WO2016002679A1 - 導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法 - Google Patents

導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】透明基材と、　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、　前記金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有する導電性基板を提供する。

Description

導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法
　本発明は、導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法に関する。
　静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の配線材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求される。
　そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる配線材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム－スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。
　近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く、信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。
　このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば金属層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
　そこで、銅等の金属箔により構成される金属層と共に、金属層の上面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
日本国特開２００３－１５１３５８号公報 日本国特開２０１１－０１８１９４号公報 日本国特開２０１３－０６９２６１号公報
　しかしながら従来、黒化層はいずれも乾式法により成膜されており、金属箔により構成される金属層の金属光沢を十分に抑制できる膜厚の黒化層を形成するためには時間を要し、生産性が低いという問題があった。
　上記従来技術の問題に鑑み、本発明は電気抵抗値が小さく、光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明の一側面では、
　透明基材と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
　前記金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有する導電性基板を提供する。
　本発明の一側面によれば、電気抵抗値が小さく、光の反射を抑制でき、かつ、生産性良く製造可能な導電性基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るパターン化した導電性基板の構成説明図。 本発明の実施形態に係るパターン化した導電性基板の構成説明図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。 実施例、及び比較例で作製した導電性基板の黒化層表面で測定した表面抵抗。 実施例、及び比較例で作製した導電性基板の黒化層表面での正反射率。 実施例、及び比較例で作製した導電性基板の黒化層表面での明度。
　以下、本発明の導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
　本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有することができる。
　なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターン化した基板、すなわち、配線基板と、を含む。また、金属層、及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
　ここでまず、導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
　透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
　可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
　透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
　透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
　なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１に規定される方法により評価することができる。
　透明基材は第１の主平面と、第２の主平面とを有しており、ここでいう主平面とは透明基材に含まれる面のうち最も面積の大きい平面部を指している。そして、第１の主平面と、第２の主平面とは１つの透明基材の中で対向して配置された面を意味する。
　次に、金属層について説明する。
　金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の金属との銅合金、または、銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
　透明基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、透明基材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
　透明基材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。
　例えば透明基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては後で詳述するが、例えばスパッタリング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。
　また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
　金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。十分に電流を供給できるように金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。金属層の厚さの上限値は特に限定されないが、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、金属層の厚さは８μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましい。
　なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層を有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれも場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
　金属層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。
　次に黒化層について説明する。
　黒化層は、金属層の上面に形成することができる。
　黒化層は湿式法により形成することができ、ニッケルと亜鉛とを含有することができる。
　上述のように従来の導電性基板においては黒化層もすべて乾式めっき法により形成されていた。これに対して本実施形態の導電性基板においては、黒化層を湿式法で形成することにより乾式めっき法よりも短い時間で黒化層を成膜することができ、生産性を高めることができる。また、黒化層を設けることにより、金属層の上面における光の反射を抑制することができる。
　黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法としては例えば電気めっき法を好適に用いることができる。
　黒化層に含まれるニッケルと亜鉛との比率は特に限定されるものではないが、黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合が重量比で４０ｗｔ％以上９９ｗｔ％以下であることが好ましい。
　なお、ここでいう黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうちニッケルの占める割合とは、黒化層に含まれるニッケルと亜鉛との合計量を１００ｗｔ％としたときのニッケルの割合を示しており、残部は亜鉛の比率となる。このため上述の範囲を黒化層中のニッケル：亜鉛の重量の比率で示した場合、４０：６０以上９９：１以下であることが好ましいことを意味している。
　黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合を４０ｗｔ％以上とすることにより、黒化層表面の色のムラを抑制することができる。黒化層表面の色のムラを抑制することにより、例えば金属層及び黒化層をパターン化した導電性基板とした場合に、金属層及び黒化層をパターン化した配線部をより目立たなくすることができ、美観を高めることができるため好ましい。
　また、黒化層はニッケル及び亜鉛を含有することにより、比率によらず金属層による光の反射を抑制できる色になるが、黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合が９９ｗｔ％以下の場合、特に金属層による光の反射を抑制でき、好ましい。
　特に黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合は重量比で７０ｗｔ％以上９９ｗｔ％以下であることがより好ましく、７５ｗｔ％以上９９ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。
　黒化層は、ニッケル及び亜鉛以外にも任意の成分を含むことができ、その組成は特に限定されるものではないが、ニッケル及び亜鉛が主成分であることが好ましく、ニッケル及び亜鉛から構成されていることがより好ましい。なお、ニッケル及び亜鉛が主成分であるとは、黒化層中にニッケル及び亜鉛が５０ｗｔ％より多く含まれていることを意味している。黒化層がニッケル及び亜鉛から構成されている場合においても不純物成分や、不可避成分が含まれていることを排除するものではなく、湿式めっき法により黒化層を成膜した場合に、ニッケル及び亜鉛以外にもめっき液由来の成分が黒化層に含まれていてもよい。
　黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される反射率の程度等に応じて任意に選択することができる。金属層表面での光の反射を十分に抑制できるように黒化層は厚さが５ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。
　黒化層の厚さの上限値も特に限定されないが、配線パターンを形成する際の生産性を考慮すると、黒化層の厚さは１μｍ以下であることが好ましい。特に生産性を高める観点から５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
　また、導電性基板は上述の透明基材、金属層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
　密着層の構成例について説明する。
　上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。
　そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。
　透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。
　また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。
　密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
　密着層を構成する材料としては例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
　なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ－Ｔｉ－Ｆｅ合金や、Ｃｕ－Ｎｉ－Ｆｅ合金、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｎｉ－Ｚｎ合金、Ｎｉ－Ｔｉ合金、Ｎｉ－Ｗ合金、Ｎｉ－Ｃｒ合金、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
　密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、イオンプレーティング法、蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
　なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
　炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
　密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
　密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
　密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
　密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
　次に、導電性基板の構成例について説明する。
　上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、黒化層と、を備え、透明基材上に、金属層、黒化層、をその順で積層した構成とすることができる。
　具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
　例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に金属層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側と、第２の主平面１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することもできる。
　本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる、金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、及び黒化層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
　本実施形態の導電性基板においては上述のように、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の上面に黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を配置している。このため、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の上面側からの光の反射を抑制することができる。
　また、既述のように例えば透明基材１１と金属層１２との間には図示しない密着層を設けることもできる。なお、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、透明基材１１と金属層１２Ａとの間、および／または透明基材１１と金属層１２Ｂとの間に密着層を設けることができる。密着層を設けることにより、透明基材１１と金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）との密着性を高めることができ、透明基材１１から金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）が剥離することを特に抑制することができる。また、密着層を設けることにより、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の黒化層を設けていない面についても光の反射を抑制することが可能になり好ましい。
　なお、金属層及び黒化層をパターン化する際、密着層についても例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、密着層、金属層、及び黒化層を同じ形状にパターン化することが好ましい。
　本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率（正反射率）は３５％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率が３５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
　反射率の測定は、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）に光を照射するようにして測定を行うことができる。
　具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に金属層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように、黒化層１３の表面１３ａ側から光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率とすることができる。
　また、本実施形態の導電性基板の黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の表面については、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系のうちの明度（Ｌ＊）の数値が小さいことが好ましい。これは明度（Ｌ＊）の数値が小さくなるほど黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）及び金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）が目立たなくなるためであり、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の表面の明度（Ｌ＊）は６０以下であることが好ましい。
　そして、本実施形態の導電性基板においては上述のように金属層を設けていることから、導電性基板の表面抵抗を小さくすることができる。表面抵抗は、０．２Ω／□未満であることが好ましく、０．１５Ω／□未満であることがより好ましく、０．０６Ω／□未満であることがさらに好ましい。表面抵抗の測定方法は特に限定されないが、例えば、４探針法により測定することができ、導電性基板の黒化層に探針が接触するようにして測定を行うことが好ましい。
　ここまで本実施形態の導電性基板について説明したが、本実施形態の導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板とすることもできる。導電性基板を積層する場合、導電性基板に含まれる金属層、黒化層は上述のようにパターニングされていることが好ましい。また、密着層を設ける場合には、密着層についてもパターニングされていることが好ましい。
　特にタッチパネルの用途に用いる場合、導電性基板、または、積層導電性基板は、後述のようにメッシュ状の配線を備えていることが好ましい。
　ここで、２枚の導電性基板を積層してメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を形成する場合を例に、積層前の導電性基板に形成する金属層、及び金属層のパターンの形状の構成例について図２Ａ、図２Ｂを用いて説明する。なお、パターン化された金属層が配線として機能するが、密着層および／または黒化層についてもその電気抵抗値によっては配線の一部を構成することができる。
　図２Ａは、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を構成する２枚の導電性基板のうち、一方の導電性基板について、導電性基板２０を上面側、すなわち、透明基材１１の主平面と垂直な方向から見た図である。また、図２Ｂは、図２ＡのＡ－Ａ´線における断面図を示している。
　図２Ａ、図２Ｂに示すように導電性基板２０において、透明基材１１上のパターン化された金属層２２、及び黒化層２３は、同じ形状を有している。例えばパターン化された黒化層２３は図２Ａ中に示した直線形状の複数のパターン（黒化層パターン２３Ａ～２３Ｇ）を有し、係る複数の直線形状のパターンは図中Ｙ軸に平行に、かつ、図中Ｘ軸方向に互いに離隔して配置できる。この際、図２Ａに示したように透明基材１１が四角形状を有する場合、透明基材１１の一辺と平行になるように、黒化層のパターン（黒化層パターン２３Ａ～２３Ｇ）は配置されることが好ましい。
　なお、上述のように、パターン化された金属層２２もパターン化された黒化層２３と同様にパターニングされており、直線形状の複数のパターン（金属層パターン）を有し、係る複数のパターンは互いに平行に離隔して配置できる。また、図示しない密着層を設ける場合、密着層についても同様のパターンとすることができる。このため、パターン間では透明基材１１の第１の主平面１１ａが露出することとなる。
　図２Ａ、図２Ｂに示した、パターン化された金属層２２、及び黒化層２３のパターン形成方法は特に限定されない。例えば、図１Ａに示した導電性基板において、黒化層１３を形成後、黒化層１３の表面１３ａ上に形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置し、エッチングすることによりパターン形成できる。用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングする層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。
　そして、金属層、及び黒化層がパターン化された２枚の導電性基板を積層することにより、積層導電性基板を形成することができる。積層導電性基板について、図３Ａ、図３Ｂを用いて説明する。図３Ａは、積層導電性基板３０を上面側、すなわち、２枚の導電性基板の積層方向に沿った上面側から見た図を示しており、図３Ｂは、図３ＡのＢ－Ｂ´線における断面図を示している。
　積層導電性基板３０は、図３Ｂに示すように導電性基板２０１と、導電性基板２０２と、を積層して得られたものである。なお、導電性基板２０１、２０２は共に、透明基材１１１（１１２）の第１の主平面１１１ａ（１１２ａ）上に、パターン化された金属層２２１（２２２）、及び黒化層２３１（２３２）が積層されている。導電性基板２０１、２０２のパターン化された金属層２２１（２２２）、及び黒化層２３１（２３２）は、いずれも上述した導電性基板２０と同様に直線形状の複数のパターンを有するようにパターン化されている。
　そして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層されている。
　なお、一方の導電性基板２０１の上下を逆にして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。この場合、後述する図４と同様の配置となる。
　２枚の導電性基板を積層する際、図３Ａ、図３Ｂに示すように、一方の導電性基板２０１のパターン化された金属層２２１と、他方の導電性基板２０２のパターン化された金属層２２２と、が交差するように積層することができる。具体的には例えば、図３Ａ、図３Ｂにおいて、一方の導電性基板２０１のパターン化された金属層２２１はそのパターンの長さ方向が図中のＸ軸方向と平行になるように配置できる。そして、他方の導電性基板２０２のパターン化された金属層２２２はそのパターンの長さ方向が図中のＹ軸方向と平行になるように配置することができる。
　なお、図３Ａは上述のように積層導電性基板３０の積層方向に沿って見た図のため、各導電性基板２０１、２０２の最上部に配置されたパターン化された黒化層２３１、２３２を示している。パターン化された金属層２２１、２２２もパターン化された黒化層２３１、２３２と同じパターンとなっているため、パターン化された金属層２２１、２２２もパターン化された黒化層２３１、２３２と同様にメッシュ状となる。また、密着層を設けた場合、パターン化された密着層についてもパターン化された黒化層２３１、２３２と同様のメッシュ状とすることができる。
　積層した２枚の導電性基板の接着方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等により接着、固定することができる。
　以上に説明したように一方の導電性基板２０１と、他方の導電性基板２０２と、を積層することにより、図３Ａに示したように、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板３０とすることができる。
　なお、図３Ａ、図３Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
　ここでは、２枚の導電性基板を積層することによりメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする例を用いて説明したが、メッシュ状の配線を備えた（積層）導電性基板とする方法は係る形態に限定されるものではない。例えば図１Ｂに示した、透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを積層した導電性基板１０Ｂからもメッシュ状の配線を備えた導電性基板を形成できる。
　この場合、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した、金属層１２Ａ、及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。また、透明基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した、金属層１２Ｂ、及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。パターン化は上述のように例えばエッチングにより実施できる。これにより、図４に示したように、透明基材１１を挟んで、透明基材の第１の主平面１１ａ側に形成したパターン化された金属層４２Ａと、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターン化された金属層４２Ｂと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板４０とすることができる。なお、この場合、パターン化された金属層４２Ａ、４２Ｂの上面には、同様にパターン化された黒化層４３Ａ、４３Ｂが配置されることとなる。
　以上に説明した（積層）導電性基板によれば、パターン化された金属層はその上面にパターン化された黒化層が配置されている。このため、パターン化された金属層表面での光の反射を抑制できる。また、金属層を配置しているため、電気抵抗値を小さくすることができる。さらに、上述のように黒化層は湿式法により形成されるため生産性良く製造することができる。
（導電性基板の製造方法、積層導電性基板の製造方法）
　次に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
　本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。　
　透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。　
　金属層上に湿式法により、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程。
　以下に本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板、積層導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
　金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
　そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
　金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
　金属薄膜層をスパッタリング法により成膜する場合、例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いた場合を例に金属薄膜層の形成方法を説明する。
　図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。
　図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。
　ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１０－３Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０－４Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
　筐体５１内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ～５８ｈや、ヒーター６１等を設けることもできる。
　巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって金属薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるように構成できる。
　キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
　テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。
　また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂや、ガイドロール５８ａ～５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
　スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄの金属薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
　金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄで金属薄膜層が成膜される。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて金属薄膜層を成膜する場合、所定のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着し、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、スパッタリングガスを気体供給手段５９により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
　なお、気体供給手段５９は、例えば供給するスパッタリングガスのガス種毎に図示しないボンベを有することができる。そして、ボンベと筐体５１との間に、例えばガス種ごとに図に示したようにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）や、バルブ等を設け、供給するスパッタリングガスの流量を調整可能に構成できる。
　また、筐体５１には例えば真空計６２ａ、６２ｂを設置しておき、筐体５１内を真空引きする際や、筐体５１内にスパッタリングガスを供給した際の、筐体５１内の真空度を調整するように構成することができる。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続成膜することができる。
　次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
　次に、黒化層形成工程について説明する。
　黒化層形成工程においては、湿式法により黒化層を形成することができる。黒化層を湿式法で形成することにより、従来の乾式法のみで黒化層を形成していた場合と比較して、導電性基板を生産性良く製造できる。
　また、従来のように乾式法により黒化層を成膜する場合、例えば、湿式法で金属めっき層を成膜後、湿式法の成膜装置から被成膜体を取り出し、被成膜体を乾燥させた上で乾式法の装置にセットする必要があり生産性が低下していた。これに対して本実施形態の導電性基板の製造方法においては、黒化層も湿式法で形成するため、湿式法の装置で金属めっき層と黒化層とを連続して形成でき、特に生産性を高めることができる。
　黒化層を形成する方法は湿式法であればよく、特に限定されるものではないが、例えば金属層上に湿式めっき法により黒化層を新たに形成、積層する方法が挙げられる。この場合の湿式めっき法は例えば電気めっき法を好ましく用いることができる。
　また、黒化層を湿式法により形成する具体的な方法として、ニッケル及び亜鉛を含有するめっき液を用いて、電気めっき法により黒化層を形成する方法が挙げられる。この際用いるめっき液の種類は特に限定されるものではなく、例えばニッケル及び亜鉛を含有する黒ニッケルめっき液を好ましく用いることができる。なお、予めめっき液の組成と、成膜される黒化層の組成との関係について予備試験を行い、所望の組成の黒化層が得られるようにめっき液の組成を選択しておくことが好ましい。
　また、さらに任意の工程を実施することができる。例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程で説明した金属薄膜層を成膜する基材とは、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材となる。
　密着層は例えば図１Ａにおいて、透明基材１１の一方の主平面である第１の主平面１１ａ上に形成することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に密着層を形成することもできる。透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に密着層を形成する場合には、両主平面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に密着層を形成後に他方の主平面に密着層を形成してもよい。
　密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。
　密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、イオンプレーティング法、蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
　なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
　炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
　スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、透明基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
　密着層は例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて密着層を成膜する場合、密着層を構成する金属のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着し、密着層を形成する基材、例えば透明基材を巻出ロール５２にセットする。そして、装置内、例えば筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、アルゴンガス等のスパッタリングガスを気体供給手段５９により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の密着層を連続成膜することができる。
　密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
　密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
　本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
　このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層及び黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び黒化層をパターニングする工程とすることができる。
　パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１Ａのように透明基材１１上に金属層１２、黒化層１３が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１３上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施することができる。次いで、黒化層１３の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
　エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。
　エッチング工程で形成するパターンは特に限定されない。例えば金属層及び黒化層を、直線形状の複数のパターンとなるようにパターニングすることができる。直線形状の複数のパターンにパターニングした場合、図２Ａ、図２Ｂに示すように、パターン化された金属層２２及び黒化層２３は互いに平行に、かつ、離隔するようなパターンとすることができる。
　また、図１Ｂのように透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層１３Ａ、１３Ｂ上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、黒化層１３Ａ、１３Ｂの上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
　エッチング工程において例えば、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。また、透明基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。これにより、図４に示したように、透明基材１１を挟んで、透明基材の第１の主平面１１ａ側に形成したパターン化された金属層４２Ａと、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターン化された金属層４２Ｂと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。
　そして、ここまで説明した導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板を製造することもできる。積層導電性基板の製造方法は、上述した導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有することができる。
　積層工程では例えば、図２Ａ、図２Ｂに示したパターン化された導電性基板を複数枚積層することができる。具体的には、図３Ａ、図３Ｂに示したように、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層することにより実施できる。
　積層後、２枚の導電性基板２０１、２０２は例えば接着剤等により固定することができる。
　なお、一方の導電性基板２０１の上下を逆にして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。
　メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする場合、積層工程では、図３Ａ、図３Ｂに示したように、一方の導電性基板２０１に予め形成したパターン化された金属層２２１と、他方の導電性基板２０２に予め形成したパターン化された金属層２２２と、が交差するように積層できる。
　図３Ａ、図３Ｂにおいては、直線形状にパターン化された金属層を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する配線、すなわちパターン化された金属層の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。なお、既述のように、パターン化された金属層が配線として機能するが、密着層および／または黒化層についてもその電気抵抗値によっては配線の一部を構成することができる。
　以上の本実施形態の導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法により得られる導電性基板及び積層導電性基板によれば、金属層を設けたため、電気抵抗値が小さくできる。また、金属層上に黒化層を配置したため、光の反射を抑制できる。さらに、黒化層を湿式法により形成できるため生産性良く製造することができる。
　以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
　まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
（黒化層の組成）
　得られた導電性基板の表面に形成された黒化層の組成分析はＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｅｒ　日本電子株式会社製　型式：ＪＸＡ－８９００Ｒ）を用いて行った。測定結果から、黒化層に含まれるＮｉ及びＺｎの重量の和を１００とした場合の、Ｎｉ及びＺｎの重量％を算出した。
　（表面抵抗）
　低抵抗率計（株式会社ダイアインスツルメンツ製　型番：ロレスターＥＰ　ＭＣＰ－Ｔ３６０）を用いて、以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の表面抵抗を測定した。測定は４探針法により行い、黒化層に探針が接触するようにして測定を行った。
　（外観評価）
　黒化層の表面を視認し、外観の評価を行った。評価に当たっては黒化層の表面の色が均一でムラがない場合には〇、ムラが少しでも見られた場合には△、黒化層の表面全体に渡ってムラが見られた場合には×と評価した。
　（正反射率）
　測定は、紫外可視分光光度計（株式会社　島津製作所製　型式：ＵＶ－２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
　以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面に対して、入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の正反射率とした。
　なお、以下の実施例、比較例では、導電性基板の各層の積層方向と平行な面の断面が、透明基材１１と、金属層１２との間にさらに密着層を形成した点以外は、図１Ａと同じ構成を有する、導電性基板を作製している。このため、黒化層１３の表面１３ａに対して、光を照射することにより正反射率を測定した。また、以下の明度の場合も同様に表面１３ａに対して光を照射して測定している。
（明度）
　以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面について、紫外可視分光光度計（株式会社　島津製作所製　型式：ＵＶ－２６００）により波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して明度を測定した。

（試料の作製条件）
　実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
（密着層形成工程）
　幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。
　なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
　そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０により、透明基材の一方の主平面に密着層を成膜した。密着層としては酸素を含有するＮｉ－Ｃｒ合金層を形成した。
　密着層の成膜条件について説明する。
　図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄにＮｉ－１７重量％Ｃｒ合金のターゲットを接続した。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター６１を６０℃に加熱し、透明基材を加熱し、透明基材中に含まれる水分を除去した。
　続いて筐体５１内を１×１０－３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、筐体５１内の圧力が１．３Ｐａになるように調整した。この際、筐体５１内の雰囲気が体積比で３０％酸素、残部がアルゴンになるようにアルゴンガスと酸素ガスの供給量を調整した。
　そして、透明基材を巻出ロール５２から搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に所望の密着層を連続成膜した。係る操作により透明基材の一方の主平面上に密着層を厚さ２０ｎｍになるように成膜した。
（金属層形成工程）
　金属層形成工程では、金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程と、を実施した。
　まず、金属薄膜層形成工程について説明する。
　密着層上にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０により金属薄膜層を成膜した。金属薄膜層としては銅薄膜層を形成した。
　金属薄膜層形成工程では、図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに銅のターゲットを接続して成膜し、基材としては、密着層形成工程で透明基材上に密着層を成膜したものを用いた。
　金属薄膜層の成膜時の条件としては、以下の２点と上述のようにターゲットを変更した点以外は密着層形成工程と同様にして実施した。
　筐体５１内を１×１０－３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、筐体５１内の圧力が１．３Ｐａになるように調整した点。
　金属薄膜層である銅薄膜層を膜厚が１５０ｎｍになるように成膜した点。
　次に、金属めっき層形成工程においては、金属めっき層として銅めっき層を形成した。電気めっき法により、銅めっき層を厚さが２．０μｍになるように成膜した。
（黒化層形成工程）
　めっき液中のＮｉと、Ｚｎとの重量比を９４：６に調製した黒ニッケルめっき液である黒色ニッケル浴ブラックニッケルＧＴ溶液（株式会社ＪＣＵ製）を用い、電気めっき法により、金属層表面に黒化層を厚さが０．４μｍとなるように成膜した。
　これにより、金属層の上面、すなわち、金属層の密着層と対向する面と反対側の面に黒化層を形成し、透明基材上に、密着層、金属層、黒化層がその順で積層された導電性基板が得られた。
　得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表１に示す。
　なお、表１中「黒化層組成（Ｎｉ：Ｚｎ）」と記載しているものが作製した黒化層を上述のようにＥＰＭＡにより分析した値から算出した黒化層内のＮｉとＺｎの重量比率を示している。そして、「黒化層形成時のめっき液組成（Ｎｉ：Ｚｎ）」と記載しているものが、黒化層を作製する際のめっき液中のＮｉとＺｎの重量比率を示している。
　また、本実施例、及び以下の実施例、比較例における、表面抵抗についての測定値をグラフ化したものを図６に、正反射率についての測定値をグラフ化したものを図７に、明度についての測定値をグラフ化したものを図８にそれぞれ示す。
　本実験例で得られた導電性基板については、黒化層表面に形成するパターンに対応したマスクを形成するマスク配置工程を実施後、エッチング工程を実施した。エッチング工程で密着層、金属層、及び黒化層をエッチング液（塩化第二銅水溶液）によりエッチングすることにより、密着層、金属層、及び黒化層を図２Ａ、図２Ｂに示したような直線形状の複数のパターンにパターニングした導電性基板が得られた。なお、図２Ａ、図２Ｂにおいては密着層が配置されていない例が示されているが、本実施例では、金属層、及び黒化層と同じ形状にパターニングされた密着層が透明基材１１と金属層２２との間に配置されることになる。
　また、ここまで説明した方法と同様の手順により、密着層、金属層、及び黒化層が上述の場合と同じ形状にパターニングされた導電性基板をもう１枚作製した。
　そして、作製した２枚の導電性基板を図３Ａ、図３Ｂに示したように積層し、両導電性基板を接着剤により固定することによって積層導電性基板を作製した。なお、図３Ａ、図３Ｂにおいても密着層が設けられていない例が示されているが、本実施例では透明基材１１１と金属層２２１との間、及び透明基材１１２と金属層２２２との間に、金属層２２１、金属層２２２と同じ形状にパターニングされた密着層が配置されている。
［実施例２］
　黒化層形成工程において、めっき液中のＮｉと、Ｚｎとの重量比が８８：１２となるように調製した黒ニッケルめっき液である黒色ニッケル浴ブラックニッケルＧＴ溶液（株式会社ＪＣＵ製）を用いた点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
　得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表１に示す。
　また、得られた導電性基板について、実施例１の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう１枚作製した。そして、２枚の導電性基板を実施例１の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
［実施例３］
　黒化層形成工程において、めっき液中のＮｉと、Ｚｎとの重量比が４４：５６となるように調製した黒ニッケルめっき液である黒色ニッケル浴ブラックニッケルＧＴ溶液（株式会社ＪＣＵ製）を用いた点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
　得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表１に示す。
　また、得られた導電性基板について、実施例１の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう１枚作製した。そして、２枚の導電性基板を実施例１の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
［比較例１］
　黒化層形成工程において、めっき液中のＮｉと、Ｚｎとの重量比が１００：０となるように調製したニッケルめっき液（株式会社ＪＣＵ製）を用いた点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
　得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表１に示す。
　また、得られた導電性基板について、実施例１の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう１枚作製した。そして、２枚の導電性基板を実施例１の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
［比較例２］
　黒化層形成工程において、めっき液中のＮｉと、Ｚｎとの重量比が０：１００となるように調製した亜鉛めっき液（株式会社ＪＣＵ製）を用いた点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。
　得られた導電性基板について、上述の黒化層の組成、表面抵抗、外観、正反射率、明度を評価した。結果を表１に示す。
　また、得られた導電性基板について、実施例１の場合と同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした。また、同様にして密着層、金属層、及び黒化層をパターニングした導電性基板をもう１枚作製した。そして、２枚の導電性基板を実施例１の場合と同様にして積層、固定し、積層導電性基板を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１、及び図６～図８に示した結果から、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を有する実施例１～実施例３の導電性基板については、黒化層表面での反射率（正反射率）が３５％以下、表面抵抗が０．０６Ω／□未満、明度（Ｌ＊）が６０以下となっていることを確認できた。これらの結果から、実施例１～実施例３の導電性基板は、金属層表面での反射を抑制しつつも、電気抵抗値が小さい導電性基板が得られていることを確認できた。また、明度も６０以下になっていることから、密着層、金属層、及び黒化層をパターン化した場合に、パターン化した密着層、金属層、及び黒化層の積層体が目立たなくなることも確認できた。さらに、実施例１～実施例３の導電性基板については外観評価が〇または△であり、黒化層表面での色ムラも十分に抑制できていることを確認できた。
　これに対して、黒化層が亜鉛を含まない比較例１と、黒化層がニッケルを含まない比較例２の導電性基板については、反射率がそれぞれ３５．２０％、６６．５０％と高く、金属層表面での反射を十分に抑制できていないことを確認できた。また、特に比較例２については外観評価が×となっており、黒化層表面での色ムラがきつくなっていることが確認できた。
　また、実施例１～実施例３の積層導電性基板とした場合についても、金属層表面での光の反射を抑制できており、密着層、金属層、及び黒化層の積層体が目立たなくなっていることを確認できた。
　以上の結果から、透明基材上に、金属層と、湿式法により形成されたニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を備えた導電性基板においては、電気抵抗値が小さく、光の反射を十分に抑制できることを確認できた。また、湿式法により黒化層を形成できるため生産性良く製造できることを確認できた。
　以上に導電性基板、積層導電性基板、導電性基板の製造方法、及び積層導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１４年６月３０日に日本国特許庁に出願された特願２０１４－１３５１２３号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１４－１３５１２３号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０、２０１、２０２、４０　　　　　　　　　導電性基板
１１、１１１、１１２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ、２２、２２１、２２２、４２Ａ、４２Ｂ　金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、２３、２３１、２３２、４３Ａ、４３Ｂ　黒化層
３０　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　積層導電性基板

Claims (7)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
    　前記金属層上に湿式法により形成された、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層と、を有する導電性基板。
  2. 　前記黒化層に含まれるニッケル及び亜鉛のうち、ニッケルの占める割合が重量比で４０ｗｔ％以上９９ｗｔ％以下である請求項１に記載の導電性基板。
  3. 　前記金属層、及び前記黒化層がパターン化されている請求項１または２に記載の導電性基板。
  4. 　請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板。
  5. 　透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程と、
    　前記金属層上に湿式法により、ニッケルと亜鉛とを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。
  6. 　前記金属層、及び前記黒化層をパターニングするパターニング工程を有する請求項５に記載の導電性基板の製造方法。
  7. 　請求項５または６に記載の導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有する積層導電性基板の製造方法。
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