KR20130099948A - E-폐기물로부터 귀금속 및 베이스 금속을 회수하는 지속가능한 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 239000010793 electronic waste Substances 0.000 title claims description 81
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 title abstract description 15
- 239000010953 base metal Substances 0.000 title abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 176
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 176
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 168
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 138
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 122
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 113
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 104
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 51
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 33
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 31
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 23
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- -1 glycol compound Chemical class 0.000 claims description 21
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 20
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 18
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 14
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims description 8
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)CO MTVLEKBQSDTQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYLCPPEQLPTIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)COC(C)CO FYYLCPPEQLPTIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000004064 recycling Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 20
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 20
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 20
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 10
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 8
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 6
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 6
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- HRZFUMHJMZEROT-UHFFFAOYSA-L sodium disulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)S([O-])(=O)=O HRZFUMHJMZEROT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229940001584 sodium metabisulfite Drugs 0.000 description 6
- 235000010262 sodium metabisulphite Nutrition 0.000 description 6
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 5
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCLXQTGLKVQKFD-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZCLXQTGLKVQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000036541 health Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNUSZUYTMHKCPM-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyridin-2-one Chemical compound ON1C=CC=CC1=O SNUSZUYTMHKCPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 138-42-1 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLIDQZXQFBZZRI-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetrahydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(S(O)(=O)=O)=C(O)C(O)=C1O RLIDQZXQFBZZRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNUKEKVIHNLAMU-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6-tetrahydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1O UNUKEKVIHNLAMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUESGWAQQFPVIF-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1O RUESGWAQQFPVIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQSNOBRLEUDOAF-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrahydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1O IQSNOBRLEUDOAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIRNCHUTYHSUSR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1 NIRNCHUTYHSUSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFTZGWMGKJYBL-UHFFFAOYSA-N 2,3,6-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1O APFTZGWMGKJYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGEHFOSBNBEWMP-UHFFFAOYSA-N 2,3-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1N UGEHFOSBNBEWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZYDKJOUEPFKMW-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1O VZYDKJOUEPFKMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IORISFYTXJVNFE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1[N+]([O-])=O IORISFYTXJVNFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTONEBGRZQYUKQ-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(S(O)(=O)=O)C=C1O UTONEBGRZQYUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGRLXPDNBRDFQX-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC(N)=C(S(O)(=O)=O)C(N)=C1 MGRLXPDNBRDFQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLYIGXJCYFBIJB-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1 JLYIGXJCYFBIJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBNEJHMNWQEBM-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC(OC)=C(S(O)(=O)=O)C(OC)=C1 RTBNEJHMNWQEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHJVRSWLHSJWIN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O NHJVRSWLHSJWIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVMSQRAXNZPDHF-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(N)=C1 JVMSQRAXNZPDHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPULXEIKKFAUAW-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(O)=C1 GPULXEIKKFAUAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHMCVPMYLSOJH-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(OC)=C1 ZPHMCVPMYLSOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWGBNENHEGYJSN-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitrobenzenesulfonic acid;hydrate Chemical compound O.OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O GWGBNENHEGYJSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEAHMJLHQCESBZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(N)C(S(O)(=O)=O)=C1 HEAHMJLHQCESBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKQCSJBQLWJEPU-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(O)C(S(O)(=O)=O)=C1 IKQCSJBQLWJEPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKPVMVVSUJOBHF-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=C(OC)C(S(O)(=O)=O)=C1 YKPVMVVSUJOBHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHEZBDZMYYAOKR-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC=C1[N+]([O-])=O DHEZBDZMYYAOKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZJVDYQPZOHNIK-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1S(O)(=O)=O ZZJVDYQPZOHNIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVBBSZGKRJZXOY-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1S(O)(=O)=O YVBBSZGKRJZXOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIBYVYTYCPNJJO-UHFFFAOYSA-N 2,6-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=C([N+]([O-])=O)C=CC=C1[N+]([O-])=O JIBYVYTYCPNJJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAZLASMTBCLJKO-UHFFFAOYSA-N 2-decylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O UAZLASMTBCLJKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XATFRRKBXKIIRM-UHFFFAOYSA-N 2-heptylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O XATFRRKBXKIIRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTIFKKWVNGEOBU-UHFFFAOYSA-N 2-hexadecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O CTIFKKWVNGEOBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYSFRXFRWRDPIJ-UHFFFAOYSA-N 2-hexylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O SYSFRXFRWRDPIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IULJSGIJJZZUMF-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O IULJSGIJJZZUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGBQUMZTGSQNAO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(O)=CC=C21 SGBQUMZTGSQNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQBAMYDJEQUGNV-UHFFFAOYSA-N 2-methoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O FQBAMYDJEQUGNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPFCHJIUEHHION-UHFFFAOYSA-N 2-nitronaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C([N+]([O-])=O)C=CC2=C1 WPFCHJIUEHHION-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWHHBVWZZLQUIH-UHFFFAOYSA-N 2-octylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O QWHHBVWZZLQUIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXSFEGIHWMAOD-UHFFFAOYSA-N 2-tridecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O PVXSFEGIHWMAOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCNCOKVOWKMRGJ-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(S(O)(=O)=O)=CC(O)=C1O VCNCOKVOWKMRGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWDWUHBMOIGOA-UHFFFAOYSA-N 3,5-diaminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC(N)=CC(S(O)(=O)=O)=C1 NSWDWUHBMOIGOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYBQHRJTFDLLFL-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(O)=CC(S(O)(=O)=O)=C1 KYBQHRJTFDLLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUKPOIIHWMIVTJ-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(S(O)(=O)=O)=C1 XUKPOIIHWMIVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWSNVFJCKKXKRE-UHFFFAOYSA-N 3,5-dinitrobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1 JWSNVFJCKKXKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOHOVCGREXOMGH-UHFFFAOYSA-N 3-aminonaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 QOHOVCGREXOMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-3,3-difluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(Br)C=C GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZMZJYAMZGWBLB-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 RZMZJYAMZGWBLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDZWHCZLBLCDFR-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 CDZWHCZLBLCDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEUHJXHNSYNMHS-UHFFFAOYSA-N 3-nitronaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC([N+]([O-])=O)=CC2=C1 UEUHJXHNSYNMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDTHXSLCACXSKA-UHFFFAOYSA-N 3-tetradecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 UDTHXSLCACXSKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWYVYUZADLIDEY-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzenesulfonic acid Chemical compound COC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 IWYVYUZADLIDEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPTFZDRBJGXAMT-UHFFFAOYSA-N 4-nonylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 WPTFZDRBJGXAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCDCOJNNUVYFKJ-UHFFFAOYSA-N 4-undecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 UCDCOJNNUVYFKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWTDMFJYBAURQR-UHFFFAOYSA-N 80-82-0 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HWTDMFJYBAURQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMOULMPIIOVTQ-UHFFFAOYSA-N 98-47-5 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 ONMOULMPIIOVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOOADCGQJDGAGA-UHFFFAOYSA-N [amino(dimethyl)silyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N KOOADCGQJDGAGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N ammonium chlorate Chemical compound N.OCl(=O)=O KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012223 aqueous fraction Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- KBKZYWOOZPIUJT-UHFFFAOYSA-N azane;hypochlorous acid Chemical compound N.ClO KBKZYWOOZPIUJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N azane;iodic acid Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)=O ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N azanium;chlorite Chemical compound [NH4+].[O-]Cl=O YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N azanium;periodate Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)(=O)=O URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- HCAJEUSONLESMK-UHFFFAOYSA-N cyclohexylsulfamic acid Chemical compound OS(=O)(=O)NC1CCCCC1 HCAJEUSONLESMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- LFINSDKRYHNMRB-UHFFFAOYSA-N diazanium;oxido sulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]OS([O-])(=O)=O LFINSDKRYHNMRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N diethyldithiocarbamic acid Chemical compound CCN(CC)C(S)=S LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 229940042400 direct acting antivirals phosphonic acid derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004659 dithiocarbamates Chemical class 0.000 description 1
- 229950004394 ditiocarb Drugs 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 235000004554 glutamine Nutrition 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940094952 green tea extract Drugs 0.000 description 1
- 235000020688 green tea extract Nutrition 0.000 description 1
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- IGMBKNUVZFAHJM-UHFFFAOYSA-I hydrogen sulfate;oxido hydrogen sulfate;tetrabutylazanium;sulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.OS(=O)(=O)O[O-].OS(=O)(=O)O[O-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC IGMBKNUVZFAHJM-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 235000005772 leucine Nutrition 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 235000018977 lysine Nutrition 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- WLGDAKIJYPIYLR-UHFFFAOYSA-N octane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCS(O)(=O)=O WLGDAKIJYPIYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I pentasodium;[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl] phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N potassium hypochlorite Chemical compound [K+].Cl[O-] SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000013930 proline Nutrition 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 235000004400 serine Nutrition 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019832 sodium triphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002910 solid waste Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- UUCCCPNEFXQJEL-UHFFFAOYSA-L strontium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Sr+2] UUCCCPNEFXQJEL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001866 strontium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O.C[N+](C)(C)C LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorite Chemical compound [O-]Cl=O.C[N+](C)(C)C FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;periodate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]I(=O)(=O)=O HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 1
- 235000014393 valine Nutrition 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
인쇄된 배선판(printed wire board)으로부터 제거된 전자 구성요소를 재활용하는 방법으로서, 환경 친화적 조성물을 사용하여 상기 전자 구성요소로부터 귀금속 및 베이스 금속을 추출하는 방법이 제공된다. 본원에 기재된 방법 및 조성물을 사용하여 상기 전자 구성요소로부터 적어도 금, 은 및 구리 이온을 추출하여 그들의 각각의 금속으로 환원시킬 수 있다.
Description
본 발명은 일반적으로 인쇄된 배선판을 재활용하는 환경 친화적 방법, 보다 구체적으로 IC 칩 및 (귀금속 및 베이스 금속을 포함하는) 다른 물질로부터 귀금속 및 베이스 금속을 추출하는 환경 친화적 방법에 관한 것이다.
폐기된 또는 손상된 컴퓨터, 컴퓨터 모니터, 텔레비전 수신기, 휴대전화, MP3 플레이어 및 유사한 제품을 포함하는 사용된 전자 장치, 부품 및 구성요소의 처분은 급속한 속도로 증가하고 있다. 일반적으로 전자 장치가 쓰레기 매립지에 버려진 경우 생명체 및 환경에 대한 상당한 위험이 존재한다고 인식되어 있다. 동시에, 부적절한 해체는 수동으로 해체를 수행하는 사람의 건강 및 안전에 상당한 위험을 부가한다는 것이 이해되어 있다.
인쇄된 배선판(PWB)은 많은 전자 시스템의 공통된 구성요소이다. PWB는 전형적으로 섬유유리 플레이트 매트릭스 상에 지지되어 있는 깨끗한 구리 호일 상에 건조 필름을 적층함으로써 제조된다. 상기 필름을 회로판 디자인의 네거티브 필름으로 노출시키고, 에칭기(etcher)를 이용하여 플레이트로부터 비차폐된 구리 호일을 제거한다. 그 다음, 땜납(solder)을 상기 보드의 비에칭된 구리 상에 적용한다. 구체적인 PWB의 사용 및 디자인에 따라, 납, 주석, 니켈, 철, 아연, 알루미늄, 은, 금, 백금 및 수은을 포함하는 다양한 다른 금속들이 제조 과정에서 사용될 수 있다. PWB는 많은 추가 구성요소, 예를 들면, 트랜지스터, 축전기, 열 싱크(heat sinks), IC, 저항기, 집적 스위치(integrated switches), 프로세서 등을 포함한다.
PWB는 일반적으로 그 자신이 내장되어 있는 전자 구성요소로부터 제거되면 거의 쓸모가 없기 때문에 잠재적으로 처리하기 어려운 폐기물이다. 또한, PWB는 전형적으로 위험한 또는 "특수" 폐기 스트림으로서 분류되는 물질들로 구성된다. PWB는 다른 위험하지 않은 고체 폐기 스트림으로부터 분리되어 따로 취급되어야 한다. 폐기물로서 취급되는 PWB는 여러 이용가능한 처분 방법들 중 어느 하나의 이용을 통해 처리되어야 한다. 이들 방법들은 많은 비용이 소요될 뿐만 아니라 상당한 양의 노력 및 전력회사에 의한 취급을 필요로 한다. 더욱이, 이들 처분 방법들 중 몇몇 방법은 폐기 회로판의 파괴를 포함하지 않기 때문에, 전력회사가 부적절한 취급 또는 처분과 관련된 많은 책임도 보유한다.
폐물이 된 전자 폐기물의 계속 증가하는 적재를 통해 원료 물질의 폐기물 및 환경오염에 대항하기 위해 시도하는 다양한 방법들이 제안되었다. PWB에 관한 한, 주요 문제점은 상이한 물질들이 접착되거나, 땜납되거나 함께 고착되어 있다는 사실에 존재한다. 높은 에너지 수요를 요구하는 방법들은 물질들이 재활용될 수 있도록 물질들을 분리하는 것을 필요로 한다. 현재, 이들 방법들은 PWB를 장착된(equipped) 상태, 부분적으로 장착된 상태 및 비장착된 상태로 파쇄하는 단계를 포함한다. 파쇄에 대하여, 처음 2가지 경우는 환경을 고려할 때 우려의 원인이다. 마지막 경우, 구성요소는 땜납제거, 플래닝 다운(planing down), 치즐링 오프(chiselling off), 하향 연삭(grinding down), 습식 화학적 가공(예를 들면, 왕수(aqua regia), 사이안화물 등) 또는 다른 유사한 공정에 의해 제거될 수 있다. 이 후, PWB 또는 그의 조각은 야금 작업에서 연소된다. 이 공정에서, 유리 섬유 및 플라스틱으로 구성된 염기 물질 또는 이와 유사한 물질도 연소된다. PWB의 용융 공정은 에너지 요구가 높아지게 한다. 용융된 금속의 정련도 추가 높은 에너지 및 환경 비친화적 공정, 예컨대, 제련을 요구한다.
본원에 기재된 공정은 전자 폐기물을 재활용하고 이로부터 귀중하고/하거나 위험한 금속을 회수하는 데에 유용하다. 상기 공정은 전자 폐기물에 존재하는 귀중하고/하거나 위험한 금속의 회수를 위한 제련에 대한 대안을 제공한다.
한 양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물(전자 폐기물)로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법이 기재된다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를, 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 첨가제와 접촉시키는 단계.
바람직하게는, 제1 추출 액체는 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함한다. 바람직하게는, 제2 추출 액체는 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함한다. 당업자는 제1 추출 액체가 제2 추출 액체와 동일할 수 있거나 상이할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 바람직한 실시양태에서, 제1 금속은 금을 포함하고, 제2 금속은 은을 포함하고, 제3 금속은 구리를 포함한다.
또 다른 양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법이 기재된다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를 pH 조절제와 접촉시켜 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 단계.
바람직하게는, 제1 추출 액체는 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함한다. 바람직하게는, 제2 추출 액체는 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함한다. 당업자는 제1 추출 액체가 제2 추출 액체와 동일할 수 있거나 상이할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 바람직한 실시양태에서, 제1 금속은 금을 포함하고, 제2 금속은 은을 포함하고, 제3 금속은 구리를 포함한다.
또 다른 양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법이 기재된다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를 제1 추출 액체와 혼화불가능한 유기 성분과 접촉시켜 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 단계.
바람직하게는, 제1 추출 액체는 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함한다. 바람직하게는, 제2 추출 액체는 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함한다. 당업자는 제1 추출 액체가 제2 추출 액체와 동일할 수 있거나 상이할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 바람직한 실시양태에서, 제1 금속은 금을 포함하고, 제2 금속은 은을 포함하고, 제3 금속은 구리를 포함한다.
또 다른 실시양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물로부터 금속을 제거하는 방법이 기재된다:
(a) e-폐기물을, 상기 e-폐기물로부터 2종 이상의 금속 이온을 추출하기 위한 조성물과 접촉시키는 단계;
(b) e-폐기물로부터 추출된 2종 이상의 금속 이온을 개별 금속 이온 분획으로 분리하는 단계; 및
(c) 각각의 금속 이온 분획을 고체 금속으로 환원하는 단계.
다른 양태, 특징 및 장점은 하기 개시내용 및 첨부된 특허청구범위로부터 보다 전체적으로 분명해질 것이다.
도 1은 본원에 기재된 일반적인 분리 공정을 보여준다.
도 2는, 첨가제가 pH 조절제인 분리 공정을 개략적으로 보여준다.
도 3은, 첨가제가 유기 성분인 분리 공정을 개략적으로 보여준다.
도 4는, 제제 D를 사용하는 소규모 연속 추출에서 추출된 Ag, Al, Au, Cu, Fe, Mn, Ni, Pb, Sb, Sn 및 Zn의 백분율을 추출된 금속의 총 질량의 함수로서 보여준다.
도 5는, 제제 D를 사용하는 대규모 연속 추출에서 추출된 Ag, Al, Au, Cu, Fe, Mn, Ni, Pb, Sb, Sn 및 Zn의 백분율을 추출된 금속의 총 질량의 함수로서 보여준다.
도 2는, 첨가제가 pH 조절제인 분리 공정을 개략적으로 보여준다.
도 3은, 첨가제가 유기 성분인 분리 공정을 개략적으로 보여준다.
도 4는, 제제 D를 사용하는 소규모 연속 추출에서 추출된 Ag, Al, Au, Cu, Fe, Mn, Ni, Pb, Sb, Sn 및 Zn의 백분율을 추출된 금속의 총 질량의 함수로서 보여준다.
도 5는, 제제 D를 사용하는 대규모 연속 추출에서 추출된 Ag, Al, Au, Cu, Fe, Mn, Ni, Pb, Sb, Sn 및 Zn의 백분율을 추출된 금속의 총 질량의 함수로서 보여준다.
본 발명은 일반적으로 인쇄된 배선판을 재활용하는 환경 친화적 방법, 보다 구체적으로 인쇄된 배선판으로부터 제거된 구성요소를 재활용하는 환경 친화적 방법에 관한 것이다.
본 개시내용의 목적상, "전자 폐기물" 또는 "e-폐기물"은 유효 수명의 말기에 도달하였거나 달리 처분되어야 하는 컴퓨터, 컴퓨터 모니터, 텔레비전 수신기, 휴대전화, 비디오 카메라, 디지털 카메라, DVD 플레이어, 비디오 게임 콘솔, 팩시밀리 기계, 복사기, MP3 플레이어 및 유사한 제품에 상응한다. 전자 폐기물 또는 e-폐기물은 이들 잘 공지된 물품들, 예컨대, 인쇄된 배선판 내에 함유된 구성요소, 및 이들 상에 함유된 구성요소(예를 들면, 트랜지스터, 축전기, 열 싱크, 집적 회로(IC), 저항기, 집적 스위치, 칩 및 프로세서)를 포함한다.
본원에서 사용된 "금속"은 바람직하게는 인쇄된 배선판으로부터 제거된 구성요소로부터 추출된 귀금속 및 베이스 금속에 상응한다.
본원에서 사용된 "귀금속"은 금속, 예컨대, 금, 은, 백금, 팔라듐, 이들을 포함하는 합금, 및 이들의 조합물을 포함한다.
본원에서 사용된 "베이스 금속"은 철, 니켈, 납, 아연, 이들을 포함하는 합금, 및 이들의 조합물에 상응한다. 본 발명의 목적상, 베이스 금속은 베이스 금속 자체가 아닐지라도 구리, 망간, 주석, 안티몬, 알루미늄, 및 이들을 포함하는 합금 및 이들의 조합물을 추가로 포함한다.
본원에서 "실질적으로 결여된"은 2 중량% 미만, 바람직하게는 1 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.5 중량% 미만, 가장 바람직하게는 0.1 중량% 미만으로서 정의된다. "결여된"은 0 중량%에 상응한다.
본원에서 사용된 "약"은 기재된 값의 ±5%에 상응하기 위한 것이다.
본원에서 정의된 "착물화제"는 당업자에 의해 착물화제, 킬레이팅제, 금속이온봉쇄제(sequestering agent) 및 이들의 조합물인 것으로 이해되는 화합물들을 포함한다. 착물화제는 본원에 기재된 조성물을 사용하여 제거할 금속 원자 및/또는 금속 이온과 화학적으로 조합되거나 이들을 물리적으로 보유할 것이다.
본 설명의 목적상, "인쇄된 배선판" 및 "인쇄된 회로판"은 동의어이고 상호교환가능하게 사용될 수 있다.
본 설명의 목적상, "PWB 구성요소"는 트랜지스터, 축전기, 열 싱크, IC, 저항기, 집적 스위치 및 프로세서를 포함하나 이들로 한정되지 않는다.
본원에서 사용된 용어 "방출"은 PWB 구성요소로부터 구성요소(들)를 완전히 제거하는 것 또는 PWB 구성요소로부터 구성요소(들)를 부분적으로 방출시키는 것에 상응하고, 이때 PWB로부터 구성요소를 부분적으로 방출시키는 것은 구성요소(들)를 PWB에 고정시키는 땜납의 약화에 상응하고, 방출의 나머지는 또 다른 방법에 의해 수행될 수 있다.
본원에서 사용된 "실질적으로 분리된"은 2종 이상의 금속을 포함하는 물질 또는 조성물로부터 제1 금속을 분리하는 것에 상응하고, 이때 75 중량% 이상의 제1 금속이 상기 물질 또는 조성물로부터 분리되고, 바람직하게는 85 중량% 이상, 훨씬 더 바람직하게는 90 중량% 이상, 가장 바람직하게는 95 중량% 이상의 제1 금속이 상기 물질 또는 조성물로부터 분리된다.
이하에 보다 전체적으로 기재된 바와 같이, 조성물은 매우 다양한 특정 제제들로 구현될 수 있다. 조성물의 특정 성분들이 0 하한을 포함하는 중량 백분율 범위와 관련하여 논의되어 있는 모든 이러한 조성물들에서, 이러한 성분들은 조성물의 다양한 특정 실시양태에서 존재할 수 있거나 부재할 수 있고 이러한 성분들이 존재하는 경우 이들은 이러한 성분들이 사용된 조성물의 총 중량을 기준으로 0.001 중량%만큼 낮은 농도로 존재할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
2010년 7월 7일자로 출원된 동시계류중인 가특허출원 제61/362,118호 및 2010년 7월 28일자로 출원된 동시계류중인 가특허출원 제61/368,360호(둘다 발명의 명칭이 "Processes for Reclaiming Precious Metals and Copper From Printed Wire Boards"이고, 이들 둘다 전체적으로 본원에 참고로 도입됨)에서, 표면으로부터 땜납을 제거하는 방법(예를 들면, 인쇄된 배선판(PWB)으로부터 납 및/또는 주석 함유 땜납을 제거하는 방법)이 기재되었다. 땜납의 제거에 의해, PWB 상의 구성요소가 방출되고 상기 구성요소가 재활용가능한 구성요소와 처분, 유용한 물질의 재생 등을 위해 추가로 가공될 수 있는 구성요소로 분리될 수 있다. 본 개시내용은 추가로 가공되어야 하는 PWB 구성요소로부터 물질을 재생시키는 것에 관한 것이다. 본 개시내용은 PWB 구성요소가 수득되는 방법(예를 들면, 땜납제거, 플래닝 다운, 치즐링 오프, 하향 연삭, 습식 화학적 가공, 또는 당업계에서 공지된 몇몇 다른 방법의 이용)과 관계없이 PWB 구성요소로부터 물질을 재생시키는 것에 관한 것이다.
제1 양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물로부터 금속을 제거하는 방법이 기재되고 도 1에 일반적으로 예시된다:
(a) e-폐기물을, 상기 e-폐기물로부터 2종 이상의 금속 이온을 추출하기 위한 조성물과 접촉시키는 단계;
(b) e-폐기물로부터 추출된 2종 이상의 금속 이온을 개별 금속 이온 분획으로 분리하는 단계; 및
(c) 각각의 금속 이온 분획을 개별 고체 금속으로 환원시키는 단계.
한 실시양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법이 기재되고 도 2 및 3에 예시된다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를, 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 첨가제와 접촉시키는 단계.
또 다른 실시양태에서, 하기 단계들을 포함하는, e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법이 기재되고 도 2 및 3에 예시된다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계;
(e) 제1 추출 액체를, 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 첨가제와 접촉시키는 단계; 및
(f) 제1 금속 이온을 제1 금속으로 환원시키고, 제2 금속 이온을 제2 금속으로 환원시키고, 제3 금속 이온을 제3 금속으로 환원시키는 단계.
e-폐기물 내에 함유된 금속이 상기 e-폐기물로부터의 추출을 위해 용이하게 노출되는 한, 상기 e-폐기물은 분말로 미분될 수 있거나, 조각으로 파쇄될 수 있거나, 분쇄될 수 있거나, 또는 임의의 다른 형태로 변경될 수 있다. 본원에서 정의된 "분쇄된" e-폐기물은 e-폐기물(예를 들면, PWB 구성요소)의 금 및 다른 귀금속을 추출 조성물에 실질적으로 노출시키는 임의의 방법, 예를 들면, e-폐기물의 분해, 미분 또는 파쇄에 상응한다. 바람직하게는, e-폐기물은 분해됨으로써, 미분 또는 파쇄의 결과로서 손실되는 금 또는 다른 귀금속의 양을 최소화한다. 귀금속은 조각이 미분되는 경우 손실될 수 있고, 이때 사금은 분리된 스트림에 부착되고 자기 분획에서 손실된다. 따라서, 분쇄는 미분 또는 파쇄와 같은 공정에 비해 10% 이하, 바람직하게는 5% 이하, 훨씬 더 바람직하게는 2% 이하의 금 또는 다른 귀금속이 손실되는 공정으로서 추가로 정의된다. 나아가, e-폐기물의 분쇄는 위험한 금속 및 브롬첨가된 난연제를 함유하는 분진의 방출을 최소화함으로써 인간 건강에 대한 위험을 최소화한다.
한 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 착물화제를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 1종 이상의 산화제, 1종 이상의 착물화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 제1 금속 분해 조성물은 바람직하게는 왕수 또는 사이안화물 함유 조성물보다 더 환경 친화적이다. 추가로, 제1 금속 분해 조성물은 바람직하게는 e-폐기물로부터 제1 금속 또는 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획으로 실질적으로 분리하도록 제제화된다. 예를 들면, 한 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 다른 귀금속 및 베이스 금속으로부터 금을 분리하는 데에 사용될 수 있고, 이때 금은 고체에 존재하고, 다른 귀금속 및 베이스 금속은 제1 금속 분해 조성물에 용해되어 있다. 예를 들면, 금 및 중합체 물질은 제1 추출 고체에 존재할 수 있는 반면, 제1 추출 액체는 금 이외의 귀금속 및 다른 베이스 금속을 포함한다.
제1 추출 적용에서, 본원에 기재된 제1 금속 분해 조성물은 임의의 적합한 방식으로, 예를 들면, 상기 조성물을 e-폐기물 상에 분무함으로써, e-폐기물을 (다량의 상기 조성물에) 침지시킴으로써, e-폐기물을 상기 조성물이 흡수되어 있는 또 다른 물질, 예를 들면, 패드 또는 섬유성 흡수 도포제 부재와 접촉시킴으로써, 또는 조성물을 e-폐기물과 접촉시키는 임의의 다른 적합한 수단, 방식 또는 기법에 의해 e-폐기물과 접촉된다. 제1 금속 분해 조성물을 사용하는 제1 추출 공정은 정적 또는 동적 공정일 수 있다. 바람직하게는, 상기 공정은 동적 공정이고, 이때 교반 및/또는 초음파가 발생한다.
제1 금속 분해 조성물의 사용에서, 상기 조성물은 전형적으로 약 20℃ 내지 약 70℃의 범위, 바람직하게는 약 20℃ 내지 약 50℃의 범위 내의 온도에서 약 10분 내지 약 200분, 바람직하게는 약 30분 내지 135분의 시간 동안 e-폐기물과 접촉된다. 이러한 접촉 시간 및 온도는 예시적이고, e-폐기물로부터 제1 금속 또는 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획으로 분리하는 데에 효과적인 임의의 다른 적합한 시간 및 온도 조건이 이용될 수 있다.
이온 형태로 제거될 금속을 산화시키기 위한 산화제가 상기 조성물에 포함된다. 본원에서 고려되는 산화제는 하기 산화제들을 포함하나 이들로 한정되지 않는다: 메탄설폰산(MSA), 에탄설폰산, 벤젠설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, 사이클로헥실아미노설폰산, n-프로판설폰산, n-부탄설폰산 또는 n-옥탄설폰산, 과산화수소(H2O2), FeCl3(수화된 형태 및 비수화된 형태 둘다), 옥손(2KHSO5 ·KHSO4 ·K2SO4), 암모늄 다원자 염(예를 들면, 암모늄 퍼옥소모노설페이트, 암모늄 클로라이트(NH4ClO2), 암모늄 클로레이트(NH4ClO3), 암모늄 요오데이트(NH4IO3), 암모늄 퍼보레이트(NH4BO3), 암모늄 퍼클로레이트(NH4ClO4), 암모늄 페리오데이트(NH4IO3), 암모늄 퍼설페이트((NH4)2S2O8), 암모늄 하이포클로라이트(NH4ClO)), 나트륨 다원자 염(예를 들면, 나트륨 퍼설페이트(Na2S2O8), 나트륨 하이포클로라이트(NaClO)), 칼륨 다원자 염(예를 들면, 칼륨 요오데이트(KIO3), 칼륨 퍼망가네이트(KMnO4), 칼륨 퍼설페이트, 질산(HNO3), 칼륨 퍼설페이트(K2S2O8), 칼륨 하이포클로라이트(KClO)), 테트라메틸암모늄 다원자 염(예를 들면, 테트라메틸암모늄 클로라이트((N(CH3)4)ClO2), 테트라메틸암모늄 클로레이트((N(CH3)4)ClO3), 테트라메틸암모늄 요오데이트((N(CH3)4)IO3), 테트라메틸암모늄 퍼보레이트((N(CH3)4)BO3), 테트라메틸암모늄 퍼클로레이트((N(CH3)4)ClO4), 테트라메틸암모늄 페리오데이트((N(CH3)4)IO4), 테트라메틸암모늄 퍼설페이트((N(CH3)4)S2O8)), 테트라부틸암모늄 다원자 염(예를 들면, 테트라부틸암모늄 퍼옥소모노설페이트), 퍼옥소모노황산, 질산 제2철(Fe(NO3)3), 우레아 과산화수소((CO(NH2)2)H2O2), 퍼아세트산(CH3(CO)OOH), 나트륨 니트레이트, 칼륨 니트레이트, 암모늄 니트레이트, 4-메톡시벤젠설폰산, 4-하이드록시벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 4-니트로벤젠설폰산, 톨루엔설폰산, 헥실벤젠설폰산, 헵틸벤젠설폰산, 옥틸벤젠설폰산, 노닐벤젠설폰산, 데실벤젠설폰산, 운데실벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산, 트라이데실벤젠설폰산, 테트라데실벤젠설폰산, 헥사데실벤젠설폰산, 3-니트로벤젠설폰산, 2-니트로벤젠설폰산, 2-니트로나프탈렌설폰산, 3-니트로나프탈렌설폰산, 2,3-다이니트로벤젠설폰산, 2,4-다이니트로벤젠설폰산, 2,5-다이니트로벤젠설폰산, 2,6-다이니트로벤젠설폰산, 3,5-다이니트로벤젠설폰산, 2,4,6-트라이니트로벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 2-아미노벤젠설폰산, 2-아미노나프탈렌설폰산, 3-아미노나프탈렌설폰산, 2,3-다이아미노벤젠설폰산, 2,4-다이아미노벤젠설폰산, 2,5-다이아미노벤젠설폰산, 2,6-다이아미노벤젠설폰산, 3,5-다이아미노벤젠설폰산, 2,4,6-트라이아미노벤젠설폰산, 3-하이드록시벤젠설폰산, 2-하이드록시벤젠설폰산, 2-하이드록시나프탈렌설폰산, 3-하이드록시나프탈렌설폰산, 2,3-다이하이드록시벤젠설폰산, 2,4-다이하이드록시벤젠설폰산, 2,5-다이하이드록시벤젠설폰산, 2,6-다이하이드록시벤젠설폰산, 3,5-다이하이드록시벤젠설폰산, 2,3,4-트라이하이드록시벤젠설폰산, 2,3,5-트라이하이드록시벤젠설폰산, 2,3,6-트라이하이드록시벤젠설폰산, 2,4,5-트라이하이드록시벤젠설폰산, 2,4,6-트라이하이드록시벤젠설폰산, 3,4,5-트라이하이드록시벤젠설폰산, 2,3,4,5-테트라하이드록시벤젠설폰산, 2,3,4,6-테트라하이드록시벤젠설폰산, 2,3,5,6-테트라하이드록시벤젠설폰산, 2,4,5,6-테트라하이드록시벤젠설폰산, 3-메톡시벤젠설폰산, 2-메톡시벤젠설폰산, 2,3-다이메톡시벤젠설폰산, 2,4-다이메톡시벤젠설폰산, 2,5-다이메톡시벤젠설폰산, 2,6-다이메톡시벤젠설폰산, 3,5-다이메톡시벤젠설폰산, 2,4,6-트라이메톡시벤젠설폰산, 및 이들의 조합물. 산화제는 제작 시점에서 제1 조성물에 도입될 수 있거나, 제1 조성물이 PWB에 도입되기 전에 도입될 수 있거나, 또는 대안적으로 PWB에서, 즉 동일위치(in situ)에서 도입될 수 있다. 바람직하게는, 산화제는 퍼옥사이드 화합물, 예컨대, 과산화수소를 포함한다.
착물화제는 산화제에 의해 생성된 이온을 착물화하기 위해 포함된다. 본원에서 고려되는 착물화제는 하기 착물화제들을 포함하나 이들로 한정되지 않는다: β-다이케토네이트 화합물, 예컨대, 아세틸아세토네이트, 1,1,1-트라이플루오로-2,4-펜탄다이온, 및 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄다이온; 카복실레이트, 예컨대, 포르메이트 및 아세테이트, 및 다른 장쇄 카복실레이트; 및 아미드(및 아민), 예컨대, 바이스(트라이메틸실릴아미드) 사량체. 추가 킬레이팅제는 아민 및 아미노산(즉, 글리신, 세린, 프롤린, 류신, 알라닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 글루타민, 발린 및 라이신), 시트르산, 아세트산, 말레산, 옥살산, 말론산, 석신산, 포스폰산, 포스폰산 유도체, 예컨대, 하이드록시에틸리덴 다이포스폰산(HEDP), 1-하이드록시에탄-1,1-다이포스폰산, 니트릴로-트라이스(메틸렌포스폰산), 니트릴로트라이아세트산, 이미노다이아세트산, 에티드론산, 에틸렌다이아민, 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA) 및 (1,2-사이클로헥실렌다이니트릴로)테트라아세트산(CDTA), 요산, 테트라글라임, 펜타메틸다이에틸렌트라이아민(PMDETA), 1,3,5-트라이아진-2,4,6-티티올 삼나트륨 염 용액, 1,3,5-트라이아진-2,4,6-티티올 삼암모늄 염 용액, 나트륨 다이에틸다이티오카바메이트, 1개의 알킬 기(R2 = 헥실, 옥틸, 데실 또는 도데실) 및 1개의 올리고에테르(R1(CH2CH2O)2, 이때 R1은 에틸 또는 부틸임)를 갖는 이치환된 다이티오카바메이트(R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na), 암모늄 설페이트, 모노에탄올아민(MEA), 데퀘스트(Dequest) 2000, 데퀘스트 2010, 데퀘스트 2060, 다이에틸렌트라이아민 펜타아세트산, 프로필렌다이아민 테트라아세트산, 2-하이드록시피리딘 1-옥사이드, 에틸렌다이아민 다이석신산(EDDS), N-(2-하이드록시에틸)이미노다이아세트산(HEIDA), 오염기성 나트륨 트라이포스페이트, 이의 나트륨 염 및 암모늄 염, 암모늄 클로라이드, 암모늄 설페이트, 염산, 황산, 및 이들의 조합물을 포함한다. 바람직하게는, 착물화제는 염산 또는 황산을 포함한다.
촉매는 e-폐기물로부터의 금속(들)의 제거 속도를 향상시키기 위해 첨가된다. 바람직하게는, 촉매는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌 글리콜, 다이프로필렌 글리콜, 다이에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트라이에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 다이에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트라이에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(DEGBE), 트라이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 다이에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 메틸 에테르(DPGME), 트라이프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 다이메틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 다이프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(DPGPE), 트라이프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트라이프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르 및 이들의 조합물로 구성된 군으로부터 선택된 글리콜 또는 글리콜 에테르를 포함한다. 가장 바람직하게는, 촉매는 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 다이프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르 및 이들의 조합물을 포함한다. 가장 바람직하게는, 촉매는 DEGBE를 포함한다. 촉매가 포함된 경우 촉매의 양은 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량%, 바람직하게는 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량%, 가장 바람직하게는 약 0.5 중량% 내지 약 1 중량%의 범위 내에 있다. 이론에 구속받고자 하는 것은 아니지만, 촉매의 쇄 길이를 변화시킴으로써(예를 들면, 메틸 대 부틸) 일부 금속들에 대한 제1 추출 조성물의 선택성을 변경시킬 수 있다고 생각된다.
바람직하게는, 한 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 염산 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 염산, 과산화수소 및 글리콜 또는 글리콜 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 염산, 과산화수소 및 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 제1 금속 분해 조성물은 질산 및 사이안화물 함유 성분을 실질적으로 결여한다. 바람직하게는, 제1 금속 분해 조성물은 수용성, 비부식성, 비가연성 및 낮은 독성을 나타낸다.
도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 제1 금속 분해 조성물을 사용한 제1 추출 후, 제1 추출 고체 및 제1 추출 액체가 존재할 수 있다. 전술된 바와 같이, 제1 금속 분해 조성물은 바람직하게는 e-폐기물로부터 제1 금속 또는 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 제1 금속을 재생시킬 수 있는 분획으로 실질적으로 분리되도록 제제화된다. 예를 들면, 한 실시양태에서, 제1 금속 분해 조성물은 다른 귀금속 및 베이스 금속으로부터 금을 분리하는 데에 사용될 수 있다. 도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 제1 추출 고체는 금을 포함할 수 있는 반면, 제1 추출 액체는 다른 귀금속 및 베이스 금속(예를 들면, 은 및 구리)의 이온을 포함할 수 있다.
제1 추출 후, 제1 추출 고체는 당업계에서 잘 공지된 방법(예를 들면, 여과 수단, 원심분리 및 상층분리(decanting) 등)의 이용을 통해 제1 추출 액체로부터 분리될 수 있다.
도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 일단 제1 추출 고체가 수득되면, 제2 추출이 시작될 수 있고, 이때 제2 금속 분해 조성물은 제1 금속(예를 들면, 금)을 포함하는 제1 추출 고체와 조합된다. 제2 금속 분해 조성물은 제1 금속 분해 조성물과 동일할 수 있거나 상이할 수 있다. 바람직하게는, 본원의 실시예에 명확히 기재되어 있는 바와 같이, 제2 금속 분해 조성물은 제1 금속 분해 조성물과 동일하고, 이때 제1 금속 분해 조성물과 e-폐기물의 접촉 시간 및/또는 온도는 제2 금속 분해 조성물과 제1 추출 고체의 접촉 시간 및/또는 온도와 상이하다.
제2 추출 적용에서, 본원에 기재된 제2 금속 분해 조성물은 임의의 적합한 방식으로, 예를 들면, 상기 조성물을 제1 추출 고체 상에 분무함으로써, 제1 추출 고체를 (다량의 상기 조성물에) 침지시킴으로써, 제1 추출 고체를 상기 조성물이 흡수되어 있는 또 다른 물질, 예를 들면, 패드 또는 섬유성 흡수 도포제 부재와 접촉시킴으로써, 또는 조성물을 제1 추출 고체와 접촉시키는 임의의 다른 적합한 수단, 방식 또는 기법에 의해 제1 추출 고체와 접촉된다. 제2 금속 분해 조성물을 사용하는 제2 추출 공정은 정적 또는 동적 공정일 수 있다. 바람직하게는, 상기 공정은 동적 공정이어서, 이때 교반 및/또는 초음파가 발생한다.
제2 금속 분해 조성물의 사용에서, 상기 조성물은 전형적으로 약 20℃ 내지 약 70℃의 범위, 바람직하게는 약 20℃ 내지 약 50℃의 범위 내의 온도에서 약 10분 내지 약 200분, 바람직하게는 약 30분 내지 135분의 시간 동안 제1 추출 고체와 접촉된다. 이러한 접촉 시간 및 온도는 예시적이고, 제1 추출 고체로부터 제1 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획으로 분리하는 데에 효과적인 임의의 다른 적합한 시간 및 온도 조건이 이용될 수 있다.
한 실시양태에서, 제2 금속 분해 조성물은 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 착물화제를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 제2 금속 분해 조성물은 1종 이상의 산화제, 1종 이상의 착물화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 제2 금속 분해 조성물은 바람직하게는 질산 및 사이안화물 함유 조성물보다 더 환경 친화적이고 산 및 사이안화물 함유 조성물을 실질적으로 결여한다. 추가로, 제2 금속 분해 조성물은 바람직하게는 제1 추출 고체로부터 제1 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획(예를 들면, 수성 분획)으로 실질적으로 분리하도록 제제화된다. 예를 들면, 한 실시양태에서, 제2 금속 분해 조성물은 제1 추출 고체로부터 금 이온을 분리하는 데에 사용될 수 있고, 이때 제2 추출 고체는 중합체 물질을 포함한다. 산화제, 착물화제 및 촉매는 전술된 바와 동일하다.
도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 제2 금속 분해 조성물을 사용한 제2 추출 후, 제2 추출 고체 및 제2 추출 액체가 존재할 수 있다. 전술된 바와 같이, 제2 금속 분해 조성물은 바람직하게는 제1 추출 고체로부터 제1 금속 이온(예를 들면, 금)을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획(예를 들면, 제2 추출 액체)으로 실질적으로 분리하도록 제제화된다. 예를 들면, 한 실시양태에서, 제2 금속 분해 조성물은 제1 추출 고체로부터 금 이온을 분리하는 데에 사용될 수 있다. 도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 제2 추출 액체는 금 이온을 포함할 수 있는 반면, 제2 추출 고체는 잔류 플라스틱을 포함할 수 있다. 당업자는 잔류 플라스틱이 처분될 수 있거나, 또는 대안적으로 재사용을 위해 재활용될 수 있거나 재생될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 이하에 상세히 논의되어 있는 바와 같이, 금속 이온을 제2 추출 액체 내로 추출한 후, 상기 금속 이온을 환원시켜 금속을 수득할 수 있다.
제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리한 후, 첨가제를 첨가하여 제1 추출 액체에 존재하는 금속을 추가로 분리할 수 있다. 첨가제는 이 첨가제를 제1 추출 액체에 첨가하였을 때 제2 금속 이온이 침전 또는 분리의 이용을 통해 제3 금속 이온으로부터 분리되도록 pH 조절제 또는 유기상일 수 있다. 대안적으로, 또는 pH 조절제 또는 유기 첨가제의 첨가 이외에, 접촉 조건의 온도가 변경될 수 있다.
용액의 pH가 상승하였을 때 몇몇 금속 이온들이 용이하게 수산화물 고체를 형성한다는 것은 당업계에서 공지되어 있다. 따라서, 한 실시양태에서, 첨가제는 pH 조절제이고, 이때 제1 추출 액체의 pH는 약 6 내지 약 12, 바람직하게는 약 9 내지 약 11의 범위 내의 pH까지 상승하여 제1 추출 액체로부터 제2 금속 이온을 분리한다. 본원에서 고려되는 pH 조절제는 바람직하게는 수산화 이온, 예컨대, 알칼리 및 알칼리 토금속 수산화물, 예컨대, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화루비듐, 수산화세슘, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화스트론튬 또는 수산화바륨을 포함한다. 대안적으로, pH 조절제는 화학식 [NR1R2R3R4]+OH-의 4차 암모늄 염기를 포함할 수 있고, 이때 R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일할 수 있거나 상이할 수 있고 수소, 직쇄 또는 분지쇄 C1-C6 알킬(예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실), C6-C10 아릴(예를 들면, 벤질) 및 이들의 조합물로 구성된 군으로부터 선택된다. pH 조절제를 제1 추출 액체에 첨가함으로써, 바람직하게는 제1 추출 액체로부터 제2 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획으로 실질적으로 분리한다. 예를 들면, 도 2에 예시된 바와 같이, pH가 약 6 내지 약 12, 바람직하게는 약 9 내지 약 11의 범위 내의 pH까지 상승한 후, 금속 수산화물을 포함하는 침전물("pH 상승 고체")이 형성될 것이고, 상기 침전물은 제2 금속 이온을 포함하는 잔류 액체("pH 상승 액체")로부터 용이하게 분리될 수 있다. pH 상승 고체는 당업계에서 잘 공지된 방법(예를 들면, 여과 수단, 원심분리 및 상층분리 등)의 이용을 통해 pH 상승 액체로부터 분리될 수 있다. 예를 들면, pH 상승 액체 중의 제2 금속 이온은 pH 조절제의 존재 하에 수산화물 고체를 용이하게 형성한 제1 추출 액체 중의 다른 금속들로부터 실질적으로 분리될 수 있는 은 이온을 포함할 수 있다. 은 이온을 포함하는 pH 상승 액체는 하기 논의될 후속 단계에서 은 금속으로 환원될 수 있다.
pH 상승 액체로부터의 분리 후 잔류하는 pH 상승 고체는 여러 금속, 특히 구리를 금속 수산화물 염의 형태로 포함할 수 있다. 구리 이온은 pH 상승 고체로부터 수성층 내로 추후에 추출될 수 있고, 그 후 구리 금속으로 환원될 수 있다. 예를 들면, 구리 이온은 묽은 황산 용액의 사용을 통해 상기 고체로부터 추출될 수 있다.
따라서, 또 다른 실시양태는 하기 단계들을 포함하는, 도 2에 예시된 바와 같이 e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법에 관한 것이다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를 pH 조절제와 접촉시켜 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 단계.
또 다른 실시양태는 하기 단계들을 포함하는, 도 2에 예시된 바와 같이 e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법에 관한 것이다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계;
(e) 제1 추출 액체를 pH 조절제와 접촉시켜 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 단계; 및
(f) 제1 금속 이온을 제1 금속으로 환원시키고, 제2 금속 이온을 제2 금속으로 환원시키고, 제3 금속 이온을 제3 금속으로 환원시키는 단계.
또 다른 실시양태에서, 첨가제는 또 다른 금속 이온(예를 들면, 제3 금속 이온)으로부터 금속 이온(예를 들면, 제2 금속 이온)을 분리하기 위해 제1 추출 액체에 첨가되는 유기 성분이다. 구체적으로, 유기 성분은 제1 추출 액체에 첨가되고, 2개의 상, 즉 제2 금속 이온을 포함하는 1개의 상 및 제3 금속 이온을 포함하는 다른 상이 형성될 것이다(유기 성분은 수성을 나타내는 제1 추출 액체와 실질적으로 혼화불가능함). 본원에서 고려되는 유기 성분은 하이드록시옥심, 예컨대, 아코가(ACORGA)® M5774 금속 추출 시약(사이텍 인더스트리스 인코포레이티드(Cytec Industries, Inc.)) 또는 이의 등가물을 포함한다. 유기 성분을 제1 추출 액체에 첨가함으로써, 바람직하게는 제1 추출 액체로부터 제2 금속 이온을, 추가로 가공되어 상기 금속을 재생시킬 수 있는 분획으로 실질적으로 분리한다. 예를 들면, 도 3을 참조하면, 수성상은 은 이온을 포함할 수 있고, 유기상은 구리 이온을 포함할 수 있다. 은 이온을 포함하는 수성상의 pH는 본원에서 전술된 바와 같이 약 6 내지 약 12, 바람직하게는 약 9 내지 약 11의 범위 내의 pH까지 상승할 수 있고, 이때 은 이온은 pH 조절제의 존재 하에 수산화물 고체를 용이하게 형성한 수성상 중의 다른 금속으로부터 실질적으로 분리될 수 있다. pH 상승 액체로부터 pH 상승 고체를 분리한 후, pH 상승 액체 중의 은 이온을 환원시켜 은 금속을 수득할 수 있다. 제3 금속 이온을 유기상으로부터 수성상 내로 추출할 수 있고, 제3 금속 이온을 포함하는 수성상을 환원시켜 구리 금속을 수득할 수 있다. 유기상으로부터의 구리 이온의 추출을 묽은 황산을 사용하여 수행할 수 있다.
금속 이온을 고체 고순도 금속으로 환원시키는 것은 당업자에게 잘 공지되어 있다. 바람직하게는, 환원제는 소위 환경 친화적 화학물질이다. 나아가, 바람직게는, 환원은 최소 가열을 요구하면서 신속히 일어난다. 예를 들면, 바람직한 환원제는 아스코르브산, 다이에틸 말로네이트, 나트륨 메타바이설파이트, 폴리페논 60, 글루코스 및 나트륨 시트레이트를 포함하나 이들로 한정되지 않는다.
따라서, 또 다른 실시양태는 하기 단계들을 포함하는, 도 3에 예시된 바와 같이 e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법에 관한 것이다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를 이 제1 추출 액체와 혼화불가능한 유기 성분과 접촉시켜 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 단계.
또 다른 실시양태는 하기 단계들을 포함하는, 도 3에 예시된 바와 같이 e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법에 관한 것이다:
(a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계;
(e) 제1 추출 액체를 이 제1 추출 액체와 혼화불가능한 유기 성분과 접촉시켜 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 단계; 및
(f) 제1 금속 이온을 제1 금속으로 환원시키고, 제2 금속 이온을 제2 금속으로 환원시키고, 제3 금속 이온을 제3 금속으로 환원시키는 단계.
본원에 기재된 조성물은 각각의 성분들을 단순히 첨가하고 균질한 상태까지 혼합함으로써 용이하게 제제화된다. 나아가, 상기 조성물은 사용 시점에서 또는 사용 시점 전에 혼합되는(예를 들면, 다중 부분 제제의 개별 부분은 기계에서 또는 기계의 저장 탱크 업스트림에서 혼합될 수 있음) 단일 팩키지 제제 또는 다중 부분 제제로서 용이하게 제제화될 수 있다. 각각의 성분의 농도는 조성물의 구체적인 배수에 따라 광범위하게 변경될 수 있고, 즉 보다 묽을 수 있거나 보다 농축될 수 있고, 본원에 기재된 조성물이 다양하게 대안적으로 본원의 개시내용과 일치하는 성분들의 임의의 조합물을 포함할 수 있거나, 상기 조합물로 구성될 수 있거나, 또는 본질적으로 상기 조합물로 구성될 수 있다는 것이 인식될 것이다.
본원에 기재된 방법을 이용하여 e-폐기물 중의 90 중량% 초과의 금속을 재생시킬 수 있다.
또 다른 양태에서, 본원에 기재된 방법은 광석으로부터 금속을 분리하는 광업에서 이용될 수 있다. 예를 들면, e-폐기물로 출발하는 대신에, 제1 금속 분해 조성물을 사용하여 추출할 원래의 물질은 광석 또는 광업의 몇몇 다른 생성물이다.
또 다른 양태에서, e-폐기물로부터 금속 이온을 추출 조성물 내로 추출하는 조건 하에 상기 e-폐기물을 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는, e-폐기물로부터 금속을 제거하는 방법이 기재되고, 이때 상기 조성물은 1종 이상의 산화제, 1종 이상의 착물화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 적합한 산화제(들), 착물화제(들) 및 촉매(들)가 본원에 기재되어 있다. 한 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 글리콜 또는 글리콜 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 상기 조성물은, 염산, 과산화수소 및 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 바람직한 실시양태에서, 상기 방법은 고체 e-폐기물로부터 금속 이온을 포함하는 추출 조성물을 분리하는 단계를 추가로 포함한다. 상기 추출 조성물 중의 금속 이온을 (예를 들면, 이러한 목적에 접합한 환원제를 사용하여) 환원시킴으로써 고체 금속을 수득할 수 있다. 한 실시양태에서, 본원에 기재된 추출 조성물로 처리된 e-폐기물은 2종 이상의 상이한 금속을 함유할 수 있다.
또 다른 양태에서, (a) e-폐기물로부터 금속 이온을 추출 조성물 내로 추출하는 조건 하에 상기 e-폐기물을 조성물과 접촉시키는 단계; (b) 고체 e-폐기물로부터 금속 이온을 포함하는 추출 조성물을 분리하는 단계; 및 (c) 금속 이온을 포함하는 추출 조성물로부터 고체 금속을 수득하는 단계를 포함하는, e-폐기물로부터 금속을 제거하는 방법이 기재되고, 이때 상기 조성물은 1종 이상의 산화제, 1종 이상의 착물화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 적합한 산화제(들), 착물화제(들) 및 촉매(들)가 본원에 기재되어 있다. 한 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 글리콜 또는 글리콜 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 상기 추출 조성물 중의 금속 이온을 (예를 들면, 이러한 목적에 접합한 환원제를 사용하여) 환원시킴으로써 고체 금속을 수득할 수 있다. 한 실시양태에서, 본원에 기재된 추출 조성물로 처리된 e-폐기물은 2종 이상의 상이한 금속을 함유할 수 있다.
또 다른 양태에서, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 물질로부터 제1 금속 이온을 추출 조성물 내로 추출하는 조건 하에 상기 물질을 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 1종 이상의 제2 금속으로부터 제1 금속을 분리하는 방법이 기재되고, 이때 상기 조성물은 1종 이상의 산화제, 1종 이상의 착물화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 적합한 산화제(들), 착물화제(들) 및 촉매(들)가 본원에 기재되어 있다. 한 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 글리콜 또는 글리콜 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 양태에서, 상기 방법은 상기 물질로부터 제1 금속 이온을 포함하는 추출 조성물을 분리하는 단계를 추가로 포함한다. 상기 추출 조성물 중의 제1 금속 이온을 (예를 들면, 이러한 목적에 접합한 환원제를 사용하여) 환원시킴으로써 고체 제1 금속을 수득할 수 있다.
또 다른 양태에서, (a) 제1 금속 및 제2 금속을 포함하는 물질로부터 제1 금속 이온을 추출 조성물 내로 추출하는 조건 하에 상기 물질을 조성물과 접촉시키는 단계; (b) 상기 물질로부터 제1 금속 이온을 포함하는 추출 조성물을 분리하는 단계; 및 (c) 제1 금속 이온으로부터 고체 제1 금속을 수득하는 단계를 포함하는, 1종 이상의 제2 금속으로부터 제1 금속을 분리하는 방법이 기재되고, 이때 상기 조성물은 1종 이상의 산화제, 1종 이상의 착물화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 적합한 산화제(들), 착물화제(들) 및 촉매(들)가 본원에 기재되어 있다. 한 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 글리콜 또는 글리콜 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 상기 조성물은 염산, 과산화수소 및 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 본질적으로 이들로 구성된다. 상기 추출 조성물 중의 제1 금속 이온을 (예를 들면, 이러한 목적에 접합한 환원제를 사용하여) 환원시킴으로써 고체 제1 금속을 수득할 수 있다.
본 발명의 특징 및 장점은 하기 논의된 예시적 실시예에 의해 보다 전체적으로 제시된다.
실시예 1
본원에 기재된 제1 금속 분해 조성물의 변경물들을 사용하여 e-폐기물의 제1 추출을 수행하였다. e-폐기물을 굵은 분말로 분쇄하였다. 상기 분말의 단회 분해 및 다회 분해를 이중으로 수행하였고, 유도 커플링 플라즈마 질량 분광측정법(ICP-MS)을 이용하여 제1 추출 조성물 및 제1 추출 고체를 분석하였다. 10 ㎖ 내지 200 ㎖의 제1 금속 분해 조성물 중의 500 mg 내지 10 g의 분말을 사용하여 모든 분해를 수행하였다. 교반은 분해 과정 전체 동안 일어났다. 분해 시간은 약 실온 내지 약 50℃의 범위 내의 온도에서 약 30분 내지 약 135분의 범위 내에 있었다.
시험된 제1 금속 분해 조성물은 다음과 같았다:
제제 A: 왕수(대조군, 3:1 HCl:HNO3)
제제 B: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피%)
제제 C: NH4Cl 또는 NH4SCN을 갖는 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피%)
제제 D: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피% + 0.75 부피% DEGBE)
제제 E: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피% + 0.75 부피% 프로필렌 글리콜)
제제 F: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피% + 0.75 부피% DPGBE)
제제 G: 에티드론산 + DEGBE(99 부피%:1 부피%)
제제 H: 1:1:6 H2SO4:H2O2:H2O
제제 I: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10% 부피% + 0.5 부피% DEGBE)
제제 J: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피% + 1 부피% DEGBE)
제제 K: 95% H2SO4:30% H2O2(90 부피%:10 부피%)
제제 L: 95% H2SO4:30% H2O2(90 부피%:10 부피% + 0.75 부피% DEGBE)
제제 M: 37% HCl:30% H2O2(90 부피%:10 부피% + 25 부피% DEGBE)
제제 N: 75 부피% 에티드론산 + 25 부피% DEGBE
제제 O: 에티드론산 + DEGBE + NH4Cl(94 부피%:1 부피%:5 부피%)
본원에 기재된 방법 및 제제들을 이용하여 e-폐기물로부터 금, 은 및 구리를 추출한 것에 대한 실험 결과는 하기 표 1에 제시되어 있다. 다른 분해물과의 용이한 비교가 가능하도록 왕수(제제 A) 결과를 표준화하였다.
[표 1]
다양한 분해 방법들이 왕수(제제 A)에 비해 상대적인 90% 초과의 추출 효율로 1종 이상의 금속을 제공하였다는 것을 알 수 있다. 100% 초과의 값은 해당 금속에 대해 왕수보다 더 높은 추출 효율을 표시하였다. 다회 추출은 왕수에 비해 상대적인 Au, Ag 및 Cu의 100% 회수를 달성할 수 있다.
제제 및 반응 조건은 금에 비해 상대적인 은 및 구리 이온의 선택적 추출을 보장하도록 선택될 수 있다는 것을 알 수 있다. 예를 들면, 50℃에서 제1 금속 분해 조성물로서 제제 J를 사용하여 30분 동안 제1 추출을 수행할 수 있고, 은 이온 및 구리 이온이 (왕수에 비해 상대적인) 각각 79% 및 95% 효율로 추출되지만, 금은 추출되지 않는다. 그 다음, 깨끗한 제제 J를 실온에서 제2 금속 분해 조성물로서 30분 동안 사용할 수 있고, 금 이온을 e-폐기물로부터 용이하게 추출할 수 있다. 또 다른 대안에서, 제1 금속 분해 조성물은 50℃에서 30분 동안 제제 F일 수 있는 반면, 제2 금속 분해 조성물은 실온에서 30분 동안 깨끗한 제제 F일 수 있다. 이들은 본원에 기재된 제1 추출 단계를 위해 금에 비해 상대적으로 금속 이온을 선택적으로 추출하도록 분해 조성물을 제제화하고 적절한 온도 및 시간을 선택하는 것이 가능하다는 것을 입증하기 위한 예일 뿐이라는 것을 인식해야 한다.
금속 추출의 효율을 측정하는 대안적인 방법은 e-폐기물 분말 중의 단일 금속의 총 질량에 비해 상대적인, 액체 내로 추출된 단일 금속의 총 질량을 측정하는 것이다. 이 방법에서, e-폐기물 분말은 분해된 후, 액체가 고체로부터 분리되고, 액체 및 고체 둘다가 분석되어 그들의 금속 접촉이 확인되고, e-폐기물 중의 금속의 총량에 비해 상대적인 액체 중의 % 금속이 계산된다. 추출이 매우 효율적인 경우, 관심있는 금속은 고체로부터 추출된 상태로 액체에서 발견되어야 한다. 결과는 표 2에 제시되어 있다.
[표 2]
가장 효율적인 추출은 제제 D를 사용한 연속 추출이었다는 것을 알 수 있고, 이때 e-폐기물은 50℃에서 제제 D 중에서 30분 동안 분해되었고, 분해 용액은 제거되었고, 남은 e-폐기물은 50℃에서 깨끗한 제제 D 중에서 75분 동안 다시 분해되었고, 분해 용액은 제거되었다.
실시예 2
e-폐기물을 50℃에서 30분 동안 추출한 후 깨끗한 제제 D를 사용하여 30분 및 75분 동안 2회 추가로 추출함으로써 제제 D를 사용하여 소규모 연속 추출을 수행하였다. 결과는 도 4에 제시되어 있고, 이때 Au를 제외한 모든 금속들이 50℃에서 처음 30분 추출에서 주로 추출되었고, Au의 총 질량의 93%가 제2 30분 추출 및 제3 75분 추출에서 추출되었다.
e-폐기물을 50℃에서 30분 동안 추출한 후 깨끗한 제제 D를 사용하여 105분 동안 추가로 추출함으로써 제제 D를 사용하여 대규모 연속 추출(소규모 연속 추출에 비해 상대적으로 20배 확대됨)을 수행하였다. 결과는 도 5에 제시되어 있고, 이때 Au로부터 Ag 및 Cu의 보다 우수한 분리가 대규모에서 달성되었다.
따라서, 연속 추출이 Au로부터 Ag 및 Cu를 분리하는 데에 이용될 수 있었다.
그 다음, Au가 실질적으로 결여된, 본 실시예의 소규모 제1 추출 액체(제제 D, 50℃, 30분)의 분취액으로 출발하여, NaOH를 적가하였다(예를 들면, 도 2, pH 상승 참조). 침전물은 약 pH 6에서 형성되었다. ICP-MS를 이용하여 침전물(pH 6에서의 pH 상승 고체) 및 잔류 액체(pH 10에서의 pH 상승 액체) 둘다를 금속 이온 함량에 대해 분석하였다. 결과는 표 3에 제시되어 있다.
[표 3]
소규모 추출 pH 상승을 이용하였을 때 pH 상승 액체가 주로 Ag(82%)를 함유한 반면, 침전물은 100%의 구리 및 잔류 금속들의 대부분을 함유하였다는 것을 알 수 있다.
그 다음, Au가 실질적으로 결여된, 본 실시예의 대규모 제1 추출 액체(제제 D, 50℃, 30분)의 분취액으로 출발하여, NaOH를 적가하였다. 침전물은 약 pH 6에서 형성되었다. ICP-MS를 이용하여 침전물(pH 6에서의 pH 상승 고체) 및 잔류 액체(pH 12에서의 pH 상승 액체) 둘다를 금속 이온 함량에 대해 분석하였다. 결과는 표 4에 제시되어 있다.
[표 4]
대규모 추출 pH 상승을 이용하였을 때 pH 상승 액체가 100%의 Ag를 함유한 반면, 침전물은 99%의 구리 및 잔류 금속들의 대부분을 함유하였다는 것을 알 수 있다.
대안적으로, 원하는 금속 이온의 선택적 침전을 가능하게 하기 위해 유기 성분을 제1 추출 액체와 조합할 수 있다(예를 들면, 도 3, 첨가제 첨가 참조). 관심있는 유기 성분은 Cu 이온에 대한 선택성을 나타내는 옥심과 알독심의 특허 혼합물인 M-5774이고, 상이 수성 용액으로부터 분리된다. 유기층은 Cu 이온을 포함하는 수성 용액으로부터 Cu 이온을 추출한다. M-5774 내로의 추출 후, 구리 이온은 묽은 황산 세척의 이용을 통해 유기 M-5774 층으로부터 회수될 수 있다.
그 다음, Au가 실질적으로 결여된, 본 실시예의 소규모 제1 추출 액체(제제 D, 50℃, 30분)의 분취액으로 출발하여, M-5774를 상이한 pH 및 온도 조건 하에 30분 동안 첨가하였다(예를 들면, 도 3의 첨가제 첨가 참조). 2개의 층, 즉 1개의 수성층 및 1개의 유기층이 생성되었다. 층의 분리 후, ICP-MS를 이용하여 수성층을 금속 이온 함량에 대해 분석하였다. 결과는 표 5에 제시되어 있다.
[표 5]
소규모 추출을 이용하였을 때 pH 4 및 실온에서 Ag(98%)가 Cu(8%)로부터 선택적으로 추출될 수 있다는 것을 알 수 있다.
실시예 3
예를 들면, 본 설명에 기재된 바와 같이, 금속 이온은 일단 분리되면 바람직하게는 금속 고체로 환원된다. 바람직하게는, 환원제는 소위 환경 친화적 화학물질이다. 나아가, 바람직하게는, 환원은 최소한의 가열을 요구하면서 신속히 일어난다.
환원제의 효능을 측정하기 위해, Au+3(묽은 HCl(약 0.05 M) 중의 ICP 금 표준물), Ag+(1 M AgNO3) 및 Cu+2(1 M CuSO4)의 표준 용액들의 환원을 수행하였다. 환경 친화적 환원제를 상기 표준 용액들에 첨가하였고, 시간, 온도 및 pH를 조절하였다. 환경 친화적 환원제의 첨가 전 또는 후에 HCl, NaHCO3 또는 NaOH를 첨가함으로써 pH를 조절하였다. 상기 용액의 pH는 금속 이온의 산화 상태에 영향을 미침으로써 금속 고체로의 환원력에 영향을 미친다. 상기 용액 중의 금속 이온의 초기 양 및 환원 후 수집된 고체의 최종 양을 비교하여 % 회수율을 측정하였다.
이하에서 개별적으로 논의될 바와 같이, 하기 6개의 환경 친화적 화학적 환원제들을 시험하였다: 아스코르브산, 다이에틸 말로네이트, 나트륨 메타바이설파이트, 폴리페논 60(P60, 녹차 추출물), D-글루코스 및 나트륨 시트레이트.
아스코르브산
아스코르브산(AA)을 표 6에 개시된 조건 및 실온에서 1시간 미만 동안 Au3+, Ag+ 및 Cu2+ 용액 각각에 첨가하였고, ICP-MS를 이용하여 회수된 고체를 분석함으로써 순도를 시험하였다. 결과는 표 6에 제시되어 있다.
[표 6]
아스코르산을 사용하여 1시간 미만 동안 고순도 Au 및 Cu를 회수하였다는 것을 알 수 있다.
다이에틸 말로네이트
다이에틸 말로네이트는 수성 용액과 혼화될 수 없고, Au는 유기층 내로 선택적으로 추출되어 낮은 pH에서 CH2(COOC2H5)Au(H2O)4Cl3 착물을 형성할 수 있다. 그 후, Au를 함유하는 유기 추출물을 HNO3과 혼합하여 불순물을 제거함으로써 상기 유기 추출물을 세척할 수 있고, 그 다음 80℃에서 FeSO4를 사용하여 Au 금속으로 환원시킬 수 있다.
다이에틸 말로네이트(DEM)를 표 7에 개시된 조건 및 실온에서 1시간 미만 동안 Au3+, Ag+ 및 Cu2+ 용액 각각에 첨가하였고, ICP-MS를 이용하여 회수된 고체를 분석함으로써 순도를 시험하였다. 결과는 표 7에 제시되어 있다.
[표 7]
다이에틸 말로네이트는 Ag 또는 Cu에 비해 상대적으로 Au 환원에 더 효과적이었다는 것을 알 수 있다.
나트륨 메타바이설파이트
나트륨 메타바이설파이트(SMB)를 표 8에 개시된 조건 및 실온에서 1시간 미만 동안 Au3+, Ag+ 및 Cu2+ 용액 각각에 첨가하였고, ICP-MS를 이용하여 회수된 고체를 분석함으로써 순도를 시험하였다. 결과는 표 8에 제시되어 있다.
[표 8]
나트륨 메타바이설파이트는 Ag 또는 Cu에 비해 상대적으로 Au 환원에 더 효과적이었다는 것을 알 수 있다.
폴리페논 60
폴리페논 60(P60)을 표 9에 개시된 조건 및 실온에서 Au3 +, Ag+ 및 Cu2 + 용액 각각에 첨가하였고, ICP-MS를 이용하여 회수된 고체를 분석함으로써 순도를 시험하였다. 결과는 표 9에 제시되어 있다.
[표 9]
P60은 Au 또는 Cu에 비해 상대적으로 Ag 환원에 더 효과적이었다는 것을 알 수 있다.
글루코스
글루코스를 표 10에 개시된 조건에서 Au3+, Ag+ 및 Cu2+ 용액 각각에 첨가하였고, ICP-MS를 이용하여 회수된 고체를 분석함으로써 순도를 시험하였다. 결과는 표 10에 제시되어 있다.
[표 10]
Ag 및 Au 고체는 글루코스를 환원제로서 사용하였을 때 형성되었고, 이때 Au는 염기의 존재를 필요로 하였고, Ag는 고온(100℃)을 필요로 하였다.
본 발명이 예시적 실시양태 및 특징과 관련하여 본원에 다양하게 개시되어 있지만, 본원에서 전술된 실시양태 및 특징은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니고 다른 변경, 변형 및 다른 실시양태가 본원의 개시내용에 근거하여 당업자에게 저절로 암시될 것임을 인식할 것이다. 따라서, 본 발명은 이러한 모든 변경, 변형 및 대안적 실시양태가 이하에 기재된 특허청구범위의 사상 및 범위 내에 포함되는 것으로서 넓게 해석되어야 한다.
Claims (30)
- (a) e-폐기물을 제1 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제1 추출 액체 및 제1 추출 고체를 형성하는 단계;
(b) 제1 추출 액체로부터 제1 추출 고체를 분리하는 단계;
(c) 제1 추출 고체를 제2 금속 분해 조성물과 접촉시켜 제2 추출 액체 및 제2 추출 고체를 형성하는 단계;
(d) 제1 금속 이온을 포함하는 제2 추출 액체로부터 제2 추출 고체를 분리하는 단계; 및
(e) 제1 추출 액체를, 제3 금속 이온으로부터 제2 금속 이온을 분리하는 첨가제와 접촉시키는 단계
를 포함하는, e-폐기물로부터 1종 초과의 금속을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
e-폐기물이 분말로 미분되어 있거나, 파쇄되어 있거나, 금속이 노출되도록 분쇄되어 있거나, 또는 이들의 임의의 조합으로 존재하는, 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 방법이 약 20℃ 내지 약 70℃의 범위 내의 온도에서 수행되는, 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법이 약 20℃ 내지 약 50℃의 범위 내의 온도에서 수행되는, 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 추출 액체가 제2 추출 액체와 동일한 것인, 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 추출 액체가 제2 추출 액체와 상이한 것인, 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 추출 액체가 1종 이상의 킬레이팅제 및 1종 이상의 산화제를 포함하는, 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 추출 액체가 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하는, 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 추출 액체가 1종 이상의 킬레이팅제 및 1종 이상의 산화제를 포함하는, 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 추출 액체가 1종 이상의 킬레이팅제, 1종 이상의 산화제 및 1종 이상의 촉매를 포함하는, 방법. - 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
1종 이상의 킬레이팅제가 염산 또는 황산을 포함하는, 방법. - 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
1종 이상의 킬레이팅제가 염산을 포함하는, 방법. - 제7항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
1종 이상의 산화제가 과산화수소를 포함하는, 방법. - 제8항 및 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
1종 이상의 촉매가 1종 이상의 글리콜 화합물을 포함하는, 방법. - 제14항에 있어서,
1종 이상의 글리콜 에테르가 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌 글리콜, 다이프로필렌 글리콜, 다이에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트라이에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 다이에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트라이에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트라이에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 다이에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 메틸 에테르(DPGME), 트라이프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 다이메틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 다이프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(DPGPE), 트라이프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 다이프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트라이프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르 및 이들의 조합물로 구성된 군으로부터 선택된 종을 포함하는, 방법. - 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
첨가제가 pH 조절제를 포함하는, 방법. - 제16항에 있어서,
pH 조절제가 염기를 포함하는, 방법. - 제16항 또는 제17항에 있어서,
pH 조절제가 수산화 이온을 포함하는, 방법. - 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 추출 액체의 pH가 약 6 내지 약 12의 범위 내의 pH로 조절되는, 방법. - 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 추출 액체의 pH가 약 9 내지 약 11의 범위 내의 pH로 조절되는, 방법. - 제16항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 금속 이온이 액체 분획에 함유되고, 제3 금속 이온이 고체 분획에 함유되는, 방법. - 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
첨가제가 유기상을 포함하고 제1 추출 액체가 수성상을 포함함으로써, 상기 유기상과 제1 추출 액체의 조합 시 제3 금속 이온이 상기 유기상 내로 추출되고 제2 금속 이온이 상기 수성상에 잔류하는, 방법. - 제22항에 있어서,
유기상이 수성상으로부터 분리되는, 방법. - 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 금속 이온을 제1 고체 금속으로 환원시키는 단계를 추가로 포함하는 방법. - 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 금속 이온을 제2 고체 금속으로 환원시키는 단계를 추가로 포함하는 방법. - 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
제3 금속 이온을 제3 고체 금속으로 환원시키는 단계를 추가로 포함하는 방법. - 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 금속이 금인, 방법. - 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 금속이 은인, 방법. - 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,
제3 금속이 구리인, 방법. - (a) e-폐기물을, 상기 e-폐기물로부터 2종 이상의 금속 이온을 추출하기 위한 조성물과 접촉시키는 단계;
(b) e-폐기물로부터 추출된 2종 이상의 금속 이온을 개별 금속 이온 분획으로 분리하는 단계; 및
(c) 각각의 금속 이온 분획을 고체 금속으로 환원시키는 단계
를 포함하는, e-폐기물로부터 금속을 제거하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US37527310P | 2010-08-20 | 2010-08-20 | |
| US61/375,273 | 2010-08-20 | ||
| PCT/US2011/048449 WO2012024603A2 (en) | 2010-08-20 | 2011-08-19 | Sustainable process for reclaiming precious metals and base metals from e-waste |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130099948A true KR20130099948A (ko) | 2013-09-06 |
Family
ID=45605692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20137006975A KR20130099948A (ko) | 2010-08-20 | 2011-08-19 | E-폐기물로부터 귀금속 및 베이스 금속을 회수하는 지속가능한 방법 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9238850B2 (ko) |
| EP (1) | EP2606158A4 (ko) |
| JP (2) | JP6068341B2 (ko) |
| KR (1) | KR20130099948A (ko) |
| CN (2) | CN105274338A (ko) |
| BR (1) | BR112013003854A2 (ko) |
| CL (1) | CL2013000500A1 (ko) |
| TW (2) | TWI558818B (ko) |
| WO (1) | WO2012024603A2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018092954A1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 삼덕금속 주식회사 | 동합금 유래 금속의 회수방법 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5933950B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
| EP2790845B1 (en) * | 2011-12-15 | 2017-02-08 | Entegris Inc. | Apparatus and method for stripping solder metals during the recycling of waste electrical and electronic equipment |
| ITMI20120579A1 (it) | 2012-04-11 | 2013-10-12 | Metals Technology Dev Compa Ny Llc | Procedimento per recuperare metalli non ferrosi da una matrice solida |
| CN103540748B (zh) * | 2012-07-16 | 2015-10-28 | 中国科学院化学研究所 | 一种废旧印刷线路板基板的金属与非金属的分离方法 |
| WO2014089196A1 (en) | 2012-12-05 | 2014-06-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for cleaning iii-v semiconductor materials and methods of using same |
| US10472567B2 (en) | 2013-03-04 | 2019-11-12 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
| EP3004287B1 (en) | 2013-06-06 | 2021-08-18 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
| KR102338526B1 (ko) | 2013-07-31 | 2021-12-14 | 엔테그리스, 아이엔씨. | Cu/W 호환성을 갖는, 금속 하드 마스크 및 에칭-후 잔여물을 제거하기 위한 수성 제형 |
| SG11201601158VA (en) | 2013-08-30 | 2016-03-30 | Advanced Tech Materials | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
| TWI654340B (zh) | 2013-12-16 | 2019-03-21 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | Ｎｉ：ＮｉＧｅ：Ｇｅ選擇性蝕刻配方及其使用方法 |
| EP3084809A4 (en) | 2013-12-20 | 2017-08-23 | Entegris, Inc. | Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist |
| EP3083016B1 (en) | 2013-12-20 | 2020-07-29 | Greene Lyon Group Inc. | Method and apparatus for recovery of noble metals, including recovery of noble metals from plated and/or filled scrap |
| KR102290209B1 (ko) | 2013-12-31 | 2021-08-20 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 규소 및 게르마늄을 선택적으로 에칭하기 위한 배합물 |
| TWI659098B (zh) | 2014-01-29 | 2019-05-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 化學機械研磨後配方及其使用方法 |
| US11127587B2 (en) | 2014-02-05 | 2021-09-21 | Entegris, Inc. | Non-amine post-CMP compositions and method of use |
| CN106029573B (zh) * | 2014-02-26 | 2018-12-11 | 格林里昂集团有限公司 | 废料中金和/或银的回收 |
| CN103934536B (zh) * | 2014-05-12 | 2016-06-22 | 上海第二工业大学 | 一种对废弃印刷电路板焊接元器件进行拆解的方法 |
| KR101849622B1 (ko) * | 2014-09-09 | 2018-04-18 | 차이나 내셔널 일렉트릭 애퍼레터스 리서치 인스티튜트 | 기저층 구리/니켈 전기 도금 재료로부터 희귀/불활성 금속을 회수하는 방법 및 시약 |
| FI20155187A (fi) | 2015-03-18 | 2016-09-19 | Outotec Finland Oy | Kullan talteenotto liuoksesta |
| CN107922992B (zh) | 2015-06-24 | 2021-03-02 | 格林里昂集团有限公司 | 使用包括含有硝酸根离子的流体的酸性流体的贵金属的选择性移出 |
| ITUB20152452A1 (it) * | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Research And Recycling Soc Cooperativa | Processo, e relativo impianto, per l'estrazione di metalli pregiati da schede elettroniche |
| US10597753B2 (en) * | 2015-08-27 | 2020-03-24 | All Green Recycling, Inc. | Systems and methods of efficiently recovering precious metals using an alkaline leach, ultrasound, and electrolysis |
| US10202668B2 (en) * | 2015-08-27 | 2019-02-12 | All Green Recycling, Inc. | Metal recovery processes |
| WO2017037625A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | Attero Recycling Pvt. Ltd. | A method and process of recovering metal values from waste monolithic ceramic capacitors |
| US9777346B2 (en) | 2015-09-03 | 2017-10-03 | Battelle Energy Alliance, Llc | Methods for recovering metals from electronic waste, and related systems |
| CN105886780A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-08-24 | 董博文 | 一种非氰高效溶浸含金物料中金的药剂 |
| CN106498159B (zh) * | 2016-10-24 | 2018-07-03 | 黄奇向 | 一种金银铜选矿添加剂及其生产方法和使用方法 |
| CN107217142B (zh) * | 2017-07-04 | 2019-04-12 | 南京大学 | 一种分质回收复杂重金属的耐酸螯合树脂组合调控方法 |
| WO2019178051A1 (en) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | Jabil Inc. | Precious metals recovery processes |
| BR112020023254A2 (pt) | 2018-05-15 | 2021-02-23 | Hycroft Mining Holding Corporation | métodos e sistemas de oxidação alcalina para recuperação de metais de minérios |
| WO2019229632A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | Università Degli Studi Dell'aquila | Hydrometallurgical method for the recovery of base metals and precious metals from a waste material |
| CN108950211B (zh) * | 2018-06-13 | 2019-09-10 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种从废旧芯片中回收银和铜的方法 |
| CN109609783B (zh) * | 2018-12-22 | 2020-11-10 | 励福(江门)环保科技股份有限公司 | 一种从含钯、铑合金的合金片中高效分离提纯钯和铑的方法 |
| CN109609767A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-12 | 北京工业大学 | 一种基于超声辅助的废线路板贵金属高效分离回收方法 |
| SG11202111023QA (en) * | 2019-04-03 | 2021-11-29 | Clean Earth Tech Pty Ltd | Materials and processes for recovering precious metals |
| US11312922B2 (en) | 2019-04-12 | 2022-04-26 | Ecolab Usa Inc. | Antimicrobial multi-purpose cleaner comprising a sulfonic acid-containing surfactant and methods of making and using the same |
| US11666955B2 (en) | 2019-09-04 | 2023-06-06 | Jabil Inc. | System and method for obtaining mineral rich powder from electronic waste |
| CN110466090B (zh) * | 2019-09-10 | 2021-03-30 | 珠海市安能环保科技有限公司 | 一种从hw16废感光胶片中回收银和pet胶片的方法 |
| JP2023183841A (ja) * | 2022-06-16 | 2023-12-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 貴金属の製造方法 |
| CN116004990B (zh) * | 2023-02-20 | 2024-06-21 | 澳门科技大学 | 一种从废弃手机电路板回收铜和金的方法 |
Family Cites Families (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD253048A1 (de) | 1986-10-01 | 1988-01-06 | Funk A Bergbau Huettenkombinat | Verfahren zur rueckgewinnung von edel- und begleitmetallen aus sekundaerrohstoffen |
| JPH059606A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金銀合金の分離方法 |
| US5993685A (en) | 1997-04-02 | 1999-11-30 | Advanced Technology Materials | Planarization composition for removing metal films |
| US6322600B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Planarization compositions and methods for removing interlayer dielectric films |
| US6126720A (en) * | 1997-06-16 | 2000-10-03 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for smelting noble metal |
| US6280651B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-08-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent |
| JP3309794B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2002-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 白金およびパラジウムの分離除去方法 |
| JP4226216B2 (ja) | 1998-05-18 | 2009-02-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 半導体基板用の剥離用組成物 |
| US6875733B1 (en) | 1998-10-14 | 2005-04-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates |
| US6409781B1 (en) | 2000-05-01 | 2002-06-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Polishing slurries for copper and associated materials |
| KR100395400B1 (ko) | 2001-02-27 | 2003-08-25 | (주)아이티그린 | 킬레이트 수지를 이용하여 전자폐기물에서 백금족 원소를 회수하는 방법 |
| KR100421937B1 (ko) | 2001-07-16 | 2004-03-12 | 오치정 | 폐 인쇄회로기판으로부터 유가금속을 회수하는 방법 |
| US6692546B2 (en) | 2001-08-14 | 2004-02-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same |
| US7029373B2 (en) | 2001-08-14 | 2006-04-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same |
| US6800218B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-10-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same |
| US6802983B2 (en) | 2001-09-17 | 2004-10-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Preparation of high performance silica slurry using a centrifuge |
| US6773873B2 (en) | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
| US7300601B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
| US8236485B2 (en) | 2002-12-20 | 2012-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photoresist removal |
| ITMI20030468A1 (it) * | 2003-03-12 | 2004-09-13 | Engitec S R L | Processo per recuperare metalli in particolare metalli |
| US20060191376A1 (en) * | 2003-03-27 | 2006-08-31 | Wu Hsieh S | Method and devices for recycling copper from a discarded circuit board and a discarded fluid containing copper |
| KR20060024775A (ko) | 2003-05-12 | 2006-03-17 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 제2단계 구리 라이너 및 관련된 물질을 위한 ｃｍｐ조성물및 그 이용방법 |
| US7736405B2 (en) | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
| CN1208479C (zh) * | 2003-06-02 | 2005-06-29 | 浙江省冶金研究院有限公司 | 电子废料的贵金属再生回收方法 |
| JP4524593B2 (ja) | 2003-10-27 | 2010-08-18 | 三菱化学株式会社 | 貴金属の溶解液及びこの溶解液を用いた貴金属の溶解・回収方法 |
| CN1938412A (zh) | 2003-12-02 | 2007-03-28 | 高级技术材料公司 | 剥离抗蚀剂、barc和填隙材料的化学制剂及方法 |
| US8338087B2 (en) | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
| WO2006013568A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-09 | Berg Recycling Industries Ltd. | Recovery of precious metals from electronic scrap by hydrometallurgical processing |
| WO2006069738A1 (de) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Basf Aktiengesellschaft | Verwendung von nichtionischen tensiden bei der metallgewinnung |
| US20060154186A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings |
| WO2006110645A2 (en) | 2005-04-11 | 2006-10-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluoride liquid cleaners with polar and non-polar solvent mixtures for cleaning low-k-containing microelectronic devices |
| TW200700935A (en) | 2005-04-15 | 2007-01-01 | Advanced Tech Materials | Formulations for cleaning ion-implanted photoresist layers from microelectronic devices |
| US20070251551A1 (en) | 2005-04-15 | 2007-11-01 | Korzenski Michael B | Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems |
| EP1899111A2 (en) | 2005-06-06 | 2008-03-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing |
| TWI408212B (zh) | 2005-06-07 | 2013-09-11 | Advanced Tech Materials | 金屬及介電相容犧牲抗反射塗層清洗及移除組成物 |
| CN101233601A (zh) | 2005-06-13 | 2008-07-30 | 高级技术材料公司 | 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法 |
| CN101356628B (zh) | 2005-08-05 | 2012-01-04 | 高级技术材料公司 | 用于对金属膜进行平坦化的高通量化学机械抛光组合物 |
| WO2007027522A2 (en) | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for removing thick film photoresist |
| KR101444468B1 (ko) | 2005-10-05 | 2014-10-30 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제 |
| WO2007044447A2 (en) | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material |
| KR20080059442A (ko) | 2005-10-13 | 2008-06-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 상용성 포토레지스트 및/또는 희생 반사방지 코팅제거 조성물 |
| AU2006340825A1 (en) | 2005-11-09 | 2007-10-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon |
| TW200734448A (en) | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
| US8685909B2 (en) | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
| CN100406591C (zh) | 2006-10-31 | 2008-07-30 | 东华大学 | 一种从电子废弃物中提取金属铜的方法 |
| US20080125342A1 (en) | 2006-11-07 | 2008-05-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for cleaning memory device structures |
| TWI562234B (en) | 2006-12-21 | 2016-12-11 | Entegris Inc | Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride |
| US20100163788A1 (en) | 2006-12-21 | 2010-07-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Liquid cleaner for the removal of post-etch residues |
| US20100087065A1 (en) | 2007-01-31 | 2010-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
| TWI516573B (zh) | 2007-02-06 | 2016-01-11 | 安堤格里斯公司 | 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法 |
| US20100112728A1 (en) | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
| CN101100706A (zh) * | 2007-07-13 | 2008-01-09 | 东华大学 | 一种从印刷线路板中浸金的方法 |
| KR20100051839A (ko) | 2007-08-02 | 2010-05-18 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 마이크로전자 장치로부터 잔사를 제거하기 위한 플루오라이드 비-함유 조성물 |
| KR20100056537A (ko) | 2007-08-20 | 2010-05-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 이온-주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 조성물 및 방법 |
| TW200934865A (en) | 2007-11-30 | 2009-08-16 | Advanced Tech Materials | Formulations for cleaning memory device structures |
| WO2009087908A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Shibaura Institute Of Technology | 有用金属のリサイクル方法 |
| JP5498686B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 貴金属回収方法および貴金属回収システム |
| JP2011520142A (ja) | 2008-05-01 | 2011-07-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 高密度注入レジストの除去のための低ｐＨ混合物 |
| TW201013338A (en) | 2008-08-04 | 2010-04-01 | Advanced Tech Materials | Environmentally friendly polymer stripping compositions |
| SG173172A1 (en) | 2009-01-28 | 2011-08-29 | Advanced Tech Materials | Lithographic tool in situ clean formulations |
| WO2010086745A1 (en) | 2009-02-02 | 2010-08-05 | Atmi Taiwan Co., Ltd. | Method of etching lanthanum-containing oxide layers |
| WO2010091045A2 (en) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface |
| WO2011056948A2 (en) | 2009-11-05 | 2011-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods of texturing surfaces for controlled reflection |
| EP2558605A1 (en) | 2010-04-15 | 2013-02-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for recycling of obsolete printed circuit boards |
| US9063431B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-06-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues |
| JP6101421B2 (ja) | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
| TWI502065B (zh) | 2010-10-13 | 2015-10-01 | Entegris Inc | 抑制氮化鈦腐蝕之組成物及方法 |
| KR102064487B1 (ko) | 2011-01-13 | 2020-01-10 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 세륨-함유 용액에 의해 발생된 입자의 제거를 위한 배합물 |
-
2011
- 2011-08-19 CN CN201510599616.XA patent/CN105274338A/zh active Pending
- 2011-08-19 JP JP2013525000A patent/JP6068341B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-19 TW TW100129709A patent/TWI558818B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-19 CN CN201180049029.3A patent/CN103249849B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-19 TW TW105126569A patent/TW201716588A/zh unknown
- 2011-08-19 EP EP11818837.4A patent/EP2606158A4/en not_active Withdrawn
- 2011-08-19 BR BR112013003854A patent/BR112013003854A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2011-08-19 WO PCT/US2011/048449 patent/WO2012024603A2/en active Application Filing
- 2011-08-19 US US13/817,868 patent/US9238850B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-19 KR KR20137006975A patent/KR20130099948A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-02-20 CL CL2013000500A patent/CL2013000500A1/es unknown
-
2016
- 2016-01-12 US US14/993,614 patent/US20160122846A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-22 JP JP2016248776A patent/JP2017110301A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018092954A1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | 삼덕금속 주식회사 | 동합금 유래 금속의 회수방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103249849A (zh) | 2013-08-14 |
| EP2606158A2 (en) | 2013-06-26 |
| TWI558818B (zh) | 2016-11-21 |
| CL2013000500A1 (es) | 2013-09-23 |
| CN103249849B (zh) | 2015-11-25 |
| US20130336857A1 (en) | 2013-12-19 |
| BR112013003854A2 (pt) | 2016-06-07 |
| WO2012024603A2 (en) | 2012-02-23 |
| JP2017110301A (ja) | 2017-06-22 |
| US20160122846A1 (en) | 2016-05-05 |
| TW201229242A (en) | 2012-07-16 |
| JP6068341B2 (ja) | 2017-01-25 |
| TW201716588A (zh) | 2017-05-16 |
| WO2012024603A3 (en) | 2012-05-18 |
| US9238850B2 (en) | 2016-01-19 |
| JP2013540572A (ja) | 2013-11-07 |
| EP2606158A4 (en) | 2017-04-26 |
| CN105274338A (zh) | 2016-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |