KR20140024952A - 기판제조장치 - Google Patents

Abstract

하지기판이 도포스테이지에 지지된다. 노즐유닛이, 도포스테이지에 지지된 하지기판에 대향하여, 복수의 노즐구멍으로부터 하지기판을 향하여 박막재료의 액체방울을 토출한다. 리저버탱크에 박막재료가 축적된다. 공급계가, 리저버탱크로부터 노즐유닛으로 박막재료를 공급한다. 제1 열원이 리저버탱크를 가열한다. 제1 온도센서가 리저버탱크의 온도를 측정한다. 제2 열원이 공급계의 적어도 1개소를 가열한다. 제2 온도센서가 공급계의 적어도 1개소의 온도를 측정한다. 온도제어장치가, 제1 온도센서 및 제2 온도센서의 측정결과에 근거하여, 리저버탱크 내의 박막재료의 온도와, 공급계를 흐르는 박막재료의 온도가, 온도의 목표범위 내에 들어가도록, 제1 열원 및 제2 열원을 제어한다.

Description

기판제조장치{Substrate Production Device}

본 발명은, 가열된 박막재료를 노즐구멍으로부터 하지기판을 향하여 토출하여 박막을 형성하는 기판제조장치에 관한 것이다.

노즐헤드로부터 박막재료의 액체방울을 토출하여, 대상물인 하지기판의 표면에, 소정의 패턴을 가지는 박막을 형성하는 기술이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 박막을 형성해야 하는 대상물은, 예를 들면 프린트기판이며, 박막재료는 솔더레지스트이다. 대상물을 노즐헤드에 대하여 이동시키기 위하여, XY스테이지 등의 가동 스테이지에 대상물이 지지된다.

액상의 박막재료는, 순환장치로부터 공급계 배관을 통하여 노즐헤드로 공급되고, 여분의 박막재료가, 회수계의 배관을 통하여 순환장치로 회수된다. 박막재료의 양호한 순환을 유지하기 위해, 박막재료를 가열하여, 점도를 저하시키는 것이 바람직하다.

선행기술문헌

(특허문헌)

특허문헌 1: 일본 특허공개공보 2004-104104

노즐구멍으로부터 토출되는 박막재료의 액체방울의 체적을 일정하게 유지하기 위하여, 노즐헤드 내에 있어서 박막재료의 온도를 목표온도와 동일하게 하는 것이 바람직하다. 노즐헤드까지 박막재료를 수송하는 배관 내에서의 온도의 저하를 고려하면, 순환계의 상류측에서는, 노즐헤드 내의 목표온도보다 높은 온도까지 박막재료를 가열해 두어야 한다. 그러나, 박막재료의 온도를 너무 높게 하면, 박막재료가 변질되는(구체적으로는 경화되는) 경우가 있다.

본 발명의 목적은, 박막재료 온도의 과도한 상승을 억제하고, 또한 노즐구멍의 위치에서 목표온도에 근접시킬 수 있는 기판제조장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 관점에 의하면,

박막을 형성해야 하는 하지기판을 지지하는 도포스테이지와,

상기 도포스테이지에 지지된 하지기판에 대향하여, 복수의 노즐구멍으로부터 상기 하지기판을 향하여 박막재료의 액체방울을 토출하는 노즐유닛과,

박막재료를 축적하는 리저버탱크와,

상기 리저버탱크로부터 상기 노즐유닛에 상기 박막재료를 공급하는 공급계와,

상기 리저버탱크를 가열하는 제1 열원과,

상기 리저버탱크의 온도를 측정하는 제1 온도센서와,

상기 공급계의 적어도 1개소를 가열하는 제2 열원과,

상기 공급계의 적어도 1개소의 온도를 측정하는 제2 온도센서와,

상기 제1 온도센서 및 상기 제2 온도센서의 측정 결과에 근거하여, 상기 리저버탱크 내의 박막재료의 온도와, 상기 공급계를 흐르는 박막재료의 온도가, 온도의 목표범위 내에 들어가도록 상기 제1 열원 및 상기 제2 열원을 제어하는 온도제어장치를 가지는 기판제조장치가 제공된다.

박막재료의 온도가, 온도의 목표범위 내에 들어가도록 제어되기 때문에, 노즐구멍의 위치에 있어서 박막재료의 온도를 목표온도에 근접시킴과 함께, 박막재료의 공급경로의 상류에 있어서 박막재료의 과도한 온도상승을 억제할 수 있다.

도 1은, 실시예 1에 의한 박막형성장치의 개략도이다.
도 2는, 실시예 1에 의한 박막형성장치의 지지판의 평면도이다.
도 3은, 실시예 1에 의한 박막형성장치의 지지판의 저면도이다.
도 4는, 실시예 1에 의한 박막형성장치의 격리판 및 그 내부에 탑재된 부품의 단면도이다.
도 5는, 실시예 1에 의한 박막형성장치의 순환기의 개략도이다.
도 6은, 실시예 1에 의한 박막형성장치의 공급용 배관의 단면도이다.
도 7은, 실시예 1의 변형예에 의한 박막형성장치의 공급용 배관의 나선형상 부분의 측면도이다.
도 8은, 실시예 2에 의한 박막형성장치의 개략도이다.
도 9는, 실시예 3에 의한 박막형성장치의 개략도이다.
도 10은, 실시예 4에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 11은, 실시예 5에 의한 기판제조장치의 측면도이다.
도 12에 있어서, 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는, 각각 박막재료 토출장치 중 1개의 노즐헤드의 저면도 및 단면도이다.
도 13은, 박막재료 토출장치 및 하지기판의 측면도이다.
도 14에 있어서, 도 14의 (a)는, 형성해야 하는 박막패턴의 래스터포맷의 화상데이터를 2차원적으로 나타내는 도이며, 도 14의 (b)는, 노즐헤드 및 하지기판의 측면도이다.
도 15에 있어서, 도 15의 (a)는, 프린트배선판에 형성한 박막패턴을 래스터포맷의 화상데이터로서 2차원적으로 나타내는 도이며, 도 15의 (b)는, x축방향으로 신장한 노즐헤드 및 프린트배선판의 측면도이다.
도 16은, 실시예 5에 의한 기판제조장치의 제어계의 블록도이다.
도 17에 있어서, 도 17의 (a)는, 노즐헤드의 열팽창을 가미하여, 하지기판에 형성한 박막패턴을 래스터포맷의 화상데이터로서 나타내는 도이며, 도 17의 (b)는, 노즐헤드 및 하지기판의 측면도이다.
도 18은, 하지기판에 박막패턴을 형성할 때의 하지기판과 노즐헤드의 평면도이다.
도 19는, 실시예 7에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 20에 있어서, 도 20의 (a)는, 얼라이먼트스테이션에 구비된 얼라이먼트장치의 개략도이고, 도 20의 (b)는, 얼라이먼트스테이션으로 반송되어, 척플레이트에 흡착지지된 기판을 나타내는 평면도이며, 도 20의 (c)는, θ보정 후의 척플레이트에 흡착지지된 기판을 나타내는 평면도이다.
도 21에 있어서, 도 21의 (a)는, 도포스테이션에 구비된 액체방울토출장치의 개략도이며, 도 21의 (b)는, 액체방울토출장치의 노즐유닛 근방의 측면도이다.
도 22에 있어서, 도 22의 (a)는, 노즐유닛의 사시도이며, 도 22의 (b)는, 노즐유닛의 저면도이며, 도 22의 (c)는, 노즐유닛의 개략적인 평면도이다.
도 23은, 실시예 8에 의한 기판제조장치의 개략도이다.
도 24에 있어서, 도 24의 (a)는, 박막패턴의 설계치에 근거하는 비트맵을 나타내는 도이며, 도 24의 (b)는, 보정 후의 비트맵을 나타내는 도이다.

［실시예 1］

도 1에, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 기대(10)에 X방향 이동기구(11)가 지지되어 있다. Y방향 이동기구(12)가, X방향 이동기구(11)에 지지되어 있다. X방향 이동기구(11)는, Y방향 이동기구(12)를, 수평면에 대하여 평행인 xy면내의 x방향으로 이동시킨다. 도포스테이지(13)가 Y방향 이동기구(12)에 지지되어 있다. Y방향 이동기구(12)는 도포스테이지(13)를 y방향으로 이동시킨다. 도포스테이지(13)는, 그 상면(지지면)에, 대상물(하지기판)(15)을 지지하여, 흡착한다. 대상물(15)은, 예를 들면 솔더레지스트가 형성되어 있지 않은 프린트기판이다.

도포스테이지(13)의 상방에, 박막재료 토출장치(20)가 배치되어 있다. 박막재료 토출장치(20)는, 복수의 노즐헤드(21)를 포함한다. 노즐헤드(21)는, 도포스테이지(13)에 지지된 대상물(15)에 대향한다. 대상물(15)에 대향하는 면에 복수의 노즐구멍이 형성되어 있다. 노즐헤드(21)의 노즐구멍으로부터 대상물(15)을 향하여, 박막재료의 액체방울이 토출된다. 액체방울의 토출은, 예를 들면 압전소자에 의하여 행해진다. 대상물(15)을 x방향 또는 y방향으로 이동시키면서, 소정의 노즐구멍으로부터 소정의 타이밍으로 액체방울을 토출함으로써, 대상물(15)의 표면에 박막패턴을 형성할 수 있다.

복수의 노즐헤드(21)는, 지지판(24)에 지지되어 있다. 노즐헤드(21)의 각각에, 압전소자를 구동하기 위한 드라이버회로기판(22)이 장착되어 있다. 지지판(24)에, 복수의 매니폴드(23)가 탑재되어 있다. 예를 들면, 4개의 노즐헤드(21)에 대하여 1개의 매니폴드(23)가 배치된다.

지지판(24)에, 순환장치(40)가 탑재되어 있다. 순환장치(40)로부터 각 매니폴드(23)에, 공급용 배관(30)을 통하여 액상의 박막재료가 공급된다. 각 매니폴드(23)으로부터 순환장치(40)에, 회수용 배관(31)을 통하여 액상의 박막재료가 회수된다. 순환장치(40)는, 회수용 배관(31)을 통하여 회수된 박막재료를, 공급용 배관(30)으로 송출한다. 매니폴드(23)의 각각은, 공급된 박막재료를, 복수의 노즐헤드(21)에 분배한다.

순환장치(40) 내에 히터(열원)(43)가 배치되어 있다. 히터(43)는, 순환하는 박막재료를 가열한다. 공급용 배관(30) 및 회수용 배관(31)의 각각의 주위에도 복수의 히터(열원)(70)가 배치되어 있다. 히터(43)에 온도계(온도센서)(32)가 장착되어 있으며, 복수의 히터(70)의 각각에, 온도계(온도센서)(33)가 장착되어 있다. 온도계(32, 33)의 출력이 온도제어장치(35)에 입력된다. 온도제어장치(35)는, 온도계(32 및 33)의 출력에 근거하여, 히터(43 및 70)를 제어한다.

도 1에서는, 1개의 공급용 배관(30)에 대해서만 히터(70) 및 온도센서(33)를 표시하고 있지만, 실제로는, 모든 공급용 배관(30) 및 모든 회수용 배관(31)에 히터(70) 및 온도센서(33)가 배치되어 있다. 또, 히터(70)는, 순환장치(40)에 접속된 단부로부터 매니폴드(23)에 접속된 단부까지의 전체길이에 걸쳐 배치되어 있다. 이 히터(70)가, 온도제어장치(35)에 의하여 제어됨으로써, 순환하는 박막재료의 온도를 목표온도로 유지할 수 있다. 다만, 박막재료가 공급용 배관(30)을 흐를 때의 온도의 저하량이 적은 경우에는, 공급용 배관(30)의 주위에는 히터(70)를 배치하지 않아도 된다. 또, 회수용 배관(31)을 흐르는 박막재료의 점도가 충분히 낮게 유지되는 경우에는, 회수용 배관(31)의 주위에 히터(70)를 배치하지 않아도 된다.

순환장치(40)에 설치된 히터(43)로, 박막재료를 목표온도보다 약간 낮은 온도까지 가열하고, 공급용 배관(30)의 주위에 배치한 히터(70)로 박막재료를 목표온도까지 가열하도록 해도 된다. 이 경우, 박막재료는, 노즐헤드(21)에 도달한 시점에서, 목표온도까지 가열되어 있다. 보다 일반적으로는, 순환장치(40), 공급용 배관(30), 매니폴드(23), 노즐헤드(21), 및 회수용 배관(31)으로 구성되는 순환계 내에 있어서, 박막재료의 온도가 온도의 목표범위 내로 유지되고, 노즐헤드(21) 내에 있어서 박막재료가 목표온도에 도달하도록, 히터(43, 70)를 제어하면 된다.

지지판(24) 위에 배치된 매니폴드(23), 드라이버회로기판(22), 공급용 배관(30), 회수용 배관(31), 순환장치(40), 온도제어장치(35)를, 피복판(25)이 덮는다. 지지판(24)과 피복판(25)은, 매니폴드(23), 드라이버회로기판(22), 공급용 배관(30), 회수용 배관(31), 순환장치(40), 및 온도제어장치(35)가 배치된 공간을, 도포스테이지(13)가 배치된 공간으로부터 격리한다. 본 명세서에 있어서, 지지판(24) 및 피복판(25)을 "격리판(또는, 격리부재)(26)"이라고 한다. 피복판(25)의 내면에, 단열재(27)가 부착되어 있다. 한편, 피복판(25) 자체를 단열 기능이 높은 재료로 형성해도 된다.

격리판(26)의 외측에, 외부장착탱크(48)가 배치되어 있다. 외부장착탱크(48) 내에, 액상의 박막재료가 수용되어 있다. 순환장치(40) 등으로 이루어지는 순환계 내의 박막재료가 소량이 되면, 외부장착탱크(48)로부터 순환계 내로 박막재료가 보충된다.

제1 배기장치(50)가 격리판(26) 내의 공간을 배기한다. 격리판(26)에 외기도입구(51)가 형성되어 있다. 외기도입구(51)로부터 격리판(26)의 내부공간으로 유입된 기체가, 제1 배기장치(50)에 의하여 배기된다.

X방향 이동기구(11), Y방향 이동기구(12), 도포스테이지(13), 및 박막재료 토출장치(20)는, 엔클로저(16) 내에 격납되어 있다. 엔클로저(16)에, 외기도입구(56)가 형성되어 있다. 외기도입구(56)에는, 예를 들면 HEPA 필터가 장착되어 있다. 제2 배기장치(55)가, 엔클로저(16)의 내부공간을 배기한다. 제2 배기장치(55)에 의한 배기구는, 도포스테이지(13)의 측방에 배치되어 있다. 이로 인하여, 엔클로저(16) 내에, 횡방향의 기류가 발생한다.

순환장치(40) 내의 히터(43), 및 공급용 배관(30)과 회수용 배관(31)을 가열하기 위한 히터(70)로부터의 발열에 의하여, 격리판(26) 내의 공간의 온도가 상승한다. 온도가 상승하는 공간과, 도포스테이지(13)가 배치된 공간이, 격리판(26)에 의하여 상호 격리되어 있다. 이로 인하여, 격리판(26) 내의 가열된 기체가, 대류에 의하여 X방향 이동기구(11), Y방향 이동기구(12), 및 도포스테이지(13)까지 수송되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, X방향 이동기구(11), Y방향 이동기구(12), 및 도포스테이지(13)의 온도상승을 억제할 수 있다. 단열재(27)를 배치하지 않는 구성이어도, 대류에 의한 열전달을 억제할 수 있다. 또, 제2 배기장치(55)에 의하여 엔클로저(16) 내에 횡방향의 기류가 발생한다. 이로 인하여, 격리판(26)의 외측의 표면에 접하는 비교적 고온의 기체를, 도포스테이지(13)에 도달하기 전에 효율적으로 배기할 수 있다.

다만, 상방으로부터 하방을 향하는 기류를 발생시키는 구성이더라도, 격리판(26)을 배치하면, 격리판(26) 내의 고온의 기체가 도포스테이지(13)에 도달하지 않게 된다. 이로 인하여, 격리판(26)을 배치하지 않는 구성에 비해, 도포스테이지(13)의 온도상승을 억제할 수 있다.

또, 격리판(26) 내가 제1 배기장치(50)로 배기되기 때문에, 단열재(27)의 유무와 상관없이, 격리판(26) 내의 과도한 온도상승을 방지할 수 있다. 이와 같이, 격리판(26)이, 그 내부에 기체를 가두는 기능을 가진다. 이에 대하여, 단열재(27)는, 격리판(26) 내의 공간으로부터 도포스테이지(13)가 배치된 공간으로의 열전도를 억제한다.

상술과 같이, 실시예 1에 의한 박막형성장치에 있어서는, X방향 이동기구(11), Y방향 이동기구(12), 및 도포스테이지(13)의 온도상승을 억제할 수 있다. 이로써, 도포스테이지(13)의 높은 위치 정밀도를 유지하는 것이 가능해진다.

도 2에, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 지지판(24), 노즐헤드(21), 및 매니폴드(23)의 평면도를 나타낸다.

노즐헤드(21)가, 2행 8열의 행렬형상으로 배치되어 있다. x방향으로 8개의 노즐헤드(21)가 나열되고, y방향으로 2개의 노즐헤드(21)가 나열되어 있다. 본 명세서에 있어서, 복수의 노즐헤드(21)를 통틀어 "노즐유닛"이라고 하는 경우가 있다. 2행 2열분(합계 4개)의 노즐헤드(21)에 대하여 1개의 매니폴드(23)가 배치되어 있다. 공급용 배관(30)으로부터 매니폴드(23)의 공급용 유입구(23A)로 액상의 박막재료가 공급되고, 매니폴드(23)의 회수용 유출구(23B)로부터 회수용 배관(31)을 통하여 박막재료가 순환장치(40)(도 1)로 회수된다.

노즐헤드(21)의 각각에, 유입구(28) 및 유출구(29)가 형성되어 있다. 매니폴드(23)의 공급용 유입구(23A)에 유입된 박막재료는, 매니폴드(23) 내에서 분기하여, 4개의 공급용 유출구(23C)로부터 유출된다. 4개의 공급용 유출구(23C)로부터 유출된 박막재료는, 각각 노즐헤드(21)의 유입구(28)로 수송된다. 노즐헤드(21)로 공급된 박막재료의 일부는, 노즐구멍으로부터 액체방울이 되어 토출된다. 나머지 박막재료는, 유출구(29)로부터 매니폴드(23)의 회수용 유입구(23D)로 수송된다.

노즐헤드(21)의 각각에, 드라이버회로기판(22)이 탑재되어 있다. 드라이버회로기판(22)은, 상위 제어장치로부터의 제어를 받아, 노즐구멍의 압전소자를 구동한다.

도 3에, 실시예 1에 의한 기판제조장치의 지지판(24) 및 노즐헤드(21)의 저면도를 나타낸다. 도 2에서 설명한 바와 같이, 노즐헤드(21)가 2행 8열의 행렬형상으로 배치되어 있다. 노즐헤드(21)의 각각은, y방향으로 간격을 두고 배치된 2열의 노즐열을 가진다. 각 노즐열은, x방향으로 나열된 복수의 노즐구멍(60)으로 구성되어 있다. 1개의 노즐열에 있어서는, 노즐구멍이 등피치로 배열되어 있다.

일방의 노즐열의 노즐구멍(60)은, 타방의 노즐열의 노즐구멍에 대하여, x방향으로 1/2피치만큼 어긋나 있다. y방향으로 나열된 2개의 노즐헤드(21)의 일방은 타방에 대하여, x방향으로 1/4피치만큼 어긋나 있다. 대상물(15)(도 1)을 y방향으로 이동시키면서, 노즐구멍(60)으로부터 박막재료의 액체방울을 토출함으로써, x방향에 관하여 노즐구멍의 피치의 1/4에 상당하는 피치의 해상도로, 박막패턴을 형성할 수 있다. 또한, 대상물을 x방향으로 1/8피치만큼 어긋나게 하여 y방향으로 왕복이동시킴으로써, x방향에 관하여 1/8피치에 상당하는 해상도를 실현할 수 있다.

y방향으로 나열되는 2개의 노즐헤드(21)의 사이, 및 외측에, 각각 자외광원(61)이 장착되어 있다. 자외광원(61)은, 대상물(15)(도 1)에 착탄된 박막재료에 자외선을 조사한다. 박막재료에는, 자외선 경화성의 수지가 이용되고 있으며, 자외선이 조사됨으로써 경화된다. 이로써, 대상물(15)의 표면에 박막패턴이 형성된다. 다만, 박막재료로서, 자외역 이외의 파장역의 빛에 의하여 경화되는 광경화성의 수지를 이용해도 된다. 이 경우, 자외광원(61) 대신에, 박막재료를 경화시키는 파장역의 성분을 포함하는 빛을 방사하는 광원이 이용된다.

도 2 및 도 3에서는, 노즐헤드(21)를 2행 8열의 행렬형상으로 배치했지만, 그 외의 배치로 해도 된다. 예를 들면, 4행 4열의 행렬형상으로 배치해도 되고, 1열로 배치해도 된다. 또, 노즐헤드(21)의 탑재수는, 16에 한정되지 않고, 그 외의 개수로 해도 된다.

도 4에, 격리판(26) 및 그 내부에 탑재된 부품의 단면도를 나타낸다. 노즐헤드(21) 및 매니폴드(23)가, 지지판(24)의 내측의 표면에 장착되어 있다. 피복판(25)이, 노즐헤드(21) 및 매니폴드(23)를 덮는다. 피복판(25)의 내면에 단열재(27)가 부착되어 있다. 지지판(24)과 피복판(25)으로 구성된 격리판(26)에 의하여, 외부로부터 격리된 공간이 형성된다. 노즐헤드(21)의, 노즐구멍이 형성된 표면은, 지지판(24)에 형성된 개구를 통하여 격리판(26)의 외측에 노출되어 있다. 지지판(24)에 형성된 개구는, 노즐헤드(21)에 의하여 막혀 있다.

순환장치(40)(도 1)로부터 공급용 배관(30)을 통하여 매니폴드(23)의 공급용 유입구(23A)에 박막재료가 공급된다. 매니폴드(23)에 제공된 박막재료는, 매니폴드(23)의 공급용 유출구(23C)로부터 공급수송로(65)를 통하여 노즐헤드(21)의 유입구(28)까지 수송된다. 노즐구멍으로부터 토출되지 않았던 박막재료는, 노즐헤드(21)의 유출구(29)로부터, 회수수송로(66)를 통하여, 매니폴드(23)의 회수용 유입구(23D)까지 수송된다. 매니폴드(23)의 회수용 유입구(23D)에 유입된 박막재료는, 회수용 유출구(23B)로부터 회수용 배관(31)을 통하여 순환장치(40)(도 1)로 회수된다.

매니폴드(23) 내에 일시적으로 저장된 박막재료를 히터(열원)(68)가 가열한다. 온도센서(34)가, 매니폴드(23)의 온도를 계측한다. 온도센서(34)의 검출결과가 온도제어장치(35)에 입력된다. 공급수송로(65) 및 회수수송로(66)에도 히터(열원)(67)가 감겨 있다. 히터(67, 68)는, 온도제어장치(35)에 의하여 제어된다. 공급수송로(65) 및 회수수송로(66)는, 순환장치(40)와 매니폴드(23)를 연결하는 공급용 배관(30) 및 회수용 배관(31)에 비해 짧다. 이로 인하여, 공급수송로(65) 및 회수수송로(66)를 흐를 때의 박막재료의 온도저하는 작다. 이 온도저하가 박막재료의 토출에 악영향을 미치지 않는 정도인 경우에는, 히터(67)를 생략해도 된다. 박막재료의 온도저하를 억제하기 위하여, 공급수송로(65) 및 회수수송로(66)를, 단열 배관으로 구성해도 된다. 이 경우, 공급수송로(65) 및 회수수송로(66)를 흐르는 박막재료는, 외기로부터 단열된다.

도 5에, 순환장치(40)의 개략도를 나타낸다. 회수용 배관(31)을 통하여 회수된 박막재료가, 일단, 리저버탱크(42)에 저장된다. 리저버탱크(42) 내의 박막재료는, 히터(43)에 의하여 가열되어 있다. 히터(43)는, 온도제어장치(35)에 의하여 제어된다. 순환펌프(41)가, 리저버탱크(42) 내의 박막재료를, 공급용 배관(30)으로 송출한다. 도 5에서는, 1개의 순환펌프(41)에 4개의 공급용 배관(30)을 접속한 예를 나타냈지만, 순환펌프(41)의 순환 능력이 충분하지 않은 경우에는, 1개의 순환펌프(41)에 2개의 공급용 배관(30)을 접속해도 된다. 이 경우에는, 2개의 순환펌프(41)를 준비하면 된다. 또한 공급용 배관(30)마다 1개의 순환펌프(41)를 접속해도 된다.

격리판(26)의 외측에, 외부장착탱크(48)가 배치되어 있다. 순환계 내의 박막재료의 양이 감소하면, 외부장착탱크(48)로부터 리저버탱크(42)에 박막재료가 보충된다.

도 6에, 공급용 배관(30)의 단면도를 나타낸다. 회수용 배관(31)도, 공급용 배관(30)과 동일한 단면구조를 가진다. 금속제 또는 수지제의 배관(69)에 히터(70)가 감겨 있다. 또한, 히터(70)를 단열재(71)가 감싸고 있다. 온도계(33)가, 배관(69)의 온도를 측정한다. 온도계(33)에는, 예를 들면 열전대가 이용된다. 히터(70)를 단열재(71)로 피복함으로써, 효율적으로 배관(69)을 가열할 수 있다.

실시예 1에 있어서는, 순환장치(40)(도 1)가, 박막재료를, 그 토출온도보다 약간 높은 온도까지 가열한다. 여기에서, "토출온도"란, 박막재료가 노즐구멍으로부터 토출될 때의 박막재료의 온도를 의미한다.

박막재료의 온도를 너무 높게 하면, 토출 전에 경화되어 버리는 경우나, 변질되어 버리는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 순환장치(40)로 박막재료를 토출온도 이상으로 가열하는 것은 바람직하지 않다. 실시예 1에 있어서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 히터(43)가 리저버탱크(42)를 가열한다. 또한, 공급용 배관(30)(도 1), 매니폴드(23)(도 4) 등의 공급계가, 히터(70)(도 1), 히터 (68)(도 4) 등에 의하여 가열된다. 온도제어장치(35)(도 1, 도 5)는, 리저버탱크(42)로부터 노즐헤드(21)에 이를 때까지의 경로 내에 있어서, 박막재료의 온도가 목표범위 내에 들어가도록, 히터(68, 70)를 제어한다. 이 온도의 목표범위는, 목표온도를 포함하도록 설정된다. 이로 인하여, 노즐헤드(21) 내에 있어서의 박막재료의 온도(토출온도)를, 목표온도로 유지하기 위하여, 박막재료를 과도하게 가열할 필요가 없다. 이로써, 노즐헤드(21)로의 박막재료의 안정적인 공급, 및 노즐구멍으로부터의 안정적인 토출이 가능해진다.

도 7에, 실시예 1의 변형예에 의한 기판제조장치에 이용되는 공급용 배관(30)의 측면도를 나타낸다. 이 변형예에서는, 박막재료가, 공급용 배관(30) 내를 흐르는 동안에 서서히 가열되어, 목표온도에 도달한다. 이 변형예에서 이용되는 공급용 배관(30)은, 도 7에 나타내는 바와 같이 나선형상으로 감긴 부분을 포함한다. 나선형상의 부분에도, 히터(70)가 배치되어 있다. 공급용 배관(30)을 나선형상으로 함으로써, 박막재료를 효율적으로 가열할 수 있다.

예를 들면, 순환장치(40)가, 박막재료를, 목표온도보다 10℃ 정도 낮은 온도까지 가열한다. 박막재료가 공급용 배관(30), 매니폴드(23) 등을 흐를 때에, 박막재료의 온도가 10℃ 정도 상승한다. 이로써, 노즐헤드(21)에 도달한 시점에서, 박막재료의 온도가 목표온도에 도달한다. 이 변형예에서는, 박막재료가 목표온도보다 낮은 온도로 유지된다. 이로 인하여, 내열성이 낮은 박막재료를 사용하는 것도 가능하다.

［실시예 2］

도 8에, 실시예 2에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 도 1에 나타낸 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

실시예 1에서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 노즐헤드(21) 및 순환장치(40)가, 동일한 지지판(24)에 지지되어 있었다. 실시예 2에서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 노즐헤드(21)가 지지판(24)에 지지되고, 순환장치(40) 및 외부장착탱크(48)가, 다른 지지판(75)에 지지되어 있다. 지지판(75)은 기대(10)에 고정되어 있다. 노즐헤드(21)를 지지하는 지지판(24)은, 기대(10)에 대하여, 예를 들면 높이방향으로 이동 가능하다.

피복판(25)은, 지지판(24)에 탑재된 노즐헤드(21) 등의 부품을 덮는다. 다른 피복판(76)이, 지지판(75)에 탑재된 순환장치(40) 및 외부장착탱크(48)를 덮는다. 피복판(76)의 내면에 단열재(77)가 부착되어 있다. 피복판(76)과 지지판(75)에 의하여, 도포스테이지(13)가 배치된 공간으로부터 격리된 공간이 형성된다. 이 격리된 공간 내에, 순환장치(40)와 외부장착탱크(48)가 수용되어 있다. 본 명세서에 있어서, 피복판(76) 및 지지판(75)을 "격리판(또는, 격리부재)"(80)이라고 한다.

공급용 배관(30) 및 회수용 배관(31)은, 피복판(25, 76)에 형성된 개구부를 통하여 순환장치(40)와 매니폴드(23)를 접속한다. 공급용 배관(30) 및 회수용 배관(31)은, 유연성을 가지는 재료로 형성되어 있기 때문에, 지지판(24)의 높이방향의 이동에 지장은 없다.

일방의 피복판(25)의 개구부와 타방의 피복판(76)의 개구부와의 사이에, 벨로우즈(78)가 설치되어 있다. 벨로우즈(78)는, 일방의 피복판(25)과 타방의 피복판(76)의 상대적인 위치관계의 변동을 허용한다. 또한, 벨로우즈(78)는, 격리판(26, 80) 내의 고온의 가스가, 개구부를 통하여, 도포스테이지(13)가 배치된 공간으로 누출되는 것을 억제한다.

제1 배기장치(50)는, 일방의 격리판(26) 내의 공간뿐 아니라, 타방의 격리판(80) 내의 공간도 배기한다. 피복판(76)에 외기도입구(81)가 형성되어 있다. 상대적으로 고온의 기체가 제1 배기장치(50)에 의하여 배기되고, 상대적으로 저온의 기체가 외기도입구(81)로부터 격리판(80) 내로 유입된다. 이로 인하여, 격리판(80) 내의 기체의 과도한 온도상승을 방지할 수 있다.

실시예 2에서는, 외부장착탱크(48)가 격리판(80)으로 격리된 공간 내에 수용되어 있다. 이로 인하여, 외부장착탱크(48) 내에도 박막재료를 가열하기 위한 히터(열원)(82)를 배치해도 된다.

［실시예 3］

도 9에, 실시예 3에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 도 8에 나타낸 실시예 2와의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

실시예 3에서는, 도 8에 나타낸 실시예 2의 피복판(25, 76)이 배치되어 있지 않다. 그 대신에, 순환장치(40), 외부장착탱크(48), 공급용 배관(30), 회수용 배관(31), 및 매니폴드(23)가, 단열재(90)로 싸여 있다. 공급용 배관(30) 및 회수용 배관(31)을 가열하기 위한 히터(70)도, 단열재(90)로 싸여 있다.

박막재료가 순환하는 순환계가, 단열재(90)로 싸여 있기 때문에, 박막재료를 목표온도까지 가열하기 위한 총발열량을 억제할 수 있다. 이로 인하여, 도포스테이지(13)가 배치된 공간의 온도상승을 억제할 수 있다.

상기 실시예 1~실시예 3에서는, 노즐헤드(21)로부터 여분의 박막재료를 순환장치(40)로 회수하는 구성을 채용했지만, 반드시 회수할 필요는 없다. 순환장치(40) 대신에, 박막재료를 공급용 배관(30)으로 송출하는 공급장치를 이용하여, 회수용 배관(31)을 생략해도 된다. 이 경우에는, 노즐헤드(21)로 공급된 박막재료 전부가 노즐구멍으로부터 토출된다.

［실시예 4］

도 10에, 실시예 4에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 이하, 도 1에 나타낸 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 실시예 1에서는, 4개의 매니폴드(23)에 대하여 1개의 순환장치(40)가 준비되어 있었다. 실시예 4에 있어서는, 매니폴드(23)마다, 순환장치(40)가 준비되어 있다.

순환장치(40)의 각각은, 리저버탱크(42) 및 순환펌프(41)를 포함한다. 실시예 1에서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 공급용 배관(30)으로 이루어지는 공급경로에 순환펌프(41)가 삽입되어 있으며, 회수경로에는 펌프가 삽입되어 있지 않았다. 실시예 4에 있어서는, 순환펌프(41)가, 공급용 배관(30)에 삽입된 토출펌프(41A)와, 회수용 배관(31)에 삽입된 흡인펌프(41B)를 포함한다. 리저버탱크(42)의 각각에, 히터(43) 및 온도센서(32)가 장착되어 있다. 공급용 배관(30), 매니폴드(23), 회수용 배관(31)에도, 실시예 1과 마찬가지로, 히터 및 온도센서가 장착되어 있다.

토출펌프(41A)의 토출압력, 및 흡인펌프(41B)의 흡인압력을 조정함으로써, 노즐헤드(21) 내에 체류하고 있는 박막재료에 가해지는 압력을 제어할 수 있다. 이로써, 노즐구멍으로부터, 박막재료의 액체방울을 안정적으로 토출시킬 수 있다.

［실시예 5］

도 11에, 실시예 5에 의한 기판제조장치의 측면도를 나타낸다. 이하, 실시예 1과의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.

실시예 5에 의한 기판제조장치는, 기대(정반)(10), 프레임(101), 도포스테이지(13), 이동기구(17), 박막재료 토출장치(20), CCD카메라(촬상장치)(100), 및 토출제어장치(110)를 포함한다. 프레임(101)은, 정반(10)에 고정되어, 박막재료 토출장치(20) 및 CCD카메라(100)를, 도포스테이지(13)의 상방에 지지한다. 토출제어장치(110)는, 기판제조장치의 동작을 제어한다.

도포스테이지(13)는, 예를 들면, X방향 이동기구(11), Y방향 이동기구(12), 회전방향 이동기구(14)를 포함하는 이동기구(17)를 통하여, 정반(10)에 지지되어 있다. 회전방향 이동기구(14)는, 지지된 하지기판(15)을, z축에 평행인 축을 회전중심으로 하여 회전방향으로 변위시킨다. 도포스테이지(13)는, 하지기판(15)을 진공흡착함으로써 고정한다. 도포스테이지(13)에 의한 하지기판(15)의 흡착, X방향 이동기구(11), Y방향 이동기구(12), 및 회전방향 이동기구(14)는, 토출제어장치(110)에 의하여 제어된다. 다만, 도포스테이지(13)를 x방향, y방향, 및 회전방향으로 이동시킬 수 있는 단일 기구로, 이동기구(17)를 구성해도 된다.

프레임(101)은, 2개의 지주(101b), 및 빔(101c)을 포함한다. 지주(101b)는, 정반(10)의 y축방향의 대략 중앙에 고정된다. 빔(101c)은, x방향을 따르도록, 지주(10b)에 지지된다.

박막재료 토출장치(20) 및 CCD카메라(100)는, 프레임(101)의 빔(101c)에 장착된다. 박막재료 토출장치(20)는, 박막재료의 액체방울을, 도포스테이지(13)에 지지된 하지기판(15)을 향하여 토출한다. 박막재료 토출장치(20)로부터의 박막재료의 토출은, 토출제어장치(110)에 의하여 제어된다. CCD카메라(100)는, 도포스테이지(13)에 지지된 하지기판(15)의 표면을 촬상한다. 이동기구(17)에 의하여 하지기판(15)을 이동시킴으로써, 하지기판(15)의 표면의 임의의 위치를 촬상할 수 있다. 취득된 화상데이터는, 토출제어장치(110)로 송신된다. 토출제어장치(110)는, 취득된 화상데이터에 근거하여, 하지기판(50)에 박막재료를 부착시켜야 하는 위치의 계측이나, 부착된 박막재료의 검사를 행할 수 있다. CCD카메라(100)에 의한 촬상, 및 그 촬상된 화상데이터의 송신은, 토출제어장치(110)에 의하여 제어된다.

토출제어장치(110)는, 기억장치(110a)를 포함하고, 기억장치(110a)에, 하지기판(15) 상에 형성해야 하는 박막패턴의 화상데이터가 기억되어 있다. 이 화상데이터는, 박막패턴의 설계상의 평면형상을 정의하는 패턴정의데이터, 및 박막재료를 노즐헤드로부터 토출시킬 때에 참조되는 토출제어용 화상데이터를 포함한다. 일반적으로, 패턴정의데이터는, 거버포맷의 데이터이며, 토출제어용 화상데이터는, 래스터포맷의 데이터이다. 토출제어장치(110)는, CCD카메라(100)에 의하여 촬상된 화상데이터 및 기억장치(110a)에 기억되어 있는 화상데이터에 근거하여, 이동기구(17)에 의한 도포스테이지(13)의 이동, 및 박막재료 토출장치(20)로부터의 박막재료의 토출을 제어한다. 이로써, 하지기판(15)에, 원하는 형상의 박막패턴이 형성된다.

하지기판(15)은, x축 및 y축방향으로 이동되어, 박막재료 토출장치(20)의 하방을 통과할 때에, 하지기판(15)의 표면에 박막재료가 부착된다.

다만, 도 11에서는, 도포스테이지(13)를 이동기구(17)로 이동시켰지만, 프레임(101)에 이동기구를 장착하여, 박막재료 토출장치(20)를 이동시키는 구성을 채용해도 된다.

도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에, 각각 박막재료 토출장치(20) 중 1개의 노즐헤드(21)의 저면도 및 단면도를 나타낸다. 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 노즐헤드(21)의 저면에, 복수의 노즐구멍(21N)이 형성되어 있다. 복수의 노즐구멍(21N)에 의하여, 2열의 노즐열(21a, 21b)이 구성된다. 노즐열(21a, 21b) 중 일방의 노즐열에 주목하면, 노즐구멍(21N)은, 상온시, 예를 들면 25℃ 환경하에서, x축방향으로 피치 Pnoz로 배치된다. 일방의 노즐열(21a)을 구성하는 노즐구멍(21N)은, 타방의 노즐열(21b)을 구성하는 노즐구멍(21N)에 대하여, x축방향으로 Pnoz/2만큼 어긋나 있다. 즉, 노즐헤드(21)는, 상온시, 노즐구멍(21N)이 X축방향을 따라 정격피치(Pnorm)=Pnoz/2로 지그재그형상으로 배열된다.

예를 들면, 노즐열(21a, 21b)의 각각은, 192개의 노즐구멍(21N)으로 구성된다. 즉, 노즐헤드(21)는, 합계 384개의 노즐구멍(21N)을 가진다. 상온시에 있어서의 노즐헤드(21)의 정격피치(Pnorm)는 약 80μm이다. 이 때, 노즐헤드(21)의 x축방향을 따르는 분해능은, 약 300dpi 상당이 된다. 상온시에 있어서, 노즐헤드(21)에 형성되어 있는 일방의 끝의 노즐구멍(21N)으로부터 타방의 끝의 노즐구멍(21N)까지의 길이(정격노즐배열길이)(Lnorm)는 약 31.5mm이며, 일방의 노즐열(21a)의 노즐구멍(21N)과, 타방의 노즐열(21b)의 노즐구멍(21N)의 중심간 거리(Pline)는 약 5mm이다. 노즐구멍(21N)의 개구직경은 약 30μm이다. 노즐헤드(21)의 케이싱에는, 예를 들면, JIS 규격 SUS303의 스테인리스강이 이용된다.

도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 노즐헤드(21)는, 복수의 노즐구멍(21N)에 액상의 박막재료를 공급하는 공통수송로(21F), 및 공통수송로(21F)로 공급하는 박막재료를 저장하는 탱크(112)를 포함한다. 또한, 탱크(112)에는, 저장된 박막재료를 가열하는 히터(114), 및 가열된 박막재료의 온도를 검출하는 온도센서(113)가 설치된다. 예를 들면, 탱크(112)까지 수송된 박막재료의 온도가, 목표온도까지 도달하고 있지 않은 경우, 히터(114)에 의하여 박막재료를 목표온도까지 가열할 수 있다.

오퍼레이터는, 박막재료의 목표온도를 입력장치(111)에 입력함으로써, 박막재료를 가열하는 목표온도를 적절히 설정할 수 있다. 입력장치(111)에 입력된 목표온도까지의 박막재료의 가열, 및 박막재료의 온도의 검출은 토출제어장치(110)에 의하여 제어된다. 노즐구멍(21N)의 각각에 압전소자가 배치되어 있으며, 압전소자로의 전압의 인가에 따라 박막재료가 노즐구멍(21N)으로부터 토출된다. 박막재료의 토출은 토출제어장치(110)에 의하여 제어된다. 도 12의 (a)에서는, 2열의 노즐열(21a, 21b)이 배치된 예를 나타냈지만, 노즐열의 개수는, 1열로 해도 되고, 3열 이상으로 해도 된다. 노즐열의 개수를 증가시킴으로써, 노즐헤드(21)에 형성되는 공통수송로(21F)나 압전소자의 치수, 레이아웃 등의 제약을 받는 일 없이, 용이하게 정격피치(Pnorm)를 좁게 할 수 있다.

도 13에, 박막재료 토출장치(20) 및 하지기판(15)의 측면도를 나타낸다. 도 13에 있어서는, 1개의 노즐헤드(21) 및 그 양측의 자외광원(61)을 나타내고 있다. 토출제어장치(110)(도 11)는, 박막재료 토출장치(20)에 대하여 하지기판(15)을, 예를 들면, y축의 부의 방향으로 이동시킨다. 또한, 토출제어장치(110)는, CCD카메라(100)(도 11)로 촬상된 화상, 및 기억장치(110a)(도 11)에 기억되어 있는 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 특정의 노즐구멍(21N)의 압전소자에 전압펄스를 인가하여, 노즐구멍(21N)으로부터 박막재료를 토출시킨다. 예를 들면, 노즐열(21a, 21b)을 구성하는 각각의 노즐구멍(21N)은, 시각 T1에 개시되는 전압펄스의 인가에 의하여 박막재료를 토출한다. 토출된 박막재료는, 각각 하지기판(15) 상의 y좌표가 y1, y2인 위치에 부착된다.

또한, 시각 T2에 개시되는 전압펄스의 인가에 의하여, 노즐구멍(21N)이 박막재료를 토출한다. 토출된 박막재료는, 각각 하지기판(15) 상의 y좌표가 y2, y3인 위치에 부착된다. 하지기판(15)에 부착된 박막재료는, 박막재료 토출장치(20)에 구비된 광원(61)에 의하여 즉시 경화된다. 하지기판(15)으로의 박막재료의 토출을 반복함으로써, 하지기판(15)의 표면에 원하는 박막패턴을 형성한다. 예를 들면, 하지기판(15)과 박막재료 토출장치(20)와의 거리는 0.5mm~1mm 정도이다. 또, 하지기판(15)의 전송속도는 약 100mm/s 정도이며, 박막재료의 토출주파수는 약 30kHz 정도이다.

도 14의 (a)에, 형성해야 하는 박막패턴의 래스터포맷의 화상데이터를, 2차원적으로 나타낸다. 1개의 픽셀은, 박막재료 토출장치(20)에 형성된 1개의 노즐구멍(21N)으로부터 토출되는 박막재료가 하지기판(15)에 착탄되는 위치에 대응한다. 박막재료를 착탄시켜야 하는 픽셀에 해칭이 부여되어 있다. 박막패턴의 x축방향의 치수(박막패턴의 폭)는, 노즐헤드(21)의 정격노즐배열길이(Lnorm)에 대략 동일한 것으로 한다.

토출제어장치(110)(도 11)는, 기억장치(110a)(도 11)에 기억되어 있는 박막패턴의 형상을 정의하는 패턴정의데이터(예를 들면, 거버포맷의 데이터)로부터, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 토출제어용 화상데이터를 구성하는 픽셀은, 박막재료 토출장치(20)의 이동방향(y축방향)으로 제1 피치로 배열되고, x축방향으로 제2 피치로 배열된다. 제1 피치는, 하지기판(15)의 전송속도, 및 박막재료 토출장치(20)가 박막재료를 토출하는 토출주파수에 근거하여 산출된다. 제2 피치는 노즐헤드(21)의 정격피치(Pnorm)(도 12의 (a))에 근거하여 산출된다. 토출제어장치(110)는, 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 박막재료 토출장치(20)에 대하여 하지기판(15)을 y축방향으로 이동시키면서, 박막재료 토출장치(20)로부터 박막재료를 토출시킨다.

도 14의 (b)에, 노즐헤드(21) 및 하지기판(15)의 측면도를 나타낸다. x축의 부의 측의 단부의 노즐구멍(21N)으로부터 토출되는 박막재료가, 하지기판(15) 표면의, x좌표가 x1인 위치에 부착되고, x축의 정의 측의 단부의 노즐구멍(21N)으로부터 토출되는 박막재료가, 하지기판(15) 표면의, x좌표가 x2인 위치에 부착된다.

본원의 발명자들은, 박막재료로서 광경화형 솔더레지스트를 이용하여, 프린트배선판에 소정의 박막패턴을 형성하는 평가실험을 행했다. 그 결과, 솔더레지스트의 온도가 상온~70℃ 정도인 경우, 솔더레지스트의 점도가 높아, 노즐구멍으로부터 솔더레지스트가 토출되지 않는 것을 알 수 있었다. 또, 솔더레지스트의 온도가 70℃~90℃ 정도인 경우에는, 솔더레지스트의 점도가 저하되어, 노즐구멍으로부터 솔더레지스트가 토출되지만, 솔더레지스트가 노즐구멍에 막혀 버리는 등의 이유에 의하여, 안정적으로 노즐구멍으로부터 솔더레지스트가 토출되지 않는 것을 알 수 있었다. 본원의 발명자들의 검토에 의하면, 솔더레지스트의 온도를 약 90℃ 이상으로 함으로써, 솔더레지스트의 점도가 더욱 저하되어, 안정적으로 노즐구멍으로부터 솔더레지스트가 토출되는 것을 알 수 있었다. 본원의 발명자들은, 솔더레지스트의 온도를 95℃ 정도로 설정하여, 실제로 프린트배선판에 박막패턴을 형성했다.

도 15의 (a)에, 솔더레지스트의 1개의 액체방울이 착탄된 위치를 1개의 픽셀에 대응시킨 비트맵 화상을 나타낸다. 가열된 솔더레지스트를 노즐헤드(21)로 공급하면, 노즐헤드(21)는, 주로 x축방향으로 열팽창한다. 열팽창에 의하여, 노즐헤드(21)의 정격노즐배열길이(Lnorm)는, 실제 노즐배열길이(Leff)로 변동한다. 예를 들면, 95℃로 가열된 솔더레지스트를 노즐헤드(21)로 공급하면, 노즐헤드(21)의 온도는 약 80℃ 정도가 된다. 노즐헤드(21)의 케이싱을 구성하는 스테인리스강의 열팽창계수는 약 17.3×10^-6/℃이다. 상온을 약 25℃로 하면, 노즐헤드(21)의 X축방향에 관한 신장량은, 약 31.5mm(노즐배열길이(L))×17.3×10^-6/℃ (열팽창계수)×(80℃-25℃)(노즐헤드의 가열온도)=약 30μm가 된다. 노즐헤드(21)가 x축방향으로 신장하면, 본래 형성해야 하는 박막패턴과는 상이한 평면형상, 구체적으로는 x축방향으로 신장된 평면형상을 가지는 박막패턴이 형성된다.

도 15의 (b)에, x축방향으로 신장된 노즐헤드(21) 및 프린트배선판(15)의 측면도를 나타낸다. x축의 부의 측의 단부의 노즐구멍(21N)으로부터 토출된 박막재료는, 본래, 프린트배선판(15)의 표면의 x좌표가 x1인 위치에 부착되어야 하지만, 실제로는, x좌표가 x3인 위치에 부착된다. 마찬가지로, x축의 정의 측의 단부의 노즐구멍(21N)으로부터 토출된 박막재료는, 본래, 프린트배선판(50) 표면의 x좌표가 x2인 위치에 부착되어야 하지만, 실제로는, x좌표가 x4인 위치에 부착된다.

노즐헤드(21)의 신장량은, 주로 노즐헤드(21)로 공급하는 솔더레지스트의 온도, 및 노즐헤드(21)의 열팽창계수에 의하여 규정된다. 토출제어장치(110)는, 노즐헤드(21)의 열팽창을 미리 가미하여, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성함으로써, 형성해야 하는 박막패턴에 가까운 패턴을 프린트배선판에 형성할 수 있다.

도 16에, 실시예 5에 의한 기판제조장치의 제어계의 블록도를 나타낸다. 기억장치(110a)에, 하지기판에 형성해야 하는 박막패턴의 평면형상을 정의하는 패턴정의데이터, 및 박막재료(솔더레지스트)의 온도(Tsr)와 노즐헤드(21)의 실제피치(Peff)가 관련지어진 Tsr-Peff 인덱스데이터가 기억되어 있다. 또는, 솔더레지스트의 온도(Tsr)와, 그 솔더레지스트가 노즐헤드(21)로 공급될 때의 노즐헤드(21)의 온도(Th)가 관련지어진 Tsr-Th 인덱스데이터가 기억되어 있다. 솔더레지스트의 온도(Tsr)와 노즐헤드의 실제피치(Peff)와의 관계, 또는 온도(Tsr)와 온도(Th)와의 관계는, 미리 측정 등에 의하여 설정해 두는 것이 가능하다.

토출제어장치(110)는, 입력장치(111)에 입력된 솔더레지스트의 온도(Tsr)를 취득한다. 취득한 온도(Tsr)에 근거하여, 기억장치(110a)에 기억되는 Tsr-Peff 인덱스데이터를 참조하여, 솔더레지스트의 온도(Tsr)에 대응하는 노즐헤드(21)의 실제피치(Peff)를 도출한다. 또는, 기억장치(110a)에 기억되어 있는 Tsr-Th 인덱스데이터를 참조하여, 실제피치(Peff)를 산출한다. 실제피치(Peff)는, 상온을 Tc로 하고, 노즐헤드(21)의 열팽창계수를 K로 한다고 했을 때, Peff=Pnorm×K×(Th-Tc)로 나타난다.

토출제어장치(110)는, 기억장치(110a)에 기억되어 있는 거버포맷의 패턴정의데이터로부터, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 래스터포맷의 화상데이터를 구성하는 픽셀은, 주사방향(y축방향)으로 제1 피치로 배치되고, 주사방향과 직교하는 방향으로 제3 피치로 배치된다. 제1 피치는, 하지기판(15)의 전송속도, 및 박막재료의 토출주파수에 근거하여 산출되고, 제3 피치는, 노즐헤드(21)의 실제피치(Peff)에 근거하여 산출된다.

토출제어장치(110)는, 입력된 솔더레지스트의 온도정보에 근거하여, 히터(114)를 제어하여, 솔더레지스트를 입력된 온도까지 가열한다. 또한, 생성한 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 박막재료 토출장치(20) 및 이동기구(17)(도 11)를 제어함으로써, 하지기판(15)에 박막패턴을 형성한다.

도 17의 (a)에, 노즐헤드(21)의 열팽창을 가미하여 생성된 토출제어용 화상데이터의 비트맵 화상을 나타낸다. 토출제어장치(110)는, 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 하지기판(15)을 주사하면서(y축방향으로 이동시키면서), 노즐헤드(21)로부터 박막재료를 토출시킴으로써, 하지기판(15)의 표면에 박막패턴을 형성한다.

도 17의 (b)에, 노즐헤드(21) 및 하지기판(15)의 측면도를 나타낸다. 노즐헤드(21)의 열팽창을 가미하여 생성한 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 박막재료의 액체방울을 토출시키는 노즐구멍이 결정되기 때문에, 박막재료를 부착시켜야 하는 x좌표(x1, x2)의 위치에 대응하는 노즐구멍(21N)으로부터, 각각 박막재료의 액체방울이 토출된다. 이와 같이, 노즐헤드(21)의 노즐구멍(21N)의 실제피치(Peff)에 근거하여, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성함으로써, 노즐헤드(21)의 열팽창에 기인하는 박막패턴의 평면형상의 변형을 방지할 수 있다.

실시예 5에서는, 스테인리스강(SUS303)으로 형성된 케이싱을 가지는 노즐헤드(21)로부터, 95℃로 가열된 박막재료를 토출시켜 박막패턴을 형성했다. 박막재료의 적정한 온도는, 박막재료를 구성하는 재료나 공급기구의 상태, 환경에 따라 상이하다. 입력장치(111)로부터 원하는 온도를 입력함으로써, 박막재료의 목표온도를 적절히 조정하는 것이 가능하다. 노즐헤드(21)의 실제피치(Peff)는, 노즐헤드(21)로 공급되는 박막재료의 온도와 노즐헤드(21)의 케이싱의 온도와의 관계를 나타내는 데이터, 및 노즐헤드(21)의 케이싱의 열팽창계수에 근거하여 산출하는 것이 가능하다.

도 18에, 하지기판(15)에 박막패턴을 형성할 때의 하지기판(15)과 노즐헤드(21)의 평면도를 나타낸다. 박막재료가 부착되어야 하는 영역에 해칭을 부여하고 있다. 가열된 박막재료의 공급에 따른 노즐헤드(21)의 열팽창에 의하여, 노즐헤드(21)의 x축방향의 해상도가 저하된다. 하지기판(15)에 형성하는 박막패턴의 x축방향의 해상도를 향상시키기 위해서는, 노즐헤드(21)를 x축방향으로 어긋나게 하여 복수 회의 주사를 행하면 된다. 예를 들면, 토출제어장치(110)(도 11)는, 노즐헤드(21)의 주사방향(y축방향)과 직교하는 방향(x축방향)으로 배열하는 픽셀의 피치가, 노즐헤드(21)의 실제피치(Peff)의 1/2이 되도록 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 생성된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 하지기판(15)을 y축방향으로 주사한다. 그 후, 하지기판(15)을 x축방향으로 실제피치(Peff)의 1/2만큼 어긋나게 하여, 동일한 주사를 행한다. 이와 같이, 2회의 주사, 또는 왕복주사를 행함으로써, 하지기판(15)에 형성하는 박막패턴의 x축방향의 해상도를 향상시키는 것이 가능해진다. 다만, x축방향으로 어긋나게 배치된 복수의 노즐헤드(21)를 포함하는 노즐헤드 유닛을 이용해도 된다.

［실시예 6］

다음으로, 실시예 6에 의한 기판제조장치에 대하여 설명한다. 이하, 실시예 5와의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

실시예 5에서는, 도 16에 나타낸 입력장치(111)로부터 오퍼레이터가 박막재료의 온도(Tsr)를 입력했다. 입력된 온도(Tsr)에 근거하여, 토출제어장치(110)가 노즐헤드(21)의 노즐구멍의 실제피치(Peff)를 산출했다. 실시예 6에서는, 박막재료의 온도, 노즐헤드(21)의 케이싱의 열팽창계수 등에 근거하여, 오퍼레이터가 노즐헤드(21)의 노즐구멍의 실제피치(Peff)를 산출한다.

오퍼레이터는, 산출한 노즐구멍의 실제피치(Peff)를, 입력장치(111)(도 16)에 입력한다. 토출제어장치(110)는, 오퍼레이터가 입력한 실제피치(Peff), 및 기억장치(110a)에 기억되어 있는 거버포맷의 패턴정의데이터에 근거하여, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 그 후의 박막패턴형성방법은, 실시예 5의 경우와 동일하다.

실시예 6과 같이, 오퍼레이터가, 노즐구멍의 정격피치와는 상이한 실제피치를 입력함으로써, 실시예 5와 마찬가지로, 노즐헤드(21)의 열팽창에 기인하는 박막패턴의 평면형상의 변형을 방지할 수 있다.

［실시예 7］

도 19에, 실시예 7에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 실시예 7에 의한 기판제조장치는, 케이싱(218)의 내부에 배치되는 얼라이먼트스테이션(202), 도포스테이션(203), 기판반전스테이션(204), 얼라이먼트스테이션(205), 도포스테이션(206), 자외선조사장치(208, 209), 및, 리프터(211~214)를 포함한다. 또, 실시예 7에 의한 기판제조장치의 케이싱(218)에는, 기판반입구(201) 및 기판반출구(207)가 형성되어 있다. 실시예 7에 의한 기판제조장치는, 예를 들면 직사각형상의 프린트배선판인 기판(221~227)의 표면 및 이면에, 솔더레지스트의 박막패턴을 형성하기 위하여 이용된다. 또, 실시예 7에 의한 기판제조장치는, 컨베이어(215, 216), 및 제어장치(220)를 포함한다. 컨베이어(215)에 의하여, 기판(221~227)이 케이싱(218)의 내부까지 반입된다. 케이싱(218) 내에서는, 리프터(211~214)가 기판(221~227)을 반송한다. 컨베이어(216)는, 케이싱(218) 내로부터 기판(221~227)을 반출한다. 각 스테이션의 동작, 및 리프터(211~214)의 동작, 및 컨베이어(215, 216)의 동작은, 제어장치(220)에 의하여 제어된다. 제어장치(220)는 기억장치(220a)를 포함한다.

기판(221~227)은, 컨베이어(215)로 반송되어, 반입구(201)로부터 케이싱(218) 내로 도입된다. 이 때, 예를 들면 기판(221~227)의 일방의 면(제1 면)은, 도면의 상방향(Z축 정방향)을 향하고 있다.

연직 상방을 Z축 정방향으로 하는 오른손계의 직교좌표계를 획정한다. 이하의 설명에 있어서, 얼라이먼트스테이션(202)으로부터 도포스테이션(206)까지의 5개의 스테이션은, 순서대로 X축의 정의 방향을 향하여 배치되어 있다. 기판반입구(201)로부터 케이싱(218) 내로 반입된 기판(221~227)은, 각 스테이션(202~206)을 경유하여, 전체적으로 X축의 정의 방향을 향하여 반송되고, 기판반출구(207)로부터 케이싱(218)의 외부로 반출된다.

케이싱(218)의 내부로 반입된 기판(221~227)은, 리프터(211)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(202)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(202)에 있어서는, 기판(221~227)의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판(221~227)의 얼라이먼트(위치맞춤)가 행해진다.

얼라이먼트가 행해진 기판(221~227)은, 리프터(211)에 의하여, 도포스테이션(203)으로 반송된다. 도포스테이션(203)에 있어서는, 예를 들면 자외선 경화성의 박막재료에 의하여, 기판(221~227)의 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 박막재료는, 예를 들면 솔더레지스트이다.

제1 면에 박막패턴이 형성된 기판(221~227)은, 리프터(212)에 의하여, 기판반전스테이션(204)으로 반송된다. 기판반전스테이션(204)에 있어서, 기판(221~227)이 반전된다. 이 결과, 기판(221~227)의 제1 면과는 반대측의 제2 면이, Z축의 정의 방향을 향하게 된다. 또, 기판반전스테이션(204)에 있어서, 자외선조사장치(208)에 의하여, 기판(221~227)의 제1 면 전체에 자외선이 조사되어, 기판(221~227)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다. 기판(221~227)의 반전과, 기판(221~227)의 제1 면으로의 자외선의 조사는, 예를 들어 동시 병행적으로 행해진다.

반전된 기판(221~227)은, 리프터(213)로, 얼라이먼트스테이션(205)으로 반송된다. 얼라이먼트스테이션(205)에 있어서는, 기판(221~227)의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 검출되고, 검출결과에 근거하여, 기판(221~227)의 얼라이먼트가 행해진다.

기판(221~227)은, 리프터(213)에 의하여, 도포스테이션(206)으로 반송된다. 도포스테이션(206)에 있어서, 자외선 경화성의 박막재료에 의하여, 기판(221~227)의 제2 면에 박막패턴이 형성된다.

기판(221~227)은, 제2 면에 박막패턴이 형성된 후, 리프터(214)에 의하여, 컨베이어(216)로 반송된다. 그 후, 기판(221~227)은, 컨베이어(216)에 의하여, 반출구(207)로부터 케이싱(218)의 외부로 반출된다. 컨베이어(216) 위에 재치된 상태로, 자외선조사장치(209)에 의하여, 기판(221~227)의 제2 면 전체에 자외선이 조사되어, 기판(221~227)의 제2 면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다. 자외선조사장치(209)는, 컨베이어(216) 상에 재치된 기판(221~227)의 상방을 통과하도록, 케이싱(218) 내를 이동 가능하며, 기판(221~227)의 상방을 통과하면서, 기판(221~227)의 제2 면에 자외선을 조사한다. 또는, 자외선조사장치(209)를 케이싱(218) 내에 고정적으로 배치해도 된다. 이 경우, 기판(221~227)이 컨베이어(216)로 반송될 때, 기판(221~227)이 자외선조사장치(209)의 하방을 통과한다. 기판(221~227)으로의 자외선의 조사는, 제어장치(220)에 의하여 제어된다.

실시예 7에 의한 기판제조장치에 있어서는, 얼라이먼트스테이션(202), 도포스테이션(203), 기판반전스테이션(204), 얼라이먼트스테이션(205), 도포스테이션(206)의 각 스테이션에서, 처리가 병행되어 행해진다. 즉, 얼라이먼트스테이션(202)에서, 기판(222)의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크의 검출, 및, 기판(222)의 얼라이먼트가 행해지고 있는 기간에, 도포스테이션(203)에 있어서, 기판(223)의 제1 면에 솔더레지스트 등의 박막패턴이 형성된다. 이 동안, 기판반전스테이션(204)에서는, 기판(224)의 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화와, 기판(224)의 표리의 반전이 행해진다. 얼라이먼트스테이션(205)에서는, 기판(225)의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크의 검출, 및, 기판(225)의 얼라이먼트가 행해진다. 도포스테이션(206)에 있어서는, 기판(226)의 제2 면에 솔더레지스트의 박막패턴이 형성된다. 이 동안에, 예를 들면 컨베이어(215)는, 솔더레지스트 미형성의 기판(221)을 케이싱(218) 내로 반입한다. 컨베이어(216) 상의 기판(227)에는, 자외선조사장치(209)에 의하여 자외선이 조사되고, 컨베이어(216)는, 솔더레지스트패턴이 표리에 형성된 기판(227)을, 케이싱(218)으로부터 반출한다. 이로 인하여, 생산효율의 향상을 실현할 수 있다.

도 20의 (a)~도 20의 (c)를 참조하여, 얼라이먼트스테이션(202)에 대하여 설명한다. 도 20의 (a)는, 얼라이먼트스테이션(202)에 구비된 얼라이먼트장치의 개략도를 나타낸다. 얼라이먼트장치는, 베이스(기대)(231) 상에, 베이스(231)측으로부터 순서대로 배치되는 Y스테이지(232), θ스테이지(233), 척플레이트(도포스테이지)(234)를 포함한다. 척플레이트(234)는, 리프터(211)에 의하여, 얼라이먼트스테이션(202)으로 반송된 기판(222)을 흡착지지한다.

Y스테이지(232)는, 지지된 기판(222)을 Y축방향으로 이동시킬 수 있다. θ스테이지(233)는, 지지된 기판(222)을, XY평면에 평행인 면내에서, Z축에 평행인 축을 회전중심으로 하여 회전시키는 것이 가능하다. Y스테이지(232), θ스테이지(233), 및, 척플레이트(234)는, 기판(222)을 지지하여, 얼라이먼트스테이션(202) 내에서 이동시키는 이동기구를 구성한다. 척플레이트(234)에 의한 기판(222)의 흡착, Y스테이지(232) 및 θ스테이지(233)에 의한 기판(222)의 이동은, 제어장치(220)에 의하여 제어된다.

얼라이먼트장치는 CCD카메라(235~238)를 포함한다. CCD카메라(235~238)는, 척플레이트(234)에 지지된 기판(222) 상에 형성되어 있는 얼라이먼트마크를 촬상한다. CCD카메라(235~238)에 의한 촬상은, 제어장치(220)에 의하여 제어된다. CCD카메라(235~238)에 의하여 얻어진 화상데이터(검출결과)는, 제어장치(220)로 송신된다.

도 20의 (b)는, 얼라이먼트스테이션(202)으로 반송되어, 척플레이트(234)에 흡착지지된 기판(222)을 나타내는 평면도이다. 기판(222)에는, 예를 들면 제1 면의 네 모서리에 얼라이먼트마크(222a~222d)가 형성되어 있다.

리프터(211)에 의하여 척플레이트(234) 상으로 반송, 재치된 기판(222)은, 척플레이트(234)에 흡착지지된 상태로, Y스테이지(232)의 구동에 의하여, 얼라이먼트스테이션(202) 내를 Y축 부방향으로 이동한다. 도 20의 (b)에 있어서는, 이동 후의 기판(222)을 괄호 안에 나타냈다.

CCD카메라(235~238)는, 리프터(211)가 기판(222)을 척플레이트(234) 상에 재치할 때의 척플레이트(234)의 위치로부터, Y축의 부의 방향으로 어긋난 위치에 배치되어 있다. CCD카메라(235~238)는, 각각 기판(222)에 형성된 얼라이먼트마크(222a~222d)를 촬상 가능한 상대위치관계를 가진다. 기판(222)은, 척플레이트(234)에 지지된 후, Y스테이지(232)에 의하여 CCD카메라(235~238)의 촬상 가능한 위치까지 이동된다. CCD카메라(235~238)가, 기판(222)에 형성된 얼라이먼트마크(222a~222d)를 촬상한다. 촬상에 의하여 취득된 화상데이터가, 제어장치(220)로 송신된다.

제어장치(220)는, CCD카메라(235~238)에 의하여 취득된 화상데이터를 해석하여, 기판(222)의 위치, 및, XY면내방향(기판(222)의 면내방향)에 관한 자세(방향)를 검출한다. 그 후, 예를 들면, 기판(222)의, XY평면내방향에 있어서의 자세를 보정(변경)한다(θ보정).

도 20의 (b)에, 일례로서 기판(222)에, XY평면내에 있어서 반시계방향으로 각도 α만큼 위치 어긋남이 발생하고 있는 경우의 척플레이트(234) 및 기판(222)의 평면도를 나타낸다. 이 경우, 예를 들면 얼라이먼트마크(222a)가 형성되어 있는 정점과, 얼라이먼트마크(222d)가 형성되어 있는 정점을 잇는 변은, 후자의 정점을 기준으로 하여, X축 정방향으로부터 반시계방향으로 각도 α만큼 경사져 있게 된다. 이 위치 어긋남은, CCD카메라(235~238)에 의하여 취득된 화상데이터를 해석함으로써, 제어장치(220)에 의하여 검지된다. 제어장치(220)는, θ스테이지(233)를 시계방향으로 각도 α만큼 회전시킴으로써, 이 위치 어긋남을 수정한다. 수정의 결과, 직사각형상의 기판(222)의 각 변은, X축 또는 Y축에 평행이 된다.

도 20의 (c)에 나타내는 바와 같이, θ보정을 행한 후, 제어장치(220)는, Y스테이지(232)를 구동하여, 기판(222)을 Y축의 정의 방향으로 이동시킨다. Y스테이지(232)의 구동 거리는, 예를 들면 도 20의 (b)에 나타낸 공정에 있어서, 얼라이먼트마크(222a~222d)를 검출하기 위하여, CCD카메라(235~238)의 설치영역까지 기판(222)을 이동시킨 거리와 동일하다.

도 20의 (c)의 괄호 안에, Y축의 정의 방향으로 이동된 후의 기판(222)을 나타냈다. θ보정이 실시된 기판(222)은, 리프터(211)에 의하여, 도포스테이션(203)으로 반송된다. 리프터(211)는, θ스테이지(233)의 회전에 의하여, 기판 면내방향에 있어서의 방향이 변경된 기판(222)을, 그 방향을 유지하여, 도포스테이션(203)의 스테이지 상으로 반송한다.

얼라이먼트스테이션(202)에서 θ보정이 완료되어 있기 때문에, 도포스테이션(203)에서는, 기판(222)의 θ방향의 위치보정을 행하지 않고, 기판(222)의 제1 면으로의 박막패턴의 형성을 개시할 수 있다. 예를 들면, 도포스테이션(203)에서 θ보정을 행하고, 그 후에 박막패턴을 형성하는 경우와 비교하면, 도포스테이션(203)에서의 처리시간을 짧게 할 수 있다. 이로써, 택트타임의 단축, 생산효율의 향상을 실현하는 것이 가능해진다.

기판(222)에는, 통상, 신장변형이 발생하여, 박막패턴의 형성시점에서는, 기판의 치수가 설계치와 상이하다. 이로 인하여, 제어장치(220)는, 얼라이먼트스테이션(202)에 있어서, CCD카메라(235~238)를 이용하여 취득된 화상데이터에 근거하여, 기판(222)의 치수를 산출한다. 제어장치(220)는, 기판(222)의 산출된 치수에 근거하여, 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 생성된 토출제어용 화상데이터는, 제어장치(220)의 기억장치(220a)에 격납된다. 이 처리에 대해서는, 이하 도포스테이션(203)의 동작의 설명 중에서 상술한다.

도 21의 (a) 및 도 21의 (b)에, 도포스테이션(203)에 구비된 액체방울토출장치의 개략도를 나타낸다. 도 21의 (a)에 나타내는 바와 같이, 액체방울토출장치는, XY평면(수평면)에 평행인 자세로 설치된 베이스(241), 및 베이스(241) 상에, 베이스(241)측으로부터 순서대로 배치된 X스테이지(243), Y스테이지(244), 척플레이트(도포스테이지)(245)를 포함한다. 척플레이트(245)는, 리프터(211)에 의하여 도포스테이션(203)으로 반송된 기판(223)을 흡착지지한다.

X스테이지(243)는, 지지된 기판(223)을 X축방향으로 이동시킬 수 있다. Y스테이지(244)는, 지지된 기판(223)을 Y축방향으로 이동시킬 수 있다. X스테이지(243), Y스테이지(244), 및 척플레이트(245)에 의하여 이동스테이지가 구성된다. 이동스테이지는, 기판(223)을 지지하여, 도포스테이션(203) 내에서 이동시킨다. 척플레이트(245)에 의한 기판(223)의 흡착, X스테이지(243) 및 Y스테이지(244)에 의한 기판(223)의 이동은, 제어장치(220)에 의하여 제어된다.

이동스테이지로서, X스테이지(243), Y스테이지(244), 척플레이트(245)의 기능을 가지는 고기능 스테이지를 이용해도 된다.

프레임(242)이 베이스(241)에 고정되어 있다. 프레임(242)은, 노즐유닛(247a~247f)을, 척플레이트(245)의 상방에 지지한다.

프레임(242)은, 2개의 지주(242a, 242b), 및 빔(242c)을 포함한다. 지주(242a, 242b)는, 베이스(241)의 Y축방향의 대략 중앙에 장착되어 있다. 빔(242c)은, X축방향을 따르도록, 지주(242a, 242b)에 지지된다.

노즐유닛(247a~247f)은, 연결부재(246)를 통하여, 프레임(242)의 빔(242c)에 지지되어 있다. 노즐유닛(247a~247f)은, 각각 복수의 노즐헤드 및 자외광원을 포함한다. 노즐헤드는, 예를 들어 자외선 경화성의 박막재료를 이동스테이지에 지지된 기판(223)의 표면을 향하여, 액체방울으로서 토출한다. 박막재료의 토출은, 기판(223)을 Y축방향으로 이동시키면서 행해진다. 토출된 박막재료에 의하여, 기판(223)의 표면 상에 소정의 평면형상을 가지는 박막패턴, 예를 들면 솔더레지스트패턴이 형성된다. 자외광원으로부터 출사되는 자외선에 의하여, 박막패턴의 표층부가 경화된다. 표층부만이 경화되는 현상을 "가경화"라고 하는 것으로 한다.

제어장치(220)의 기억장치(220a)에, 기판(223) 상에 형성해야 하는 박막패턴의 평면형상을 정의하는 패턴정의데이터(거버포맷의 화상데이터)가 기억되어 있다. 패턴정의데이터로부터 생성된 래스터포맷의 화상데이터는, 기판이 설계치대로의 치수인 경우에, 그대로 시용 가능하지만, 기판에 변형이 발생하고 있는 경우에는, 그대로 사용할 수 없다. 제어장치(220)는, 패턴정의데이터로부터, 얼라이먼트스테이션(202)에서 촬상된 기판(223)의 화상데이터에 근거하여, 기판(223)의 변형을 고려하여, 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다. 예를 들면 제어장치(220)는, 얼라이먼트스테이션(202)에서 촬상된 화상데이터로부터, 기판(223)의 X방향, Y방향의 신장변형을 구한다. X방향에 대해서는, 기판(223)의 X방향의 신축량에 따라, 박막재료의 액체방울을 착탄시켜야 하는 위치의 좌표를 보정한다. 기판(223)의 Y방향에 대해서도, 마찬가지로, 기판(223)의 Y방향의 신축량에 따라, 박막재료의 액체방울을 착탄시켜야 하는 위치의 좌표를 보정한다. 다만, Y방향에 관하여, 구체적으로는, Y스테이지(244)에 의한 기판(223)의 이동량과 노즐헤드로부터의 박막재료의 토출시기와의 관계(토출타이밍)가 보정된다. 이와 같이, 미리 기억장치(220a)에 기억되어 있던 데이터를 보정함으로써 얻어진 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터는, 기억장치(220a)에 보존된다.

도 24의 (a) 및 도 24의 (b)를 참조하여, 화상데이터의 보정의 일례에 대하여 설명한다. 도 24의 (a) 및 도 24의 (b)는, 행방향 및 열방향으로 배열되는 복수의 픽셀로 구성되는 비트맵 화상을 나타낸다. 도 24의 (a) 및 도 24의 (b)에 있어서는, 박막재료의 액체방울을 착탄시켜야 하는 픽셀을 검게 칠하여 나타내고 있다.

도 24의 (a)는, 박막패턴의 설계치(초기치)에 대응하는 비트맵 화상을 나타낸다. 실선으로 그린 원의 둘레 및 내부에 걸려 있지 않은 픽셀이, 박막재료의 액체방울을 착탄시켜야 하는 픽셀로서, 기억장치(220a)에 기억되어 있다.

예를 들면 X방향의 길이가 l_X, Y방향의 길이가 l_Y인 직사각형상의 기판(223)의 X방향의 신축량이 ΔX, Y방향의 신축량이 ΔY이었다고 가정한다. 신축량이 기판(223)의 전체에 걸쳐 균일하게 발생하고 있다고 하면, X방향, Y방향에 대하여, 단위길이당 신축량은, ΔX/l_X, ΔY/l_Y가 된다. 도 24의 (a)의 원의 둘레 및 내부(박막재료를 도포하지 않는 영역)는, 그 사이즈에 따라 확대된다. 즉, 기판(223) 상에 있어서, 박막재료의 액체방울을 착탄시키는 위치가 변화되기 때문에, 제어장치(220)는 박막재료의 액체방울을 착탄시켜야 하는 픽셀을 보정한다.

도 24의 (b)에, 보정 후의 비트맵 화상을 나타낸다. 예를 들면 도 24의 (b)에, 실선으로 그린 원의 둘레 및 내부에 걸려 있지 않은 픽셀이, 보정 후의 박막재료의 액체방울을 착탄시켜야 하는 픽셀이 된다. 도 24의 (a)에 실선으로 그려진 원은, 도 24의 (b)에는 참고로서 파선으로 나타냈다. 예를 들면, 도 24의 (b)에 나타내는 비트맵의 데이터가, 형성해야 하는 박막패턴의 화상데이터로서, 추가로 기억장치(220a)에 기억된다.

제어장치(220)는, 기억장치(220a)에 보존된 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 기판(223) 상의 소정 영역에 박막재료가 도포되도록, 노즐유닛(247a~247f)으로부터의 박막재료의 토출, 및 이동스테이지에 의한 기판(223)의 이동을 제어한다. 기판(223)은, Y축방향을 따라 이동되면서, 노즐유닛(247a~247f)의 연직 하방(Z축 부방향)에 있어서 기판(223)에 잉크가 도포된다.

도 21의 (b)에, 액체방울토출장치의 노즐유닛(247a~247f)의 근방의 측면도를 나타낸다. 노즐유닛(247a~247f)은, 동일한 구성을 가지고, X축방향을 따라 등간격으로 연결부재(246)에 고정되어 있다. 연결부재(246)는, 프레임의 빔(242c)에, Z축방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 노즐유닛(247a~247f)은, 기판(223)과의 사이의 거리를 조정 가능하게 프레임(242)에 지지되어 있다. 연결부재(246)에 의한 노즐유닛(247a~247f)의 Z축방향으로의 이동은, 제어장치(220)에 의하여 제어된다. 다만, 노즐유닛(247a~247f)은, 연결부재(246)를 통하지 않고, 직접 프레임의 빔(242c)에 고정되어 있어도 된다.

도 22의 (a)에, 노즐유닛(247a)의 사시도를 나타낸다. 노즐유닛(247a)은, 노즐홀더(247ac)에, Y축방향을 따라 교대로 장착된 노즐헤드(247a1~247a4), 및, 자외광원(247a5~247a9)을 포함한다. 각 노즐헤드(247a1~247a4)는, Y축방향을 따라 배치되는 2열의 노즐열을 구비한다. 각 노즐열은, X축방향을 따라 배열된 복수의, 예를 들면 192개의 노즐구멍에 의하여 구성된다. 각 노즐열의 X축방향을 따르는 길이는, 예를 들면 약 30mm이다. 이로 인하여 노즐유닛(247a)의 X축방향을 따르는 길이도 약 30mm이다. 각 노즐구멍으로부터 자외선 경화성의 박막재료가 토출된다.

자외광원(247a5~247a9)은, 예를 들면 발광다이오드(LED)를 포함하고, 자외영역의 파장의 빛을 방사한다. 노즐헤드(247a1~247a4)의 각 노즐구멍으로부터 기판(223)에 토출된 자외선 경화성의 박막재료는, 자외광원(247a5~247a9)으로부터 방사되는 빛에 의하여 경화(가경화)된다. 자외광원(247a5~247a9)으로부터의 자외광의 방사는, 제어조치(220)에 의하여 제어된다.

도 22의 (b)에, 노즐유닛(247a)(노즐헤드(247a1~247a4))의 저면도를 나타낸다. 도 22의 (b)에 있어서는, 자외광원(247a5~247a9)의 기재는 생략했다.

노즐헤드(247a1~247a4)의 하나의 노즐열에 주목하면, 노즐구멍이 X축방향을 따라 160μm 간격으로 배치된다. 각 노즐헤드(247a1~247a4)에 있어서, Y축의 정의 측의 노즐열의 노즐구멍은, Y축의 부의 측의 노즐열의 노즐구멍에 대하여, X축의 정의 방향으로 80μm만큼 어긋나 있다. 즉, 노즐헤드(247a1~247a4)의 각각은, X축방향으로 80μm 간격으로 지그재그형상으로 배열되는 384개의 노즐구멍을 포함하고, 약 300dpi에 상당하는 해상도를 가진다. 각 노즐구멍에 압전소자가 장착되어 있으며, 압전소자로의 전압의 인가에 따라 박막재료의 액체방울이 토출된다. 박막재료의 토출(전압의 인가)은 제어장치(220)에 의하여 제어된다. 다만, 실시예 7에 있어서는, 2열의 노즐열을 형성했지만, 노즐열의 개수는, 1열이어도 되고, 3열 이상이어도 된다.

노즐헤드(247a1~247a4)는, 순서대로 상대 위치를 X축의 정의 방향으로 어긋나게 하면서, 전체적으로 Y축방향을 따라 배치된다. 즉, 노즐헤드(247a2)는 노즐헤드(247a1)에 대하여, 20μm만큼 X축의 정의 방향으로 어긋나 있다. 마찬가지로 노즐헤드(247a3, a4)는, 각각 노즐헤드(247a2, a3)에 대하여, 20μm만큼 X축의 정의 방향으로 어긋나 있다. 이 결과, 노즐유닛(247a)은, X축방향으로 20μm 간격(약 1200dpi에 상당하는 해상도)으로 배치되는 노즐구멍을 구비한다.

도 22의 (c)에, 노즐유닛(247a~247f)의 개략적인 평면도를 나타낸다. 상술과 같이, 각 노즐유닛(247a~247f)은, X축방향을 따르는 약 30mm의 범위에, 액체방울토출능력을 가진다. 또, X축방향을 따라 등간격으로 배치된다. 인접하는 노즐유닛(247a~247f)간의 거리는, 예를 들어 약 60mm이다.

리프터(211)(도 19)로 반송된 기판(223)이, 도포스테이션(203) 내의 척플레이트(245)(도 21의 (a)) 위에 지지된다. 기판(223)을 Y축의 부의 방향으로 이동시키면서, 각 노즐유닛(247a~247f)의 하방의 Y축방향을 따르는 홀수열영역(도 22의 (c)에 있어서 동그라미 표시를 한 영역)의 토출목표위치(박막재료의 액체방울의 착탄목표위치)를 향하여, 노즐유닛(247a~247f)으로부터 박막재료를 토출한다. 홀수열영역에 있어서의 목표위치로의 토출이 종료되면, X스테이지(243)에서 기판(223)을 X축 정방향으로, 예를 들어 10μm만큼 이동시킨다. 그 후, 기판(223)을 Y축의 정의 방향으로 이동시키면서, 각 노즐유닛(247a~247f)의 하방의 Y축방향을 따르는 짝수열영역(도 22의 (c)에 있어서 엑스 표시를 한 영역)의 토출목표위치를 향하여, 노즐유닛(247a~247f)으로부터 박막재료를 토출한다. Y축방향을 따르는 왕로(往路)와 복로(復路)에서, 홀수열영역과 짝수열영역의 목표위치를 향하여 액체방울을 토출함으로써, 약 2400dpi에 상당하는 해상도로 박막패턴을 형성할 수 있다.

짝수열영역으로의 액체방울토출 종료 후, X스테이지(243)를 구동하여, 기판(223)을, X축의 정의 방향으로 약 30mm 이동시킨다. Y스테이지(244)에 의하여, 기판(223)을 Y축방향으로 왕복시켜, 왕로와 복로에서, 각각 홀수열영역과 짝수열영역에, 박막재료를 착탄시킨다.

다시 한번 동일한 처리를 행하여, 합계 3왕복으로, 기판(223)의 표면의 전역에 박막패턴을 형성할 수 있다.

도 21의 (a)~도 22의 (c)에 나타낸 액체방울토출장치는, 6개의 노즐유닛(247a~247f)을 구비한다. 노즐유닛의 수는 6개에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 노즐유닛의 수를 1개로 해도 된다.

제1 면에 박막패턴이 형성된 기판(223)은, 기판반전스테이션(204)(도 19)으로 반송된다. 기판반전스테이션(204)은, 기판(223)을 반전시키는 기판반전장치, 및 자외선조사장치(208)를 포함한다. 기판(223)이, 기판반전장치에 의하여 반전되면서, 자외선조사장치(208)를 출사한 자외선에 의하여 표면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다. 본경화 후, 얼라이먼트스테이션(205)으로 반송된다.

본경화는, 기판에 형성된 박막패턴을, 그 내부까지 고화시키는 처리이다. 또한, 도포스테이션(203)에서 행해지는 가경화는, 솔더레지스트의 표층부만을 고화시키는 처리이다. 가경화에 의하여, 기판에 부착된 박막재료의 면내방향으로의 확산이 방지된다. 가경화에 의해서는, 박막재료의 내부영역은 완전하게는 고화되지 않는다. 본경화에 의하여, 박막패턴의 내부영역을 완전하게 고화시킴으로써, 택(달라붙음)을 방지할 수 있다.

얼라이먼트스테이션(205)은, 얼라이먼트스테이션(202)과 동일한 구성과 기능을 구비한다. 기판(223)의 제2 면에 형성된 얼라이먼트마크가 CCD카메라로 검출되어, θ보정이 행해진다. 또, CCD카메라로 얻어진 화상데이터로부터, 기판(223)의 사이즈를 검지하여, 기판(223)의 제2 면에 박막패턴을 형성할 때에 이용하는 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성한다.

리프터(213)가, 얼라이먼트스테이션(205)에 구비된 θ스테이지의 회전에 의하여, 회전방향에 관한 위치맞춤이 완료된 기판(223)을, 그 자세를 유지하여, 도포스테이션(206)의 스테이지 위까지 반송한다.

도포스테이션(206)은, 도포스테이션(203)과 동일한 구성과 기능을 구비한다. 도포스테이션(206)에 있어서는, 제2 면용의 화상데이터에 근거하여, 기판(223)의 제2 면에 박막패턴이 형성된다.

제2 면의 박막패턴을 형성할 때에 참조되는 토출제어용 화상데이터는, 얼라이먼트스테이션(202)에서 취득된 화상데이터에 근거하여 작성할 수도 있다. 이 경우, 얼라이먼트스테이션(205)에서 얻어지는 화상데이터는, 예를 들어 θ보정에만 사용된다.

기판(223)의 θ보정을, 얼라이먼트스테이션(205)에서 행하기 때문에, 도포스테이션(206)에서는 θ보정의 필요가 없다. 이로 인하여, 도포스테이션(206)으로 반송된 기판(223)에 대하여, 회전방향의 위치맞춤을 행하지 않고, 제2 면의 박막패턴의 형성을 개시할 수 있다. 따라서, 도포스테이션(206)에서의 처리시간을 짧게 할 수 있어, 택트타임의 단축, 생산효율의 향상을 실현하는 것이 가능하다.

제2 면으로의 박막패턴의 형성이 종료된 기판(223)은, 리프터(214)에 의하여, 컨베이어(216)로 반송된다. 컨베이어(216) 상에 실린 기판(223)의 제2 면에 형성된 박막패턴에, 자외선조사장치(209)를 출사한 자외선이 조사되어, 박막패턴의 본경화가 행해진다. 그 후, 컨베이어(216)에 의하여, 기판(223)이, 반출구(207)로부터 케이싱(218)의 외부로 반출된다.

［실시예 8］

도 23에, 실시예 8에 의한 기판제조장치의 개략도를 나타낸다. 실시예 8은, 기판반전스테이션(204), 얼라이먼트스테이션(205), 도포스테이션(206), 및 리프터(212, 213)를 포함하지 않는 점에서, 실시예 7과 상이하다. 실시예 7에 의한 기판제조장치는, 기판(221~227)의 양면에 박막패턴을 형성할 수 있었지만, 실시예 8에 의한 기판제조장치는, 기판(221~224)의 편면, 예를 들어 제1 면에만 박막패턴을 형성한다.

실시예 8에 의한 기판제조장치에 있어서는, 얼라이먼트스테이션(202)과 도포스테이션(203)에서, 처리가 병행되어 행해진다. 즉, 얼라이먼트스테이션(202)에서, 기판(222)의 제1 면에 형성된 얼라이먼트마크의 검출, 및, 기판(222)의 얼라이먼트가 행해지고 있는 동안에, 도포스테이션(203)에 있어서, 기판(223)의 제1 면에 박막패턴이 형성된다. 이 동안에, 컨베이어(215)는, 박막패턴이 형성되어 있지 않은 기판(221)을 케이싱(218)으로 반입한다. 제1 면으로의 박막패턴의 형성이 종료된 기판(224)은, 리프터(214)에 의하여, 컨베이어(216)로 반송된다. 컨베이어(216) 상에 실린 기판(224)에, 자외선조사장치(209)를 출사한 자외선이 조사된다. 이로써, 제1 면에 형성된 박막패턴의 본경화가 행해진다. 그 후, 컨베이어(216)에 의하여, 기판(224)이 반출구(207)로부터 케이싱(218)의 외부로 반출된다.

실시예 8에서는, 예를 들면, (a) 얼라이먼트스테이션(202)의 얼라이먼트장치에서, 기판(222)의 제1 면의 얼라이먼트마크를 검출하고, 검출결과에 근거하여, 기판(222)의 기판면내방향에 있어서의 방향을 변경한다. (b) 얼라이먼트장치에 의하여, 기판면내방향에 있어서의 방향이 변경된 기판(222)을, 그 방향을 유지하여, 도포스테이션(203)의 액체방울토출장치의 스테이지 상으로 반송함과 함께, 기판(221)을, 얼라이먼트장치의 스테이지 상으로 반송한다. (c) 얼라이먼트장치에서, 다음에 처리되는 기판(221)의 제1 면의 얼라이먼트마크를 검출하고, 검출결과에 근거하여, 기판(221)의 기판면내방향에 있어서의 방향을 변경함과 함께, 액체방울토출장치로, 기판(222)의 제1 면에 박막패턴을 형성한다. 이 일련의 처리는, 실시예 7에 대해서도 동일하다. 또 실시예 7에 있어서는, 얼라이먼트스테이션(202)으로부터 도포스테이션(206)까지의 모든 스테이션에 있어서, 동일한 병행처리가 행해진다.

실시예 8에 있어서도, 기판(221~224)의 θ보정을, 얼라이먼트스테이션(202)에서 행하기 때문에, 도포스테이션(203)에서는 θ보정의 필요가 없다. 도포스테이션(203)으로 반송된 기판(221~224)에 대하여, 위치맞춤을 행하지 않고, 박막패턴의 형성을 개시할 수 있다. 따라서, 도포스테이션(203)에서의 처리시간을 짧게 할 수 있어, 택트타임의 단축, 생산효율의 향상을 실현하는 것이 가능하다.

이상 실시예 1~실시예 8을 따라 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 실시예 7 및 실시예 8에 있어서는, 노즐유닛에 대한 기판의 이동(XY평면내에서의 이동)을 스테이지에 의해서만 행했지만, 스테이지에 대하여 노즐유닛을 이동시켜도 된다. 예를 들면, 프레임을 Y축방향으로 이동 가능하게 하고, 노즐유닛을, 프레임에 X축방향 및 Z축방향으로 이동 가능하게 장착함으로써, 노즐유닛을 스테이지에 대하여 이동시킬 수 있다. 또, 스테이지를 X방향으로 이동시키고, 노즐유닛을 Y방향으로 이동시켜도 된다. 이와 같이, 노즐유닛과 기판은, 상대적으로 이동시키면 된다. 단, 기판만을 XY평면내에서 이동시키는 구성이, 노즐유닛도 XY면내방향으로 이동시키는 구성에 비해, 박막패턴의 위치 정밀도를 높일 수 있다.

또, 실시예 1~실시예 8에 있어서는, 기판제조장치에 의하여, 프린트배선판 상에 솔더레지스트의 박막패턴을 형성했지만, 실시예 1~실시예 8에 의한 기판제조장치는, 예를 들면 터치패널의 제조에 있어서, 유리기판 상에 절연막을 형성하는 용도로 이용할 수 있다.

10: 기대
11: X방향 이동기구
12: Y방향 이동기구
13: 도포스테이지
14: 회전방향 이동기구
15: 대상물(하지기판)
16: 엔클로저
17: 이동기구
20: 박막재료 토출장치
21: 노즐헤드
21a, 21b: 노즐열
21F: 공통수송로
21N: 노즐구멍
22: 노즐헤드 드라이버회로기판
23: 매니폴드
23A: 공급용 유입구
23B: 회수용 유출구
23C: 공급용 유출구
23D: 회수용 유입구
24: 지지판
25: 피복판
26: 격리판
27: 단열재
28: 유입구
29: 유출구
30: 공급용 배관
31: 회수용 배관
32: 온도센서(제1 온도센서)
33: 온도센서(제2 온도센서)
34: 온도센서
35: 온도제어장치
40: 순환장치
41: 순환펌프
41A: 토출펌프
41B: 흡인펌프
42: 리저버탱크
43: 히터(제1 열원)
48: 외부장착탱크
50: 제1 배기장치
51: 외기도입구
55: 제2 배기장치
56: 외기도입구
60: 노즐구멍
61: 자외광원
65: 공급수송로
66: 회수수송로
67, 68: 히터
69: 배관
70: 히터(제2 열원)
71: 단열재
75: 지지판
76: 피복판
77: 단열재
78: 벨로우즈
80: 격리판
81: 외기도입구
82: 히터
90: 단열재
100: CCD카메라
101: 프레임
101b: 지주
101c: 빔
110: 토출제어장치
110a: 기억장치
111: 입력장치
112: 탱크
113: 온도센서
114: 히터
201: 기판반입구
202: 얼라이먼트스테이션
203: 도포스테이션
204: 기판반전스테이션
205: 얼라이먼트스테이션
206: 도포스테이션
207: 기판반출구
208, 209: 자외선조사장치
211~214: 리프터
215, 216: 컨베이어
218: 케이싱
220: 제어장치
220a: 기억장치
221~227: 기판
231: 베이스(기대)
232: Y스테이지
233: θ스테이지
234: 척플레이트
235~238: CCD카메라
241: 베이스
242: 프레임
242a, 242b: 지주
242c: 빔
243: X스테이지
244: Y스테이지
245: 척플레이트
246: 연결부재
247a~247f: 노즐유닛
247ac: 노즐홀더
247a1~247a4: 노즐헤드
247a5~247a9: 자외광원

Claims (10)

1. 박막을 형성해야 하는 하지기판을 지지하는 도포스테이지와,
   상기 도포스테이지에 지지된 하지기판에 대향하여, 복수의 노즐구멍으로부터 상기 하지기판을 향하여 박막재료의 액체방울을 토출하는 노즐유닛과,
   박막재료를 축적하는 리저버탱크와,
   상기 리저버탱크로부터 상기 노즐유닛으로 상기 박막재료를 공급하는 공급계와,
   상기 리저버탱크를 가열하는 제1 열원과,
   상기 리저버탱크의 온도를 측정하는 제1 온도센서와,
   상기 공급계의 적어도 1개소를 가열하는 제2 열원과,
   상기 공급계의 적어도 1개소의 온도를 측정하는 제2 온도센서와,
   상기 제1 온도센서 및 상기 제2 온도센서의 측정 결과에 근거하여, 상기 리저버탱크 내의 박막재료의 온도와, 상기 공급계를 흐르는 박막재료의 온도가, 온도의 목표범위 내에 들어가도록 상기 제1 열원 및 상기 제2 열원을 제어하는 온도제어장치를 가지는 기판제조장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제어장치는, 상기 리저버탱크 내의 박막재료의 온도와, 상기 공급계 내를 흐르는 박막재료의 온도가 동일해지도록, 상기 제1 열원 및 상기 제2 열원을 제어하는 기판제조장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 노즐구멍으로부터 토출되지 않았던 박막재료를, 상기 노즐유닛으로부터 상기 리저버탱크로 회수하는 회수계를 더 가지고,
   상기 제2 열원은, 상기 회수계의 적어도 1개소를 가열하고,
   상기 제2 온도센서는, 상기 회수계의 적어도 1개소의 온도를 측정하며,
   상기 온도제어장치는, 상기 회수계를 흐르는 박막재료의 온도가, 상기 온도의 목표범위 내에 들어가도록 상기 제2 열원을 제어하는 기판제조장치.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 노즐유닛은 복수의 노즐헤드를 포함하고, 상기 노즐헤드의 각각은, 복수의 노즐구멍과, 상기 복수의 노즐구멍을 연결하는 공통수송로를 포함하며,
   상기 공급계는,
   공급용 유입구에 유입된 박막재료를 분기시켜, 복수의 공급용 유출구로부터 박막재료를 송출하는 매니폴드와,
   상기 매니폴드의 상기 공급용 유출구로부터 상기 복수의 노즐헤드의 상기 공통수송로까지 박막재료를 수송하는 공급수송로를 포함하고,
   상기 제2 온도센서 중 하나는, 상기 매니폴드의 온도를 측정하고,
   상기 제2 열원 중 하나는, 상기 매니폴드를 가열하며,
   상기 온도제어장치는, 상기 매니폴드 내를 흐르는 박막재료가 상기 온도의 목표범위 내에 들어가도록, 상기 제2 열원을 제어하는 기판제조장치.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 공급수송로는, 내부를 흐르는 박막재료를 외기로부터 단열하는 단열구조를 가지는 기판제조장치.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 열원 및 상기 제2 열원을, 상기 도포스테이지가 배치된 공간으로부터 격리하는 격리부재를 더 가지는 기판제조장치.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 도포스테이지와 상기 노즐유닛의 일방을 타방에 대하여 이동시킴으로써, 상기 노즐구멍으로부터 토출된 박막재료의 액체방울의 착탄지점을, 상기 도포스테이지에 지지된 기판의 표면 내에서 이동시키는 이동기구와,
   상기 노즐유닛 및 상기 이동기구를 제어하는 토출제어장치를 더 가지고,
   상기 토출제어장치는,
   상기 기판에 형성해야 하는 박막의 패턴을 정의한 패턴정의데이터, 상기 제2 열원에 의한 가열에 의하여 상기 노즐유닛의 상기 노즐구멍의 피치가 정격피치로부터 변동된 후의 실제피치를 기억하고 있으며, 상기 패턴정의데이터에 근거하여, 상기 노즐구멍의 배열방향으로, 상기 실제피치에 근거하여 배열되는 픽셀에 의하여 구성되는 래스터포맷의 토출제어용 화상데이터를 생성하고, 상기 토출제어용 화상데이터에 근거하여, 상기 노즐유닛 및 상기 이동기구를 제어하는 기판제조장치.
8. 제 7 항에 있어서,
   오퍼레이터가 상기 토출제어장치에 지령을 부여하기 위한 입력장치를 더 가지고,
   상기 토출제어장치는, 상기 입력장치로부터 입력된 온도정보에 근거하여, 상기 노즐구멍의 정격피치가 변동된 후의 상기 실제피치를 산출하는 기판제조장치.
9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
   기판의 표면에 형성된 복수의 얼라이먼트마크를 촬상하는 촬상장치를 더 가지고,
   상기 토출제어장치는, 상기 촬상장치의 촬상결과에 근거하여, 상기 기판의 면내방향의 신축량을 산출하여, 산출된 신축량에 따라, 상기 토출제어용 화상데이터를 생성하는 기판제조장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 표면에 수직인 축을 회전중심으로 하여 회전하는 얼라이먼트스테이지와,
    상기 기판의 회전방향의 자세를 유지한 상태로, 상기 얼라이먼트스테이지로부터 상기 도포스테이지까지, 상기 기판을 반송하는 반송 장치를 더 가지고,
    상기 토출제어장치는, 상기 촬상장치의 촬상결과에 근거하여, 상기 얼라이먼트스테이지를 회전시킴으로써, 상기 기판의 회전방향의 위치맞춤을 행하고, 상기 반송장치를 제어하여, 회전방향의 위치맞춤이 완료된 상기 기판을, 상기 얼라이먼트스테이지로부터 상기 도포스테이지까지 반송하는 기판제조장치.

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