CN105051922A - 光半导体装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
利用密封片(1)来密封LED(4)而制造LED装置(5)的LED装置(5)的制造方法，其包括片制造工序和密封工序，在该片制造工序中制造密封片(1)，在该密封工序中利用密封片(1)来密封LED(4)，从在片制造工序中制得密封片(1)之后到在密封工序中利用密封片(1)来密封了LED(4)之前的这段时间T为24小时以内。
Description
技术领域
本发明涉及一种光半导体装置的制造方法。
背景技术
公知有一种利用密封片来密封光半导体元件而制造光半导体装置的方法。
例如，提出有一种制造光半导体装置的方法：制造具有能够将光半导体元件密封的密封树脂层的光半导体元件密封用片，之后，将该光半导体元件密封用片以与光半导体元件搭载基板相对的方式载置，利用压力机对该光半导体元件密封用片进行加压，由此制造光半导体装置(例如，参照下述专利文献1。)。
专利文献1：日本特开2011－159874号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在制造光半导体元件搭载基板时，首先，制造C阶段前的光半导体元件密封用片，之后，将该光半导体元件密封用片出厂并输送。然后，在出厂目的地保存(保管)光半导体元件密封用片之后，将该光半导体元件密封用片设置于载置有光半导体元件搭载基板的压力机。之后，通过加压并利用光半导体元件密封用片来埋设被搭载在光半导体元件搭载基板上的光半导体元件并使光半导体元件密封用片成为C阶段，从而利用光半导体元件密封用片来密封光半导体元件。
因此，即使在长时间输送和保存光半导体元件密封用片，也需要预先将光半导体元件密封用片维持在能够密封光半导体元件的C阶段前的状态。这样一来，需要设计和管理光半导体元件密封用片，以便在各种环境下均能长时间维持光半导体元件密封用片的C阶段前的状态，因此，存在制造成本乃至管理成本增大这样的问题。
本发明的目的在于，提供一种易于管理用于密封光半导体元件的、C阶段前的状态的密封层并能够提高光半导体装置的制造效率的光半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的一种光半导体装置的制造方法是利用密封层来密封光半导体元件而制造光半导体装置的光半导体装置的制造方法，其特征在于，该光半导体装置的制造方法包括密封层制造工序和密封工序，在该密封层制造工序中制造所述密封层，在该密封工序中利用所述密封层来密封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得密封层之后到在密封工序中利用密封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导体装置的制造效率。
另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的C阶段前的状态，因此能够易于设计和管理C阶段前的状态的密封层。因此，能够提高C阶段前的状态的密封层的设计和管理的自由度。
另外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，在室温条件下输送利用所述密封层制造工序制造出来的所述密封层并将所述密封层供给至所述密封工序。
在密封层的输送和保管需要较长时间的情况下，为了防止密封层自C阶段前的状态成为C阶段，需要将C阶段前的状态的密封层冷却(冷冻)为低温而进行输送和保管。
但是，采用该方法，由于自C阶段前的状态之后到C阶段之前的这段时间为短时间，因此能够在室温条件下输送利用密封层制造工序制造出来的C阶段前的状态的密封层并将所述密封层供给至密封工序。因此，不需要用于所述冷却的工时和设备，其结果，能够降低制造成本。
另外，在冷却密封层的情况下，需要在使冷却了的密封层返回到室温之后利用该密封层来密封光半导体元件，结果会存在如下情况：当使冷却了的密封层在短时间内返回到室温时，会使密封层产生结露，若利用该结露了的密封层来密封光半导体元件，则会产生空隙而使光半导体装置的可靠性降低。
另一方面，若为了防止密封层的结露而使冷却了的密封层在经过长时间后返回到室温，则会使光半导体装置的制造效率显著降低。
但是，采用该方法，由于不需要所述冷却，因此，也不需要使冷却了的密封层返回到室温，从而能够缩短制造时间。因此，能够降低制造成本。并且，由于还能够防止因所述结露而产生的空隙，因此能够制造可靠性较高的光半导体装置。
另外，优选的是，本发明的该光半导体装置的制造方法是利用B阶段的密封片来密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的光半导体装置的制造方法，所述密封层制造工序是制造B阶段的所述密封片的片制造工序，在所述密封工序中，利用B阶段的所述密封片来密封所述光半导体元件，从在所述片制造工序中制得B阶段的所述密封片之后到在所述密封工序中利用B阶段的所述密封片来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
采用该方法，由于从在片制造工序中制得B阶段的密封片之后到在密封工序中利用B阶段的密封片来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导体装置的制造效率。
另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封片的B阶段，因此，易于设计和管理B阶段的密封片。因而，能够提高B阶段的密封片的设计和管理的自由度。
并且，采用该方法，在密封工序中，由于利用B阶段的密封片来密封光半导体元件，因此，与A阶段的密封片相比，能够利用处理性优异的B阶段的密封片来将光半导体元件简单地密封起来。
另外，优选的是，在本发明的光半导体装置的制造方法中，利用所述片制造工序制造出来的B阶段的所述密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量为0.040MPa～0.145MPa。
采用该方法，由于能够使用的B阶段的密封片的压缩弹性模量的范围较大，因此能够进一步提高B阶段的密封片的设计的自由度。
另外，优选的是，在本发明的光半导体装置的制造方法中，在25℃的温度条件下将利用所述片制造工序制造出来的B阶段的所述密封片保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量为0.015MPa～0.120MPa。
采用该方法，利用在25℃的温度条件下保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量ΔM较大的B阶段的密封片也能够密封光半导体元件。也就是说，能够使用快固化性的B阶段的密封片来缩短实现C阶段化所需要的时间。因此，能够缩短光半导体装置的制造时间，其结果，能够降低制造成本。
另外，优选的是，本发明的光半导体装置的制造方法是利用A阶段的密封层来密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的光半导体装置的制造方法，在所述密封层制造工序中，制造A阶段的所述密封层，在所述密封工序中，利用A阶段的所述密封层来密封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得A阶段的所述密封层之后到在所述密封工序中利用A阶段的所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得A阶段的密封层之后到在密封工序中利用A阶段的密封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导体装置的制造效率。
另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的A阶段的状态，因此，易于设计和管理A阶段的密封层。因而，能够提高A阶段的密封层的设计和管理的自由度。
并且，采用该方法，由于在密封层制造工序中制造A阶段的密封层，在密封工序中利用密封层来密封光半导体元件，因此，能够削减调制B阶段的密封层所花费的工时。因此，能够使工时降低而提高光半导体装置的制造效率。
发明的效果
采用本发明，能够提高光半导体装置的制造效率。另外，能够提高密封层的设计和管理的自由度。
附图说明
图1表示作为本发明的光半导体装置的制造方法的第1实施方式的LED装置的制造方法的流程图。
图2表示用于实施图1所示的各工序的LED装置制造工厂的概略图。
图3A～图3C表示位于用于实施片制造工序的片制造区域的各装置，图3A表示位于清漆调制区域的混合容器，图3B表示位于涂敷区域的分配器，图3C表示位于B阶段化区域的烘箱。
图4A～图4C表示在输送工序中使用的支架，图4A是表示所有的架板被抬起的状态，图4B表示一部分架板被按下而载置有密封片的状态，图4C表示所有架板被按下而载置有密封片的状态。
图5表示在输送工序中使用的盒体。
图6表示在输送工序中使用的带盖容器。
图7表示在输送工序中使用的、具有隔离膜的卷。
图8表示在输送工序中使用的、具有间隔件的卷。
图9表示在密封工序中使用的压力机。
图10表示LED装置。
图11表示密封片的表面温度与在将带盖容器载置在不锈钢台上后的经过时间之间的关系。
图12表示在第1实施方式的LED装置的制造方法的变形例中使用的密封片制造单元的概略侧视图。
图13表示作为本发明的光半导体装置的制造方法的第2实施方式的LED装置的制造方法的流程图。
图14表示用于实施图13所示的各工序的LED装置制造工厂的概略图。
图15表示在密封工序中使用的层叠装置。
图16表示LED装置。
具体实施方式
第1实施方式
参照图1～图10说明作为本发明的光半导体装置的制造方法的第1实施方式的LED装置5的制造方法。
如参照如图10那样，LED装置5的制造方法是利用作为密封层的B阶段的密封片1来密封作为光半导体元件的LED4而制造LED装置5的方法。如图1所示，LED装置5的制造方法包括制造作为密封层的B阶段的密封片1的片制造工序(密封层制造工序的一个例子)和利用密封片1来密封LED4的密封工序。另外，LED装置5的制造方法包括将利用片制造工序制造出来的密封片1输送至密封工序的输送工序。在LED4的制造方法中，依次实施片制造工序、输送工序、以及密封工序。
如图2所示，在LED装置制造工厂8内实施该LED装置5的制造方法。LED装置制造工厂8包括片制造区域9、输送区域10以及密封区域11。
所述所有的区域(片制造区域9、输送区域10以及密封区域11)设于例如同一工厂的场地内、也就是说1个(同一)LED装置制造工厂8内。
以下，详细叙述各工序和各区域。
片制造工序
片制造工序是在片制造区域9中实施的。
片制造区域9具有清漆调制区域9a、涂敷区域9b以及B阶段化区域9c。
在片制造工序中，为了制造B阶段的密封片1，首先，例如，在清漆调制区域9a调制密封树脂组合物。
密封树脂组合物含有两阶段固化型树脂。密封树脂组合物优选由两阶段固化型树脂构成。
两阶段固化型树脂是具有两个阶段的反应机理、在第1阶段的反应中实现B阶段化(半固化)、在第2阶段的反应中实现C阶段化(完全固化)的固化性树脂。
此外，B阶段为两阶段固化型树脂在液状的A阶段和完全固化后的C阶段之间的状态，为固化和凝胶化稍稍进行且压缩弹性模量比C阶段的弹性模量小的状态。
作为两阶段固化型树脂，可列举出例如利用加热来进行固化的两阶段固化型热固化性树脂，例如利用活性能量射线(例如，紫外线、电子束等)的照射来进行固化的两阶段固化型活性能量射线固化性树脂等。优选可列举两阶段固化型热固化性树脂。
具体而言，作为两阶段固化型热固化型树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、密胺树脂、不饱和聚酯树脂等。从透光性和耐久性的观点考虑，优选可列举两阶段固化型有机硅树脂。
作为两阶段固化型有机硅树脂，可列举出例如具有缩合反应和加成反应这两个反应系的缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂等。
作为这样的缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂，可列举出：例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第1缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷(参照后述的式(1))、含乙烯系不饱和烃基硅化合物(参照后述的式(2))、含乙烯系不饱和烃基硅化合物(参照后述的式(3))、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第2缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；例如含有两末端硅烷醇型硅油、含烯基二烷氧基烷基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第3缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；例如含有在1分子中具有至少两个烯基甲硅烷基的有机聚硅氧烷、在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及固化延迟剂的第4缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；例如含有在1分子中兼有至少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个氢化硅烷基的第1有机聚硅氧烷、不含有乙烯系不饱和烃基且在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及氢化硅烷化抑制剂的第5缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；例如含有在1分子中兼有至少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个硅烷醇基的第1有机聚硅氧烷、不含有乙烯系不饱和烃基且在1分子中具有至少两个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂以及氢化硅烷化催化剂的第6缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；例如含有硅化合物以及硼化合物或铝化合物的第7缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂；以及例如含有聚铝硅氧烷和硅烷偶联剂的第8缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂等。
作为缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂，优选可列举第2缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂，具体而言，在日本特开2010-265436号公报等中有详细描述，例如，含有硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷、乙烯基三甲氧基硅烷、(3-环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷、四甲基氢氧化铵及铂－羰基络合物。具体而言，利用例如以下方式来调制第2缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂，首先，一次加入作为缩合原料的含乙烯系不饱和烃基硅化合物及含乙烯系不饱和烃基硅化合物、缩合催化剂，然后，加入作为加成原料的有机氢聚硅氧烷，其后，加入氢化硅烷化催化剂(加成催化剂)。
相对于100质量份缩合原料，缩合催化剂的含有比例例如为1×10－5质量份以上，优选为1×10－4质量份以上，并且例如为50质量份以下，优选为10质量份以下。
通过在所述范围内选择缩合催化剂的含有比例，能够在较大范围内对利用片制造工序制造出来的密封片1(参照图3C)的在25℃的温度条件下的期望的压缩弹性模量M0(后述)进行设定。
相对于密封树脂组合物，两阶段固化型树脂的配合比例例如为30质量％以上，优选为40质量％以上，更优选为50质量％以上，并且例如为98质量％以下，优选为95质量％以下，更优选为90质量％以下。
另外，根据需要，密封树脂组合物也能够含有荧光体和/或填充剂。
荧光体具有波长转换功能，例如，可列举出能够将蓝色光转换为黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换为红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如具有Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(铽·铝·石榴石):Ce)等石榴石型结晶构造的石榴石型荧光体、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。
作为红色荧光体，可列举出例如CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物荧光体等。
作为荧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点看，优选可列举球状。
荧光体的最大长度的平均值(荧光体为球状的情况下是平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，并且例如为200μm以下，优选为100μm以下。
荧光体能够单独使用或组合使用。
相对于100质量份两阶段固化型树脂，荧光体的配合比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，并且例如为80质量份以下，还优选为50质量份以下。
填充剂是为了提高密封片1(参照图3C)的韧性而配合于密封树脂组合物的，可列举出例如有机硅颗粒(具体而言，具有有机硅橡胶颗粒)等有机细颗粒、以及例如二氧化硅(例如，气相二氧化硅等)、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机细颗粒。另外，填充剂的最大长度的平均值(填充剂为球状的情况下是平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，并且例如为200μm以下，还优选为100μm以下。填充剂能够单独使用或组合使用。相对于100质量份两阶段固化型树脂，填充剂的配合比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，并且例如为70质量份以下，还优选为50质量份以下。
在调制密封树脂组合物时，将两阶段固化型树脂以及根据需要而配合的荧光体和/或填充剂配合并混合。另外，除了所述成分之外，还能够以适当的比例配合溶剂。作为溶剂，可列举出例如己烷等脂肪烃、例如二甲苯等芳香烃、例如乙烯基甲基环状硅氧烷、两末端乙烯基聚二甲基硅氧烷等硅氧烷等。
为了调制密封树脂组合物，具体而言，如图3A所示，在清漆调制区域9a中，在具有搅拌机51的混合容器52内配合所述各成分，接着，使用搅拌机51来混合所述各成分。
更具体而言，将A阶段的两阶段固化型树脂、荧光体和/或填充剂、所需要的溶剂配合并混合。由此，将A阶段的密封树脂组合物调制成清漆。
清漆在25℃且一个大气压的条件下的粘度例如为1000mPa·s以上，优选为4000mPa·s以上，并且例如为1000000mPa·s以下，优选为100000mPa·s以下。此外，粘度是通过将清漆的温度调节至25℃并使用E型锥板粘度计以每秒99转测定的。以下的粘度是利用与以上相同的方法测定的。
接着，在该方法中，在图2所示的涂敷区域9b中，涂敷A阶段的密封树脂组合物(清漆)。
具体而言，如图3B所示，将清漆涂敷在脱模片2的表面上。
作为脱模片2，可列举出例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金属箔等。优选的是可列举聚合物薄膜。另外，还可以对脱模片2的表面实施氟化处理等剥离处理。另外，脱模片2的形状并没有特别地限定，例如，脱模片2形成为俯视大致矩形形状(包括矩形条状、纵长状)等。
为了将清漆涂敷在脱模片2的表面上，可使用例如分配器、涂敷器、狭缝式模涂敷机(日文：スリットダイコータ)等涂敷装置。优选使用图3B中示出的分配器13。
另外，在接下来的B阶段化工序中，将清漆涂敷在脱模片2上，使得密封片1的厚度例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为1000μm以下。
将清漆涂敷成在俯视时为例如大致矩形形状(包括矩形条状、纵长状)、例如圆形状等适当的形状。也可以是，构成所述形状的清漆以相互隔开间隔的方式形成。
另外，将清漆涂敷在例如俯视大致矩形形状(不包括纵长状)的脱模片2上，通过接下来说明的B阶段化而成为单片式的密封片1，或者也可以是，将清漆连续地涂敷在纵长状的脱模片2上，通过接下来说明的B阶段化而成为连续式的密封片1。优选的是，将清漆涂敷在脱模片2上而成为单片式的密封片1。此外，在使密封片为单片式且在同一个脱模片2上制造多个密封片的情况下，间歇性地涂敷清漆。
之后，在图2所示的B阶段化区域9c中，使涂敷后的清漆实现B阶段化(半固化)。
在清漆含有两阶段固化型热固化性树脂的情况下，例如，对涂敷后的清漆进行加热。
在加热清漆时，例如，如图3C所示，使用烘箱55，该烘箱55具有相对配置于脱模片2的上侧和/或下侧的加热器54。
在加热条件中，加热温度例如为40℃以上，优选为80℃以上，更优选为100℃以上，并且例如为200℃以下，优选为150℃以下，更优选为140℃以下。加热时间例如为1分钟以上，优选为5分钟以上，更优选为10分钟以上，并且例如为24小时以下，优选为1小时以下，更优选为0.5小时以下。
通过在所述范围内选择加热条件，能够在较大范围内对利用片制造工序制造出来的密封片1的在25℃的温度条件下的期望的压缩弹性模量M0(后述)进行设定。
或者，在清漆含有两阶段固化型活性能量射线固化性树脂的情况下，对清漆照射活性能量射线。
由此，清漆实现B阶段化(半固化)，而没有实现C阶段化(完全固化)，即形成C阶段化(完全固化)前的密封片1、即B阶段的密封片1。
此外，C阶段化是固化度为90％以上的状态。此外，固化度例如通过如下方式计算出来：将通过进行加热或照射活性能量射线而使压缩弹性模量的上升成为饱和的状态作为固化度100％，然后，利用其中压缩弹性模量的比(测定样品的压缩弹性模量与饱和的压缩弹性模量之比)来计算固化度。
由此，在图2的片制造区域9中，如图3C所示，制得层叠在脱模片2的表面上的B阶段的密封片1。
利用该片制造工序制造出来的密封片1的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M0例如为0.040MPa以上，优选为0.050MPa以上，更优选为0.075MPa以上，进一步优选为0.100MPa以上，并且例如为0.145MPa以下，优选为0.140MPa以下，更优选为0.135MPa以下，进一步优选为0.125MPa以下。
若压缩弹性模量M超过所述上限，则在利用密封片1来密封LED4时，有时超过期望的压缩弹性模量(例如，在后述的片制造工序中制得B阶段的密封片1起的24小时后、在密封工序中利用密封片1来密封LED4时的、密封片1的压缩弹性模量M2)的上限。若在该情况下将LED4引线接合于基板6(参照图9的虚线)，则有时引线7会发生变形。
另一方面，若压缩弹性模量M0小于所述下限，则难以确保密封片1的形状。也就是说，有时清漆不能构成密封片1的形状。
详细而言，在利用片制造工序制造25℃的温度条件下的压缩弹性模量M0例如为0.040MPa以上且小于0.100MPa的密封片1时，在例如两阶段固化型树脂为缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂(具体而言，第1缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂～第3缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂)的情况下，相对于100质量份缩合原料，将缩合催化剂的含有比例设定为例如1×10－5质量份以上，优选设定为1×10－4质量份以上，或者在将加热温度设定为例如80℃以上、进一步设定为100℃以上、并且将加热温度设定为例如180℃以下、进一步设定为150℃以下的情况下，将加热时间设定为例如60分钟以下，优选设定为40分钟以下，更优选设定为30分钟以下，并且将加热时间设定为例如5分钟以上。
另外，在利用片制造工序来制造25℃的温度条件下的压缩弹性模量M0例如为0.100MPa以上且小于0.145MPa的密封片1时，在例如两阶段固化型树脂为缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂(具体而言，第1缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂～第3缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂)的情况下，相对于100质量份缩合原料，将缩合催化剂的含有比例设定为例如1×10－5质量份以上，优选设定为1×10－4质量份以上，或者在将加热温度设定为例如80℃以上、进一步设定为100℃以上、并且将加热温度设定为例如180℃以下、进一步设定为150℃以下的情况下，将加热时间设定为例如90分钟以下，优选为60分钟以下，更优选为45分钟以下，并且将加热时间设定为例如7.5分钟以上。
在25℃的温度条件下将利用片制造工序制造出来的密封片1保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量ΔM例如为0MPa以上，另外例如为0.015MPa以上，并且例如为0.120MPa以下。
此外，增加量ΔM是自M2减去M0而得到的值(M2－M0)，该M2是在25℃的温度条件下将利用片制造工序制造出来的密封片1保存了24小时之后的压缩弹性模量M2，该M0是在25℃的温度条件下将利用片制造工序制造出来的密封片1保存24小时之前的压缩弹性模量M0、即利用片制造工序制造出来的密封片1的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M0。
若增加量ΔM小于所述下限，则密封片1的自B阶段向C阶段的状态变化会变得过于缓慢。因此，有时密封片1实现C阶段化的时间会过度地变长。其结果，有时使LED装置5(参照图10)的制造效率降低。
另一方面，若增加量ΔM超过所述上限，则密封片1的自B阶段向C阶段的状态变化会变得过快。因此，如后述那样，从在片制造工序中制得密封片1之后到在密封工序中利用密封片1来密封LED4之前的这段时间内，密封片1自B阶段成为C阶段，其结果，若将LED4引线接合于基板6，则有时引线7发生变形或无法利用密封片1来可靠地密封LED4。
详细而言，以使在25℃的温度条件下保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量ΔM例如为0.050MPa以上(进一步0.075MPa以上，进一步0.100MPa以上)、并且例如为0.120MPa以下的方式使利用片制造工序制造出来的密封片1成为实现C阶段的时间相对地较短的短时间固化性(也就是说，快固化性)的密封片1。为了获得这样的快固化性的密封片1，例如，在两阶段固化型树脂为缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂(具体而言，第1缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂～第3缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂)的情况下，相对于100质量份加成原料，氢化硅烷化催化剂的含有比例例如为5.6×10－3质量份以上，优选为0.01质量份以上。
另一方面，以使在25℃的温度条件下保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量ΔM例如为0.015MPa以上且例如小于0.050MPa的方式使利用片制造工序制造出来的密封片1成为实现C阶段的时间相对地较长的长时间固化性(或者，慢固化性)的密封片1。为了获得这样的慢固化性的密封片1，例如，在两阶段固化型树脂为缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂(具体而言，第1缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂～第3缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂)的情况下，相对于100质量份加成原料，氢化硅烷化催化剂的含有比例例如为1×10－3质量份以上，优选为5×10－4质量份以上。
之后，在图2的片制造区域9中，也能够根据需要，将连续式的B阶段的密封片1与连续的脱模片2一起切断为规定形状，从而制成单片式的密封片1。
输送工序
如图2所示，输送工序是在输送区域10中实施的。输送区域10设于片制造区域9与密封区域11之间。
在输送工序中，在室温条件下输送在片制造区域9中利用片制造工序制造出来的密封片1，并将该密封片1供给至用于实施密封工序的密封区域11。或者，在小于室温的低温条件下输送密封片1。
室温并不是由于利用例如冷冻库、冷藏库等特别的冷却设备来积极地冷却密封片1而被维持在低温的温度这样的温度，另一方面，室温包括例如由于利用空调设备来调整作业环境而被适度地冷却后的温度，具体而言，室温例如为10℃以上，进一步为20℃以上，进一步为23℃以上，并且例如为40℃以下，进一步为30℃以下，进一步为25℃以下。
小于室温的低温是由于利用特别的冷却设备来冷却密封片1而被维持在低温的温度，具体而言，小于室温的低温例如小于10℃，进一步为5℃以下，并且为－60℃以上。
优选的是，在室温条件下输送利用片制造工序制造出来的密封片1。若在室温条件下输送密封片1，则不需要用于进行所述冷却的冷却设备，因此能够简化LED装置5的制造设备，其结果，能够降低LED装置5的制造成本。
为了输送密封片1，在以单片式制造密封片1的情况下，例如，将密封片1容纳于图4A～图4C所示的支架15、例如图5所示的盒体16、例如图6所示的带盖容器17等输送容器中，并将输送容器输送至密封工序中的压力机20(在后面叙述，参照图9)。
另外，在以连续式制造密封片1的情况下，也能够是，如图7所示，将脱模片2形成为纵长状，并将隔离膜18层叠在密封片1的表面(密封片1的与脱模片2相接触的接触面相反的那一侧的面)上，将脱模片2、密封片1以及隔离膜18卷绕起来而形成卷22，将密封片1以卷22的形式输送至压力机20(在后面叙述，参照图9)。
或者，在以连续式制造密封片1的情况下，也能够是，如图8所示，在纵长状的脱模片2上的相对于密封片1而言的宽度方向(与纵长方向和厚度方向正交的方向)两外侧设置纵长状的间隔件12，接着，以不使密封片1的表面与脱模片2的背面相接触的方式将脱模片2、密封片1以及间隔件12卷绕起来而形成卷22，并将密封片1以卷22的形式输送至压力机20(在后面叙述，参照图9)。
并且，在以连续式制造密封片1的情况下，也能够是，为了向密封区域11供给密封片1，利用例如图2的假想线所示的传送带14将密封片1连续地输送至密封区域11。
在所述输送容器中，从可靠地防止密封片1与其他构件相接触的观点考虑，优选使用图4A～图4C所示的支架15、图5所示的盒体16、以及图6所示的带盖容器17。也就是说，使用用于输送单片式的密封片1的输送容器。
如图4A～图4C所示，支架15具有侧视大致L字形状的框30、在上下方向上转动自如地安装于框30的多个架板31、以及安装于框30的脚轮32。
框30具有成一体的、形成为俯视大致矩形框状的底框33和自底框33的后端部向上侧延伸的背框34。
架板31以隔开间隔的方式在上下方向上设有多个。架板31呈网架状，架板31的后端部以能够抬起的方式转动地支承于背框34。另外，在架板31的前端部设有向下方突出的保持片35，具体而言，架板31构成为，在架板31的前端部降低时，保持片35能够保持架板31的水平姿势。如图4A所示，在未载置有密封片1时，架板31被抬起而被配置为倾斜状。另一方面，如图4B和图4C所示，在架板31上载置有密封片1时，在上下方向上相邻的架板31不会相互接触，由此，在各架板31之间形成有容纳空间。另外，各架板31保持水平姿势。
在底框33的下表面设有多个脚轮32。
为了将密封片1容纳于支架15，首先，使图4A所示的、被抬起的架板31(例如，位于最下部的架板31)的前端部如图4B的箭头所示那样下降而成为水平，接着，将密封片1载置在该架板31之上。具体而言，以使脱模片2与架板31的上表面相接触的方式配置。
另外，为了将多个密封片1容纳于支架15，如图4B所示，使相邻配置在载置有密封片1的最下层的架板31的上侧的架板31为水平，将密封片1载置在该架板31之上。重复进行该动作。由此，如图4C所示，将密封片1分别载置在所有的架板31上。由此，将多个密封片1容纳于支架15。
之后，利用脚轮32将支架15输送至图2所示的密封区域11。
这样的支架15具有通用性，并且，在不容纳密封片1的情况下，能够紧凑地保管支架15，因此能够谋求省空间化。
图5所示的盒体16是具有前方敞开的大致箱形形状的外壳36和设于外壳36内的载置板37的支架。
载置板37是用于载置密封片1(脱模片2)的周端部的支承板。载置板37以在上下方向上相互隔开间隔的方式在外壳36内以排列状安装有多个。各载置板37如假想线所示那样形成为大致平板形状，或者如实线所示那样形成为前方敞开的俯视大致日文コ字形状(实线，但是，在图5中，没有图示出日文コ字形状)。
为了将密封片1容纳于盒体16，将脱模片2载置在载置板37的上表面上。
之后，将盒体16输送至图2所示的密封区域11。
图6所示的带盖容器17具有托盘40和罩(上盖)41。
托盘40由PET等树脂形成为薄板状，且具有成一体的、托盘凸缘部42、托盘平板部43以及托盘框部44。
托盘凸缘部42以俯视大致框形形状形成于托盘40的周缘部分。
托盘平板部43形成托盘40的内侧部分，并形成为配置在比托盘凸缘部42的内周缘靠托盘40的内侧的位置的平板形状。
托盘框部44形成为，将托盘框部44的内周缘和托盘平板部43的外周缘相连结且朝向上方突出。
罩41具有成一体的、罩凸缘部45和罩平板部46。
罩凸缘部45以俯视大致框形形状形成于罩41的周缘部分。另外，在罩凸缘部45形成有嵌合槽47，在将托盘40和罩41沿上下方向重叠时，嵌合槽47与托盘框部44的上端部相嵌合。
罩平板部46呈朝向下方敞开的剖视大致日文コ字形状，并形成为配置在罩凸缘部45的内侧的平板形状。罩平板部46以比罩凸缘部45向上侧突出的方式形成。
为了将密封片1容纳于带盖的容器17，首先，准备托盘40，接着，将层叠有密封片1的脱模片2载置于托盘40的托盘平板部43。之后，将罩41以托盘框部44的上端部与嵌合槽47相嵌合的方式重叠于托盘40。由此，在托盘平板部43与罩平板部46之间划分有容纳空间。密封片1以与罩41的罩平板部46隔开间隔的方式容纳于带盖容器17内的容纳空间。
另外，也能够将容纳有密封片1的带盖容器17进一步容纳于例如由铝等金属或者聚丙烯、聚乙烯等树脂构成的保存袋(pouch)等。由此，能够防止密封片1的急剧的温度变化，具体而言，能够防止在使后述的冷却了的密封片1返回室温时的急剧的温度上升。从水蒸气阻隔性的观点考虑，优选使用铝制的袋。
采用该带盖容器17，能够防止密封片1与其他构件相接触。
密封工序
如图2所示，密封工序是在密封区域11中实施的。密封区域11具有LED准备区域11a、设置/加压区域11b以及C阶段化区域11c。
具体而言，首先，在图2的LED准备区域11a中，准备图9所示的、安装有LED4的基板6。
基板6例如由在硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、金属基板上层叠绝缘层而成的层叠基板等绝缘基板构成。
另外、在基板6的表面形成有导体图案(未图示)，该导体图案具有用来与接下来说明的LED4的端子(未图示)电连接的电极(未图示)和与电极相连续的配线。导体图案例如由金、铜、银、镍等导体形成。
LED4为将电能转换为光能的光半导体元件，形成为例如厚度比面方向长度(在与厚度方向正交的方向上的长度)短的剖视大致矩形形状。
作为LED4，可列举出例如发出蓝色光的蓝色LED(发光二极管元件)。LED4的厚度例如为10μm～1000μm。
LED4例如通过引线接合或倒装法安装于基板6。优选的是，如图9的虚线所示，将LED4安装于基板6并使用引线7将LED4的端子引线接合于基板6的电极。
在要将LED4的端子引线接合于基板6的电极的情况下，在LED4的表面上形成有未图示的端子，将该端子经由引线7同以在左右方向上与LED4的安装位置隔开间隔的方式设置在基板6的表面上的电极(未图示)电连接。
引线7形成为线状，引线7的一端与LED4的端子电连接，引线7的另一端与基板6的电极(未图示)电连接。
作为引线7的材料，可列举出例如金、银、铜等作为LED的引线接合材料而使用的金属材料，从耐腐蚀性的观点考虑，优选可列举金。
引线7的线径(粗细)例如为10μm以上，优选为20μm以上，并且例如为100μm以下，还优选为50μm以下。
另外，引线7在将LED4的端子和基板6的电极连接起来的状态下被弯曲或弯折而形成为大致弧形状(例如，三角弧形状、四角弧形状、圆弧形状等)。
接着，在该方法中，将安装有LED4的基板6在图2所示的设置/加压区域11b中设置于图9所示的压力机20。
压力机20以与设置/加压区域11b和C阶段化区域11c相连续(跨设置/加压区域11b和C阶段化区域11c)的方式配置。作为压力机20，能够采用例如具有以在上下方向上隔开间隔的方式相对配置的两张平板21的平板压力机等。此外，两张平板21以能够在设置/加压区域11b和C阶段化区域11c这两个区域中移动的方式构成。
在设置/加压区域11b中，具体而言，将安装有LED4的基板6设置于下侧的平板21。
接着，使自图2所示的输送区域10供给过来的密封片1上下翻转而将密封片1相对配置在LED4的上侧。也就是说，将密封片1配置为面向LED4。
接着，如图10所示，利用密封片1来埋设LED4。
具体而言，如图9的箭头所示，使密封片1下降(将密封片1压下)。详细而言，将密封片1朝向安装有LED4的基板6加压。具体而言，使上侧的平板21接近下侧的平板21。
加压压力例如为0.05MPa以上，优选为0.1MPa以上，并且例如为1MPa以下，优选为0.5MPa以下。
由此，利用密封片1来覆盖LED4和引线7。也就是说，LED4和引线7被埋设到密封片1内。
由此，利用密封片1来密封LED4和引线7。
之后，在图2的C阶段化区域11c中，使密封片1实现C阶段化。
在C阶段化区域11c中设有烘箱。
在两阶段固化型树脂为两阶段固化型热固化性树脂的情况下，对密封片1进行加热。具体而言，一边维持平板21对密封片1加压的加压状态，一边使平板21移动到C阶段化区域11c并投入到烘箱内。由此，对密封片1进行加热。
加热温度例如为80℃以上，优选为100℃以上，并且例如为200℃以下，优选为180℃以下。另外，加热时间例如为10分钟以上，优选为30分钟以上，并且例如为10小时以下，优选为5小时以下。
通过加热密封片1而使密封片1实现C阶段化(完全固化)。
此外，在两阶段固化型树脂为两阶段固化型活性能量射线固化性树脂的情况下，在C阶段化区域11c中，通过对密封片1照射活性能量射线，从而使密封片1实现C阶段化(完全固化)。具体而言，使用紫外线灯等向密封片1照射紫外线。
并且，在该制造方法中，从在片制造区域9(B阶段化区域9c)的片制造工序中制得密封片1之后(具体而言，从使清漆实现了B阶段化的时刻之后)到在密封区域11(设置/加压区域11b)的密封工序中利用密封片1来密封了LED4之前(具体而言，到利用密封片1来埋设了LED4的时刻之前)的这段时间T为24小时以下，优选为18小时以下，更优选为12小时以下，进一步优选为6小时以下，特别优选为3小时以下，并且例如为1秒钟以上，优选为1分钟以上。
若所述时间T超过所述上限，则不能充分地提高LED装置5的制造效率。
由此，制得包括密封片1、被密封片1密封的LED4、以及安装有LED4的基板6的作为光半导体装置的LED装置5。
之后，根据需要，将脱模片2如图10的假想线所示那样自密封片1剥下。
此外，在密封片1密封多个LED4的情况下，之后，根据需要，与各LED4相对应地将密封片1切断而使其单片化，对此没有图示。
并且，采用该方法，由于从在片制造工序中制得密封片1之后到在密封工序中利用密封片1来密封了LED4之前的这段时间T为短时间，因此能够提高LED装置5的制造效率。
详细而言，在以往的方法中，在片制造工厂中制造密封片1并使密封片1出厂，之后，在处于与片制造工厂不同的场所的密封工厂(具体而言，LED装置制造工厂)中，利用密封片1来密封LED4。
然而，在该方法中，在1个(同一)工厂、具体而言在LED装置制造工厂8中设置片制造区域9、输送区域10以及密封区域11，在LED装置制造工厂8内的各区域中实施所述各工序。换言之，将片制造工厂设于LED装置制造工厂内，在同一工厂内实施片制造工序和密封工序。采用这样的方法，能够使所述时间T为短时间。
并且，采用该方法，由于不必长时间维持密封片1的C阶段前的状态，具体而言，不必长时间维持密封片1的B阶段，因此，易于设计和管理B阶段的密封片1。因此，能够提高B阶段的密封片1的设计和管理的自由度。
另外，在以往的方法中，由于密封片1的输送和保管需要较长时间，因此，为了防止密封片1自C阶段前的状态、具体而言自B阶段成为C阶段，需要将B阶段的密封片1冷却(冷冻)为低温来输送和保管B阶段的密封片1。
但是，采用该方法，由于自C阶段前的状态、具体而言自B阶段之后到C阶段之前的这段时间T为短时间，因此能够在室温条件下输送利用片制造工序制造出来的B阶段的密封片1并将所述密封片1供给至密封工序。因此，不需要用于所述冷却的工时和设备，其结果，能够降低LED装置5的制造成本。
另外，在冷却密封片1的情况下，需要使冷却了的密封片1返回到室温并在之后利用该密封片1来密封LED4，结果会存在如下情况：当使冷却了的密封片1在短时间内返回到室温时，会使密封片1产生结露，若利用该结露了的密封片1来密封LED4，则会产生空隙而使LED装置5的可靠性降低。
另一方面，若为了防止密封片1的结露而使冷却了的密封片1在经过长时间后返回到室温，则会使LED装置5的制造效率显著降低。
但是，采用该方法，由于不需要所述冷却，因此，也不需要使冷却了的密封片1返回到室温，从而能够缩短制造时间。因此，能够降低制造成本。并且，由于还能够防止因所述结露而产生空隙，因此能够制造可靠性较高的LED装置5。
并且，采用该方法，在密封工序中，由于利用B阶段的密封片1来密封LED4，因此，与液状的A阶段的密封层61(后述)相比，能够利用处理性优异的B阶段的密封片1来将LED4简单地密封起来。
另外，若利用片制造工序制造出来的密封片1的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量为0.040MPa～0.145MPa，则能够使用的密封片1的压缩弹性模量的范围较大，因此，能够进一步提高密封片1的设计的自由度。
另外，采用该方法，利用在25℃的温度条件下保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量ΔM较大的密封片1也能够密封LED4。也就是说，能够使用快固化性的密封片1来缩短实现C阶段化所需要的时间。因此，能够缩短LED装置5的制造时间，其结果，能够降低制造成本。
变形例
此外，在第1实施方式中，如图9的实线箭头所示，使上侧的平板21接近下侧的平板21，但也能够是，例如，如图9的虚线所示，使下侧的平板21接近上侧的平板21。也就是说，朝向密封片1对配置于下侧的平板21的、安装有LED4的基板6进行加压。
另外，在所述图9的第1实施方式中，将安装有LED4的基板6配置于下侧的平板21，将层叠有密封片1的脱模片2配置于上侧的平板21。但是，例如，如参照图15那样，也能够上下颠倒地配置基板6和脱模片2。即，也能够将安装有LED4的基板6配置于上侧的平板21，将层叠有密封片1的脱模片2配置于下侧的平板21。
另外，在所述图2的第1实施方式中，在密封区域11中设置了具有烘箱的C阶段化区域11c，但也能够是，例如，以不在密封区域11中设置C阶段化区域11c的方式构成密封区域11，对此没有图示。在该情况下，例如，在图9所示的平板21上装备加热器，通过利用该加热器来加热B阶段的密封片1，从而使密封片1实现C阶段化。
另外，在图2的第1实施方式中，将输送区域10设于片制造区域9与密封区域11之间，但并不限于此，另外，也能够以不特别设置输送区域10的方式构成LED装置制造工厂8。
在图10的第1实施方式中，作为本发明中的光半导体元件和作为光半导体装置，分别以LED4和LED装置5作为一个例子进行说明，但也能够是，例如，将LD(激光二极管)4作为光半导体元件和并将激光二极管装置5作为光半导体装置。
在图2的实施方式中，在LED装置制造工厂8中预先设置了片制造区域9，但也能够是，例如，如图12所示，将能够移动的密封片制造单元91设置于LED装置制造工厂8内。
密封片制造单元91包括货柜92和容纳于货柜92内的片制造装置93。
货柜92具有壳体94、作为行进装置的第1车轮95、第1连结构件96、以及起落装置(landinggear)97。
片制造装置93容纳于壳体94。片制造装置93具有清漆调制装置98和片调制装置99。
清漆调制装置98具有例如混合容器52和搅拌机51。
片调制装置99相邻配置于清漆调制装置98。片调制装置99具有例如涂敷装置13和加热装置118。
作为涂敷装置13，可列举出例如分配器等。
作为加热装置118，可列举出热板等。
设于所述片制造装置93的各构件(清漆调制装置98和片调制装置99)被固定于壳体94。
密封片1的制造
接下来，参照图12和图2说明使用密封片制造单元91来制造密封片1、之后利用密封片1来密封LED4而制造LED装置5的方法。
密封片制造单元91的移动
在该方法中，首先，使密封片制造单元91移动到LED装置制造工厂8内。
具体而言，使密封片制造单元91移动到LED装置制造工厂8中的LED装置制造厂房(未图示)内或LED装置制造工厂8的场地内(以下，有时将这些仅称作“LED装置制造工厂8内”。)。
或者，使密封片制造单元91移动到LED装置制造工厂8的附近的规定的设置位置(具体而言，所述LED装置制造厂房(未图示)的附近的货柜92的设置位置)等。
首先，如图12所示，将密封片制造单元91和拖车(trailer)150连结起来。
拖车150包括底盘148、驾驶室149、容纳于驾驶室149的发动机151、以能够相对于设置在底盘148上的车轴进行旋转的方式构成的第2车轮152、以及第2连结构件153。
为了将密封片制造单元91和拖车150连结起来，首先，将底盘148的后侧部分插入到货柜92的下侧部分而使第2连结构件153和第1连结构件96在上下方向上相对配置，并将第2连结构件153和第1连结构件96连结起来。接着，利用拖车150的发动机151的驱动力来牵引货柜92。此时，通过第1车轮95的旋转使货柜92随着拖车150而行进。之后，使拖车150和密封片制造单元91移动到LED装置制造工厂8内或规定的设置位置。接着，如图12的假想线和箭头所示，使起落装置97向下侧伸出而使起落装置97的下端部接地。接着，将第2连结构件153与第1连结构件96之间的连结解除并使驾驶室149的后侧部分与货柜92的下侧部分脱离。由此，使拖车150与货柜92分开。
片制造装置93的运转
接着，在货柜92内，使片制造装置93运转而制造密封片1。具体而言，将清漆涂敷在剥离片2的表面上，之后，在清漆含有两阶段固化型热固化性树脂的情况下，利用加热装置118来加热清漆，从而使清漆实现B阶段化(半固化)而获得密封片1。
之后，利用获得的密封片1来密封LED4而制造LED装置5。
具体而言，将利用密封片制造单元91制造出来的B阶段的密封片1设于被设置在LED装置制造工厂的厂房(未图示)内的压力机20(参照图9)。
另外，如图9所示，首先，准备安装有LED4的基板6，将基板6设于所述热加压装置。
接着，在该方法中，如图9所示，使层叠于剥离片2的上表面的密封片1(图12)上下翻转而使密封片1相对配置在LED4的上侧。也就是说，将密封片1配置为面向LED4。具体而言，将密封片1、LED4以及基板6配置于被设置在LED装置制造工厂的厂房内的压力机20。
由此，制得具有密封片1、被密封片1密封的LED4、以及安装有LED4的基板6的LED装置5。
之后，根据需要，如图10所示，将剥离片2自密封片1剥离。
完成制造所需数量的密封片1
只要利用密封片制造单元91来制得所需数量的密封片1并在压力机20处制得所需数量的LED装置5，接着，就使密封片制造单元91移动到另一LED装置制造工厂内、另一设置位置，具体而言，使密封片制造单元91移动到被设于与最初的LED装置制造工厂8分开的地域的接下来的LED装置制造工厂内、设置位置。之后，使拖车150和密封片制造单元91自最初的LED装置制造工厂8内、设置位置移动到接下来的LED装置制造工厂内、设置位置。
作用效果
采用该变形例的密封片制造单元91，能够将片制造装置93连同货柜92一起移动到用于利用B阶段的密封片1来密封作为密封对象的LED4的LED装置制造工厂内、位于LED装置制造工厂的附近的货柜92的设置位置。因此，能够在LED装置制造工厂8内、设置位置处制造B阶段的密封片1。因此，能够将制造出来的B阶段的密封片1在短时间内原封不动地输送至被设于LED装置制造工厂8的厂房(未图示)内的压力机20处。其结果，能够大幅缩短在制造后用于输送密封片1的输送时间。
另外，由于在LED装置制造工厂8内、设置位置处制造密封片1，之后，在LED装置制造工厂8中，利用B阶段的密封片1来密封LED4，因此能够利用B阶段的密封片1来可靠地密封LED4。因此，不需要所述冷却设备，因此能够抑制制造成本。
第2实施方式
参照图13～图16说明作为本发明的光半导体装置的制造方法的第2实施方式的LED装置5的制造方法。
在第2实施方式中，对于第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式中，作为密封层而制造B阶段的密封片1，接着，利用该B阶段的密封片1来密封光半导体元件3。但是，也能够是，作为密封层而制造A阶段的密封层61，接着，利用该A阶段的密封层61来密封光半导体元件3。
如图15和图16所示，第2实施方式的LED装置5的制造方法是利用A阶段的密封层61来密封LED4而制造LED装置5的方法。如图14所示，LED装置5的制造方法包括制造A阶段的密封层61的密封层制造工序和利用A阶段的密封层61来密封LED4的密封工序。另外，LED装置5的制造方法包括将利用密封层制造工序制造出来的A阶段的密封层61输送至密封工序的输送工序。在LED4的制造方法中，依次实施密封层制造工序、输送工序、以及密封工序。
密封层制造工序
在密封层制造区域59中，不具有B阶段化区域9c(参照图2)，而具有清漆调制区域9a和涂敷区域9b。
在密封层制造工序中，为了制造A阶段的密封层61，首先，例如，在清漆调制区域9a中调制密封树脂组合物。
密封树脂组合物含有一阶段固化型树脂。密封树脂组合物优选由一阶段固化型树脂构成。
一阶段固化型树脂是具有一个阶段的反应机理、在第1阶段的反应中完全固化的固化性树脂。作为一阶段固化型树脂，可列举出例如利用加热来进行固化的一阶段固化型热固化性树脂、例如利用活性能量射线(例如，紫外线、电子束等)的照射来进行固化的一阶段固化型活性能量射线固化性树脂等。优选可列举一阶段固化型热固化性树脂。
具体而言，作为一阶段固化型热固化型树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、密胺树脂、不饱和聚酯树脂等。从透光性和耐久性的观点考虑，优选为一阶段固化型有机硅树脂。
A阶段的一阶段固化型树脂的粘度例如为1000mPa·s以上，优选为3000mPa·s以上，更优选为5000mPa·s以上，并且例如为1000000mPa·s以下，优选为500000mPa·s以下，更优选为200000mPa·s以下。
另外，在密封树脂组合物中，根据需要，也能够以所述配合比例含有所述荧光体和/或填充剂。
为了调制密封树脂组合物，具体而言，如图3A和图14所示，在清漆调制区域9a中，在具有搅拌机51的混合容器52内配合所述各成分，接着，使用搅拌机51来混合所述各成分。
更具体而言，将A阶段的一阶段固化型树脂、荧光体和/或填充剂、所需要的溶剂配合并混合。由此，将A阶段的密封树脂组合物调制成清漆。
将清漆在25℃、1个大气压的条件下的粘度设定为，在将清漆涂敷在脱模片2上之后(后述)、涂敷了的清漆不会自脱模片2(参照图15)的上表面的周端部滴落的程度，具体而言，清漆在25℃、1个大气压的条件下的粘度例如为1000mPa·s以上，优选为4000mPa·s以上，更优选为8000mPa·s以上，并且例如为1000000mPa·s以下，优选为500000mPa·s以下，更优选为200000mPa·s以下。
接着，在该方法中，在图14所示的涂敷区域9b中，将A阶段的密封树脂组合物(清漆)涂敷在脱模片2上。
在清漆含有溶剂的情况下，也能够对涂敷后的密封层61进行加热。具体而言，虽没有在图14中图示，但如参照图3C那样，利用具有两个加热器54的烘箱55来加热密封层61。此外，加热条件是不会在实质上促进固化性树脂的固化反应的条件，具体而言，温度例如为40℃以上，优选为60℃以上，并且例如为150℃以下，优选为130℃以下。另外，加热时间例如为1分钟以上，优选为5分钟以上，并且例如为60分钟以下，优选为40分钟以下。
涂敷了的A阶段的密封层61的厚度例如为10μm以上，优选为50μm以上，并且例如为2000μm以下，优选为1000μm以下。
由此，制得A阶段的密封层61。
输送工序
如图14所示，输送工序是在输送区域10中实施的。也就是说，在输送工序中，与第1实施方式同样地，在室温条件下输送在密封层制造区域59中利用密封层制造工序制造出来的密封层61并将该密封层61供给到用于实施密封工序的密封区域11。或者，在低于室温的低温条件下输送密封层61。
密封工序
如图14所示，密封工序是在密封区域11中实施的。密封区域11包括LED准备区域11a、设置/埋设区域11d以及C阶段化区域11c。
具体而言，首先，在图14的LED准备区域11a中，如图15所示，准备安装有LED4的基板6。
接着，在该方法中，在图14所示的设置/埋设区域11d中，将安装有LED4的基板6设置于图15所示的层叠装置55。
层叠装置55以与设置/埋设区域11d和C阶段化区域11c相连续(跨设置/埋设区域11d和C阶段化区域11c)的方式配置。层叠装置55具有例如以在上下方向上隔开间隔的方式相对配置的两张平板21。此外，两张平板21以能够在设置/埋设区域11d和C阶段化区域11c这两个区域中移动的方式构成。
在设置/埋设区域11d中，具体而言，将安装有LED4的基板6设置于上侧的平板21。具体而言，以使LED4朝向下侧的方式将基板6设于平板21的下表面。
接着，将自图14所示的输送区域10供给过来的密封层61设于下侧的平板21。也就是说，将密封层61配置为面向LED4。
接着，如图16所示，利用密封层61来埋设LED4。
具体而言，如图15的箭头所示，使上侧的平板21下降(将上侧的平板21压下)而使安装有LED4的基板6下降。或者，如图15的虚线箭头所示，使下侧的平板21上升(将下侧的平板21上推)而使层叠于脱模片2的密封层61上升。
由此，利用密封层61来覆盖LED4和引线7。也就是说，LED4和引线7被埋设在密封层61内。
由此，利用密封层61来密封LED4和引线7。
之后，在图14的C阶段化区域11c中，使密封层61实现C阶段化。
在C阶段化区域11c中设有烘箱。
在一阶段固化型树脂为一阶段固化型热固化性树脂的情况下，对密封层61进行加热。具体而言，一边维持平板21夹持密封层61的夹持状态，一边使平板21移动到C阶段化区域11c并投入到烘箱内。由此，对密封层61进行加热。
加热温度例如为80℃以上，优选为100℃以上，并且例如为200℃以下，优选为180℃以下。另外，加热时间例如为10分钟以上，优选为30分钟以上，并且例如为10小时以下，优选为5小时以下。
通过加热密封层61而使A阶段的密封层61实现C阶段化(完全固化)。
此外，在一阶段固化型树脂为一阶段固化型活性能量射线固化性树脂的情况下，在C阶段化区域11c中，通过对密封层61照射活性能量射线，从而使A阶段的密封层61实现C阶段化(完全固化)。具体而言，使用紫外线灯等向A阶段的密封层61照射紫外线。
并且，在该制造方法中，从在密封层制造区域59(涂敷区域9b)的密封层制造工序中制得密封片1之后(具体而言，从将清漆涂敷在脱模片2上的时刻之后)到在密封区域11(设置/埋设区域11d)的密封工序中利用密封片1来密封了LED4之前(具体而言，到利用密封片1来埋设了LED4的时刻之前)的这段时间T为24小时以下，优选为18小时以下，更优选为12小时以下，进一步优选为6小时以下，特别优选为3小时以下，并且例如为1秒钟以上，优选为1分钟以上。
若所述时间T超过所述上限，则不能充分地提高LED装置5的制造效率。
由此，制得包括密封片1、被密封片1密封的LED4、以及安装有LED4的基板6的作为光半导体装置的LED装置5。
之后，根据需要，将脱模片2如图16的假想线所示那样自密封片1剥下。
并且，采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得A阶段的密封层61之后到在密封工序中利用A阶段的密封层61来密封了LED4之前的这段时间T为短时间，因此能够提高LED装置5的制造效率。
详细而言，在该方法中，能够在1个(同一)工厂、具体而言在LED装置制造工厂8中设置密封层制造区域59、输送区域10以及密封区域11并在LED装置制造工厂8内的各区域中实施所述各工序。换言之，将密封层制造工厂设于LED装置制造工厂内，在同一工厂内实施密封层制造工序和密封工序。采用这样的方法，能够使所述时间T为短时间。
并且，采用该方法，由于不必长时间维持密封层61的A阶段，因此，易于设计和管理A阶段的密封层61。因此，能够提高A阶段的密封层61的设计和管理的自由度。
另外，采用该方法，由于自A阶段之后到C阶段之前的这段时间T为短时间，因此能够在室温条件下输送利用密封层制造工序制造出来的密封层61并将所述密封层61供给至密封工序。因此，不需要用于所述冷却的工时和设备，其结果，能够降低LED装置5的制造成本。
并且，采用该方法，由于不需要所述冷却，因此，也不需要使冷却了的A阶段的密封层61返回到室温，从而能够缩短制造时间。因此，能够降低制造成本。并且，由于还能够防止因所述结露而产生空隙，因此能够制造可靠性较高的LED装置5。
变形例
在图14的实施方式中，在LED装置制造工厂8中预先设置了密封层制造区域59，但也能够是，例如，如参照图12那样，将能够移动的密封层制造单元91设置于LED装置制造工厂8内。
在密封层制造单元191中没有设置加热装置118(该形态没有在图12中图示)，除该点以外，密封层制造单元191与密封片制造单元91同样地构成。另外，将密封片制造单元91作为密封层制造单元191，将片制造装置93作为密封层制造装置193，将片调制装置99作为密封层调制装置199。
并且，也能够利用这样的密封层制造单元191来制造A阶段的密封层61。之后，能够利用该密封层61来制造LED装置5。
实施例
能够将以下所示的实施例、制造例、参考例以及比较例中的数值代替为所述实施方式中记载的相对应的数值(即，上限值或下限值)。
密封片制造工序
制造例1
在片制造区域(参照图2)中，制造了密封片。具体而言，首先，对于加温至40℃的硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷(下述式(1)中的R1全部为甲基且n＝155表示的化合物，平均分子量11500)2031g(0.177mol)，将作为含乙烯系不饱和烃基硅化合物的乙烯基三甲氧基硅烷(下述式(2)中的R2为乙烯基且X1全部为甲氧基表示的化合物)15.76g(0.106mol)、和作为含乙烯系不饱和烃基硅化合物的(3-环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷(下述式(3)中的R3为3-环氧丙氧基丙基且X2全部为甲氧基表示的化合物)2.80g(0.0118mol)(为硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷的SiOH基的摩尔数、与含乙烯系不饱和烃基硅化合物的SiX1基和含乙烯系不饱和烃基硅化合物的SiX2基的总摩尔数的比(SiOH/(SiX1+SiX2)＝1/1)搅拌进行混合之后，加入作为缩合催化剂的四甲基氢氧化铵甲醇溶液(浓度10质量％)0.97mL(催化剂量：0.88mol、相对于硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷100摩尔为0.50摩尔、相对于缩合原料100g为4.0mg)，在40℃下进行1小时搅拌。对于得到的油，边在40℃下搅拌1小时边进行减压(10mmHg)，去除挥发成分。接下来，使反应液恢复至常压之后，以烯基相对于氢化硅基的摩尔比成为SiR2/SiH＝1/3.0的方式加入有机氢聚硅氧烷(二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷)，在40℃下进行1小时搅拌。之后，加入作为氢化硅烷化催化剂的铂－羰基络合物(铂浓度2.0质量％)0.038mL(铂含量相对于有机聚硅氧烷为0.375ppm，也就是说，相对于加成原料100g为0.375×10－4g)，在40℃下进行10分钟搅拌，从而调制有机硅树脂组合物(第2缩合反应－加成反应固化型有机硅树脂)。
化学式1
化学式2
R2-Si-(X1)3(2)
化学式3
R3-Si-(X2)3(3)
将100质量份有机硅树脂组合物、20质量份硅橡胶颗粒(平均粒径7μm)、以及10质量份作为黄色荧光体的YAG颗粒(平均粒径7μm)投入到具有搅拌机的混合容器中，使用搅拌机对它们进行了混合。由此，在清漆调制区域(参照图2)中调制了清漆。清漆在25℃、1气压的条件下的粘度为20000mPa·s。
接着，在涂敷区域(参照图2)中，利用分配器(参照图3B)将清漆在由PET构成的脱模片的表面上涂敷成俯视矩形形状(尺寸：10mm×100mm)，接着，在B阶段化区域中，利用烘箱以135℃进行15分钟加热，从而制成层叠于脱模片的、厚度600μm的B阶段的密封片。
对刚制造出来的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M0进行了测定，结果，压缩弹性模量M0为0.040MPa(参照表1)。具体而言，利用AIKHOENGINEERING公司制造的精密负荷测定仪计算出了25℃的温度条件下的压缩弹性模量。此外，后述的压缩弹性模量是与所述方法同样地实施而计算出来的。
制造例2～制造例10
在制造例1中，通过将在涂敷区域中利用烘箱进行加热的加热时间在15分钟～25分钟内适当调整，从而获得制造例2～制造例10的、表1所记载的压缩弹性模量的密封片。
输送工序和密封工序
利用在25℃的温度条件下进行输送的密封片来进行密封的时间T：1分钟
实施例1～实施例10
在密封区域的LED准备区域(参照图2)中，准备了引线接合有俯视矩形形状的LED的基板(参照图9)。LED和引线的尺寸如下。
LED的厚度：150μm
引线的线径：30μm
接着，将引线接合有LED的基板设置在位于密封区域的压力机(参照图2和图9)。
另外，在输送区域中，将制造例1～制造例10的刚制造出来的B阶段的密封片分别在室温(25℃)条件下容纳于带盖容器，立即在密封区域中将密封片自带盖容器取出并在设置/加压区域中将密封片配置于设有基板的压力机。
接着，利用密封片密封了LED和引线。
具体而言，利用平板加压，在室温条件下将密封片压下，通过对密封片施加0.3MPa的压力而利用密封片埋设了LED和引线。由此，利用密封片密封了LED和引线。
将埋设了LED和引线的之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M1表示在表1中。
另外，从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T为1分钟。
之后，在热加压区域中，将对密封片和基板进行加压的平板投入到烘箱内，在150℃的温度条件下将密封片加热两小时，使密封片实现了C阶段化。
之后，将脱模片自密封片剥离。
由此，制得LED装置。
此外，LED装置中的密封片的固化度为90％，其压缩弹性模量为0.040MP。
利用在25℃的温度条件下保存的密封片来进行密封的时间T：24小时
实施例11～实施例17
将从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T从1分钟更改为24小时，除此以外，与实施例1～实施例5、实施例7以及实施例8同样地进行了处理。
将实施例11～实施例17中的、密封(埋设)了LED和引线之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M2分别表示在表1中。
利用在25℃的温度条件下保存的密封片来进行密封的时间T：36小时
比较例1～比较例7
将从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T从1分钟更改为36小时，除此以外，与实施例1～实施例5、实施例7以及实施例8同样地进行了处理。
将比较例1～比较例7中的、密封(埋设)了LED和引线之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M3分别表示在表1中。
利用在40℃的温度条件下保存的密封片来进行密封的时间T：24小时
实施例18～实施例23
将从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T从1分钟更改为24小时且将输送区域中的温度自室温(25℃)更改为40℃，除此以外，与实施例1～实施例6同样地进行了处理。
将实施例18～实施例23中的、密封(埋设)了LED和引线之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M4分别表示在表1中。
利用在40℃的温度条件下保存的密封片来进行密封的时间T：36小时
比较例8～比较例13
将从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T从1分钟更改为36小时且将输送区域中的温度自室温(25℃)更改为40℃，除此以外，与实施例1～实施例6同样地进行了处理。
将比较例8～比较例13中的、密封(埋设)了LED和引线之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M5分别表示在表1中。
利用在-15℃的温度条件下保存的密封片来进行密封的时间T：24小时
实施例24～实施例30
将从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T从1分钟更改为24小时且将输送区域中的温度自室温(25℃)更改为-15℃，除此以外，与实施例1～实施例5、实施例7以及实施例9同样地进行了处理。
将实施例24～实施例30中的、密封(埋设)了LED和引线之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M6分别表示在表1中。
利用在-15℃的温度条件下保存的密封片来进行密封的时间T：36小时
比较例14～比较例20
将从制得B阶段的密封片(使密封片实现B阶段化)之后到密封(埋设)了LED和引线之前的这段时间T从1分钟更改为36小时且将输送区域中的温度自室温(25℃)更改为-15℃，除此以外，与实施例1～实施例5、实施例7以及实施例9同样地进行了处理。
将比较例14～比较例20中的、密封(埋设)了LED和引线之际的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M7分别表示在表1中。
评价
引线有无变形
观察了实施例1～实施例30和比较例1～比较例20中的引线，结果发现，在比较例6、比较例7、比较例12、比较例13以及比较例20中发现了引线的变形。
另一方面，在实施例1～实施例30和比较例1～比较例5、比较例8～比较例11以及比较例14～比较例19中，没有发现引线的变形。
在表1中示出制造例、实施例以及比较例的物性和评价结果。
表1
表的说明
表1的纵栏示出了保存并使用利用制造例制造出来的密封片的实施例和/或比较例，并记载了利用左端栏所记载的条件保存后的压缩弹性模量。
分析1
(1)密封片的压缩弹性模量和引线的变形
(1－1)压缩弹性模量的上限值
由实施例1～实施例30和比较例1～比较例20的评价结果可知：若密封(埋设)了LED之际的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M1～M7)超过0.160MPa(比较例6、比较例7、比较例12、比较例13以及比较例20)，则引线会产生变形，若压缩弹性模量(M1～M7)为0.160MPa以下(实施例1～实施例30以及比较例1～比较例5、比较例8～比较例11和比较例14～比较例19)，则引线不会产生变形。
因而，可知：能够在不使引线产生变形的情况下进行密封的、将密封(埋设)了LED之际的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M1～M7)的上限值为0.160MPa。
(1－2)压缩弹性模量的下限值
可知：制造例1的刚制造出来的B阶段的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量M0为0.040MPa，若压缩弹性模量低于该压缩弹性模量M0，则不能确保密封片的形状。这样一来，可知：在实施例1中，具体而言，将制造例1的刚制造出来的B阶段的密封片在常温下保存1分钟，之后，密封(埋设)了LED之际的密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量(M2)的下限值为0.040MPa。
(2)刚制造出来的密封片的压缩弹性模量
在实施例11～实施例17中，密封(埋设)了LED之际的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M2)在0.055MPa～0.160MPa的范围内，即使使用该密封片来密封LED，引线也不会产生变形。
在各实施例11～实施例17中，将刚制造出来的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M0)在0.040MPa～0.145MPa的范围内的制造例1～制造例8各自的密封片在25℃的温度条件下保存24小时之后，利用该B阶段的密封片来密封了LED。
因而，可知：若将刚制造出来的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M0)设定为0.040MPa～0.145MPa的范围内，则在制造后，将该密封片以常温保存24小时，之后，即使利用该密封片来密封LED4，也能够防止引线的变形。
(3)快固化性的密封片
实施例11的进行了密封(埋设)之际的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M2)比制造例1的刚制造出来的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M0)高0.015MPa(ΔM＝M2－M0)。也就是说，通过在25℃的温度条件下将制造出来的密封片保存24小时，从而使其压缩弹性模量上升0.015MPa(ΔM)。
另一方面，实施例17的进行了密封(埋设)之际的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M2)0.160MPa比制造例1的刚制造出来的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M0)0.040MPa高0.120MPa。这样一来，若考虑到能够在不使引线产生变形的情况下进行密封的、密封(埋设)了LED之际的B阶段的密封片的压缩弹性模量(M2)的上限为0.160MPa，则也能够选择刚制造出来的压缩弹性模量(M0)为0.040MPa(制造例1)且进行了密封(埋设)之际的压缩弹性模量(M2)为0.160MPa(实施例17)那样的快固化性的密封片。换言之，可知：能够在不使引线产生变形的情况下进行密封的、在25℃的温度条件下将利用片制造工序制造出来的快固化性的密封片保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量的上限值为0.120MPa。
(4)使用快固化性的密封片时的LED装置的制造效率
在使用25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量ΔM为0.120MPa的快固化性的密封片的情况下，利用下述式计算出利用150℃的加热条件用于实现C阶段的时间为15分钟。
2(小时)×0.015(MPa/两小时)/0.120(MPa/两小时)＝0.25(小时)(＝15分钟)
因此，在密封片为快固化性的情况下，能够将实现C阶段所花费的时间缩短8倍(＝2(小时)/0.25(小时))。也就是说，可知：通过缩短实现C阶段所花费的时间，能够大幅提高LED装置的制造效率。
使冷却了的密封片返回室温
参考例1
将刚制造出来的制造例1的密封片容纳于图6所示的带盖容器17，该带盖容器17在上下方向上堆积5层，将这些带盖容器17容纳于铝制的袋(保存袋)。之后，在-15℃的冷冻库中将该袋保存了3.5小时。之后，将该袋自冷冻库取出，接着，将该袋在20℃、相对湿度37％的气氛下的不锈钢台之上载置规定时间。也就是说，使密封片返回了室温。另外，对此时的、袋内的密封片的表面温度进行了测定。
将密封片的表面温度与将带盖容器载置在不锈钢台上之后的经过时间之间的关系表示在图11中。
结果
由图11可知，使冷却了的袋内的密封片的表面温度返回到室温所需的时间为3小时。
另外，没有在表面温度返回到室温的密封片的表面上观察到结露。
参考例2
从自冷冻库取出的袋中取出带盖容器17，将该容纳器原封不动地在20℃、相对湿度37％的气氛下的不锈钢台之上载置了3小时，除此以外，与参考例1同样地进行了处理。
结果
在表面温度返回到室温的密封片的表面上观察到了结露。
分析2
自冷冻状态起返回到室温为止的时间
可知：在使被在冷冻库中冷却了的密封片的表面温度以不产生结露的方式返回到室温(也就是说，供给至密封工序时的温度)时，需要以“容纳在袋内的状态”在室温条件下保存密封片。
并且，可知：使容纳在袋内的密封片的表面温度返回到室温所需的时间为“3小时”。也就是说，可知：LED装置的制造效率显著降低。
此外，虽然作为本发明的例示的实施方式提供了所述发明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员能够明确的本发明的变形例是包括在本发明的权利要求书的范围内的。
产业上的可利用性
光半导体装置的制造方法被用作LED装置、LD装置的制造方法。
附图标记说明
1、密封片；4、LED；5、LED装置；61、密封层。
Claims (6)
1.一种光半导体装置的制造方法，在该光半导体装置的制造方法中，利用密封层来密封光半导体元件而制造光半导体装置，其特征在于，
该光半导体装置的制造方法包括密封层制造工序和密封工序，在该密封层制造工序中制造所述密封层，在该密封工序中利用所述密封层来密封所述光半导体元件，
从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，
在室温条件下输送利用所述密封层制造工序制造出来的所述密封层并将所述密封层供给至所述密封工序。
3.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，
在该光半导体装置的制造方法中，利用B阶段的密封片来密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置，
所述密封层制造工序是制造B阶段的所述密封片的片制造工序，
在所述密封工序中，利用B阶段的所述密封片来密封所述光半导体元件，
从在所述片制造工序中制得B阶段的所述密封片之后到在所述密封工序中利用B阶段的所述密封片来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
4.根据权利要求3所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，
利用所述片制造工序制造出来的B阶段的所述密封片的在25℃的温度条件下的压缩弹性模量为0.040MPa～0.145MPa。
5.根据权利要求3所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，
在25℃的温度条件下将利用所述片制造工序制造出来的B阶段的所述密封片保存了24小时之际的、25℃的温度条件下的压缩弹性模量的增加量为0.015MPa～0.120MPa。
6.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，
在该光半导体装置的制造方法中，利用A阶段的密封层来密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置，
在所述密封层制造工序中，制造A阶段的所述密封层，
在所述密封工序中，利用A阶段的所述密封层来密封所述光半导体元件，
从在所述密封层制造工序中制得A阶段的所述密封层之后到在所述密封工序中利用A阶段的所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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