JPH03108279A - 光蓄電池 - Google Patents
光蓄電池Info
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- JPH03108279A JPH03108279A JP24612689A JP24612689A JPH03108279A JP H03108279 A JPH03108279 A JP H03108279A JP 24612689 A JP24612689 A JP 24612689A JP 24612689 A JP24612689 A JP 24612689A JP H03108279 A JPH03108279 A JP H03108279A
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- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- -1 silver halide Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 abstract description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- CBEQRNSPHCCXSH-UHFFFAOYSA-N iodine monobromide Chemical compound IBr CBEQRNSPHCCXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、ハロゲン化銀の感光性を利用した光充電可能
な2次電池、すなわち光蓄電池に関するものである。
な2次電池、すなわち光蓄電池に関するものである。
[発明の概要1
本発明は、ハロゲン化銀を利用した光蓄電池において、
ハロゲン化銀とハロゲン捕捉電極の間に銀イオンの拡散
を防止し、かつ微細多孔質でハロゲンを容易に通過させ
る物質を銀イオンの拡散を防止する最低限の薄さに形成
することにより、ハロゲン化銀光蓄電池の短絡を阻止す
ることを可能とするものである。
ハロゲン化銀とハロゲン捕捉電極の間に銀イオンの拡散
を防止し、かつ微細多孔質でハロゲンを容易に通過させ
る物質を銀イオンの拡散を防止する最低限の薄さに形成
することにより、ハロゲン化銀光蓄電池の短絡を阻止す
ることを可能とするものである。
[従来の技術1
ハロゲン化銀の感光性とイオン導電性を利用した光蓄電
池は従来、ガラス基板に酸化インジウムスズ等の酸化物
及び数10OAの光を透過する薄さの銀等よりなる透明
電極、臭ヨウ化などのハロゲン化銀及びカーボンなどの
ハロゲン捕捉電極より形成さてれおり、たとえば特開昭
60−170173号公報などに例がある。
池は従来、ガラス基板に酸化インジウムスズ等の酸化物
及び数10OAの光を透過する薄さの銀等よりなる透明
電極、臭ヨウ化などのハロゲン化銀及びカーボンなどの
ハロゲン捕捉電極より形成さてれおり、たとえば特開昭
60−170173号公報などに例がある。
[発明が解決しようとする課題1
このハロゲン化銀を利用した光蓄電池はハロゲン化銀の
イオン導電性及びハロゲンの拡散能力が小さいため、起
電力が小さかったり、電流が小さいという欠点がある。
イオン導電性及びハロゲンの拡散能力が小さいため、起
電力が小さかったり、電流が小さいという欠点がある。
これを解決するにはハロゲン化銀層を薄くすればよいの
であるが銀の析出にともない短絡を生ずるという問題点
があった。
であるが銀の析出にともない短絡を生ずるという問題点
があった。
[課題を解決するための手段]
本発明では、ハロゲン化銀とハロゲン捕捉電極の間に銀
イオンの拡散能力が小さく、かつ薄膜化が可能で、かつ
ハロゲンの拡散能力が太き物質を形成する。
イオンの拡散能力が小さく、かつ薄膜化が可能で、かつ
ハロゲンの拡散能力が太き物質を形成する。
〔作用]
上記のように銀イオンを通過させず、かつハロゲンを容
易に通過する薄膜を形成することによりハロゲン化銀層
な薄くして、実質的内部抵抗を小さくすることができる
。
易に通過する薄膜を形成することによりハロゲン化銀層
な薄くして、実質的内部抵抗を小さくすることができる
。
[実施例1
以下、本発明を実施例にもとづいて説明する。
第1図に示すように透明ガラス基板lにスパッタ法によ
り約200人の酸化インジウムスズ透明電極2、蒸着法
で150人の透明な銀層3、蒸着法で1500人のAg
Br層4を順次形成し、更に、銀イオンの拡散を防止す
るためにスパッタ法で100人のA(2zOs層5を形
成した。
り約200人の酸化インジウムスズ透明電極2、蒸着法
で150人の透明な銀層3、蒸着法で1500人のAg
Br層4を順次形成し、更に、銀イオンの拡散を防止す
るためにスパッタ法で100人のA(2zOs層5を形
成した。
これに炭素繊維の表面にペリレンを溶媒により付着させ
ハロゲン捕捉電極6を形成した。
ハロゲン捕捉電極6を形成した。
このようにして製作したハロゲン化銀光蓄電池素体は集
電極及びリード端子を取り付け、封止なして蓄電池とし
て完成される。
電極及びリード端子を取り付け、封止なして蓄電池とし
て完成される。
上記のようにして製作したハロゲン化銀光蓄電池を性能
測定のため100W水銀灯で5000ルクスの照度のも
とて2にΩの負荷を加えたところ、最高0.61Vで0
.27mA/crn’の電流が得られた。
測定のため100W水銀灯で5000ルクスの照度のも
とて2にΩの負荷を加えたところ、最高0.61Vで0
.27mA/crn’の電流が得られた。
また長時間の作動でも性能低下は認められなかった。
一方、比較のためA 1220 a層のない試料を製作
し、同様の条件で特性を測定した。
し、同様の条件で特性を測定した。
その結果、AgBr層が2500人まででは長時間の作
動で起電力が生じなくなった。
動で起電力が生じなくなった。
またAgBr層2800人では100W水銀灯で500
0ルクスの照度のもとて2にΩの負荷で、最高0.36
Vで0.1mA/err?以下の電流しか得られなかっ
た。
0ルクスの照度のもとて2にΩの負荷で、最高0.36
Vで0.1mA/err?以下の電流しか得られなかっ
た。
AgBrはイオン導電度が小さいので内部抵抗が大きく
、実際に利用できる起電力は低く、その放電電流も小さ
いものとなってしまう。
、実際に利用できる起電力は低く、その放電電流も小さ
いものとなってしまう。
できるだけ実効的内部抵抗を小さくして得られる電流を
大きくするにはAgBr層を薄くすればよいがこの場合
、Agの析出にともなう短絡が生じ、2500Å以下に
はできない。
大きくするにはAgBr層を薄くすればよいがこの場合
、Agの析出にともなう短絡が生じ、2500Å以下に
はできない。
しかし本発明のように、銀イオンの拡散を防止し、かつ
ハロゲンの移動の妨たげとならない、微細な孔を有する
無機物質をハロゲン化銀とハロゲン捕捉電極の間に形成
することによりAgBr層をできる限り薄くして内部抵
抗を減少させることができる。
ハロゲンの移動の妨たげとならない、微細な孔を有する
無機物質をハロゲン化銀とハロゲン捕捉電極の間に形成
することによりAgBr層をできる限り薄くして内部抵
抗を減少させることができる。
本発明において透明電極は酸化インジウムスズと銀によ
り形成したが、もちろん他の透明電極でもかまわない。
り形成したが、もちろん他の透明電極でもかまわない。
またハロゲン化銀についてもAgBrだけでなく、Ag
1.AgCI2及びこれらの混晶であってもかまわない
。
1.AgCI2及びこれらの混晶であってもかまわない
。
ハロゲン捕捉電極についても炭素繊維の他に、Brt、
Ig、Cβ、などのハロゲンを可逆的に吸脱着あるいは
電荷移動錯体を形成する各種カーボン、導電性高分子な
どが利用できる。
Ig、Cβ、などのハロゲンを可逆的に吸脱着あるいは
電荷移動錯体を形成する各種カーボン、導電性高分子な
どが利用できる。
またハロゲン化銀とハロゲン捕捉電極の間に形成する無
機物質としては八β203の他に5iOs 、 ZrO
x 、T iO□などの金属酸化物が使用可能であり、
その形成方法としてはスパッタ法や蒸着法が利用できる
。
機物質としては八β203の他に5iOs 、 ZrO
x 、T iO□などの金属酸化物が使用可能であり、
その形成方法としてはスパッタ法や蒸着法が利用できる
。
本発明は以上述べたようにハロゲン化銀とハロゲン捕捉
電極の間に銀イオンの拡散を防止し、かつハロゲンを容
易に通過させる物質の薄膜をもうけることによりハロゲ
ン化銀光蓄電池において、AgBr層を薄くして、内部
抵抗を減少させても短絡を生ずることを防ぎ、よって高
起電力、大電流化を可能とするものである。
電極の間に銀イオンの拡散を防止し、かつハロゲンを容
易に通過させる物質の薄膜をもうけることによりハロゲ
ン化銀光蓄電池において、AgBr層を薄くして、内部
抵抗を減少させても短絡を生ずることを防ぎ、よって高
起電力、大電流化を可能とするものである。
第1図は本発明の光蓄電池の断面図である。
・透明ガラス基板
・酸化インジウムスズ透明電極
・銀層
・AgBr層
6
・ Aβ2
0、層
・ハロゲン捕捉電極
以
上
Claims (1)
- 透明基板上に透明電極、ハロゲン化銀、銀イオン拡散
防止物質、ハロゲン捕捉電極を順次形成していることを
特徴とする光蓄電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24612689A JPH03108279A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 光蓄電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24612689A JPH03108279A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 光蓄電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03108279A true JPH03108279A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=17143868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24612689A Pending JPH03108279A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 光蓄電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03108279A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288985A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | 太陽電池 |
WO2013128963A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 富士フイルム株式会社 | 銀イオン拡散抑制層形成用組成物、銀イオン拡散抑制層用フィルム、配線基板、電子機器、導電膜積層体、およびタッチパネル |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP24612689A patent/JPH03108279A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288985A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | 太陽電池 |
WO2013128963A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 富士フイルム株式会社 | 銀イオン拡散抑制層形成用組成物、銀イオン拡散抑制層用フィルム、配線基板、電子機器、導電膜積層体、およびタッチパネル |
CN104136548A (zh) * | 2012-02-28 | 2014-11-05 | 富士胶片株式会社 | 银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜、配线基板、电子装置、导电膜层压体及触摸屏 |
US9578732B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-02-21 | Fujifilm Corporation | Composition for forming silver ion diffusion-suppressing layer, film for silver ion diffusion-suppressing layer, circuit board, electronic device, conductive film laminate, and touch panel |
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