KR20120043768A - 전자기 강판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

전자기 강판(10)에는 지철(1)과, 지철(1)의 표면 상에 형성된 절연피막(2)이 설치되어 있다. 절연피막(2)은 인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와, 평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 45질량부를 포함한다.

Description

전자기 강판 및 그 제조 방법 {ELECTROMAGNETIC STEEL SHEET AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은 전기 기기의 철심의 재료 등에 적합한 전자기 강판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자기 강판을 사용하여 모터를 제조할 때에는, 후프 형상의 전자기 강판을 소정 형상으로 펀칭 가공한 후, 복수의 전자기 강판을 적층하고 고착하여 적층 철심을 제작한다. 그 후, 적층 철심의 티스 등에 동선을 권취하고, 동선 접속용 터미널, 플랜지 및 베어링 등을 설치하고, 이들을 케이스에 고정한다. 또한, 동선의 권취 후에는 바니시로의 함침이나 도료의 분사가 행해지고, 또한 베이킹 및 건조를 위한 가열이 행해진다.
이와 같은 모터의 내부에는 열에 약한 부품이 포함되어 있다. 예를 들어, 동선의 절연피막 및 동선의 취출부 등의 단자 터미널 등이 열에 약하다. 이로 인해, 모터로부터 발생한 열이 내부에 머무르면, 모터의 성능이 저하되거나, 고장이 발생한다.
이로 인해, 적층 철심에도 양호한 방열성이 요구된다. 적층 철심의 방열에 관하여, 종래에는, 주로 전자기 강판의 적층 방향에 수직인 방향으로의 열의 확산을 가능하게 하는 구조 등이 채용되어 있다. 즉, 적층 철심의 직경 방향(전자기 강판의 표면에 평행한 방향)의 단부로부터 케이스를 통해 방열되거나, 단부에 방열판을 설치해 두고 방열판을 통해 방열되도록, 모터가 구성되어 있다.
그런데, 모터의 구조 또는 적층 철심의 형상에 따라서는, 적층 철심의 직경 방향으로의 방열이 곤란한 경우가 있다. 또한, 적층 철심의 직경 방향으로의 방열이 가능해도, 충분히 방열하는 것이 곤란한 경우도 있다. 이와 같은 경우, 적층 철심의 적층 방향(전자기 강판의 표면에 수직인 방향)으로의 방열이 중요해진다.
그러나, 종래의 기술에서는, 적층 철심의 적층 방향에 있어서의 높은 방열성을 얻는 것은 극히 곤란하다. 이는, 적층 철심이 트랜스 등에 사용되는 경우라도 마찬가지이다.
일본 특허 공고 소50-15013호 공보 일본 특허 출원 공개 평03-36284호 공보 일본 특허 공고 소49-19078호 공보 일본 특허 출원 공개 평06-330338호 공보 일본 특허 출원 공개 평09-323066호 공보 일본 특허 출원 공개 제2003-166071호 공보 일본 특허 출원 공개 제2007-104878호 공보 일본 특허 출원 공개 평07-41913호 공보 일본 특허 출원 공개 평03-240970호 공보
본 발명은 적층 철심에 사용한 경우에 적층 방향의 방열성을 향상시킬 수 있는 전자기 강판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전자기 강판의 표면에는 절연피막이 형성되어 있다. 절연피막에는 절연성, 내식성, 용접성, 밀착성, 내열성 등의 특성이 요구되고 있다. 그리고, 절연피막에는, 일반적으로, 크롬산염 또는 인산염 등의 화합물이 주성분으로서 포함되어 있다. 이들 화합물의 열전도율은 금속의 그것보다도 현저하게 낮다. 이것이, 적층 방향에 있어서의 높은 열전도성을 얻는 것을 곤란하게 하는 요인의 하나로 되어 있다.
또한, 종래의 전자기 강판을 사용하여 제조된 적층 철심에서는, 전자기 강판 사이에 간극이 존재하고, 이 간극의 존재도 적층 방향에 있어서의 높은 열전도성을 얻는 것을 곤란하게 하는 요인의 하나로 되어 있다. 이는, 간극의 열전도율은 절연피막에 비해서도 현저하게 낮기 때문이다.
본 발명자들은, 이들 종래의 전자기 강판의 성질을 고려하면서, 상기한 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 이하의 제형태에 상도하였다.
(1) 지철과,
상기 지철의 표면 상에 형성된 절연피막을 갖고,
상기 절연피막은,
인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 45질량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 강판.
(2) 지철과,
상기 지철의 표면 상에 형성된 절연피막을 갖고,
상기 절연피막은,
인산 금속염:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물:1질량부 내지 50질량부를 포함하는 제1 성분:100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 강판.
(3) 지철과,
상기 지철의 표면 상에 형성된 절연피막을 갖고,
상기 절연피막은,
콜로이달 실리카:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물:40질량부 내지 400질량부를 포함하는 제1 성분:100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 강판.
(4) 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 상기 절연피막의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 전자기 강판.
(5) 지철의 표면에 처리액을 도포하는 공정과,
상기 처리액의 베이킹 건조를 행하는 공정을 갖고,
상기 처리액으로서,
인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 45질량부를 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자기 강판의 제조 방법.
(6) 지철의 표면에 처리액을 도포하는 공정과,
상기 처리액의 베이킹 건조를 행하는 공정을 갖고,
상기 처리액으로서,
인산 금속염:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물의 에멀션:수지 고형분으로 1질량부 내지 50질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자기 강판의 제조 방법.
(7) 지철의 표면에 처리액을 도포하는 공정과,
상기 처리액의 베이킹 건조를 행하는 공정을 갖고,
상기 처리액으로서,
콜로이달 실리카:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물의 에멀션:수지 고형분으로 40질량부 내지 400질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자기 강판의 제조 방법.
(8) 상기 베이킹 건조의 도달 온도를 150℃ 내지 300℃로 하고, 시간을 3초간 내지 15초간으로 하는 것을 특징으로 하는 (5) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 전자기 강판의 제조 방법.
(9) 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은, 고형분 환산으로 상기 처리액의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는 (5) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 전자기 강판의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 절연피막에 소정의 제2 성분이 포함되어 있고, 이것이, 적층 철심의 제작 시에 용융 및 응고하여 적층 철심 중의 간극을 저감시킬 수 있다. 이로 인해, 적층 철심에 있어서의 적층 방향의 방열성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 전자기 강판의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 전자기 강판의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 절연피막을 도시하는 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 첨부의 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 전자기 강판의 제조 방법을 도시하는 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 전자기 강판의 구조를 도시하는 단면도이다.
본 실시 형태에서는, 우선, 지철(1)을 제작한다(스텝 S1). 지철(1)의 제작에서는, 예를 들어, 우선, 소정의 조성의 슬래브를 1150℃ 내지 1250℃ 정도로 가열하고, 열간 압연을 행하여 열연판을 제작하고, 열연판을 코일 형상으로 권취한다. 계속해서, 열연판을 돌려 풀면서 냉간 압연하여 두께가 0.15㎜ 내지 0.5㎜ 정도인 냉연판을 제작하고, 냉연판을 코일 형상으로 권취한다. 그 후, 750℃ 내지 1100℃에서 어닐링(마무리 어닐링)한다. 이와 같이 하여 지철(1)이 얻어진다. 또한, 냉간 압연 전에, 필요에 따라서 800℃ 내지 1050℃의 범위 내에서 어닐링해도 좋다.
지철(1)의 조성은, 예를 들어 무방향성 전자기 강판에 적합한 조성이다. 즉, 지철(1)은, 예를 들어 Si:0.1질량% 이상, Al:0.05질량% 이상을 함유하고, 잔량부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 또한, Si 및 Al 이외에, Mn:0.01질량% 이상 1.0질량% 이하가 함유되어 있어도 좋다. 또한, S, N 및 C 등의 전형 원소의 함유량은 100ppm 미만인 것이 바람직하고, 20ppm 미만인 것이 보다 바람직하다. Si가 많이 함유되어 있을수록, 전기 저항이 커져 자기 특성이 향상된다. 그러나, Si의 함유량이 4.0질량%를 초과하면, 취성이 현저해지는 경우가 있다. 따라서, Si 함유량은 4.0질량% 이하인 것이 바람직하다. 또한, Al이 많이 함유되어 있을수록, 자기 특성이 향상된다. 그러나, Al의 함유량이 3.0질량%를 초과하고 있으면, 지철(1)을 제작할 때의 냉간 압연이 곤란해지는 경우가 있다. 따라서, Al 함유량은 3.0질량% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 지철(1)의 조성이 방향성 전자기 강판 무방향성 전자기 강판에 적합한 조성이라도 좋다.
또한, 지철(1)의 표면 조도가 낮을수록 적층 철심에 있어서의 전자기 강판끼리의 밀착성이 높아진다. 이로 인해, 지철(1)의 압연 방향 및 압연 방향에 직교하는 방향(판 폭 방향)의 중심선 평균 거칠기(Ra)는 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 중심선 평균 거칠기(Ra)가 1.0㎛를 초과하고 있으면, 전자기 강판끼리의 밀착성이 낮아, 적층 방향이 높은 열전도성을 얻기 어려워진다. 또한, 중심선 평균 거칠기(Ra)를 0.1㎛ 미만으로 하기 위해서는, 냉간 압연의 제어를 엄밀하게 행할 필요가 있어, 고비용으로 되기 쉽다. 따라서, 중심선 평균 거칠기(Ra)는 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하다.
계속해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 지철(1)의 표면 상에 절연피막(2)을 형성한다(스텝 S2). 절연피막(2)의 형성에서는, 소정의 처리액을 지철(1)의 표면 상에 도포하고(스텝 S2a), 그 후, 가열에 의해 처리액을 건조시킨다(스텝 S2b). 이 결과, 처리액 중의 성분이 지철(1)의 표면 상에 베이킹된다. 처리액을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 코터 또는 스프레이를 사용하여 처리액을 도포해도 좋고, 처리액 중에 지철(1)을 침지해도 좋다. 또한, 처리액을 건조시키는 방법도 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 통상의 복사로 또는 열풍로를 사용하여 처리액을 건조시켜도 좋고, 유도 가열 등의 전기 에너지를 사용한 가열에 의해 처리액을 건조시켜도 좋다. 또한, 처리액의 건조 및 베이킹(스텝 S2b)의 조건에 관하여, 이 처리의 온도(베이킹 온도)는 150℃ 내지 300℃로 하는 것이 바람직하고, 이 처리의 시간은 3초간 내지 15초간으로 하는 것이 바람직하다. 특히, 후술하는 바와 같이 인산 금속염이 처리액에 포함되어 있는 경우에는, 베이킹 온도는 230℃ 내지 300℃로 하는 것이 바람직하다.
또한, 처리액의 도포 전에, 지철(1)의 표면에 전처리를 실시해도 좋다. 전처리로서는, 예를 들어 알칼리성 약제 등을 사용한 탈지 처리 및 염산, 황산 또는 인산 등을 사용한 산세 처리 등을 들 수 있다.
여기서, 절연피막(2)의 형성에 사용하는 처리액에 대해 설명한다. 이 처리액으로서는, 크게 구별하여 다음의 3종류[(a) 내지 (c)]의 것을 사용할 수 있다.
(a)
인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 45질량부를 포함하는 처리액.
(b)
인산 금속염:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물의 에멀션:수지 고형분으로 1질량부 내지 50질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하는 처리액.
(c) 콜로이달 실리카:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물의 에멀션:수지 고형분으로 40질량부 내지 400질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하는 처리액.
또한, 제1 성분 및 제2 성분의 총량은 고형분 환산으로 처리액 전체의 90% 이상인 것이 바람직하다. 절연피막의 양호한 절연성, 열전도성, 내열성 등을 확보하기 위해서이다.
제1 성분에 관하여, 인산 금속염을 구성하는 인산의 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 오르토인산, 메타인산, 폴리인산 등을 사용할 수 있다. 또한, 인산 금속염을 구성하는 금속 이온의 종류도 특별히 한정되지 않지만, Li, Al, Mg, Ca, Sr 및 Ti 등의 경금속이 바람직하고, Al 및 Ca가 특히 바람직하다. 또한, 인산 금속염 용액은, 예를 들어 오르토인산에 금속 이온의 산화물, 탄산염 및/또는 수산화물을 혼합함으로써 조제하는 것이 바람직하다.
인산 금속염으로서는, 1종류만을 사용해도 좋고, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 제1 성분 중에, 포스폰산 및/또는 붕산 등의 첨가제가 포함되어 있어도 좋다.
마찬가지로, 제1 성분에 관하여, 콜로이달 실리카로서는, 예를 들어 평균 입경이 5㎚ 내지 40㎚이고, 또한 Na 함유량이 0.5질량% 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 콜로이달 실리카의 Na 함유량은 0.01질량%?0.3질량%인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에서는, 제1 성분에, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및/또는 폴리에스테르 수지의 에멀션이 포함되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 제1 성분에 인산 금속염이 포함되어 있지 않고 콜로이달 실리카가 포함되어 있는 경우에는, 아크릴 수지 및/또는 에폭시 수지가 포함되어 있으면, 균질의 절연피막(2)을 형성하기 쉬워진다.
아크릴 수지, 에폭시 수지 및/또는 폴리에스테르 수지의 에멀션으로서는, 시판되고 있는 수지 에멀션을 사용해도 좋다. 아크릴 수지, 에폭시 수지 및/또는 폴리에스테르 수지의 융점은 특별히 한정되지 않지만, 50℃ 이하인 것이 바람직하다. 이들 융점이 50℃를 초과하고 있으면, 발분(發粉)하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 비용을 고려하면, 이들 융점은 0℃ 이상인 것이 바람직하다.
아크릴 수지로서는, 통상의 모노머인, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, i-부틸아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, i-옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-노닐아크릴레이트, n-데실아크릴레이트 및 n-도데실아크릴레이트 등이 바람직하다. 또한, 아크릴 수지로서, 관능기를 갖는 모노머인, 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 무수 말레인산, 푸마르산, 크로톤산 및 이타콘산 및 수산기를 갖는 모노머인, 2-히드록실에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록실프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록실부틸(메타)아크릴레이트 및 2-히드록실에틸(메타)아릴에테르 등을 공중합시킨 것도 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 아민 변성 에폭시 수지에 무수 카르본산을 반응시킨 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 비스페놀A-디그리시딜에테르, 비스페놀A-디그리시딜에테르의 카프롤락톤 개환 부가물, 비스페놀F-디그리시딜에테르, 비스페놀S-디그리시딜에테르, 노볼락글리시딜에테르, 다이머산글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 변성되는 아민으로서는, 이소프로판올아민, 모노프로판올아민, 모노부탄올아민, 모노에탄올아민, 디에틸렌트리아민, 에틸렌디아민, 부탈아민, 프로필아민, 이소포론디아민, 테트라히드로푸르푸릴아민, 크실렌디아민, 헥실아민, 노닐아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라메틸렌펜타민, 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다. 무수 카르본산으로서는, 무수 호박산, 무수 이타콘산, 무수 말레인산, 무수 시트라콘산, 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산 등을 반응시킨 것이 바람직하다.
폴리에스테르 수지로서는, 예를 들어 디카르본산과 글리콜을 반응시켜 얻어지는 것이 바람직하다. 디카르본산으로서는, 테레프탈산, 이소프탈산, 오르토프탈산, 나프탈렌디카르본산, 비페닐디카르본산, 호박산, 아디핀산, 세바신산, 푸마르산, 말레인산, 무수 말레인산, 이타콘산 및 시트라콘산 등을 들 수 있다. 글리콜로서는, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸디올1,6-헥산디올, 트리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 및 폴리에틸렌글리콜 등을 들 수 있다. 또한, 이들 폴리에스테르 수지에, 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 또는 메타크릴산 무수물 등을 그라프트 중합시켜 얻어지는 것을 사용해도 좋다.
또한, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로서, 1종류만을 사용해도 좋고, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 또한, 이들 유기 수지로서는, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 것을 사용한다. 평균 입경이 0.05㎛ 미만이면, 처리액 중에서 응집하기 쉽고, 절연피막(2)의 균일성이 저하되기 쉽다. 한편, 평균 입경이 0.50㎛를 초과하고 있으면, 처리액의 안정성이 저하되기 쉽다. 또한, 평균 입경은 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.3㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 평균 입경으로서는, 예를 들어 입경이 1㎛ 이하인 입자에 대한 수평균 입경을 사용할 수 있다.
인산 금속염과, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 혼합 비율에 관하여, 인산 금속염 100질량부에 대한 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 총량은 1질량부 내지 50질량부이다. 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 총량이 1질량부 미만이면, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 응집이 발생되기 쉽고, 절연피막(2)의 균일성이 저하되기 쉽다. 한편, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 총량이 50질량부를 초과하고 있으면, 내열성이 저하된다.
또한, 콜로이달 실리카와, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 혼합 비율에 관하여, 콜로이달 실리카 100질량부에 대한 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 총량은 40질량부 내지 400질량부이다. 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 총량이 40질량부 미만이면, 절연피막(2)을 적절하게 형성하는 것이 곤란해져, 절연피막(2)이 발분할 가능성이 있다. 한편, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지의 총량이 400질량부를 초과하고 있으면, 내열성이 저하된다.
제2 성분에 관하여, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및/또는 아크릴 수지의 입자로서는, 평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 또한 융점이 60℃ 내지 140℃인 것을 사용한다. 에폭시 수지에는 융점을 명료하게 판별할 수 없는 것이 있고, 이와 같은 에폭시 수지에 대해서는, 융점 대신에 연화점을 사용하는 것으로 한다. 폴리올레핀 왁스의 입자를 사용하는 경우에는, 저분자량 타입의 폴리에틸렌의 입자를 미리 소량의 계면 활성제로 수용액 중에 분산시킨 것을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 에폭시 수지의 입자로서는, 강제 분산시킨 것 및 자기 유화형으로 한 것 중 어떤 것이라도 사용 가능하다. 자기 유화형의 것은 처리액 중의 안정성이 특히 우수하다. 예를 들어, 폴리비닐 알코올을 통상의 에폭시 수지에 그라프트 중합시킨 것 등이 바람직하다. 아크릴 수지의 입자로서는, 디스퍼젼액으로 한 것이 많이 시판되고 있어, 그들을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 이들 입자는, 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 또한, 이들 입자를 분말 상태로 사용해도 좋다.
폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및/또는 아크릴 수지의 입자의 평균 입경은 상기와 같이, 2.0㎛ 내지 15.0㎛이다. 평균 입경이 2.0㎛ 미만이면, 상세는 후술하지만, 적층 철심에 의한 전자기 강판 사이의 열전도성을 충분히 향상시키는 것이 곤란해진다. 한편, 평균 입경이 15.0㎛를 초과하고 있으면, 적층 철심에 의한 점적률이 저하될 가능성이 있다. 또한, 평균 입경은 4.0㎛ 이상인 것이 바람직하고, 10.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 평균 입경으로서는, 예를 들어 입경이 2㎛ 이상인 입자에 대한 수평균 입경을 사용할 수 있다.
또한, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및/또는 아크릴 수지의 입자의 융점은, 상기와 같이, 60도 내지 140℃이다. 융점이 60℃ 미만이면, 처리액의 베이킹 건조 시(스텝 S2b)에 입자가 용융되어 증발할 가능성이 있다. 한편, 융점이 140℃를 초과하고 있으면, 상세는 후술하지만, 전자기 강판으로부터 적층 철심을 제작할 때의 가열에 의해 입자가 용융되지 않고 열전도성을 향상시키는 것이 곤란해진다. 또한, 폴리올레핀 왁스의 분자량은 800 내지 40000인 것이 바람직하고, 폴리올레핀 왁스의 융점은 100℃ 이상인 것이 바람직하고, 130℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 에폭시 수지 및 아크릴 수지의 분자량은 1000 내지 50000인 것이 바람직하고, 에폭시 수지 및 아크릴 수지의 융점은 80℃ 이상인 것이 바람직하고, 110℃ 이하인 것이 바람직하다.
제1 성분 및 제2 성분의 배합 비율에 관하여, 처리액(a)을 사용하는 경우, 즉 제1 성분 중에 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지가 포함되어 있지 않은 경우, 제1 성분의 고형분 100질량부에 대한 제2 성분의 양은 5질량부 내지 45질량부로 한다. 제2 성분의 양이 5질량부 미만이면, 상세는 후술하지만, 열전도성을 충분히 향상시키는 것이 곤란해진다. 한편, 제2 성분의 양이 45질량부를 초과하고 있으면, 절연피막(2)을 적절하게 형성하는 것이 곤란해져, 전자기 강판의 슬릿 가공 시 등에, 절연피막(2)이 발분할 가능성이 있다.
또한, 처리액 (b) 또는 (c)를 사용하는 경우, 즉 제1 성분 중에 아크릴 수지, 에폭시 수지 및/또는 폴리에스테르 수지가 포함되어 있는 경우, 제1 성분의 고형분 100질량부에 대한 제2 성분의 양은 5질량부 내지 40질량부로 한다. 제2 성분의 양이 5질량부 미만이면, 상세는 후술하지만, 열전도성을 충분히 향상시키는 것이 곤란해진다. 한편, 제2 성분의 양이 40질량부를 초과하고 있으면, 절연피막(2)의 내열성이 저하되거나, 절연피막(2)에 흠집이 발생하기 쉬워진다.
또한, 상술한 처리액에, 계면 활성제 등의 첨가제를 첨가해도 좋다. 계면 활성제로서는, 비이온계 계면 활성제가 바람직하고, 그 밖에, 광택제, 방부제, 산화 방지제 등을 첨가해도 좋다.
이와 같은 방법에 의해 제조된 전자기 강판(10)의 절연피막(2)은, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 성분이 고형화되어 형성된 기부(2a)(바인딩부)에, 제2 성분으로 형성된 입자(2b)가 분산되어 고정된 구조를 구비한다. 또한, 기부(2a)의 두께는 0.3㎛ 내지 3.0㎛ 정도로 하는 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상으로 하는 것, 1.5㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
그리고, 적층 철심의 제조 시에는, 상술한 바와 같이, 전자기 강판이 적층된 후, 바니시로의 함침이나 도료의 분사가 행해지고, 또한 베이킹 및 건조를 위한 가열이 행해진다. 본 실시 형태의 전자기 강판에서는, 이 가열 시에, 입자(2b)가 용융된다. 따라서, 전자기 강판 사이의 간극 내를 넓게 도포하고, 그 후에 응고한다. 이 결과, 적층 철심 내의 공극이 감소하고, 적층 철심의 적층 방향(전자기 강판의 표면에 수직인 방향)의 열전도성이 현저하게 향상된다.
또한, 상기의 콜로이달 실리카, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지 및 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지의 평균 입경은 수평균 입경이다. 콜로이달 실리카의 수평균 입경으로서는, 예를 들어 질소 흡착법(JIS Z8830)에 의해 측정한 것을 사용한다. 또한, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지 및 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지의 수평균 입경으로서는, 예를 들어 레이저 회절법에 의해 측정한 것을 사용한다.
또한, 처리액으로서는, 환경으로의 배려로부터 Cr을 함유하지 않는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 절연피막(2)의 구조에 관하여, 기부(2a)의 표면을 기준으로 한, 입자(2b)의 헤드 정상부의 높이의 평균은 2㎛ 내지 3㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 입자(2b)의 용융에 수반하여 간극을 효과적으로 메우기 위해서이다.
또한, 처리액(a)이 사용된 경우, 절연피막(2)은,
인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 45질량부를 포함하게 된다.
또한, 처리액(b)이 사용된 경우, 절연피막(2)은,
인산 금속염:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물:1질량부 내지 50질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 40질량부를 포함하게 된다.
또한, 처리액(c)이 사용된 경우, 절연피막(2)은,
콜로이달 실리카:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물:40질량부 내지 400질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하게 된다.
또한, 제1 성분 및 제2 성분은 절연피막(2)의 90% 이상을 차지하는 것이 바람직하다. 양호한 절연성, 열전도성, 내열성 등을 확보하기 위해서이다.
[실시예]
Si:2.5질량%, Al:0.5질량% 및 Mn:0.05질량%를 함유하는 무방향성 전자기 강판용 조성을 갖는 지철을 제작하였다. 지철의 두께는 0.35㎜로 하고, 그 중심선 평균 거칠기(Ra)는 0.42㎛로 하였다.
또한, 다양한 제1 성분용 액을 제작하였다. 이 액의 성분을 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
인산 금속염을 포함하는 액의 제작에서는, 오르토인산과 Mg(OH)2, Al(OH)3 등의 각 금속 수산화물, 산화물, 탄산염을 혼합 교반하여, 40질량%의 수용액을 조제하였다.
콜로이달 실리카를 포함하는 액의 제작에서는, 시판되고 있는 평균 입경이 15㎚이고 표면을 알루미늄으로 개질한 콜로이달 실리카를 30질량% 포함하는 것 및 평균 입경이 25㎚인 콜로이달 실리카를 40질량% 포함하는 것을 제작하여, 전자를 콜로이달 실리카 1로 하고, 후자를 콜로이달 실리카 2로 하였다.
표 1 중 8종류의 유기 수지의 상세는 하기와 같다.
「아크릴 수지 1」
메틸메타크릴레이트:60질량%, 2-히드록시에틸메타크릴레이트:15질량% 및 라우릴메타크릴레이트:25질량%를 공중합시켜 얻은 아크릴 수지이다.
「아크릴 수지 2」
푸마르산:20질량%, 메틸아크릴레이트:30질량%, 부틸아크릴레이트:35질량% 및 스티렌 모노머:15질량%를 혼합하여 얻은 아크릴 수지이다.
「아크릴 수지 3」
메틸아크릴레이트:60질량%, 스티렌모노머:20질량%, 이소부틸아크릴레이트:20질량%를 공중합시킨, 카르복실기 및 수산기를 유지하지 않는 아크릴 수지이다.
「에폭시 수지 1」
비스페놀A를 트리에탄올아민으로 변성한 후, 무수 호박산을 반응시켜 얻은 카르복실기 변성 에폭시 수지이다.
「에폭시 수지 2」
페놀노볼락형 에폭시 수지에 에틸렌프로필렌블록폴리머를 배합하여 노닐페닐에테르에틸렌옥사이드를 부가하고, 자기 유화형으로 한 에폭시 수지이다.
「폴리에스테르 수지」
디메틸테레프탈레이트:40질량% 및 네오펜틸글리콜:40질량%를 공중합시킨 후, 푸마르산:10질량% 및 무수 트리멜리트산:10질량%를 그라프트 중합시켜 얻은 카르복실기 함유 폴리에스테르 수지이다.
「수성 폴리우레탄」
기지의 방법으로 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 폴리에틸렌글리콜로 합성된 수성 폴리우레탄이다.
「페놀 수지」
레졸형 페놀 수지 수계 에멀션이다.
이들 유기 수지를 각각 30% 에멀션 용액으로 하고, 이들을 인산 금속염 또는 콜로이달 실리카를 함유하는 액에 혼합하였다. 또한, 필요에 따라서 점도 조정제, 계면 활성제를 적당량 추가하여 표 1에 나타내는 액을 조제하였다.
또한, 아크릴 수지 1, 2, 3의 평균 입경은 각각 0.15㎛, 0.25㎛, 0.6㎛였다. 또한, 에폭시 수지 1의 평균 입경은 0.28㎛이고, 에폭시 수지 2의 평균 입경은 0.56㎛였다. 또한, 폴리에스테르 수지의 평균 입경은 0.3㎛이고, 수성 폴리우레탄의 평균 입경은 0.22㎛이고, 페놀 수지 에멀션의 평균 입경은 0.65㎛였다. 이들의 평균 입경의 측정에서는, 수지 에멀션을 증류수로 희석한 후, JIS법(JIS Z8826)에 준한 시판의 레이저 회절법에 의한 입경 측정 장치에서 수평균 입경을 측정하였다. 또한, 표 1 중 수지 질량부는 고형분으로 환산한 값이다.
계속해서, 표 1에 나타내는 액에, 표 2에 나타내는 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지, 또는 아크릴 수지의 입자를 소정량 첨가하였다.
Figure pct00002
표 2 중 8종류의 입자의 상세는 하기와 같다.
「폴리올레핀 왁스 1」
저분자량 타입의 폴리에틸렌 타입이고, 평균 입경은 6㎛, 융점은 132℃, 분자량은 2000이다.
「폴리올레핀 왁스 2」
폴리에틸렌 타입이고, 평균 입경은 9.5㎛, 융점은 110℃, 분자량은 7200이다.
「폴리올레핀 왁스 3」
아이오노머 타입이고, 평균 입경은 0.5㎛, 융점은 65℃, 분자량은 4000이다.
「폴리올레핀 왁스 4」
에틸렌아세트산 비닐 공중합 타입이고, 평균 입경은 12㎛, 융점은 40℃, 분자량은 20000이다.
「에폭시 수지 1」
에폭시 당량이 620인 비스페놀A형 에폭시 수지에, 폴리옥시알킬렌 다환페닐에테르를 3질량% 첨가할 수 있었던 에폭시 수지이다. 평균 입경은 2.4㎛, 융점은 83℃, 분자량은 1200이다.
「에폭시 수지 2」
비스페놀F형 에폭시 수지에, 폴리옥시에틸렌페닐에테르류를 2.5질량% 첨가하여 얻은 에폭시 수지이다. 평균 입경은 1.5㎛, 융점은 128℃, 분자량은 2500이다.
「아크릴 수지 1」
메틸메타크릴레이트:40질량%, 스티렌:40질량%, 2-에틸헥실아크릴레이트:13질량% 및 에틸렌글리콜디메타크릴레이트:7질량%를 공중합시켜 얻은 아크릴 수지이다. 평균 입경은 3.8㎛, 융점은 65℃, 분자량은 13000이다.
「아크릴 수지 2」
아크릴 수지 1과, 아세트산 비닐을 더 공중합시켜 얻은 아크릴 수지이다. 평균 입경은 5.5㎛, 융점은 80℃, 분자량은 20000이다.
이들 입자를 40질량%로 조제한 디스퍼젼액을 제작하고, 이를 처리액으로서 실험에 사용하였다.
또한, 표 2에 나타내는 입자의 분자량은 GPC(겔 투과 크로마토법)으로 측정하였다. 또한, 상기한 각 입자의 평균 입경의 측정에서는, 디스퍼젼액을 증류수 중에 약 1분간 초음파 세정기로 분산시킨 후, JIS법(JIS Z8826)에 준한 시판의 레이저 회절법에 의한 입경 측정 장치에서 수평균 입경을 측정하였다. 상기한 각 입자의 융점은 JIS법(JIS K7121)에 준한 시판의 시차 주사 열량계를 사용하여 측정하였다.
그리고, 처리액(디스퍼션액)을 지철에 도포하고, 표 2에 나타내는 조건으로 베이킹하였다. 처리액은 롤 코터를 사용하여 도포하였다. 이때, 절연피막의 기부의 두께가 1.0㎛로 되도록 롤 압하량 등을 조정하였다. 베이킹(건조)은 복사로를 사용하여 행하고, 표 2 중에 기재한 소정의 가열 조건이 얻어지도록 노 온도의 설정을 조정하였다. 도달판 온도가 150℃ 내지 410℃, 베이킹 시간이 2초간 내지 40초간으로 되도록 조정하였다.
그리고, 베이킹 종료 후에 얻어진 전자기 강판에 대해 다양한 특성을 평가하였다. 즉, 열전도성, 절연성, 밀착성, 내식성, 외관, 내열성 및 표면 거칠기의 평가를 행하였다.
지철의 표면 상에 형성된 절연피막의 열전도율을 정확하게 측정하는 것은 곤란하다. 따라서, 열전도성은 이하에 나타내는 방법으로 평가하였다. 즉, 우선, 절연피막이 형성된 전자기 강판을, 한 변을 30㎜로 잘라내고, 50매 적층하여 적층 샘플을 제작하였다. 계속해서, 적층 샘플을 10kgf/㎠(약 98N/㎠)로 가압하면서 150℃의 열풍로 중에서 120분간 가열하고, 그 후, 상온까지 방냉하였다. 이는, 바니시 또는 분체 도장의 베이킹을 시뮬레이트하기 위해서이다. 계속해서, 적층 샘플을, 그 주위를 단열재로 덮은 상태에서, 200℃로 가열한 발열체 상에 가압력 20kgf/㎠(약 196N/㎠)로 가압 밀착시켰다. 그리고, 발열체와는 반대측(가압측)의 적층 샘플의 온도를 측정하고, 그 값이 안정된 곳에서, 발열 단부와 측정 단부 사이의 온도차를 측정하였다. 이 온도차가 작은 것일수록, 열전도성이 양호하다고 할 수 있다. 또한, 어떤 시료라도, 측정 단부의 온도는 가압 밀착의 개시로부터 약 60분간 후에는 안정적으로 되어 있었다.
절연성의 평가에서는, JIS법(JIS C2550)에 준하여 층간 저항을 측정하였다. 그리고, 층간 저항이 5Ωㆍ㎠/매 미만인 것을 ×, 5Ωㆍ㎠/매 내지 10Ωㆍ㎠/매의 것을 △, 10Ωㆍ㎠/매 내지 50Ωㆍ㎠/매의 것을 ○, 50Ωㆍ㎠/매 이상의 것을 ◎로 하였다.
밀착성의 평가에서는, 변형 제거 어닐링(어닐링 온도 750℃×2시간, 질소 분위기 중) 후의 전자기 강판의 샘플에 점착 테이프를 부착한 후, 이것을 10㎜, 20㎜, 30㎜의 직경의 금속봉에 권취하였다. 계속해서, 점착 테이프를 벗겨내고, 벗겨진 흔적으로부터 밀착성을 평가하였다. 직경이 10㎜인 금속봉에 권취해도 벗겨지지 않았던 것을 10㎜φ OK로 하고, 직경이 20㎜인 금속봉에 권취해도 벗겨지지 않았던 것을 20㎜φ OK로 하였다. 또한, 직경이 30㎜인 금속봉에 권취해도 벗겨지지 않았던 것을 30㎜φ OK로 하고, 직경이 30㎜인 금속봉에 권취했을 때에 벗겨진 것을 30㎜φ OUT으로 하였다.
내식성은 JIS법의 염수 분무 시험(JIS Z2371)에 준하여 행하고, 7시간 경시 후의 샘플을 사용하여 10점 평가로 행하였다. 평가 기준은 이하와 같다.
10:녹 발생이 없었다
9:녹 발생이 극소량(면적률 0.1% 이하)
8:녹이 발생한 면적률=0.1% 초과 0.25% 이하
7:녹이 발생한 면적률=0.25% 초과 0.50% 이하
6:녹이 발생한 면적률=0.50% 초과 1% 이하
5:녹이 발생한 면적률=1% 초과 2.5% 이하
4:녹이 발생한 면적률=2.5% 초과 5% 이하
3:녹이 발생한 면적률=5% 초과 10% 이하
2:녹이 발생한 면적률=10% 초과 25% 이하
1:녹이 발생한 면적률=25% 초과 50% 이하
외관의 평가에서는, 광택이 있고, 평활하고 균일한 것을 5로 하고, 이하, 광택은 있지만 균일성이 약간 떨어지는 것을 4, 약간 광택이 있고 평활하지만 균일성이 떨어지는 것을 3, 광택이 적고, 평활성이 약간 떨어지고 균일성이 떨어지는 것을 2, 광택, 균일성, 평활성이 떨어지는 것을 1로 하였다.
내열성은 변형 제거 어닐링(어닐링 온도 750℃×2시간, 질소 분위기 중) 후, 강판 표면에 100gf(약 0.98N)의 하중으로 2㎜×30㎜의 거즈를 문지르고, 절연피막의 박리 상황에 기초하여 평가하였다. 박리되지 않았던 것을 5, 조금 박리된 것을 4, 확실하게 박리된 것을 3, 박리 상황이 심한 것을 2, 거즈로 문지르지 않아도 박리된 것을 1로 하였다.
표면 거칠기의 평가에서는, JIS법(JIS B0601)에 준한 시판의 표면 조도 측정 장치를 사용하여 중심선 평균 거칠기(Ra)를 측정하였다.
이들의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pct00003
표 3에 나타낸 바와 같이, 이 실험에 의해 본 발명의 효과가 명확해졌다. 즉, 표 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 해당하는 샘플에서는 열전도성의 평가에 있어서의 온도차가 20% 이하로 되어 있어, 우수한 열전도성을 갖고 있다고 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 해당하는 샘플은 열전도성에 추가하여, 절연성, 밀착성, 내식성, 외관 및 내열성이 우수한 것도 명백해졌다. 또한, 비교예에 해당하는 샘플에서는, 온도차가 20℃ 이상의 큰 값으로 되어 있는 것이 많고, 또한 절연성, 밀착성, 내식성, 외관 및 내열성 모두 우수한 것은 존재하지 않았다.
또한, 얻어진 샘플의 표면 거칠기는, 실시예에서는 0.27㎛ 내지 0.86㎛이고, 비교예에서 0.21㎛ 내지 1.27㎛였다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 관한 전자기 강판에서는, 적층 철심의 제조에 있어서, 바니시나 분체 도장 시에 가열됨으로써 전자기 강판 사이의 열전도성이 향상되고, 적층 방향의 열전도성이 낮다고 하는 문제점을 해결하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자이면, 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 이들에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 양해된다.
본 발명은, 예를 들어 전자기 강판 제조 산업 및 전자기 강판 이용 산업에 있어서 이용할 수 있다.

Claims (15)

  1. 지철과,
    상기 지철의 표면 상에 형성된 절연피막을 갖고,
    상기 절연피막은,
    인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와,
    평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 45질량부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판.
  2. 지철과,
    상기 지철의 표면 상에 형성된 절연피막을 갖고,
    상기 절연피막은,
    인산 금속염:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물:1질량부 내지 50질량부를 포함하는 제1 성분:100질량부와,
    평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판.
  3. 지철과,
    상기 지철의 표면 상에 형성된 절연피막을 갖고,
    상기 절연피막은,
    콜로이달 실리카:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물:40질량부 내지 400질량부를 포함하는 제1 성분:100질량부와,
    평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 상기 절연피막의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 상기 절연피막의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 상기 절연피막의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판.
  7. 지철의 표면에 처리액을 도포하는 공정과,
    상기 처리액의 베이킹 건조를 행하는 공정을 갖고,
    상기 처리액으로서,
    인산 금속염을 포함하는 제1 성분:100질량부와,
    평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 45질량부를 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  8. 지철의 표면에 처리액을 도포하는 공정과,
    상기 처리액의 베이킹 건조를 행하는 공정을 갖고,
    상기 처리액으로서,
    인산 금속염:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물의 에멀션:수지 고형분으로 1질량부 내지 50질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
    평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  9. 지철의 표면에 처리액을 도포하는 공정과,
    상기 처리액의 베이킹 건조를 행하는 공정을 갖고,
    상기 처리액으로서,
    콜로이달 실리카:100질량부와, 평균 입경이 0.05㎛ 내지 0.50㎛인 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종, 또는 2종 이상의 혼합물 혹은 공중합물의 에멀션:수지 고형분으로 40질량부 내지 400질량부를 포함하는 제1 성분:고형분으로 100질량부와,
    평균 입경이 2.0㎛ 내지 15.0㎛이고, 융점이 60℃ 내지 140℃이고, 폴리올레핀 왁스, 에폭시 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자로 이루어지는 제2 성분:수지 고형분으로 5질량부 내지 40질량부를 포함하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 베이킹 건조의 도달 온도를 150℃ 내지 300℃로 하고, 시간을 3초간 내지 15초간으로 하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 베이킹 건조의 도달 온도를 150℃ 내지 300℃로 하고, 시간을 3초간 내지 15초간으로 하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 베이킹 건조의 도달 온도를 150℃ 내지 300℃로 하고, 시간을 3초간 내지 15초간으로 하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 고형분 환산으로 상기 처리액의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 고형분 환산으로 상기 처리액의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분은 고형분 환산으로 상기 처리액의 90% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는, 전자기 강판의 제조 방법.
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