TW201610802A - 導電性基板、積層導電性基板、導電性基板之製造方法、積層導電性基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種導電性基板，其具有透明基材、形成於該透明基材的至少一面上的金屬層、以濕式法形成於該金屬層上之含有鎳與鋅的黑化層。

Description

導電性基板、積層導電性基板、導電性基板之製造方法、積層導電性基板之製造方法
本發明係關於一種導電性基板、積層導電性基板、導電性基板之製造方法、積層導電性基板之製造方法。
靜電容量式觸控面板，藉由檢測接近面板表面的物體所引起的靜電容量變化，而將接近的物體在面板表面上的位置信息變換成電信號。用於靜電容量式觸控面板的導電性基板被設置在顯示器的表面，因此導電性基板的配線材料被要求反射率低、不易被辨識。
由此，作為用於靜電容量式觸控面板的配線材料，使用反射率低、不易被辨識的材料，在透明基板或透明薄膜上形成配線。例如，專利文獻1公開了一種在高分子薄膜上作為透明導電膜形成有ITO(氧化銦錫)膜的觸控面板用透明導電性薄膜。
近年，具備觸控面板的顯示器朝向大畫面化發展，隨之，觸控面板用透明導電性薄膜等導電性基板也被要求大面積化。然而，ITO電阻值高、發生信號劣化，因此存在不適於大型面板的問題。
為此，例如專利文獻2、3公開了以銅等的金屬箔代替ITO膜的技術探討。然而，例如在將銅用於金屬層的情況下，由於銅具有金屬光澤，因反射而會造成顯示器的辨識性降低的問題。
對此，已在研究一種以銅等的金屬箔構成金屬層並在金屬層的上表面形成由黑色材料構成的黑化層的導電性基板。
專利文獻1：日本特開2003-151358號公報
專利文獻2：日本特開2011-018194號公報
專利文獻3：日本特開2013-069261號公報
然而，歷來的黑化層均採用乾式法進行成膜，為了形成膜厚能夠充分抑制由金屬箔構成的金屬層的金屬光澤的黑化層，費時而造成生產性低的問題。
鑑於上述歷來的技術問題，本發明的目的在於提供一種電阻值小、能夠抑制光反射並且能以良好的生產性進行製造的導電性基板。
為了解決上述課題，本發明的一形態提供一種導電性基板，其具有透明基材、形成於該透明基材的至少一面上的金屬層、以濕式法形成於該金屬層上之含有鎳與鋅的黑化層。
根據本發明的一形態，能夠提供一種電阻值小、能夠抑制光反射並且能以良好的生產性進行製造的導電性基板。
10A、10B、20、201、202、40‧‧‧導電性基板
11、111、112‧‧‧透明基材
12、12A、12B、22、221、222、42A、42B‧‧‧金屬層
13、13A、13B、23、231、232、43A、43B‧‧‧黑化層
30‧‧‧積層導電性基板
圖1A是本發明的實施形態的導電性基板的剖面圖。
圖1B是本發明的實施形態的導電性基板的剖面圖。
圖2A是本發明的實施形態的圖案化導電性基板的構成說明圖。
圖2B是本發明的實施形態的圖案化導電性基板的構成說明圖。
圖3A是本發明的實施形態的具備網目狀配線的積層導電性基板的構成說明圖。
圖3B是本發明的實施形態的具備網目狀配線的積層導電性基板的構成說明圖。
圖4是本發明的實施形態的具備網目狀配線的導電性基板的剖面圖。
圖5是本發明的實施形態的輥對輥(roll to roll)濺鍍裝置的說明圖。
圖6是對實施例及比較例中製作的導電性基板的黑化層表面進行測定而得的表面電阻。
圖7是實施例及比較例中製作的導電性基板的黑化層表面的正反射率。
圖8是實施例及比較例中製作的導電性基板的黑化層表面的亮度。
以下，說明本發明的導電性基板、積層導電性基板、導電性基板之製造方法及積層導電性基板之製造方法的一實施形態。
(導電性基板)
本實施形態的導電性基板可具有透明基材、形成於透明基材的至少一面上的金屬層、以濕式法形成於金屬層上之含有鎳與鋅的黑化層。
並且，本實施形態中的導電性基板包括：對金屬層等進行圖案化之前的、在透明基材的表面具有金屬層及黑化層的基板；對金屬層等進行了圖案化的基板，即，配線基板。另外，對金屬層及黑化層進行圖案化之後的導電性基板，由於包含透明基材未被金屬層等覆蓋的區域，因此可使光透 過，而構成透明導電性基板。
在此，首先說明導電性基板所包含的各構件。
作為透明基材並無特別限定，能夠較佳使用可見光可透過的樹脂基板(樹脂薄膜)、或玻璃基板等。
作為可見光可透過的樹脂基板的材料，例如可較佳使用聚醯胺系樹脂、聚對酞酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、環烯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂等樹脂。尤其是，作為可見光可透過的樹脂基板的材料，可較佳使用PET(聚對酞酸乙二酯)、COP(環烯聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、聚醯亞胺、聚碳酸酯等。
關於透明基材的厚度並無特別限定，可根據導電性基板所被要求的強度或靜電容量、光透過率等，任意選擇。透明基材的厚度例如可以是10μm以上200μm以下。尤其用於觸控面板用途的情況下，透明基材的厚度較佳為20μm以上120μm以下，更佳為20μm以上100μm以下。在用於觸控面板用途的情況下，例如尤其要求顯示器整體厚度較薄的用途中，透明基材的厚度較佳為20μm以上50μm以下。
透明基材的全光線透過率較高則較佳，例如，較佳全光線透過率為30%以上，更佳為60%以上。藉由透明基材的全光線透過率在上述範圍內，例如在用於觸控面板用途的情況下，能夠確保顯示器具有充分的辨識性。
在此，可根據JIS K 7361-1規定的方法來評價透明基材的全光線透過率。
透明基材具有第1主平面與第2主平面，在此所說的主平面指透明基材所包含的面中面積最大的平面部。並且，第1主平面與第2主平面意指1 個透明基材中相對配置的面。
其次，對金屬層進行說明。
關於構成金屬層的材料並無特別限定，可選擇導電率符合用途的材料，例如，較佳為由Cu以及從Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中選擇的至少1種以上的金屬構成的銅合金或含銅材料。另外，金屬層亦可為由銅構成的銅層。
關於在透明基材上形成金屬層的方法並無特別限定，為了不使光透過率降低，透明基材與金屬層之間不配置接著劑為佳。即，較佳將金屬層直接形成於透明基材的上表面。另外，如下所述在透明基材與金屬層之間配置密接層的情況下，較佳直接形成在密接層的上表面。
為了在透明基材的上表面直接形成金屬層，較佳金屬層具有金屬薄膜層。另外，金屬層亦可具有金屬薄膜層與金屬鍍層。
例如，在透明基材上，可藉由乾式鍍法形成金屬薄膜層，並將該金屬薄膜層作為金屬層。由此，不使用接著劑也能夠在透明基材上直接形成金屬層。關於乾式鍍法詳情後述，例如可較佳使用濺鍍法或蒸鍍法等。
另外，為使金屬層的膜厚增厚，能以金屬薄膜層作為供電層，藉由作為濕式鍍法之一種的電鍍法來形成金屬鍍層，從而構成具有金屬薄膜層與金屬鍍層的金屬層。藉由金屬層具有金屬薄膜層與金屬鍍層，在此情況下也能夠在透明基材上直接形成金屬層，而不用接著劑。
對金屬層的厚度並無特別限定，將金屬層用為配線的情況下，可根據供給該配線的電流的大小或配線寬度等，任意選擇。為了能夠供給充分的電流，金屬層的厚度較佳為50nm以上，更佳為60nm以上，進而較佳為150nm 以上。對於金屬層的厚度的上限值並無特別限定，但金屬層增厚時，為形成配線圖案而進行蝕刻的蝕刻時間拖長，而會發生側蝕，從而易發生阻劑(resist)在蝕刻中途剝離等的問題。因此，金屬層的厚度較佳為8μm以下，更佳為5μm以下，進而較佳為3μm以下。
另外，在金屬層具有如上所述的金屬薄膜層與金屬鍍層的情況下，較佳金屬薄膜層厚度與金屬鍍層厚度之總和在上述範圍內。
在金屬層由金屬薄膜層構成的情況下，或由金屬薄膜層與金屬鍍層構成的情況下，對金屬薄膜層的厚度均無特別限定，但較佳為例如50nm以上500nm以下。
如下所述，例如藉由對金屬層進行圖案化而形成所希望的配線圖案，從而可用為配線。並且，金屬層與歷來用於透明導電膜的ITO相比更能降低電阻值，因此，藉由設置金屬層，可減小導電性基板的電阻值。
以下，對黑化層進行說明。
可將黑化層形成於金屬層的上表面。
黑化層可由濕式法形成，並且可含有鎳與鋅。
在上述歷來的導電性基板中，黑化層均由乾式鍍法形成。相對於此，本實施形態的導電性基板中，藉由濕式法形成黑化層，能夠在比乾式鍍法更短的時間內進行黑化層的成膜，從而能夠提高生產性。另外，藉由設置黑化層，能夠抑制金屬層上表面的光反射。
形成黑化層的方法是濕式法即可，對此並無特別限定，例如可舉出在金屬層上以濕式鍍法新形成黑化層並進行積層的方法。在此情況下，作為濕式鍍法例如可適宜使用電鍍法。
對於黑化層所含的鎳與鋅的比率並無特別限定，但較佳黑化層所含的鎳及鋅中的鎳所占比率以重量比計為40wt%以上99wt%以下。
另外，在此所說的黑化層所含的鎳及鋅中的鎳所占的比率是指，將黑化層所含的鎳與鋅的合計量作為100wt%時鎳所占的比率，其餘部分為鋅的比率。因此，以黑化層中的鎳：鋅的重量比率來表示上述範圍時，意味著較佳為40：60以上99：1以下。
藉由使黑化層所含的鎳及鋅中的鎳所占的比率成為40wt%以上，能夠抑制黑化層表面的色斑。藉由抑制黑化層表面的色斑，例如在形成對金屬層及黑化層進行了圖案化的導電性基板的情況下，能夠使金屬層及黑化層被圖案化的配線部變得更不顯眼，從而能夠提高美觀，因此較佳。
另外，黑化層由於含有鎳及鋅，因此無論其比率如何，均成為可抑制金屬層造成的光反射的顏色，但黑化層所含的鎳及鋅中的鎳所占的比率為99wt%以下時尤其能夠抑制金屬層造成的光反射，因此較佳。
尤其是，黑化層所含的鎳及鋅中的鎳所占的比率更佳為以重量比計70wt%以上99wt%以下，進而較佳為75wt%以上99wt%以下。
黑化層亦可含有鎳及鋅之外的任意成份，對其組成並無特別限定，但較佳以鎳及鋅為主成份，更佳由鎳及鋅構成。在此，以鎳及鋅為主成份意指黑化層中含有的鎳及鋅大於50wt%。黑化層由鎳及鋅構成的情況下，也並不排除含有雜質成份或不可避免成份，藉由濕式鍍法進行黑化層成膜的情況下，除了鎳及鋅以外，黑化層亦可含有源自鍍液的成份。
對黑化層的厚度並無特別限定，可根據導電性基板被要求的反射率的程度等，任意選擇。為了能夠充分抑制金屬層表面的光反射，黑化層的厚 度較佳為5nm以上，更佳為15nm以上。
對黑化層的厚度的上限值也無特別限定，但考慮到形成配線圖案時的生產性，黑化層的厚度較佳為1μm以下。尤其從提高生產性的觀點而言，更佳為500nm以下。
另外，導電性基板中除了上述的透明基材、金屬層、黑化層之外，亦可設置任意的層。例如，可設置密接層。
以下關於密接層的構成例進行說明。
如上所述，可在透明基材上形成金屬層，但在透明基材上直接形成金屬層的情況下，透明基材與金屬層的密接性有時不夠充分。因此，在透明基材的上表面直接形成金屬層的情況下，在製造過程或使用中，金屬層有時會從透明基材剝離。
對此，本實施形態的導電性基板中，為了提高透明基材與金屬層的密接性，可在透明基材上配置密接層。
藉由在透明基材與金屬層之間配置密接層，可提高透明基材與金屬層的密接性，抑制金屬層從透明基材剝離。
另外，密接層亦可發揮作為黑化層的作用。因此，還能夠抑制來自金屬層的下表面側、即透明基材側的光所致的金屬層的光反射。
對構成密接層的材料並無特別限定，可根據與透明基材及金屬層的密接力、所要求的金屬層表面的光反射的抑制程度、以及對於使用導電性基板的環境(例如濕度、溫度)的穩定性程度等，任意選擇。
作為構成密接層的材料，例如較佳含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬。另外、密接 層亦可含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。
另外，密接層亦可含有金屬合金，該金屬合金含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上的金屬。在此情況下，還可以含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。在此，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上金屬的金屬合金，可較佳使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。
關於密接層的成膜方法並無特別限定，但較佳以乾式鍍法成膜。作為乾式鍍法例如可較佳使用濺鍍法、離子鍍法、蒸鍍法等。以乾式法對密接層進行成膜的情況下，考慮到容易控制膜厚，因此更佳使用濺鍍法。另外，如上所述，在密接層還可以添加從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，該情況下更佳使用反應性濺鍍法。
另外，在密接層含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的情況下，可藉由在對密接層進行成膜時的氛圍中預先添加含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，從而能夠添加於密接層中。例如，在向密接層添加碳的情況下可選擇一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體、添加氧的情況下可選擇氧氣、添加氫的情況下可選擇氫氣及/或水、添加氮的情況下可選擇氮氣，預先添加到進行乾式鍍層時的氛圍中。
較佳將含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，添加於非活性氣體，作為進行乾式鍍層時的氛圍氣體。關於非活性氣體並無特別限定，例如可較佳使用氬。
藉由如上所述的乾式鍍法進行密接層的成模，能夠提高透明基材與密接層的密接性。並且，密接層例如可含有金屬作為主成份，因此與金屬層的密接性高。由此，藉由在透明基材與金屬層之間配置密接層，能夠抑制金屬層的剝離。
對密接層的厚度並無特別限定，例如較佳為3nm以上50nm以下，更佳為3nm以上35nm以下，進而更佳為3nm以上33nm以下。
關於密接層，亦使其發揮作為黑化層的作用的情況下，即，抑制金屬層的光反射的情況下，密接層的厚度如上所述，較佳為3nm以上。
對密接層的厚度的上限值並無特別限定，但沒必要的增厚會使成膜所需時間或形成配線時的蝕刻所需時間拖長、成本提高。因此，密接層的厚度如上所述較佳為50nm以下、更佳為35nm以下、進而較佳為33nm以下。
接下來，關於導電性基板的構成例進行說明。
如上所述，本實施形態的導電性基板具備透明基材、金屬層及黑化層，可以是在透明基材上依次積層金屬層、黑化層而成的構成。
關於具體的構成例，以下參照圖1A、圖1B進行說明。圖1A、圖1B是沿著與透明基材、金屬層、黑化層的積層方向平行的面表示本實施形態的導電性基板的剖面圖的例子。
例如，如圖1A所示的導電性基板10A，可以製成在透明基材11的第1主平面11a側依次積層金屬層12與黑化層13各一層的構成。另外，如圖1B所示的導電性基板10B，亦可製成在透明基材11的第1主平面11a側及第2主平面11b側分別依次積層金屬層12A、12B及黑化層13A、13B各一層的構成。
本實施形態的導電性基板可用於例如觸控面板等各種用途。並且，用於各種用途時，較佳對本實施形態的導電性基板所含的金屬層及黑化層進行圖案化。例如可根據所希望的配線圖案，對金屬層及黑化層進行圖案化，較佳將金屬層及黑化層圖案化為相同形狀。
在本實施形態的導電性基板中，如上所述，在金屬層12(12A、12B)的上表面配置有黑化層13(13A、13B)。因此，能夠抑制來自金屬層12(12A、12B)的上表面側的光反射。
另外，如上所述，例如可在透明基材11與金屬層12之間設置未圖示的密接層。在此，若是圖1B所示的導電性基板10B的情況，可在透明基材11與金屬層12A之間及/或透明基材11與金屬層12B之間設置密接層。藉由設置密接層，可提高透明基材11與金屬層12(12A、12B)的密接性，從而可抑制金屬層12(12A、12B)從透明基材11剝離。另外，藉由設置密接層，還能夠抑制金屬層12(12A、12B)的未設置黑化層的面的光反射，因此較佳。
另外，對金屬層及黑化層進行圖案化時，還可以例如根據所希望的配線圖案來對密接層進行圖案化，較佳將密接層、金屬層及黑化層圖案化為相同形狀。
對本實施形態的導電性基板的光反射程度並無特別限定，例如較佳為波長400nm以上700nm以下的光反射率(正反射率)為35%以下，更佳為30%以下。在波長400nm以上700nm以下的光反射率為35%以下的情況下，例如用作觸控面板用導電性基板的情況下，也幾乎不會引起顯示器的辨識性降低，因此較佳。
反射率的測定，可藉由向黑化層13(13A、13B)照射光來進行測定。
具體而言，例如像圖1A所示，在透明基材11的第1主平面11a側依次積層有金屬層12、黑化層13的情況下，以向黑化層13照射光的方式，從黑化層13的表面13a側照射光，並進行測定。測定時，可將波長400nm以上700nm以下的光例如以波長1nm的間隔，如上所述對導電性基板的黑化層13進行照射，並將測定的值的平均值作為該導電性基板的反射率。
另外，關於本實施形態的導電性基板的黑化層13(13A、13B)的表面，L＊a＊b＊色彩系統的亮度(L＊)的數值小為佳。其理由在於，亮度(L＊)的數值越小，黑化層13(13A、13B)及金屬層12(12A、12B)越不顯眼，黑化層13(13A、13B)的表面亮度(L＊)較佳為60以下。
另外，由於本實施形態的導電性基板上設有如上所述的金屬層，因此能夠減小導電性基板的表面電阻。表面電阻較佳為小於0.2Ω/□，更佳為小於0.15Ω/□，進而較佳為小於0.06Ω/□。對表面電阻的測定方法並無特別限定，例如可利用4探針法進行測定，較佳使探針接觸導電性基板的黑化層的方式進行測定。
至此關於本實施形態的導電性基板進行了說明，還可以將複數片本實施形態的導電性基板積層為積層導電性基板。對導電性基板進行積層時，較佳對導電性基板所含的金屬層、黑化層進行如上所述的圖案化。另外，設置密接層的情況，較佳對密接層也進行圖案化。
尤其用於觸控面板用途的情況下，較佳導電性基板或積層導電性基板如後述般具備網目狀配線。
在此，以對2片導電性基板進行積層而形成具備網目狀配線的積層導 電性基板的情況為例，並參照圖2A、圖2B來說明積層前的導電性基板上形成的金屬層以及金屬層的圖案形狀的構成例。在此，圖案化的金屬層發揮作為配線的作用，密接層及/或黑化層亦可根據其電阻值構成配線的一部分。
圖2A是對構成具備網目狀配線的積層導電性基板的2片導電性基板中的一導電性基板，從導電性基板20的上表面側，即，與透明基材11的主平面垂直的方向進行觀察時的圖。另外，圖2B表示沿著圖2A中的A-A’線的剖面圖。
在如圖2A、圖2B所示的導電性基板20，透明基材11上的圖案化的金屬層22及黑化層23具有相同形狀。例如，圖案化的黑化層23具有圖2A所示的直線形狀的複數個圖案(黑化層圖案23A~23G)，該複數個直線形狀的圖案可與圖中Y軸平行且在圖中X軸方向上彼此分離而配置。在此，如圖2A所示，透明基材11具有四角形狀的情況下，較佳使黑化層的圖案(黑化層圖案23A~23G)與透明基材11的一邊平行配置。
另外，如上所述，圖案化的金屬層22與圖案化的黑化層23同樣被圖案化，也具有直線形狀的複數個圖案(金屬層圖案)，該複數個圖案可相平行且分離配置。另外，在設置未圖示的密接層的情況下，密接層亦可設為相同圖案。因此，圖案間將會露出透明基材11的第1主平面11a。
對圖2A、圖2B所示的圖案化的金屬層22及黑化層23的圖案形成方法並無特別限定。例如，在圖1A所示的導電性基板上，形成黑化層13之後，在黑化層13的表面13a上配置形狀與欲要形成的圖案相對應的掩膜，並進行蝕刻，從而可形成圖案。對使用的蝕刻液並無特別限定，可根據構成被 蝕刻層的材料任意選擇。例如，可按每一層變更蝕刻液，或，可使用同一蝕刻液同時對金屬層及黑化層，根據情況還對密接層進行蝕刻。
並且，藉由對金屬層及黑化層被圖案化的2片導電性基板進行積層，可形成積層導電性基板。關於積層導電性基板，參照圖3A、圖3B進行說明。圖3A表示從上表面側，即，沿著2片導電性基板的積層方向從上表面側觀察積層導電性基板30時的圖，圖3B表示沿著圖3A的B-B’線的剖面圖。
積層導電性基板30，如圖3B所示，其為導電性基板201與導電性基板202積層而成者。在此，導電性基板201、202均在透明基材111(112)的第1主平面111a(112a)上積層有圖案化的金屬層221(222)及黑化層231(232)。導電性基板201、202的圖案化的金屬層221(222)及黑化層231(232)均與上述導電性基板20同樣，被圖案化為具有直線形狀的複數個圖案。
並且，以如下方式積層：一導電性基板201的透明基材111的第1主平面111a與另一導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b對向。
在此，亦可以如下方式積層：使一導電性基板201上下顛倒，從而使一導電性基板201的透明基材111的第2主平面111b與另一導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b對向。在此情況下，成為與如下所述的圖4相同的配置。
2片導電性基板積層時，如圖3A、圖3B所示，可以使一導電性基板201的圖案化的金屬層221與另一導電性基板202的圖案化的金屬層222交叉的方式積層。具體而言，例如在圖3A、圖3B中，一導電性基板201之 圖案化的金屬層221可配置成其圖案的長度方向與圖中X軸方向平行。而另一導電性基板202之圖案化的金屬層222可配置成其圖案的長度方向與圖中Y軸方向平行。
另外，圖3A是如上所述沿著積層導電性基板30的積層方向觀察時的圖，因此表示了被配置在各導電性基板201、202的最上部的圖案化的黑化層231、232。圖案化的金屬層221、222也成為與圖案化的黑化層231、232相同的圖案，因此圖案化的金屬層221、222也成為與圖案化的黑化層231、232相同的網目狀。另外，設置密接層的情況，圖案化的密接層亦可設為與圖案化的黑化層231、232相同的網目狀。
對積層的2片導電性基板的接著方法並無特別限定，例如可使用接著劑等進行接著、固定。
如上所述，藉由使一導電性基板201與另一導電性基板202積層，可獲得如圖3A所示的具備網目狀配線的積層導電性基板30。
另外，在圖3A、圖3B中表示了組合直線形狀的配線而形成網目狀配線(配線圖案)的例子，但不限定該形態，構成配線圖案的配線可為任意形狀。例如，為避免顯示器影像之間產生波紋(干涉條紋)，構成網目狀配線圖案的配線的形狀可分別設為鋸齒狀彎曲線(鋸齒直線)等各種形狀。
在此說明了將2片導電性基板積層而構成具備網目狀配線的積層導電性基板的例子，但構成具備網目狀配線(積層)的導電性基板的方法並不限定於該形態。例如亦可由像圖1B所示在透明基材11的第1主平面11a、第2主平面11b上積層金屬層12A、12B、黑化層13A、13B而成的導電性基板10B來形成具備網目狀配線的導電性基板。
在此情況下，對積層於透明基材11的第1主平面11a側的金屬層12A及黑化層13A進行圖案化，構成沿著圖1B中的Y軸方向，即，與垂直於紙面的方向平行的複數個直線形狀的圖案。另外，對積層於透明基材11的第2主平面11b側的金屬層12B及黑化層13B進行圖案化，構成與圖1B中的X軸方向平行的複數個直線形狀的圖案。如上所述例如可藉由蝕刻實施圖案化。由此，如圖4所示，由夾著透明基材11形成於透明基材的第1主平面11a側的圖案化的金屬層42A與形成於第2主平面11b側的圖案化的金屬層42B，構成具備網目狀配線的導電性基板40。另外，在此情況下，在圖案化的金屬層42A、42B的上表面配置被同樣圖案化的黑化層43A、43B。
根據以上說明的(積層)導電性基板，在圖案化的金屬層的上表面配置有圖案化的黑化層。由此，能夠抑制圖案化的金屬層表面的光反射。另外，由於配置有金屬層，因此能夠減小電阻值。並且，如上所述，以濕式法形成黑化層，因此製造時的生產性良好。
(導電性基板之製造方法、積層導電性基板之製造方法)
以下，關於本實施形態的導電性基板之製造方法及積層導電性基板之製造方法的構成例進行說明。
本實施形態的導電性基板之製造方法可具有以下步驟。在透明基材的至少一面上形成金屬層的金屬層形成步驟。
藉由濕式法在金屬層上形成含有鎳與鋅的黑化層的黑化層形成步驟。
以下，說明本實施形態的導電性基板之製造方法及積層導電性基板之製造方法，除了以下將說明的內容之外，可採用與上述導電性基板、積層導電性基板之情形相同的構成，因此省略說明。
可預先準備用於金屬層形成步驟的透明基材。對於所使用的透明基材的種類並無特別限定，可較佳使用如上所述的可見光可透過的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等。可根據需要將透明基材預先切斷成任意尺寸等。
並且，金屬層如上所述，較佳具有金屬薄膜層。另外，金屬層亦可具有金屬薄膜層與金屬鍍層。因此，金屬層形成步驟可具有例如以乾式鍍法形成金屬薄膜層的步驟。另外，金屬層形成步驟亦可具有以乾式鍍法形成金屬薄膜層的步驟，以及以該金屬薄膜層作為供電層，藉由作為濕式鍍法的一種的電鍍法形成金屬鍍層的步驟。
對於形成金屬薄膜層的步驟採用的乾式鍍法並無特別限定，例如可採用蒸鍍法、濺鍍法或離子鍍法等。在此，作為蒸鍍法可較佳使用真空蒸鍍法。作為在形成金屬薄膜層的步驟採用的乾式鍍法，尤其考慮到易於控制膜厚，因此較佳使用濺鍍法。
藉由濺鍍法進行金屬薄膜層的成膜時，例如可使用輥對輥濺鍍(roll to roll sputtering)裝置適宜進行成膜。
以使用輥對輥濺鍍裝置50的情況為例，說明金屬薄膜層的形成方法。
圖5表示輥對輥濺鍍裝置50的一構成例。
輥對輥濺鍍裝置50具有收容其幾乎所有的構成零件的殼體51。
圖5中殼體51的形狀為長方體形狀，但是對殼體51的形狀並無特別限定，可根據內部收容的裝置、設置位置、耐壓性能等，採用任意的形狀。例如，殼體51的形狀可以是圓筒形狀。
在此，成膜開始時為了去除與成膜無關的殘留氣體，較佳可將殼體51內部減壓至10-3Pa以下，更佳為減壓至10-4Pa以下。另外，亦可無需使殼 體51內部全都減壓至上述壓力，而以如下方式構成：僅使進行濺鍍的配置有後述罐輥(can roll)53的圖中下側的區域降壓至上述壓力。
殼體51內可配置用於供給金屬薄膜層的成膜基材的捲出輥52、罐輥53、濺鍍陰極54a~54d、前供料輥55a、後供料輥55b、張力輥56a、56b、捲取輥57。另外，在金屬薄膜層的成膜基材的搬送路徑上，除了上述各輥之外，還可以設置任意的導向輥58a~58h，或加熱器61等。
捲出輥52、罐輥53、前供料輥55a、捲取輥57可具備由伺服電動機提供的動力。捲出輥52、捲取輥57能以如下方式構成：藉由粉粒離合器等的扭矩控制，可保持金屬薄膜層的成膜基材的張力平衡。
關於罐輥53的構成也無特別限定，例如較佳以如下方式構成：其表面經硬質鉻鍍層加工，其內部有來自殼體51外部的冷媒或熱媒循環，可調整為大致穩定的溫度。
張力輥56a、56b例如較佳表面經硬質鉻鍍層加工，並具有張力感應器。
另外，前供料輥55a、後供料輥55b及導向輥58a~58h的表面也較佳經硬質鉻鍍層加工。
較佳濺鍍陰極54a~54d以磁電管陰極式與罐輥53對向而配置。對濺鍍陰極54a~54d的尺寸並無特別限定，較佳為濺鍍陰極54a~54d的金屬薄膜層的成膜基材的寬方向的尺寸大於金屬薄膜層的成膜基材的寬度。
金屬薄膜層的成膜基材在作為輥對輥真空成膜裝置的輥對輥濺鍍裝置50內被搬送，並利用與罐輥53對向的濺鍍陰極54a~54d進行成模形成金屬薄膜層。
在使用輥對輥濺鍍裝置50進行金屬薄膜層的成膜時，將規定的靶安裝 在濺鍍陰極54a~54d，並對金屬薄膜層的成膜基材被設在捲出輥52上的裝置內，用真空泵60a、60b進行真空排氣。然後，藉由氣體供給手段59向殼體51內導入濺鍍氣體。此時，較佳藉由對濺鍍氣體的流量、設在真空泵60b與殼體51之間的壓力調整閥的開度進行調整，而使裝置內保持在例如0.13Pa以上13Pa以下，並實施成膜。
另外，氣體供給手段59例如可按其供給的濺鍍氣體的每個氣體種類具備未圖示的氣缸。並且，可在氣缸與殼體51之間例如按每個氣體種類設置如圖所示的質量流量控制器(MFC)或閥等，以構成能夠調整所供給的濺鍍氣體流量的構成。
另外，可預先在殼體51設置例如真空計62a、62b，以構成在對殼體51內進行真空吸引時、向框體51內供給濺鍍氣體時對殼體51內的真空度進行調整的構成。
在此狀態下，例如以每分鐘1m以上20m以下的速度從捲出輥52搬送基材，同時由連接於濺鍍陰極54a~54d的濺鍍用直流電源供給電力，進行濺鍍放電。由此，能夠在基材上進行所希望的金屬薄膜層的連續成膜。
以下，對形成金屬鍍層的步驟進行說明。對藉由濕式鍍法形成金屬鍍層的步驟的條件，即，電鍍處理的條件並無特別限定，採用常用方法之諸條件即可。例如，向裝有金屬鍍液的鍍槽供給形成有金屬薄膜層的基材，藉由對電流密度及基材的搬送速度進行控制，可形成金屬鍍層。
以下，對形成黑化層的步驟進行說明。
形成黑化層的步驟中，可藉由濕式法形成黑化層。藉由濕式法形成黑化層，與歷來僅用乾式法形成黑化層的情況相比，能以良好的生產性製造 導電性基板。
另外，以歷來的乾式法進行黑化層的成膜時，例如，以濕式法進行金屬鍍層的成膜之後，從濕式法的成膜裝置中取出被成膜體，必須使被成膜體乾燥之後再將其設置在乾式法的裝置上，從而造成生產性降低。相對於此，本實施形態的導電性基板之製造方法中，以濕式法形成黑化層，因此能以濕式法的裝置連續形成金屬鍍層與黑化層，能夠顯著提高生產性。
形成黑化層方法是濕式法即可，對此並無特別限定，例如可舉出在金屬層上以濕式鍍法從新形成黑化層並積層的方法。在此情況下，作為濕式鍍法例如可較佳使用電鍍法。
另外，作為以濕式法形成黑化層的具體方法，可舉出使用含鎳及鋅的鍍液，以電鍍法形成黑化層的方法。對此時使用的鍍液的種類並無特別限定，例如可較佳使用含鎳及鋅的黑鎳鍍液。在此，較佳預先對鍍液的組成與欲成膜的黑化層的組成的關係進行預備試驗，選擇鍍液的組成，以獲得所希望的組成的黑化層。
另外，還可以實施任意的步驟。例如，在透明基材與金屬層之間形成密接層的情況下，可實施在透明基材的形成金屬層的面上形成密接層的密接層形成步驟。在實施密接層形成步驟的情況下，可在密接層形成步驟之後實施金屬層形成步驟，金屬層形成步驟中說明的金屬薄膜層的成膜基材在本步驟中成為在透明基材上形成有密接層的基材。
例如像圖1A所示，可在作為透明基材11的一主平面的第1主平面11a上形成密接層。另外，如圖1B所示的導電性基板10B的情況下，亦可在透明基材11的第1主平面11a及第2主平面11b的兩者形成密接層。在透明 基材11的第1主平面11a及第2主平面11b的兩者形成密接層的情況下，亦可在兩個主平面同時形成密接層。另外，亦可在任一個主平面形成密接層之後在另一個主平面形成密接層。
對構成密接層的材料並無特別限定，可根據透明基材及金屬層的密接力、金屬層表面的光反射的抑制程度或對於使用導電性基板的環境(例如，濕度或溫度)的穩定性程度等，任意選擇。關於可適合用作構成密接層的材料，以上已作說明，在此省略贅述。
對密接層的成膜方法並無特別限定，例如，如上所述可以用乾式鍍法成膜。作為乾式鍍法，例如可較佳使用濺鍍法、離子鍍法、蒸鍍法等。如上所述，可向密接層添加從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，在此情況下更佳使用反應性濺鍍法。
在此，為使密接層含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，可預先向密接層成膜時的氛圍中添加含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，從而能夠添加到密接層中。例如，向密接層添加碳的情況下可將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體預先添加到進行乾式鍍時的氛圍中，添加氧的情況下可將氧氣預先添加到進行乾式鍍時的氛圍中，添加氫的情況下可將氫氣及/或水預先添加到進行乾式鍍時的氛圍中，添加氮的情況下可將氮氣預先添加到進行乾式鍍時的氛圍中。
較佳將含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體添加到非活性氣體中，以此作為乾式鍍層時的氛圍氣體。對非活性氣體並無特別限定，例如可較佳使用氬。
以濺鍍法進行密接層的成膜的情況下，作為靶，可使用含有構成密接 層的金屬種類的靶。在密接層含有合金的情況下，可根據密接層所含的每個金屬種類使用靶，在透明基材等的被成膜體表面形成合金，亦可使用預先對密接層所含的金屬進行合金化而成的靶。
可使用例如圖5所示的輥對輥濺鍍裝置50，適宜進行密接層的成膜。
關於輥對輥濺鍍裝置的構成已作說明，在此省略贅述。
使用輥對輥濺鍍裝置50進行密接層的成膜時，將構成密接層的金屬靶安裝在濺鍍陰極54a~54d，將形成密接層的基材，例如透明基材設置在捲出輥52。然後，對裝置內，例如殼體51內以真空泵60a、60b進行真空排氣。然後，由氣體供給手段59向殼體51內導入氬氣等濺鍍氣體。此時，較佳藉由對濺鍍氣體流量、設在真空泵60b與殼體51之間的壓力調整閥的開度進行調整，而使裝置內保持在例如0.13Pa以上13Pa以下，並實施成膜。
在此狀態下，由捲出輥52例如以每分0.5m以上10m以下的速度搬送基材，同時由連接於濺鍍陰極54a~54d的濺鍍用直流電源供給電力，進行濺鍍放電。從而，能夠在基材上連續形成所希望的密接層。
藉由以上述乾式鍍法進行密接層的成膜，能夠提高透明基材與密接層的密接性。並且，密接層例如可含有金屬作為主成分，因此與金屬層的密接性高。從而，藉由在透明基材與金屬層之間配置密接層，能夠抑制金屬層的剝離。
對密接層的厚度並無特別限定，例如較佳為3nm以上50nm以下，更佳為3nm以上35nm以下，進而較佳為3nm以上33nm以下。
藉由本實施形態的導電性基板之製造方法所獲得的導電性基板，例如可用於觸控面板等各種用途。並且，用於各種用途時，較佳對本實施形態 的導電性基板所含的金屬層及黑化層進行圖案化。另外，設置密接層的情況下，較佳對密接層也進行圖案化。對金屬層及黑化層，根據情況進而對密接層，例如可根據所希望的配線圖案進行圖案化，較佳對金屬層及黑化層，根據情況進而對密接層進行相同形狀的圖案化。
由此，本實施形態的導電性基板之製造方法可具有對金屬層及黑化層進行圖案化的圖案化步驟。另，形成有密接層的情況下，圖案化步驟可設為對密接層、金屬層及黑化層進行圖案化的步驟。
對圖案化步驟的具體順序並無特別限定，可按任意的順序實施。例如圖1A所示的透明基材11上積層了金屬層12、黑化層13的導電性基板10A的情況下，首先可實施在黑化層13上配置具有所希望的圖案的掩膜的掩膜配置步驟。其次，實施向黑化層13的上表面，即，配置了掩膜的面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對蝕刻步驟中使用的蝕刻液並無特別限定，可根據構成被蝕刻層的材料，任意選擇。例如，可按每層變換蝕刻液，又，亦可用相同的蝕刻液同時對金屬層及黑化層，根據情況進而對密接層進行蝕刻。
對蝕刻步驟中形成的圖案並無特別限定。例如可對金屬層及黑化層進行圖案化形成直線形狀的複數個圖案。在進行圖案化而形成直線形狀的複數個圖案的情況下，如圖2A、圖2B所示，圖案化的金屬層22及黑化層23可設為相互平行且分離的圖案。
另外，對如圖1B所示在透明基材11的第1主平面11a、第2主平面11b上積層了金屬層12A、12B、黑化層13A、13B的導電性基板10B，也能夠實施進行圖案化的圖案化步驟。在此情況下，例如可實施在黑化層13A、13B 上配置具有所希望的圖案的掩膜的掩膜配置步驟。其次，可實施向黑化層13A、13B的上表面，即，配置掩膜的面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
在蝕刻步驟中，例如，可對積層於透明基材11的第1主平面11a側的金屬層12A及黑化層13A進行圖案化，形成與圖1B中的Y軸方向，即，與垂直於紙面的方向平行的複數個直線形狀的圖案。另外，可對積層於透明基材11的第2主平面11b側的金屬層12B及黑化層13B進行圖案化，形成與圖1B中的X軸方向平行的複數個直線形狀的圖案。由此，如圖4所示，由夾著透明基材11形成於透明基材的第1主平面11a側的圖案化的金屬層42A以及、形成與第2主平面11b側的圖案化的金屬層42B，構成具有網目狀配線的導電性基板。
另外，還可以製造積層有複數片以上說明的導電性基板的積層導電性基板。積層導電性基板之製造方法可具有如下積層步驟：對複數片藉由上述導電性基板之製造方法獲得的導電性基板進行積層。
積層步驟中，例如可對複數片圖2A、圖2B所示的圖案化導電性基板進行積層。具體而言，如圖3A、圖3B所示，可採用使一導電性基板201的透明基材111的第1主平面111a與另一導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b對向積層的方式實施。
積層後，例如可用接著劑等固定2片導電性基板201、202。
另外，還可以使一導電性基板201上下顛倒，並使一導電性基板201的透明基材111的第2主平面111b與另一導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b對向而積層。
設為具備網目狀配線的積層導電性基板的情況下，在積層步驟中，如 圖3A、圖3B所示，可使一導電性基板201上預先形成的圖案化的金屬層221與另一導電性基板202上預先形成的圖案化的金屬層222交差而積層。
在圖3A、圖3B中，表示了組合被圖案化為直線形狀的金屬層而形成網目狀配線(配線圖案)的例子，但並不限定於該形態。構成配線圖案的配線，即，圖案化的金屬層的形狀可為任意形狀。例如，為避免顯示器影像之間產生波紋(干涉條紋)，構成網目狀配線圖案的配線的形狀可分別是鋸齒狀彎曲線(鋸齒直線)等各種形狀。另外，如上所述，圖案化的金屬層發揮作為配線的作用，但密接層及/或黑化層亦可根據其電阻值構成配線的一部分。
藉由以上的本實施形態的導電性基板之製造方法及積層導電性基板之製造方法所獲得的導電性基板及積層導電性基板，由於設有金屬層，因此可減小電阻值。另外，由於金屬層上配置有黑化層，因此能夠抑制光反射。另外，可以用濕式法形成黑化層，因此能以良好的生產性進行製造。
【實施例】
以下舉出具體的實施例、比較例進行說明，但本發明並不限定於這些實施例。
(評價方法)
首先，關於所獲得的導電性基板的評價方法進行說明。
(黑化層的組成)
使用EPMA(Electron Probe MicroAnalyser日本電子股份有限公司製型號：JXA-8900R)對所獲得的導電性基板的表面上形成的黑化層的組成進行了分析。根據測定結果，算出了將黑化層所含的Ni及Zn的重量之和設 為100時的Ni及Zn的重量%。
(表面電阻)
使用低電阻率計(Dia Instruments股份有限公司製型號：Loresta-EP MCP-T360)，對以下實施例、比較例中製作的導電性基板的表面電阻進行了測定。採用4探針法，以探針接觸黑化層的方式進行了測定。
(外觀評價)
對黑化層的表面進行觀察，進行了外觀評價。評價中，黑化層的表面顏色均勻無色斑者評為“○”，可見少量色斑者評為“△”、黑化層的表面整體可見色斑者評為“×”。
(正反射率)
在紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製型號：UV-2600)設置反射率測定單元，進行了測定。
對以下實施例、比較例中製作的導電性基板的黑化層表面，以入射角5°、受光角5°，並以波長1nm的間隔照射了波長400nm以上700nm以下的光，測定正反射率，並以其平均值作為該導電性基板的正反射率。
另外，以下的實施例、比較例中所製作的導電性基板，除了與導電性基板的各層的積層方向平行的面的剖面中，在透明基材11與金屬層12之間還形成了密接層之外，具有與圖1A相同的構成。因此，對黑化層13的表面13a，藉由照射光，測定了正反射率。另外，以下的亮度之情形也同樣，對表面13a照射光，進行了測定。
(亮度)
對以下的實施例、比較例中製作的導電性基板的黑化層表面，用紫外 可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製型號：UV-2600)以波長1nm的間隔照射了波長400nm以上700nm以下的光，並測定了亮度。
(試料的製作條件)
作為實施例、比較例，按以下說明的條件製作了導電性基板，並以上述評價方法進行了評價。
〔實施例1〕 (密接層形成步驟)
將寬500mm、厚100μm的聚對酞酸乙二酯樹脂(PET)製的透明基材設置在圖5所示的輥對輥濺鍍裝置50中。
並且，對作為透明基材而使用的聚對酞酸乙二酯樹脂製的透明基材，藉由JIS K 7361-1規定的方法評價了全光線透過率，結果為97%。
另外，藉由輥對輥濺鍍裝置50，在透明基材的一主平面進行了密接層的成膜。作為密接層形成了含氧之Ni-Cr合金層。
對密接層的成膜條件進行說明。
如圖5所示，在輥對輥濺鍍裝置50的濺鍍陰極54a~54d連結了Ni-17重量%Cr合金的靶。
使輥對輥濺鍍裝置50的加熱器61加熱到60℃，對透明基材進行加熱，去除了透明基材中含有的水分。
接下來，對殼體51內進行排氣至1×10-3Pa，然後導入氬氣與氧氣，將殼體51內的壓力調整為1.3Pa。此時，藉由調整氬氣與氧氣的供給量，使殼體51內氛圍以體積比計成為30%為氧，其餘為氬。
並且，由捲出輥52搬送透明基材的同時，藉由連接於濺鍍陰極54a~ 54d的濺鍍用直流電源供給電力，進行了濺鍍放電，在透明基材上連續形成了所希望的密接層。藉由該操作在透明基材的一主平面上形成了厚度20nm的密接層。
(金屬層形成步驟)
在金屬層形成步驟中，實施了金屬薄膜層形成步驟與金屬鍍層形成步驟。
首先，關於金屬薄膜層形成步驟進行說明。
藉由輥對輥濺鍍裝置50在密接層上進行金屬薄膜層的成膜。作為金屬薄膜層形成了銅薄膜層。
在金屬薄膜層形成步驟中，在圖5所示的輥對輥濺鍍裝置50的濺鍍陰極54A~54d連接銅靶進行了成膜，作為基材，使用了在密接層形成步驟中在透明基材上形成有密接層者。
作為金屬薄膜層成膜時的條件，除了以下2點以及如上所述變更了靶之外，按照與密接層形成步驟相同的條件實施。
其中一點為，對殼體51內進行排氣至1×10-3Pa之後，導入氬氣，並將殼體51內的壓力調整為1.3Pa。
另一點為，對作為金屬薄膜層的銅薄膜層進行成模使其膜厚成為150nm。
然後，在金屬鍍層形成步驟中，作為金屬鍍層形成了銅鍍層。藉由電鍍法進行成膜，使銅鍍層的厚度成為2.0μm。
(黑化層形成步驟)
使用黑色鎳浴黑鎳GT溶液(傑希優股份有限公司製)，其為鍍液中的 Ni與Zn的重量比被製備成94：6的黑鎳鍍液，藉由電鍍法進行成膜，在金屬層表面形成了厚度為0.4μm的黑化層。
如上所述，在金屬層的上表面，即，在金屬層的與密接層對向的面的反側面上形成黑化層，而獲得了在透明基材上依次積層了密接層、金屬層、黑化層的導電性基板。
對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成、表面電阻、外觀、正反射率、亮度的評價。結果如表1所示。
在此，表1中記載為「黑化層組成(Ni：Zn)」的項目表示，根據對製作的黑化層進行如上所述的EPMA分析的值算出的黑化層內的Ni與Zn的重量比率。另外，記載為「黑化層形成時的鍍液組成(Ni：Zn)」的項目表示製作黑化層時的鍍液中的Ni與Zn的重量比率。
另外，關於本實施例及以下的實施例、比較例，對表面電阻的測定值進行圖表化的結果如圖6所示，對正反射率的測定值進行圖表化的結果如圖7所示，對亮度的測定值進行圖表化的結果如圖8所示。
關於在本實驗例獲得的導電性基板，在實施形成與黑化層表面上形成的圖案對應的掩膜的掩膜配置步驟之後，實施了蝕刻步驟。蝕刻步驟中藉由用蝕刻液(二氯化銅水溶液)對密接層、金屬層及黑化層進行蝕刻，而獲得了密接層、金屬層及黑化層被圖案化為圖2A、圖2B所示的直線形狀的複數個圖案的導電性基板。在此，圖2A、圖2B表示了未配置密接層的例子，而本實施例中，在透明基材11與金屬層22之間配置有密接層，且該密接層被圖案化為與金屬層及黑化層相同的形狀。
另外，按照與以上說明的方法相同的順序，又製作了密接層、金屬層 及黑化層被圖案化為與上述情形相同形狀的另一片導電性基板。
然後，將製作的2片導電性基板如圖3A、圖3B所示進行積層，並用接著劑固定2片導電性基板，製作了積層導電性基板。在此，圖3A、圖3B亦表示了未設置密接層的例子，而本實施例中，在透明基材111與金屬層221之間，以及透明基材112與金屬層222之間配置有密接層，該密接層被圖案化為與金屬層221、金屬層222相同的形狀。
〔實施例2〕
在黑化層形成步驟中，所使用的黑色鎳浴黑鎳GT溶液(傑希優股份有限公司製)為鍍液中的Ni與Zn的重量比被製備成88：12的黑鎳鍍液，除此之外按照與實施例1相同的方式製作了導電性基板。
對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成、表面電阻、外觀、正反射率、亮度的評價。結果如表1所示。
另外，關於獲得的導電性基板，與實施例1之情形同樣，對密接層、金屬層及黑化層進行了圖案化。並且，又製作了同樣對密接層、金屬層及黑化層進行了圖案化的另1片導電性基板。然後，與實施例1之情形同樣，對2片導電性基板進行積層、固定，製作了積層導電性基板。
〔實施例3〕
在黑化層形成步驟中，所使用的黑色鎳浴黑鎳GT溶液(傑希優股份有限公司製)為鍍液中的Ni與Zn的重量比被製備為44：56的黑鎳鍍液，除此之外按照與實施例1相同方式製作了導電性基板。
對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成、表面電阻、外觀、正反射率、亮度的評價。結果如表1所示。
另外，關於獲得的導電性基板，與實施例1之情形同樣，對密接層、金屬層及黑化層進行了圖案化。另外，又製作了同樣對密接層、金屬層及黑化層進行了圖案化的另1片導電性基板。然後，與實施例1之情形同樣，對2片導電性基板進行了積層、固定、製作了積層導電性基板。
〔比較例1〕
在黑化層形成步驟中，使用了鍍液中的Ni與Zn的重量比被製備為100：0的鎳鍍液(傑希優股份有限公司製)，除此之外按照與實施例1相同的方式製作了導電性基板。
對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成、表面電阻、外觀、正反射率、亮度的評價。結果如表1所示。
另外，關於獲得的導電性基板，與實施例1之情形同樣，進行了密接層、金屬層及黑化層的圖案化。並且，又製作了同樣對密接層、金屬層及黑化層進行了圖案化的另1片導電性基板。然後，與實施例1之情形同樣，將2片導電性基板積層、固定，製作了積層導電性基板。
〔比較例2〕
在黑化層形成步驟中，使用了鍍液中的Ni與Zn的重量比被製備為0：100的鋅鍍液(傑希優股份有限公司製)，除此之外按照與實施例1相同的方式製作了導電性基板。
對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成、表面電阻、外觀、正反射率、亮度等的評價。結果如表1所示。
另外，關於獲得的導電性基板，與實施例1之情形同樣，進行了密接層、金屬層及黑化層的圖案化。並且，又製作了同樣對密接層、金屬層及 黑化層進行了圖案化的另1片導電性基板。然後，與實施例1之情形同樣，將2片導電性基板積層、固定，製作了積層導電性基板。
從表1及圖6~圖8所示的結果確認到，具有含鎳與鋅的黑化層的實施例1~實施例3的導電性基板，其黑化層表面的反射率(正反射率)為35%以下、表面電阻小於0.06Ω/□、亮度(L＊)為60以下。根據該結果，確認到在實施例1~實施例3獲得的導電性基板可抑制金屬層表面的反射，且電阻值小。另外，亮度亦為60以下，由此亦可確認對密接層、金屬層及黑化層進行圖案化的情況下，圖案化的密接層、金屬層及黑化層的積層體變得不顯眼。並且，確認到實施例1~實施例3的導電性基板的外觀評價為“○”或“△”，黑化層表面的色斑也被充分抑制。
相對於此，關於黑化層不含鋅的比較例1、黑化層不含鎳的比較例2的導電性基板，確認到反射率分別高至35.20%、66.50%，無法充分抑制金屬層表面的反射。另外，尤其是比較例2的外觀評價為“×”，確認到黑化層表面的色斑嚴重。
另外，對於製成實施例1~實施例3的積層導電性基板的情形，也確認到能夠抑制金屬層表面的光反射，密接層、金屬層及黑化層的積層體不顯眼。
根據以上結果確認到，透明基材上具備金屬層、及藉由濕式法形成且含有鎳與鋅的黑化層的導電性基板中，電阻值小且能夠充分抑制光反射。另外還確認到，由於能以濕式法形成黑化層，因此能以良好的生產性進行製造。
以上藉由實施形態以及實施例等，說明了導電性基板、積層導電性基板、導電性基板之製造方法、以及積層導電性基板製造方法，但本發明並不限定於上述實施形態以及實施例等。可在申請專利範圍所記載的本發明的要旨範圍內，進行各種變形、變更。
本申請根據2014年6月30日向日本專利局提出的特願2014-135123號主張優先權，並引用特願2014-135123號的全部內容於此。
10A、10B‧‧‧導電性基板
11‧‧‧透明基材
11a‧‧‧第1主平面
11b‧‧‧第2主平面
12、12A、12B‧‧‧金屬層
13、13A、13B‧‧‧黑化層

Claims (7)

  1. 一種導電性基板，其具有：透明基材；形成於該透明基材的至少一面上的金屬層；以及以濕式法形成於該金屬層上之含有鎳與鋅的黑化層。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中，該黑化層所含的鎳及鋅中，鎳所占比率以重量比計為40wt%以上99wt%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電性基板，其中，該金屬層及該黑化層被圖案化。
  4. 一種積層導電性基板，其積層有複數片申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性基板。
  5. 一種導電性基板之製造方法，其具有：在透明基材的至少一面上形成金屬層的金屬層形成步驟；以及以濕式法在該金屬層上形成含有鎳與鋅的黑化層的黑化層形成步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之導電性基板之製造方法，其具有對該金屬層及該黑化層進行圖案化的圖案化步驟。
  7. 一種積層導電性基板之製造方法，其具有以下積層步驟：對複數片藉由申請專利範圍第5或6項之導電性基板之製造方法所獲得的導電性基板進行積層。
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