JPWO2017183489A1 - 導電性基板、導電性基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属配線と、を有し、
前記金属配線は、銅配線層と、ニッケルと銅とを含有する黒化配線層とが積層された構造を有し、
前記金属配線間から露出する前記透明基材は、可視光透過率が９０％以上であり、かつｂ^＊が１．０以下である導電性基板を提供する。

Description

本発明は、導電性基板、導電性基板の製造方法に関する。

静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。

そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。

例えば、特許文献１には、高分子フィルムおよびその上に気相成膜法により設けられた金属酸化物からなる透明導電膜を含む透明導電性フィルムであって、金属酸化物からなる透明導電膜が、第一の金属酸化物からなる透明導電膜およびその上に設けられた第二の金属酸化物からなる透明導電膜からなり、かつ第二の金属酸化物からなる透明導電膜が第一の金属酸化物からなる透明導電膜の成膜条件と異なる条件で形成されていることを特徴とする透明導電性フィルムが開示されている。そして、金属酸化物からなる透明導電膜が酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）膜であることも開示されている。

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化や、高性能化が進んでおり、これに対応するために、導電層の材料として、電気抵抗が高いＩＴＯにかえて、銅等の金属を用いることが検討されている（例えば特許文献２、３を参照）。ただし、金属は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。このため、導電層となる銅等の金属層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を有する導電性基板が検討されている。

日本国特開２００３−１５１３５８号公報 日本国特開２０１１−０１８１９４号公報 日本国特開２０１３−０６９２６１号公報

上述のように配線パターンを構成する金属配線が、銅等の金属層と、黒化層とを有する導電性基板を作製するためには、基材上に予め金属層と、黒化層とを積層した積層体基板を作製し、該金属層と、黒化層とを金属配線のパターンに応じてエッチングする必要がある。

しかしながら、銅等の金属層と、黒化層とのエッチング液に対する反応性が異なり、黒化層を完全に除去できず、金属配線間の開口部に黒化層の残渣が残るため、該開口部に露出した透明基材の可視光透過率が低くなっていた。

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、金属配線間に露出した透明基材の可視光透過率の高い導電性基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属配線と、を有し、
前記金属配線は、銅配線層と、ニッケルと銅とを含有する黒化配線層とが積層された構造を有し、
前記金属配線間から露出する前記透明基材は、可視光透過率が９０％以上であり、かつｂ^＊が１．０以下である導電性基板を提供する。

本発明の一側面によれば、金属配線間に露出した透明基材の可視光透過率の高い導電性基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図４のＡ−Ａ´線における断面図。 図４のＡ−Ａ´線における断面図。 エッチング工程の説明図。 エッチング工程の説明図。 エッチング工程の説明図。 エッチング工程の説明図。

以下、本発明の導電性基板、及び導電性基板の製造方法の一実施形態について図面を用いて説明する。

なお、同じ部材には同じ番号を付して説明を一部省略する。

本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属配線と、を有することができる。
そして、金属配線は、銅配線層と、ニッケルと銅とを含有する黒化配線層とが積層された構造を有し、金属配線間から露出する透明基材は、可視光透過率が９０％以上であり、かつｂ^＊が１．０以下とすることができる。

なお、本実施形態における積層体基板とは、銅層等をパターニングする前の、透明基材の表面に銅層、及び黒化層の金属積層体を有する基板を意味する。また、導電性基板とは、銅層、及び黒化層を所望の配線パターンになるようにパターニングした基板、すなわち配線基板を意味する。導電性基板は透明基材が銅層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。

本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属積層体とを有し、金属積層体が、銅層と、ニッケルと銅とを含有する黒化層とが積層された構造を有する積層体基板の銅層、及び黒化層をパターニングして作製できる。このため、本実施形態の積層体基板の構成例についてまず説明する。
（積層体基板）
最初に本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等から選択された１種類以上の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート等から選択された１種類以上をより好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

透明基材の可視光透過率は高い方が好ましく、例えば可視光透過率は９０％以上であることが好ましい。これは、透明基材の可視光透過率が９０％以上の場合、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。

なお透明基材の可視光透過率はＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。

次に金属積層体について説明する。金属積層体は、銅層と、ニッケルと銅とを含有する黒化層とが積層された構造を有することができる。

ここでまず、銅層について説明する。

銅層は銅から構成することができる。ただし、ターゲットや、めっき液等に起因する製造工程で混入する不可避成分が含まれていても良い。

銅層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、他の部材と銅層との間に接着剤を配置しないで形成されていることが好ましい。すなわち、銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、銅層は黒化層、または透明基材の上面に形成することができる。このため、銅層は、黒化層、または透明基材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は乾式めっき法を用いて成膜された銅薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。

また銅層をより厚くする場合には、乾式めっきの後に湿式めっき法を用いて、銅薄膜層上に銅めっき層を積層をすることができる。具体的には例えば、透明基材または黒化層上に、銅薄膜層を乾式めっき法により形成し、該銅薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっき法により銅めっき層を形成することができる。

なお、上述の様に乾式めっき法のみで銅層を成膜した場合、銅層は銅薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成した場合、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とにより構成できる。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成することができる。

銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層をパターニングして銅配線層とした場合に、該銅配線層に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。

ただし、銅層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、銅層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。

また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

銅層が銅薄膜層により構成される場合、または銅薄膜層と銅めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、銅薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。

次に、黒化層について説明する。

銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングして金属配線層を形成するのみでは配線が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、金属配線層の光の反射を抑制したい面に黒化配線層を設ける方法が検討されてきた。

しかしながら、銅層と、黒化層とのエッチング液に対する反応性が異なり、黒化層を完全に除去できず、金属配線間の開口部に黒化層の残渣が残る場合があるため、該開口部に露出した透明基材の可視光透過率が低くなるという問題があった。

そこで、本発明の発明者は黒化層をニッケルと銅とを含有する層とし、所定のエッチング液を用いることで、金属配線間の開口部に露出した透明基材の可視光透過率の高い導電性基板とすることができることを見出し、本発明を完成させた。

本実施形態の導電性基板の黒化層は、ニッケルと銅とを含有することができ、他に例えば酸素も含有することができる。本実施形態の導電性基板の黒化層は、特にニッケルと銅と酸素とから構成することもできる。

このように黒化層がニッケルと、銅とを含有することで、銅層表面での光の反射を十分に抑制することができ、かつ銅層と黒化層とをパターニングした場合でも、透明基材表面に黒化層の残渣が生じることを抑制することができる。

黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、ニッケルと銅とを含有するように形成できる方法であれば任意の方法を選択することができる。ただし、黒化層は、透明基材および／または銅層等の他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成することが好ましい。具体的には、黒化層の成膜方法としては、例えば湿式めっき法や、乾式めっき法を用いることができる。湿式めっき法の場合であれば、例えば電解めっき法を用いることができ、乾式めっき法の場合であれば、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。乾式めっき法を用いる場合、特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。

なお、積層体基板中に複数の黒化層を配置する場合、同一の積層体基板内に含まれる複数の黒化層は、同じ成膜方法により成膜してもよく、異なる成膜方法により成膜してもよい。

黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、積層体基板や、導電性基板に要求される光の反射の抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。

黒化層の厚さは例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、銅層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、銅層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを１５ｎｍ以上とすることにより、銅層の表面での反射をより確実に抑制できるため好ましい。

また、黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くすると、金属配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

次に、積層体基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と銅層と黒化層とを有することができる。この際、銅層と黒化層とについての透明基材上の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。ただし、銅層表面での光の反射を抑制するために、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層を配置することが好ましい。銅層表面での光の反射を特に抑制することが要求される場合、黒化層が銅層の上面及び下面に形成された積層構造、すなわち銅層が黒化層に挟まれた構造とすることもできる。

具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

本実施形態の積層体基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、銅層と、黒化層とが積層された構造を有することができる。

具体的には例えば、図１Ａに示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。この場合、銅層１２と、黒化層１３とで、金属積層体１４を構成している。

また、図１Ｂに示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面である他方の面１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。この場合も、銅層１２Ａと、黒化層１３Ａとで一方の面１１ａ側の金属積層体１４Ａを、銅層１２Ｂと、黒化層１３Ｂとで、他方の面１１ｂ側の金属積層体１４Ｂを構成している。

なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面側に複数層設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から黒化層と、銅層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。

具体的には例えば図２Ａに示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１黒化層１３１と、銅層１２と、第２黒化層１３２と、をその順に積層することができる。この場合、第１黒化層１３１と、銅層１２と、第２黒化層１３２とで、金属積層体２４を構成している。

なお、第１黒化層、第２黒化層は、それぞれ区別せずにまとめて示す場合には単に黒化層とも記載する。

また、透明基材１１の両面に銅層、第１黒化層、第２黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。この場合も、第１黒化層１３１Ａと、銅層１２Ａと、第２黒化層１３２Ａとで一方の面１１ａ側の金属積層体２４Ａを、第１黒化層１３１Ｂと、銅層１２Ｂと、第２黒化層１３２Ｂとで、他方の面１１ｂ側の金属積層体２４Ｂを構成している。

なお、図１Ｂ、図２Ｂにおいて、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合に、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ａの構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

ここまで、本実施形態の積層体基板について説明してきたが、本実施形態の積層体基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層とを設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
（導電性基板）
以下に本実施形態の導電性基板について説明する。

なお、本実施形態の導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の金属積層体をパターニングし、所定の配線パターンを有する金属配線とした形態を有する。このため、本実施形態の導電性基板が有する透明基材、銅配線層、及び黒化配線層は、それぞれ積層体基板で説明した透明基材、銅層、及び黒化層と同様の材料を用いることができ、また各部材の好適な厚さについても同様の範囲とすることができる。従って、積層体基板において既に説明した点については記載を省略する。

ここで、図３に本実施形態の導電性基板の各層の積層方向と平行な面での断面図の構成例を示す。

図３に示すように、本実施形態の導電性基板は、透明基材１１と、透明基材１１の少なくとも一方の面上に形成された金属配線３４と、を有し、金属配線３４は、銅配線層３２と、ニッケルと銅とを含有する黒化配線層３３とが積層された構造を有することができる。

図３に示した導電性基板３０は、例えば既述の図１Ａに示した積層体基板１０Ａの金属積層体１４をパターニングして形成することができる。

なお、図３においては、金属配線３４が、透明基材１１側から銅配線層３２、黒化配線層３３の順に積層した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。例えば透明基材１１側から黒化配線層３３、銅配線層３２の順に積層された構成とすることもできる。また、本実施形態の導電性基板は例えば、図１Ｂ、図２Ａや、図２Ｂに示した積層体基板の金属積層体をパターニングすることでも作製することができる。図１Ｂや図２Ｂに示した積層体基板を用いた場合、金属積層体１４Ａ（２４Ａ）、及び金属積層体１４Ｂ（２４Ｂ）についてパターニングして、透明基材１１の両面に金属配線を有する導電性基板とすることができる。また、例えば図２Ａ、図２Ｂに示した積層体基板を用いた場合、黒化配線層間に銅配線層が配置された金属配線を有する導電性基板とすることができる。

そして、本実施形態の導電性基板は、金属配線３４間から露出する透明基材１１の可視光透過率が９０％以上であることが好ましい。

これは、金属配線３４間から露出する透明基材１１の可視光透過率が９０％以上の場合、金属積層体をパターニングすることで形成した金属配線間の開口部の透明基材表面に黒化層の残渣がほとんど残っていないことを意味するからである。そして、金属配線３４間から露出する透明基材１１の可視光透過率が９０％以上の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合に、ディスプレイの視認性を特に高めることができるため、好ましい。

ここでいう、金属配線間から露出する透明基材の可視光透過率とは、例えば図３中、金属配線３４間の開口部３５において露出した透明基材１１の可視光透過率を意味する。なお、図１Ｂや、図２Ｂのように透明基材の一方の面、及び他方の面の両面に金属積層体を有する積層体基板から導電性基板を作製した場合には、透明基材のうち、一方の面、及び他方の面の両面において、金属配線に覆われていない部分での可視光透過率を意味する。

また、可視光透過率とは、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を、所定の間隔、具体的には例えば１ｎｍ間隔で波長を変化させ、金属配線間から露出する透明基材に照射し、各波長の光について測定した透過率の平均値を意味する。

また、本実施形態の導電性基板は、金属配線３４間から露出する透明基材１１のｂ^＊が、すなわち、金属配線３４間から露出する透明基材１１の透過光の色をＣＩＥ（Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊）表色系に換算した際のｂ^＊値が１．０以下であることが好ましい。なお、金属配線３４間から露出する透明基材１１のｂ^＊とは、上述の可視光透過率の場合と同様に、例えば図３中、金属配線３４間の開口部３５において露出した透明基材１１のｂ^＊を意味する。

これは金属配線３４間から露出する透明基材１１のｂ^＊が１．０以下の場合、金属積層体をパターニングすることで形成した金属配線３４間の開口部の透明基材表面に黒化層の残渣がほとんど残っていないことを意味するからである。そして、金属配線３４間の開口部３５におけるｂ^＊が、１．０以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合に、ディスプレイの視認性を特に高めることができるため、好ましい。

ｂ^＊の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．１以上とすることができる。

金属配線３４間から露出する透明基材１１のｂ^＊は、例えば金属配線３４間の開口部３５において露出した透明基材１１に対して、ＪＩＳ Ｚ ８７２２（２００９年改訂）に準拠して測定できる。

なお、図１Ｂや、図２Ｂのように透明基材の一方の面、及び他方の面の両面に金属積層体を有する積層体基板から導電性基板を作製した場合には、透明基材のうち、一方の面、及び他方の面の両面において、金属配線に覆われていない部分でｂ^＊を測定する。

また、本実施形態の導電性基板は、例えばメッシュ状の金属配線を備えた導電性基板とすることができる。メッシュ状の金属配線を備えた導電性基板とした場合を例に、以下に説明する。

例えば、二層の金属配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図４に示す。図４はメッシュ状の配線を備えた導電性基板４０を銅配線層、および黒化配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。図４に示した導電性基板４０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の金属配線４４Ａと、Ｘ軸方向に平行な金属配線４４Ｂとを有している。なお、金属配線４４Ａ、４４Ｂは銅配線層、及び黒化配線層を有しており、銅配線層、及び黒化配線層は、透明基材１１の金属配線を配置した面と平行な面での断面が同様の形状となるようにエッチングされていることが好ましい。

透明基材１１と金属配線４４Ａ、４４Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と金属配線との配置の構成例を図５Ａ、図５Ｂに示す。図５Ａ、図５Ｂは図４のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

まず、図５Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層４２Ａ、４２Ｂが配置されていてもよい。なお、図５Ａでは銅配線層４２Ａ、４２Ｂと透明基材１１との間には、それぞれ透明基材１１の金属配線を配置した面と平行な面での断面が、銅配線層と同じ形状となるようにエッチングされた第１黒化配線層４３１Ａ、４３１Ｂを配置することができる。また、銅配線層４２Ａ、４２Ｂの透明基材１１と対向する面と反対側の面上には、それぞれ透明基材１１の金属配線を配置した面と平行な面での断面が、銅配線層と同じ形状となるようにエッチングされた第２黒化配線層４３２Ａ、４３２Ｂを配置することができる。

また、図５Ｂに示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に銅配線層４２Ａ、４２Ｂを配置し、かつ、一方の銅配線層４２Ｂは透明基材１１Ａ、１１Ｂ間に配置されてもよい。図５Ｂの場合も、銅配線層４２Ａ、４２Ｂと透明基材１１Ａ、１１Ｂとの間には、透明基材１１Ａ、１１Ｂの金属配線を配置した面と平行な面での断面が、銅配線層４２Ａ、４２Ｂと同じ形状となるようにエッチングされた第１黒化配線層４３１Ａ、４３１Ｂを配置することができる。また、銅配線層４２Ａ、４２Ｂの透明基材１１Ａ、１１Ｂと対向する面と反対側の面上には、それぞれ透明基材１１Ａ、１１Ｂの金属配線を配置した面と平行な面での断面が、銅配線層４２Ａ、４２Ｂと同じ形状となるようにエッチングされた第２黒化配線層４３２Ａ、４３２Ｂを配置することができる。

図５Ａ、図５Ｂいずれの場合でも、銅配線層４２Ａと第１黒化配線層４３１Ａと第２黒化配線層４３２Ａとで金属配線４４Ａが、銅配線層４２Ｂと第１黒化配線層４３１Ｂと第２黒化配線層４３２Ｂとで金属配線４４Ｂがそれぞれ構成されている。

なお、図５Ａ、図５Ｂにおいては、第１黒化配線層４３１Ａ、４３１Ｂと、第２黒化配線層４３２Ａ、４３２Ｂとを配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、いずれか一方の黒化配線層を有しない構成とすることもできる。ただし、黒化配線層は、銅配線層のうち、光の反射を特に抑制したい面に配置していることが好ましい。このため、光の反射を抑制することを要求される面には黒化配線層を有していることが好ましい。

図４及び図５Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図２Ｂのように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂと、を備えた積層体基板から形成することができる。

図２Ｂの積層体基板２０Ｂを用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３１Ａ、１３２Ａを、図２Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図２Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図２Ｂ中のＹ軸方向とは、図２Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３１Ｂ、１３２Ｂを図２Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。

以上の操作により図４、図５Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。

また、図５Ａにおいて、第１黒化配線層４３１Ａ、４３１Ｂを有しない導電性基板とする場合には、図２Ｂの積層体基板２０Ｂに替えて、図１Ｂに示した積層体基板１０Ｂを用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。

図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図２Ａの積層体基板２０Ａを２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図２Ａに示した積層体基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３１、１３２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各積層体基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚のパターニングした積層体基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚のパターニングした積層体基板、すなわち導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、図２Ａにおける第２黒化層１３２の表面１３２ａと、透明基材１１の銅層１２等が積層されていない面１１ｂとを貼り合せて、図５Ｂに示した構造となるようにすることもできる。

また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図２Ａにおける面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図５Ａに示した構造となるようにすることもできる。

なお、図４、図５Ａ、図５Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。

また、図４、図５Ａ、図５Ｂにおいては、直線形状の金属配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。

このように２層の金属配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属積層体とを有し、金属積層体が、銅層と、ニッケルと銅とを含有する黒化層とが積層された構造を有する積層体基板の、金属積層体をエッチングし、金属配線を形成するエッチング工程を有することができる。
そして、エッチング工程は、以下のステップをその順に有することができる。

塩化鉄、過酸化水素水、硫酸、塩酸から選択される１種類以上を含む第１エッチング液を用いてエッチングする第１エッチングステップ。
積層体基板を水洗する水洗ステップ。
塩酸、及び水からなり、ｐＨが２．５以下である第２エッチング液を用いてエッチングする第２エッチングステップ。
（エッチング工程）
本実施形態の導電性基板の製造方法のエッチング工程について、図６Ａ〜図６Ｄを用いながら以下に説明する。

図６Ａに示したように、透明基材１１と、透明基材１１の少なくとも一方の面上に形成された金属積層体２４とを有する積層体基板を用意する。金属積層体２４は、銅層１２、及び黒化層１３１、１３２を有することができる。なお、図６Ａにおいては、既に説明した図２Ａに示した積層体基板２０Ａを用いた例を示しているが、積層体基板の構成は係る形態に限定されるものではない。ここまで説明したその他の構成を有する積層体基板、例えば図１Ａ、図１Ｂ、図２Ｂに示した積層体基板を用いることもできる。

そして、図６Ａに示したように金属積層体２４の透明基材と対向する一方の面２４ａとは反対側に位置する他方の面２４ｂ上に形成する金属配線のパターンに対応した形状を有するレジスト６１を形成することができる（レジスト形成ステップ）。

レジスト６１の形成方法は特に限定されないが、例えば金属積層体２４の他方の面２４ｂ上に感光性ドライフィルムレジストをラミネート法により貼り付け、感光性レジスト層を形成する。次いで感光性レジスト層に形成する金属配線の配線パターンをもつフォトマスクを介して紫外線を照射し、感光させる。

そして、感光性レジスト層を現像液に接触させ、紫外線が照射されなかった部分を溶解させ、開口部６１１を有するレジスト６１を形成することができる。現像液としては特に限定されないが、例えば炭酸ナトリウム水溶液を用いることができる。

なお、図６Ａの場合とは異なり、例えば積層体基板として、図１Ｂ等の透明基材の両方の面に金属積層体を有する積層体基板を用いた場合には、各金属積層体の透明基材と対向する面とは反対側の面上にレジストを形成し、以下のエッチング工程を実施できる。

次いで、図６Ｂに示したように、レジスト６１を用いて第１エッチングステップを実施することができる。

第１エッチングステップでは、塩化鉄、過酸化水素水、硫酸、塩酸から選択される１種類以上を含む第１エッチング液を用いて金属積層体２４をエッチングすることができる。第１エッチングステップでは、例えばレジスト６１の上面から第１エッチング液を供給して実施することができる。または、積層体基板を第１エッチング液に浸漬して実施することができる。

第１エッチングステップを実施することで、図６Ｂに示すように、形成したレジスト６１のパターンに対応する形状を有する、銅配線層６２と、黒化配線層６３１、６３２とを有する金属配線６４を形成することができる。

ただし、第１エッチングステップのみでは、図６Ｂに示したように、金属配線６４間の開口部６４１に、黒化層１３１、１３２等の残渣６５が生じる場合がある。金属配線６４の開口部６４１に残渣６５が生じると、透明基材１１は該開口部６４１に直接露出することができず、透明基材１１に該残渣６５により着色等生じ、該導電性基板をタッチパネルの用途に用いた場合に、ディスプレイの視認性が低下する場合がある。

そこで、本実施形態のエッチング工程は、第１エッチングステップを実施した後、第２エッチングステップを実施することができる。ただし、積層体基板に残留する第１エッチングステップで用いた第１エッチング液を除去するため、積層体基板を水洗する水洗ステップを実施した後で、第２エッチングステップを実施することが好ましい。

なお、水洗ステップの具体的な条件は特に限定されるものではなく、水を入れた水洗槽内に導電性基板を供給し、水洗することができる。また、例えば、導電性基板の表面に対して水を噴射し洗浄することもできる。

水洗ステップ後、第２エッチングステップを実施する前に、必要に応じて、導電性基板に付着した水を除去する水切りステップや、乾燥ステップ等を実施することもできる。

次に第２エッチングステップについて説明する。

第２エッチングステップでは、塩酸、及び水からなり、ｐＨが２．５以下である第２エッチング液を用いて金属配線６４間の残渣６５をエッチング、除去することができる。

第１エッチングステップでは、金属積層体２４をエッチングし、所望の配線パターンに対応した形状の金属配線６４を有する導電性基板を形成することができる。しかしながら、既述のように金属配線６４間の開口部６４１に残渣６５が生じ、金属配線６４間の開口部に残渣６５が残った状態では、該導電性基板をタッチパネルの用途に用いた場合に、ディスプレイの視認性が低下する原因となり問題であった。

そこで、本実施形態の導電性基板の製造方法では、第２エッチング液を用いて、金属配線６４間に生じた残渣を、エッチングし、除去することができる。

第２エッチング液は、上述のように塩酸、及び水からなることが好ましい。これは、残渣６５は主にニッケルと銅とを含有する黒化層１３１、１３２に起因しており、残渣６５についてもニッケルと銅とを主な成分として含有しており、特にニッケルの含有量が多くなっている。このため、第２エッチング液として塩酸、及び水からなるエッチング液を用いることで、残渣６５をより確実に除去できるからである。また、第２エッチング液は、ｐＨを２．５以下とすることで残渣６５との反応性を高め、より確実に残渣６５を除去できるため、好ましい。

第２エッチング液のｐＨは低い方が残渣の除去については特に高い効果を発揮することから、その下限値は特に限定されないが、第２エッチングステップにおける、第１エッチングステップで形成した金属配線へのダメージを抑制するため、例えば１．０以上とすることができる。

このように、黒化層をニッケルと銅とを含有する層とし、第２エッチング液として、塩酸、及び水からなり、ｐＨが２．５以下のエッチング液を用いることで、金属配線間の開口部に生じた残渣をより確実に除去することが可能になる。このため、該開口部における可視光透過率に優れた導電性基板を得ることができる。

また、金属配線間の開口部に残渣が残っていると、透明基材が黄ばんで見え、金属配線間から露出する透明基材１１のｂ^＊が１．０よりも大きくなる場合がある。しかし、上記所定の第２エッチング液を用いることで、金属配線間の開口部に生じた残渣をより確実に除去することが可能になる。このため、金属配線間から露出する透明基材１１のｂ^＊を１．０以下とすることができる。

第２エッチングステップは、エッチング液として第２エッチング液を用いる点以外は第１エッチングステップの場合と同様にして実施することができる。具体的には例えば、レジスト６１の上面から第２エッチング液を供給して実施することができる。または第１エッチングステップを終えた積層体基板を第２エッチング液に浸漬して実施することができる。これにより図６Ｃに示したように、透明基材１１上に、レジスト６１に対応したパターンを有する銅配線層６２、及び黒化配線層６３１、６３２を有する金属配線６４を備えた導電性基板とすることができ、かつ金属配線６４間の開口部６４１に存在していた残渣６５を除去することができる。

第２エッチングステップ終了後は、レジストを除去することができる（レジスト除去ステップ）。

レジストの除去方法は特に限定されないが、例えば水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、感光性レジストを剥離、除去することができる。これにより、図６Ｄに示したように、透明基材１１上に、黒化配線層６３１、６３２、及び銅配線層６２を備えた金属配線６４を有する導電性基板を得ることができる。

また、本実施形態の導電性基板の製造方法は、必要に応じて任意の工程をさらに有することもできる。例えば、ここまで説明したエッチング工程に供する積層体基板を製造する積層体基板製造工程を有することができる。
（積層体基板製造工程）
積層体基板製造工程は以下のステップを有することができる。なお、積層体基板製造工程は、既述の本実施形態の積層体基板の製造方法に相当する。

透明基材の少なくとも一方の面上に銅層を形成する銅層形成ステップ。
透明基材の少なくとも一方の面上に黒化層を形成する黒化層形成ステップ。

なお、積層体基板においては、銅層と黒化層とを透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成ステップと、黒化層形成ステップとを実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

以下、各ステップについて説明する。

まず、銅層形成ステップについて説明する。

銅層形成ステップにおいては、透明基材の少なくとも一方の面上に銅層を形成できる。

なお、銅層形成ステップ、または黒化層形成ステップに供する透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。

そして、銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電解めっき法により銅めっき層を形成する銅めっき層形成ステップと、を有していてもよい。

銅薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。銅薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

次に銅めっき層を形成する銅めっき層形成ステップについて説明する。湿式めっき法により銅めっき層形成ステップにおける条件、すなわち、例えば電解めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

次に、黒化層形成ステップについて説明する。

黒化層形成ステップは既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を成膜するステップである。黒化層の成膜手段は特に限定されるものではなく、ニッケルと銅とを含有するように形成できる方法であれば任意の方法を選択することができる。ただし、黒化層は、透明基材および／または銅層等の他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成することが好ましい。このため、黒化層を成膜する際の下地の層の構成等により成膜方法を選択することができ、黒化層の成膜方法としては、例えば湿式めっき法や、乾式めっき法を用いることができる。湿式めっき法の場合であれば、例えば電解めっき法を用いることができ、乾式めっき法の場合であれば、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。乾式めっき法を用いる場合、特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。また、黒化層は例えば酸素を含有することもでき、ニッケルと銅とに加えて酸素を含有する黒化層を乾式めっき法により成膜する場合、該黒化層は、例えば反応性スパッタリング法により成膜することができる。酸素を含有する黒化層を成膜する場合、黒化層を成膜する雰囲気、例えば不活性ガス中に酸素を添加しておくことができる。不活性ガスとしてはアルゴン等を用いることができる。

なお、積層体基板中に複数の黒化層を配置する場合、同一の積層体基板内に含まれる複数の黒化層は、同じ成膜方法により成膜しても良く、異なる成膜方法により成膜してもよい。
（貼り合せ工程）
また、既に説明したように、例えば図１Ａ、図２Ａに示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する積層体基板を２枚用意し、金属積層体を所望の金属配線となるようにパターニングした後、貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることもできる。

このように、２枚のパターニングした積層体基板を貼り合せる場合には、２枚のパターニングした積層体基板を貼り合せる貼り合せ工程を有することもできる。

貼り合せ工程において、２枚のパターニングした積層体基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。

以上に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明した。本実施形態の導電性基板の製造方法によれば、金属配線間の開口部の残渣を低減することが可能になる。このため、金属配線間に露出した透明基材の可視光透過率が高く、ｂ^＊が１．０以下の導電性基板を提供することができる。従って、例えば本実施形態の導電性基板をタッチパネル用の導電性基板として用い、ディスプレイの表示面上に配置した場合に、ディスプレイの視認性の低下を抑制した導電性基板とすることができる。

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
実施例、比較例において作製した試料について以下の方法により評価を行った。
（１）金属配線間の開口部に露出した透明基材の可視光透過率
以下の各実施例、比較例では、図２Ｂの構造を有する積層体基板の金属積層体２４Ａ、２４Ｂをパターニングして、図５Ａに示す断面構造を有する導電性基板を作製した。このため、図５Ａに示した導電性基板のうち、金属配線４４Ａの開口部５１であって、透明基材１１の下面が金属配線４４Ｂにより覆われていない部分において、可視光透過率の測定を実施した。すなわち、透明基材１１の上下の面が金属配線４４Ａ、４４Ｂにより覆われていない部分において、可視光透過率の測定を実施した。

測定は、分光光度計（島津製作所製、形式：ＵＶ−２６００）により、透明基材１１に対して、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を、１ｎｍ間隔で波長を変化させて照射して、測定した透過率の平均値を算出し、透明基材間の開口部に露出した透明基材の可視光透過率とした。
（２）金属配線間の開口部に露出した透明基材のｂ^＊値
分光測色計を用いＪＩＳ Ｚ ８７２２に準拠して金属配線間の開口部に露出した透明基材のｂ^＊値を測定した。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実験例１］
以下に示す実験例１−１〜実験例１−６の導電性基板を作製し、評価を行った。

実験例１−１〜実験例１−３が実施例であり、実験例１−４〜実験例１−６が比較例となる。
（実験例１−１）
以下の手順により、図５Ａに示した断面構造を有する導電性基板を作製した。
（１）積層体基板製造工程
（１−１）第１黒化層形成ステップ
まず、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の面、及び一方の面の反対側に位置する他方の面の、両方の面上に第１黒化層を形成した。

なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、可視光透過率をＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。

第１黒化層は、ニッケル７０質量％と、銅３０質量％とを含有するニッケル−銅合金のターゲットを用い、スパッタリング法により成膜した。成膜に当たっては、まず、予め６０℃まで加熱して水分を除去した上記透明基材をスパッタリング装置のチャンバー内にセットした。そして、チャンバー内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、チャンバー内に、アルゴンと酸素との混合ガスを導入し０．３Ｐａとした後、成膜を行った。なお、混合ガス中の酸素の含有量が３０体積％となるようにアルゴンガスと、酸素ガスとを混合して用いた。

第１黒化層１３１は厚さが２０ｎｍとなるように成膜した。
（１−２）銅層形成ステップ（銅薄膜層形成ステップ）
続いて、第１黒化層を成膜した透明基材の各第１黒化層上に銅層として銅薄膜層を成膜した。

銅層は、ターゲットとして銅のターゲットを用いた点、及びアルゴンガスと、酸素ガスとの混合ガスに替えて、アルゴンガスを用いた点以外は第１黒化層の場合と同様にして、スパッタリング法により第１黒化層の上面に厚さが５００ｎｍの銅層を成膜した。
（１−３）第２黒化層形成ステップ
続いて、各銅層上に第２黒化層を成膜した。

第２黒化層形成ステップは、第１黒化層形成ステップの場合と同じ条件で実施し、銅層上に厚さが２０ｎｍの第２黒化層を成膜した。

以上の工程により、図２Ｂに示すように、透明基材１１の一方の面１１ａ、及び他方の面１１ｂの両方の面上にそれぞれ金属積層体２４Ａ、２４Ｂが配置された積層体基板２０Ｂを作製した。なお、金属積層体２４Ａ、２４Ｂはそれぞれ、第１黒化層１３１Ａ、１３１Ｂ、銅層１２Ａ、１２Ｂ、第２黒化層１３２Ａ、１３２Ｂがその順に積層されている。

作製した積層体基板について１００ｍｍ角に切断し、以下のエッチング工程に供した。
（２）エッチング工程
（２−１）レジスト形成ステップ
そして、図２Ｂに示した積層体基板２０Ｂにおいて、金属積層体２４Ａ、２４Ｂの透明基材１１と対向する一方の面とは反対側に位置する他方の面Ａ、及び面Ｂ上に形成する金属配線のパターンに対応した形状を有するレジストを形成した。

なお、本実施形態では図４、図５Ａに示した導電性基板を作製しており、透明基材１１の一方の面１１ａ側にＹ軸と平行な複数の直線形状の金属配線４４Ａを、他方の面１１ｂ側にはＸ軸と平行な複数の直線形状の金属配線４４Ｂを形成している。このため、レジストも係る金属配線に対応した形状となるように形成した。

レジストの形成に当たっては、まず図２Ｂに示した積層体基板２０Ｂの金属積層体２４Ａ、２４Ｂの面Ａ、面Ｂ上に感光性ドライフィルムレジストをラミネート法により貼り付け、感光性レジスト層を形成する。次いで感光性レジスト層に形成する金属配線の配線パターンをもつフォトマスクを介して紫外線を照射し、感光させる。次に、感光性レジスト層を１質量％炭酸ナトリウム水溶液に接触させ、紫外線が照射されなかった部分を溶解させ、レジストパターンを形成した。
（２−２）第１エッチングステップ
次いで、作製したレジストを用いて第１エッチングステップを実施した。

第１エッチングステップでは、塩化第二鉄５質量％と、塩酸３質量％と、残部がイオン交換水とからなる、第１エッチング液を用いて金属積層体２４Ａ、２４Ｂのエッチングを行った。

第１エッチングステップでは、温度３０℃に加温された上記第１エッチング液に、レジストを配置した積層体基板を３０秒間浸漬することで金属積層体２４Ａ、２４Ｂのエッチングを実施し、これにより形成された金属配線間に透明基材が露出した。
（２−３）水洗ステップ
第１エッチングステップ終了後、付着した第１エッチング液を除去するため、十分な量のイオン交換水を入れた水洗槽にパターニングした積層体基板を１０秒間、流水により洗浄した。水洗後、付着した水分を水切り、乾燥し、第２エッチングステップに供した。
（２−４）第２エッチングステップ
水洗ステップ終了後、塩酸と、イオン交換水とからなり、ｐＨが２．５である第２エッチング液を用いて金属配線間の残渣のエッチングを行った。

第２エッチングステップでは、室温（２３℃）とした上記第２エッチング液に、水洗ステップを終えたパターニングした積層体基板を１０秒間浸漬することで実施した。
（２−５）レジスト除去ステップ
第２エッチングステップ終了後、４質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを剥離、除去した。そして、レジストを除去した後、再び水洗ステップの場合と同様にして得られた導電性基板をイオン交換水により洗浄し、水切り、乾燥を行った。

以上の工程を実施することで得られた導電性基板について、金属配線間の開口部に露出した透明基材の可視光透過率、及びｂ^＊の評価を行った。結果を表１に示す。
（実験例１−２、実験例１−３）
第２エッチングステップにおいて用いた第２エッチング液のｐＨが、各実験例について表１に示した値となるように、塩酸の添加量を調整した点以外は、実験例１−１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
（実験例１−４）
第２エッチングステップを実施せず、水洗ステップまでのみを実施した点以外は、実験例１−１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
（実験例１−５、実験例１−６）
第２エッチングステップにおいて用いた第２エッチング液のｐＨが、各実験例について表１に示した値となるように、塩酸の添加量を調整した点以外は、実験例１−１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。

［実験例２］
以下に示す実験例２−１〜実験例２−５の導電性基板を作製し、評価を行った。

実験例２−１〜実験例２−５はいずれも比較例となる。
（実験例２−１〜実験例２−５）
第２エッチングステップにおいて用いた第２エッチング液として、硫酸と、イオン交換水とからなるエッチング液を用い、該エッチング液のｐＨが、各実験例について表２に示した値となるように、硫酸の添加量を調整した点以外は、実験例１−１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。結果を表２に示す。

表１に示した結果によると、第２エッチングステップを実施していない実験例１−４では金属配線間の開口部における透明基材の可視光透過率は、第２エッチングステップを実施した他の実験例よりも低くなっていることが確認できた。

そして、実験例１−１〜実験例１−３、実験例１−５、実験例１−６を比較することで、第２エッチングステップにおいて、ｐＨが２．５以下の第２エッチング液を用いることで、金属配線間における透明基材の可視光透過率を９０．０％以上とすることができることが確認できた。これに対して、ｐＨが２．５を超える第２エッチング液を用いた場合、８９％程度と低くなることを確認できた。

また、金属配線間における透明基材のｂ^＊についても、第２エッチングステップにおいて、ｐＨが２．５以下の第２エッチング液を用いることで、１．０以下にできることを確認できた。これに対して、ｐＨが２．５を超えるエッチング液を用いた場合、金属配線間における透明基材のｂ^＊が１．０を超えることが確認できた。

さらに、実験例１−１〜実験例１−３と、実験例２−１〜実験例２−５とを比較すると、第２エッチング液として、塩酸と水とからなるエッチング液を用いることで金属配線間の残渣を除去することができることを確認できた。これに対して、第２エッチング液として、硫酸と水とからなるエッチング液を用いた場合、ｐＨに依らず残渣を除去できないことが確認できた。

以上に導電性基板、導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

本出願は、２０１６年４月１８日に日本国特許庁に出願された特願２０１６−０８３１８０号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１６−０８３１８０号の全内容を本国際出願に援用する。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ 積層体基板
３０、４０ 導電性基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ 黒化層
１４、１４Ａ、１４Ｂ、２４、２４Ａ、２４Ｂ 金属積層体
３２、４２Ａ、４２Ｂ、６２ 銅配線層
３３、４３１Ａ、４３２Ａ、４３１Ｂ、４３２Ｂ、６３１、６３２ 黒化配線層
３４、４４Ａ、４４Ｂ 金属配線

Claims (2)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属配線と、を有し、
   前記金属配線は、銅配線層と、ニッケルと銅とを含有する黒化配線層とが積層された構造を有し、
   前記金属配線間から露出する前記透明基材は、可視光透過率が９０％以上であり、かつｂ^＊が１．０以下である導電性基板。
2. 透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属積層体とを有し、前記金属積層体が、銅層と、ニッケルと銅とを含有する黒化層とが積層された構造を有する積層体基板の、前記金属積層体をエッチングし、金属配線を形成するエッチング工程を有し、
   前記エッチング工程が、
   塩化鉄、過酸化水素水、硫酸、塩酸から選択される１種類以上を含む第１エッチング液を用いてエッチングする第１エッチングステップと、
   前記積層体基板を水洗する水洗ステップと、
   塩酸、及び水からなり、ｐＨが２．５以下である第２エッチング液を用いてエッチングする第２エッチングステップと、をその順に有する導電性基板の製造方法。

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