KR20130029708A - 다이본더 및 다이본딩 방법 - Google Patents

다이본더 및 다이본딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130029708A
KR20130029708A KR1020120024283A KR20120024283A KR20130029708A KR 20130029708 A KR20130029708 A KR 20130029708A KR 1020120024283 A KR1020120024283 A KR 1020120024283A KR 20120024283 A KR20120024283 A KR 20120024283A KR 20130029708 A KR20130029708 A KR 20130029708A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
head
collet
stage
load
Prior art date
Application number
KR1020120024283A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101946067B1 (ko
Inventor
히로시 마끼
마사유끼 모찌즈끼
유끼오 다니
다께히또 모찌즈끼
Original Assignee
가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 filed Critical 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠
Publication of KR20130029708A publication Critical patent/KR20130029708A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101946067B1 publication Critical patent/KR101946067B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 품질이 안정된 다이본더 및 다이본딩 방법, 소형화 및 저제조 비용의 다이본더 및 다이본딩의 공정수가 저감 가능한 다이본더 및 다이본딩 방법을 제공한다.
본 발명은 헤드를 2개 설치하고, 한쪽 헤드는, 다이를 픽업하여 스테이지 위의 기판에 임시 부착하고, 다른 쪽 헤드가 임시 부착된 다이를 본 압착하는 것이다. 또한, 다른 쪽 헤드가 본 압착 중에 한쪽 헤드가 다음 다이를 픽업하여 스테이지 위의 기판에 임시 부착하도록 한 것이다.

Description

다이본더 및 다이본딩 방법{DIE BONDER AND DIE BONDING METHOD}
본 발명은 다이본더 및 다이본딩 방법에 관한 것으로, 공정수를 저감할 수 있는 다이본더 및 다이본딩 방법에 관한 것이다.
다이(반도체 칩)를 배선 기판이나 리드 프레임 등의 피실장 부재(이후, 본 명세서에서는, 프린트 기판으로 칭함)에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정 일부에, 웨이퍼로부터 다이를 픽업(흡착)하고 기판에 본딩하는 다이본딩 공정이 있다. 최근, 다이를 픽업하여 기판에 압착하는 헤드를 2개 설치하여, 공정수의 저감을 기도한 다이본더가 제작되고 있다.
그 경우의 다이본딩으로서는, 다음 (1) 내지 (3)의 방법이 있었다.
(1) 각각의 헤드가, 순서대로 웨이퍼로부터 다이를 픽업하고, 그대로 직접, 기판 등의 워크에 다이본딩(본 압착)한다.
(2) 한쪽 헤드가 웨이퍼로부터 다이를 픽업하고, 한번 프리 얼라이먼트 스테이지에 적재한다. 다른 쪽 헤드가 프리 얼라이먼트 스테이지에 적재된 다이를 흡착하여 워크에 다이본딩(본 압착)한다(특허 문헌 1 참조).
(3) 웨이퍼로부터 다이를 픽업하고, 제1 스테이지의 워크에 직접 임시 부착한다. 다이가 임시 부착된 워크를 이동하고 제2 스테이지로 이동하여 다이본딩(본 압착)한다(특허 문헌 2 참조).
일본 특허 공개 제2000-252303호 공보 일본 특허 공개 제2005-093838호 공보
상술한 (1)의 방법으로는, 픽업과 본 압착(다이본드) 각각의 프로세스 시간에 영향을 미쳐서, 생산성이 저하한다. 또한, 2개의 헤드를 사용하기 때문에, 양 헤드에서 생산한 제품끼리는, 실장 품질이 변화하여, 안정되지 못한다.
또한, (2) 및 (3)의 방법으로는, 1회당 스테이지에 다이를 적재하고, 다시 반송하기 때문에, 핸들링에 의한 수율이 저하될 우려가 있다. 또한, 다른 스테이지로의 반송 시의 영향에 의해, 수율이 저하될 우려도 있다. 게다가, 2개의 스테이지가 필요해져서, 장치가 커진다. 또한, 공정수가 증가한다.
본 발명의 제1 목적은, 상기한 문제를 감안하여, 다이본딩의 품질이 안정된 다이본더 및 다이본딩 방법을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 제2 목적은, 다이본더의 소형화 및 제조 비용의 저감이다. 또한, 본 발명의 제3 목적은, 다이본딩의 공정수가 저감 가능한 다이본더 및 다이본딩 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 헤드를 2개 설치하고, 한쪽 헤드는, 다이를 픽업하여 스테이지 위의 기판에 임시 부착하고, 다른 쪽 헤드가 임시 부착된 다이를 본 압착하는 것이다.
또한, 다른 쪽 헤드가 본 압착 중에 한쪽 헤드가 다음 다이를 픽업하여 스테이지 위의 기판에 임시 부착하도록 한 것이다.
본 발명의 다이본더는, 웨이퍼를 보유 지지하는 다이 공급 스테이지와, 상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하여 어태치 스테이지 위의 피실장 대상물에 상기 다이를 임시 부착하는 제1 콜릿을 갖는 제1 헤드와, 상기 어태치 스테이지에 임시 부착된 상기 다이를 상기 피실장 대상물에 본 압착하는 제2 콜릿을 갖는 제2 헤드와, 제어 장치를 구비하고, 상기 제어 장치는, 상기 제2 헤드가 상기 다이를 상기 피실장 대상물에 본 압착하는 동안에, 상기 제1 헤드가 상기 다이 공급 스테이지로부터 다음 다이를 픽업시키는 것을 제1 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제1 특징의 다이본더에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 헤드가 상기 피실장 대상물에 상기 다이를 임시 부착하기 전에, 상기 제2 헤드가 퇴피시키는 것을 본 발명의 제2 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제1 특징 또는 제2 특징의 다이본더에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 헤드가 임시 부착하는 하중을, 상기 제2 헤드가 본 압착하는 하중보다 작게 하는 것을 본 발명의 제3 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제1 특징 내지 제3 특징 중 어느 하나의 다이본더에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 헤드가 임시 부착하는 하중 부하 시간을, 상기 제2 헤드가 본 압착하는 하중 부하 시간보다 짧게 하는 것을 본 발명의 제4 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제1 특징 내지 제4 특징 중 어느 하나의 다이본더에 있어서, 상기 제1 콜릿은 제1 가열 장치를 갖고, 상기 제2 콜릿은 제2 가열 장치를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 제1 가열 장치의 설정 온도를 상기 제2 가열 장치의 설정 온도보다 낮게 하는 것을 본 발명의 제5 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제1 특징 내지 제5 특징 중 어느 하나의 다이본더에 있어서, 상기 어태치 스테이지는, 상기 어태치 스테이지 위의 상기 피실장 대상물을 가열하는 제3 가열 장치를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 제3 가열 장치의 설정 온도를 상기 제1 헤드가 상기 다이를 임시 부착할 때의 온도와 상기 제2 헤드가 상기 다이를 본 압착할 때의 온도를 동일하게 설정하는 것을 본 발명의 제6 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다이본딩 방법은, 제1 콜릿을 갖는 제1 헤드와, 제2 콜릿을 갖는 제2 헤드와, 제어 장치를 구비한 다이본더의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제1 헤드가 다이 공급 스테이지로부터 다이를 픽업하는 제1 스텝과, 상기 제2 헤드가 어태치 스테이지 위의 피실장 대상물의 다이 압착 포인트의 상방으로부터 퇴피하고, 상기 제1 헤드가 상기 픽업한 상기 다이를 상기 다이 압착 포인트에 임시 부착하는 제2 스텝과, 상기 임시 부착된 다이를 상기 제2 헤드가 본 압착하여 상기 피실장 대상물의 상기 다이 압착 포인트에 본 압착하는 제3 스텝과, 상기 제3 스텝을 실행 중에, 상기 제1 헤드가 다른 다이를 상기 다이 공급 스테이지로부터 픽업하는 제4 스텝을 구비한 것을 제7 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제7 특징의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제1 스텝은, 상류로부터 상기 어태치 스테이지에 상기 피실장 대상물을 반송하는 스텝을 포함하는 것을 본 발명의 제8 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제8 특징의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제3 스텝은, 또한 상기 본 압착한 후에, 상기 본 압착된 피실장 대상물을 하류로 반송하고, 상기 상류로부터 다음 피실장 대상물을 반송하는 것을 본 발명의 제9 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제7 특징 내지 제9 특징 중 어느 하나의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제2 스텝으로부터 상기 제4 스텝을 반복하는 것을 본 발명의 제10 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제7 특징 내지 제10 특징 중 어느 하나의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제2 스텝과 상기 제3 스텝의 상기 어태치 스테이지의 가열 온도가 동일한 것을 본 발명의 제11 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제7 특징 내지 제11 특징 중 어느 하나의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제1 콜릿의 가열 온도가 상기 제2 콜릿의 가열 온도보다 낮은 것을 본 발명의 제12 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제7 특징 내지 제12 특징 중 어느 하나의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제2 스텝에서의 상기 제1 헤드가 상기 임시 부착할 때의 하중이, 상기 제3 스텝에서의 상기 제2 헤드가 상기 본 압착할 때의 하중보다 작은 것을 본 발명의 제13 특징으로 한다.
상기 본 발명의 제7 특징 내지 제13 특징 중 어느 하나의 다이본딩 방법에 있어서, 상기 제2 스텝에서의 상기 제1 헤드가 상기 임시 부착할 때의 하중 부하 시간이, 상기 제3 스텝에서의 상기 제2 헤드가 상기 본 압착할 때의 하중 부하 시간보다 짧은 것을 본 발명의 제14 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 품질이 안정된 다이본더 및 다이본딩 방법을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 소형화 및 제조 비용이 저감 가능한 다이본더를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 공정수의 저감이 가능한 다이본더 및 다이본딩 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 주요부의 개략 측면도이다.
도 2는 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 헤드의 개략 측면도이다.
도 3은 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 제어 장치의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 4a는 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이다.
도 4c는 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이고, (b)는 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이고, (c)는 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 제어 장치의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 7은 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 제어 장치의 구성을 도시하는 블록도이다.
이하에 본 발명의 일 실시 형태를 도면 등을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명은, 본 발명의 일 실시 형태를 설명하기 위한 것이고, 본원 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. 따라서, 당업자라면 이들 각 요소 또는 전체 요소를 이것과 균등한 것으로 치환한 실시 형태를 채용하는 것이 가능하고, 이들 실시 형태도 본원 발명의 범위에 포함된다.
또한, 본서에서는, 각 도면의 설명에서, 공통의 기능을 갖는 구성 요소에는 동일한 참조 번호를 붙이고, 설명의 중복을 가능한 한 피한다.
도 1은, 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 주요부의 개략 측면도이다. 이 다이본더는, 각종 다이(반도체 칩)를 프린트 기판에 실장하는 장치이다. 참조 부호 1은 다이본더 본체, 참조 부호 2는 다이 공급 스테이지, 참조 부호 3은 프리 얼라이먼트 스테이지, 참조 부호 4는 다이본딩 작업을 하기 위한 어태치 스테이지, 참조 부호 6은 다이, 참조 부호 5는 다이(6)를 흡착하고 프린트 기판에 임시 부착하는 콜릿, 참조 부호 55는 임시 부착된 다이(6)를 본 압착하는 콜릿, 참조 부호 7은 반도체 웨이퍼, 참조 부호 8은 반도체 웨이퍼(7)를 적재 지지하는 웨이퍼 테이블, 참조 부호 10은 프리 얼라이먼트 스테이지(3)의 프리 얼라이먼트 테이블, 참조 부호 11은 프리 얼라이먼트 테이블(10)을 가열하는 가열 장치, 참조 부호 12는 다이(6)를 실장하는 피실장 부재인 프린트 기판, 참조 부호 13은 어태치 스테이지(4)의 어태치 테이블, 참조 부호 61은 프리 얼라이먼트 테이블(10)의 상면, 참조 부호 62는 어태치 테이블(13)의 상면, 참조 부호 130은 어태치 테이블(13)의 상면의 개구부, 참조 부호 14는 어태치 테이블(13)을 가열하는 가열 장치이다. 또한, 콜릿(5)은 후술하는 헤드(20)에 설치되고, 콜릿(55)은 후술하는 헤드(20')에 설치된다.
도 1에서, 다이 공급 스테이지(2)에는, 예를 들면, 다수의 다이(6)가 집합한 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)(7)가 적재되어 있다. 웨이퍼(7)는 다이(6)마다 분리하여 픽업할 수 있도록 다이싱되어 있다.
프리 얼라이먼트 스테이지(3)는, 프리 얼라이먼트 테이블(10)과, 이 프리 얼라이먼트 테이블(10)의 하방에 설치된 가열 장치(11)를 구비하고 있다. 또한, 어태치 스테이지(4)는, 프린트 기판(12)을 적재하고 프린트 기판(12)의 주위를 덮음과 함께 상면에 개구(130)가 형성된 어태치 테이블(13)과, 이 어태치 테이블(13)에 설치된 가열 장치(14)를 구비하고 있다. 프린트 기판(12)은 어태치 테이블(13) 위를 도시하지 않은 반송 기구에 의해 상류로부터 반송되고, 다이(6)의 실장 작업(다이본딩)의 종료 후, 하류로 반송된다.
이하, 다이(6)를 이동 탑재하여 임시 부착하는 헤드(20) 및 본 압착하는 헤드(20')에 대해서, 도 2를 이용하여 설명한다. 도 2는, 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 헤드의 개략 측면도이다. 또한, 다이(6)를 다이 공급 스테이지(2)로부터 프리 얼라이먼트 스테이지(3)로 이동 탑재하여 임시 부착하는 헤드(20)와, 임시 부착된 다이(6)를 본 압착하는 헤드(20')는, 동일한 기구이며, 이하, 다이(6)를 다이 공급 스테이지(2)로부터 프리 얼라이먼트 스테이지(3)를 개재하여 어태치 스테이지(4)로 이동 탑재하여 프린트 기판(12)에 임시 부착하는 헤드(20)에 대하여 설명하고, 다이(6)를 어태치 스테이지(4)에서 본 압착하는 헤드(20')에 대해서는, 설명을 생략한다. 단, 괄호 내에 나타낸 부호는, 헤드(20')에 관한 구성 요소인 것을 나타낸다.
참조 부호 16은 헤드(20(20'))의 헤드 지지부, 참조 부호 17은 헤드 지지부(16)에 그 상부로부터 바깥 방향으로 연장된 센서 지지부, 참조 부호 18은 가이드, 참조 부호 21은 레일, 참조 부호 22는 슬라이드 부재, 참조 부호 23(23')은 승강 구동부(고정자 및 가동자), 참조 부호 24는 볼 부시, 참조 부호 25는 접촉 편, 참조 부호 26은 압축 스프링, 참조 부호 27(27')은 터치 센서, 참조 부호 28은 접촉 단부이다.
헤드 지지부(16)는 상하 방향으로 배치된 가이드(18)를 따라 승강한다. 가이드(18)는, 레일(21)과 이 레일(21)에 슬라이드 가능하게 지지된 슬라이드 부재(22)를 구비하고 있다. 또한, 가이드(18)에는, 헤드(20)의 예를 들면 리니어 모터 등의 승강 구동부(23)가 설치되어 있다.
또한, 헤드 지지부(16)의 하부에는 거의 수직으로 볼 부시(24)가 설치되고, 이 볼 부시(24)에 콜릿(5(55))이 거의 수직으로 승강 가능하게 지지되어 있다. 또한, 콜릿(5)의 거의 중간 위치에는, 접촉 편(25)이 수평하게 설치되어 있다. 이 접촉 편(25)의 상면과 센서 지지부(17)의 하면 사이에는, 압축 스프링(26)이 설치되고, 이 압축 스프링(26)에 의해 접촉 편(25)을 개재하여 콜릿(5)이 하강으로 부세(付勢)되고 있다.
터치 센서(27(27'))는 센서 지지부(17)를 관통하여 설치된 검출기이다. 터치 센서(27)의 하단부에는, 접촉 단부(28)가 설치되어 있다. 그리고, 콜릿(5)의 하단부가 다른 부재에 접촉하여 상승하지 않은 상태에서는, 접촉 단부(28)의 하단부와 접촉 편(25)의 상면 사이에는, 근소한 간극이 형성되어 있다.
다음으로, 헤드(20(20'))의 승강 등의 동작을 제어하는 제어 장치에 대해서, 도 3에 기초하여 설명한다. 도 3은, 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 제어 장치의 구성을 도시하는 블록도이다.
참조 부호 30은 승강 구동부(23)의 승강 등의 동작을 제어하는 제어 장치, 참조 부호 31은 모니터, 참조 부호 32는 CPU(Central Processing Unit), 참조 부호 33은 RAM(Random Access Memory), 참조 부호 34는 ROM(Read Only Memory)이다.
이 제어 장치(30)에는, 인터페이스(도시하지 않음)를 개재하여 승강 구동부(23과 23'), 터치 센서(27과 27'), 및 표시 장치인 터치 패널을 구비한 모니터(31) 등이 접속되어 있다.
제어 장치(30)에는, CPU(32), RAM(33) 및 ROM(34)이 설치되고, CPU(32)는 터치 센서(27 및 27')로부터의 신호를 입력함과 함께, 미리 RAM(33)에 저장되어 있는 승강 스트로크의 데이터 및 ROM(34)에 저장되어 있는 제어 프로그램에 기초하여 승강 구동부(23)를 제어함과 함께, 도시하지 않은 온도 센서 등의 검출값에 기초하여 프리 얼라이먼트 테이블(10)의 가열 장치(11) 및 어태치 테이블(13)의 가열 장치(14)를 제어하여 프리 얼라이먼트 테이블(10) 및 어태치 테이블(13)의 온도를 제어한다.
또한, RAM(33)에는, 예를 들면 모니터(31)의 터치 패널 조작 등의, 작업자에 의한 조작에 의해 미리 설정된, 콜릿(5 또는 55)의 하강 스트로크의 보정(캘리브레이션)의 간격 및 횟수, 즉, 하강 스트로크를 보정하는 간격 및 보정하는 횟수가 저장되어 있다.
도 4a 내지 도 4c에 의해, 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명한다. 도 4a 내지 도 4c는, 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이다. 도 4a 내지 도 4c는, 본 발명의 다이본더의 일 실시예에서의 설명에 불필요한 구성 요소를 제외하여 기재하고 있다. 또한, 도 4a 내지 도 4c의 실시예에서는, 도 1의 실시예와 달리, 헤드(20)의 콜릿(5)은, 다이 공급 영역(2)으로부터 픽업한 다이(6)를 직접 어태치 스테이지(4)의 프린트 기판(12) 위에 임시 부착한다. 이 때문에, 프리 얼라이먼트 스테이지(3)가 없다. 또한, 도 4a 내지 도 4c에서의 다이(6)가 동일한 다이인지 서로 다른 다이인지를 구별하기 위해서, 서픽스(suffix)를 붙였다. 예를 들면, 다이(6-0), 다이(6-1)이다.
도 4a 내지 도 4c에서, 도 4a는, 1기종의 기판에 대하여 다이본딩이 시작된 상태이다. 즉, 프린트 기판(12)이 상류로부터 도시하지 않은 반송 기구에 의해 어태치 스테이지(4)로 반송되고, 이 때, 헤드(20')의 콜릿(55)은 프린트 기판(12)의 상방에 위치하고 있다. 어태치 스테이지(4)에 프린트 기판(12)이 반송되고 있는 동안에, 헤드(20)의 콜릿(5)은 다이 공급 스테이지(2)로 이동하고, 다이(6-0)를 픽업한다.
다음으로, 도 4b에 도시한 바와 같이, 콜릿(55)이 프린트 기판(12) 위의 다이 압착 포인트의 상방으로부터 퇴피한다. 그리고, 다이 압착 포인트의 상방에는, 다이(6-1)를 픽업하고 있는 콜릿(5)이 이동하고, 다이(6-0)를 프린트 기판(12) 위의 다이 압착 포인트에 임시 부착한다. 퇴피하는 거리는, 콜릿(55)의 헤드(20')가 콜릿(5)의 헤드(20)와 접촉하지 않는 거리이다.
다음으로, 도 4c에 도시한 바와 같이, 다이(6-0)의 임시 부착을 완료한 콜릿(5)은 다이 공급 스테이지(2)로 이동하여, 다른 다이(6-1)를 픽업한다. 헤드(20)의 콜릿(5)이 다른 다이(6-1)를 픽업하고 있는 동안에, 헤드(20')의 콜릿(55)은 조금 전에 임시 부착된 다이(6-0)를 동일한 스테이지 위에서 단단히 눌러서, 본 압착한다. 본 압착 종료 후, 헤드(20')의 콜릿(55)은 어태치 스테이지(4)의 상방으로 이동하고, 다이(6-0)가 실장된 프린트 기판(12)은, 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 하류로 반송됨과 함께, 다음 프린트 기판이 상류로부터 어태치 스테이지(4)로 반송된다.
이하, 도 4b와 도 4c를 교대로 반복하여, 프린트 기판(12)에 다이(6)를 실장한다.
도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)에 의해, 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 다른 실시예를 설명한다. 도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)는, 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법의 일 실시예를 설명하기 위해서 다이본더의 주요부의 개략 측면을 도시한 도면이다. 도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)는, 본 발명의 다이본더의 일 실시예에서의 설명에 불필요한 구성물을 제외하여 기재하고 있다. 또한, 도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)의 실시예에서는, 도 4a 내지 도 4c의 실시예와 달리, 실장 라인을 2레인 구비하고, 2개의 헤드(20 및 20')는, 2 레인으로 각각 반송되는 프린트 기판에 다이를 교대로 실장하는 것이다. 여기서 참조 부호 12는 제1 레인 위로 반송된 프린트 기판, 참조 부호 42는 제2 레인 위로 반송된 프린트 기판이다. 또한, 참조 부호 4는 제1 레인의 어태치 스테이지, 참조 부호 44는 제2 레인의 어태치 스테이지이다.
도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)에서, 도 4a 내지 도 4c에서 설명한 공정 수순에 의해 프린트 기판(12)에 다이(6-0)가 실장된다. 단, 도 4c에서, 본 압착 종료 후의 콜릿(55)은 어태치 스테이지(44) 위로 이동한다. 다음으로, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 프린트 기판(42)이 상류로부터 도시하지 않은 반송 기구에 의해 어태치 스테이지(44)로 이미 반송되어 있다(또는, 미리 반송되어 대기 중이다).
다음으로, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 콜릿(55)이 프린트 기판(42) 위의 다이 압착 포인트의 상방으로부터 퇴피한다. 그리고, 다이 압착 포인트의 상방에는, 다이(6-1)를 픽업하고 있는 콜릿(5)이 이동하고, 다이(6-1)를 프린트 기판(42) 위의 다이 압착 포인트에 임시 부착한다.
다음으로, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 다이(6-1)의 임시 부착을 완료한 콜릿(5)은, 다이 공급 스테이지(2)로 이동하여, 다른 다이(6-2)를 픽업한다. 헤드(20)의 콜릿(5)이 다른 다이(6-2)를 픽업하고 있는 동안에, 헤드(20')의 콜릿(55)은, 조금전에 프린트 기판(42)에 임시 부착된 다이(6-1)를 위에서부터 단단히 눌러서, 본 압착한다. 본 압착 종료 후, 헤드(20')의 콜릿(55)은 어태치 스테이지(4)의 상방으로 이동하고, 다이(6-1)가 실장된 프린트 기판(12)은, 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 하류로 반송됨과 함께, 다음 프린트 기판이 상류로부터 어태치 스테이지(44)로 반송된다.
이하, 도 4b와 도 4c의 공정 수순과 도 5의 (b)와 도 5의 (c)의 공정 수순을 교대로 반복하여, 프린트 기판(12) 및 프린트 기판(42)에 다이(6)를 실장한다.
또한, 예를 들면, 임시 부착하는 헤드의 하중(Light Place Load)은 0.5 내지2[N](하중 부하 시간(Short Place Time) : 0.1 내지 0.5[s])이며, 본 압착하는 헤드의 하중(Heavy Place Load)은 1 내지 70[N](하중 부하 시간(Heavy Place Time) : 0.5[s] 이상)이다.
상기 실시예에 따르면, 픽업과 본 압착을 각각 별도의 헤드로 행한다. 즉, 동일한 헤드로 동일한 작업을 실행한다. 이 때문에, 병렬 처리가 가능하고, 프로세스 시간이 영향을 미치지 않으며, 실장 품질이 안정되고, 생산성이 저하하지 않는다.
또한, 임시 부착용 스테이지가 불필요해지기 때문에, 가열 스테이지도 1개로 해도 되어, 장치 비용, 장치의 소형화, 및 제조 공정수를 저감할 수 있다.
또한, 핸들링 횟수를 저감할 수 있기 때문에, 핸들링에 의한 수율 저하를 방지할 수 있다.
예를 들면, 생산 기종이 NAND 등의 박형 적층 제품인 경우에, 픽업(박리) 및 열 압착에 의한 다이본딩에서, 각각 1[s] 정도의 프로세스 시간이 필요하다. 본 발명에서는, 각각의 공정(픽업 및 열 압착)을 병렬 처리 가능하게 할 수 있다.
본 발명에서는, 2개의 콜릿(5 및 55)에 서로 다른 역할을 맡기고 있다. 그러나, 상술한 도 1 내지 도 3, 도 4a 내지 도 4c, 및 도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)의 실시예에서는, 픽업 및 임시 부착에 사용하는 콜릿(5)과 본 압착에 사용하는 콜릿(55)은, 동일 형상, 동일 치수의 콜릿을 사용하였다. 또한, 프리 얼라이먼트 스테이지(3), 어태치 스테이지(4), 콜릿(5), 및 콜릿(55)의 온도 등의 설정 조건을 동일하게 설정하였다.
그러나, 본 발명의 다른 실시예로서, 예를 들면, 도 6에 도시한 바와 같이, 임시 부착용 콜릿(5)과 본 압착용 콜릿(55)으로, 작업 조건을 서로 다르게 해도 된다.
도 6은, 본 발명의 다이본더의 일 실시예의 설정 조건을 나타내는 표이다. 도 6은, 설정 대상에 대해서, 임시 부착용 콜릿(5)과 본 압착용 콜릿(55)의 설정 조건을 서로 다르게 설정하고 있다.
도 6에서, 어태치 테이블(13)의 가열 온도는, 콜릿(5)에 의한 임시 부착 시와 본 압착 시에서 동일한 설정으로 하고 있다. 그러나, 콜릿의 가열 온도, 콜릿의 하중, 콜릿의 하중 부하 시간을, 모두 임시 부착용 콜릿(5)보다 본 압착용 콜릿(55)쪽이 커지도록 설정하고 있다.
그 결과, 임시 부착 시에는, 본 압착 시에 필요한 온도보다 저온도에서 다이본딩할 수 있기 때문에, 열의 영향에 의한 본딩 위치의 정밀도의 확보가 용이해진다. 또한, 동일한 이유에 의해, 프린트 기판의 열변형을 방지할 수 있다. 또한, 콜릿 측으로부터의 가열은, 프린트 기판을 개재시키지 않기 때문에, 열효율(열전도)이 좋아, 다이 압착의 품질 향상이 가능하게 된다.
도 6과 같이, 콜릿(5 및 55)에 가열 장치(75 및 76)를 설치하는 것에 대해서는, 주지의 기술이므로, 설명을 생략한다. 또한, 콜릿(5 및 55)의 가열 장치(75 및 76)의 제어는, 도 3의 제어 장치에 있어서, 또한 도 7에 도시한 바와 같이 가열 장치(75 및 76)를 제어 장치(30)에 접속함으로써 가능하다.
또한, 픽업 및 임시 부착용 콜릿(5)과 본 압착용 콜릿(55)을 그들 용도에 맞추어서 서로 다른 형상 치수의 콜릿으로 해도 된다. 그 결과 또한, 다이본딩의 품질 향상이 가능하게 된다.
상술한 실시예에서는, 중간 스테이지(프리 얼라이먼트 테이블)가 있는 다이본더, 및 다이렉트 본드 방식 다이본더에 의해 본 발명을 설명하였다. 그러나, 본 발명의 다이본더 및 다이본딩 방법은, 상기한 다이본더 외에, 플립 칩 본더 등, 열 압착 다이본더, 초음파 열 병용 다이본더에 널리 적용 가능하다.
1 : 다이본더 본체
2 : 다이 공급 스테이지
3 : 프리 얼라이먼트 스테이지
4, 44 : 어태치 스테이지
5, 55 : 콜릿
6 : 다이
7 : 반도체 웨이퍼(웨이퍼)
8 : 웨이퍼 테이블
10 : 프리 얼라이먼트 테이블
11 : 가열 장치
12, 42 : 프린트 기판
13 : 어태치 테이블
14 : 가열 장치
16 : 헤드 지지부
17 : 센서 지지부
18 : 가이드
20, 20' : 헤드
21 : 레일
22 : 슬라이드 부재
23, 23' : 승강 구동부
24 : 볼 부시
25 : 접촉 편
26 : 압축 스프링
27, 27' : 터치 센서
28 : 접촉 단부
30 : 제어 장치
31 : 모니터
32 : CPU
33 : RAM
34 : ROM
61, 62 : 상면
130 : 개구부
75, 76 : 콜릿 가열 장치

Claims (14)

  1. 웨이퍼를 보유 지지하는 다이 공급 스테이지와,
    상기 웨이퍼로부터 다이를 픽업하여 어태치 스테이지 위의 피실장 대상물에 상기 다이를 임시 부착하는 제1 콜릿을 갖는 제1 헤드와,
    상기 어태치 스테이지에 임시 부착된 상기 다이를 상기 피실장 대상물에 본 압착하는 제2 콜릿을 갖는 제2 헤드와,
    제어 장치
    를 구비하고,
    상기 제어 장치는, 상기 제2 헤드가 상기 다이를 상기 피실장 대상물에 본 압착하는 동안에, 상기 제1 헤드가 상기 다이 공급 스테이지로부터 다음 다이를 픽업시키는 것을 특징으로 하는 다이본더.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 헤드가 상기 피실장 대상물에 상기 다이를 임시 부착하기 전에, 상기 제2 헤드를 퇴피시키는 것을 특징으로 하는 다이본더.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 헤드가 임시 부착하는 하중을, 상기 제2 헤드가 본 압착하는 하중보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 다이본더.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 헤드가 임시 부착하는 하중 부하 시간을, 상기 제2 헤드가 본 압착하는 하중 부하 시간보다 짧게 하는 것을 특징으로 하는 다이본더.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 콜릿은 제1 가열 장치를 갖고, 상기 제2 콜릿은 제2 가열 장치를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 제1 가열 장치의 설정 온도를 상기 제2 가열 장치의 설정 온도보다 낮게 하는 것을 특징으로 하는 다이본더.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 어태치 스테이지는, 상기 어태치 스테이지 위의 상기 피실장 대상물을 가열하는 제3 가열 장치를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 제3 가열 장치의 설정 온도를 상기 제1 헤드가 상기 다이를 임시 부착할 때의 온도와 상기 제2 헤드가 상기 다이를 본 압착할 때의 온도를 동일하게 설정하는 것을 특징으로 하는 다이본더.
  7. 제1 콜릿을 갖는 제1 헤드와, 제2 콜릿을 갖는 제2 헤드와, 제어 장치를 구비한 다이본더의 다이본딩 방법으로서,
    상기 제1 헤드가 다이 공급 스테이지로부터 다이를 픽업하는 제1 스텝과,
    상기 제2 헤드가 어태치 스테이지 위의 피실장 대상물의 다이 압착 포인트의 상방으로부터 퇴피하고, 상기 제1 헤드가 상기 픽업한 상기 다이를 상기 다이 압착 포인트에 임시 부착하는 제2 스텝과,
    상기 임시 부착된 다이를 상기 제2 헤드가 본 압착하여 상기 피실장 대상물의 상기 다이 압착 포인트에 본 압착하는 제3 스텝과,
    상기 제3 스텝을 실행 중에, 상기 제1 헤드가 다른 다이를 상기 다이 공급 스테이지로부터 픽업하는 제4 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스텝은, 상류로부터 상기 어태치 스테이지에 상기 피실장 대상물을 반송하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 스텝은, 또한 상기 본 압착한 후에, 상기 본 압착된 피실장 대상물을 하류로 반송하고, 상기 상류로부터 다음 피실장 대상물을 반송하는 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 스텝으로부터 상기 제4 스텝을 반복하는 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 스텝과 상기 제3 스텝의 상기 어태치 스테이지의 가열 온도가 동일한 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  12. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 콜릿의 가열 온도가 상기 제2 콜릿의 가열 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  13. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 스텝에서의 상기 제1 헤드가 상기 임시 부착할 때의 하중이, 상기 제3 스텝에서의 상기 제2 헤드가 상기 본 압착할 때의 하중보다 작은 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
  14. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 스텝에서의 상기 제1 헤드가 상기 임시 부착할 때의 하중 부하 시간이, 상기 제3 스텝에서의 상기 제2 헤드가 상기 본 압착할 때의 하중 부하 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 다이본딩 방법.
KR1020120024283A 2011-09-15 2012-03-09 다이본더 및 다이본딩 방법 KR101946067B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011202275A JP5865639B2 (ja) 2011-09-15 2011-09-15 ダイボンダ及びボンディング方法
JPJP-P-2011-202275 2011-09-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130029708A true KR20130029708A (ko) 2013-03-25
KR101946067B1 KR101946067B1 (ko) 2019-02-08

Family

ID=47879691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120024283A KR101946067B1 (ko) 2011-09-15 2012-03-09 다이본더 및 다이본딩 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130068826A1 (ko)
JP (1) JP5865639B2 (ko)
KR (1) KR101946067B1 (ko)
CN (1) CN103000550B (ko)
TW (1) TWI550751B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI514489B (zh) * 2013-05-23 2015-12-21 Shinkawa Kk 電子零件安裝裝置以及電子零件的製造方法
TWI642133B (zh) * 2016-10-20 2018-11-21 矽品精密工業股份有限公司 電子構件之置放製程及其應用之承載治具
KR102395194B1 (ko) * 2017-06-21 2022-05-06 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 그 장치를 포함한 웨이퍼 본딩 시스템
JP7102113B2 (ja) * 2017-09-11 2022-07-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2023019189A (ja) 2021-07-28 2023-02-09 株式会社ディスコ チップ搬送装置及びダイボンダ
CN116190273B (zh) * 2023-03-01 2023-11-21 苏州联讯仪器股份有限公司 一种吸附式芯片搬运装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100837A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Miyagi Oki Denki Kk 半導体素子の実装装置
JP2001127083A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体実装装置
JP2004274026A (ja) * 2003-02-19 2004-09-30 Nec Machinery Corp チップマウント方法および装置
JP2011061073A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
KR20110037646A (ko) * 2009-10-07 2011-04-13 삼성전자주식회사 반도체 다이 본딩 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571896B2 (ko) * 1973-04-06 1982-01-13
US5115545A (en) * 1989-03-28 1992-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for connecting semiconductor devices to wiring boards
JPH0574873A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Casio Comput Co Ltd 熱圧着方法およびその装置
US5397423A (en) * 1993-05-28 1995-03-14 Kulicke & Soffa Industries Multi-head die bonding system
JPH09307286A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Tenryu Technic:Kk 電子部品実装装置およびその方法
JP2950821B1 (ja) * 1998-04-02 1999-09-20 三星電子株式会社 ダイボンディング装置
JP2000036501A (ja) * 1998-05-12 2000-02-02 Sharp Corp ダイボンド装置
JP2000114319A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造法
EP1030349B2 (de) * 1999-01-07 2013-12-11 Kulicke & Soffa Die Bonding GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von auf einem Substrat angeordneten elektronischen Bauteilen, insbesondere von Halbleiterchips
US6885522B1 (en) * 1999-05-28 2005-04-26 Fujitsu Limited Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation
JP3636127B2 (ja) * 2001-10-12 2005-04-06 松下電器産業株式会社 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JP4206320B2 (ja) * 2003-09-19 2009-01-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
JP3808465B2 (ja) * 2003-12-24 2006-08-09 エルピーダメモリ株式会社 マウント方法及び装置
TWI322476B (en) * 2006-10-05 2010-03-21 Advanced Semiconductor Eng Die bonder and die bonding method thereof
JP5167779B2 (ja) * 2007-11-16 2013-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010129588A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
US8381965B2 (en) * 2010-07-22 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compress bonding
US8104666B1 (en) * 2010-09-01 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes
JP5989313B2 (ja) * 2011-09-15 2016-09-07 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100837A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Miyagi Oki Denki Kk 半導体素子の実装装置
JP2001127083A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体実装装置
JP2004274026A (ja) * 2003-02-19 2004-09-30 Nec Machinery Corp チップマウント方法および装置
JP2011061073A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
KR20110037646A (ko) * 2009-10-07 2011-04-13 삼성전자주식회사 반도체 다이 본딩 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101946067B1 (ko) 2019-02-08
JP5865639B2 (ja) 2016-02-17
US20130068826A1 (en) 2013-03-21
CN103000550B (zh) 2017-04-26
JP2013065629A (ja) 2013-04-11
CN103000550A (zh) 2013-03-27
TW201312674A (zh) 2013-03-16
TWI550751B (zh) 2016-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130029708A (ko) 다이본더 및 다이본딩 방법
US8991681B2 (en) Die bonder and bonding method
KR101807419B1 (ko) 다이 본더, 본딩 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI613738B (zh) 黏晶機及半導體裝置的製造方法
KR102037948B1 (ko) 다이 본딩 방법 및 장치
US10388555B2 (en) Bonding apparatus and bonding method
KR100639149B1 (ko) 반도체 칩 플립 어셈블리 및 이를 이용한 반도체 칩 본딩장치
CN106981434B (zh) 全自动粘片键合设备及粘片键合方法
CN108886002A (zh) 芯片封装设备及其方法
KR101287526B1 (ko) 다이 본더와 이를 이용한 다이 본딩 방법
JP2924760B2 (ja) ダイボンディング装置
KR101802080B1 (ko) 웨이퍼로부터 다이들을 픽업하는 방법
KR20200034600A (ko) 반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20080041471A (ko) 다이 본더
JP4343989B1 (ja) ボンディング装置およびボンディング装置に用いられるボンディング領域の位置認識方法及びプログラム
JP6179843B2 (ja) 実装装置及び実装方法
JP5826701B2 (ja) チップ位置決め装置、チップ位置決め方法、およびダイボンダ
KR20060101229A (ko) 범프 형성 장치
JP6596653B2 (ja) 部品実装装置および部品実装方法ならびに部品実装システム
JP4734296B2 (ja) ボンディング方法、ボンディングプログラム及びボンディング装置
CN115868014A (zh) 半导体装置的制造装置以及制造方法
CN111983829A (zh) 部件压接装置以及部件压接方法
KR101582984B1 (ko) 반도체 다이 본딩 장치 및 그 방법
JP4720901B2 (ja) 部品実装方法
JP4613998B2 (ja) 部品実装装置及び部品実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant