KR20130051946A - 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법 - Google Patents

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다케시 스기요
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히다치 조센 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합 및 광촉매막의 광촉매 입자와 투명 전극의 결합을 강고한 것으로 할 수 있는 광촉매막의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 광촉매막의 형성 방법에서는, 투명 기판(1)과 그 위의 투명 도전막(2)으로 이루어진 투명 전극(3)에, 산화티탄 입자를 포함하는 페이스트를 도포하고 건조시켜, 투명 전극(3)의 투명 도전막(2) 상에 광촉매막(4)을 형성했다. 이어서, 광촉매막(4)에 투명 전극(3)측으로부터 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사했다. 그 후, 이 광촉매막(4)에, 광증감 색소를 포함하는 침지액에 침지하여 광촉매막의 표면에 그 색소를 흡착시켰다.

Description

투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법{METHOD OF FORMING A PHOTOCATALYTIC FILM ON TRANSPARENT ELECTRODE}
본 발명은, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극의 표면에 광촉매막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 광촉매막을 형성하고, 이것을 광증감 색소로 염색하여 이루어진 전자(電子) 재료는, 색소 증감 태양 전지 등의 광전 변환 소자의 전극으로서 바람직하게 이용된다.
종래, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 광촉매막을 형성하는 방법으로는, 투명 전극의 투명 도전막 상에, 광촉매 입자를 포함하는 페이스트를 도포하고 건조시켜 광촉매막을 형성하고, 그 층에 그 표면으로부터 직접 레이저를 조사(照射)하는 방법이나, 광촉매 입자를 투명 전극을 향해서 가압하는 방법 등이 알려져 있다(비특허문헌 1 등).
비특허문헌 1 : 색소 증감 태양 전지의 개발과 구성 재료, (주) 씨엠씨 출판
상기와 같은 색소 증감형 태양 전지에서는, 산화티탄 입자끼리 및, 투명 도전막과 산화티탄 입자의 결합이 중요하다. 그러나, 상기와 같이 광촉매막에 그 표면으로부터 직접 레이저를 조사하는 방법에서는, 광촉매막의 표면 부근의 광촉매 입자끼리는 강고하게 결합시킬 수 있지만, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 가장 중요한, 광촉매막을 구성하는 광촉매 입자와 투명 전극의 결합은 충분한 것으로 할 수 없었다.
따라서, 본 발명은, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합 및 광촉매막의 광촉매 입자와 투명 전극의 결합을 강고한 것으로 할 수 있는 광촉매막의 형성 방법을 제공한다.
청구항 1에 따른 발명은, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 2에 따른 발명은, 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하면서 상기 광촉매막의 표면측으로부터 직접 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 3에 따른 발명은, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사한 후, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 직접 레이저를 조사하고, 상기 광촉매막 상에의 광촉매막의 형성과 이 광촉매막에 대한 그 표면으로부터의 레이저 조사의 추가 조작을 1회 이상 더 행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 4에 따른 발명은, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 가압하면서 행하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 5에 따른 발명은, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치로 가압하면서, 상기 광촉매막에 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치를 거쳐 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 6에 따른 발명은, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 투명 프레스 장치를 거쳐 행하고 투명 전극측으로부터도 그 전극을 거쳐 행하는 것을 특징으로 하는 청구항 5에 기재된 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 7에 따른 발명은, 광촉매막의 가압을, 상기 광촉매막을 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 청구항 4～6 중 어느 한 항에 기재된 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 8에 따른 발명은, 투명 전극에 대한 광촉매막의 가압을, 롤형의 프레스 장치를 이용하여 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 청구항 1～7 중 어느 한 항에 기재된 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
청구항 1에 따른 발명에 의하면, 광촉매막에 투명 전극측으로부터 레이저를 조사함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 모두 강고한 것으로 할 수 있고, 이에 따라 충분한 효율을 나타내는 광전 변환 소자를 제조할 수 있다.
청구항 2에 따른 발명에 의하면, 광촉매막에 대한 레이저 조사를 상기 광촉매막의 표면측으로부터도 행함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 모두 한층 더 강고한 것으로 할 수 있다.
청구항 3에 따른 발명에 의하면, 투명 도전막 상에 형성한 광촉매막에 투명 전극측으로부터 레이저를 조사한 후, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 레이저를 조사하고, 상기 광촉매막 상에의 광촉매막의 형성 및 이 광촉매막에 대한 투명 전극측으로부터의 레이저 조사를 1회 이상 더 행함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 한층 더 강고한 것으로 할 수 있다.
청구항 4에 따른 발명에 의하면, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 가압하면서 행함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 한층 더 강고한 것으로 할 수 있다.
청구항 5에 따른 발명에 의하면, 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 가압하면서, 상기 광촉매막에 그 표면측으로부터 레이저를 조사함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 강고한 것으로 할 수 있고, 이에 따라, 충분한 효율을 나타내는 광전 변환 소자를 제조할 수 있다.
청구항 6에 따른 발명에 의하면, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 행하고 투명 전극측으로부터도 행함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 한층 더 강고한 것으로 할 수 있다.
청구항 7에 따른 발명에 의하면, 광촉매막의 가압을, 상기 광촉매막을 가열하면서 행함으로써, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합, 및 광촉매막과 투명 전극의 투명 도전막의 결합을 한층 더 강고한 것으로 할 수 있다.
청구항 8의 방법에 의하면, 가요성의 재료의 사용에 의해 투명 도전막의 연속 제조가 가능하다.
도 1은 실시예 1의 방법을 개략적으로 나타내는 수직 종단면도이다.
도 2는 실시예 4의 방법을 개략적으로 나타내는 수직 종단면도이다.
도 3은 실시예 7의 방법을 개략적으로 나타내는 수직 종단면도이다.
도 4는 실시예 3의 방법을 개략적으로 나타내는 수직 종단면도이다.
도 5는 실시예 7의 방법을 개략적으로 나타내는 수직 종단면도이다.
도 6은 참고예 1의 광전 변환 소자를 나타내는 수직 종단면도이다.
본 발명의 제1 양태는, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
우선, 투명 기판과, 그 위에 형성된 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 관해 설명한다.
투명 기판으로는, 합성 수지판, 유리판 등이 적절하게 사용되지만, PEN(폴리에틸렌ㆍ나프탈레이트) 필름 등의 열가소성 수지 필름이 바람직하다. 합성 수지는, PEN 외에, 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등이어도 좋다.
투명 기판 상에 대한 투명 도전막의 형성 방법은, 이온화 증착, CVD법 등 여러 가지가 있고 한정되지 않지만, 특히 스퍼터법에 의해 행하는 것이 바람직하다. 스퍼터법에서의 금속 타겟으로는, 투명 도전막의 주석 첨가 산화인듐(ITO), 불소 첨가 산화주석(FTO), 산화주석(SnO2), 인듐아연산화물(IZO), 산화아연(ZnO)의 재료가 되는, In-Sn 합금, Zn, In-Zn 합금, Sn, Ga-Zn 합금, Al-Zn 합금 등이 바람직하게 사용되지만, 비산화물 금속으로 투명 도전막을 형성할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지는 않는다.
투명 기판의 두께는 바람직하게는 수십 ㎛～1 ㎜이고, 투명 도전막의 두께는 바람직하게는 수십 ㎚～수백 ㎚이다.
투명 전극의 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하기 위해서는, 예컨대 ⅰ) 광촉매 입자(금속 산화물 입자)를 포함하는 페이스트를 투명 도전막 상에 도포하여 건조시키고, 경우에 따라서는 소성하는 방법이나, ⅱ) 금속 산화물 졸을 투명 도전막 상에 정전 도포하여 건조시키고, 경우에 따라서는 소성하는 방법에 의해 행해진다.
광촉매 입자는, 산화티탄(TiO2), 산화주석(SnO2), 산화텅스텐(WO3), 산화아연(ZnO), 산화니오븀(Nb2O5) 등의 금속 산화물로 이루어진다.
ⅰ)의 방법에 있어서, 광촉매 함유 페이스트는, 순수, 에탄올, 프로판올, t-부탄올 등에 광촉매 입자를 첨가한 것이어도 좋다.
ⅱ)의 방법에서는, 정전 도포 장치를 마이너스측으로 하고 피도포물인 투명 전극의 투명 도전막을 플러스측으로 하고, 그 사이에 고전압을 가하여 정전계를 형성하고, 정전 도포 장치의 스프레이 노즐로부터 분무된 금속 산화물 졸을 마이너스측으로 대전시켜 투명 도전막 표면에 도장한다. 이 경우, 정전 도포하면서 레이저 조사하여, 상기 건조, 소성을 동시에 행하도록 해도 좋다. 정전 도포 장치는 금속 산화물 졸을 투명 도전막 상에 도포할 수 있는 것이면 되고, 상기 구성에 한정되지 않는다.
금속 산화물 졸의 출발 원료가 되는 금속 화합물로는, 금속 유기 화합물에서는, 예컨대 금속 알콕시드, 금속 아세틸아세토네이트, 금속 카르복실레이트, 금속 무기 화합물에서는, 예컨대 금속의 질산염, 옥시염화물, 염화물 등을 들 수 있다.
상기 금속 산화물로는, 산화티탄이 바람직하고, 그 밖에 산화주석, 산화텅스텐, 산화아연, 산화니오븀 등을 들 수 있다.
산화티탄을 이용한 일례로서, 금속 알콕시드로는, 티탄테트라메톡시드, 티탄에톡시드, 티탄이소프로폭시드, 티탄부톡시드 등을, 금속 아세틸아세토네이트로는, 티탄아세틸아세토네이트 등을, 금속 카르복실레이트로는, 티탄카르복실레이트 등을 들 수 있고, 질산티탄, 옥시염화티탄, 사염화티탄 등을 들 수 있다.
또한, 상기 금속 화합물에, 물, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 이소프로필알콜, 1-부탄올, 2-부탄올, 이소부탄올, t-부탄올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올 등의 용매, 산 또는 암모니아, 그 밖의 첨가물 등을 첨가함으로써 졸화, 겔화를 행한다.
ⅰ) 및 ⅱ)의 방법에 있어서, 건조는 실온에서 5분～30분 정도 행해진다. 소성은, 온도 450℃～550℃에서 30분～60분 정도 행해진다.
광촉매막의 두께는, 바람직하게는 5 ㎛～20 ㎛이다.
다음으로, 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하는 공정에 관해 설명한다.
상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 조사하는 레이저로는, 바람직하게는 가시광 영역(380 ㎚～800 ㎚), 구체적으로는 Nd : YAG 레이저(1064 ㎚)의 적외선을 파장 변환 소자를 이용하여 파장 532 ㎚의 녹색의 광(SHG)으로 한 것이나, 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 적용할 수 있다. 또한, 레이저 조사시에, 단초점을 형성할 수 있는 광학계를 구성하여, 투명 도전막과 광촉매막의 계면에 초점이 맞도록 함으로써, 결합 효과가 더 향상된다.
이러한 레이저를 발진하는 레이저 발진기는 갈바노 스캐너를 구비하고 있어, 자유자재로 레이저 조사 위치를 변경할 수 있다.
광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하면서 또는 조사한 후에, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 직접 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기 광촉매막에 그 표면측으로부터 조사하는 레이저로는, 바람직하게는 가시광 영역～근적외 영역(700 ㎚～1100 ㎚), 구체적으로는 Nd : YAG 레이저(1064 ㎚)나 Nd : YVO4 레이저(1064 ㎚) 또는 TI : 사파이어 레이저(650 ㎚～1100 ㎚), Cr : LiSAF 레이저(780 ㎚～1010 ㎚), 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚), CO2 레이저와 같은 파장 가변 레이저를 적용할 수 있다.
광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 가압하면서 행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 양태는, 투명 기판과 그 위의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치로 가압하면서, 상기 광촉매막에 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치를 거쳐 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법이다.
제2 발명에 있어서, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 투명 프레스 장치를 거쳐 행하고 투명 전극측으로부터도 그 전극을 거쳐 행하는 것이 바람직하다. 투명 프레스 장치는 유리나 수지와 같은 투명체로 구성되어 있다.
제2 발명에 있어서, 광촉매막의 가압을, 상기 광촉매막을 가열하면서 행하는 것이 바람직하다. 광촉매막의 가열은, 프레스 장치의 내부에 전기 히터를 설치하거나, 그 내부에 고열 유체를 흘리는 방법에 의해 이루어져도 좋다. 광촉매막의 가열 온도는, 바람직하게는 150℃이다.
제2 발명에 있어서, 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 조사하는 레이저, 및 상기 광촉매막에 그 표면측으로부터 조사하는 레이저는, 각각 제1 발명에 관해 설명한 것이어도 좋다.
제1 및 제2 발명에 있어서, 광촉매막의 가압을 압력 10 MPa～100 MPa로 행하는 것이 바람직하다.
제1 및 제2 발명에 있어서, 광촉매막의 가압은, 평판형의 프레스 장치, 롤형의 프레스 장치 등을 이용하여 행해진다. 롤형의 프레스 장치를 이용하여 행함으로써, 광촉매막의 가압을 연속적으로 행할 수 있다. 롤형의 프레스 장치의 내부에 가열 소자를 설치하여 이것을 가열하는 것이나, 롤형의 프레스 장치를 투명 재료로 구성하여, 그 내부로부터 레이저를 조사해도 좋다.
본 발명에 의해 광촉매막이 투명 전극에 강고하게 형성된 후, 광촉매막의 표면이 염색된다. 이 염색은, 예컨대 투명 전극에 형성한 광촉매막을, 광증감 색소를 포함하는 침지액에 침지하여 광촉매막의 표면에 그 색소를 흡착시킴으로써 행해진다. 침지후 건조, 나아가 소성을 행하는 것이 바람직하다. 광증감 색소는, 예컨대 비피리딘 구조, 터피리딘 구조 등을 포함하는 배위자를 갖는 루테늄 착체나 철 착체, 포르피린계나 프탈로시아닌계의 금속 착체, 나아가 에오신, 로다민, 메로시아닌, 쿠마린 등의 유기 색소 등이어도 좋다.
이와 같이 하여, 투명 전극에 형성한 염색 광촉매막은, 색소 증감 태양 전지 등의 광전 변환 소자의 전극으로서 바람직하게 이용된다.
광전 변환 소자는, 예컨대 상기 염색 광촉매막을 구비한 투명 전극과, 이것에 대향하는 대극(對極)과, 양극(兩極) 사이에 배치된 전해질층으로 주로 구성되어 있다.
전해질로는, 예컨대 요오드계 전해액이 사용되며, 구체적으로는, 요오드, 요오드화물 이온, 터셔리부틸피리딘 등의 전해질 성분이, 에틸렌카보네이트나 메톡시아세토니트릴 등의 유기 용매에 용해되어 이루어진 것이 예시된다. 전해질은, 전해액으로 이루어진 것에 한정되지 않고, 고체 전해질이어도 좋다. 고체 전해질로는, 예컨대 DMPImI(디메틸프로필이미다졸륨요오드화물)이 예시되며, 그 밖에 LiI, NaI, KI, CsI, CaI2 등의 금속 요오드화물, 및 테트라알킬암모늄요오다이드 등 4급 암모늄 화합물의 요오드염 등의 요오드화물과 I2를 조합한 것; LiBr, NaBr, KBr, CsBr, CaBr2 등의 금속 브롬화물, 및 테트라알킬암모늄브로마이드 등 4급 암모늄 화합물의 브롬염 등의 브롬화물과 Br2를 조합한 것 등을 적절하게 사용할 수 있다.
대극은, 대극용 투명 기판 상에 투명 도전막이 형성된 것, 혹은 상기 기판 상에 알루미늄, 구리, 주석 등의 금속의 시트를 마련한 것이어도 좋다. 그 밖에, 금속(알루미늄, 구리, 주석 등) 또는 카본제 등의 메쉬형 전극에 겔형 고체 전해질을 유지시킴으로써 대극을 구성해도 좋고, 또한 대극용 기판의 한면 상에 도전성 접착제층을 그 기판을 덮도록 형성하고, 그 접착제층을 개재하여, 별도로 형성한 브러시형 카본 나노 튜브군을 기판에 전사함으로써 대극을 구성해도 좋다.
광전 변환 소자를 조립하기 위해서는, 예컨대 염색 광촉매막을 구비한 전극과 대극을 대향형으로 위치를 맞춰, 양극 사이를 열융착 필름이나 밀봉재 등으로 밀봉하고, 대극 또는 전극 등에 미리 형성해 놓은 구멍이나 간극을 통해 전해질을 주입한다. 또한, 고체 전해질을 이용하는 경우는, 양극을 이들 사이에 광촉매막 및 전해질층이 끼워지도록 서로 겹쳐, 그 둘레 가장자리부끼리를 가열 접착한다. 가열은, 금형에 의한 것이어도 좋고, 플라즈마(파장이 긴 것), 마이크로파, 가시광(600 ㎚ 이상)이나 적외선 등의 에너지빔을 조사하는 것에 의한 것이어도 좋다.
광전 변환 소자는, 예컨대 사각형의 전극용 투명 기판과 사각형의 대극용 투명 기판 사이에, 전극용 투명 도전막, 대극용 투명 도전막, 집전 전극, 전해질층 및 광촉매막이 소정 간격으로 배치됨으로써 형성되며, 이 때의 전극과 대극의 접속은, 직렬이 되는 경우가 있고, 병렬이 되는 경우도 있다. 어느 경우라도, 전해질층 및 광촉매막은 밀봉재에 의해 인접하는 것끼리의 사이가 구획된다. 직렬 접속의 경우, 전극용 투명 도전막, 대극용 투명 도전막 및 집전 전극은, 인접하는 것끼리의 사이에 간극이 형성되고, 인접하는 전극용 투명 도전막과 대극용 투명 도전막이 도체에 의해 접속된다. 병렬 접속의 경우, 전극용 투명 도전막, 대극용 투명 도전막 및 집전 전극은, 인접하는 것끼리의 사이에 간극이 없는 형상이 된다.
다음으로, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해, 본 발명의 실시예를 몇 개 든다.
실시예 1
도 1에 있어서, 폴리에틸렌ㆍ나프탈레이트 필름으로 이루어진 투명 기판(1)과, 그 위의 ITO로 이루어진 투명 도전막(2)으로 이루어진 투명 전극(3)에, 광촉매 입자로서 산화티탄 입자를 포함하는 페이스트(에탄올과 물에 산화티탄을 첨가한 것)를 도포하여, 실온에서 15분간 건조시키고, 온도 150℃에서 15분간 소성하여, 투명 전극(3)의 투명 도전막(2) 상에 광촉매막(4)을 형성했다. 이어서, 갈바노 스캐너를 구비한 레이저 발진기(5)를 이용하여, 광촉매막(4)에 투명 전극(3)측으로부터 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사했다. 이때, 단초점을 형성하는 광학계를 구성하여, 투명 도전막과 광촉매막의 계면에 초점이 맞도록 했다.
이와 같이 하여, 광촉매막(4)을 투명 전극(3)에 강고하게 결합시킨 후, 광증감 색소를 포함하는 침지액[루테늄 착체(N719, 분자량 1187.7 g/mol)를 t-부탄올:아세토니트릴(용량비 1:1)에 용해시킨 것으로, 색소 농도 : 0.3 ㎜]에 온도 40℃에서 40분간 침지하여 광촉매막의 표면에 그 색소를 흡착시켰다.
실시예 2
실시예 1에 있어서, 광촉매막(4)에 투명 전극(3)측으로부터 그 전극을 거쳐 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사하면서, 상기 광촉매막(4)의 표면측으로부터도 직접 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사했다.
그 밖의 구성은 실시예 1의 것과 동일하다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 제1 광촉매막(4)에 투명 전극(3)측으로부터 그 전극을 거쳐 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사하여 투명 전극(3)에 제1 광촉매막(4)을 결합시킨 후, 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 광촉매막(4) 상에, 실시예 1과 동일한 조작에 의해 산화티탄 입자 함유 페이스트를 도포하고 건조시켜 제2 광촉매막(8)을 형성했다. 이어서, 갈바노 스캐너를 구비한 레이저 발진기(5)를 이용하여, 제2 광촉매막(8)에 그 표면측으로부터 직접 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사하여 제1 광촉매막(4) 상에 제2 광촉매막(8)을 결합시켰다.
그 후, 도 4의 (c)에 나타낸 바와 같이, 제2 광촉매막(8) 상에, 실시예 1과 동일한 조작에 의해 산화티탄 입자 함유 페이스트를 도포하고 건조시켜, 제3 광촉매막(9)을 형성했다. 이어서, 상기와 마찬가지로 제3 광촉매막(9)에 그 표면측으로부터 직접 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사하여 제2 광촉매막(8) 상에 제3 광촉매막(9)을 결합시켰다.
마지막으로, 도 4의 (d)에 나타낸 바와 같이, 상기와 동일한 조작에 의해 제3 광촉매막(9) 상에 제4 광촉매막(10)을 결합시켰다.
그 밖의 구성은 실시예 1의 것과 동일하다.
실시예 4
실시예 1에 있어서, 광촉매막(4)에 대한 레이저 조사를, 그 광촉매막을 그 표면측으로부터 압력 50 MPa로 30초간 가압하면서 행했다. 가압은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 내부에 전열 히터선(6)을 설치한 평판형의 프레스 장치(7)를 이용하여, 프레스 장치 온도 150℃에서 30초간 행했다.
그 밖의 구성은 실시예 1의 것과 동일하다.
실시예 5
실시예 1과 동일하게 하여, 투명 기판(1)과 그 위의 투명 도전막(2)으로 이루어진 투명 전극(3)에 광촉매막(4)을 형성했다. 이어서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 광촉매막(4)을 그 표면측으로부터 투명 유리판제의 투명 프레스 장치(12)로 가압하면서, 상기 광촉매막(4)에 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치(12)를 거쳐, 갈바노 스캐너를 구비한 레이저 발진기(5)를 이용하여 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 조사했다.
그 밖의 구성은 실시예 1의 것과 동일하다.
실시예 6
실시예 5에 있어서, 광촉매막(4)에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막(4)의 표면측으로부터 투명 프레스 장치(12)를 거쳐 행하고 투명 전극(3)측으로부터도 알렉산드라이트 레이저(700 ㎚～820 ㎚)를 이용하여 행했다.
그 밖의 구성은 실시예 4의 것과 동일하다.
실시예 7
실시예 4에 있어서, 평판형의 프레스 장치 대신에, 도 3에 나타내는 롤형의 프레스 장치(11)를 이용하여 투명 전극(3)에 광촉매막(4)을 가압했다. 그 밖의 구성은 실시예 4의 것과 동일하다. 롤형의 프레스 장치(11)를 이용함으로써, 광촉매막(4)의 가압을 연속적으로 행할 수 있었다.
참고예 1
도 6에, 광증감 색소로 염색된 광촉매막을 구비한 투명 전극을 이용하여 구성한 광전 변환 소자의 예를 나타낸다. 광전 변환 소자는, 염색 광촉매막을 구비한 투명 전극과, 이것에 대향하는 대극과, 양극 사이에 배치되는 전해질층으로 주로 구성되어 있다.
도 6에 있어서, (21)은 투명 기판, (22)는 투명 기판(21) 상에 형성된 투명 도전막, (24)는 대극용 기판, (25)는 상기 기판(24)에 마련된 대극이며, 백금으로 구성되어 있다. (26)은 양극 사이에 걸쳐 마련된 복수의 밀봉재겸 세퍼레이터이며, 이들에 의해 양극 사이에 복수의 구획이 형성되어 있다. (23)은 각 구획에 있어서 투명 도전막(22) 상에 형성된 광촉매막이며, 광증감 색소로 염색되어 있다. 각 구획에는 전해액이 주입되어 있다. (27)은 양극에 걸쳐 있는 복수의 극간 전극, (28)은 극간 전극 보호용 밀봉재이다.
막두께 수 ㎛, 가로 세로 100 ㎜의 색소 증감 태양 전지를 제작하고, AM 1.5, 100 mW/㎠의 표준 광원 조사에 의해 전력 변환 효율을 계측한 바, 실시예 1에서 얻어진 염색 광촉매막을 구비한 투명 전극을 이용한 경우, 변환 효율 η=5%～6%, 실시예 4 또는 7에서 얻어진 염색 광촉매막을 구비한 투명 전극을 이용한 경우, 변환 효율 η=6%～7%로 모두 고효율이 얻어졌다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 투명 전극의 표면에 광촉매막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 광촉매막의 내부에서의 광촉매 입자끼리의 결합 및 광촉매막의 광촉매 입자와 투명 전극의 결합을 강고한 것으로 할 수 있기 때문에, 이와 같이 하여 형성된 광촉매막을 광증감 색소로 염색하여 이루어진 전자 재료가 색소 증감 태양 전지 등의 광전 변환 소자의 전극으로서 바람직하게 이용되는 것에 기여할 수 있다.
1 : 투명 기판
2 : 투명 도전막
3 : 투명 전극
4, 8, 9, 10 : 광촉매막
5 : 레이저 발진기
6 : 전열 히터선
7 : 평판형의 프레스 장치
11 : 롤형의 프레스 장치

Claims (8)

  1. 투명 기판과 그 위의 투명 도전막을 포함하는 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사하면서 상기 광촉매막의 표면측으로부터 직접 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  3. 투명 기판과 그 위의 투명 도전막을 포함하는 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막에 투명 전극측으로부터 그 전극을 거쳐 레이저를 조사한 후, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 직접 레이저를 조사하며, 상기 광촉매막 상에의 광촉매막의 형성과 이 광촉매막에 대한 그 표면으로부터의 레이저 조사의 추가 조작을 1회 이상 더 행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 가압하면서 행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  5. 투명 기판과 그 위의 투명 도전막을 포함하는 투명 전극에 있어서 투명 도전막 상에 광촉매막을 형성하고, 이어서 상기 광촉매막을 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치로 가압하면서, 상기 광촉매막에 그 표면측으로부터 투명 프레스 장치를 거쳐 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서, 광촉매막에 대한 레이저 조사를, 상기 광촉매막의 표면측으로부터 투명 프레스 장치를 거쳐 행하고 투명 전극측으로부터도 그 전극을 거쳐 행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광촉매막의 가압을, 상기 광촉매막을 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 투명 전극에 대한 광촉매막의 가압을, 롤형의 프레스 장치를 이용하여 행하여, 광촉매막의 가압을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 상에서의 광촉매막의 형성 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5303298B2 (ja) * 2009-02-02 2013-10-02 日立造船株式会社 透明電極上における光触媒膜の形成方法
DE102012001361A1 (de) * 2012-01-24 2013-07-25 Linde Aktiengesellschaft Verfahren zum Kaltgasspritzen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4032873B2 (ja) * 2002-08-20 2008-01-16 凸版印刷株式会社 積層体及びその製造方法並びにそれを用いた製品
AU2003272969A1 (en) * 2002-10-10 2004-05-04 Kansai Paint Co., Ltd. Method for forming semiconductor film and use of semiconductor film
JP4639657B2 (ja) * 2004-06-18 2011-02-23 パナソニック電工株式会社 光電変換素子及びその製造方法
JP2006093212A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 多結晶層の形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP4948815B2 (ja) * 2005-10-20 2012-06-06 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池の製造方法
JP5127330B2 (ja) * 2007-07-12 2013-01-23 日立造船株式会社 光電変換素子およびその製造方法

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