KR20120098412A - 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 세정 공정수를 줄일 수 있고, 또한 기판에 대한 오염 입자의 재부착을 방지할 수 있는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법과, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 세정 장치(1)는, 기판(W)을 반송하는 반송부(2)와, 이 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)의 피세정면(S)에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 형태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하는 공급 노즐(3)을 구비하고, 이 공급 노즐(3)은, 피세정면(S) 상에 도달한 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 세정액을 공급한다.

Description

기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS, SUBSTRATE CLEANING METHOD, DISPLAY MANUFACTURING APPARATUS AND DISPLAY MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 세정액에 의해 기판을 세정하는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법, 그리고 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

기판 세정 장치는, 액정 표시 장치나 반도체 장치 등의 제조 공정에서, 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판 표면에 대하여 세정액을 공급하고, 그 기판 표면을 세정한다. 이 기판 세정 장치 중에는, 예컨대 세정 대상인 기판을 반송하면서 그 기판 표면에 세정액을 공급하는 기판 세정 장치가 존재하고 있다.

세정액을 이용하는 기판 세정에서, 예컨대 리프트 오프법에 의해 기판을 세정하는 경우에는, 오존(O₃)수에 의한 유기물 제거 및 산화막 형성이 행해지고, 그 후에 희불산 용액(DHF 용액)에 의한 산화막 제거가 행해진다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이로써, 기판 표면 상에서 오염 입자가 제거된다.

일본 특허 공개 제2002-131777호 공보

그러나, 전술한 기판 세정에서는, 오존수에 의한 유기물 제거 및 산화막 형성을 행하는 공정과, 희불산 용액에 의한 산화막을 제거하는 공정의 2개의 세정 공정이 필요하게 된다. 또한, 희불산 용액에 의한 산화막 제거 후에는, 한번 제거된 오염 입자가 기판 표면에 재부착되어 버리는 경우가 있다.

본 발명은 상기한 사항을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 세정 공정수를 줄일 수 있고, 더 나아가 기판에 대한 오염 입자의 재부착을 방지할 수 있는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법, 그리고 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 실시형태에 따른 제1 특징은, 기판 세정 장치에 있어서, 기판을 반송하는 반송부와, 반송부에 의해 반송되는 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하는 공급 노즐을 구비하고, 공급 노즐은, 피세정면 상에 도달한 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 기판의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 세정액을 공급하는 것이다.

본 발명의 실시형태에 따른 제2 특징은, 기판 세정 장치에 있어서, 기판을 반송하는 반송부와, 반송부에 의해 반송되는 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 각각 공급하는 복수의 공급 노즐을 구비하고, 복수의 공급 노즐은, 기판의 피세정면을 따라 기판의 반송 방향에 교차하는 방향으로 나란히 설치되어 있으며, 기판의 피세정면에 평행한 평면 내에서 기판의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있고, 기판의 피세정면에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있는 것이다.

본 발명의 실시형태에 따른 제3 특징은, 기판 세정 방법에 있어서, 기판을 반송하는 반송부와, 반송부에 의해 반송되는 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하는 공급 노즐을 구비하는 기판 세정 장치를 이용하여, 기판을 세정하며, 공급 노즐에 의해, 반송부에 의해 반송되는 기판의 피세정면에, 피세정면 상에 도달한 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 기판의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 세정액을 공급하는 것이다.

본 발명의 실시형태에 따른 제4 특징은, 기판 세정 방법에 있어서, 기판을 반송하는 반송부와, 반송부에 의해 반송되는 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 각각 공급하는 복수의 공급 노즐을 구비하는 기판 세정 장치를 이용하여, 기판을 세정하며, 복수의 공급 노즐은 기판의 피세정면을 따라 기판의 반송 방향에 교차하는 방향으로 나란히 설치되어 있고, 기판의 피세정면에 평행한 평면 내에서 기판의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있으며, 기판의 피세정면에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있고, 복수의 공급 노즐에 의해, 반송부에 의해 반송되는 기판의 피세정면에 세정액을 공급하는 것이다.

본 발명의 실시형태에 따른 제5 특징은, 표시 장치의 제조 장치에 있어서, 표시 장치에 이용되는 기판을 세정하는 기판 세정 장치를 구비하고, 이 기판 세정 장치는, 전술한 제1 특징 또는 제2 특징에 따른 기판 세정 장치인 것이다.

본 발명의 실시형태에 따른 제6 특징은, 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 표시 장치에 이용되는 기판을 세정하는 기판 세정 공정을 포함하고, 이 기판 세정 공정에서, 전술한 제3 특징 또는 제4 특징에 따른 기판 세정 방법을 이용하여 기판을 세정하는 것이다.

상기한 제1 특징 내지 제6 특징 중 어느 하나에 의하면, 세정 공정수를 줄일 수 있고, 또한 기판에 대한 오염 입자의 재부착을 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 세정 장치가 행하는 기판 세정의 세정 과정을 설명하기 위한 제1 설명도.
도 3은 전술한 세정 과정을 설명하기 위한 제2 설명도.
도 4는 전술한 세정 과정을 설명하기 위한 제3 설명도.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 세정 장치가 구비하는 복수의 공급 노즐을 도시하는 평면도.
도 6은 도 5에 도시하는 공급 노즐을 도시하는 측면도.
도 7은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 공정을 설명하기 위한 제1 설명도.
도 8은 전술한 도 7에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 제2 설명도.
도 9는 전술한 도 8에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 제3 설명도.
도 10은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 공정을 설명하기 위한 제1 설명도.
도 11은 전술한 도 10에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 제2 설명도.
도 12는 전술한 도 11에 계속되는 제조 공정을 설명하기 위한 제3 설명도.

(제1 실시형태)

본 발명의 제1 실시형태에 대해서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 세정 장치(1)(도 1 참조)는, 표시 장치인 액정 디스플레이를 제조하는 제조 장치의 일부로서 설치되어 있고, 이 표시 장치의 제조 장치는, 기판(W) 상에 액정 구동용의 TFT 회로 및 전극 패턴을 제작하는 제조 장치(도시 생략), TFT 회로 및 전극 패턴 등이 형성된 기판(W) 상에 배광막을 형성하는 배광막 형성 장치(도시 생략), 배향막이 형성된 기판(W) 상에 각 셀 단위의 표시 영역을 둘러싸는 프레임형의 시일을 형성하는 시일 형성 장치(도시 생략), 시일이 형성된 기판(W)의 각 셀 단위의 표시 영역 상에 액정 재료를 적하시키는 액정 공급 장치(도시 생략), 액정 재료가 적하된 기판(W)과 다른 기판을 접합시키는 기판 접합 장치(도시 생략), 기판을 접합시킨 후에 시일을 경화시키는 시일 경화 장치(도시 생략) 등을 구비하고 있고, 또한 각 제조 장치 내 및 장치 사이의 기판 이동 공정의 필요 지점에서 세정을 행하는 기판 세정 장치(1)를 구비하고 있다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 세정 장치(1)는, 기판(W)을 반송하는 반송부(2)와, 이 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)의 피세정면(S)에 세정액을 공급하는 공급 노즐(3)과, 세정액에 기체를 용해시키는 가압 용해부(4)와, 송액용의 펌프(5)와, 세정액을 공급하는 액체 공급부(6)와, 기체를 공급하는 기체 공급부(7)와, 각 부를 제어하는 제어부(8)를 구비하고 있다.

반송부(2)는, 서로 평행하게 일렬로 나열된 복수의 롤러(2a) 및 이들 롤러(2a)를 회전시키는 구동원인 회전 모터(2b) 등을 갖고 있다. 각 롤러(2a)는 각각 회전 가능하게 설치되어 있고, 등간격으로 나열되어 있다. 회전 모터(2b)는 제어부(8)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(8)에 의해 제어된다. 이 반송부(2)는, 회전 모터(2b)에 의해 각 롤러(2a)를 회전시켜, 이들 롤러(2a) 상에 배치된 직사각형 형상의 기판(W)을 도 1중의 화살표 A의 방향으로 이동시킨다.

공급 노즐(3)은, 반송부(2)의 위쪽에 설치되어 있고, 반송부(2)에 의해 이동하는 기판(W)의 피세정면(S)을 향해 세정액을 분사하여, 이 피세정면(S) 상에 공급한다. 이 공급 노즐(3)로서는, 예컨대 세정액을 분사하는 일류체 노즐(일류체용 분사 노즐)이 이용된다.

가압 용해부(4)는, 액체 공급 유로가 되는 배관(11)에 의해 공급 노즐(3)에 접속되어 있고, 고압하에서 세정액 내에 기체를 용해시켜, 그 기체가 용해된 세정액을 공급 노즐(3)에 배관(11)을 통해 공급한다. 이 가압 용해부(4)는, 세정액에 기체를 용해시키는 용해부로서 기능한다.

배관(11)에는, 유량을 조정하는 밸브(11a)가 공급 노즐(3)의 근방에 위치하게 설치되어 있다. 이 밸브(11a)는 제어부(8)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(8)에 의해 제어된다. 또한, 배관(11)에는, 유량을 계측하는 유량계(11b)가 설치되어 있다. 이 유량계(11b)는 제어부(8)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 계측 결과가 제어부(8)에 입력된다.

여기서, 밸브(11a)가 개방되면, 용존 기체를 포함하는 세정액은 공급 노즐(3)로부터 분사된다. 이때, 세정액이 대기압까지 압력 해방되고, 압력 해방된 세정액은 용존 기체에 대하여 과포화 상태가 되기 때문에, 이 세정액 내에는 미소 기포가 대량 발생한다. 따라서, 공급 노즐(3)은, 이동하는 기판(W)의 피세정면(S)을 향해 세정액을 분사하여, 그 피세정면(S) 상에 미소 기포를 포함하는 세정액을 공급하는 것이 된다.

또한, 미소 기포는, 마이크로 버블(MB)이나 마이크로 나노 버블(MNB), 나노 버블(NB) 등의 개념을 포함하는 미세 기포이다. 예컨대, 마이크로 버블은 10 ㎛∼수십 ㎛의 직경을 갖는 기포이고, 마이크로 나노 버블은 수백 ㎚∼10 ㎛의 직경을 갖는 기포이며, 나노 버블은 수백 ㎚ 이하의 직경을 갖는 기포이다.

펌프(5)는, 액체 공급 유로에 있어서 가압 용해부(4)보다 상류측에 설치되어 있고, 공급 노즐(3)에 세정액을 공급하는 구동원이 된다. 이 펌프(5)는 제어부(8)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(8)에 의해 제어된다.

액체 공급부(6)는, 액체 공급 유로가 되는 배관(12)에 의해 펌프(5)를 통해 가압 용해부(4)에 접속되어 있고, 그 가압 용해부(4)에 액체를 공급한다. 여기서, 액체로서는, 산화막 제거 가능한 액체, 예컨대 희불산(DHF) 용액이 이용된다. 이 외에도, 계면활성제 등을 이용하는 것이 가능하다.

기체 공급부(7)는, 기체 공급 유로가 되는 배관(13)에 의해 액체 공급 유로의 배관(12)의 도중에 접속되어 있고, 이 배관(12)을 통과하는 세정액에 기체를 공급하여 포함시킨다. 여기서, 기체로서는, 산화성 가스, 예컨대 오존(O₃)이 이용된다.

배관(13)에는, 유량을 조정하는 밸브(13a)가 설치되어 있다. 이 밸브(13a)는 제어부(8)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(8)에 의해 제어된다. 또한 배관(13)에는, 유량을 계측하는 유량계(13b)가 설치되어 있다. 이 유량계(13b)는 제어부(8)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 계측 결과가 제어부(8)에 입력된다.

제어부(8)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 세정에 관한 기판 세정 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부를 구비하고 있다. 이 제어부(8)는, 기판 세정 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 반송부(2)에 의해 기판(W)을 반송시키면서, 공급 노즐(3)에 의해 이동중인 기판(W)의 피세정면(S)을 향해 세정액을 분사하여, 그 피세정면(S) 상에 다수의 미소 기포를 포함하는 세정액, 구체적으로는 산화막 제거 가능한 액체인 희불산 용액 내에 산화성 가스인 오존을 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하는 기판 세정을 행한다. 또한, 미소 기포의 발생량은, 제어부(8)에 의해 밸브(13a)의 개구도를 조정하여, 세정액에 공급하는 기체량을 조정함으로써 변경 가능하다.

전술한 세정액이 기판(W)의 피세정면(S) 상에 공급되면, 도 2에 도시하는 바와 같이, 세정액 내의 오존(O₃)에 의해 피세정면(S) 상의 유기물(F1)이 제거되는 동시에, 이 오존(O₃)에 의해 피세정면(S)이 개질되며, 이 피세정면(S)에 산화막(F₂)이 형성된다. 이로써, 유기물(F1)에 덮여 있던 오염 입자(M)는 산화막(F2)으로 덮이고, 유기물(F1) 상에 존재하고 있던 오염 입자(M)는, 오존(O₃)에 의해 산화되어, 산화메탈(Ma)이 된다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 세정액 내의 불화수소(HF)에 의해 피세정면(S) 상의 산화막(F2)이 제거된다. 이로써, 산화막(F2)으로 덮인 오염 입자(M) 및 산화메탈(Ma)이 피세정면(S) 상에서 제거된다. 또한, 오존(O₃)이 유기물(F1)과 반응하여, 분해됨으로써, CO₂, CO, H₂O가 발생한다(도 2 참조).

또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 마이너스 전위의 미소 기포는 플러스 전위의 오염 입자(예컨대, 알루미늄 입자)(M)에 복수개 부착되어, 그 오염 입자(M)를 둘러싼다. 이때, 기판(W)이 플러스 전위인 경우에는, 마이너스 전위의 미소 기포가 기판(W)의 피세정면(S) 상에 복수개 부착된다. 이로써, 오염 입자(M)를 둘러싸는 다수의 미소 기포가 기판(W)의 피세정면(S) 상의 다수의 미소 기포와 전위 반발하게 되고, 한번 제거된 오염 입자(M)가 기판(W)의 피세정면(S)에 재부착되는 것이 방지된다. 또한, 기판(W)이 마이너스 전위였던 경우라도, 오염 입자(M)를 둘러싸는 미소 기포는 기판(W)의 피세정면(S)과 전위 반발하게 되기 때문에, 기판(W)의 피세정면(S)에 대한 오염 입자(M)의 재부착은 방지된다.

이러한 3개의 현상(도 2, 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같은 현상)이 순차적으로 기판(W)의 피세정면(S) 상의 각 처에서 일어나게 된다. 이로써, 오존에 의한 유기물 제거 및 산화막 형성과, 희불산 용액에 의한 산화막 제거가 동시에 행해지기 때문에, 세정 공정수를 삭감할 수 있다. 또한, 복수개의 미소 기포가 오염 입자(M)에 부착되어 그 오염 입자(M)를 둘러싸기 때문에, 한번 제거된 오염 입자(M)가 기판(W)의 피세정면(S)에 재부착되는 것을 방지할 수 있다.

여기서, 미소 기포를 포함하는 세정액에 의해 기판(W)의 피세정면(S)을 세정하는 세정 성능을 향상시키기 위해서는, 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액에 포함되는 미소 기포가, 기판(W)의 피세정면(S)에 도달한 후, 그 사이즈 변화를 억제하면서, 예컨대 직경을 유지하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 도달하는 것이 중요하다. 피세정면(S) 상의 미소 기포는 다른 미소 기포와 결합되어 커지거나, 또는 시간 경과와 함께 소멸되는 경우가 있기 때문에, 그 직경을 유지한 채 피세정면(S)의 외측 가장자리까지 도달하지 않는 경우가 있다. 이 경우에는, 전술한 재부착의 방지 효과가 불충분해지고, 세정 능력이 저하된다. 또한, 전술한 3개의 현상에 의한 세정 능력을 보다 향상시키기 위해서는, 기판(W)의 피세정면(S) 상의 세정액을 순차적으로 치환해야 한다.

예컨대, 원형상의 기판(W)을 스테이지에 얹고, 이 스테이지의 중앙을 회전 중심으로 하여 스테이지를 회전시키면서, 스테이지 상의 기판(W)에 세정액을 공급하는 타입의 세정 장치를 이용한 경우에는, 기판(W) 상에 공급된 세정액은 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 외측 가장자리를 향해 퍼져 간다. 이러한 경우에는, 세정액은 단순히 기판(W)의 피세정면(S)의 중앙 부근에 공급되면 좋지만, 본 발명의 제1 실시형태와 같이 기판(W)을 한 방향으로 반송하는 경우에는, 기판(W)의 피세정면(S)에서의 세정액의 퍼짐에 주목해야 한다.

그래서, 본 발명의 제1 실시형태에서는, 공급 노즐(3)에 의해 분사된 세정액의 유속은, 기판(W)의 피세정면(S) 상에 도달한 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서, 즉 허용 범위 내의 사이즈인 허용 사이즈를 유지하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 설정되어 있다. 예컨대 이 유속은, 미소 기포의 직경을 유지하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 설정되어 있다. 이 유속을 실현하기 위한 설정값으로서는, 미리 실험에 의해 구한 것이, 제어부(8)가 구비하는 기억부에 기억되어 있고, 제어부(8)는 이 설정값에 기초하는 개구도까지 밸브(11a)를 개방한다. 이에 따라, 공급 노즐(3)은 전술한 유속으로 세정액을 분사하게 된다. 또한, 밸브(11a)를 개구하는 것에 의한 유속의 조정만으로는 불충분한 경우에는, 유량계(11b)에 의해 계측된 유량에 따라 제어부(8)에 의해 밸브(11a)의 개구도에 추가로 펌프(5)에 의한 송액력 등을 조정하여, 전술한 설정값에 유속을 맞추는 것이 가능하다.

전술한 유속으로 세정액이 공급 노즐(3)로부터 분사되면, 그 세정액 내의 다수의 미소 기포는 각각 기판(W)의 피세정면(S) 상에 도달한 후, 직경을 유지하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 도달한다. 그 결과, 다수의 미소 기포는, 피세정면(S) 상에서 제거된 오염 입자(M)를 확실하게 둘러싸는 것이 가능해지기 때문에, 한번 제거된 오염 입자(M)가 기판(W)의 피세정면(S)에 재부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 다수의 미소 기포가 직경을 유지하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 도달하는 것은, 피세정면(S) 상의 세정액의 치환을 확실하게 행하는 것이 가능한 유속을 얻는 것으로 이어지기 때문에, 피세정면(S) 상의 각 처에서 일어나는 전술한 3개의 현상을 촉진하여, 세정 능력을 향상시킬 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 의하면, 세정액은, 산화막 제거 가능한 액체인 희불산 용액 내에, 산화성 가스인 오존을 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 것이 되고, 이 세정액이 공급 노즐(3)에 의해 기판(W)의 피세정면(S)에 공급된다. 이로써, 오존에 의한 유기물 제거 및 산화막 형성과, 희불산 용액에 의한 산화막 제거가 동시에 행해지기 때문에, 세정 공정수를 삭감할 수 있다. 또한, 공급 노즐(3)에 의해, 기판(W)의 피세정면(S) 상에 도달한 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서, 예컨대 직경을 유지하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 세정액을 분사하여, 기판(W)의 피세정면(S) 상에 세정액을 공급하므로, 피세정면(S) 상에서 제거된 오염 입자(M)가 다수의 미소 기포에 의해 확실하게 둘러싸이기 때문에, 한번 제거된 오염 입자(M)가 기판(W)의 피세정면(S)에 재부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.

(제2 실시형태)

본 발명의 제2 실시형태에 대해서 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.

본 발명의 제2 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 차이점에 대해서 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 세정 장치(1)에서는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 공급 노즐(3)이 복수개 설치되어 있다. 이들 공급 노즐(3)은, 기판(W)의 피세정면(S)을 따라 기판(W)의 반송 방향(도 5 중의 화살표 A의 방향)에 교차하는 방향, 예컨대 반송 방향에 직교하는 방향으로 일렬로 나란히 설치되어 있고, 또한 기판(W)의 피세정면(S)에 평행한 평면 내에서 기판(W)의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있다. 또한, 각 공급 노즐(3)은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 피세정면(S)에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있다. 이때, 각 공급 노즐(3)에 있어서, 세정액을 공급하는 공급구는 반송 방향의 하류측을 향해 있다.

여기서, 기판(W)은 앞으로도 대형화되는 경향이고, 이 대형화에 따라 전술한 바와 같이 공급 노즐(3)이 복수개 설치된다. 다만, 전술한 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 기판(W)의 피세정면(S)에서의 세정액의 퍼짐에 주목해야 하고, 단순히 공급 노즐(3)을 복수개 설치한 것만으로는, 인접하는 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액끼리 서로 간섭하기 때문에, 기판(W)의 피세정면(S)에 도달한 미소 기포는 그 사이즈 변화를 억제하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 도달하기 어려워져, 기판(W)의 피세정면(S)에 대한 오염 입자(M)의 재부착을 방지하기가 곤란해진다.

그래서, 전술한 바와 같이 각 공급 노즐(3)은, 기판(W)의 피세정면(S)을 따라 기판(W)의 반송 방향(도 5 중의 화살표 A의 방향)에 직교하는 방향으로 일렬로 나란히 설치되어 있고, 기판(W)의 피세정면(S)에 평행한 평면 내에 있어서 기판(W)의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 각도 θ1만큼 경사져 있으며, 또한 기판(W)의 피세정면(S)에 대하여 각각 동일한 방향으로 각도 θ2만큼 경사져 있다. 이로써, 인접하는 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액끼리는 기판(W)의 피세정면(S) 상에서 동일한 방향으로 흘러, 세정액끼리 서로 간섭하는 것이 억지되기 때문에, 기판(W)의 피세정면(S)에 도달한 미소 기포는 그 사이즈 변화를 억제하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 도달하기 쉬워져, 기판(W)의 피세정면(S)에 대한 오염 입자(M)의 재부착을 억지할 수 있다.

또한, 피세정면(S)에 평행한 평면 내에 있어서 기판(W)의 반송 방향에 대한 경사 각도 θ1은, 인접하는 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액끼리가 기판(W)의 피세정면(S) 상에 있어서 기판(W)의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 각도 θ1만큼 경사지도록 설정되어 있다. 이 각도 θ1은, 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액이 피세정면(S)에 직접 닿는 공급 범위의 크기에 따라 설정되어 있다. 또한, 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액은 원뿔형으로 퍼지므로, 공급 범위는 공급 노즐(3)과 기판(W)의 이격 거리에 영향을 미치게 되기 때문에, 이 이격 거리도 고려되어 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 같은 효과를 얻을 수 있다. 추가로, 각 공급 노즐(3)이 전술한 바와 같이 기판(W)의 피세정면(S)을 따라 기판(W)의 반송 방향에 교차하는 방향으로 나란히 설치되어 있고, 기판(W)의 피세정면(S)에 평행한 평면 내에 있어서 기판(W)의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있으며, 또한 기판(W)의 피세정면(S)에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있다. 이들 공급 노즐(3)에 의해 기판(W)의 피세정면(S)에 세정액이 공급되면, 인접하는 공급 노즐(3)로부터 분사된 세정액끼리는 기판(W)의 피세정면(S) 상에서 동일한 방향으로 흘러, 세정액끼리 서로 간섭하는 것이 억지되기 때문에, 기판(W)의 피세정면(S)에 도달한 미소 기포는 그 사이즈 변화를 억제하면서 기판(W)의 외측 가장자리까지 도달하기 쉬워져, 기판(W)의 피세정면(S)에 대한 오염 입자(M)의 재부착을 억지할 수 있다.

(제3 실시형태)

본 발명의 제3 실시형태에 대해서 도 7의 (a) 내지 (c)와, 도 8의 (a) 내지 (c), 그리고 도 9의 (a) 및 (b)를 참조하여 설명한다. 도 7 내지 도 9는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)의 제조 방법의 일례를 제조 공정 순으로 도시하는 단면도이며, 본 발명의 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태에 따른 기판 세정 장치(1)에 의한 기판 세정 방법을 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법에 적용한 적용례에 대해서 설명한다.

우선, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(111) 상에 게이트 전극(112)을 형성한다. 게이트 전극(112)은, 상기 유리 기판(111) 상에, 스퍼터법 또는 증착법을 이용해 저저항의 도전성 재료(전극 재료)를 퇴적시켜 도전층을 형성한 후에, 상기 도전층 상에, 레지스트 패턴막을 형성하며, 이 레지스트 패턴막을 마스크로 하는 포토리소그래피에 의해 상기 도전층을 패터닝하는 것에 의해 형성할 수 있다. 상기 게이트 전극(112)은, 예컨대 섬 형상으로 패턴 형성된다.

또한, 상기 TFT를 구비한 박막 트랜지스터 기판(TFT 기판)으로서 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 경우, 상기 도전층을 패터닝함으로써, 게이트 라인 및 게이트 전극(112)을 동시에 패턴 형성할 수 있다.

상기 도전성 재료로서는, 알루미늄, 티탄, 탄탈, 몰리브덴, 인듐 주석 산화물, 산화주석, 텅스텐, 구리 및 크롬 등의 저저항의 금속 및 그 합금을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 또한, 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(112)은, 단층(單層)으로 형성되어 있어도 좋고, 상기 도전성 재료로 이루어지는 층을 복수 조합시킨 적층 구조를 하고 있어도 좋다.

또한, 상기 패터닝에는, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 중 어느 것을 이용하여도 좋다.

뒤이어, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 상기 게이트 전극(112)을 덮도록, 예컨대 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터법 등에 의해, 질화실리콘 등을 포함하는 게이트 절연층(113), 비정질 실리콘층(114), 인 등의 n형 불순물을 도핑한 n⁺ 실리콘을 포함하는 오믹 컨택트층(115)을, 유리 기판(111)측으로부터 이 순으로 연속 성막한다.

그 후, 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 상기 비정질 실리콘층(114) 및 오믹 컨택트층(115)을 에칭한다.

또한, 상기 비정질 실리콘층(114) 및 오믹 컨택트층(115)의 에칭은, 예컨대 염소 가스, 또는 염화수소 및 6불화유황계 가스 등을 드라이 에칭법, 또는 불산(HF)과 질산(HNO₃)의 혼합산을 물(H₂O) 또는 초산(CH₃COOH)으로 희석한 수용액을 에칭액에 이용한 웨트 에칭법으로도 행할 수 있다.

또한, 상기 에칭에 이용한 레지스트 마스크는, 상기 에칭 후에, 유기 알칼리를 포함하는 박리액 등을 이용하여 박리 제거된다. 도 7의 (c)는, 상기 비정질 실리콘층(114) 및 오믹 컨택트층(115)의 2층을 섬 형상으로 패터닝한 후, 상기 레지스트 마스크를 제거한 상태를 도시하고 있다.

뒤이어, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 상기 게이트 절연층(113) 및 비정질 실리콘층(114)과, 오믹 컨택트층(115) 상에, 스퍼터법 또는 증착법을 이용해 저저항의 도전성 재료(전극 재료)를 퇴적시켜, 소스 전극(116a) 및 드레인 전극(116b)[도 8의 (b) 참조]이 되는 도전층(116)을 형성하고, 그 위에 레지스트 마스크를 형성한다.

뒤이어, 상기 레지스트 마스크에 마련된 개구부에 있어서 상기 도전층(116)을 에칭 제거하는 것에 의해, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 소스/드레인 전극 분리 패터닝이 행해진다. 이에 의해, 상기 도전층(116)으로 이루어지는 소스 전극(116a) 및 드레인 전극(116b)이 형성된다.

그 후, 도 8의 (c)에 도시하는 바와 같이, 계속 에칭하여, 상기 오믹 컨택트층(115)을 에칭한다.

그 후, 또한 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 상기 비정질 실리콘층(114)도 부분적으로 에칭되어, 채널부의 두께를 조정하는 채널 에칭 처리가 행해진다.

상기 채널 에칭 처리 후, 상기 레지스트 마스크는, 유기 알칼리를 포함하는 박리액 등을 이용하여 박리 제거된다.

또한, 상기 채널 에칭 처리 후, 상기 비정질 실리콘층(114)의 표면은 소수화(疎水化)되어 있기 때문에, 상기 레지스트 마스크의 박리 후에, 상기 비정질 실리콘층(114)의 표면에, 도전층의 재료인 금속, 실리콘, 질화실리콘 및 레지스트 등으로 이루어지는 미세한 오염물[제1 실시형태에 따른 오염 입자(M)에 상당함] 등을 흡착하기 쉬운 상태로 되어 있으므로, 상기한 레지스트 마스크 박리 후에는, 다종의 미세 오염물이 부착되어 있어, 불량 발생 및 특성 저하의 원인이 되고 있다. 이들 오염 물질을 제거하기 위해, 종래에는 O₃수 처리 후에 DHF(희불산) 처리를 행하는 공정이 이용되어 왔지만, O₃의 MNB를 DHF에 포함시킴으로써, 버블의 압괴(壓壞)에 의해, 비정질 실리콘 표면의 간극의 오염물 제거 효과가 개선된다.

이 때문에, 상기 레지스트 마스크 박리 후의 세정 처리로서, 산화막 제거 가능한 액체인 불산 용액 내에 산화성 가스인 오존을 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하여, 상기 비정질 실리콘층(114)의 표면을 포함하는 기판[제1 실시형태에 따른 기판(W)에 해당함] 전체를 세정하는 것에 의해, 비정질 실리콘층(114)의 표면에 존재하는 오염물 등이 제거되고, 재부착되는 것도 방지된다. 이 때문에, 기판 표면이 청정하게 유지되므로, 오염물의 재부착에 따라 발생하는 수율 저하의 저감 및 TFT 특성의 향상에 기여할 수 있다.

그 후, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(111) 상측 전체면에, 질화실리콘 등의 패시베이션막(보호막)(117)을 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터법 등에 의해 형성한다.

(제4 실시형태)

본 발명의 제4 실시형태에 대해서 도 10의 (a) 내지 (c)와, 도 11의 (a) 내지 (c), 그리고 도 12를 참조하여 설명한다. 도 10 내지 도 12는 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법의 일례를 제조 공정 순으로 도시하는 단면도이고, 본 발명의 제4 실시형태에서는, 제1 실시형태에 따른 기판 세정 장치(1)에 의한 기판 세정 방법을 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법에 적용한 적용례에 대해서 설명한다.

도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 CVD법에 의해, 유리 기판(211) 상에, 하지 절연막으로서 실리콘 질화막(212)을 50 ㎚, 실리콘 산화막(213)을 200 ㎚의 두께로 형성한다. 계속해서, 실리콘 산화막(213) 상에 비정질 실리콘막(214)을 50 ㎚의 두께로 형성한다. 뒤이어, 비정질 실리콘막(214) 내의 수소를 저감하기 위해, 450℃의 온도에서 어닐링한다. 그리고, 비정질 실리콘막(214)에 엑시머 레이저를 조사하여, 비정질 실리콘막(214)을 폴리실리콘막(215)으로 변화시킨다.

뒤이어, 폴리실리콘막(215) 상에 포토레지스트를 도포하고, 선택 노광 및 현상 공정을 거쳐, 소정의 레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 폴리실리콘막(215)을 드라이 에칭하여, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 소정의 영역에만 폴리실리콘막(215)을 남긴다. 그 후에, 레지스트 패턴을 제거한다.

뒤이어, 산화막 제거 가능한 액체인 불산 용액 내에 산화성 가스인 오존을 용존 형태 및 미소 기포 형태로 갖는 세정액을 공급하여, 폴리실리콘막(215)을 포함하는 기판[제1 실시형태에 따른 기판(W)에 상당함] 표면을 세정한다. 기판 표면의 오염 입자[제1 실시형태에 따른 오염 입자(M)에 상당함]와, 엑시머 레이저를 조사하여 비정질 실리콘막(214)을 폴리실리콘막으로 변화시키는 경우에 생긴 결정립계에 존재하는 이물[제1 실시형태에 따른 오염 입자(M)에 상당함] 등도 동시에 제거되고, 이들이 재부착되는 것도 방지된다. 이 때문에, 기판 표면의 청정성 및 평활성이 확보되어, 다음 공정의 실리콘 산화막의 기능을 유효하게 활용할 수 있다.

뒤이어, 도 l0의 (c)에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 CVD법에 의해, 유리 기판(211) 상측 전체면에 실리콘 산화막(216)을 30 ㎚의 두께로 성막한다. 그리고, 스퍼터법에 의해 실리콘 산화막(216) 상에 Al-Nd(알루미늄-네오디뮴: Nd 함유율은 2 atm%)막을 300 ㎚의 두께로 성막한다. 그 후, 포토레지스트를 사용하여, Al-Nd막 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, Al-Nd막을 드라이 에칭하여, 금속 패턴(217)을 형성한다. 그 후, 레지스트 패턴을 제거한다. 그리고, 금속 패턴(217)을 마스크로 하여 가속 전압이 25 kV, 주입량이 7×10¹⁴ ㎝^-2인 조건으로 폴리실리콘막(215)에 P(인)을 이온 주입하여, n형 TFT의 소스 및 드레인이 되는 n형 불순물 영역(218)을 형성한다. 뒤이어, 엑시머 레이저로 유리 기판(211)의 상면 전체면을 조사하여, 주입된 P을 전기적으로 활성화한다.

뒤이어, 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 금속 패턴(217)을 웨트 에칭으로 제거한다.

뒤이어, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 CVD법에 의해, 실리콘 산화막(216) 상에 실리콘 산화막(219)을 90 ㎚의 두께로 성막한다. 그리고, 스퍼터법에 의해 실리콘 산화막(219) 상에 Al-Nd(알루미늄-네오디뮴: Nd 함유량은 2 atm%)막을 300 ㎚의 두께로 성막한다. 그 후, 포토레지스트를 사용하여, Al-Nd막 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, Al-Nd막을 드라이 에칭하여, 게이트 전극(220)을 형성한다.

이때, TFT 형성 영역에서는, 위에서 봤을 때에, 게이트 전극(220)의 에지 부분과 소스측 불순물 영역(218)의 사이에 LDD(Lightly Doped Drain) 영역(221)이 되는 영역이 마련되도록 한다.

뒤이어, 게이트 전극(220)을 마스크로 하여 가속 전압이 25 kV, 주입량이 7×10¹⁴㎝^-2인 조건으로 폴리실리콘막(215)에 P(인)을 이온 주입하여, 소스측 및 드레인측 불순물 영역(218)의 옆에 LDD 영역(221)을 형성한다. 그 후, 400℃의 온도에서 어닐링하여, LDD 영역(221)에 주입된 P(인)을 전기적으로 활성화한다.

뒤이어, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 CVD법에 의해, 실리콘 산화막(219) 및 게이트 전극(220) 상에 실리콘 질화막(222)을 350 ㎚의 두께로 형성한다. 그 후, 400℃의 온도에서 어닐링하여, LDD 영역(221)에 주입된 P(인)을 전기적으로 활성화하고, 실리콘 질화막(222) 내의 수소에 의해, 채널 영역과 게이트 산화막의 계면 등에 있는 결함을 수소화하여, TFT 특성을 개선한다.

뒤이어, 포토레지스트를 사용하여, 실리콘 질화막(222) 상에 컨택트홀 형성용 개구부를 갖는 레지스트막을 형성한다. 그리고, 이 레지스트막을 마스크로 하여 실리콘 질화막(222), 실리콘 산화막(219) 및 실리콘 산화막(216)을 드라이 에칭하고, 도 12에 도시하는 바와 같이, TFT의 불순물 영역(218)에 통하는 컨택트홀을 형성한다.

계속해서, 스퍼터법에 의해, 기판(211)의 상측 전체면에, Ti을 100 ㎚, Al을 20 ㎚, Ti을 50 ㎚의 두께로 순차 퇴적하고, 이들 금속으로 컨택트홀을 매립하며 실리콘 질화막(222) 상에 금속막을 형성한다. 그 후, 포토리소그래피에 의해 마스크 패턴을 형성하고, 금속막을 드라이 에칭하여, 도 12에 도시하는 바와 같이, TFT의 소스 및 드레인에 전기적으로 접속된 전극(223)을 형성한다.

(다른 실시형태)

또한, 본 발명에 따른 전술한 실시형태는 예시이고, 발명의 범위는 이들에 한정되지 않는다. 전술한 실시형태는 다양하게 변경 가능하고, 예컨대 전술한 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소가 삭제되어도 좋으며, 또한 다른 실시형태에 따른 구성 요소가 적절하게 조합되어도 좋다.

전술한 실시형태에서는, 미소 기포의 발생 방법으로서 가압 용해를 이용하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 미소 기포 생성부 등에 의해 미리 미소 기포를 포함하는 세정액을 생성하고, 그 세정액을 공급 노즐(3)로부터 분사하도록 하여도 좋으며, 또는 공급 노즐(3)의 내부 등에서 세정액의 와류 속에 기체를 말려들어가게 하여 미소 기포를 생성하고, 이 미소 기포를 포함하는 세정액을 공급 노즐(3)로부터 분사하도록 하여도 좋다.

또한, 전술한 실시형태에서는, 기판(W)의 피세정면(S) 상에 도달한 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서, 기판(W)의 외측 가장자리까지 이동하도록 하기 위해 세정액을 분사하는 유속을 제어하고 있었지만, 그 대신에 세정액을 분사하는 압력을 제어하도록 하여도 좋다.

또한, 전술한 실시형태에서는, 공급 노즐(3)로서 일류체 노즐을 이용하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 고압 노즐이나 초음파 노즐 또는 이류체 노즐을 이용하도록 하여도 좋다. 특히, 고압 노즐이나 이류체 노즐을 사용하여, 노즐로부터 분사되는 세정액의 유속이나 분사 압력을 보다 높임으로써, 세정액의 치환성이 더 좋아지기 때문에, 세정 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 전술한 실시형태에서는, 기판(W)의 피세정면(S)은 플러스 전위 및 마이너스 전위 중 어느 것으로 대전하고 있어도 좋지만, 예컨대 대전 장치를 이용하여 기판(W)의 피세정면(S)을 마이너스 전위로 대전시키도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 기판(W)의 피세정면(S)이 플러스 전위인 경우에 비해, 마이너스 전위의 미소 기포가 오염 입자(M)에 부착하는 것만으로, 기판(W)의 피세정면(S)에 대한 오염 입자(M)의 재부착을 방지할 수 있다. 특히, 기판(W)의 피세정면(S) 상에 부착시키는 미소 기포가 불필요해지기 때문에, 그만큼 세정액의 유속 조정을 용이하게 할 수 있다.

또한, 전술한 실시형태에서는, 기판(W)을 수평 상태로 반송하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 기판(W)을 기울여 반송하도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 수평 상태의 기판(W)에 비해, 기판(W)의 피세정면(S) 상에서의 세정액의 유속이 상승하기 때문에, 피세정면(S) 상의 세정액의 치환을 촉진할 수 있다. 또한, 세정액은, 경사 상태의 기판(W)의 상단부를 향해 공급된다.

또한 전술한 실시형태에서는, 산화성 가스로서 오존(O₃)을 예로 들었지만, O₂(산소) 및 O₃(오존) 중 적어도 하나의 가스를 포함하는 산화성 가스를 이용할 수 있다. 또한, 산화막 제거 가능한 액체로서는, DHF(희불산), NH₄F(불화암노늄) 및 H₂O₂(과산화수소) 중 적어도 하나의 액체를 포함하는 산화막 제거 가능한 액체를 이용할 수 있다.

또한, 용도에 따라서, 예컨대 기판(W)으로서는, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 절연성 기판 또는 단결정 Si 기판을 이용할 수 있다. 이 경우에는, 또한 기판(W)이, 산화막 제거 가능한 액체의 처리에 의해, 적어도 일부가 소수성을 나타내는 것, 또는 산화성 가스의 처리에 의해, 적어도 일부가 친수성을 나타내는 것을 이용할 수 있다. 또한 추가로, 기판(W)이, 그 적어도 일부분이 Si를 주성분으로 하는 재료인 것이어도 좋고, 이때, 기판(W)의 적어도 일부분이 비정질 또는 결정성의 Si인 기판(W)을 이용할 수 있다. 이 경우에는, 그 Si를 비정질 또는 결정성의 P 도핑(주입) Si로 하여도 좋다.

본 발명의 몇 개의 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하려는 의도는 없다. 이들 신규 실시형태는, 그 밖의 여러 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.

Claims (18)

1. 기판을 반송(搬送)하는 반송부와,
   상기 반송부에 의해 반송되는 상기 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하는 공급 노즐
   을 구비하고, 상기 공급 노즐은, 상기 피세정면 상에 도달한 상기 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 상기 기판의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 상기 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
2. 기판을 반송하는 반송부와,
   상기 반송부에 의해 반송되는 상기 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 각각 공급하는 복수의 공급 노즐
   을 구비하고, 상기 복수의 공급 노즐은, 상기 기판의 피세정면을 따라 상기 기판의 반송 방향에 교차하는 방향으로 나란히 설치되어 있으며, 상기 기판의 피세정면에 평행한 평면 내에 있어서 상기 기판의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있고, 상기 기판의 피세정면에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 공급 노즐은, 상기 피세정면 상에 도달한 상기 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 상기 기판의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 상기 세정액을 각각 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화성 가스는 O₂ 및 O₃ 중 적어도 하나의 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화막 제거 가능한 액체는 HF, NH₄F 및 H₂O₂ 중 적어도 하나의 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 절연성 기판 또는 단결정 Si 기판인 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 기판의 적어도 일부분은 상기 산화막 제거 가능한 액체의 처리에 의해 소수성을 나타내는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
8. 제6항에 있어서, 상기 기판의 적어도 일부분은 상기 산화성 가스의 처리에 의해 친수성을 나타내는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
9. 기판을 반송하는 반송부와, 상기 반송부에 의해 반송되는 상기 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 공급하는 공급 노즐을 구비하는 기판 세정 장치를 이용하여, 상기 기판을 세정하는 기판 세정 방법으로서,
   상기 공급 노즐에 의해, 상기 반송부에 의해 반송되는 상기 기판의 피세정면에, 상기 피세정면 상에 도달한 상기 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 상기 기판의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 상기 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
10. 기판을 반송하는 반송부와, 상기 반송부에 의해 반송되는 상기 기판의 피세정면에, 산화막 제거 가능한 액체 내에 산화성 가스를 용존 상태 및 미소 기포 상태로 갖는 세정액을 각각 공급하는 복수의 공급 노즐을 구비하는 기판 세정 장치를 이용하여, 상기 기판을 세정하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 복수의 공급 노즐은, 상기 기판의 피세정면을 따라 상기 기판의 반송 방향에 교차하는 방향으로 나란히 설치되어 있고, 상기 기판의 피세정면에 평행한 평면 내에 있어서 상기 기판의 반송 방향에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있으며, 상기 기판의 피세정면에 대하여 각각 동일한 방향으로 경사져 있고
    상기 복수의 공급 노즐에 의해, 상기 반송부에 의해 반송되는 상기 기판의 피세정면에 상기 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 복수의 공급 노즐에 의해, 상기 피세정면 상에 도달한 상기 미소 기포가 사이즈 변화를 억제하면서 상기 기판의 외측 가장자리까지 이동하는 유속으로 상기 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화성 가스는 O₂ 및 O₃ 중의 적어도 하나의 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
13. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화막 제거 가능한 액체는 HF, NH₄F 및 H₂O₂ 중 적어도 하나의 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
14. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 절연성 기판 또는 단결정 Si 기판인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
15. 제14항에 있어서, 상기 기판의 적어도 일부분은 상기 산화막 제거 가능한 액체의 처리에 의해 소수성을 나타내는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
16. 제14항에 있어서, 상기 기판의 적어도 일부분은 상기 산화성 가스의 처리에 의해 친수성을 나타내는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
17. 표시 장치에 이용되는 기판을 세정하는 기판 세정 장치를 구비하는 표시 장치의 제조 장치로서,
    상기 기판 세정 장치는, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 기판 세정 장치인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 장치.
18. 표시 장치에 이용되는 기판을 세정하는 기판 세정 공정을 갖는 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판 세정 공정에서, 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 기판 세정 방법을 이용하여 상기 기판을 세정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.

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