KR101570968B1 - 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 - Google Patents
유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101570968B1 KR101570968B1 KR1020120131698A KR20120131698A KR101570968B1 KR 101570968 B1 KR101570968 B1 KR 101570968B1 KR 1020120131698 A KR1020120131698 A KR 1020120131698A KR 20120131698 A KR20120131698 A KR 20120131698A KR 101570968 B1 KR101570968 B1 KR 101570968B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- substrate
- glass
- emitting device
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 34
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000006018 Li-aluminosilicate Substances 0.000 claims description 7
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000006132 parent glass Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
- C03B32/02—Thermal crystallisation, e.g. for crystallising glass bodies into glass-ceramic articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0018—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/0028—Compositions for glass with special properties for crystal glass, e.g. lead-free crystal glass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기 발광소자의 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 투과율 또한 확보할 수 있는 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 유기 발광소자가 증착되는 기판에 있어서, 투명 결정화 유리로 이루어지되, 내부에 다수의 결정화 입자가 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자를 제공한다.
이를 위해, 본 발명은 유기 발광소자가 증착되는 기판에 있어서, 투명 결정화 유리로 이루어지되, 내부에 다수의 결정화 입자가 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자를 제공한다.
Description
본 발명은 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기 발광소자의 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 투과율 또한 확보할 수 있는 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 발광소자(organic light emitting diode; OLED)는 애노드(anode), 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함하여 형성된다. 여기서, 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 전공 주입층 내로 주입되고 전공 수송층을 거쳐 발광층으로 이동되며, 전자는 캐소드로부터 전자 주입층 내로 주입되고 전자 수송층을 거쳐 발광층으로 이동된다. 이때, 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(excition)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
한편, 이러한 유기 발광소자로 이루어진 유기 발광 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 N×M개의 화소들을 구동하는 방식에 따라, 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
여기서, 능동 매트릭스 방식의 경우 단위화소 영역에는 발광영역을 정의하는 화소전극과 이 화소전극에 전류 또는 전압을 인가하기 위한 단위화소 구동회로가 위치하게 된다. 이때, 단위화소 구동회로는 적어도 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 구비하며, 이를 통해, 화소수와 상관없이 일정한 전류의 공급이 가능해져 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 이러한 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시장치는 전력 소모가 적어, 고해상도 및 대형 디스플레이의 적용에 유리하다는 장점을 갖고 있다.
여기서, 100%의 내부 발광효율을 가지는 유기 발광소자에 의해 발광된 빛이 예컨대, ITO로 이루어진 투명 도전막과 기판으로 사용된 유리를 투과하여 밖으로 나올 때, 그 효율은 스넬(snell)의 법칙에 의해서 약 17.5%이다. 이러한 효율 감소는 유리를 기판으로 사용하는 유기 발광소자에서 내, 외부 발광효율 감소에 큰 영향을 미치고 있다. 이를 극복하기 위해, 광학적인 광추출을 증가시켜 투과 효율을 증가시키고 있는데, 이에 광학적 광추출을 증가시키기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.
종래의 광추출 방법에는 텍스처(texture) 구조를 가지는 면을 유리판에 처리하는 방법, 마이크로스피어(microspheres)를 ITO가 증착되어 있는 유리면에 사용하는 방법, ITO가 증착되어 있는 유리면에 마이크로 렌즈(micro lens)를 사용하는 방법, 메사(Mesa) 구조를 사용하는 방법 그리고 ITO와 유리면에 실리카 에어로겔(silica aerogel)을 사용하는 방법 등이 있다. 이중에서, 실리카 에어로겔을 사용하는 방법은 100% 광량이 증가하는 효과를 나타내었으나 실리카 에어로겔이 수분에 매우 민감하고 불안정하여 소자의 수명이 짧아지는 결과를 나타냄에 따라 상업적으로 사용하기에는 불가능하였다.
또한, 마이크로 렌즈나 메사 구조를 이용하는 방법은 외부 발광효율 증가는 나타났으나 이를 제작하기 위해서는 비용이 많이 증가하여, 그 실효성이 낮은 문제가 있었다. 그리고 마이크로스피어를 이용하는 방법은 외부 발광효율의 증가는 나타나지 않고, 빛의 분산에 의한 파장 변화만이 관찰되었다. 그러므로, 유기 발광소자에서 30%의 효율 증가를 가져온 텍스처 구조를 이용한 방법이 소자의 수명이나 비용적이 측면에서 가장 유리하다. 그러나 유리가 비정질 형태를 이루고 있기 때문에 유리 위에 텍스처 구조를 일정한 모양으로 형성하기는 매우 어렵다. 또한, 유리 위에 텍스처를 형성시킨다 해도, 텍스처로 인해 평탄도가 낮아지고, 이로 인해, 이와 접하게 되는 애노드의 표면에도 텍스처 구조가 형성되어 누설전류가 발생하는 등의 문제가 초래되므로, 텍스처 구조를 내부 광추출용으로 적용 시, 별도의 평탄막을 구비해야 하는 등 구조적으로나 공정 상 많은 문제를 유발하게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기 발광소자의 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 투과율 또한 확보할 수 있는 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은 유기 발광소자가 증착되는 기판에 있어서, 투명 결정화 유리로 이루어지되, 내부에 다수의 결정화 입자가 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판을 제공한다.
여기서, 상기 결정화 입자는 0.01~3㎛ 크기를 가질 수 있다.
또한, 상기 투명 결정화 유리는 10~25%의 비정질 구조를 포함할 수 있다.
그리고 상기 투명 결정화 유리는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리일 수 있다.
이때, 상기 결정화 입자는 코디어라이트(cordierite), 실리카(silica), 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen) 중 적어도 하나의 결정상으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 유기 발광소자용 기판은 표면 조도가 0.01㎛ 이하일 수 있다.
또한, 상기 유기 발광소자용 기판은 투과율이 50% 이상일 수 있다.
한편, 본 발명은, 유기 발광소자가 증착되는 투명 결정화 유리로 이루어진 기판을 제조하는 방법에 있어서, 코디어라이트(cordierite), 실리카(silica), 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen) 중 적어도 하나의 결정상을 갖는 결정화 입자를 석출시키는 결정석출 촉진제를 포함하는 상기 투명 결정화 유리를 열처리하여, 석출되는 상기 결정화 입자의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 유기 발광소자용 기판 제조방법에서는 상기 투명 결정화 유리를 850℃~1000℃에서 1~2시간 열처리할 수 있다.
아울러, 본 발명은, 상기의 유기 발광소자용 기판을 광추출 기판으로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 열처리 조건을 조절하여 투명 결정화 유리의 내부에 분포되어 있는 결정화 입자의 크기를 제어함으로써, 이를 통과하는 빛의 산란을 통해 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 투과율 또한 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 표면 평탄도가 높은 투명 결정화 유리로 이루어진 유기 발광소자용 기판 자체가 유기 발광소자의 외부 광추출층 뿐만 아니라 내부 광추출층으로서의 역할을 동시에 수행하게 됨으로써, 기판 유리의 일면과 타면에 각각 외부 광추출층 및 내부 광추출층이 형성된 종래의 유기 발광소자보다 구조를 단순화시킬 수 있어, 구조적 안정성을 확보할 수 있고, 기판 유리와 별도로 형성되던 외부, 내부 광추출층 및 평탄막 등을 생략할 수 있어, 제조 공정을 단순화시킬 수 있고, 제조 원가를 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 투명 결정화 유리로 이루어진 유기 발광소자용 기판을 유기 발광소자의 광추출용 기판으로 적용 시 유기 발광소자의 광추출 효율 향상을 통해 유기 발광소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있고, 이는 발열의 최소화로 이어져 결국, 유기 발광소자의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판에 대한 XRD 그래프.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에서, 열처리 온도에 따른 광추출 정도를 비교하여 나타낸 사진.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에서, 열처리 온도에 따른 파장별 투과율 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에 따라 제조된 유기 발광소자용 기판을 광추출 기판으로 구비한 유기 발광소자와 일반 비정질 유리를 구비한 유기 발광소자의 발광 정도를 촬영한 사진.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판에 대한 XRD 그래프.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에서, 열처리 온도에 따른 광추출 정도를 비교하여 나타낸 사진.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에서, 열처리 온도에 따른 파장별 투과율 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에 따라 제조된 유기 발광소자용 기판을 광추출 기판으로 구비한 유기 발광소자와 일반 비정질 유리를 구비한 유기 발광소자의 발광 정도를 촬영한 사진.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 유기 발광소자를 밀봉하는 서로 대향되는 기판 중 유기 발광소자의 일면에 접합되는 기판이다. 이러한 유기 발광소자용 기판(100)은 유기 발광소자를 외부 환경으로부터 보호함과 동시에 유기 발광소자로부터 발광된 빛을 외부로 방출시키는 통로 역할을 한다. 여기서, 본 발명의 실시 예에서는 이러한 유기 발광소자용 기판(100) 자체가 유기 발광소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출층으로 적용될 수 있다. 이때, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은, 그 표면이 고평탄도로 구현됨에 따라, 유기 발광소자의 광추출층으로 적용 시 종래 독립된 층을 이루던 내부 및 외부 광추출층으로서의 역할을 동시에 하게 된다.
여기서, 도시하진 않았지만, 유기 발광소자는 본 발명의 실시 예에 따른 기판(100)과 이와 대향되는 봉지(encapsulation) 기판 사이에 배치되는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 애노드는 전공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속 Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 산화물로 이루어질 수 있고, 캐소드는 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어져 있고, 전면 발광(top emission) 구조인 경우 유기 발광층에서 발광된 빛이 잘 투과될 수 있도록 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막의 반투명 전극(semitransparent electrode)과 인듐 주석산화물(indium tin oxide; ITO)과 같은 산화물 투명 전극(transparent electrode) 박막의 다층구조로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층은 애노드 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성된다. 이러한 구조에 따라, 애노드와 캐소드 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드와 캐소드 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
한편, 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 유리로 이루어진다. 이때, 본 발명의 실시 예에서, 기판(100)을 이루는 유리는 내부에 다수의 결정화 입자(110)가 분포되어 있는 투명 결정화 유리로 이루어진다. 이러한 결정화 입자(110)는 모 유리에 결정화 입자(110)를 석출시키는 결정석출 촉진제를 첨가한 후 이를 열처리함으로써 형성된다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에서, 도 2의 XRD 그래프에 나타낸 바와 같이, 모 유리로는 결정성을 갖는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리가 사용될 수 있다. 그리고 본 발명의 실시 예에서, 유기 발광소자용 기판(100)은 결정화 입자(110)로 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen)의 두 가지 상이 공존하는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리로 이루어질 수 있다. 이때, 유기 발광소자용 기판(100)은 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen) 뿐만 아니라 코디어라이트(cordierite)나 실리카(silica)와 같은 결정상(crystal phase)으로 이루어진 결정화 입자(110)를 포함할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 비정질 구조와 결정질 구조가 혼재된 구조를 이룬다. 여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)을 이루는 투명 결정화 유리는 10~25%의 비정질 구조를 포함할 수 있다. 이때, 투명 결정화 유리 내 비정질 구조의 비율이 10% 미만이면, 광추출 효율은 증가되나 목표로 하는 투과율에 미치지 못하고, 투명 결정화 유리 내 비정질 구조의 비율이 25%를 초과하면, 투과율은 확보할 수 있으나 목표로 하는 광추출 효율을 얻을 수 없게 된다. 즉, 투명 결정화 유리 내 10~25%의 비정질 구조 비율은 목표로 하는 광추출 효율과 투과율을 동시에 확보할 수 있는 조건이 된다. 본 발명의 실시 예에서, 목표로 하는 투과율은 50% 이상이고, 목표로 하는 광추출 효율은 휘도로 환산 시 모든 시야각에서 80cd/㎡ 이상이다.
결정화 입자(110)는 기판(100) 내부에서 빛의 굴절을 일으켜 기판(100)에서 빛의 도파관(wave guiding) 현상을 방해함으로써, 유기 발광소자의 광추출 효과를 향상시키는 역할을 한다. 그리고 이를 통해, 유기 발광소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있고, 이에 따라, 열발생이 최소화되어, 궁극적으로, 유기 발광소자의 수명을 연장시킬 수 있다.
이때, 이러한 결정화 입자(110)는 기판(100) 내부의 빛 굴절을 증대시키기 위해, 즉, 발광되는 빛의 방향을 변화시키기 위해, 랜덤하게 분포되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 랜덤하게 분포되는 결정화 입자(110)에 의해 빛의 방향이 변화되면, 색 혼합(color mixing)이 유도되어 컬러 시프트(color shift) 현상이 발생되는 것을 최소화시킬 수 있다. 그리고 유기 발광소자를 채용한 디스플레이 장치의 해상도를 떨어뜨리지 않으면서 선명한 이미지를 구현하기 위해서는 결정화 입자(110)는 0.01~3㎛ 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 결정화 입자(110)의 크기가 0.01㎛ 보다 작게 형성되면, 광산란 효과가 적어 광추출 효율이 떨어지게 된다. 그리고 결정화 입자(110)의 크기가 3㎛ 보다 크게 형성되면, 투과율이 떨어지게 되어 직진성 광효율이 떨어지게 된다.
본 발명의 실시 예와 같이, 결정화 입자(110)가 0.01~3㎛ 크기로 형성되면, 빛의 산란을 통해 유기 발광소자의 광추출 효율을 향상시킴과 동시에 유기 발광소자용 기판(100)의 투과율 또한 예컨대, 50% 이상 확보할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 0.01㎛ 이하의 표면 조도를 갖는다. 이와 같이, 유기 발광소자용 기판(100)의 표면이 고평탄도로 형성됨에 따라, 종래 요철 구조로 이루어진 광추출층을 내부 광추출층으로 적용 시 사용되던 평탄막을 생략할 수 있다. 아울러, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 종래의 내부 광추출층, 기판유리 및 외부 광추출층으로서의 역할을 하게 된다. 즉, 유기 발광소자용 기판(100)은 높은 표면 평탄도를 가지고 있으므로, 유기 발광소자의 애노드와 접촉하더라도 애노드의 형상을 그대로 유지시켜, 종래 광추출층의 형상에 따른 애노드의 형상 변화로 인해 발생되던 누설전류 등의 문제를 원천적으로 차단할 수 있다. 그리고 유기 발광소자용 기판(100)을 유기 발광소자의 광추출층으로 적용하게 되면, 종래 기판 유리 전, 후면에 별도의 층로 형성되던 내부 광추출층과 외부 광추출층 또한 생략할 수 있어, 종래보다 구조적인 안정성을 확보할 수 있고, 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 제조 원가 또한 절감할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에 대해 설명하기로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법은, 먼저, 결정석출 촉진제가 첨가되어 있는 모 유리를 준비한다. 본 발명의 실시 예에서는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리를 모 유리로 사용할 수 있다. 그리고 본 발명의 실시 예에서는 코디어라이트(cordierite), 실리카(silica), 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen) 중 적어도 하나 이상의 결정상으로 이루어진 결정화 입자(도 1의 110)를 석출시키는 결정석출 촉진제를 모 유리에 첨가한다.
그 다음, 결정석출 촉진제를 포함하는 모 유리를 열처리하여 모 유리 내부에 결정화 입자(도 1의 110)를 석출시켜 투명 결정화 유리를 제조한다. 이때, 본 발명의 실시 예에서는 열처리 온도 및 시간을 조절함으로써, 석출되는 결정화 입자(도 1의 110)의 크기를 제거한다.
즉, 본 발명의 실시 예에서는 결정석출 촉진제를 포함하는 모 유리를 850℃~1000℃에서 1~2시간 열처리한다. 이와 같은 열처리 조건을 통해 모 유리를 열처리하면, 결정화 입자(도 1의 110)의 크기가 0.01~3㎛이고, 표면 조도가 0.01㎛ 이하이며, 투과율이 50% 이상인 투명 결정화 유리로 이루어진 유기 발광소자용 기판(도 1의 100)이 제조된다.
여기서, 결정석출 촉진제를 포함하는 모 유리의 결정화도는 84%이고, 열처리 후 제조된 투명 결정화 유리의 결정화도는 84~89%를 나타낸다. 즉, 열처리를 통해 결정화 입자(도 1의 110)가 석출됨에 따라, 유리 내 비정질 구조가 차지하는 비율은 점차 줄어들게 된다.
실시 예 1
결정석출 촉진제를 포함하는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리를 850℃에서 1시간 열처리하여 투명 결정화 유리를 제조하였다. 그리고 제조한 투명 결정화 유리를 대상으로 투과율, 반사율 및 결정화도를 측정한 결과, 최대 투과율은 87.6%, 반사율은 8.43% 및 결정화도는 84%로 측정되었다.
실시 예 2
상기 실시 예1과 동일한 조성의 유리를 850℃에서 2시간 열처리하여 투명 결정화 유리를 제조하였다. 그리고 제조한 투명 결정화 유리를 대상으로 투과율, 반사율 및 결정화도를 측정한 결과, 최대 투과율은 87.9%, 반사율은 8.43% 및 결정화도는 87%로 측정되었다.
실시 예 3
상기 실시 예1과 동일한 조성의 유리를 900℃에서 1시간 열처리하여 투명 결정화 유리를 제조하였다. 그리고 제조한 투명 결정화 유리를 대상으로 투과율, 반사율 및 결정화도를 측정한 결과, 최대 투과율은 83.6%, 반사율은 9.06% 및 결정화도는 88%로 측정되었다.
실시 예 4
상기 실시 예1과 동일한 조성의 유리를 1000℃에서 1시간 열처리하여 투명 결정화 유리를 제조하였다. 그리고 제조한 투명 결정화 유리를 대상으로 투과율, 반사율 및 결정화도를 측정한 결과, 최대 투과율은 60.5%, 반사율은 24.07% 및 결정화도는 89%로 측정되었다.
비교 예 1
상기 실시 예1과 동일한 조성의 유리를 대상으로 열처리 전 투과율, 반사율 및 결정화도를 측정한 결과, 최대 투과율은 87.6%, 반사율은 8.0% 및 결정화도는 84%로 측정되었다.
도 3은 상기의 실시 예1 내지 실시 예4 및 비교 예1, 그리고 일반 비정질 유리의 광추출 정도를 비교하여 나타낸 사진이다. 여기서, (a)는 비교 예1, (b) 내지 (e)는 실시 예1 내지 실시 예4, (f)는 일반 비정질 유리의 광추출 모습을 나타낸 것이다. 먼저, (f)와 (a)~(e)를 비교해 보면, 결정석출 촉진제를 포함하는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리가 일반 비정질 유리보다 광추출 정도가 더 큰 것을 확인할 수 있다. 또한, 열처리 전인 비교 예1(a)과 열처리 후인 실시 예1 내지 실시 예4(b)~(e)를 비교해 보면, 열처리 후 광추출 정도가 더 커짐을 육안으로 확인할 수 있다. 그리고 동일한 열처리 온도 하에서는 열처리 시간이 더 긴 경우 광추출 정도가 더 커짐을 확인할 수 있고, 900℃에서 한 시간 열처리하는 실시 예3(d)의 경우 광추출 정도가 가장 극대화되는 것으로 확인되었다.
또한, 도 4는 상기의 실시 예1 내지 실시 예4 및 비교 예1의 파장별 투과율 변화를 측정하여 나타낸 그래프이다. 도 4의 그래프를 보면, 실시 예2(c)의 경우 상대적인 투과율이 가장 큰 것으로 확인되었다. 이때, 실시 예2(c)의 열처리 온도보다 열처리 온도를 더 높인 경우(d), (e)에는 투과율이 열처리 전(a)보다 감소되는 것으로 확인되었다.
즉, 광추출 효율을 향상시키기 위해서는 열처리 온도를 높이는 것이 바람직하지만, 열처리 온도가 높을수록 결정화도가 높아지고, 이는 투과율 감소로 이어지는 경향을 나타내므로, 광추출 효율을 향상시키는 가운데, 투과율을 50% 이상 확보하기 위해서는 1000℃이의 열처리 조건으로 열처리하는 것이 바람직한 것으로 확인되었다.
| 시야각 | 도광판 | 일반유리 | 비교 예1 | 실시 예1 | 실시 예2 | 실시 예3 | 실시 예4 |
| 0 | 19 | 28 | 73 | 81 | 230 | 3,001 | 9,286 |
| 10 | 19 | 28 | 74 | 82 | 232 | 3,012 | 9,311 |
| 20 | 19 | 31 | 75 | 83 | 237 | 3,064 | 9,430 |
| 30 | 22 | 34 | 79 | 86 | 247 | 3,153 | 9,609 |
| 40 | 27 | 37 | 87 | 93 | 259 | 3,270 | 9,873 |
| 50 | 33 | 44 | 101 | 106 | 279 | 3,411 | 10,170 |
| 60 | 49 | 59 | 125 | 131 | 311 | 3,571 | 10,390 |
| 70 | 78 | 91 | 314 | 214 | 383 | 3,768 | 10,390 |
상기 표 1은 실시 예별 광추출 효율 향상 정도를 알아보기 위해, 도광판(light guide plate) 상에 일반 비정질 유리, 비교 예1에 따른 유리 및 실시 예1 내지 실시 예4에 따른 유리를 각각 올려놓은 다음 시야각 변화에 따른 휘도 측정 결과를 나타낸 것이다. 표 1을 보면, 도 3과 같은 모습과 동일한 결과가 휘도 값으로도 측정된 것을 확인할 수 있다. 즉, 실시 예1 내지 실시 예4는 비교 예1에 비해 모든 시야각에서 높은 휘도 값을 갖는 것으로 측정되었다. 이때, 열처리 온도가 높을수록 휘도 값이 증가되는 것을 확인할 수 있고, 특히, 실시 예4의 경우, 모든 시야각에서 월등히 높은 휘도 값을 갖는 것으로 측정되었는데, 이는 광추출 효율이 가장 큰 것을 의미한다.
이와 아울러, 본 발명의 실시 예에 따른 기판(도 1의 100)을 광추출층으로 적용한 유기 발광소자와 일반 비정질 유리를 적용한 유기 발광소자의 소비 전력을 측정한 결과, 본 발명의 실시 예에 따른 기판(도 1의 100)을 광추출층으로 적용한 유기 발광소자의 소비 전력 감소율은 대략 40% 이상인 것으로 확인되었다. 이와 같이, 소비전력이 감소되면, 유기 발광소자의 발열이 최소화되고, 이에 따라, 유기 발광소자의 수명은 더욱 연장될 수 있다.
그리고 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에 따라 제조된 유기 발광소자용 기판을 광추출 기판으로 구비한 유기 발광소자(a)와 일반 비정질 유리를 구비한 유기 발광소자(b)의 발광 정도를 촬영한 사진으로, (a)가 (b)보다 월등히 밝은 것을 육안으로 확인할 수 있다. 이는, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(도 1의 100)을 통해 광추출 효율이 향상되었음을 의미한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 유기발광소자용 기판 110: 결정화 입자
Claims (10)
- 봉지 기판;
상기 봉지 기판 상에 형성되는 캐소드;
상기 캐소드 상에 형성되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 형성되는 애노드; 및
상기 애노드 상에 형성되는 광추출 기판;
을 포함하되,
상기 광추출 기판은,
투명 결정화 유리와, 상기 투명 결정화 유리 내부에 분포되어 있되, 상기 유기 발광층으로부터 발광되어 상기 투명 결정화 유리로 입사되는 빛을 굴절시켜 상기 투명 결정화 유리의 외부로 추출되는 빛을 증가시키는 다수의 결정화 입자를 포함하고, 상기 애노드와 접하는 면의 표면 조도가 0.01㎛ 이하이며, 투과율이 50% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 결정화 입자는 0.01~3㎛ 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 결정화 유리는 10~25%의 비정질 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 결정화 유리는 리튬 알루미노 실리케이트계 유리인 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
- 제4항에 있어서,
상기 결정화 입자는 코디어라이트(cordierite), 실리카(silica), 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen) 중 적어도 하나의 결정상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
- 삭제
- 삭제
- 서로 대향되는 봉지 기판과 광추출 기판 사이에 캐소드, 유기 발광층, 애노드를 차례로 증착 형성하는 유기 발광소자 제조방법에 있어서,
코디어라이트(cordierite), 실리카(silica), 유크립타이트(eucryptite) 및 스포듀민(spodumen) 중 적어도 하나의 결정상을 갖는 결정화 입자를 석출시키는 결정석출 촉진제를 포함하는 투명 결정화 유리를 상기 광추출 기판으로 사용하되, 상기 투명 결정화 유리를 열처리하여, 석출되는 상기 결정화 입자의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자 제조방법.
- 제8항에 있어서,
상기 투명 결정화 유리를 850℃~1000℃에서 1~2시간 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자 제조방법. - 삭제
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120131698A KR101570968B1 (ko) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 |
| JP2013237984A JP6220643B2 (ja) | 2012-11-20 | 2013-11-18 | 有機発光素子用基板、その製造方法、及びこれを具備する有機発光装置 |
| US14/084,268 US20140141958A1 (en) | 2012-11-20 | 2013-11-19 | Substrate for oled, method of fabricating the same and organic light-emitting device having the same |
| CN201310586040.4A CN103840086B (zh) | 2012-11-20 | 2013-11-20 | 用于oled的基板、其制造方法和具有该基板的有机发光装置 |
| TW102142214A TWI538275B (zh) | 2012-11-20 | 2013-11-20 | 用於有機發光二極體之基板、其製造方法及具有其之有機發光裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120131698A KR101570968B1 (ko) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140064403A KR20140064403A (ko) | 2014-05-28 |
| KR101570968B1 true KR101570968B1 (ko) | 2015-11-23 |
Family
ID=50728476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120131698A KR101570968B1 (ko) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140141958A1 (ko) |
| JP (1) | JP6220643B2 (ko) |
| KR (1) | KR101570968B1 (ko) |
| CN (1) | CN103840086B (ko) |
| TW (1) | TWI538275B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10297794B2 (en) | 2016-08-04 | 2019-05-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6269933B2 (ja) * | 2013-01-04 | 2018-01-31 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板 |
| WO2014112552A1 (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-24 | 日本電気硝子株式会社 | 結晶性ガラス基板及び結晶化ガラス基板並びに拡散板及びそれを備えた照明装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006030681A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌパネル |
| JP2007121613A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置 |
| JP2007201502A (ja) * | 2007-04-20 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2011116636A (ja) | 2009-11-05 | 2011-06-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラスの製造方法および結晶化ガラス |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3498775A (en) * | 1966-06-17 | 1970-03-03 | Owens Illinois Inc | Method for producing a glass-ceramic article |
| JP2001319774A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無機ｅｌディスプレイ基板及びそれを用いた無機ｅｌディスプレイ |
| US7071132B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-07-04 | Kabushiki Kaisha Ohara | Low expansion transparent glass ceramics |
| CN1784363A (zh) * | 2003-04-01 | 2006-06-07 | 康宁股份有限公司 | 灯光反射器基材,玻璃、玻璃陶瓷材料以及它们的制造方法 |
| DE102004008824B4 (de) * | 2004-02-20 | 2006-05-04 | Schott Ag | Glaskeramik mit geringer Wärmeausdehnung sowie deren Verwendung |
| JP4677743B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2011-04-27 | 日本電気硝子株式会社 | 燃焼装置窓用Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系透明結晶化ガラス |
| JP4933863B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2012-05-16 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラスおよび結晶化ガラスの製造方法 |
| JP4977406B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2012-07-18 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス及び結晶化ガラスの製造方法 |
| CN101766052B (zh) * | 2007-07-27 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 透光性基板、其制造方法、有机led元件及其制造方法 |
| EP2364957A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-14 | Corning Incorporated | Glass ceramics with bulk scattering properties and methods of making them |
-
2012
- 2012-11-20 KR KR1020120131698A patent/KR101570968B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-11-18 JP JP2013237984A patent/JP6220643B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-11-19 US US14/084,268 patent/US20140141958A1/en not_active Abandoned
- 2013-11-20 CN CN201310586040.4A patent/CN103840086B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-11-20 TW TW102142214A patent/TWI538275B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006030681A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌパネル |
| JP2007121613A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置 |
| JP2007201502A (ja) * | 2007-04-20 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2011116636A (ja) | 2009-11-05 | 2011-06-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラスの製造方法および結晶化ガラス |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10297794B2 (en) | 2016-08-04 | 2019-05-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014103113A (ja) | 2014-06-05 |
| TW201429018A (zh) | 2014-07-16 |
| CN103840086A (zh) | 2014-06-04 |
| US20140141958A1 (en) | 2014-05-22 |
| CN103840086B (zh) | 2017-04-12 |
| TWI538275B (zh) | 2016-06-11 |
| JP6220643B2 (ja) | 2017-10-25 |
| KR20140064403A (ko) | 2014-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2219416B1 (en) | Light transmitting substrate, method for manufacturing light transmitting substrate, organic led element and method for manufacturing organic led element | |
| EP1771895B1 (de) | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht | |
| US7696687B2 (en) | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer | |
| US11177329B2 (en) | Viewing angle color shift control | |
| KR101654360B1 (ko) | 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법 | |
| CN103426901A (zh) | 能够控制透光率的显示装置及其制造方法 | |
| KR102122335B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| KR20140077120A (ko) | 화소 구조, 화소 유닛 구조, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 | |
| US9146418B2 (en) | Display device | |
| KR101570968B1 (ko) | 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 | |
| KR20140046728A (ko) | 금속산화물 박막 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR101615525B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| KR20140052842A (ko) | 발광 소자 및 그것을 구비하는 표시 장치 | |
| KR102388933B1 (ko) | 유기발광표시장치 | |
| JP6340674B2 (ja) | 有機発光素子用の光取出し基板、その製造方法、及びこれを含む有機発光素子 | |
| KR101801291B1 (ko) | 유기전계발광다이오드 | |
| CN108565351B (zh) | Oled显示装置及其制作方法 | |
| KR20110074616A (ko) | 디스플레이 드라이버 | |
| KR101604495B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR101470293B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 | |
| US9034565B2 (en) | Method of fabricating substrate for organic light-emitting device | |
| Uesaka et al. | A 13.5‐in. Quad‐FHD flexible CAAC‐OS AMOLED display with long‐life OLED device structure | |
| KR101681932B1 (ko) | 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 | |
| KR101436548B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 및 그 제조방법 | |
| KR102461206B1 (ko) | 전계발광 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150401 Effective date: 20151029 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180920 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190924 Year of fee payment: 5 |