KR20130057502A - 플라스틱 물품의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된 플라스틱 물품 - Google Patents

플라스틱 물품의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된 플라스틱 물품 Download PDF

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Abstract

플라스틱 물품의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된 플라스틱 물품이 제공된다. 본 방법은 내부에 분산된 촉진제를 포함하는 플라스틱으로 제조된 플라스틱 기재를 제공하는 단계; 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역을 조사하여 미리 결정된 영역에서 촉진제를 노출시키는 단계; 플라스틱 기재의 표면 상의 조사된 영역을 도금하여 미리 결정된 영역 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 및 제1 금속층을 도금하여 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 촉진제는 AMxByOz 및/또는 A'M'mOn의 화학식으로 표현된다.

Description

플라스틱 물품의 제조 방법 및 이를 사용하여 제조된 플라스틱 물품{METHOD FOR PREPARING PLASTIC ARTICLE AND PLASTIC ARTICLE MADE USING THE SAME}
[관련 출원에 대한 교차 참조]
본원은 2010년 2월 26일 중국 특허청에 출원된 중국 특허출원 제201010117125.4호의 우선권 및 이익을 주장하며, 그 전체 내용은 본원에서 참조문헌으로 인용된다.
본 발명은 플라스틱 물품의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 플라스틱 물품에 관한 것이다.
금속화 공정은 코팅(coating) 또는 퇴적(depositing)에 의해 플라스틱 기재와 같은 비금속 기재 상에 금속층을 형성하기 위해 사용된다. 이론에 구속되기를 바라지는 않지만, 금속화 공정은 기재가 전기 및/또는 자기 신호를 송신 또는 전송하는 능력을 향상시킬 수 있다고 간주된다.
전자기적 신호 전도의 경로로서 금속층을 그 표면 상에 갖는 플라스틱 기재는 자동차, 공업, 컴퓨터, 원격 통신 등에서 널리 사용된다. 금속층을 선택적으로 형성하는 것은 상기 플라스틱 물품의 제조를 위한 중요한 공정 중 하나이다. 종래의 금속층 형성 방법은 대개 후속하는 화학 도금을 수행할 수 있도록 플라스틱 기재의 표면 상에 촉매 중심으로서 금속 코어를 형성함으로써 실현된다. 그러나, 그와 관련된 공정은 복잡하여 장비에 대한 엄격한 요구 사항을 필요로 하는 반면 에너지 소비가 크다. 또한, 코팅층과 플라스틱 기재 사이의 접착력이 작다.
본 발명은 종래 기술에 존재하는 문제들 중 적어도 하나를 해결하기 위한 것이다. 따라서, 더 적은 에너지를 소비하고 금속층과 플라스틱 기재 사이의 접착력을 향상시키면서 플라스틱 금속화가 용이하게 수행되는 플라스틱 물품의 제조 방법이 제공된다. 또한, 상기 방법을 이용하여 제조되는 플라스틱 물품이 제공되는데, 코팅층과 플라스틱 또는 비금속 기재 사이의 접착력이 향상된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 플라스틱 물품의 제조 방법이 제공된다. 본 방법은 내부에 분산된 촉진제(accelerator)를 포함하는 플라스틱으로 제조된 플라스틱 기재를 제공하는 단계; 상기 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역을 조사(irradiate)하여 상기 미리 결정된 영역에서 상기 촉진제를 노출시키는 단계; 상기 플라스틱 기재의 표면 상의 상기 조사된 영역을 도금하여 상기 미리 결정된 영역 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 금속층을 도금하여 상기 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 촉진제는 AMxByOz 및/또는 A'M'mOn의 화학식으로 표현된다. AMxByOz의 화학식에서, A는 원소 주기율표의 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M은 Fe, Co, Mn, Al, Ga, In, Tl 및 희토류 원소로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 3가 금속 원소이며; O는 산소이고; x는 0 내지 2이며; y는 0.01 내지 2이고; z는 1 내지 4이다. A'M'mOn의 화학식에서, A'는 원소 주기율표의 9족, 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M'는 Cr, Mo, W, Se, Te 및 Po로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소이며; O는 산소이고; m은 0.01 내지 2이며; n은 2 내지 4이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 촉진제를 포함하는 플라스틱 기재; 및 상기 플라스틱 기재의 표면 상의 제1 및 제2 금속층을 포함하는 플라스틱 물품이 제공된다. 상기 촉진제는 AMxByOz 및/또는 A'M'mOn의 화학식으로 표현된다. 상기 AMxByOz의 화학식에서, A는 원소 주기율표의 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M은 Fe, Co, Mn, Al, Ga, In, Tl 및 희토류 원소로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 3가 금속 원소이며; O는 산소이고; x는 0 내지 2이며; y는 0.01 내지 2이고; z는 1 내지 4이다. 상기 A'M'mOn의 화학식에서, A'는 원소 주기율표의 9족, 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M'는 Cr, Mo, W, Se, Te 및 Po로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소이며; O는 산소이고; m은 0.01 내지 2이며; n은 2 내지 4이다.
본 발명자들에 의해 발견된 바와 같이, 선택적인 화학 도금은 촉진제를 함유하는 표면 상에서 직접 수행될 수 있고, 플라스틱은 금속 산화물을 순수한 금속으로 환원시키지 않으면서 AMxByOz 또는 A'M'mOn의 일반식으로 표현되는 촉진제에 의해 분해되지 않을 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 촉진제는 플라스틱 기재에 균일하게 분포될 수 있고, 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역은 많은 에너지를 소비하지 않으면서 촉진제가 순수한 금속으로 환원되지 않을 수 있도록 촉진제를 노출시키기 위해 예컨대 레이저에 의해 기화될 수 있다. 또한, 전기 도금 또는 화학 도금은 원하는 금속층을 형성할 수 있고, 따라서 간단한 공정을 통해 보다 적은 에너지를 소비하면서 보다 적은 비용으로 선택적인 표면 금속화를 달성할 수 있다. 또한, 촉진제는 화학 도금 후에 코팅층과 플라스틱 기재 사이의 접착력이 크도록 플라스틱 기재에 균일하게 분포될 수 있고, 따라서 그로부터 제조되는 플라스틱 물품의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예의 추가적인 양태 및 이점은 부분적으로는 아래의 설명에서 제시되거나, 부분적으로는 아래의 설명으로부터 명백해지거나, 또는 본 발명의 실시예의 실시로부터 알려질 것이다.
본 발명에 따르면 종래 기술에 존재하는 문제들 중 적어도 하나가 해결된다. 따라서, 더 적은 에너지를 소비하고 금속층과 플라스틱 기재 사이의 접착력을 향상시키면서 플라스틱 금속화가 용이하게 수행되는 플라스틱 물품의 제조 방법이 제공된다. 또한, 상기 방법을 이용하여 제조되는 플라스틱 물품이 제공되는데, 코팅층과 플라스틱 또는 비금속 기재 사이의 접착력이 향상된다.
본 개시 내용의 실시예에 대한 참조가 상세히 이루어질 것이다. 본 명세서에 기술된 실시예는 설명적이고 예시적이며, 본 개시 내용을 전반적으로 이해하는 데 사용된다. 이러한 실시예는 본 개시 내용을 한정하는 것으로 해석되지 않아야 할 것이다. 동일하거나 유사한 요소들 및 동일하거나 유사한 기능을 갖는 요소들은 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호에 의해 표기된다.
본 개시 내용의 예시적이고 비한정적인 실시예에서, 플라스틱 물품의 제조 방법이 제공된다. 이 방법은 그 내부에 분산된 촉진제를 포함하는 플라스틱으로 제조된 플라스틱 기재를 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 촉진제는 AMxByOz의 화학식으로 표현될 수 있는데, 여기서 A는 원소 주기율표의 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M은 Fe, Co, Mn, Al, Ga, In, Tl 및 희토류 원소로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 3가 금속 원소이며; O는 산소이고; x는 0 내지 2이며; y는 0.01 내지 2이고; z는 1 내지 4이다. 촉진제는 A'M'mOn의 대안적인 화학식을 가질 수 있는데, 여기서 A'는 원소 주기율표의 9족, 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M'는 Cr, Mo, W, Se, Te 및 Po로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소이며; O는 산소이고; m은 0.01 내지 2이며; n은 2 내지 4이다. 이 방법은 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역을 선택적으로 레이저에 의해 조사하여 촉진제의 적어도 일부를 노출시키는 단계; 플라스틱 기재의 표면 상의 조사된 영역을 도금하여 미리 결정된 영역 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 및 제1 금속층을 도금하여 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
촉진제
예시적이고 비한정적인 실시예에서, 촉진제는 화학식 AMxByOz로 표현할 수 있는데, 여기서 A는 원소 주기율표의 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M은 Fe, Co, Mn, Al, Ga, In, Tl 및 희토류 원소로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 3가 원소이며; O는 산소이고; x는 0 내지 2이며; y는 0.01 내지 2이고; z는 1 내지 4이다. 촉진제는 A'M'mOn의 대안적인 화학식을 가질 수 있는데, 여기서 A'는 원소 주기율표의 9족, 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M'는 Cr, Mo, W, Se, Te 및 Po로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소이며; O는 산소이고; m은 0.01 내지 2이며; n은 2 내지 4이다. 예컨대, 촉진제는 AMxByOz의 화학식을 가질 수 있는데, 여기서 A는 Cu 또는 Ni일 수 있다. 특히, 적합한 촉진제는 CuFe0.5B0.5O2.5, CuNi0.5B0.5O2.5, CuAl0.5B0.5O2.5, CuGa0.5B0.5O2.5, CuB2O4 및 CuB0.7O2로 이루어지는 군 중에서 선택될 수 있다. 촉진제는 A'M'mOn의 화학식을 가질 수 있는데, 여기서 A'는 Co, Ni 또는 Cu일 수 있다. 특히, 적합한 촉진제는 CuMo0.7O3, CuMo0.5O2.5, CuMoO4, CuWO4 또는 CuSeO4를 포함할 수 있으나, 이것으로 한정되지 않는다.
이론에 구속되기를 바라지는 않지만, AMxByOz 또는 A'M'mOn의 일반식으로 표현되는 촉진제는 직접적인 구리 도금 또는 니켈 도금을 촉진할 수 있고, 플라스틱 분해를 방지하거나 완화하는 작용을 할 수 있다고 간주된다.
비한정적인 실시예에서, 촉진제는 약 20 nm 내지 약 100 ㎛, 특히 약 50 nm 내지 약 10 ㎛, 보다 특히 약 200 nm 내지 약 4 ㎛의 평균 직경을 가질 수 있다. 촉진제의 양은 플라스틱 기재의 약 1 wt% 내지 약 40 wt%, 특히 약 1 wt% 내지 약 30 wt%, 보다 특히 약 2 wt% 내지 약 15 wt%일 수 있다.
추가적인 예시적이고 비한정적인 실시예에서, 촉진제는 플라스틱 내에 균일하게 분산될 수 있다. 이론에 구속되기를 바라지는 않지만, 플라스틱 내에 촉진제가 균일하게 분산되는 것은 금속층과 플라스틱 기재 사이의 강력한 접착의 형성을 돕는 것으로 간주된다.
촉진제는 본 기술 분야의 당업자에게 공지된 임의의 화합물일 수 있다. 촉진제는 상업적으로 입수 가능할 수 있고, 예컨대, 광저우 웨이보 케미칼 컴퍼니(Guangzhou Weibo Chemical Co., Ltd., 중국)로부터 상업적으로 입수 가능한 CuWO4, 또는 미츠와 케미칼 컴퍼니(Mitsuwa Chemical Co., Ltd.)로부터 상업적으로 입수 가능한 CuSeO4일 수 있다. 또한, 촉진제는 자체적으로 제조될 수 있고, 적합한 촉진제의 제조 방법은 본 기술 분야의 당업자에게 공지되어 있다. 예컨대, CuGa0.5B0.5O2.5의 제조 방법은 58 g의 CuO, 34 g의 Ga2O3 및 14 g의 B2O3를 혼합하고 볼 밀링(ball milling)하여 혼합물을 형성하는 단계; 혼합물을 약 1000℃의 온도에서 약 2시간 동안 하소(calcine)하여 평균 입자 직경이 약 1.0 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛이고 ICP-AES에 의해 시험되는 조성이 CuGa0.5B0.5O2.5인 촉진제를 형성하는 단계를 포함한다. 유사하게, CuMoO4의 제조 방법은 36 g의 CuO 및 65 g의 MoO3를 혼합하고 볼 밀링하여 혼합물을 형성하는 단계; 및 혼합물을 약 800℃의 온도에서 약 2시간 동안 하소하여 XRD에 의해 시험되는 조성이 CuMoO4인 촉진제를 형성하는 단계를 포함한다.
순수한 Cu 및 Pd와 같은 순수한 금속이 화학 도금을 위한 핵 또는 그레인(grain)으로 사용될 수 있다는 점을 제외하고, 나노 CuO가 화학 도금 동안 플라스틱 표면 상의 금속 원자의 화학적 퇴적 속도를 크게 향상시킬 수 있음이 많은 연구에 의해 밝혀졌다. 알라딘 리에이전트 컴퍼니(Aladin Reagent Co., Ltd.)로부터 상업적으로 입수 가능한, 통상적인 화학 도금 용액 내의 평균 입자 크기가 약 40 nm인 나노 CuO 입자는 나노 CuO 입자의 표면 상에 Cu가 신속하게 퇴적되도록 할 수 있음이 본 발명자들에 의해 발견되었다. 그러나, 나노 CuO는 플라스틱의 분해 또한 야기할 수 있다. 많은 실험에 의해, AMxByOz 또는 A'M'mOn의 일반식에 의해 표현되는 촉진제가 표면 처리를 위해 사용될 수 있고, 이러한 촉진제는 오랫동안 플라스틱에 남아 있는 동안에 플라스틱의 분해를 야기하지 않으면서 촉진제의 표면 상에서의 Cu 또는 Ni의 화학적 퇴적을 촉진할 수 있음이 본 발명자들에 의해 발견되었다.
본 개시 내용의 실시예에 따르면, 촉진제는 플라스틱 기재에 균일하게 분포될 수 있고, 촉진제와 플라스틱 기재 사이의 접착력은 후속하는 화학 도금이 촉진제의 표면 상에서 직접 수행될 수 있도록 매우 높다. 그 결과, 코팅층과 플라스틱 기재 사이의 접착력이 현저히 증가될 수 있다.
플라스틱
예시적이고 비한정적인 일 실시예에서, 플라스틱은 열가소성 플라스틱 또는 열경화성 플라스틱일 수 있다. 열가소성 플라스틱은 폴리올레핀, 폴리카보네이트(PC), 폴리에스테르, 폴리아미드, 다환 방향족(polyaromatic) 에테르, 폴리에스테르-이미드, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 복합재(PC/ABS), 폴리페닐렌 옥시드(PPO), 폴리페닐렌 술피드(PPS), 폴리이미드(PI), 폴리술폰(PSU), 폴리(에테르 에테르 케톤)(PEEK), 폴리벤즈이미다졸(PBI), 액정 중합체(LCP) 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택될 수 있다. 폴리올레핀은 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌)(ABS)으로부터 선택될 수 있다. 폴리에스테르는 폴리시클로헥실렌 디메틸렌 테레프탈레이트(PCT), 폴리(디알릴 이소프탈레이트)(PDAIP), 폴리(디알릴 프탈레이트)(PDAP), 폴리부틸렌 나프탈레이트(PBN), 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 또는 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT)로부터 선택될 수 있다. 폴리아미드는 폴리헥사메틸렌 아디파미드(PA-66), 폴리(헥사메틸렌 아젤아미드)(PA-69), 폴리헥사메틸렌 숙신아미드(PA-64), 폴리(헥사메틸렌 도데카노아미드)(PA-612), 폴리(헥사메틸렌 세바카미드)(PA-610), 폴리(데카메틸렌 세바카미드)(PA-1010), 폴리운데카노아미드(PA-11), 폴리도데카노아미드(PA-12), 폴리카프릴락탐(PA-8), 폴리(9-아미노 노난산)(PA-9), 폴리카프로락탐(PA-6), 폴리(p-페니텐 테레프탈아미드)(PPTA), 폴리-m-자일릴렌 아디파미드(MXD6), 폴리헥사메틸렌 테레프탈아미드(PA6T), 또는 폴리(노나메틸렌 테레프탈아미드)(PA9T)로부터 선택될 수 있다. 액정 중합체(LCP)는 단단한 사슬을 포함하고 액상에서 고차 구조의 영역을 형성할 수 있는 중합체일 수 있다. 열경화성 플라스틱은 페놀 수지, 우레아-포름알데히드(urea-formaldehyde) 수지, 멜라민-포름알데히드 수지, 에폭시 수지, 알키드(alkyd) 수지, 폴리우레탄 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택될 수 있다.
플라스틱 내의 촉진제의 분산
예시적이고 비한정적인 실시예에서, 촉진제는 혼합에 의해, 그리고 이후의 선택적인 성형 공정에 의해(이에 한정되지 않음) 플라스틱 내에 분산될 수 있다. 일부 실시예에서, 촉진제는 내부 혼합기, 일축 압출기, 이축 압출기 또는 혼합기를 사용함으로써 플라스틱 내에 분산될 수 있다. 일부 실시예에서, "플라스틱 기재"라는 용어는 촉진제가 그 안에 배치 또는 분산된 플라스틱을 의미한다. 플라스틱 내에 촉진제를 분산시킨 후, 플라스틱 기재는 사출 성형, 중공 성형(blow molding), 추출 성형(extraction molding), 또는 열간 프레스 성형(hot press molding)에 의해 다양한 종류의 형태로 형성될 수 있다.
첨가제
예시적이고 비한정적인 실시예에서, 플라스틱 기재는 항산화제, 광안정제, 윤활제 및 무기 충전제로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 공지된 상업적으로 입수 가능한 첨가제를 더 포함할 수 있다.
비한정적인 실시예에서, 항산화제는 시바 스페셜티 케미칼스(Ciba Specialty Chemicals)로부터 입수 가능한 항산화제 1098, 1076, 1010, 또는 168일 수 있다. 항산화제의 양은 플라스틱 기재의 약 0.01 wt% 내지 약 2 wt%일 수 있다. 항산화제는 플라스틱 기재의 산화 내성을 향상시킬 수 있다.
광안정제는 상업적으로 입수 가능한 임의의 광안정제, 특히 시바 스페셜티 케미칼스로부터 입수 가능한 광안정제 944와 같은 힌더드(hindered) 아민 광안정제일 수 있다. 광안정제의 양은 플라스틱 기재의 약 0.01 wt% 내지 약 2 wt%일 수 있다. 광안정제는 플라스틱 기재의 광 안정성을 향상시킬 수 있다.
비한정적인 실시예에서, 윤활제는 메틸폴리실록산, 에틸렌 및 비닐 아세테이트로 형성된 EVA 왁스, 폴리에틸렌 왁스, 스테아레이트(stearate) 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택될 수 있다. 윤활제의 양은 플라스틱 기재의 약 0.01 wt% 내지 약 2 wt%일 수 있다. 윤활제는 플라스틱 기재가 균일하게 혼합될 수 있도록 플라스틱의 유동성을 향상시킬 수 있다.
비한정적인 실시예에서, 무기 충전제는 활석 분말, 탄산 칼슘, 유리 섬유, 규산 칼슘 섬유, 산화 주석 및 카본 블랙(carbon black)으로 이루어지는 군 중에서 선택될 수 있다. 유리 섬유는 레이저로 조사되는 동안에 플라스틱 기재의 식각 깊이를 증가시킬 수 있는데, 이것은 화학적 Cu 도금 중에 Cu의 접착에 유리하다. 산화 주석, 특히 나노 산화 주석, 또는 카본 블랙은 레이저의 에너지 활용률을 향상시킬 수 있다. 추가적인 실시예에서, 무기 충전제는 유리 구슬, 황산 칼슘, 황산 바륨, 이산화 티탄, 진주 분말, 규회석, 규조암, 고령토, 미분탄, 도기용 점토(pottery clay), 운모, 유혈암 가루(oil shale ash), 알루미노실리케이트, 알루미나, 탄소 섬유, 이산화 규소, 산화 아연 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것, 특히 환경 및 인간 건강에 해로운 Cr과 같은 원소가 없는 것일 수 있다. 무기 충전제의 양은 플라스틱 기재의 약 1 wt% 내지 약 70 wt%일 수 있다.
조사
예시적이고 비한정적인 실시예에서, 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역은 촉진제의 적어도 일부를 노출시키도록 조사된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 본 개시 내용의 방법에 의해 플라스틱 기재의 표면 상에 원하는 패턴이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 조사는 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역을 레이저에 노출함으로써 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역은 촉진제를 노출시키기 위해 선택적으로 레이저에 의해 조사될 수 있다. 레이저 장비는 통상적인 적외선 레이저, 이를 테면 CO2 레이저 마킹(marking) 시스템일 수 있다. 비한정적인 실시예에서, 레이저는 파장이 약 157 nm 내지 약 10.6 ㎛, 스캐닝 속도가 약 500 mm/s 내지 약 8000 mm/s, 스캐닝 스텝(step)이 약 3 ㎛ 내지 약 9 ㎛, 스캔 시간 지연이 약 30 ㎲ 내지 약 100 ㎲, 주파수가 약 30 kHz 내지 약 40 kHz, 파워가 약 3 W 내지 4 W, 충전 거리(filled distance)가 약 10 ㎛ 내지 약 50 ㎛일 수 있다. 본 개시 내용의 일부 실시예에 따르면, 레이저의 파워는 촉진제를 변경 또는 손상시키거나 촉진제를 순수한 금속으로 환원시키지 않으면서 촉진제를 노출시키기에 충분할 수 있다.
비한정적인 실시예에서, 플라스틱 기재는 약 500 ㎛보다 큰 두께를 가질 수 있고, 플라스틱 기재의 조사된 부분의 깊이는 약 20 ㎛ 미만일 수 있어서, 울퉁불퉁한 공극(rugged void)을 갖는 미시적인 거친(coarse) 표면을 형성하도록 촉진제가 노출될 수 있다. 후속하는 화학적 구리 또는 니켈 도금 공정 동안에, 구리 또는 니켈은 거친 표면 내의 공극 내로 깊이 묻히고, 따라서 플라스틱 기재와 강한 접착력을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 촉진제가 없는 영역은 조사되지 않고, 이론에 구속되기를 바라지는 않지만, 이러한 영역은 낮은 퇴적 속도 및 불량한 접착을 보일 수 있다고 간주된다. 몇몇 금속이 이러한 영역 상에 퇴적될 수 있지만, 이들은 예컨대 초음파 세척(이에 한정되지 않음)에 의해 용이하게 제거될 수 있다. 이론에 구속되기를 바라지는 않지만, 이러한 방식으로, 플라스틱 기재의 표면 상의 필요한 영역에서 금속화가 제어될 수 있다고 간주된다.
미리 결정된 영역은 플라스틱 기재의 전체 표면 또는 플라스틱 기재의 표면의 일부일 수 있다.
플라스틱 기재의 기화는 플라스틱 연기를 생성할 수 있는데, 이는 노출된 촉진제에 떨어지고 이를 덮을 수 있다. 추가적인 예시적이고 비한정적인 실시예에서, 조사 공정 동안에 생성 또는 도입되는 임의의 연무(mist)를 제거하기 위해 환기 장치가 사용될 수 있다. 또한, 일부 비한정적인 실시예에서, 플라스틱 기재는 레이저 조사 후에 초음파로 세척될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 촉진제가 존재하지 않는 플라스틱 기재의 표면 상에 화학 도금 퇴적물이 실질적으로 존재하지 않는다. 따라서, 전기 도금 속도는 매우 느리고, 접착력이 약하다. 소량의 화학적 퇴적물이 존재하는 경우에도, 이들은 용이하게 제거될 수 있다. 따라서, 직접적인 선택적 표면 금속화 방법은 본 개시 내용에 따라 용이하게 수행될 수 있다.
제1 도금
일 실시예에서, 조사 후에, 촉진제는 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역에서 노출될 수 있다. 화학적 구리 및/또는 니켈 도금은 촉진제의 표면 상에서 수행될 수 있는데, 이는 플라스틱 기재와 도금층 사이에 비교적 강한 접착을 초래할 수 있다.
비한정적인 실시예에서, 레이저 조사 후에, 촉진제는 조사된 영역에서 노출될 수 있다. 이후에, 구리 도금 또는 니켈 도금이 촉진제의 표면 상에서 수행될 수 있다. 구리 도금 또는 니켈 도금 방법은 본 기술 분야의 당업자에게 공지되어 있는데, 예컨대 조사된 플라스틱 기재를 구리 도금 또는 니켈 도금 용액과 접촉시키는 것이다(아래에서 기술됨). 이론에 구속되기를 바라지는 않지만, 노출된 촉진제는 구리 또는 니켈 이온이 구리 또는 니켈 분말로 환원되는 것을 촉진할 수 있는데, 이 분말은 촉진제의 표면을 덮고 조밀한 구리 또는 니켈층을 촉진제의 표면 상에 신속하게 형성할 수 있다고 간주된다.
추가 도금
비한정적인 실시예에서, 제1 도금 후에, 하나 이상의 화학 또는 전기 도금층이 구리 또는 니켈층에 가해질 수 있다. 예컨대, 제1 니켈층이 촉진제의 표면 상에 형성된 후, 구리층이 화학 도금에 의해 제1 니켈층 상에 형성되고, 다음으로 제2 니켈층이 화학 도금에 의해 구리층 상에 형성되어 Ni-Cu-Ni의 구조를 갖는 복합 플라스틱 물품을 형성할 수 있다. 특히, 금층이 플래시(flash) 도금에 의해 복합 플라스틱 물품 상에 형성되어 Ni-Cu-Ni-Au의 구조를 갖는 플라스틱 물품을 형성할 수 있다.
예시적이고 비한정적인 추가 실시예에서, 제1 구리층이 촉진제의 표면 상에 형성된 후에, 니켈층이 도금에 의해 제1 구리층 상에 형성되어 Cu-Ni의 구조를 형성할 수 있다. 특히, 금층이 플래시 도금에 의해 Cu-Ni 층 상에 형성되어 Cu-Ni-Au의 구조를 형성할 수 있다.
일부 비한정적인 실시예에서, 니켈층의 두께는 약 0.1 ㎛ 내지 약 50 ㎛, 특히 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛, 보다 특히 약 2 ㎛ 내지 약 3 ㎛일 수 있다. 구리층의 두께는 약 0.1 ㎛ 내지 약 100 ㎛, 특히 약 1 ㎛ 내지 약 50 ㎛, 보다 특히 약 5 ㎛ 내지 약 30 ㎛일 수 있다. 금층의 두께는 약 0.01 ㎛ 내지 약 10 ㎛, 특히 약 0.01 ㎛ 내지 약 2 ㎛, 보다 특히 약 0.1 ㎛ 내지 약 1 ㎛일 수 있다.
화학적 구리 및 니켈 도금 용액, 구리 및 니켈 전기도금 용액 및 금 플래시 도금 용액은 본 기술 분야의 당업자에게 공지되어 있다. 비한정적인 실시예에서, 화학적 구리 도금 용액은 구리염 및 환원제를 포함할 수 있고, pH 값은 약 12 내지 약 13의 범위에 있다. 환원제는 구리 이온을 순수한 구리로 환원시킬 수 있다. 환원제는 글리옥실산, 히드라진, 차아인산나트륨 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, NaOH 및 H2SO4에 의해 pH 값이 약 12.5 내지 약 13으로 조절된 화학 도금 용액은 0.12 mol/L의 CuSO4·5H2O, 0.14 mol/L의 Na2EDTA·2H2O, 10 mg/L의 칼륨 시안화제1철, 10 mg/L의 2,2'-비피리딘 및 약 0.10 mol/L의 글리옥실산(HCOCOOH) 용액을 포함할 수 있다. 비한정적인 실시예에서, 구리 도금은 약 10분 내지 약 240분 동안 수행될 수 있다. 약 85℃ 내지 약 90℃의 온도에서 NaOH에 의해 pH 값이 약 5.2로 조절된 화학 도금 용액은 23 g/L의 황산 니켈, 18 g/L의 차아인산 나트륨, 20 g/L의 락트산 및 15 g/L의 말산을 포함할 수 있다. 비한정적인 실시예에서, 니켈 도금은 약 8분 내지 약 15분 동안 수행될 수 있다.
금 플래시 도금은 본 기술 분야의 당업자에게 공지되어 있다. 비한정적인 실시예에서, 플래시 도금 용액은 쉔젠 징기안추앙 케미칼 컴퍼니(Shenzhen Jingyanchuang Chemical Company, 중국)로부터 상업적으로 입수 가능한 BG-24 중성 금 도금 용액일 수 있다.
플라스틱 물품은 전술한 플라스틱 기재 및 플라스틱 기재의 표면 상의 제1 및 제2 금속층을 포함한다. 제1 금속층은 Ni층이고 제2 금속층은 Cu-Ni 또는 Cu-Ni-Au층이거나, 또는 제1 금속층은 Cu층이고 제2 금속층은 Ni 또는 Ni-Au층이다. 각각의 니켈층은 약 0.1 ㎛ 내지 약 50 ㎛ 범위의 두께를 갖고; 각각의 구리층은 약 0.1 ㎛ 내지 약 100 ㎛ 범위의 두께를 가지며; 각각의 금층은 약 0.01 ㎛ 내지 약 10 ㎛ 범위의 두께를 갖는다.
본 개시 내용의 추가적인 상세한 설명은 본 개시 내용의 일부 실시예에 의해 아래와 같이 제공될 것이다.
실시예 1
플라스틱 물품의 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다.
a) CuFe0.5B0.5O2.5를 고속 볼 연마기에서 약 10시간 동안 볼 밀링하여 평균 직경이 약 700 nm인 분말을 형성한 후; PP 수지, CuFe0.5B0.5O2.5 분말, 규산 칼슘 섬유 및 항산화제 1010을 약 100:10:30:0.2의 중량비로 고속 혼합기에서 혼합하여 혼합물을 제조하고; 이어서 혼합물을 난징 러버 & 플라스틱스 머시너리 플랜트 컴퍼니(Nanjing Rubber & Plastics Machinery Plant Co., Ltd., 중국)로부터 입수 가능한 이축 압출기에 의해 압출하고 과립화(granulate)한 후, LED(발광 다이오드) 램프용 회로 기판의 기재를 형성하도록 사출 성형하였다.
b) 쉔젠 TEC-H 레이저 테크놀로지 컴퍼니(Shenzhen TEC-H LASER Technology Co., Ltd., 중국)로부터 입수 가능한, 파장이 약 1064 nm이고, 스캐닝 속도가 약 1000 mm/s이며, 스캐닝 스텝 크기가 약 9 ㎛이고, 스캔 시간 지연이 약 30 ㎲이며, 주파수가 약 40 kHz이고, 파워가 약 3 W이며, 충전 거리가 약 50 ㎛인 DPF-M12 적외선 레이저에 의해 금속 회로 패턴을 기재 상에 새겼다. 이어서, 플라스틱 물품의 표면을 초음파로 세척하였다.
c) 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 제1 니켈층을 형성한 후; 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 4시간 동안 침지시켜 두께가 약 13 ㎛인 구리층을 제1 니켈층 상에 형성하고; 이어서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 다시 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 제2 니켈층을 구리층 상에 형성하고; 마지막으로, 제2 니켈층 상에서 두께가 약 0.03 ㎛인 금층으로 기재를 플래시 도금하여 LED 램프의 회로 기판용 기재로서 플라스틱 물품을 형성하였다. 구리 도금 용액은 약 0.12 mol/L의 CuSO4·5H2O, 약 0.14 mol/L의 Na2EDTA·2H2O, 약 10 mg/L의 칼륨 시안화제1철, 약 10 mg/L의 2,2'-비피리딘 및 약 0.10 mol/L의 글리옥실산(HCOCOOH)으로 이루어졌고, pH 값은 NaOH 및 H2SO4에 의해 약 12.5 내지 약 13으로 조절되었다. 니켈 도금 용액은 약 23 g/L의 니켈 술페이트, 약 18 g/L의 차아인산나트륨, 약 20 g/L의 락트산 및 약 15 g/L의 말산으로 이루어졌고, pH 값은 NaOH에 의해 약 5.2로 조절되었다. 금 스트라이크(strike) 도금 용액은 쉔젠 징기안추앙 케미칼 컴퍼니(중국)로부터 상업적으로 입수 가능한 BG-24 중성 금 도금 용액이었다.
실시예 2
실시예 2의 방법은 아래와 같은 측면을 제외하고 실시예 1의 방법과 실질적으로 유사하다.
단계 a)에서, CuB2O4를 볼 밀링하여 평균 직경이 약 800 nm인 분말을 형성하고; 분말을 건조하고, 고속 혼합기에서 PEEK 수지, 유리 섬유 및 항산화제 168과 약 20:100:30:0.2의 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조한 후; 혼합물을 압출하고 과립화한 후, 사출 성형하여 기재를 형성하였다.
단계 c)에서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 8분 동안 침지시켜 두께가 약 2 ㎛인 제1 니켈층을 형성한 후; 이어서, 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 4시간 동안 침지시켜 두께가 약 13 ㎛인 구리층을 제1 니켈층 상에 형성하고; 이어서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 다시 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 제2 니켈층을 구리층 상에 형성하고; 마지막으로, 제2 니켈층 상에서 두께가 약 0.03 ㎛인 금층으로 기재를 플래시 도금하여 자동차 모터의 전자 커넥터(electronic connector)용 쉘(shell)로서 플라스틱 물품을 형성하였다.
실시예 3
실시예 3의 방법은 아래와 같은 측면을 제외하고 실시예 1의 방법과 실질적으로 유사하다.
단계 a)에서, CuWO4를 볼 밀링하여 평균 직경이 약 800 nm인 분말을 형성하고; 분말을 건조하고, 고속 혼합기에서 PES 수지, 티탄산 칼륨 위스커(whisker), 항산화제 1010 및 폴리에틸렌 왁스와 약 10:100:30:0.2:0.1의 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조한 후; 혼합물을 압출하고 과립화한 후, 사출 성형하여 기재를 형성하였다.
단계 c)에서, 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 3시간 동안 침지시켜 두께가 약 5 ㎛인 구리층을 형성하고; 이어서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 니켈층을 구리층 상에 형성하여, 전자 커넥터용 쉘로서 플라스틱 물품을 형성하였다.
실시예 4
실시예 4의 방법은 아래와 같은 측면을 제외하고 실시예 1의 방법과 실질적으로 유사하다.
단계 a)에서, CuMo0.5O2.5를 볼 밀링하여 평균 직경이 약 900 nm인 분말을 형성하고; 분말을 건조하고, 고속 혼합기에서 PC 수지, 항산화제 1076 및 폴리에틸렌 왁스와 약 10:100:0.2:0.1의 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조한 후; 혼합물을 압출하고 과립화한 후, 중공 성형하여 기재를 형성하였다.
단계 c)에서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 제1 니켈층을 형성한 후; 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 2시간 동안 침지시켜 두께가 약 6 ㎛인 구리층을 제1 니켈층 상에 형성하고; 마지막으로 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 12분 동안 다시 침지시켜 두께가 약 4 ㎛인 제2 니켈층을 구리층 상에 형성하여, 자동차의 전자 부품용 쉘로서 플라스틱 물품을 형성하였다.
실시예 5
실시예 5의 방법은 아래와 같은 측면을 제외하고 실시예 1의 방법과 실질적으로 유사하다.
단계 a)에서, CuNi0.5B0.5O2.5를 볼 밀링하여 평균 직경이 약 900 nm인 분말을 형성하고; 분말을 건조하고, 고속 혼합기에서 PPO 수지, 규산 칼슘 섬유, 항산화제 1076 및 폴리에틸렌 왁스와 약 10:100:10:0.2:0.1의 중량비로 혼합하여 혼합물을 제조한 후; 혼합물을 이축 압출기에 의해 압출하고 과립화한 후, 사출 성형하여 기재를 형성하였다.
단계 c)에서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 8분 동안 침지시켜 두께가 약 2 ㎛인 제1 니켈층을 형성한 후; 이어서, 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 4시간 동안 침지시켜 두께가 약 15 ㎛인 구리층을 제1 니켈층 상에 형성하고; 이어서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 다시 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 제2 니켈층을 구리층 상에 형성하고; 마지막으로, 제2 니켈층 상에서 두께가 약 0.03 ㎛인 금층으로 기재를 플래시 도금하여, 태양 전지의 옥외 커넥터(outdoor connector)용 쉘로서 플라스틱 물품을 형성하였다.
실시예 6
플라스틱 물품의 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다.
a) 약 58 g의 CuO, 약 34 g의 Ga2O3 및 약 14 g의 B2O3 분말을 균일하게 혼합하고; 분말을 고속 볼 연마기에서 약 12시간 동안 증류수 내에서 볼 밀링하여 제1 혼합물을 형성한 후; 제1 혼합물을 건조하고, 약 1000℃의 온도에서 약 2시간 동안 하소하여 입자를 형성하고; 입자의 평균 직경이 약 900 nm까지 도달할 때까지 입자를 고속으로 볼 밀링하고; CuGa0.5B0.5O2.5의 조성을 얻기 위해 입자를 X선 회절(XRD) 및 ICP-AES로 시험하였다.
b) PPS 수지, CuGa0.5B0.5O2.5 입자, 항산화제 1076 및 폴리에틸렌 왁스를 약 100:10:0.2:0.1의 중량비로 혼합하여 제2 혼합물을 형성한 후; 제2 혼합물을 압출하고 과립화한 후, 사출 성형하여 기재를 형성하였다.
c) 실시예 1의 단계 b)와 실질적으로 유사한 방법에 의해 금속 회로 패턴을 기재 상에 새겼다.
d) 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 3시간 동안 침지시켜 두께가 약 12 ㎛인 구리층을 형성하고; 이어서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 니켈층을 제1 구리층 상에 형성하여, 전자 커넥터용 쉘로서 플라스틱 물품을 형성하였다.
실시예 7
플라스틱 물품의 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다.
a) 약 36 g의 CuO 및 약 65 g의 MoO3 분말을 균일하게 혼합하고; 분말을 고속 볼 연마기에서 약 12시간 동안 증류수 내에서 볼 밀링하여 제1 혼합물을 형성한 후; 제1 혼합물을 건조하고, 약 800℃의 온도에서 약 2시간 동안 하소하여 입자를 형성하고; 입자를 평균 직경이 약 900 nm까지 도달할 때까지 볼 밀링하고; CuMoO4의 조성을 얻기 위해 입자를 XRD로 시험하였다.
b) PA6T 수지, CuMoO4, 항산화제 1076 및 폴리에틸렌 왁스를 약 100:10:0.2:0.1의 중량비로 혼합하여 제2 혼합물을 형성한 후; 제2 혼합물을 압출하고 과립화한 후, 사출 성형하여 기재를 형성하였다.
c) 실시예 1의 단계 b)와 실질적으로 유사한 방법에 의해 금속 회로 패턴을 기재 상에 새겼다.
d) 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 8분 동안 침지시켜 두께가 약 2 ㎛인 제1 니켈층을 형성한 후; 기재를 화학적 구리 도금 용액에 약 4시간 동안 침지시켜 두께가 약 15 ㎛인 구리층을 제1 니켈층 상에 형성하고; 이어서, 기재를 화학적 니켈 도금 용액에 약 10분 동안 침지시켜 두께가 약 3 ㎛인 제2 니켈층을 구리층 상에 형성하고; 마지막으로, 기재에 제2 니켈층 상에서 두께가 약 0.03 ㎛인 금층으로 기재를 플래시 도금하여, 자동차의 옥외 커넥터용 쉘로서 플라스틱 물품을 형성하였다.
설명을 위한 실시예가 제시되고 기술되었지만, 본 기술 분야의 당업자는 본 개시 내용의 사상 및 원리에서 벗어나지 않으면서 청구항들의 범위 및 이들의 등가물에 모두 포함되는 변경, 대안 및 수정이 실시예들에서 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 플라스틱 물품의 제조 방법으로서,
    내부에 분산된 촉진제(accelerator)를 포함하는 플라스틱으로 제조된 플라스틱 기재를 제공하는 단계 -
    상기 촉진제는 A'M'mOn의 화학식으로 표현되고,
    상기 A'M'mOn의 화학식에서, A'는 원소 주기율표의 9족, 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M'는 Cr, Mo, W, Se, Te 및 Po로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소이며; O는 산소이고; m은 0.01 내지 2이고; n은 2 내지 4임 -;
    상기 촉진제를 순수한 금속으로 환원시키지 않고, 상기 플라스틱 기재의 표면 상의 미리 결정된 영역을 조사(irradiate)하여 상기 미리 결정된 영역에서 상기 촉진제를 노출시키는 단계;
    상기 플라스틱 기재의 표면 상의 상기 조사된 영역을 도금하여 상기 미리 결정된 영역 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;
    상기 제1 금속층을 도금하여 상기 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계
    를 포함하는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라스틱은 열가소성 플라스틱 및 열경화성 플라스틱으로 이루어지는 군 중에서 선택되고;
    상기 촉진제는 상기 플라스틱 기재에 균일하게 분포되며;
    상기 플라스틱 기재의 표면 상의 상기 조사된 영역은 구리 도금되거나 니켈 도금되고;
    상기 플라스틱 기재의 표면 상의 상기 미리 결정된 영역은 레이저에 의해 조사되며;
    상기 제1 금속층은 전기 도금되거나 화학 도금되는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레이저는 파장이 157 nm 내지 10.6 ㎛, 스캐닝 속도가 500 mm/s 내지 8000 mm/s, 스캐닝 스텝(step)이 3 ㎛ 내지 9 ㎛, 스캔 시간 지연이 30 ㎲ 내지 100 ㎲, 주파수가 30 kHz 내지 40 kHz, 파워가 3 W 내지 4 W, 충전 거리(filled distance)가 10 ㎛ 내지 50 ㎛인 플라스틱 물품의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 Ni층이고 상기 제2 금속층은 Cu-Ni 또는 Cu-Ni-Au층이거나, 또는 상기 제1 금속층은 Cu층이고 상기 제2 금속층은 Ni 또는 Ni-Au층인 플라스틱 물품의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    각각의 니켈층은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 갖고; 각각의 구리층은 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 두께를 가지며; 각각의 금층은 0.01 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 갖는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 촉진제는 20 nm 내지 100 ㎛ 범위의 평균 직경을 갖는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 A'M'mOn의 화학식을 갖는 촉진제는 CuMo0.7O3, CuMo0.5O2.5, CuMoO4, CuWO4 및 CuSeO4로 이루어지는 군 중에서 선택되는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 열가소성 플라스틱은 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 다환 방향족 에테르, 폴리에스테르-이미드, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 복합재, 폴리페닐렌 옥시드, 폴리페닐렌 술피드, 폴리이미드, 폴리술폰, 폴리(에테르 에테르 케톤), 폴리벤즈이미다졸, 액정 중합체 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택되고;
    상기 열경화성 플라스틱은 페놀 수지, 우레아-포름알데히드 수지, 멜라민-포름알데히드 수지, 에폭시 수지, 알키드 수지, 폴리우레탄 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 촉진제의 양은 상기 플라스틱 기재의 1 wt% 내지 40 wt%이고, 상기 플라스틱 기재는 항산화제, 광안정제, 윤활제 및 무기 충전제로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 플라스틱 물품의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻을 수 있는 플라스틱 물품으로서,
    촉진제를 포함하는 플라스틱 기재; 및
    상기 플라스틱 기재의 표면 상의 제1 및 제2 금속층
    을 포함하고,
    상기 촉진제는 A'M'mOn의 화학식으로 표현되며,
    상기 A'M'mOn의 화학식에서, A'는 원소 주기율표의 9족, 10족 및 11족으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이고; M'는 Cr, Mo, W, Se, Te 및 Po로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소이며; O는 산소이고; m은 0.01 내지 2이며; n은 2 내지 4인 플라스틱 물품.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 Ni층이고 상기 제2 금속층은 Cu-Ni 또는 Cu-Ni-Au층이거나, 또는 상기 제1 금속층은 Cu층이고 상기 제2 금속층은 Ni 또는 Ni-Au층인 플라스틱 물품.
  12. 제11항에 있어서,
    각각의 니켈층은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 갖고; 각각의 구리층은 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 두께를 갖고; 각각의 금층은 0.01 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 가지며, 상기 촉진제는 20 nm 내지 100 ㎛ 범위의 평균 직경을 갖는 플라스틱 물품.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 A'M'mOn의 화학식을 갖는 촉진제는 CuMo0.7O3, CuMo0.5O2.5, CuMoO4, CuWO4 및 CuSeO4로 이루어지는 군 중에서 선택되는 플라스틱 물품.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 플라스틱은 열가소성 플라스틱 또는 열경화성 플라스틱이고,
    상기 열가소성 플라스틱은 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 다환 방향족 에테르, 폴리에스테르-이미드, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 복합재, 폴리페닐렌 옥시드, 폴리페닐렌 술피드, 폴리이미드, 폴리술폰, 폴리(에테르 에테르 케톤), 폴리벤즈이미다졸, 액정 중합체 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택되며;
    상기 열경화성 플라스틱은 페놀 수지, 우레아-포름알데히드 수지, 멜라민-포름알데히드 수지, 에폭시 수지, 알키드 수지, 폴리우레탄 및 이들의 임의의 조합으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 플라스틱 물품.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 촉진제의 양은 상기 플라스틱 기재의 1 wt% 내지 40 wt%이고, 상기 플라스틱 기재는 항산화제, 광안정제, 윤활제 및 무기 충전제로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 플라스틱 물품.
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