KR20140116382A - 디스플레이 소자와, 디스플레이 소자를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 영역(20)을 갖고 복수개의 픽셀(2a, 2b)을 형성하는 반도체 층 순서부(2)를 보유한 디스플레이 소자(1)가 특정된다. 디스플레이 소자(1)는 캐리어(5)를 또한 갖고, 활성 영역(20)은 제1 반도체 층(21)과 제2 반도체 층(22) 사이에 배열된다. 반도체 층 순서부(2)는 캐리어와 대면하는 반도체 층 순서부(2)의 주요 표면(27)으로부터 활성 영역(20)을 통해 제1 반도체 층(21) 내로 연장되고 제1 반도체 층(21)과 전기 접촉되도록 제공되는 적어도 1개의 리세스(25)를 포함한다. 캐리어(5)는 적어도 1개의 픽셀(2a, 2b)을 제어하도록 각각 제공되는 복수개의 스위치(51)를 포함한다. 이러한 디스플레이 소자를 제조하는 방법이 또한 특정된다.

Description

디스플레이 소자와, 디스플레이 소자를 제조하는 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A DISPLAY DEVICE}
디스플레이 소자와, 디스플레이 소자를 제조하는 방법이 제공된다.
소수의 픽셀을 보유한 LED 디스플레이 소자는 각각의 픽셀에 대해 행당 1개의 접촉부 그리고 열당 1개의 접촉부가 제어기에 분배 및 공급되는 다중화 방법(multiplexing method)에 의해 구동될 수 있다. 이러한 방법에서, 픽셀은 단지 순서대로 구동될 수 있고, 이것은 플리커-없는 상태의 전체적인 디스플레이 소자 밝기(flicker-free overall display device brightness)를 위해 증가된 개수의 픽셀의 경우에 픽셀을 통한 훨씬 더 높은 전류를 초래한다.
성취될 목적은 영상이 높은 해상도 그리고 높은 리프레시 속도(refresh rate)로 발생되게 하는 디스플레이 소자를 제공하는 것이다. 추가로, 디스플레이 소자가 효율적으로 그리고 간단하게 제조될 수 있게 하는 방법이 제공되어야 한다.
이러한 목적은 독립 청구항의 주제(subject matter)에 의해 성취된다. 구성 그리고 편리한 태양이 종속 청구항의 주제를 구성한다.
하나의 실시예에 따르면, 디스플레이 소자는 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 영역을 포함하고 복수개의 픽셀을 형성하는 반도체 층 순서부(semiconductor layer sequence)를 포함한다. 디스플레이 소자는 캐리어를 추가로 포함한다. 활성 영역은 제1 반도체 층과 제2 반도체 층 사이에 배열되고, 제1 반도체 층 및 제2 반도체 층은 편리하게는 상이한 전도 타입을 포함한다. 반도체 층 순서부는 반도체 층 순서부의 캐리어와 대면하는 주요 표면으로부터 활성 영역을 통해 제1 반도체 층 내로 연장되고 제1 반도체 층의 전기 접촉을 위해 제공되는 적어도 1개의 리세스를 포함한다. 캐리어는 각각의 경우에 적어도 1개의 픽셀을 제어하도록 제공되는 복수개의 스위치를 포함한다.
정확하게 1개의 스위치가 바람직하게는 각각의 화소와 관련된다. 디스플레이 소자가 동작 중일 때에, 각각의 픽셀은 할당된 스위치에 의해 구동될 수 있다. 동작 중일 때에, 복수개의 픽셀이 그에 따라 동시에 구동될 수 있고, 특히 모든 픽셀이 동시에 구동될 수 있다.
디스플레이 소자의 제조 중에, 픽셀은 바람직하게는 공통 반도체 층 순서부 즉 반도체 층들로부터 기인하고, 특히 개별 픽셀의 활성 영역은 반도체 웨이퍼 위에서 측방으로 일어나는 제조-관련된 변동을 제외하면 이들의 재료 조성 그리고 이들의 층 두께에 대해 동일하다.
양호한 실시예에서, 반도체 층 순서부 성장 기판이 완전히 또는 적어도 소정 위치에서 제거되거나 전체에 걸쳐 또는 적어도 소정 위치에서 얇아진다. 캐리어는 반도체 층 순서부를 기계적으로 안정화시킬 수 있고, 이것은 성장 기판이 이러한 목적을 위해 더 이상 요구되지 않는다는 것을 의미한다. 디스플레이 소자에는 바람직하게는 성장 기판이 완전히 없다. 디스플레이 소자가 동작 중일 때에 인접한 픽셀들 사이에서의 광학적 혼선의 위험성이 그에 따라 감소될 수 있다. 그러나, 그와 대조적으로, 성장 기판이 단지 주어진 잔여 두께까지 얇아지는 것으로 또한 충분할 수 있다.
하나의 양호한 구성에서, 디스플레이 소자는 적어도 1개의 리세스 내에서 제1 반도체 층과 도전성 연결되는 제1 연결 층을 포함한다. 제1 연결 층은 반도체 층 순서부와 캐리어 사이에 배열될 수 있다. 제1 반도체 층은 제1 연결 층에 의해 캐리어와 대면하는 반도체 층 순서부의 측면으로부터 전기 접촉될 수 있다. 나아가, 제2 연결 층이 바람직하게는 캐리어와 반도체 층 순서부 사이에 배열되고, 이것은 제2 반도체 층과 소정 위치에서 도전성 연결된다. 제2 연결 층의 적어도 1개의 도전성 연결 영역이 바람직하게는 적어도 1개의 리세스를 측방으로 완전히 포위한다. 제1 연결 층 및/또는 제2 연결 층 또는 적어도 1개의 하위-층은 바람직하게는 동작 중일 때에 활성 영역 내에서 발생될 복사선에 대해 반사성이다. 활성 영역 내에서 발생되는 복사선에 대한 반사율은 바람직하게는 적어도 50% 그리고 특히 바람직하게는 적어도 70%에 달한다.
디스플레이 소자 상으로의 평면도에서, 제1 연결 층 및 제2 연결 층이 중첩될 수 있다. 더욱이, 제2 연결 층은 반도체 층 순서부와 제1 연결 층 사이의 소정 위치에 배열될 수 있다. 대체예에서, 제1 연결 층 및 제2 연결 층은 중첩 없이 배열될 수 있다. 더욱이, 나아가, 제1 연결 층 및/또는 제2 연결 층은 단층 또는 다층 구성으로 되어 있을 수 있다.
특히 다층 구성에서, 제1 연결 층 및/또는 제2 연결 층은 투과성 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide) 재료를 함유할 수 있다.
연결 층들 중 하나가 픽셀을 위한 공통 전기 접점을 형성할 수 있고, 예컨대 제1 연결 층이 제1 반도체 층을 위한 공통 전기 접점을 형성할 수 있고, 픽셀의 제2 반도체 층이 각각의 경우에 스위치들 중 하나와 제2 연결 층에 의해 도전성 연결될 수 있거나, 그 반대일 수 있다. 복수개의 픽셀을 위한 특히 모든 픽셀을 위한 공통 전기 접점으로써, 픽셀에 요구되는 접촉부의 총 개수가 감소될 수 있다.
하나의 변형 구성에서, 활성 영역은 복수개의 픽셀을 횡단하여 특히 모든 픽셀을 횡단하여 인접하게 연장된다. 활성 영역은 그에 따라 인접한 구성으로 되어 있고, 단지 적어도 1개의 리세스에 의해 천공된다. 이와 같이, 개별 픽셀에 대해 활성 영역을 분할하는 추가의 제조 단계가 생략될 수 있다.
대체의 변형 구성에서, 활성 영역은 1개의 픽셀을 각각 형성하는 복수개의 세그먼트로 세분된다.
인접한 픽셀들 사이에서의 세분이 각각의 경우에 예컨대 적어도 활성 영역을 분할하는 트렌치(trench)에 의해 유발될 수 있다. 특히, 트렌치는 전체의 반도체 층 순서부를 분할할 수 있다.
대체예에서, 트렌치는 또한 단지 제1 반도체 층 내에 형성될 수 있고, 즉 트렌치는 활성 영역을 분할하지 않는다. 이러한 트렌치는 활성 영역이 분할되지 않은 상태에서 픽셀들 사이의 광학적 분리를 개선할 수 있다.
제조 중에, 세그먼트는 공통 반도체 층 순서부로로부터 기인한다. 세그먼트의 반도체 층 순서부의 조성 및 층 두께는 그에 따라 에피택시얼 피착(epitaxial deposition) 중의 제조-관련된 변동을 제외하면 동일하다.
세그먼트로의 세분을 통해, 인접한 픽셀들 사이에서의 전하 캐리어 주입의 분리가 단순화된 방식으로 성취될 수 있다.
하나의 구성에서, 적어도 1개의 리세스는 적어도 소정 위치에서 세그먼트의 원주부를 따라 연장된다. 특히, 리세스는 세그먼트를 완전히 포위할 수 있다. 리세스에 의해, 개별 픽셀은 예컨대 제1 연결 층에 의해 이들의 원주부를 따라 특히 이들의 전체의 원주부를 따라 전기 접촉될 수 있다. 제1 연결 층은 리세스의 영역 내에서 인접한 픽셀들 사이에 배열될 수 있고, 예컨대 격자의 형태를 취할 수 있다. 특히 제1 연결 층은 세그먼트의 제1 반도체 층을 위한 공통 전기 접점을 형성한다.
하나의 추가의 개발예에서, 적어도 1개의 세그먼트의 측면 표면 특히 복수개 또는 모든 세그먼트의 측면 표면은 디스플레이 소자의 복사선 배출 표면에 평행하게 또는 실질적으로 평행하게 예컨대 최대 10˚의 각도로 연장되는 돌출부를 포함하고, 이러한 돌출부 내에서 제1 반도체 층이 전기 접촉된다. 특히, 돌출부의 영역 내에서, 제1 연결 층이 제1 반도체 층에 인접한다.
추가의 구성에서, 하나의 픽셀의 제1 반도체 층은 인접한 픽셀의 제2 반도체 층과 도전성 연결된다. 이들 인접한 픽셀은 그에 따라 직렬로 전기적으로 함께 연결된다.
하나의 양호한 추가의 개발예에서, 스위치는 하나의 측면 상에서 픽셀의 제1 반도체 층과 그리고 또 다른 측면 상에서 제2 반도체 층과 도전성 연결된다. 관련된 픽셀은 그에 따라 스위치에 의해 전기적으로 우회될 수 있다. 이와 같이, 1개 이상의 픽셀의 전기 직렬 연결로써도, 개별 픽셀이 개별적으로 구동될 수 있다. 바람직하게는, 직렬-연결된 픽셀의 각각은 전기 우회를 위한 스위치를 포함한다.
리세스의 개수는 특히 디스플레이 소자의 의도된 적용 분야 그리고 개별 픽셀의 크기에 따라 넓은 한계 내에서 변동될 수 있다. 특히 제1 반도체 층이 모든 픽셀을 횡단하여 인접하게 연장되는 구성에서, 단지 1개의 리세스가 전체의 디스플레이 소자를 위해 충분할 수 있다. 단일의 리세스가 또한 개별 픽셀들 사이에 격자의 방식으로 형성되는 경우에 충분하다. 그러나, 측방 방향으로 즉 반도체 층 순서부(2)의 반도체 층의 주요 연장 평면 내에서 연장되는 방향으로 입력되는 균일한 전류를 위해, 복수개의 리세스가 바람직하게는 제1 반도체 층의 횡단 방향 전도도의 함수로서 제공된다. 리세스의 개수는 바람직하게는 적어도 픽셀의 개수 정도로 크다. 이것은 제1 반도체 층이 제1 연결 층을 거쳐 스위치에 연결되는 구성 그리고 제1 연결 층이 픽셀을 횡단하여 인접하게 연장되는 구성의 양쪽 모두에 적용된다. 특히, 픽셀당 2개 이상의 리세스가 또한 개별 픽셀의 측방 크기가 비교적 크면 편리할 수 있다. 픽셀의 활성 영역 내로의 측방으로 균일한 전하 캐리어 주입이 그에 따라 단순화된다.
양호한 구성에서, 복사선 변환 요소가 캐리어로부터 멀리 떨어진 반도체 층 순서부의 측면 상에 배열된다. 복사선 변환 요소는 바람직하게는 활성 영역 내에서 발생되는 제1 피크 파장을 보유한 복사선 중 적어도 일부를 제1 피크 파장과 상이한 제2 피크 파장을 보유한 2차 복사선으로 변환하도록 제공된다.
복사선 변환 요소는 복수개의 픽셀을 횡단하여 특히 모든 픽셀을 횡단하여 인접하게 연장될 수 있다. 대체예에서, 복사선 변환 요소는 적어도 1개의 픽셀과 각각 관련되는 복수개의 세그먼트를 포함할 수 있다. 예컨대, 각각의 경우에, 3개 이상의 픽셀이 적색, 녹색 및 청색 스펙트럼 범위 내의 복사선을 발생시키도록 제공되는 컬러 트리플릿(colour triplet)으로 결합될 수 있다. 이러한 디스플레이 소자는 정영상 또는 동영상의 풀-컬러 재현에 적절하다.
복수개의 픽셀을 보유한 디스플레이 소자를 제조하는 방법에서, 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 영역을 포함하는 반도체 층 순서부가 제공된다. 랜드(land)가 각각의 픽셀에 대해 반도체 층 순서부 상에 형성된다. 복수개의 스위치를 보유한 캐리어가 제공된다. 반도체 층 순서부는 랜드가 각각의 스위치와 관련되는 방식으로 캐리어에 대해 위치된다. 도전성 연결이 랜드와 스위치 사이에 생성된다. 반도체 층 순서부를 위한 성장 기판이 완전히 또는 소정 위치에서 제거된다.
이러한 방법은 위에서 나열된 순서로 수행되지 않아도 된다.
성장 기판의 제거가 랜드와 스위치 사이의 도전성 연결의 생성 후에 일어난다. 이러한 경우에, 성장 기판의 제거는 그에 따라 디스플레이 소자의 픽셀이 캐리어의 관련된 스위치와 이미 연결된 후에 단지 1회 일어난다.
대체예에서, 반도체 층 순서부는 또한 성장 기판 이외의 중간 캐리어로서 기능하는 보조 캐리어 상에 제공될 수 있다. 보조 캐리어는 캐리어가 반도체 층 순서부에 고정되어 이러한 작업을 취하기 전에 반도체 층 순서부를 기계적으로 안정화시키도록 기능할 수 있다. 반도체 층 순서부가 캐리어에 고정되면, 보조 캐리어가 제거될 수 있다.
나아가, 복수개의 디스플레이 소자의 제조가 바람직하게는 웨이퍼 조립체 내에서 동시에 진행되고, 복수개의 디스플레이 소자가 웨이퍼 조립체의 단수화(singulation)에 의해 예컨대 소잉(sawing) 또는 레이저 분리 방법에 의해 제조된다. 디스플레이 소자로의 단수화는 바람직하게는 랜드와 스위치 사이의 도전성 연결부의 생성 후에만 그리고 특히 바람직하게는 반도체 층 순서부를 위한 성장 기판의 제거 후에만 진행된다.
위에서-설명된 방법은 위에서 추가로 설명된 디스플레이 소자를 제조하는 데 특히 적절하다. 그러므로, 디스플레이 소자와 연계하여 나열된 특징이 이러한 방법에 대해 사용될 수 있고, 그 반대일 수 있다.
추가의 특징, 구성 그리고 편리한 태양이 도면과 연계된 예시 실시예의 다음의 설명에 의해 드러날 것이다.
도 1 내지 7은 각각 디스플레이 소자의 예시 실시예의 개략 단면도이다.
도 8a 내지 8d는 단면도로 개략적으로 도시되어 있는 중간 단계를 사용하여 디스플레이 소자를 제조하는 방법의 예시 실시예를 도시하고 있다.
유사 또는 동일한 작용 요소에는 도면에서 동일한 도면 부호가 제공된다.
도면 그리고 서로에 대한 도면에 도시된 요소의 크기 비율은 일정한 스케일인 것으로서 간주되지 않아야 한다. 오히려, 개별 요소가 설명의 용이성 및/또는 더 양호한 이해를 위해 과장되게 큰 스케일로 도시될 수 있다
도 1은 디스플레이 소자(1)의 제1 예시 실시예의 개략 단면도이다. 디스플레이 소자는 서로에 이웃하게 특히 매트릭스의 방식으로 배열되는 복수개의 픽셀을 포함한다. 도시를 단순화하기 위해, 제1 픽셀(2a) 및 제2 픽셀(2b)을 보유한 디스플레이 소자의 일부가 도면에 도시되어 있다.
디스플레이 소자(1)는 반도체 층 순서부(2)를 포함한다. 반도체 층 순서부는 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 영역(20)을 포함하고, 이러한 영역은 주요 표면(27)과 복사선 배출 표면(29) 사이에서 수직으로 연장된다. 활성 영역은 제1 전도 타입의 제1 반도체 층(21)과 제1 전도 타입과 상이한 제2 전도 타입의 제2 반도체 층(22) 사이에 배열된다. 예컨대, 제1 반도체 층이 n-전도 타입일 수 있고, 제2 반도체 층이 p-전도 타입일 수 있거나, 그 반대일 수 있다. 반도체 층 순서부(2) 내에, 주요 표면으로부터 제2 반도체 층(22) 및 활성 영역(20)을 통해 제1 반도체 층(21) 내로 연장되는 복수개의 리세스(25)가 형성된다.
활성 영역(20)은 가시 광선 스펙트럼 범위 내의, 자외선 스펙트럼 범위 내의 또는 적외선 스펙트럼 범위 내의 복사선을 발생시키도록 제공될 수 있다. 특히, 활성 영역은 양자 우물 구조 예컨대 다중 양자 우물 구조를 포함할 수 있다.
반도체 층 순서부(2) 특히 활성 영역(20)은 바람직하게는 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 재료를 포함한다. 반도체 재료는 특히 Ga, Al 및 In으로 구성된 그룹으로부터의 적어도 1개의 Ⅲ족 원소 그리고 N, P 및 As로 구성된 그룹으로부터의 적어도 1개의 Ⅴ족 원소를 함유할 수 있다.
Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 재료는 자외선(AlxInyGa1-x-yN)으로부터 가시 광선(특히 청색 내지 녹색 복사선을 위한 AlxInyGa1-x-yN 또는 특히 황색 내지 적색 복사선을 위한 AlxInyGa1-x-yP)을 통해 적외선(AlxInyGa1-x-yAs)까지의 범위 내의 스펙트럼의 복사선을 생성하는 데 특히 적절하다. 여기에서, 각각의 경우에, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 및 x + y ≤ 1이 적용되고, 특히 이 때에 x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 및/또는 y ≠ 0이다. Ⅲ-Ⅴ 반도체 재료를 사용하여, 특히 언급된 재료 시스템으로부터, 복사선의 발생에서의 높은 내부 양자 효율이 추가로 성취될 수 있다.
디스플레이 소자(1)는 반도체 층 순서부(2)가 배열 및 고정되는 캐리어(5)를 추가로 포함한다. 예컨대 개별 트랜지스터 또는 복수개의 트랜지스터 및 커패시터를 보유한 회로의 형태를 취할 수 있는 복수개의 스위치(51)가 캐리어(5) 내로 합체된다. 반도체 층 순서부(2)와 대면하는 캐리어(5)의 주요 표면(50) 상에서, 접촉 영역(54)이 스위치(51)의 각각과 관련되고, 이러한 접촉 영역은 반도체 층 순서부의 픽셀(2a, 2b)과의 전기 연결을 위해 제공된다. 접촉 영역(54)을 서로로부터 전기적으로 격리하는 절연 영역(53)이 이러한 경우에 주요 표면(50) 상의 인접한 접촉 영역(54) 사이에 형성된다. 추가로, 디스플레이 소자의 픽셀이 전기 제어 회로를 거쳐 구동될 수 있는 급송 라인(52)이 캐리어(5) 내에 형성된다.
캐리어(5)는 예컨대 실리콘 캐리어의 형태를 취할 수 있고, 스위치(51)는 예컨대 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor) 기술을 사용하여 형성된다. 스위치(51)에 추가하여, 캐리어는 디스플레이 소자(1)를 구동시키는 추가의 전자 구성 요소 예컨대 시프트 리지스터(shift register) 또는 프로그래밍 가능한 논리 모듈을 또한 포함할 수 있다.
픽셀(2a, 2b)의 전기 구동부에 추가하여, 캐리어(5)는 또한 반도체 층 순서부(2)를 기계적으로 안정화시키도록 기능한다. 반도체 층 순서부의 바람직하게는 에피택시얼 피착을 위한 성장 기판이 이러한 목적을 위해 더 이상 요구되지 않고, 그에 따라 디스플레이 소자의 제조 중에 제거될 수 있다.
나아가, 반도체 층 순서부는 또한 동작 중일 때에 발생되는 폐열이 캐리어를 거쳐 효율적으로 발산될 수 있도록 캐리어(5)와 열 전도성 연결된다. 연결을 생성하는 적절한 방식은 예컨대 납땜 예컨대 페이스트 연납을 사용한 연납땜, 은 소결, 직접 접합 방법 또는 언더필(underfill)이 기계적 안정성을 증가시키도록 범프(bump)들 사이에 제공될 수 있는 범프를 사용한 접촉이다.
캐리어(5)와 반도체 층 순서부(2)의 픽셀(2a, 2b)의 전기 연결을 위해, 제1 연결 층(31) 및 제2 연결 층(32)이 반도체 층 순서부(2)와 캐리어(5) 사이에 배열된다. 제1 연결 층(31)은 리세스(25)를 통해 연장되고, 제1 반도체 층(21)의 전기 접촉을 위해 제공된다. 제2 연결 층(32)은 그에 따라 제2 반도체 층(22)의 전기 접촉을 위해 제공되고, 제2 반도체 층에 직접적으로 인접한다. 연결 층은 바람직하게는 금속이고, 더욱이 바람직하게는 활성 영역(20) 내에서 발생되는 복사선에 대해 반사성이다. 은은 예컨대 가시 광선 및 자외선 스펙트럼 범위 내에서의 특히 높은 반사율에 의해 차별화된다. 또 다른 금속 예컨대 알루미늄, 니켈, 금, 로듐 또는 팔라듐, 또는 언급된 재료들 중 적어도 1개를 보유한 금속 합금 예컨대 은-팔라듐 합금 또는 Au:Ge가 대체예에서 또한 사용될 수 있다.
연결 층(31, 32)은 또한 다층 구성으로 되어 있을 수 있다. 다층 구성의 경우에, 연결 층(31, 32)의 하위-층이 TCO 재료 예컨대 인듐-주석 산화물(ITO: indium-tin oxide) 또는 아연 산화물을 함유할 수 있다.
디스플레이 소자(1) 상으로의 평면도에서, 제1 연결 층(31) 및 제2 연결 층(32)이 소정 위치에서 중첩될 수 있다. 제2 연결 층(32)은 그에 따라 비교적 큰 영역 내에서 제2 반도체 층(22)에 직접적으로 인접할 수 있고, 그에 따라 이러한 분률의 복사선이 복사선 배출 표면(29)을 통해 방출되도록 활성 영역(20)에 의해 캐리어(5)를 향해 방출되는 더 큰 부분의 복사선을 반사할 수 있다. 도시된 예시 실시예에서, 제2 연결 층(32)은 각각의 픽셀(2a, 2b)에 대한 랜드(35)를 형성하고, 이들은 관련된 스위치(51)의 접촉 영역(54)에 연결된다. 제1 반도체 층(21)은 제1 연결 층이 디스플레이 소자의 모든 픽셀(2a, 2b)에 대해 공통 접촉부를 형성하고 급송 라인(52)과 직접적으로 연결되도록 제1 연결 층(31)에 의해 인접하게 전기 접촉된다.
공통 접촉부는 1개 이상의 지점에서 급송 라인(52)에 연결될 수 있거나 디스플레이 소자(1)의 외부로 직접적으로 안내될 수 있다.
제1 절연 층(41) 예컨대 실리콘 산화물 층이 제1 연결 층(31)과 제2 연결 층(32) 사이에 배열된다. 절연 층은 제1 연결 층(31)과 제2 연결 층(32) 사이의 전기 절연을 위해 그리고 리세스(25)의 영역 내의 제2 반도체 층(22) 및 활성 영역(20)으로부터의 제1 연결 층의 전기 절연을 위해 기능한다. 반도체 층 순서부(2) 특히 활성 영역(20)의 측면 표면에는 제2 절연 층(42)이 덮인다.
디스플레이 소자(1)가 동작 중일 때에, 픽셀(2a, 2b)은 스위치(51)에 의해 상호 독립적으로 그리고 특히 동시에 동작될 수 있다. 픽셀이 행과 열로 된 접촉 라인을 사용하여 연결되는 구성과 대조적으로, 픽셀의 개수는 그에 의해 증가될 수 있고, 이 때에 주어진 리프레시 속도에서의 픽셀당 스위칭 횟수는 이러한 목적을 위해 감소되지 않아도 된다. 픽셀을 통한 전류는 그에 따라 동일한 픽셀 밝기를 성취하도록 증가되지 않아도 된다.
도시된 예시 실시예에서, 반도체 층 순서부(2)는 픽셀(2a, 2b)을 횡단하여 인접하게 연장된다. 활성 영역(20)은 그에 따라 인접한 영역의 형태를 취한다. 픽셀의 측방 크기는 이러한 예시 실시예에서 실질적으로 제2 연결 층(32)의 측방 크기로부터 기인한다.
리세스(25)의 개수는 픽셀의 크기 그리고 제1 반도체 층의 횡단 방향 전도도의 함수로서 넓은 한계 내에서 변동될 수 있다. 도시된 예시 실시예에서와 달리, 그에 따라 각각의 픽셀이 그 자체의 리세스(25) 또는 심지어 복수개의 그 자체의 리세스(25)를 갖지 않아도 된다. 그 대신에, 서로에 인접하게 배열되는 복수개의 픽셀이 공통 리세스(25)를 또한 포함할 수 있다. 극단적인 경우에, 단일의 리세스가 전체의 디스플레이 소자에 대해 충분할 수 있다.
개별 픽셀(2a, 2b)의 모서리 길이는 넓은 범위 내에서 변동될 수 있다. 예컨대, 모서리 길이는 1 ㎛ 내지 1 ㎜에 달할 수 있다. 픽셀 헤드라이트를 형성하기 위해 예컨대 자동차 내의 적응성 전방 조명 시스템(AFS: adaptive front lighting system)에 대해, 모서리 길이는 예컨대 바람직하게는 20 ㎛ 내지 150 ㎛이다. 투영 디스플레이에 대해, 모서리 길이는 바람직하게는 1 ㎛ 내지 5 ㎛에 달한다.
인접한 픽셀들 사이의 비-방출 공간은 0.5 ㎛ 내지 20 ㎛에 달할 수 있다.
픽셀(2a, 2b)과 캐리어(5)의 접촉 영역(54) 사이의 연결을 위한 특히 적절한 재료는 금속 예컨대 금, 은, 구리 또는 니켈, 또는 언급된 재료들 중 적어도 하나를 포함하는 금속 합금 예컨대 금-주석, 구리-은-주석, 인듐-주석 또는 니켈-주석이다.
도 2에 개략적으로 도시된 제2 예시 실시예는 도 1과 연계하여 설명된 제1 실시예에 실질적으로 대응한다. 그와 대조적으로, 제2 연결 층(32)은 디스플레이 소자(1)의 모든 픽셀(2a, 2b)에 대해 공통 접촉부를 형성한다. 제1 연결 층(31)은 각각의 경우에 각각의 픽셀에 할당된 스위치(51)와 도전성 연결되는 랜드(35)를 형성한다.
나아가, 복사선 변환 요소(6)가 반도체 층 순서부의 복사선 배출 표면(29) 상에 형성된다. 도시된 예시 실시예에서, 복사선 변환 요소는 복수개의 세그먼트(6a, 6b)를 포함하는 인접한 요소의 형태를 취한다. 정확하게 1개의 세그먼트가 각각의 픽셀에 할당된다. 분리 웨브(61)가 각각의 쌍의 이웃한 세그먼트들 사이에 형성된다. 분리 웨브는 세그먼트(6a, 6b)가 서로로부터 광학적으로 격리되게 한다. 픽셀(2a, 2b) 사이의 광학적 분리가 이러한 방식으로 증가된다.
풀-컬러 정영상 또는 동영상을 재현하고자 의도되는 디스플레이 소자에 대해, 세그먼트(6a, 6b)는 상호 상이한 피크 파장을 보유한 2차 파장을 보유한 복사선을 발생시키도록 제공된다. 예컨대, 3개의 세그먼트(6a, 6b)가 적색, 녹색 및 청색 스펙트럼 범위 내의 복사선을 발생시키는 컬러 트리플릿을 형성할 수 있다. 물론, 복사선 변환 요소(6)가 비-인접한 구성으로 되어 있고, 복사선 변환 요소가 서로로부터 기계적으로 분리되는 개별 세그먼트의 형태로 각각의 픽셀(2a, 2b)에 적용되는 것이 또한 가능하다.
복사선 변환 요소(6)는 복사선 배출 표면(29)에 사전-제조된 형태로 고정될 수 있거나 복사선 배출 표면 상에 직접적으로 형성될 수 있다. 나아가, 복사선 변환 요소는 예컨대 세라믹 입자, 양자점 또는 유기 분자에 의해 형성될 수 있다. 이들은 매트릭스 재료 예컨대 중합체 매트릭스 재료 예컨대 실리콘 또는 에폭시, 또는 실리콘 및 에폭시를 보유한 혼성 재료 내에 삽입될 수 있다. 대체예에서, 복사선 변환 요소는 또한 복사선 변환을 위해 단독으로 제공된 입자가 예컨대 소결에 의해 세라믹을 형성하거나 추가의 물질의 도움으로 세라믹으로 조립되는 세라믹 복사선 변환 요소의 형태를 취할 수 있다.
픽셀 헤드라이트를 위해, 복사선 변환 요소(6)의 세그먼트(6a, 6b)는 또한 동일한 구성으로 되어 있을 수 있다. 세그먼트는 예컨대 인간의 눈에 백색처럼 보이는 광이 방출되도록 황색 스펙트럼 범위 내의 2차 복사선으로의 활성 영역(20) 내에서 발생되는 청색 복사선의 복사선 변환을 위해 제공될 수 있다.
도 3에 개략적으로 도시된 제3 예시 실시예는 도 2와 연계하여 설명된 제2 예시 실시예에 실질적으로 대응한다. 그와 대조적으로, 인접한 픽셀(2a, 2b)이 트렌치(26)에 의해 서로로부터 분리된다. 트렌치는 복사선 배출 표면(29)으로부터 적어도 활성 영역을 통해 그리고 바람직하게는 전체의 반도체 층 순서부(2)를 통해 연장된다. 트렌치는 픽셀(2a, 2b)이 단순화된 방식으로 광학적으로 그리고 전기적으로 서로로부터 분리되게 한다. 픽셀의 순수한 광학적 분리를 위해, 트렌치는 또한 활성 영역(20)을 분할하지 않은 상태에서 단지 복사선 배출 표면(29)으로부터 제1 반도체 층(21) 내로 연장될 수 있다. 이러한 트렌치는 또한 예컨대 도 1과 연계하여 설명된 것과 같은 인접한 제1 반도체 층(21)과 함께 사용될 수 있다.
트렌치의 측면 표면에는 제2 절연 층(42)이 덮인다. 트렌치(26)는 충전되지 않거나 충전재 재료로 충전될 수 있다. 충전재 재료는 활성 영역(20) 내에서 발생되는 복사선에 대해 투과성, 흡수성 또는 반사성일 수 있다. 흡수성 또는 반사성 충전재 재료가 인접한 픽셀들 사이의 광학적 분리가 증가되게 한다. 트렌치를 위한 적절한 투과성 또는 흡수성 충전재 재료의 예가 유전성 재료 예컨대 중합체 재료이다. 반사성 재료는 금속 층 또는 반사성 입자 예컨대 티타늄 산화물로 충전된 플라스틱 재료의 형태를 취할 수 있다. 유전성 재료가 충전재 재료로서 사용될 때에, 트렌치(42)의 측면 표면 상의 제2 절연 층(42)이 또한 생략될 수 있다.
도시된 예시 실시예에서, 복사선 변환 요소(6)는 픽셀(2a, 2b)을 횡단하여 연장되는 인접한 요소의 형태를 취한다. 복사선 변환 요소는 특히 일편 구조로 되어 있을 수 있다. 물론, 도 2와 연계하여 설명된 것과 같이 실시된 복사선 변환 요소(6)가 또한 사용될 수 있다. 도 2 및 3과 연계하여 설명된 복사선 변환 요소(6)는 단순화를 위해 모든 예시 실시예에서 명시적으로 나타나 있지 않더라도 모든 예시 실시예와 연계하여 설명된 디스플레이 소자에 대체로 적절하다.
나아가, 도 2에 도시된 예시 실시예에서와 달리, 픽셀(2a)이 제1 반도체 층(21)과 접촉되는 복수개의 리세스(25)를 포함한다.
픽셀당 복수개의 리세스가 비교적 큰 픽셀(2a, 2b)을 보유한 디스플레이 소자에 예컨대 픽셀 헤드 라이트를 위한 디스플레이 소자에서 특히 적절하다.
도 4에 도시된 예시 실시예는 도 3과 연계하여 설명된 예시 실시예에 실질적으로 대응한다. 후자에서와 달리, 각각의 픽셀(2a, 2b)은 각각의 경우에 정확하게 1개의 리세스(25)를 갖는다. 개별 픽셀의 크기 그리고 그에 따라 또한 인접한 픽셀들 사이의 중심 거리가 이러한 방식으로 최소화된다. 이러한 디스플레이 소자(1)는 특히 투영 디스플레이를 위한 광원으로서 적절하다.
도 5에 도시된 제 5 예시 실시예는 특히 개별 픽셀(2a, 2b)이 직렬로 전기적으로 함께 연결된다는 점에서 즉 픽셀(2a)의 제1 반도체 층(21)이 연결 층(31, 32)을 거쳐 인접한 픽셀(2b)의 제2 반도체 층(22)에 도전성 연결된다는 점에서 이전의 예시 실시예와 상이하다. 스위치(51)는 제1 반도체 층(21)과 제1 연결 층(31)을 거쳐 일측 상에서 예컨대 트랜지스터의 소스 단자에서 그리고 제2 반도체 층(22)과 제2 연결 층(32)을 거쳐 타측 상에서 예컨대 이러한 트랜지스터의 드레인 단자에서 도전성 연결된다. 스위치의 폐쇄 상태에서, 관련된 픽셀은 그에 따라 전기 단락-회로이고, 그에 따라 복사선을 방출하지 않는다. 스위치(51)가 개방될 때에, 전하 캐리어는 이러한 픽셀의 활성 영역(20)에 도달하고 그곳에서 재결합되고, 그에 의해 복사선을 방출한다. 바꿔 말하면, 캐리어(5)의 스위칭 가능한 우회가 개별 픽셀(2a, 2b)이 개별 픽셀의 전기 직렬 연결에도 불구하고 스위치(51)에 의해 개별적으로 구동될 수 있도록 각각의 픽셀과 관련된다. 이러한 상호 연결은 요구되는 급송 라인(52)의 개수가 감소되게 한다. 나아가, 디스플레이 소자를 통해 흐르는 전류는 모든 픽셀에 대해 일정하게 남아 있다.
디스플레이 소자의 제6 예시 실시예가 도 6에 개략적으로 도시되어 있다. 이러한 제6 예시 실시예는 도 1과 연계하여 설명된 제1 예시 실시예에 실질적으로 대응한다. 후자에서와 달리, 제1 반도체 층(21)은 각각의 경우에 스위치(51)에 제1 연결 층(31)을 거쳐 전기적으로 각각의 픽셀에 대해 연결되고, 제2 반도체 층(22)은 각각의 경우에 추가의 스위치(55)에 제2 연결 층(32)을 거쳐 전기적으로 각각의 픽셀에 대해 연결된다. 2개의 스위치가 그에 따라 각각의 픽셀과 관련된다. 디스플레이 소자(1)는 그에 따라 픽셀을 위한 공통 접촉부를 갖지 않는다. 픽셀은 서로 완전히 독립적으로 접촉될 수 있다.
디스플레이 소자의 제7 예시 실시예가 도 7에 개략적으로 도시되어 있다. 이러한 제7 예시 실시예는 도 4와 연계하여 설명된 제4 예시 실시예에 실질적으로 대응한다.
후자에서와 달리, 제1 연결 층(31)은 픽셀(2a, 2b)의 제1 반도체 층(21)을 위한 공통 전기 접점을 형성한다. 픽셀의 제2 반도체 층(22)은 각각의 경우에 스위치(51) 중 하나에 제2 연결 층에 의해 도전성 연결된다.
제1 연결 층(31)이 제1 반도체 층과 도전성 연결되는 리세스(25)는 개별 픽셀(2a, 2b)의 각각의 원주부를 따라 연장된다. 리세스 내에 배열된 제1 연결 층은 디스플레이 소자(1)가 평면도에서 관찰될 때에 인접한 픽셀들 사이에서 연장된다. 제1 반도체 층(21) 내로의 전하 캐리어 주입이 그에 따라 개별 픽셀의 전체의 원주부에 걸쳐 진행될 수 있다. 활성 영역(20)으로부터 그리고 제2 반도체 층(22)으로부터 제1 연결 층(31)을 전기적으로 절연하기 위해, 절연 층(41)은 소정 위치에서 세그먼트의 측면 표면(201)을 덮는다.
디스플레이 소자가 평면도에서 관찰될 때에, 제1 반도체 층(21)과 전기 접촉되는 리세스(25) 그리고 픽셀(2a, 2b) 사이에 배열된 트렌치(26)가 중첩된다. 트렌치로부터 측방으로 이격되는 전기 접촉을 위한 리세스가 그에 따라 요구되지 않는다.
나아가, 제1 연결 층(31)은 격자의 방식으로 픽셀(2a, 2b) 사이에서 연장된다. 인접한 픽셀들 사이의 바람직하지 못한 광학적 혼선이 그에 따라 방지되거나 적어도 감소된다. 제1 연결 층은 편리하게는 동작 중일 때에 발생되는 복사선에 불투과성 특히 반사성인 적어도 1개의 금속 층을 포함한다.
제1 연결 층(31)은 단지 픽셀(2a, 2b)의 측면 표면(201)에서 제1 반도체 층(21)에 인접한다. 복사선 배출 표면(29)에는 제1 연결 층(31)이 없다. 복사선 배출 표면의 셰이딩(shading)이 그에 따라 방지된다. 그와 대조적으로, 제1 연결 층은 복사선 배출 표면까지 수직으로 연장될 수 있고, 부분적으로 이것을 덮을 수 있다. 예컨대, 제1 연결 층은 각각의 경우에 픽셀의 복사선 배출 표면 상에 프레임의 방식으로 형성될 수 있다. 더욱이 제1 연결 층이 전체의 복사선 배출 표면 위에 그리고 리세스(25) 내에 배열되고 제1 연결 층의 위에서-설명된 복사선-불투과성 하위-층에 인접하는 복사선-투과성 하위-층을 포함하는 것이 또한 가능하다. 제1 반도체 층(21)의 큰-영역의 전기 접촉이 그에 따라 단순화된다.
이러한 예시 실시예에서, 제1 연결 층(31) 및 제2 연결 층(32)은 디스플레이 소자(1)가 평면도에서 관찰될 때에 중첩 없이 연장된다. 이들 층 사이의 전기 절연이 그에 따라 단순화된 방식으로 성취될 수 있다. 그러나, 이들 층이 서로로부터 전기 절연되면, 중첩 배열이 고려 가능하다. 픽셀(2a, 2b)의 측면 표면(201)은 돌출부(251)를 각각 갖는다. 돌출부의 영역 내에서, 측면 표면(201)은 복사선 배출 표면(29)에 평행하게 연장된다. 돌출부의 영역 내에서, 픽셀의 단면적은 급격하게 증가된다. 픽셀의 단면적은 그에 따라 캐리어로부터 멀어지게 대면하는 돌출부의 측면 상에서보다 캐리어(5)를 향해 대면하는 돌출부의 측면 상에서 적어도 소정 위치에서 작다. 제1 연결 층(31)은 돌출부의 영역 내에서 제1 반도체 층에 인접한다. 이것은 제1 반도체 층(21)의 전기 접촉의 신뢰성을 상승시킨다. 돌출부(251)는 리세스(25)의 기부 표면에 의해 형성된다. 돌출부를 보유한 구성과 달리, 픽셀(2a, 2b)의 측면 표면(201)은 또한 복사선 배출 표면(29)에 경사지게 또는 직각으로 연속적으로 연장될 수 있다. 리세스(25)는 그에 따라 리세스가 픽셀들 사이에 트렌치를 동시에 형성하도록 반도체 층 순서부를 통해 완전히 수직으로 연장될 수 있다.
도 4와 연계하여 설명된 것과 같이 실시된 디스플레이 소자의 제조의 예시 실시예가 도 8a 내지 8d와 연계하여 설명될 것이다.
제조 중에, 복수개의 디스플레이 소자(1)가 웨이퍼 조립체 내에서 서로에 이웃하게 제조될 수 있고, 그 다음에 개별 디스플레이 소자로 단수화될 수 있다. 간략화를 위해, 도면에서, 각각의 경우에, 디스플레이 소자의 단지 일부가 도시되어 있다.
도 8a에 도시된 것과 같이, 복사선을 발생시키도록 제공되고 제1 반도체 층(21)과 제2 반도체 층(22) 사이에 배열되는 활성 영역(20)을 보유한 반도체 층 순서부(2)가 중간 캐리어(28) 상에 제공된다. 중간 캐리어는 특히 반도체 층 순서부를 위한 성장 기판일 수 있다. 반도체 층 순서부(2)의 재료에 따라, 성장 기판으로서 적절한 재료의 예가 사파이어, 실리콘 또는 갈륨 비화물이다.
그와 대조적으로, 중간 캐리어는 또한 성장 기판과 상이한 보조 캐리어일 수 있다. 이러한 경우에, 반도체 층 순서부(2)를 위한 성장 기판은 이미 제거되었다.
중간 캐리어(28)로부터 멀리 떨어진 주요 표면(27)으로부터 출발하여, 제2 반도체 층(22) 및 활성 영역(20)을 통해 제1 반도체 층(21) 내로 연장되는 복수개의 리세스(25)가 형성된다. 후속적으로, 도 8b에 도시된 것과 같이, 사전-제조된 반도체 층 순서부(2) 상에, 제1 반도체 층 또는 제2 반도체 층의 전기 접촉을 위해 각각 제공되는 제1 연결 층(31) 및 제2 연결 층(32)이 주요 표면 상에 형성된다. 이러한 경우에, 우선, 제2 연결 층(32)이 형성된다. 그 다음에, 소정 위치에서 제2 연결 층(32) 그리고 리세스(25)의 측면 표면을 덮는 제1 절연 층(41)이 가해진다. 그 다음에, 제1 연결 층(31)이 제2 연결 층(32)으로부터 완전히 전기 절연되고 리세스(25)의 영역 내에서 제1 반도체 층(21)에 인접하도록 가해진다.
복수개의 스위치(51)가 제공되는 캐리어(5)가 또한 제공된다. 캐리어(5)의 주요 표면(50) 상의 접촉 영역(54)이 스위치(51)의 각각과 관련된다.
도시된 예시 실시예에서, 제1 연결 층(31)은 각각 관련된 스위치(51)와 전기 접촉을 제공하도록 기능하는 랜드(35)를 형성한다. 그러나, 대조적으로, 제2 연결 층(32)은 또한 도 1과 연계하여 설명된 것과 같은 랜드(35)를 형성할 수 있다.
반도체 층 순서부(2) 및 캐리어(5)는 랜드(35) 및 접촉 영역(54)이 평면도에서 중첩되는 방식으로 서로에 대해 위치된다. 반도체 층 순서부(2)와 캐리어(5) 사이의 연결의 생성 시에, 도전성, 기계 안정성 그리고 더욱이 열 전도성 연결이 그에 따라 랜드(35)와 접촉 영역(54) 사이에 생성된다.
연결이 반도체 층 순서부와 캐리어(5) 사이에 생성되면, 도 8c에 도시된 것과 같이 중간 캐리어(28) 예컨대 성장 기판이 제거되는 것이 가능하다. 중간 캐리어의 특히 성장 기판의 제거가 예컨대 연삭에 의해 기계적으로, 예컨대 식각에 의해 화학적으로 또는 레이저 리프트-오프(LLO: laser lift-off) 방법을 사용하여 진행될 수 있다.
픽셀이 도 8d에 도시된 것과 같이 그 다음에 트렌치(26)에 의해 서로로부터 분리될 수 있다. 그와 대조적으로, 트렌치(26)는 또한 반도체 층 순서부가 캐리어(5)에 고정되기 전에 주요 표면(27)으로부터 형성될 수 있다. 도 1과 연계하여 설명된 것과 같은 디스플레이 소자를 제조하기 위해, 트렌치의 형성을 생략하는 것이 또한 가능하다.
그 다음에, 반도체 층 순서부(2) 특히 활성 영역(20)의 측면 표면이 제2 절연 층(42)에 의해 덮인다. 제2 절연 층(42)이 충분히 높은 광학 투과성을 나타내면, 이러한 층은 또한 설명된 예시 실시예에서와 달리 복사선 배출 표면(29)을 덮을 수 있다. 제2 절연 층의 패턴형 적용이 이러한 경우에 요구되지 않는다. 마무리하기 위해, 디스플레이 소자는 예컨대 기계적으로 예컨대 소잉에 의해, 화학적으로 예컨대 습식 화학 또는 건식 화학 식각에 의해 또는 레이저 분리 방법을 사용하여 웨이퍼 조립체로부터 단수화될 수 있다.
설명된 방법을 사용하여, 디스플레이 소자가 동작 중일 때에 픽셀(2a, 2b)이 개별적으로 구동될 수 있는 디스플레이 소자가 간단하게 그리고 신뢰 가능하게 제조될 수 있다. 픽셀의 개수는 이러한 디스플레이 소자로써 증가될 수 있고, 이 때에 그에 의해 개별 픽셀의 동작 시간을 감소시키지 않는다. 반도체 층 순서부의 양호한 미세-구조로 인해, 특히 작은 픽셀 그리고 픽셀들 사이의 작은 간격을 성취하는 것이 가능하다. 더욱이, 관련된 스위치(51)와 개별 픽셀(2a, 2b)의 연결이 웨이퍼 조립체 내에서 여전히 일어날 수 있다. 복수개의 디스플레이 소자를 위한 반도체 층 순서부 그리고 복수개의 디스플레이 소자를 위한 캐리어가 함께 연결되고 그 다음에 단수화되는 제조에 대한 대체예로서, 복수개의 픽셀(2a, 2b)을 각각 포함하는 복수개의 반도체 칩으로 이미 단수화된 반도체 층 순서부가 1개 이상의 디스플레이 소자를 위한 캐리어 상으로 전달되고 그와 도전성 연결되는 것이 또한 가능하다.
디스플레이 소자는 추가로 스위치가 캐리어 내로 이미 합체되어 반도체 층 순서부를 기계적으로 안정화시키는 특히 소형 설계에 의해 차별화된다.
이러한 특허 출원은 그 개시 내용이 참조로 여기에 포함되어 있는 독일 특허 출원 제10 2011 056 888.3호로부터의 우선권을 주장한다.
본 발명은 예시 실시예를 참조하여 제공된 설명에 의해 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명은 신규한 특징 또는 특징들의 조합 특히 특허청구범위 내의 특징들의 조합이 그 자체로 특허청구범위 또는 예시 실시예 내에서 명시적으로 지시되지 않더라도 이러한 특징 및 이러한 조합을 망라한다.

Claims (17)

  1. 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 영역(20)을 포함하고 복수개의 픽셀(2a, 2b)을 형성하는 반도체 층 순서부(2)와 캐리어(5)를 갖는, 디스플레이 소자(1)이며,
    - 활성 영역(20)은 제1 반도체 층(21)과 제2 반도체 층(22) 사이에 배열되고;
    - 반도체 층 순서부(2)는 반도체 층 순서부(2)의 캐리어(5)와 대면하는 주요 표면(27)으로부터 활성 영역(20)을 통해 제1 반도체 층(21) 내로 연장되고 제1 반도체 층(21)의 전기 접촉을 위해 제공되는 적어도 1개의 리세스(25)를 포함하고;
    - 캐리어(5)는 적어도 1개의 픽셀(2a, 2b)을 제어하도록 각각 제공되는 복수개의 스위치(51)를 포함하는, 디스플레이 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 층 순서부를 위한 성장 기판(28)이 제거되고, 상기 캐리어는 반도체 층 순서부를 기계적으로 안정화시키는, 디스플레이 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 1개의 리세스 내에서 제1 반도체 층과 도전성으로 연결되는 제1 연결 층(31)과, 제2 반도체 층과 소정 위치에서 도전성으로 연결되는 제2 연결 층(32)이 상기 반도체 층 순서부와 상기 캐리어 사이에 배열되는, 디스플레이 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 연결 층 및 상기 제2 연결 층은 평면도에 있어서 디스플레이 소자 상에서 중첩되는, 디스플레이 소자.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1 연결 층이 픽셀의 제1 반도체 층을 위한 공통 전기 접점을 형성하고, 픽셀의 제2 반도체 층이 각각의 경우에 스위치들 중 하나와 제2 연결 층에 의해 도전성으로 연결되거나, 그 반대인, 디스플레이 소자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 영역은 복수개의 픽셀을 횡단하여 인접하게 연장되는, 디스플레이 소자.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 영역은 픽셀을 각각 형성하는 복수개의 세그먼트(20a, 20b)로 세분되고, 상기 세그먼트는 공통 반도체 층 순서부로부터 기인하는, 디스플레이 소자.
  8. 제7항에 있어서, 하나의 픽셀의 제1 반도체 층은 인접한 픽셀의 제2 반도체 층과 도전성으로 연결되는, 디스플레이 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스위치는 하나의 측면 상에서 픽셀의 제1 반도체 층과 그리고 다른 측면 상에서 제2 반도체 층과 도전성으로 연결되는, 디스플레이 소자.
  10. 제7항에 있어서, 적어도 1개의 상기 리세스는 적어도 소정 위치에서 세그먼트의 원주부를 따라 연장되는, 디스플레이 소자.
  11. 제10항에 있어서, 적어도 1개의 세그먼트의 측면 표면(201)이 디스플레이 소자의 복사선 배출 표면(29)에 평행하게 또는 실질적으로 평행하게 연장되는 돌출부(251)를 포함하고, 이러한 돌출부 내에서 제1 반도체 층이 전기 접촉되는, 디스플레이 소자.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 복사선 변환 요소(6)가 캐리어로부터 떨어진 반도체 층 순서부의 측면 상에 배열되는, 디스플레이 소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 복사선 변환 요소는 복수개의 픽셀을 횡단하여 인접하게 연장되는, 디스플레이 소자.
  14. 제12항에 있어서, 상기 복사선 변환 요소는 복수개의 세그먼트(6a, 6b)를 포함하고, 이들의 각각과 적어도 1개의 픽셀이 관련되는, 디스플레이 소자.
  15. 복수개의 픽셀(2a, 2b)을 보유한 디스플레이 소자(1)를 제조하는 방법이며,
    a) 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 영역(20)을 포함하는 반도체 층 순서부(2)를 제공하는 단계와;
    b) 각각의 픽셀(2a, 2b)에 대해 반도체 층 순서부(2) 상에 랜드(35)를 형성하는 단계와;
    c) 복수개의 스위치(51)를 보유한 캐리어(5)를 제공하는 단계와;
    d) 랜드(35)가 각각의 스위치(51)와 관련되도록 캐리어(5)에 대해 반도체 층 순서부(2)를 위치시키는 단계와;
    e) 랜드(35)와 스위치(51) 사이의 도전성 연결을 생성하는 단계와;
    f) 반도체 층 순서부(2)를 위한 성장 기판(28)을 제거하는 단계를 포함하는, 디스플레이 소자의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 단계 f)는 상기 단계 e) 후에 수행되는, 디스플레이 소자의 제조 방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 디스플레이 소자가 제조되는, 디스플레이 소자의 제조 방법.
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