KR20140077962A - β-Ga₂O₃계 기판의 제조 방법 및 결정 적층 구조체의 제조 방법 - Google Patents

β-Ga₂O₃계 기판의 제조 방법 및 결정 적층 구조체의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서의 도너 농도의 변화가 억제된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법 및 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서 품질의 편차가 작은 고품질의 결정막을 에피택셜 성장시킬 수 있는 결정 적층 구조체의 제조 방법을 제공한다. IV족 원소를 포함하는 β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라내는 공정을 포함하고, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 어닐 처리가, 상기 β-Ga2O3계 기판을 잘라내기 전의 상기 β-Ga2O3계 결정, 또는 잘라내어진 상기 β-Ga2O3계 기판에 실시되는, β-Ga2O3계 기판의 제조 방법을 제공한다.

Description

β-Ga₂O₃계 기판의 제조 방법 및 결정 적층 구조체의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING β-GA₂O₃SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING CRYSTAL LAMINATE STRUCTURE}
본 발명은 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법 및 결정 적층 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, Si 등의 도펀트를 도입함으로써β-Ga2O3계 기판의 전기 저항률을 제어하는 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2005-235961호 공보
그러나, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법에 의한 에피택셜 결정 성장 등의, 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에 도펀트를 포함하는 β-Ga2O3계 기판을 노출시키면, 기판 자체가 환원되어서 도너 농도가 증가할 우려가 있다.
또한, 도너 농도가 증가함으로써, 주로 근적외보다도 장파장측의 영역에서의 광 흡수 특성에 변화가 발생하여, MOCVD 등의 주로 복사를 이용해서 가열을 행하는 방법에 의해 결정을 에피택셜 성장시킬 때, β-Ga2O3계 기판의 온도가 에피택셜 성장 중에 변화한다. 에피택셜 결정 성장에 있어서, 기판의 온도는 결정 품질을 좌우하는 매우 중요한 파라미터이기 때문에, 기판의 광 흡수 특성의 변화에 수반하는 온도 특성의 변화가 발생한 경우, 성장시키는 결정 품질에 편차가 발생할 우려가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서의 도너 농도의 변화가 억제된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법 및 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서 품질의 편차가 작은 고품질의 결정막을 에피택셜 성장시킬 수 있는 결정 적층 구조체의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태는, 상기 목적을 달성하기 위해서, [1] 내지 [4]의 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법 및 [5] 내지 [8]의 결정 적층 구조체의 제조 방법을 제공한다.
[1] IV족 원소를 포함하는 β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라내는 공정을 포함하고, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 어닐 처리가, 상기 β-Ga2O3계 기판을 잘라내기 전의 상기 β-Ga2O3계 결정, 또는 잘라내어진 상기 β-Ga2O3계 기판에 실시되는, β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
[2] 상기 환원 분위기는 H2 분위기인, 상기 [1]에 기재된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
[3] 상기 불활성 가스 분위기는, N2 분위기, Ar 분위기, Ne 분위기 및 He 분위기 중 적어도 하나를 포함하는 분위기인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
[4] 상기 IV족 원소는 Si인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
[5] IV족 원소를 포함하는 β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라내는 공정과, 제1 환원 분위기 및 제1 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 제1 분위기 하에서 상기 β-Ga2O3계 기판 상에 결정막을 에피택셜 성장시키는 공정을 포함하고, 제2 환원 분위기 및 제2 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 제2 분위기 하에서의 어닐 처리가, 상기 β-Ga2O3계 기판을 잘라내기 전의 상기 β-Ga2O3계 결정, 또는 상기 결정막을 에피택셜 성장시키기 전의 상기 β-Ga2O3계 기판에 실시되는, 결정 적층 구조체의 제조 방법.
[6] 상기 제1 및 제2 환원 분위기는 H2 분위기인, 상기 [5]에 기재된 결정 적층 구조체의 제조 방법.
[7] 상기 제1 및 제2 불활성 가스 분위기는, N2 분위기, Ar 분위기, Ne 분위기 및 He 분위기 중 적어도 하나를 포함하는 분위기인, 상기 [5] 또는 [6]에 기재된 결정 적층 구조체의 제조 방법.
[8] 상기 IV족 원소는 Si인, 상기 [5] 또는 [6]에 기재된 결정 적층 구조체의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서의 도너 농도의 변화가 억제된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법 및 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서 품질의 편차가 작은 고품질의 결정막을 에피택셜 성장시킬 수 있는 결정 적층 구조체의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 어닐 처리 전후의 β-Ga2O3계 결정 중의 Si 농도와 도너 농도의 관계를 나타내는 그래프.
도 2는 β-Ga2O3계 기판의 도너 농도와 광 흡수 특성의 관계를 나타내는 그래프.
도 3은 결정 적층 구조체의 일례의 수직 단면도.
도 4는 어닐 처리를 실시하는 경우 및 실시하지 않는 경우의, 에피택셜 결정 성장 전후의 β-Ga2O3계 기판의 도너 농도의 변화를 나타내는 그래프.
도 5a는 어닐 처리가 실시된 β-Ga2O3계 기판의 에피택셜 결정 성장 후의 상태를 나타내는 사진.
도 5b는 어닐 처리가 실시되어 않지 않은 β-Ga2O3계 기판의 에피택셜 결정 성장 후의 상태를 나타내는 사진.
도 6은 β-Ga2O3계 기판의 도너 농도와 저항률의 관계를 나타내는 그래프.
(실시 형태)
본 실시 형태의 요점 중 하나는, β-Ga2O3계 기판 상의 에피택셜 결정 성장 등의, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 공정을 행하기 전에, β-Ga2O3계 기판의 도너 농도를 미리 증가시켜 둠으로써, 상기 공정에서의 도너 농도의 증가에 기인하는 문제를 해소하는 데에 있다. 이하, 실시 형태의 구체적인 일례에 대해서 설명한다.
(β-Ga2O3계 기판의 제조)
이하에, β-Ga2O3계 기판의 제조에 대해서 설명한다. 산화갈륨이 투명성 및 도전성을 갖는 점에서, β-Ga2O3계 기판은, 전극 구조가 수직형의 발광 소자의 기판으로서 유용하며, 최근에 주목받고 있다.
우선, EFG(Edge-defined film-fed growth)법이나 FZ(Floating Zone)법 등의 결정 성장법에 의해, Si를 도펀트로서 포함하는 β-Ga2O3계 결정을 형성한다. β-Ga2O3계 결정 중의 Si 농도는, β-Ga2O3계 기판의 원하는 전기 저항률에 따라서 제어한다.
EFG법에 의해 β-Ga2O3계 결정을 성장시키는 경우에는, 예를 들어 Ga2O3 분말과 도펀트로서의 Si의 재료인 SiO2 분말을 녹인 융액을 종결정을 사용하여 끌어 올림으로써 결정 성장시키고, 평판 형상의 β-Ga2O3계 결정을 얻는다. FZ법을 사용하는 경우에는, 예를 들어 연직으로 유지한 Ga2O3 분말과 도펀트로서의 Si의 재료인 SiO2 분말을 포함하는 시료 막대의 일부를 가열해서 용융부를 만들고, 그 용융부를 표면 장력에 의해 지지하면서 상방 혹은 하방으로 이동시킴으로써 결정 성장시켜서, 원기둥 형상의 β-Ga2O3계 결정을 얻는다.
β-Ga2O3계 결정은 β-Ga2O3 단결정 또는 Al, In 등의 원소가 첨가된 β-Ga2O3 단결정이며, 도펀트로서 Si를 포함한다.
이 단계에서는, 육성한 β-Ga2O3계 결정 중의 Si 농도보다도 도너 농도가 낮은 경우가 많고, 또한 Si 농도에 대한 도너 농도는 육성한 결정에 의해 편차가 있다. 따라서, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 어닐 처리를 육성한 β-Ga2O3계 결정에 실시하고, 육성한 β-Ga2O3계 결정 중의 도너 농도를 육성한 β-Ga2O3계 결정 중의 Si 농도에 근접시켜서, Si 농도에 대한 도너 농도의 편차를 감소시킨다.
이 어닐 처리에 사용하는 환원 분위기는, 예를 들어 H2 분위기이다. 또한, 불활성 가스 분위기는, 예를 들어 N2 분위기, Ar 분위기, Ne 분위기, He 분위기, 또는 이들 중 2개 이상을 포함하는 혼합 분위기이다. 어닐 처리의 온도는, 예를 들어 800℃ 이상이고, 산화갈륨의 융점인 1725℃ 이하이다.
도 1은, 상기 어닐 처리 전후의 β-Ga2O3계 결정 중의 Si 농도와 도너 농도의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 1의 종축은 도너 농도(/㎤)를 나타내고, 횡축은 Si 농도(atoms/㎤)를 나타낸다. 도 1 중의 마크 △ 및 ●는 각각 어닐 처리 전의 측정값, 어닐 처리 후의 측정값을 나타낸다.
도 1에 나타내는 측정값은, Si 농도가 상이한 복수의 β-Ga2O3계 결정을 준비하고, 각각의 결정에 대하여, 어닐 처리 전후에 도너 농도를 측정함으로써 얻어진 것이다. 이 어닐 처리는, N2가 100％를 차지하는 분위기 하에서, 19분간 1000℃까지 승온하고, 1시간 1000℃로 유지하고, 19분간 실온까지 강온함으로써 실시되었다. 또한, 도너 농도는 C-V 측정 장치를 사용하여 측정하고, Si 농도는 SIMS 분석에 의해 측정하였다.
도 1에 나타내어져 있는 바와 같이, 어닐 처리 전은, β-Ga2O3계 결정 중의 Si 농도와 도너 농도의 차가 큰 경우가 있으며, Si 농도에 대한 도너 농도의 편차가 크다. 한편, 어닐 처리 후는, 모든 β-Ga2O3계 결정에 있어서 도너 농도가 Si 농도에 가까워져, Si 농도에 대한 도너 농도의 편차가 감소한다.
그 후, 평판 형상이나 원기둥 형상의 β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라낸다. 또한, 상기 어닐 처리는, β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라낸 후에, β-Ga2O3계 기판에 대하여 실시되어도 좋다. 또한, 상기 어닐 처리는, 연마 공정을 거친 β-Ga2O3계 기판에 대하여 실시되어도 좋다.
β-Ga2O3계 결정 중의 도너 농도와 근적외보다도 장파장측의 영역에서의 광 흡수 특성에는 상관이 있기 때문에, β-Ga2O3계 결정마다 도너 농도의 편차가 큰 경우, 광 흡수 특성의 편차도 커진다. 이로 인해, 예를 들어 β-Ga2O3계 결정으로부터 잘라낸 β-Ga2O3계 기판 상에 결정막을 에피택셜 성장시키는 경우, 결정 성장 시의 기판 온도가 기판마다 상이하여, 에피택셜 결정막의 품질에 편차가 발생할 우려가 있다.
도 2는, β-Ga2O3계 기판의 도너 농도와 광 흡수 특성의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 2의 종축은 β-Ga2O3계 기판의 파장 750nm에서의 광 흡수 계수를 나타내고, 횡축은 도너 농도(/㎤)를 나타낸다.
도 2에 나타내어져 있는 바와 같이, β-Ga2O3계 기판의 도너 농도와 파장 750nm에서의 광 흡수 계수는 거의 비례하고, 도너 농도의 증가에 수반하여 광 흡수 계수가 증가한다.
(결정 적층 구조체의 제조)
β-Ga2O3계 기판을 형성한 후, β-Ga2O3계 기판 상에 결정막을 에피택셜 성장시켜서, β-Ga2O3계 기판 및 에피택셜 결정막을 포함하는 결정 적층 구조체를 형성한다.
예를 들어, MOCVD법에 의해, β-Ga2O3계 기판 상에 GaN계 결정막을 에피택셜 성장시킨다. MOCVD법으로는 수소 분위기, 암모니아 분위기, 또는 수소와 암모니아의 혼합 분위기 등의 환원 분위기 하에서 결정이 성장한다. 본 실시 형태에서는, 상기 어닐 처리에 의해 β-Ga2O3계 기판 중의 도너 농도를 미리 증가시키고 있기 때문에, 결정 성장 중의 기판 온도의 변화는 거의 없고, 품질에 편차가 작은 고품질의 에피택셜 결정막을 형성할 수 있다.
도 3은, 본 실시 형태에 따른 결정 적층 구조체의 일례의 수직 단면도이다. 결정 적층 구조체(1)는, β-Ga2O3계 결정막(2)과, β-Ga2O3계 결정막(2) 상의 에피택셜 결정막(3)을 갖는다.
도 4는, 어닐 처리를 실시하는 경우 및 실시하지 않는 경우의, 에피택셜 결정 성장의 분위기에 노출시키기 전후의 β-Ga2O3계 기판의 도너 농도의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 4의 종축은 도너 농도(/㎤)를 나타내고, 횡축의 좌측은 분위기에 노출시키기 전, 횡축의 우측은 분위기에 노출시킨 후를 나타낸다. 도 4 중의 마크 ●는, 본 실시 형태의 어닐 처리가 실시된 β-Ga2O3계 기판의 측정값, 마크 △, ◇, □는, 어닐 처리가 실시되어 있지 않은 β-Ga2O3계 기판의 측정값이다.
도 4에 나타내는 측정값은, 어닐 처리가 실시된 β-Ga2O3계 결정으로부터 얻어진 1매의 β-Ga2O3계 기판과, 어닐 처리가 실시되어 있지 않은 β-Ga2O3계 결정으로부터 얻어진 3매의 β-Ga2O3계 기판을 준비하고, 각각의 기판에 대하여, 에피택셜 결정 성장의 분위기에 노출시키기 전후에 도너 농도를 측정함으로써 얻어진 것이다. 이 4매의 β-Ga2O3계 기판의 Si 농도는, 모두 약 7.5×1018/㎤이다. 1매의 β-Ga2O3계 결정에 대한 어닐 처리는, N2 분위기 하에서, 9시간으로 1450℃까지 승온하고, 6시간 1450℃로 유지하고, 12시간으로 실온까지 강온함으로써 실시되었다.
도 4에 나타내어져 있는 바와 같이, 어닐 처리가 실시된 β-Ga2O3계 기판에서는, 에피택셜 결정 성장의 분위기에 노출시키기 전후에서 도너 농도가 거의 변화하지 않는다. 이는, 어닐 처리에 의해 β-Ga2O3계 기판의 도너 농도가 미리 증가하여, β-Ga2O3계 기판 중의 Si 농도에 가까워지고 있기 때문에다.
한편, 어닐 처리가 실시되어 있지 않은 β-Ga2O3계 기판은, 에피택셜 결정 성장 전의 도너 농도의 편차가 크고, 도너 농도가 낮은 기판에서는, 에피택셜 결정 성장의 분위기에 노출시키기 전후에서 도너 농도가 Si 농도에 가까워지도록 증가한다. 에피택셜 결정 성장의 분위기에 노출시키기 전의 도너 농도의 편차가 크기 때문에, 결정 성장 중의 기판 온도의 변화의 정도도 기판마다 상이하고, 기판마다 에피택셜 성장 결정의 품질에 편차가 발생할 우려가 있다.
도 5a는, 어닐 처리가 실시된 β-Ga2O3계 기판의 에피택셜 결정 성장 후의 상태를 나타내는 사진이며, 도 5b는, 어닐 처리가 실시되어 있지 않은 β-Ga2O3계 기판의 에피택셜 결정 성장 후의 상태를 나타내는 사진이다. 도 5a에 나타내어지는 β-Ga2O3계 기판 상의 에피택셜 결정 성장과, 도 5b에 나타내어지는 β-Ga2O3계 기판 상의 에피택셜 결정 성장은, 동일한 조건 하에서 실시되었다.
도 5b에 나타내어져 있는 바와 같이, 어닐 처리가 실시되어 있지 않은 β-Ga2O3계 기판에서, 결정막의 박리(기판의 좌측 영역)가 발생하고 있다. 이는, 에피택셜 결정 성장 시에 기판의 온도가 변화하여, 품질이 좋은 결정이 얻어지지 않았음에 의한 것으로 생각된다. 한편, 도 5a에 나타내어져 있는 바와 같이, 어닐 처리가 실시된 β-Ga2O3계 기판 상의 에피택셜 성장막에는 박리가 발생하지 않아, 품질이 좋은 결정이 얻어지고 있는 것을 알 수 있다.
또한, 에피택셜 결정 성장 이외에도, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 공정을, 본 실시 형태의 어닐 처리가 실시되어 있지 않은 β-Ga2O3계 기판을 사용하여 행하는 경우, β-Ga2O3계 기판의 도너 농도 및 광 흡수 특성의 편차에 기인하는 문제가 발생할 우려가 있다.
(실시 형태의 효과)
본 실시 형태에 의하면, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 어닐 처리에 의해, 도너 농도의 편차, 나아가서는 근적외보다도 장파장측의 영역에서의 광 흡수 특성의 편차가 억제된 β-Ga2O3계 기판을 얻을 수 있다.
또한, 이러한 β-Ga2O3계 기판은, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 도너 농도의 변화가 작고, β-Ga2O3계 기판 상에 결정막을 에피택셜 성장시키는 경우, 품질에 편차가 작은 에피택셜 결정막을 형성하여, 고품질의 결정 적층 구조체를 얻을 수 있다.
또한, 에피택셜 결정 성장 이외에도, 환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 공정을, 본 실시 형태의 β-Ga2O3계 기판을 사용하여 행하는 경우, β-Ga2O3계 기판의 도너 농도 및 광 흡수 특성의 편차에 기인하는 문제를 억제할 수 있다. 또한, 예를 들어 본 실시 형태의 β-Ga2O3계 기판 또는 결정 적층 구조체를 포함하는 디바이스를 형성하는 경우, 전기적 특성이나 광학적 특성의 편차가 작은 고성능의 디바이스를 얻을 수 있다.
또한, 도너 농도를 변화시킴으로써, β-Ga2O3계 기판의 전기 저항을 제어할 수 있다. β-Ga2O3계 기판을 전류 경로의 일부로서 사용할 수 있기 때문에, β-Ga2O3계 기판을 전극 구조가 수직형인 발광 소자의 기판으로서 사용할 수 있다. 도 6은, 본 실시 형태의 β-Ga2O3계 기판의 도너 농도와 전기 저항률의 관계를 나타내는 그래프이다. 여기서, 전기 저항률은, β-Ga2O3계 기판의 표면 및 이면에 각각 전극을 접속해서 측정되는 두께 방향의 전기 저항률이다. 도 6에 나타내어져 있는 바와 같이, 도너 농도가 증가하면 저항률이 저하된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, β-Ga2O3계 결정의 도펀트로서 Si를 사용했지만, Si, Hf, Ge, Sn, Ti 또는 Zr 등의 다른 IV족 원소를 사용해도 좋다. 또한, 2종 이상의 IV족 원소를 사용해도 좋다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 설명하였지만, 상기에 기재한 실시 형태는 특허 청구 범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시 형태 중에서 설명한 특징의 조합 모두가 발명의 과제를 해결하기 위한 수단에 필수적이라고는 할 수 없는 점에 유의해야 한다.
<산업상 이용가능성>
환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서의 도너 농도의 변화가 억제된 β-Ga2O3계 기판의 제조 방법 및 환원 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서 품질의 편차가 작은 고품질의 결정막을 에피택셜 성장시킬 수 있는 결정 적층 구조체의 제조 방법을 제공한다.
1… 결정 적층 구조체
2… Ga2O3계 기판
3… 에피택셜 결정막

Claims (8)

  1. IV족 원소를 포함하는 β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라내는 공정을 포함하고,
    환원 분위기 및 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 분위기 하에서의 어닐 처리가, 상기 β-Ga2O3계 기판을 잘라내기 전의 상기 β-Ga2O3계 결정, 또는 잘라내어진 상기 β-Ga2O3계 기판에 실시되는, β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 환원 분위기는 H2 분위기인, β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스 분위기는, N2 분위기, Ar 분위기, Ne 분위기 및 He 분위기 중 적어도 하나를 포함하는 분위기인, β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 IV족 원소는 Si인, β-Ga2O3계 기판의 제조 방법.
  5. IV족 원소를 포함하는 β-Ga2O3계 결정으로부터 β-Ga2O3계 기판을 잘라내는 공정과,
    제1 환원 분위기 및 제1 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 제1 분위기 하에서 상기 β-Ga2O3계 기판 상에 결정막을 에피택셜 성장시키는 공정을 포함하고,
    제2 환원 분위기 및 제2 불활성 가스 분위기 중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 제2 분위기 하에서의 어닐 처리가, 상기 β-Ga2O3계 기판을 잘라내기 전의 상기 β-Ga2O3계 결정, 또는 상기 결정막을 에피택셜 성장시키기 전의 상기 β-Ga2O3계 기판에 실시되는, 결정 적층 구조체의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 환원 분위기는 H2 분위기인, 결정 적층 구조체의 제조 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 불활성 가스 분위기는, N2 분위기, Ar 분위기, Ne 분위기 및 He 분위기 중 적어도 하나를 포함하는 분위기인, 결정 적층 구조체의 제조 방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 IV족 원소는 Si인, 결정 적층 구조체의 제조 방법.
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