KR20110090822A - 광반도체 장치 - Google Patents

광반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110090822A
KR20110090822A KR1020110010145A KR20110010145A KR20110090822A KR 20110090822 A KR20110090822 A KR 20110090822A KR 1020110010145 A KR1020110010145 A KR 1020110010145A KR 20110010145 A KR20110010145 A KR 20110010145A KR 20110090822 A KR20110090822 A KR 20110090822A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor element
resin layer
sealing
sealing resin
Prior art date
Application number
KR1020110010145A
Other languages
English (en)
Inventor
다까시 곤도
고지 아까자와
다까시 오자끼
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20110090822A publication Critical patent/KR20110090822A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 광반도체 소자 탑재 기판에 대면하도록 배치한 후, 압착 성형하여 제조되는 광반도체 장치이며, 상기 파장 변환층은 광반도체 소자를 매설한 성형체의 상부에는 존재하지만, 상기 성형체의 측면에는 존재하지 않는, 광반도체 장치에 관한 것이다.

Description

광반도체 장치{OPTICAL-SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 광반도체 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 광반도체 소자 밀봉용 시트로 일괄 밀봉된 광반도체 장치, 상기 장치에 사용되는 광반도체 소자 밀봉용 시트 및 상기 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
백열 전구나 형광등을 대신하여, 광반도체(발광 다이오드, LED)의 발광 장치가 널리 사용되게 되었다. 백색광 LED 장치에는 여러가지 종류가 있지만, 청색 발광 소자를 사용하고, 밀봉 수지에 청색을 황색으로 변환하는 인광체를 분산시켜 청색과 황색의 혼합색으로서 백색광을 방출하는 발광 시스템이 현재의 백색광 LED 장치의 주류이다.
최근, 발광 소자의 개발이 급속하게 진행되고 있고, 종래의 포탄형을 주로 포함한 저휘도의 백색 패키지를 대신하여, 일반 조명 기구나 액정 텔레비전의 백라이트에도 사용할 수 있는 고휘도의 백색 LED 패키지가 주류가 되고 있다. 그로 인해, 종래 밀봉 수지로서 사용되는 에폭시 수지는 광과 열에 의한 열화에 의해 투명성이 저하된다는 문제가 발생하므로, 실리콘 등의 열화가 적은 수지가 사용되었다. 한편, 실리콘 수지는 내구성이 양호하지만, 일반적으로 액체 상태로부터 패키지를 성형할 필요가 있어, 밀봉시의 작업성의 불량이 낮은 처리량, 나아가 고비용의 요인이 되고 있다.
이러한 이유로, 액상물을 사용한 밀봉 방법을 대신하여, 밀봉 시트를 사용한 밀봉 방법이 제안되어, 작업성의 대폭적인 개선이 이루어졌다. 또한, 파장 변환층을 발광 소자로부터 이격된 공간에, 즉 패키지의 최외측에 배치함으로써, 광 취출 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 균일한 파장 변환층을 최외층에 용이하게 형성할 수 있다는 관점에서도, 밀봉 시트를 사용한 패키지의 제작 방법이 주목을 모으고 있다.
밀봉 시트를 사용한 패키지의 제작은, 일반적으로 발광 소자 상에 밀봉 시트 및 오목형 금형을 이 순서대로 놓고, 압착 성형함으로써 행해진다. 이 경우, 발광 소자의 상부 및 측면(측부)의 각각에서 패키지의 최외측에는 균일한 파장 변환층이 형성된다. 따라서, 광 취출 효율이 높아, 밝은 장치를 얻는 것이 가능하게 된다.
그러나, 방출된 광의 배향 상태, 즉 방사된 광의 각각의 각도에서의 광의 색 분포를 상세하게 조사하면, 정면 방향을 향해 방사된 광에 비해 광각 방향을 향해 방사된 광은 색이 짙어지는 경향이 있다. 이것은 정면 방향에 비해 광각 방향을 향해 방사되는 광이 파장 변환층을 긴 거리로 통과하기 때문이다. 따라서, 밀봉 시트를 사용하여 제작되는 비교적 높이가 낮은 패키지의 경우, 각각의 각도에서의 색도차, 즉 색도의 각도 의존성이 커서, 조명 등에 사용되는 경우에는, 보는 방향에 따른 광의 색도의 차이가 문제가 된다.
이러한 문제를 개선하기 위해, 패키지의 높이를 높게 하고, 또한 측부의 파장 변환층을 발광 소자에 대하여 수직이 되도록 배치한 돔형 패키지가 제안되었다(특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2008-159705호 공보
돔형 패키지는 제작하기 어렵다는 제조상의 문제점을 갖고 있고, 최근의 박형 패키지의 경향에 반대되는 것이기 때문에, 충분히 만족스러운 것이 아니다. 따라서, 밀봉 시트를 사용하여 간편하게 제작할 수 있고, 또한 두께가 얇고, 각도 의존성이 낮은 패키지가 요망된다.
본 발명의 과제는 밀봉 시트를 사용하여 간편하게 제작할 수 있고, 또한 두께가 얇고, 색도 각도 의존성이 낮은 광반도체 장치, 상기 장치에 사용되는 광반도체 소자 밀봉용 시트 및 상기 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은 하기 항목 (1) 내지 (4)에 관한 것이다.
(1) 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치한 후, 압착 성형하여 제조되는 광반도체 장치이며,
상기 파장 변환층은 광반도체 소자를 매설한 성형체의 상부에는 존재하지만, 상기 성형체의 측면에는 존재하지 않는, 광반도체 장치.
(2) 항목 (1)에 있어서, 밀봉 수지층의 두께를 (X)(mm), 광반도체 소자 1개를 밀봉하는 데 필요한 광반도체 소자 밀봉용 시트의 면적을 (Y)(mm2), 광반도체 소자의 상부의 면적을 (A)(mm2)로 할 경우, 하기 수학식 1 및 2를 만족하는, 광반도체 장치.
Figure pat00001
Figure pat00002
(3) 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는, 광반도체 소자 밀봉용 시트.
(4) 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치하는 단계; 및
평탄한 면을 이용하여 광반도체 소자 밀봉용 시트의 표면 상에 압력을 가함으로써 성형하는 단계를 포함하는, (1) 또는 (2)에 따른 광반도체 장치의 제조 방법.
본 발명의 광반도체 장치는 밀봉 시트를 사용하여 간편하게 제작할 수 있고, 또한 두께가 얇고, 색도 각도 의존성이 낮기 때문에, 모든 각도에 걸쳐 균일한 색의 광을 방출할 수 있다.
도 1은 실시예 1의 광반도체 장치의 단면을 도시하는 모식도이다.
도 2는 비교예 1의 광반도체 장치의 단면을 도시하는 모식도이다.
본 발명의 광반도체 장치는 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치한 후, 압착 성형하여 제조되며, 상기 파장 변환층은 광반도체 소자를 매설한 성형체의 상부에는 존재하지만, 상기 성형체의 측면(측부)에는 존재하지 않는 구조를 갖는다는 큰 특징을 갖는다.
소정 두께의 파장 변환층을 광반도체 소자의 주위(상부 및 측면)에 갖는 일반적인 패키지의 경우, 대면 방향(광반도체 소자 탑재 기판의 평면에 대하여 수직 방향)으로 방사되는 광이 파장 변환층을 통과하는 거리는 파장 변환층의 두께와 동등해진다. 그러나, 광각 방향을 향해 방사되는 광은 파장 변환층을 비스듬히 통과하기 때문에, 통과 거리가 파장 변환층의 두께보다도 커지므로, 보다 광각으로 방사되는 광은 파장 변환의 효과를 받아 색이 짙어진다. 또한, 바로 가로 방향(광반도체 소자 탑재 기판에 대하여 평행 방향)으로 방사되는 광이 파장 변환층을 통과하는 거리는 파장 변환층의 두께와 동등해지지만, 바로 가로 방향으로 방출되는 광은, 파장 변환층에서 반복적으로 반사된 광이기 때문에, 실제로는 색이 짙어진다. 따라서, 이러한 패키지로부터 방사되는 광은, 대면 방향으로부터 바로 가로 방향까지의 광각이 됨에 따라 색이 짙어지는 경향이 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 패키지 측면(측부)에 파장 변환층을 존재시키지 않음으로써, 측면으로부터 엷은 색의 광을 방사시켜 전체적으로 균일한 색도를 갖는 발광이 얻어진다. 이것은 측면에서는 파장 변환 기능이 없지만, 상술한 바와 같이, 거기에서 방출되는 광의 색은 소자로부터 방출되는 광과 동일한 색이 아니라, 파장 변환층에서 반복적으로 반사된 광과의 혼합색이므로, 그 결과, 정면으로부터 방출되는 광과 거의 동일한 색의 광이 방출되기 때문인 것으로 생각된다. 따라서, 경사 방향으로 방사되는 광과, 정면과 바로 가로 방향으로부터 방사되는 엷은 색의 광이 혼합됨으로써, 모든 각도에 걸쳐 균일한 색의 광이 방출된다.
본 발명의 광반도체 장치는 광반도체 밀봉용 시트를 사용하여 일괄 밀봉하여 제작되며, 상기 광반도체 소자 밀봉용 시트는 광반도체 밀봉용 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하는 파장 변환층을 포함한다.
밀봉 수지층은 밀봉시의 압착 성형에 의해 광반도체 소자를 매설할 수 있는 층이며, 밀봉시에는 소자를 매설할 수 있는 가요성, 및 사용시에는 외부의 충격으로부터 소자를 보호할 수 있는 강도가 요구된다. 이러한 관점에서, 밀봉 수지층은 저 탄성(가소성)과, 그 후 이를 경화시켜 그 형상을 유지하는 특성(후경화성)이 요구된다.
이러한 특성을 갖는 밀봉 수지층을 구성하는 수지로서는, 가소성과 후경화성을 겸비하는 것이면 특별히 한정은 없지만, 내구성의 관점에서, 실리콘 수지를 주성분으로 함유하는 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 본원에 사용된 "주성분"이란 용어는, 수지층을 구성하는 성분 중 50％ 이상을 차지하는 성분을 의미한다.
실리콘 수지로서는, 실록산 구조에서의 가교수에 따라 겔화물, 반경화물, 경화물 등의 실리콘 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 이들의 조합으로 사용할 수 있지만, 본 발명의 밀봉 수지층은 밀봉시의 압력에 의해 층의 형상이 변화하는 것과 같은 가요성을 갖고, 또한 경화한 때에 충격 등에 견딜 수 있는 강도를 갖는 등의, 온도에 따라 다른 강도를 나타내는 것이 바람직하기 때문에, 2개의 반응계를 갖는 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지가 바람직하다.
2개의 반응계를 갖는 실리콘 수지로서는, 예를 들어 실란올 축합 반응과 에폭시 반응의 2개의 반응계를 갖는 수지, 및 실란올 축합 반응과 히드로실릴화 반응의 2개의 반응계를 갖는 수지(축합 부가 경화형 실리콘 수지)를 들 수 있다.
변성 실리콘 수지로서는, 실록산 구조 중의 Si 원자를 B, Al, P, Ti 등의 원자로 일부 치환한 보로실록산, 알루미노실록산, 포스포르실록산, 티타늄실록산 등의 헤테로실록산 구조를 갖는 수지, 및 실록산 구조 중의 Si 원자에 에폭시기 등의 유기 관능기를 부가한 수지를 들 수 있다. 특히, 디메틸실록산은 고 가교도에서도 저 탄성률을 갖기 때문에, 디메틸실록산에 헤테로 원자를 도입하거나, 유기 관능기를 부가한 변성 실리콘 수지가 보다 바람직하다. 이와 관련하여, 상기 기재된 바와 같은 강도를 갖는 밀봉 수지층을 제공하기 위해서는, 종래 공지된 방법으로 실록산 구조의 가교수를 조정할 수 있다.
이들 수지는 종래 공지된 제조 방법에 의해 제조할 수 있지만, 축합 부가 경화형 실리콘 수지의 경우를 설명한다. 예를 들어, 양쪽 말단 실란올형 실리콘 오일, 알케닐기 함유 실란 화합물로서 비닐(트리메톡시)실란 및 유기 용매의 혼합물에, 축합 촉매로서 수산화테트라메틸암모늄을 첨가하고, 실온에서 2시간 동안 교반하면서 혼합한 후, 거기에 오르가노히드로겐실록산, 및 히드로실릴화 촉매로서 백금 촉매를 첨가한 후, 혼합함으로써 축합 부가 경화형 실리콘 수지를 얻을 수 있다.
실리콘 수지의 함유량은 밀봉 수지층을 구성하는 수지를 기준으로 바람직하게는 70중량％ 이상, 보다 바람직하게는 90중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 실질적으로 100중량％이다.
밀봉 수지층은 상기 수지 외에, 경화제 및 경화 촉진제, 뿐만 아니라 노화 방지제, 변성제, 계면 활성제, 염료, 안료, 변색 방지제, 자외선 흡수제 등의 첨가제가 원료로서 추가로 배합될 수 있다. 이와 관련하여, 이들 첨가제가 함유되는 경우에라도, 밀봉 수지층은 가소성과 후경화성을 갖는 수지층일 수 있다.
밀봉 수지층에는 상기 수지 또는 수지의 유기 용매 용액을, 예를 들어 이형 처리한 세퍼레이터(예를 들어, 2축 연신 폴리에스테르 필름) 상에 캐스팅, 스핀 코팅 또는 롤 코팅 등의 방법에 의해 적당한 두께로 도공하여 제막한 후, 경화 반응을 촉진시키지 않지만 용매를 제거할 수 있는 온도에서 막을 건조시킴으로써 시트 형상으로 성형된다. 제막한 수지 용액을 건조시키는 온도는, 수지 및 용매의 종류에 따라 다르기 때문에 일률적으로는 결정할 수는 없지만, 80℃ 내지 150℃가 바람직하고, 90℃ 내지 130℃가 보다 바람직하다. 또한, 축합 부가 경화형 실리콘 수지를 사용하는 경우, 상기 건조에 의해 축합 반응이 촉진되므로, 얻어지는 시트 형상의 밀봉 수지층은 반경화 형상을 나타낸다.
가열 건조 후의 밀봉 수지층의 시트의 두께(X)(mm)는 소자를 매설할 수 있는 관점에서, 0.1mm 이상일 수 있다. 그러나, 밀봉 수지층의 두께가 작으면, 균일한 색도의 발광을 얻기 위해 광각 방향으로의 광의 방사를 감소시킬 필요가 있어, 밀봉에 필요한 광반도체 소자 밀봉용 시트의 크기가 작아진다. 이 경우, 고 전류를 장치에 가하면 밀봉 수지층 상부의 파장 변환층에 열이 전해지고, 온도가 높아져서 장치 자체의 열화를 초래한다. 또한, 밀봉 수지층의 두께가 크면, 가로 방향으로부터 직접 방사되는 광이 많아져, 색도가 전체적으로 저하된다. 이러한 관점에서, 밀봉 수지층의 시트의 두께(X)(mm)는 바람직하게는 하기 수학식 1을 만족한다.
<수학식 1>
Figure pat00003
보다 바람직하게는, 이는 0.8≤X≤1.5를 만족한다.
이와 관련하여, 이렇게 얻어진 시트는 2매 이상을 적층하여 열 압착함으로써, 상기 범위 내의 두께를 갖는 단일 시트로서 성형할 수 있다.
본 발명의 밀봉 수지층은 상온에서는 시트 형상이며, 세퍼레이터로부터 박리할 수 있어야 하기 때문에, 23℃에서의 저장 탄성률은 바람직하게는 1.0×104Pa 이상(0.01MPa 이상), 보다 바람직하게는 2.0×104Pa 내지 1.0×106Pa(0.02MPa 내지 1.0MPa)이며, 150℃에서의 저장 탄성률은 바람직하게는 1.0×106Pa 이하(1.0MPa 이하), 보다 바람직하게는 1.0×104Pa 내지 1.0×105Pa(0.01MPa 내지 0.1MPa)이다. 또한, 150℃에서 5시간 경화한 후의 23℃에서의 저장 탄성률은 바람직하게는 1.0×106Pa이상(1.0MPa 이상), 보다 바람직하게는 1.0×106Pa 내지 1.0×107Pa(1.0MPa 내지 10MPa)이다. 이와 관련하여, 본 명세서에 있어서 저장 탄성률은 후술하는 실시예에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.
파장 변환층은 광 파장 변환 입자를 함유하는 수지층이며, 소자로부터의 광의 일부의 파장을 변환하고, 이를 소자로부터의 발광과 혼합함으로써, 원하는 색의 발광으로 조정할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 파장 변환층에 의해 반사된 광이 굴절률이 높은 소자에 도달하는 것을 억제하는 관점에서, 패키지의 최외측에 파장 변환층을 배치하는 것이 바람직하다.
파장 변환층의 광 파장 변환 입자(인광체)로서는 특별히 한정은 없고, 광반도체 장치에 사용되는 종래 공지된 인광체를 들 수 있다. 예시적으로는, 청색을 황색으로 변환하는 기능을 갖는 적합한 시판되는 인광체로서, 황색 인광체(α-시알론(SIALON)), YAG, TAG 등이 예시될 수 있으며, 청색을 적색으로 변환하는 기능을 갖는 적합한 시판되는 인광체로서, CaAlSiN3 등이 예시될 수 있다. 이들 인광체는 단독으로 또는 이들의 조합으로 사용할 수 있다.
광 파장 변환 입자의 함유량은 파장 변환층의 두께에 따라 혼색 정도가 다르기 때문에 일률적으로는 결정될 수는 없지만, 예를 들어 파장 변환층의 두께가0.1mm일 경우, 광 파장 변환 입자의 함유량은 10 내지 30중량％인 것이 바람직하다.
파장 변환층의 수지는 종래 광반도체 소자 밀봉에 사용되는 수지라면 특별히 한정되지 않고, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등의 투명 수지를 들 수 있으며, 그 중 내구성의 관점에서 실리콘 수지가 바람직하다.
실리콘 수지로서는, 상기에 예시한 실리콘 수지를 마찬가지로 들 수 있고, 시판되고 있는 것을 사용할 수 있거나, 별도로 제조한 것을 사용할 수 있다.
파장 변환층은 상기 수지 및 광 파장 변환 입자 외에, 밀봉 수지층의 경우와 유사한 첨가제가 원료로서 배합될 수 있다.
파장 변환층은 상기 광 파장 변환 입자를 함유하는 수지 또는 수지의 유기 용매 용액을, 예를 들어 이형 처리한 세퍼레이터(예를 들어, 폴리에스테르 필름 또는 폴리프로필렌 필름) 상에 캐스팅, 스핀 코팅, 롤 코팅 등의 방법에 의해 적당한 두께로 도공하여 제막한 후, 경화 반응을 촉진시키지 않지만 용매를 제거할 수 있는 온도에서 막을 건조시킴으로써 시트 형상으로 성형된다. 제막한 수지 용액을 건조시키는 온도는 수지 및 용매의 종류에 따라 다르기 때문에 일률적으로는 결정할 수는 없지만, 80℃ 내지 150℃가 바람직하고, 90℃ 내지 150℃가 보다 바람직하다.
가열 건조 후의 파장 변환층의 시트 두께는 광 취출 효율을 향상시키는 관점에서, 0.05mm 내지 0.2mm가 바람직하고, 0.07mm 내지 0.12mm가 보다 바람직하다. 이와 관련하여, 이렇게 얻어진 시트는 2매 이상을 적층하여 열 압착함으로써, 상기 범위내의 두께를 갖는 단일 시트로서 성형할 수 있다. 또한, 이 경우, 상이한 종류의 광 파장 변환 입자를 함유하는 파장 변환층을 2 이상 사용하여 성형할 수 있다.
파장 변환층의 150℃에서의 저장 탄성률은, 층이 변형되면 패키지의 색이 변하기 때문에, 1.0×105Pa 이상(0.1Mpa 이상)이 바람직하고, 1.0×106Pa 내지 1.0×108Pa(1.0MPa 내지 100MPa)가 보다 바람직하다.
밀봉 수지층 및 파장 변환층의 적층 방법으로서는 특별히 한정은 없고, 예를 들어 밀봉 수지층을 시트 형상으로 성형하는 경우, 성형한 파장 변환층 상에 직접적으로 밀봉 수지층을 성형하여 적층하는 방법을 들 수 있다. 이와 관련하여, 본원에 사용된 "직접적으로 적층된" 시트란 용어는, 밀봉 수지층과 파장 변환층이 직접 적층을 통해 형성된 시트를 의미하고, "간접적으로 적층된" 시트란 용어는, 밀봉 수지층과 파장 변환층이 그들 사이에 일반적으로의 방법에 따라 다른 층을 통해 적층되어 형성된 시트를 의미한다.
이렇게 얻어진 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치한 후, 압착 성형함으로써, 본 발명의 광반도체 장치가 얻어진다.
본 발명에 사용되는 광반도체 소자는, 광반도체 장치에 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 질화갈륨(GaN, 굴절률: 2.5), 갈륨 인(GaP, 굴절률: 2.9), 갈륨 비소(GaAs, 굴절률: 3.5) 등을 들 수 있고, 그 중, 청색광을 방출하고, 인광체를 통해 백색 LED를 제조할 수 있다는 관점에서, GaN이 바람직하다.
광반도체 소자가 탑재되는 기판도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 금속 기판, 유리-에폭시 기판 상에 구리 배선을 적층한 리지드 기판, 폴리이미드 필름 상에 구리 배선을 적층한 플렉시블 기판 등을 들 수 있고, 평판, 요철판 등의 임의의 형상을 사용할 수 있다.
상기 기판 상에 광반도체 소자를 탑재하는 방법으로서는, 발광면에 전극이 배치된 광반도체 소자를 탑재하기에 적합한 페이스 업 탑재법, 발광면과는 다른 면에 전극이 배치된 광반도체 소자를 탑재하기에 적합한 플립 립 탑재법 등을 들 수 있다.
성형 방법으로서는, 광반도체 소자 밀봉용 시트의 파장 변환층이 패키지 측면에 배치되지 않도록 평탄한 면을 이용하여 광반도체 소자 밀봉용 시트의 표면 상에 압력을 가하는 것이 필요하지만, 그 이외는 특별히 한정은 없다. 예시적인 방법으로서, 프레스기를 사용하여 열 압착을 행하는 방법에 대해 설명한다. 예를 들어, 소정 크기의 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에 배치하고, 프레스기를 사용하여 바람직하게는 100℃ 내지 200℃의 온도에서 압착 성형한다. 부하되는 압력은 밀봉 수지층의 특성에 따라 일률적으로는 결정될 수는 없지만, 지나치게 큰 하중을 가하면 밀봉 수지층의 변형을 초래할 우려가 있기 때문에, 얻어지는 성형체의 높이를 제어할 수 있는 프레스기를 사용하여 압착하는 것이 바람직하고, 예를 들어, 평판 금형의 상판 높이를 시트의 총 두께보다 약 0.1mm 작은 값으로 설정하여 압착할 수 있다. 이러한 프레스기로서는, 신또 고교사(SINTO KOGIO, LTD.)제의 가온 프레스기 "CYTP-10" 등을 사용할 수 있다.
사용되는 광반도체 소자 밀봉용 시트의 크기는 파장 변환층의 두께에 따라 일률적으로는 결정될 수는 없지만, 이것이 크면 파장 변환의 작용이 크게 작용하여 광각의 색도가 짙어지고, 작으면 광각의 색도가 얇아진다. 따라서, 본 발명자들이 검토한 결과, 색도가 균일하게 되는 시트 크기는 소자로부터 방사되는 빔의 약 80％가 파장 변환층을 통과하는 크기인 것을 발견하였다. 빔의 약 80％가 파장 변환층을 통과하는 크기란, 예를 들어 소자의 정면을 0도(°)로 했을 경우, 좌우 각각 75도 내지 80도(°)의 범위 내이다. 따라서, 밀봉 수지층의 두께를 (X)(mm), 광반도체 소자 1개를 밀봉하는 데 필요한 광반도체 소자 밀봉용 시트의 면적을 (Y)(mm2), 광반도체 소자의 상부의 면적을 (A)(mm2)로 할 경우, 하기 수학식 2를 만족하는 것이 바람직하다.
<수학식 2>
Figure pat00004
이 경우, "A"는 광반도체 소자의 상부(상면)의 면적을 의미하고, "{X×tan(75°)}2×π"는 빔 0도 내지 75도(°)의 광이 통과하는 원의 면적을 의미하고, "{X×tan(80°)}2×π"는 빔 0도 내지 80도(°)의 광이 통과하는 원의 면적을 의미한다. 시트의 형상은 상기 면적을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
이렇게 성형된 패키지를 실온에서도 형상이 변화하지 않게 될 때까지 방치한 후, 밀봉 수지층의 경화에 필요한 시간 동안 열 압착하여 후경화를 행하여, 본 발명의 광반도체 장치가 얻어진다. 본 발명의 광반도체 장치는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 사용하여 일괄 밀봉할 수 있고, 상기 시트의 파장 변환층이 패키지의 최외층에 위치하고, 소자의 상부에는 존재하지만 측면에는 존재하지 않기 때문에, 우수한 광 취출 효율과 균일한 색도를 갖는 발광이 얻어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 광반도체 장치에 사용되는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 제공한다.
본 발명의 광반도체 소자 밀봉용 시트는 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하는 파장 변환층을 가지며, 발광의 색도를 균일하게 하는 관점에서, 사용되는 광반도체 장치의 발광 소자의 크기에 맞추어 그 크기를 선택적으로 설정하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은, 상기 본 발명의 광반도체 소자 밀봉용 시트를 사용하여 일괄 밀봉할 수 있기 때문에, 본 발명의 광반도체 소자 밀봉용 시트를 사용한 광반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은, 본 발명의 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치하는 단계, 및 평탄한 면을 이용하여 광반도체 소자 밀봉용 시트의 표면 상에 압력을 가함으로써 성형하는 단계를 포함하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예시적으로는, 본 발명의 광반도체 소자 밀봉용 시트를, 밀봉 수지층이 광반도체 소자 탑재 기판에 대면하도록 배치하고, 평판 금형과 같은 평탄한 면을 갖는 프레스기를 사용하여 바람직하게는 100℃ 내지 200℃의 온도에서 압착 성형하는 방법을 들 수 있다.
이러한 방식으로 얻어지는 본 발명의 광반도체 장치는 광 취출 효율이 우수하고, 균일한 색도의 발광이 얻어질 수 있기 때문에, 광반도체의 발광 장치로서 적합하게 사용될 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다.
[수지층의 저장 탄성률]
각각의 수지층을 복수매 적층하여 약 1mm 두께의 시트를 성형하고, 동적 점탄성 측정 장치(DMS-200, SII 나노 테크놀로지사(SII Nano Technology, Inc.)제)를 사용하여 전단시의 점탄성을 측정하여 23℃ 및 150℃에서의 저장 탄성률을 산출하였다.
광반도체 소자 밀봉용 시트의 제조예 1
실리콘 엘라스토머(와커 아사히 가세이 실리콘사(WACKER ASAHI KASEI SILICONE CO., LTD)제, 상품명 "LR 7556") 용액에, 황색 인광체(YAG)를 입자 농도 20중량％가 되게 첨가하고, 1시간 동안 교반하였다. 이렇게 얻어진 용액을, 폴리에스테르 필름(미쯔비시 폴리에스테르 가가꾸사(Mitsubishi Polyester Chemical Co., Ltd.)제, MRN, 38㎛) 상에 0.10mm의 두께로 도공하고, 120℃에서 5분 동안 건조시켜 파장 변환층(두께 0.10mm)을 얻었다.
이어서, 양쪽 말단 실란올형 실리콘 오일 200g(17.4mmol), 비닐 트리메톡시 실란 1.75g(11.8mmol) 및 2-프로판올 20ml의 혼합물에, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(농도 10중량％) 0.32ml(0.35mmol)을 첨가하고, 실온(25℃)에서 2시간 동안 교반하였다. 이렇게 얻어진 오일에, 오르가노히드로겐폴리실록산 1.50g 및 백금 카르보닐 착체 용액(백금 농도 2중량％) 1.05ml을 첨가하고, 교반하여 밀봉 수지층 용액으로 사용하였다.
이렇게 얻어진 밀봉 수지층 용액을, 상기에서 얻어진 파장 변환층(두께 0.10mm) 상에 도공하고, 80℃에서 30분 동안 건조시킴으로써 광반도체 소자 밀봉용 시트 A를 얻었다(두께 1.10mm).
광반도체 소자 밀봉용 시트의 제조예 2
밀봉 수지층 용액의 도공 두께를 1.0mm로부터 0.5mm로 변경한 것 이외는 제조예 1과 동일한 방식으로 광반도체 소자 밀봉용 시트 B(두께 0.60mm)를 얻었다.
광반도체 소자 밀봉용 시트의 제조예 3
밀봉 수지층 용액의 도공 두께를 1.0mm로부터 0.8mm로 변경한 것 이외는 제조예 1과 동일한 방식으로 광반도체 소자 밀봉용 시트 C(두께 0.90mm)를 얻었다.
광반도체 소자 밀봉용 시트의 제조예 4
실리콘 엘라스토머(LR 7556) 용액에, 황색 인광체(YAG)를 입자 농도 20중량％가 되게 첨가하고, 1시간 동안 교반하였다. 이렇게 얻어진 용액을, 폴리프로필렌 필름(도셀로사(TOHCELLO Co, Ltd.)제, Y-3s, 30㎛) 상에 0.10mm의 두께로 도공하고, 120℃에서 5분 동안 건조시켜 파장 변환층(두께 0.10mm)을 얻었다. 이렇게 얻어진 파장 변환층을 사용한 것 이외는 제조예 1과 동일한 방식으로 광반도체 소자 밀봉용 시트 D(두께 1.10mm)를 얻었다.
실시예 1 내지 9 및 비교예 1
표 1에 나타내는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 톰슨 블레이드를 사용하여 표 1에 나타내는 크기로 스탬핑하고, 각각의 광반도체 소자 상에, 밀봉 수지층이 광반도체 소자 탑재 기판에 대면하도록 놓은 후, 가온 프레스기(신또 고교사제)를 사용하여, 평판 금형으로 표 1에 나타내는 각각의 높이로 150℃에서 3분 동안 가압하였다. 또한, 비교예 1의 광반도체 장치는 오목형 금형(8mm×8mm)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일한 방식으로 제작하였다. 이와 관련하여, 기판으로서는, 2cm×3cm 크기의 금속 기판의 중앙에 청색 LED 소자(1mm×1mm)가 탑재된 재료를 사용하였다.
이렇게 얻어진 광반도체 장치의 특성을 이하의 시험예 1 및 2에 따라 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
시험예 1(색도 각도 의존성)
광반도체 장치에 50mA의 전류를 가하고, 각각의 각도의 방출광을 분광 광도계(MCPD-3000, 오쯔까 덴시사(Otsuka Electronics Co., Ltd.)제)를 사용하여 검지하고, 색도를 CIE 색도 지표(x, y)로 나타내었다. 0°(정면) 내지 80°의 방출광 중, CIE 색도(y) 값의 최대값과 최소값의 차를 색도차로서 산출하고, 이하의 평가 기준에 따라 색도 각도 의존성을 평가하였다. 이와 관련하여, 색도차가 작을수록 색도 각도 의존성이 작은 것을 나타낸다.
<색도 각도 의존성의 평가 기준>
A: 색도차가 0.030 미만임
B: 색도차가 0.030 이상 0.060 미만임
C: 색도차가 0.060 이상임
시험예 2(파장 변환 특성)
광반도체 장치를 구리제의 히트 싱크에 장착한 후, 1A의 전류를 가하고, 장치 표면의 온도를 서모그래픽 장치(CPA 1000, 시노사(CINO)제)를 사용하여 측정하여 파장 변환 특성을 평가하였다. 이와 관련하여, 패키지의 표면 온도가 120℃를 초과하면, 인광체의 파장 변환 효율이 저하되기 때문에, 파장 변환 특성이 떨어진다.
Figure pat00005
그 결과, 실시예의 광반도체 장치는 비교예에 비해 색도 각도 의존성이 작고, 균일한 색도의 발광이 얻어질 수 있음을 알 수 있다. 특히, 밀봉 수지층의 두께에 기초하여 산출되는 범위 내의 시트 면적을 갖는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 사용하여 얻어진 광반도체 장치에 의해, 또한 작은 색도 각도 의존성이 얻어질 수 있다.
본 발명을 구체적인 실시형태를 참고로 상세히 설명하였지만, 그의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.
또한, 본 출원은 2010년 2월 2일자로 출원된 일본 특허 출원 제2010-021478호에 기초하며, 그 내용은 본원에 참고로 도입된다.
본원에 인용된 모든 참고문헌은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
또한, 본원에 인용된 모든 참고문헌은 전체로서 도입된다.
본 발명의 광반도체 장치는 색도 각도 의존성이 작기 때문에, 예를 들어 화상면의 백라이트, 신호기, 옥외의 대형 디스플레이, 광고 간판 등에 적합하게 사용할 수 있다.
1: 밀봉 수지층
2: 파장 변환층
3: 광반도체 소자
4: 기판

Claims (5)

  1. 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치한 후, 압착 성형하여 제조되는 광반도체 장치이며,
    상기 파장 변환층은 광반도체 소자를 매설한 성형체의 상부에는 존재하지만, 상기 성형체의 측면에는 존재하지 않는, 광반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 밀봉 수지층의 두께를 (X)(mm), 광반도체 소자 1개를 밀봉하는 데 필요한 광반도체 소자 밀봉용 시트의 면적을 (Y)(mm2), 광반도체 소자의 상부의 면적을 (A)(mm2)로 할 경우, 하기 수학식 1 및 2를 만족하는, 광반도체 장치.
    <수학식 1>
    Figure pat00006

    <수학식 2>
    Figure pat00007
  3. 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는, 광반도체 소자 밀봉용 시트.
  4. 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치하는 단계; 및
    평탄한 면을 이용하여 광반도체 소자 밀봉용 시트의 표면 상에 압력을 가함으로써 성형하는 단계를 포함하는, 제1항에 따른 광반도체 장치의 제조 방법.
  5. 광반도체 소자를 매설할 수 있는 밀봉 수지층, 및 광 파장 변환 입자를 함유하며 상기 밀봉 수지층 상에 직접적 또는 간접적으로 적층되는 파장 변환층을 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 시트를 광반도체 소자 탑재 기판 상에, 상기 밀봉 수지층이 상기 기판에 대면하도록 배치하는 단계; 및
    평탄한 면을 이용하여 광반도체 소자 밀봉용 시트의 표면 상에 압력을 가함으로써 성형하는 단계를 포함하는, 제2항에 따른 광반도체 장치의 제조 방법.
KR1020110010145A 2010-02-02 2011-02-01 광반도체 장치 KR20110090822A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010021478A JP5340191B2 (ja) 2010-02-02 2010-02-02 光半導体装置
JPJP-P-2010-021478 2010-02-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110090822A true KR20110090822A (ko) 2011-08-10

Family

ID=43798340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110010145A KR20110090822A (ko) 2010-02-02 2011-02-01 광반도체 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9190584B2 (ko)
EP (1) EP2355195A3 (ko)
JP (1) JP5340191B2 (ko)
KR (1) KR20110090822A (ko)
CN (1) CN102163683B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5287935B2 (ja) * 2011-06-16 2013-09-11 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP5827834B2 (ja) 2011-07-22 2015-12-02 日東電工株式会社 シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂シート、シリコーン樹脂シートの製造方法および光半導体装置
JP5800640B2 (ja) * 2011-08-30 2015-10-28 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
JP5865038B2 (ja) 2011-11-30 2016-02-17 日東電工株式会社 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置
JP6129154B2 (ja) * 2012-02-24 2017-05-17 三井化学株式会社 光デバイス面封止用組成物、光デバイス面封止用シート、ディスプレイ、およびディスプレイの製造方法
JP2013258209A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Nitto Denko Corp 封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
JP6215525B2 (ja) * 2012-10-23 2017-10-18 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2014107447A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Nitto Denko Corp 封止シート、光半導体装置およびその製造方法
CN103855270A (zh) * 2012-12-07 2014-06-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光装置及其制造方法
CN105051922A (zh) 2013-03-22 2015-11-11 日东电工株式会社 光半导体装置的制造方法
JP5373215B1 (ja) * 2013-03-28 2013-12-18 日東電工株式会社 システム、製造条件決定装置および製造管理装置
CN103959488B (zh) * 2013-03-28 2015-09-30 日东电工株式会社 系统、制造条件决定装置以及制造管理装置
CN105637660B (zh) * 2013-11-07 2018-11-09 东丽株式会社 层叠体及使用所述层叠体的发光装置的制造方法
JP6661890B2 (ja) * 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9911907B2 (en) * 2014-07-28 2018-03-06 Epistar Corporation Light-emitting apparatus
US11217735B2 (en) * 2015-02-20 2022-01-04 Luminus, Inc. LED package with surface textures and methods of formation
JP6637674B2 (ja) * 2015-04-30 2020-01-29 信越化学工業株式会社 プリント配線板、プリント配線板の製造方法、及び半導体装置
CN112543551B (zh) * 2020-11-27 2022-04-15 信丰迅捷兴电路科技有限公司 一种COB Mini/Micro LED印制电路板△E色差管控的加工工艺
CN114347395B (zh) * 2022-03-17 2022-06-03 威海嘉瑞光电科技股份有限公司 半导体光学器件的封装方法及其使用的装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237141A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Sharp Corp 半導体装置
US5270425A (en) * 1992-11-23 1993-12-14 Dow Corning Corporation One-part curable organosiloxane compositions
GB9424602D0 (en) 1994-12-06 1995-01-25 Dow Corning Curable coating compositions
US6803422B2 (en) * 1999-09-13 2004-10-12 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Cross-copolymerized olefin/aromatic vinyl compound/diene copolymer and process for its production
JP4685690B2 (ja) * 2002-04-26 2011-05-18 株式会社カネカ 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法
CN100338141C (zh) 2002-04-26 2007-09-19 株式会社钟化 硬化性组合物、硬化物及其制造方法以及由此硬化物密封的发光二极管
JP4383768B2 (ja) 2003-04-23 2009-12-16 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法
JP4803339B2 (ja) * 2003-11-20 2011-10-26 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
JP4146406B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP2006117919A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Nagase & Co Ltd 半導体封止用３次元シート状接着体
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
JP2006140362A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
WO2006083339A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-10 Dow Corning Corporation Curable coating compositions
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
KR100764148B1 (ko) 2006-01-17 2007-10-05 루시미아 주식회사 시트상 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
JP2007287937A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Kyocera Chemical Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2008159705A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2009003176A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
JP5286585B2 (ja) 2007-10-05 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置
JP4915869B2 (ja) * 2007-10-17 2012-04-11 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2009141066A (ja) 2007-12-05 2009-06-25 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
JP5136963B2 (ja) * 2008-03-24 2013-02-06 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP5123031B2 (ja) * 2008-04-10 2013-01-16 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート
JP5163330B2 (ja) 2008-07-14 2013-03-13 株式会社村田製作所 薄膜積層体の加工方法
EP2196503B1 (en) * 2008-12-12 2015-02-18 Nitto Denko Corporation Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof
JP5566088B2 (ja) * 2008-12-12 2014-08-06 日東電工株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物
KR101253586B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
JP5827864B2 (ja) * 2011-06-14 2015-12-02 日東電工株式会社 封止用シートおよび光半導体素子装置
JP2014127575A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Nitto Denko Corp 封止シート

Also Published As

Publication number Publication date
CN102163683A (zh) 2011-08-24
US20140057374A1 (en) 2014-02-27
EP2355195A2 (en) 2011-08-10
US9190584B2 (en) 2015-11-17
JP2011159874A (ja) 2011-08-18
US20110186893A1 (en) 2011-08-04
EP2355195A3 (en) 2014-07-23
JP5340191B2 (ja) 2013-11-13
CN102163683B (zh) 2015-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110090822A (ko) 광반도체 장치
KR102035511B1 (ko) 형광체 조성물, 형광체 시트, 형광체 시트 적층체와 그들을 사용한 led 칩, led 패키지 및 그 제조 방법
KR101713087B1 (ko) 형광체 함유 실리콘 경화물, 그 제조 방법, 형광체 함유 실리콘 조성물, 그 조성물 전구체, 시트상 성형물, ｌｅｄ 패키지, 발광 장치 및 ｌｅｄ 실장 기판의 제조 방법
US8710740B2 (en) Phosphor adhesive sheet, light emitting diode element including phosphor layer, light emitting diode device, and producing methods thereof
TWI573298B (zh) 螢光體片、使用其之ｌｅｄ及發光裝置以及ｌｅｄ之製造方法
JP6641997B2 (ja) 積層体およびそれを用いた発光装置の製造方法
US9219015B2 (en) Phosphor layer-covered optical semiconductor element, producing method thereof, optical semiconductor device, and producing method thereof
JP5107886B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
EP3511612B1 (en) A coated optical semiconductor element
KR101932982B1 (ko) 형광체 함유 수지 시트 및 발광 장치
TW201312811A (zh) 密封片材、其製造方法、發光二極體裝置及其製造方法
JP2011082340A (ja) 光半導体封止材
TW201712902A (zh) 發光裝置的製造方法以及顯示裝置的製造方法
US20130193477A1 (en) Light emitting diode device and method of producing the same
JP2013004923A (ja) 半導体発光装置用後付リフレクタ、半導体発光装置用樹脂パッケージ及び半導体発光装置
TWI659834B (zh) 積層體及使用其的發光裝置的製造方法
US20140374787A1 (en) Encapsulating sheet, producing method of optical semiconductor device, optical semiconductor device, and lighting device
JP5738541B2 (ja) 光半導体装置
KR20180088799A (ko) 수지 조성물, 그의 시트상 성형물, 및 그것을 사용한 발광 장치 및 그의 제조 방법
JP2011222852A (ja) 光半導体装置
JP5730559B2 (ja) 光半導体装置
JP2013065884A (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
WITB Written withdrawal of application