the etching resist pattern 19b.
  • the metal pattern 15a and the conductor pattern 13a exposed from the etching resist pattern 19b are removed by half etching. In this case, the metal pattern 15a and the conductor pattern 13a in the center on the optical adjustment layer 18 are removed, and the metal pattern 15a and the conductor pattern 13a on both sides on the optical adjustment layer 18 are not removed. Finally, by removing the etching resist pattern 19b, the transparent conductive substrate 10A is completed as shown in FIG.
  • a pattern formed by the conductor pattern 16a in the center on the optical adjustment layer 18 is referred to as a contact detection pattern 21.
  • a pattern formed by the conductor patterns 16 a and 13 a and the metal pattern 15 a on both sides on the optical adjustment layer 18 is referred to as a wiring pattern 22. Details of the transparent conductive substrate 10A will be described later.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a second example of the object to be plated.
  • FIG. 5A shows the object to be plated before electroless plating
  • FIG. 5B shows the object to be plated after electroless plating.
  • the electroless plating method in the second example to be plated is the same as the electroless plating method in the first example to be plated except for the following points.
  • the elongated base material 10 includes an insulating layer 12 made of polyimide, for example.
  • a conductor layer 13 made of copper is formed on the insulating layer 12.
  • the thickness of the insulating layer 12 is, for example, 25 ⁇ m, and the thickness of the conductor layer 13 is, for example, 10 ⁇ m.
  • a metal thin film 15 made of nickel, for example is formed on the surface of the conductor layer 13 by electroless plating.
  • the thickness of the metal thin film 15 is, for example, not less than 0.01 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m, preferably not less than 1 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m, and more preferably not less than 3 ⁇ m and not more than 20 ⁇ m. In this case, the rust prevention property of the conductor layer 13 can be sufficiently improved. Further, migration can be sufficiently prevented. In this example, the metal thin film 15 is 3 ⁇ m.
  • the conductive member 4 is disposed so as to be in electrical contact with the conductor layer 13 of the long substrate 10.
  • the conveyance control device 7 rotates the feeding roll 31 and the winding roll 32 so that the long base material 10 is conveyed at a constant speed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • a metal thin film 15 made of nickel is formed on the surface of the conductor layer 13 of the elongated substrate 10. In this way, the multilayer base material 10B is completed.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a third example of the object to be plated.
  • FIG. 6A shows an object to be plated before electroless plating
  • FIG. 6B shows an object to be plated after electroless plating.
  • the electroless plating method in the third example to be plated is the same as the electroless plating method in the first example to be plated except for the following points.
  • the elongated substrate 10 includes an insulating layer 12 made of polyimide, for example.
  • Conductive layers 13 and 16 made of copper are formed on one surface and the other surface of insulating layer 12, respectively.
  • the thickness of the conductor layer 16 is, for example, 10 ⁇ m.
  • metal thin films 15 and 17 made of nickel, for example are formed on the surfaces of the conductor layers 13 and 16 by electroless plating, respectively.
  • the thicknesses of the metal thin films 15 and 17 are, for example, 0.01 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, respectively, preferably 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, and more preferably 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the rust prevention properties of the conductor layers 13 and 16 can be sufficiently improved. Further, migration can be sufficiently prevented.
  • the thickness of the metal thin films 15 and 17 is 3 ⁇ m.
  • the conductive member 4 is disposed so as to be in electrical contact with the conductor layers 13 and 16 of the long substrate 10.
  • the conveyance control device 7 rotates the feeding roll 31 and the winding roll 32 so that the long base material 10 is conveyed at a constant speed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • the metal thin films 15 and 17 which consist of nickel are formed in the surface of the conductor layers 13 and 16 of the elongate base material 10, respectively. In this way, the multilayer base material 10C is completed.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a fourth example of a target to be plated.
  • FIG. 7A shows the object to be plated before electroless plating
  • FIG. 7B shows the object to be plated after electroless plating.
  • the electroless plating method in the fourth example to be plated is the same as the electroless plating method in the first example to be plated except for the following points.
  • FIG. 7 shows a part of the long base material 10.
  • the elongate base material 10 is provided with the insulating layer 12 which consists of polyimides, for example.
  • a plurality of conductor patterns 13 a made of copper are formed on the insulating layer 12.
  • the thickness of each conductor pattern 13a is, for example, 10 ⁇ m.
  • a metal thin film 15 made of nickel, for example is formed on the surface of each conductor pattern 13a by electroless plating.
  • the interval between the plurality of conductor patterns 13a is 3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thickness of the metal thin film 15 is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, and preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. In this case, the rust prevention properties of the plurality of conductor patterns 13a can be sufficiently improved. Further, it is possible to prevent a decrease in insulation resistance between the plurality of conductor patterns 13a and a short circuit between the plurality of conductor patterns 13a while miniaturizing the long substrate 10.
  • the conductive member 4 is disposed so as to be in electrical contact with the conductor pattern 13 a of the long substrate 10.
  • the conveyance control device 7 rotates the feeding roll 31 and the winding roll 32 so that the long base material 10 is conveyed at a constant speed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • the metal thin film 15 which consists of nickel is formed in the surface of the conductor pattern 13a of the elongate base material 10.
  • FPC board 10D a flexible printed circuit board
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a fifth example of a target to be plated.
  • FIG. 8A shows an object to be plated before electroless plating
  • FIG. 8B shows an object to be plated after electroless plating.
  • the electroless plating method in the fifth example to be plated is the same as the electroless plating method in the first example to be plated except for the following points.
  • FIG. 8 shows a part of the long base material 10.
  • the elongate base material 10 is provided with the insulating layer 12 which consists of polyimides, for example.
  • a plurality of conductor patterns 13a and 16a made of copper are formed on one surface and the other surface of the insulating layer 12, respectively.
  • the thickness of each conductor pattern 16a is, for example, 10 ⁇ m.
  • metal thin films 15 and 17 made of nickel, for example, are formed on the surfaces of the conductor patterns 13a and 16a by electroless plating.
  • the interval between the plurality of conductor patterns 13a and 16a is 3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thicknesses of the metal thin films 15 and 17 are each 0.01 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, for example, and preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the antirust property of the plurality of conductor patterns 13a and 16a can be sufficiently improved.
  • a decrease in insulation resistance between the plurality of conductor patterns 16a and a short circuit between the plurality of conductor patterns 16a can be prevented.
  • the conductive member 4 is disposed so as to be in electrical contact with the conductor patterns 13 a and 16 a of the long substrate 10.
  • the conveyance control device 7 rotates the feeding roll 31 and the winding roll 32 so that the long base material 10 is conveyed at a constant speed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • the metal thin films 15 and 17 which consist of nickel are formed in the surface of the conductor patterns 13a and 16a of the elongate base material 10, respectively.
  • the FPC board 10E is completed.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a sixth example of an object to be plated.
  • FIG. 9A shows an object to be plated before electroless plating
  • FIG. 9B shows an object to be plated after electroless plating.
  • the electroless plating method in the sixth example of the object to be plated is the same as the electroless plating method in the first example of the object to be plated except for the following points.
  • FIG. 9 shows a part of the long base material 10.
  • the elongate base material 10 is equipped with the metal substrate 11 which consists of stainless steel, for example.
  • An insulating layer 12 made of, for example, polyimide, a conductor layer 13 made of copper, and an insulating layer 14 made of, for example, polyimide are sequentially formed on the metal substrate 11.
  • the insulating layer 14 is provided so that a part of the surface of the conductor layer 13 is exposed.
  • a metal thin film 15 made of nickel, for example is formed on the exposed surface of the conductor layer 13 by electroless plating.
  • the conductive member 4 is disposed so as to be in electrical contact with the conductor layer 13 of the long substrate 10.
  • a part of the conductor layer 13 of the elongated base material 10 is connected to the metal substrate 11.
  • the conducting member 4 may be provided so as to contact the metal substrate 11.
  • the conveyance control device 7 rotates the feeding roll 31 and the winding roll 32 so that the long base material 10 is conveyed at a constant speed in the electroless plating solution 30 in the plating tank 2.
  • a metal thin film 15 made of nickel is formed on the exposed surface of the conductor layer 13 of the elongated substrate 10. In this way, the suspension board 10F is completed.
  • FIG. 10 is a plan view of the transparent conductive base material 10A.
  • the transparent conductive substrate 10 ⁇ / b> A includes an insulating layer 12 and a plurality of electrodes 20.
  • the plurality of electrodes 20 are hatched.
  • FIG. 4C corresponds to a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the insulating layer 12 has a rectangular shape.
  • a direction in which a pair of opposing sides of the insulating layer 12 extends is referred to as an X direction
  • a direction in which another pair of opposing sides of the insulating layer 12 extends is referred to as a Y direction.
  • a direction orthogonal to the X direction and the Y direction is referred to as a Z direction.
  • the plurality of electrodes 20 are arranged on one surface of the insulating layer 12 so as to extend in parallel to the Y direction and to be arranged in the X direction.
  • the plurality of electrodes 20 are electrically insulated from each other.
  • Each electrode 20 includes a plurality of contact detection patterns 21 and wiring patterns 22 shown in FIG.
  • each contact detection pattern 21 has a rectangular shape.
  • a plurality of contact detection patterns 21 are arranged in the Y direction. The apexes of two adjacent contact detection patterns 21 are electrically connected to each other.
  • the wiring pattern 22 is electrically connected to the apex of the contact detection pattern 21 located at one end in the Y direction. In each of the other substantially half of the electrodes 20, the wiring pattern 22 is electrically connected to the apex of the contact detection pattern 21 located at the other end in the Y direction.
  • the wiring pattern 22 of each electrode 20 passes through the edge on the insulating layer 12 and is connected to the FPC board 110 of FIG.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a touch panel using the transparent conductive substrate 10A.
  • the touch panel 200 is provided so as to overlap a display screen DP of a television, a mobile phone, a portable information terminal, or other optical display device.
  • the touch panel 200 is a capacitive touch panel.
  • the touch panel 200 includes the two transparent conductive substrates 10A shown in FIG.
  • the touch panel 200 further includes an FPC board 110, adhesive layers 120 and 130, protective layers 140 and 150, and a detection circuit 160.
  • the two transparent conductive substrates 10A are laminated in a state where they are adhered by an optical transparent adhesive (OCA).
  • OCA optical transparent adhesive
  • one transparent conductive substrate 10A is arranged in a state rotated 90 ° around the Z direction (FIG. 10) with respect to the other transparent conductive substrate 10A.
  • the plurality of contact detection patterns 21 of one transparent conductive substrate 10A and the plurality of contact detection patterns 21 of the other transparent conductive substrate 10A do not overlap each other in the Z direction.
  • the touch panel 200 may include one transparent conductive substrate in which a plurality of electrodes 20 are formed on one surface and the other surface, instead of the two transparent conductive substrates 10A of FIG.
  • the adhesive layers 120 and 130 include OCA.
  • One transparent conductive substrate 10 ⁇ / b> A is bonded to the display screen DP through the adhesive layer 120.
  • the protective layer 140 includes, for example, a cover glass.
  • the protective layer 140 is bonded to the other transparent conductive substrate 10 ⁇ / b> A through the adhesive layer 130.
  • the protective layer 150 includes, for example, an antireflection film.
  • the protective layer 150 is provided on the protective layer 140.
  • the protective layer 140 may be bonded to the protective layer 150 through OCA.
  • the detection circuit 160 is configured by, for example, an integrated circuit (IC).
  • the FPC board 110 is connected to the wiring pattern 22 (FIG. 10) of the plurality of electrodes 20 of each transparent conductive base material 10A.
  • the FPC board 110 passes through the edge of the transparent conductive substrate 10A, is drawn out of the transparent conductive substrate 10A, and is connected to the detection circuit 160.
  • the detection circuit 160 may be provided on the transparent conductive substrate 10A. In this case, the FPC board 110 is not pulled out of the transparent conductive substrate 10A, but is connected to the detection circuit 160 on the transparent conductive substrate 10A through the edge of the transparent conductive substrate 10A.
  • the user touches an arbitrary position on the protective layer 150 of the touch panel 200 with a finger or a touch pen (in the example of FIG. 11).
  • a finger or a touch pen in the example of FIG. 11.
  • the capacitance between the plurality of electrodes 20 near the position overlapping the position of the contacted protective layer 150 changes.
  • the capacitance between the plurality of electrodes 20 near the position overlapping the position of the contacted protective layer 150 changes.
  • the detection circuit 160 calculates the position in the Y direction of the touch panel 200 touched by the user by detecting a change in capacitance between the plurality of electrodes 20 of the one transparent conductive substrate 10A. In addition, the detection circuit 160 calculates the position in the X direction of the touch panel 200 touched by the user by detecting a change in capacitance between the plurality of electrodes 20 of the other transparent conductive substrate 10A. As a result, the detection circuit 160 can detect the two-dimensional position of the touch panel 200 in contact with the user.
  • the electroless plating solution 30 contains nickel ions, but is not limited to this.
  • the electroless plating solution 30 may be various metals such as cobalt (Co), palladium (Pd), gold (Au), tin (Sn), silver (Ag), copper (Cu), tin alloy, or copper alloy. Or ions or alloys thereof.
  • the material to be plated is the conductor layers 13 and 16 made of copper, but the material to be plated is not limited to this.
  • the material to be plated may be a copper alloy, stainless steel, nickel (Ni), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), or another metal or alloy such as a tin alloy.
  • the material to be plated may be a conductive resin.
  • the object to be plated is the long base material 10 that is a semi-finished product of the transparent conductive base material 10A, the multilayer base materials 10B and 10C, the FPC boards 10D and 10E, or the suspension board 10F.
  • the object to be plated may be a flexible printed circuit board, another printed circuit board such as a rigid printed circuit board, or a semi-finished product of a transparent conductive substrate.
  • the object to be plated is not limited to the printed circuit board, and various objects can be electrolessly plated using the electroless plating apparatus 1.
  • the example in which the electroless plating is performed on the conductor layer 13 while conveying the long base material 10 by the roll-to-roll method has been described. It can also be applied to an electroplating apparatus.
  • the object to be plated is immersed in the electroless plating solution in the plating tank for a certain time without conveying the object to be plated.
  • the deposition rate of the metal in the electroless plating solution is kept constant even when the electroless plating solution is further deteriorated. Therefore, the metal thin film can be uniformly formed on the surface of the object to be plated by keeping the immersion time of the object to be plated in the electroless plating solution constant.
  • the potentiostat 3 is used as an example of the control unit.
  • another control circuit such as a galvanostat may be used as the control unit.
  • the capacitive touch panel has been described as an example of the input device in the above embodiment, the present invention is not limited to this.
  • the present invention is also applicable to various input devices such as a resistive film type touch panel.
  • gold plating may be formed so as to cover the metal thin films 15 and 17, or a coating layer such as polyimide may be formed.
  • the relative potential is kept below the potential at which the metal thin film 15 made of nickel is formed on the surface of the conductor layer 13 of the elongated substrate 10. .
  • the metal thin film 15 can be deposited on the surface of the conductor layer 13 of the long base material 10 without attaching a catalyst to the surface of the conductor layer 13 of the long base material 10.
  • the potential of the plating tank 2 is prevented from changing. Therefore, the nickel deposition rate does not change in an unstable manner. Thereby, the quality of the metal thin film 15 is prevented from deteriorating, and the metal thin film 15 having a desired shape can be accurately formed on the surface of the conductor layer 13 of the long substrate 10. As a result, the reliability of the electroless plating method can be improved.
  • the electroless plating system 100 is easy to handle.
  • the conductor layers 13 and 16 or conductor pattern 13a, 16a is an example of an electroconductive part or to-be-plated object
  • the electroless-plating liquid 30 is an example of the electroless-plating liquid
  • the plating tank 2 is It is an example of a plating tank
  • the reference electrode 5 is an example of a reference electrode.
  • the counter electrode 6 is an example of a counter electrode
  • the insulating layer 12 is an example of an insulating layer
  • the elongate base material 10 is an example of a base material
  • a transparent conductive base material 10A multilayer base materials 10B and 10C
  • 10D, 10E or the suspension board 10F are examples of multilayer substrates.
  • the conductor layers 13 and 16 are examples of conductor layers, the conductor patterns 13a and 16a are examples of conductor patterns, the detection circuit 160 is an example of a detection circuit, the touch panel 200 is an example of an input device, and the FPC board 110 Is an example of a printed circuit board.
  • Electroless Plating System (a) Electroless Plating System In Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, electroless plating is performed on the surface of the elongated substrate 10 using different electroless plating systems. A metal thin film 15 made of nickel was formed by plating. Then, the presence or absence of nickel deposition on the bottom surface or side surface of the plating tank 2 of each electroless plating system was determined.
  • Example 1 the metal thin film 15 was formed on the surface of the elongate base material 10 using the electroless plating system 100 of FIG. In the pickling bath 51 at room temperature of 25 ° C., the long base material 10 was subjected to pickling treatment with diluted sulfuric acid for 30 seconds.
  • the concentration of dilute sulfuric acid is 50 g / L.
  • the long base material 10 was washed with water in a washing bath 52 at room temperature of 25 ° C. for 1 minute. Moreover, in the water washing treatment tank 53 at room temperature of 25 ° C., the long base material 10 was washed with water for 1 minute.
  • the electroless plating solution 30 includes chemical nickel manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.
  • the electroless plating solution 30 contains 1% to 5% hypophosphorous acid, 1% to 5% copper sulfate and other complexing agents.
  • the temperature of the electroless plating solution 30 is 40 ° C.
  • the counter electrode 6 of the electroless plating apparatus 1 is a Pt electrode, and the reference electrode 5 is a saturated calomel electrode. The relative potential was set to -0.9V.
  • the long base material 10 was washed with water in a washing bath 56 at room temperature of 25 ° C. for 1 minute. Subsequently, the elongate base material 10 was washed with water in a washing bath 57 at room temperature of 25 ° C. for 1 minute. Thereafter, in the air knife treatment tank 58, water adhering to the surface of the long substrate 10 was blown off. Finally, the long substrate 10 was dried for 30 seconds in a drying treatment tank 59 at a room temperature of 80 ° C.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of the electroless plating system in Comparative Example 1.
  • the electroless plating system 100B in Comparative Example 1 in FIG. 12 has the same configuration as the electroless plating system 100 in FIG. 1 except for the following points.
  • a Pd catalyst treatment tank 54 and a water washing treatment tank 55 are provided between the water washing treatment tank 53 and the electroless plating apparatus 1 of the electroless plating system 100B.
  • Comparative Example 1 a metal thin film 15 was formed on the surface of the elongated substrate 10 using the electroless plating system 100B of FIG.
  • the procedure for forming the metal thin film 15 of Comparative Example 1 is the same as the procedure for forming the metal thin film 15 of Example 1 except for the following points.
  • the Pd catalyst is attached to the surface of the long substrate 10 for 1 minute using the Pd chloride solution in the Pd catalyst treatment tank 54 at 30 ° C. I let you.
  • the Pd chloride solution is ICP Axela (registered trademark) manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.
  • the concentration of Pd in the Pd chloride solution is 10 mg / L to 50 mg / L.
  • the water washing process was further performed for 1 minute.
  • FIG. 13 is a schematic view of an electroless plating system in Comparative Example 2.
  • the electroless plating system 100C in Comparative Example 2 in FIG. 13 has the same configuration as the electroless plating system 100B in FIG. 12 except for the following points.
  • the electroless plating apparatus 1 of the electroless plating system 100C is not provided with the potentiostat 3, the conductive member 4, the reference electrode 5, and the counter electrode 6.
  • Comparative Example 2 a metal thin film 15 was formed on the surface of the elongated substrate 10 using the electroless plating system 100C of FIG.
  • the procedure for forming the metal thin film 15 of Comparative Example 2 is the same as the procedure for forming the metal thin film 15 of Comparative Example 1 except that the potential of the conductor layer 13 of the elongated substrate 10 is not controlled in the electroless plating apparatus 1. is there.
  • the deposition of nickel on the bottom and side surfaces of the plating tank 2 was not confirmed when the long base material 10 was treated for 2000 m 2 .
  • the long base material 10 was treated at 3000 m 2
  • nickel deposition on the bottom surface or side surface of the plating tank 2 was confirmed.
  • the amount of nickel deposited when the long base material 10 was treated at 3500 m 2 was larger than the amount of nickel deposited when the long base material 10 was treated at 3000 m 2 .
  • the deposition of nickel on the bottom and side surfaces of the plating tank 2 was not confirmed when the long base material 10 was treated with 2000 m 2 .
  • the long base material 10 was treated at 3000 m 2
  • nickel deposition on the bottom surface or side surface of the plating tank 2 was confirmed.
  • the amount of nickel deposited when the long base material 10 was treated at 3500 m 2 was larger than the amount of nickel deposited when the long base material 10 was treated at 3000 m 2 .
  • Example 1 From the comparison between Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, when the Pd catalyst is attached to the surface of the long base material 10, the bottom surface or side surface of the plating tank 2 when the long base material 10 is treated by 3000 m 2. It was confirmed that nickel precipitated. Further, it was confirmed that the amount of nickel deposited on the bottom surface or the side surface of the plating tank 2 increases when the treatment of the long substrate 10 is continued.
  • Examples of reliability, productivity and cost of transparent conductive substrate (a) Transparent conductive substrate In Examples 2 to 7 and Comparative Examples 3 to 5, various transparent conductive substrates are used. It produced and evaluated the reliability, productivity, and cost of each transparent conductive base material. The reliability of the transparent conductive substrate includes changes in etching properties, rust prevention properties, and resistance values.
  • Examples 2 to 7 as shown in FIG. 3A, a long base material in which a conductor layer 16 made of ITO and a conductor layer 13 made of copper are formed on a transparent insulating layer 12 made of PET. 10 were prepared.
  • the insulating layer 12 has a thickness of 50 ⁇ m
  • the conductor layer 16 has a thickness of 30 nm
  • the conductor layer 13 has a thickness of 200 nm.
  • the electroless plating solution 30 contains 1% to 5% hypophosphorous acid, 1% to 5% copper sulfate and other complexing agents.
  • the counter electrode 6 of the electroless plating apparatus 1 is a Pt electrode, and the reference electrode 5 is a saturated calomel electrode.
  • the thicknesses of the metal thin films 15 of Examples 2 to 7 are 10 nm, 30 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm, and 500 nm, respectively.
  • the thickness of the metal thin film 15 can be adjusted by controlling the time during which the elongated substrate 10 passes through the electroless plating solution 30 in FIG. 2 (hereinafter referred to as plating time) or the relative potential.
  • plating time the time during which the elongated substrate 10 passes through the electroless plating solution 30 in FIG. 2
  • the thickness of the metal thin film 15 was adjusted by setting the relative potential to ⁇ 0.9 V and controlling the plating time.
  • the plating times when the thickness of the metal thin film 15 is 10 nm, 30 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm and 500 nm are 15 seconds, 30 seconds, 50 seconds, 100 seconds, 200 seconds and 520 seconds, respectively.
  • the thickness of the metal thin film 15 was measured based on a weight method.
  • a high-resolution dry film resist (DFR) was laminated on the metal thin film 15 under conditions of a temperature of 110 ° C., a pressure of 0.35 MPa, and a speed of 1.5 m / min. Subsequently, the DFR was irradiated with exposure light having a light amount of 80 mJ / cm 2 through a mask having a predetermined pattern.
  • the DFR was developed by spraying the DFR with a sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) solution having a concentration of 1% and a temperature of 30 ° C. for 30 seconds as a developer.
  • a sodium carbonate (Na 2 CO 3 ) solution having a concentration of 1% and a temperature of 30 ° C. for 30 seconds as a developer.
  • an etching resist pattern 19a was formed as shown in FIG.
  • FIG. 14 is a plan view of the transparent conductive substrate according to Examples 2 to 7.
  • hatching or a dot pattern is given to each member of the long base material.
  • three wiring patterns 22 were formed on the insulating layer 12 so as to be arranged in parallel.
  • measurement terminal portions T1 and T2 each having a width wider than that of other portions were formed at both ends of the wiring pattern 22 located in the center.
  • a silver paste SP was formed on the measurement terminal portions T1 and T2.
  • a coating film GL made of OCA having a thickness of 50 ⁇ m is formed on the insulating layer 12 so as to cover the three wiring patterns 22 while exposing the measurement terminal portions T1 and T2. Formed by.
  • the coating film GL is LUCIACS (registered trademark) SC9682 manufactured by Nitto Denko Corporation. Furthermore, bubbles (voids) between the insulating layer 12 and the coating film GL were removed by an autoclave.
  • FIG. 15 is a plan view of a transparent conductive substrate according to Comparative Example 3.
  • the transparent conductive substrate according to Comparative Example 3 has the same configuration as the transparent conductive substrate according to Examples 2 to 7 except for the following points.
  • the metal thin film 15 in FIG. 3B is not formed on the conductor layer 13 of the long base material 10.
  • the wiring pattern 22a has the same configuration as the wiring pattern 22 except that the wiring pattern 22a does not include the metal pattern 15a of FIG. At both ends of the wiring pattern 22a located in the center, measurement terminal portions T1 and T2 each having a width wider than that of other portions were formed.
  • a silver paste SP was formed on the measurement terminal portions T1 and T2.
  • a coating film GL was formed on the insulating layer 12 so as to cover the three wiring patterns 22a while exposing the measurement terminal portions T1 and T2.
  • FIG. 16 is a plan view of a transparent conductive substrate according to Comparative Example 4.
  • the transparent conductive substrate according to Comparative Example 4 has the same configuration as the transparent conductive substrate according to Examples 2 to 7 except for the following points.
  • the metal thin film 15 in FIG. 3B is not formed on the conductor layer 13 of the long base material 10.
  • an organic rust preventive film CR having a thickness of 18 ⁇ m was formed on the insulating layer 12 so as to cover the three wiring patterns 22a while exposing the measurement terminal portions T1 and T2.
  • the organic rust preventive film CR was formed by screen-printing UVF-30T manufactured by Asahi Chemical Research Co., Ltd. on the insulating layer 12 and irradiating with ultraviolet exposure light having a light quantity of 900 mJ / cm 2 .
  • a silver paste SP was formed on the measurement terminal portions T1 and T2 exposed from the organic rust preventive film CR.
  • a coating film GL was formed on the insulating layer 12 so as to cover the organic rust preventive film CR while exposing the measurement terminal portions T1 and T2.
  • the transparent conductive substrate according to Comparative Example 5 has the same configuration as the transparent conductive substrate according to Examples 2 to 7 except for the following points.
  • a thin metal film 15 having a thickness of 50 ⁇ m was formed on the conductor layer 13 of the long substrate 10 by an electrolytic plating system instead of the electroless plating system 100 of FIG.
  • the long substrate 10 was immersed in a watt bath made of a nickel plating bath at a temperature of 40 ° C., and a current of 1 A / dm 2 was passed between the electrodes of the electrolytic plating system for 30 seconds.
  • each transparent conductive substrate After conducting an environmental test in which each transparent conductive substrate is put in an environment of 85 ° C. and 85% humidity for 500 hours, each transparent conductive substrate is prevented by visual observation and observation with a stereomicroscope of 20 ⁇ magnification. Rust was evaluated.
  • the stereo microscope is SM2-2B manufactured by Nikon Corporation.
  • the wiring pattern 22 and the mask pattern were the same, and the etching property was very good. Moreover, rust did not generate
  • rust prevention and resistance invariance were extremely good.
  • the wiring pattern 22 and the mask pattern were substantially the same, and the etching property was good. However, a part of the wiring pattern 22 did not coincide slightly with the mask pattern, and the etching property was lower than the etching property in Examples 2-6.
  • the productivity and cost were good, but the productivity was slightly lower than the productivity in Examples 2 to 6, and the cost increased slightly.
  • the etching property, productivity and cost were extremely good.
  • the wiring pattern 22a is not protected by the metal pattern, the wiring pattern 22a is rusted and the rust prevention property is poor.
  • the change in resistance between the measurement terminal portions T1 and T2 before and after the environmental test exceeded 20%, and the invariance of the resistance was poor.
  • the etching property, productivity and cost were extremely good.
  • rust was generated in the wiring pattern 22, and the rust prevention property was poor.
  • the thickness of the metal pattern 15a in the wiring pattern 22 was not uniform.
  • the change in resistance between the measurement terminal portions T1 and T2 before and after the environmental test exceeded 20%, and the resistance invariance was poor.
  • Example 8 as shown in FIG. 7A, five elongated base materials 10 having a width of each conductor pattern 13a of 100 ⁇ m and an interval between the conductor patterns 13a of 100 ⁇ m were prepared.
  • the metal thin film 15 having a thickness of 1 ⁇ m, 3 ⁇ m, 5 ⁇ m, 10 ⁇ m and 20 ⁇ m on the surface of the conductor pattern 13a of the five long base materials 10 using the electroless plating system 100 of FIG.
  • An FPC board of 7 (b) was produced.
  • the elongate substrate 10 is not electrolyzed in the beaker without passing the elongate substrate 10 through the electroless plating solution 30 in the plating tank 2 of FIG. It was immersed in the plating solution 30.
  • the electroless plating solution 30 is ICP Nicolon (registered trademark) GM-SE manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.
  • the FPC boards of Examples 9 to 13 have the same configuration as the FPC board of Example 8 except for the following points.
  • variety of each conductor pattern 13a of the FPC board of Example 9 is 50 micrometers, and the space
  • variety of each conductor pattern 13a of the FPC board of Example 10 is 30 micrometers, and the space
  • each conductor pattern 13a of the FPC board of Example 11 is 15 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 15 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Example 12 is 8 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 8 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Example 13 is 3 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 3 ⁇ m.
  • the metal thin film 15 is formed on the surface of the conductor pattern 13a of the elongated substrate 10 using the electroless plating system 100B of FIG. 12 instead of the electroless plating system 100 of FIG. Except for the FPC board of the eighth embodiment. Therefore, the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 6 is 100 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 100 ⁇ m.
  • the Pd chloride solution in the Pd catalyst treatment tank 54 of FIG. 12 is ICP Axela (registered trademark) manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.
  • the FPC boards of Comparative Examples 7 to 11 have the same configuration as the FPC board of Comparative Example 6 except for the following points.
  • variety of each conductor pattern 13a of the FPC board of the comparative example 7 is 50 micrometers, and the space
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 8 is 30 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 30 ⁇ m.
  • each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 9 is 15 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 15 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 10 is 8 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 8 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 11 is 3 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 3 ⁇ m.
  • the FPC board of Comparative Example 12 was obtained by forming the metal thin film 15 on the surface of the conductor pattern 13a of the elongated substrate 10 using the electroless plating system 100C of FIG. 13 instead of the electroless plating system 100B of FIG. Except for the FPC board of Comparative Example 6. Therefore, the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 12 is 100 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 100 ⁇ m.
  • the FPC boards of Comparative Examples 13 to 17 have the same configuration as the FPC board of Comparative Example 12 except for the following points.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 13 is 50 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 50 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 14 is 30 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 30 ⁇ m.
  • each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 15 is 15 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 15 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 16 is 8 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 8 ⁇ m.
  • the width of each conductor pattern 13a of the FPC board of Comparative Example 17 is 3 ⁇ m, and the interval between the conductor patterns 13a is 3 ⁇ m.
  • the thickness of the metal thin film 15 is 1 ⁇ 2 or more of the interval between the conductor patterns 13a, it is obvious that the metal thin films 15 deposited on the adjacent conductor patterns 13a contact each other and a short circuit occurs. is there. Therefore, these examples were excluded from the determination targets.
  • the metal thin film 15 was normally deposited even when the thickness of the metal thin film 15 was 20 ⁇ m, 10 ⁇ m, 5 ⁇ m, 3 ⁇ m, and 1 ⁇ m, respectively.
  • the metal thin film 15 was normally deposited when the thickness of the metal thin film 15 was 5 ⁇ m.
  • the bowl-shaped metal thin film 15 was deposited. A short circuit occurred when the thickness of the film was 20 ⁇ m.
  • the metal thin film 15 was normally deposited when the thickness of the metal thin film 15 was 1 ⁇ m. However, when the thickness of the metal thin film 15 was 3 ⁇ m, the bowl-shaped metal thin film 15 was deposited, and the metal thin film 15 A short circuit occurred when the thickness of the film was 5 ⁇ m. In Comparative Examples 9, 10, 15, and 16, the metal thin film 15 was normally deposited when the thickness of the metal thin film 15 was 1 ⁇ m, but a short circuit occurred when the thickness of the metal thin film 15 was 3 ⁇ m. In Comparative Examples 11 and 17, the metal thin film 15 was not normally deposited, and a short circuit occurred when the thickness of the metal thin film 15 was 1 ⁇ m.
  • the present invention can be used for performing electroless plating on various objects to be plated such as a printed circuit board.

Abstract

　めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液（３０）がめっき槽（２）に収容され、めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極（５）および対極（６）が配置され、被めっき対象の導電性部分が触媒を介さずにめっき槽内の無電解めっき液に接触される。この状態で、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が、被めっき対象の導電性部分にめっき材料が析出する電位以下に保持されることにより、被めっき対象の導電性部分に触媒が付着されることなく、めっき材料が析出される。

Description

無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置
　本発明は、無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置に関する。
　通常、無電解めっきでは、被めっき物の表面に触媒を付着させた後、その被めっき物を無電解めっき液に浸漬させ、電流を流すことなく還元反応により被めっき物の表面に金属を析出させる。無電解めっきによれば、絶縁物の表面にも金属被膜を形成することが可能である。そのため、無電解めっきは、産業界で広く利用されている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１の無電解めっき方法においては、長尺状基材の表面にパラジウム触媒が付着された後、長尺状基材に水洗処理が行われる。長尺状基材は、金属基板上に絶縁層を介して導体層が形成された構成を有する。この長尺状基材がニッケルイオンを含む無電解めっき液中に浸漬される。これにより、長尺状基材の導体層の表面に無電解めっきによりニッケル薄膜が形成される。
特開２０１２－２１９２７４号公報
　特許文献１の無電解めっき方法においては、長尺状基材の表面のパラジウム触媒が水洗処理により水酸化物として洗浄水に沈殿する。長尺状基材に付着した洗浄水が次の工程において無電解めっき液に混入した場合、洗浄水中のパラジウム触媒がめっき槽の底面または側面に付着することにより、めっき槽の底面または側面にニッケルの析出が発生する。めっき槽にニッケルが付着した状態で無電解めっきを行うと、長尺状基材の導体層上に所望の形状を有するニッケル薄膜を精度よく形成することが困難になり、長尺状基材の信頼性が低下する。
　そのため、めっき槽に付着したニッケルを除去するための保守作業を定期的に行う必要がある。しかしながら、保守作業を頻繁に行うと、長尺状基材の生産性が低下する。
　本発明の目的は、生産性および信頼性が向上された無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置を提供することである。
　（１）本発明の一局面に従う無電解めっき方法は、導電性部分を有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき方法であって、めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極および対極を配置する工程と、被めっき対象の導電性部分を触媒を介さずにめっき槽内の無電解めっき液に接触させる工程と、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を、被めっき対象の導電性部分にめっき材料が析出する電位以下に保持する工程とを含むものである。
　この無電解めっき方法においては、めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液がめっき槽に収容される。めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極および対極が配置される。被めっき対象の導電性部分が触媒を介さずにめっき槽内の無電解めっき液に接触される。
　この状態で、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が、被めっき対象の導電性部分にめっき材料が析出する電位以下に保持される。これにより、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させることなく、被めっき対象の導電性部分にめっき材料を析出させることができる。
　この方法によれば、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、無電解めっき方法の生産性を向上させることができる。
　また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、無電解めっき方法の信頼性を向上させることができる。
　（２）めっき材料は、ニッケルまたはニッケル合金を含み、被めっき対象は、銅または銅合金を含み、電位を保持する工程は、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を－０．７Ｖ以下に保持することを含んでもよい。この場合、触媒を用いることなく、被めっき対象上にめっき材料を容易に析出させることができる。
　（３）本発明の他の局面に従う多層基材の製造方法は、絶縁層と導電性部分を有する被めっき対象とが積層された基材を準備する工程と、本発明の一局面に従う無電解めっき方法により被めっき対象の導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程とを含むものである。
　この多層基材の製造方法においては、絶縁層と導電性部分を有する被めっき対象とが積層された基材が準備される。上記の無電解めっき方法により、被めっき対象の導電性部分に触媒を介さずにめっき材料が析出される。
　この方法によれば、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、多層基材の生産性を向上させることができる。
　また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、多層基材の信頼性を向上させることができる。
　（４）被めっき対象は導体層を含み、導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、導体層の導電性部分に０．０１μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含んでもよい。この場合、導体層の防錆性を十分に向上させることができる。
　（５）被めっき対象は所定のパターンを有する複数の導体パターンを含み、複数の導体パターンの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下であり、導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、複数の導体パターンの導電性部分に０．０１μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含んでもよい。
　この場合、複数の導体パターンの防錆性を十分に向上させることができる。また、多層基材を微細化しつつ複数の導体パターン間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン間の短絡を防止することができる。
　（６）被めっき対象の導電性部分に析出するめっき材料が１％以上１５％以下のリンを含むように無電解めっき方法における無電解めっき液の還元剤が次亜リン酸を含んでもよい。
　この場合、導体層の導電性部分にめっき材料を容易に析出させることできる。また、導体層の導電性部分に析出されるめっき材料の厚みを容易に均一にすることができる。
　（７）被めっき対象の導電性部分に析出するめっき材料が０．３％以上３％以下のホウ素を含むように無電解めっき方法における無電解めっき液の還元剤がジメチルアミンボランを含んでもよい。
　この場合、導体層の導電性部分にめっき材料を容易に析出させることできる。また、導体層の導電性部分に析出されるめっき材料の厚みを容易に均一にすることができる。
　（８）本発明のさらに他の局面に従う多層基材は、本発明の他の局面に従う製造方法により製造されるものである。
　この多層基材は、上記の製造方法により製造される。この場合、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、多層基材の生産性を向上させることができる。
　また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、多層基材の信頼性を向上させることができる。
　（９）本発明のさらに他の局面に従う入力装置は、使用者により接触された位置を検出する検出回路に接続される入力装置であって、本発明の他の局面に従う製造方法により製造される多層基材と、多層基材の被めっき対象を検出回路に電気的に接続する配線回路基板とを備え、多層基材の絶縁層は透明であるものである。
　この入力装置においては、多層基材の絶縁層は透明である。多層基材の被めっき対象は、配線回路基板により検出回路に電気的に接続される。使用者が入力装置を接触した場合、使用者により接触された位置が検出回路により検出される。
　この多層基材は、上記の製造方法により製造される。この場合、被めっき対象の導電性部分に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽に付着しない。そのため、めっき槽にめっき材料の析出が発生することがない。したがって、めっき槽に付着するめっき材料を除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、入力装置の生産性を向上させることができる。
　また、めっき槽にめっき材料が付着しないので、めっき槽の電位が変化することが防止される。したがって、めっき材料の析出速度が不安定に変化しない。これにより、めっき材料の品質が低下することが防止され、被めっき対象の導電性部分上に所望の形状を有するめっき材料を精度よく析出させることができる。その結果、入力装置の信頼性を向上させることができる。
　本発明によれば、無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置の信頼性および生産性を向上させることができる。
図１は本発明の一実施の形態に係る無電解めっき方法に用いる無電解めっきシステムの概略図である。 図２は図１の無電解めっき装置の構成を示す模式図である。 図３は被めっき対象の第１の例を示す模式的断面図である。 図４は被めっき対象の第１の例を示す模式的断面図である。 図５は被めっき対象の第２の例を示す模式的断面図である。 図６は被めっき対象の第３の例を示す模式的断面図である。 図７は被めっき対象の第４の例を示す模式的断面図である。 図８は被めっき対象の第５の例を示す模式的断面図である。 図９は被めっき対象の第６の例を示す模式的断面図である。 図１０は透明導電性基材の平面図である。 図１１は透明導電性基材を用いたタッチパネルの模式図である。 図１２は比較例１における無電解めっきシステムの概略図である。 図１３は比較例２における無電解めっきシステムの概略図である。 図１４は実施例２～７に係る透明導電性基材の平面図である。 図１５は比較例３に係る透明導電性基材の平面図である。 図１６は比較例４に係る透明導電性基材の平面図である。
　以下、本発明の実施の形態に係る無電解めっき方法、多層基材および入力装置について図面を参照しながら詳細に説明する。
　（１）無電解めっきシステムの構成
　図１は、本発明の一実施の形態に係る無電解めっき方法に用いる無電解めっきシステムの概略図である。図１に示すように、無電解めっきシステム１００は、無電解めっき装置１、搬送制御装置７、送出ロール３１および巻取ロール３２を含む。また、無電解めっきシステム１００は、酸洗処理槽５１、水洗処理槽５２，５３，５６，５７、エアーナイフ処理槽５８および乾燥処理槽５９を含む。
　無電解めっき装置１は、被めっき対象として長尺状基材１０に無電解めっきを行うために用いられる。送出ロール３１、酸洗処理槽５１および水洗処理槽５２，５３は、無電解めっき装置１の上流側に順に設けられる。水洗処理槽５６，５７、エアーナイフ処理槽５８、乾燥処理槽５９および巻取ロール３２は、無電解めっき装置１の下流側に順に設けられる。
　送出ロール３１および巻取ロール３２が回転することにより、長尺状基材１０が矢印の方向に搬送される。送出ロール３１から送り出された長尺状基材１０は、酸洗処理槽５１、水洗処理槽５２，５３および無電解めっき装置１を通過する。その後、長尺状基材１０は、水洗処理槽５７、エアーナイフ処理槽５８および乾燥処理槽５９を通過して巻取ロール３２により巻き取られる。送出ロール３１および巻取ロール３２の回転速度は、搬送制御装置７により制御される。それにより、長尺状基材１０の搬送速度が制御される。
　長尺状基材１０には、酸洗処理槽５１において酸洗処理が行われ、水洗処理槽５２，５３において水洗処理が行われる。無電解めっき装置１において、後述する方法により長尺状基材１０の表面に無電解めっきによりニッケル（Ｎｉ）からなる金属薄膜（Ｎｉ薄膜）が形成される。その後、水洗処理槽５６，５７において、長尺状基材１０に水洗処理が行われた後、エアーナイフ処理槽５８において、長尺状基材１０の表面に付着する水分が吹き飛ばされ、乾燥処理槽５９において長尺状基材１０が乾燥される。
　図２は、図１の無電解めっき装置１の構成を示す模式図である。図２に示すように、無電解めっき装置１は、めっき槽２、ポテンショスタット３、一対の導通部材４、参照電極５および対極６を備える。めっき槽２は、無電解めっき液３０を収容する。本実施の形態では、無電解めっき液３０は、ニッケルのイオンを含む。また、無電解めっき液３０は、次亜リン酸またはジメチルアミンボラン等の還元剤をさらに含むことが好ましい。
　めっき槽２の対向する一対の側壁にはそれぞれ開口が設けられる。一方の開口を閉塞するように、水平方向に延びる一対の搬送ローラ３３，３４が回転可能に設けられる。また、他方の開口を閉塞するように水平方向に延びる一対の搬送ローラ３５，３６が回転可能に設けられる。図１の水洗処理槽５３を通過した長尺状基材１０は、一対の搬送ローラ３３，３４間、めっき槽２内および一対の搬送ローラ３５，３６間を通って図１の水洗処理槽５６に送り出される。
　長尺状基材１０は、例えば、回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と呼ぶ）の製造工程における半製品である。半製品は、例えばステンレスからなる長尺状の金属基板、例えばポリイミドからなる絶縁層および所定のパターンを有する例えば銅からなる導体層を順に備える。導体層は、例えば配線、パッド電極または接地導体である。導体層は、絶縁層の一面の全体に形成されていてもよい。
　一方の導通部材４は、めっき槽２の上流側で長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように設けられ、他方の導通部材４は、めっき槽２の下流側で長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように設けられる。この場合、長尺状基材１０の導体層が作用電極となる。
　参照電極５および対極６は、めっき槽２内の無電解めっき液３０中に浸漬される。参照電極５は、例えば飽和カロメル電極である。対極６は、例えば白金（Ｐｔ）からなる不溶性電極である。対極６はアノード（陽極）となり、長尺状基材１０の導体層がカソード（陰極）となる。
　導通部材４、参照電極５および対極６は、ポテンショスタット３に接続される。ポテンショスタット３は、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位が金属の析出電位以下になるように、長尺状基材１０の導体層と対極６との間に流れる電流を制御する。以下、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層の電位を相対電位と呼ぶ。析出する金属がニッケルである場合、相対電位は、－０．７Ｖ以下の一定値に保持されることが好ましい。
　なお、金属の析出電位は以下の手法により確認することができる。相対電位をポテンショスタット３により所定範囲で変化させる。この状態で、金属が析出されたときの相対電位が、その金属の析出電位である。
　ここで、奥野製薬工業株式会社製化学ニッケルを含む無電解めっき液３０に長尺状基材１０を浸漬させた。長尺状基材１０は、ポリイミドおよび銅からなる２層基材（新日鉄住金化学株式会社製ＥＳＰＡＮＥＸ（登録商標））である。この状態で、相対電位をポテンショスタット３により０Ｖから－１．２Ｖまで変化させたところ、触媒として２層基材の銅上にパラジウム（Ｐｄ）が付着していない場合でも、相対電位が－０．７Ｖのときに銅上にニッケルが析出した。したがって、ニッケルの相対電位は－０．７Ｖであることが確認された。
　（２）無電解めっき方法
　（ａ）被めっき対象の第１の例
　図３および図４は、被めっき対象の第１の例を示す模式的断面図である。図３（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図３（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。無電解めっき後の被めっき対象には、さらに図３（ｃ）～図４（ｃ）の処理が行われる。
　図３（ａ）の被めっき対象は長尺状基材１０である。図３および図４の製造工程により図４（ｃ）の透明導電性基材１０Ａが作製される。
　図３（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）からなる透明の絶縁層１２を備える。絶縁層１２は、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、セルロース樹脂またはシクロオレフィンポリマー樹脂（ＣＯＰ）等の透明な光学等方性材料により形成されてもよい。
　絶縁層１２上に、樹脂からなる光学調整層１８、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる透明の導体層１６、および銅からなる導体層１３が形成される。光学調整層１８は、例えば反射防止のために設けられる。光学調整層１８は例えば塗工により形成され、導体層１６，１３は例えばスパッタリングにより形成される。透明導電性基材１０Ａの製造工程では、図３（ｂ）に示すように、導体層１３の表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５の厚みは、例えば０．０１μｍ以上５μｍ以下である。この場合、導体層１３の防錆性を十分に向上させることができる。本例においては、金属薄膜１５の厚みは３０ｎｍである。
　長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。また、図２のめっき槽２内に無電解めっき液３０を収容する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。
　長尺状基材１０の搬送中に、相対電位が金属（本例ではニッケル）の析出電位以下となるように、ポテンショスタット３が長尺状基材１０の導体層１３と対極６との間に流れる電流を制御する。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜１５がそれぞれ形成される。
　ここで、無電解めっき液３０が還元剤として次亜リン酸を含む場合には、導体層１３の表面に形成される金属薄膜１５は１％以上１５％以下のリンを含むことが好ましい。あるいは、無電解めっき液３０が還元剤としてジメチルアミンボランを含む場合には、導体層１３の表面に形成される金属薄膜１５は０．３％以上３％以下のホウ素を含むことが好ましい。これらの場合、導体層１３の表面に金属薄膜１５を容易に形成することできる。また、導体層１３の表面に形成される金属薄膜１５の厚みを容易に均一にすることができる。
　その後、図３（ｃ）に示すように、金属薄膜１５上に所定の形状を有するエッチングレジストパターン１９ａを形成する。エッチングレジストパターン１９ａは、例えば金属薄膜１５上にエッチング用のレジスト膜を形成した後、レジスト膜を所定の形状に露光および現像することにより形成される。
　次に、エッチングレジストパターン１９ａから露出する金属薄膜１５および導体層１３，１６の部分をエッチングにより除去する。これにより、図４（ａ）に示すように、金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａ，１６ａが形成される。その後、エッチングレジストパターン１９ａを除去する。
　続いて、図４（ｂ）に示すように、光学調整層１８上の端部の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａ，１６ａを覆うように光学調整層１８上にエッチングレジストパターン１９ｂを形成する。エッチングレジストパターン１９ｂは、例えば光学調整層１８上にエッチング用のレジスト膜を形成した後、光学調整層１８上の両側のエッチングレジストパターン１９ｂが残存するようにレジスト膜を露光および現像することにより形成される。この場合、光学調整層１８上の中央部の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａ，１６ａは、エッチングレジストパターン１９ｂに覆われずに露出する。
　その後、エッチングレジストパターン１９ｂから露出する金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａをハーフエッチングにより除去する。この場合、光学調整層１８上の中央部の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａが除去され、光学調整層１８上の両側の金属パターン１５ａおよび導体パターン１３ａは除去されない。最後に、エッチングレジストパターン１９ｂを除去することにより、図４（ｃ）に示すように、透明導電性基材１０Ａが完成する。
　以下、光学調整層１８上の中央部の導体パターン１６ａにより形成されるパターンを接触検出パターン２１と呼ぶ。また、光学調整層１８上の両側の導体パターン１６ａ，１３ａおよび金属パターン１５ａにより形成されるパターンを配線パターン２２と呼ぶ。透明導電性基材１０Ａの詳細については後述する。
　（ｂ）被めっき対象の第２の例
　図５は、被めっき対象の第２の例を示す模式的断面図である。図５（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図５（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第２の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
　図５（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２上に銅からなる導体層１３が形成される。絶縁層１２の厚みは例えば２５μｍであり、導体層１３の厚みは例えば１０μｍである。図５（ｂ）に示すように、導体層１３の表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５の厚みは、例えば０．０１μｍ以上５０μｍ以下であり、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、導体層１３の防錆性を十分に向上させることができる。また、マイグレーションを十分に防止することができる。本例においては、金属薄膜１５は３μｍである。
　長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。このようにして多層基材１０Ｂが完成する。
　（ｃ）被めっき対象の第３の例
　図６は、被めっき対象の第３の例を示す模式的断面図である。図６（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図６（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第３の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
　図６（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２の一面および他面上に銅からなる導体層１３，１６がそれぞれ形成される。導体層１６の厚みは、例えば１０μｍである。図６（ｂ）に示すように、導体層１３，１６の表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５，１７がそれぞれ形成される。金属薄膜１５，１７の厚みは、例えばそれぞれ０．０１μｍ以上５０μｍ以下であり、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、導体層１３，１６の防錆性を十分に向上させることができる。また、マイグレーションを十分に防止することができる。本例においては、金属薄膜１５，１７の厚みは３μｍである。
　長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３，１６に電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体層１３，１６の表面にニッケルからなる金属薄膜１５，１７がそれぞれ形成される。このようにして、多層基材１０Ｃが完成する。
　（ｄ）被めっき対象の第４の例
　図７は、被めっき対象の第４の例を示す模式的断面図である。図７（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図７（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第４の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
　図７には、長尺状基材１０の一部が示される。図７（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２上に銅からなる複数の導体パターン１３ａが形成される。各導体パターン１３ａの厚みは、例えば１０μｍである。図７（ｂ）に示すように、各導体パターン１３ａの表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。
　複数の導体パターン１３ａの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下である。金属薄膜１５の厚みは例えば０．０１μｍ以上２０μｍ以下であり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。この場合、複数の導体パターン１３ａの防錆性を十分に向上させることができる。また、長尺状基材１０を微細化しつつ複数の導体パターン１３ａ間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン１３ａ間の短絡を防止することができる。
　長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体パターン１３ａに電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。このようにして、フレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）１０Ｄが完成する。
　（ｅ）被めっき対象の第５の例
　図８は、被めっき対象の第５の例を示す模式的断面図である。図８（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図８（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第５の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
　図８には、長尺状基材１０の一部が示される。図８（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１２を備える。絶縁層１２の一面および他面上に銅からなる複数の導体パターン１３ａ，１６ａがそれぞれ形成される。各導体パターン１６ａの厚みは、例えば１０μｍである。図８（ｂ）に示すように、各導体パターン１３ａ，１６ａの表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５，１７が形成される。
　複数の導体パターン１３ａ，１６ａの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下である。金属薄膜１５，１７の厚みは例えばそれぞれ０．０１μｍ以上２０μｍ以下であり、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。この場合、複数の導体パターン１３ａ，１６ａの防錆性を十分に向上させることができる。また、長尺状基材１０を微細化しつつ複数の導体パターン１３ａ間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン１３ａ間の短絡を防止することができる。同様に、複数の導体パターン１６ａ間の絶縁抵抗の低下および複数の導体パターン１６ａ間の短絡を防止することができる。
　長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体パターン１３ａ，１６ａに電気的に接触するように導通部材４を配置する。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体パターン１３ａ，１６ａの表面にニッケルからなる金属薄膜１５，１７がそれぞれ形成される。このようにして、ＦＰＣ基板１０Ｅが完成する。
　（ｆ）被めっき対象の第６の例
　図９は、被めっき対象の第６の例を示す模式的断面図である。図９（ａ）は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図９（ｂ）は無電解めっき後の被めっき対象を示す。被めっき対象の第６の例における無電解めっき方法は、以下の点を除いて被めっき対象の第１の例における無電解めっき方法と同様である。
　図９には、長尺状基材１０の一部が示される。図９（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばステンレスからなる金属基板１１を備える。金属基板１１上に、例えばポリイミドからなる絶縁層１２、銅からなる導体層１３、および例えばポリイミドからなる絶縁層１４が順に形成される。絶縁層１４は、導体層１３の表面の一部が露出するように設けられる。図９（ｂ）に示すように、導体層１３の露出した表面に無電解めっきにより例えばニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。
　長尺状基材１０の無電解めっき時には、長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。本例では、長尺状基材１０の導体層１３の一部が金属基板１１に接続されている。この場合、導通部材４が金属基板１１に接触するように設けられてもよい。この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の露出した表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。このようにして、サスペンション基板１０Ｆが完成する。
　（３）透明導電性基材の構成
　図１０は、透明導電性基材１０Ａの平面図である。図１０に示すように、透明導電性基材１０Ａは、絶縁層１２および複数の電極２０を含む。図１０においては、構成の理解を容易にするために、複数の電極２０にハッチングが付されている。なお、図４（ｃ）は、図１０のＡ－Ａ線断面図に相当する。
　本例においては、絶縁層１２は矩形状を有する。図１０において、絶縁層１２の対向する一組の辺が延びる方向をＸ方向と呼び、絶縁層１２の対向する他の一組の辺が延びる方向をＹ方向と呼ぶ。また、Ｘ方向およびＹ方向に直交する方向をＺ方向と呼ぶ。複数の電極２０は、Ｙ方向に平行に延びかつＸ方向に並ぶように絶縁層１２の一面に配置される。複数の電極２０は、互いに電気的に絶縁されている。
　各電極２０は、図４（ｃ）の複数の接触検出パターン２１および配線パターン２２からなる。図１０の例においては、各接触検出パターン２１は矩形状を有する。各電極２０において、複数の接触検出パターン２１がＹ方向に並ぶように配置される。隣り合う２つの接触検出パターン２１の頂点は、互いに電気的に接続される。
　略半数の電極２０の各々においては、Ｙ方向の一方の端部に位置する接触検出パターン２１の頂点に、配線パターン２２が電気的に接続される。他の略半数の電極２０の各々においては、Ｙ方向の他方の端部に位置する接触検出パターン２１の頂点に、配線パターン２２が電気的に接続される。各電極２０の配線パターン２２は、絶縁層１２上の縁を通って、後述する図１１のＦＰＣ基板１１０に接続される。
　（４）透明導電性基材を用いたタッチパネル
　次に、上記の透明導電性基材１０Ａを用いたタッチパネルについて説明する。図１１は、透明導電性基材１０Ａを用いたタッチパネルの模式図である。タッチパネル２００は、テレビ、携帯電話機、携帯情報端末またはその他の光学的表示装置の表示画面ＤＰに重なるように設けられる。なお、図１１の例においては、タッチパネル２００は静電容量方式のタッチパネルである。
　図１１に示すように、タッチパネル２００は、図１０の２つの透明導電性基材１０Ａを含む。また、タッチパネル２００は、ＦＰＣ基板１１０、接着層１２０，１３０、保護層１４０，１５０および検出回路１６０をさらに含む。２つの透明導電性基材１０Ａは、光学用透明接着剤（ＯＣＡ）により接着された状態で積層される。
　ここで、一方の透明導電性基材１０Ａは、他方の透明導電性基材１０Ａに対してＺ方向（図１０）を中心に９０°回転させた状態で配置される。この場合、一方の透明導電性基材１０Ａの複数の接触検出パターン２１と他方の透明導電性基材１０Ａの複数の接触検出パターン２１とは、Ｚ方向において互いに重ならない。タッチパネル２００は、図１０の２つの透明導電性基材１０Ａに代えて、一面および他面にそれぞれ複数の電極２０が形成された１つの透明導電性基材を含んでもよい。
　接着層１２０，１３０は、ＯＣＡを含む。一方の透明導電性基材１０Ａは、接着層１２０を介して表示画面ＤＰに接着される。保護層１４０は、例えばカバーガラスを含む。保護層１４０は、接着層１３０を介して他方の透明導電性基材１０Ａに接着される。保護層１５０は、例えば反射防止膜を含む。保護層１５０は、保護層１４０上に設けられる。保護層１４０は、ＯＣＡを介して保護層１５０に接着されてもよい。
　検出回路１６０は、例えば集積回路（ＩＣ）により構成される。ＦＰＣ基板１１０は、各透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０の配線パターン２２（図１０）に接続される。ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性基材１０Ａの縁を通って透明導電性基材１０Ａの外部に引き出され、検出回路１６０に接続される。検出回路１６０は、透明導電性基材１０Ａ上に設けられてもよい。この場合、ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性基材１０Ａの外部に引き出されず、透明導電性基材１０Ａの縁を通って透明導電性基材１０Ａ上の検出回路１６０に接続される。
　使用者は、指またはタッチペン（図１１の例では指）でタッチパネル２００の保護層１５０の任意の位置を接触する。この場合、一方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０のうち、接触された保護層１５０の位置に重なる位置付近の複数の電極２０間の静電容量が変化する。同様に、他方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０のうち、接触された保護層１５０の位置に重なる位置付近の複数の電極２０間の静電容量が変化する。
　検出回路１６０は、一方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０間の静電容量の変化を検出することにより、使用者が接触したタッチパネル２００のＹ方向の位置を算出する。また、検出回路１６０は、他方の透明導電性基材１０Ａの複数の電極２０間の静電容量の変化を検出することにより、使用者が接触したタッチパネル２００のＸ方向の位置を算出する。これらの結果、検出回路１６０は、使用者が接触したタッチパネル２００の二次元的な位置を検出することができる。
　（５）他の実施の形態
　（ａ）上記実施の形態においては、無電解めっき液３０がニッケルのイオンを含むが、これに限定されない。例えば、無電解めっき液３０が、コバルト（Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、錫合金、または銅合金等の種々の金属のイオンまたは合金を含んでもよい。
　（ｂ）上記実施の形態においては、被めっき対象の材料は銅からなる導体層１３，１６であるが、被めっき対象の材料はこれに限定されない。被めっき対象の材料は、銅合金、ステンレス、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）または錫合金等の他の金属または合金であってもよい。あるいは、被めっき対象の材料は、導電性の樹脂であってもよい。
　（ｃ）上記実施の形態においては、被めっき対象は透明導電性基材１０Ａ、多層基材１０Ｂ，１０Ｃ、ＦＰＣ基板１０Ｄ，１０Ｅまたはサスペンション基板１０Ｆの半製品である長尺状基材１０であるが、これに限定されない。被めっき対象がフレキシブル配線回路基板、またはリジッド配線回路基板等の他の配線回路基板もしくは透明導電性基材の半製品であってもよい。また、被めっき対象は配線回路基板に限らず、無電解めっき装置１を用いて種々の対象物に無電解めっきを行うことができる。
　（ｄ）上記実施の形態においては、ロール・トゥ・ロール方式により長尺状基材１０を搬送しつつ導体層１３に無電解めっきを行う例について説明したが、本発明は、バッチ式の無電解めっき装置にも適用可能である。バッチ式の無電解めっき装置では、被めっき対象を搬送することなく、めっき槽内の無電解めっき液中に一定時間浸漬させる。この場合、無電解めっき液の劣化が進行しても、無電解めっき液中の金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、無電解めっき液中への被めっき対象の浸漬時間を一定に管理することにより、被めっき対象の表面に均一に金属薄膜を形成することができる。
　（ｅ）上記実施の形態においては、制御部の一例としてポテンショスタット３が用いられる。制御部として、ポテンショスタット３の代わりにガルバノスタット等の他の制御回路が用いられてもよい。
　（ｆ）上記実施の形態においては、入力装置の一例として静電容量方式のタッチパネルについて説明したが、これに限定されない。本発明は、抵抗膜方式のタッチパネル等の種々の入力装置にも適用可能である。
　（ｇ）上記実施の形態において、金属薄膜１５，１７を覆うように金めっきが形成されてもよいし、ポリイミド等の被覆層が形成されてもよい。
　（６）効果
　本実施の形態に係る無電解めっき方法においては、相対電位が、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される電位以下に保持される。これにより、長尺状基材１０の導体層１３の表面に触媒を付着させることなく、長尺状基材１０の導体層１３の表面に金属薄膜１５を析出させることができる。
　この方法によれば、長尺状基材１０の導体層１３の表面に触媒を付着させる必要がないので、触媒が水酸化物としてめっき槽２に付着しない。そのため、めっき槽２にニッケルの析出が発生することがない。したがって、めっき槽２に付着するニッケルを除去するための保守作業を定期的に行う必要がない。これにより、無電解めっき方法の生産性を向上させることができる。
　また、めっき槽２にニッケルが付着しないので、めっき槽２の電位が変化することが防止される。したがって、ニッケルの析出速度が不安定に変化しない。これにより、金属薄膜１５の品質が低下することが防止され、長尺状基材１０の導体層１３の表面に所望の形状を有する金属薄膜１５を精度よく形成することができる。その結果、無電解めっき方法の信頼性を向上させることができる。
　なお、一般に、めっき槽２に付着するニッケルを除去する場合には、強い酸化力を有する硝酸など、取扱いに注意を要する薬品が用いられる。本実施の形態に係る無電解めっき方法においては、このような薬品を用いることがほとんどないので、無電解めっきシステム１００の取扱いが容易である。
　また、触媒を用いた無電解めっきを長期に渡って行う場合には、不純物の混入により触媒が劣化するため、触媒を定期的に交換する必要がある。したがって、無電解めっきのコストが増加する。これに対し、本実施の形態に係る無電解めっき方法においては、触媒が用いられないので、無電解めっきのコストを低減させることができる。
　（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
　上記実施の形態においては、導体層１３，１６または導体パターン１３ａ，１６ａが導電性部分または被めっき対象の例であり、無電解めっき液３０が無電解めっき液の例であり、めっき槽２がめっき槽の例であり、参照電極５が参照電極の例である。対極６が対極の例であり、絶縁層１２が絶縁層の例であり、長尺状基材１０が基材の例であり、透明導電性基材１０Ａ、多層基材１０Ｂ，１０Ｃ、ＦＰＣ基板１０Ｄ，１０Ｅまたはサスペンション基板１０Ｆが多層基材の例である。導体層１３，１６が導体層の例であり、導体パターン１３ａ，１６ａが導体パターンの例であり、検出回路１６０が検出回路の例であり、タッチパネル２００が入力装置の例であり、ＦＰＣ基板１１０が配線回路基板の例である。
　請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
　（８）無電解めっきシステムについての実施例
　（ａ）無電解めっきシステム
　実施例１および比較例１，２においては、それぞれ異なる無電解めっきシステムを用いて長尺状基材１０の表面に無電解めっきによりニッケルからなる金属薄膜１５を形成した。その後、各無電解めっきシステムのめっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出の有無を判定した。
　実施例１においては、以下の手順により、図１の無電解めっきシステム１００を用いて長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５を形成した。室温２５℃の酸洗処理槽５１において、３０秒間長尺状基材１０に希硫酸による酸洗処理を行った。希硫酸の濃度は５０ｇ／Ｌである。
　次に、室温２５℃の水洗処理槽５２において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。また、室温２５℃の水洗処理槽５３において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。
　続いて、無電解めっき装置１において、長尺状基材１０の表面にニッケルからなる金属薄膜１５を形成した。無電解めっき液３０は、奥野製薬工業株式会社製化学ニッケルを含む。また、無電解めっき液３０は、１％～５％の次亜リン酸、１％～５％の硫酸銅およびその他の錯化剤を含む。無電解めっき液３０の温度は４０℃である。無電解めっき装置１の対極６はＰｔ電極であり、参照電極５は飽和カロメル電極である。相対電位は、－０．９Ｖに設定された。
　次に、室温２５℃の水洗処理槽５６において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。続いて、室温２５℃の水洗処理槽５７において、１分間長尺状基材１０に水洗処理を行った。その後、エアーナイフ処理槽５８において、長尺状基材１０の表面に付着する水分を吹き飛ばした。最後に、室温８０℃の乾燥処理槽５９において、３０秒間長尺状基材１０を乾燥した。
　図１２は、比較例１における無電解めっきシステムの概略図である。図１２の比較例１における無電解めっきシステム１００Ｂは、以下の点を除いて、図１の無電解めっきシステム１００と同様の構成を有する。図１２に示すように、無電解めっきシステム１００Ｂの水洗処理槽５３と無電解めっき装置１との間には、Ｐｄ触媒処理槽５４および水洗処理槽５５が設けられる。
　比較例１においては、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂを用いて長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５を形成した。比較例１の金属薄膜１５の形成手順は、以下の点を除いて実施例１の金属薄膜１５の形成手順と同様である。
　水洗処理槽５３における処理と無電解めっき装置１における処理との間に、３０℃のＰｄ触媒処理槽５４において、塩化Ｐｄ溶液を用いて１分間長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させた。塩化Ｐｄ溶液は、奥野製薬工業株式会社製ＩＣＰアクセラ（登録商標）である。塩化Ｐｄ溶液のＰｄの濃度は１０ｍｇ／Ｌ～５０ｍｇ／Ｌである。また、室温２５℃の水洗処理槽５５において、１分間水洗処理を行った後、さらに１分間水洗処理を行った。
　図１３は、比較例２における無電解めっきシステムの概略図である。図１３の比較例２における無電解めっきシステム１００Ｃは、以下の点を除いて、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂと同様の構成を有する。図１３に示すように、無電解めっきシステム１００Ｃの無電解めっき装置１には、ポテンショスタット３、導通部材４、参照電極５および対極６が設けられない。
　比較例２においては、図１３の無電解めっきシステム１００Ｃを用いて長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５を形成した。比較例２の金属薄膜１５の形成手順は、無電解めっき装置１において長尺状基材１０の導体層１３の電位が制御されない点を除いて比較例１の金属薄膜１５の形成手順と同様である。
　（ｂ）判定の結果
　所定の面積分の長尺状基材１０の表面に金属薄膜１５が形成された時点において、実施例１および比較例１，２の無電解めっきシステム１００，１００Ｂ，１００Ｃのめっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出の有無を判定した。判定の結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１に示すように、実施例１の無電解めっきシステム１００においては、長尺状基材１０を３５００ｍ２処理した時点でも、めっき槽２の底面および側面でのニッケルの析出は確認されなかった。
　比較例１の無電解めっきシステム１００Ｂにおいては、長尺状基材１０を２０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面および側面でのニッケルの析出は確認されなかった。しかしながら、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出が確認された。また、長尺状基材１０を３５００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量は、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量よりも増加した。
　比較例２の無電解めっきシステム１００Ｃにおいては、長尺状基材１０を２０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面および側面でのニッケルの析出は確認されなかった。しかしながら、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点では、めっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出が確認された。また、長尺状基材１０を３５００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量は、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点でのニッケルの析出量よりも増加した。
　実施例１と比較例１，２との比較から、長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させる場合、長尺状基材１０を３０００ｍ２処理した時点でめっき槽２の底面または側面でニッケルが析出することが確認された。また、長尺状基材１０の処理を継続すると、めっき槽２の底面または側面でのニッケルの析出量が増加することが確認された。
　（９）透明導電性基材の信頼性、生産性およびコストについての実施例
　（ａ）透明導電性基材
　実施例２～７および比較例３～５においては、種々の透明導電性基材を作製し、各透明導電性基材の信頼性、生産性およびコストを評価した。透明導電性基材の信頼性は、エッチング性、防錆性および抵抗値の変化を含む。
　実施例２～７においては、図３（ａ）に示すように、ＰＥＴからなる透明の絶縁層１２上にＩＴＯからなる導体層１６および銅からなる導体層１３が形成された長尺状基材１０を準備した。絶縁層１２の厚みは５０μｍであり、導体層１６の厚みは３０ｎｍであり、導体層１３の厚みは２００ｎｍである。本例においては、図３（ａ）の光学調整層１８の形成は省略した。
　図１の無電解めっきシステム１００を用いて、図３（ｂ）に示すように、長尺状基材１０の導体層１３の表面に金属薄膜１５を形成した。無電解めっき液３０は、１％～５％の次亜リン酸、１％～５％の硫酸銅およびその他の錯化剤を含む。無電解めっき装置１の対極６はＰｔ電極であり、参照電極５は飽和カロメル電極である。
　実施例２～７の金属薄膜１５の厚みは、それぞれ１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍおよび５００ｎｍである。金属薄膜１５の厚みは、長尺状基材１０が図２の無電解めっき液３０を通過する時間（以下、めっき時間と呼ぶ）または相対電位を制御することにより調整することができる。本例においては、相対電位を－０．９Ｖに設定し、めっき時間を制御することにより金属薄膜１５の厚みを調整した。
　なお、本例においては、金属薄膜１５の厚みを１０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍおよび５００ｎｍにするときのめっき時間は、それぞれ１５秒、３０秒、５０秒、１００秒、２００秒および５２０秒であった。金属薄膜１５の厚みは、重量法に基づいて測定された。
　次に、温度１１０℃、圧力０．３５ＭＰａおよび速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件で、金属薄膜１５上に高解像度のドライフイルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネートした。続いて、所定のパターンを有するマスクを通して光量８０ｍＪ／ｃｍ２の露光光をＤＦＲに照射した。
　その後、現像液として濃度１％および温度３０℃の炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）溶液を圧力０．１ＭＰａの条件で３０秒間ＤＦＲにスプレーすることにより、ＤＦＲを現像した。これにより、図３（ｃ）に示すように、エッチングレジストパターン１９ａが形成された。
　次に、エッチング液として温度４５℃の塩化第二鉄溶液を圧力０．１５ＭＰａの条件で１分間長尺状基材１０にスプレーした。これにより、図４（ａ）に示すように、エッチングレジストパターン１９ａから露出する導体層１６，１３および金属薄膜１５の部分がエッチングされ、配線パターン２２が形成された。このようにして、実施例２～７に係る透明導電性基材が作製された。
　図１４は、実施例２～７に係る透明導電性基材の平面図である。図１４においては、構成の理解を容易にするために、長尺状基材の各部材にハッチングまたはドットパターンが付されている。実施例２～７においては、図１４（ａ）に示すように、３つの配線パターン２２を絶縁層１２上に平行に並ぶように形成した。また、中央に位置する配線パターン２２の両端に、他の部分の幅よりも広い幅を有する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成した。
　その後、図１４（ｂ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２上に、銀ペーストＳＰを形成した。また、図１４（ｃ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ３つの配線パターン２２を覆うように絶縁層１２上にＯＣＡからなる厚み５０μｍの被覆膜ＧＬをハンドローラにより形成した。被覆膜ＧＬは、日東電工株式会社製ＬＵＣＩＡＣＳ（登録商標）ＳＣ９６８２である。さらに、オートクレーブにより絶縁層１２と被覆膜ＧＬとの間の気泡（ボイド）を除去した。
　図１５は、比較例３に係る透明導電性基材の平面図である。比較例３に係る透明導電性基材は、以下の点を除いて実施例２～７に係る透明導電性基材と同様の構成を有する。比較例３においては、長尺状基材１０の導体層１３上に図３（ｂ）の金属薄膜１５を形成しない。
　これにより、比較例３に係る透明導電性基材においては、図１５（ａ）に示すように、図１４（ａ）の３つの配線パターン２２に代えて３つの配線パターン２２ａが絶縁層１２上に形成される。配線パターン２２ａは、図４（ｃ）の金属パターン１５ａを含まない点を除いて、配線パターン２２と同様の構成を有する。中央に位置する配線パターン２２ａの両端に、他の部分の幅よりも広い幅を有する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成した。
　その後、図１５（ｂ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２上に、銀ペーストＳＰを形成した。また、図１５（ｃ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ３つの配線パターン２２ａを覆うように絶縁層１２上に被覆膜ＧＬを形成した。
　図１６は、比較例４に係る透明導電性基材の平面図である。比較例４に係る透明導電性基材は、以下の点を除いて実施例２～７に係る透明導電性基材と同様の構成を有する。比較例４においては、長尺状基材１０の導体層１３上に図３（ｂ）の金属薄膜１５を形成しない。
　これにより、比較例４に係る透明導電性基材においては、図１６（ａ）に示すように、図１４（ａ）の３つの配線パターン２２に代えて３つの配線パターン２２ａが絶縁層１２上に形成される。中央に位置する配線パターン２２ａの両端に、他の部分の幅よりも広い幅を有する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ形成した。
　次に、図１６（ｂ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ３つの配線パターン２２ａを覆うように絶縁層１２上に厚み１８μｍの有機防錆膜ＣＲを形成した。有機防錆膜ＣＲは、株式会社アサヒ化学研究所製ＵＶＦ－３０Ｔを絶縁層１２上にスクリーン印刷し、光量９００ｍＪ／ｃｍ２の紫外露光光を照射することにより形成された。
　その後、図１６（ｃ）に示すように、有機防錆膜ＣＲから露出する測定用端子部Ｔ１，Ｔ２上に、銀ペーストＳＰを形成した。また、図１６（ｄ）に示すように、測定用端子部Ｔ１，Ｔ２を露出させつつ有機防錆膜ＣＲを覆うように絶縁層１２上に被覆膜ＧＬを形成した。
　比較例５に係る透明導電性基材は、以下の点を除いて実施例２～７に係る透明導電性基材と同様の構成を有する。比較例５においては、図１の無電解めっきシステム１００に代えて、電解めっきシステムにより長尺状基材１０の導体層１３上に厚み５０μｍの金属薄膜１５を形成した。電解めっきシステムにおいては、温度４０℃のニッケルめっき浴からなるワット浴に長尺状基材１０が浸漬され、３０秒間１Ａ／ｄｍ２の電流が電解めっきシステムの電極間に流された。
　（ｂ）評価の結果
　実施例２～７および比較例３～５に係る透明導電性基材のエッチング性、防錆性、抵抗値の変化、生産性およびコストを評価した。各透明導電性基材の配線パターン２２とマスクのパターンとを比較することによりエッチング性を評価した。
　各透明導電性基材を温度８５℃および湿度８５％の環境下に５００時間投入する環境試験を行った後、各透明導電性基材を目視および倍率２０倍の実体顕微鏡で観察することにより防錆性を評価した。実体顕微鏡は株式会社ニコン製ＳＭ２－２Ｂである。
　また、上記の環境試験の前後における各透明導電性基材の測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の普遍性を評価した。本例においては、２０％以下の測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化を良好と判定した。各透明導電性基材のエッチング性、防錆性、抵抗値の不変性、生産性およびコストの評価の結果を表２に示す。
　表２においては、各透明導電性基材の信頼性、生産性またはコストの評価が極めて良好であった例には“○”が表示される。各透明導電性基材の信頼性、生産性またはコストの評価が良好であった例には“△”が表示される。各透明導電性基材の信頼性、生産性またはコストの評価が不良であった例には“×”が表示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表２に示すように、実施例２～６に係る透明導電性基材においては、配線パターン２２とマスクのパターンとが同一であり、エッチング性は極めて良好であった。また、配線パターン２２に錆が発生せず、防錆性は極めて良好であった。さらに、環境試験の前後における測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化は２０％以下となり、抵抗の不変性は極めて良好であった。透明導電性基材の生産性は高く、生産性は極めて良好であった。また、透明導電性基材のコストの増加が防止され、コストは極めて良好であった。
　実施例７に係る透明導電性基材においては、防錆性および抵抗の不変性は極めて良好であった。配線パターン２２とマスクのパターンとが略同一であり、エッチング性は良好であった。しかしながら、配線パターン２２の一部がマスクのパターンと僅かに一致せず、エッチング性が実施例２～６におけるエッチング性よりも低下した。また、生産性およびコストは良好であったが、生産性は実施例２～６における生産性よりも僅かに低く、コストは僅かに増加した。
　比較例３に係る透明導電性基材においては、エッチング性、生産性およびコストは極めて良好であった。しかしながら、配線パターン２２ａは金属パターンにより保護されていないため、配線パターン２２ａに錆が発生し、防錆性は不良であった。また、環境試験の前後における測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化は２０％を超え、抵抗の不変性は不良であった。
　比較例４に係る透明導電性基材においては、エッチング性は極めて良好であった。また、配線パターン２２ａは有機防錆膜ＣＲにより保護されているため、防錆性および抵抗の不変性は極めて良好であった。生産性は良好であったが、実施例２～６における生産性よりも僅かに低下した。また、コストが大きく増加し、コストは不良であった。
　比較例５に係る透明導電性基材においては、エッチング性、生産性およびコストは極めて良好であった。しかしながら、配線パターン２２に錆が発生し、防錆性は不良であった。また、配線パターン２２における金属パターン１５ａの厚みが不均一であった。さらに、環境試験の前後における測定用端子部Ｔ１，Ｔ２間の抵抗の変化は２０％を超え、抵抗の不変性は不良であった。
　実施例２～７と比較例３～５との比較から、導体層１３に無電解めっきにより金属薄膜を形成することにより、良好なエッチング性および良好な防錆性が得られることが確認された。また、抵抗値の変化が小さく、生産性が高く、コストの増加が合資されることが確認された。
　実施例２～７と比較例３との比較から、導体層上に金属薄膜を形成しない場合、良好な防錆性が得られず、抵抗値の変化が大きくなることが確認された。実施例２～７と比較例４との比較から、導体層上に金属薄膜の代わりに有機防錆膜を形成した場合、良好な防錆性が得られるが、コストが増加することが確認された。実施例２～７と比較例５との比較から、導体層上に電解めっきにより金属薄膜を形成した場合、良好な防錆性が得られず、抵抗値の変化が大きくなることが確認された。
　（１０）ＦＰＣ基板の導体パターン間の絶縁性についての実施例
　（ａ）ＦＰＣ基板
　実施例８～１３、比較例６～１１および比較例１２～１７においては、図７（ｂ）の構成を有する種々のＦＰＣ基板を作製し、各ＦＰＣ基板の導体パターン間の絶縁性を評価した。
　実施例８においては、図７（ａ）に示すように、各導体パターン１３ａの幅が１００μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔が１００μｍである長尺状基材１０を５つ準備した。図１の無電解めっきシステム１００を用いて５つの長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面にそれぞれ１μｍ、３μｍ、５μｍ、１０μｍおよび２０μｍの厚みを有する金属薄膜１５を形成することにより、図７（ｂ）のＦＰＣ基板を作製した。
　ここで、金属薄膜１５の形成工程においては、長尺状基材１０を図２のめっき槽２内の無電解めっき液３０を通過させずに、長尺状基材１０をビーカー内の無電解めっき液３０に浸漬させた。無電解めっき液３０は、奥野製薬工業株式会社製ＩＣＰニコロン（登録商標）ＧＭ－ＳＥである。
　実施例９～１３のＦＰＣ基板は、以下の点を除き、実施例８のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。実施例９のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は５０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は５０μｍである。実施例１０のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３０μｍである。
　実施例１１のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１５μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１５μｍである。実施例１２のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は８μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は８μｍである。実施例１３のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３μｍである。
　比較例６のＦＰＣ基板は、図１の無電解めっきシステム１００ではなく、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂを用いて長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面に金属薄膜１５を形成した点を除き、実施例８のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。したがって、比較例６のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１００μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１００μｍである。なお、図１２のＰｄ触媒処理槽５４の塩化Ｐｄ溶液は、奥野製薬工業株式会社製ＩＣＰアクセラ（登録商標）である。
　比較例７～１１のＦＰＣ基板は、以下の点を除き、比較例６のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。比較例７のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は５０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は５０μｍである。比較例８のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３０μｍである。
　比較例９のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１５μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１５μｍである。比較例１０のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は８μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は８μｍである。比較例１１のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３μｍである。
　比較例１２のＦＰＣ基板は、図１２の無電解めっきシステム１００Ｂではなく、図１３の無電解めっきシステム１００Ｃを用いて長尺状基材１０の導体パターン１３ａの表面に金属薄膜１５を形成した点を除き、比較例６のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。したがって、比較例１２のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１００μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１００μｍである。
　比較例１３～１７のＦＰＣ基板は、以下の点を除き、比較例１２のＦＰＣ基板と同様の構成を有する。比較例１３のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は５０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は５０μｍである。比較例１４のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３０μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３０μｍである。
　比較例１５のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は１５μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は１５μｍである。比較例１６のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は８μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は８μｍである。比較例１７のＦＰＣ基板の各導体パターン１３ａの幅は３μｍであり、導体パターン１３ａ間の間隔は３μｍである。
　（ｂ）判定の結果
　各ＦＰＣ基板の導体パターン１３ａ間の絶縁性を判定した。判定の結果を表３に示す。表３においては、導体パターン１３ａを覆うように正常に金属薄膜１５が析出した例には“○”が表示される。導体パターン１３ａから突出するように襞状の金属薄膜１５が析出した例には“△”が表示される。隣り合う導体パターン１３ａ上に析出した金属薄膜１５が互いに接触し、短絡が発生した例には“×”が表示される。なお、金属薄膜１５の厚みが導体パターン１３ａ間の間隔の１／２以上である例においては、隣り合う導体パターン１３ａ上に析出した金属薄膜１５が互いに接触し、短絡が発生することが自明である。したがって、これらの例を判定の対象から除外した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　表３に示すように、実施例８～１３および比較例６，１２においては、金属薄膜１５の厚みがそれぞれ２０μｍ、１０μｍ、５μｍ、３μｍおよび１μｍのときでも正常に金属薄膜１５が析出した。比較例７，１３においては、金属薄膜１５の厚みが５μｍのときには正常に金属薄膜１５が析出したが、金属薄膜１５の厚みが１０μｍのときに襞状の金属薄膜１５が析出し、金属薄膜１５の厚みが２０μｍのときに短絡が発生した。
　比較例８，１４においては、金属薄膜１５の厚みが１μｍのときには正常に金属薄膜１５が析出したが、金属薄膜１５の厚みが３μｍのときに襞状の金属薄膜１５が析出し、金属薄膜１５の厚みが５μｍのときに短絡が発生した。比較例９，１０，１５，１６においては、金属薄膜１５の厚みが１μｍのときには正常に金属薄膜１５が析出したが、金属薄膜１５の厚みが３μｍのときに短絡が発生した。比較例１１，１７においては、正常に金属薄膜１５が析出されず、金属薄膜１５の厚みが１μｍのときに短絡が発生した。
　実施例８～１３と比較例６～１７との比較から、長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させない場合、導体パターン１３ａ間の間隔が小さく、金属薄膜１５の厚みが大きくても導体パターン１３ａ間に短絡が発生しにくくなることが確認された。一方、長尺状基材１０の表面にＰｄ触媒を付着させる場合、導体パターン１３ａ間の間隔が小さく、金属薄膜１５の厚みが大きいほど導体パターン１３ａ間に短絡が発生しやすくなることが確認された。
　本発明は、配線回路基板等の種々の被めっき対象に無電解めっきを行うため等に利用することができる。

Claims (9)

  1. 導電性部分を有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき方法であって、
    　めっき材料である金属および還元剤を含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、
    　前記めっき槽内の前記無電解めっき液に接するように参照電極および対極を配置する工程と、
    　前記被めっき対象の前記導電性部分を触媒を介さずに前記めっき槽内の前記無電解めっき液に接触させる工程と、
    　前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導電性部分の電位を、前記被めっき対象の前記導電性部分に前記めっき材料が析出する電位以下に保持する工程とを含む、無電解めっき方法。
  2. 前記めっき材料は、ニッケルまたはニッケル合金を含み、
    　前記被めっき対象は、銅または銅合金を含み、
    　前記電位を保持する工程は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導電性部分の電位を－０．７Ｖ以下に保持することを含む、請求項１記載の無電解めっき方法。
  3. 絶縁層と導電性部分を有する被めっき対象とが積層された基材を準備する工程と、
    　請求項１または２記載の無電解めっき方法により前記被めっき対象の前記導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程とを含む、多層基材の製造方法。
  4. 前記被めっき対象は導体層を含み、
    　前記導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、前記導体層の前記導電性部分に０．０１μｍ以上５０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含む、請求項３記載の多層基材の製造方法。
  5. 前記被めっき対象は所定のパターンを有する複数の導体パターンを含み、
    　前記複数の導体パターンの間隔は３μｍ以上５０μｍ以下であり、
    　前記導電性部分に触媒を介さずにめっき材料を析出させる工程は、前記複数の導体パターンの前記導電性部分に０．０１μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有するめっき材料を析出させることを含む、請求項３記載の多層基材の製造方法。
  6. 前記被めっき対象の前記導電性部分に析出する前記めっき材料が１％以上１５％以下のリンを含むように前記無電解めっき方法における前記無電解めっき液の前記還元剤が次亜リン酸を含む、請求項３～５のいずれか一項に記載の多層基材の製造方法。
  7. 前記被めっき対象の前記導電性部分に析出する前記めっき材料が０．３％以上３％以下のホウ素を含むように前記無電解めっき方法における前記無電解めっき液の前記還元剤がジメチルアミンボランを含む、請求項３～５のいずれか一項に記載の多層基材の製造方法。
  8. 請求項３～７のいずれか一項に記載の製造方法により製造される多層基材。
  9. 使用者により接触された位置を検出する検出回路に接続される入力装置であって、
    　請求項３～７のいずれか一項に記載の製造方法により製造される多層基材と、
    　前記多層基材の前記被めっき対象を前記検出回路に電気的に接続する配線回路基板とを備え、
    　前記多層基材の絶縁層は透明である、入力装置。
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