KR20140000158A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20140000158A
KR20140000158A KR1020130070236A KR20130070236A KR20140000158A KR 20140000158 A KR20140000158 A KR 20140000158A KR 1020130070236 A KR1020130070236 A KR 1020130070236A KR 20130070236 A KR20130070236 A KR 20130070236A KR 20140000158 A KR20140000158 A KR 20140000158A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
group
mixed liquid
supplied
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020130070236A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101828103B1 (ko
Inventor
히사시 가와노
노리히로 이토
요스케 하치야
준 노가미
고타로 오오이시
이타루 간노
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140000158A publication Critical patent/KR20140000158A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101828103B1 publication Critical patent/KR101828103B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판의 하지층에 손상을 주지 않고, 제거 대상층을 양호하게 제거하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판(3)에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하여 제거 대상층을 제거하는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기판(3)을 처리하기 위한 기판 처리실(16)과, 기판 처리실(16)에 설치되며, 기판(3)을 유지하기 위한 기판 유지 수단(12)과, 기판 유지 수단(12)으로 유지된 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하는 혼합액 공급 수단(13)과, 기판(3)에 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 OH기 공급 수단(14)을 가지며, OH기 공급 수단(14)은, 혼합액과 OH기가 기판(3) 상에서 혼합되었을 때에 하지층에 손상을 주지 않는 양의 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 것으로 하였다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판 표면의 하지층 상에 형성된 제거 대상층을 황산과 과산화수소수의 혼합액으로 제거하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등을 제조할 때에, 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판 표면에 각종 배선 패턴이 형성된다. 기판에 배선 패턴을 형성할 때에는, 우선 기판의 표면에 산화막이나 질화막 등으로 이루어진 하지층을 형성하고, 하지층의 표면에 정해진 형상의 레지스트층이나 반사 방지층 등의 제거 대상층을 형성한다. 그 후, 기판의 표면에 노광 등의 처리를 행하고, 하지층을 남긴 채로 제거 대상층을 제거한다. 그 후, 하지층의 불필요한 부분을 제거함으로써 기판에 정해진 형상의 배선 패턴을 형성한다.
기판의 표면에서 제거 대상층을 제거하기 위해서 이용되는 기판 처리 장치에서는, 황산과 과산화수소수의 혼합액[SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture: 황산과산화수소수)] 등의 각종 처리 약액을 이용하여 제거 대상층을 제거한다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2010-103189호 공보
종래의 기판 처리 장치에서는, 배선 패턴의 고밀도화를 도모하기 위해서 고농도의 이온을 주입하여 레지스트층을 형성한 경우에는, 제거 대상층이 되는 레지스트층의 표면에 경화막이 형성되기 때문에, 액온을 고온(예컨대, 200℃ 이상)으로 하고, 과산화수소수의 혼합비를 높인(예컨대, 황산:과산화수소수=6:1) 상태에서 황산과 과산화수소수의 혼합액을 기판에 공급하여 레지스트층을 제거한다.
이와 같이, 황산과 과산화수소수의 혼합액의 온도를 고온으로 하고, 과산화수소수의 혼합비를 높게 한 경우에는, 제거 대상층(레지스트층)을 제거하는 능력이 높아져서, 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다.
그런데, 종래의 기판 처리 장치에서는, 제거 대상층에 대한 제거 능력뿐만 아니라 하지층에 대한 제거 능력도 높아지게 되어, 하지층의 표면에 손상을 주게 될 우려가 있다.
그래서, 본 발명에서는, 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하여 제거 대상층을 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판을 처리하기 위한 기판 처리실과, 상기 기판 처리실에 설치되며, 상기 기판을 유지하기 위한 기판 유지 수단과, 상기 기판 유지 수단으로 유지된 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 상기 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하는 혼합액 공급 수단과, 상기 기판에 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 OH기 공급 수단을 가지며, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 혼합액과 OH기가 상기 기판 상에서 혼합되었을 때에 상기 하지층에 손상을 주지 않는 양의 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 혼합액 공급 수단으로부터 혼합액이 공급되는 부분에 국부적으로 상기 OH기를 공급하도록 구성하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동하는 상기 혼합액 공급 수단의 진행 방향에 대하여 상류측에 설치하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 기판 처리실의 내부에 전체적으로 상기 OH기를 공급하도록 구성하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 양을 줄이는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 온도를 낮추는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액 공급 수단은, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액에 포함되는 과산화수소수의 혼합비를 낮추는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액 공급 수단은, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액의 온도를 낮추는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액 공급 수단은, 상기 혼합액을 불활성 가스에 의해 액적화하는 2유체 노즐을 갖는 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하여 제거 대상층을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 상기 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하고, 상기 기판에 OH기를 포함하는 유체를, 상기 혼합액과 OH기가 상기 기판 상에서 혼합되었을 때에 상기 하지층에 손상을 주지 않는 양으로 공급하여, 상기 제거 대상층을 제거하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기를 상기 혼합액이 공급되는 부분에 국부적으로 공급하는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액이 공급되는 부분을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키고, 이동하는 상기 혼합액이 공급되는 부분의 진행 방향에 대하여 상류측으로 상기 OH기를 공급하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기를 기판 처리실의 내부에 전체적으로 공급하는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 양을 줄이는 것으로 하였다.
또한, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 온도를 낮추는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액에 포함되는 과산화수소수의 혼합비를 낮추는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액의 온도를 낮추는 것으로 하였다.
또한, 상기 혼합액을 불활성 가스에 의해 액적화하여 공급하는 것으로 하였다.
본 발명에서는, 하지층에 손상을 주지 않고 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치를 나타낸 평면도.
도 2는 기판 액처리 장치를 나타낸 측면 모식도.
도 3은 도 2의 동작 설명도(기판 수취 공정).
도 4는 도 2의 동작 설명도(액처리 공정).
도 5는 도 2의 동작 설명도(린스 처리 공정).
도 6은 도 2의 동작 설명도(건조 처리 공정).
도 7은 도 2의 동작 설명도(기판 전달 공정).
도 8은 다른 기판 액처리 장치를 나타낸 측면 모식도.
도 9는 다른 기판 액처리 장치를 나타낸 측면 모식도.
도 10은 다른 기판 액처리 장치를 나타낸 측면 모식도.
도 11은 다른 기판 액처리 장치를 나타낸 측단면 모식도.
도 12는 다른 기판 액처리 장치를 나타낸 측면 모식도.
도 13은 2유체 노즐을 나타낸 측면 모식도.
도 14는 도 13의 저면도.
도 15는 도 13의 평면 단면도.
이하에, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 구체적인 구성에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 전단부에 반입출부(2)를 형성한다. 반입출부(2)에는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(3)(여기서는, 반도체 웨이퍼)을 수용한 캐리어(4)가 반입 및 반출된다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 반입출부(2)의 뒷부분에 반송부(5)를 형성한다. 반송부(5)는, 앞쪽에 기판 반송 장치(7)를 배치하고, 뒤쪽에 기판 전달대(8)를 배치한다. 반송부(5)에서는, 반입출부(2)에 배치된 어느 하나의 캐리어(4)와 기판 전달대(8) 사이에서 기판 반송 장치(7)를 이용하여 기판(3)을 반송한다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 반송부(5)의 뒷부분에 처리부(9)를 형성한다. 처리부(9)는, 중앙에 전후로 연장되는 기판 반송 장치(10)를 배치하고, 기판 반송 장치(10)의 좌우 양측에, 기판 액처리 장치(11)를 전후로 나란히 배치한다. 처리부(9)에서는, 반송부(5)의 기판 전달대(8)와 기판 액처리 장치(11) 사이에서 기판 반송 장치(10)를 이용하여 기판(3)을 반송하고, 기판 액처리 장치(11)를 이용하여 기판(3)의 액처리를 행한다.
기판 액처리 장치(11)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(3)을 유지하기 위한 기판 유지 수단(12)과, 기판(3)에 황산과 과산화수소수의 혼합액[SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:황산과산화수소수)]을 공급하여 기판(3)의 액처리를 행하기 위한 혼합액 공급 수단(13)과, 기판(3)에 공급된 혼합액에 OH기를 포함하는 유체(순수)를 공급하기 위한 OH기 공급 수단(14)과, 기판(3)에 린스액(순수)을 공급하여 기판(3)의 린스 처리를 행하기 위한 린스액 공급 수단(15)을 수용하고 있다.
기판 유지 수단(12)은, 기판 처리실(16)의 내부에 상하로 연장되는 회전축(17)을 설치하여, 회전축(17)의 상단부에 원판형의 턴테이블(18)을 수평으로 부착하고, 턴테이블(18)의 상면 외주부에 기판 유지체(19)를 원주 방향으로 간격을 두고 부착하고 있다. 턴테이블(18)[기판(3)]의 외주 바깥쪽에는, 기판(3)에 공급한 혼합액이나 OH기를 함유하는 유체나 린스액을 회수하기 위한 컵(20)을 설치하고 있다. 또한, 컵(20)에는, 회수한 혼합액 등을 외부에 폐기하는 드레인(63)을 접속하고 있다.
이 기판 유지 수단(12)은, 회전축(17)에 기판 회전 기구(21)를 접속하고, 기판 회전 기구(21)에 의해 회전축(17)을 회전시키며, 그것에 따라, 기판 유지체(19)에 의해 수평으로 유지한 기판(3)을 회전시킨다. 기판 회전 기구(21)는, 제어 수단(22)에 의해 구동 제어된다. 또한, 제어 수단(22)은, 기판 처리 장치(1)의 전체를 구동 제어한다. 또한, 제어 수단(22)에는 턴테이블(18)에 배치한 기판(3)을 승강시키기 위한 기판 승강 기구(도시 생략)가 접속되어 있다.
혼합액 공급 수단(13)은, 기판 처리실(16)의 내부에 상하로 연장되는 지지축(23)을 설치하여, 지지축(23)의 상단부에 아암(24)을 수평으로 부착하고, 아암(24)의 선단부에 혼합액 공급 노즐(25)을 토출구를 아래쪽으로 향하게 하여 부착하고 있다.
이 혼합액 공급 수단(13)은, 지지축(23)에 노즐 회전 기구(26)를 접속하고, 노즐 회전 기구(26)에 의해 지지축(23)을 회전시키며, 그것에 따라, 혼합액 공급 노즐(25)을 기판(3)의 외주부 바깥쪽의 후퇴 위치로부터 기판(3)의 중심부 위쪽의 공급 위치까지 기판(3)의 위쪽을 이동시킨다. 노즐 회전 기구(26)는, 제어 수단(22)에 의해 구동 제어된다.
또한, 혼합액 공급 수단(13)은, 혼합액 공급 노즐(25)에 혼합액 공급관(27)을 통해 혼합기(28)를 접속하고, 혼합기(28)에 황산 공급 수단(29)과 과산화수소수 공급 수단(30)을 접속하고 있다. 또한, 혼합기(28)는, 혼합액 공급관(27)에 황산과 과산화수소수를 혼합하여 공급할 수 있으면 좋고, 조인트여도 교반 혼합 장치여도 좋다.
황산 공급 수단(29)은 황산을 공급하기 위한 황산 공급원(32)을 황산 공급관(33)을 통해 혼합기(28)에 접속하고 있다. 황산 공급관(33)에는, 유량 조정 밸브(34)와 개폐 밸브(35)가 끼워져 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(34)와 개폐 밸브(35)는, 제어 수단(22)에 의해 유량 제어 및 개폐 제어된다. 또한, 황산 공급관(33)에는, 온도 조정기(31)가 끼워져 설치되어 있다. 온도 조정기(31)는, 제어 수단(22)에 의해 온도 제어된다. 또한, 황산 공급 수단(29)으로부터 공급되는 황산의 온도는, 온도 조정기(31)로 제어되지만, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 공급되는 혼합액의 온도는, 황산의 온도나 과산화수소수와의 혼합 비율 등에 의해 제어된다.
과산화수소수 공급 수단(30)은, 과산화수소수를 공급하기 위한 과산화수소수 공급원(36)을 과산화수소수 공급관(37)을 통해 혼합기(28)에 접속하고 있다. 과산화수소수 공급관(37)에는, 유량 조정 밸브(38)와 개폐 밸브(39)가 끼워져 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(38)와 개폐 밸브(39)는 제어 수단(22)에 의해 유량 제어 및 개폐 제어된다.
그리고, 혼합액 공급 수단(13)은, 황산 공급 수단(29)으로부터 공급되는 황산과 과산화수소수 공급 수단(30)으로부터 공급되는 과산화수소수를 정해진 비율(예컨대, 황산:과산화수소수=20:1)로 혼합하여 혼합액을 생성하고, 그 혼합액을 정해진 온도(예컨대, 150℃)로 혼합액 공급 노즐(25)로부터 기판(3)을 향해 공급한다.
OH기 공급 수단(14)은, 기판 처리실(16)의 내부에 OH기 공급 노즐(40)을 토출구를 아래쪽으로 향하게 하여 부착하고, OH기 공급 노즐(40)에 OH기 공급관(41)을 통해 OH기를 포함하는 유체(OH기 함유 유체. 여기서는, 순수)를 공급하기 위한 OH기 함유 유체 공급원(42)을 접속하고 있다. OH기 공급관(41)에는, 유량 조정 밸브(43)와 개폐 밸브(44)와 온도 조정기(45)가 끼워져 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(43)와 개폐 밸브(44)는 제어 수단(22)에 의해 유량 제어 및 개폐 제어된다. 온도 조정기(45)는 제어 수단(22)에 의해 온도 제어된다. 여기서는, OH기 공급 노즐(40)로서 미세한 액적을 생성하는 1유체 노즐을 이용하고 있다. 또한, OH기 공급 노즐(40)은, 토출구를 아래쪽으로 향하게 한 경우에 한정되지 않고, 토출구를 옆쪽으로 향하게 하여도 좋다.
OH기 공급 수단(14)은 OH기를 포함하는 유체를 정해진 온도(예컨대, 50℃)로 OH기 공급 노즐(40)로부터 기판 처리실(16)의 내부를 향해 분무한다.
린스액 공급 수단(15)은, 기판 처리실(16)의 내부에 상하로 연장되는 지지축(46)을 설치하여, 지지축(46)의 상단부에 아암(47)을 수평으로 부착하고, 아암(47)의 선단부에 린스액 공급 노즐(48)을 토출구를 아래쪽으로 향하게 하여 부착하고 있다.
이 린스액 공급 수단(15)은, 지지축(46)에 노즐 회전 기구(49)를 접속하고, 노즐 회전 기구(49)에 의해 지지축(46)을 회전시키며, 그것에 따라, 린스액 공급 노즐(48)을 기판(3)의 외주부 바깥쪽의 후퇴 위치로부터 기판(3)의 중심부 위쪽의 공급 위치까지 기판(3)의 위쪽을 이동시킨다. 노즐 회전 기구(49)는 제어 수단(22)에 의해 구동 제어되어 있다.
또한, 린스액 공급 수단(15)은, 린스액 공급 노즐(48)에 린스액 공급관(50)을 통해 린스액을 공급하기 위한 린스액 공급원(51)을 접속하고 있다. 린스액 공급관(50)에는, 유량 조정 밸브(52)와 개폐 밸브(53)가 끼워져 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(52)와 개폐 밸브(53)는, 제어 수단(22)에 의해 유량 제어 및 개폐 제어된다.
상기 기판 액처리 장치(11)에는, 기판 처리실(16)의 내부 환기(흡기 및 배기)를 행하기 위한 환기 수단(55)이 설치되어 있다.
환기 수단(55)은 기판 처리실(16)의 상부에 팬 유닛(56)을 설치하고 있다. 이 팬 유닛(56)은 기판 처리실(16)의 내부에 청정화된 공기를 공급한다. 또한, 환기 수단(55)은, 컵(20)에 제1 배기 유닛(57)을 접속하고, 기판 처리실(16)에 제2 배기 유닛(58)을 접속하고 있다. 이 제1 배기 유닛(57)은, 컵(20)의 내부[기판(3)의 근방]의 공기를 컵(20)의 외부로 배출한다. 제2 배기 유닛(58)은, 기판 처리실(16)의 내부 공기를 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출한다. 또한, 환기 수단(55)은, 기판 처리실(16)의 내부[기판(3)의 근방]에 습도 검출기(59)를 설치하고 있다. 이들 팬 유닛(56), 제1 및 제2 배기 유닛(57, 58)은, 제어 수단(22)에 의해 습도 검출기(59)의 검출 결과에 기초하여 구동 제어된다.
기판 처리 장치(1)는, 이상으로 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 제어 수단(22)(컴퓨터)으로 판독 가능한 기록 매체(54)에 기록한 기판 처리 프로그램에 따라 각 기판 액처리 장치(11)로 기판(3)을 액처리한다. 여기서는, 질화막으로 이루어진 하지층의 표면에 레지스트층으로 이루어진 제거 대상층이 형성된 기판(3)에 대하여 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하여 제거 대상층을 제거하는 액처리를 행한다. 또한, 기록 매체(54)는, 기판 처리 프로그램 등의 각종 프로그램을 기록할 수 있는 매체이면 좋고, ROM이나 RAM 등의 반도체 메모리형의 기록 매체여도 하드디스크나 CD-ROM 등의 디스크형의 기록 매체여도 좋다.
우선, 기판 처리 장치(1)는, 기판 반송 장치(10)에 의해 반송되는 기판(3)을 기판 액처리 장치(11)로 수취하는 기판 수취 공정을 실행한다(도 3 참조).
기판 수취 공정에서는, 기판 유지 수단(12)의 기판 승강 기구에 의해 턴테이블(18)을 정해진 위치까지 상승시킨다. 그리고, 기판 반송 장치(10)로부터 기판 처리실(16) 내부로 반송된 1장의 기판(3)을 기판 유지체(19)에 의해 수평으로 유지한 상태로 수취한다. 그 후, 기판 승강 기구에 의해 턴테이블(18)을 정해진 위치까지 강하시킨다. 또한, 혼합액 공급 노즐(25)과 린스액 공급 노즐(48)은, 턴테이블(18)의 외주부 바깥쪽의 후퇴 위치로 후퇴시켜 둔다. 또한, 환기 수단(55)에 의해 팬 유닛(56)과 제1 및 제2 배기 유닛(57, 58)을 구동시켜 둔다.
다음으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판(3)의 표면을 혼합액으로 처리하는 액처리 공정을 실행한다(도 4 참조).
액처리 공정에서는, 혼합액 공급 수단(13)의 노즐 회전 기구(26)에 의해 지지축(23)을 회동시켜 혼합액 공급 노즐(25)을 기판(3)의 중심부 위쪽의 공급 위치로 이동시킨다. 또한, 기판 유지 수단(12)의 기판 회전 기구(21)에 의해 턴테이블(18)을 회전시킴으로써 기판(3)을 회전시킨다. 그 후, 혼합액 공급 수단(13)의 개폐 밸브(35, 39)를 개방하고, 유량 조정 밸브(34, 38)로 조정된 유량의 황산과 과산화수소수를 혼합기(28)로 혼합하여, 혼합액을 온도 조정기(31)로 조정된 온도로 혼합액 공급 노즐(25)로부터 기판(3)의 표면을 향해 토출시킨다. 또한, 혼합액 공급 수단(13)의 노즐 회전 기구(26)에 의해 혼합액 공급 노즐(25)을 기판(3)을 따라 수평으로 왕복 이동시킨다. 여기서, 환기 수단(55)에 의해 팬 유닛(56)과 제1 및 제2 배기 유닛(57, 58)의 흡배기량을 기판 수취 공정 및 나중의 린스 처리 공정에 비하여 저감시킨다. 이에 따라, 기판(3) 근방의 습도를 일정하게 유지한다. 또한, 액처리 공정의 마지막에 있어서, 혼합액 공급 수단(13)의 노즐 회전 기구(26)에 의해 지지축(23)을 회동시켜 혼합액 공급 노즐(25)을 기판(3)의 외주부 바깥쪽의 후퇴 위치로 이동시킨다. 또한, 개폐 밸브(35, 39)를 폐색하여, 황산 및 과산화수소수(혼합액)의 토출을 정지시킨다.
이 액처리 공정에서는, 혼합액 공급 수단(13)에 의해 혼합액을 기판(3)에 공급시킬 때에, OH기 공급 수단(14)의 개폐 밸브(44)를 개방하고, 유량 조정 밸브(43)로 조정된 유량의 OH기 함유 유체를 정해진 온도로 OH기 공급 노즐(40)로부터 기판 처리실(16)의 내부를 향해 분무시킨다. 또한, 액처리 공정의 마지막에 있어서, OH기 공급 수단(14)의 개폐 밸브(44)를 폐색하여 OH기 함유 유체의 분무를 정지시킨다.
여기서, 혼합액 공급 수단(13)은, 황산과 과산화수소수의 혼합액을 기판(3)의 표면에 형성된 하지층에 손상을 주지 않는 온도(예컨대, 150℃) 및 과산화수소수의 혼합비(예컨대, 황산:과산화수소수=20:1)로 공급한다. 또한, 혼합액의 온도는 100℃∼180℃가 바람직하다. 또한, 혼합비는 황산:과산화수소수=10:1∼25:1이 바람직하다.
또한, OH기 공급 수단(14)은, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 기판(3)에 공급된 혼합액과 OH기 함유 유체에 포함되는 OH기가 기판(3)의 표면 상에서 혼합되었을 때에 기판(3)의 하지층에 손상을 주지 않는 양의 OH기 함유 유체를 기판(3)의 하지층에 손상을 주지 않는 온도(예컨대, 50℃)로 공급한다. 또한, OH기 함유 유체는, 순수에 한정되지 않고 오존수 등이어도 좋고, 액적에 한정되지 않고 증기 등이어도 좋다. 또한, OH기 함유 유체의 온도는, 혼합액의 온도 이하가 바람직하고, 20℃∼60℃가 보다 바람직하다.
기판(3)에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하면, 황산과 과산화수소수의 혼합(반응)에 의해 OH 라디칼이나 카로산(H2SO5) 등의 반응종이 생성된다. 이들 반응종의 작용으로 하지층의 표면에 형성된 제거 대상층을 제거할 수 있다. 그 때에, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 공급하는 혼합액에 OH기 함유 유체가 공급되면, 기판(3)의 표면 근방에 있어서, 황산과 과산화수소수의 혼합에 의해 생성되는 OH 라디칼 등의 반응종이 증대한다. 이에 따라, 제거 대상층의 제거 능력을 향상시킬 수 있어, 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다. 그리고, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 기판(3)의 표면에 형성된 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 혼합액을 공급하고, OH기 공급 수단(14)으로부터 기판(3)에 OH기 함유 유체를, 혼합액과 OH기가 혼합되었을 때에 기판(3)의 하지층에 손상을 주지 않는 양으로 공급한 경우에는, 기판(3)의 하지층에 손상을 주지 않고, 즉, 하지층의 필름 손실을 억제하면서, 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다.
다음으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판(3)의 표면을 린스액으로 처리하는 린스 처리 공정을 실행한다(도 5 참조).
린스 처리 공정에서는, 린스액 공급 수단(15)의 노즐 회전 기구(49)에 의해 지지축(46)을 회동시켜 린스액 공급 노즐(48)을 기판(3)의 중심부 위쪽의 공급 위치로 이동시킨다. 또한, 기판 유지 수단(12)의 기판 회전 기구(21)에 의해 턴테이블(18)을 회전시킴으로써 기판(3)을 회전시킨다. 그 후, 린스액 공급 수단(15)의 개폐 밸브(53)를 개방하고, 유량 조정 밸브(52)로 조정된 유량의 린스액을 린스액 공급 노즐(48)로부터 기판(3)의 표면을 향해 토출시킨다. 또한, 린스액 공급 수단(15)의 노즐 회전 기구(49)에 의해 린스액 공급 노즐(48)을 기판(3)을 따라 수평으로 왕복 이동시킨다. 여기서, 환기 수단(55)에 의해 팬 유닛(56)과 제1 및 제2 배기 유닛(57, 58)의 흡배기량을 앞선 액처리 공정에 비하여 증대시킨다. 이에 따라, 기판 처리실(16)의 내부를 신속하게 환기시킬 수 있기 때문에, 나중의 건조 처리 공정에 있어서 기판(3)의 건조를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 린스 처리 공정의 마지막에 있어서, 린스액 공급 수단(15)의 노즐 회전 기구(49)에 의해 지지축(46)을 회동시켜 린스액 공급 노즐(48)을 기판(3)의 외주부 바깥쪽의 후퇴 위치로 이동시킨다. 또한, 개폐 밸브(53)를 폐색하여 린스액의 토출을 정지시킨다.
다음으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판(3)을 회전시킴으로써 기판(3)의 표면으로부터 린스액을 비산시켜 제거하는 건조 처리 공정을 실행한다(도 6 참조).
건조 처리 공정에서는, 기판 유지 수단(12)의 기판 회전 기구(21)에 의해 턴테이블(18)을 회전시킴으로써 기판(3)을 회전시킨다. 기판(3)을 회전시킴으로써 기판(3)의 표면에 잔류하는 린스액을 회전하는 기판(3)의 원심력에 의해 비산시키고, 기판(3)의 표면으로부터 린스액을 제거하여 건조시킨다.
마지막으로, 기판 처리 장치(1)는, 기판(3)을 기판 액처리 장치(11)로부터 기판 반송 장치(10)로 전달하는 기판 전달 공정을 실행한다(도 7 참조).
기판 전달 공정에서는, 기판 유지 수단(12)의 기판 회전 기구(21)에 의해 턴테이블(18)의 회전을 정지시키고, 기판 승강 기구에 의해 턴테이블(18)을 정해진 위치까지 상승시킨다. 그리고, 턴테이블(18)로 유지한 기판(3)을 기판 반송 장치(10)에 전달한다. 그 후, 기판 승강 기구에 의해 턴테이블(18)을 정해진 위치까지 강하시킨다. 또한, 혼합액 공급 노즐(25)과 린스액 공급 노즐(48)은, 턴테이블(18)의 외주부 바깥쪽의 후퇴 위치로 후퇴시켜 둔다.
이상으로 설명한 바와 같이, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 기판(3)을 처리하기 위한 기판 처리실(16)과, 기판 처리실(16)에 설치되며, 기판(3)을 유지하기 위한 기판 유지 수단(12)과, 기판 유지 수단(12)으로 유지된 기판(3)에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하는 혼합액 공급 수단(13)과, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 기판(3)에 공급된 혼합액에 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 OH기 공급 수단(14)을 갖는다.
그리고, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판(3)에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하여 제거 대상층을 제거한다.
그 때에, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 혼합액을 기판(3)의 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하고, OH기 공급 수단(14)으로부터 기판(3)에 OH기 함유 유체를, 혼합액과 OH기가 혼합되었을 때에 기판(3)의 하지층에 손상을 주지 않는 양으로 공급한다.
이에 따라, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 기판(3)의 표면에 형성한 하지층에 손상을 주지 않고 하지층의 표면에 형성한 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다.
OH기 공급 수단(14)은, 상기 구성에 한정되지 않고, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 기판(3)에 OH기를 포함하는 유체를 공급할 수 있으면 좋다.
즉, OH기 공급 노즐(40)은, 상기 기판 처리 장치(1)와 같이 기판(3)에 액적형의 OH기 함유 유체를 공급하는 경우로 한정되지 않는다.
예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, OH기 공급 노즐(40)에 수증기 발생 장치(60)를 접속하여 OH기 공급 노즐(40)로부터 기판(3)에 증기형의 OH기 함유 유체를 공급하도록 하여도 좋다.
또한, OH기 공급 노즐(40)을 고정시키지 않고 이동 가능하게 하여도 좋다. 그 경우에, OH기 공급 노즐(40)에 혼합액 공급 노즐(25)과 마찬가지로 전용의 노즐 회전 기구 등을 설치하여도 좋지만, 도 9에 도시된 바와 같이, OH기 공급 노즐(40)을 혼합액 공급 노즐(25)과 연결하여 혼합액 공급 노즐(25)의 노즐 회전 기구(26)에 의해 OH기 공급 노즐(40)도 이동시키도록 하여도 좋다. OH기 공급 노즐(40)을 고정시킨 경우에는, 기판 처리실(16)의 내부에 전체적으로 OH기 함유 유체를 공급할 수 있지만, OH기 공급 노즐(40)을 이동 가능하게 한 경우에는, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 기판(3)에 혼합액이 공급되는 부분에 국부적으로 OH기 함유 유체를 공급할 수 있고, 국부적으로 보다 많은 OH기가 공급됨으로써 제거 대상층에 대한 제거 성능을 향상시킬 수 있으며, OH기 함유 유체의 소비량을 저감시킬 수 있다.
또한, OH기 공급 노즐(40)은, OH기 함유 유체를 액적형, 안개형, 증기형 등의 형태로 토출할 수 있으면 좋고, 1유체 노즐에 한정되지 않고 질소 등의 기체와 함께 OH기 함유 유체를 토출하는 2유체 노즐이어도 좋으며, 초음파 진동자에 의해 OH기 함유 유체를 안개형으로 분무하는 구성의 것이어도 좋다. 또한, OH기 공급 노즐(40)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 수직 방향으로 연장되는 원통형 노즐에 한정되지 않고, 수평 방향으로 연장되는 바에 복수의 토출구를 나란히 형성한 바 노즐이어도 좋다. 또한, 혼합액 공급 노즐(25)도, 1유체 노즐, 2 유체 노즐, 바 노즐 등이어도 좋다.
또한, OH기 공급 노즐(40)이나 혼합액 공급 노즐(25)은, 기판(3)의 표면 전역에 OH기 함유 유체나 혼합액을 공급할 수 있으면 좋다. 그 경우에, 기판(3)에 대하여 상대적으로 OH기 공급 노즐(40)이나 혼합액 공급 노즐(25)을 이동시켜도 좋다. 예컨대, 기판(3)과 OH기 공급 노즐(40)이나 혼합액 공급 노즐(25)을 이동 가능하게 하여도 좋고(도 2 참조), 기판(3)만을 이동 가능하게 하여도 좋으며[도 10의 (a) 참조], OH기 공급 노즐(40)이나 혼합액 공급 노즐(25)만을 노즐 회전 기구(61)로 회전 가능하게 하거나[도 10의 (b) 참조], OH기 공급 노즐(40)이나 혼합액 공급 노즐(25)만을 노즐 이동 기구(62)로 이동 가능하게 하여도 좋다[도 10의 (c) 참조]. 이 경우, OH기 공급 노즐(40)은, 기판(3)에 대하여 상대적으로 이동하는 혼합액 공급 노즐(25)보다 상류측에 설치한 쪽이 보다 효율적으로 OH기를 혼합액에 공급할 수 있다.
또한, OH기 공급 노즐(40)이나 혼합액 공급 노즐(25)은, 각각 별개의 부재로 설치한 경우에 한정되지 않고, 도 11에 도시된 바와 같이, 일체화시킨 2유체 노즐로 구성할 수도 있다. 이 경우에, 중앙의 토출구로부터 질소 가스 등의 캐리어 가스에 혼입시킨 OH기 함유 유체를 토출하고, 그 주위의 토출구로부터 황산과 과산화수소수의 혼합액을 토출하도록 하여도 좋다.
또한, OH기 공급 수단(14)은, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 혼합액을 기판(3)에 공급하기 전에 OH기 함유 유체를 공급하여도 좋고, 혼합액 공급 수단(13)에 의한 혼합액의 공급과 동시에 OH기 함유 유체를 공급하여도 좋다. 또한, OH 공급 수단(14)으로부터 기판 처리실(16)의 내부에 전체적으로 OH기를 공급하는 경우에는, 혼합액 공급 수단(13)으로부터 혼합액을 기판(3)에 공급하기 전에 OH기 함유 유체를 공급해 두는 쪽이 바람직하다.
또한, 기판 액처리 장치(11)는, OH기 공급 수단(14)에 의한 OH기 함유 유체의 공급 개시로부터 공급 정지까지의 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기(OH기 함유 유체)의 양을 줄이거나 온도를 낮추도록 제어하여도 좋다.
즉, 제거 대상층이 두꺼운 단계에서, 경화막을 제거 능력이 높은 상태로 제거하고, 제거 대상층이 얇아져서 하지층이 노출되기 시작하는 OH기 함유 유체의 공급 정지에 가까운 단계에서, 경화막에 대한 제거 능력을 떨어뜨린 상태로 제거하여도 좋다.
예컨대, OH기 함유 유체의 공급 개시 직후에 비하여, 공급 정지 직전에 공급하는 OH기(OH기 함유 유체)의 양을 줄이거나 온도를 낮추도록 제어한다.
이 경우에는, 공급 개시 직후에 제거 대상층의 표면에 형성되는 경화막을 비교적 제거 능력이 높은 상태로 제거할 수 있고, 하지층에 손상을 주지 않고 신속하게 제거 대상층을 제거할 수 있다. 이것은, 혼합액 공급 수단(12)에 의한 혼합액의 공급 개시로부터 공급 정지까지의 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액에 포함되는 과산화수소수의 혼합비나 혼합액의 온도를 낮추는 제어를 행함으로써도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 온도 등은, 서서히 낮추어도 좋고, 단계적으로 낮추어도 좋다.
또한, 기판 액처리 장치(11)에서는, 습도 검출기(59)로 검출되는 기판(3) 근방의 습도에 따라 환기 수단(55)을 제어하여 기판(3) 근방의 습도를 일정하게 유지하도록 하여도 좋다. 예컨대, 표 1에 나타낸 예비적 실험의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 황산과 과산화수소수의 혼합액의 혼합비(황산:과산화수소수)가 6:1이고, 온도가 214℃인 경우, 습도가 20%에서도 제거 대상층은 양호하게 제거할 수 있어도 하지층에 큰 손상을 주게 되지만, 혼합비가 20:1이고 온도가 154℃인 경우, 하지층에의 손상은 막을 수 있지만, 습도가 20%에서는 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 없으며, 습도가 53%에서 개선이 보이며, 습도가 80%에서는 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다. 그 때문에, 기판(3) 근방의 습도가 60% 이상이 되도록 제어함으로써, 하지층에 손상을 주지 않고 제거 대상층을 양호하게 제거할 수 있다.
Figure pat00001
또한, 도 12에 도시된 기판 액처리 장치(11)에서는, 혼합액 공급 수단(13)으로서 액적형의 혼합액을 공급하는 구성으로 하고 있다. 또한, 이하에 설명하는 도 12 내지 도 15에 도시된 기판 액처리 장치(11)에서는, 도 2 등에 도시한 기판 액처리 장치(11)와 동일한 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다.
혼합액 공급 수단(13)은, 도 12에 도시된 바와 같이, 아암(24)의 선단부에 혼합액 공급 노즐로서의 2유체 노즐(60)을 부착하고 있다. 2유체 노즐(60)에는, 액체형의 혼합액을 공급하기 위한 혼합액 공급 유로(61)와, 기체형의 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 유로(62)가 접속되어 있다.
혼합액 공급 유로(61)는, 2유체 노즐(60)에 혼합액 공급관(27)을 통해 혼합기(28)를 접속하고, 혼합기(28)에 황산 공급 수단(29)과 과산화수소수 공급 수단(30)을 접속하고 있다.
불활성 가스 공급 유로(62)는, 2유체 노즐(60)에 불활성 가스 공급관(63)을 통해 불활성 가스(질소 가스)를 공급하기 위한 질소 가스 공급원(64)을 접속하고 있다. 불활성 가스 공급관(63)에는, 유량 조정 밸브(65)와 개폐 밸브(66)가 끼워져 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(65)와 개폐 밸브(66)는, 제어 수단(22)에 의해 유량 제어 및 개폐 제어된다.
2유체 노즐(60)은, 도 13 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 노즐 본체(67)의 내부에 혼합액을 흐르게 하는 액체 유로(68)를 형성하고 있다. 이 노즐 본체(67)의 외주부에 노즐 커버(69)를 부착하고, 노즐 본체(67)의 외주 오목부와 노즐 커버(69)의 내주부 사이에 불활성 가스를 흐르게 하는 기체 유로(70)를 형성하고 있다.
액체 유로(68)는, 노즐 본체(67)의 상부에 형성한 액체 유입구(71)에 혼합액 공급 유로(61)를 접속하고 있다. 노즐 본체(67)의 하단부에는, 원주의 중심으로부터 외주 방향을 향해 비스듬하게 하향으로 경사지는 복수(여기서는, 32개)의 원구멍 형상의 액체 토출구(72)를 동일 원주 상에 형성하고, 이들 복수의 액체 토출구(72)로 처리액을 토출하기 위한 액체 토출부(73)를 구성하고 있다. 이에 따라, 2유체 노즐(60)은, 혼합액 공급 유로(61)로부터 공급된 혼합액을 액체 토출부(73)의 각 액체 토출구(72)로부터 원주의 외주 방향을 향해 비스듬하게 하향으로 복수의 미세한 줄기 형상으로 토출할 수 있다. 또한, 액체 토출구(72)는, 액체 유로(68)의 외주단 가장자리에 형성한 입구로부터 액체 유로(68)의 내경보다 외측에 형성한 출구를 향해 방사형으로 형성하고 있기 때문에, 혼합액이 복수의 미세한 줄기 형상으로 액체 유로(68)의 내경보다 넓은 범위로 확산되어 토출된다.
기체 유로(70)는, 노즐 커버(69)의 상부에 형성한 기체 유입구(74)에 불활성 가스 공급 유로(62)를 접속하고 있다. 노즐 본체(67)의 하부에는, 평면에서 보아 시계 방향 아래쪽을 향해 경사지는 복수(여기서는, 6개)의 경사 구멍(75)으로 이루어진 선회류 발생부(76)를 끼워 설치하고, 노즐 본체(67)의 선단부와 노즐 커버(69)의 선단부 사이에 액체 토출부(73)와 동심원 상의 슬릿 형상의 원환 구멍으로 이루어진 기체 토출구(77)를 형성하고 있다. 이에 따라, 2유체 노즐(60)은, 불활성 가스 공급 유로(62)로부터 공급된 기체를 선회류 발생부(76)에서 선회시켜 기체 토출구(77)로부터 아래쪽을 향해 토출한다. 이 때, 기체는 기판(3)에 대하여 대략 수직 방향으로 토출하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 2유체 노즐(60)은, 원주의 외주 방향을 향해 비스듬하게 하향으로 혼합액을 토출하는 복수의 액체 토출구(72)를 동일 원주 상에 배치한 액체 토출부(73)를, 액체 토출부(73)와 동심원으로 배치한 원환형의 기체 토출구(77)의 내측에 형성하고 있다.
그리고, 2유체 노즐(60)은, 액체 토출부(73)의 복수의 액체 토출구(72)로부터 혼합액을 외주 방향으로 비스듬하게 하향으로 토출하고, 슬릿 형상의 기체 토출구(77)로부터 불활성 가스를 아래쪽을 향해 토출한다. 이에 따라, 액체 토출부(73) 및 기체 토출구(77)의 아래쪽 근방에서 혼합액과 불활성 가스가 충돌하고, 불활성 가스의 토출 압력에 의해 혼합액이 분산되어 안개형의 혼합액의 액적이 형성되며, 그 혼합액의 액적을 기판(3)의 표면에 분무한다. 이 때, 혼합액이 복수의 미세한 줄기 형상으로 토출되기 때문에, 불활성 가스와 혼합액과의 접촉 면적이 커지고, 입경이 작은 액적을 균일하게 효율적으로 형성할 수 있다. 또한, 슬릿 형상의 기체 토출구(77)로부터 불활성 가스를 토출하기 때문에, 줄기 형상으로 토출되는 혼합액에 대하여 균일하게 불활성 가스를 충돌시킬 수 있어, 균일한 액적을 생성할 수 있다. 그리고, 혼합액의 균일한 액적을 기판(3)에 분무함으로써, 물리력이 가해져 제거 대상층의 표면에 형성되는 경화막을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
여기서, 2유체 노즐(60)은, 처리액을 액체 토출구(72)로부터 토출시켰을 때에, 각 액체 토출구(72)로부터 토출된 혼합액 사이에 발생하는 부압에 의해 가까이 당겨져 혼합액끼리가 접촉하지 않도록, 인접한 액체 토출구(72)의 간격을 정해진 거리 이상으로 이격하여 형성하고 있다. 구체적으로는, 인접한 액체 토출구(72)의 외주단의 간격을 액체 토출구(72)의 개구 직경 이상이 되도록 형성하고 있다. 이에 따라, 복수의 미세한 줄기 형상으로 토출한 혼합액끼리가 접촉하여 굵은 원기둥 형상으로 되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 입경이 작은 액적을 균일하게 생성할 수 있다.
또한, 2유체 노즐(60)은, 처리액을 액체 토출구(72)로부터 토출시켰을 때에 각 액체 토출구(72)로부터 토출된 직후에 혼합액과 불활성 가스가 충돌하도록, 액체 토출부(73)의 액체 토출구(72)와 기체 토출구(77)와의 간격을 정해진 거리 이하로 가깝게 하여 형성하고 있다. 구체적으로는, 각 액체 토출구(72)로부터 토출된 혼합액끼리가 접촉하지 않는 상태로 불활성 가스와 충돌하는 거리에 형성하고 있다. 이에 따라, 혼합액이 복수의 미세한 줄기 형상인 상태로 불활성 가스와 충돌하게 되기 때문에, 입경이 작은 액적을 균일하게 생성할 수 있다. 또한, 혼합액의 토출 각도에 어긋남이 생기면 혼합액과 불활성 가스가 충돌하는 높이의 편차가 생길 우려가 있지만, 혼합액을 액체 토출구(72)로부터 토출된 직후에 불활성 가스와 충돌시킴으로써 충돌 높이의 편차를 억제할 수 있다. 이와 같이 하여, 혼합액과 불활성 가스가 충돌할 때의 상태의 편차를 억제함으로써, 균일한 액적을 생성할 수 있다.
또한, 2유체 노즐(60)은, 인접한 액체 토출구(72)로부터 토출된 혼합액끼리가 접촉하여 혼합액이 원기둥 형상이 되면 혼합액의 액적을 균일하게 또한 소직경으로 형성할 수 없게 된다. 그 때문에, 인접한 액체 토출구(72)로부터 토출된 혼합액끼리가 접촉하지 않는 유량 및 유속으로 처리액 및 기체를 토출하도록 하여, 혼합액의 액적을 균일하게 또한 소직경으로 형성한다. 또한, 여기서는, 과산화수소수를 1분 동안에 10 ㎖ 공급하고, 황산을 1분 동안에 200 ㎖ 공급하며, 불활성 가스를 1분 동안에 40∼80 ℓ(바람직하게는, 60 ℓ) 공급하고 있다. 혼합액이 기판(3)의 표면에 도달한 시점에서의 온도는, 불활성 가스에 의해 냉각되기 때문에 100℃∼120℃가 된다.
또한, 도 12에 도시된 기판 액처리 장치(11)에서는, OH기 공급 수단(14)도 액적형의 OH기 함유 유체를 공급하는 구성으로 하고 있다. 즉, OH기 공급 수단(14)은, 기판 처리실(16)의 내부에 OH기 공급 노즐로서의 2유체 노즐(78)을 부착하고, 2유체 노즐(78)에 액체형의 OH기 함유 유체를 공급하기 위한 OH기 함유 유체 공급 유로(79)와, 기체형의 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 유로(80)를 접속하고 있다. OH기 함유 유체 공급 유로는, 2유체 노즐(78)에 OH기 공급관(41)을 통해 OH기 함유 유체(순수)를 공급하기 위한 OH기 함유 유체 공급원(42)을 접속하고 있다. 불활성 가스 공급 유로(80)는, 2유체 노즐(78)에 불활성 가스 공급관(81)을 통해 불활성 가스(질소 가스)를 공급하기 위한 질소 가스 공급원(82)을 접속하고 있다. 불활성 가스 공급관(81)에는, 유량 조정 밸브(83)와 개폐 밸브(84)가 끼워져 설치되어 있다. 유량 조정 밸브(83)와 개폐 밸브(84)는, 제어 수단(22)에 의해 유량 제어 및 개폐 제어된다. 2유체 노즐(78)은, 도 11에 도시된 구성의 것을 이용할 수 있고, 중앙의 토출구로부터 불활성 가스를 토출하며, 그 주위의 토출구로부터 OH기 함유 유체를 토출한다.
1 : 기판 처리 장치 3 : 기판
12 : 기판 유지 수단 13 : 혼합액 공급 수단
14 : OH기 공급 수단 16 : 기판 처리실

Claims (19)

  1. 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 공급하여 제거 대상층을 제거하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 기판을 처리하기 위한 기판 처리실과,
    상기 기판 처리실에 설치되며, 상기 기판을 유지하기 위한 기판 유지 수단과,
    상기 기판 유지 수단으로 유지된 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 상기 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하는 혼합액 공급 수단과,
    상기 기판에 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 OH기 공급 수단을 가지며,
    상기 OH기 공급 수단은, 상기 혼합액과 OH기가 상기 기판 상에서 혼합되었을 때에 상기 하지층에 손상을 주지 않는 양의 OH기를 포함하는 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 혼합액 공급 수단으로부터 혼합액이 공급되는 부분에 국부적으로 상기 OH기를 공급하도록 구성한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동하는 상기 혼합액 공급 수단의 진행 방향에 대하여 상류측에 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 기판 처리실의 내부에 전체적으로 상기 OH기를 공급하도록 구성한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 양을 줄이는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 OH기 공급 수단은, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 온도를 낮추는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합액 공급 수단은, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액에 포함되는 과산화수소수의 혼합비를 낮추는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합액 공급 수단은, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액의 온도를 낮추는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합액 공급 수단은, 상기 혼합액을 불활성 가스에 의해 액적화하는 2유체 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 기판 유지 수단에 의해 유지되며, 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판을 처리하도록 구성된 처리실을 설치하는 단계와,
    상기 제거 대상층을 제거하는 동안에, 혼합액 공급 수단으로부터 상기 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 상기 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하는 단계와,
    OH기 공급 수단으로부터 상기 기판에 OH기를 포함하는 유체를, 상기 혼합액과 OH기가 상기 기판 상에서 혼합되었을 때에 상기 하지층에 손상을 주지 않는 양으로 공급하여, 상기 제거 대상층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 OH기를 상기 혼합액이 공급되는 부분에 국부적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 혼합액이 공급되는 부분을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키고, 이동하는 상기 혼합액이 공급되는 부분의 진행 방향에 대하여 상류측으로 상기 OH기를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 OH기를 기판 처리실의 내부에 전체적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 양을 줄이는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 OH기를 공급하는 동안에, 공급하는 OH기의 온도를 낮추는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액에 포함되는 과산화수소수의 혼합비를 낮추는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합액을 공급하는 동안에, 공급하는 혼합액의 온도를 낮추는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼합액을 불활성 가스에 의해 액적화하여 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 실행시에 컴퓨터에 의해 기판 처리 방법을 수행하게 하는 컴퓨터 프로그램을 저장하는 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    기판 유지 수단에 의해 유지되며, 하지층의 표면에 제거 대상층을 형성한 기판을 처리하도록 구성된 처리실을 설치하는 단계와,
    상기 제거 대상층을 제거하는 동안에, 혼합액 공급 수단으로부터 상기 기판에 황산과 과산화수소수의 혼합액을 상기 하지층에 손상을 주지 않는 온도 및 과산화수소수의 혼합비로 공급하는 단계와,
    OH기 공급 수단으로부터 상기 기판에 OH기를 포함하는 유체를, 상기 혼합액과 OH기가 상기 기판 상에서 혼합되었을 때에 상기 하지층에 손상을 주지 않는 양으로 공급하여, 상기 제거 대상층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 저장하는 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체.
KR1020130070236A 2012-06-22 2013-06-19 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 KR101828103B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012140599 2012-06-22
JPJP-P-2012-140599 2012-06-22
JPJP-P-2012-196610 2012-09-06
JP2012196610A JP5832397B2 (ja) 2012-06-22 2012-09-06 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140000158A true KR20140000158A (ko) 2014-01-02
KR101828103B1 KR101828103B1 (ko) 2018-02-09

Family

ID=49773359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130070236A KR101828103B1 (ko) 2012-06-22 2013-06-19 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9378940B2 (ko)
JP (1) JP5832397B2 (ko)
KR (1) KR101828103B1 (ko)
CN (1) CN103515220B (ko)
TW (1) TWI591686B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI576938B (zh) 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
US9805946B2 (en) * 2013-08-30 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Photoresist removal
JP6371253B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6461636B2 (ja) * 2015-02-18 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10155252B2 (en) 2015-04-30 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus and washing method
KR101776019B1 (ko) * 2015-07-31 2017-09-07 세메스 주식회사 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN105244304B (zh) * 2015-11-11 2018-12-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种带静电液雾清洗装置和清洗方法
KR20170110199A (ko) * 2016-03-22 2017-10-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6691836B2 (ja) * 2016-06-20 2020-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6808423B2 (ja) * 2016-09-28 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液供給方法
US11244841B2 (en) 2017-12-01 2022-02-08 Elemental Scientific, Inc. Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer
JP2022063227A (ja) 2020-10-09 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2022063225A (ja) 2020-10-09 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2022072072A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2022165461A (ja) 2021-04-20 2022-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2023087757A (ja) 2021-12-14 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、基板処理装置および基板処理方法
JP2024011170A (ja) 2022-07-14 2024-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4005326B2 (ja) * 2000-09-22 2007-11-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3947705B2 (ja) * 2002-11-21 2007-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
KR100734669B1 (ko) 2003-08-08 2007-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법 및 그 장치
KR100857297B1 (ko) * 2004-03-01 2008-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리방법 및 상기 처리방법을 제어하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체
JP4986566B2 (ja) * 2005-10-14 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4728402B2 (ja) 2005-11-23 2011-07-20 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド 支持体から物質を除去する方法
JP4839968B2 (ja) * 2006-06-08 2011-12-21 東ソー株式会社 レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法
JP5106800B2 (ja) * 2006-06-26 2012-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4762822B2 (ja) * 2006-08-03 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 薬液混合方法および薬液混合装置
JP2008114183A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP4949064B2 (ja) * 2007-02-15 2012-06-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4963994B2 (ja) * 2007-03-16 2012-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN102623328B (zh) * 2007-05-18 2014-11-26 Fsi国际公司 用水蒸气或蒸汽处理基材的方法
JP5127325B2 (ja) * 2007-07-03 2013-01-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5330793B2 (ja) 2008-10-21 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
JP2010225789A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20110001273A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP2011129651A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および、プログラム
JP2011228438A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Panasonic Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP5460633B2 (ja) * 2010-05-17 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体
JP5668914B2 (ja) * 2010-08-27 2015-02-12 栗田工業株式会社 洗浄方法および洗浄システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR101828103B1 (ko) 2018-02-09
US9378940B2 (en) 2016-06-28
US20130340796A1 (en) 2013-12-26
CN103515220A (zh) 2014-01-15
CN103515220B (zh) 2017-04-12
JP2014027245A (ja) 2014-02-06
TW201413778A (zh) 2014-04-01
JP5832397B2 (ja) 2015-12-16
TWI591686B (zh) 2017-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140000158A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체
JP5732376B2 (ja) ２流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法
US8607807B2 (en) Liquid treatment apparatus and method
JP5470306B2 (ja) ２流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101187104B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
US9396975B2 (en) Liquid treatment apparatus and method
KR102027725B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100949090B1 (ko) 스핀 유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치
TWI620238B (zh) Substrate processing method and substrate processing device
EP2854164A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
US8978671B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20160093517A1 (en) Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and recording medium
CN108292599A (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
JP4357943B2 (ja) 基板処理法及び基板処理装置
JP6009858B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6069398B2 (ja) ２流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法
US20230023792A1 (en) Substrate processing method
JP2005217282A (ja) 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
TW202220027A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2022189496A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2005166956A (ja) 基板処理法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant