CN108700969A - 导电性基板、导电性基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种导电性基板，其具备透明基材、及形成在该透明基材的至少一个面上的金属配线，金属配线具有铜配线层及黑化配线层被叠层的结构，黑化配线层包含镍及铜，在金属配线间被露出的透明基材的可见光透射率为90％以上，且b^*为1.0以下。

Description

导电性基板、导电性基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种导电性基板、导电性基板的制造方法。

背景技术

电容式触控面板，检测物体接近面板表面时引起的静电容量变化，并将面板表面上的上述接近的物体的位置信息变换成电信号。电容式触控面板中使用的导电性基板被设置在显示器的表面，因此要求导电性基板的导电层的材料具有低反射率、不易识别。

因此，作为电容式触控面板中使用的导电层的材料，采用反射率低、不易识别的材料，在透明基板或透明薄膜上形成配线。

例如，专利文献1公开了一种包含高分子薄膜及透明导电膜的透明导电性薄膜，上述透明导电膜由利用气相成膜法形成在上述高分子薄膜上的金属氧化物构成，上述透明导电性薄膜的特征在于，由金属氧化物构成的透明导电膜包括由第一金属氧化物构成的透明导电膜、及设在上述第一金属氧化物上且由第二金属氧化物构成的透明导电膜，并且，由第二金属氧化构成的透明导电膜的成膜条件与由第一金属氧化物构成的透明导电膜的成膜条件不同。此外，还公开了由金属氧化物构成的透明导电膜是氧化铟-氧化锡(ITO)膜。

然而，近年来具备触控面板的显示器不断趋于大画面化及高性能化，为了应对此趋势，作为导电层的材料，在研究由铜等金属来代替电阻高的ITO(例如参照专利文献2、3)的技术。然而，由于金属具有金属光泽，会产生反射而造成显示器识别性降低的问题。因此，在研究具有作为导电层的铜等的金属层的同时还具有由黑色材料构成的黑化层的导电性基板。

<现有技术文献>

<专利文献>

专利文献1：(日本)特开2003-151358号公报

专利文献2：(日本)特开2011-018194号公报

专利文献3：(日本)特开2013-069261号公报

发明内容

<本发明要解决的课题>

为了制作上述这种构成配线图案的金属配线包含铜等金属层及黑化层的导电性基板，需要制备基材上预先叠层有金属层及黑化层的叠层体基板，并根据金属配线的图案，对上述金属层及黑化层进行蚀刻。

然而，由于铜等的金属层及黑化层对蚀刻液的反应性不同，而无法完全去除黑化层，黑化层的残渣会残留在金属配线间的开口部，导致在上述开口部露出的透明基材的可见光透射率降低。

鉴于上述历来技术中的问题，本发明的一个形态的目的在于提供一种金属配线间露出的透明基材的可见光透射率高的导电性基板。

<解决上述课题的手段>

为了达成上述目的，本发明的一个形态提供一种导电性基板，其包括透明基材、及形成在上述透明基材的至少一个面上的金属配线，上述金属配线具有铜配线层及黑化配线层被叠层的结构，上述黑化配线层包含镍及铜，上述金属配线间露出的上述透明基材的可见光透射率为90％以上，且b^*为1.0以下。

<发明的效果>

根据本发明的一个形态，能够提供金属配线间露出的透明基材的可见光透射率高的导电性基板。

附图说明

图1A是本发明的实施方式的叠层体基板的剖面图。

图1B是本发明的实施方式的叠层体基板的剖面图。

图2A是本发明的实施方式的叠层体基板的剖面图。

图2B是本发明的实施方式的叠层体基板的剖面图。

图3是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。

图4是本发明的实施方式的具有网格状配线的导电性基板的俯视图。

图5A是沿着图4的A-A’线的剖面图。

图5B是沿着图4的A-A’线的剖面图。

图6A是蚀刻工序的说明图。

图6B是蚀刻工序的说明图。

图6C是蚀刻工序的说明图。

图6D是蚀刻工序的说明图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的导电性基板及导电性基板的制造方法的一个实施方式。

在此，对相同部件采用相同符号，并省略其部分说明。

本实施方式的导电性基板可以具有透明基材、及形成在透明基材的至少一个面上的金属配线。

并且，金属配线可以具有铜配线层、及包含镍与铜的黑化配线层被叠层的结构，金属配线间露出的透明基材的可见光透射率为90％以上，且b^*为1.0以下。

在此，本实施方式中的叠层体基板是指，在透明基材表面上设有铜层及黑化层的金属叠层体且对铜层等进行图案化之前的基板。此外，导电性基板是指，按照所希望的配线图案对铜层及黑化层进行图案化的基板，即配线基板。导电性基板包括透明基材未被铜层等覆盖的区域，因此能够使光透射，成为透明导电性基板。

通过对叠层体基板的铜层及黑化层进行图案化，能够制作成本实施方式的导电性基板，该叠层体基板包括透明基材及形成在透明基材的至少一个面上的金属叠层体，且金属叠层体具有由铜层及包含镍与铜的黑化层叠层而成的结构。因此，首先对本实施方式的叠层体基板的构成例进行说明。

(叠层体基板)

首先，关于本实施方式的叠层体基板中包含的各部件进行说明。

关于透明基材并无特别限定，能够优选使用可使可见光透射的绝缘体薄膜、玻璃基板等。

作为可使可见光透射的绝缘体薄膜，例如可以优选使用从聚酰胺类薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯类薄膜、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)类薄膜、环烯烃类薄膜、聚酰亚胺类薄膜、聚碳酸酯类薄膜等中选择的1种以上的树脂薄膜等。尤其是，作为可使可见光透射的绝缘体薄膜的材料，能够优选使用从PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COP(环烯烃聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯等中选择的1种以上。

关于透明基材的厚度并无特别限定，可以根据作为导电性基板时被要求的强度、静电容量、光的透射率等，任意选择。作为透明基材的厚度，例如可以是10μm以上200μm以下。尤其在用于触控面板用途的情况下，透明基材的厚度优选为20μm以上120μm以下，更优选为20μm以上100μm以下。在用于触控面板用途的情况下，例如格外要求减小显示器整体厚度的用途时，透明基材的厚度更优选为20μm以上50μm以下。

透明基材优选具有高的可见光透射率，例如可见光透射率优选为90％以上。其理由在于，透明基材的可见光透射率为90％以上时，例如在用于触控面板用途的情况下，能够充分确保显示器的识别性。

在此，能够根据JIS K 7361-1规定的方法，对透明基材的可见光透射率进行评价。

其次，关于金属叠层体进行说明。金属叠层体可以具有铜层、及包含镍与铜的黑化层被叠层的结构。

在此，首先关于铜层进行说明。

铜层可由铜构成。但是，也可以包含源于靶或镀液等，而在制造工序中混入的不可避免成分。

关于形成铜层的方法并无特别限定，但为了避免光透射率的降低，在其他部件与铜层之间最好不配置粘合剂。即，优选在其他部件的上面直接形成铜层。在此，可以在黑化层或透明基材的上面形成铜层。因此，优选将铜层直接形成在黑化层或透明基材的上面。

为了在其他部件的上面直接形成铜层，铜层优选具有通过干镀法成膜的铜薄膜层。关于干镀法并无特别限定，例如能够采用蒸镀法、溅镀法、离子镀法等。尤其是，溅镀法易于控制膜厚，因此优选溅镀法。

在需要进一步加厚铜层的情况下，可以在干镀法之后采用湿镀法，在铜薄膜层上叠层铜镀层。具体而言，例如，可以在透明基材或黑化层上通过干镀法形成铜薄膜层，然后以上述铜薄膜层作为供电层，采用作为湿镀法之一的电镀法，形成铜镀层。

在此，如上所述，在仅采用干镀法进行铜层成膜的情况下，铜层可由铜薄膜层构成。另外，在组合干镀法与湿镀法来形成铜层的情况下，铜层可由铜薄膜层及铜镀层构成。

如上所述，通过仅采用干镀法，或组合干镀法及湿镀法来形成铜层，能够在透明基材或黑化层上直接形成铜层，而无需使用粘合剂。

关于铜层的厚度并无特别限定，可以根据铜层经图案化形成铜配线层的情况下对上述铜配线层提供的电流大小及配线宽度等，任意选择。

然而，随着铜层增厚，通过蚀刻来形成配线图案时需要更多的蚀刻时间，因此容易发生侧蚀，有时会造成难以形成细线等的问题。因此，铜层的厚度优选为5μm以下，更优选为1μm以下。

另外，从进一步降低导电性基板的电阻值，以能够提供充分的电流的观点而论，例如铜层的厚度优选为50nm以上，更优选为60nm以上，进而优选为150nm以上。

并且，在铜层具有如上所述的铜薄膜层及铜镀层的情况下，铜薄膜层厚度及铜镀层厚度的合计厚度优选在上述范围。

无论铜层是由铜薄膜层构成的情况，还是由铜薄膜层及铜镀层构成的情况，关于铜薄膜层的厚度并无特别限定，但例如优选为50nm以上500nm以下。

以下，关于黑化层进行说明。

因铜层具有金属光泽，倘若在透明基材上仅是通过对铜层进行蚀刻来形成金属配线层，配线可反射光，例如作为触控面板用配线基板的情况下，会造成显示器的识别性降低的问题。对此，在研究在金属配线层的需要抑制光反射的面上设置黑化配线层的方法。

然而，铜层与黑化层对蚀刻液的反应性不同，有时无法完全去除黑化层，黑化层的残渣会残留在金属配线间的开口部，由此会造成通过上述开口部被露出的透明基材的可见光透射率降低的问题。

对此，本发明的发明者发现，通过将黑化层设成包含镍与铜的层，并使用规定的蚀刻液，能够实现在金属配线间的开口部被露出的透明基材具有较高可见光透射率的导电性基板，从而完成了本发明。

本实施方式的导电性基板的黑化层可包含镍与铜，另外还可以包含例如氧。本实施方式的导电性基板的黑化层亦可由镍、铜及氧构成。

如上所述，黑化层包含镍与铜时，能够充分抑制铜层表面的光反射，且，在对铜层及黑化层进行图案化时，还能够抑制在透明基材表面产生黑化层的残渣。

关于黑化层的成膜方法并无特别限定，只要是能够形成包含镍与铜的层的方法，能够选择任意的方法。并且，优选在透明基材及/或铜层等的其他部件的上面，不利用粘合剂就直接形成黑化层。具体而言，作为黑化层的成膜方法，例如能够使用湿镀法或干镀法。若采用湿镀法，例如能够使用电镀法，倘若采用干镀法，例如能够使用蒸镀法、溅镀法、离子镀法等。在使用干镀法的情况下，溅镀法尤其容易控制膜厚，因此优选使用溅镀法。

另外，在叠层体基板中配置多个黑化层的情况下，形成同一叠层体基板内包含的多个黑化层时，可以采用同一种成膜方法，也可以采用不同的成膜方法。

关于黑化层的厚度并无特别限定，可以根据叠层体基板或导电性基板被要求的光反射抑制程度等，任意选择。

黑化层的厚度例如优选为15nm以上，更优选为20nm以上。黑化层具有抑制铜层的光反射的功能，但黑化层的厚度薄的情况下，有时无法充分抑制铜层的光反射。针对于此，通过将黑化层的厚度设为15nm以上，能够更有效地抑制铜层表面的反射，因此优选厚度为15nm以上。

另外，关于黑化层的厚度的上限值并无特别限定，但超出必要的增厚，会导致形成金属配线时的蚀刻所需时间延长，成本上升。因此，黑化层的厚度优选为70nm以下，更优选为50nm以下。

以下，关于叠层体基板的构成例进行说明。

如上所述，本实施方式的叠层体基板可以具有透明基材、铜层及黑化层。在此，关于在透明基材上叠层铜层及黑化层的顺序并无特别限定。另外，铜层及黑化层也可以各为多层。然而，为了抑制铜层表面的光反射，优选在铜层表面当中的尤其希望抑制光反射的面配置黑化层。在尤其要求抑制铜层表面的光反射的情况下，也可以采用在铜层的上面及下面形成黑化层的叠层结构，即黑化层夹着铜层的结构。

关于具体的构成例，以下参照图1A、图1B、图2A及图2B进行说明。图1、图2表示本实施方式的叠层体基板在与透明基材、铜层、黑化层的叠层方向平行的面的剖面图的例子。

本实施方式的叠层体基板可以具有例如在透明基材的至少一个面上叠层有铜层及黑化层的结构。

具体而言，例如图1A所示的叠层体基板10A，在透明基材11的一个面11a侧，可依次叠层铜层12及黑化层13各一层。在此情况下，由铜层12与黑化层13构成金属叠层体14。

另外，如图1B所示的叠层体基板10B，在透明基材11的一个面11a侧，及作为另一个面的另一面11b侧，可以分别依次叠层有铜层12A、12B及黑化层13A、13B各一层。在此情况下，铜层12A与黑化层13A构成一个面11a侧的金属叠层体14A，铜层12B与黑化层13B构成另一面11b侧的金属叠层体14B。

在此，铜层12(12A、12B)、及黑化层13(13A、13B)的叠层顺序并不限定于图1A、图1B的例子，也可以从透明基材11侧开始依次叠层黑化层13(13A、13B)、铜层12(12A、12B)。

另外，例如还可以构成在透明基材11的一个面侧设置多层黑化层的结构。在此情况下，可以是在透明基材的至少一个面上，从透明基材侧开始依次形成黑化层、铜层及黑化层的结构。

具体而言，例如图2A所示的叠层体基板20A，在透明基材11的一个面11a侧，可以依次叠层第1黑化层131、铜层12及第2黑化层132。在此情况下，由第1黑化层131、铜层12及第2黑化层132构成金属叠层体24。

另外，关于第1黑化层及第2黑化层，不个别区分而只需统称时，仅记载为黑化层。

另外，还可以构成在透明基材11的两面叠层有铜层、第1黑化层、第2黑化层的结构。具体而言，如图2B所示的叠层体基板20B，可以在透明基材11的一个面11a侧及另一面(另一个面)11b侧，分别依次叠层第1黑化层131A、131B、铜层12A、12B、第2黑化层132A、132B。在此情况下，由第1黑化层131A、铜层12A及第2黑化层132A构成一个面11a侧的金属叠层体24A，由第1黑化层131B、铜层12B及第2黑化层132B构成另一面11b侧的金属叠层体24B。

另外，图1B、图2B中表示了在透明基材的两面叠层铜层及黑化层的情况下，以透明基材11作为对称面，在透明基材11的上下侧叠层的各层彼此对称配置的例子，但并不限定于上述形态。例如，也可以将图2B中的透明基材11的一个面11a侧的结构设成与图1A的结构同样的依次叠层铜层12、黑化层13的形态，使叠层于透明基材11上下侧的层成为非对称结构。

至此对本实施方式的叠层体基板进行了说明，本实施方式的叠层体基板中，在透明基材上设有铜层及黑化层，因此能够抑制铜层的光反射。

(导电性基板)

以下关于本实施方式的导电性基板进行说明。

在此，本实施方式的导电性基板具有，对以上说明的叠层体基板的金属叠层体进行图案化而形成规定的配线图案的金属配线形态。因此，本实施方式的导电性基板所具有的透明基材、铜配线层及黑化配线层可分别采用与叠层体基板中说明的透明基材、铜层及黑化层相同的材料，以及，也可以将各部件的适当厚度设定在相同范围。因此，关于上文中已说明的内容，叠层体基板中将省略重复。

在此，图3表示本实施方式的导电性基板的各层在与叠层方向平行的面的剖面图的构成例。

如图3所示，本实施方式的导电性基板具有透明基材11、形成在透明基材11的至少一个面上的金属配线34，金属配线34可以具有由铜配线层32、及包含镍与铜的黑化配线层33叠层而成的结构。

例如，通过对上述图1A所示的叠层体基板10A的金属叠层体1进行图案化，能够形成图3所示的导电性基板30。

另外，图3中表示了金属配线34包括从透明基材11侧开始依次叠层的层铜配线层32、黑化配线层33的例子，但并不限定于上述形态。例如，也可以是从透明基材11侧开始依次叠层黑化配线层33、铜配线层32的结构。另外，例如通过对图1B、图2A或图2B所示的叠层体基板的金属叠层体进行图案化，也能够制作本实施方式的导电性基板。在使用图1B或图2B所示的叠层体基板的情况下，对金属叠层体14A(24A)、及金属叠层体14B(24B)进行图案化，能够形成在透明基材11的两面具有金属配线的导电性基板。另外，在使用例如图2A、图2B所示的叠层体基板的情况下，能够形成具有在黑化配线层间配置有铜配线层的金属配线的导电性基板。

并且，本实施方式的导电性基板中，金属配线34间露出的透明基材11的可见光透射率优选为90％以上。

其理由在于，金属配线34间露出的透明基材11的可见光透射率为90％以上时，意味着在通过对金属叠层体进行图案化而形成的金属配线间的开口部的透明基材表面上，几乎没有黑化层残渣残留。并且，金属配线34间露出的透明基材11的可见光透射率为90％以上时，例如用为触控面板用导电性基板的情况下，能够格外提高显示器的识别性，因此优选可见光透射率为90％以上。

在此所说的金属配线间露出的透明基材的可见光透射率是指，例如图3中通过金属配线34间的开口部35被露出的透明基材11的可见光透射率。另外，在使用如图1B或图2B所示的透明基材的一个面及另一面的两面上设有金属叠层体的叠层体基板来制作成导电性基板的情况下，则指透明基材的一个面及另一面的两个面上未被金属配线覆盖的部分的可见光透射率。

另外，可见光透射率是指，按规定间隔，具体而言例如按1nm间隔对例如波长400nm以上700nm以下的光的波长进行调控，并照射到金属配线间露出的透明基材上，对各波长的光进行测定的透射率的平均值。

另外，本实施方式的导电性基板中，金属配线34间露出的透明基材11的b^*，即，金属配线34间露出的透明基材11的透射光的颜色被转换成CIE(L^*a^*b^*)表色系时的b^*值优选为1.0以下。在此，金属配线34间露出的透明基材11的b^*是指，与上述可见光透射率的情况同样，例如图3中通过金属配线34间的开口部35被露出的透明基材11的b^*。

其理由在于，金属配线34间露出的透明基材11的b^*为1.0以下时，意味着在通过对金属叠层体进行图案化而形成的金属配线34间的开口部的透明基材表面上几乎没有黑化层残渣残留。并且，在金属配线34间的开口部35的b^*为1.0以下的情况下，例如用为触控面板用的导电性基板时，能够格外提高显示器的识别性，因此优选b^*为1.0以下。

关于b^*的下限值并无特别限定，例如可以是0.1以上。

例如，根据JIS Z 8722(2009年改订)，对通过金属配线34间的开口部35被露出的透明基材11进行测定，从而可获得金属配线34间露出的透明基材11的b^*。

另外，在使用如图1B或图2B所示的透明基材的一个面及另一面的两面上设有金属叠层体的叠层体基板来制作导电性基板的情况下，在透明基材的一个面及另一面的两面当中未被金属配线覆盖的部分进行b^*测定。

另外，本实施方式的导电性基板可以是具有例如网格状金属配线的导电性基板。以下，关于具有网格状金属配线的导电性基板的例子进行。

例如，能够使用两层金属配线，形成网格状配线。具体的构成例如图4所示。图4表示从铜配线层及黑化配线层的叠层方向的上面侧看到的具有网格状配线的导电性基板40的图。图4所示的导电性基板40具有透明基材11、与图中Y轴方向平行的多个金属配线44A、与X轴方向平行的金属配线44B。在此，金属配线44A、44B包括铜配线层及黑化配线层，并优选将铜配线层及黑化配线层蚀刻成，在与透明基材11的配置有金属配线的面平行的面上，上述铜配线层及上述黑化配线层具有相同形状的剖面。

关于透明基材11与金属配线44A、44B的配置并无特别限定。透明基材11与金属配线的配置构成例如图5A、图5B所示。图5A、图5B相当于沿着图4中的A-A’线的剖面图。

首先，如图5A所示，可以在透明基材11的上下面分别配置铜配线层42A、42B。另外，图5A中，在铜配线层42A、42B与透明基材11之间，可以分别配置第1黑化配线层431A、431B，且第1黑化配线层431A、431B被蚀刻成，其在与透明基材11的配置有金属配线的面平行的面上的剖面，与铜配线层为相同形状。另外，可以在铜配线层42A、42B的与透明基材11相对的面的反侧面上分别配置第2黑化配线层432A、432B，且第2黑化配线层432A、432B被蚀刻成，其在与透明基材11的配置有金属配线的面平行的面的剖面，与铜配线层为相同形状。

另外，如图5B所示，可以使用1组透明基材11A、11B，夹着一个透明基材11A在其上下面配置铜配线层42A、42B，且一个铜配线层42B被配置在透明基材11A、11B之间。图5B的情况也与上述同样，可以在铜配线层42A、42B与透明基材11A、11B之间配置第1黑化配线层431A、431B，且第1黑化配线层431A、431B被蚀刻成，其在与透明基材11A、11B的配置有金属配线的面平行的面的剖面，与铜配线层42A、42为相同形状。另外，可以在铜配线层42A、42B的与透明基材11A、11B相对的面的反侧面上分别配置第2黑化配线层432A、432B，且第2黑化配线层432A、432B被蚀刻成，其在与透明基材11A、11B的配置有金属配线的面平行的面的剖面，与铜配线层42A、42B为相同形状。

无论图5A、图5B的哪一个，由铜配线层42A、第1黑化配线层431A及第2黑化配线层432A构成金属配线44A，由铜配线层42B、第1黑化配线层431B及第2黑化配线层432B构成金属配线44B。

另外，在图5A、图5B中表示了配置有第1黑化配线层431A、431B及第2黑化配线层432A、432B的例子，但并不限定于上述形态，也可以是不具备其中一方的黑化配线层的结构。然而，优选将黑化配线层配置在铜配线层当中尤其希望抑制光反射的面。因此，优选在要求抑制光反射的面上设置黑化配线层。

例如，使用图2B所示的透明基材11的两面具有铜层12A、12B，及黑化层131A、132A、131B、132B的叠层体基板，能够形成图4及图5A所示的具有网格状配线的导电性基板。

以使用图2B的叠层体基板20B来形成导电性基板的情况为例进行说明。首先，对透明基材11的一个面11a侧的铜层12A及黑化层131A、132A进行蚀刻，形成与图2B中的Y轴方向平行且沿着X轴方向相隔规定间距配置的多个线状图案。在此，图2B中的X轴方向是指，与各层的宽度方向平行的方向。另外，图2B中的Y轴方向是指，图2B中相对于纸面垂直的方向。

然后，对透明基材11的另一面11b侧的铜层12B及黑化层131B、132B进行蚀刻，形成与图2B中的X轴方向平行且沿着Y轴方向相隔规定间距配置的多个线状图案。

通过以上操作，能够形成如图4、图5A所示的具有网格状配线的导电性基板。并且，也可以同时在透明基材11的两面进行蚀刻。即，可以对铜层12A、12B、黑化层131A、132A、131B、132B同时进行蚀刻。

另外，要制作不具备图5A中的第1黑化配线层431A、431B的导电性基板时，可以使用图1B所示的叠层体基板10B来代替图2B的叠层体基板20B。

使用2枚如图1A或图2A所示的叠层体基板，能够形成图4所示的具有网格状配线的导电性基板。以使用2枚如图2A所示的叠层体基板20A来形成导电性基板的情况为例进行说明。使用2枚如图2A所示的叠层体基板，分别对其铜层12及黑化层131、132进行蚀刻，形成与X轴方向平行且沿着Y轴方向相隔规定间距配置的多个线状图案。然后，以使通过上述蚀刻处理形成于各叠层体基板上的线状图案彼此交叉的方式，对合2枚图案化的叠层体基板并进行贴合，从而能够形成具有网格状配线的导电性基板。关于对2枚图案化的叠层体基板，即导电性基板进行贴合时的贴合面并无特别限定。例如，可以对图2A中的第2黑化层132的表面132a、及透明基材11的未叠层铜层12等的面11b进行贴合，形成如图5B所示的结构。

另外，例如通过对透明基材11的未叠层铜层12等的图2A中的面11b彼此进行贴合，能够形成剖面如图5A所示的结构。

在此，关于如图4、图5A、图5B所示的具有网格状配线的导电性基板中的配线的宽度、配线间的距离并无特别限定，例如可以根据流入配线的电流量等进行选择。

另外，图4、图5A、图5B中表示了通过组合直线形状的金属配线来形成网格状配线(配线图案)的例子，但并不限定于上述形态，构成配线图案的金属配线可以是任意形状。例如，为了防止显示器的图像间发生波纹(干涉纹)，构成网格状配线图案的金属配线的形状也可以分别是锯齿型弯曲的线(锯齿直线)等各种形状。

如上所述具有由2层金属配线构成的网格状配线的导电性基板，能够优选用为例如投影型静电容量式的触控面板用导电性基板。

(导电性基板的制造方法)

以下，关于本实施方式的导电性基板的制造方法的一个构成例进行说明。

本实施方式的导电性基板的制造方法可以包括蚀刻工序，其中通过对具有透明基材及形成在透明基材的至少一个面上的金属叠层体的叠层体基板中的上述金属叠层体进行蚀刻，来形成金属配线，且，上述金属叠层体具有由铜层及包含镍与铜的黑化层叠层而成的结构。

并且，蚀刻工序中可以依次包括以下步骤。

第1蚀刻步骤：使用包含从氯化铁、过氧化氢水、硫酸、盐酸中选择的1种以上的物质的第1蚀刻液进行蚀刻。

水洗步骤：对叠层体基板进行水洗。

第2蚀刻步骤：使用由盐酸及水构成的pH值为2.5以下的第2蚀刻液进行蚀刻。

(蚀刻工序)

关于本实施方式的导电性基板的制造方法的蚀刻工序，以下参照图6A～图6D进行说明。

如图6A所示，准备叠层体基板，其具有透明基材11及形成在透明基材11的至少一个面上的金属叠层体24。金属叠层体24可以包括铜层12及黑化层131、132。在此，图6A中例示了使用以上说明的图2A所示的叠层体基板20A的情况，但叠层体基板的结构并不限定于上述形态。还可以使用以上说明的其他结构的叠层体基板，例如图1A、图1B、图2B所示的叠层体基板。

另外，如图6A所示，可以在位于金属叠层体24的与透明基材相对的一个面24a之相反侧的另一面24b上，形成形状与希望形成的金属配线图案相应的抗蚀剂61(抗蚀剂形成步骤)。

关于抗蚀剂61的形成方法并无特别限定，例如采用层压法在金属叠层体24的另一面24b上粘贴感光性干薄膜抗蚀剂，形成感光性抗蚀剂层。然后，隔着具有与希望形成的金属配线相同配线图案的光掩膜(photo mask)，对感光性抗蚀剂层照射紫外线，使之感光。

然后，使感光性抗蚀剂层接触显影液，溶解未被照射紫外线的部分，由此能够形成具有开口部611的抗蚀剂61。关于显影液并无特别限定，例如可以使用碳酸钠水溶液。

另外，与图6A的情况不同，例如作为叠层体基板使用图1B等的透明基材的两面设有金属叠层体的叠层体基板的情况下，可以在各金属叠层体的与透明基材相对的面的反侧面上形成抗蚀剂，实施以下蚀刻工序。

然后，如图6B所示，能够使用抗蚀剂61实施第1蚀刻步骤。

在第1蚀刻步骤中，能够使用包含从氯化铁、过氧化氢水、硫酸、盐酸中选择的1种以上的物质的第1蚀刻液，对金属叠层体24进行蚀刻。在第1蚀刻步骤中，例如能够从抗蚀剂61的上面提供第1蚀刻液，进行蚀刻。另外，也可以将叠层体基板浸渍在第1蚀刻液中进行蚀刻。

通过实施第1蚀刻步骤，如图6B所示，能够形成金属配线64，其具有形状与上述形成的抗蚀剂61的图案对应的铜配线层62、及黑化配线层631、632。

然而，只进行第1蚀刻步骤的话，如图6B所示，在金属配线64间的开口部641，有时会产生黑化层131、132等的残渣65。在金属配线64的开口部641有残渣6时，透明基材11无法在上述开口部641直接露出，透明基材11上会发生上述残渣65所致的着色等，将上述导电性基板用于触控面板用途的情况下，会导致显示器的识别性降低。

对此，本实施方式的蚀刻工序中，实施第1蚀刻步骤之后，能够实施第2蚀刻步骤。在此，为了清除残留在叠层体基板上的第1蚀刻步骤中使用的第1蚀刻液，优选在实施对叠层体基板进行水洗的水洗步骤之后，实施第2蚀刻步骤。

在此，关于水洗步骤的具体条件并无特别限定，可以将导电性基板放入盛有水的水槽内，进行水洗。另外，例如还可以向导电性基板的表面喷射水来进行清洗。

水洗步骤之后，实施第2蚀刻步骤之前，还可以根据需要实施脱水步骤、干燥步骤等，以去除附着在导电性基板上的水。

接下来，关于第2蚀刻步骤进行说明。

在第2蚀刻步骤中，能够使用由盐酸及水构成的pH值为2.5以下的第2蚀刻液，对金属配线64间的残渣65进行蚀刻、清除。

第1蚀刻步骤中，对金属叠层体24进行蚀刻，能够形成具有形状与所希望的配线图案对应的金属配线64的导电性基板。然而，如上所述，在金属配线64间的开口部641产生残渣65，若在金属配线64间的开口部残留有残渣65的状态下，将上述导电性基板用于触控面板的用途，会导致显示器识别性降低的问题。

对此，本实施方式的导电性基板的制造方法中，能够使用第2蚀刻液，对金属配线64间产生的残渣进行蚀刻、清除。

如上所述，第2蚀刻液优选由盐酸及水构成。其理由在于，残渣65主要来源于包含镍与铜的黑化层131、132，因此残渣65的主要成分也是镍与铜，尤其是镍的含量较多。因此，作为第2蚀刻液通过使用由盐酸及水构成的蚀刻液，能够更有效地去除残渣65。另外，通过将第2蚀刻液的pH值设为2.5以下，能够提高与残渣65的反应性，能够进一步有效地去除残渣65。

第2蚀刻液的pH值低时，在去除残渣时能够发挥格外高的效果，因此对其下限值并无特别限定，但为了抑制在第2蚀刻步骤中对通过第1蚀刻步骤形成的金属配线造成损伤，例如可以设成pH值1.0以上。

如上所述，在黑化层是包含镍与铜的层的情况下，通过作为第2蚀刻液使用由盐酸及水构成且pH值为2.5以下的蚀刻液，能够更有效地去除在金属配线间的开口部产生的残渣。因此，能够获得上述开口部的可见光透射率良好的导电性基板。

另外，在金属配线间的开口部有残渣残留时，透明基材会泛黄，金属配线间露出的透明基材11的b^*有时会大于1.0。然而，通过使用上述规定的第2蚀刻液，能够更有效地去除在金属配线间的开口部产生的残渣。因此，能够使金属配线间露出的透明基材11的b^*成为1.0以下。

第2蚀刻步骤中，除了作为蚀刻液使用第2蚀刻液之外，其他条件可以采用与第1蚀刻步骤相同方式实施。具体而言，例如可以从抗蚀剂61的上面提供第2蚀刻液。另外，还可以将完成第1蚀刻步骤的叠层体基板浸渍在第2蚀刻液来实施蚀刻。由此，如图6C所示，能够形成在透明基材11上具有金属配线64的导电性基板，上述金属配线64具有图案与抗蚀剂61相应的铜配线层62及黑化配线层631、632，且能够去除存在于金属配线64间的开口部641的残渣65。

完成第2蚀刻步骤后，能够去除抗蚀剂(抗蚀剂去除步骤)。

关于去除抗蚀剂的方法并无特别限定，例如能够使用氢氧化钠水溶液等，剥离、去除感光性抗蚀剂。由此，如图6D所示，能够获得在透明基材11上设有金属配线64的导电性基板，上述金属配线64具有黑化配线层631、632及铜配线层62。

另外，本实施方式的导电性基板的制造方法中，还可以根据需要追加任意的工序。例如，还可以包括叠层体基板制造工序，制造用于提供给以上说明的蚀刻工序的叠层体基板。

(叠层体基板制造工序)

叠层体基板制造工序可以包括以下步骤。在此，叠层体基板制造工序相当于以上所述的本实施方式中的叠层体基板的制造方法。

在透明基材的至少一个面上形成铜层的铜层形成步骤。

在透明基材的至少一个面上形成黑化层的黑化层形成步骤。

在此，关于叠层体基板中，在透明基材上配置铜层及黑化层时的叠层顺序并无特别限定。另外，铜层与黑化层也可以分别是多层结构。因此，对上述铜层形成步骤及黑化层形成步骤的实施顺序、实施次数并无特别限定，可以根据所希望形成的叠层体基板的结构，按任意的次数、时间实施这些步骤。

以下，关于各步骤进行说明。

首先，关于铜层形成步骤进行说明。

在铜层形成步骤中，可以在透明基材的至少一个面上形成铜层。

在此，关于在铜层形成步骤或黑化层形成步骤中提供的透明基材的种类并无特别限定，如上所述，能够优选使用可使可见光透射的树脂基板(树脂薄膜)或玻璃基板等。还可以根据需要将透明基材预先切成任意的尺寸等。

并且，如上所述，铜层优选具有铜薄膜层。另外，铜层也可以具有铜薄膜层及铜镀层。因此，铜层形成步骤例如可以包括通过干镀法来形成铜薄膜层的铜薄膜层形成步骤。另外，铜层形成步骤也可以包括通过干镀法来形成铜薄膜层的铜薄膜层形成步骤，以及，以上述铜薄膜层作为供电层，通过作为湿镀法之一种的电镀法来形成铜镀层的铜镀层形成步骤。

关于在铜薄膜层形成步骤中采用的干镀法并无特别限定，例如能够采用蒸镀法、溅镀法或离子镀法等。在此，作为蒸镀法可以优选使用真空蒸镀法。关于在铜薄膜层形成步骤中采用的干镀法，溅镀法尤其容易控制膜厚，因此优选使用溅镀法。

以下，关于形成铜镀层的铜镀层形成步骤进行说明。关于采用湿镀法进行铜镀层形成步骤的条件，即，例如电镀处理的条件并无特别限定，可以采用常用方法中的诸条件。例如，将形成有铜薄膜层的基材放入装有铜镀液的镀槽中，并对电流密度、基材的搬送速度加以控制，形成铜镀层。

接下来，关于黑化层形成步骤进行说明。

如上所述，黑化层形成步骤是在透明基材的至少一个面侧进行黑化层成膜的步骤。关于黑化层的成膜方法并无特别限定，只要能够形成包含镍与铜的膜，可选择任意的方法。然而，优选在透明基材及/或铜层等的其他部件上面，不利用粘合剂就直接形成黑化层。因此，可以根据黑化层成膜时的基底层的构成等，选择成膜方法，作为黑化层的成膜方法例如能够采用湿镀法或干镀法。选择湿镀法的情况下，例如可以采用电镀法，选择干镀法的情况下，例如可以采用蒸镀法、溅镀法、离子镀法等。在采用干镀法的情况下，溅镀法尤其容易控制膜厚，因此优选溅镀层法。另外，黑化层例如还可以包含氧，在通过干镀法来形成不仅包含镍与铜，还包含氧的黑化层的情况下，例如能够采用反应性溅镀法来形成上述黑化层。形成含氧的黑化层的情况下，能够在黑化层的成膜氛围中，例如在惰性气体中添加氧。作为惰性气体能够使用氩等。

另外，在叠层体基板中配置多个黑化层的情况下，形成同一叠层体基板内包含的多个黑化层时，即可以采用相同的成膜方法，也可以采用不同的成膜方法。

(贴合工序)

另外，如上所述，准备2枚例如图1A、图2A所示的在透明基材11的一个面侧具有铜层、黑化层的叠层体基板，并对金属叠层体进行图案化而获得所希望的金属配线，然后通过进行贴合，能够形成具有网格状配线的导电性基板。

如上所述，对2枚图案化的叠层体基板进行贴合的情况下，可以包括对2枚图案化的叠层体基板进行贴合的贴合工序。

关于在贴合工序中对2枚图案化的叠层体基板进行贴合的方法并无特别限定，例如能够使用粘合剂等进行粘合。

以上说明了本实施方式的导电性基板的制造方法。根据本实施方式的导电性基板的制造方法，能够减少金属配线间的开口部的残渣。因此，能够提供金属配线间露出的透明基材的可见光透射率高、且b^*为1.0以下的导电性基板。从而，例如将本实施方式的导电性基板用为触控面板用的导电性基板，将其配置在显示器的表示面上时，能够获得可抑制显示器的识别性降低的导电性基板。

[实施例]

以下根据具体的实施例、比较例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。

(评价方法)

对实施例、比较例中制作的试料，按以下方法进行了评价。

(1)在金属配线间的开口部被露出的透明基材的可见光透射率

在以下各实施例、比较例中，对具有图2B的结构的叠层体基板的金属叠层体24A、24B进行图案化，制作了剖面结构如图5A所示的导电性基板。因此，在图5A所示的导电性基板中的金属配线44A的开口部51，即透明基材11的下面未被金属配线44B覆盖的部分，实施了可见光透射率的测定。即，在透明基材11上下面的未被金属配线44A、44B覆盖的部分，实施了可见光透射率的测定。

使用分光光度计(岛津制作所制造，型号：UV-2600)，按1nm单位对波长400nm以上700nm以下的光进行波长调控的同时，照射到透明基材11上，测定透射率并算出其平均值，以此作为在透明基材间的开口部被露出的透明基材的可见光透射率。

(2)在金属配线间的开口部被露出的透明基材的b^*值

使用分光测色仪，根据JIS Z 8722，测定了在金属配线间的开口部被露出的透明基材的b^*值。

(试料的制作条件)

作为实施例、比较例，按以下说明的条件制作了导电性基板，并按照上述评价方法进行了评价。

[实验例1]

制作了下述实验例1-1～实验例1-6中的导电性基板，并进行了评价。

实验例1-1～实验例1-3是实施例，实验例1-4～实验例1-6是比较例。

(实验例1-1)

按照以下程序，制作了具有图5A所示的剖面结构的导电性基板。

(1)叠层体基板制造工序

(1-1)第1黑化层形成步骤

首先，在厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二酯树脂(PET)制的透明基材的一个面以及位于上述一个面之相反侧的另一面的两个面上，形成了第1黑化层。

在此，对作为透明基材使用的聚对苯二甲酸乙二酯树脂制的透明基材，根据JIS K7361-1规定的方法评价其可见光透射率，结果为97％。

使用包含镍70质量％及铜30质量％的镍铜合金靶，通过溅镀法，进行了第1黑化层的成膜。成膜时，首先，将通过预先加热至60℃而去除了水分的上述透明基材设置在溅镀装置的腔室内。接下来，进行排气使腔室内降至1×10^-4Pa，然后向腔室内导入氩与氧的混合气体，调至0.3Pa之后，进行成膜。在此，混合使用了氩气及氧气，以使混合气体中的氧含量成为30体积％。

形成了厚度为20nm的第1黑化层131。

(1-2)铜层形成步骤(铜薄膜层形成步骤)

接下来，在已形成第1黑化层的透明基材的各第1黑化层上，形成了作为铜层的铜薄膜层。

铜层成膜中，作为靶使用了铜靶，以及，用氩气代替了氩气与氧气的混合气体，其他按照与第1黑化层相同的方式，采用溅镀法在第1黑化层的上面形成了厚度为500nm的铜层。

(1-3)第2黑化层形成步骤

接下来，在各铜层上形成了第2黑化层。

按照与第1黑化层形成步骤相同的条件，实施了第2黑化层形成步骤，在铜层上形成了厚度为20nm的第2黑化层。

通过以上工序，如图2B所示，制作成在透明基材11的一个面11a及另一面11b的两个面上分别配置有金属叠层体24A、24B的叠层体基板20B。在此，金属叠层体24A、24B分别是第1黑化层131A、131B、铜层12A、12B、第2黑化层132A、132B依次叠层的结构。

将制作成的叠层体基板切成100mm的方形，进行了以下的蚀刻工序。

(2)蚀刻工序

(2-1)抗蚀剂形成步骤

接下来，对图2B所示的叠层体基板20B，在其金属叠层体24A、24B的与透明基材11相对的一个面的相反侧的另一面A及面B上，形成了形状与希望形成的金属配线图案对应的抗蚀剂。

在此，本实施方式中制作了如图4、图5A所示的导电性基板，在透明基材11的一个面11a侧形成有与Y轴平行的多个直线形状的金属配线44A，在另一面11b侧形成有与X轴平行的多个直线形状的金属配线44B。因此，以对应于上述金属配线的形状形成了抗蚀剂。

形成抗蚀剂时，首先在图2B所示的叠层体基板20B的金属叠层体24A、24B的面A、面B上，采用层压法粘贴感光性干薄膜抗蚀剂，形成感光性抗蚀剂层。然后，通过具有与希望形成的金属配线相同的配线图案的光掩膜，对感光性抗蚀剂层照射紫外线，使之感光。然后，使感光性抗蚀剂层与1质量％的碳酸钠水溶液接触，溶解未被照射紫外线的部分，形成了抗蚀剂图案。

(2-2)第1蚀刻步骤

然后，使用制作的抗蚀剂实施了第1蚀刻步骤。

在第1蚀刻步骤中，使用包含氯化铁(ferric chloride)5质量％、盐酸3质量％，其余部分为去离子水的第1蚀刻液，对金属叠层体24A、24B进行了蚀刻。

在第1蚀刻步骤中，通过在加温至30℃的上述第1蚀刻液中，将上述配置有抗蚀剂的叠层体基板浸渍30秒钟，对金属叠层体24A、24B实施了蚀刻，如此形成的金属配线间可露出透明基材。

(2-3)水洗步骤

完成第1蚀刻步骤之后，为了去除附着的第1蚀刻液，在装有足量的去离子水的水洗槽内，对图案化后的叠层体基板进行10秒钟的流水清洗。水洗后，对附着的水分进行脱水、干燥，并提供给第2蚀刻步骤。

(2-4)第2蚀刻步骤

完成水洗步骤之后，使用由盐酸及去离子水构成的pH值为2.5的第2蚀刻液，对金属配线间的残渣进行了蚀刻。

通过在室温(23℃)下的上述第2蚀刻液中，将上述完成水洗步骤后的图案化的叠层体基板浸渍10秒钟，实施了第2蚀刻步骤。

(2-5)抗蚀剂去除步骤

完成第2蚀刻步骤之后，使用4质量％的氢氧化钠水溶液对抗蚀剂进行了剥离、去除。并且，去除抗蚀剂之后，采用与水洗步骤同样的方式，使用去离子水，再次对获得的导电性基板进行了清洗、脱水、干燥。

关于通过实施以上工序获得的导电性基，对其在金属配线间的开口部被露出的透明基材的可见光透射率以及b^*进行了评价。其结果如表1所示。

(实验例1-2、实验例1-3)

通过调整盐酸的添加量，使第2蚀刻步骤中使用的第2蚀刻液的pH值满足表1所示的各实验例的值，其他按照与实验例1-1相同的方式制作了导电性基板，并进行了评价，其结果如表1所示。

(实验例1-4)

未实施第2蚀刻步骤，仅实施了至上述水洗步骤为止的处理，其他按照与实验例1-1相同的方式，制作了导电性基板，并进行了评价，其结果如表1所示。

(实验例1-5、实验例1-6)

通过调整盐酸的添加量，使第2蚀刻步骤中使用的第2蚀刻液的pH值满足表1所示的各实验例的值，其他按照与实验例1-1相同的方式制作了导电性基板，并进行了评价。其结果如表1所示。

[表1]

[实验例2]

实验例2-1～实验例2-5中制作了以下所示的导电性基板，并进行了评价。

实验例2-1～实验例2-5均为比较例。

(实验例2-1～实验例2-5)

作为第2蚀刻步骤中使用的第2蚀刻液，使用了由硫酸及去离子水构成的蚀刻液，并通过调整硫酸的添加量，以使上述蚀刻液的pH值满足表2所示的各实验例的值，其他条件按照与实验例1-1相同的方式至作了导电性基板，并进行了评价。其结果如表2所示。

[表2]

根据表1所示的结果，确认到未实施第2蚀刻步骤的实验例1-4的金属配线间的开口部的透明基材的可见光透射率比实施了第2蚀刻步骤的其他实验例低。

并且，对实验例1-1～实验例1-3、实验例1-5、实验例1-6进行比较的结果，确认到通过在第2蚀刻步骤中使用pH值为2.5以下的第2蚀刻液，可使金属配线间的透明基材的可见光透射率达到90.0％以上。相对而言，还确认到使用pH值超过2.5的第2蚀刻液的情况下，可见光透射率降低至89％程度。

另外，关于金属配线间的透明基材的b^*，也确认到通过在第2蚀刻步骤中使用pH值为2.5以下的第2蚀刻液，可使b^*成为1.0以下。相对而言，还确认到使用pH值超出2.5的蚀刻液的情况下，金属配线间的透明基材的b^*会超出1.0。

并且，通过比较实验例1-1～实验例1-3、实验例2-1～实验例2-5，确认到作为第2蚀刻液通过使用由盐酸及水构成的蚀刻液，能够去除金属配线间的残渣。相对而言，作为第2蚀刻液使用由硫酸及水构成的蚀刻液的情况下，无论pH值如何，均无法去除残渣。

以上，通过实施方式及实施例等说明了导电性基板、导电性基板的制造方法，但本发明并不限于上述实施方式及实施例等。在权利要求记载的本发明要旨范围内，可有各种变形、变更。

本申请基于2016年4月18日向日本专利厅提交的专利申请2016-083180号请求优先权，并引用专利申请2016-083180号的全部内容。

符号说明

10A、10B、20A、20B 叠层体基板

30、40 导电性基板

11、11A、11B 透明基材

12、12A、12B 铜层

13、13A、13B、131、132、131A、132A、131B、132B 黑化层

14、14A、14B、24、24A、24B 金属叠层体

32、42A、42B、62 铜配线层

33、431A、432A、431B、432B、631、632 黑化配线层

34、44A、44B 金属配线

Claims (2)

1.一种导电性基板，包括：

透明基材；及

形成在所述透明基材的至少一个面上的金属配线，

所述金属配线具有铜配线层及黑化配线层被叠层的结构，所述黑化配线层包含镍及铜，

在所述金属配线间被露出的所述透明基材的可见光透射率为90％以上，且b^*为1.0以下。

2.一种导电性基板的制造方法，包括：

蚀刻工序，对具备透明基材及金属叠层体的叠层体基板中的所述金属叠层体进行蚀刻，形成金属配线，

所述金属叠层体形成在所述透明基材的至少一个面上，且具有铜层及黑化层被叠层的结构，所述黑化层包含镍及铜，

在所述蚀刻工序中依次进行：

第1蚀刻步骤，使用包含从氯化铁、过氧化氢水、硫酸、盐酸中选择的1种以上的成分的第1蚀刻液进行蚀刻；

水洗步骤，对所述叠层体基板进行水洗；及

第2蚀刻步骤，使用由盐酸及水构成的、pH值为2.5以下的第2蚀刻液进行蚀刻。