KR20110101073A - 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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KR20110101073A
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Abstract

본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 패턴을 형성할 수 있고, 200℃를 넘는 열처리를 하지 않고 절연막을 형성할 수 있으며, 게다가 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 사용했을 경우에 캐리어가 트랩되어 전하 이동도가 저하된다는 문제가 없는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것으로, 하기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물 및 광라디칼 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
Figure pat00030

(식(1) 중 R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타내며, 식(2) 중 R3은 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, 식(3) 중 R4는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 5∼6의 시클로알킬기를 나타내며, 식(4) 중 R5는 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)

Description

감광성 수지 조성물{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}
본 발명은 폴리실록산 화합물을 사용한 감광성 수지 조성물에 관한 것이며, 나아가 이 감광성 수지 조성물을 사용한 네거티브형 포토레지스트(특히 영구 레지스트)에 관한 것이다.
최근 액정표시장치, EL표시장치 등의 표시장치에 관한 연구가 활발하게 이루어지고 있으며, 저소비 전력으로 구동 가능한 표시장치 중 하나로서 전자 페이퍼가 주목받고 있다. 전자 페이퍼는 종이처럼 두께를 얇게 만들 수 있고, 저소비 전력화나 전원을 꺼도 화상을 유지할 수 있다는 이점을 가지고 있어, 전자 서적이나 포스터에의 이용이 기대되고 있다. 전자 페이퍼의 표시 기판에 플라스틱 필름을 사용하고, 표시장치의 구동부에 유기 박막 트랜지스터를 사용하면, 유연해서 굴곡해도 품질을 손상시키지 않고 표시할 수 있으며 응용 범위도 넓어, 보급이 진행되는 것으로 여겨지고 있다.
유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막은 일반적으로 탄화규소, 질화규소, 산화알루미늄, 산화탄탈, 산화티탄 등의 절연성이 높은 무기계 재료를 CVD법에 의해 성막(成膜)하여 제조하는데, CVD법은 대규모의 진공계 장치를 필요로 하기 때문에 제조 비용면에서 문제가 있다. 또한 이들 무기계 재료는 경질(硬質)이고 강직해서, 플라스틱 필름 등의 플렉시블한 기판에 적용했을 경우에는 굴곡에 의해 파손될 우려가 있다.
이에 반해, 유기계 재료는 유기 용매에 가용인 것이 많으므로 도포법이나 인쇄법에 의해 저렴하게 대량 제조가 가능하고, 또한 굴곡성이나 플라스틱 필름에의 밀착성이 뛰어나므로, 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막용 유기 절연 재료의 검토가 활발하게 이루어지고 있다.
전자 페이퍼 등에서는 미세한 표시장치가 필요하며, 거기에서 이용되는 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막에서는 미세한 패턴의 형성이 요구된다. 미세한 패턴의 형성방법으로서는 포토리소그래피가 있으며, 포토리소그래피에 의한 게이트 절연막의 형성이 가능한 감광성 수지 조성물로서는 알콕시실란의 축합물과 광산(光酸) 발생제 또는 염기 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물(예를 들면 특허문헌 1∼3을 참조)이 알려져 있다.
그러나 이러한 감광성 수지 조성물에서는 잔존하는 광산 발생제 또는 염기 발생제 및 그들의 분해물에 의해 전류 누설이 발생하는 경우가 있다. 또한 감광성 수지 조성물을, 알콕시실릴기의 가교에 의해 경화시키기 위해서는 200∼500℃ 정도로 열처리할 필요가 있다. 이 때문에 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 플라스틱 필름을 기판으로 할 수가 없었다. 포토리소그래피가 가능하고, 절연성이 높은 절연막이 얻어지는 감광성 수지 조성물로서는 에폭시기를 가지는 폴리실록산 화합물과 광산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물이 알려져 있지만, 이러한 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 절연막은 에폭시의 개환(開環)에 의해 생성되는 수산기에 의해 반도체층에 형성되는 캐리어가 트랩되어 전하 이동도가 저하된다는 문제가 있었다.
일본국 공개특허공보 평6-148895호 일본국 공개특허공보 2007-43055호 일본국 공개특허공보 2007-316531호
따라서 본 발명의 목적은 포토리소그래피에 의해 미세한 패턴을 형성할 수 있고, 200℃를 넘는 열처리를 하지 않고 절연막을 형성할 수 있으며, 게다가 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 사용했을 경우에 캐리어가 트랩되어 전하 이동도가 저하된다는 문제가 없는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자는 상기를 감안하여 예의 연구한 결과, 본 발명에 도달하였다. 즉, 본 발명은 하기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물, 및 광라디칼 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
Figure pat00001
(식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타낸다.)
Figure pat00002
(식 중, R3은 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
Figure pat00003
(식 중, R4는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 5 혹은 6의 시클로알킬기를 나타낸다.)
Figure pat00004
(식 중, R5는 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
본 발명의 효과는 투명성이 높을 뿐만 아니라 기판 제작시의 온도를 견딜 수 있는 내열성 및 내용제성, 나아가서는 영구 레지스트로서의 내(耐)경시 변화성이 뛰어난 절연층을 부여할 수 있는 감광성 수지 조성물(특히 네거티브형 감광성 수지 조성물), 이 감광성 수지 조성물을 사용한 네거티브형 포토레지스트(특히 영구 레지스트)를 제공한 데 있다.
도 1은 실시예 1 및 2 그리고 비교예 1 및 2의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 박막을 게이트 절연막으로 하는 바텀 게이트·탑 콘택트형 유기 박막 트랜지스터의 개략 단면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 바람직한 실시형태에 기초하여 상세하게 설명한다.
먼저, 상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물(이하, 본 발명의 폴리실록산 화합물이라고도 함)에 대하여 설명한다.
상기 일반식(1)에 있어서, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, 보존 안정성이 양호한 점에서 메틸기가 바람직하다. R2는 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1∼5의 알킬렌기로서는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌 및 펜텐을 들 수 있고, 내열성의 점에서는 탄소수가 적은 것이 바람직하지만, 공업적인 입수가 용이한 점에서 에틸렌, 프로필렌 및 부틸렌이 바람직하고, 에틸렌 및 프로필렌이 더욱 바람직하며, 프로필렌이 가장 바람직하다. R2에 있어서 가지고 있어도 되는 치환 알킬기로서는 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸 등을 들 수 있지만, 내열성의 점에서는 치환 알킬기를 갖지 않는 것이 바람직하다.
상기 일반식(2)에 있어서, R3은 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, 탄소수 1∼4의 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 2급 부틸, t-부틸 등을 들 수 있다. R3으로서는 공업적인 입수가 용이하고 내열성이 양호한 점에서 수소원자가 바람직하다.
상기 일반식(3)에 있어서, R4는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 5 혹은 6의 시클로알킬기를 나타낸다. 탄소수 1∼6의 알킬로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 2급 부틸, t-부틸, 펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, 2-펜틸, t-펜틸, 헥실, 2-헥실 등을 들 수 있고, 탄소수 5 혹은 6의 시클로알킬기로서는 시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로펜틸, 시클로펜틸메틸 등을 들 수 있다. R4로서는 내열성이 양호한 점에서 에틸 및 메틸이 바람직하고, 메틸이 더욱 바람직하다.
상기 일반식(4)에 있어서, R5는 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다. 탄소수 1∼4의 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 2급 부틸, t-부틸 등을 들 수 있다. R5로서는 공업적인 입수가 용이하고 내열성이 양호한 점에서 수소원자가 바람직하다.
본 발명의 폴리실록산 화합물에 있어서, 상기 일반식(1)로 표시되는 유닛의 함량은 0.1∼5mmol/g인 것이 바람직하고, 0.5∼3mmol/g인 것이 더욱 바람직하며, 1∼2.5mmol/g인 것이 가장 바람직하다. 상기 일반식(2)로 표시되는 유닛의 함량은 상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛의 수의 합계에 대하여 0.01∼0.8인 것이 바람직하고, 0.03∼0.5인 것이 더욱 바람직하며, 0.05∼0.3인 것이 가장 바람직하다. 상기 일반식(3)으로 표시되는 유닛의 함량은 상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛의 수의 합계에 대하여 0.03∼0.8인 것이 바람직하고, 0.07∼0.7인 것이 더욱 바람직하며, 0.15∼0.6인 것이 가장 바람직하다. 상기 일반식(4)로 표시되는 유닛의 함량은 상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛의 수의 합계에 대하여 0.01∼0.6인 것이 바람직하고, 0.03∼0.4인 것이 더욱 바람직하며, 0.05∼0.25인 것이 가장 바람직하다.
또한 상기 일반식(3)으로 표시되는 유닛의 수에 대한, 상기 일반식(2)로 표시되는 유닛의 수와 상기 일반식(4)로 표시되는 유닛의 수의 합계의 비는 본 발명의 감광성 수지 조성물이 사용되는 용도에 따라 다르지만, 네거티브형 포토레지스트로서 사용할 경우에는 0.3∼5.0이 바람직하고, 0.5∼3이 더욱 바람직하며, 1.5∼2.5가 가장 바람직하다. 또한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 렌즈, 광도파로 등의 투명 재료로서 사용할 경우에는 0.3∼7.0이 바람직하고, 0.3∼5가 더욱 바람직하며, 0.3∼3이 가장 바람직하다.
본 발명의 폴리실록산 화합물의 분자량이 너무 작을 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물의 도포성이나 성막성이 불충분해지고, 분자량이 너무 클 경우에는 핸들링성이 저하되므로, 본 발명의 폴리실록산 화합물은 질량평균 분자량으로 1000∼100000인 것이 바람직하고, 2000∼50000인 것이 더욱 바람직하며, 3000∼20000인 것이 가장 바람직하다. 또한 본 발명에 있어서 질량평균 분자량이란, 테트라하이드로푸란(이하, THF라고 함)을 용매로 해서 GPC 분석한 경우의 폴리스티렌 환산된 질량평균 분자량을 말한다.
본 발명의 폴리실록산 화합물은 그 제법상, 실란올기(SiOH기)가 남는 경우가 있는데, 실란올기가 존재함으로 인해 본 발명의 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되므로, 본 발명의 폴리실록산 화합물 중의 실란올기의 함량은 1.0mmol/g 이하인 것이 바람직하고, 0.1mmol/g 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한 실란올기는 근적외선 분광 광도계(일본국 공개특허공보 2001-208683호, 일본국 공개특허공보 2003-35667호 등을 참조)나 29Si-NMR(일본국 공개특허공보 2007-217249호 등을 참조)을 사용한 기기 분석에 의해 정량할 수 있다. 실란올기는 후술하는 바와 같이 할로실란(halosilane) 화합물이나 가수분해성 에스테르에 의해 감소시킬 수 있다.
본 발명의 폴리실록산 화합물은 밀착성이 향상되는 점에서, 하기 일반식(5)로 표시되는 유닛을 더 가지는 것이 바람직하다.
Figure pat00005
(식 중, E는 에폭시기를 가지는 기를 나타낸다.)
상기 일반식(5)에 있어서, E는 에폭시기를 가지는 기를 나타내고, 에폭시기를 가지는 기로서는 예를 들면 하기 일반식(6)∼(8)로 표시되는 기를 들 수 있으며, 밀착성의 향상 효과가 큰 점에서 하기 일반식(7) 및 (8)로 표시되는 기가 바람직하고, 하기 일반식(7)로 표시되는 기가 더욱 바람직하다.
Figure pat00006
(식 중, R6은 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타내고, m은 0 또는 1의 수를 나타낸다.)
Figure pat00007
(식 중, R7은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R8은 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타내며, n은 0 또는 1의 수를 나타낸다.)
Figure pat00008
(식 중, R9는 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타낸다.)
상기 일반식(6)에 있어서, R6은 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1∼5의 알킬렌기로서는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌 및 펜텐을 들 수 있고, 내열성의 점에서는 탄소수가 적은 것이 바람직하지만, 공업적인 입수가 용이한 점에서 에틸렌, 프로필렌 및 부틸렌이 바람직하고, 에틸렌 및 프로필렌이 더욱 바람직하며, 에틸렌이 가장 바람직하다. R6에 있어서 가지고 있어도 되는 치환 알킬기로서는 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸 등을 들 수 있지만, 내열성의 점에서는 치환 알킬기를 갖지 않는 것이 바람직하다. m은 0 또는 1의 수를 나타내고, 원료의 입수가 용이한 점에서 m은 1의 수가 바람직하다.
상기 일반식(7)에 있어서, R7은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R8은 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1∼5의 알킬렌기로서는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌 및 펜텐을 들 수 있고, 내열성의 점에서는 탄소수가 적은 것이 바람직하지만, 공업적인 입수가 용이한 점에서 에틸렌, 프로필렌 및 부틸렌이 바람직하고, 에틸렌 및 프로필렌이 더욱 바람직하며, 에틸렌이 가장 바람직하다. R8에 있어서 가지고 있어도 되는 치환 알킬기로서는 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸 등을 들 수 있지만, 내열성의 점에서는 치환 알킬기를 갖지 않는 것이 바람직하다. n은 0 또는 1의 수를 나타내고, 원료의 입수가 용이한 점에서 n은 1의 수가 바람직하다.
본 발명의 폴리실록산 화합물이 상기 일반식(5)로 표시되는 유닛을 더 가질 경우, 상기 일반식(5)로 표시되는 유닛의 함량이 너무 적을 경우에는 밀착성의 향상 효과가 적고, 또한 너무 많을 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 표면에 택(tack)이 생기는 경우가 있으므로, 상기 일반식(5)로 표시되는 유닛의 함량은 에폭시 당량으로 2000∼50000인 것이 바람직하고, 3000∼20000인 것이 바람직하다.
본 발명의 폴리실록산 화합물은 하기 일반식(1a)∼(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물의 가수분해 축합반응, 이른바 졸겔반응에 의해 얻을 수 있다.
Figure pat00009
(식 중, R1 및 R2는 상기 일반식(1)과 같은 의미이고, X1은 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
Figure pat00010
(식 중, R3은 상기 일반식(2)와 같은 의미이고, X2는 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
Figure pat00011
(식 중, R4는 상기 일반식(3)과 같은 의미이고, X3은 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
Figure pat00012
(식 중, R5는 상기 일반식(4)와 같은 의미이고, X4는 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
상기 일반식(1a)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들면 (아크릴옥시메틸)트리메톡시실란, (2-아크릴옥시프로필)트리메톡시실란, (3-아크릴옥시프로필)트리메톡시실란, (3-아크릴옥시프로필)트리에톡시실란, (메타크릴옥시메틸)트리메톡시실란, (2-메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, (3-메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, (3-메타크릴옥시프로필)트리에톡시실란을 들 수 있고, 상기 일반식(1a)로 표시되는 할로실란 화합물로서는, 예를 들면 (3-아크릴옥시프로필)트리클로로실란, (3-메타크릴옥시프로필)트리클로로실란 등을 들 수 있다. 상기 일반식(1a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물로서는, 반응성이 양호하고 반응의 제어가 용이한 점에서 (3-메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, 및 (3-메타크릴옥시프로필)트리에톡시실란이 바람직하고, (3-메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란이 더욱 바람직하다.
상기 일반식(2a)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들면 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리이소프로폭시실란, 4-메틸페닐트리메톡시실란, 4-메틸페닐트리에톡시실란, 4-메틸페닐트리이소프로폭시실란 등을 들 수 있고, 상기 일반식(2a)로 표시되는 할로실란 화합물로서는, 예를 들면 페닐트리클로로실란, 4-메틸페닐트리클로로실란 등을 들 수 있다. 상기 일반식(2a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물로서는, 반응성이 양호하고 반응의 제어가 용이한 점에서 페닐트리메톡시실란, 및 페닐트리에톡시실란이 바람직하고, 페닐트리메톡시실란이 더욱 바람직하다.
상기 일반식(3a)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들면 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디이소프로폭시실란, 디에틸페닐디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디이소프로폭시실란, 디프로필디메톡시실란, 디프로필디에톡시실란, 디프로필디이소프로폭시실란 등을 들 수 있고, 상기 일반식(3a)로 표시되는 할로실란 화합물로서는, 예를 들면 디메틸디클로로실란, 디에틸디클로로실란, 디프로필디클로로실란 등을 들 수 있다. 상기 일반식(2a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물로서는, 반응성이 양호하고 반응의 제어가 용이한 점에서 디메틸디메톡시실란 및 디메틸디에톡시실란이 바람직하고, 디메틸디메톡시실란이 더욱 바람직하다.
상기 일반식(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들면 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디페닐디이소프로폭시실란, 비스(4-메틸페닐)디메톡시실란, 비스(4-메틸페닐)디에톡시실란, 비스(4-메틸페닐)디이소프로폭시실란 등을 들 수 있고, 상기 일반식(4a)로 표시되는 할로실란 화합물로서는, 예를 들면 디페닐디클로로실란, 비스(4-메틸페닐)디클로로실란 등을 들 수 있다. 상기 일반식(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물로서는, 반응성이 양호하고 반응의 제어가 용이한 점에서 디페닐디메톡시실란, 및 디페닐디에톡시실란이 바람직하고, 디페닐디메톡시실란이 더욱 바람직하다.
상기 일반식(1a)∼(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물을 가수분해 축합할 경우, 용매 중에서 산 또는 염기 등의 촉매를 사용해서 반응시키는 것이 바람직하다. 반응에 사용할 수 있는 용매로서는 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 톨루엔, 크실렌, 시클로헥산 등을 들 수 있고, 이들 중 1종을 사용할 수도 2종 이상을 혼합해서 사용할 수도 있다. 물 이외의 용매를 사용하기 위해서는 가수분해 축합반응을 촉진하기 위해 적량의 물을 첨가해서 반응시키는 것이 바람직하다.
알콕시실란 화합물이나 할로실란 화합물의 가수분해 축합반응에서는 알콕시실릴기나 할로실릴기가 물에 의해 가수분해되어 실란올기가 생성되고, 이 생성된 실란올기끼리, 또는 실란올기와 알콕실기 혹은 클로로실란기가 축합하여 실록산기(SiOSi기)가 생성된다.
상기의 가수분해 축합반응의 촉매로서는 염산, 인산, 황산 등의 무기 산류; 포름산, 아세트산, 옥살산, 구연산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 인산모노이소프로필 등의 유기 산류; 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 암모니아 등의 무기 염기류; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 아민 화합물(유기 염기)류 등을 들 수 있고, 이들 중 1종을 사용할 수도, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 가수분해 축합반응의 온도는 용매의 종류, 촉매의 종류 및 양 등에 따라 바뀌지만, 0∼80℃가 바람직하고, 5∼50℃가 더욱 바람직하며, 8∼30℃가 가장 바람직하다.
상기 일반식(1a)∼(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물을 가수분해 축합할 경우, 각각의 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물을 따로따로 반응시켜도 되고, 혼합하고나서 반응시켜도 되지만, 반응물의 편차가 적어 안정적으로 생산할 수 있는 점에서 혼합하고나서 반응시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 폴리실록산 화합물이 상기 일반식(5)로 표시되는 유닛을 더 가질 경우에는 상기 일반식(1a)∼(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물에 더해서, 하기 일반식(5a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물을 가수분해 축합하면 된다.
Figure pat00013
(식 중, E는 상기 일반식(5)와 같은 의미이고, X5는 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
상기 일반식(5a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물로서는, 예를 들면 3,4-에폭시부틸트리메톡시실란, 2-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-글리시독시-1-메틸에틸트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3,4-에폭시시클로헥실트리메톡시실란, 3,4-에폭시시클로헥실트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시-4-메틸시클로헥실)프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
본 발명의 폴리실록산 화합물을 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물의 가수분해 축합반응에 의해 얻는 경우에는 제법상 실란올기가 남고, 그 실란올기가 존재함으로 인해 본 발명의 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하되므로 실란올기를 봉지(封止)하는 것이 바람직하다. 실란올기를 봉지할 경우에는 트리메틸클로로실란, 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane)에 의해 트리메틸실릴화하는 방법, 오르토 개미산에스테르, 오르토 아세트산에스테르, 테트라알콕시메탄, 탄산에스테르 등의 가수분해성 에스테르 화합물에 의해 알콕실화하는 방법 등을 들 수 있다.
다음으로 광라디칼 발생제에 대하여 설명한다. 본 발명에 있어서 광라디칼 발생제란, 에너지선 조사에 의해 라디칼 중합을 개시시키는 것이 가능한 화합물을 말하며, 에너지선으로서는 자외선, 전자선, X선, 방사선, 고주파 등을 들 수 있다. 광라디칼 발생제로서는 아세토페논계 광라디칼 발생제, 벤질계 광라디칼 발생제, 벤조페논계 광라디칼 발생제, 티오크산톤계 광라디칼 발생제, 아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제 등을 들 수 있다. 광라디칼 발생제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 아세토페논계 광라디칼 발생제로서는, 예를 들면 디에톡시아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4'-이소프로필-2-하이드록시-2-메틸프로피오페논, 2-하이드록시메틸-2-메틸프로피오페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, p-디메틸아미노아세토페논, p-터샤리부틸디클로로아세토페논, p-터샤리부틸트리클로로아세토페논, p-아지드벤잘아세토페논, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파논-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 2-하이드록시-2-메틸-1-[4-비닐-(1-메틸비닐)페닐]프로파논의 올리고머 등을 들 수 있다.
상기 벤질계 광라디칼 발생제로서는, 예를 들면 디페닐디케톤(벤질이라고도 함), 비스(4-메톡시페닐)디케톤(아니실(anisyl)이라고도 함) 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논계 광라디칼 발생제로서는, 예를 들면 벤조페논, o-벤조일 안식향산 메틸, 미힐러 케톤(Michler's ketone), 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 광라디칼 발생제로서는, 예를 들면 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제로서는, 예를 들면 2-메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀산 메틸에스테르 등의 모노아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제; 비스(2,6-디메톡시벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 등의 비스아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제를 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화시켜 유기 박막 트랜지스터용 게이트 절연막으로서 사용할 경우에는, 상기 광라디칼 발생제로서는 높은 전하 이동도가 얻어지는 점에서 아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제가 바람직하고, 모노아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제가 더욱 바람직하며, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드가 가장 바람직하다. 2종 이상의 광라디칼 발생제를 병용할 경우에는 적어도 1종이 아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제인 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화시켜 렌즈, 도파로 등의 투명 재료로서 이용할 경우에는, 상기 광라디칼 발생제로서는 투명성이 높은 경화물이 얻어지는 점에서 아세토페논계 광라디칼 발생제 및 아실포스핀옥사이드계 광라디칼 발생제가 바람직하고, 아세토페논계 광라디칼 발생제가 더욱 바람직하며, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤이 가장 바람직하다. 2종 이상의 광라디칼 발생제를 병용할 경우에는 적어도 1종이 아세토페논계 광라디칼 발생제인 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 광라디칼 발생제의 함유량은 광라디칼 발생제의 종류, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 라디칼 중합성기의 함유량, 활성 에너지선의 종류와 강도 등에 따라 바뀌지만, 본 발명의 폴리실록산 화합물 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.2∼7질량부인 것이 더욱 바람직하며, 0.3∼5질량부인 것이 가장 바람직하다. 상기 광라디칼 발생제의 함유량이 0.1질량부 미만이면 경화가 불충분해지는 경우가 있고, 10질량부를 넘으면 배합량에 걸맞은 증량 효과가 얻어지지 않을 뿐만 아니라, 오히려 내열성, 투명성 등에 악영향을 끼치는 경우가 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 유기 용제를 더 함유해도 된다. 이러한 유기 용제로서는 예를 들면 벤젠, 크실렌, 톨루엔, 에틸벤젠, 스티렌, 트리메틸벤젠, 디에틸벤젠, 테트라하이드로나프탈렌 등의 방향족 탄화수소 화합물; 펜탄, 이소펜탄, 헥산, 이소헥산, 헵탄, 이소헵탄, 옥탄, 이소옥탄, 노난, 이소노난, 데칸, 이소데칸, 이소도데칸, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 멘탄(menthane), 데카하이드로나프탈렌 등의 포화 탄화수소 화합물; 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산 등의 에테르계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤, 메틸아밀케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산프로필, 아세트산시클로헥실 등의 에스테르계 용매; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 글리콜에스테르계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독 혹은 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포법이나 인쇄법에 의해 사용할 경우, 상기 유기 용제의 함유량은 본 발명의 폴리실록산 화합물 100질량부에 대하여 5∼200질량부인 것이 바람직하고, 10∼100질량부인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 유기 용제 외에, 필요에 따라서 광증감제, 가소제, 칙소성 부여제, 광산 발생제, 열산(熱酸) 발생제, 분산제, 소포제(消泡劑), 안료, 염료 등의 임의 성분을 배합할 수 있다. 이들 임의 성분의 배합량은 본 발명의 폴리실록산 화합물 100질량부에 대하여 합계로 0.001∼1질량부인 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 기판 등의 대상물 위에 본 발명의 감광성 수지 조성물 층을 형성한 후에 활성 에너지선을 조사함으로써 경화한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 침지 도공, 플로우 도공, 브러시 도공, 스프레이 도포, 압출 도공, 스핀 도공, 롤 도공, 바 도공 등을 사용할 수 있으며, 스크린 도공이나 롤 전사 등의 방법에 의하면 패터닝된 막을 형성할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물 층이 형성되는 대상물로서는 특별히 한정되지 않으며, 용도에 따라 실리콘 기판, 유리 기판, 금속판, 플라스틱판 등이 이용된다. 대상물 위에 형성되는 본 발명의 감광성 수지 조성물 층의 두께는 용도에 따라 다르지만, 반도체 소자의 절연막이나 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 사용할 경우에는 10nm∼10㎛, 광도파로의 코어 부분으로서 사용할 경우에는 1∼200㎛가 목표가 된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 유기 용제를 함유할 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물 층을 형성한 후에, 층 중의 유기 용제를 제거할 목적으로 가열 처리(프리 베이킹이라고도 함)를 실시한다. 가열 처리의 조건은 사용한 유기 용제의 비점이나 증기압, 본 발명의 감광성 수지 조성물 층의 두께, 층을 형성한 대상물의 내열(耐熱) 온도에 따라 적절히 선택되는데, 60∼140℃로 30초∼10분의 가열 처리가 목표가 된다.
감광성 수지 조성물 층에 활성 에너지선을 조사하는 광원으로서는, 초고압 수은등, Deep UV 램프, 고압 수은등, 저압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 엑시머 레이저(excimer laser) 등을 들 수 있고, 이들 광원은 광라디칼 발생제나 증감제의 감광 파장에 따라 적절히 선택된다. 활성 에너지선의 조사 에너지는 감광성 수지 조성물 층의 두께나 광라디칼 발생제의 종류나 사용량에 따라 적절히 선택된다.
활성 에너지선을 조사함으로써 감광성 수지 조성물 층이 경화되는데, 경화물의 층과 기판 등의 대상물과의 밀착성을 향상시키기 위해 가열 처리(포스트 베이킹이라고도 함)를 해도 된다. 이러한 가열 처리는 바람직하게는 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스 분위기하에 60∼200℃의 온도로 1분∼2시간 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 도막은 포토리소그래피가 가능하며, 네거티브형 포토레지스트(특히 영구 레지스트)로서 사용할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 네거티브형 포토레지스트로서 사용할 경우에는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 등에 도포해서 형성된 도막에 활성 에너지선을 조사할 경우에, 감광성 수지 조성물의 도막을 포토마스크로 피복하여 활성 에너지선을 선택적으로 조사한 후, 차광한 부분(미경화 부분)을 유기 용매나 현상액 등에 용해·분산시켜 제거하는 것(현상이라고도 함)에 의해 패터닝된 경화막을 형성할 수 있다. 차광한 부분을 용해·분산시키는 유기 용매로서는, 예를 들면 알칼리성 수용액, 산성 수용액, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에탄올, 이소프로판올, n-프로판올, 벤젠, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 1,3,5-트리메틸벤젠, 1,3,4-트리메틸벤젠 등을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막은 투명성, 절연성, 고굴절률, 내열성, 내후성, 내약품성 등이 뛰어나므로 LED 등의 봉지 재료, 광도파로, 광학 렌즈, 반도체 장치의 절연막으로서 유용하다. 특히 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 사용했을 경우에 캐리어가 트랩되어 전하 이동도가 저하된다는 문제가 적어, 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 매우 유용하다.
[실시예]
이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[제조예 A: 폴리실록산 화합물 A의 제조]
교반기, 온도계 및 환류기를 가지는 반응 용기에 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 124.2g(0.5몰), 페닐트리메톡시실란 39.7g(0.2몰), 디메틸디메톡시실란 132.2g(1.1몰), 디페닐디메톡시실란 75.3g(0.2몰) 및 용제로서 1-부탄올 300g을 투입하였다. 교반하여 70℃까지 가열한 후 0.12% 인산 수용액 100부를 적하하고 80℃로 1시간 더 반응시켰다. 이어서 수산화나트륨 수용액을 첨가하여 반응액을 중화한 후 80℃로 1시간 반응시켰다. 톨루엔 300g을 첨가한 후 교반을 정지하고 분리된 물 함유층을 제거하였다. 톨루엔층을 물 1000g으로 3회 수세한 후, 질소 기류하 40℃로 감압하여 용매를 증류 제거하였다. 이것에, 오르토 포름산 트리에틸 300g을 첨가하여 130℃로 1시간 처리한 후, 질소 기류하 80℃로 감압하여 미반응 오르토 포름산 트리에틸 등의 휘발성 성분을 증류 제거하여, 본 발명의 폴리실록산 화합물 A를 얻었다. GPC에 의한 분석 결과, 질량평균 분자량은 7500이고, 1H-NMR에 의한 분석 결과, 실란올기는 검출되지 않았다.
[제조예 B∼I: 폴리실록산 화합물 B∼I의 제조]
제조예 A에 있어서, 표 1에 나타내는 알콕시실란 화합물을 사용하는 것 이외에는 제조예 A와 동일한 조작을 행하여, 표 1에 나타내는 폴리실록산 화합물 B∼I를 합성하였다. 표 중의 수치는 알콕시실란 화합물의 반응 몰비를 나타낸다. 표 1의 폴리실록산 화합물 중, 폴리실록산 화합물 A∼E는 본 발명의 폴리실록산 화합물이고, 폴리실록산 화합물 F∼I는 비교를 위한 폴리실록산 화합물이다. 또한 표 2에 질량평균 분자량 및 실란올기 함량의 분석 결과를 나타낸다.
Figure pat00014
Figure pat00015
[실시예 1∼7 및 비교예 1∼5]
폴리실록산 화합물 A∼I, 하기의 아크릴레이트 A 및 B, 광라디칼 발생제로서 비스(2,6-디메톡시벤조일)페닐포스핀옥사이드(이하, 광라디칼 발생제 1이라고 함), 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤(이하, 광라디칼 발생제 2라고 함), 광산 발생제로서 [4-(2-클로로-4-벤조일페닐티오)페닐비스(4-클로로페닐)술포늄헥사플루오로안티모네이트], 하이드로실릴화 촉매로서 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체, 및 용제로서 아세트산부틸을 사용하고, 표 3의 조성으로 실시예 1∼7 및 비교예 1∼5의 감광성 수지 조성물 또는 열경화성 수지 조성물을 조제하였다.
Figure pat00016
Figure pat00017
<감광성 수지 조성물의 게이트 절연막으로서의 평가>
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 감광성 수지 조성물 또는 열경화성 수지 조성물의 게이트 절연막으로서의 특성을 평가하기 위해, 도 1에 나타내는 것과 같은 유기 박막 트랜지스터를 다음과 같이 해서 제작하였다.
유리 기판(6)상에 크롬(Cr)을 증착시켜 폭 2mm, 두께 약 100nm의 인출 전극을 형성하여 게이트 전극(4)으로 하였다. 이 위에 실시예 1, 2 및 비교예 1의 감광성 수지 조성물, 그리고 비교예 2의 열경화성 수지 조성물을 막두께가 약 1㎛가 되도록 스핀 코트하여 공기 건조한 후, 실시예 1 및 2 그리고 비교예 1에서는 고압 수은등을 5000mJ/㎠ 조사함으로써, 비교예 2에서는 질소 분위기하 150℃로 2시간 가열함으로써 경화시켜 게이트 절연막(5)을 형성하였다. 게이트 절연막(5) 위에 폴리-(3-헥실)티오펜의 크실렌 용액을 건조 후의 막두께가 30nm가 되도록 스핀 코트하고, 공기 건조하여 유기 반도체막(1)을 형성하였다. 폴리-(3-헥실)티오펜을 활성화시키기 위해 질소 분위기하 150℃로 30분 아닐(annealing) 처리를 행하였다. 유기 반도체막(1) 위에 금(Au)을 증착시켜, 채널폭 2mm, 두께 약 30nm로 채널길이 100㎛의 소스 전극(2)과 드레인 전극(3)을 형성시킴으로써, 실시예 1 및 2 그리고 비교예 1 및 2에 대하여 각각 12개의 바텀 게이트·탑 콘택트형 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다.
실시예 1 및 2 그리고 비교예 1 및 2의 유기 박막 트랜지스터에 대하여, 반도체 파라미터 애널라이저(Keithley사 제품, 제품명 SCS4200)를 이용해서 수송 특성을 측정하고, 전하 이동도(μ)를 산출하였다. 한편 전하 이동도(μ)는 하기의 식으로 정의되며, 구체적으로는 드레인 전류(ID)의 절대값의 평방근을 세로축에, 게이트 전압(VG)을 가로축에 플롯했을 때의 포화 영역에서의 그래프의 기울기를 바탕으로 전하 이동도(μ)를 구하였다. 측정은 질소가스 분위기하, 차광 상태에서 행하였다. 전하 이동도(μ)는 수송 특성이 측정 가능했던 유기 박막 트랜지스터의 평균으로 하고, 전류 누설에 의해 수송 특성이 측정 불가능했던 유기 박막 트랜지스터의 수를 불량품수로 하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure pat00018
ID: 드레인 전류
W: 트랜지스터의 채널폭
L: 트랜지스터의 채널길이
C: 게이트 절연막의 정전용량
VG: 게이트 전압
VT: 트랜지스터의 역치전압
μ: 전하 이동도
Figure pat00019
<감광성 수지 조성물의 열착색성 평가>
2.5cm 사방의 유리 기판상에 실시예 3∼7 그리고 비교예 1 및 3∼5의 감광성 수지 조성물을 건조 후의 막두께가 약 500㎛가 되도록 스핀 코트에 의해 도포하고 용제를 휘발시켰다. 이 시험편을 120℃로 30분간 가열 처리하였다. 가열 처리 후의 유리 기판 상부에 선폭 1mm가 그려진 포토마스크를 설치하고, 고압 수은등에 의해 자외선을 100mJ/㎠로 조사하였다. 다음으로 이 시험편을 아세트산에틸을 넣은 비이커에 침지하여 미경화 부분을 용해 제거하고, 공기 건조한 것을 가열 착색성 평가용 시험편으로서 이용하였다. 시험편은 모두 무색 투명이고, 경화물의 파장 837nm에서의 굴절률은 표 6에 나타내는 대로이다. 이 시험편을 150℃의 항온조에 넣고 15일 경과 후에 꺼내, 경화물의 착색을 육안 관찰하여 하기의 평가 기준으로 열착색성을 평가하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
<평가 기준>
◎: 착색이 보이지 않아 열착색성이 낮다.
○: 조금 착색되어 있어 열착색성이 다소 높다.
△: 명백히 착색되어 있어 열착색성이 높다.
×: 경화물을 통해 문자의 선을 판별할 수 없을 만큼 착색되어 있어 열착색성이 매우 높다.
Figure pat00020
표 4의 결과가 나타내는 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 게이트 절연막에서는 높은 전하 이동도가 얻어진다. 이에 반해, 에폭시기를 가지는 폴리실록산 화합물과 광산 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 게이트 절연막(비교예 1) 및, 비닐기를 가지는 폴리실록산 화합물, SiH기를 가지는 폴리실록산 화합물 및 하이드로실릴화 촉매(백금 촉매)를 함유하는 열경화성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 게이트 절연막(비교예 2)에서는 낮은 전하 이동도밖에 얻어지지 않았고, 특히 후자에서는 불량품률이 높다는 문제가 있다.
또한 표 5의 결과가 나타내는 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 네거티브형 포토레지스트로서 사용하는 것이 가능하며, 그 경화물은 굴절률이 높고 고온에서도 열착색성이 낮다(실시예 3∼7). 이에 반해, 본원 발명의 감광성 수지 조성물과는 조성이 다른 감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물(비교예 1 및 3∼5)에서는 열착색성이 높다.
이것은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 투명한 고굴절률 재료, 예를 들면 렌즈, 광도파로 등에 사용했을 경우에 고온에서도 투명성을 잃지 않고 사용 가능하다는 것을 나타내는 것이다.
1 유기 반도체막(층) 2 소스 전극
3 드레인 전극 4 게이트 전극
5 절연층(게이트 절연막) 6 지지체(기판)

Claims (4)

  1. 하기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물 및 광라디칼 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00021

    (식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 치환 알킬기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1∼5의 알킬렌기를 나타낸다.)
    [화학식 2]
    Figure pat00022

    (식 중, R3은 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
    [화학식 3]
    Figure pat00023

    (식 중, R4는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 5 혹은 6의 시클로알킬기를 나타낸다.)
    [화학식 4]
    Figure pat00024

    (식 중, R5는 수소원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물이, 하기 일반식(5)로 표시되는 유닛을 더 가지는 폴리실록산 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    [화학식 5]
    Figure pat00025

    (식 중, E는 에폭시기를 가지는 기를 나타낸다.)
  3. 제1항에 있어서,
    상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물이, 하기 일반식(1a)∼(4a)로 표시되는 알콕시실란 화합물 또는 할로실란 화합물을 가수분해 축합해서 얻어진 폴리실록산 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    [화학식 6]
    Figure pat00026

    (식 중, R1 및 R2는 상기 일반식(1)과 같은 의미이고, X1은 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
    [화학식 7]
    Figure pat00027

    (식 중, R3은 상기 일반식(2)와 같은 의미이고, X2는 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
    [화학식 8]
    Figure pat00028

    (식 중, R4는 상기 일반식(3)과 같은 의미이고, X3은 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
    [화학식 9]
    Figure pat00029

    (식 중, R5는 상기 일반식(4)와 같은 의미이고, X4는 할로겐원자 또는 탄소수 1∼4의 알콕실기를 나타낸다.)
  4. 제1항에 있어서,
    상기 일반식(1)∼(4)로 표시되는 유닛을 가지는 폴리실록산 화합물 100질량부에 대하여, 상기 광라디칼 발생제를 0.1∼10질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
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