JP2022037854A - タッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】周辺領域の幅を小さくすることができるタッチパネルを提供する。【解決手段】タッチパネル１００は、基板１１０と、周辺配線１５０と、タッチセンシング電極１７０とを備える。基板１１０は、可視領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡを有する。周辺配線１５０は、基板１１０の周辺領域ＰＡ上に配置される。タッチセンシング電極１７０は、基板１１０の可視領域ＶＡ上に配置され、周辺配線１５０に電気的に接続され、複数の細線によって形成されたメッシュパターンを有する。周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０は、それぞれ、複数の導電性ナノ構造体と、導電性ナノ構造体上に付加されたフィルム層とを含む。導電性ナノ構造体とフィルム層との界面は、実質的に被覆構造を有する。【選択図】図２Ａ

Description

本出願は、２０２０年８月２５日に出願された中国出願第２０２０１０８６１９２４．６号の優先権を主張する。

本開示は、タッチパネル、タッチパネルの製造方法、及び前記タッチパネルを備える装置に関する。

近年、透明導電体は光を透過し、適切な導電性を提供することができるため、透明導電体は多くのディスプレイ又はタッチ関連装置にしばしば適用される。一般に、透明導電体は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）膜、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）膜等の各種金属酸化物からなる膜であってもよい。しかしながら、これらの金属酸化物膜は、ディスプレイ装置の柔軟性要件を満たすことができない。このため、例えばナノスケールの材料からなる透明導電体等、様々なフレキシブル透明導電体が開発されている。

しかし、上記ナノスケール材料のプロセス技術には解決すべき多くの問題がある。例えば、ナノワイヤを用いてタッチ電極を作製する場合、タッチ電極は周辺領域の金属トレースに接続する必要があり、タッチ電極とトレースとが接続される重複領域は周辺領域のサイズを小さくすることができない。その結果、周辺領域の幅が大きすぎて、狭幅ベゼルのディスプレイの要求を満たすことができない。別の例として、光学的効果を考慮するために、抵抗性容量負荷（ＲＣ荷重）値（the resistive capacitive Loading （RC Loading） Value）は、ナノワイヤで作られたタッチ電極についてより大きく、これは、一般的な用途には都合が悪い。

本開示のいくつかの実施形態によれば、タッチパネルは、基板、周辺配線、及び第１のタッチセンシング電極を備える。基板は、可視領域と周辺領域とを有する。周辺配線は、基板の周辺領域上に配置される。第１のタッチセンシング電極は、基板の可視領域上に配置され、周辺配線に電気的に接続され、複数の第１の細線によって形成されたメッシュパターンを有する。周辺配線及び第１のタッチセンシング電極のそれぞれは、複数の導電性ナノ構造体と、各導電性ナノ構造体上に付加されたフィルム層とを含み、各導電性ナノ構造体とフィルム層との界面は実質的に被覆構造を有する。

本開示のいくつかの実施態様において、被覆構造は、めっき層を含み、めっき層は、導電性ナノ構造体のそれぞれとフィルム層との界面を完全に被覆する。

本開示のいくつかの態様において、フィルム層は、隣接する導電性ナノ構造体の間に充填され、フィルム層は、単独で存在する被覆構造を有さない。

本開示のいくつかの実施形態では、導電性ナノ構造体のそれぞれは、金属ナノワイヤを含み、被覆構造は、金属ナノワイヤとフィルム層との界面を完全に覆い、被覆層は、金属ナノワイヤとフィルム層との界面上に均一に形成される。

本開示のいくつかの実施態様において、被覆構造は、導電性材料からなる層状構造、島状突出構造、点状突出構造、又はこれらの組み合わせである。

本開示のいくつかの実施態様において、導電性材料は、銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、又はそれらの合金を含む。

本開示のいくつかの実施態様において、被覆構造は、１つの金属材料若しくは合金材料からなる単層構造、又は２つ以上の金属材料若しくは合金材料からなる二層構造若しくは多層構造である。

本開示のいくつかの実施態様において、被覆構造は、無電解銅めっき層、電解銅めっき層、無電解銅－ニッケルめっき層、無電解銅－銀めっき層、又はこれらの組み合わせである。

本開示のいくつかの態様において、導電性ナノ構造体、フィルム層、及び被覆構造のそれぞれは、第１の細線のそれぞれに位置する。

本開示のいくつかの実施形態では、第１の細線のそれぞれの線幅は１μｍから１０μｍの間であり、隣接する第１の細線の間の間隔は１μｍから１０μｍの間である。

本開示のいくつかの実施形態では、基板は、互いに対向しない第１の表面及び第２の表面を有し、第１のタッチセンシング電極は、基板の第１の表面上に配置される。タッチパネルは、基板の第２の表面上及び可視領域上に配置された第２のタッチセンシング電極をさらに備え、第２のタッチセンシング電極は、複数の第２の細線によって形成されたメッシュパターンを有する。

本開示のいくつかの態様において、第２のタッチセンシング電極は、導電性ナノ構造体と、導電性ナノ構造体のそれぞれの上に付加されたフィルム層とを含み、導電性ナノ構造体とフィルム層との界面は、実質的に被覆構造を有する。

本開示のいくつかの実施形態では、第１の細線によって形成されたメッシュパターンは、第２の細線によって形成されたメッシュパターンと完全には重複していない。

本開示のいくつかの他の実施形態によれば、タッチパネルの製造方法は、可視領域及び周辺領域を有する基板を提供すること；可視領域及び周辺領域上に複数の導電性ナノ構造体を配置して導電層を形成すること；導電層上にフィルム層を付加し、フィルム層を予備硬化状態又は不完全硬化状態にすること；パターン化工程を実行すること；及び、前記可視領域及び前記周辺領域に位置する前記導電性ナノ構造体の表面に、前記導電性ナノ構造体と前記フィルム層との界面が実質的に被覆構造を有するように、被覆構造を形成する修飾工程を実行することを備える。前記パターン化工程は、可視領域上の導電層及びフィルム層をパターン化して、複数の細線が交錯するメッシュパターンを有するタッチセンシング電極を形成する工程；及び周辺領域の導電層とフィルム層をパターン化して周辺配線を形成する工程を備える。

本開示のいくつかの実施形態において、パターン化工程は、修飾工程の前又は後に実施される。

本開示のいくつかの実施態様において、可視領域及び周辺領域上の導電層及びフィルム層のパターン化は、同一のプロセスで行われる。

本開示のいくつかの態様において、修飾工程は、無電解めっき液がフィルム層に浸透して導電性ナノ構造体に接触し、各導電性ナノ構造体の表面に金属が析出するように、無電解めっき液にフィルム層及び導電性ナノ構造体を浸漬する工程を備える。

本開示のいくつかの態様において、被覆構造は、導電性ナノ構造体のそれぞれの表面に沿って形成され、導電性ナノ構造体のそれぞれとフィルム層との界面上に位置する。

本開示のいくつかの実施態様において、導電層上にフィルム層を付加することは、導電層上にポリマーをコーティングすること；及びポリマーが予備硬化状態又は不完全硬化状態に達するように硬化条件を制御することを備える。

本開示のいくつかの実施態様において、導電層上にフィルム層を付加することは、導電層上にポリマーをコーティングすること；及びポリマーが予備硬化状態又は不完全硬化状態に達するように硬化条件を制御することを備え、ここで、予備硬化状態又は不完全硬化状態においてフィルム層が第１層領域と第２層領域とを有し、第２層領域の硬化状態が第１層領域の硬化状態よりも大きくなるように硬化条件を制御する。

本開示のいくつかの態様において、第１層領域において、被覆構造は、導電性ナノ構造体のそれぞれの表面に沿って形成され、導電性ナノ構造体のそれぞれとフィルム層との界面上に位置する。

本開示のいくつかの実施態様において、硬化条件を制御する工程は、ガスを導入する工程と、第１層領域におけるガスの濃度及び第２層領域におけるガスの濃度を制御する工程とを備える。

本開示のいくつかの実施態様において、修飾工程は、無電解めっき工程、電解めっき工程、又はこれらの組合せを備える。

本開示のいくつかの他の実施形態によれば、装置は、上述のタッチパネルを備える。

本開示のいくつかの実施形態において、装置は、ディスプレイ、携帯電話、タブレット、ウェアラブルデバイス、カーデバイス、ノートブック、又は偏光子（polarizer）を備える。

本開示の前述した実施形態によれば、本開示のタッチパネルにおいて、周辺領域に位置する周辺配線と、可視領域に位置するタッチセンシング電極とが共に、修飾された金属ナノワイヤで形成されているので、タッチパネルの表面抵抗を効果的に低減して、タッチパネルの導電性を高めることができ、タッチパネルの抵抗性容量負荷値を低減することができる。一方、可視領域上のタッチセンシング電極は、複数の細線によって形成されたメッシュパターンを有するので、タッチセンシング電極は、可視領域の光透過率が、修飾された金属ナノワイヤによって影響されることを防止することができる。その結果、タッチパネルの可視領域は良好な光学特性を有する。さらに、本開示のタッチパネルにおける周辺配線電極及びタッチセンシング電極は両方とも、修飾された金属ナノワイヤから作られているので、修飾工程は、タッチパネルの製造プロセスの間のマスクの使用を節約するために、表面全体で行うことができ、それによって、マスクの使用に起因する位置合わせ誤差を回避する。換言すれば、本開示では、周辺配線及びタッチセンシング電極に修飾工程を行う際にアライメントを行う必要がないため、アライメント誤差のためのスペースを確保する必要がない。その結果、タッチパネルの周辺領域の幅を小さくすることができ、ベゼル（bezel）の狭いディスプレイの要求を満たすことができる。

添付の図面を参照して、以下の実施形態の詳細な説明を読むことによって、本開示をより完全に理解することができる。
図１Ａは、本開示のいくつかの実施形態に係る、異なる工程における金属ナノワイヤの修飾方法を図示する概略断面図である。 図１Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に係る、異なる工程における金属ナノワイヤの修飾方法を図示する概略断面図である。 図１Ｃは、本開示のいくつかの実施形態に係る、異なる工程における金属ナノワイヤの修飾方法を図示する概略断面図である。 図２Ａは、本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルを示す概略上面図である。 図２Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に係る、線２Ｂ－２Ｂに沿って切断された図２Ａのタッチパネルを図示する概略断面図である。 図３Ａは、本開示のいくつかの実施形態による、異なる工程におけるタッチパネルの製造方法を示す概略断面図である。 図３Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、異なる工程におけるタッチパネルの製造方法を示す概略断面図である。 図３Ｃは、本開示のいくつかの実施形態による、異なる工程におけるタッチパネルの製造方法を示す概略断面図である。 図３Ｄは、本開示のいくつかの実施形態による、異なる工程におけるタッチパネルの製造方法を示す概略断面図である。 図４は、本開示のいくつかの他の実施形態によるタッチパネルを示す概略断面図である。 図５Ａは、本開示のいくつかの他の実施形態によるタッチパネルを示す概略上面図である。 図５Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、線５Ｂ－５Ｂに沿って切断された図５Ａのタッチパネルを示す概略断面図である。

以下、添付図面に例示されている本発明の実施形態を詳細に参照する。可能な限り、図面及び説明において同一の参照番号を使用して同一又は類似の部分を参照する。

さらに、「下方」又は「底部」及び「上方」又は「上部」等の相対的な用語を本明細書で使用して、図に示されるように、ある要素と別の要素との間の関係を記述することができる。相対的な用語は、図に示されているもの以外のデバイスの異なる向きを含むことが意図されることを理解されたい。例えば、ある図の装置がひっくり返されると、他の要素の「下方」側にあると記載された要素は、他の要素の「上方」側に配向される。したがって、例示的な用語「下方」は、図面の特定の向きに応じて、「下方」及び「上方」の向きを含み得る。同様に、ある図の装置がひっくり返されると、他の要素の「底部」にあると記載された要素は、他の要素の「上部」に配向される。したがって、例示的な用語「底部」は、「上部」及び「底部」の向きを含み得る。

さらに、本明細書で使用される場合、「程度（around）」、「約（about）」、又は「おおよそ（approximately）」は、一般に、所定の値又は範囲の２０％以内、好ましくは１０％以内、より好ましくは５％以内を意味するものとする。本明細書に記載されている数値は近似的なものであり、「程度」、「約」、又は「おおよそ」という用語は、明示的に記載されていなければ、推論することができることを意味する。

本開示において使用される「導電性ナノ構造体」は、一般的にナノ構造を含む層又はフィルムを意味し、導電性ナノ構造体の表面抵抗は、約５００Ω／ｓｑ．未満、好ましくは約２００Ω／ｓｑ．未満、より好ましくは約１００Ω／ｓｑ．未満であってもよいことが理解されるべきである。前記「ナノ構造」とは、一般に、ナノメートルサイズの構造体をいい、例えば、ナノ構造体は、ナノスケールの少なくとも一方向の寸法（線径、長さ、幅、太さ等）を有し、ナノスケールの線状構造体、柱状構造体、シート構造体、メッシュ構造体、管状構造体、又はこれらの組み合わせである。

本発明は、導電性ナノ構造体（例えば、金属ナノワイヤ）の修飾方法、及び該修飾導電性ナノ構造体を用いて製造されたタッチパネル及び装置を提供する。説明を明瞭かつ簡便にするために、本開示では、導電性ナノ構造体の修飾方法を最初に説明し、金属ナノワイヤを一例として取り上げる。

図１Ａ～図１Ｃは、本開示のいくつかの実施形態に係る、異なる工程における金属ナノワイヤの修飾方法を図示する概略断面図である。図１Ａを参照すると、まず、基板１１０が提供され、金属ナノワイヤ１２２が、基板１１０の表面上に被覆され、金属ナノワイヤ層１２０を形成する。金属ナノワイヤ層１２０は、例えば、限定ではないが、銀ナノワイヤ層、金ナノワイヤ層、又は銅ナノワイヤ層とすることができる。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１２２を含む分散液又はスラリー（dispersion or slurry）を、基板１１０上にコーティングし、硬化／乾燥させて、金属ナノワイヤ１２２を基板１１０の表面に付着させ、基板１１０上に配置された金属ナノワイヤ層１２０を形成することができる。前述の硬化／乾燥工程の後、分散液又はスラリーの溶媒が揮発し、金属ナノワイヤ１２２を基板１１０の表面上にランダムに分布させることができ、好ましくは、金属ナノワイヤ層１２０を形成するため、金属ナノワイヤ１２２を脱落させることなく基板１１０の表面上に固定することができる。金属ナノワイヤ層１２０の金属ナノワイヤ１２２は、互いに接触して連続的な電流経路を提供し、導電性ネットワークを形成することができる。すなわち、金属ナノワイヤ１２２は、その交差（重なり）位置において互いに接触し、電子を転送する経路を形成する。銀ナノワイヤを例にとると、１つの銀ナノワイヤともう１つの銀ナノワイヤは、それらの交差位置で直接接触を形成し、電子を移動させるための低抵抗経路を形成することができる。いくつかの実施態様において、領域又は構造の表面抵抗が約１０^８Ω／ｓｑ．より大きいとき、その領域又は構造は電気的に絶縁されているとみなすことができ、好ましくは約１０^４Ω／ｓｑ．、約３０００Ω／ｓｑ．、約１０００Ω／ｓｑ．、約３５０Ω／ｓｑ．又は約１００Ω／ｓｑ．より大きいとき、その領域又は構造は電気的に絶縁されているとみなすことができる。いくつかの実施態様において、銀ナノワイヤから形成される銀ナノワイヤ層の表面抵抗は、約１００Ω／ｓｑ．未満である。

図１Ｂを参照すると、次に、フィルム層１３０が金属ナノワイヤ１２２を覆うように配置され、フィルム層１３０の硬化度が制御される。いくつかの実施形態では、流体状態／流体特性を有するポリマーが金属ナノワイヤ１２２に浸透して充填剤（filler）を形成できるように、適切なポリマーを金属ナノワイヤ１２２上にコーティングすることができる。その結果、金属ナノワイヤ１２２は、フィルム層１３０内に埋め込まれ、複合構造体２２０を形成する。一方、ポリマーのコーティング又は硬化条件（例えば、温度及び／又は光硬化パラメータ）は、ポリマーが予備硬化状態又は不完全硬化状態に達するように、又はさらにフィルム層１３０が異なる硬化度を有するように制御されてもよい。例えば、下部領域（すなわち、基板１１０に近い領域）におけるフィルム層１３０の硬化度は、上部領域（すなわち、基板１１０より遠い領域）におけるフィルム層１３０の硬化度よりも大きくなるように調整されてもよく、上部領域は、前述の予備硬化状態又は不完全硬化状態となる。換言すれば、この工程では、フィルム層１３０が金属ナノワイヤ１２２上に加えられ、金属ナノワイヤ１２２が、予備硬化状態又は不完全硬化状態でフィルム層１３０内に埋め込まれて複合構造体２２０を形成するように、ポリマーが被覆される。

いくつかの実施態様において、フィルム層１３０は、絶縁材料を含むことができる。例えば、絶縁材料は、非導電性樹脂又は他の有機材料、例えば、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリ（シリコン－アクリル）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレンコポリマー、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（スチレンスルホン酸）、又はセラミック材料であってもよいが、これらに限定されない。いくつかの実施態様において、フィルム層１３０は、スピンコーティング、スプレーコーティング、印刷又はそれらの組合せによって形成されてもよい。いくつかの実施形態では、フィルム層１３０の厚さは、約２０ｎｍ～約１０μｍ、約５０ｎｍ～約２００ｎｍ、又は約３０ｎｍ～約１００ｎｍとすることができる。例えば、フィルム層１３０の厚さは、約９０ｎｍ又は１００ｎｍとすることができる。本開示を簡潔かつ明確に説明するために、金属ナノワイヤ層１２０及びフィルム層１３０は、図１Ｂにおいて１つの構造層として示されるが、本開示は、この点に関して限定されないことを理解されたい。また、金属ナノワイヤ層１２０及びフィルム層１３０は、他のタイプの構造層（例えば、積層構造）に組み合わされてもよい。

いくつかの実施態様において、ポリマーの硬化度を制御する方法は、異なるエネルギーの硬化条件を利用して、フィルム層１３０を予備硬化状態又は不完全硬化状態にすることによって実施されてもよい。フィルム層１３０の硬化の程度は、硬化中のフィルム層１３０の結合の変化に基づいて決定することができる。すなわち、フィルム層の硬化度は、フィルム層１３０の接着強度と完全硬化フィルム層１３０の接着強度との比（これは、本実施形態ではパーセンテージで表される。）として定義することができる。例えば、市販品のフィルム材料では、完全硬化を達成するためには、約５００ｍＪの光エネルギーを低酸素環境で約４分間使用する必要がある。しかし、本実施形態では、低酸素環境下で約５００ｍＪの光エネルギーを約２分間使用しており、赤外分光法で測定した接着強度は完全硬化フィルム層１３０の接着強度の約９５％であり、硬化度が全硬化量の約９５％に達していることを示している。したがって、この硬化条件で得られるフィルム層１３０の硬化状態は、全硬化量の約９５％となる。

いくつかの実施態様において、フィルム層１３０は、異なる深さ（すなわち、厚さ）で異なる硬化状態を有するように制御することができる。具体的には、フィルム層１３０の硬化時に、フィルム層１３０の上下でガス濃度が異なるガスを導入することにより、フィルム層１３０の上部での硬化反応時に「ガスが硬化を止める」現象が生じ、フィルム層１３０が硬化度の異なる第１層領域と第２層領域とを有するようになる。例えば、第２層領域は、フィルム層１３０の底部に位置し、より硬化度の高い領域であってもよく、第１層領域は、フィルム層１３０の上部に位置し、より硬化度の低い領域であってもよい。いくつかの実施態様において、硬化中に、導入されたガス（例えば酸素）及び／又は所定の硬化エネルギーの濃度を制御して、フィルム層１３０が異なる深さで異なる硬化状態を有するようにすることができる。いくつかの実施態様において、ガス濃度は、例えば、約２０％、約１０％、約３％又は約１％未満であってよく、硬化エネルギーは、フィルム層１３０の材料に従って選択することができ、例えば、約２５０ｍＪと約１０００ｍＪとの間の紫外線エネルギーである。いくつかの実施態様において、ガス濃度が高いほど、「酸素が硬化を止める」現象がフィルム層１３０の上部においてより顕著に生じる。その結果、第１層領域の厚さが厚くなり、第２層領域の厚さが薄くなる。例えば、第１層領域の厚さに対応する導入ガスの濃度は、大から小へ順に約２０％、約１０％、約３％、約１％未満である。いくつかの実施態様において、導入された酸素の濃度が約２０％であり、加えられた硬化エネルギーが約５００ｍＪである場合、第１層領域の硬化度は約６０％であり、第１層領域の厚さは約２３．４ｎｍである（すなわち、第１層領域の厚さは、フィルム層１３０の全厚さの約１２％である）。第２層領域の硬化度は約９９％～約１００％であり、第２層領域の厚さは約１６８．１ｎｍである（すなわち、第２層領域の厚さは、フィルム層１３０の全厚さの約８８％である）。いくつかの実施態様において、導入された酸素の濃度が約２０％であり、加えられた硬化エネルギーが約１０００ｍＪである場合、第１層領域の厚さは約８．８ｎｍであり（すなわち、第１層領域の厚さは、フィルム層１３０の全厚さの約５％であり）、第２層領域の厚さは約１９５．９ｎｍである（すなわち、第２層領域の厚さは、フィルム層１３０の全厚さの約９５％である）。

本開示は、金属ナノワイヤ１２２上に付加されるフィルム層１３０に焦点を合わせ、また、フィルム層１３０の硬化度又は硬化深さを制御することに焦点を合わせ、これにより、被覆構造１４０（図１Ｂには示されていないが、代わりに図１Ｃに示されている）を金属ナノワイヤ１２２の表面に沿って成長させ、金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との界面上に形成させることができる（以下に詳述する）ことに留意してほしい。金属ナノワイヤ１２２を含む分散液又はスラリーを被覆する前述の工程において、分散液又はスラリーは、ポリマー及び類似の組成物も含むことができるが、これは本開示のキーポイントではない。いくつかの実施態様において、フィルム層１３０の硬化の程度は、約０％、約３０％、約６０％、約７５％、約９５％、約９８％、約０％～約９５％、約０％～約９８％、約９５％～約９８％、約６０％～約９８％、又は約６０％～約７５％で制御することができる。以上のように、本発明における「予備硬化（pre-cured）、又は不完全硬化（incompletely cured）」とは、「フィルム層の接着強度が完全硬化フィルム層の接着強度と異なること」と定義することができる。すなわち、フィルム層の接着強度と完全硬化フィルム層の接着強度との比が１００％でない場合には、本開示の範囲に入る。

図１Ｃを参照すると、次に、修飾工程が行われ、複数の修飾金属ナノワイヤ１２２を含む金属ナノワイヤ層１２０が形成される。具体的には、修飾工程によって、修飾前の金属ナノワイヤ１２２の少なくとも一部は、被覆構造１４０がその表面上に形成されるように修飾され、それによって、修飾金属ナノワイヤ１２２を形成する。図１Ｂ及び図１Ｃにおける修飾の前及び後に金属ナノワイヤ１２２を表すためにそれぞれ異なるパターンが使用され、図１Ｂ及び図１Ｃに示されるパターンは、修飾の前及び後にそれぞれ金属ナノワイヤ１２２を表すために、以下の図において直接使用されることに理解されたい。いくつかの実施態様において、被覆構造１４０は、無電解めっき／電解によって形成することができ、被覆構造１４０は、例えば、導電性材料を含む、層状構造、島状突出構造、点状突出構造、又はそれらの組み合わせとすることができる。いくつかの実施態様において、導電性材料は、銀、金、白金、ニッケル、銅、イリジウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、前記材料を含む合金、又は前記材料を含まない合金を含むことができる。いくつかの実施形態では、被覆構造１４０の被覆率は、金属ナノワイヤ１２２の総表面積の約８０％超、約９０％～約９５％、約９０％～約９９％、又は約９０％～１００％とすることができる。被覆構造１４０の被覆率が１００％であると言われる場合、それは、初期金属ナノワイヤ１２２の表面が完全に露出していないことを意味することを理解されたい。いくつかの実施態様において、被覆構造１４０は、無電解銅めっき層、電解銅めっき層又は無電解銅－ニッケル合金めっき層のような１つの導電性材料で構成された単層構造であってもよい。又は、被覆構造１４０は、二層又は２以上の導電材料からなる多層構造であってもよく、例えば、最初に無電解銅めっき層を形成し、その後に無電解銀めっき層を形成する。

いくつかの実施態様において、無電解銅めっき液（銅イオン溶液、キレート剤、アルカリ剤、還元剤、緩衝剤、安定剤等）を調製してもよく、金属ナノワイヤ１２２及びフィルム層１３０を無電解銅めっき液に浸漬してもよい。無電解銅めっき液は、予備硬化状態のフィルム層１３０又は不完全硬化状態のフィルム層１３０に浸透し、毛細管現象により金属ナノワイヤ１２２の表面に接触することができる。同時に、金属ナノワイヤ１２２は、触媒点又は核形成点として作用して銅の析出を促進し、無電解銅めっき層を金属ナノワイヤ１２２上に堆積させて被覆構造１４０を形成することができる。被覆構造１４０は、各金属ナノワイヤ１２２の初期形状に応じて実質的に成長し、修飾時間が長くなるにつれて、各金属ナノワイヤ１２２を被覆する構造を形成する。対照的に、金属ナノワイヤ１２２が存在しない複合構造体２２０には銅の析出はない。すなわち、十分に制御することによって、被覆構造１４０全体が、各金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との界面に形成され、フィルム層１３０は、金属ナノワイヤ１２２の表面に接触せずに単独で存在する被覆構造１４０を有さない。したがって、修飾工程の後、導電性ネットワークの各金属ナノワイヤ１２２は、被覆構造１４０によって覆われ、被覆構造１４０は、各金属ナノワイヤ１２２及びフィルム層１３０によって形成される界面上に位置する。換言すれば、被覆構造１４０は、各金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との間にある。被覆構造１４０と、被覆構造１４０によって被覆される各金属ナノワイヤ１２２とは、一体とみなすことができ、当該一体と当該一体との間のギャップは、フィルム層１３０の材料によって占有される。

いくつかの実施態様において、フィルム層１３０及び無電解めっき液／電解液は、互いに適合する材料を含むことができる。例えば、非アルカリ耐性ポリマーを用いてフィルム層１３０を形成する場合には、無電解めっき液をアルカリ溶液とすることができる。したがって、この工程では、前述したフィルム層１３０の予備硬化状態又は不完全硬化状態を利用することに加えて、無電解めっき液を利用して、予備硬化状態又は不完全硬化状態のフィルム層１３０を攻撃（エッチングに似ている）し、前述した修飾工程を容易にすることができる。

以下、修飾工程の原理について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。金属ナノワイヤ１２２及びフィルム層１３０が無電解めっき液／電解質溶液に浸漬される初期期間において、溶液は、まず、予備硬化状態の又は不完全硬化状態のフィルム層１３０を攻撃する。溶液が金属ナノワイヤ１２２に接触すると、金属イオン（例えば銅イオン）は、金属ナノワイヤ１２２（例えば、銀ナノワイヤ）を種結晶として成長を開始し、浸漬時間が増加するにつれて、金属ナノワイヤ１２２の表面上に前述の被覆構造１４０へとさらに成長する。一方、フィルム層１３０は、上述の反応プロセスにおいて、制御層又は制限層として作用して、各金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との界面における被覆構造１４０の成長を制限し、被覆構造１４０が均一に成長するように制御することができる。このようにして、本開示の修飾金属ナノワイヤ１２２は、信号を感知／送信する際に、より良好な整合性を有することができる。

一部の実施形態では、その後、硬化工程を実行して、光、熱、又は他の方法を使用してフィルム層１３０を完全に硬化させることができる。上述した修飾工程では、被覆構造１４０は、金属ナノワイヤ１２２の表面に形成され、金属ナノワイヤ１２２の表面全体を覆って外側に成長する。いくつかの実施態様において、高導電性材料を採用して、被覆構造１４０を形成することができる。例えば、銅は、銀ナノワイヤの表面を覆う被覆構造１４０の材料として採用され、被覆構造１４０は、銀ナノワイヤのそれぞれとフィルム層１３０との界面上に配置される。銀の導電率は銅の導電率よりも高いが、銀ナノワイヤ層の全体の導電率は、銀ナノワイヤのそれぞれのサイズ及びそれらの接触状態等の要因により、より低い（しかし、電気信号を伝達するのに十分な抵抗はもっと低い）ことに留意されたい。修飾工程の後、被覆構造１４０（すなわち、修飾された金属ナノワイヤ１２２）によって被覆される銀ナノワイヤの導電率は、修飾されていない銀ナノワイヤの導電率よりも高い。換言すれば、修飾金属ナノワイヤ層１２０は、低抵抗導電層を形成することができる。修飾されていない金属ナノワイヤ層１２０と比較して、修飾金属ナノワイヤ層１２０の表面抵抗は、約１００倍から約１万倍に低減され得る。上述の導電層は、可撓性分野における導電性基板、無線充電コイル、又はアンテナ構造等の様々な用途のための電極構造を作製するために使用され得る。具体的には、電極構造は、金属ナノワイヤ１２２と、金属ナノワイヤ１２２をさらに被覆するフィルム層１３０とを少なくとも含むことができ、各金属ナノワイヤ１２２の表面の少なくとも一部又は全体（すなわち、金属ナノワイヤ１２２の、フィルム層１３０に対応する界面）は、被覆構造１４０（すなわち、被覆層）を有する。被覆層を導入することにより、金属ナノワイヤ層１２０の導電性を高めることができる。いくつかの実施態様において、銅材料は、各金属ナノワイヤ１２２の表面（すなわち、金属ナノワイヤ１２２の、フィルム層１３０に対応する界面）に沿って成長するため、観察される銅の形状は、めっき後の各金属ナノワイヤ１２２の初期形状（例えば、線形構造）と極めて類似しており、銅は、均一に成長して、類似のサイズ（例：厚さ）を有する外層構造を形成する。

本開示の前述の方法は、ディスプレイと一体化されたタッチパネルのようなタッチパネルの製造に適用することができるが、これに限定されない。より具体的には、図２Ａ及び図２Ｂを参照する。図２Ａは、本開示のいくつかの実施形態に係るタッチパネル１００を図示する概略上面図であり、図２Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に係る線２Ｂー２Ｂに沿って切断された図２Ａのタッチパネル１００を図示する概略断面図である。いくつかの実施態様において、タッチパネル１００は、基板１１０、周辺配線１５０、及びタッチセンシング電極１７０を含むことができる。基板１１０は、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０を支持するように構成され、例えば、硬質透明基板又は可撓性透明基板であってもよい。いくつかの実施態様において、基板１１０の材料は、ガラス、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、無色ポリイミド、又はそれらの組合せ等の透明材料を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施態様において、前処理工程を基板１１０の表面上に実施することができ、例えば、表面改質プロセスを実施するか、又は接着層若しくは樹脂層を基板１１０の表面上に追加的に被覆して、基板１１０と金属ナノワイヤ１２２との間の接着性を高める。また、基板１１０は、可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡとを有し、周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの側部に配置されており、例えば、周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの周囲（すなわち、車両の右側、左側、上側及び下側を含めて、）に配置された枠状の領域であってもよいし、周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの左側及び下側に配置されたＬ字状の領域であってもよい。

いくつかの実施態様において、周辺配線１５０が周辺領域ＰＡ上に略位置し、タッチセンシング電極１７０が可視領域ＶＡ上に略位置する。周辺配線１５０とタッチセンシング電極１７０とが可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡとのほぼ境界で接触して電気的に接続され、可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡとの間に電子伝達経路を形成する。いくつかの実施態様において、タッチセンシング電極１７０が単層構成となっており、タッチパネル１００がタッチセンシング電極１７０の静電容量値の変化を検出することでタッチ位置を得ることができる。周辺配線１５０は、タッチセンシング信号又は他の信号の伝送のために外部コントローラに接続されてもよい。いくつかの実施態様において、タッチセンシング電極１７０は、縒り合されないで（non-interlaced manner）配置される。例えば、タッチセンシング電極１７０は、第１の方向Ｄ１に沿って延びる帯状電極であってもよく、複数の当該帯状電極は、第１の方向Ｄ１と直交する第２の方向Ｄ２に沿って等間隔に配置されてもよい。ただし、タッチセンシング電極１７０の形状や配置はこれに限定されるものではない。他の実施形態では、タッチセンシング電極１７０は、他の適切な形状及び配置を有してもよい。

いくつかの実施態様において、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０は、修飾金属ナノワイヤ１２２（本明細書で参照される「修飾金属ナノワイヤ１２２」は、金属ナノワイヤ１２２と、その表面を覆う被覆構造１４０とを含む）を含む。具体的には、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０のそれぞれは、金属ナノワイヤ１２２及び金属ナノワイヤ１２２上に付加されたフィルム層１３０を含み、各金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との界面は、実質的に被覆構造１４０を有する。具体的には、上述した修飾金属ナノワイヤ１２２と、修飾金属ナノワイヤ１２２上に付加されたフィルム層１３０とをパターン化して、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０を形成する。このようにして、電子は、周辺配線１５０内、タッチセンシング電極１７０内、タッチセンシング電極１７０から周辺配線１５０へ、又は周辺配線１５０からタッチセンシング電極１７０へ、互いに隣接して接触している修飾金属ナノワイヤ１２２を介して伝達され得る。被覆構造１４０を金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との界面上に形成することによって、修飾金属ナノワイヤ１２２が形成される。修飾金属ナノワイヤ１２２を使用して、周辺配線１５０及びタッチパネル１００のタッチセンシング電極１７０を製造することによって、タッチパネル１００の表面抵抗を効果的に低減して、タッチパネル１００の導電性を高めることができ、タッチパネル１００の抵抗性容量負荷（ＲＣ荷重）値を効果的に低減することができる。いくつかの実施態様において、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２（すなわち、金属ナノワイヤ１２２は、その表面上に被覆構造１４０を有さない）で構成されるタッチセンシング電極１７０と比較して、修飾金属ナノワイヤ１２２で構成されるタッチセンシング電極１７０の抵抗性容量負荷値は、約１０％～約５０％減少する。

いくつかの実施態様において、タッチセンシング電極１７０は、複数の細線Ｌによって形成されるメッシュパターンを有する。具体的には、修飾金属ナノワイヤ１２２及び修飾金属ナノワイヤ１２２上に付加されるフィルム層１３０は、パターン化されて、複数の細線Ｌによって形成されるメッシュパターンを形成し、形成されるメッシュパターンは、タッチセンシング電極１７０の電極パターンである。換言すれば、修飾金属ナノワイヤ１２２及び修飾金属ナノワイヤ１２２上に付加されたフィルム層１３０は両方とも、タッチセンシング電極１７０のメッシュパターンの各細線Ｌ内に存在する。修飾金属ナノワイヤ１２２は被覆構造１４０を有するため、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２の光透過率（つまり、約４００ｎｍ～約７００ｎｍの波長を有する可視光の透過率）及びヘイズよりも低い光透過率及び高いヘイズを有することに注目されたい。タッチセンシング電極１７０をパターン化して、複数の細線Ｌによって形成されたメッシュパターンを形成することにより、修飾金属ナノワイヤ１２２がタッチセンシング電極１７０の光透過率及びヘイズに影響を与えることを防止し、タッチパネル１００の可視領域ＶＡが良好な光学特性を維持することができる。具体的には、本開示のメッシュパターンを有するタッチセンシング電極１７０は、タッチパネル１００の可視領域ＶＡを、ユーザのニーズを満たす約８８％を超える光透過率にすることができる。一方、本開示のメッシュパターンを有するタッチセンシング電極１７０は、タッチパネル１００の可視領域ＶＡを約３．０未満、好ましくは約２．５、約２．０、又は約１．５未満のヘイズを有するようにすることができる。

いくつかの実施態様において、各細線Ｌの線幅Ｗ１は、約１μｍ～約１０μｍであり、タッチセンシング電極１７０のより良好な光透過性及びパターン形成の利便性を提供する。具体的には、各細線Ｌの線幅Ｗ１が約１０μｍより大きいと、タッチセンシング電極１７０の光線透過率が悪くなり、タッチパネル１００の可視領域ＶＡの光学特性に影響を及ぼすおそれがある。各細線Ｌの線幅Ｗ１が１μｍ未満であると、パターン化の難易度が高くなり、製造工程に不都合が生じるおそれがある。いくつかの実施態様において、隣接する細線Ｌ間の距離Ｘ１（すなわち、線間隔Ｘ１）は、約１μｍ～約１０μｍであり、タッチセンシング電極１７０に良好な光透過率及び導電性を与える。具体的には、線間隔Ｘ１が１０μｍを超えると、メッシュパターンの配置が疎になりすぎて電子伝達経路が不足し、タッチセンシング電極１７０の表面抵抗が大きくなりすぎ、導電性が低くなりすぎる。線間隔Ｘ１が約１μｍ未満であると、メッシュパターンの配置が密集しすぎて、タッチセンシング電極１７０の光透過率が低くなり、タッチパネル１００の可視領域ＶＡが示す光学特性に影響を及ぼす。一部の実施形態では、細線Ｌは等間隔に配置されてもよい。つまり、各メッシュは同じサイズ（例えば、長さと幅）にすることができる。いくつかの実施形態では、各メッシュの形状は、例えば、長方形、正方形、ダイヤモンド、又は他の適切な形状とすることができる。以上の構成により、本開示のタッチセンシング電極１７０は、光透過性が良好であるだけでなく、導電性も良好である。具体的には、本開示のメッシュパターンを有するタッチセンシング電極１７０は、タッチパネル１００の可視領域ＶＡの表面抵抗を、約８Ω／ｓｑ．と約４２Ω／ｓｑ．の間にすることができる。非修飾金属ナノワイヤ１２２によって形成されたタッチパネルの可視領域ＶＡの表面抵抗と比較して、修飾金属ナノワイヤ１２２によって形成されたタッチパネル１００の可視領域ＶＡの表面抵抗は、約２０％から約３０％減少する。

いくつかの実施態様において、周辺配線１５０の線幅Ｗ２は、約８μｍ～約１０μｍであり、周辺配線１５０が良好な導電性を有し、パターン形成の利便性を提供する。具体的には、周辺配線１５０の線幅Ｗ２が約８μｍ未満であると、周辺配線１５０の表面抵抗が大きくなりすぎ、導電率が低くなりすぎ、線幅Ｗ２が約８μｍ未満であると、パターン化が難しくなり、製造工程に不都合が生じる。一部の実施形態では、周辺配線１５０の線幅Ｗ２は、タッチセンシング電極１７０の各細線Ｌの線幅Ｗ１と同じになるように設計することができる。いくつかの実施形態では、隣接する周辺配線１５０間の距離Ｘ２（すなわち、線間隔Ｘ２）は、約５μｍ～約２０μｍ、好ましくは３μｍ～約２０μｍである。その結果、従来のタッチパネルと比較して、本開示のタッチパネル１００は、ベゼルサイズ（例えば、周辺領域ＰＡの幅）を約２０％以上低減し、したがって、ディスプレイの狭ベゼル要件が達成される。具体的には、本開示におけるタッチパネル１００の周辺領域ＰＡの幅は、約２ｍｍ未満であってもよい。以上の構成により、本発明の周辺配線１５０は良好な導電性を有することができる。具体的には、本開示の周辺配線１５０は、タッチパネル１００の周辺領域ＰＡの表面抵抗を約０．１０Ω／ｓｑ．と約０．１３Ω／ｓｑ．の間にすることができる。非修飾金属ナノワイヤ１２２によって形成されたタッチパネルの周辺領域ＰＡの表面抵抗と比較して、修飾金属ナノワイヤ１２２によって形成されたタッチパネル１００の周辺領域ＰＡの表面抵抗は、約２０％から約５０％減少する。

図３Ａ～図３Ｄを参照すると、これらは、本開示のいくつかの実施形態に従った異なる工程におけるタッチパネル１００の製造方法を示す概略断面図であり、その断面の位置は図２Ｂの場合と同じである。タッチパネル１００の製造方法は、ステップＳ１０からステップＳ１６を含み、ステップＳ１０からステップＳ１６までを順次実行してもよい。ステップＳ１０では、所定の周辺領域ＰＡ及び所定の可視領域ＶＡを有する基板１１０が提供され、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２が基板１１０上に配置されて、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に金属ナノワイヤ層１２０が形成される。ステップＳ１２では、フィルム層１３０が修飾されていない金属ナノワイヤ１２２上に配置され、フィルム層１３０が修飾されていない金属ナノワイヤ１２２を覆うようになっており、フィルム層１３０は予備硬化状態又は不完全硬化状態にある。ステップＳ１４において、パターン化工程が行われ、パターン化された金属ナノワイヤ層１２０が形成され、周辺領域ＰＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０がパターン化されて周辺配線１５０が形成され、可視領域ＶＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０がパターン化されてタッチセンシング電極１７０が形成される。ステップＳ１６では、修飾工程を実行して、金属ナノワイヤ１２２上に被覆構造１４０を形成し、周辺領域ＰＡ上に位置する周辺配線１５０及び可視領域ＶＡ上に位置するタッチセンシング電極１７０のすべてが、修飾された金属ナノワイヤ１２２を含むようにする。以下の説明では、上述の工程についてより詳細に説明する。

図３Ａを参照すると、金属ナノワイヤ層１２０（例えば、銀ナノワイヤ層、金ナノワイヤ層、又は銅ナノワイヤ層）は、少なくとも金属ナノワイヤ１２２を含み、基板１１０の周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上を被覆する。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１２２を有する分散液又はスラリーを、コーティングによって基板１１０上に形成し、硬化／乾燥させて、金属ナノワイヤ１２２を基板１１０の表面に付着させ、基板１１０上に配置された金属ナノワイヤ層１２０を形成することができる。前述の硬化／乾燥工程の後、分散物又はスラリーの溶媒は揮発し、金属ナノワイヤ１２２は、基板１１０の表面上にランダムに分布され得る；又は、好ましくは、金属ナノワイヤ１２２は、脱落することなく基板１１０の表面に固定され、金属ナノワイヤ層１２０を形成することができる。金属ナノワイヤ層１２０の金属ナノワイヤ１２２は、互いに接触して連続的な電流経路を提供し、導電性ネットワークを形成することができる。換言すれば、金属ナノワイヤ１２２は、その交差位置において互いに接触し、電子を転送する経路を形成する。銀ナノワイヤを例にとると、一方の銀ナノワイヤと他方の銀ナノワイヤは、それらの交差位置（すなわち、銀－銀接触界面）で直接接触を形成し、低抵抗の電子移動経路を形成することができる。その後の修飾工程は、上述した「銀－銀接点」の低抵抗構造に影響を与えたり、変化させたりすることはなく、金属ナノワイヤ１２２の表面を高い導電性を有する被覆構造１４０でさらに被覆して、最終生成物の電気特性を改善する。

いくつかの実施態様において、分散液又はスラリーは、金属ナノワイヤ１２２が溶媒中に均一に分散するように溶媒を含む。具体的には、溶媒は、例えば、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン等。）、又はこれらの組み合わせである。いくつかの実施形態では、分散液は、金属ナノワイヤ１２２と溶媒との間の適合性及び溶媒における金属ナノワイヤ１２２の安定性を改善するために、添加剤、界面活性剤、及び／又は結合剤をさらに含んでもよい。具体的には、添加剤、界面活性剤及び／又は結合剤は、例えば、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒプロメロース、フルオロ界面活性剤、スルホコハク酸スルホン酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ジスルホン酸塩、又はそれらの組み合わせであってもよい。金属ナノワイヤ１２２を含む分散液又はスラリーは、限定されるものではないが、スクリーン印刷、スプレーコーティング、又はローラコーティング等のプロセス等の任意の方法で、基板１１０の表面上に塗布されてもよい。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１２２を含む分散物又はスラリーが、基板１１０の表面上に連続的に供給されてコーティングされるように、ロールツーロールプロセス（roll-to-roll process）が実施されてもよい。

本明細書で使用される文言「金属ナノワイヤ」は、集合名詞であり、複数の金属要素、金属合金、又は金属化合物（金属酸化物を含む）を含む金属ワイヤの集合を意味し、その中に含まれる金属ナノワイヤの数は、本開示の範囲に影響を及ぼさないことが理解されるべきである。いくつかの実施形態において、１つの金属ナノワイヤの断面サイズ（例えば、断面の直径）は、５００ｎｍ未満、好ましくは１００ｎｍ未満、より好ましくは５０ｎｍ未満であり得る。いくつかの実施態様において、金属ナノワイヤは、大きいアスペクト比（長さ：断面の直径）を有する。具体的には、金属ナノワイヤのアスペクト比は、１０と１００，０００との間であってもよい。より具体的には、金属ナノワイヤのアスペクト比は、１０より大きく、好ましくは５０より大きく、より好ましくは１００より大きくすることができる。さらに、絹、繊維、又は管のような他の用語も、同様に本開示の範囲内に入る上記の断面寸法及びアスペクト比を有する。

いくつかの実施形態では、導電性を向上させるために、金属ナノワイヤ１２２の交差位置における接触特性（例：接触面積の増加）を改善するために、金属ナノワイヤ１２２に対して後処理をさらに実施してもよい。後処理は、加熱、プラズマ提供、コロナ放電、紫外線提供、オゾン提供、又は加圧等の工程を備えることができるが、これらに限定されない。具体的には、金属ナノワイヤ層１２０を硬化させ／乾燥させて形成した後、ローラを用いて加圧してもよい。いくつかの実施形態では、一以上のローラを使用して、金属ナノワイヤ層１２０に圧力を加えることができる。いくつかの実施形態において、加えられる圧力は、約５０ｐｓｉ～約３４００ｐｓｉ、好ましくは約１００ｐｓｉ～約１０００ｐｓｉ、約２００ｐｓｉ～約８００ｐｓｉ、又は約３００ｐｓｉ～約５００ｐｓｉであり得る。いくつかの実施形態では、後処理の加熱及び加圧工程は、金属ナノワイヤ１２２上で同時に実施することができる。例えば、約１０ｐｓｉ～約５００ｐｓｉ（又は好ましくは約４０ｐｓｉ～約１００ｐｓｉの圧力）の圧力をローラによって加えることができ、ローラを約７０℃～約２００℃（又は好ましくは約１００℃～約１７５℃）まで加熱して、金属ナノワイヤ１２２の導電性を高めることができる。いくつかの実施形態において、金属ナノワイヤ１２２は、後処理のために還元剤に曝されてもよい。例えば、銀ナノワイヤを含む金属ナノワイヤ１２２は、好ましくは、後処理のために銀還元剤に曝されてもよい。一部の実施形態では、銀還元剤は、水素化ホウ素ナトリウム等の水素化ホウ素、ジメチルアミンボラン等のホウ素窒素化合物、又は水素等のガス還元剤を含むことができる。いくつかの実施形態において、曝露時間は、約１０秒～約３０分、好ましくは約１分～約１０分であり得る。上述の後処理により、金属ナノワイヤ１２２の交差位置における接触強度又は接触面積を増強して、金属ナノワイヤ１２２の交差位置における接触面が、修飾処理の影響を受けないようにすることができる。

次に、図３Ｂを参照する。フィルム層１３０は、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２上に配置され、その結果、フィルム層１３０は、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２を覆う。いくつかの実施態様において、コーティング後のフィルム層１３０内のポリマーは、金属ナノワイヤ１２２に浸透して充填剤を形成することができ、金属ナノワイヤ１２２は、フィルム層１３０に埋め込まれて、複合構造体２２０を形成する。言い換えると、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２は、フィルム層１３０に埋め込まれて、複合構造体２２０を形成する。いくつかの実施態様において、フィルム層１３０は、非導電性樹脂又は他の有機材料等の絶縁材料を含むことができる。いくつかの実施態様において、フィルム層１３０は、スピンコーティング、スプレーコーティング又は印刷によって形成されてもよい。いくつかの実施形態では、フィルム層１３０の厚さは、約２０ｎｍ～約１０μｍ、約５０ｎｍ～約２００ｎｍ、又は約３０ｎｍ～約１００ｎｍとすることができる。その後の修飾工程を効果的に実施するために、ポリマー（すなわち、フィルム層１３０）は、前述したように、予備硬化状態又は不完全硬化状態となる。

次に、図３Ｃを参照すると、パターン化工程は、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に位置する複合構造体２２０のパターンを画定して、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に位置する導電構造を形成するために実行される。いくつかの実施形態では、周辺領域ＰＡ上に形成されるパターン化された複合構造体２２０は、周辺配線１５０を形成することができ、可視領域ＶＡ上に形成されるパターン化された複合構造体２２０は、タッチセンシング電極１７０を形成することができる。周辺配線１５０とタッチセンシング電極１７０は、周辺領域ＰＡと可視領域ＶＡとの間の信号伝送のために互いに電気的に接続されてもよい。いくつかの実施形態では、可視領域ＶＡが良好な光透過率を有するように、可視領域ＶＡ上に位置する複合構造体２２０を、複数の縒り合された細線Ｌを有するメッシュパターンにパターン化することができる。パターン化工程の後、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０は、少なくとも、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２から形成される金属ナノワイヤ層１２０を備えることができる。

いくつかの実施態様において、複合構造体２２０をエッチングによってパターン化することができる。いくつかの実施態様において、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に位置する複合構造体２２０を同時にエッチングすることができ、エッチングマスク（例えばフォトレジスト）を使用して、同一のプロセスで、パターン化された複合構造体２２０を周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に同時に作製することができる。いくつかの実施態様において、複合構造体２２０の金属ナノワイヤ層１２０が銀ナノワイヤ層である場合、銀をエッチングできる構成要素を、エッチング液として選択することができる。例えば、エッチング溶液の主成分は、Ｈ_３ＰＯ_４（約５５％～約７０％の割合で）及びＨＮＯ_３（約５％～約１５％の割合で）であって、同一のプロセスで銀材料を除去することができる。他の実施形態では、エッチング液の主成分は、塩化第２鉄／硝酸（ferric chloride/nitric acid）又はリン酸／過酸化水素（phosphoric acid/hydrogen peroxide）であってもよい。

次に、図３Ｄを参照する。修飾工程は、複数の修飾金属ナノワイヤ１２２を含む金属ナノワイヤ層１２０を形成するために実行される。具体的には、修飾工程の後、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０の金属ナノワイヤ１２２の少なくとも一部が修飾され、被覆構造１４０が金属ナノワイヤ１２２の表面上に形成され、それによって、修飾金属ナノワイヤ１２２が形成される。いくつかの実施態様において、被覆構造１４０は、無電解めっきによって形成することができ、すなわち、無電解めっき溶液を使用して、予備硬化状態の又は不完全硬化状態のフィルム層１３０に浸透し、無電解めっき溶液中の反応性金属イオンが、酸化還元反応によって金属ナノワイヤ１２２の表面上に析出し、被覆構造１４０を形成する。被覆構造１４０は、導電性材料からなる層状構造、島状突出構造、点状突出構造、又はこれらの組み合わせであってもよい。又は、被覆構造１４０は、１つの材料又は複数の材料で作られた単層又は多層構造であってもよい；又は、被覆構造１４０は、合金材料からなる単層又は多層構造であってもよい。

修飾工程は、金属ナノワイヤ１２２の表面に沿って実行されるので、被覆構造１４０の形状は、各金属ナノワイヤ１２２の形状に従って実質的に成長することは注目に値する。修飾工程では、被覆構造１４０（例えば、無電解めっき時間及び／又は無電解めっき液の成分濃度）の成長条件を、被覆構造１４０が金属ナノワイヤ１２２の表面のみを被覆し、過剰成長しないように制御することができる。さらに、上述のように、予備硬化又は不完全硬化フィルム層１３０は、成長を制限又は制御する役割も果たすことができる。このように、修飾工程により形成された被覆構造１４０は、金属ナノワイヤ１２２に接触することなく、フィルム層１３０上に単独で析出し／成長することなく、金属ナノワイヤ１２２のそれぞれの表面とフィルム層１３０との間に形成される。いくつかの実施態様において、フィルム層１３０は、依然として、隣接する金属ナノワイヤ１２２の間に充填される。一方、無電解めっき／電解めっきにより形成される被覆構造１４０は、高密度である。周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０の細線Ｌのサイズ（例えば、線幅は約１０μｍである）と比較して、被覆構造１４０の欠陥のサイズは、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０の細線Ｌのサイズの約０．０１倍から約０．００１倍である。したがって、被覆構造１４０に欠陥があっても、周辺配線１５０とタッチセンシング電極とが断線することはない。いくつかの実施形態において、硬化工程は、予備硬化された又は不完全硬化状態のフィルム層１３０が完全に硬化された状態に達するように、修飾工程の後にさらに実施されてもよい。

以上の工程を経て、図２Ａに示すようなタッチパネル１００を形成することができる。一般に、周辺領域ＰＡ上に位置する周辺配線１５０は、少なくとも、修飾金属ナノワイヤ１２２から形成される金属ナノワイヤ層１２０を含んでもよく、可視領域ＶＡ上に位置するタッチセンシング電極１７０は、また、少なくとも、修飾金属ナノワイヤ１２２から形成される金属ナノワイヤ層１２０を含んでもよい。すなわち、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０の金属ナノワイヤ１２２はすべて、被覆構造１４０で覆われ、被覆構造１４０は、金属ナノワイヤ１２２と同一又は類似の構造外観を有してもよく、フィルム層１３０は、隣接する金属ナノワイヤ１２２の間に充填される。

いくつかの様々な実施形態では、本開示のタッチパネル１００を製造するために、製造工程の異なる順序を採用することができる。具体的には、上述したタッチパネル１００の製造方法におけるステップＳ１４とステップＳ１６との順序を逆にすることができる。具体的には、タッチパネル１００の他の製造方法は、ステップＳ２０～Ｓ２６を備える。ステップＳ２０では、所定の周辺領域ＰＡ及び所定の可視領域ＶＡを有する基板１１０が提供され、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２が基板１１０上に配置されて、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に金属ナノワイヤ層１２０が形成される。ステップＳ２２では、フィルム層１３０が修飾されていない金属ナノワイヤ１２２を覆うように、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２上に配置され、フィルム層１３０は、予備硬化状態又は不完全硬化状態にある。ステップＳ２４では、修飾ステップを実行して、各金属ナノワイヤ１２２上に被覆構造１４０を形成し、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０が、修飾された金属ナノワイヤ１２２を含むようにする。ステップＳ２６において、パターン化工程が行われ、パターン化された金属ナノワイヤ層１２０が形成され、周辺領域ＰＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０がパターン化されて周辺配線１５０が形成され、可視領域ＶＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０がパターン化されてタッチセンシング電極１７０が形成される。以下の説明では、調整されたステップのみを説明し、残りの省略された部分を参照することができる。

ステップＳ２４及びステップＳ２６では、先に修飾工程を行い、その後にパターン化工程を行うため、複合構造体２２０（金属ナノワイヤ層１２０及びフィルム層１３０を含む）の全面に修飾工程を行う。すなわち、修飾工程で形成された被覆構造１４０は、周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上の各金属ナノワイヤ１２２とフィルム層１３０との界面全体に形成されるが、一方、金属ナノワイヤ１２２が銀ナノワイヤであり、銀ナノワイヤの表面が銅からなる被覆構造１４０を有する条件では、パターン化工程で用いるエッチング液として、銅及び銀をエッチング可能な成分を選択することができる。例えば、エッチング液の主成分をＨ_３ＰＯ_４（約５５重量％～約７０重量％の比率で）及びＨＮＯ_３（約５重量％～約１５重量％の比率で）とすることにより、銀系材料及び銅系材料を同一のプロセスで除去することができる。他の実施形態では、エッチング液の主成分は、塩化第２鉄／硝酸又はリン酸／過酸化水素であってもよい。以上の工程を経て、本発明のタッチパネル１００を形成することもできる。具体的な構造は上述した通りであり、その説明を省略する。

本開示におけるタッチパネル１００の可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡとは同一材料（形成された修飾金属ナノワイヤ１２２を含む）で構成されているので、タッチパネル１００の製造時に全面に塗布、パターン化、修飾工程を行うことができ、マスクの使用を省くことができ、マスクの使用による位置合わせ誤差や周辺配線１５０とタッチセンシング電極１７０との重ね合わせ誤差を回避することができる。すなわち、本開示の周辺配線１５０とタッチセンシング電極１７０とは、同一の構造層によって一体的に形成されているので、周辺配線１５０とタッチセンシング電極１７０とを接続する必要がなく、重ね合わせ誤差も生じない。さらに、修飾工程の間、位置合わせの必要はない。したがって、位置合わせエラー用のスペースを確保する必要はありません。その結果、タッチパネルの周辺領域の幅を小さくすることができ、ベゼルの狭いディスプレイの要求を満たすことができる。具体的には、本発明のタッチパネル１００の製造方法によれば、アライメント誤差を約０．２ｍｍ低減することができる。その結果、タッチパネル１００の周辺領域ＰＡの幅を小さくすることができ、狭幅ベゼル表示の要求を満たすことができる。一方、本開示では、塗布、パターン化、修飾工程を表面全体に対して行うため、手間のかかる製造工程（マスクの設定、除去等）を削減することができ、実際のニーズに応じて製造工程の順序を柔軟に調整することができ、プロセスの利便性を高めることができる。

図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、いくつかの実施形態では、非導電性領域１８０が、周辺領域ＰＡ上の隣接する周辺配線１５０の間、及び可視領域ＶＡ上の隣接するタッチセンシング電極１７０の間に存在して、隣接する周辺配線１５０及び隣接するタッチセンシング電極１７０を電気的に絶縁してもよい。いくつかの実施態様において、非導電性領域１８０は、実質的に隙間（gap）であってもよい。いくつかの実施形態では、上述のエッチング方法を利用して、周辺配線１５０間及びタッチセンシング電極１７０間に配置された隙間を形成することができる。

一部の実施形態では、タッチパネルは、保護層をさらに備えることができる。具体的には、図４を参照すると、本開示の他の実施形態によるタッチパネル１００ａを示す概略断面図であり、その断面の位置は図２Ｂと同じである。タッチパネル１００ａは保護層１９０を含み、保護層１９０の材料は上述のフィルム層１３０の材料と同じであってもよい。いくつかの実施態様において、保護層１９０は、タッチパネル１００を完全に覆う。すなわち、保護層１９０は、周辺配線１５０及びタッチセンシング電極１７０を覆う。保護層１９０は、さらに、隣接する周辺配線１５０間の非導電性領域１８０に充填されて、隣接する周辺配線１５０を電気的に絶縁することができ、又は保護層１９０は、隣接するタッチセンシング電極１７０間の非導電性領域１８０に充填されて、隣接するタッチセンシング電極１７０を電気的に絶縁することができる。

図５Ａは、本開示の他の実施形態によるタッチパネル１００ｂを示す概略上面図である。図５Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、図５Ａのタッチパネル１００ｂを線５Ｂ－５Ｂに沿って切断された概略断面図である。図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、タッチパネル１００ｂは両面単層タッチパネル１００ｂである。説明の明確さ及び便宜のために、図５Ａ及び図５Ｂの実施形態では、第１のタッチセンシング電極１７２及び第２のタッチセンシング電極１７４を使用して、タッチセンシング電極の構成を図示する。第１のタッチセンシング電極１７２は、基板１１０の第１の表面（例えば上面）上に配置され、第２のタッチセンシング電極１７４は、基板１１０の第２の表面（例えば、下面）上に配置され、第１のタッチセンシング電極１７２及び第２のタッチセンシング電極１７４は、互いに電気的に絶縁される。いくつかの実施形態では、第１のタッチセンシング電極１７２は、第２の方向Ｄ２に沿って延びる複数の帯状電極を含み、複数の帯状電極は、第１の方向Ｄ１に沿って等距離に配置されてもよい。第２のタッチセンシング電極１７４は、第１の方向Ｄ１に沿って延びる複数の帯状電極を含み、複数の帯状電極は、第２の方向Ｄ２に沿って等距離に配置されてもよい。第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２とは垂直である。すなわち、第１のタッチセンシング電極１７２と第２のタッチセンシング電極１７４との延在方向が異なっており、互いに交差している。第１のタッチセンシング電極１７２及び第２のタッチセンシング電極１７４は、それぞれ、制御信号を送信し、タッチセンシング信号を受信することができる。このように、第１のタッチセンシング電極１７２と第２のタッチセンシング電極１７４との間の信号変化（例えば、キャパシタンスの変動）を検出することにより、タッチ位置を求めることができる。

いくつかの実施態様において、第１のタッチセンシング電極１７２及び第２のタッチセンシング電極１７４のそれぞれは、複数の細線Ｌによって形成されたメッシュパターンを有し、金属ナノワイヤ層１２０を含み、修飾金属ナノワイヤ１２２によって形成される。上述したように、修飾金属ナノワイヤ１２２及び修飾金属ナノワイヤ１２２上に付加されたフィルム層１３０は、複数の細線Ｌによって形成されたメッシュパターンを形成するようにパターン化され、形成されたメッシュパターンは、第１のタッチセンシング電極１７２及び第２のタッチセンシング電極１７４の電極パターンである。いくつかの実施態様において、第１のタッチセンシング電極１７２の細線Ｌと第２のタッチセンシング電極１７４の細線Ｌとは、完全には重複していない。具体的には、上（すなわち、図５Ａの視野角）から見たときに、第２のタッチセンシング電極１７４の２つの細線Ｌの交点は、第１のタッチセンシング電極１７２の細線Ｌによって形成されるメッシュのまさに中心に位置させてもよい。同様に、第１のタッチセンシング電極１７２の２つの細線Ｌの交点を、第２のタッチセンシング電極１７４の細線Ｌによって形成されるメッシュのまさに中心に位置させてもよい。しかしながら、本開示は、この点において限定されない。他の実施形態では、第１のタッチセンシング電極１７２の細線Ｌは、第２のタッチセンシング電極１７４の細線Ｌと完全に重複してもよい。第１のタッチセンシング電極１７２は、対応する周辺配線１５０に電気的に接続され、第２のタッチセンシング電極１７４も、対応する周辺配線１５０に電気的に接続される。前述の実施形態と同様に、周辺配線１５０、第１のタッチセンシング電極１７２、及び第２のタッチセンシング電極１７４は全て、修飾金属ナノワイヤ１２２及びフィルム層１３０を備える。換言すれば、被覆構造１４０は、金属ナノワイヤ１２２の周辺配線１５０、第１のタッチセンシング電極１７２、及び第２のタッチセンシング電極１７４の表面上に、上述の方法に従って形成することができる。一方、第１のタッチセンシング電極１７２及び第２のタッチセンシング電極１７４の細線Ｌの線幅Ｗ１及び線間隔Ｘ１、並びに周辺配線１５０の線幅Ｗ２及び線間隔Ｘ２については、上述した説明を参照することができ、その説明を省略する。

図５Ａ及び図５Ｂに示す両面単層タッチパネル１００ｂの製造方法は、ステップＳ３０～ステップＳ３６を備える。ステップＳ３０において、所定の周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡを有する基板１１０が提供され、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２が基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面上に配置され、金属ナノワイヤ層１２０が基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面の周辺領域ＰＡ及び可視領域ＶＡ上に形成される。ステップＳ３２において、フィルム層１３０は、修飾されていない金属ナノワイヤ１２２上に配置され、その結果、フィルム層１３０は、基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面上の修飾されていない金属ナノワイヤ１２２を覆い、フィルム層１３０は、予備硬化状態又は不完全硬化状態となっている。ステップＳ３４において、パターン化された金属ナノワイヤ層１２０を形成するために両面パターン化工程が実行され、ここで、基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面の周辺領域ＰＡ上に位置する金属ナノワイヤ層１２０がパターン化されて、周辺配線１５０が形成され、基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面の可視領域ＶＡ上の金属ナノワイヤ層１２０がパターン化されて、タッチセンシング電極１７０が形成される。ステップＳ３６では、両面修飾工程が実行されて、被覆構造１４０を、基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面の金属ナノワイヤ１２２上に形成し、周辺配線１５０が、基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面の周辺領域ＰＡ上に配置され、タッチセンシング電極１７０が、基板１１０の互いに反対側に位置する２つの表面の可視領域ＶＡ上に配置され、全てが、修飾された金属ナノワイヤ１２２を含むようにする。また、上述した実施形態と同様に、タッチパネル１００ｂの製造方法におけるステップＳ３４とステップＳ３６の順序を逆にしてもよい。なお、両面単層タッチパネル１００ｂの製造方法は、上述した片面タッチパネル１００の製造方法と同様であるので、その説明を省略する。

本開示における金属ナノワイヤの修飾方法は、ノートブックのタッチパネル、アンテナ構造、及び無線充電用コイル等、光透過率を必要としないセンシング電極の製造にも適用することができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、センシング電極は、信号を送信するための外部回路に接続されるように、配線に接続されてもよい。いくつかの実施形態では、配線は、修正された金属ナノワイヤも含む、上述の周辺配線と同等であってもよい。

本開示のタッチパネルは、タッチ機能付きディスプレイのような他の電子装置と組み合わせることができる。例えば、基板を表示装置（例えば、液晶表示装置又は有機発光ダイオード表示装置）に接合することができ、光学接着剤又は他の接着剤を使用してそれらの間を接合することができる。タッチセンシング電極は、光学接着剤を介して外側カバー層（例えば、保護ガラス）と結合されてもよい。本開示のタッチパネル及びアンテナは、携帯電話、タブレット、ノートブック等の電子機器に適用することができ、フレキシブル製品にも適用することができる。本発明のタッチパネルは、偏光子にも適用することができる。本開示の電極は、ウェアラブル装置（例：時計、眼鏡、スマートウェア、スマートシューズ）及びカーデバイス（例：ダッシュボード、ドライビングレコーダ、バックミラー、ウインドウ）に適用することができる。

本開示の前述した実施形態によれば、本開示のタッチパネルにおいて、周辺領域に位置する周辺配線と、可視領域に位置するタッチセンシング電極とが共に、修飾された金属ナノワイヤで形成されているので、タッチパネルの表面抵抗を効果的に低減して、タッチパネルの導電性を高めることができ、タッチパネルの抵抗性容量負荷値を低減することができる。一方、可視領域上のタッチセンシング電極は、メッシュパターンが複数の細線によって形成されているので、可視領域の光透過率が修飾金属ナノワイヤの影響を受けることを防止することができる。その結果、タッチパネルの可視領域は良好な光学特性を有する。また、本発明のタッチパネルの周辺配線電極とタッチセンシング電極は、同一材料（形成された修飾金属ナノワイヤを含む）で構成されているため、タッチパネルの製造工程でマスクを使用する手間を省くことができ、マスクの使用によるアライメント誤差や周辺配線電極とタッチセンシング電極との重ね合わせ誤差を回避することができる。換言すれば、本開示の周辺配線電極とタッチセンシング電極とは、同一の構造層によって一体的に形成されているので、周辺配線電極とタッチセンシング電極とを接続する必要がなく、重複許容誤差（overlapping tolerance error）もない。さらに、修飾工程において、位置合わせの必要はない。したがって、位置合わせエラー用のスペースを確保する必要がない。その結果、タッチパネルの周辺領域の幅を小さくすることができ、ベゼルの狭いディスプレイの要求を満たすことができる。

本開示は、その特定の実施形態を参照してかなり詳細に説明されてきたが、他の実施形態も可能である。したがって、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲は、本明細書に含まれる実施形態の説明に限定されるべきではない。

本開示の範囲又は精神から逸脱することなく、本開示の構造に対して様々な修正及び変形を行うことができることは、当業者には明らかであろう。前述のことを考慮して、本開示は、以下の特許請求の範囲の範囲内にあることを条件として、本開示の修正及び変形をカバーすることを意図している。

Claims (13)

1. 可視領域と周辺領域を有する基板；
   前記基板の前記周辺領域に配置された周辺配線；及び
   前記基板の前記可視領域に配置され、前記周辺配線に電気的に接続され、複数の第１の細線によって形成されたメッシュパターンを有する、第１のタッチセンシング電極と、
   を備え、
   前記周辺配線及び前記第１のタッチセンシング電極は、複数の導電性ナノ構造体と、前記導電性ナノ構造体上に付加されたフィルム層とを有し、前記導電性ナノ構造体のそれぞれと前記フィルム層との界面は実質的に被覆構造を有する、タッチパネル。
2. 前記被覆構造は、めっき層を含み、
   前記めっき層は、前記導電性ナノ構造体のそれぞれと前記フィルム層との間の前記界面を完全に覆う、
   請求項１に記載のタッチパネル。
3. 前記フィルム層は、隣接する前記導電性ナノ構造体の間に充填され、
   前記フィルム層は、単独で存在する被覆構造を有さない、
   請求項１又は２に記載のタッチパネル。
4. 前記導電性ナノ構造体のそれぞれは、金属ナノワイヤを含み、
   前記被覆構造は、前記金属ナノワイヤと前記フィルム層との界面を完全に覆い、
   被覆層は、前記金属ナノワイヤと前記フィルム層との間の前記界面上に均一に形成される、
   請求項１乃至３の何れか一項に記載のタッチパネル。
5. 前記被覆構造は、導電性材料からなる積層構造、島状突出構造、点状突出構造、又はこれらの組み合わせである、
   請求項１乃至４の何れか一項に記載のタッチパネル。
6. 前記導電性材料は、銀、金、銅、ニッケル、白金、イリジウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、又はそれらの合金を含む、
   請求項５に記載のタッチパネル。
7. 前記被覆構造は、１つの金属材料若しくは合金材料からなる単層構造、又は２つ以上の金属材料若しくは合金材料からなる二層構造若しくは多層構造である、
   請求項１乃至６の何れか一項に記載のタッチパネル。
8. 前記被覆構造は、無電解銅めっき層、電解銅めっき層、無電解銅－ニッケルめっき層、無電解銅－銀めっき層、又はこれらの組み合わせである、
   請求項１乃至７の何れか一項に記載のタッチパネル。
9. 前記導電性ナノ構造体、前記フィルム層、及び前記被覆構造のそれぞれは、前記第１の細線のそれぞれに位置する、
   請求項１乃至８の何れか一項に記載のタッチパネル。
10. 前記第１の細線の線幅が１μｍ以上１０μｍ以下であり、隣接する前記第１の細線の間の間隔が１μｍ以上１０μｍ以下である、
    請求項１乃至９の何れか一項に記載のタッチパネル。
11. 前記基板は、互いに対向しない第１の表面と第２の表面とを有し、
    前記第１のタッチセンシング電極は、前記基板の前記第１の表面上に配置され、
    前記タッチパネルは、さらに、
    前記基板の前記第２の表面上及び前記可視領域上に配置され、複数の第２の細線によって形成されたメッシュパターンを有する第２のタッチセンシング電極を備える、
    請求項１乃至１０の何れか一項に記載のタッチパネル。
12. 前記第２のタッチセンシング電極が、前記導電性ナノ構造体と、前記導電性ナノ構造体のそれぞれの上に付加された前記フィルム層とを含み、前記導電性ナノ構造体のそれぞれと前記フィルム層との界面は実質的に被覆構造を有する、
    請求項１１に記載のタッチパネル。
13. 前記第１の細線によって形成された前記メッシュパターンは、前記第２の細線によって形成された前記メッシュパターンと完全には重複していない、
    請求項１１又は１２に記載のタッチパネル。

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