KR20130069411A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 다른 약액이 서로 섞이는 것을 억제하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 기판 유지부(21)와, 기판 유지부(21)를 회전시키는 회전 구동부(24)와, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 노즐(73)과, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제1 약액과는 다른 종류의 제2 약액을 토출하는 제2 약액 노즐(83)과, 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83)을 이동시키는 제1 노즐 구동부(70) 및 제2 노즐 구동부(80)를 구비하고 있다. 각 약액 노즐(73, 83)은, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 약액을 토출할 때에 위치하는 처리 위치와, 약액을 토출하지 않을 때에 위치하는 대기 위치 사이에서, 각 노즐 구동부(70, 80)에 의해서 각각 이동시켜진다. 여기서, 각 대기 위치는 각 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 위치하고 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은 수평으로 유지된 기판을 회전시키면서 약액에 의해 기판을 액처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 기판 처리 장치에 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 기판을 수직축 둘레로 회전이 자유롭게 유지하고, 기판을 회전시키면서 그 피처리면에 여러 가지 약액을 공급하는 매엽식의 액처리 공정이 포함된다. 이러한 약액을 이용한 액처리에 있어서는, 처리 목적에 따라서 다른 약액이 적절하게 구별지어져 사용된다.
예컨대 특허문헌 1에 있어서, 제1 약액을 기판의 주연부를 향해서 토출하는 제1 약액 토출구와, 제2 약액을 기판의 주연부(周緣部)를 향해서 토출하는 제2 약액 토출구를 포함하는 노즐을 갖춘 기판 처리 장치가 제안되어 있다. 제1 약액 및 제2 약액으로서는, 예컨대, 황산, 초산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 인산, 유기산(예컨대 시트르산, 수산 등), 유기 알칼리(예컨대, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면활성제, 부식방지제 중 적어도 하나를 포함하는 액이 예시되어 있다.
또한 특허문헌 1에 있어서, 노즐은, 노즐에 공급된 제1 약액이 제1 약액 유로를 지나 제1 약액 공급구에 공급되고, 노즐에 공급된 제2 약액이 제2 약액 유로를 지나 제2 약액 공급구에 공급되도록 구성되어 있다. 이와 같이 노즐을 구성함으로써, 노즐의 내부에 있어서 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것이 방지되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2011-135014호 공보
노즐로부터 토출된 제1 약액 및 제2 약액은 정해진 속도로 기판에 충돌한다. 이 경우, 기판에 충돌한 약액이 기판으로부터 튀어 되돌아오고, 튀어온 약액이 노즐에 부착되는 경우가 있다. 또한, 충돌에 의한 에너지에 기인하여, 기판 상에 이미 존재하고 있었던 약액이 튀어 오르는 것도 생각할 수 있다. 여기서, 전술한 특허문헌 1의 경우와 같이 하나의 노즐에 제1 약액 토출구 및 제2 약액 토출구가 형성되어 있는 경우, 기판으로부터 튀어 되돌아오거나 튀어 오르거나 한 제1 약액이 제2 약액 토출구에 부착되거나 또는 기판으로부터 튀어 되돌아오거나 튀어 오르거나 한 제2 약액이 제1 약액 토출구에 부착되고, 이에 따라 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞여 버리는 경우를 생각할 수 있다. 이와 같이 다른 종류의 약액이 서로 섞이면, 화학 반응에 의해서 이물이나 가스가 발생하고, 이 때문에 기판이 오염되어 버리는 경우를 생각할 수 있다.
본 발명은 이러한 과제를 효과적으로 해결할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 수평으로 유지된 기판을 회전시키면서 약액에 의해 기판의 주연부를 액처리하는 기판 처리 장치로서, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와, 기판의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 노즐과, 기판의 주연부를 향해서 상기 제1 약액과는 다른 종류의 제2 약액을 토출하는 제2 약액 노즐과, 상기 제1 약액 노즐 및 상기 제2 약액 노즐을 이동시키는 제1 노즐 구동부 및 제2 노즐 구동부를 구비하고, 상기 제1 약액 노즐 및 상기 제2 약액 노즐은, 기판의 주연부를 향해서 약액을 토출할 때에 위치하는 제1 처리 위치 및 제2 처리 위치와, 약액을 토출하지 않을 때에 위치하는 제1 대기 위치 및 제2 대기 위치 사이에서, 각 노즐 구동부에 의해서 각각 이동시켜지고, 상기 제1 대기 위치 및 상기 제2 대기 위치는, 상기 제1 처리 위치 및 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은 수평으로 유지된 기판을 회전시키면서 약액에 의해 기판의 주연부를 액처리하는 기판 처리 방법으로서, 제1 처리 위치에 위치하는 제1 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하는 단계와, 제2 처리 위치에 위치하는 제2 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출하는 단계를 포함하고, 상기 제2 약액 노즐이 기판을 향해서 제2 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제1 약액 노즐은 상기 제1 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제1 대기 위치에 위치하고 있고, 상기 제1 약액 노즐이 기판을 향해서 제1 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제2 약액 노즐은 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제2 대기 위치에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 기판 처리 장치에 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 제1 처리 위치에 위치하는 제1 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하는 단계와, 제2 처리 위치에 위치하는 제2 약액 노즐에 의해서 기판의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출하는 단계를 포함하고, 상기 제2 약액 노즐이 기판을 향해서 제2 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제1 약액 노즐은 상기 제1 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제1 대기 위치에 위치하고 있고, 상기 제1 약액 노즐이 기판을 향해서 제1 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제2 약액 노즐은 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제2 대기 위치에 위치하고 있는 방법으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체이다.
본 발명에 따르면, 약액을 토출하지 않을 때의 제1 약액 노즐 및 제2 약액 노즐을 제1 대기 위치 및 제2 대기 위치에 위치시킴으로써, 기판으로부터 튀어 되돌아오거나 튀어 오르거나 하는 약액 등의 액이 제1 약액 노즐 및 제2 약액 노즐에 부착되는 것을 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치를 갖춘 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 기판 처리 장치를 III-III 방향에서 본 종단면도이다.
도 4는 도 2에 도시하는 기판 처리 장치를 IV-IV 방향에서 본 종단면도이다.
도 5는 도 2에 도시하는 기판 처리 장치를 V-V 방향에서 본 종단면도이다.
도 6은 노즐 구동부에 의해서 지지된 약액 노즐 및 린스 노즐을 비스듬히 아래쪽에서 본 경우를 도시하는 도면이다.
도 7a는 바깥쪽 위치에 있는 약액 노즐을 도시하는 도면, 도 7b는 처리 위치에 있는 약액 노즐을 도시하는 도면, 도 7c는 린스 처리 위치에 있는 린스 노즐을 도시하는 도면, 도 7d는 대기 위치에 있는 약액 노즐을 도시하는 도면이다.
도 8은 컵체에 형성된 약액 토출구, 린스액 토출구 및 세정액 토출구를 도시하는 도면이다.
도 9는 경사지도록 형성된 컵체의 액받이 공간의 액받이 바닥면의 작용을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10의 (a)∼도 10의 (f)는 본 발명의 실시형태에 있어서의 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.
도 11의 (a)∼도 11의 (f)는 본 발명의 실시형태의 변형예에 의한 기판 처리 방법을 도시하는 도면이다.
도 12의 (a)∼도 12의 (d)는 린스 노즐의 변형예를 도시하는 도면이다.
이하, 도 1 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 여기서는, 원형의 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 기재함)(W)의 액처리를 행하는 기판 처리 장치(1)에 관해서 설명한다.
본 실시형태에 의한 기판 처리 장치(1)에 의해서 처리되는 웨이퍼(W)에는, 예컨대 SiN으로 이루어지는 막이 형성되어 있고, 이 막은 웨이퍼(W)의 상면에서부터 웨이퍼(W)의 측단부를 통해 웨이퍼(W) 하면 측의 주연부에 걸치도록 형성되어 있다. 여기서 기판 처리 장치(1)는 적어도 2 종류의 다른 약액을 웨이퍼(W)에 대하여 공급함으로써, 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 막 중 웨이퍼(W)의 주연부에 위치하는 막을 제거하도록 구성되어 있다. 처음에 도 1을 참조하여, 이러한 기판 처리 장치(1)를 포함하는 기판 처리 시스템(100)에 관해서 설명한다.
한편 웨이퍼(W)의 상면 또는 하면이란, 웨이퍼(W)가 후술하는 기판 유지부(21)에 의해서 수평으로 유지되어 있을 때에 위 또는 아래를 향하고 있는 면이다. 또한 웨이퍼(W)의 주연부란, 웨이퍼(W)의 측단부 근방의 영역으로서, 반도체 장치의 패턴이 형성되지 않는 영역을 말한다.
기판 처리 시스템
도 1은 기판 처리 시스템(100)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 시스템(100)은 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어(C)가 놓이고, 웨이퍼(W)를 반입ㆍ반출하는 반입출 스테이션(10A)과, 웨이퍼(W)를 액처리하기 위한 처리 스테이션(10B)을 구비하고 있다. 반입출 스테이션(10A) 및 처리 스테이션(10B)은 인접하여 설치되어 있다.
(반입출 스테이션)
반입출 스테이션(10A)은, 캐리어 배치부(101), 반송부(102), 전달부(103) 및 하우징(104)을 갖고 있다. 캐리어 배치부(101)에는, 복수의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 웨이퍼 캐리어(C)가 배치되어 있다. 반송부(102)에 있어서, 웨이퍼(W)의 반송이 행해지고, 전달부(103)에 있어서, 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 반송부(102) 및 전달부(103)는 하우징(104)에 수용되어 있다.
반송부(102)는 반송 기구(105)를 갖고 있다. 반송 기구(105)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 아암(106)과, 웨이퍼 유지 아암(106)을 전후로 이동시키는 기구를 갖고 있다. 또한 반송 기구(105)는, 도시하지는 않지만, 웨이퍼 캐리어(C)가 배열된 X 방향으로 뻗는 수평 가이드(107)를 따라서 웨이퍼 유지 아암(106)을 이동시키는 기구와, 수직 방향으로 설치된 수직 가이드를 따라서 웨이퍼 유지 아암(106)을 이동시키는 기구와, 수평 면내에서 웨이퍼 유지 아암(106)을 회전시키는 기구를 더 갖고 있다. 반송 기구(105)에 의해 웨이퍼 캐리어(C)와 전달부(103) 사이에서 웨이퍼(W)가 반송된다.
전달부(103)는 웨이퍼(W)가 얹어지는 배치부를 복수 구비한 전달 선반(200)을 갖고 있다. 전달부(103)는 이 전달 선반(200)을 통해 처리 스테이션(10B)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받도록 구성되어 있다.
(처리 스테이션)
처리 스테이션(10B)은, 하우징(201)과, 하우징(201) 내에 수용된 복수의 기판 처리 장치(1)와, 반송실(202)과, 반송실(202) 내에 설치된 반송 기구(203)를 구비하고 있다. 복수의 기판 처리 장치(1)의 아래쪽에는 각 기판 처리 장치(1)에 액이나 가스를 공급하기 위한 기구가 수용되어 있더라도 좋다.
반송 기구(203)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 아암(204)과, 웨이퍼 유지 아암(204)을 전후로 이동시키는 기구를 갖고 있다. 또한 반송 기구(203)는, 도시하지는 않지만, 반송실(202)에 설치된 수평 가이드(205)를 따라서 웨이퍼 유지 아암(204)을 Y 방향으로 이동시키는 기구와, 수직 방향으로 설치된 수직 가이드를 따라서 웨이퍼 유지 아암(204)을 이동시키는 기구와, 수평 면내에서 웨이퍼 유지 아암(204)을 회전시키는 기구를 더 갖고 있다. 반송 기구(203)에 의해 각 기판 처리 장치(1)에 대한 웨이퍼(W)의 반입출이 실시된다.
기판 처리 장치
이어서 도 2 내지 도 9를 참조하여 기판 처리 장치(1)에 관해서 설명한다.
처음에, 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소 중 웨이퍼(W)의 상면에 대한 액처리를 행하기 위한 구성 요소에 관해서 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 노즐(73)과, 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 제2 약액을 토출하는 제2 약액 노즐(83)과, 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83) 근방에 각각 설치되어, 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 린스액을 토출하는 제1 린스 노즐(76) 및 제2 린스 노즐(86)을 구비하고 있다.
또한 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼(W)를 측방에서 덮도록 설치된 컵체(3)를 더 구비하고 있다. 컵체(3)는, 웨이퍼(W)로부터 비산된 약액을 받아내도록 구성된 커버부(45)와, 웨이퍼(W)로부터 비산된 약액을 컵체(3) 내의 후술하는 액받이 공간으로 유도하는 플랜지부(44)를 갖고 있다. 또한 도 2에 있어서는, 컵체(3) 내의 후술하는 액받이 공간에 형성되어, 약액을 외부로 배출하기 위한 배액구(38)와, 액의 흐름을 촉진하기 위한 캐리어액을 액받이 공간에 공급하는 캐리어액 공급구(35b)가 각각 점선으로 나타내어져 있다.
제1 약액 및 제2 약액으로서는 서로 다른 약액이 이용된다. 예컨대 제1 약액으로서는 암모니아, 과산화수소 및 순수의 혼합 용액(SC-1액) 등의 알칼리성의 약액이 이용되고, 또한 제2 약액으로서는 불화수소산 및 순수의 혼합 용액(HF액) 등의 산성의 용액이 이용된다. 또한 린스액으로서는 웨이퍼(W) 상에 남아 있는 약액을 씻어버릴 수 있는 액이 이용되며, 예컨대 순수(DIW)가 이용된다.
그런데, 다른 종류의 약액이 서로 섞이면, 화학 반응에 의해서 이물이나 가스가 발생할 것이 생각된다. 예컨대, 알칼리성의 약액과 산성의 약액이 서로 섞이면, 화학 반응에 의해서 염이 생성되고, 이 염에 의해서 웨이퍼(W)나 기판 처리 장치(1) 내의 분위기가 오염되는 것을 생각할 수 있다. 본 실시형태에서는, 이러한 다른 종류의 약액끼리 서로 섞이는 것을 막을 수 있도록 전술한 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83)이 구성되어 있다. 이하, 각 약액 노즐(73, 83) 구성의 개략에 관해서 설명한다.
우선, 각 약액 노즐(73, 83) 및 각 린스 노즐(76, 86)로부터 토출되는 액의 도달점 및 방향에 관해서 설명한다. 도 2에 있어서, 후술하는 제1 처리 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)로부터 토출된 제1 약액이 웨이퍼(W) 상면에 도달했을 때에 퍼지는 영역(이하, 제1 약액 공급 위치라 부름)이 부호 74a가 붙여진 실선으로 나타내어져 있고, 제1 린스 노즐(76)로부터 토출된 린스액이 웨이퍼(W) 상면에 도달했을 때에 퍼지는 영역(이하, 제1 린스액 공급 위치라 부름)이 부호 77a가 붙여진 실선으로 나타내어져 있다. 마찬가지로, 후술하는 제2 처리 위치에 있는 제2 약액 노즐(83)로부터 토출된 제2 약액이 웨이퍼(W) 상면에 도달했을 때에 퍼지는 영역(이하, 제2 약액 공급 위치라 부름)이 부호 84a가 붙여진 실선으로 나타내어져 있고, 제2 린스 노즐(86)로부터 토출된 린스액이 웨이퍼(W) 상면에 도달했을 때에 퍼지는 영역(이하, 제2 린스액 공급 위치라 부름)이 부호 87a가 붙여진 실선으로 나타내어져 있다.
본 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)과, 전술한 제1 약액 공급 위치(74a)의 중심점(74c) 및 제2 약액 공급 위치(84a)의 중심점(84c)을 연결함으로써 형성되는 약액 노즐 사이 중심각(φ1)은 제1 약액 공급 위치(74a)를 기준으로 하여 도 2에 도시하는 제1 회전 방향(R1)을 따라서 약액 노즐 사이 중심각(φ1)을 본 경우에 180도 보다 크게 되어 있다. 바람직하게는, 상기 약액 노즐 사이 중심각(φ1)은 240도 이상으로 되어 있고, 예컨대 도 2에 도시하는 예에서는 약액 노즐 사이 중심각(φ1)이 약 300도로 되어 있다. 이러한 약액 노즐 사이 중심각(φ1)에 관한 조건을 만족하도록 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83)을 구성함으로써, 후술하는 바와 같이, 한쪽의 약액 노즐로부터 토출되는 약액이 다른 쪽의 약액 노즐에 부착되는 것을 막을 수 있고, 이에 따라, 다른 종류의 약액이 서로 섞이는 것을 막을 수 있다.
후술하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)로부터의 액은, 웨이퍼(W)가 제1 회전 방향(R1)으로 회전하고 있는 동안에 토출된다. 또한, 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)로부터의 액은 웨이퍼(W)가 제2 회전 방향(R2)으로 회전하고 있는 동안에 토출된다. 여기서 바람직하게는, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)은 토출되는 제1 약액 및 린스액의 토출 방향이 제1 회전 방향(R1)으로 경사지도록 형성되어 있다. 여기서 「토출 방향이 제1 회전 방향(R1)으로 경사진다」란, 제1 약액 및 린스액의 토출 방향을 나타내는 벡터(도 2에 있어서 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)로부터 나와 있는 화살표)가 웨이퍼(W)의 제1 회전 방향(R1)의 성분을 갖고 있음을 의미하고 있다. 마찬가지로, 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)은, 토출되는 제2 약액 및 린스액의 토출 방향이 제2 회전 방향(R2)으로 경사지도록 형성되어 있다. 이와 같이 약액이나 린스액 등의 액의 토출 방향으로 웨이퍼(W)의 회전 방향과 동일한 성분을 갖게 함으로써, 웨이퍼(W)의 상면에 도달한 액의 속도와 웨이퍼(W)의 회전 속도의 차를 작게 할 수 있다. 이에 따라, 각 노즐(73, 76, 83, 86)로부터 토출된 액이 웨이퍼(W)의 상면에 도달함으로써 생기는 충돌 에너지를 작게 할 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W)에 토출한 액이나 웨이퍼(W) 상면 상에 존재하고 있었던 액이 튀어 올라 각 노즐(73, 76, 83, 86)에 있어서 다른 종류의 약액이 섞이는 것을 막을 수 있다. 또한, 액이 튀어 되돌아오는 것을 막음으로써, 토출된 액을 낭비하는 일없이 토출한 액의 대부분을 웨이퍼(W)의 처리에 유효하게 이용할 수 있다.
바람직하게는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 린스 노즐(76)은, 제1 회전 방향(R1)에 대해서 제1 약액 노즐(73)의 상류 측에 배치되어 있다. 이에 따라, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액이 제1 린스 노즐(76)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 마찬가지로, 제2 린스 노즐(86)은, 제2 회전 방향(R2)에 대해서 제2 약액 노즐(83)의 상류 측에 배치되어 있다. 이에 따라, 제2 약액 노즐(83)로부터 토출되는 제2 약액이 제2 린스 노즐(86)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 이와 같이 제1 린스 노즐(76) 및 제2 린스 노즐(86)을 배치함으로써, 린스 노즐(76, 86) 상에서 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞여 버리는 것을 보다 확실하게 막을 수 있다.
또한 바람직하게는, 제1 린스액 공급 위치(77a)는 제1 약액 공급 위치(74a)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 위치하고 있다. 즉, 린스액은 제1 약액보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 상면 중 제1 약액이 흐른 영역을 린스액에 의해서 확실하게 세정할 수 있다. 마찬가지로, 바람직하게는, 제2 린스액 공급 위치(87a)는 제2 약액 공급 위치(84a)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 위치하고 있다.
이어서, 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소 중 웨이퍼(W)의 하면에 대한 액처리를 하기 위한 구성 요소에 관해서 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 하면을 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 토출구(90)와, 웨이퍼(W)의 하면을 향해서 제2 약액을 토출하는 제2 약액 토출구(95)를 더 구비하고 있다. 제1 약액 토출구(90) 및 제2 약액 토출구(95)로부터 토출되는 제1 약액 및 제2 약액으로서는, 전술한 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83)로부터 토출되는 제1 약액 및 제2 약액과 동일한 것이 이용된다. 한편 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면을 향해서 린스액을 토출하는 린스액 토출구 등의 토출구가 더 기판 처리 장치(1)에 포함되어 있더라도 좋다.
이어서, 각 약액 토출구(90, 95)로부터 토출되는 액의 도달점 및 방향에 관해서 설명한다. 도 2에 있어서, 제1 약액 토출구(90)로부터 토출된 제1 약액이 도달하는 웨이퍼(W) 하면 상의 영역(이하, 제3 약액 공급 위치라 부름)이 부호 91a가 붙여진 점선으로 나타내어져 있고, 제2 약액 토출구(95)로부터 토출된 제2 약액이 도달하는 웨이퍼(W) 하면 상의 영역(이하, 제4 약액 공급 위치라 부름)이 부호 96a이 붙여진 점선으로 나타내어져 있다.
여기서, 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)과, 전술한 제3 약액 공급 위치(91a)의 중심점(91c) 및 제4 약액 공급 위치(96a)의 중심점(96c)을 연결함으로써 형성되는 약액 토출구 사이 중심각(φ2)은, 제3 약액 공급 위치(91a)를 기준으로 하여 도 2에 도시하는 제1 회전 방향(R1)을 따라서 약액 토출구 사이 중심각(φ2)을 본 경우에 180도 보다 크게 되어 있다. 바람직하게는, 상기 약액 토출구 사이 중심각(φ2)은 240도 이상으로 되어 있으며, 예컨대 도 2에 도시하는 예에서는 약액 토출구 사이 중심각(φ2)이 약 260도로 되어 있다. 이러한 약액 토출구 사이 중심각(φ2)에 관한 조건을 만족하도록 제1 약액 토출구(90) 및 제2 약액 토출구(95)를 구성함으로써, 후술하는 바와 같이, 한쪽의 약액 토출구로부터 토출된 약액이 다른 쪽의 약액 토출구에 부착되는 것을 막을 수 있고, 이에 따라, 다른 종류의 약액이 서로 섞이는 것을 막을 수 있다.
후술하는 바와 같이, 제1 약액 토출구(90)로부터의 제1 약액은, 제1 약액 노즐(73)로부터의 제1 약액과 동시에, 웨이퍼(W)가 제1 회전 방향(R1)으로 회전하고 있는 사이에 토출된다. 또한, 제2 약액 토출구(95)로부터의 제2 약액은, 제2 약액 노즐(83)로부터의 제2 약액과 동시에, 웨이퍼(W)가 제2 회전 방향(R2)으로 회전하고 있는 사이에 토출된다. 여기서 바람직하게는, 제1 약액 토출구(90)는 토출되는 제1 약액의 토출 방향이 제1 회전 방향(R1)으로 경사지도록 형성되어 있다. 마찬가지로, 제2 약액 토출구(95)는 토출되는 제2 약액의 토출 방향이 제2 회전 방향(R2)으로 경사지도록 형성되어 있다. 이에 따라, 전술한 약액 노즐(73, 83)의 경우와 마찬가지로, 각 약액 토출구(90, 95)로부터 토출된 약액이 웨이퍼(W)의 하면에 도달함으로써 생기는 충돌 에너지를 작게 할 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W)의 하면에 도달한 액이 크게 비산되는 것을 막을 수 있다.
그런데, 각 약액 토출구(90, 95)로부터 웨이퍼(W)의 하면에 도달한 약액은, 웨이퍼(W)가 회전하고 있는 사이에 웨이퍼(W) 상면 측으로 감아 들어오는 경우가 있다. 이 경우, 만일 웨이퍼(W) 상면 상으로 감아 들어온 약액이 존재하고 있는 영역을 향해서 웨이퍼(W)의 상측에 있는 약액 노즐(73, 83)로부터의 약액이 토출되면, 약액 토출구(90, 95)로부터 토출된 약액과 약액 노즐(73, 83)로부터 토출된 약액이 충돌하여 미스트가 발생하는 경우가 있다. 여기서 본 실시형태에 따르면, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 토출구(90)는 제1 회전 방향(R1)에 대해서 제3 약액 공급 위치(91a)가 웨이퍼(W) 상면 상의 제1 약액 공급 위치(74a)의 하류 측에 배치되도록 구성되어 있다. 이 때문에, 제1 회전 방향(R1)을 따라서 본 경우의, 제3 약액 공급 위치(91a)에서부터 제1 약액 공급 위치(74a)까지의 거리가 길게 되어 있다. 따라서, 제1 약액 토출구(90)로부터 토출되어 웨이퍼(W)의 하면에 도달한 제1 약액은 웨이퍼(W)가 회전함으로써 제1 약액 공급 위치(74a)까지 옮겨지기도 전에 원심력에 의해서 웨이퍼(W)로부터 흩뿌려진다. 이에 따라, 제1 약액 토출구(90)로부터 공급된 제1 약액이 제1 약액 공급 위치(74a) 내에 존재하는 것을 막을 수 있다. 이로써, 제1 약액 토출구(90)로부터 공급된 제1 약액과 제1 약액 노즐(73)로부터 공급된 제1 약액이 웨이퍼(W)의 상면 측에서 충돌하는 것을 막을 수 있고, 이에 따라, 제1 약액의 미스트 발생을 막을 수 있다. 마찬가지로, 제2 약액 토출구(95)는 제2 회전 방향(R2)에 대해서 제4 약액 공급 위치(96a)가 웨이퍼(W) 상면 상의 제2 약액 공급 위치(84a)의 하류 측에 배치되도록 구성되어 있다. 이로써, 제2 약액 토출구(95)로부터 공급된 제2 약액과 제2 약액 노즐(83)로부터 공급된 제2 약액이 웨이퍼(W)의 상면 측에서 충돌하는 것을 막을 수 있고, 이에 따라, 제2 약액의 미스트 발생을 막을 수 있다.
제1 약액 토출구(90)의 구체적인 배치는 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는, 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)과, 제3 약액 공급 위치(91a)의 중심점(91c) 및 제1 약액 공급 위치(74a)의 중심점(74c)을 연결함으로써 형성되는 중심각(φ3)이 10도 이상이 되도록, 제1 약액 토출구(90)가 구성된다. 마찬가지로, 바람직하게는, 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)과, 제4 약액 공급 위치(96a)의 중심점(96c) 및 제2 약액 공급 위치(84a)의 중심점(84c)을 연결함으로써 형성되는 중심각(φ4)이 10도 이상이 되도록 제2 약액 토출구(95)가 구성된다.
전술한 도달점이나 방향을 만족하는 약액 및 린스액의 토출을 가능하게 하기 위한 기판 처리 장치(1)의 구체적인 구조에 관해서 도 3 내지 도 5를 참조하여 이하에서 설명한다. 도 3은 도 2에 도시하는 기판 처리 장치(1)를 III-III 방향에서 본 종단면도이고, 도 4는 도 2에 도시하는 기판 처리 장치를 IV-IV 방향에서 본 종단면도이며, 도 5는 도 2에 도시하는 기판 처리 장치(1)를 V-V 방향에서 본 종단면도이다. 한편 도 3에서는, 설명의 편의상, 기판 처리 장치(1)를 III-III 방향에서 본 종단면도에 제1 약액 노즐(73), 제1 린스 노즐(76) 및 제1 약액 토출구(90) 모두가 그려져 있다. 마찬가지로 도 4에서는, 설명의 편의상, 기판 처리 장치(1)를 IV-IV 방향에서 본 종단면도에 제2 약액 노즐(83), 제2 린스 노즐(86) 및 제2 약액 토출구(95) 모두가 그려져 있다.
도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 기판 유지부(21)와, 기판 유지부(21) 하측에 접속되어, 기판 유지부(21)를 회전시키는 회전 구동부(24)와, 웨이퍼(W)를 측방에서 덮도록 설치된 전술한 컵체(3)와, 웨이퍼(W)의 상면과 공간을 통해 대향하도록 설치된 커버 부재(5)를 구비하고 있다. 이하, 각 구성 요소에 관해서 순차 설명한다.
(기판 유지부 및 회전 구동부)
기판 유지부(21)는 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉하지 않고서 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하도록 구성되어 있으며, 예컨대 웨이퍼(W) 하면의 중앙부를 흡착 유지하는 진공 척으로서 구성되어 있다. 회전 구동부(24)는, 기판 유지부(21)를 지지하는 회전 구동축(22)과, 회전 구동축(22)을 회전시키는 모터(23)를 포함하고 있다. 회전 구동축(22)을 회전시킴으로써, 기판 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)를 수직 방향 축 둘레로 회전시킬 수 있다. 한편 회전 구동부(24)의 회전 구동축(22)은 제1 회전 방향(R1) 및 제1 회전 방향(R1)과는 반대의 제2 회전 방향(R2) 중 어디로도 회전할 수 있게 구성되어 있다.
(컵체)
컵체(3)는 링 형상 부재이며, 기판 유지부(21) 및 웨이퍼(W)의 측단부를 측방에서 둘러싸며, 웨이퍼(W)가 삽입될 수 있는 개구부(46)를 갖도록 구성되어 있다. 처음에 컵체(3)의 내부 구조에 관해서 설명한다. 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 컵체(3)의 내부에는, 위쪽으로 향하여 개구되고, 원주 방향을 따라서 뻗는 홈부(33)가 형성되어 있다. 홈부(33)는, 액처리 동안에 발생하는 기체나 웨이퍼(W) 주변으로 보내져 들어오는 기체를 외부로 배출하기 위한 유로가 되는 링 형상의 배기 공간(34)과, 배기 공간(34)과 연통하는 배기구(37)와, 액처리 동안에 웨이퍼(W)로부터 비산되는 약액이나 린스액 등의 액을 받아 외부로 배출하기 위한 유로가 되는 링 형상의 액받이 공간(35)과, 액받이 공간(35)과 연통하는 배액구(38)를 포함하고 있다. 배기 공간(34)과 액받이 공간(35)은 홈부(33)에 형성된 벽(36)에 의해서 구획되어 있다. 벽(36)은 기체류 내에 분산되어 있는 액체 성분이 액받이 공간(35)에서 상기 기체류로부터 분리되도록 구성되어 있다. 더욱이, 도 2 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 컵체(3)에는, 배액구(38)로의 액의 흐름을 촉진하기 위한 캐리어액을 액받이 공간(35)에 공급하는 캐리어액 공급구(35b)가 형성되어 있다.
배기 공간(34)으로 유입된 기체는 배기구(37)를 통해 외부로 배출된다. 또한 액받이 공간(35)에 의해서 받아낸 액은 배액구(38)으로부터 배액 기구(38s)를 통해 외부로 배출된다. 배기구(37) 및 배액구(38)는 도 5에 도시하는 바와 같이 서로 근접하도록 컵체(3)의 동일 측에 배치되어 있다. 한편, 배기구(37)와 배액구(38)는 다른 측에 배치되어 있더라도 좋다. 또한, 배액 기구(38s)는 배출되는 액의 종류에 따라서 다른 경로로 배출되도록 구성되어 있더라도 좋다. 예컨대 도 5에 도시하는 바와 같이, 배액 기구(38s)는, 제1 전환 밸브(38a)와, 제1 전환 밸브(38a)에 접속된 제1 배액관(38c)과, 제2 전환 밸브(38b)와, 제2 전환 밸브(38b)에 접속된 제2 배액관(38d)을 포함하고 있더라도 좋다. 이 경우, 액받이 공간(35) 내에 존재하고 있는 액의 종류에 따라서 전환 밸브(38a, 38b) 중 어느 한쪽을 개방함으로써, 다른 액을 다른 경로로 배출할 수 있다. 예컨대, 제1 약액을 배출할 때에는 제1 전환 밸브(38a)를 열어 제1 배액관(38c)에 제1 약액을 배출하고, 제2 약액을 배출할 때에는 제2 전환 밸브(38b)를 열어 제2 배액관(38d)에 제2 약액을 배출한다. 액의 종류에 따라서 더욱 미세하게 배출 경로를 나누기 위해서 3가지 이상의 전환 밸브 및 배액관이 설치되어 있더라도 좋다.
이어서 컵체(3)의 외형에 관해서 설명한다. 여기서, 컵체(3) 중 홈부(33)보다 내측에 위치하는 부분을 내주부(31)라 정의하고, 컵체(3) 중 홈부(33)보다 외측에 위치하는 부분을 외주부(32)라 정의한다. 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 컵체(3)는, 내주부(31)의 상단부에서 바깥쪽으로 뻗는 플랜지부(44)와, 외주부(32)의 상단부에서 안쪽으로 플랜지부(44)의 위쪽에서 뻗는 커버부(45)를 갖고 있다. 이 중 플랜지부(44)는 웨이퍼(W)로부터 비산된 액이나 웨이퍼(W) 주변으로부터의 기체류를 컵체(3)의 내부로 유도하도록 구성되어 있다. 또한 커버부(45)는 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 액을 그 내면에서 받아내어, 컵체(3)의 내부로 유도하도록 구성되어 있다.
또한, 컵체(3)를 승강시키기 위한 승강 기구(47)가 컵체(3)에 장착되어 있다.
(커버 부재)
커버 부재(5)는 액처리시에 컵체(3)의 개구부(46)를 위쪽에서 덮도록 구성되어 있으며, 예컨대 원판 형상으로 구성되어 있다. 커버 부재(5)에는 커버 부재(5)를 승강시키는 승강 기구(48)가 장착되어 있다. 이에 따라, 커버 부재(5)를 컵체(3)에 대하여 근접시키거나 혹은 커버 부재(5)를 컵체(3)로부터 멀리할 수 있다. 도 3 내지 도 5에서는, 웨이퍼(W)의 액처리시에 있어서의 커버 부재(5)의 위치가 나타내어져 있다.
이어서, 웨이퍼(W)에 대하여 액이나 기체를 토출하는 노즐 및 토출구의 구조에 관해서 설명한다.
처음에, 웨이퍼(W)에 대하여 위쪽에서부터 처리를 실시하기 위한, 전술한 약액 노즐(73, 83) 및 린스 노즐(76, 86) 등의 구성 요소의 구조에 관해서 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)은 함께 제1 노즐 구동부(70)에 의해서 지지되어 있다. 제1 노즐 구동부(70)는 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 일체로 하여 이동시킬 수 있다. 제1 약액 노즐(73)에는, 제1 약액 노즐(73)에 SC-1액 등의 제1 약액을 공급하는 제1 약액 공급부(75)가 공급관(75a)을 통해 접속되어 있고, 제1 린스 노즐(76)에는, 제1 린스 노즐(76)에 DIW 등의 린스액을 공급하는 린스액 공급부(78)가 공급관(78a)을 통해 접속되어 있다. 마찬가지로, 도 4에 도시하는 바와 같이, 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)은 함께 제2 노즐 구동부(80)에 의해서 지지되어 있다. 제2 노즐 구동부(80)는 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)을 일체로 하여 이동시킬 수 있다. 제2 약액 노즐(83)에는, 제2 약액 노즐(83)에 HF액 등의 제2 약액을 공급하는 제2 약액 공급부(85)가 공급관(85a)을 통해 접속되어 있고, 제2 린스 노즐(86)에는, 제2 린스 노즐(86)에 DIW 등의 린스액을 공급하는 린스액 공급부(88)가 공급관(88a)을 통해 접속되어 있다. 각 노즐 구동부(70, 80)는 후술하는 바와 같이 커버 부재(5)에 장착되어 있다.
(노즐 구동부)
도 6을 참조하여 노즐 구동부(70, 80)에 관해서 상세히 설명한다. 도 6은 제1 노즐 구동부(70)에 의해서 지지된 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 비스듬히 아래쪽에서 본 경우를 도시하는 도면이다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 제1 노즐 구동부(70)는, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 지지하는 제1 노즐 헤드(72)와, 제1 노즐 헤드(72)에 접속되어, 그 축 방향으로 이동할 수 있게 구성된 헤드 지지 샤프트(71)를 갖고 있다. 마찬가지로, 도시하지는 않지만, 제2 노즐 구동부(80)는, 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)을 지지하는 제2 노즐 헤드와, 제2 노즐 헤드에 접속되어, 그 축 방향으로 이동할 수 있게 구성된 헤드 지지 샤프트를 갖고 있다. 각 노즐 구동부(70, 80)의 헤드 지지 샤프트는, 그 축 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 대략 평행하도록 배치되어 있다. 이러한 노즐 구동부(70, 80)를 이용함으로써, 상황에 따라서 각 약액 노즐(73, 83) 및 린스 노즐(76, 86)을 웨이퍼(W) 상의 원하는 위치에 배치시킬 수 있다.
이하, 도 7a, 도 7b, 도 7c, 도 7d를 참조하여, 각 약액 노즐(73, 83) 및 린스 노즐(76, 86)이 취할 수 있는 웨이퍼(W)의 반경 방향에 있어서의 위치에 관해서 설명한다. 한편 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)과 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)이 취할 수 있는 반경 방향 위치는 대략 동일하기 때문에, 여기서는 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)에 관해서만 설명한다. 도 7a, 도 7b, 도 7c, 도 7d에 있어서 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)로부터 토출되는 제1 약액 및 린스액의 액류가 각각 부호 74b 및 77b에 의해 나타내어져 있다.
도 7a는, 후술하는 제1 처리 위치보다 외측의 위치이며, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액이 웨이퍼(W)에 도달하지 않는 위치(이하, 제1 바깥쪽 위치라 부름)에 있는 제1 약액 노즐(73)을 도시하고 있다. 한편 도 7a 및 그 이후의 도면에 있어서, 제1 바깥쪽 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)이 부호 73(1)에 의해서 나타내어져 있다. 마찬가지로 다른 구성 요소에 대해서도, 후에 나타내는 괄호가 붙은 부호 (1)은 그 구성 요소가 바깥쪽 위치에 있음을 의미하고 있다.
제1 바깥쪽 위치에 있어서는, 예컨대, 액류(74b)를 안정시키기 위한 소위 더미 디스펜스를 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하기 전에 실시할 수 있다. 도 7a에서는, 제1 바깥쪽 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액의 액류(74b)가 웨이퍼(W)의 주연부보다 외측으로 향하는 모습이 나타내어져 있다.
도 7b는 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하기 위해서 제1 약액 노즐(73)이 배치되는 위치(이하, 제1 처리 위치라 부름)를 나타내고 있다. 또 도 7b 및 그 이후의 도면에 있어서, 제1 처리 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)이 부호 73(2)에 의해서 나타내어져 있다. 마찬가지로 다른 구성 요소에 대해서도, 후에 나타내는 괄호가 붙은 부호 (2)는 그 구성 요소가 처리 위치에 있음을 의미하고 있다. 약액 노즐(73)이 제1 처리 위치에 있을 때, 약액 노즐(73)로부터 토출된 제1 약액의 액류(74b)가 웨이퍼(W)의 주연부에 도달한다. 웨이퍼(W)의 주연부에 도달한 제1 약액은 도 7b에 있어서 부호 74로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전에 기인하여 발생하는 원심력에 의해서 웨이퍼(W)의 상면에 있어서 주연부 측으로 퍼져나간다.
도 7c는 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 린스액을 토출하기 위해서 제1 린스 노즐(76)이 배치되는 위치(린스 처리 위치)를 나타내고 있다. 제1 린스 노즐(76)이 린스 처리 위치에 있을 때, 제1 린스 노즐(76)로부터 토출된 린스액이 웨이퍼(W)의 주연부에 도달한다. 이 때, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 린스액의 공급 위치는, 약액 노즐(73)로부터 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 제1 약액의 공급 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측으로 되어 있다. 웨이퍼(W) 상에 도달한 제1 린스액은, 도 7c에 있어서 부호 77로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전에 기인하여 발생하는 원심력에 의해서 웨이퍼(W)의 상면에 있어서 주연부 측으로 퍼져나간다.
도 7d는 제1 약액을 토출하지 않는 동안에 제1 약액 노즐(73)이 배치될 수 있는 위치(이하, 제1 대기 위치라 부름)를 나타내고 있다. 한편 도 7d 및 그 이후의 도면에 있어서, 제1 대기 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)이 부호 73(3)에 의해서 나타내어져 있다. 마찬가지로 다른 구성 요소에 대해서도, 후에 나타내는 괄호가 붙은 부호 (3)은 그 구성 요소가 대기 위치에 있음을 의미하고 있다. 한편 본 실시형태에 있어서는, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)은 일체적으로 이동하도록 구성되어 있으며, 그리고 제1 약액 노즐(73)이 제1 대기 위치에 있는 경우, 제1 린스 노즐(76)도 그 대기 위치에 있다.
도 7d에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)의 제1 대기 위치는, 전술한 제1 바깥쪽 위치 및 제1 처리 위치, 및 제1 린스 노즐(76)의 린스 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 존재하고 있다. 또한 제1 린스 노즐(76)의 대기 위치는, 제1 약액 노즐(73)의 제1 바깥쪽 위치 및 제1 처리 위치, 및 제1 린스 노즐(76)의 린스 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 존재하고 있다. 제1 약액 노즐(73)의 제1 대기 위치 및 제1 린스 노즐(76)의 대기 위치는, 제2 약액 노즐(83) 등의 다른 노즐에 의한 액처리가 행해지고 있는 사이, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)에 다른 노즐로부터의 약액 등이 부착되는 것을 방지하기 위해서 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 후퇴시키는 위치이다.
이와 같이 상황에 따라서 제1 노즐 구동부(70)에 의해서 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 이동시킴으로써, 후술하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)이 오염되는 것을 막으면서, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)에 의한 액처리를 효과적으로 실시할 수 있다.
도 7a에 도시하는 바와 같이, 제1 린스 노즐(76)은 제1 약액 노즐(73)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 배치되어 있다. 즉, 도 7c에 도시하는 바와 같이, 제1 노즐 구동부(70)에 의해서 제1 약액 노즐(73)을 제1 바깥쪽 위치에 위치시키면, 동시에 제1 린스 노즐(76)이 그 처리 위치(린스 처리 위치)에 위치되게 되도록, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)이 제1 노즐 헤드(72)에 부착되어 있다. 이에 따라, 후술하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액에 의한 액처리가 종료된 후, 곧바로 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 공급할 수 있다. 또한 제1 린스 노즐(76)을 중심 측에 배치함으로써, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액에 의해서 제1 린스 노즐(76)이 오염되는 것을 막을 수 있다. 한편 제1 린스 노즐(76)이 오염되는 것을 방지한다고 하는 효과는, 후술하는 기체 공급구(49)로부터 분출되는 기체에 의해서 웨이퍼(W)의 중심 측에서 외측으로 향하는 기체의 흐름을 생성함으로써 더욱 높아진다. 도시하지는 않지만, 바람직하게는, 제2 린스 노즐(86)도 또한 제2 약액 노즐(83)이 바깥쪽 위치에 있을 때에 제2 린스 노즐(86)로부터 토출된 린스액의 액류가 웨이퍼(W)의 주연부에 도달하도록 제2 약액 노즐(83)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 배치되어 있다.
도 7d에 도시하는 바와 같이, 제1 대기 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)과 웨이퍼(W)의 사이에는, 제1 약액 노즐(73)로부터 적하하는 제1 약액을 받기 위한 제1 액받이부(51)가 설치되어 있다. 이러한 제1 액받이부(51)를 설치함으로써, 제1 대기 위치에 있는 제1 약액 노즐(73)로부터 적하하는 제1 약액에 의해서 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 막을 수 있다. 제1 액받이부(51)의 구체적인 구성은 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 제1 액받이부(51)는 커버 부재(5)에 고정되어, 액이 넘치는 것을 방지하기 위한 가장자리부가 형성된 부재로서 구성된다. 또한 도 4에 도시하는 바와 같이, 제1 액받이부(51)와 대략 동일한 제2 액받이부(52)가 대기 위치에 있는 제2 약액 노즐(83)로부터 적하하는 제2 약액을 받기 위해서 설치되어 있더라도 좋다.
바람직하게는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)의 근방에는, 제1 약액 노즐(73)을 향해서 세정액을 토출하는 세정액 토출구(54b)가 형성된 세정액 공급관(54a)을 갖는 제1 약액 노즐 세정 기구(53)가 설치되어 있더라도 좋다. 또한 제1 약액 노즐 세정 기구(53)의 세정액 공급관(54a)에는, 제1 린스 노즐(76)을 향해서 세정액을 토출하는 세정액 토출구(54b)가 더 형성되어 있더라도 좋다. 이러한 제1 약액 노즐 세정 기구(53)를 설치함으로써, 제1 약액 노즐(73)이나 제1 린스 노즐(76)에 부착된 액 등을 씻어 버릴 수 있다. 이러한 제1 약액 노즐 세정 기구(53)는 제1 노즐 구동부(70)에 설치되어 있다. 세정액으로서는 예컨대 DIW 등이 이용된다. 또한 바람직하게는, 도시하지는 않지만, 제2 약액 노즐(83)을 향해서 세정액을 토출하는 세정액 토출구를 갖는 제2 약액 노즐 세정 기구가 제2 약액 노즐(83) 근방에 설치되어 있다. 제2 약액 노즐 세정 기구의 구성은 전술한 제1 약액 노즐 세정 기구(53)의 구성과 대략 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 바람직하게는, 각 노즐(73, 76, 83, 86)은 각각 토출되는 약액 및 린스액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 3 및 도 4에서 약액 노즐(73, 83)에 관해서 점선의 원으로 둘러싸인 부분에 확대하여 도시하는 바와 같이, 각 약액 노즐(73, 83)의 토출구(73a, 83a)로부터 토출되는 제1 약액 및 제2 약액의 액류(74b, 84b)가 수평면(H)과의 사이에서 이루는 각(θ1, θ2)이 90도 보다 작아지도록 각 약액 노즐(73, 83)이 구성되어 있다. 이에 따라, 약액 노즐(73, 83)로부터 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달한 약액이 보다 신속하게 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 비산해 나가게 된다. 이로써, 웨이퍼(W) 근방의 분위기를 보다 청정하게 유지할 수 있다. 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 린스 노즐(76, 86)도 또한 같은 식으로 형성되어 있다.
도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있어서 커버 부재(5)에 형성되어, 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 청정한 기체를 분출하는 기체 공급구(49)를 더 구비하고 있더라도 좋다. 기체로서는, 예컨대 질소 등의 불활성 가스나 드라이 에어 등이 바람직하다. 이러한 기체 공급구(49)를 형성함으로써, 커버 부재(5)와 웨이퍼(W) 사이의 공간에 있어서 화살표에 의해 나타내어져 있는 바와 같이 웨이퍼(W)의 주변에 있어서 웨이퍼(W)의 중심 측에서 외측으로 향하는 기체의 흐름을 생성할 수 있다. 이로써, 약액에 의한 액처리 공정을 할 때에 웨이퍼(W) 주변에서 약액의 미스트가 발생했다고 해도, 약액이나 미스트가 웨이퍼(W) 중심 측으로 들어가는 것을 방지하여, 약액이나 미스트를 신속하게 웨이퍼(W) 외측으로 배출할 수 있다. 이에 따라, 제1 약액 노즐(73), 제2 약액 노즐(83)이나 그 밖의 구성 요소(린스 노즐 등)가 약액의 미스트에 의해서 오염되는 것을 막을 수 있고, 따라서, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.
이어서, 웨이퍼(W)에 대하여 아래쪽에서부터 처리를 실시하기 위한 전술한 약액 토출구(90, 95) 등의 구성 요소의 구조에 관해서 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 토출구(90)는 컵체(3)의 내주부(31)에 형성되어 있고, 또한 제1 약액 토출구(90)에는 SC-1액 등의 제1 약액을 공급하는 제1 약액 공급부(92)가 공급관(92a)을 통해 접속되어 있다. 마찬가지로, 도 4에 도시하는 바와 같이, 제2 약액 토출구(95)는 컵체(3)의 내주부(31)에 형성되어 있고, 또한 제2 약액 토출구(95)에는 HF액 등의 제2 약액을 공급하는 제2 약액 공급부(97)가 공급관(97a)을 통해 접속되어 있다.
바람직하게는, 제1 약액 토출구(90) 및 제2 약액 토출구(95)는 각각 제1 약액 노즐(73) 및 제2 약액 노즐(83)과 마찬가지로, 토출되는 제1 약액 및 제2 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있다. 이에 따라, 약액 토출구(90, 95)로부터 토출되어 웨이퍼(W)에 도달한 약액이 보다 신속하게 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 비산해 나가게 된다. 이로써, 제1 약액 토출구(90) 및 제2 약액 토출구(95)가 약액의 미스트에 의해서 오염되는 것을 막을 수 있고, 따라서, 웨이퍼(W) 근방의 분위기를 보다 청정하게 유지할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 회전 방향(R1)에 대해서 제1 약액 토출구(90)의 상류 측에는, 웨이퍼(W) 하면의 주연부를 향해서 린스액을 토출하는 린스액 토출구(93)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 도 4에 도시하는 바와 같이, 제2 회전 방향(R2)에 대해서 제2 약액 토출구(95)의 상류 측에는, 웨이퍼(W) 하면의 주연부를 향해서 린스액을 토출하는 린스액 토출구(98)가 형성되어 있다. 린스액 토출구(93, 98)를 약액 토출구(90, 95)보다 상류 측에 배치함으로써, 약액 토출구(90, 95)로부터 토출되는 약액이 린스액 토출구(93, 98)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 또한 린스액 토출구(93, 98)는 약액 토출구(90, 95)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 형성되어 있다. 이 결과, 린스액 토출구(93, 98)로부터 토출된 린스액이 도달하는 웨이퍼(W) 하면 상의 영역이 웨이퍼(W) 하면 상의 약액 공급 위치(91a, 96a)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 형성된다. 즉, 웨이퍼(W) 상면 측의 경우와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 하면 측에 있어서도 린스액은 약액보다 웨이퍼(W)의 중심 측에서 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 하면 중 약액이 흐른 영역을 린스액에 의해서 확실하게 세정할 수 있다.
한편, 린스액이 약액보다 웨이퍼(W)의 중심 측으로부터 공급되는 한, 린스액 토출구(93, 98)의 배치가 특별히 한정되는 일은 없으며, 예컨대 약액 토출구(90, 95)와 린스액 토출구(93, 98)가 웨이퍼(W)의 원주 방향을 따라서 나란히 늘어서 있더라도 좋다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 약액 토출구(90, 95) 및 린스액 토출구(93, 98)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있어서, 컵체(3)의 플랜지부(44)를 향해서 DIW 등의 세정액을 토출하는 세정액 토출구(40)가 컵체(3)의 내주부(31)에 형성되어 있더라도 좋다. 세정액 토출구(40)는, 도 3 내지 도 5 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 원주 방향을 따라서 뻗는 슬릿형의 형상을 갖고 있다. 한편 도 8은 세정액 토출구(40)나 약액 토출구(90, 95) 및 린스액 토출구(93, 98) 등이 형성된 컵체(3)를 비스듬히 위쪽에서 본 경우를 도시하는 사시도이다. 이러한 세정액 토출구(40)를 형성함으로써, 도 8에 도시하는 바와 같이, 세정액 토출구(40)로부터 바깥쪽으로 향하는 세정액의 액류(41b)를 전체 방향에서 생성할 수 있다. 이에 따라, 약액이 부착되어 있는 플랜지부(44)를 전역에 걸쳐 세정액에 의해서 세정할 수 있다. 세정액 토출구(40)에 세정액을 공급하기 위한 구체적인 구성은 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 세정액 토출구(40)에는 세정액을 저류하는 링 형상의 버퍼(40a)가 접속되어 있고, 버퍼(40a)에는 세정액을 공급하는 세정액 공급부(41)가 공급관(41a)을 통해 접속되어 있다.
또한 도 5에 도시하는 바와 같이, 약액 토출구(90, 95) 및 린스액 토출구(93, 98)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있어서, 웨이퍼(W)의 하면을 향해서 기체를 분출하는 기체 공급구(42)가 컵체(3)의 내주부(31)에 형성되어 있더라도 좋다. 기체 공급구(42)에는 질소 등의 불활성 가스나 드라이 에어 등의 기체를 공급하는 기체 공급부(43)가 공급관(43a)을 통해 접속되어 있다. 이러한 기체 공급구(42)를 이용하여 웨이퍼(W)의 하면에 기체를 분무함으로써, 웨이퍼(W)의 중심 측으로 약액이나 린스액이 들어가는 것을 방지할 수 있다. 또한, 약액이나 린스액에 의한 액처리가 완료된 후의 웨이퍼(W)의 하면을 신속하게 건조시킬 수 있다. 한편 전술한 세정액 토출구(40)에 의해서 세정되는 플랜지부(44)의 경우와는 달리, 기체 공급구(42)에 의해서 기체가 분무되는 웨이퍼(W)는 회전 구동축(22)에 의해서 회전이 자유롭게 되어 있다. 이 때문에, 기체 공급구(42)가 슬릿형이 아니라 점 형상으로 구성되어 있는 경우라도, 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 웨이퍼(W)의 원주 방향을 따라서 간극 없이 기체 공급구(42)로부터의 기체를 분무할 수 있다.
(컵체의 액받이 공간)
이어서, 컵체(3)의 액받이 공간(35)에 대해서 생각되는 과제 및 그 과제를 해결하기 위한 바람직한 구성에 관해서 설명한다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에 의한 기판 처리 장치(1)에 의해서 실시되는 액처리는 웨이퍼(W)의 주연부에 대한 액처리로 되어 있다. 즉, 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)의 영역이 한정되어 있다. 이 때문에, 본 실시형태에 의한 기판 처리 장치(1)에 있어서 사용되는 약액이나 린스액의 양은 웨이퍼(W)의 전역에 대하여 액처리를 하는 타입의 기판 처리 장치에 비해서 적어져 있다. 예컨대, 액처리할 때에 웨이퍼(W)에 대하여 토출되는 약액의 양은 매분당 약 30 ml로 되어 있다. 이 경우, 이용되는 약액의 종류에 따라서는 컵체(3)의 액받이 공간(35) 내에 있어서의 약액의 유동성이 부족하게 되고, 이 때문에, 약액이 배액구(38)에 도달하는 데에 시간이 걸린다는 것을 생각할 수 있다. 약액이 액받이 공간(35) 내에서 장시간 머무르면, 약액으로부터의 미스트나 다른 약액이 서로 섞임에 의한 이물 등을 발생시키게 될 수 있기 때문에 바람직하지 못하다.
여기서 본 실시형태에 따르면, 컵체(3)의 바닥면이 배액구(38)를 향하여 아래쪽으로 경사져 있는 액받이 바닥면(39)에 의해서 구성되어 있고, 그리고 배액구(38)는 액받이 바닥면(39) 중 가장 낮은 위치에 있는 액받이 바닥면(39b)에 형성되어 있다. 이 액받이 바닥면(39b)의 높이는 예컨대 도 5에 도시하는 바와 같이, 액받이 바닥면(39) 중 가장 높은 위치에 있는(가장 고위(高位)로 되어 있는) 액받이 바닥면(39a)보다 Δh만큼 낮게 되어 있다. 이와 같이 배액구(38)를 향하여 아래쪽으로 경사지는 액받이 바닥면(39)에 둠으로써, 액받이 공간(35) 내의 약액에 배액구(38)로 향하는 흐름을 발생시킬 수 있다. 이로써, 액받이 공간(35) 내에 존재하고 있는 약액을 보다 신속하게 배액구(38)에 도달시킬 수 있다. 한편, 가장 높은 위치에 있는 액받이 바닥면(39a)과 배액구(38)는 180도 떨어져 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 가장 높은 위치에 있는 액받이 바닥면(39a)에서 좌우 양쪽으로 배액구(38)를 향한 경사가 형성된다. 한편 본 실시형태에 있어서, 가장 높은 위치에 있는 액받이 바닥면(39a)은 컵체(3)의 액받이 공간(35) 중, 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)과 제1 약액 공급 위치(74a)의 중심점(74c)을 연결하는 직선과 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)과 제2 약액 공급 위치(84a)의 중심점(84c)을 연결하는 직선에 의해 형성되는 예각에 들어가는 영역에 위치하고 있다. 구체적으로는, 가장 높은 위치에 있는 액받이 바닥면(39a)은 컵체(3)에 있어서 제1 약액 공급 위치(74a)에 대응하는 위치보다 제1 회전 방향(R1)을 따라 상류 측이며, 또한 제2 약액 공급 위치(84a)에 대응하는 위치보다 제2 회전 방향(R2)을 따라 상류 측에 위치하고 있다.
바람직하게는, 도 2 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 가장 높은 위치에 있는 액받이 바닥면(39a)에 있어서, 액받이 바닥면(39) 상에 캐리어액(35c)을 공급하는 캐리어액 공급구(35b)가 형성되어 있다. 여기서 「캐리어액」이란, 액받이 공간(35) 내에 있어서의 액의 유량을 증가시키고, 이로써 액받이 바닥면(39)을 따라서 배액구(38)로 향하는 안정된 액류를 형성하기 위해서 액받이 공간(35) 내에 공급되는 액이다. 이러한 캐리어액의 종류가 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 DIW가 이용된다.
캐리어액 공급구(35b)는, 바람직하게는 도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 공급 위치(74a)와 제2 약액 공급 위치(84a)와의 사이, 더욱 바람직하게는 중간점에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 한편 「중간점에 대응하는 위치」란, 제1 약액 공급 위치(74a)의 중심점(74c)과 제2 약액 공급 위치(84a)의 중심점(84c)을 연결하는 직선의 중점과 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)을 지나는 직선 상에 캐리어액 공급구(35b)가 배치되어 있음을 의미하고 있다. 이러한 위치에 캐리어액 공급구(35b)를 형성함으로써, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되어 액받이 공간(35)에 이른 제1 약액 및 제2 약액 노즐(83)로부터 토출되어 액받이 공간(35)에 이른 제2 약액의 어느 것이나 효과적으로 배액구(38)로 향하게 할 수 있다.
도 9는 웨이퍼(W)로부터 비산되어 액받이 공간(35)에 이른 약액 등의 액(35d)이 배액구(38)로 향하는 모습을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 9에 도시하는 바와 같이, 액받이 공간(35)에서는, 액받이 바닥면(39)에 있어서의 경사와 캐리어액 공급구(35b)로부터 공급된 캐리어액(35c)에 의해서, 액받이 바닥면(39)을 따라서 배액구(38)로 향하는 액류가 형성되고 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)로부터 비산되어 액받이 공간(35)에 이르는 액(35d)의 양이 적은 경우라도, 캐리어액(35c)을 캐리어로 하여 액(35d)을 신속하게 배액구(38)에 이르게 할 수 있다. 이로써, 약액 등이 액받이 공간(35) 내에 장시간 머무는 것을 막을 수 있다.
한편, 액받이 바닥면(39)의 경사 정도나 캐리어액 공급구(35b)로부터 공급되는 캐리어액(35c)의 양이 특별히 한정되지는 않으며, 웨이퍼(W)로부터 비산되어 액받이 공간(35)에 이르는 액(35d)의 양 등에 따라서 적절하게 설정된다.
(제어부)
기판 처리 장치(1)는 그 전체의 동작을 통괄 제어하는 제어부(7)를 갖고 있다. 제어부(7)는 기판 처리 장치(1)의 모든 기능 부품(예컨대 회전 구동축(22), 승강 기구(47, 48), 세정액 공급부(41), 기체 공급부(43), 노즐 구동부(70, 80), 약액 공급부(75, 85, 92, 97), 린스액 공급부(78, 88, 94, 99) 등)의 동작을 제어한다. 제어부(7)는, 하드웨어로서 예컨대 범용 컴퓨터와 소프트웨어로서 상기 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현할 수 있다. 소프트웨어는 컴퓨터에 고정적으로 설치된 하드디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나, 혹은 CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세트되는 기억 매체에 저장된다. 프로세서는 필요에 따라서 유저 인터페이스로부터의 지시 등에 기초하여 정해진 처리 레시피를 기억 매체로부터 호출하여 실행시키고, 이에 따라 제어부(7)의 제어 하에서 기판 처리 장치(1)의 각 기능 부품이 동작하여 정해진 처리가 이루어진다.
이어서, 전술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 웨이퍼(W)의 주연부에 있는 불필요한 막이나 물질을 제거하는 액처리의 일련의 공정에 관해서 설명한다.
<웨이퍼 반입 및 설치 공정>
처음에, 커버 부재(5)를 위쪽으로 후퇴시키고, 컵체(3)를 아래쪽으로 후퇴시킨다. 그 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1) 내부로 반입하여, 웨이퍼(W)를 기판 유지부(21) 상에 얹어 놓는다. 기판 유지부(21)는 흡착 등에 의해서 웨이퍼(W)를 유지한다. 그 후, 웨이퍼(W)가 컵체(3)의 개구부(46)에 배치되도록 컵체(3)를 상승시킨다. 또한, 컵체(3)의 개구부(46)가 커버 부재(5)에 의해 덮이도록 커버 부재(5)를 하강시킨다. 이에 따라, 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 커버 부재(5)가 웨이퍼(W)의 상면과 정해진 공간을 통해 대향하고 있는, 액처리를 위한 상태가 실현된다.
이어서, 기체 공급구(49)로부터 웨이퍼(W) 상면을 향해 청정한 기체가 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)와 커버 부재(5) 사이의 공간에 있어서, 웨이퍼(W)의 중심 측에서 외측으로 향하는 기체의 흐름이 생성된다. 한편 이하의 공정에서, 특별히 언급하지 않는 한, 기체 공급구(49)에서 웨이퍼(W)로 향해 항상 기체가 보내어지고 있다.
<제1 약액 처리 공정>
이어서 도 10의 (a)∼도 10의 (f)을 참조하여 웨이퍼(W)의 액처리 공정에 관해서 설명한다. 처음에, 제1 약액(SC-1액)을 웨이퍼(W)를 향해서 토출하는 제1 약액 처리 공정에 관해서 설명한다.
처음에, 회전 구동부(24)에 의해서 웨이퍼(W)(웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지부(21))를 제1 회전 방향(R1)으로 회전시킨다. 회전수는 예컨대 2000∼3000 rpm으로 되어 있다. 또한 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)을 제1 바깥쪽 위치로 이동시킨다. 이 때 제2 약액 노즐(83)은, 제2 약액 노즐(83)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출할 때에 위치하는 후술하는 제2 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있는 제2 대기 위치에 배치되어 있다. 이어서, 제1 약액 노즐(73)에 있어서의 제1 약액의 더미 디스펜스를 시작하고, 이로써 제1 약액의 액류(74b)를 안정시킨다.
액류(74b)가 안정되면, 제1 약액의 토출을 행하면서 제1 약액 노즐(73)을 제1 처리 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 상면의 주연부에 제1 약액이 공급된다. 또한, 제1 약액 토출구(90)를 이용하여 웨이퍼(W) 하면의 주연부에 제1 약액을 공급한다. 도 10의 (b)에 있어서, 웨이퍼(W)의 상면에 존재하는 제1 약액이 부호 74로 나타내어지고, 웨이퍼의 하면에 존재하는 제1 약액이 부호 91로 나타내어져 있다. 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 회전 방향(R1)으로 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 주연부에 공급된 제1 약액(74, 91)은 회전에 의한 원심력에 의해서 웨이퍼(W)의 외측으로 이동해 나가고, 그리고 웨이퍼(W)로부터 흩뿌려져 바깥쪽으로 비산된다. 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 비산된 제1 약액은 컵체(3)의 액받이 공간(35)을 통해 배액구(38)로부터 외부로 배출된다. 이 때, 캐리어액 공급부(35a)가 캐리어액 공급구(35b)를 통해 액받이 바닥면(39) 상에 캐리어액(35c)을 공급하더라도 좋다. 이에 따라, 액받이 공간(35) 내의 제1 약액을 신속하게 배액구(38)에 이르게 할 수 있다.
웨이퍼(W) 상에 있어서 제1 약액(74)이 웨이퍼(W)로부터 흩뿌려지는 위치는, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액의 속도, 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 전술한 제1 약액 공급 위치(74a)에서 웨이퍼(W) 측단부까지의 거리 등의 파라메터에 의존한다. 본 실시형태에 있어서, 이들 파라메터는, 웨이퍼(W)에 도달한 제1 약액이 웨이퍼(W)로부터 흩뿌려질 때까지 필요한 웨이퍼(W)의 회전 각도(ψ1)(이하, 흩뿌리기각(ψ1)이라 부름)가 전술한 약액 노즐 사이 중심각(φ1) 이하가 되도록 설정되어 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상면의 주연부에 공급된 제1 약액(74)이 제2 약액 노즐(83) 근방에 이르는 것을 막을 수 있다. 한편 전술한 흩뿌리기각(ψ1)은 제1 약액 공급 위치(74a)의 중심점(74c)과 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)을 연결하는 직선과, 제1 약액(74)이 흩뿌려지는 점(도 10의 (b)에서 부호 74d로 나타내어지는 점)과 웨이퍼(W)의 중심점(Wc)을 연결함으로써 형성되는 직선과의 사이에 형성되는 각도로서 정의된다.
바람직하게는, 제1 약액(74)이 흩뿌려지는 점(74d)이 제1 회전 방향(R1)에 대하여 배액구(38)의 상류 측에 존재하도록, 웨이퍼(W)의 회전 속도 등의 전술한 각 파라메터가 조정된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)로부터 비산되어 액받이 공간(35)에 이른 제1 약액을 신속하게 배액구(38)에 도달시킬 수 있다. 또한 이 경우, 비산된 제1 약액에 기인하는 미스트는 제1 회전 방향(R1)에 대하여 배액구(38)의 상류 측에 있어서 주로 발생한다. 발생한 미스트는 배액구(38)에 근접하게 형성된 배기구(37)로부터 신속하게 배출된다. 이 때문에, 배액구(38)의 하류 측에 미스트가 흐르는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 보다 청정하게 유지할 수 있다.
한편 전술한 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)은, 토출되는 제1 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부에 공급된 제1 약액(74)은 보다 신속하게 웨이퍼(W) 외측으로 이동할 수 있고, 이 결과, 흩뿌리기각(ψ1)이 보다 작아진다. 이로써, 웨이퍼(W) 상면의 주연부에 공급된 제1 약액(74)이 제2 약액 노즐(83) 근방에 이르는 것을 보다 확실하게 막을 수 있다. 한편 제1 약액 토출구(90)도 제1 약액 노즐(73)과 마찬가지로, 토출되는 제1 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있더라도 좋다.
제1 약액에 의한 웨이퍼(W) 주연부의 처리 종료 후, 제1 노즐 구동부(70)는 제1 약액의 토출을 계속하고 있는 제1 약액 노즐(73)을 제1 바깥쪽 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 제1 약액의 안정된 액류를 최후까지 유지하면서 웨이퍼(W)에의 제1 약액의 공급을 끝낼 수 있다. 제1 약액 노즐(73)이 제1 바깥쪽 위치에 도달한 후, 제1 약액 노즐(73)은 제1 약액의 토출을 정지한다.
<제1 린스 처리 공정>
제1 약액에 의한 웨이퍼(W) 주연부의 처리 종료 후, 도 10(c)에 도시하는 바와 같이, 처리 위치(린스 처리 위치)에 있는 제1 린스 노즐(76)이 웨이퍼(W) 상면의 주연부를 향해서 린스액을 토출한다. 도 10의 (c)에 있어서, 웨이퍼(W) 상면에 존재하는 린스액이 부호 77로 나타내어져 있다. 또한, 린스액 토출구(93)가 웨이퍼(W) 하면의 주연부를 향해서 린스액을 토출한다. 도 10의 (c)에 있어서, 웨이퍼(W)의 하면에 존재하는 린스액이 부호 93a로 나타내어져 있다. 한편, 제1 린스 노즐(76) 및 린스액 토출구(93)로부터 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 린스액의 공급 위치는 제1 약액 노즐(73) 및 제1 약액 토출구(90)로부터 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 제1 약액의 공급 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면 중 제1 약액이 흐른 영역을 린스액에 의해서 확실하게 세정할 수 있다.
그런데 전술한 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)이 제1 바깥쪽 위치에 있을 때, 제1 린스 노즐(76)은 그 처리 위치에 있다. 이 때문에, 제1 약액 노즐(73)이 웨이퍼(W)에의 제1 약액 공급을 끝내자마자, 제1 린스 노즐(76)이 웨이퍼(W) 주연부를 향해서 린스액을 공급하기 시작할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에서 제1 약액이 건조되기 전에, 웨이퍼(W)에 린스액을 공급할 수 있다. 이로써, 제1 약액의 건조에 기인하여 생길 수 있는 파티클 등이 웨이퍼(W) 상에 형성되는 것을 확실하게 막을 수 있다.
린스액에 의해서 웨이퍼(W)의 주연부에 남아 있는 제1 약액이 제거된 후, 제1 린스 노즐(76) 및 린스액 토출구(93)는 린스액의 토출을 정지한다. 그 후, 제1 회전 방향(R1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다. 또한 제1 약액 노즐(73)을 제1 대기 위치를 향해서 이동시킨다.
<제2 약액 처리 공정>
이어서, 회전 구동부(24)에 의해서 웨이퍼(W)(웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지부(21))를 제2 회전 방향(R2)으로 회전시킨다. 회전수는 예컨대 2000∼3000 rpm으로 되어 있다. 또한 도 10의 (d)에 도시하는 바와 같이, 제2 약액 노즐(83)을 제2 바깥쪽 위치로 이동시킨다. 이 때 제1 약액 노즐(73)은 전술한 제1 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있는 제1 대기 위치에 배치되어 있다. 이어서, 제2 약액 노즐(83)에 있어서의 제2 약액의 더미 디스펜스를 시작하고, 이로써 제2 약액의 액류(84b)를 안정시킨다.
액류(84b)가 안정되면, 제2 약액을 토출하면서 제2 약액 노즐(83)을 제2 처리 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 도 10의 (e)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 상면의 주연부에 제2 약액이 공급된다. 또한, 제2 약액 토출구(95)를 이용하여 웨이퍼(W) 하면의 주연부에 제2 약액을 공급한다. 도 10의 (e)에 있어서, 웨이퍼(W)의 상면에 존재하는 제2 약액이 부호 84로 나타내어지고, 웨이퍼의 하면에 존재하는 제2 약액이 부호 96으로 나타내어져 있다. 도 10의 (e)에 도시하는 바와 같이, 제2 회전 방향(R2)으로 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 주연부에 공급된 제2 약액(84, 96)은 회전에 의한 원심력에 의해서 웨이퍼(W) 외측으로 이동해 나가고, 그리고 웨이퍼(W)로부터 흩뿌려져 바깥쪽으로 비산된다. 웨이퍼(W) 바깥쪽으로 비산된 제2 약액은 컵체(3)의 액받이 공간(35)을 통해 배액구(38)로부터 외부로 배출된다. 이 때, 캐리어액 공급구(35b)가 액받이 바닥면(39a) 상에 캐리어액(35c)을 공급하더라도 좋다. 이에 따라, 액받이 공간(35) 내의 제2 약액을 신속하게 배액구(38)에 이르게 할 수 있다.
여기서, 전술한 제1 약액(74)의 경우와 마찬가지로, 제2 약액(84)에 대해서도, 그 흩뿌리기각(ψ2)이 전술한 약액 노즐 사이 중심각(φ1) 이하로 되어 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상면의 주연부에 공급된 제2 약액(84)이 제1 약액 노즐(73) 근방에 이르는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는, 제2 약액(84)이 흩뿌려지는 점(84d)이 제2 회전 방향(R2)에 대하여 배액구(38)의 상류 측에 존재하고 있다. 이에 따라, 비산된 제2 약액에 기인하는 미스트가 제2 회전 방향(R2)에 대하여 배액구(38)의 하류 측으로 흐르는 것을 억제할 수 있다.
또한 전술한 제1 약액 노즐(73)의 경우와 마찬가지로, 제2 약액 노즐(83)은, 토출되는 제2 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 상면의 주연부에 공급된 제2 약액(84)이 제1 약액 노즐(73) 근방에 이르는 것을 보다 확실하게 막을 수 있다. 한편 제2 약액 토출구(95)도, 토출되는 제2 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있더라도 좋다.
제2 약액에 의한 웨이퍼(W) 주연부의 처리 종료 후, 제2 노즐 구동부(80)는 제2 약액의 토출을 계속하고 있는 제2 약액 노즐(83)을 제2 바깥쪽 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 제2 약액의 안정된 액류를 최후까지 유지하면서, 웨이퍼(W)에의 제2 약액의 공급을 끝낼 수 있다. 제2 약액 노즐(83)이 제2 바깥쪽 위치에 도달한 후, 제2 약액 노즐(83)은 제2 약액의 토출을 정지한다.
<제2 린스 처리 공정>
제2 약액에 의한 웨이퍼(W) 주연부의 처리 종료 후, 도 10의 (f)에 도시하는 바와 같이, 처리 위치(린스 처리 위치)에 있는 제2 린스 노즐(86)이 웨이퍼(W) 상면의 주연부를 향해서 린스액을 토출한다. 도 10의 (f)에 있어서, 웨이퍼(W)의 상면에 존재하는 린스액이 부호 87로 나타내어져 있다. 또한, 린스액 토출구(98)가 웨이퍼(W) 하면의 주연부를 향해서 린스액을 토출한다. 도 10의 (f)에 있어서, 웨이퍼(W)의 하면에 존재하는 린스액이 부호 98a로 나타내어져 있다. 한편, 제2 린스 노즐(86) 및 린스액 토출구(98)로부터 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 린스액의 공급 위치는 제2 약액 노즐(83) 및 제2 약액 토출구(95)로부터 토출되어 웨이퍼(W) 상에 도달하는 제2 약액의 공급 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면 중 제2 약액이 흐른 영역을 린스액에 의해서 확실하게 세정할 수 있다.
여기서, 전술한 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)의 경우와 마찬가지로, 제2 약액 노즐(83)이 제2 바깥쪽 위치에 있을 때, 제2 린스 노즐(86)은 그 처리 위치에 있다. 이 때문에, 제2 약액 노즐(83)이 웨이퍼(W)에의 제2 약액의 공급을 끝내자마자, 제2 린스 노즐(86)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 린스액을 공급하기 시작할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에서 제2 약액이 건조되기 전에, 웨이퍼(W)에 린스액을 공급할 수 있다. 이로써, 제2 약액의 건조에 기인하여 생길 수 있는 파티클 등이 웨이퍼(W) 상에 형성되는 것을 확실하게 막을 수 있다.
린스액에 의해서 웨이퍼(W)의 주연부에 남아 있는 제2 약액이 제거된 후, 제2 린스 노즐(86) 및 린스액 토출구(98)는 린스액의 토출을 정지한다. 그 후, 제2 약액 노즐(83)을 제2 대기 위치를 향해서 이동시킨다.
<건조 처리 공정>
전술한 제2 린스 처리 공정 후, 웨이퍼(W)를 이어서 계속 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 남아 있는 린스액이 원심력에 의해서 흩뿌려진다. 또한, 기체 공급구(42)로부터 웨이퍼(W)의 하면을 향해서 기체를 분무한다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W) 상에 남아 있는 린스액이 제거된다. 이 때, 건조 처리를 보다 효율적으로 실시하기 위해서, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 전술한 약액 처리 공정 및 린스 처리 공정을 할 때의 회전 속도보다 높게 설정되더라도 좋다.
<웨이퍼 반출 공정>
전술한 건조 처리 후, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고, 그리고, 커버 부재(5)를 위쪽으로 후퇴시킨다. 이어서, 웨이퍼(W) 전달 위치까지 컵체(3)를 하강시킨다. 그 후, 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에서 외부로 반출한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 액처리가 완료된다.
<세정 공정>
웨이퍼(W)에 대한 일련의 액처리가 완료된 후, 세정액 토출구(40)가 컵체(3)의 플랜지부(44)를 향해서 DIW 등의 세정액을 토출한다. 이에 따라, 플랜지부(44)에 부착되어 있는 약액 등을 씻어 버릴 수 있다. 또한, 제1 약액 노즐 세정 기구(53)가 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 향해서 세정액 토출구(54b)로부터 DIW 등의 세정액을 토출한다. 세정액이 토출되고 있는 동안, 헤드 지지 샤프트(71)에 의해서 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)을 왕복 이동시키더라도 좋다. 이에 따라, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76) 전체에 남김없이 세정액을 도달시킬 수 있다. 마찬가지로, 도시하지는 않지만, 제2 약액 노즐 세정 기구가 제2 약액 노즐(83) 및 제2 린스 노즐(86)을 향해서 세정액 토출구로부터 DIW 등의 세정액을 토출한다. 이에 따라, 약액 노즐(73, 83) 및 린스 노즐(76, 86)에 부착되어 있는 약액 등을 씻어 버릴 수 있다. 이와 같이 하여, 다음 웨이퍼(W)가 반입되어 오기 전에, 기판 처리 장치(1)의 내부에 남아 있는 약액 등을 씻어 버릴 수 있고, 이에 따라, 기판 처리 장치(1) 내부의 분위기를 청정하게 할 수 있다.
한편 전술한 세정 공정은 1장의 웨이퍼(W)에 대한 액처리마다 반드시 실시되지는 않고, 정해진 매수의 웨이퍼(W)에 대한 액처리마다 실시되더라도 좋다. 또한 각 약액 노즐 세정 기구에 의해서 약액 노즐이나 린스 노즐을 세정한 후, 린스 노즐을 향해서 세정액 토출구(54b)로부터 질소 등의 기체를 토출시키더라도 좋다. 이에 따라, 약액 노즐이나 린스 노즐의 건조를 촉진할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, 제1 약액 노즐(73)이 제1 약액을 토출하고 있는 동안, 제2 약액 노즐(83)은 제2 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있는 제2 대기 위치에 배치된다. 또한, 제2 약액 노즐(83)이 제2 약액을 토출하고 있는 동안, 제1 약액 노즐(73)은 제1 처리 위치보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 있는 제1 대기 위치에 배치된다. 이 때문에, 한쪽의 약액 노즐로부터 토출되는 약액이 다른 쪽의 약액 노즐에 부착되는 것을 막을 수 있고, 이에 따라, 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 막을 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.
또한 본 실시형태에 따르면, 또한 린스 노즐(76, 86)은 약액 노즐(73, 83)이 약액을 토출할 때에, 약액 노즐(73, 83)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 배치된다. 이 때문에, 약액 노즐(73, 83)로부터 토출되는 약액이 린스 노즐(76, 86)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.
또한 본 실시형태에 따르면, 회전 구동부(24)는, 제1 약액 노즐(73)이 제1 약액을 토출할 때, 웨이퍼(W)를 제1 회전 방향(R1)으로 회전시키고, 또한, 제2 약액 노즐(83)이 제2 약액을 토출할 때, 웨이퍼(W)를 제2 회전 방향(R2)으로 회전시킨다. 이 때문에, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출된 제1 약액이 제2 약액 노즐(83) 근방에까지 이르는 것을 억제할 수 있고, 또한, 제2 약액 노즐(83)로부터 토출된 제2 약액이 제1 약액 노즐(73) 근방에까지 이르는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 한쪽의 약액 노즐로부터 토출되는 약액이 다른 쪽의 약액 노즐에 부착되는 것을 더 막을 수 있고, 이로써, 약액 노즐 상에서 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 더 막을 수 있다.
또한 본 실시형태에 따르면, 토출되는 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 약액 노즐(73, 83)을 형성함으로써, 웨이퍼(W)에 도달한 약액을 신속하게 흩뿌릴 수 있다. 이에 따라, 약액 노즐 상에서 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 더 막을 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 더욱 청정하게 유지할 수 있다.
또한 본 실시형태에 따르면, 전술한 바와 같이, 토출되는 약액에 따라서 웨이퍼(W)의 회전 방향을 다르게 하며 약액 노즐 사이 중심각(φ1)을 180도 보다 크게 설정함으로써, 컵체(3)의 액받이 공간(35)에 있어서 제1 약액이 지나는 경로와 제2 약액이 지나는 경로를 분리하는 것도 가능하게 된다. 이에 따라, 액받이 공간(35)에 있어서 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 막을 수 있고, 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 보다 청정하게 유지할 수 있다. 또한 전술한 바와 같이, 액받이 공간(35)의 액받이 바닥면(39)에 경사를 두거나, 액받이 공간(35)의 액받이 바닥면(39)에 캐리어액(35c)을 공급하거나 함으로써, 액받이 공간(35)에 있어서 약액을 신속하게 배출할 수 있어, 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 더 막을 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 더욱 청정하게 유지할 수 있다.
또한 본 실시형태에 따르면, 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 주연부에 대하여 약액이 공급되기 때문에, 웨이퍼(W)에 도달한 약액은 원심력에 의해서 신속하게 흩뿌려진다. 또한 전술한 바와 같이, 약액 노즐(73, 83)은 토출되는 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있다. 이에 따라, 약액을 보다 신속하게 웨이퍼(W)로부터 흩뿌릴 수 있다. 이에 더하여, 기체 공급구(49)로부터 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 청정한 기체가 공급되고 있고, 이 때문에, 웨이퍼(W) 주변에 있어서 웨이퍼(W)의 중심 측에서 외측으로 향하는 기체의 흐름이 생성되고 있다. 이로써, 약액이나 미스트가 웨이퍼(W) 중심 측으로 들어가는 것을 방지할 수 있다. 이들에 의해, 제1 약액 노즐(73), 제2 약액 노즐(83)이나 그 밖의 구성 요소(린스 노즐 등)가 약액이나 미스트에 의해서 오염되는 것을 막을 수 있고, 따라서, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 더욱 청정하게 유지할 수 있다.
한편, 전술한 실시형태에 대하여 여러 가지 변경을 가하는 것이 가능하다. 이하, 변형의 일례에 관해서 설명한다.
(액처리 방법의 변형예)
전술한 본 실시형태에 있어서, 제1 약액 및 제2 약액이 각각 동일한 배액구(38)로부터 배출되는 예를 나타냈다. 그러나, 이것에 한정되지 않으며, 제1 약액을 배출하는 배액구(38)와, 제2 약액을 배출하는 배액구(38)가 별개로 컵체(3)의 액받이 바닥면(39b)에 형성되어 있더라도 좋다. 이에 따라, 배액구(38)에 있어서 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 막을 수 있다. 이로써, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 더욱 청정하게 유지할 수 있다.
(액처리 방법의 변형예)
전술한 본 실시형태에 있어서, 토출되는 약액에 따라서 웨이퍼(W)의 회전 방향을 다르게 한 예를 나타냈다. 그러나, 이것으로 한정되지 않으며, 토출되는 약액에 상관없이 웨이퍼(W)의 회전 방향이 항상 동일하여도 좋다. 이러한 예에 관해서 도 11의 (a)∼도 11의 (f)을 참조하여 설명한다.
도 11의 (a)∼도 11의 (f)은 본 변형예에 의한 액처리 공정을 도시하는 도면이며, 전술한 본 실시형태에 있어서의 도 10의 (a)∼도 10의 (f)에 대응하는 도면이다. 본 변형예에서는, 도 11의 (a)∼도 11의 (f)에 도시하는 바와 같이, 제2 약액 노즐(83)은 제1 약액 노즐(73)에 대하여 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따라서 약 180도 떨어지도록 배치되어 있다. 또한, 본 변형예에서는, 제1 약액 노즐(73)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출할 때뿐만 아니라, 제2 약액 노즐(83)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출할 때에 있어서도, 웨이퍼(W)가 제1 회전 방향(R1)으로 회전하게 된다. 이 경우라도, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출할 때, 제2 약액 노즐(83)을 제2 대기 위치에 배치시킴으로써, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출되는 제1 약액이 제2 약액 노즐(83)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 마찬가지로, 도 11의 (e)에 도시하는 바와 같이, 제2 약액 노즐(83)이 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출할 때, 제1 약액 노즐(73)을 제1 대기 위치에 배치시킴으로써, 제2 약액 노즐(83)로부터 토출되는 제2 약액이 제1 약액 노즐(73)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 이로써, 제1 약액과 제2 약액이 서로 섞이는 것을 막을 수 있다. 또한 본 변형예에 있어서도, 전술한 본 실시형태의 경우와 마찬가지로, 약액 노즐(73, 83)은 토출되는 약액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있다. 또한, 기체 공급구(49)로부터 웨이퍼(W)의 상면을 향해서 청정한 기체가 공급되고 있다. 이들에 의해, 제1 약액 노즐(73), 제2 약액 노즐(83)이나 그 밖의 구성 요소(린스 노즐 등)가 약액이나 미스트에 의해서 오염되는 것을 막을 수 있고, 따라서, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 더욱 청정하게 유지할 수 있다.
(린스 노즐 배치의 변형예)
또한 전술한 본 실시형태에 있어서, 제1 린스 노즐(76)이 제1 약액 노즐(73)보다 웨이퍼(W)의 중심 측에 배치되어 있는 예를 나타냈다. 그러나, 이것에 한정되지 않으며, 예컨대 도 12의 (a)∼도 12의 (d)에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)과 제1 린스 노즐(76)이 웨이퍼(W)의 원주 방향을 따라서 나란히 늘어서 있더라도 좋다. 이하, 본 변형예에 있어서의 액처리 공정에 관해서 설명한다. 또한 간단하게 하기 위해, 도 12에서는 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76) 이외의 노즐이나 토출구가 생략되어 있다.
본 변형예에서는, 처음에 웨이퍼(W)를 제1 회전 방향(R1)으로 회전시키고, 또한 도 12의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)을 제1 바깥쪽 위치로 이동시켜, 더미 디스펜스를 시작한다. 이어서 도 12의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 노즐(73)을 제1 처리 위치로 이동시키고, 이에 따라 제1 약액이 웨이퍼(W)의 주연부에 공급된다. 그 후, 도 12의 (c)에 도시하는 바와 같이, 제1 약액을 계속해서 토출하고 있는 제1 약액 노즐(73)을 제1 바깥쪽 위치를 향해서 이동시킨다. 제1 약액 노즐(73)이 제1 바깥쪽 위치에 도달한 후, 제1 약액 노즐(73)로부터의 제1 약액의 토출을 곧바로 정지시킨다. 이어서, 제1 노즐 헤드(72)를 웨이퍼(W)의 중심 측을 향해서 신속하게 이동시키고, 그리고, 제1 린스 노즐(76)을 그 처리 위치에 위치시킨다. 그 후, 도 12의 (d)에 도시하는 바와 같이, 제1 린스 노즐(76)이 웨이퍼(W) 상면의 주연부를 향해서 린스액(77)을 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 남아 있는 제1 약액이 씻겨 버려진다.
이와 같이 본 변형예에 따르면, 제1 약액 노즐(73)로부터의 제1 약액 토출의 정지 및 처리 위치로 향한 제1 린스 노즐(76)의 이동을 신속하게 실시함으로써, 웨이퍼(W) 상에서 제1 약액이 건조되는 것보다 전에 웨이퍼(W)에 린스액을 공급할 수 있다. 또한 본 변형예에 있어서도, 전술한 본 실시형태의 경우와 마찬가지로, 제1 린스 노즐(76)은 제1 회전 방향(R1)에 대해서 제1 약액 노즐(73)의 상류 측에 배치되어 있다. 이 때문에, 제1 약액 노즐(73)로부터 토출된 제1 약액이 제1 린스 노즐(76) 근방까지 도달하기 전에, 제1 약액을 웨이퍼(W)로부터 흩뿌릴 수 있다. 이에 따라, 제1 린스 노즐(76)이 제1 약액에 의해서 오염되는 것을 억제할 수 있다.
한편 도시하지는 않지만, 제1 린스 노즐(76)의 경우와 마찬가지로, 제2 약액 노즐(83)과 제2 린스 노즐(86)이 웨이퍼(W)의 원주 방향을 따라서 나란히 늘어서 있더라도 좋다. 이 경우도, 제2 약액 노즐(83)로부터의 제2 약액 토출의 정지 및 처리 위치로 향한 제2 린스 노즐(86)의 이동을 신속하게 실시함으로써, 웨이퍼(W) 상에서 제2 약액이 건조되기 시작하는 것보다 전에, 웨이퍼(W)에 린스액을 공급할 수 있다. 또한, 제2 린스 노즐(86)을 제2 회전 방향(R2)에 대해서 제2 약액 노즐(83)의 상류 측에 배치함으로써, 제2 린스 노즐(86)이 제2 약액에 의해서 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한 전술한 본 실시형태 및 변형예에 있어서, 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)이 함께 제1 노즐 헤드(72)에 부착되어 있고, 이 때문에 제1 약액 노즐(73) 및 제1 린스 노즐(76)이 일체가 되어 이동하는 예를 나타냈다. 그러나, 이것으로 한정되지 않으며, 제1 린스 노즐(76)을 제1 약액 노즐(73)로부터 독립적으로 이동시키기 위한 노즐 구동부(도시하지 않음)가 제1 노즐 구동부(70)와는 별개로 설치되어 있더라도 좋다. 마찬가지로, 제2 린스 노즐(86)을 제2 약액 노즐(83)로부터 독립적으로 이동시키기 위한 노즐 구동부(도시하지 않음)가 제2 노즐 구동부(80)와는 별개로 설치되어 있더라도 좋다.
한편, 전술한 실시형태에 대한 몇 개의 변형예를 설명해 왔지만, 당연히 복수의 변형예를 적절하게 조합하여 적용하는 것도 가능하다.
1 : 기판 처리 장치 21 : 기판 유지부
22 : 회전 구동부 70 : 제1 노즐 구동부
73 : 제1 약액 노즐 80 : 제2 노즐 구동부
83 : 제2 약액 노즐

Claims (20)

  1. 수평으로 유지된 기판을 회전시키면서 약액에 의해 기판의 주연부를 액처리하는 기판 처리 장치로서,
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와,
    기판을 향해서 제1 약액을 토출하는 제1 약액 노즐과,
    기판을 향해서 상기 제1 약액과는 다른 종류의 제2 약액을 토출하는 제2 약액 노즐과,
    상기 제1 약액 노즐을 이동시키는 제1 노즐 구동부와,
    상기 제2 약액 노즐을 이동시키는 제2 노즐 구동부를 구비하고,
    상기 제1 노즐 구동부는, 상기 제1 약액 노즐을 기판의 주연부를 향해서 약액을 토출할 때에 위치하는 제1 처리 위치와, 약액을 토출하지 않을 때에 위치하는 제1 대기 위치 사이에서 이동시키고,
    상기 제2 노즐 구동부는, 상기 제2 약액 노즐을 기판의 주연부를 향해서 약액을 토출할 때에 위치하는 제2 처리 위치와, 약액을 토출하지 않을 때에 위치하는 제2 대기 위치 사이에서 이동시키며,
    상기 제1 대기 위치는, 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 설정되고,
    상기 제2 대기 위치는, 상기 제1 처리 위치보다 기판의 중심 측에 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐 구동부는, 상기 제2 약액 노즐이 상기 제2 처리 위치에 있을 때에 상기 제1 약액 노즐을 상기 제1 대기 위치로 이동시키고,
    상기 제2 노즐 구동부는, 상기 제1 약액 노즐이 상기 제1 처리 위치에 있을 때에 상기 제2 약액 노즐을 상기 제2 대기 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 약액 노즐 및 제2 약액 노즐은 각각 토출되는 제1 약액 및 제2 약액의 토출 방향이 기판의 회전 방향으로 경사지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 약액 노즐 및 상기 제2 약액 노즐은 각각 토출되는 제1 약액 및 제2 약액의 토출 방향이 기판의 반경방향 외측을 향한 성분을 갖도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 대기 위치와 기판 사이에 설치되어, 상기 제1 약액 노즐로부터 적하하는 제1 약액을 받는 제1 액받이부와,
    상기 제2 대기 위치와 기판 사이에 설치되어, 상기 제2 약액 노즐로부터 적하하는 제2 약액을 받는 제2 액받이부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판의 주연부를 향해서 린스액을 토출하는 린스 노즐을 더 구비하고,
    상기 린스 노즐은, 상기 제1 약액 노즐 또는 상기 제2 약액 노즐이 약액을 토출할 때에, 상기 제1 약액 노즐 또는 상기 제2 약액 노즐보다 기판의 중심 측에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판의 주연부를 향해서 린스액을 토출하는 린스 노즐을 더 구비하고,
    상기 린스 노즐은, 기판의 주연부를 향해서 린스액을 토출할 때에 위치하는 린스 처리 위치와, 린스액을 토출하지 않을 때에 위치하는 린스 대기 위치 사이에서 이동 가능하고,
    상기 린스 대기 위치는, 상기 린스 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 약액 노즐은, 상기 제1 처리 위치와, 상기 제1 대기 위치와, 상기 제1 처리 위치보다 외측에 있으며, 상기 제1 약액 노즐로부터 토출되는 제1 약액이 기판에 도달하지 않는 제1 바깥쪽 위치와의 사이에서 상기 제1 노즐 구동부에 의해서 이동되고,
    상기 린스 노즐은, 상기 제1 약액 노즐과 일체가 되어 이동하도록, 상기 제1 노즐 구동부에 의해서 지지되어 있고,
    상기 제1 약액 노즐이 상기 제1 바깥쪽 위치에 위치할 때, 상기 린스 노즐이 상기 린스 처리 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 약액 노즐 및 상기 제2 약액 노즐보다 기판의 중심 측에 설치되어, 기판을 향해서 기체를 공급하는 기체 공급구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 처리 위치에 위치하는 상기 제1 약액 노즐로부터 토출된 제1 약액은, 기판의 주연부 상의 제1 약액 공급 위치에 도달하고,
    상기 제2 처리 위치에 위치하는 상기 제2 약액 노즐로부터 토출된 제2 약액은, 기판의 주연부 상의 제2 약액 공급 위치에 도달하고,
    상기 회전 구동부는, 상기 제1 약액 노즐이 제1 약액을 토출할 때, 상기 기판 유지부를 제1 회전 방향으로 회전시키고, 또한, 상기 제2 약액 노즐이 제2 약액을 토출할 때, 상기 기판 유지부를 제1 회전 방향과는 반대의 제2 회전 방향으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 기판의 중심과, 상기 제1 약액 공급 위치의 중심점 및 상기 제2 약액 공급 위치의 중심점을 연결함으로써 형성되는 중심각은, 상기 제1 약액 공급 위치를 기준으로 하여 제1 회전 방향을 따라서 상기 중심각을 본 경우에 180도 보다 크게 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서, 기판으로부터 비산하는 제1 약액 및 제2 약액을 받는 링 형상의 액받이 공간과, 제1 약액, 제2 약액 또는 이 양자 모두를 배출하는 배액구가 형성된 컵체를 더 구비하고,
    상기 컵체의 바닥면은, 상기 배액구를 향하여 아래쪽으로 경사져 있는 액받이 바닥면에 의해서 구성되어 있고,
    상기 액받이 바닥면은, 제1 약액 공급 위치에 대응하는 위치와 제2 약액 공급 위치에 대응하는 위치 사이에서 가장 고위(高位)이며, 가장 고위로 되어 있는 부분으로부터, 제1 회전 방향 및 제2 회전 방향을 따라서 아래쪽으로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 액받이 바닥면 중 가장 고위로 되어 있는 부분에 캐리어액을 공급하는 캐리어액 공급구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 수평으로 유지된 기판을 회전시키면서 약액에 의해 기판의 주연부를 액처리하는 기판 처리 방법으로서,
    제1 처리 위치에 위치하는 제1 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하는 단계와,
    제2 처리 위치에 위치하는 제2 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 약액 노즐이 기판을 향해서 제2 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제1 약액 노즐은, 상기 제1 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제1 대기 위치에 위치하고 있고,
    상기 제1 약액 노즐이 기판을 향해서 제1 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제2 약액 노즐은, 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제2 대기 위치에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서, 린스 처리 위치에 위치하는 린스 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 린스액을 토출하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제1 약액 노즐이 기판을 향해서 제1 약액을 토출하고 있는 동안 및 상기 제2 약액 노즐이 기판을 향해서 제2 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 린스 노즐은, 상기 제1 처리 위치 및 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 린스 대기 위치에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 린스 처리 위치에 위치하는 린스 노즐로부터 토출되어 기판에 도달하는 린스액의 공급 위치는, 제1 약액 노즐 및 제2 약액 노즐로부터 토출되어 기판에 도달하는 제1 약액 및 제2 약액의 공급 위치보다 기판의 중심 측에 있고,
    상기 린스 대기 위치는, 상기 린스 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제1 처리 위치보다 외측에 있고, 또한 상기 제1 약액 노즐로부터 토출되는 제1 약액이 기판에 도달하지 않는 제1 바깥쪽 위치로, 상기 제1 약액 노즐을 이동시키는 단계와,
    상기 제1 약액 노즐에 제1 약액을 토출시키면서, 상기 제1 바깥쪽 위치로부터 상기 제1 처리 위치로 상기 제1 약액 노즐을 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 린스 노즐은, 상기 린스 노즐과 상기 제1 약액 노즐이 일체가 되어 이동하도록, 제1 노즐 구동부에 의해서 지지되어 있고,
    상기 제1 약액 노즐이 상기 제1 바깥쪽 위치에 위치할 때, 상기 린스 노즐이 상기 린스 처리 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 제1 처리 위치에 있는 상기 제1 약액 노즐은, 기판이 제1 회전 방향으로 회전하고 있을 때, 기판 상의 제1 약액 공급 위치를 향해서 제1 약액을 토출하고,
    상기 제2 처리 위치에 있는 상기 제2 약액 노즐은, 기판이 제2 회전 방향으로 회전하고 있을 때, 기판 상의 제2 약액 공급 위치를 향해서 제2 약액을 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 기판 처리 장치에 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    제1 처리 위치에 위치하는 제1 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제1 약액을 토출하는 단계와,
    제2 처리 위치에 위치하는 제2 약액 노즐에 의해서, 기판의 주연부를 향해서 제2 약액을 토출하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 약액 노즐이 기판을 향해서 제2 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제1 약액 노즐은, 상기 제1 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제1 대기 위치에 위치하고 있고,
    상기 제1 약액 노즐이 기판을 향해서 제1 약액을 토출하고 있는 동안, 상기 제2 약액 노즐은, 상기 제2 처리 위치보다 기판의 중심 측에 있는 제2 대기 위치에 위치하고 있는 방법으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 기억 매체.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5693439B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5693438B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6032189B2 (ja) 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
KR101673061B1 (ko) 2013-12-03 2016-11-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6211910B2 (ja) * 2013-12-03 2017-10-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6318869B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6461617B2 (ja) * 2015-01-20 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6314965B2 (ja) 2015-12-11 2018-04-25 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP6845696B2 (ja) * 2016-02-25 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板の製造方法
US10804121B2 (en) * 2016-02-25 2020-10-13 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and method for manufacturing substrate
JP6680096B2 (ja) * 2016-06-13 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6836912B2 (ja) * 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US11062899B2 (en) * 2017-01-26 2021-07-13 Tokyo Electron Limited Coated film removing apparatus
JP6990602B2 (ja) 2018-02-27 2022-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7152279B2 (ja) * 2018-11-30 2022-10-12 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR20210009276A (ko) * 2019-07-16 2021-01-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 토출 노즐, 노즐 아암, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
US10998218B1 (en) * 2019-12-29 2021-05-04 Nanya Technology Corporation Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same
KR20220108560A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5939139A (en) * 1997-01-24 1999-08-17 Tokyo Electron Limited Method of removing coated film from substrate edge surface and apparatus for removing coated film
JP2003086567A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
KR20060085534A (ko) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
JP2009141279A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20090202951A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
JP2011135014A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122868B2 (ja) * 1994-09-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3227642B2 (ja) * 1995-10-13 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
SG71808A1 (en) * 1997-07-04 2000-04-18 Tokyo Electron Ltd Centrifugal coating apparatus with detachable outer cup
JP3635217B2 (ja) * 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
JP2002261065A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
US6858091B2 (en) * 2001-07-13 2005-02-22 Lam Research Corporation Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
JP4570008B2 (ja) * 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2007123393A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007149891A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4708243B2 (ja) * 2006-03-28 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
KR101202203B1 (ko) * 2008-06-05 2012-11-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP5437168B2 (ja) * 2009-08-07 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板の液処理装置および液処理方法
JP5693439B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5939139A (en) * 1997-01-24 1999-08-17 Tokyo Electron Limited Method of removing coated film from substrate edge surface and apparatus for removing coated film
JP2003086567A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
KR20060085534A (ko) * 2005-01-24 2006-07-27 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
JP2009141279A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20090202951A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-13 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium
JP2011135014A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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