KR20130009796A

KR20130009796A - 벌크 산란 특성을 갖는 유리 세라믹 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20130009796A
Application number: KR1020127025296A
Authority: KR
Inventors: 에티엔느 알모릭; 마리 재클린 모니크 꽁뜨; 미카엘라 나자하리; 로타르 원드락젝
Original assignee: 코닝 인코포레이티드
Priority date: 2010-02-26
Filing date: 2011-02-24
Publication date: 2013-01-23
Also published as: WO2011106489A3; US20110212824A1; JP2013521203A; TWI542563B; WO2011106489A2; TW201139317A; CN102781862A; KR101828097B1; EP2364957A1; JP5843789B2; US8461068B2

Abstract

본 출원은 벌크 산란 특성을 갖는 유리 세라믹, 및 예를 들면 OLED 또는 광전지 적용에서 그 유리 세라믹의 사용에 관한 것이다.

Description

벌크 산란 특성을 갖는 유리 세라믹 및 그 제조 방법{GLASS-CERAMIC WITH BULK SCATTERING PROPERTIES AND METHODS OF MAKING THEM}

본 출원은 2010년 2월 26일에 출원된 유럽 출원 10305198.3의 우선권의 이익을 주장한다.

인공 조명은 전 세계적으로 생산되는 모든 전기 에너지의 상당한 부분을 소비한다. 가정 및 사무실에서 소비되는 총에너지의 20% 내지 50%가 조명에 의한 것이다. 오늘날, 개인 가정에서 사용되는 일반적인 조명의 주요한 광원은 백열등(백열전구 및 할로겐 램프) 및 콤팩트 형광등(에너지 절약 램프)이다. 사무실, 상점, 레스토랑, 또는 호텔과 같은 상업 부문에서 적용에 대해서, 형광등(터뷸라 또는 컴팩트)은 전력 효율 및 수명(사용자의 총비용)의 점에서 이점이 있기 때문에 바람직한 것이다. 종래의 광원 이외에, 백색 LED가 일반적인 조명 시장에서 판매되기 시작했다. OLED는 백열등 및 형광등과 같은 종래의 광원을 대체하기 위한 매우 유력한 후보이다. OLED는 실질적으로 에너지 효율적인 조명에 기인할 전력-효율적인 대형 광원에 대한 가능성을 제공한다.

OLED가 일반적인 조명 시장에서 판매하기 위해서, OLED는 90 lm/W (OLED100 프로젝트로부터 100 lm/W) 이하의 전력 효율 및 70.000 h (100 000h from OLED 100 project) (무기 LEDs) 이하의 작동 수명을 달성할 필요가 있다. 그러나, OLED 기술은 잠재적으로 보다 효율적이고 장수명의 광원을 제안한다. 일반적인 조명의 적용에 대해서 도로를 포장하기 위해서, OLED는 평평한 광원이 평방미터를 덮는 일정한 폼 팩터(form factor)를 사용할 예정이다. OLED는 혁신적으로 새로운 램프 특성을 결합한 대형 광원에 대한 가능성을 제공한다.

이들은 얇고 평평하며, 동시에 투명하고, 색조절가능한 또는 구부릴 수 있는 광원으로서, 디자인 및 응용의 점에서 전례없는 휨 등급을 갖는 광원이며, 이들은 소비자에게 매우 매력적이다.

전계발광식 표시장치는 광추출 효율, 장치 내에서 발생된 광과 대기로 방출된 광의 비율로 제한된다. 따라서, 전기적으로 발생된 광의 상당한 비율은 장치내에서 손실된다. OLED에 대해서, 광 추출 효율은 2개의 성분: 상기 활성층으로부터 기판으로 광결합 효율 η_OLED _-s, 및 기판으로부터 대기로 추출 효율 η_s- _a 로 분할될 수 있고, 즉 η_ex=η_OLED _-s*η_s-a이다.

광 추출은 하나의 핵심 이슈로서, 하나의 일반적인 문제는 계면에서 총 내부 반사에 의해서 광 추출가능한 효율이 감소된 후, 반사된 광을 재흡수하고: 광이 높은 지수 층(n~1.8)에서 발생하고, 이 광은 기판(일반적으로 n~1.5을 갖는 유리), 그 다음에 최종적으로 공기로 탈출해야 하는 것이다.

일 실시형태는 벌크 산란 특성을 갖는 유리 세라믹, 및 OLED 또는 광전지 적용에서 그 유리 세라믹의 사용에 관한 것이다. OLED 장치에서 유리 기판 대신에 유리 세라믹을 사용하는 경우, 유리 세라믹은 광추출을 증가시킨다.

일 실시형태는 중량%로, 0 초과 내지 3% Li₂O; 15-27% Al₂O₃; 60-85% SiO₂; 및 1% 이상의 SnO₂ _;을 포함한 조성물을 포함한 유리 세라믹이고, 상기 유리 세라믹은 400 내지 1200 nm에서 20% 이상의 확산투과율을 나타내고, 상기 유리 세라믹은 벌크 결정화된 유리 세라믹이다:

제 2 실시형태는 유리 세라믹을 제조방법으로서, 이는 상기 조성물이 중량%로, 0% 초과 내지 3% Li₂O; 15-27% Al₂O₃; 60-85% SiO₂; 및 1% 이상의 SnO₂ _;을 포함한 유리를 제조하는 단계; 유리를 열처리하여 결정의 핵을 생성해서 결정을 성장시키고 유리세라믹을 형성하는 단계를 포함한다.

추가의 특징 및 이점은 다음의 상세한 설명에서 기재되고, 일부는 그 설명으로부터 당업자에게 용이하고 또는 명세서 및 그 청구 범위에서 기재된 바와 같이 실시형태를 실시함으로써 인지될 것이다.

상기 일반적인 설명 및 하기의 상세한 설명은 단지 예시이고, 청구범위의 특성 및 특징을 이해하기 위해서 요약 또는 구성을 제공하는 것이다.

수반한 도면은 더욱 이해를 위해서 제공한 것으로서, 본 명세서의 일부에 포함되고 이를 구성한다. 도면은 하나 이상의 실시형태를 설명하고, 그 설명과 함께 다양한 실시형태의 원리 및 조작을 설명하는 역할을 한다.

본 발명은 벌크 산란 특성을 갖는 유리 세라믹, 및 OLED 또는 광전지 적용에서 그 유리 세라믹의 사용에 관한 것이다. OLED 장치에서 유리 기판 대신에 유리 세라믹을 사용하는 경우, 유리 세라믹은 광추출을 증가시킨다.

도 1은 2개의 실시형태 S1-B 및 S2-A+B에 대한 파장의 함수로서 확산 및 총투과율의 그래프이다.
도 2는 일 실시형태 S2-C에 대한 파장의 함수로서 확산 및 총투과율의 그래프이다.
도 3는 2개의 실시형태 S3-B 및 S3-C에 대한 파장의 함수로서 확산 및 총투과율의 그래프이다.

유리 기판에서 산란하는 하나의 대안은 유리 세라믹을 사용하는 것이다. (유리 굴절률에 비해서) 적당한 크기 및 굴절률을 갖는 입자의 존재에 의해서 산란이 가능하다. 본 발명은 Li₂O-Al₂O₃-SiO₂ 조성물에 기초한 유리 세라믹 물질에 관한 것이다. 이들 유리는 투명하고, 열처리 후에(950℃ 미만) 적당한 크기 및 굴절률을 갖는 결정이 나타나고, 가시광에 대한 우수한 부피 산란 특성을 가지고 OLED 셀에서 기판으로부터 공기로 외부 결합을 향상시킨다.

일 실시형태는 유리 세라믹인 것으로서, 이는 중량%로 0% 초과 내지 3% Li₂O; 15-27% Al₂O₃; 60-85% SiO₂; 및 1% 이상의 SnO₂을 포함한 조성물을 포함하고, 상기 유리 세라믹은 400-1200nm에서 20% 이상의 확산 투과율을 갖고, 유리 세라믹은 벌크 결정 유리 세라믹이다.

또 다른 실시형태에서, 유리 세라믹은 60-85% SiO₂; 15-27% Al₂O₃; 0.5-2.9% Li₂O; 및 1-5% SnO₂을 중량%로 포함한다.

또 다른 실시형태에서, 유리 세라믹 조성물은 62-82% SiO₂; 18-24% Al₂O₃; 1.9-2.5% Li₂O; 및 1-1.5% SnO₂을 중량%로 포함한다.

일부 실시형태에서, 유리 세라믹은 1-3% ZnO; 2-2.8% ZrO₂ _,0-3% MgO; 0-3% BaO; 0-4% P₂O₅; 0-2% Ta₂O₅; 및 0-2% B₂O₃을 중량%로 포함한다.

유리 세라믹 조성물에서 성분 범위는 십진법으로 나타낸 임의의 값을 포함하고, 예를 들면, SiO₂는 60-85% SiO₂, 예를 들면, 65-70% SiO₂, 예를 들면, 65.1-69.3% SiO₂를 포함한다.

본원에 개시된 유리 세라믹 조성물은 친핵제 및 청징제로서 SnO₂를 포함한다. SnO₂는 청징제로서 비소 산화물을 대체하는 비독성 물질로서 사용될 수 있다. SnO₂는 TiO₂ 대신에 친핵제로서 사용할 수 있다. TiO₂는 일반적으로 핵 생성용 성분으로서 사용되지만, 유리 세라믹에 바람직하지 않은 색을 첨가할 수 있다.

유리 세라믹은 특정한 실시형태에서 필수적으로 TiO₂ 및/또는 비소 및 불소를 함유하지 않는다. 유리 세라믹은 상업적으로 제조된 유리 또는 유리 세라믹에서 발견된 바와 같은 오염물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 유리는 배치 기초(batched basis)로 0중량% 비소를 포함할 수 있지만(0 비소를 첨가한다), 분석에 의하면, 상기 유리가 오염을 일으키는 0.05중량% 이하의 비소를 함유한 것을 알 수 있다. 이러한 유리는 비소의 소스가 배치 출발 물질의 오염물이기 때문에, 비소를 "필수적으로 함유하지 않은" 것으로서 고려된다. 이것은 TiO₂ 및 불소에 대해서도 동일하다. 유리가 배치 기초로 0 중량% TiO₂ 또는 불소를 함유하지만, 이들 원소는 오염을 일으키기 위해서 유리 내에서 존재할 수 있다. 오염물 수준은 0.05 중량% 미만이다. 따라서, 비소와 같이, 유리 조성물은 TiO₂를 함유하는 것을 알 수 있고, 불소는 이들 물질의 존재에 의해서 출발 물질이 오염되기 때문에 본질적으로 이들 물질을 함유하지 않고, 이들은 의도적으로 첨가하지 않는 것으로 여겨진다.

총 투과율은 1 mm 유리 시료를 통해서 효과적으로 통과하는 광으로서 한정된다. 확산 투과율은 유리에 진입하고 약 7도보다 큰 각도로 편향되고 산란된 광량으로 정의된다. 일 실시형태에서, 유리 세라믹은 400-700 nm의 파장 범위에 걸쳐서, 50%를 초과한 총 투과율, 예를 들면 60% 초과, 또는 80% 초과한다. 일 실시형태에서, 유리 세라믹은 400-700 nm의 파장 범위에 걸쳐서 40%를 초과한 확산 투과율, 예를 들면 50% 초과, 또는 65% 초과한 확산 투과율을 갖는다. 상기 기재된 총 및 확산 투과율 값은 OLED 적용에서 유리 세라믹의 실시형태에 대해서 허용될 수 있다.

또 다른 실시형태에서, 유리 세라믹은 400-1200 nm의 파장 범위에 걸쳐서, 70%를 초과한 총 투과율, 예를 들면 80% 초과한 총 투과율을 갖는다. 일 실시형태에서, 유리 세라믹은 400-1200 nm의 파장 범위에 걸쳐서 20%를 초과한 확산 투과율, 예를 들면 60% 초과한 확산 투과율을 갖는다. 상기 기재된 총 및 확산 투과율값은 광전지 적용에서 유리 세라믹의 실시형태에 대해서 허용될 수 있다.

일부 실시형태에서, 유리 세라믹은 5-60% 결정체, 예를 들면, 25% 결정체, 40% 결정체, 또는 50% 결정체를 갖는다. 일부 실시형태에서, 유리 세라믹은 100 nm를 초과한 평균 크기를 갖는 결정, 예를 들면 110 nm 초과, 1 마이크론 이상, 또는 100 nm 내지 2 마이크론인 결정을 갖는다.

일부 실시형태에서, 유리 세라믹에서 주요한 결정상은 베타-쿼츠를 포함한다. 유리 세라믹은 또한 또는 양자택일로 페탈라이트(petalite), 베타-소포두멘(beta-spodumene), 또는 ZrSnO₄ 결정을 함유할 수 있다.

유리 세라믹은 임의의 적당한 방법에 따라서 실시될 수 있다. 일 실시형태에서, 중량%로 0 초과 내지 3% Li₂O; 15-27% Al₂O₃; 60-85% SiO₂; 및 1% 이상의 SnO₂를 한 유리 조성물을 제조하는 단계; 유리를 열처리해서 결정의 핵을 생성하고 결정을 성장시키고 유리 세라믹을 형성하는 단계를 포함한 유리 세라믹을 얻는 방법이다.

제조된 유리에서 열처리를 적용해서 유리 세라믹을 제조한다. 상기 열처리는 결정의 핵생성 및 결정 성장 단계를 포함한다. 결정의 핵생성은 일반적으로 680-800℃, 예를 들면 725℃ 또는 780℃의 온도까지 유리를 가열하는 단계를 포함한다. 유리는 최소 10분 동안 핵생성 온도에서 유지될 수 있다. 예를 들면, 유리는 10분, 15분, 60분 이상동안 핵생성 온도에서 유지될 수 있다.

성장은 유리를 일반적으로 880-950℃, 예를 들면 900℃ 또는 925℃ 의 온도까지 최소 15분간 가열하는 단계를 포함한다. 예를 들면, 유리는 15분, 30분, 60분, 이상동안 성장온도에서 유지될 수 있다.

유리 및/또는 유리 세라믹은 하나 이상의 열처리를 실시할 수 있다. 예를 들면, 유리는 하나의 핵생성 및 성장 처리 후, 2번째 핵생성 및 성장처리에 의해서 열처리될 수 있다. 각각의 연속적인 열처리는 상기 열처리와 동일한 또는 다른 핵생성 및 성장 온도로 실시할 수 있다.

일 실시형태에서, 상기 열처리는 30℃/분에서 660℃까지 유리를 열처리하는 단계, 3℃/분에서 725℃까지 열처리하는 단계, 및 12℃/분에서 820℃까지 가열하는 단계를 포함한다. 상기 유리는 820℃에서 10분간 유지한다. 열처리는 시료를 15℃/분의 속도로 900℃까지 가열하는 단계 및 900℃에서 15분동안 유지하는 단계를 포함한다. 얻어진 유리 세라믹은 실온까지 자연냉각시킬 수 있다.

또 다른 실시형태에서, 열처리는 상기 유리를 3℃/분에서 780℃까지 가열하는 단계, 780℃에서 1시간동안 유지한 후, 12℃/분의 속도에서 925℃까지 가열하는 단계, 및 925℃에서 1시간동안 유지하는 단계를 포함한다. 상기 얻어진 유리 세라믹은 실온으로 자연냉각시킬 수 있다.

또 다른 실시형태에서, 열처리는 30℃/분에서 660℃까지 유리를 가열하는 단계 후 3℃/분에서 725℃까지 가열하는 단계, 및 그 다음에서 12℃/분에서 820℃까지 가열하는 단계를 포함한다. 상기 유리는 820℃에서 10분동안 유지한다. 열처리는 상기 시료를 15℃/분의 속도에서 925℃까지 시료를 가열하는 단계 및 925℃에서 1시간동안 유지하는 단계를 포함한다. 최종적으로, 유리 세라믹은 20℃/분에서 600℃까지 냉각한 후, 실온까지 자연냉각한다.

모든 실시형태에서, 열처리의 온도는 950℃를 초과할 필요가 없는 것이 바람직하다.

상기 구현된 유리 세라믹은 임의의 적당한 환경 또는 장치에서 포함되거나 사용될 수 있다. 예를 들면, 유리 세라믹의 실시형태는 OLED 장치에서 사용되어 광추출을 증가시킬 수 있다. 종래에 OLED 는 2개의 전극 사이에 개재된 여러 유기층 및 기판을 포함하고, 적어도 하나의 전극이 투명하다. 전기장 인가에 의해서 유기층으로 전하 캐리어를 주입한다. 전자 및 홀은 여기 상태를 형성하고, 발광에 의해서 방사로 감쇠할 수 있다. 유기 발광층은 공기, 따라서 기판으로부터 대부분의 광을 트랩핑하는 공기로 탈출할 수 있는 광량을 한정한 높은 지수이다. θ=arcsin (η_air//η_substrate)보다 높은 각도로 기판/공기 계면을 때리는 광선이 총 내부 반사율에 의해서 반사될 것이다. 부피 산란기판은 OLED 셀에서 여러 회 바운스된 광선을 편향시키고, 결국 탈출콘(escape cone)이 된다. 본원에 기재된 유리 세라믹은 예를 들면 OLED 장치에서 기판으로서 사용될 수 있다.

유리 세라믹의 실시형태는 박막 광전지 장치에서 기판, 슈퍼스트레이트, 둘다로서, 예를 들면, 실리콘 탄뎀 광전지 장치에서 광산란 슈퍼스트레이트로서 사용될 수 있다. 예를 들면, 유리 세라믹의 실시형태는 광전지에서 광의 통로길이를 향상시키고 박막으로 해서 광의 흡수를 증가시킨다. 박막 광전지 장치에 대한 최적 산란 거동은 낮은 후방 산란(backward scattering)을 유지하면서 큰 각도에서 광을 산란시키고, 활성층의 두께에서 사선 전파(oblique propagation )를 통해서 상기 통로길이를 증가시키고 광전지로부터 탈출하는 광을 방지하기 위해서 총 내부 반사의 상태를 형성한다.

다양한 실시형태는 다음의 실시예에 의해서 명확하게 될 것이다.

실시예

유리 시료는 표 1에 중량%로 표시된 배치의 조성물에 따라서 제조되었다.

성분	S1	S2	S3
SiO₂	70	80	65.0
Al₂O₃	20	20	22
Li₂O	2.4	2.4	2.4
MgO	2.6	2.6	0
ZnO	1.3	1.3	2.5
BaO	0	0	2
ZrO₂	2.6	2.2	2.6
SnO₂	1.4	1.4	1
P₂O₅	3	3	0
Ta₂O₅	0	1	0
B₂O₃	0	0	1

유리 시료를 처리하기 위해서 사용된 열처리는 표 2에서 요약된다.

Cycle A	Cycle B	Cycle C
660℃까지 가열 : 30℃/min	780℃ 까지 가열: 3℃/min	660℃까지 가열: 30℃/min
725℃까지 가열 : 3℃/min	유지: 1 hour	725℃까지 가열: 3℃/min
820℃까지 가열 : 12℃/min	925℃까지 가열 : 12℃/min	820℃까지 가열: 12℃/min
유지: 10 min	유지: 1 hour	유지: 10 min
900℃ 까지 가열 : 15℃/min	실온까지 냉각	925℃ 까지 가열: 15℃/min
유지: 15 min		유지: 1h
실온까지 냉각		600℃까지 냉각: 20 min
		실온까지 냉각:자발 냉각

열처리 후, X선 회절(XRD), 주사형 전자현미경(SEM) 및 투과율 측정은 유리-세라믹에 대해서 실시되었다. XRD 다이아그램은 다음의 구성을 갖는 X-Pert Pro에 의해서 수집되었다: 구리 튜브(copper tube), 파워 45kV/40mA/λ=1.540593Å 2θ= 5-140°, step=0.008°, time/step=40s/opening =1/4, Detector = X-Celerator. Rietveld 분석은 상을 어피닝(affine)하고 이들의 정확한 조성을 찾기 위해서 실시했다. SEM 분석은 연마된 단면 시료에 대해서 실시했다. 투과율 측정은 Varian으로부터 CARY 500 분광광도계를 사용해서 실시했다. 175nm 내지 3300 nm의 파장은 텅스텐 할로겐 및 중수소 UV 소스를 사용해서 조사했다. 도 1-3은 시험된 5개 시료: S1-B, S2-A+B, S2-C, S3-B 및 S3-C에 대해서 파장의 함수로서 확산 및 총 투과율을 도시한다.

표 3은 적용된 열처리 후에 각각의 유리 세라믹의 특성을 요약한다.

유리	S1	S2	S2	S3	S3
열처리	B	A+B	C	B	C
굴절률	1.521	1.522	1.512	1.542	1.536
평균입자크기	~1 micron	~1 micron	~1 micron	~1 micron	~1 micron
입자 사이의 거리	1-5 micron	0-5 micron	2-10 micron	수 nm	수 nm
결정상 (XRD)	β-쿼츠, 페탈라이트	β-쿼츠, 페탈라이트	β-쿼츠	β-쿼츠, β-소포두멘, ZrSnO₄	β-쿼츠, β-쿼츠, ZrSnO₄ 또는 ZnO₂

도 1에 도시된 바와 같이, 높은 총투과율은 S1-B(14) 및 S2-A+B(10)에 대해서 관찰했다. S1-B(12) 및 S2-A+B(16)에 대해서 높은 확산 투과율이 관찰되었다. S1은 사이클 B에 따라서 열처리되었고, S2는 사이클 A 및 B에 따라서 열처리했다. 대부분의 투과율이 발산되었다. 입자 크기 또한 매트릭스에 대한 분산율이 최적화되었다. 입자는 둥근 형상이었고, 그 크기는 일정하고 직경은 1 마이크론에 가깝다. 입자 사이의 거리는 1 내지 5 마이크론이었다. 결정화된 부분이 최적화되고 입자는 매트릭스에 분산되었다.

도 2에 도시된 바와 같이, 시료 S1-C는 낮은 확산 투과율(20) 및 높은 총투과율(18)을 나타내고, 평균 자유 경로(MFP)가 너무 긴 것을 나타낸다. 확산투과율이 파장에 따라서 감소한다는 사실은 평균 자유 경로가 파장에 의존하기 때문이다; MFP는 파장 증가에 따라서 증가할 것이다(즉 긴 파장이 짧은 파장보다 작은 입자인 것을 알 수 있다). 이 현상은 작은 결정화도 때문일 수 있다. SEM 입자는 S2-C에 대한 입자크기가 S2-A+B와 동일하지만, 입자 밀도는 사이클 C를 적용할 때보다 낮았다. 입자의 밀도는 주요 변수인 것을 확인했다. 이 조성물에 대해서, 사이클 C는 충분한 입자크기의 핵을 생성하는 데에 충분하지 않다.

도 3에서 도시된 바와 같이, S3-B(22) 및 S3-C(26)은 상기 시료에 비해서 더 낮은 총 투과율을 나타냈다. 낮은 값은 흡수율, 이면 산란(back scattering )(유리의 반사율 증가), 또는 둘 다의 결합인 것을 나타낸다. 이러한 유리 세라믹의 일부에 대한 측정은 흡수율 최대 수 %인 것을 나타낸다. 낮은 총 투과율은 많은 이면 산란 에 기인한 것이었다(MFP가 매우 작아서 전체의 기판의 높은 반사율을 유도한다). 확산 투과율은 S3-B 24 및 S3-C 28에 대한 파장에 따라서 감소했다. 이 경우에, 투과율 곡선 거동은 물질의 높은 결정에 기인한 것일 수 있다. SEM 실험은 결정화도가 상기 시료에 비해서 높은 것을 나타낸다. 확산 곡선의 감소는 결정화된 입자와 잔류 매트릭스 사이의 굴절률의 차 때문일 수 있다. 높은 결정화도는 낮은 SiO₂ 수준 및 B₂O₃의 존재에 관련될 수 있다.

본 발명은 그 특정한 설명한 실시형태에 대해서 상세하게 기재되었지만, 수반된 청구범위에서 정의된 바와 같이 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나는 일 없이 많은 변경이 가능하기 때문에 이와 같이 제한되지 않는 것을 알 수 있다.

달리 기재되어 있지 않으면, 본 명세서 및 청구범위에 기재된 모든 수치는 기재여부에 관계없이 모든 경우에 "약"으로 변경되는 것으로 이해된다. 명세서 및 청구범위에 사용된 정확한 수치가 본 발명의 추가의 실시형태를 형성하는 것을 이해할 필요가 있다.

Claims

0 초과 내지 3% Li₂O;
15-27% Al₂O₃;
60-85% SiO₂; 및
1% 이상의 SnO₂ _;을 중량%로 포함한 조성물을 포함하고,
400nm 내지 1200 nm에서 20% 이상의 확산투과율을 갖고,
벌크 결정화된 유리 세라믹인 유리세라믹.
청구항 1에 있어서,
상기 조성물은 중량%로
60-85% SiO₂;
15-27% Al₂O₃;
0.5-2.9% Li₂O; 및
1-5% SnO₂를 포함한 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1에 있어서,
상기 조성물은 중량%로
62-82% SiO₂;
18-24% Al₂O₃;
1.9-2.5% Li₂O; 및
1-1.5% SnO₂를 포함한 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 세라믹은 400nm 내지 700nm에서 65%를 초과한 확산투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 세라믹은 400nm 내지 700nm에서 60%를 초과한 총 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 세라믹은 400nm 내지 1200nm에서 60%를 초과한 확산투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 세라믹은 400nm 내지 1200nm에서 80%를 초과한 총 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 세라믹은 5-60% 결정화도를 포함하고,
상기 결정은 100 nm 내지 2 마이크론의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 세라믹은 필수적으로 TiO₂를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
청구항 9에 있어서,
상기 유리 세라믹은 비소 및 불소를 필수적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹.
0 초과 내지 3% Li₂O;
15-27% Al₂O₃;
60-85% SiO₂; 및
1% 이상의 SnO₂ _;
을 중량%로 포함한 조성물을 포함한 유리를 제조하는 단계;
상기 유리를 열처리해서 결정의 핵을 생성시키고 결정을 성장시켜서 유리 세라믹을 형성하는 단계를 포함한 유리 세라믹의 제조방법.
청구항 11에 있어서,
상기 제조방법은 유리를 680℃ 내지 800℃의 온도에서 적어도 15분간 열처리해서 결정의 핵을 생성시키는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 유리 세라믹의 제조방법.
청구항 11 또는 12에 있어서,
상기 제조방법은 유리를 880℃ 내지 950℃의 온도에서 적어도 15분간 열처리해서 결정을 성장시키는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 유리 세라믹의 제조방법.
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 따른 유리 세라믹을 포함한 OLED 장치.
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 따른 유리 세라믹을 포함한 광전지 장치.