JPS5818932A - 半導体素子ダイボンデイング法 - Google Patents

半導体素子ダイボンデイング法

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Publication number
JPS5818932A
JPS5818932A JP11682981A JP11682981A JPS5818932A JP S5818932 A JPS5818932 A JP S5818932A JP 11682981 A JP11682981 A JP 11682981A JP 11682981 A JP11682981 A JP 11682981A JP S5818932 A JPS5818932 A JP S5818932A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
heat sink
die bonding
bonding
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11682981A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumasa Kosugi
小杉　勝正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP11682981A priority Critical patent/JPS5818932A/ja
Publication of JPS5818932A publication Critical patent/JPS5818932A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ンディングする方法に関するものである。
従来この種のダイボンデイングは第１図に示すように固
定治具１上にヒートシンク２と半導体素子３とを位置合
せして板バネ４で固定し、固定治具１と共にヒートボッ
クス５に入れ、予め加熱されていた加熱ステージ６にの
せてダイボンデイングしていた。この方法は半導体素子
の性質上半導体素子５を押える板バネ４の加圧力を極力
小さなものとしなければならないため、半導体素子３を
固定した後にヒートボックス５まで移動させる途中で位
置ずれをおこすことがあシ、半導体素子３とヒートシン
ク２とのダイボンディングが高精度の位置決めを要求さ
れることからこれが大きな問題とされていた。又移動さ
せるということは作業能率の面でも大きな損失であった
。
本発明は移動によって生ずるこれらの問題点すなわち、
ダイボンディング前後の位置ずれ、ロスタイムを解決す
ることを目的としたものである。
本発明は前述の問題点を解決するために１つのステージ
上で半導体素子とヒートシンクとの位置合せを行ないそ
の状態のまま急速加熱をしてダイボンディングを行なう
ことを特徴とするものである、。
本発明によればヒートシンクと半導体素子とのボンディ
ング前後での位置すれかなくなり歩留を向上させること
ができ、又、ソルダーの溶けの観察等のダイボンディン
グチェックも容易にでき作業能率向上もはかれるという
大きな利点がある。
以下に本発明の一実施例を第３図〜第５図を用いて説明
する。第３図に示すような電気抵抗による急速加熱ステ
ージ７上に第４図のようにヒートシンク２をのせ、ヒー
トシンク２上に半導体素子３を搭載して目合せをし、半
導体素子５を運んできた吸着治具８でヒートシンク２及
び半導体素子５をステージＺ上に固定する。その後、急
速加熱ステージ７を通電して急速加熱し、ダイボンディ
ングをする。ダイボンディング終了後吸着治具８よシピ
ンセット９等を用いて製品１０を取り出す。
以上説明したように本発明によれば１つの急速加熱ステ
ージ上で半導体素子とヒートシンクとを位置合せしてダ
イボンディングを行なうため、ダイポンディング前後の
位置すれかなく、又、作業中搬送の必要がないため作業
能率を向上でき、あわせて、ポンディングチェックを容
易に行なうことができる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のヒートシンクと半導体素子とを固定した
固定具の斜視図、 第２図は従来の加熱状況を示すヒートボックスの一部断
面斜視図、 第３図〜第５図は本発明の一実施例を工程順に　、示す
説明図である。 ２・・・ヒートシンク、　　　　３・・・半導体素子、
７・・・急速加熱ステージ。 特許出願人　　日本電気株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）急速加熱ステージ上で半導体素子とヒートシンク
    とを位置合せし、急速加熱により該ステージ上で半導体
    素子とヒートシンクとをダイボンディングすることを特
    徴とする半導体素子ダイボンディング方法。
JP11682981A 1981-07-25 1981-07-25 半導体素子ダイボンデイング法 Pending JPS5818932A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11682981A JPS5818932A (ja) 1981-07-25 1981-07-25 半導体素子ダイボンデイング法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11682981A JPS5818932A (ja) 1981-07-25 1981-07-25 半導体素子ダイボンデイング法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5818932A true JPS5818932A (ja) 1983-02-03

Family

ID=14696650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11682981A Pending JPS5818932A (ja) 1981-07-25 1981-07-25 半導体素子ダイボンデイング法

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